帯電性に基づくガラス板の評価方法、それを用いたガラス板の製造方法、その評価に用いる装置
【課題】ガラス板についての帯電性の評価精度を向上させる。
【解決手段】ガラス板を載置台に対して載置するステップと離間するステップとを含む剥離サイクルを、少なくとも、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返して実施し、ｉ）剥離サイクルを、ガラス板の表面電位が飽和帯電電位に達するまで、さらに繰り返して実施し、当該飽和帯電電位の絶対値が基準値Ａよりも小さい場合、またはｉｉ）表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値が基準値Ｂよりも小さい場合、ガラス板の帯電性が低いと評価する。
【解決手段】ガラス板を載置台に対して載置するステップと離間するステップとを含む剥離サイクルを、少なくとも、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返して実施し、ｉ）剥離サイクルを、ガラス板の表面電位が飽和帯電電位に達するまで、さらに繰り返して実施し、当該飽和帯電電位の絶対値が基準値Ａよりも小さい場合、またはｉｉ）表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値が基準値Ｂよりも小さい場合、ガラス板の帯電性が低いと評価する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯電性に基づくガラス板の評価方法、それを用いたガラス板の製造方法、その評価に用いる装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイといったフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の基板として、ガラス板が使用されている。ＦＰＤの製造工程には、搬送装置や加工装置のテーブルにガラス板を載置したりテーブルから持ち上げたりする工程があり、これによるテーブルとガラス板との接触、剥離に伴って、絶縁体であるガラス板には静電気が蓄積されていく。ガラス板の帯電量が過大になると、基板に形成される電子回路等に障害（静電破壊）が発生しやすくなる。このため、テーブルとの接触、剥離によって静電気が蓄積されにくい、帯電性の低いガラス板が求められている。帯電性が低いガラス板を開発するために、あるいは製造したガラス板が帯電性についての所定の規格に合格しているかを確認するために、ガラス板の帯電性を正確に評価する必要がある。
【０００３】
特開２００５−２５５４７８号公報には、テーブルとの接触および剥離に起因する帯電が生じにくいガラス板に関する発明が開示されており、その段落［００２７］〜［００３７］において、テーブルとガラス板との接触、剥離を５回繰り返し、剥離後の最大帯電量を５回分積算し、その結果に基づきガラス板の帯電性を評価したと記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２５５４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、特開２００５−２５５４７８号公報に記載されているような従来型の評価方法では、ガラス板の帯電性を適切に評価できない場合があることに気付いた。こうした不具合は、テーブルとの接触および剥離の操作を実施する以前からガラス板に存在し得る表面電位（初期電位）に起因する可能性がある。ガラス板を除電処理するための器具としてイオナイザ等が知られているが、こうした器具による除電処理を念入りに施しても、ガラス板の初期電位を完全に除去することは容易ではない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、載置台にガラス板を載置する載置ステップと、前記ガラス板を前記載置台から離間させる離間ステップと、を含む剥離サイクルを繰り返して実施し、前記剥離サイクルを繰り返しながら測定される前記ガラス板の表面電位に基づき、ガラス板を評価する、ガラス板の評価方法であって、前記剥離サイクルを、少なくとも、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返して実施し、ｉ）前記剥離サイクルを、前記ガラス板の前記表面電位が飽和帯電電位に達するまで、さらに繰り返して実施し、当該飽和帯電電位の絶対値が基準値Ａよりも小さいガラス板を、帯電性の低いガラス板として評価する、またはｉｉ）前記表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる前記表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される前記剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値が、基準値Ｂよりも小さいガラス板を、帯電性の低いガラス板として評価する、ガラス板の評価方法を提供する。
【０００７】
本明細書において、「表面電位の絶対値の増加が持続する」状態とは、ガラス板の表面電位の絶対値が、所定回数の剥離サイクルにわたって連続して増加する状態、より具体的には、第ｎ−１回目の剥離サイクルにおける表面電位の絶対値よりも第ｎ回目の剥離サイクルにおける表面電位の絶対値が大きくなる関係（ただし、ｎは整数）が、少なくとも５０回、好ましくは１００回以上の剥離サイクルにわたって持続する状態を意味する。また、本明細書において、ガラス板の飽和帯電電位とは、剥離サイクルの回数を増加しても、ガラス板の表面電位が実質的に一定になるときの当該表面電位を意味し、より具体的には、少なくとも５０回の剥離サイクルにおける表面電位の平均値に対する、当該少なくとも５０回の剥離サイクルにおける表面電位の揺らぎが−５０Ｖ以上５０Ｖ以下の範囲にあるときの当該平均値を意味する。
【０００８】
また、本発明は、別の側面から、溶融したガラス原料から複数のガラス板を成形する工程と、上記の評価方法を用いることによって前記複数のガラス板の帯電性を評価する工程とを備えた、帯電性の低いガラス板の製造方法を提供する。
【０００９】
また、本発明は、さらに別の側面から、ガラス板の帯電性を評価するための評価装置であって、ガラス板を載置するための載置台と、前記載置台に対し前記ガラス板を載置および離間させる昇降部と、前記ガラス板の表面電位を測定する測定部と、前記昇降部による前記ガラス板の載置および離間ならびに前記測定部による前記表面電位の測定を制御する制御部と、を備え、前記制御部が、前記測定部に前記表面電位を測定させながら、少なくとも、前記載置台に対して前記ガラス板を載置および離間する操作を含む剥離サイクルが、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返されるように、前記昇降部を制御し、ガラス板の帯電性を評価するための基準データとの比較に使用すべきデータを、前記表面電位に基づき算出する演算部、をさらに備え、ｉ）前記制御部が、前記測定部に前記表面電位を測定させながら、前記表面電位が飽和帯電電位に達するまで前記剥離サイクルがさらに繰り返されるように、前記昇降部を制御し、前記演算部が、前記データとして、前記飽和帯電電位の絶対値を算出する、またはｉｉ）前記演算部が、前記データとして、前記表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる前記表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される前記剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値を算出する、評価装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、載置台に対してガラス板を載置するステップと離間するステップとを含む剥離サイクルを、少なくとも、剥離サイクルの回数の増加に伴うガラス板の表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返して実施することとした。剥離サイクルを上記程度にまで繰り返すことで、帯電性の評価に適用可能であり初期電位に依存しない物理量を測定できるため、ガラス板の帯電性を従来よりも正確に評価できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によるガラス板の評価装置の構成を説明するための概念図である。
【図２】図１の装置における載置台付近の構造を示す断面図である。
【図３】図１の装置におけるガラス板の昇降動作を説明するための図である。
【図４】サンプルＡにおける剥離サイクル数と表面電位との関係を示すグラフである。
【図５】サンプルＢにおける剥離サイクル数と表面電位との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本発明による評価装置の構成を説明するための概念図であり、図２はこの評価装置１００における載置台１０付近の構造を示す断面図であり、図３は評価装置１００におけるガラス板２００の昇降動作を説明するための図である。評価装置１００は、図１に示すように、ガラス板２００を載せるための載置台１０、昇降部１１、測定部１２、制御部１３、演算部１４および表示部１５を備えている。
【００１３】
昇降部１１は、図２に示すように、上下動可能な昇降軸１６と、昇降軸１６の上端に取り付けられた昇降プレート１７と、ガラス板２００に向けて（図２において上方向に）突出するように昇降プレート１７の上面に配置された複数本のリフターピン１８とを有している。ガラス板２００は、載置台１０に載置された状態から、昇降部１１によって、載置台１０から上方へと持ち上げられ、その後、下降して載置台１０に再び載置される。昇降軸１６の上下動は、制御部１３によって制御される。載置台１０の盤部分１９には貫通孔２０が形成されており、昇降プレート１７が載置台１０の盤部分１９に接近するように昇降軸１６を移動させると、リフターピン１８の上端が貫通孔２０内を移動して盤部分１９から突出する。
【００１４】
ガラス板２００を載置台１０から離間する離間ステップが実施されると、盤部分１９からのガラス板２００の剥離に付随して、ガラス板２００に静電気が発生する。ガラス板２００を載置台１０に載置する載置ステップと、離間ステップと、からなる剥離サイクルを繰り返し実施することによって、ガラス板２００に静電気が蓄積される。
【００１５】
載置台１０の盤部分１９はアルミニウムに代表される金属によって形成されており、盤部分１９のガラス板２００に接触する表面には、アルマイト加工に代表される絶縁加工が施されている。リフターピン１８は、アルミニウムに代表される金属によって形成されており、ガラス板２００に接触すべき上端部分が、樹脂に代表される絶縁材料によって覆われている。載置台１０の盤部分１９には吸引孔（図示せず）が形成されており、盤部分１９は、当該吸引孔を介して載置台１０にガラス板２００を吸引固定するための吸引プレートとしても機能する。
【００１６】
測定部１２は、図１に示すように、ガラス板２００の表面電位を測定するための測定プローブ１２’を有している。測定プローブ１２’は、図２に示すように、ガラス板２００の表面２１から所定距離（距離ｄ）だけ離れた位置に配置されている。測定部１２は、昇降部１１の昇降プレート１７にアーム３０を介して固定されている。これにより、図３に示すように、昇降プレート１７の昇降に付随して測定プローブ１２’が載置台１０の盤部分１９に対して昇降するため、剥離サイクルが実施される間も、ガラス板２００の表面２１と測定プローブ１２’との間の距離ｄが一定に保たれる。測定プローブ１２’を介して測定されるガラス板２００の表面電位の測定値は距離ｄに依存して変動し得るが、本発明の評価装置１００では、上記のとおり距離ｄが一定に保たれるため、こうした変動に起因する測定不良の発生を回避できる。
【００１７】
制御部１３は、ガラス板２００の表面電位を測定部１２に測定させながら、ガラス板２００の剥離サイクルが、少なくとも、剥離サイクルの回数の増加に伴う表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返されるように、昇降部１１の動作を制御する。制御部１３は、載置台１０からガラス板２００が離間された後に、より具体的には、ガラス板２００が載置台１０から離間された後であって次の剥離サイクルによって載置台１０に載置されるまでに、ガラス板２００の表面電位が測定されるように測定部１２の動作を制御する。測定部１２による表面電位の測定（測定ステップ）は、剥離サイクル毎に少なくとも１回実施されるように制御することが好ましいが、所定の回数の剥離サイクル毎に実施されるように制御してもよい。制御部１３は、ガラス板２００の表面電位が飽和帯電電位に達するまで剥離サイクルが繰り返されるように、昇降部１１の動作を制御することもできる。
【００１８】
測定部１２によって測定されたガラス板２００の表面電位は、制御部１３を介して演算部１４に入力される。演算部１４は、剥離サイクルを繰り返し実施した後のガラス板の表面電位に基づき、ガラス板の帯電性を評価するための基準データとの比較に使用すべき、ｉ）ガラス板２００の飽和帯電電位の絶対値、およびｉｉ）表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値（表面電位の絶対値の変化率）、の少なくとも一方を算出する。飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率は、初期電位に依存しない物理量である。なお、表面電位の絶対値の変化率は、５０回以上離れて実施された２つの剥離サイクルにおける表面電位の絶対値に基づき、算出されることになる。この程度にまで離れた２つの剥離サイクルにおける表面電位の絶対値を基準にすることで、表面電位の測定値に混入し得るノイズの影響をほとんど無視できる。
【００１９】
演算部１４によって算出された飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率は、制御部１３を介して表示部１５に入力される。評価装置１００の使用者は、表示部１５に表示された飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を、対応する基準データの値と比較することによって、ガラス板２００の帯電性を評価できる。より具体的には、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率が、対応する基準データの値よりも小さいときに帯電性が低いと評価する。飽和帯電電位の絶対値に対応する基準データである基準値Ａは、ガラス板の用途に応じて設定すればよく、例えば、ＦＰＤの基板としてガラス板を適用する場合、２５００Ｖに設定することができる。表面電位の絶対値の変化率に対応する基準データである基準値Ｂは、ガラス板の用途および剥離サイクルの実施条件に応じて設定すればよく、例えば、ＦＰＤの基板としてガラス板を適用し、後述する実施例に示すように評価装置１００を使用して剥離サイクルを実施する場合、８Ｖに設定することができる。
【００２０】
本発明による評価装置は、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を、対応する基準データと比較することによって、ガラス板２００の帯電性を評価する評価部をさらに備え、演算部１４から制御部１３を介して飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率が評価部に入力され、帯電性の評価についての信号が制御部１３を介して表示部１５に入力され、評価結果が表示部１５の画面に表示される態様とすることもできる。評価装置が評価部を備える場合、帯電性の評価に使用する基準データとして、基準値Ａおよび基準値Ｂの少なくとも一方を使用者が選択できる状態にあることが望ましい。
【００２１】
本発明によるガラス板の評価方法につき、評価装置１００を用いて実施する場合を例にして説明する。まず、評価対象のガラス板を載置台１０に載置し、吸引孔を介して盤部分１９に吸引固定する。ガラス板２００は、載置台１０に載置した直後に公知のイオナイザを用いて除電処理することが好ましい。なお、除電処理を実施する場合、最初にガラス板２００を載置台１０に載置したときにのみ実施する。
【００２２】
次に、吸引固定を停止した状態で、昇降部１１を駆動させ、リフターピン１８の上端で支持させながらガラス板２００を載置台１０から上方へと持ち上げる。その後、昇降部１１を下降させてガラス板２００を載置台１０に再び載置し、吸引孔を介してガラス板２００を載置台１０に吸引固定する。載置台１０に対するガラス板２００の載置ステップと離間ステップとからなる剥離サイクルを、測定ステップを実施しながら、少なくとも剥離サイクルの回数の増加に伴う表面電位の絶対値の増加が持続していくまで、場合によっては、ガラス板２００の表面電位が飽和帯電電位に達するまで、繰り返す。そして、各測定ステップで得たガラス板２００の表面電位に基づき、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を測定部１４に算出させる。
【００２３】
ガラス板２００が初期電位を有した状態にあると、剥離サイクルの初期においてガラス板２００から測定される表面電位の絶対値が安定して増加せず、この結果、剥離サイクルの初期の表面電位を指標にすると、ガラス板の帯電性を適切に評価できないことがある。しかし、剥離サイクルを上記程度にまで繰り返すことによって、初期電位に依存しない物理量である、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を特定できる。ガラス板２００から得られる飽和帯電電位の絶対値は、ガラス板２００の組成および表面粗さ（Ｒａ）によって定まる、ガラス板２００に固有の値であり、初期電位によっては変動しない。そして、ガラス板２００から得られる表面電位の絶対値の変化率は、ガラス板２００と評価装置１００との組合せ、より具体的には、ガラス板２００の組成および表面粗さと、載置台１０の盤部分１９の表面粗さ（Ｒａ）および構成材料ならびに剥離サイクルにおける剥離速度等との組合せによって定まる値であり、やはり初期電位によっては変動しない。このため、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を指標にすることで、初期電位の有無にかかわらず、ガラス板２００の帯電性を適切に評価できる。ガラス板２００の帯電性は、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を、対応する基準データと比較することによって評価する。
【００２４】
なお、ガラス板の製造工程においては、種々の工程で表面電位が発生し得る。例えば、熔解したガラス原料を板状に成形した後にローラーコンベア等で運搬する工程における、ガラス板とローラーとの接触、剥離によるローラーとガラス板表面との摩擦によって、表面電位が発生し得る。また例えば、ガラス板を洗浄し乾燥する工程における、気流とガラス板表面との摩擦によって、表面電位が発生し得る。
【００２５】
評価対象のガラス板は、溶融したガラス原料を成形することによって独自に準備してもよいし、市販品を入手することによって準備してもよい。
【００２６】
なお、以上では、本発明による評価装置を用いてガラス板を評価する態様について説明したが、本発明による評価方法は、例えば、演算部１４を備えない装置を使用し、演算部１４による飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率の算出に代えて、測定した表面電位を数値データとして装置外に出力させ、当該数値データに基づき飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を、装置の使用者が算出する態様としても構わない。
【００２７】
本発明によれば、溶融したガラス原料から複数のガラス板を成形する工程と、上記の評価方法によって当該複数のガラス板の帯電性を評価する工程とを備えて、ガラス板を製造することもできる。これにより、成形したガラス板が帯電性についての所定の規格に合格しているかを確認したり、成形した複数のガラス板から当該規格に合格しているものを選別したりすることができるため、帯電性の低いガラス板をより確実に提供できる。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
【００２９】
質量％で表示して、ＳｉＯ2：６０．９、Ｂ2Ｏ3：１１．６、Ａｌ2Ｏ3：１６．９、ＭｇＯ：１．７、ＣａＯ：５．１、ＳｒＯ：２．６、ＢａＯ：０．７、Ｋ2Ｏ：０．２５、Ｆｅ2Ｏ3：０．１５、ＳｎＯ2：０．１３、の組成を有し、表面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍと０．５ｎｍである２種類のガラス板（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）を用意した。以降の説明では、これらガラス板のうち、表面粗さが０．２ｎｍである方をサンプルＡ、表面粗さが０．５ｎｍである方をサンプルＢと呼ぶ。なお、サンプルＢは、サンプルＡに比べて帯電性が低いことが確認されている。
【００３０】
サンプルＡは、耐火煉瓦製の熔解槽と白金製の調整槽とを備えた連続熔解装置を用いて原料バッチを、１５８０℃で熔解し、１６５０℃で清澄させ、１５００℃で撹拌した状態でダウンドロー法によって薄板状に成形した後、所定のサイズに切り出し、表面を洗浄することによって得た。サンプルＢは、フッ酸を含有するガラスエッチング液にガラス板を１２０秒以下の範囲で浸積することによって表面を粗面化する工程を実施した後に、ガラス板の表面を洗浄したこと以外は、サンプルＡと同様にして得た。ガラス板の表面粗さおよび後述する載置台の盤部分の表面粗さ（Ｒａ）は、原子間力顕微鏡を用いて測定した。
【００３１】
クラス１０００の清浄度を有するクリーンルーム内に本発明による評価装置１００を設置し、サンプルＡおよびサンプルＢの帯電性を上記のようにして検査した。載置台１０の盤部分１９の表面粗さ（Ｒａ）は、１．６ｍｍであった。クリーンルーム内の雰囲気は、温度を２０℃に相対湿度を５０％に制御した。測定プローブとしてはＴＲＥＡＫ社製５４２−１を使用した。測定プローブとガラス板との距離ｄは２５ｍｍに設定した。ガラス板を載置台から持ち上げる距離を５０ｍｍに設定した。除電処理は、公知のイオナイザ（株式会社キーエンス製ＳＪ−Ｈ０６０）を使用し、除電処理をそれ以上続けてもガラス板の表面電位の絶対値が減少しなくなるまで実施した。剥離サイクルは、載置台から５０ｍｍ持ち上げられた位置にあるガラス板を、リフターピンを下降させて載置台に載置するまでの時間を３秒間、ガラス板を載置台に吸引固定する時間を３秒間、吸引を停止してガラス板をアライメントする時間を２秒間、リフターピンを上昇させてガラス板を載置台から５０ｍｍ離れた位置まで持ち上げる時間を７秒間、上昇後にガラス板をアライメントする時間を２秒間に設定して実施した。なお、ガラス板のアライメントとは、リフターピンの上昇および下降操作に起因するガラス板の位置ズレを調整する操作である。ガラス板の表面電位は２．９５秒毎に測定し、ガラス板が載置台から離間された後であって次の剥離サイクルによって載置台に載置されるまでの間に取得されたデータのうち０Ｖからの相違が最大のものを、各剥離サイクルにおける表面電位として抽出した。
【００３２】
図４、図５は、サンプルＡとサンプルＢにおける、剥離サイクルの繰り返しに付随する表面電位の変動を示すグラフである。図４、図５に示すように、いずれのサンプルにおいても、剥離サイクルの繰り返しの初期段階（例えば、剥離サイクルを５〜１０回繰り返した程度）では、初期電位に起因して、表面電位の絶対値が安定して増加しなかった。しかし、いずれのサンプルにおいても、剥離サイクルをさらに繰り返していくと、繰り返し回数が２５回を超えた頃から表面電位の絶対値がほぼ直線的に増加した。
【００３３】
サンプルＡの飽和帯電電位の絶対値は７１３４Ｖであり、サンプルＢの飽和帯電電位の絶対値は２３２２Ｖであった。サンプルＡおよびサンプルＢの飽和帯電電位の絶対値は、ガラス板の表面電位の絶対値の増加が持続しなくなった直後の所定期間にわたって実施された剥離サイクルにおける表面電位の絶対値の平均値として、より具体的には、サンプルＡについては第３７７回目から第４２８回目までの剥離サイクル、また、サンプルＢについては第３５１回目から第４０３回目までの剥離サイクル、における表面電位の絶対値の平均値として算出した。当該期間の剥離サイクルにおける表面電位の揺らぎは−５０Ｖ以上５０Ｖ以下の範囲にあった。第１１９回目と第２３７回目の剥離サイクルにおける表面電位は、サンプルＡでは−２５４０Ｖと−５００５Ｖであり、サンプルＢでは−８５５Ｖと−１５６５Ｖであった。これらデータに基づき表面電位の絶対値の変化率を算出したところ、サンプルＡでは２０．９Ｖであり、サンプルＢでは６．０Ｖであった。
【００３４】
このように、帯電しにくいガラス板であるサンプルＢは、表面電位の絶対値の変化率が８Ｖ未満の範囲にあり、飽和帯電電位の絶対値が２５００Ｖ未満の範囲にあった。
【符号の説明】
【００３５】
１０ 載置台
１１ 昇降部
１２ 測定部
１２’ 測定プローブ
１３ 制御部
１４ 演算部
１５ 表示部
１６ 昇降軸
１７ 昇降プレート
１８ リフターピン
１９ 載置台の盤部分
２０ 貫通孔
２１ ガラス板における載置台と反対側の表面
３０ アーム
１００ ガラス板の評価装置
２００ ガラス板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯電性に基づくガラス板の評価方法、それを用いたガラス板の製造方法、その評価に用いる装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイといったフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の基板として、ガラス板が使用されている。ＦＰＤの製造工程には、搬送装置や加工装置のテーブルにガラス板を載置したりテーブルから持ち上げたりする工程があり、これによるテーブルとガラス板との接触、剥離に伴って、絶縁体であるガラス板には静電気が蓄積されていく。ガラス板の帯電量が過大になると、基板に形成される電子回路等に障害（静電破壊）が発生しやすくなる。このため、テーブルとの接触、剥離によって静電気が蓄積されにくい、帯電性の低いガラス板が求められている。帯電性が低いガラス板を開発するために、あるいは製造したガラス板が帯電性についての所定の規格に合格しているかを確認するために、ガラス板の帯電性を正確に評価する必要がある。
【０００３】
特開２００５−２５５４７８号公報には、テーブルとの接触および剥離に起因する帯電が生じにくいガラス板に関する発明が開示されており、その段落［００２７］〜［００３７］において、テーブルとガラス板との接触、剥離を５回繰り返し、剥離後の最大帯電量を５回分積算し、その結果に基づきガラス板の帯電性を評価したと記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２５５４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、特開２００５−２５５４７８号公報に記載されているような従来型の評価方法では、ガラス板の帯電性を適切に評価できない場合があることに気付いた。こうした不具合は、テーブルとの接触および剥離の操作を実施する以前からガラス板に存在し得る表面電位（初期電位）に起因する可能性がある。ガラス板を除電処理するための器具としてイオナイザ等が知られているが、こうした器具による除電処理を念入りに施しても、ガラス板の初期電位を完全に除去することは容易ではない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、載置台にガラス板を載置する載置ステップと、前記ガラス板を前記載置台から離間させる離間ステップと、を含む剥離サイクルを繰り返して実施し、前記剥離サイクルを繰り返しながら測定される前記ガラス板の表面電位に基づき、ガラス板を評価する、ガラス板の評価方法であって、前記剥離サイクルを、少なくとも、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返して実施し、ｉ）前記剥離サイクルを、前記ガラス板の前記表面電位が飽和帯電電位に達するまで、さらに繰り返して実施し、当該飽和帯電電位の絶対値が基準値Ａよりも小さいガラス板を、帯電性の低いガラス板として評価する、またはｉｉ）前記表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる前記表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される前記剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値が、基準値Ｂよりも小さいガラス板を、帯電性の低いガラス板として評価する、ガラス板の評価方法を提供する。
【０００７】
本明細書において、「表面電位の絶対値の増加が持続する」状態とは、ガラス板の表面電位の絶対値が、所定回数の剥離サイクルにわたって連続して増加する状態、より具体的には、第ｎ−１回目の剥離サイクルにおける表面電位の絶対値よりも第ｎ回目の剥離サイクルにおける表面電位の絶対値が大きくなる関係（ただし、ｎは整数）が、少なくとも５０回、好ましくは１００回以上の剥離サイクルにわたって持続する状態を意味する。また、本明細書において、ガラス板の飽和帯電電位とは、剥離サイクルの回数を増加しても、ガラス板の表面電位が実質的に一定になるときの当該表面電位を意味し、より具体的には、少なくとも５０回の剥離サイクルにおける表面電位の平均値に対する、当該少なくとも５０回の剥離サイクルにおける表面電位の揺らぎが−５０Ｖ以上５０Ｖ以下の範囲にあるときの当該平均値を意味する。
【０００８】
また、本発明は、別の側面から、溶融したガラス原料から複数のガラス板を成形する工程と、上記の評価方法を用いることによって前記複数のガラス板の帯電性を評価する工程とを備えた、帯電性の低いガラス板の製造方法を提供する。
【０００９】
また、本発明は、さらに別の側面から、ガラス板の帯電性を評価するための評価装置であって、ガラス板を載置するための載置台と、前記載置台に対し前記ガラス板を載置および離間させる昇降部と、前記ガラス板の表面電位を測定する測定部と、前記昇降部による前記ガラス板の載置および離間ならびに前記測定部による前記表面電位の測定を制御する制御部と、を備え、前記制御部が、前記測定部に前記表面電位を測定させながら、少なくとも、前記載置台に対して前記ガラス板を載置および離間する操作を含む剥離サイクルが、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返されるように、前記昇降部を制御し、ガラス板の帯電性を評価するための基準データとの比較に使用すべきデータを、前記表面電位に基づき算出する演算部、をさらに備え、ｉ）前記制御部が、前記測定部に前記表面電位を測定させながら、前記表面電位が飽和帯電電位に達するまで前記剥離サイクルがさらに繰り返されるように、前記昇降部を制御し、前記演算部が、前記データとして、前記飽和帯電電位の絶対値を算出する、またはｉｉ）前記演算部が、前記データとして、前記表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる前記表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される前記剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値を算出する、評価装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、載置台に対してガラス板を載置するステップと離間するステップとを含む剥離サイクルを、少なくとも、剥離サイクルの回数の増加に伴うガラス板の表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返して実施することとした。剥離サイクルを上記程度にまで繰り返すことで、帯電性の評価に適用可能であり初期電位に依存しない物理量を測定できるため、ガラス板の帯電性を従来よりも正確に評価できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によるガラス板の評価装置の構成を説明するための概念図である。
【図２】図１の装置における載置台付近の構造を示す断面図である。
【図３】図１の装置におけるガラス板の昇降動作を説明するための図である。
【図４】サンプルＡにおける剥離サイクル数と表面電位との関係を示すグラフである。
【図５】サンプルＢにおける剥離サイクル数と表面電位との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本発明による評価装置の構成を説明するための概念図であり、図２はこの評価装置１００における載置台１０付近の構造を示す断面図であり、図３は評価装置１００におけるガラス板２００の昇降動作を説明するための図である。評価装置１００は、図１に示すように、ガラス板２００を載せるための載置台１０、昇降部１１、測定部１２、制御部１３、演算部１４および表示部１５を備えている。
【００１３】
昇降部１１は、図２に示すように、上下動可能な昇降軸１６と、昇降軸１６の上端に取り付けられた昇降プレート１７と、ガラス板２００に向けて（図２において上方向に）突出するように昇降プレート１７の上面に配置された複数本のリフターピン１８とを有している。ガラス板２００は、載置台１０に載置された状態から、昇降部１１によって、載置台１０から上方へと持ち上げられ、その後、下降して載置台１０に再び載置される。昇降軸１６の上下動は、制御部１３によって制御される。載置台１０の盤部分１９には貫通孔２０が形成されており、昇降プレート１７が載置台１０の盤部分１９に接近するように昇降軸１６を移動させると、リフターピン１８の上端が貫通孔２０内を移動して盤部分１９から突出する。
【００１４】
ガラス板２００を載置台１０から離間する離間ステップが実施されると、盤部分１９からのガラス板２００の剥離に付随して、ガラス板２００に静電気が発生する。ガラス板２００を載置台１０に載置する載置ステップと、離間ステップと、からなる剥離サイクルを繰り返し実施することによって、ガラス板２００に静電気が蓄積される。
【００１５】
載置台１０の盤部分１９はアルミニウムに代表される金属によって形成されており、盤部分１９のガラス板２００に接触する表面には、アルマイト加工に代表される絶縁加工が施されている。リフターピン１８は、アルミニウムに代表される金属によって形成されており、ガラス板２００に接触すべき上端部分が、樹脂に代表される絶縁材料によって覆われている。載置台１０の盤部分１９には吸引孔（図示せず）が形成されており、盤部分１９は、当該吸引孔を介して載置台１０にガラス板２００を吸引固定するための吸引プレートとしても機能する。
【００１６】
測定部１２は、図１に示すように、ガラス板２００の表面電位を測定するための測定プローブ１２’を有している。測定プローブ１２’は、図２に示すように、ガラス板２００の表面２１から所定距離（距離ｄ）だけ離れた位置に配置されている。測定部１２は、昇降部１１の昇降プレート１７にアーム３０を介して固定されている。これにより、図３に示すように、昇降プレート１７の昇降に付随して測定プローブ１２’が載置台１０の盤部分１９に対して昇降するため、剥離サイクルが実施される間も、ガラス板２００の表面２１と測定プローブ１２’との間の距離ｄが一定に保たれる。測定プローブ１２’を介して測定されるガラス板２００の表面電位の測定値は距離ｄに依存して変動し得るが、本発明の評価装置１００では、上記のとおり距離ｄが一定に保たれるため、こうした変動に起因する測定不良の発生を回避できる。
【００１７】
制御部１３は、ガラス板２００の表面電位を測定部１２に測定させながら、ガラス板２００の剥離サイクルが、少なくとも、剥離サイクルの回数の増加に伴う表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返されるように、昇降部１１の動作を制御する。制御部１３は、載置台１０からガラス板２００が離間された後に、より具体的には、ガラス板２００が載置台１０から離間された後であって次の剥離サイクルによって載置台１０に載置されるまでに、ガラス板２００の表面電位が測定されるように測定部１２の動作を制御する。測定部１２による表面電位の測定（測定ステップ）は、剥離サイクル毎に少なくとも１回実施されるように制御することが好ましいが、所定の回数の剥離サイクル毎に実施されるように制御してもよい。制御部１３は、ガラス板２００の表面電位が飽和帯電電位に達するまで剥離サイクルが繰り返されるように、昇降部１１の動作を制御することもできる。
【００１８】
測定部１２によって測定されたガラス板２００の表面電位は、制御部１３を介して演算部１４に入力される。演算部１４は、剥離サイクルを繰り返し実施した後のガラス板の表面電位に基づき、ガラス板の帯電性を評価するための基準データとの比較に使用すべき、ｉ）ガラス板２００の飽和帯電電位の絶対値、およびｉｉ）表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値（表面電位の絶対値の変化率）、の少なくとも一方を算出する。飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率は、初期電位に依存しない物理量である。なお、表面電位の絶対値の変化率は、５０回以上離れて実施された２つの剥離サイクルにおける表面電位の絶対値に基づき、算出されることになる。この程度にまで離れた２つの剥離サイクルにおける表面電位の絶対値を基準にすることで、表面電位の測定値に混入し得るノイズの影響をほとんど無視できる。
【００１９】
演算部１４によって算出された飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率は、制御部１３を介して表示部１５に入力される。評価装置１００の使用者は、表示部１５に表示された飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を、対応する基準データの値と比較することによって、ガラス板２００の帯電性を評価できる。より具体的には、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率が、対応する基準データの値よりも小さいときに帯電性が低いと評価する。飽和帯電電位の絶対値に対応する基準データである基準値Ａは、ガラス板の用途に応じて設定すればよく、例えば、ＦＰＤの基板としてガラス板を適用する場合、２５００Ｖに設定することができる。表面電位の絶対値の変化率に対応する基準データである基準値Ｂは、ガラス板の用途および剥離サイクルの実施条件に応じて設定すればよく、例えば、ＦＰＤの基板としてガラス板を適用し、後述する実施例に示すように評価装置１００を使用して剥離サイクルを実施する場合、８Ｖに設定することができる。
【００２０】
本発明による評価装置は、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を、対応する基準データと比較することによって、ガラス板２００の帯電性を評価する評価部をさらに備え、演算部１４から制御部１３を介して飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率が評価部に入力され、帯電性の評価についての信号が制御部１３を介して表示部１５に入力され、評価結果が表示部１５の画面に表示される態様とすることもできる。評価装置が評価部を備える場合、帯電性の評価に使用する基準データとして、基準値Ａおよび基準値Ｂの少なくとも一方を使用者が選択できる状態にあることが望ましい。
【００２１】
本発明によるガラス板の評価方法につき、評価装置１００を用いて実施する場合を例にして説明する。まず、評価対象のガラス板を載置台１０に載置し、吸引孔を介して盤部分１９に吸引固定する。ガラス板２００は、載置台１０に載置した直後に公知のイオナイザを用いて除電処理することが好ましい。なお、除電処理を実施する場合、最初にガラス板２００を載置台１０に載置したときにのみ実施する。
【００２２】
次に、吸引固定を停止した状態で、昇降部１１を駆動させ、リフターピン１８の上端で支持させながらガラス板２００を載置台１０から上方へと持ち上げる。その後、昇降部１１を下降させてガラス板２００を載置台１０に再び載置し、吸引孔を介してガラス板２００を載置台１０に吸引固定する。載置台１０に対するガラス板２００の載置ステップと離間ステップとからなる剥離サイクルを、測定ステップを実施しながら、少なくとも剥離サイクルの回数の増加に伴う表面電位の絶対値の増加が持続していくまで、場合によっては、ガラス板２００の表面電位が飽和帯電電位に達するまで、繰り返す。そして、各測定ステップで得たガラス板２００の表面電位に基づき、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を測定部１４に算出させる。
【００２３】
ガラス板２００が初期電位を有した状態にあると、剥離サイクルの初期においてガラス板２００から測定される表面電位の絶対値が安定して増加せず、この結果、剥離サイクルの初期の表面電位を指標にすると、ガラス板の帯電性を適切に評価できないことがある。しかし、剥離サイクルを上記程度にまで繰り返すことによって、初期電位に依存しない物理量である、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を特定できる。ガラス板２００から得られる飽和帯電電位の絶対値は、ガラス板２００の組成および表面粗さ（Ｒａ）によって定まる、ガラス板２００に固有の値であり、初期電位によっては変動しない。そして、ガラス板２００から得られる表面電位の絶対値の変化率は、ガラス板２００と評価装置１００との組合せ、より具体的には、ガラス板２００の組成および表面粗さと、載置台１０の盤部分１９の表面粗さ（Ｒａ）および構成材料ならびに剥離サイクルにおける剥離速度等との組合せによって定まる値であり、やはり初期電位によっては変動しない。このため、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を指標にすることで、初期電位の有無にかかわらず、ガラス板２００の帯電性を適切に評価できる。ガラス板２００の帯電性は、飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を、対応する基準データと比較することによって評価する。
【００２４】
なお、ガラス板の製造工程においては、種々の工程で表面電位が発生し得る。例えば、熔解したガラス原料を板状に成形した後にローラーコンベア等で運搬する工程における、ガラス板とローラーとの接触、剥離によるローラーとガラス板表面との摩擦によって、表面電位が発生し得る。また例えば、ガラス板を洗浄し乾燥する工程における、気流とガラス板表面との摩擦によって、表面電位が発生し得る。
【００２５】
評価対象のガラス板は、溶融したガラス原料を成形することによって独自に準備してもよいし、市販品を入手することによって準備してもよい。
【００２６】
なお、以上では、本発明による評価装置を用いてガラス板を評価する態様について説明したが、本発明による評価方法は、例えば、演算部１４を備えない装置を使用し、演算部１４による飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率の算出に代えて、測定した表面電位を数値データとして装置外に出力させ、当該数値データに基づき飽和帯電電位の絶対値および表面電位の絶対値の変化率を、装置の使用者が算出する態様としても構わない。
【００２７】
本発明によれば、溶融したガラス原料から複数のガラス板を成形する工程と、上記の評価方法によって当該複数のガラス板の帯電性を評価する工程とを備えて、ガラス板を製造することもできる。これにより、成形したガラス板が帯電性についての所定の規格に合格しているかを確認したり、成形した複数のガラス板から当該規格に合格しているものを選別したりすることができるため、帯電性の低いガラス板をより確実に提供できる。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
【００２９】
質量％で表示して、ＳｉＯ2：６０．９、Ｂ2Ｏ3：１１．６、Ａｌ2Ｏ3：１６．９、ＭｇＯ：１．７、ＣａＯ：５．１、ＳｒＯ：２．６、ＢａＯ：０．７、Ｋ2Ｏ：０．２５、Ｆｅ2Ｏ3：０．１５、ＳｎＯ2：０．１３、の組成を有し、表面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍと０．５ｎｍである２種類のガラス板（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）を用意した。以降の説明では、これらガラス板のうち、表面粗さが０．２ｎｍである方をサンプルＡ、表面粗さが０．５ｎｍである方をサンプルＢと呼ぶ。なお、サンプルＢは、サンプルＡに比べて帯電性が低いことが確認されている。
【００３０】
サンプルＡは、耐火煉瓦製の熔解槽と白金製の調整槽とを備えた連続熔解装置を用いて原料バッチを、１５８０℃で熔解し、１６５０℃で清澄させ、１５００℃で撹拌した状態でダウンドロー法によって薄板状に成形した後、所定のサイズに切り出し、表面を洗浄することによって得た。サンプルＢは、フッ酸を含有するガラスエッチング液にガラス板を１２０秒以下の範囲で浸積することによって表面を粗面化する工程を実施した後に、ガラス板の表面を洗浄したこと以外は、サンプルＡと同様にして得た。ガラス板の表面粗さおよび後述する載置台の盤部分の表面粗さ（Ｒａ）は、原子間力顕微鏡を用いて測定した。
【００３１】
クラス１０００の清浄度を有するクリーンルーム内に本発明による評価装置１００を設置し、サンプルＡおよびサンプルＢの帯電性を上記のようにして検査した。載置台１０の盤部分１９の表面粗さ（Ｒａ）は、１．６ｍｍであった。クリーンルーム内の雰囲気は、温度を２０℃に相対湿度を５０％に制御した。測定プローブとしてはＴＲＥＡＫ社製５４２−１を使用した。測定プローブとガラス板との距離ｄは２５ｍｍに設定した。ガラス板を載置台から持ち上げる距離を５０ｍｍに設定した。除電処理は、公知のイオナイザ（株式会社キーエンス製ＳＪ−Ｈ０６０）を使用し、除電処理をそれ以上続けてもガラス板の表面電位の絶対値が減少しなくなるまで実施した。剥離サイクルは、載置台から５０ｍｍ持ち上げられた位置にあるガラス板を、リフターピンを下降させて載置台に載置するまでの時間を３秒間、ガラス板を載置台に吸引固定する時間を３秒間、吸引を停止してガラス板をアライメントする時間を２秒間、リフターピンを上昇させてガラス板を載置台から５０ｍｍ離れた位置まで持ち上げる時間を７秒間、上昇後にガラス板をアライメントする時間を２秒間に設定して実施した。なお、ガラス板のアライメントとは、リフターピンの上昇および下降操作に起因するガラス板の位置ズレを調整する操作である。ガラス板の表面電位は２．９５秒毎に測定し、ガラス板が載置台から離間された後であって次の剥離サイクルによって載置台に載置されるまでの間に取得されたデータのうち０Ｖからの相違が最大のものを、各剥離サイクルにおける表面電位として抽出した。
【００３２】
図４、図５は、サンプルＡとサンプルＢにおける、剥離サイクルの繰り返しに付随する表面電位の変動を示すグラフである。図４、図５に示すように、いずれのサンプルにおいても、剥離サイクルの繰り返しの初期段階（例えば、剥離サイクルを５〜１０回繰り返した程度）では、初期電位に起因して、表面電位の絶対値が安定して増加しなかった。しかし、いずれのサンプルにおいても、剥離サイクルをさらに繰り返していくと、繰り返し回数が２５回を超えた頃から表面電位の絶対値がほぼ直線的に増加した。
【００３３】
サンプルＡの飽和帯電電位の絶対値は７１３４Ｖであり、サンプルＢの飽和帯電電位の絶対値は２３２２Ｖであった。サンプルＡおよびサンプルＢの飽和帯電電位の絶対値は、ガラス板の表面電位の絶対値の増加が持続しなくなった直後の所定期間にわたって実施された剥離サイクルにおける表面電位の絶対値の平均値として、より具体的には、サンプルＡについては第３７７回目から第４２８回目までの剥離サイクル、また、サンプルＢについては第３５１回目から第４０３回目までの剥離サイクル、における表面電位の絶対値の平均値として算出した。当該期間の剥離サイクルにおける表面電位の揺らぎは−５０Ｖ以上５０Ｖ以下の範囲にあった。第１１９回目と第２３７回目の剥離サイクルにおける表面電位は、サンプルＡでは−２５４０Ｖと−５００５Ｖであり、サンプルＢでは−８５５Ｖと−１５６５Ｖであった。これらデータに基づき表面電位の絶対値の変化率を算出したところ、サンプルＡでは２０．９Ｖであり、サンプルＢでは６．０Ｖであった。
【００３４】
このように、帯電しにくいガラス板であるサンプルＢは、表面電位の絶対値の変化率が８Ｖ未満の範囲にあり、飽和帯電電位の絶対値が２５００Ｖ未満の範囲にあった。
【符号の説明】
【００３５】
１０ 載置台
１１ 昇降部
１２ 測定部
１２’ 測定プローブ
１３ 制御部
１４ 演算部
１５ 表示部
１６ 昇降軸
１７ 昇降プレート
１８ リフターピン
１９ 載置台の盤部分
２０ 貫通孔
２１ ガラス板における載置台と反対側の表面
３０ アーム
１００ ガラス板の評価装置
２００ ガラス板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台にガラス板を載置する載置ステップと、前記ガラス板を前記載置台から離間させる離間ステップと、を含む剥離サイクルを繰り返して実施し、前記剥離サイクルを繰り返しながら測定される前記ガラス板の表面電位に基づき、ガラス板を評価する、ガラス板の評価方法であって、
前記剥離サイクルを、少なくとも、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返して実施し、
ｉ）前記剥離サイクルを、前記ガラス板の前記表面電位が飽和帯電電位に達するまで、さらに繰り返して実施し、当該飽和帯電電位の絶対値が基準値Ａよりも小さいガラス板を、帯電性の低いガラス板として評価する、または
ｉｉ）前記表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる前記表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される前記剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値が、基準値Ｂよりも小さいガラス板を、帯電性の低いガラス板として評価する、
ガラス板の評価方法。
【請求項２】
溶融したガラス原料から複数のガラス板を成形する工程と、請求項１に記載の評価方法によって前記複数のガラス板の帯電性を評価する工程とを備えた、ガラス板の製造方法。
【請求項３】
ガラス板の帯電性を評価するための評価装置であって、
ガラス板を載置するための載置台と、前記載置台に対し前記ガラス板を載置および離間させる昇降部と、前記ガラス板の表面電位を測定する測定部と、前記昇降部による前記ガラス板の載置および離間ならびに前記測定部による前記表面電位の測定を制御する制御部と、を備え、
前記制御部が、前記測定部に前記表面電位を測定させながら、少なくとも、前記載置台に対して前記ガラス板を載置および離間する操作を含む剥離サイクルが、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返されるように、前記昇降部を制御し、
ガラス板の帯電性を評価するための基準データとの比較に使用すべきデータを、前記表面電位に基づき算出する演算部、をさらに備え、
ｉ）前記制御部が、前記測定部に前記表面電位を測定させながら、前記表面電位が飽和帯電電位に達するまで前記剥離サイクルがさらに繰り返されるように、前記昇降部を制御し、前記演算部が、前記データとして、前記飽和帯電電位の絶対値を算出する、または
ｉｉ）前記演算部が、前記データとして、前記表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる前記表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される前記剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値を算出する、
評価装置。
【請求項１】
載置台にガラス板を載置する載置ステップと、前記ガラス板を前記載置台から離間させる離間ステップと、を含む剥離サイクルを繰り返して実施し、前記剥離サイクルを繰り返しながら測定される前記ガラス板の表面電位に基づき、ガラス板を評価する、ガラス板の評価方法であって、
前記剥離サイクルを、少なくとも、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返して実施し、
ｉ）前記剥離サイクルを、前記ガラス板の前記表面電位が飽和帯電電位に達するまで、さらに繰り返して実施し、当該飽和帯電電位の絶対値が基準値Ａよりも小さいガラス板を、帯電性の低いガラス板として評価する、または
ｉｉ）前記表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる前記表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される前記剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値が、基準値Ｂよりも小さいガラス板を、帯電性の低いガラス板として評価する、
ガラス板の評価方法。
【請求項２】
溶融したガラス原料から複数のガラス板を成形する工程と、請求項１に記載の評価方法によって前記複数のガラス板の帯電性を評価する工程とを備えた、ガラス板の製造方法。
【請求項３】
ガラス板の帯電性を評価するための評価装置であって、
ガラス板を載置するための載置台と、前記載置台に対し前記ガラス板を載置および離間させる昇降部と、前記ガラス板の表面電位を測定する測定部と、前記昇降部による前記ガラス板の載置および離間ならびに前記測定部による前記表面電位の測定を制御する制御部と、を備え、
前記制御部が、前記測定部に前記表面電位を測定させながら、少なくとも、前記載置台に対して前記ガラス板を載置および離間する操作を含む剥離サイクルが、前記剥離サイクルの回数の増加に伴う前記表面電位の絶対値の増加が持続するまで、繰り返されるように、前記昇降部を制御し、
ガラス板の帯電性を評価するための基準データとの比較に使用すべきデータを、前記表面電位に基づき算出する演算部、をさらに備え、
ｉ）前記制御部が、前記測定部に前記表面電位を測定させながら、前記表面電位が飽和帯電電位に達するまで前記剥離サイクルがさらに繰り返されるように、前記昇降部を制御し、前記演算部が、前記データとして、前記飽和帯電電位の絶対値を算出する、または
ｉｉ）前記演算部が、前記データとして、前記表面電位の絶対値の増加が持続する期間にわたる前記表面電位の絶対値の増加量を、当該期間内に実施される前記剥離サイクルの回数で除算することによって得られる値を算出する、
評価装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−２４３３８１（Ｐ２０１０−２４３３８１Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９３６３８（Ｐ２００９−９３６３８）
【出願日】平成２１年４月８日（２００９．４．８）
【出願人】（５９８０５５９１０）ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 (81)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月８日（２００９．４．８）
【出願人】（５９８０５５９１０）ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 (81)
【Ｆターム（参考）】
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