導体パターン及びこれを含む電子部品
【課題】本発明は、導体パターン及びこれを含む電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、磁性基板上に楕円形のコイル状に形成される電子部品の導体パターンであって、直線部と、前記直線部の両側に連結された曲線部と、を含み、前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される導体パターン、及び前記導体パターンを含む電子部品を開示する。
本発明によると、高精度の微細線幅及び高解像度の導体パターンを具現することができ、導体パターンの連結性を向上させることで電子部品の特性及び信頼性を高めることができる。
【解決手段】本発明は、磁性基板上に楕円形のコイル状に形成される電子部品の導体パターンであって、直線部と、前記直線部の両側に連結された曲線部と、を含み、前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される導体パターン、及び前記導体パターンを含む電子部品を開示する。
本発明によると、高精度の微細線幅及び高解像度の導体パターンを具現することができ、導体パターンの連結性を向上させることで電子部品の特性及び信頼性を高めることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パターン及びこれを含む電子部品に関し、より詳細には、高精度の微細線幅及び高解像度の導体パターンを具現することができ、導体パターンの連結性を向上させることで電子部品の特性及び信頼性を高めることができる導体パターン及びこれを含む電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルＴＶ、スマートフォン、ノートパソコンなどのような電子製品は高周波帯域におけるデータを送受信するために広く使用されており、今後、このようなＩＴ電子製品は一つの機器だけでなく、相互間のＵＳＢ、その他の通信ポートを連結して、多機能、複合化され、活用頻度が高くなると予想される。
【０００３】
ここで、前記データ送受信を迅速に行うためには、ＭＨｚ帯域の周波数帯域からＧＨｚ帯域の高周波数帯域に移動して、より多い量の内部信号ラインを介してデータを送受信する。
【０００４】
このように大量のデータを送受信するためにメイン機器と周辺機器との間のＧＨｚ帯域の高周波数帯域の送受信の際、信号の遅延及びその他のノイズによってデータを円滑に処理することにおいて問題点が発生している。
【０００５】
このような問題を解決するために、ＩＴ電子製品と周辺機器の連結部の周りにＥＭＩ対策部品を備えているが、従来のＥＭＩ対策部品は巻線型、積層型であって、チップ部品のサイズが大きく、電気的特性が悪いため特定部分と大面積の回路基板などの限定された領域のみに使用することができ、そのため、電子製品のスリム化、小型化、複合化、多機能化の転換によるＥＭＩ対策部品が要求されている。
【０００６】
前記巻線型、積層型の従来のＥＭＩ対策部品の場合、内部導体パターンの形成及び小型化に対応するために、狭い面積に多様な機能を付加するために必要な内部回路の形成において限界があり、多様な問題点を誘発した。
【０００７】
より詳細に、従来の巻線型、積層型のＥＭＩ対策部品は、内部導体パターンの微細な線幅形成及び積層される上下部パターン間の連結のためにビア（ｖｉａ）を形成した後、通電を行って制限された面積に多数の内部パターン、即ち、コイル状のパターンを形成することにより、インピーダンス、直流抵抗及び高電流によるインダクタンス変化率が増大してＤＣ Ｖｉａｓ特性が低下し、層と層の間の厚さ不均一によるパターンの歪み、短絡による内部抵抗の増加、上下内部導体パターンの整列状態の不良によるインピーダンス及び結合係数の低下など多い問題点が発生した。
【０００８】
即ち、内部導体パターンは、フォトリソ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏ）工程を用いて形成するが、磁性小体基板と高分子樹脂絶縁層あるいは磁性小体基板上に直接内部導体パターンを形成する場合、蒸着、露光、現像、メッキ、エッチング工程を行う際に多様な問題点が発生した。
【０００９】
特に、エッチング工程を行う際、内部導体パターンの微細線幅を具現するために不要な金属パターンを除去する場合、隣接したパターン同士の間隔（ｓｐａｃｅ）が狭小であり、エッチング液の浸透と剥離が難しく、パターンの崩れ、部分的な過エッチングによる実際のパターンの除去などの問題点が発生した。また、アンダーカット（ｕｎｄｅｒ ｃｕｔ）による内部導体パターンと基板との間の密着力低下により、製品信頼性が低下する問題点があった。
【００１０】
即ち、図１の（ａ）に図示されたように、内部導体パターン１の外側部分の崩れる現象が発生し、これはＥＭＩ電子部品の主要特性である直流抵抗の増大及び上下内部導体パターン間の整列状態の不良による結合係数の低下をもたらした。
【００１１】
また、図１の（ｂ）に図示されたように、内部導体パターンを形成するためのエッチング工程の後に過エッチングによって基板とパターンの分離あるいは剥離現象が発生して基板と内部導体パターン２との密着力が低下し、これにより製品信頼性が低下する問題点が発生した。
【００１２】
また、図１の（ｃ）に図示されたように、内部導体パターン３の厚さが不均一であり、内部導体パターンとの密着力が低下し、多数の層を形成する際に段差発生によるパターンの歪みを誘発する問題点も発生した。
【００１３】
例えば、図２は従来ＥＭＩ電子部品のうち、コモンモードフィルタの内部導体パターンを示す図面であり、図２を参照すると、従来のコモンモードフィルタ１０の内部導体パターン１１は、通常、螺旋形コイル状からなっており、内部導体パターン１１の線幅Ｗが一定に形成されている。
【００１４】
前記内部導体パターン１１の製造方法は、先ず、磁性体基板１２を用意した後、前記磁性体基板１２に内部導体パターン１１を形成するために、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇなどのシード層を形成する。そして、前記シード層にフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）を塗布した後、フォトマスクを用いた露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去工程などを施し、内部導体パターンを形成することができる。この際、前記フォトレジストの代わりにドライフィルム（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ）をラミネーティングして工程を進めることもできる。
【００１５】
しかし、従来のコモンモードフィルタ１０の内部導体パターン１１は線幅Ｗが一定に形成されており、導体パターン同士の間隔が狭小であるため、前記露光、現像、エッチング工程を行う際に処理溶液が円滑に浸透または除去されず、内部導体パターンの具現性が低下する問題点があった。
【００１６】
特に、図３のように、内部導体パターン１１のうち屈曲が生じる部分、即ち楕円形コイルパターンの場合、直線部１１ａより曲線部１１ｂで処理溶液の浸透及び除去が円滑でなく、そのため、Ｃｕシード層１３が除去されず、導体パターン間の電気的な分離が行われずに連結、即ち短絡される問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２００２−０００７２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、前記問題点を解決するために導き出されたものであり、本発明は、高精度の微細線幅及び高解像度の導体パターンを具現することができ、導体パターンの連結性を向上させることで電子部品の特性及び信頼性を高めることができる導体パターン及びこれを含む電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的を果たすために、本発明は、磁性基板上に楕円形のコイル状に形成される電子部品の導体パターンであって、直線部と、前記直線部の両側に連結された曲線部と、を含み、前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される導体パターンを提供する。
ここで、前記直線部の線幅が１０μｍである場合、前記曲線部の線幅は８〜９μｍに形成されることができる。
【００２０】
また、互いに隣接する直線部同士の間隔（ｓｐａｃｅ）が１０μｍである場合、互いに隣接する曲線部同士の間隔は１０〜１２μｍに形成されることができる。
【００２１】
一方、前記導体パターンはコモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｆｉｌｔｅｒ）の内部コイルパターンをさらに含むことができる。
【００２２】
前記目的を果たすための他の形態として、本発明は、磁性基板と、前記磁性基板上に形成される第１導体パターンと、前記第１導体パターンの上部に備えられる第２導体パターンと、を含み、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンは、直線部及び前記直線部の両側に連結された曲線部を含む楕円形のコイル状に形成され、前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される電子部品を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
以上で説明したように、本発明による導体パターン及びこれを含む電子部品によると、高精度の微細線幅及び高解像度の導体パターンを具現することができ、導体パターンの連結性を向上させることで電子部品の特性及び信頼性を高めることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】従来の内部導体パターン形成時の問題点を説明するための図面であって、（ａ）は外側パターンの崩れを示す図面であり、（ｂ）はパターンと基板との間の分離を示す図面であり、（ｃ）はパターンの上部形状の変化を示す図面である。
【図２】従来のコモンモードフィルタを概略的に示す横断面図である。
【図３】従来のコモンモードフィルタの内部導体パターンを概略的に示す主要部の拡大図である。
【図４】本発明によるコモンモードフィルタを概略的に示す横断面図である。
【図５】本発明によるコモンモードフィルタの内部導体パターンを概略的に示す主要部の拡大図である。
【図６】本発明によるコモンモードフィルタの製造工程を概略的に示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の目的を具体的に具現するための本発明の好ましい実施形態が添付の図面を参照して説明される。本実施形態を説明する際、同一構成に対しては同一名称及び同一符号が使用され、これによる付加的な説明は下記で省略される。
【００２６】
以下、添付の図４〜図６を参照して本発明によるコモンモードフィルタの一実施形態をより詳細に説明すると次のとおりである。
【００２７】
図４は本発明によるコモンモードフィルタを概略的に示す横断面図であり、図５は本発明によるコモンモードフィルタの内部導体パターンを概略的に示す主要部の拡大図であり、図６は本発明によるコモンモードフィルタの製造工程を概略的に示すブロック図である。
【００２８】
図４を参照すると、本発明による電子部品の実施形態において、コモンモードフィルタ１００は、大きく、磁性基板１１０、及び前記磁性基板１１０上に形成される内部導体パターン１２０を含んで構成されることができる。
【００２９】
また、詳細に図示してはいないが、本実施形態のコモンモードフィルタ１００は、１次コイルとして前記磁性基板１１０に形成された内部導体パターン１２０と共に、前記内部導体パターン１２０の上部に絶縁層を介して前記内部導体パターン１２０に対応する形状に形成される２次コイルと、前記２次コイルの上部に前記磁性基板１１０に対応する形状に備えられる磁性体または磁性基板を含むことができる。
【００３０】
一方、前記内部導体パターン１２０は、前記磁性基板１１０上にコイル状に形成されるコモンモードフィルタ１００の導体パターンであって、楕円状に形成され、大きく、直線部１２１及び前記直線部１２１の両側に連結された曲線部１２２を含むことができる。
【００３１】
ここで、図５を参照すると、本実施形態によると、前記曲線部１２２の線幅Ｗ２を前記直線部１２１の線幅Ｗ１より狭く形成することができる。
【００３２】
従って、互いに隣接する曲線部１２２同士の間隔Ｓ２は互いに隣接する直線部１２１同士の間隔Ｓ１より広く形成されることができる。
【００３３】
例えば、前記直線部１２１の線幅Ｗ１が１０μｍである場合、前記曲線部１２２の線幅Ｗ２は８〜９μｍに形成されることができる。
【００３４】
また、互いに隣接する直線部１２１同士の間隔Ｓ１が１０μｍである場合、互いに隣接する曲線部１２２同士の間隔Ｓ２は１０〜１２μｍに形成されることができる。
【００３５】
従って、本実施形態による内部導体パターン１２０を含むコモンモードフィルタ１００は、前記磁性基板１１０上に前記内部導体パターン１２０をフォトリソ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏ）工程を用いて形成する場合、前記内部導体パターン１２０のうち直線部１２１の線幅Ｗ１と曲線部１２２の線幅Ｗ２を相違するように形成し、前記直線部１２１同士の間隔Ｓ１及び前記曲線部１２２同士の間隔Ｓ２を相違するように形成することにより、露光、現像及びエッチング工程時に処理溶液が円滑に浸透または除去されるようにして、内部導体パターンの具現性を高めることができる。
【００３６】
即ち、本実施形態の内部導体パターン１２０は、前記曲線部１２２の線幅Ｗ２を前記直線部１２１の線幅Ｗ１より狭く形成し、前記曲線部１２２同士の間隔Ｓ２を前記直線部１２１同士の間隔Ｓ１より広く形成することで、特に、前記曲線部１２２を形成するためのフォトリソ工程時に処理溶液が円滑に浸透または除去されるようにして、高精度の微細パターン及び高解像度の導体パターンを具現することが可能であり、これによって内部導体パターンの連結性及び精密性を向上させ、コモンモードフィルタ１００の特性及び製品信頼性を向上することができる。
【００３７】
前記のように構成された本発明によるコモンモードフィルタの製造方法の一実施形態を説明すると次のとおりである。
【００３８】
図６を参照すると、本実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、先ず磁性基板を用意した後、前記磁性基板の埃及び処理溶液など汚染物質を除去する前処理工程を行うことができる。
【００３９】
また、前記磁性基板の上部にメッキを施すためのＴｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇなどのシード層を形成することができる。この際、前記磁性基板に絶縁層を形成することもでき、前記絶縁層は誘電率が低いセラミックやパリレン、ポリイミド、液状結晶ポリマー（ＬＣＰ）、テフロンのような低誘電率のポリマー材料を少なくとも一つ以上混合して形成することができる。
【００４０】
一方、前記シード層の形成方法は、スパッタリングまたはｅ−ｂｅａｍなどを用いた方法があるが、好ましくは、高圧のアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、Ｎ２（二酸化窒素）などの雰囲気下でコールドスプレー（Ｃｏｌｄ Ｓｐａｙ）方法により形成することで、磁性基板の表面粒子と前記シード層の金属粒子が空隙なしに均一に形成されるようにすることができる。
【００４１】
その後、前記シード層にフォトレジストまたはドライフィルムをコーティングあるいは圧着した後、前記直線部と曲線部の線幅及び間隔が相違する内部導体パターンに対応する形状のフォトマスクを用いて、前記シード層に露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去工程などを行うことにより、本実施形態による直線部と曲線部の線幅及び間隔が相違する内部導体パターンを形成することができる。
【００４２】
前記露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去工程などを行う場合、従来、処理溶液が内部導体パターンの間に浸透したり除去することが容易でなかったが、本実施形態によると、直線部と曲線部の線幅を相違するように、即ち、曲線部の線幅を直線部の線幅より狭くし、曲線部同士の間隔を直線部同士の間隔より広くすることで、特に、パターンの屈曲部、即ち、曲線部の内部導体パターンを形成する際、処理溶液の浸透及び除去を円滑に行い、高精度の微細パターン及び高解像度の導体パターンを具現することができる。
【００４３】
これにより、前記のように高精度及び高解像度の内部導体パターンを含むコモンモードフィルタは、高周波帯域におけるインピーダンス及び結合係数の増加と共に、低い直流抵抗などフィルタの特性を向上することができ、また製品信頼性を向上することができる。
【００４４】
以上で説明した本発明の好ましい実施形態は例示の目的のために開示されたものであり、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものにおいて、本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であり、このような置換、変形及び変更などは添付の特許請求の範囲に属するとするべきであろう。
【符号の説明】
【００４５】
１００ コモンモードフィルタ
１１０ 磁性基板
１２０ 内部導体パターン
１２１ 直線部
１２２ 曲線部
Ｗ１ 直線部の線幅
Ｗ２ 曲線部の線幅
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パターン及びこれを含む電子部品に関し、より詳細には、高精度の微細線幅及び高解像度の導体パターンを具現することができ、導体パターンの連結性を向上させることで電子部品の特性及び信頼性を高めることができる導体パターン及びこれを含む電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルＴＶ、スマートフォン、ノートパソコンなどのような電子製品は高周波帯域におけるデータを送受信するために広く使用されており、今後、このようなＩＴ電子製品は一つの機器だけでなく、相互間のＵＳＢ、その他の通信ポートを連結して、多機能、複合化され、活用頻度が高くなると予想される。
【０００３】
ここで、前記データ送受信を迅速に行うためには、ＭＨｚ帯域の周波数帯域からＧＨｚ帯域の高周波数帯域に移動して、より多い量の内部信号ラインを介してデータを送受信する。
【０００４】
このように大量のデータを送受信するためにメイン機器と周辺機器との間のＧＨｚ帯域の高周波数帯域の送受信の際、信号の遅延及びその他のノイズによってデータを円滑に処理することにおいて問題点が発生している。
【０００５】
このような問題を解決するために、ＩＴ電子製品と周辺機器の連結部の周りにＥＭＩ対策部品を備えているが、従来のＥＭＩ対策部品は巻線型、積層型であって、チップ部品のサイズが大きく、電気的特性が悪いため特定部分と大面積の回路基板などの限定された領域のみに使用することができ、そのため、電子製品のスリム化、小型化、複合化、多機能化の転換によるＥＭＩ対策部品が要求されている。
【０００６】
前記巻線型、積層型の従来のＥＭＩ対策部品の場合、内部導体パターンの形成及び小型化に対応するために、狭い面積に多様な機能を付加するために必要な内部回路の形成において限界があり、多様な問題点を誘発した。
【０００７】
より詳細に、従来の巻線型、積層型のＥＭＩ対策部品は、内部導体パターンの微細な線幅形成及び積層される上下部パターン間の連結のためにビア（ｖｉａ）を形成した後、通電を行って制限された面積に多数の内部パターン、即ち、コイル状のパターンを形成することにより、インピーダンス、直流抵抗及び高電流によるインダクタンス変化率が増大してＤＣ Ｖｉａｓ特性が低下し、層と層の間の厚さ不均一によるパターンの歪み、短絡による内部抵抗の増加、上下内部導体パターンの整列状態の不良によるインピーダンス及び結合係数の低下など多い問題点が発生した。
【０００８】
即ち、内部導体パターンは、フォトリソ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏ）工程を用いて形成するが、磁性小体基板と高分子樹脂絶縁層あるいは磁性小体基板上に直接内部導体パターンを形成する場合、蒸着、露光、現像、メッキ、エッチング工程を行う際に多様な問題点が発生した。
【０００９】
特に、エッチング工程を行う際、内部導体パターンの微細線幅を具現するために不要な金属パターンを除去する場合、隣接したパターン同士の間隔（ｓｐａｃｅ）が狭小であり、エッチング液の浸透と剥離が難しく、パターンの崩れ、部分的な過エッチングによる実際のパターンの除去などの問題点が発生した。また、アンダーカット（ｕｎｄｅｒ ｃｕｔ）による内部導体パターンと基板との間の密着力低下により、製品信頼性が低下する問題点があった。
【００１０】
即ち、図１の（ａ）に図示されたように、内部導体パターン１の外側部分の崩れる現象が発生し、これはＥＭＩ電子部品の主要特性である直流抵抗の増大及び上下内部導体パターン間の整列状態の不良による結合係数の低下をもたらした。
【００１１】
また、図１の（ｂ）に図示されたように、内部導体パターンを形成するためのエッチング工程の後に過エッチングによって基板とパターンの分離あるいは剥離現象が発生して基板と内部導体パターン２との密着力が低下し、これにより製品信頼性が低下する問題点が発生した。
【００１２】
また、図１の（ｃ）に図示されたように、内部導体パターン３の厚さが不均一であり、内部導体パターンとの密着力が低下し、多数の層を形成する際に段差発生によるパターンの歪みを誘発する問題点も発生した。
【００１３】
例えば、図２は従来ＥＭＩ電子部品のうち、コモンモードフィルタの内部導体パターンを示す図面であり、図２を参照すると、従来のコモンモードフィルタ１０の内部導体パターン１１は、通常、螺旋形コイル状からなっており、内部導体パターン１１の線幅Ｗが一定に形成されている。
【００１４】
前記内部導体パターン１１の製造方法は、先ず、磁性体基板１２を用意した後、前記磁性体基板１２に内部導体パターン１１を形成するために、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇなどのシード層を形成する。そして、前記シード層にフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）を塗布した後、フォトマスクを用いた露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去工程などを施し、内部導体パターンを形成することができる。この際、前記フォトレジストの代わりにドライフィルム（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ）をラミネーティングして工程を進めることもできる。
【００１５】
しかし、従来のコモンモードフィルタ１０の内部導体パターン１１は線幅Ｗが一定に形成されており、導体パターン同士の間隔が狭小であるため、前記露光、現像、エッチング工程を行う際に処理溶液が円滑に浸透または除去されず、内部導体パターンの具現性が低下する問題点があった。
【００１６】
特に、図３のように、内部導体パターン１１のうち屈曲が生じる部分、即ち楕円形コイルパターンの場合、直線部１１ａより曲線部１１ｂで処理溶液の浸透及び除去が円滑でなく、そのため、Ｃｕシード層１３が除去されず、導体パターン間の電気的な分離が行われずに連結、即ち短絡される問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２００２−０００７２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、前記問題点を解決するために導き出されたものであり、本発明は、高精度の微細線幅及び高解像度の導体パターンを具現することができ、導体パターンの連結性を向上させることで電子部品の特性及び信頼性を高めることができる導体パターン及びこれを含む電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的を果たすために、本発明は、磁性基板上に楕円形のコイル状に形成される電子部品の導体パターンであって、直線部と、前記直線部の両側に連結された曲線部と、を含み、前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される導体パターンを提供する。
ここで、前記直線部の線幅が１０μｍである場合、前記曲線部の線幅は８〜９μｍに形成されることができる。
【００２０】
また、互いに隣接する直線部同士の間隔（ｓｐａｃｅ）が１０μｍである場合、互いに隣接する曲線部同士の間隔は１０〜１２μｍに形成されることができる。
【００２１】
一方、前記導体パターンはコモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｆｉｌｔｅｒ）の内部コイルパターンをさらに含むことができる。
【００２２】
前記目的を果たすための他の形態として、本発明は、磁性基板と、前記磁性基板上に形成される第１導体パターンと、前記第１導体パターンの上部に備えられる第２導体パターンと、を含み、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンは、直線部及び前記直線部の両側に連結された曲線部を含む楕円形のコイル状に形成され、前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される電子部品を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
以上で説明したように、本発明による導体パターン及びこれを含む電子部品によると、高精度の微細線幅及び高解像度の導体パターンを具現することができ、導体パターンの連結性を向上させることで電子部品の特性及び信頼性を高めることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】従来の内部導体パターン形成時の問題点を説明するための図面であって、（ａ）は外側パターンの崩れを示す図面であり、（ｂ）はパターンと基板との間の分離を示す図面であり、（ｃ）はパターンの上部形状の変化を示す図面である。
【図２】従来のコモンモードフィルタを概略的に示す横断面図である。
【図３】従来のコモンモードフィルタの内部導体パターンを概略的に示す主要部の拡大図である。
【図４】本発明によるコモンモードフィルタを概略的に示す横断面図である。
【図５】本発明によるコモンモードフィルタの内部導体パターンを概略的に示す主要部の拡大図である。
【図６】本発明によるコモンモードフィルタの製造工程を概略的に示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の目的を具体的に具現するための本発明の好ましい実施形態が添付の図面を参照して説明される。本実施形態を説明する際、同一構成に対しては同一名称及び同一符号が使用され、これによる付加的な説明は下記で省略される。
【００２６】
以下、添付の図４〜図６を参照して本発明によるコモンモードフィルタの一実施形態をより詳細に説明すると次のとおりである。
【００２７】
図４は本発明によるコモンモードフィルタを概略的に示す横断面図であり、図５は本発明によるコモンモードフィルタの内部導体パターンを概略的に示す主要部の拡大図であり、図６は本発明によるコモンモードフィルタの製造工程を概略的に示すブロック図である。
【００２８】
図４を参照すると、本発明による電子部品の実施形態において、コモンモードフィルタ１００は、大きく、磁性基板１１０、及び前記磁性基板１１０上に形成される内部導体パターン１２０を含んで構成されることができる。
【００２９】
また、詳細に図示してはいないが、本実施形態のコモンモードフィルタ１００は、１次コイルとして前記磁性基板１１０に形成された内部導体パターン１２０と共に、前記内部導体パターン１２０の上部に絶縁層を介して前記内部導体パターン１２０に対応する形状に形成される２次コイルと、前記２次コイルの上部に前記磁性基板１１０に対応する形状に備えられる磁性体または磁性基板を含むことができる。
【００３０】
一方、前記内部導体パターン１２０は、前記磁性基板１１０上にコイル状に形成されるコモンモードフィルタ１００の導体パターンであって、楕円状に形成され、大きく、直線部１２１及び前記直線部１２１の両側に連結された曲線部１２２を含むことができる。
【００３１】
ここで、図５を参照すると、本実施形態によると、前記曲線部１２２の線幅Ｗ２を前記直線部１２１の線幅Ｗ１より狭く形成することができる。
【００３２】
従って、互いに隣接する曲線部１２２同士の間隔Ｓ２は互いに隣接する直線部１２１同士の間隔Ｓ１より広く形成されることができる。
【００３３】
例えば、前記直線部１２１の線幅Ｗ１が１０μｍである場合、前記曲線部１２２の線幅Ｗ２は８〜９μｍに形成されることができる。
【００３４】
また、互いに隣接する直線部１２１同士の間隔Ｓ１が１０μｍである場合、互いに隣接する曲線部１２２同士の間隔Ｓ２は１０〜１２μｍに形成されることができる。
【００３５】
従って、本実施形態による内部導体パターン１２０を含むコモンモードフィルタ１００は、前記磁性基板１１０上に前記内部導体パターン１２０をフォトリソ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏ）工程を用いて形成する場合、前記内部導体パターン１２０のうち直線部１２１の線幅Ｗ１と曲線部１２２の線幅Ｗ２を相違するように形成し、前記直線部１２１同士の間隔Ｓ１及び前記曲線部１２２同士の間隔Ｓ２を相違するように形成することにより、露光、現像及びエッチング工程時に処理溶液が円滑に浸透または除去されるようにして、内部導体パターンの具現性を高めることができる。
【００３６】
即ち、本実施形態の内部導体パターン１２０は、前記曲線部１２２の線幅Ｗ２を前記直線部１２１の線幅Ｗ１より狭く形成し、前記曲線部１２２同士の間隔Ｓ２を前記直線部１２１同士の間隔Ｓ１より広く形成することで、特に、前記曲線部１２２を形成するためのフォトリソ工程時に処理溶液が円滑に浸透または除去されるようにして、高精度の微細パターン及び高解像度の導体パターンを具現することが可能であり、これによって内部導体パターンの連結性及び精密性を向上させ、コモンモードフィルタ１００の特性及び製品信頼性を向上することができる。
【００３７】
前記のように構成された本発明によるコモンモードフィルタの製造方法の一実施形態を説明すると次のとおりである。
【００３８】
図６を参照すると、本実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、先ず磁性基板を用意した後、前記磁性基板の埃及び処理溶液など汚染物質を除去する前処理工程を行うことができる。
【００３９】
また、前記磁性基板の上部にメッキを施すためのＴｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇなどのシード層を形成することができる。この際、前記磁性基板に絶縁層を形成することもでき、前記絶縁層は誘電率が低いセラミックやパリレン、ポリイミド、液状結晶ポリマー（ＬＣＰ）、テフロンのような低誘電率のポリマー材料を少なくとも一つ以上混合して形成することができる。
【００４０】
一方、前記シード層の形成方法は、スパッタリングまたはｅ−ｂｅａｍなどを用いた方法があるが、好ましくは、高圧のアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、Ｎ２（二酸化窒素）などの雰囲気下でコールドスプレー（Ｃｏｌｄ Ｓｐａｙ）方法により形成することで、磁性基板の表面粒子と前記シード層の金属粒子が空隙なしに均一に形成されるようにすることができる。
【００４１】
その後、前記シード層にフォトレジストまたはドライフィルムをコーティングあるいは圧着した後、前記直線部と曲線部の線幅及び間隔が相違する内部導体パターンに対応する形状のフォトマスクを用いて、前記シード層に露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去工程などを行うことにより、本実施形態による直線部と曲線部の線幅及び間隔が相違する内部導体パターンを形成することができる。
【００４２】
前記露光、現像、エッチング、フォトレジスト除去工程などを行う場合、従来、処理溶液が内部導体パターンの間に浸透したり除去することが容易でなかったが、本実施形態によると、直線部と曲線部の線幅を相違するように、即ち、曲線部の線幅を直線部の線幅より狭くし、曲線部同士の間隔を直線部同士の間隔より広くすることで、特に、パターンの屈曲部、即ち、曲線部の内部導体パターンを形成する際、処理溶液の浸透及び除去を円滑に行い、高精度の微細パターン及び高解像度の導体パターンを具現することができる。
【００４３】
これにより、前記のように高精度及び高解像度の内部導体パターンを含むコモンモードフィルタは、高周波帯域におけるインピーダンス及び結合係数の増加と共に、低い直流抵抗などフィルタの特性を向上することができ、また製品信頼性を向上することができる。
【００４４】
以上で説明した本発明の好ましい実施形態は例示の目的のために開示されたものであり、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものにおいて、本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であり、このような置換、変形及び変更などは添付の特許請求の範囲に属するとするべきであろう。
【符号の説明】
【００４５】
１００ コモンモードフィルタ
１１０ 磁性基板
１２０ 内部導体パターン
１２１ 直線部
１２２ 曲線部
Ｗ１ 直線部の線幅
Ｗ２ 曲線部の線幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性基板上に楕円形のコイル状に形成される電子部品の導体パターンであって、
直線部と、
前記直線部の両側に連結された曲線部と、を含み、
前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される導体パターン。
【請求項２】
前記直線部の線幅が１０μｍである場合、前記曲線部の線幅は８〜９μｍに形成される請求項１に記載の導体パターン。
【請求項３】
互いに隣接する直線部同士の間隔（ｓｐａｃｅ）が１０μｍである場合、互いに隣接する曲線部同士の間隔は１０〜１２μｍに形成される請求項１または２に記載の導体パターン。
【請求項４】
前記導体パターンはコモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｆｉｌｔｅｒ）の内部コイルパターンをさらに含む請求項１に記載の導体パターン。
【請求項５】
磁性基板と、
前記磁性基板上に形成される第１導体パターンと、
前記第１導体パターンの上部に備えられる第２導体パターンと、を含み、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンは、直線部及び前記直線部の両側に連結された曲線部を含む楕円形のコイル状に形成され、
前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される電子部品。
【請求項１】
磁性基板上に楕円形のコイル状に形成される電子部品の導体パターンであって、
直線部と、
前記直線部の両側に連結された曲線部と、を含み、
前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される導体パターン。
【請求項２】
前記直線部の線幅が１０μｍである場合、前記曲線部の線幅は８〜９μｍに形成される請求項１に記載の導体パターン。
【請求項３】
互いに隣接する直線部同士の間隔（ｓｐａｃｅ）が１０μｍである場合、互いに隣接する曲線部同士の間隔は１０〜１２μｍに形成される請求項１または２に記載の導体パターン。
【請求項４】
前記導体パターンはコモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｆｉｌｔｅｒ）の内部コイルパターンをさらに含む請求項１に記載の導体パターン。
【請求項５】
磁性基板と、
前記磁性基板上に形成される第１導体パターンと、
前記第１導体パターンの上部に備えられる第２導体パターンと、を含み、
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンは、直線部及び前記直線部の両側に連結された曲線部を含む楕円形のコイル状に形成され、
前記曲線部の線幅は前記直線部の線幅より狭く形成される電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−４８２４３（Ｐ２０１３−４８２４３Ａ）
【公開日】平成２５年３月７日（２０１３．３．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１８７２７９（Ｐ２０１２−１８７２７９）
【出願日】平成２４年８月２８日（２０１２．８．２８）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月７日（２０１３．３．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月２８日（２０１２．８．２８）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．テフロン
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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