基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法
【課題】加熱によって、キャリア部材からビルドアップ層を分離して、ルーティング工程を不要にし、キャリア部材の分離の際、基板のサイズを変更しなくてキャリア部材を再使用することができ、基板と製造設備の間に互換性を維持する基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法を提供する。
【解決手段】片面または両面に第１金属層１１０が積層された絶縁層１００、第１金属層１１０の一面に形成された第２金属層１２０、及び第２金属層１２０の一面に形成された第３金属層１３０を含み、第２金属層１２０の融点は、第１金属層１１０の融点及び第３金属層１３０の融点より低い。
【解決手段】片面または両面に第１金属層１１０が積層された絶縁層１００、第１金属層１１０の一面に形成された第２金属層１２０、及び第２金属層１２０の一面に形成された第３金属層１３０を含み、第２金属層１２０の融点は、第１金属層１１０の融点及び第３金属層１３０の融点より低い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プリント基板は、種々の熱硬化性合成樹脂でなったボードの片面または両面に銅箔で配線を形成し、ボード上にＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）または電子部品を配置、固定し、これらの間の電気的配線を具現した後、絶縁体でコートしてなるものである。
【０００３】
近年、電子産業の発達につれて、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増している。これに応じて、このような電子部品が搭載されるプリント基板も高密度配線化及び薄板化が要求されている。
【０００４】
特に、プリント基板の薄板化に対応するために、コア基板を除去して全体的な厚さを減らし、信号処理時間を縮めることができるコアレス基板が注目されている。ところが、コアレス基板の場合、コア基板を使用しないため、製造工程中に支持体の役目をすることができるキャリア部材が必要である。以下、図面に基づいて従来技術によるコアレス基板の製造工程を詳細に説明する。
【０００５】
図１Ａ〜図１Ｅは、従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図で、これを参照して従来技術の問題点を説明する。
【０００６】
まず、図１Ａに示すように、キャリア部材１０を準備する段階である。キャリア部材１０は、銅張積層板１１（ＣＣＬ）を中心として両面に接着フィルム１２、第１金属層１３、第２金属層１４の順に積層することで形成する。この際、プレスで加熱及び加圧することにより、接着フィルム１２の周縁部は、銅張積層板１１と第２金属層１４を互いに接合させる。一方、銅張積層板１１と第２金属層１４を安定に接合させるために１０ｍｍ以上の接触面を持たなければならなく、第１金属層１３と第２金属層１４は、真空で吸着される。
【０００７】
ついで、図１Ｂに示すように、キャリア部材１０の両面にビルドアップ層１５を形成する段階である。ここで、ビルドアップ層１５は、一般的な方式で形成され、最外層には、ビルドアップ層１５の歪みを防止するための別の第３金属層１６を積層する。
【０００８】
ついで、図１Ｃに示すように、ビルドアップ層１５をキャリア部材１０から分離する段階である。ここで、銅張積層板１１と第２金属層１４に接合した接着フィルム１２の周縁部を、ルータ工程で除去してキャリア部材１０からビルドアップ層１５を分離する。
【０００９】
ついで、図１Ｄに示すように、ビルドアップ層１５の最外層に形成された第２金属層１４と第３金属層１６をエッチングで除去する。
【００１０】
ついで、図１Ｅに示すように、ビルドアップ層１５の最外側絶縁層に、パッド１９を露出させる開口部１７を加工し、パッド１９上にソルダボール１８を形成する。
【００１１】
前述した従来の基板の製造方法の場合、最後にキャリア部材１０とビルドアップ層１５は、分離しなければならない。この分離過程において、キャリア部材１０は、ルーティング工程によって両端が除去されるので、サイズが縮小して再使用しにくい。よって、プリント基板を製造する都度付加のキャリア部材１０を準備しなければならなく、それにより、総製造単価が高くなる問題点があった。また、製造段階でルーティング工程によって、基板のサイズが変更されるので、基板と製造設備間の互換性を維持しにくい問題点があった。
【００１２】
また、ビルドアップ層１５は、実質的に接着フィルム１２の周縁部の接着力だけでキャリア部材１０に固定されるものであるため、接着力が弱くて、キャリア部材１０を利用した製造工程中に、ビルドアップ層１５が偶然に分離してしまうという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって、本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、融点が相対的に低い金属層を採用することにより、ルーティング工程なしに、加熱によってキャリア部材からビルドアップ層を分離することができる基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記課題を解決するために、本発明の一面によれば、片面または両面に第１金属層が積層された絶縁層；前記第１金属層の一面に形成された第２金属層；及び前記第２金属層の一面に形成された第３金属層；を含み、前記第２金属層の融点は前記第１金属層の融点及び前記第３金属層の融点より低いことを特徴とする、基板製造用キャリア部材が提供される。
【００１５】
前記第２金属層は、スズまたはスズ合金で形成することが好ましい。
【００１６】
前記第２金属層は、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。
【００１７】
前記第１金属層または前記第３金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。
【００１８】
前記第１金属層が積層された前記絶縁層は、銅張積層板（ＣＣＬ）であってもよい。
【００１９】
前記第１金属層と前記第２金属層との間、または前記第２金属層と前記第３金属層との間には、金属間化合物が形成されることが好ましい。
【００２０】
前記課題を解決するために、本発明の他面によれば、（Ａ）片面または両面に第１金属層が積層された絶縁層を準備する段階；（Ｂ）前記第１金属層の一面に前記第１金属層より融点が低い第２金属層を形成した後、前記第２金属層の一面に前記第２金属層より融点が高い第３金属層を形成してキャリア部材を提供する段階；（Ｃ）前記第３金属層の一面にビルドアップ層を形成する段階；及び（Ｄ）前記第２金属層の融点以上に前記第２金属層を加熱して前記キャリア部材から前記ビルドアップ層を分離する段階；を含む、基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法が提供される。
【００２１】
前記（Ｂ）段階において、前記第２金属層は、スズまたはスズ合金で形成することが好ましい。
【００２２】
前記（Ｂ）段階において、前記第２金属層は、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。
【００２３】
前記（Ｄ）段階の後に、前記第３金属層に残存する前記第２金属層を除去する段階をさらに含むことが好ましい。
【００２４】
前記（Ｄ）段階の後に、前記第３金属層を除去する段階をさらに含むことが好ましい。
【００２５】
前記（Ｂ）段階において、前記第１金属層の一面に前記第２金属層をメッキして形成することが好ましい。
【００２６】
前記（Ｂ）段階において、前記第１金属層の一面にホイル形態の前記第２金属層を加熱及び加圧工程で積層して形成することが好ましい。
【００２７】
前記（Ｂ）段階において、前記第２金属層の一面に前記第３金属層をメッキして形成することが好ましい。
【００２８】
前記（Ｂ）段階において、前記第２金属層の一面にホイル形態の前記第３金属層を加熱及び加圧工程で積層して形成することが好ましい。
【００２９】
前記（Ａ）段階において、前記第１金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されることが好ましい。
【００３０】
前記（Ｂ）段階において、前記第３金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されることが好ましい。
【００３１】
前記（Ａ）段階において、前記第１金属層が積層された前記絶縁層は、銅張積層板（ＣＣＬ）であってもよい。
【００３２】
前記（Ｂ）段階において、前記第１金属層と前記第２金属層との間、または前記第２金属層と前記第３金属層との間には、金属間化合物が形成されることが好ましい。
【００３３】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以降の詳細な説明から、より明らかになるであろう。
【００３４】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、加熱によってキャリア部材からビルドアップ層を分離することができるので、ルーティング工程が必要でない。それにより、キャリア部材からビルドアップ層を分離するとき、基板のサイズが変更されないので、キャリア部材を再使用することができ、基板と製造設備間に互換性を維持することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１Ａ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（１）である。
【図１Ｂ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（２）である。
【図１Ｃ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（３）である。
【図１Ｄ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（４）である。
【図１Ｅ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（５）である。
【図２】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材の断面図である。
【図３】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（１）である。
【図４】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（２）である。
【図５】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（３）である。
【図６】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（４）である。
【図７】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（５）である。
【図８】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（６）である。
【図９】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（７）である。
【図１０】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（８）である。
【図１１】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（９）である。
【図１２】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（１０）である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例から一層明らかに理解可能であろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるにあたり、同じ構成要素がたとえ他の図面に図示されていても、できるだけ同じ符号を付けることにする。また、“一面”、“他面”、“第１”、“第２”、“第３”などの用語はある構成要素を他の構成要素と区別するために使用したもので、構成要素が前記用語に制限されるものではない。本発明の説明において、本発明の要旨を不要にあいまいにすることができる関連の公知技術についての具体的な説明は省略する。
【００３８】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３９】
図２は、本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材の断面図である。
【００４０】
図２に示すように、本実施例による基板製造用キャリア部材１０００は、片面または両面に第１金属層１１０が積層された絶縁層１００、第１金属層１１０の一面に形成された第２金属層１２０、及び第２金属層１２０の一面に形成された第３金属層１３０を含む構成で、第２金属層１２０の融点は第１金属層１１０の融点及び第３金属層１３０の融点より低いことを特徴とするものである。
【００４１】
前記絶縁層１００は、キャリア部材１０００を構成する基本的な部材で、両面または片面に第１金属層１１０が積層される。絶縁層１００の材質は、特に限定されるものではないが、両面または片面に第１金属層１１０が積層された絶縁層１００は、両面銅張積層板（ＣＣＬ）または片面銅張積層板（ＣＣＬ）である。その外に、絶縁層１００としては、一般的な絶縁材であるプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）またはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）を採用することができる。また、キャリア部材１０００の機械的強度を補強するために、絶縁層１００に、紙（ｐａｐｅｒ）、ガラス纎維（ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ）、ガラス不織布などの補強基材を添加することができる。
【００４２】
前記第１金属層１１０は、キャリア部材１０００の支持体の役目をするので、歪み防止のために所定強度以上の支持力を保有しなければならなく、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０が分離されるときに溶融される第２金属層１２０より高い融点を持たなければならない。前述した支持力と融点を考慮すると、第１金属層１１０は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。ただ、絶縁層１００として銅張積層板（ＣＣＬ）を用いる場合、第１金属層１１０が銅で形成されるのはいうまでもない。
【００４３】
一方、図面において、第１金属層１１０は、絶縁層１００の両面に積層されているが、これに限定されるものではなく、第１金属層１１０を絶縁層１００の片面にだけ選択的に形成させることができる。すなわち、キャリア部材１０００の両面にビルドアップ層１４０を形成する場合（図８参照）、絶縁層１００の両面に第１金属層１１０を積層すれば良く、キャリア部材１０００の片面にだけビルドアップ層１４０を形成する場合、絶縁層１００の片面にだけ第１金属層１１０を積層すれば良いものである。
【００４４】
前記第２金属層１２０は、第１金属層１１０と第３金属層１３０を互いに結合させることにより、全体的にはキャリア部材１０００とビルドアップ層１４０の結合を維持する役目をする。ここで、第２金属層１２０は、スズまたはスズ合金で形成するか、あるいはスズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金、及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することができる。
【００４５】
また、第２金属層１２０は、第１金属層１１０にメッキ工程で形成するか、あるいはホイル形態に形成して加熱及び加圧工程で第１金属層１１０に結合させることができる。この際、第２金属層１２０は、第１金属層１１０と反応して金属間化合物１２５（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を生成することができる。
【００４６】
例えば、第１金属層１１０が銅で形成され、第２金属層１２０がスズで形成された場合、第１金属層１１０と第２金属層１２０との間にはＣｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物１２５が生成される。ただ、一定温度でキャリア部材１０００からビルドアップ層１４０が分離されるように、すべての第２金属層１２０が金属間化合物１２５に変換されてはいけなく、融点が一定した純粋な第２金属層１２０が残存しなければならない。
【００４７】
最後には、第２金属層１２０を融点以上に加熱して溶融させることで、キャリア部材１０００とビルドアップ層１４０を分離することができるものである（図９参照）。参考として、第２金属層１２０を形成するスズ、カドミウム、鉛、ビズマスまたは亜鉛などの金属は、融点が約２３２℃〜約４１９℃（スズ−約２３２℃、カドミウム−約３２０．９℃、鉛−約３２７℃、ビズマス−約２７１．３℃、亜鉛−約４１９℃）であるが、第１金属層１１０を形成する銅、ニッケルまたはアルミニウムの融点は約６６０℃〜約１４５５℃（銅−約１０８３℃、ニッケル−約１４５５℃、アルミニウム−約６６０℃）である。
【００４８】
よって、所定温度（例えば、第２金属層１２０がスズ、第１金属層１１０及び第３金属層１３０が銅の場合、２３２℃以上ないし１０８３℃未満の温度）に加熱することで、第１金属層１１０及び第３金属層１３０の相変化なしに第２金属層１２０だけ選択的に溶融させることにより、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離することができる。
【００４９】
前記第３金属層１３０は、前述した第１金属層１１０と同様にキャリア部材１０００の支持体の役目をするので、歪み防止のために所定強度以上の支持力を保有しなければならなく、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０が分離されるときに溶融される第２金属層１２０より高い融点を持たなければならない。
【００５０】
また、第３金属層１３０は、最後に除去されなければならないので、エッチングの容易な材質で形成することが好ましい。前述した支持力、融点及びエッチングの容易性を考慮すると、第３金属層１３０は銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。
【００５１】
更に、第３金属層１３０は、第２金属層１２０にメッキ工程で形成するか、あるいはホイル形態に形成して加熱及び加圧工程で第２金属層１２０に結合させることができる。この際、第３金属層１３０は、第２金属層１２０と反応して金属間化合物１３５（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を生成することができるのは、前述したようである。
【００５２】
本実施例によるキャリア部材１０００は、所定温度（第２金属層１２０の融点）以上に加熱してビルドアップ層１４０を分離することができる（図９参照）。よって、従来技術とは異なり、ルーティング工程を省略することができ、基板の製造工程中に通常到逹する約２００℃では、キャリア部材１０００とビルドアップ層１４０の結合を安定に維持することができる利点がある。
【００５３】
図３〜図１２は、本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図である。
【００５４】
図３〜図１２に示すように、本実施例による基板製造用キャリア部材１０００を利用した基板の製造方法は、（Ａ）片面または両面に第１金属層１１０が積層された絶縁層１００を準備する段階、（Ｂ）第１金属層１１０の一面に第１金属層１１０より融点が低い第２金属層１２０を形成した後、第２金属層１２０の一面に第２金属層１２０より融点が高い第３金属層１３０を形成してキャリア部材１０００を提供する段階、（Ｃ）第３金属層１３０の一面にビルドアップ層１４０を形成する段階、及び（Ｄ）第２金属層１２０の融点以上に第２金属層１２０を加熱することにより、キャリア部材１０００から前記ビルドアップ層１４０を分離する段階を含んでなるものである。
【００５５】
まず、図３に示すように、第１金属層１１０が積層された絶縁層１００を準備する段階である。ここで、絶縁層１００として、銅張積層板（ＣＣＬ）を利用することができる。この場合、絶縁層１００に積層された第１金属層１１０は、銅張積層板の銅箔でなるのはいうまでもない。ただ、これに限定されるものではなく、絶縁層１００としては一般的な絶縁材のプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）またはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）などを採用することもできる。この際、第１金属層１１０は銅、ニッケルまたはアルミニウムなどで形成することができる。
【００５６】
図面において、第１金属層１１０は、絶縁層１００の両面に積層されているが、絶縁層１００の片面にだけ選択的に積層することにより、後述する工程でキャリア部材１０００の一面にだけ選択的にビルドアップ層１４０を形成することができる。
【００５７】
ついで、図４に示すように、第１金属層１１０の一面に第２金属層１２０を形成する段階である。ここで、第２金属層１２０は、第１金属層１１０の一面にメッキして形成するか、あるいはホイル形態に第２金属層１２０を形成し、第１金属層１１０に加熱及び加圧工程で積層することができる。
【００５８】
一方、第２金属層１２０は、第１金属層１１０と反応して、第２金属層１２０と第１金属層１１０との間に、金属間化合物１２５を生成することができる。また、第２金属層１２０は、後述する工程で溶融して、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離させる役目をしなければならないので、銅、ニッケルまたはアルミニウムなどで形成された第１金属層１１０と第３金属層１３０より低い融点を持たなければならない。この点を考慮すると、第２金属層１２０は、スズまたはスズ合金で形成するか、あるいはスズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。
【００５９】
ついで、図５に示すように、第２金属層１２０の一面に第３金属層１３０を形成してキャリア部材１０００を提供する段階である。ここで、第３金属層１３０は、第２金属層１２０の形成方法と同様に第２金属層１２０の一面にメッキして形成するか、あるいはホイル形態に第３金属層１３０を形成し、第２金属層１２０に加熱及び加圧工程で積層することができる。この際、第３金属層１３０は、第２金属層１２０と反応して第３金属層１３０と第２金属層１２０の間に金属間化合物１３５を生成することができる。
【００６０】
一方、第３金属層１３０は、スズなどで形成された第２金属層１２０より高い融点を持たなければならなく、後述する段階で除去されなければならないので、エッチングの容易な材質を選択することが好ましい。この点を考慮すると、第３金属層１３０は、銅、ニッケルまたはアルミニウムなどで形成することが好ましい。
【００６１】
ついで、図６〜図８に示すように、第３金属層１３０の一面にビルドアップ層１４０を形成する段階である。ここで、ビルドアップ層１４０は、第３金属層１３０に付加の絶縁材１４１を積層し、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーでビアホールを形成した後、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などを行ってビア１４５を含む回路層１４３を形成することで完成することができる。
【００６２】
一方、図６〜図１１を参照すれば、この段階において、ビルドアップ層１４０の最外側絶縁材１４１には、ビア１５５（図１１）を含む回路層１５３（図１１）が形成されず、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離した後、最外側絶縁材１４１にビア１５５を含む回路層１５３が形成されるものが示されているが、本発明の権利範囲が必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、この段階で、それぞれの絶縁材１４１を積層しながらすべての絶縁材１４１に順次ビア１４５、１５５を含む回路層１４３、１５３を形成することができる。
【００６３】
ついで、図９に示すように、第２金属層１２０を融点以上に加熱することで、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離する段階である。前述したように、第２金属層１２０の融点は、約２３２℃〜約４１９℃であるが、第１金属層１１０の融点と第３金属層１３０の融点は、約６６０℃〜約１４５５℃であるので、所定温度（例えば、第２金属層１２０がスズ、第１金属層１１０と第３金属層１３０が銅の場合、２３２℃以上ないし１０８３℃未満の温度）に加熱することでキャリアからビルドアップ層１４０を分離することができる。この際、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０をより効率よく分離するために、付加の物理力を加えることができるのはいうまでもない。
【００６４】
一方、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離した後、第３金属層１３０には、溶融された第２金属層１２０が残存することができる。残存する第２金属層１２０はエッチング工程などで除去することが好ましい。
【００６５】
ついで、図１０に示すように、第３金属層１３０を除去する段階である。第３金属層１３０を除去する方法は、特に限定されるものではないが、第２金属層１２０と同様に、エッチング工程などで除去することができる。また、残存する第２金属層１２０をエッチング工程で除去するとき、第３金属層１３０も同時に除去して製造工程を簡素化することができる。
【００６６】
ついで、図１１に示すように、ビルドアップ層１４０の最外側絶縁材１４１に、ビア１５５を含む回路層１５３を形成する段階である。前述した段階で第３金属層１３０を除去したので、ビルドアップ層１４０の最外側絶縁材１４１は露出され、露出された最外側絶縁材１４１にＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーでビアホールを形成した後、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などを行ってビア１５５を含む回路層１５３を形成することができる。ただ、前述したようにビルドアップ層１４０を形成する段階で、それぞれの絶縁材１４１を積層しながらすべての絶縁材１４１に順次ビア１４５、１５５を含む回路層１４３、１５３を形成する場合、この段階を省略することができる。
【００６７】
ついで、図１２に示すように、ビルドアップ層１４０の最外側絶縁材１４１に、ソルダレジスト層１６０を形成する段階である。ここで、ソルダレジスト層１６０は、耐熱性被覆材料で形成され、ソルダリング（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）の際に、回路層１５３に半田が塗布されないように保護する役目をする。また、外部回路との電気的連結のために、ソルダレジスト層１６０に開口部１６５を加工することにより、パッドを露出させることができる。
【００６８】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による基板製造用キャリア部材１０００及びこれを用いた基板の製造方法は、これに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、融点が相対的に低い金属層を採用し、ルーティング工程なしに、加熱によって、キャリア部材からビルドアップ層を分離する基板製造用キャリア部材に適用可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１００ 絶縁層
１１０ 第１金属層
１２０ 第２金属層
１２５、１３５ 金属間化合物
１３０ 第３金属層
１４０ ビルドアップ層
１４１ 絶縁材
１４３、１５３ 回路層
１４５、１５５ ビア
１６０ ソルダレジスト層
１６５ 開口部
１０００ キャリア部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プリント基板は、種々の熱硬化性合成樹脂でなったボードの片面または両面に銅箔で配線を形成し、ボード上にＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）または電子部品を配置、固定し、これらの間の電気的配線を具現した後、絶縁体でコートしてなるものである。
【０００３】
近年、電子産業の発達につれて、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増している。これに応じて、このような電子部品が搭載されるプリント基板も高密度配線化及び薄板化が要求されている。
【０００４】
特に、プリント基板の薄板化に対応するために、コア基板を除去して全体的な厚さを減らし、信号処理時間を縮めることができるコアレス基板が注目されている。ところが、コアレス基板の場合、コア基板を使用しないため、製造工程中に支持体の役目をすることができるキャリア部材が必要である。以下、図面に基づいて従来技術によるコアレス基板の製造工程を詳細に説明する。
【０００５】
図１Ａ〜図１Ｅは、従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図で、これを参照して従来技術の問題点を説明する。
【０００６】
まず、図１Ａに示すように、キャリア部材１０を準備する段階である。キャリア部材１０は、銅張積層板１１（ＣＣＬ）を中心として両面に接着フィルム１２、第１金属層１３、第２金属層１４の順に積層することで形成する。この際、プレスで加熱及び加圧することにより、接着フィルム１２の周縁部は、銅張積層板１１と第２金属層１４を互いに接合させる。一方、銅張積層板１１と第２金属層１４を安定に接合させるために１０ｍｍ以上の接触面を持たなければならなく、第１金属層１３と第２金属層１４は、真空で吸着される。
【０００７】
ついで、図１Ｂに示すように、キャリア部材１０の両面にビルドアップ層１５を形成する段階である。ここで、ビルドアップ層１５は、一般的な方式で形成され、最外層には、ビルドアップ層１５の歪みを防止するための別の第３金属層１６を積層する。
【０００８】
ついで、図１Ｃに示すように、ビルドアップ層１５をキャリア部材１０から分離する段階である。ここで、銅張積層板１１と第２金属層１４に接合した接着フィルム１２の周縁部を、ルータ工程で除去してキャリア部材１０からビルドアップ層１５を分離する。
【０００９】
ついで、図１Ｄに示すように、ビルドアップ層１５の最外層に形成された第２金属層１４と第３金属層１６をエッチングで除去する。
【００１０】
ついで、図１Ｅに示すように、ビルドアップ層１５の最外側絶縁層に、パッド１９を露出させる開口部１７を加工し、パッド１９上にソルダボール１８を形成する。
【００１１】
前述した従来の基板の製造方法の場合、最後にキャリア部材１０とビルドアップ層１５は、分離しなければならない。この分離過程において、キャリア部材１０は、ルーティング工程によって両端が除去されるので、サイズが縮小して再使用しにくい。よって、プリント基板を製造する都度付加のキャリア部材１０を準備しなければならなく、それにより、総製造単価が高くなる問題点があった。また、製造段階でルーティング工程によって、基板のサイズが変更されるので、基板と製造設備間の互換性を維持しにくい問題点があった。
【００１２】
また、ビルドアップ層１５は、実質的に接着フィルム１２の周縁部の接着力だけでキャリア部材１０に固定されるものであるため、接着力が弱くて、キャリア部材１０を利用した製造工程中に、ビルドアップ層１５が偶然に分離してしまうという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって、本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、融点が相対的に低い金属層を採用することにより、ルーティング工程なしに、加熱によってキャリア部材からビルドアップ層を分離することができる基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記課題を解決するために、本発明の一面によれば、片面または両面に第１金属層が積層された絶縁層；前記第１金属層の一面に形成された第２金属層；及び前記第２金属層の一面に形成された第３金属層；を含み、前記第２金属層の融点は前記第１金属層の融点及び前記第３金属層の融点より低いことを特徴とする、基板製造用キャリア部材が提供される。
【００１５】
前記第２金属層は、スズまたはスズ合金で形成することが好ましい。
【００１６】
前記第２金属層は、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。
【００１７】
前記第１金属層または前記第３金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。
【００１８】
前記第１金属層が積層された前記絶縁層は、銅張積層板（ＣＣＬ）であってもよい。
【００１９】
前記第１金属層と前記第２金属層との間、または前記第２金属層と前記第３金属層との間には、金属間化合物が形成されることが好ましい。
【００２０】
前記課題を解決するために、本発明の他面によれば、（Ａ）片面または両面に第１金属層が積層された絶縁層を準備する段階；（Ｂ）前記第１金属層の一面に前記第１金属層より融点が低い第２金属層を形成した後、前記第２金属層の一面に前記第２金属層より融点が高い第３金属層を形成してキャリア部材を提供する段階；（Ｃ）前記第３金属層の一面にビルドアップ層を形成する段階；及び（Ｄ）前記第２金属層の融点以上に前記第２金属層を加熱して前記キャリア部材から前記ビルドアップ層を分離する段階；を含む、基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法が提供される。
【００２１】
前記（Ｂ）段階において、前記第２金属層は、スズまたはスズ合金で形成することが好ましい。
【００２２】
前記（Ｂ）段階において、前記第２金属層は、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。
【００２３】
前記（Ｄ）段階の後に、前記第３金属層に残存する前記第２金属層を除去する段階をさらに含むことが好ましい。
【００２４】
前記（Ｄ）段階の後に、前記第３金属層を除去する段階をさらに含むことが好ましい。
【００２５】
前記（Ｂ）段階において、前記第１金属層の一面に前記第２金属層をメッキして形成することが好ましい。
【００２６】
前記（Ｂ）段階において、前記第１金属層の一面にホイル形態の前記第２金属層を加熱及び加圧工程で積層して形成することが好ましい。
【００２７】
前記（Ｂ）段階において、前記第２金属層の一面に前記第３金属層をメッキして形成することが好ましい。
【００２８】
前記（Ｂ）段階において、前記第２金属層の一面にホイル形態の前記第３金属層を加熱及び加圧工程で積層して形成することが好ましい。
【００２９】
前記（Ａ）段階において、前記第１金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されることが好ましい。
【００３０】
前記（Ｂ）段階において、前記第３金属層は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されることが好ましい。
【００３１】
前記（Ａ）段階において、前記第１金属層が積層された前記絶縁層は、銅張積層板（ＣＣＬ）であってもよい。
【００３２】
前記（Ｂ）段階において、前記第１金属層と前記第２金属層との間、または前記第２金属層と前記第３金属層との間には、金属間化合物が形成されることが好ましい。
【００３３】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以降の詳細な説明から、より明らかになるであろう。
【００３４】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、加熱によってキャリア部材からビルドアップ層を分離することができるので、ルーティング工程が必要でない。それにより、キャリア部材からビルドアップ層を分離するとき、基板のサイズが変更されないので、キャリア部材を再使用することができ、基板と製造設備間に互換性を維持することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１Ａ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（１）である。
【図１Ｂ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（２）である。
【図１Ｃ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（３）である。
【図１Ｄ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（４）である。
【図１Ｅ】従来のキャリア部材から基板を製造する方式を工程順に示す図（５）である。
【図２】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材の断面図である。
【図３】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（１）である。
【図４】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（２）である。
【図５】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（３）である。
【図６】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（４）である。
【図７】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（５）である。
【図８】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（６）である。
【図９】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（７）である。
【図１０】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（８）である。
【図１１】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（９）である。
【図１２】本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図（１０）である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例から一層明らかに理解可能であろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるにあたり、同じ構成要素がたとえ他の図面に図示されていても、できるだけ同じ符号を付けることにする。また、“一面”、“他面”、“第１”、“第２”、“第３”などの用語はある構成要素を他の構成要素と区別するために使用したもので、構成要素が前記用語に制限されるものではない。本発明の説明において、本発明の要旨を不要にあいまいにすることができる関連の公知技術についての具体的な説明は省略する。
【００３８】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３９】
図２は、本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材の断面図である。
【００４０】
図２に示すように、本実施例による基板製造用キャリア部材１０００は、片面または両面に第１金属層１１０が積層された絶縁層１００、第１金属層１１０の一面に形成された第２金属層１２０、及び第２金属層１２０の一面に形成された第３金属層１３０を含む構成で、第２金属層１２０の融点は第１金属層１１０の融点及び第３金属層１３０の融点より低いことを特徴とするものである。
【００４１】
前記絶縁層１００は、キャリア部材１０００を構成する基本的な部材で、両面または片面に第１金属層１１０が積層される。絶縁層１００の材質は、特に限定されるものではないが、両面または片面に第１金属層１１０が積層された絶縁層１００は、両面銅張積層板（ＣＣＬ）または片面銅張積層板（ＣＣＬ）である。その外に、絶縁層１００としては、一般的な絶縁材であるプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）またはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）を採用することができる。また、キャリア部材１０００の機械的強度を補強するために、絶縁層１００に、紙（ｐａｐｅｒ）、ガラス纎維（ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ）、ガラス不織布などの補強基材を添加することができる。
【００４２】
前記第１金属層１１０は、キャリア部材１０００の支持体の役目をするので、歪み防止のために所定強度以上の支持力を保有しなければならなく、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０が分離されるときに溶融される第２金属層１２０より高い融点を持たなければならない。前述した支持力と融点を考慮すると、第１金属層１１０は、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。ただ、絶縁層１００として銅張積層板（ＣＣＬ）を用いる場合、第１金属層１１０が銅で形成されるのはいうまでもない。
【００４３】
一方、図面において、第１金属層１１０は、絶縁層１００の両面に積層されているが、これに限定されるものではなく、第１金属層１１０を絶縁層１００の片面にだけ選択的に形成させることができる。すなわち、キャリア部材１０００の両面にビルドアップ層１４０を形成する場合（図８参照）、絶縁層１００の両面に第１金属層１１０を積層すれば良く、キャリア部材１０００の片面にだけビルドアップ層１４０を形成する場合、絶縁層１００の片面にだけ第１金属層１１０を積層すれば良いものである。
【００４４】
前記第２金属層１２０は、第１金属層１１０と第３金属層１３０を互いに結合させることにより、全体的にはキャリア部材１０００とビルドアップ層１４０の結合を維持する役目をする。ここで、第２金属層１２０は、スズまたはスズ合金で形成するか、あるいはスズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金、及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することができる。
【００４５】
また、第２金属層１２０は、第１金属層１１０にメッキ工程で形成するか、あるいはホイル形態に形成して加熱及び加圧工程で第１金属層１１０に結合させることができる。この際、第２金属層１２０は、第１金属層１１０と反応して金属間化合物１２５（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を生成することができる。
【００４６】
例えば、第１金属層１１０が銅で形成され、第２金属層１２０がスズで形成された場合、第１金属層１１０と第２金属層１２０との間にはＣｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物１２５が生成される。ただ、一定温度でキャリア部材１０００からビルドアップ層１４０が分離されるように、すべての第２金属層１２０が金属間化合物１２５に変換されてはいけなく、融点が一定した純粋な第２金属層１２０が残存しなければならない。
【００４７】
最後には、第２金属層１２０を融点以上に加熱して溶融させることで、キャリア部材１０００とビルドアップ層１４０を分離することができるものである（図９参照）。参考として、第２金属層１２０を形成するスズ、カドミウム、鉛、ビズマスまたは亜鉛などの金属は、融点が約２３２℃〜約４１９℃（スズ−約２３２℃、カドミウム−約３２０．９℃、鉛−約３２７℃、ビズマス−約２７１．３℃、亜鉛−約４１９℃）であるが、第１金属層１１０を形成する銅、ニッケルまたはアルミニウムの融点は約６６０℃〜約１４５５℃（銅−約１０８３℃、ニッケル−約１４５５℃、アルミニウム−約６６０℃）である。
【００４８】
よって、所定温度（例えば、第２金属層１２０がスズ、第１金属層１１０及び第３金属層１３０が銅の場合、２３２℃以上ないし１０８３℃未満の温度）に加熱することで、第１金属層１１０及び第３金属層１３０の相変化なしに第２金属層１２０だけ選択的に溶融させることにより、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離することができる。
【００４９】
前記第３金属層１３０は、前述した第１金属層１１０と同様にキャリア部材１０００の支持体の役目をするので、歪み防止のために所定強度以上の支持力を保有しなければならなく、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０が分離されるときに溶融される第２金属層１２０より高い融点を持たなければならない。
【００５０】
また、第３金属層１３０は、最後に除去されなければならないので、エッチングの容易な材質で形成することが好ましい。前述した支持力、融点及びエッチングの容易性を考慮すると、第３金属層１３０は銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成することが好ましい。
【００５１】
更に、第３金属層１３０は、第２金属層１２０にメッキ工程で形成するか、あるいはホイル形態に形成して加熱及び加圧工程で第２金属層１２０に結合させることができる。この際、第３金属層１３０は、第２金属層１２０と反応して金属間化合物１３５（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を生成することができるのは、前述したようである。
【００５２】
本実施例によるキャリア部材１０００は、所定温度（第２金属層１２０の融点）以上に加熱してビルドアップ層１４０を分離することができる（図９参照）。よって、従来技術とは異なり、ルーティング工程を省略することができ、基板の製造工程中に通常到逹する約２００℃では、キャリア部材１０００とビルドアップ層１４０の結合を安定に維持することができる利点がある。
【００５３】
図３〜図１２は、本発明の好適な実施例による基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法を工程順に示す図である。
【００５４】
図３〜図１２に示すように、本実施例による基板製造用キャリア部材１０００を利用した基板の製造方法は、（Ａ）片面または両面に第１金属層１１０が積層された絶縁層１００を準備する段階、（Ｂ）第１金属層１１０の一面に第１金属層１１０より融点が低い第２金属層１２０を形成した後、第２金属層１２０の一面に第２金属層１２０より融点が高い第３金属層１３０を形成してキャリア部材１０００を提供する段階、（Ｃ）第３金属層１３０の一面にビルドアップ層１４０を形成する段階、及び（Ｄ）第２金属層１２０の融点以上に第２金属層１２０を加熱することにより、キャリア部材１０００から前記ビルドアップ層１４０を分離する段階を含んでなるものである。
【００５５】
まず、図３に示すように、第１金属層１１０が積層された絶縁層１００を準備する段階である。ここで、絶縁層１００として、銅張積層板（ＣＣＬ）を利用することができる。この場合、絶縁層１００に積層された第１金属層１１０は、銅張積層板の銅箔でなるのはいうまでもない。ただ、これに限定されるものではなく、絶縁層１００としては一般的な絶縁材のプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）またはＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）などを採用することもできる。この際、第１金属層１１０は銅、ニッケルまたはアルミニウムなどで形成することができる。
【００５６】
図面において、第１金属層１１０は、絶縁層１００の両面に積層されているが、絶縁層１００の片面にだけ選択的に積層することにより、後述する工程でキャリア部材１０００の一面にだけ選択的にビルドアップ層１４０を形成することができる。
【００５７】
ついで、図４に示すように、第１金属層１１０の一面に第２金属層１２０を形成する段階である。ここで、第２金属層１２０は、第１金属層１１０の一面にメッキして形成するか、あるいはホイル形態に第２金属層１２０を形成し、第１金属層１１０に加熱及び加圧工程で積層することができる。
【００５８】
一方、第２金属層１２０は、第１金属層１１０と反応して、第２金属層１２０と第１金属層１１０との間に、金属間化合物１２５を生成することができる。また、第２金属層１２０は、後述する工程で溶融して、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離させる役目をしなければならないので、銅、ニッケルまたはアルミニウムなどで形成された第１金属層１１０と第３金属層１３０より低い融点を持たなければならない。この点を考慮すると、第２金属層１２０は、スズまたはスズ合金で形成するか、あるいはスズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成することが好ましい。
【００５９】
ついで、図５に示すように、第２金属層１２０の一面に第３金属層１３０を形成してキャリア部材１０００を提供する段階である。ここで、第３金属層１３０は、第２金属層１２０の形成方法と同様に第２金属層１２０の一面にメッキして形成するか、あるいはホイル形態に第３金属層１３０を形成し、第２金属層１２０に加熱及び加圧工程で積層することができる。この際、第３金属層１３０は、第２金属層１２０と反応して第３金属層１３０と第２金属層１２０の間に金属間化合物１３５を生成することができる。
【００６０】
一方、第３金属層１３０は、スズなどで形成された第２金属層１２０より高い融点を持たなければならなく、後述する段階で除去されなければならないので、エッチングの容易な材質を選択することが好ましい。この点を考慮すると、第３金属層１３０は、銅、ニッケルまたはアルミニウムなどで形成することが好ましい。
【００６１】
ついで、図６〜図８に示すように、第３金属層１３０の一面にビルドアップ層１４０を形成する段階である。ここで、ビルドアップ層１４０は、第３金属層１３０に付加の絶縁材１４１を積層し、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーでビアホールを形成した後、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などを行ってビア１４５を含む回路層１４３を形成することで完成することができる。
【００６２】
一方、図６〜図１１を参照すれば、この段階において、ビルドアップ層１４０の最外側絶縁材１４１には、ビア１５５（図１１）を含む回路層１５３（図１１）が形成されず、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離した後、最外側絶縁材１４１にビア１５５を含む回路層１５３が形成されるものが示されているが、本発明の権利範囲が必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、この段階で、それぞれの絶縁材１４１を積層しながらすべての絶縁材１４１に順次ビア１４５、１５５を含む回路層１４３、１５３を形成することができる。
【００６３】
ついで、図９に示すように、第２金属層１２０を融点以上に加熱することで、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離する段階である。前述したように、第２金属層１２０の融点は、約２３２℃〜約４１９℃であるが、第１金属層１１０の融点と第３金属層１３０の融点は、約６６０℃〜約１４５５℃であるので、所定温度（例えば、第２金属層１２０がスズ、第１金属層１１０と第３金属層１３０が銅の場合、２３２℃以上ないし１０８３℃未満の温度）に加熱することでキャリアからビルドアップ層１４０を分離することができる。この際、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０をより効率よく分離するために、付加の物理力を加えることができるのはいうまでもない。
【００６４】
一方、キャリア部材１０００からビルドアップ層１４０を分離した後、第３金属層１３０には、溶融された第２金属層１２０が残存することができる。残存する第２金属層１２０はエッチング工程などで除去することが好ましい。
【００６５】
ついで、図１０に示すように、第３金属層１３０を除去する段階である。第３金属層１３０を除去する方法は、特に限定されるものではないが、第２金属層１２０と同様に、エッチング工程などで除去することができる。また、残存する第２金属層１２０をエッチング工程で除去するとき、第３金属層１３０も同時に除去して製造工程を簡素化することができる。
【００６６】
ついで、図１１に示すように、ビルドアップ層１４０の最外側絶縁材１４１に、ビア１５５を含む回路層１５３を形成する段階である。前述した段階で第３金属層１３０を除去したので、ビルドアップ層１４０の最外側絶縁材１４１は露出され、露出された最外側絶縁材１４１にＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーでビアホールを形成した後、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などを行ってビア１５５を含む回路層１５３を形成することができる。ただ、前述したようにビルドアップ層１４０を形成する段階で、それぞれの絶縁材１４１を積層しながらすべての絶縁材１４１に順次ビア１４５、１５５を含む回路層１４３、１５３を形成する場合、この段階を省略することができる。
【００６７】
ついで、図１２に示すように、ビルドアップ層１４０の最外側絶縁材１４１に、ソルダレジスト層１６０を形成する段階である。ここで、ソルダレジスト層１６０は、耐熱性被覆材料で形成され、ソルダリング（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）の際に、回路層１５３に半田が塗布されないように保護する役目をする。また、外部回路との電気的連結のために、ソルダレジスト層１６０に開口部１６５を加工することにより、パッドを露出させることができる。
【００６８】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による基板製造用キャリア部材１０００及びこれを用いた基板の製造方法は、これに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、融点が相対的に低い金属層を採用し、ルーティング工程なしに、加熱によって、キャリア部材からビルドアップ層を分離する基板製造用キャリア部材に適用可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１００ 絶縁層
１１０ 第１金属層
１２０ 第２金属層
１２５、１３５ 金属間化合物
１３０ 第３金属層
１４０ ビルドアップ層
１４１ 絶縁材
１４３、１５３ 回路層
１４５、１５５ ビア
１６０ ソルダレジスト層
１６５ 開口部
１０００ キャリア部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面または両面に第１金属層が積層された絶縁層；
前記第１金属層の一面に形成された第２金属層；及び
前記第２金属層の一面に形成された第３金属層；
を含み、
前記第２金属層の融点が、前記第１金属層の融点及び前記第３金属層の融点より低いことを特徴とする基板製造用キャリア部材。
【請求項２】
前記第２金属層が、スズまたはスズ合金で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項３】
前記第２金属層が、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項４】
前記第１金属層または前記第３金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項５】
前記第１金属層が積層された前記絶縁層が、銅張積層板（ＣＣＬ）であることを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項６】
前記第１金属層と前記第２金属層との間、または前記第２金属層と前記第３金属層との間に、金属間化合物が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項７】
（Ａ）片面または両面に第１金属層が積層された絶縁層を準備する段階；
（Ｂ）前記第１金属層の一面に前記第１金属層より融点が低い第２金属層を形成した後、前記第２金属層の一面に前記第２金属層より融点が高い第３金属層を形成してキャリア部材を提供する段階；
（Ｃ）前記第３金属層の一面にビルドアップ層を形成する段階；及び
（Ｄ）前記第２金属層の融点以上に前記第２金属層を加熱して前記キャリア部材から前記ビルドアップ層を分離する段階；
を含むことを特徴とする基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）段階において、
前記第２金属層が、スズまたはスズ合金で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｂ）段階において、
前記第２金属層が、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｄ）段階の後に、
前記第３金属層に残存する前記第２金属層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｄ）段階の後に、
前記第３金属層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１２】
前記（Ｂ）段階において、
前記第１金属層の一面に、前記第２金属層をメッキして形成することを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｂ）段階において、
前記第１金属層の一面に、ホイル形態の前記第２金属層を加熱及び加圧工程で積層して形成することを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１４】
前記（Ｂ）段階において、
前記第２金属層の一面に、前記第３金属層をメッキして形成することを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（Ｂ）段階において、
前記第２金属層の一面に、ホイル形態の前記第３金属層を加熱及び加圧工程で積層して形成することを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１６】
前記（Ａ）段階において、
前記第１金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１７】
前記（Ｂ）段階において、
前記第３金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１８】
前記（Ａ）段階において、
前記第１金属層が積層された前記絶縁層が、銅張積層板（ＣＣＬ）であることを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１９】
前記（Ｂ）段階において、
前記第１金属層と前記第２金属層との間、または前記第２金属層と前記第３金属層との間に、金属間化合物が形成されることを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１】
片面または両面に第１金属層が積層された絶縁層；
前記第１金属層の一面に形成された第２金属層；及び
前記第２金属層の一面に形成された第３金属層；
を含み、
前記第２金属層の融点が、前記第１金属層の融点及び前記第３金属層の融点より低いことを特徴とする基板製造用キャリア部材。
【請求項２】
前記第２金属層が、スズまたはスズ合金で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項３】
前記第２金属層が、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項４】
前記第１金属層または前記第３金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項５】
前記第１金属層が積層された前記絶縁層が、銅張積層板（ＣＣＬ）であることを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項６】
前記第１金属層と前記第２金属層との間、または前記第２金属層と前記第３金属層との間に、金属間化合物が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の基板製造用キャリア部材。
【請求項７】
（Ａ）片面または両面に第１金属層が積層された絶縁層を準備する段階；
（Ｂ）前記第１金属層の一面に前記第１金属層より融点が低い第２金属層を形成した後、前記第２金属層の一面に前記第２金属層より融点が高い第３金属層を形成してキャリア部材を提供する段階；
（Ｃ）前記第３金属層の一面にビルドアップ層を形成する段階；及び
（Ｄ）前記第２金属層の融点以上に前記第２金属層を加熱して前記キャリア部材から前記ビルドアップ層を分離する段階；
を含むことを特徴とする基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）段階において、
前記第２金属層が、スズまたはスズ合金で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｂ）段階において、
前記第２金属層が、スズ、カドミウム、鉛、ビズマス、亜鉛、これらの合金及びこれらの組合せよりなる群から選ばれた物質で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｄ）段階の後に、
前記第３金属層に残存する前記第２金属層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｄ）段階の後に、
前記第３金属層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１２】
前記（Ｂ）段階において、
前記第１金属層の一面に、前記第２金属層をメッキして形成することを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｂ）段階において、
前記第１金属層の一面に、ホイル形態の前記第２金属層を加熱及び加圧工程で積層して形成することを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１４】
前記（Ｂ）段階において、
前記第２金属層の一面に、前記第３金属層をメッキして形成することを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（Ｂ）段階において、
前記第２金属層の一面に、ホイル形態の前記第３金属層を加熱及び加圧工程で積層して形成することを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１６】
前記（Ａ）段階において、
前記第１金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１７】
前記（Ｂ）段階において、
前記第３金属層が、銅、ニッケルまたはアルミニウムで形成されたことを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１８】
前記（Ａ）段階において、
前記第１金属層が積層された前記絶縁層が、銅張積層板（ＣＣＬ）であることを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【請求項１９】
前記（Ｂ）段階において、
前記第１金属層と前記第２金属層との間、または前記第２金属層と前記第３金属層との間に、金属間化合物が形成されることを特徴とする請求項７に記載の基板製造用キャリア部材を利用した基板の製造方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−１２９８５９（Ｐ２０１１−１２９８５９Ａ）
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５３６２９（Ｐ２０１０−５３６２９）
【出願日】平成２２年３月１０日（２０１０．３．１０）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１０日（２０１０．３．１０）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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