塗布、現像装置
【課題】露光装置のメンテナンスを所望のタイミングで行うことができる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】キャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに搬送して塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理してキャリアブロックに搬送する塗布、現像装置において、前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックに対して積層され、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間で塗布膜が形成された基板を、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直通搬送する搬送手段を設ける。このように構成することで塗布膜形成用のブロックと現像用のブロックとがメンテナンス中であっても検査用基板を露光装置に搬送できるので、露光装置の状態を検査することができる。
【解決手段】キャリアブロックに搬入された基板を処理ブロックに搬送して塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理してキャリアブロックに搬送する塗布、現像装置において、前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックに対して積層され、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間で塗布膜が形成された基板を、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に直通搬送する搬送手段を設ける。このように構成することで塗布膜形成用のブロックと現像用のブロックとがメンテナンス中であっても検査用基板を露光装置に搬送できるので、露光装置の状態を検査することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板等の基板に対してレジストを塗布し、露光後の基板を現像する塗布、現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板にレジストパターンを得る一連の処理は、レジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
既述のような塗布、現像装置として例えば特許文献１には、露光処理前にウエハに塗布処理を施すモジュールを収納する塗布膜形成用のブロックと露光処理後にウエハに現像処理を施すモジュールを収納する現像用のブロックとが上下に配置され、各ブロックの一端はウエハをローディング及びアンローディングするポートに接続され、各ブロックの他端はインターフェイスブロックを介して露光装置に接続された構成を有する塗布、現像装置が示されている。当該塗布、現像装置においては、このような構成を有することで塗布工程と現像工程とが分離されて行われるため、スループットの向上が図られている。
【０００４】
露光装置は近年解像度が上がり、現在では例えばＡｒＦ（フッ化アルゴン）などを光源として用いることで数十ｎｍ（ナノメートル）程度の解像線幅で露光処理を行うことが可能になっている。しかし気圧や天候などによる周囲環境のわずかな変化により、例えば光学系の保持部材などが膨張、収縮して光の焦点位置に敏感に影響し、レジストパターンの仕上がりを大きく左右する。このため常に安定した露光処理を行うためには、例えば１日の中でも頻繁に露光装置をチェックし調整する必要がある。
【０００５】
一方工場の運転コストを抑えるためにクリーンルームの清浄レベルを低くする傾向があることから露光装置の状態検査は露光装置のメンテナンス用扉を開けずに塗布、現像装置のキャリアブロックから試験用のウエハを処理ブロックの搬送系を介して露光装置に搬送して行われる。しかし前記特許文献１に記載の塗布、現像装置においては、試験用のウエハを露光装置に搬送するためには塗布膜形成用のブロックあるいは現像用のブロックを利用しなければならないため、塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックに対してメンテナンスを行っている場合やこれらのブロックに不具合が発生した場合などにおいては、定期あるいは不定期の露光装置の状態検査及び調整ができなくなる。このため塗布膜形成用のブロックや現像用のブロックのメンテナンス作業終了を待って試験用のウエハを露光装置に搬送して状態検査、調整を行うことになるためブロックのメンテナンス後に速やかに製品ウエハに対してプロセスを行うことができず、結果としてスループットの低下の一因になってしまう。
【０００６】
さらにまた半導体の製造ラインを新設する場合などにおいて装置の立ち上げの短縮化は重要なテーマである。しかし特許文献１の装置構成では塗布膜形成用のブロックあるいは現像用のブロックの搬送系の調整を完了しないと露光装置の調整が行えず、一方、露光装置の調整は調整項目が多くしかも微妙な調整が必要であることから長い時間がかかり、こうしたことから装置の立ち上げの短縮化が難しい状況にある。
【０００７】
【特許文献１】特許第３３３７６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は露光装置のメンテナンスを所望のタイミングで行うことができる塗布、現像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の塗布、現像装置はキャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにて感光材料膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸び、感光材料からなる塗布膜を含む膜を形成するための塗布膜形成用のブロックと、この塗布膜形成用のブロックに対して積層された現像用のブロックと、を備え、
ｂ）前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ）前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックに対して積層され、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間で基板の直通搬送を行うための直通搬送手段が設けられ、
ｄ）塗布膜が形成された基板は、前記直通搬送手段を通じてキャリアブロック側からインターフェイスブロック側に搬送される
ことを特徴とする。
【００１０】
前記塗布膜形成用のブロックは、レジスト膜を形成するためのブロックと、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成するためのブロックと、前記レジスト膜の上側に反射防止膜を形成するためのブロックと、の積層体を含んでいてもよく、 また現像用のブロックが塗布膜形成用のブロックの下方側に設けられていてもよい。
【００１１】
前記直通搬送手段は、前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックとは区画された搬送ブロック内を移動するように構成されていてもよく、この場合例えば前記搬送ブロックは、現像用のブロックと塗布膜形成用のブロックとの間に設けられている。またこの搬送ブロックにおいて、例えば当該搬送ブロックの内部に気体を導入して搬送ブロック内部を陽圧にするための気体導入口が設けられている。
【００１２】
本発明の塗布現像装置は塗布膜形成用のブロックにおけるブロック用の搬送手段、現像用のブロックにおけるブロック用の搬送手段、及び直通搬送手段により基板の受け渡しができるように夫々配置され、互いに積層された複数の受け渡しステージと、これら受け渡しステージ間にて基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な昇降搬送手段とを備えていてもよく、また基板の搬送を制御する制御部を備え、この制御部は、露光装置の状態を検査するための試験基板をキャリアブロックから直通搬送手段を介して露光装置に搬送する搬送モードを選択できるように構成されていてもよい。
また本発明の塗布、現像装置は、前記処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び／または露光処理後現像処理前の処理を行うユニットと、これらユニット、前記処理ブロック及びインターフェイスブロックの間で基板を搬送するための受け渡しアームと、を備えた補助ブロックを設け、前記直通搬送手段は、前記処理ブロックを通過する第１の直通搬送手段と、前記補助ブロックを通過する第２の直通搬送手段と、を含んでいてもよく、その他には例えば前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に、基板の検査を行うための検査ユニットと、検査ユニット及びキャリアブロック並びに処理ブロックの間で基板を搬送する受け渡しアームと、を備えた検査ブロックを設け、前記直通搬送手段は、前記検査ブロックを通過する第３の直通搬送手段と、前記処理ブロックを通過する第１の直通搬送手段と、を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、処理ブロックを、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる塗布膜形成用のブロックと現像用のブロックとの積層体により構成しているので、設置スペースが小さくて済み、そしてキャリアブロックとインターフェイスブロックとの間で基板の直通搬送を専用に行うための直通搬送手段を設けているため、露光装置、塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックのメンテナンスを同時に行うことができ、メンテナンス時間の短縮が図れる。また塗布膜形成用のブロックと現像用のブロックとがメンテナンス中であってもあるいは例えば排気系にトラブルが発生するなどによりこれらブロックにトラブルが起きていても、露光装置の状態を検査するための試験基板を直通搬送手段によりキャリアブロック側から露光装置に搬送することができるので、露光装置の状態の検査を所望のタイミングで実施することができる。このため塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックが運転可能な状態になった後、速やかに製品基板の処理に移行することができ、スループットの低下を抑えることができる。また装置の据付立ち上げ時において、直通搬送手段の調整をしておけば、この直通搬送手段により試験基板の搬送を行うことで、塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックの各搬送手段の調整作業と切り離して露光装置の調整を行うことができ、露光装置の調整が完了していれば、続いて現像条件の設定を行うことができ、結果として装置の立ち上げ時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムの実施の形態について説明する。図１は、このシステムの一実施の形態における平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置は、大気雰囲気中のクリーンルーム内に設置されており、基板例えばウエハであるウエハＷが１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個のブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００１５】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述するブロックＢ１及びＢ２の受け渡しステージＴＲＳ１〜２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００１６】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では下方側から、現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、搬送ブロックＭ１、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）の形成処理を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４、として割り当てられている。これらブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１はキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ向かって伸びている。ここで前記ＤＥＶ層Ｂ１が現像用のブロック、ＢＣＴ層Ｂ２、ＣＯＴ層Ｂ３、ＴＣＴ層Ｂ４、が感光材料例えばレジストからなる塗布膜を形成するための塗布膜形成用のブロックに相当する。なお各ブロック間は仕切り板（ベース体）により区画されている。
【００１７】
続いて第１〜第４のブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ４）の構成について説明するが本実施形態においてこれらのブロックＢ１〜Ｂ４には共通部分が多く含まれており、各ブロックＢは略同様のレイアウトで構成されている。そこでＤＥＶ層Ｂ１を例として図４を参照しながら説明する。このＤＥＶ層Ｂ１の中央部には、横方向、詳しくはＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送用通路Ｒ１が形成されている。
【００１８】
この搬送用通路Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見て、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側には、液処理ユニットとして現像液の塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた現像ユニット３が搬送用通路Ｒ１に沿って設けられている。またＤＥＶ層Ｂ１の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系の熱系処理ユニットを多段化した４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４、排気ユニット５が搬送用通路Ｒ１に沿って設けられている。即ち現像ユニット３と棚ユニットＵ１〜Ｕ４とが搬送用通路Ｒ１を介して対向して配列されている。棚ユニットＵ１〜Ｕ４は現像ユニット３にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための熱系処理ユニットが２段に積層されており、またその棚ユニットＵ１〜Ｕ４の下部には排気ユニット５が積層され設けられている。
【００１９】
上述の熱系処理ユニットの中には、例えば露光後のウエハＷを加熱処理したり、現像処理後のウエハＷのを乾燥させるために加熱処理したりする加熱ユニット４や、この加熱ユニット４における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット等が含まれている。なお本実施形態では当該ＤＥＶ層Ｂ１における棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３として加熱ユニット４が２段に積層され、棚ユニットＵ４として冷却ユニットが２段に積層されている。
【００２０】
図５を用いて前記現像ユニット３の構成について簡単に説明すると、当該現像ユニットを構成する筐体３０の内部には３つのウエハ保持部をなすスピンチャック３１が配列されており、各スピンチャック３１は駆動部３２により鉛直軸回りに回転自在、かつ昇降自在に構成されている。またスピンチャック３１の周囲にはカップ３３が設けられ、当該カップ３３の底面には排気管やドレイン管などを含む排液部（図示せず）が設けられている。図中３４は薬液供給ノズルであり、この薬液供給ノズル３４は昇降自在に設けられ、また駆動部３５によりガイド３６に沿ってＹ方向に移動自在に構成されている。
【００２１】
この現像ユニット３では、ウエハＷは後述のメインアームＡ１により搬送用通路Ｒ１に面して設けられた搬送口３７を介して筐体３０内に搬入され、スピンチャック３１に受け渡される。なお図中３８は筺体３０内へのパーティクルの流入を防ぐために搬送口３７に設けられた開閉自在のシャッタである。そして供給ノズル３４から当該ウエハＷの表面に現像液が供給され、ウエハＷの表面に現像液の液膜を形成させ、その後図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハＷ表面の現像液が洗い流され、その後ウエハＷを回転させて乾燥されることにより現像処理が終了する。
【００２２】
続いて棚ユニットＵ１〜Ｕ３を構成する加熱ユニット４について簡単に説明すると、図６中４０は筐体であり、筐体４０の内部には基台４１が設置されている。図中４２はウエハＷの搬送口であり、搬送用通路Ｒ１に面して設けられている。図中４３は粗熱取り用の冷却プレートであり、図中４４は熱板である。冷却プレート４３は基台４１において熱板４４上に移動可能できるように構成されている。図中４５は整流用のプレートである。４７，４８は昇降機構４７ａ，４８ａにより駆動される昇降ピンである。昇降ピン４７が昇降することによりメインアームＡ１と冷却プレート４３との間でウエハＷが受け渡され、昇降ピン４８により熱板４４と冷却プレート４３との間でウエハＷが受け渡される構成になっている。
【００２３】
なお棚ユニットＵ４を構成する冷却ユニットの詳しい説明は省略するが加熱ユニット４と同様に搬送用通路Ｒ１に向かって搬送口４２が開口された筺体４０を備え、その筺体４０内部には例えば水冷方式の冷却プレートを備えた構成の装置が用いられる。
【００２４】
また排気ユニット５は、筺体５０において搬送用通路Ｒ１に面して開口された吸引口５１と、筺体の内部の排気室５３内を吸引排気する排気管５４とを備え排気室５３が負圧化されることで搬送用通路Ｒ１における気体を吸引してパーティクルの除去を図っている。
【００２５】
続いて前記搬送用通路Ｒ１に設けられたブロック用の搬送手段であるメインアームＡ１について説明する。このメインアームＡ１は、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像ユニット３、後述する棚ユニットＵ５の受け渡しステージ及び棚ユニットＵ６の受け渡しステージとの間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。メインアームＡ１は例えばウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のアーム体６１，６２を備えており、これらアーム体６１，６２は搬送基体６３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また搬送基体６３は、昇降基体６４上に鉛直軸周りに回転自在に設けられている。
【００２６】
図中６５はメインアームＡ１を横方向にガイドするためのガイドレールである。なお図中６６は、前記搬送用通路Ｒ１の排気を行うためにガイドレール６５上に設けられた孔であり、前記吸引口５１と重なるように穿孔されている。図中６７は昇降ガイドレールであり、当該昇降ガイドレール６７に沿って昇降基体６４は昇降自在に構成されている。この昇降ガイドレール６７の下端部は例えばガイドレール６５の下方を潜り、前記排気ユニット５の排気室５３内にて当該昇降ガイドレール６７を前記ガイドレール６５に沿って移動させるための駆動ベルト５５に係止されている。
【００２７】
ここで搬送ブロックＭ１について図１、図６及び図７を参照しながら説明しておく。ＤＥＶ層Ｂ１とＢＣＴ層Ｂ２との間にはウエハＷをキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ直行して搬送する搬送ブロックＭ１が形成されている。この搬送ブロックＭ１はＤＥＶ層Ｂ１の搬送用通路Ｒ１とは仕切り板７０ａにより仕切られた搬送領域Ｍ２と直通搬送手段であるシャトルアーム７とを含んでいる。当該シャトルアーム７は移動部７Ａと駆動部７Ｂとにより構成され、移動部７Ａは搬送領域Ｍ２に沿って移動できるように設けられている。移動部７Ａは例えばウエハＷの裏面側周縁領域を支持するためのアーム体７１を備えており、このアーム体７１は搬送基体７２上を進退自在に構成されている。また搬送基体７２は、移動基体７３上に鉛直軸回りに回転自在に設けられている。なおこの例では、アーム体７１、搬送基体７２、及び移動基体７３により移動部７Ａが構成される。なお大きさに限定されなければ、搬送基体７２を昇降させる機構が設けられていてもよい。
【００２８】
駆動部７Ｂは筺体７０を備えており、筺体７０内部の排気室７０ａには前記移動部７Ａを移動させるための駆動部（不図示）が含まれている。筺体７０の前面には前記移動部７Ａを横方向にガイドするためのガイドレール７４が横方向に伸びるように設けられており、このように構成されることでシャトルアーム７は後述の棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１Ｂと棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しステージＴＲＳ５Ｂとの間でウエハＷが直行して搬送され、受け渡しが行われるように構成されている。
【００２９】
また当該筺体７０は搬送領域Ｍ２に面して開口された吸引口７５を備えており、当該吸引口７５と重なるように前記ガイドレール７４には横方向に間隔をおいて孔７４ａが設けられている。搬送領域Ｍ２に面する側を手前側とすると前記排気室７０ａの奥側には横方向に間隔をおいて複数箇所、排気口７７が開口しており、排気口７７には排気室７０ａ内を吸引排気するための排気管７８が接続されている。当該排気管７８を介して排気室７０ａが負圧化されることで搬送領域Ｍ２における気体が排気室７０ａに流入する構成になっている。
【００３０】
また搬送領域Ｍ２には例えば角型の筺体を備えた気体導入部７９が横方向に、例えば当該搬送領域Ｍ２全域をカバーするように設けられている。当該筺体には例えば横方向に一定の間隔をおいて搬送領域Ｍ２に面する気体導入口（不図示）が設けられており、気体導入部７９中を流通する清浄気体が当該気体導入口を介して例えば搬送領域Ｍ２全域に放射状に供給されるように構成されている。このように気体導入口から搬送領域Ｍ２に清浄気体が供給される一方、前記排気室７０ａを介して搬送領域Ｍ２の排気が行われることで、搬送領域Ｍ２におけるパーティクルの除去が図られている。また例えばこのような清浄気体の供給と排気とのバランスを取り、搬送領域Ｍ２における圧力がクリーンルーム内の圧力よりも若干高い圧力（陽圧）になるようコントロールされることで、当該塗布、現像装置の外部から気流に乗って当該搬送領域Ｍ２にパーティクルが流入することが抑えられている。
【００３１】
搬送用通路Ｒ１及び搬送領域Ｍ２におけるキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すようにメインアームＡ１と、シャトルアーム７と、及びトランスファーアームＣとがアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降搬送手段である受け渡しアームＤ１を備えている。
【００３２】
この棚ユニットＵ５において、ブロックＢ１には受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ、受け渡しステージＴＲＳ１が上段からこの順に設けられており、受け渡しステージＴＲＳ１ＢにはトランスファーアームＣ、前記シャトルアーム７及び受け渡しアームＤ１がアクセスできるように構成されている。受け渡しステージＴＲＳ１にはメインアームＡ１、トランスファーアームＣ、及び受け渡しアームＤ１がアクセスできるように構成されている。当該受け渡しステージＴＲＳ１及び受け渡しステージＴＲＳ１Ｂの構造としては例えば方形の筺体内を備え、当該筺体内にはウエハＷを載置することでウエハＷの温度を予定した温度に調節する機構を備えたステージが設けられ、また当該ステージ上を突没自在なピンが設けられている。例えば筺体の各アームに向かう側面に設けられた搬送口を介して各アームが前記筺体内に進入し、前記ピンを介してステージから浮いたウエハＷの裏面を各アームが保持することができる、または前記ピンを介してプレート上に各アームにより搬送されたウエハＷが載置されるような構造を備えている。
【００３３】
なおこの例では図３に示すようにブロックＢ２〜Ｂ４には各２基の受け渡しステージＴＲＳ２〜ＴＲＳ４が設けられているが各ＴＲＳは総て既述のような構造を有しており、受け渡しステージＴＲＳ２〜ＴＲＳ４は各層に設けられたメインアームＡ２〜Ａ４、及び受け渡しアームＤ１とウエハＷの受け渡しができるように構成されている。またＴＲＳ２にはこれらのアームの他にトランスファーアームＣともウエハの受け渡しができるように構成されている。ところで各ＴＲＳの数は限定されるものではなく、各ブロックに対応して２基以上設けられていてもよい。
【００３４】
前記受け渡しアームＤ１はＢ１からＢ４の各層を移動して、各層に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ４及び受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２及び受け渡しステージＴＲＳ１Ｂは、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。
【００３５】
さらにＤＥＶ層Ｂ１の搬送用通路Ｒ１及び搬送ブロックＭ１の搬送領域Ｍ２のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図３に示すように棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６は図３に示すように、受け渡しステージであるＴＲＳ５Ｂ，ＴＲＳ５が上からこの順に設けられており、受け渡しステージＴＲＳ５Ｂはシャトルアーム７とインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しが行えるように構成されている。また受け渡しステージＴＲＳ５はメインアームＡ１及びインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しが行えるように構成されている。受け渡しステージＴＲＳ５Ｂ，ＴＲＳ５は例えば既述の受け渡しステージＴＲＳ１Ｂと同様の構造を有しており、ウエハＷの冷却機能を備え、受け渡されたウエハＷの温調管理ができるように構成されている。
【００３６】
また処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＢが備えられている。このインターフェイスアームＢは例えば図８に示すように、ウエハＷの裏面側中央領域を支持するための１本のアーム２０１が基台２０２に沿って進退自在に設けられている。前記基台２０２は、昇降台２０３に回転機構２０４により鉛直軸回りに回転自在に取り付けられ、昇降レール２０５に沿って昇降自在に設けられている。こうしてアーム２０１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
なお既述の受け渡しアームＤ１も、鉛直軸回りに回転しない他は、インターフェイスアームＢと同様に構成されている。
【００３７】
このインターフェイスアームＢは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この実施形態では、ブロックＢ１の受け渡しステージＴＲＳ５からウエハＷを受け取り露光装置Ｓ４へ搬入する一方で、露光装置Ｓ４からウエハＷを受け取り、ステージＴＲＳ５Ｂに受け渡すように構成されている。
【００３８】
続いて他のブロックについて簡単に説明する。ＢＣＴ層Ｂ２、ＣＯＴ層Ｂ３、ＴＣＴ層Ｂ４は、ＤＥＶ層Ｂ１と略同様に構成されており、差異としては液処理ユニットの薬液として現像液の代わりに反射防止膜用の薬液あるいはレジスト膜形成用の薬液（レジスト液）が用いられる点、薬液の塗布の手法が異なる点が挙げられ、また棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成する加熱系、冷却系のユニットにおける処理条件が異なる点、さらにはインターフェイスＳ３側に棚ユニットＵ６が配置されていない点などが挙げられる。また例えばブロックＢ２〜Ｂ４のいずれかにウエハＷの周縁部を露光する周縁露光ユニットが設けられており、ＣＯＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ１〜Ｕ４にはウエハＷに対して疎水化処理を行うユニットが含まれている。
【００３９】
また、この塗布、現像装置は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有する制御部１００を備えている。プログラム格納部には後述するような当該塗布、現像装置の作用、つまりウエハＷの処理、ウエハＷの受け渡し、排気、及び気流の制御、搬送経路のレシピの管理などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部１００に読み出されることにより制御部１００は当該塗布、現像装置の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４０】
なお前記搬送経路のレシピは処理種別に応じたウエハＷの搬送経路（ウエハＷが置かれる受け渡しステージやユニットなどのモジュールの順番）を指定したものであり、その処理種別毎に作成されており操作者がこの処理種別を選択でき、選択したレシピがプログラムから制御部１００に読み出されるように構成されている。また製品ウエハに対する処理種別の他に、露光装置をチェックするためのウエハＷを露光装置に搬送するための処理モードが選択できるようになっており、この処理モード（露光チェックモード）を選択するとシャトルアーム７によりウエハＷがキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３に搬送され、またシャトルアーム７によりインターフェイスブロックＳ３からキャリアブロックＳ１に戻るようになっている。
【００４１】
ここでこの塗布、現像装置における作用について先ずレジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合におけるウエハＷの流れの例について説明する。外部からキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから、棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ２を介してＢＣＴ層Ｂ２のメインアームＡ２に受け渡される。そしてＢＣＴ層Ｂ２では、メインアームＡ２により、冷却ユニット→反射防止膜形成ユニット（図示していないが、図５における現像ユニット３に対応するユニットである）→加熱ユニット→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ２の順序で搬送されて、下部反射防止膜が形成される。
【００４２】
続いて受け渡しステージＴＲＳ２のウエハＷは受け渡しアームＤ１により、ＣＯＴ層Ｂ３の受け渡しステージＴＲＳ３に搬送され、次いで当該ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。そしてＣＯＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、ウエハＷは冷却ユニット→レジスト塗布ユニット（図示していないが、図５における現像ユニット３に対応するユニットである）→加熱ユニットの順序で搬送されて下部反射防止膜の上層にレジスト膜が形成された後、周縁露光ユニットに搬送されて周縁部が露光され、さらに棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ３に搬送される。
【００４３】
次いで受け渡しステージＴＲＳ３のウエハＷは受け渡しアームＤ１により、ＴＣＴ層Ｂ４の受け渡しステージＴＲＳ４に搬送され、当該ＴＣＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そしてＴＣＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、冷却ユニット→第２の反射防止膜形成ユニット（図示していないが、図５における現像ユニット３に対応するユニットである）→加熱ユニットの順序で搬送されてレジスト膜の上層に上部反射防止膜が形成された後に、棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ４に搬送される。
【００４４】
受け渡しステージＴＲＳ４のウエハＷは受け渡しアームＤ１により、受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに搬送される。次いでシャトルアーム７の移動部７ＡがウエハＷを受け取りインターフェイスブロックＳ３側に向きを変えると共にインターフェイスブロックＳ３側に移動し、ウエハＷが受け渡しステージＴＲＳ５Ｂに搬送される。このステージＴＲＳ５Ｂ上に載置されたウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００４５】
露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＢにより棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５に搬送され、このステージＴＲＳ５上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ１にて、棚ユニットＵ１〜Ｕ４に含まれる加熱ユニット→冷却ユニット→現像ユニット３→加熱ユニット→冷却ユニットの順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１に搬送されトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００４６】
図９は以上説明したウエハＷの搬送経路を模式的に示したものである。ウエハＷは塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４間を移動し、塗布膜が形成され（ステップ１）、その後シャトルアーム７により処理ブロックＳ２におけるキャリアブロックＳ１側からインターフェイス側Ｓ３へ搬送ブロックＭ１を経由して搬送され、さらに露光装置Ｓ４に運ばれる（ステップ２）。露光処理を終えたウエハＷは露光装置Ｓ４からＤＥＶ層Ｂ１を通過し、現像処理を受けてキャリアブロックＳ１に戻される（ステップ３）。
【００４７】
次に露光装置Ｓ４のメンテナンスを行うためにブロックＢ２〜Ｂ４の各層を通さず当該露光装置Ｓ４にウエハＷを搬送する場合の搬送経路について説明する。先ず制御部１００により露光チェックモードが選択される。モードの選択後、外部からキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内から例えばレジストが塗布されたテストウエハＷが取り出される。当該テストウエハＷは、トランスファーアームＣから受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに受け渡され、シャトルアーム７の移動部７Ａにより、受け渡しステージＴＲＳ５Ｂに直通して搬送される。この受け渡しステージＴＲＳ５Ｂ上のテストウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、当該テストウエハＷを用いて露光装置Ｓ４の例えばフォーカス精度校正、位置精度校正、レンズ歪確認、レンズ透過率確認、光学系ごみ付着確認などのメンテナンス作業が行われる。
【００４８】
メンテナンスのために使用されたテストウエハＷは露光装置Ｓ４からインターフェイスアームＢにより受け渡しステージＴＲＳ５Ｂに搬送され、シャトルアーム７の移動部７Ａにより、受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに直通で搬送される。この受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに載置されたテストウエハＷはトランスファーアームＣによりキャリア２０に戻される。
【００４９】
本実施形態における塗布、現像装置は、処理ブロックＳ２を各々キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に伸びる塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４と現像用のブロックＢ１との積層体により構成しているので、設置スペースが小さくて済み、そしてＤＥＶ層Ｂ１とＢＣＴ層Ｂ２との間に処理ブロックＳ２に搬送ブロックＭ１を設け、その搬送ブロックＭ１内にはキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの直通搬送を専用に行うシャトルアーム７が設けられているため、露光装置Ｓ４、塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４及び現像用のブロックＢ１のメンテナンスを同時に行うことができ、メンテナンス時間の短縮が図れる。また塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４と現像用のブロックＢ１とがメンテナンス中であってもあるいは例えば排気系にトラブルが発生するなどによりこれらブロックにトラブルが起きていても、露光装置Ｓ４の状態を検査するためのウエハＷを搬送ブロックＭ１のシャトルアーム７を介して、キャリアブロックＳ１側から露光装置Ｓ４に搬送することができるので、露光装置Ｓ４の状態の検査を所望のタイミングで実施することができる。このため塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４及び現像用のブロックＢ１が運転可能な状態になった後、速やかに製品ウエハＷの処理に移行することができ、スループットの低下を抑えることができる。また装置の据付立ち上げ時において、直通シャトルアーム７の調整を先行して完了しておけば、このシャトルアーム７により試験ウエハＷの搬送を行うことで、塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４及び現像用のブロックＢ１に備えられたメインアームＡ１〜Ａ４の調整作業と切り離して露光装置Ｓ４の調整を行うことができ、露光装置Ｓ４の調整が完了していれば、続いて現像条件の設定を行うことができ、結果として装置の立ち上げ時間を短縮できる。
【００５０】
また本実施形態においては塗布膜形成ブロックＢ２〜Ｂ４の下方側に現像用のブロックＢ１を設け、そのブロックＢ１とブロックＢ２との間にシャトルアーム７を備えた搬送ブロックＭ１を設けているのでインターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢの昇降ストロークを小さくできる。従ってこのインターフェイスアームＢにより構成される搬送手段の小型化を図ることができる。
【００５１】
本発明では各ブロックの積層数や積層の順番は上述の例に限られず、塗布膜形成用のブロックを例えば、下方側から上方側に向かって順番にＴＣＴ層、ＣＯＴ層、ＢＣＴ層となるように配列してもよい。また塗布膜形成用のブロックを下方側に配置し、その上に現像処理用のブロックを配置してもよい。また例えば反射防止膜を形成せずレジスト膜のみをウエハＷに形成する場合は塗布膜形成用のブロックとしてはＣＯＴ層のみが設けられた構成であってもよい。なお塗布膜形成用のブロックは一層の中で下側反射防止膜の形成、レジスト膜の形成、上側反射防止膜の形成を行うようにしてもよく、このような層を複数段積層して塗布、現像装置を構成してもよい。またＤＥＶ層Ｂ１において既述の現像ユニット３が例えば２段積層されてもよい。
【００５２】
ところで既述の実施形態においては搬送通路Ｒ１へのパーティクルの落下を防ぐためＤＥＶ層Ｂ１の搬送用通路Ｒ１と搬送ブロックＭ１の搬送領域Ｍ２とは仕切り板７０ａにより区画されているが、この仕切り板７０ａを設けない構成としてもよい。この場合例えば当該移動部７Ａの移動領域（搬送領域）は前記メインアームＡ１のが移動可能な領域（搬送領域）上限位置における当該メインアームＡ１の上端部分よりもやや上方に設定され、メインアームＡ１と移動部７Ａとは互いに干渉することがないように構成してもよい。
【００５３】
また直通搬送手段であるシャトルアーム７の構成としては既述の実施例で示した構成に限られず、例えばシャトルアーム７は、搬送基体７２上をアーム体７１が進退する機構を設けず、搬送基体７２が旋回することでＴＲＳ１ＢあるいはＴＲＳ５Ｂにてピンにより持ち上げられたウエハＷの下にアーム体７１が潜り込み、ピンの下降によりアーム体７１がウエハＷを受け取ってＴＲＳ１ＢとＴＲＳ５Ｂとの間でウエハＷを搬送するような構成であってもよい。
【００５４】
また直通搬送手段としてはキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に、塗布あるいは現像を行うためのユニットを介さないで直通にウエハＷを搬送できればよいため以上説明したようなアーム搬送に限らず、例えばエンドレスベルトを用いたベルトコンベアにより構成すると共に、受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ及びＴＲＳ５Ｂを切り欠いて例えばコ字型に形成し、その切り欠き空間にベルトコンベアの両端部を位置させて、これらの一方の受け渡しステージ上に載置されたウエハＷが前記エンドレスベルトに載せられて他方の受け渡しステージ上に搬送されるように構成してもよい。あるいは横方向に沿った両側にウエハＷの落下防止用のガイドレールを備えたスロープを、受け渡しステージＴＲＳ１ＢとＴＲＳ５Ｂとの間に、ＴＲＳ５Ｂ側が低くなるように設けて、当該スロープの床にＴＲＳ５Ｂ側にエアを噴出す穴を配列させて当該エアの圧力とウエハＷの自重とによりＴＲＳ５Ｂ側にウエハＷが押し出されるような構成としてもよい。
【００５５】
なお本発明の直通搬送手段は、キャリアブロックからインターフェイスブロックに、塗布あるいは現像を行うためのユニットを介さないで直通に搬送するためのものであるが、この直通搬送手段の搬送経路中に例えば周縁露光装置や検査ユニットなどが介在している場合であっても、例えばこれら装置内を介して直通搬送手段とキャリアブロック側の搬送手段あるいはインターフェイスブロック側の搬送手段との間で基板の受け渡しが行われる場合をも含む意味である。
【００５６】
また本発明の塗布、現像装置は、以下のように構成してもよい。この実施の形態について図１０〜図１３を用いて説明すると、この塗布、現像装置１０１は、キャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２との間にウエハＷに対して所定の検査を行うための、検査ブロックＳ５が設けられると共に処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に補助ブロックＳ６が設けられている。この補助ブロックＳ６内には、液浸露光される際の液体がレジストに含浸されるのを防ぐための保護膜を塗布する撥水性保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）（以下「保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）」という）と、この撥水性保護膜を除去するための撥水性保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）（以下「保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）」という）とが設けられている。またインターフェイスブロックＳ３には液浸露光の前後にウエハＷを洗浄するための洗浄ユニット（ＲＤ）が設けられている。
【００５７】
ここで液浸露光について簡単に説明すると、この液浸露光とは、基板の表面に光を透過させる液層を形成した状態で露光することにより、露光の解像度を上げることを目的とするものであって、例えば光を純水の中を透過させ、水中では光の波長が短くなることから１９３ｎｍのＡｒＦの波長が水中では実質１３４ｎｍになる、という特徴を利用して露光を行うものである。
【００５８】
ところで液浸露光では、レジストの表面に液層を形成するため、レジストが液相側に溶出してその溶出成分がウエハＷ上に残ってしまったり、露光処理終了後に、ウエハＷの表面に形成された液層をウエハＷから排出する際に、ウエハ表面に液滴である微小な水滴が残留するおそれがある。このようにレジストの溶出分や液滴がウエハＷに残存すると、前記溶出分がウエハＷに付着し、欠陥原因となるパーティクルの発生要因となったり、露光処理後の加熱処理時に前記溶出分から発生するパーティクルが固着や溶着を起こしてしまい、パターンの線幅に影響を及ぼしたり、液滴の存在で露光処理後の加熱処理時にウエハＷの面内において温度差が発生し、熱処理の面内均一性が悪化したり、液滴が空気と反応してウエハＷ表面のウォーターマークの発生原因となるという問題がある。
【００５９】
このため液浸露光処理では、ウエハＷにレジスト液を塗布した後液浸露光を行なう前に、レジストの溶出を抑えると共に、液浸露光時の液体をウエハＷ表面に残りにくくするために、撥水性の保護膜をウエハＷ表面に塗布しており、この処理が保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）にて行なわれる。またこの保護膜が塗布された状態で現像処理を行うと、現像液によりレジストが溶解できなくなるため、現像処理の前にこの保護膜を除去する必要があり、この処理が保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）にて行なわれる。さらにより確実にウエハＷに付着したレジスト液の溶出成分や、液浸露光時の液体である水滴を除去するために、液浸露光処理を行なった後に、ウエハＷの表面を洗浄しており、この洗浄が洗浄ユニット（ＲＤ）にて行なわれる。
【００６０】
この塗布、現像装置１０１の処理ブロックＳ２には、ＤＥＶ層Ｂ１が２段積層されており、ＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ１の上段側が搬送ブロックＭ１として構成されている。なお図１１では、図示の便宜上棚ユニットＵ５，Ｕ６には、単位ブロックＢ１〜Ｂ４毎に夫々１個の上段側の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５のみを描いている。
【００６１】
続いて検査ブロックＳ５の構成について図１２をも参照しながら説明する。この検査ブロックＳ５は例えば筺体１１１を備え、この筺体１１１により周囲から区画されている。キャリアブロックＳ１側を手前側、処理ブロックＳ２側を奥側とすると、筺体１１１の内部の手前側中央部にはキャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣからウエハＷを受けとるための受け渡しステージであるＴＲＳ１１が設けられている。この受け渡しステージＴＲＳ１１は既述のＴＲＳ１〜５と同様に構成されている。またこのステージＴＲＳ１１の下方には所定の枚数のウエハＷを収容できるバッファユニットＢＵが例えば５段積層されて設けられており、これら５つのバッファユニットは例えば計１０〜２０枚程度のウエハＷを収容できるようになっている。ＤＥＶ層Ｂ１で現像処理を受けたウエハＷは後述の１１０のアームにより例えば各バッファユニットＢＵに搬入され一時的に蓄えられる。またこのバッファユニットＢＵにはトランスファーアームＣがアクセスして、ここに収容されているウエハＷをキャリア２０へと搬送するようになっている。
【００６２】
この検査ブロックＳ５の筺体１１１内において手前側から奥側を見て左右に検査ユニット１１２，１１３が夫々設けられている。ここで検査ユニット１１２，１１３としては、この例では模式的に２つの検査ユニットを記載しているが、より具体的には、検査の種類に応じて配置数が決められることになる。なおこの例のように２つの検査ユニット１１２，１１３を設け、その一方が例えば基板表面の状態を検査するための、基板に形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニットであり、他方がウエハＷの表面をＣＣＤカメラ等の撮像手段で撮像してその画像を解析する検査ユニットであってもよい。この他方の検査ユニットでは、現像欠陥やレジストパターンの線幅等が検査される。
【００６３】
なおこれらの検査ユニット１１２，１１３としては既述のような検査ユニットの他にも例えば、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、基板に付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後の基板に発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、スプラッシュバック検出装置、基板表面の欠陥を検出するための欠陥検出装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理の不具合を検出するための不具合検出装置、基板上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置などの検査装置の中から所望の検査の種類に応じて選択される検査装置をユニット化したものを用いることができる。
【００６４】
検査ブロックＳ５の筺体１１１内の奥側中央部には昇降自在、進退自在かつ鉛直軸回りに回転自在なウエハＷの受け渡しアーム１１０が設けられており、この受け渡しアーム１１０は検査ユニット１１２，１１３、バッファユニットＢＵに夫々アクセスしてこれらの各ユニット間でウエハＷを受け渡すことができるようになっている。また受け渡しアーム１１０は処理ブロックＳ２の各受け渡しステージＴＲＳ１にもアクセスできるようになっており、この受け渡しアーム１１０により検査ブロックＳ５と処理ブロックＳ２との間で現像処理を受けたウエハＷの受け渡しが行われる。
また処理ブロックＳ２の搬送ブロックＭ１に設けられたシャトルアーム７を第１のシャトルアームとすると、受け渡しアーム１１０の上方には昇降自在、進退自在かつ鉛直軸回りに回転自在に構成されたウエハＷの搬送機構である第２の直通搬送手段であるシャトルアーム１２０が設けられており、この第２のシャトルアーム１２０はレシピの中から露光チェックモードを選択したときに前記受け渡しステージＴＲＳ１１と処理ブロックＢ２の棚ユニットＵ５のＴＲＳ１Ｂとの間でウエハＷを搬送するためのものである。なお検査ユニット１１２，１１３の上方には塗布、現像装置１０１の各ユニットを作動させるための電装部品が収納された電装ユニット１１７が設けられている。
【００６５】
次に補助ブロックＳ６について説明する。この補助ブロックＳ６は例えば筺体４００を備え、この筺体４００により周囲から区画されている。筺体４００の内部においてキャリアブロックＳ１から見て奥側と右側と左側には、夫々棚ユニットＵ７，Ｕ８，Ｕ９が設けられている。例えば前記棚ユニットＵ７には、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡しステージである２つのＴＲＳ１２，ＴＲＳ１３，２つのＴＲＳ１４が、下からこの順に積層されている。なおこれら受け渡しステージＴＲＳ１２〜１４は例えば受け渡しステージＴＲＳ１〜５と同様に構成されている。
【００６６】
棚ユニットＵ８は上下に分割されており、例えばその棚ユニットＵ８の分割された上部側には例えば２つの保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）４０１が積層されている。その一方で棚ユニットＵ８の分割された下部側には例えば２つの保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）４０２が積層されている。棚ユニットＵ９には、例えば塗布膜形成後露光処理前に行う検査や、露光処理後現像処理前や、現像処理後の検査を行うための検査ユニットや、既述の冷却ユニット（ＣＯＬ）、加熱ユニット（ＣＨＰ）等の加熱、冷却系のユニット等が多段に積層して設けられている。なお図１１では、図示の便宜上棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１２，ＴＲＳ１４は夫々一つずつ記載している。
【００６７】
例えばこの例では、２つの保護膜除去ユニット４０２は、各々処理ブロックＳ２の２つのＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ１に対応する位置に設けられ、２つの保護膜塗布ユニット４０１は、ＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３とに夫々対応する位置に設けられている。
【００６８】
またこの例では棚ユニットＵ７の２つの受け渡しステージＴＲＳ１２は、保護膜除去ユニット４０２に対応する位置に設けられ、また２つの受け渡しステージＴＲＳ１４は保護膜塗布ユニット４０１に対応する位置に設けられている。例えば受け渡しステージＴＲＳ１４は、補助ブロックＳ６からインターフェイスブロックＳ３にウエハＷを受け渡す際に用いられ、例えば受け渡しステージＴＲＳ１２はインターフェイスブロックＳ３から補助ブロックＳ６へウエハＷを受け渡す際に用いられるようになっている。また受け渡しステージＴＲＳ１３は搬送ブロックＭ１に対応する位置に設けられ、後述のシャトルアームＦによりウエハＷの受け渡しが行われる。
【００６９】
そして補助ブロックＳ６には、上下に２段に受け渡しアームＦ１，Ｆ２が設けられており、上方側の受け渡しアームＦ１は、補助ブロックＳ６の棚ユニットＵ７〜Ｕ９の各部に対してウエハＷの受け渡しを行なうように構成され、例えば棚ユニットＵ８の２個の保護膜塗布ユニット４０１と、棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１４と、棚ユニットＵ９の対応する各部に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。
【００７０】
また下方側の受け渡しアームＦ２は、処理ブロックＳ２の各ＤＥＶ層Ｂ１との間でウエハＷの受け渡しを行なうと共に、当該補助ブロックＳ６の棚ユニットＵ７〜Ｕ９の各部に対してウエハＷの受け渡しを行なうように構成され、例えば処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の各受け渡しステージＴＲＳ５と、棚ユニットＵ８の２個の保護膜除去ユニット４０２と、棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１２と、棚ユニットＵ９の対応する各部に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。
【００７１】
この受け渡しアームＦ１，Ｆ２は、例えばメインアームＡ１〜Ａ５と同様に構成され、棚ユニットＵ８を支持する図示しない台部のアームＦ１，Ｆ２の搬送領域に臨む面に取り付けられたＹ軸レール４０５に沿って、例えば図中Ｙ方向に移動自在、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
また受け渡しアームＦ１，Ｆ２の間には進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成された第３の直通搬送手段であるシャトルアームＦが設けられ、このシャトルアームＦにより処理ブロックＳ２のＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５Ｂとこの補助ブロックＳ６の棚ユニットＵ８の受け渡しステージＴＲＳ１３との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００７２】
インターフェイスブロックＳ３においては、インターフェイスアームＢがアクセスできる位置に、液浸露光後にウエハＷを洗浄するための、例えば２個の洗浄ユニット（ＲＤ）４０３が積層されて設けられている。
さらにインターフェイスブロックＳ３の上方側には、ＵＬＰＡフィルタ４０６が設けられており、このＵＬＰＡフィルタ４０６によりゴミ、塵埃などが除去された清浄空気がインターフェイスブロックＳ３内に供給されるようになっている。
【００７３】
続いて前記保護膜塗布ユニット４０１、保護膜除去ユニット４０２、洗浄ユニット４０３の構造について簡単に説明する。これらの各ユニットは例えば既述の処理ブロックＳ２のレジスト塗布ユニットと略同様に構成されており、差異としてはウエハＷの保持部をなすスピンチャックは夫々各ユニットの筺体内に一つずつ設けられている。またその他の差異として保護膜塗布ユニット４０１においては保護膜形成用の薬液が、保護膜除去ユニット４０２においては前記保護膜塗布ユニット４０１で形成された保護膜を除去するための剥離液が、洗浄ユニット４０３においては液浸露光処理を終えたウエハＷを洗浄するための洗浄液が、夫々レジスト液の代わりにウエハＷに供給されるようになっている。
【００７４】
以上において図１の実施形態では、搬送ブロックＭ１に設けられたシャトルアーム７は、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間の直通搬送を行う直通搬送手段を構成するものであったが、この実施形態では検査ユニットＳ５に設けられたシャトルアーム１２０、搬送ブロックＭ１に設けられたシャトルアーム７及び補助ブロックＳ６に設けられたシャトルアームＦによって直通搬送手段が構成される。
【００７５】
このような構成を有する塗布、現像装置１０１においても既述の実施形態の塗布、現像装置と同様にその処理種別毎に搬送経路のレシピが作成されており、操作者がこの処理種別を選択でき、選択したレシピがプログラムから制御部１００に読み出されるように構成されている。また製品ウエハに対する処理種別の他に、露光装置をチェックするためのウエハＷを露光装置に搬送するための処理モードが選択できるようになっており、この処理モード（露光チェックモード）を選択すると３つのシャトルアーム１２０，７，ＦによりウエハＷがキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３に直通搬送され、またこれら３つのシャトルアーム１２０，７，ＦによりウエハＷがインターフェイスブロックＳ３からキャリアブロックＳ１に直通で戻されるようになっている。
【００７６】
このような構成の塗布、現像装置１０１において、液浸露光処理を行い、次いで当該露光処理後に洗浄処理を行なう場合には、例えばウエハＷは、キャリア２０→キャリアブロックＳ１→トランスファーアームＣ→受け渡しステージＴＲＳ１１→シャトルアーム１２０→受け渡しステージＴＲＳ１Ｂの順でキャリアブロックＳ１から検査ブロックＳ５を通り処理ブロックＳ２へと搬送される。続いてウエハＷは、受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ２→ＢＣＴ層Ｂ２→ＣＯＴ層Ｂ３→ＴＣＴ層Ｂ４→ＴＲＳ４の順で搬送され、次いで受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ→シャトルアーム７→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５Ｂ→シャトルアームＦ→受け渡しステージＴＲＳ１３の順で補助ブロックＳ６に搬送され、その次に受け渡しアームＦ１→棚ユニットＵ８の保護膜塗布ユニット４０１→補助ブロックＳ６の受け渡しアームＦ１→棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１４→インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、露光処理を受ける。
【００７７】
露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→洗浄ユニット４０３→インターフェイスアームＢ→補助ブロックＳ６の棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１２→受け渡しアームＦ２→棚ユニットＵ８の保護膜除去ユニット４０２→受け渡しアームＦ２→処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５→ＤＥＶ層Ｂ１→棚ユニットＵ５のＴＲＳ１の経路で搬送される。
【００７８】
続いてウエハＷは既述したように検査ブロックＳ５の受け渡しアーム１１０によりバッファユニットＢＵを介してあるいは直接各欠陥検査ユニット１１２，１１３に搬送され、検査が終わると受け渡しアーム１１０によりバッファユニットＢＵに搬送される。そしてバッファユニットＢＵに収容されたウエハＷはトランスファーアームＣによりキャリア２０に戻される。なお検査ユニット１１２，１１３の中に膜厚検査ユニットが含まれる場合にはＣＯＴ層Ｂ３にてレジストが塗布された後のウエハＷについて膜厚検査が行われる。またバッファユニットＢＵはこの例ではキャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しを行うための役割の他に、例えば所定枚数毎にウエハＷの検査を行う場合には検査を行わないウエハＷが待機して、ロット中のウエハＷの搬送順序を確保する役割なども持っている。
【００７９】
次に露光装置Ｓ４のメンテナンスを行うためにブロックＢ１〜Ｂ４の各層を通さず当該露光装置Ｓ４にウエハＷを搬送する場合の搬送経路について説明する。先ず制御部１００により露光チェックモードが選択される。モードの選択後、外部から例えばレジストが塗布されたテストウエハＷが収納されたキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入される。そしてキャリア２０内のテストウエハＷは、トランスファーアームＣ→受け渡しステージＴＲＳ１１→シャトルアーム１２０→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ→シャトルアーム７→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５Ｂ→シャトルアームＦ→棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１３→インターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の順で受け渡され、既述の実施形態と同様のメンテナンス作業が行われる。メンテナンス作業後のテストウエハＷはこの露光装置Ｓ４に搬入されるときの手順とは逆の手順でキャリア２０に戻される。
【００８０】
上述の実施の形態では、検査ブロックＳ５を備えた塗布、現像装置を構成し、この検査ブロックＳ５をキャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２との間に設置したので、レジストの塗布、露光、現像、検査を、共通のオペレータで監視することができるので、オペレータの省数化を図ることができる上、検査により何らかの欠陥が認められたときに、速やかに原因の特定や、原因の排除などの次のアクションを起こすことができる。
【００８１】
またこの実施の形態では、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に設けられた補助ブロックＳ６に、液浸露光を行なう場合に必要なユニットである保護膜塗布ユニット４０１や保護膜除去ユニット４０２を設けたので、この補助ブロックＳ６を組み込むことにより、処理ブロックＳ２のレイアウトを変更することなく、液浸露光を行なう場合と液浸露光を行わない場合とに対応することができる。この際液浸露光を行なわない場合には、補助ブロックＳ６内を素通りするようにウエハＷを搬送すればよい。
【００８２】
ところで検査ブロックＳ５の第２のシャトルアーム１２０と処理ブロックＳ２の第１のシャトルアーム７との間の受け渡しは、上述の例では共通の受け渡しステージＴＲＳ１１により行われているが、第１のシャトルアーム７により受け渡しが行われるステージと第２のシャトルアーム１２０により受け渡しが行われるステージとが互いに異なり、互いに異なったステージ間のウエハＷの搬送を受け渡しアームＤ１が行う場合でも、第１のシャトルアーム７及び第２のシャトルアーム１２０は直通搬送を行っていることになる。
【００８３】
なお既述の塗布、現像装置１０１における各ブロックに設けられた各受け渡しステージＴＲＳの数及び各ユニットの数は既述の例に限られない。また検査ブロックＳ５または補助ブロックＳ６のいずれかが既述の塗布、現像装置に設けられているような構成であってもよい。
【００８４】
既述の実施形態においてはＣＯＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ１〜Ｕ４にはウエハＷに対して疎水化処理を行うユニット（ＡＤＨ）が含まれているが、この疎水化ユニットをＣＯＴ層Ｂ３に設ける代わりに図１４〜図１５に示すように既述の検査ブロックＳ５に設けてもよい。具体的に説明するとこの図１４〜１５に示す塗布、現像装置１０２の検査ブロックＳ５は、前記塗布、現像装置１０１の検査ブロックＳ５と略同様に構成されているが、受け渡しステージＴＲＳ１１の上方には疎水化ユニット１１８が例えば３つ積層されて設けられている。またキャリアブロックＳ１側から見てこの検査ブロックＳ５の手前左側には例えば処理ブロックＳ２の受け渡しアームＤ１と同様に、昇降自在、進退自在かつ鉛直軸回りに回転自在に構成された受け渡しアーム１１９が設けられており、この受け渡しアーム１１９は受け渡しステージＴＲＳ１１及び各疎水化ユニット１１８にアクセスできるように構成されている。
【００８５】
このように構成された塗布、現像装置１０２において露光処理を受けるウエハＷは、キャリア２０→キャリアブロックＳ１→トランスファーアームＣ→受け渡しステージＴＲＳ１１→受け渡しアーム１１９→疎水化ユニット１１８→受け渡しアーム１１９→受け渡しステージＴＲＳ１１→シャトルアーム１２０→受け渡しステージＴＲＳ１Ｂの順でキャリアブロックＳ１から検査ブロックＳ５を通り処理ブロックＢ２へと搬送される。疎水化処理は、例えばレジストを塗布する前に行われ、その場合下側の反射防止膜を塗布しないプロセスに適用されるが、下側の反射防止膜を塗布する前に行うようにしてもよい。ウエハＷは疎水化処理のための搬送以外は、既述の塗布、現像装置１０１と同様の経路で搬送され露光処理を受ける。なお露光処理を受けたウエハＷが現像処理を受けてキャリア２０に戻される場合ウエハＷは、既述の塗布、現像装置１０１と同様の経路により搬送される。
また露光チェックモードが選択された場合テストウエハＷは、既述の塗布、現像装置１０１と同様の経路で搬送される。
【００８６】
このように疎水化ユニット１１８を検査ブロックＳ５に設ける場合、各単位ブロックＢ２〜Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４に疎水化ユニットを設ける場合に比べて各単位ブロックのメインアームＡ２〜Ａ４の負荷を減らすことができる。
【００８７】
以上において、検査ブロックＳ５及び補助ブロックＳ６のうちの少なくとも一方を備えた塗布、現像装置において、検査ブロックＳ５及び補助ブロックＳ６についてはシャトルアームを設けずに露光チェックのときにも通常処理の時に用いられる受け渡しアームにより搬送する構成を採用した場合にも、処理ブロックＳ２に設けたシャトルアーム７は、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間で基板の直通搬送を行うための直通搬送手段に相当するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置を塗布、現像装置に適用した実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図４】前記塗布、現像装置におけるＤＥＶ層の塗布ユニット、棚ユニット、メインアーム及び排気ユニットを示す斜視図である。
【図５】前記塗布、現像装置における塗布ユニットを示す平面図と縦断断面図である。
【図６】前記ＤＥＶ層の縦断側面図である。
【図７】前記ＤＥＶ層におけるシャトルアームの移動部の構成の一例を示す斜視図である。
【図８】前記塗布、現像装置におけるインターフェイスアームの一例を示す斜視図である。
【図９】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示した模式図である。
【図１０】本発明に係る他の塗布、現像装置の構成を示した平面図である。
【図１１】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図１２】前記塗布、現像装置に設けられた検査ブロックの構成を示す斜視図である。
【図１３】前記塗布、現像装置に設けられた補助ブロックの各部の配置を示す縦断平面図である。
【図１４】前記検査ブロックに疎水化ユニットを設けた塗布、現像装置の構成の一例を示す平面図である。
【図１５】前記塗布、現像装置の縦断平面図である。
【符号の説明】
【００８９】
Ｗ 半導体ウエハ
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
Ｂ インターフェイスアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ１ 受け渡しアーム
Ｍ１ 搬送ブロック
Ｒ１ 搬送用通路
Ｕ１〜Ｕ９ 棚ユニット
７，１２０，Ｆ シャトルアーム
１００ 制御部
１０１，１０２ 塗布、現像装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板等の基板に対してレジストを塗布し、露光後の基板を現像する塗布、現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板にレジストパターンを得る一連の処理は、レジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
既述のような塗布、現像装置として例えば特許文献１には、露光処理前にウエハに塗布処理を施すモジュールを収納する塗布膜形成用のブロックと露光処理後にウエハに現像処理を施すモジュールを収納する現像用のブロックとが上下に配置され、各ブロックの一端はウエハをローディング及びアンローディングするポートに接続され、各ブロックの他端はインターフェイスブロックを介して露光装置に接続された構成を有する塗布、現像装置が示されている。当該塗布、現像装置においては、このような構成を有することで塗布工程と現像工程とが分離されて行われるため、スループットの向上が図られている。
【０００４】
露光装置は近年解像度が上がり、現在では例えばＡｒＦ（フッ化アルゴン）などを光源として用いることで数十ｎｍ（ナノメートル）程度の解像線幅で露光処理を行うことが可能になっている。しかし気圧や天候などによる周囲環境のわずかな変化により、例えば光学系の保持部材などが膨張、収縮して光の焦点位置に敏感に影響し、レジストパターンの仕上がりを大きく左右する。このため常に安定した露光処理を行うためには、例えば１日の中でも頻繁に露光装置をチェックし調整する必要がある。
【０００５】
一方工場の運転コストを抑えるためにクリーンルームの清浄レベルを低くする傾向があることから露光装置の状態検査は露光装置のメンテナンス用扉を開けずに塗布、現像装置のキャリアブロックから試験用のウエハを処理ブロックの搬送系を介して露光装置に搬送して行われる。しかし前記特許文献１に記載の塗布、現像装置においては、試験用のウエハを露光装置に搬送するためには塗布膜形成用のブロックあるいは現像用のブロックを利用しなければならないため、塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックに対してメンテナンスを行っている場合やこれらのブロックに不具合が発生した場合などにおいては、定期あるいは不定期の露光装置の状態検査及び調整ができなくなる。このため塗布膜形成用のブロックや現像用のブロックのメンテナンス作業終了を待って試験用のウエハを露光装置に搬送して状態検査、調整を行うことになるためブロックのメンテナンス後に速やかに製品ウエハに対してプロセスを行うことができず、結果としてスループットの低下の一因になってしまう。
【０００６】
さらにまた半導体の製造ラインを新設する場合などにおいて装置の立ち上げの短縮化は重要なテーマである。しかし特許文献１の装置構成では塗布膜形成用のブロックあるいは現像用のブロックの搬送系の調整を完了しないと露光装置の調整が行えず、一方、露光装置の調整は調整項目が多くしかも微妙な調整が必要であることから長い時間がかかり、こうしたことから装置の立ち上げの短縮化が難しい状況にある。
【０００７】
【特許文献１】特許第３３３７６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は露光装置のメンテナンスを所望のタイミングで行うことができる塗布、現像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の塗布、現像装置はキャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにて感光材料膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸び、感光材料からなる塗布膜を含む膜を形成するための塗布膜形成用のブロックと、この塗布膜形成用のブロックに対して積層された現像用のブロックと、を備え、
ｂ）前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ）前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックに対して積層され、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間で基板の直通搬送を行うための直通搬送手段が設けられ、
ｄ）塗布膜が形成された基板は、前記直通搬送手段を通じてキャリアブロック側からインターフェイスブロック側に搬送される
ことを特徴とする。
【００１０】
前記塗布膜形成用のブロックは、レジスト膜を形成するためのブロックと、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成するためのブロックと、前記レジスト膜の上側に反射防止膜を形成するためのブロックと、の積層体を含んでいてもよく、 また現像用のブロックが塗布膜形成用のブロックの下方側に設けられていてもよい。
【００１１】
前記直通搬送手段は、前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックとは区画された搬送ブロック内を移動するように構成されていてもよく、この場合例えば前記搬送ブロックは、現像用のブロックと塗布膜形成用のブロックとの間に設けられている。またこの搬送ブロックにおいて、例えば当該搬送ブロックの内部に気体を導入して搬送ブロック内部を陽圧にするための気体導入口が設けられている。
【００１２】
本発明の塗布現像装置は塗布膜形成用のブロックにおけるブロック用の搬送手段、現像用のブロックにおけるブロック用の搬送手段、及び直通搬送手段により基板の受け渡しができるように夫々配置され、互いに積層された複数の受け渡しステージと、これら受け渡しステージ間にて基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な昇降搬送手段とを備えていてもよく、また基板の搬送を制御する制御部を備え、この制御部は、露光装置の状態を検査するための試験基板をキャリアブロックから直通搬送手段を介して露光装置に搬送する搬送モードを選択できるように構成されていてもよい。
また本発明の塗布、現像装置は、前記処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び／または露光処理後現像処理前の処理を行うユニットと、これらユニット、前記処理ブロック及びインターフェイスブロックの間で基板を搬送するための受け渡しアームと、を備えた補助ブロックを設け、前記直通搬送手段は、前記処理ブロックを通過する第１の直通搬送手段と、前記補助ブロックを通過する第２の直通搬送手段と、を含んでいてもよく、その他には例えば前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に、基板の検査を行うための検査ユニットと、検査ユニット及びキャリアブロック並びに処理ブロックの間で基板を搬送する受け渡しアームと、を備えた検査ブロックを設け、前記直通搬送手段は、前記検査ブロックを通過する第３の直通搬送手段と、前記処理ブロックを通過する第１の直通搬送手段と、を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、処理ブロックを、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる塗布膜形成用のブロックと現像用のブロックとの積層体により構成しているので、設置スペースが小さくて済み、そしてキャリアブロックとインターフェイスブロックとの間で基板の直通搬送を専用に行うための直通搬送手段を設けているため、露光装置、塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックのメンテナンスを同時に行うことができ、メンテナンス時間の短縮が図れる。また塗布膜形成用のブロックと現像用のブロックとがメンテナンス中であってもあるいは例えば排気系にトラブルが発生するなどによりこれらブロックにトラブルが起きていても、露光装置の状態を検査するための試験基板を直通搬送手段によりキャリアブロック側から露光装置に搬送することができるので、露光装置の状態の検査を所望のタイミングで実施することができる。このため塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックが運転可能な状態になった後、速やかに製品基板の処理に移行することができ、スループットの低下を抑えることができる。また装置の据付立ち上げ時において、直通搬送手段の調整をしておけば、この直通搬送手段により試験基板の搬送を行うことで、塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックの各搬送手段の調整作業と切り離して露光装置の調整を行うことができ、露光装置の調整が完了していれば、続いて現像条件の設定を行うことができ、結果として装置の立ち上げ時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムの実施の形態について説明する。図１は、このシステムの一実施の形態における平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置は、大気雰囲気中のクリーンルーム内に設置されており、基板例えばウエハであるウエハＷが１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個のブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００１５】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述するブロックＢ１及びＢ２の受け渡しステージＴＲＳ１〜２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００１６】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では下方側から、現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、搬送ブロックＭ１、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）の形成処理を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４、として割り当てられている。これらブロックＢ１〜Ｂ４及び搬送ブロックＭ１はキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ向かって伸びている。ここで前記ＤＥＶ層Ｂ１が現像用のブロック、ＢＣＴ層Ｂ２、ＣＯＴ層Ｂ３、ＴＣＴ層Ｂ４、が感光材料例えばレジストからなる塗布膜を形成するための塗布膜形成用のブロックに相当する。なお各ブロック間は仕切り板（ベース体）により区画されている。
【００１７】
続いて第１〜第４のブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ４）の構成について説明するが本実施形態においてこれらのブロックＢ１〜Ｂ４には共通部分が多く含まれており、各ブロックＢは略同様のレイアウトで構成されている。そこでＤＥＶ層Ｂ１を例として図４を参照しながら説明する。このＤＥＶ層Ｂ１の中央部には、横方向、詳しくはＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送用通路Ｒ１が形成されている。
【００１８】
この搬送用通路Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見て、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側には、液処理ユニットとして現像液の塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた現像ユニット３が搬送用通路Ｒ１に沿って設けられている。またＤＥＶ層Ｂ１の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系の熱系処理ユニットを多段化した４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４、排気ユニット５が搬送用通路Ｒ１に沿って設けられている。即ち現像ユニット３と棚ユニットＵ１〜Ｕ４とが搬送用通路Ｒ１を介して対向して配列されている。棚ユニットＵ１〜Ｕ４は現像ユニット３にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための熱系処理ユニットが２段に積層されており、またその棚ユニットＵ１〜Ｕ４の下部には排気ユニット５が積層され設けられている。
【００１９】
上述の熱系処理ユニットの中には、例えば露光後のウエハＷを加熱処理したり、現像処理後のウエハＷのを乾燥させるために加熱処理したりする加熱ユニット４や、この加熱ユニット４における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット等が含まれている。なお本実施形態では当該ＤＥＶ層Ｂ１における棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３として加熱ユニット４が２段に積層され、棚ユニットＵ４として冷却ユニットが２段に積層されている。
【００２０】
図５を用いて前記現像ユニット３の構成について簡単に説明すると、当該現像ユニットを構成する筐体３０の内部には３つのウエハ保持部をなすスピンチャック３１が配列されており、各スピンチャック３１は駆動部３２により鉛直軸回りに回転自在、かつ昇降自在に構成されている。またスピンチャック３１の周囲にはカップ３３が設けられ、当該カップ３３の底面には排気管やドレイン管などを含む排液部（図示せず）が設けられている。図中３４は薬液供給ノズルであり、この薬液供給ノズル３４は昇降自在に設けられ、また駆動部３５によりガイド３６に沿ってＹ方向に移動自在に構成されている。
【００２１】
この現像ユニット３では、ウエハＷは後述のメインアームＡ１により搬送用通路Ｒ１に面して設けられた搬送口３７を介して筐体３０内に搬入され、スピンチャック３１に受け渡される。なお図中３８は筺体３０内へのパーティクルの流入を防ぐために搬送口３７に設けられた開閉自在のシャッタである。そして供給ノズル３４から当該ウエハＷの表面に現像液が供給され、ウエハＷの表面に現像液の液膜を形成させ、その後図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハＷ表面の現像液が洗い流され、その後ウエハＷを回転させて乾燥されることにより現像処理が終了する。
【００２２】
続いて棚ユニットＵ１〜Ｕ３を構成する加熱ユニット４について簡単に説明すると、図６中４０は筐体であり、筐体４０の内部には基台４１が設置されている。図中４２はウエハＷの搬送口であり、搬送用通路Ｒ１に面して設けられている。図中４３は粗熱取り用の冷却プレートであり、図中４４は熱板である。冷却プレート４３は基台４１において熱板４４上に移動可能できるように構成されている。図中４５は整流用のプレートである。４７，４８は昇降機構４７ａ，４８ａにより駆動される昇降ピンである。昇降ピン４７が昇降することによりメインアームＡ１と冷却プレート４３との間でウエハＷが受け渡され、昇降ピン４８により熱板４４と冷却プレート４３との間でウエハＷが受け渡される構成になっている。
【００２３】
なお棚ユニットＵ４を構成する冷却ユニットの詳しい説明は省略するが加熱ユニット４と同様に搬送用通路Ｒ１に向かって搬送口４２が開口された筺体４０を備え、その筺体４０内部には例えば水冷方式の冷却プレートを備えた構成の装置が用いられる。
【００２４】
また排気ユニット５は、筺体５０において搬送用通路Ｒ１に面して開口された吸引口５１と、筺体の内部の排気室５３内を吸引排気する排気管５４とを備え排気室５３が負圧化されることで搬送用通路Ｒ１における気体を吸引してパーティクルの除去を図っている。
【００２５】
続いて前記搬送用通路Ｒ１に設けられたブロック用の搬送手段であるメインアームＡ１について説明する。このメインアームＡ１は、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像ユニット３、後述する棚ユニットＵ５の受け渡しステージ及び棚ユニットＵ６の受け渡しステージとの間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。メインアームＡ１は例えばウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のアーム体６１，６２を備えており、これらアーム体６１，６２は搬送基体６３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また搬送基体６３は、昇降基体６４上に鉛直軸周りに回転自在に設けられている。
【００２６】
図中６５はメインアームＡ１を横方向にガイドするためのガイドレールである。なお図中６６は、前記搬送用通路Ｒ１の排気を行うためにガイドレール６５上に設けられた孔であり、前記吸引口５１と重なるように穿孔されている。図中６７は昇降ガイドレールであり、当該昇降ガイドレール６７に沿って昇降基体６４は昇降自在に構成されている。この昇降ガイドレール６７の下端部は例えばガイドレール６５の下方を潜り、前記排気ユニット５の排気室５３内にて当該昇降ガイドレール６７を前記ガイドレール６５に沿って移動させるための駆動ベルト５５に係止されている。
【００２７】
ここで搬送ブロックＭ１について図１、図６及び図７を参照しながら説明しておく。ＤＥＶ層Ｂ１とＢＣＴ層Ｂ２との間にはウエハＷをキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ直行して搬送する搬送ブロックＭ１が形成されている。この搬送ブロックＭ１はＤＥＶ層Ｂ１の搬送用通路Ｒ１とは仕切り板７０ａにより仕切られた搬送領域Ｍ２と直通搬送手段であるシャトルアーム７とを含んでいる。当該シャトルアーム７は移動部７Ａと駆動部７Ｂとにより構成され、移動部７Ａは搬送領域Ｍ２に沿って移動できるように設けられている。移動部７Ａは例えばウエハＷの裏面側周縁領域を支持するためのアーム体７１を備えており、このアーム体７１は搬送基体７２上を進退自在に構成されている。また搬送基体７２は、移動基体７３上に鉛直軸回りに回転自在に設けられている。なおこの例では、アーム体７１、搬送基体７２、及び移動基体７３により移動部７Ａが構成される。なお大きさに限定されなければ、搬送基体７２を昇降させる機構が設けられていてもよい。
【００２８】
駆動部７Ｂは筺体７０を備えており、筺体７０内部の排気室７０ａには前記移動部７Ａを移動させるための駆動部（不図示）が含まれている。筺体７０の前面には前記移動部７Ａを横方向にガイドするためのガイドレール７４が横方向に伸びるように設けられており、このように構成されることでシャトルアーム７は後述の棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１Ｂと棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しステージＴＲＳ５Ｂとの間でウエハＷが直行して搬送され、受け渡しが行われるように構成されている。
【００２９】
また当該筺体７０は搬送領域Ｍ２に面して開口された吸引口７５を備えており、当該吸引口７５と重なるように前記ガイドレール７４には横方向に間隔をおいて孔７４ａが設けられている。搬送領域Ｍ２に面する側を手前側とすると前記排気室７０ａの奥側には横方向に間隔をおいて複数箇所、排気口７７が開口しており、排気口７７には排気室７０ａ内を吸引排気するための排気管７８が接続されている。当該排気管７８を介して排気室７０ａが負圧化されることで搬送領域Ｍ２における気体が排気室７０ａに流入する構成になっている。
【００３０】
また搬送領域Ｍ２には例えば角型の筺体を備えた気体導入部７９が横方向に、例えば当該搬送領域Ｍ２全域をカバーするように設けられている。当該筺体には例えば横方向に一定の間隔をおいて搬送領域Ｍ２に面する気体導入口（不図示）が設けられており、気体導入部７９中を流通する清浄気体が当該気体導入口を介して例えば搬送領域Ｍ２全域に放射状に供給されるように構成されている。このように気体導入口から搬送領域Ｍ２に清浄気体が供給される一方、前記排気室７０ａを介して搬送領域Ｍ２の排気が行われることで、搬送領域Ｍ２におけるパーティクルの除去が図られている。また例えばこのような清浄気体の供給と排気とのバランスを取り、搬送領域Ｍ２における圧力がクリーンルーム内の圧力よりも若干高い圧力（陽圧）になるようコントロールされることで、当該塗布、現像装置の外部から気流に乗って当該搬送領域Ｍ２にパーティクルが流入することが抑えられている。
【００３１】
搬送用通路Ｒ１及び搬送領域Ｍ２におけるキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すようにメインアームＡ１と、シャトルアーム７と、及びトランスファーアームＣとがアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降搬送手段である受け渡しアームＤ１を備えている。
【００３２】
この棚ユニットＵ５において、ブロックＢ１には受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ、受け渡しステージＴＲＳ１が上段からこの順に設けられており、受け渡しステージＴＲＳ１ＢにはトランスファーアームＣ、前記シャトルアーム７及び受け渡しアームＤ１がアクセスできるように構成されている。受け渡しステージＴＲＳ１にはメインアームＡ１、トランスファーアームＣ、及び受け渡しアームＤ１がアクセスできるように構成されている。当該受け渡しステージＴＲＳ１及び受け渡しステージＴＲＳ１Ｂの構造としては例えば方形の筺体内を備え、当該筺体内にはウエハＷを載置することでウエハＷの温度を予定した温度に調節する機構を備えたステージが設けられ、また当該ステージ上を突没自在なピンが設けられている。例えば筺体の各アームに向かう側面に設けられた搬送口を介して各アームが前記筺体内に進入し、前記ピンを介してステージから浮いたウエハＷの裏面を各アームが保持することができる、または前記ピンを介してプレート上に各アームにより搬送されたウエハＷが載置されるような構造を備えている。
【００３３】
なおこの例では図３に示すようにブロックＢ２〜Ｂ４には各２基の受け渡しステージＴＲＳ２〜ＴＲＳ４が設けられているが各ＴＲＳは総て既述のような構造を有しており、受け渡しステージＴＲＳ２〜ＴＲＳ４は各層に設けられたメインアームＡ２〜Ａ４、及び受け渡しアームＤ１とウエハＷの受け渡しができるように構成されている。またＴＲＳ２にはこれらのアームの他にトランスファーアームＣともウエハの受け渡しができるように構成されている。ところで各ＴＲＳの数は限定されるものではなく、各ブロックに対応して２基以上設けられていてもよい。
【００３４】
前記受け渡しアームＤ１はＢ１からＢ４の各層を移動して、各層に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ４及び受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２及び受け渡しステージＴＲＳ１Ｂは、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。
【００３５】
さらにＤＥＶ層Ｂ１の搬送用通路Ｒ１及び搬送ブロックＭ１の搬送領域Ｍ２のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図３に示すように棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６は図３に示すように、受け渡しステージであるＴＲＳ５Ｂ，ＴＲＳ５が上からこの順に設けられており、受け渡しステージＴＲＳ５Ｂはシャトルアーム７とインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しが行えるように構成されている。また受け渡しステージＴＲＳ５はメインアームＡ１及びインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しが行えるように構成されている。受け渡しステージＴＲＳ５Ｂ，ＴＲＳ５は例えば既述の受け渡しステージＴＲＳ１Ｂと同様の構造を有しており、ウエハＷの冷却機能を備え、受け渡されたウエハＷの温調管理ができるように構成されている。
【００３６】
また処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＢが備えられている。このインターフェイスアームＢは例えば図８に示すように、ウエハＷの裏面側中央領域を支持するための１本のアーム２０１が基台２０２に沿って進退自在に設けられている。前記基台２０２は、昇降台２０３に回転機構２０４により鉛直軸回りに回転自在に取り付けられ、昇降レール２０５に沿って昇降自在に設けられている。こうしてアーム２０１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
なお既述の受け渡しアームＤ１も、鉛直軸回りに回転しない他は、インターフェイスアームＢと同様に構成されている。
【００３７】
このインターフェイスアームＢは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この実施形態では、ブロックＢ１の受け渡しステージＴＲＳ５からウエハＷを受け取り露光装置Ｓ４へ搬入する一方で、露光装置Ｓ４からウエハＷを受け取り、ステージＴＲＳ５Ｂに受け渡すように構成されている。
【００３８】
続いて他のブロックについて簡単に説明する。ＢＣＴ層Ｂ２、ＣＯＴ層Ｂ３、ＴＣＴ層Ｂ４は、ＤＥＶ層Ｂ１と略同様に構成されており、差異としては液処理ユニットの薬液として現像液の代わりに反射防止膜用の薬液あるいはレジスト膜形成用の薬液（レジスト液）が用いられる点、薬液の塗布の手法が異なる点が挙げられ、また棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成する加熱系、冷却系のユニットにおける処理条件が異なる点、さらにはインターフェイスＳ３側に棚ユニットＵ６が配置されていない点などが挙げられる。また例えばブロックＢ２〜Ｂ４のいずれかにウエハＷの周縁部を露光する周縁露光ユニットが設けられており、ＣＯＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ１〜Ｕ４にはウエハＷに対して疎水化処理を行うユニットが含まれている。
【００３９】
また、この塗布、現像装置は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有する制御部１００を備えている。プログラム格納部には後述するような当該塗布、現像装置の作用、つまりウエハＷの処理、ウエハＷの受け渡し、排気、及び気流の制御、搬送経路のレシピの管理などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部１００に読み出されることにより制御部１００は当該塗布、現像装置の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４０】
なお前記搬送経路のレシピは処理種別に応じたウエハＷの搬送経路（ウエハＷが置かれる受け渡しステージやユニットなどのモジュールの順番）を指定したものであり、その処理種別毎に作成されており操作者がこの処理種別を選択でき、選択したレシピがプログラムから制御部１００に読み出されるように構成されている。また製品ウエハに対する処理種別の他に、露光装置をチェックするためのウエハＷを露光装置に搬送するための処理モードが選択できるようになっており、この処理モード（露光チェックモード）を選択するとシャトルアーム７によりウエハＷがキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３に搬送され、またシャトルアーム７によりインターフェイスブロックＳ３からキャリアブロックＳ１に戻るようになっている。
【００４１】
ここでこの塗布、現像装置における作用について先ずレジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合におけるウエハＷの流れの例について説明する。外部からキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから、棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ２を介してＢＣＴ層Ｂ２のメインアームＡ２に受け渡される。そしてＢＣＴ層Ｂ２では、メインアームＡ２により、冷却ユニット→反射防止膜形成ユニット（図示していないが、図５における現像ユニット３に対応するユニットである）→加熱ユニット→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ２の順序で搬送されて、下部反射防止膜が形成される。
【００４２】
続いて受け渡しステージＴＲＳ２のウエハＷは受け渡しアームＤ１により、ＣＯＴ層Ｂ３の受け渡しステージＴＲＳ３に搬送され、次いで当該ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。そしてＣＯＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、ウエハＷは冷却ユニット→レジスト塗布ユニット（図示していないが、図５における現像ユニット３に対応するユニットである）→加熱ユニットの順序で搬送されて下部反射防止膜の上層にレジスト膜が形成された後、周縁露光ユニットに搬送されて周縁部が露光され、さらに棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ３に搬送される。
【００４３】
次いで受け渡しステージＴＲＳ３のウエハＷは受け渡しアームＤ１により、ＴＣＴ層Ｂ４の受け渡しステージＴＲＳ４に搬送され、当該ＴＣＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そしてＴＣＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、冷却ユニット→第２の反射防止膜形成ユニット（図示していないが、図５における現像ユニット３に対応するユニットである）→加熱ユニットの順序で搬送されてレジスト膜の上層に上部反射防止膜が形成された後に、棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ４に搬送される。
【００４４】
受け渡しステージＴＲＳ４のウエハＷは受け渡しアームＤ１により、受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに搬送される。次いでシャトルアーム７の移動部７ＡがウエハＷを受け取りインターフェイスブロックＳ３側に向きを変えると共にインターフェイスブロックＳ３側に移動し、ウエハＷが受け渡しステージＴＲＳ５Ｂに搬送される。このステージＴＲＳ５Ｂ上に載置されたウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００４５】
露光処理後のウエハＷはインターフェイスアームＢにより棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５に搬送され、このステージＴＲＳ５上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ１にて、棚ユニットＵ１〜Ｕ４に含まれる加熱ユニット→冷却ユニット→現像ユニット３→加熱ユニット→冷却ユニットの順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１に搬送されトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００４６】
図９は以上説明したウエハＷの搬送経路を模式的に示したものである。ウエハＷは塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４間を移動し、塗布膜が形成され（ステップ１）、その後シャトルアーム７により処理ブロックＳ２におけるキャリアブロックＳ１側からインターフェイス側Ｓ３へ搬送ブロックＭ１を経由して搬送され、さらに露光装置Ｓ４に運ばれる（ステップ２）。露光処理を終えたウエハＷは露光装置Ｓ４からＤＥＶ層Ｂ１を通過し、現像処理を受けてキャリアブロックＳ１に戻される（ステップ３）。
【００４７】
次に露光装置Ｓ４のメンテナンスを行うためにブロックＢ２〜Ｂ４の各層を通さず当該露光装置Ｓ４にウエハＷを搬送する場合の搬送経路について説明する。先ず制御部１００により露光チェックモードが選択される。モードの選択後、外部からキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内から例えばレジストが塗布されたテストウエハＷが取り出される。当該テストウエハＷは、トランスファーアームＣから受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに受け渡され、シャトルアーム７の移動部７Ａにより、受け渡しステージＴＲＳ５Ｂに直通して搬送される。この受け渡しステージＴＲＳ５Ｂ上のテストウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、当該テストウエハＷを用いて露光装置Ｓ４の例えばフォーカス精度校正、位置精度校正、レンズ歪確認、レンズ透過率確認、光学系ごみ付着確認などのメンテナンス作業が行われる。
【００４８】
メンテナンスのために使用されたテストウエハＷは露光装置Ｓ４からインターフェイスアームＢにより受け渡しステージＴＲＳ５Ｂに搬送され、シャトルアーム７の移動部７Ａにより、受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに直通で搬送される。この受け渡しステージＴＲＳ１Ｂに載置されたテストウエハＷはトランスファーアームＣによりキャリア２０に戻される。
【００４９】
本実施形態における塗布、現像装置は、処理ブロックＳ２を各々キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に伸びる塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４と現像用のブロックＢ１との積層体により構成しているので、設置スペースが小さくて済み、そしてＤＥＶ層Ｂ１とＢＣＴ層Ｂ２との間に処理ブロックＳ２に搬送ブロックＭ１を設け、その搬送ブロックＭ１内にはキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの直通搬送を専用に行うシャトルアーム７が設けられているため、露光装置Ｓ４、塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４及び現像用のブロックＢ１のメンテナンスを同時に行うことができ、メンテナンス時間の短縮が図れる。また塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４と現像用のブロックＢ１とがメンテナンス中であってもあるいは例えば排気系にトラブルが発生するなどによりこれらブロックにトラブルが起きていても、露光装置Ｓ４の状態を検査するためのウエハＷを搬送ブロックＭ１のシャトルアーム７を介して、キャリアブロックＳ１側から露光装置Ｓ４に搬送することができるので、露光装置Ｓ４の状態の検査を所望のタイミングで実施することができる。このため塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４及び現像用のブロックＢ１が運転可能な状態になった後、速やかに製品ウエハＷの処理に移行することができ、スループットの低下を抑えることができる。また装置の据付立ち上げ時において、直通シャトルアーム７の調整を先行して完了しておけば、このシャトルアーム７により試験ウエハＷの搬送を行うことで、塗布膜形成用のブロックＢ２〜Ｂ４及び現像用のブロックＢ１に備えられたメインアームＡ１〜Ａ４の調整作業と切り離して露光装置Ｓ４の調整を行うことができ、露光装置Ｓ４の調整が完了していれば、続いて現像条件の設定を行うことができ、結果として装置の立ち上げ時間を短縮できる。
【００５０】
また本実施形態においては塗布膜形成ブロックＢ２〜Ｂ４の下方側に現像用のブロックＢ１を設け、そのブロックＢ１とブロックＢ２との間にシャトルアーム７を備えた搬送ブロックＭ１を設けているのでインターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢの昇降ストロークを小さくできる。従ってこのインターフェイスアームＢにより構成される搬送手段の小型化を図ることができる。
【００５１】
本発明では各ブロックの積層数や積層の順番は上述の例に限られず、塗布膜形成用のブロックを例えば、下方側から上方側に向かって順番にＴＣＴ層、ＣＯＴ層、ＢＣＴ層となるように配列してもよい。また塗布膜形成用のブロックを下方側に配置し、その上に現像処理用のブロックを配置してもよい。また例えば反射防止膜を形成せずレジスト膜のみをウエハＷに形成する場合は塗布膜形成用のブロックとしてはＣＯＴ層のみが設けられた構成であってもよい。なお塗布膜形成用のブロックは一層の中で下側反射防止膜の形成、レジスト膜の形成、上側反射防止膜の形成を行うようにしてもよく、このような層を複数段積層して塗布、現像装置を構成してもよい。またＤＥＶ層Ｂ１において既述の現像ユニット３が例えば２段積層されてもよい。
【００５２】
ところで既述の実施形態においては搬送通路Ｒ１へのパーティクルの落下を防ぐためＤＥＶ層Ｂ１の搬送用通路Ｒ１と搬送ブロックＭ１の搬送領域Ｍ２とは仕切り板７０ａにより区画されているが、この仕切り板７０ａを設けない構成としてもよい。この場合例えば当該移動部７Ａの移動領域（搬送領域）は前記メインアームＡ１のが移動可能な領域（搬送領域）上限位置における当該メインアームＡ１の上端部分よりもやや上方に設定され、メインアームＡ１と移動部７Ａとは互いに干渉することがないように構成してもよい。
【００５３】
また直通搬送手段であるシャトルアーム７の構成としては既述の実施例で示した構成に限られず、例えばシャトルアーム７は、搬送基体７２上をアーム体７１が進退する機構を設けず、搬送基体７２が旋回することでＴＲＳ１ＢあるいはＴＲＳ５Ｂにてピンにより持ち上げられたウエハＷの下にアーム体７１が潜り込み、ピンの下降によりアーム体７１がウエハＷを受け取ってＴＲＳ１ＢとＴＲＳ５Ｂとの間でウエハＷを搬送するような構成であってもよい。
【００５４】
また直通搬送手段としてはキャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に、塗布あるいは現像を行うためのユニットを介さないで直通にウエハＷを搬送できればよいため以上説明したようなアーム搬送に限らず、例えばエンドレスベルトを用いたベルトコンベアにより構成すると共に、受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ及びＴＲＳ５Ｂを切り欠いて例えばコ字型に形成し、その切り欠き空間にベルトコンベアの両端部を位置させて、これらの一方の受け渡しステージ上に載置されたウエハＷが前記エンドレスベルトに載せられて他方の受け渡しステージ上に搬送されるように構成してもよい。あるいは横方向に沿った両側にウエハＷの落下防止用のガイドレールを備えたスロープを、受け渡しステージＴＲＳ１ＢとＴＲＳ５Ｂとの間に、ＴＲＳ５Ｂ側が低くなるように設けて、当該スロープの床にＴＲＳ５Ｂ側にエアを噴出す穴を配列させて当該エアの圧力とウエハＷの自重とによりＴＲＳ５Ｂ側にウエハＷが押し出されるような構成としてもよい。
【００５５】
なお本発明の直通搬送手段は、キャリアブロックからインターフェイスブロックに、塗布あるいは現像を行うためのユニットを介さないで直通に搬送するためのものであるが、この直通搬送手段の搬送経路中に例えば周縁露光装置や検査ユニットなどが介在している場合であっても、例えばこれら装置内を介して直通搬送手段とキャリアブロック側の搬送手段あるいはインターフェイスブロック側の搬送手段との間で基板の受け渡しが行われる場合をも含む意味である。
【００５６】
また本発明の塗布、現像装置は、以下のように構成してもよい。この実施の形態について図１０〜図１３を用いて説明すると、この塗布、現像装置１０１は、キャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２との間にウエハＷに対して所定の検査を行うための、検査ブロックＳ５が設けられると共に処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に補助ブロックＳ６が設けられている。この補助ブロックＳ６内には、液浸露光される際の液体がレジストに含浸されるのを防ぐための保護膜を塗布する撥水性保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）（以下「保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）」という）と、この撥水性保護膜を除去するための撥水性保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）（以下「保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）」という）とが設けられている。またインターフェイスブロックＳ３には液浸露光の前後にウエハＷを洗浄するための洗浄ユニット（ＲＤ）が設けられている。
【００５７】
ここで液浸露光について簡単に説明すると、この液浸露光とは、基板の表面に光を透過させる液層を形成した状態で露光することにより、露光の解像度を上げることを目的とするものであって、例えば光を純水の中を透過させ、水中では光の波長が短くなることから１９３ｎｍのＡｒＦの波長が水中では実質１３４ｎｍになる、という特徴を利用して露光を行うものである。
【００５８】
ところで液浸露光では、レジストの表面に液層を形成するため、レジストが液相側に溶出してその溶出成分がウエハＷ上に残ってしまったり、露光処理終了後に、ウエハＷの表面に形成された液層をウエハＷから排出する際に、ウエハ表面に液滴である微小な水滴が残留するおそれがある。このようにレジストの溶出分や液滴がウエハＷに残存すると、前記溶出分がウエハＷに付着し、欠陥原因となるパーティクルの発生要因となったり、露光処理後の加熱処理時に前記溶出分から発生するパーティクルが固着や溶着を起こしてしまい、パターンの線幅に影響を及ぼしたり、液滴の存在で露光処理後の加熱処理時にウエハＷの面内において温度差が発生し、熱処理の面内均一性が悪化したり、液滴が空気と反応してウエハＷ表面のウォーターマークの発生原因となるという問題がある。
【００５９】
このため液浸露光処理では、ウエハＷにレジスト液を塗布した後液浸露光を行なう前に、レジストの溶出を抑えると共に、液浸露光時の液体をウエハＷ表面に残りにくくするために、撥水性の保護膜をウエハＷ表面に塗布しており、この処理が保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）にて行なわれる。またこの保護膜が塗布された状態で現像処理を行うと、現像液によりレジストが溶解できなくなるため、現像処理の前にこの保護膜を除去する必要があり、この処理が保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）にて行なわれる。さらにより確実にウエハＷに付着したレジスト液の溶出成分や、液浸露光時の液体である水滴を除去するために、液浸露光処理を行なった後に、ウエハＷの表面を洗浄しており、この洗浄が洗浄ユニット（ＲＤ）にて行なわれる。
【００６０】
この塗布、現像装置１０１の処理ブロックＳ２には、ＤＥＶ層Ｂ１が２段積層されており、ＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ１の上段側が搬送ブロックＭ１として構成されている。なお図１１では、図示の便宜上棚ユニットＵ５，Ｕ６には、単位ブロックＢ１〜Ｂ４毎に夫々１個の上段側の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５のみを描いている。
【００６１】
続いて検査ブロックＳ５の構成について図１２をも参照しながら説明する。この検査ブロックＳ５は例えば筺体１１１を備え、この筺体１１１により周囲から区画されている。キャリアブロックＳ１側を手前側、処理ブロックＳ２側を奥側とすると、筺体１１１の内部の手前側中央部にはキャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣからウエハＷを受けとるための受け渡しステージであるＴＲＳ１１が設けられている。この受け渡しステージＴＲＳ１１は既述のＴＲＳ１〜５と同様に構成されている。またこのステージＴＲＳ１１の下方には所定の枚数のウエハＷを収容できるバッファユニットＢＵが例えば５段積層されて設けられており、これら５つのバッファユニットは例えば計１０〜２０枚程度のウエハＷを収容できるようになっている。ＤＥＶ層Ｂ１で現像処理を受けたウエハＷは後述の１１０のアームにより例えば各バッファユニットＢＵに搬入され一時的に蓄えられる。またこのバッファユニットＢＵにはトランスファーアームＣがアクセスして、ここに収容されているウエハＷをキャリア２０へと搬送するようになっている。
【００６２】
この検査ブロックＳ５の筺体１１１内において手前側から奥側を見て左右に検査ユニット１１２，１１３が夫々設けられている。ここで検査ユニット１１２，１１３としては、この例では模式的に２つの検査ユニットを記載しているが、より具体的には、検査の種類に応じて配置数が決められることになる。なおこの例のように２つの検査ユニット１１２，１１３を設け、その一方が例えば基板表面の状態を検査するための、基板に形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニットであり、他方がウエハＷの表面をＣＣＤカメラ等の撮像手段で撮像してその画像を解析する検査ユニットであってもよい。この他方の検査ユニットでは、現像欠陥やレジストパターンの線幅等が検査される。
【００６３】
なおこれらの検査ユニット１１２，１１３としては既述のような検査ユニットの他にも例えば、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、基板に付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後の基板に発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、スプラッシュバック検出装置、基板表面の欠陥を検出するための欠陥検出装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理の不具合を検出するための不具合検出装置、基板上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置などの検査装置の中から所望の検査の種類に応じて選択される検査装置をユニット化したものを用いることができる。
【００６４】
検査ブロックＳ５の筺体１１１内の奥側中央部には昇降自在、進退自在かつ鉛直軸回りに回転自在なウエハＷの受け渡しアーム１１０が設けられており、この受け渡しアーム１１０は検査ユニット１１２，１１３、バッファユニットＢＵに夫々アクセスしてこれらの各ユニット間でウエハＷを受け渡すことができるようになっている。また受け渡しアーム１１０は処理ブロックＳ２の各受け渡しステージＴＲＳ１にもアクセスできるようになっており、この受け渡しアーム１１０により検査ブロックＳ５と処理ブロックＳ２との間で現像処理を受けたウエハＷの受け渡しが行われる。
また処理ブロックＳ２の搬送ブロックＭ１に設けられたシャトルアーム７を第１のシャトルアームとすると、受け渡しアーム１１０の上方には昇降自在、進退自在かつ鉛直軸回りに回転自在に構成されたウエハＷの搬送機構である第２の直通搬送手段であるシャトルアーム１２０が設けられており、この第２のシャトルアーム１２０はレシピの中から露光チェックモードを選択したときに前記受け渡しステージＴＲＳ１１と処理ブロックＢ２の棚ユニットＵ５のＴＲＳ１Ｂとの間でウエハＷを搬送するためのものである。なお検査ユニット１１２，１１３の上方には塗布、現像装置１０１の各ユニットを作動させるための電装部品が収納された電装ユニット１１７が設けられている。
【００６５】
次に補助ブロックＳ６について説明する。この補助ブロックＳ６は例えば筺体４００を備え、この筺体４００により周囲から区画されている。筺体４００の内部においてキャリアブロックＳ１から見て奥側と右側と左側には、夫々棚ユニットＵ７，Ｕ８，Ｕ９が設けられている。例えば前記棚ユニットＵ７には、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡しステージである２つのＴＲＳ１２，ＴＲＳ１３，２つのＴＲＳ１４が、下からこの順に積層されている。なおこれら受け渡しステージＴＲＳ１２〜１４は例えば受け渡しステージＴＲＳ１〜５と同様に構成されている。
【００６６】
棚ユニットＵ８は上下に分割されており、例えばその棚ユニットＵ８の分割された上部側には例えば２つの保護膜塗布ユニット（ＩＴＣ）４０１が積層されている。その一方で棚ユニットＵ８の分割された下部側には例えば２つの保護膜除去ユニット（ＩＴＲ）４０２が積層されている。棚ユニットＵ９には、例えば塗布膜形成後露光処理前に行う検査や、露光処理後現像処理前や、現像処理後の検査を行うための検査ユニットや、既述の冷却ユニット（ＣＯＬ）、加熱ユニット（ＣＨＰ）等の加熱、冷却系のユニット等が多段に積層して設けられている。なお図１１では、図示の便宜上棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１２，ＴＲＳ１４は夫々一つずつ記載している。
【００６７】
例えばこの例では、２つの保護膜除去ユニット４０２は、各々処理ブロックＳ２の２つのＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ１に対応する位置に設けられ、２つの保護膜塗布ユニット４０１は、ＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３とに夫々対応する位置に設けられている。
【００６８】
またこの例では棚ユニットＵ７の２つの受け渡しステージＴＲＳ１２は、保護膜除去ユニット４０２に対応する位置に設けられ、また２つの受け渡しステージＴＲＳ１４は保護膜塗布ユニット４０１に対応する位置に設けられている。例えば受け渡しステージＴＲＳ１４は、補助ブロックＳ６からインターフェイスブロックＳ３にウエハＷを受け渡す際に用いられ、例えば受け渡しステージＴＲＳ１２はインターフェイスブロックＳ３から補助ブロックＳ６へウエハＷを受け渡す際に用いられるようになっている。また受け渡しステージＴＲＳ１３は搬送ブロックＭ１に対応する位置に設けられ、後述のシャトルアームＦによりウエハＷの受け渡しが行われる。
【００６９】
そして補助ブロックＳ６には、上下に２段に受け渡しアームＦ１，Ｆ２が設けられており、上方側の受け渡しアームＦ１は、補助ブロックＳ６の棚ユニットＵ７〜Ｕ９の各部に対してウエハＷの受け渡しを行なうように構成され、例えば棚ユニットＵ８の２個の保護膜塗布ユニット４０１と、棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１４と、棚ユニットＵ９の対応する各部に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。
【００７０】
また下方側の受け渡しアームＦ２は、処理ブロックＳ２の各ＤＥＶ層Ｂ１との間でウエハＷの受け渡しを行なうと共に、当該補助ブロックＳ６の棚ユニットＵ７〜Ｕ９の各部に対してウエハＷの受け渡しを行なうように構成され、例えば処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の各受け渡しステージＴＲＳ５と、棚ユニットＵ８の２個の保護膜除去ユニット４０２と、棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１２と、棚ユニットＵ９の対応する各部に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。
【００７１】
この受け渡しアームＦ１，Ｆ２は、例えばメインアームＡ１〜Ａ５と同様に構成され、棚ユニットＵ８を支持する図示しない台部のアームＦ１，Ｆ２の搬送領域に臨む面に取り付けられたＹ軸レール４０５に沿って、例えば図中Ｙ方向に移動自在、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
また受け渡しアームＦ１，Ｆ２の間には進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成された第３の直通搬送手段であるシャトルアームＦが設けられ、このシャトルアームＦにより処理ブロックＳ２のＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５Ｂとこの補助ブロックＳ６の棚ユニットＵ８の受け渡しステージＴＲＳ１３との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
【００７２】
インターフェイスブロックＳ３においては、インターフェイスアームＢがアクセスできる位置に、液浸露光後にウエハＷを洗浄するための、例えば２個の洗浄ユニット（ＲＤ）４０３が積層されて設けられている。
さらにインターフェイスブロックＳ３の上方側には、ＵＬＰＡフィルタ４０６が設けられており、このＵＬＰＡフィルタ４０６によりゴミ、塵埃などが除去された清浄空気がインターフェイスブロックＳ３内に供給されるようになっている。
【００７３】
続いて前記保護膜塗布ユニット４０１、保護膜除去ユニット４０２、洗浄ユニット４０３の構造について簡単に説明する。これらの各ユニットは例えば既述の処理ブロックＳ２のレジスト塗布ユニットと略同様に構成されており、差異としてはウエハＷの保持部をなすスピンチャックは夫々各ユニットの筺体内に一つずつ設けられている。またその他の差異として保護膜塗布ユニット４０１においては保護膜形成用の薬液が、保護膜除去ユニット４０２においては前記保護膜塗布ユニット４０１で形成された保護膜を除去するための剥離液が、洗浄ユニット４０３においては液浸露光処理を終えたウエハＷを洗浄するための洗浄液が、夫々レジスト液の代わりにウエハＷに供給されるようになっている。
【００７４】
以上において図１の実施形態では、搬送ブロックＭ１に設けられたシャトルアーム７は、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間の直通搬送を行う直通搬送手段を構成するものであったが、この実施形態では検査ユニットＳ５に設けられたシャトルアーム１２０、搬送ブロックＭ１に設けられたシャトルアーム７及び補助ブロックＳ６に設けられたシャトルアームＦによって直通搬送手段が構成される。
【００７５】
このような構成を有する塗布、現像装置１０１においても既述の実施形態の塗布、現像装置と同様にその処理種別毎に搬送経路のレシピが作成されており、操作者がこの処理種別を選択でき、選択したレシピがプログラムから制御部１００に読み出されるように構成されている。また製品ウエハに対する処理種別の他に、露光装置をチェックするためのウエハＷを露光装置に搬送するための処理モードが選択できるようになっており、この処理モード（露光チェックモード）を選択すると３つのシャトルアーム１２０，７，ＦによりウエハＷがキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３に直通搬送され、またこれら３つのシャトルアーム１２０，７，ＦによりウエハＷがインターフェイスブロックＳ３からキャリアブロックＳ１に直通で戻されるようになっている。
【００７６】
このような構成の塗布、現像装置１０１において、液浸露光処理を行い、次いで当該露光処理後に洗浄処理を行なう場合には、例えばウエハＷは、キャリア２０→キャリアブロックＳ１→トランスファーアームＣ→受け渡しステージＴＲＳ１１→シャトルアーム１２０→受け渡しステージＴＲＳ１Ｂの順でキャリアブロックＳ１から検査ブロックＳ５を通り処理ブロックＳ２へと搬送される。続いてウエハＷは、受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ２→ＢＣＴ層Ｂ２→ＣＯＴ層Ｂ３→ＴＣＴ層Ｂ４→ＴＲＳ４の順で搬送され、次いで受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ→シャトルアーム７→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５Ｂ→シャトルアームＦ→受け渡しステージＴＲＳ１３の順で補助ブロックＳ６に搬送され、その次に受け渡しアームＦ１→棚ユニットＵ８の保護膜塗布ユニット４０１→補助ブロックＳ６の受け渡しアームＦ１→棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１４→インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、露光処理を受ける。
【００７７】
露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢ→洗浄ユニット４０３→インターフェイスアームＢ→補助ブロックＳ６の棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１２→受け渡しアームＦ２→棚ユニットＵ８の保護膜除去ユニット４０２→受け渡しアームＦ２→処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５→ＤＥＶ層Ｂ１→棚ユニットＵ５のＴＲＳ１の経路で搬送される。
【００７８】
続いてウエハＷは既述したように検査ブロックＳ５の受け渡しアーム１１０によりバッファユニットＢＵを介してあるいは直接各欠陥検査ユニット１１２，１１３に搬送され、検査が終わると受け渡しアーム１１０によりバッファユニットＢＵに搬送される。そしてバッファユニットＢＵに収容されたウエハＷはトランスファーアームＣによりキャリア２０に戻される。なお検査ユニット１１２，１１３の中に膜厚検査ユニットが含まれる場合にはＣＯＴ層Ｂ３にてレジストが塗布された後のウエハＷについて膜厚検査が行われる。またバッファユニットＢＵはこの例ではキャリアブロックＳ１のトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しを行うための役割の他に、例えば所定枚数毎にウエハＷの検査を行う場合には検査を行わないウエハＷが待機して、ロット中のウエハＷの搬送順序を確保する役割なども持っている。
【００７９】
次に露光装置Ｓ４のメンテナンスを行うためにブロックＢ１〜Ｂ４の各層を通さず当該露光装置Ｓ４にウエハＷを搬送する場合の搬送経路について説明する。先ず制御部１００により露光チェックモードが選択される。モードの選択後、外部から例えばレジストが塗布されたテストウエハＷが収納されたキャリア２０がキャリアブロックＳ１に搬入される。そしてキャリア２０内のテストウエハＷは、トランスファーアームＣ→受け渡しステージＴＲＳ１１→シャトルアーム１２０→棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１Ｂ→シャトルアーム７→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ５Ｂ→シャトルアームＦ→棚ユニットＵ７の受け渡しステージＴＲＳ１３→インターフェイスアームＢ→露光装置Ｓ４の順で受け渡され、既述の実施形態と同様のメンテナンス作業が行われる。メンテナンス作業後のテストウエハＷはこの露光装置Ｓ４に搬入されるときの手順とは逆の手順でキャリア２０に戻される。
【００８０】
上述の実施の形態では、検査ブロックＳ５を備えた塗布、現像装置を構成し、この検査ブロックＳ５をキャリアブロックＳ１と処理ブロックＳ２との間に設置したので、レジストの塗布、露光、現像、検査を、共通のオペレータで監視することができるので、オペレータの省数化を図ることができる上、検査により何らかの欠陥が認められたときに、速やかに原因の特定や、原因の排除などの次のアクションを起こすことができる。
【００８１】
またこの実施の形態では、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に設けられた補助ブロックＳ６に、液浸露光を行なう場合に必要なユニットである保護膜塗布ユニット４０１や保護膜除去ユニット４０２を設けたので、この補助ブロックＳ６を組み込むことにより、処理ブロックＳ２のレイアウトを変更することなく、液浸露光を行なう場合と液浸露光を行わない場合とに対応することができる。この際液浸露光を行なわない場合には、補助ブロックＳ６内を素通りするようにウエハＷを搬送すればよい。
【００８２】
ところで検査ブロックＳ５の第２のシャトルアーム１２０と処理ブロックＳ２の第１のシャトルアーム７との間の受け渡しは、上述の例では共通の受け渡しステージＴＲＳ１１により行われているが、第１のシャトルアーム７により受け渡しが行われるステージと第２のシャトルアーム１２０により受け渡しが行われるステージとが互いに異なり、互いに異なったステージ間のウエハＷの搬送を受け渡しアームＤ１が行う場合でも、第１のシャトルアーム７及び第２のシャトルアーム１２０は直通搬送を行っていることになる。
【００８３】
なお既述の塗布、現像装置１０１における各ブロックに設けられた各受け渡しステージＴＲＳの数及び各ユニットの数は既述の例に限られない。また検査ブロックＳ５または補助ブロックＳ６のいずれかが既述の塗布、現像装置に設けられているような構成であってもよい。
【００８４】
既述の実施形態においてはＣＯＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ１〜Ｕ４にはウエハＷに対して疎水化処理を行うユニット（ＡＤＨ）が含まれているが、この疎水化ユニットをＣＯＴ層Ｂ３に設ける代わりに図１４〜図１５に示すように既述の検査ブロックＳ５に設けてもよい。具体的に説明するとこの図１４〜１５に示す塗布、現像装置１０２の検査ブロックＳ５は、前記塗布、現像装置１０１の検査ブロックＳ５と略同様に構成されているが、受け渡しステージＴＲＳ１１の上方には疎水化ユニット１１８が例えば３つ積層されて設けられている。またキャリアブロックＳ１側から見てこの検査ブロックＳ５の手前左側には例えば処理ブロックＳ２の受け渡しアームＤ１と同様に、昇降自在、進退自在かつ鉛直軸回りに回転自在に構成された受け渡しアーム１１９が設けられており、この受け渡しアーム１１９は受け渡しステージＴＲＳ１１及び各疎水化ユニット１１８にアクセスできるように構成されている。
【００８５】
このように構成された塗布、現像装置１０２において露光処理を受けるウエハＷは、キャリア２０→キャリアブロックＳ１→トランスファーアームＣ→受け渡しステージＴＲＳ１１→受け渡しアーム１１９→疎水化ユニット１１８→受け渡しアーム１１９→受け渡しステージＴＲＳ１１→シャトルアーム１２０→受け渡しステージＴＲＳ１Ｂの順でキャリアブロックＳ１から検査ブロックＳ５を通り処理ブロックＢ２へと搬送される。疎水化処理は、例えばレジストを塗布する前に行われ、その場合下側の反射防止膜を塗布しないプロセスに適用されるが、下側の反射防止膜を塗布する前に行うようにしてもよい。ウエハＷは疎水化処理のための搬送以外は、既述の塗布、現像装置１０１と同様の経路で搬送され露光処理を受ける。なお露光処理を受けたウエハＷが現像処理を受けてキャリア２０に戻される場合ウエハＷは、既述の塗布、現像装置１０１と同様の経路により搬送される。
また露光チェックモードが選択された場合テストウエハＷは、既述の塗布、現像装置１０１と同様の経路で搬送される。
【００８６】
このように疎水化ユニット１１８を検査ブロックＳ５に設ける場合、各単位ブロックＢ２〜Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４に疎水化ユニットを設ける場合に比べて各単位ブロックのメインアームＡ２〜Ａ４の負荷を減らすことができる。
【００８７】
以上において、検査ブロックＳ５及び補助ブロックＳ６のうちの少なくとも一方を備えた塗布、現像装置において、検査ブロックＳ５及び補助ブロックＳ６についてはシャトルアームを設けずに露光チェックのときにも通常処理の時に用いられる受け渡しアームにより搬送する構成を採用した場合にも、処理ブロックＳ２に設けたシャトルアーム７は、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間で基板の直通搬送を行うための直通搬送手段に相当するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置を塗布、現像装置に適用した実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図４】前記塗布、現像装置におけるＤＥＶ層の塗布ユニット、棚ユニット、メインアーム及び排気ユニットを示す斜視図である。
【図５】前記塗布、現像装置における塗布ユニットを示す平面図と縦断断面図である。
【図６】前記ＤＥＶ層の縦断側面図である。
【図７】前記ＤＥＶ層におけるシャトルアームの移動部の構成の一例を示す斜視図である。
【図８】前記塗布、現像装置におけるインターフェイスアームの一例を示す斜視図である。
【図９】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示した模式図である。
【図１０】本発明に係る他の塗布、現像装置の構成を示した平面図である。
【図１１】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図１２】前記塗布、現像装置に設けられた検査ブロックの構成を示す斜視図である。
【図１３】前記塗布、現像装置に設けられた補助ブロックの各部の配置を示す縦断平面図である。
【図１４】前記検査ブロックに疎水化ユニットを設けた塗布、現像装置の構成の一例を示す平面図である。
【図１５】前記塗布、現像装置の縦断平面図である。
【符号の説明】
【００８９】
Ｗ 半導体ウエハ
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
Ｂ インターフェイスアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ１ 受け渡しアーム
Ｍ１ 搬送ブロック
Ｒ１ 搬送用通路
Ｕ１〜Ｕ９ 棚ユニット
７，１２０，Ｆ シャトルアーム
１００ 制御部
１０１，１０２ 塗布、現像装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにて感光材料膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸び、感光材料からなる塗布膜を含む膜を形成するための塗布膜形成用のブロックと、この塗布膜形成用のブロックに対して積層された現像用のブロックと、を備え、
ｂ）前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ）前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックに対して積層され、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間で基板の直通搬送を行うための直通搬送手段が設けられ、
ｄ）塗布膜が形成された基板は、前記直通搬送手段を通じてキャリアブロック側からインターフェイスブロック側に搬送される
ことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記塗布膜形成用のブロックは、レジスト膜を形成するためのブロックと、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成するためのブロックと、前記レジスト膜の上側に反射防止膜を形成するためのブロックと、の積層体を含むことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
現像用のブロックが塗布膜形成用のブロックの下方側に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記直通搬送手段は、前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックとは区画された搬送ブロック内を移動するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記搬送ブロックは、現像用のブロックと塗布膜形成用のブロックとの間に設けられていることを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
前記搬送ブロックの内部に気体を導入することで搬送ブロック内部を陽圧にする気体導入部を備えたことを特徴とする請求項４または５に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
塗布膜形成用のブロックにおけるブロック用の搬送手段、現像用のブロックにおけるブロック用の搬送手段、及び直通搬送手段により基板の受け渡しができるように夫々配置され、互いに積層された複数の受け渡しステージと、これら受け渡しステージ間にて基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な昇降搬送手段と、を備えたことを特徴とする請求項1乃至６のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
基板の搬送を制御する制御部を備え、この制御部は、露光装置の状態を検査するための試験基板をキャリアブロックから直通搬送手段を介して露光装置に搬送する搬送モードを選択できるように構成されていることを特徴とする請求項1乃至７のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項９】
前記処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び／または露光処理後現像処理前の処理を行うユニットと、これらユニット、前記処理ブロック及びインターフェイスブロックの間で基板を搬送するための受け渡しアームと、を備えた補助ブロックを設け、
前記直通搬送手段は、前記処理ブロックを通過する第１の直通搬送手段と、前記補助ブロックを通過する第２の直通搬送手段と、を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項１０】
前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に、基板の検査を行うための検査ユニットと、検査ユニット及びキャリアブロック並びに処理ブロックの間で基板を搬送する受け渡しアームと、を備えた検査ブロックを設け、
前記直通搬送手段は、前記検査ブロックを通過する第３の直通搬送手段と、前記処理ブロックを通過する第１の直通搬送手段と、を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにて感光材料膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸び、感光材料からなる塗布膜を含む膜を形成するための塗布膜形成用のブロックと、この塗布膜形成用のブロックに対して積層された現像用のブロックと、を備え、
ｂ）前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ）前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックに対して積層され、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間で基板の直通搬送を行うための直通搬送手段が設けられ、
ｄ）塗布膜が形成された基板は、前記直通搬送手段を通じてキャリアブロック側からインターフェイスブロック側に搬送される
ことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記塗布膜形成用のブロックは、レジスト膜を形成するためのブロックと、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成するためのブロックと、前記レジスト膜の上側に反射防止膜を形成するためのブロックと、の積層体を含むことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
現像用のブロックが塗布膜形成用のブロックの下方側に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記直通搬送手段は、前記塗布膜形成用のブロック及び現像用のブロックとは区画された搬送ブロック内を移動するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記搬送ブロックは、現像用のブロックと塗布膜形成用のブロックとの間に設けられていることを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
前記搬送ブロックの内部に気体を導入することで搬送ブロック内部を陽圧にする気体導入部を備えたことを特徴とする請求項４または５に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
塗布膜形成用のブロックにおけるブロック用の搬送手段、現像用のブロックにおけるブロック用の搬送手段、及び直通搬送手段により基板の受け渡しができるように夫々配置され、互いに積層された複数の受け渡しステージと、これら受け渡しステージ間にて基板の受け渡しを行うことができるように昇降自在な昇降搬送手段と、を備えたことを特徴とする請求項1乃至６のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
基板の搬送を制御する制御部を備え、この制御部は、露光装置の状態を検査するための試験基板をキャリアブロックから直通搬送手段を介して露光装置に搬送する搬送モードを選択できるように構成されていることを特徴とする請求項1乃至７のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項９】
前記処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び／または露光処理後現像処理前の処理を行うユニットと、これらユニット、前記処理ブロック及びインターフェイスブロックの間で基板を搬送するための受け渡しアームと、を備えた補助ブロックを設け、
前記直通搬送手段は、前記処理ブロックを通過する第１の直通搬送手段と、前記補助ブロックを通過する第２の直通搬送手段と、を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項１０】
前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に、基板の検査を行うための検査ユニットと、検査ユニット及びキャリアブロック並びに処理ブロックの間で基板を搬送する受け渡しアームと、を備えた検査ブロックを設け、
前記直通搬送手段は、前記検査ブロックを通過する第３の直通搬送手段と、前記処理ブロックを通過する第１の直通搬送手段と、を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００６−２８７１７８（Ｐ２００６−２８７１７８Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２９７９８９（Ｐ２００５−２９７９８９）
【出願日】平成１７年１０月１２日（２００５．１０．１２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１０月１２日（２００５．１０．１２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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