弾性波デバイスおよびその製造方法
【課題】櫛型電極を構成する金属が絶縁膜中に拡散することを抑制し、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２と、圧電基板１０上であって、櫛型電極１２の電極指間に設けられた第１絶縁膜１６と、第１絶縁膜１６の側面を覆うように、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間に設けられた第１拡散防止膜１８と、櫛型電極１２の上面および側面と第１絶縁膜１６の上面とに設けられた絶縁性の第２拡散防止膜２０と、第２拡散防止膜２０上に設けられた第２絶縁層２２と、を具備する弾性波デバイスである。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた櫛型電極１２と、圧電基板１０上であって、櫛型電極１２の電極指間に設けられた第１絶縁膜１６と、第１絶縁膜１６の側面を覆うように、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間に設けられた第１拡散防止膜１８と、櫛型電極１２の上面および側面と第１絶縁膜１６の上面とに設けられた絶縁性の第２拡散防止膜２０と、第２拡散防止膜２０上に設けられた第２絶縁層２２と、を具備する弾性波デバイスである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、特に、櫛型電極を覆うように絶縁膜が設けられた弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波を利用した弾性波デバイスの一つとして、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（Interdigital Transducer）からなる櫛型電極を備え、櫛型電極に電力を印加することで励振した弾性波を用いる弾性表面波デバイスは良く知られている。弾性表面波デバイスは、小型軽量で高減衰量を得られることから、携帯電話端末の送受信フィルタやアンテナ分波器などに広く利用されている。
【０００３】
近年、弾性表面波デバイスの他に、櫛型電極を絶縁膜で封止するタイプの弾性波デバイス（例えば、ラブ波デバイスや弾性境界波デバイス）が開発されている。また、最近の携帯電話端末の高機能化に伴い、弾性波デバイスにおいて温度特性の向上が求められている。例えば、特許文献１には、櫛型電極を厚膜のＳｉＯ２（酸化シリコン）膜で覆い封止することで、温度特性を改善する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１２７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、特許文献１に示された弾性波デバイスでは、櫛型電極の材料としてＣｕ（銅）が用いられている。このように、櫛型電極にＣｕなどの拡散し易い材料を用いる場合、例えば熱的要因によりＣｕが絶縁膜中に拡散してしまうということが生じる。これにより、弾性波デバイスの信頼性低下などが起こる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、櫛型電極を構成する金属が絶縁膜中に拡散することを抑制し、信頼性の高い弾性波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、前記圧電基板上であって、前記櫛型電極の電極指間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の側面を覆うように、前記櫛型電極と前記第１絶縁膜との間に設けられた第１拡散防止膜と、前記櫛型電極の上面および側面と前記第１絶縁膜の上面とに設けられた絶縁性の第２拡散防止膜と、前記第２拡散防止膜上に設けられた第２絶縁膜と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、櫛型電極を構成する金属が第１絶縁膜および第２絶縁膜中に拡散することを抑制でき、信頼性の高い弾性波デバイスを得ることができる。
【０００８】
上記構成において、前記櫛型電極は、前記圧電基板から離れるに従い前記圧電基板に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状を有する構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極の側面に第２拡散防止膜をより確実に形成することができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２拡散防止膜は、前記櫛型電極の上面と前記第１絶縁膜の上面とを覆うように設けられている構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極を構成する金属の第１絶縁膜および第２絶縁膜への拡散をさらに抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１拡散防止膜は、前記圧電基板と前記櫛型電極との間にも設けられている構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極を構成する金属の第１絶縁膜への拡散をさらに抑制することができる。
【００１１】
上記構成において、前記櫛型電極は、前記第１拡散防止膜と前記第２拡散防止膜とに覆われている構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極を構成する金属の第１絶縁膜および第２絶縁膜への拡散をさらに抑制することができる。
【００１２】
上記構成において、前記櫛型電極の上面と前記第１絶縁膜の上面とは同一平面にある構成とすることができる。この構成によれば、第２拡散防止膜および第２絶縁膜の表面を平坦化することができ、弾性波デバイスの特性悪化を抑制できる。
【００１３】
上記構成において、前記第１絶縁膜の材料と前記第２絶縁膜の材料とは同じである構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスの温度特性を改善できる。
【００１４】
上記構成において、前記第１絶縁膜は、ＳｉＯ２である構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスの温度特性をより改善できる。
【００１５】
上記構成において、前記櫛型電極は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇおよびこれらの金属のうちの１つを主成分とする合金のいずれかである構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記第１拡散防止膜は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗおよびこれらの金属のうちの１つを主成分とする化合物のいずれかである構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、圧電基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜をパターニングする工程と、前記圧電基板の上面およびパターニングされた前記第１絶縁膜の側面に第１拡散防止膜を形成する工程と、前記第１拡散防止膜を形成した後、パターニングされた前記第１絶縁膜の間に櫛型電極を形成する工程と、前記櫛型電極の上面および側面と前記第１絶縁膜の上面とに絶縁性の第２拡散防止膜を形成する工程と、前記第２拡散防止膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、櫛型電極を構成する金属が第１絶縁膜および第２絶縁膜中に拡散することを抑制でき、信頼性の高い弾性波デバイスを得ることができる。
【００１８】
上記構成において、前記櫛型電極を形成する工程は、前記圧電基板から離れるに従い前記圧電基板に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状の前記櫛型電極を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極の側面に第２拡散防止膜を容易に形成することができる。
【００１９】
上記構成において、前記第１絶縁膜をパターニングする工程は、前記第１絶縁膜上に形成したマスク層をマスクにして前記第１絶縁膜をパターニングする工程であり、前記第１拡散防止膜を形成する工程および前記櫛型電極を形成する工程は、前記第１絶縁膜上に前記マスク層を残存させた状態で前記第１拡散防止膜となる材料および前記櫛型電極となる材料を堆積することにより実行される構成とすることができる。この構成によれば、第１絶縁膜上に第１拡散防止膜となる材料および櫛型電極となる材料が形成されないため、第１絶縁膜上に形成された材料を除去する工程が必要なく、プロセス工程の簡略化が図れる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、櫛型電極を構成する金属が第１絶縁膜および第２絶縁膜中に拡散することを抑制でき、信頼性の高い弾性波デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（ａ）から図１（ｅ）は、比較例に係る弾性波デバイスの製造方法の例を示す断面模式図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの上面模式図の例であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ間の一部を拡大した断面模式図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法の例を示す断面模式図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法の例を示す断面模式図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
最初に、比較例に係る弾性波デバイスについて説明する。
（比較例）
【００２３】
図１（ａ）から図１（ｅ）は、比較例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図である。図１（ａ）のように、圧電基板５０の上面全面に第１絶縁膜５２を形成する。図１（ｂ）のように、第１絶縁膜５２上にパターニングされたレジスト５４を形成し、レジスト５４をマスクに第１絶縁膜５２をエッチングする。次に、図１（ｃ）のように、例えば、蒸着法およびリフトオフ法により、パターニングされた第１絶縁膜５２間に櫛型電極５６を形成する。リフトオフ法により櫛型電極５６を形成することで、櫛型電極５６の形状は、圧電基板５０から離れるに従い圧電基板５０に水平方向の幅が狭まるテーパ形状となる。
【００２４】
図１（ｄ）のように、第１絶縁膜５２の上面および櫛型電極５６の上面に絶縁性の拡散防止膜５８を形成する。このとき、櫛型電極５６がテーパ形状をしていることから櫛型電極５６の側面上部にも拡散防止膜５８が形成され易くなり、この結果、櫛型電極５６と第１絶縁膜５２との間の隙間は拡散防止膜５８で埋め込まれる。その後、図１（ｅ）のように、拡散防止膜５８上に第２絶縁膜６０を形成する。これにより、櫛型電極５６が第１絶縁膜５２と第２絶縁膜６０とで封止された弾性波デバイスが得られる。
【００２５】
比較例に係る弾性波デバイスによれば、櫛型電極５６が第１絶縁膜５２と第２絶縁膜６０とで封止されているため、封止されていない場合に比べて弾性波デバイスの温度特性を向上させることができる。しかしながら、櫛型電極５６の側面下部と第１絶縁膜５２の側面とが接触しているため、櫛型電極５６や第１絶縁膜５２の材質によっては、櫛型電極５６を構成する金属が第１絶縁膜５２中に拡散する場合がある。例えば、第１絶縁膜５２にＳｉＯ２（酸化シリコン）膜を用いた場合、櫛型電極５６を比較的重い金属（例えば、Ｃｕ（銅）やＡｕ（金）など）で形成すると拡散が生じる。なお、櫛型電極５６と第２絶縁膜６０との間には拡散防止膜５８が設けられているため、櫛形電極５６の上面から第２絶縁膜６０への金属の拡散は抑制される。
【００２６】
このように、比較例に係る弾性波デバイスでは、櫛型電極を構成する金属が、櫛型電極を封止する絶縁膜中に拡散されてしまい、弾性波デバイスの信頼性が損なわれる。そこで、以下に記載の実施例では、櫛型電極を構成する金属の絶縁膜中への拡散が抑制可能な弾性波デバイスおよびその製造方法について説明する。
【実施例１】
【００２７】
図２（ａ）は実施例１に係る弾性波デバイス１００の上面模式図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ間の一部を拡大した断面模式図である。なお、図２（ａ）においては、第１絶縁膜１６、第２絶縁膜２２、第１拡散防止膜１８、および第２拡散防止膜２０は図示を省略している。図２（ａ）および図２（ｂ）のように、圧電基板１０の上面に共振器３０が形成されている。共振器３０は、一対の反射器１４と、その間に設けられた櫛型電極１２と、を含む。圧電基板１０には、例えばＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）基板やＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）基板を用いる。櫛型電極１２および反射器１４には、例えばＣｕ（銅）を用いる。
【００２８】
圧電基板１０の上面には、さらに、櫛型電極１２の電極指間に第１絶縁膜１６が形成されている。第１絶縁膜１６には、例えばＳｉＯ２（酸化シリコン）を用いる。櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間には、第１絶縁膜１６の側面を覆うように第１拡散防止膜１８が形成されている。第１拡散防止膜１８は、圧電基板１０と櫛型電極１２との間にも形成されている。第１拡散防止膜１８は、例えばＴｉＮ（窒化チタン）を用いる。
【００２９】
第１絶縁膜１６の上面と櫛型電極１２の上面とには絶縁性の第２拡散防止膜２０が形成されている。また、櫛型電極１２は、圧電基板１０から離れるに従い圧電基板１０に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状をしており、このテーパ形状をした櫛型電極１２の側面にも第２拡散防止膜２０が形成され、この結果、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の隙間は第２拡散防止膜２０で埋め込まれている。なお、第２拡散防止膜２０は、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の隙間を完全に埋め込まずに、櫛型電極１２の側面と第１拡散防止膜１８の側面とに設けられている場合でもよい。このように、櫛型電極１２は、第１拡散防止膜１８と第２拡散防止膜２０とにより覆われている。第２拡散防止膜２０には、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）を用いる。第２拡散防止膜２０の上面には第２絶縁膜２２が形成されている。第２絶縁膜２２には、例えば第１絶縁膜１６と同じ材料であるＳｉＯ２（酸化シリコン）を用いる。
【００３０】
櫛型電極１２の一方の電極指で励振した弾性波は、圧電基板１０と第１絶縁膜１６との境界付近を伝搬する。弾性波は反射器１４で反射されて、他方の電極指に電気信号が発生する。電気信号は、電極指の周期などに対応する周波数で共振する。
【００３１】
次に、図３（ａ）から図４（ｄ）を用いて、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を説明する。図３（ａ）から図４（ｄ）は、図２（ｂ）に相当する部分の断面模式図である。図３（ａ）のように、例えばＣＶＤ（化学気相成長）法を用い、圧電基板１０の上面全面に第１絶縁膜１６を形成する。第１絶縁膜１６の厚さは、例えば１３０ｎｍである。なお、弾性波デバイスの温度特性を改善する目的から、圧電基板１０の上面にＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）膜などの絶縁膜を形成し、Ａｌ２Ｏ３膜を介して第１絶縁膜１６を形成してもよい。
【００３２】
図３（ｂ）のように、第１絶縁膜１６の上面にレジストを塗布して、露光および現像を行い、所望の形状にパターニングしたマスク層２４を形成する。なお、第１絶縁膜１６の上面に反射防止膜として機能するＳｉ（シリコン）膜などを形成し、Ｓｉ膜の上面にレジストを塗布してもよい。
【００３３】
図３（ｃ）のように、マスク層２４をマスクとして第１絶縁膜１６をエッチングして、第１絶縁膜１６をパターニングする。これにより、櫛型電極１２を形成すべき領域の第１絶縁膜１６が除去されて開口する。第１絶縁膜１６のエッチングは、第１絶縁膜１６の側面形状が垂直となるよう、異方性のドライエッチングを用いることが好ましい。
【００３４】
図３（ｄ）のように、例えばスパッタ法を用いて、パターニングされた第１絶縁膜１６の側面および圧電基板１０の上面を覆うように第１拡散防止膜１８を形成する。第１拡散防止膜１８の厚さは、例えば１０ｎｍである。なお、パターニングされた第１絶縁膜１６の上面にはマスク層２４が残存しているため、第１絶縁膜１６の上面に第１拡散防止膜１８は形成されない。
【００３５】
図４（ａ）のように、例えば蒸着法を用いて櫛型電極１２の材料であるＣｕ２８を堆積して、第１絶縁膜１６の間の開口部にＣｕ２８を埋め込む。なお、第１絶縁膜１６上にマスク層２４があるため、第１絶縁膜１６の上面にはＣｕ２８は堆積されない。また、第１拡散防止膜１８とＣｕ２８の密着性を高める目的から、第１拡散防止膜１８とＣｕ２８との間に接着層として機能するＴｉ（チタン）層などを設けてもよい。次いで、図４（ｂ）のように、マスク層２４とマスク層２４の上面に堆積されたＣｕ２８とを除去することで、第１絶縁膜１６間の開口部にのみＣｕ２８を残存させる。これにより、パターニングされた第１絶縁膜１６の間に櫛型電極１２が形成される。このように、リフトオフ法を用いて櫛型電極１２を形成することで、櫛型電極１２の形状は、圧電基板１０から離れるに従い圧電基板１０に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状となる。なお、マスク層２４の側面にも第１拡散帽子膜１８が堆積される場合があるが、上述のようにリフトオフをすることで、マスク層２４の側面に形成された第１拡散防止膜１８も除去される。櫛型電極１２の厚さは、櫛型電極１２の上面と第１絶縁膜１６の上面とが同一平面になるように調整することが好ましい。即ち、実施例１においては、櫛型電極１２の厚さは、例えば１２０ｎｍである場合が好ましく、このような厚さになるよう、Ｃｕ２８の堆積量を調整することが好ましい。
【００３６】
図４（ｃ）のように、例えばスパッタ法を用いて、櫛型電極１２の上面および第１絶縁膜１６の上面に第２拡散防止膜２０を形成する。このとき、櫛型電極１２がテーパ形状をしているため、櫛型電極１２の側面にも第２拡散防止膜２０が形成され易くなり、この結果、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の隙間は第２拡散防止膜２０で埋め込まれる。なお、第２拡散防止膜２０は、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の隙間を完全に埋め込まずに、櫛型電極１２の側面と第１拡散防止膜１８の側面とに形成されている場合であればよい。これにより、櫛型電極１２は、第１拡散防止膜１８と第２拡散防止膜２０とにより覆われた状態になる。第２拡散防止膜２０の厚さは、例えば２０ｎｍである。
【００３７】
図４（ｄ）のように、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、第２拡散防止膜２０の上面に第２絶縁膜２２を形成する。第２絶縁膜２２の膜厚は、例えば４００ｎｍである。以上の工程により、図２（ｂ）に示した実施例１に係る弾性波デバイスが完成する。
【００３８】
以上説明してきたように、実施例１に係る弾性波デバイス１００によれば、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間に第１絶縁膜１６の側面を覆うように第１拡散防止膜１８が形成されている。さらに、櫛型電極１２の側面に第２拡散防止膜２０が形成されている。これにより、櫛型電極１２を構成する金属が第１絶縁膜１６中に拡散することを抑制できる。特に、第１絶縁膜１６の側面に第１拡散防止膜１８を形成し、且つ櫛型電極１２の側面に第２拡散防止膜２０を形成することで、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の拡散防止膜の厚さを厚くすることができ、金属の拡散をより抑制することができる。例えば、圧電基板１０と櫛型電極１２との間に形成される第１拡散防止膜１８の厚さを薄くしようとすると、第１絶縁膜１６の側面に形成される第１拡散防止膜１８の厚さも薄くなるが、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間に第１拡散防止膜１８に加えて第２拡散防止膜２０が形成されることで、櫛型電極１２を構成する金属が第１絶縁膜１６に拡散することを抑制できる。また、櫛型電極１２と第２絶縁膜２２との間には第２拡散防止膜２０が形成されているため、櫛型電極１２を構成する金属が第２絶縁膜２２中に拡散することを抑制できる。このように、櫛型電極を構成する金属が絶縁膜中に拡散することを抑制できることで、弾性波デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００３９】
図４（ａ）および図４（ｂ）で説明したように、リフトオフ法を用いて櫛型電極１２を形成することで、櫛型電極１２の形状を、圧電基板１０から離れるに従い圧電基板１０に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状としている。櫛型電極１２の形状をこのようなテーパ形状とすることで、第２拡散防止膜２０を櫛型電極１２の側面に容易且つより確実に形成することができ、櫛型電極１２を構成する金属が第１絶縁膜１６に拡散することをより確実に抑制できる。なお、櫛型電極１２の形成方法はリフトオフ法に限られず、櫛型電極１２の形状が上述したテーパ形状となる方法であれば、その他の形成方法を用いてもよい。
【００４０】
実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法によれば、図３（ｃ）のように、第１絶縁膜１６上に形成したマスク層２４をマスクに第１絶縁膜１６をパターニングし、図３（ｄ）および図４（ａ）のように、第１絶縁膜１６上にマスク層２４を残存させた状態で第１拡散防止膜１８となる材料および櫛型電極１２となる材料を堆積して、第１拡散防止膜１８および櫛型電極１２を形成している。このような方法を用いることで、第１絶縁膜１６の上面には第１拡散防止膜１８となる材料および櫛型電極１２となる材料が形成されない。したがって、第１絶縁膜１６上面に形成された材料を除去する工程が必要なく、プロセス工程を簡略にできる。
【００４１】
図３（ｄ）から図４（ｂ）で説明したように、圧電基板１０の上面および第１絶縁膜１６の側面に第１拡散防止膜１８を形成した後、第１絶縁膜１６の間に櫛型電極１２を形成している。これにより、第１拡散防止膜１８が圧電基板１０と櫛型電極１２との間にも設けられることになる。このように、圧電基板１０と櫛型電極１２との間にも第１拡散防止膜１８が設けられることで、櫛形電極１２を構成する金属の第１絶縁膜１６への拡散をさらに抑制することができる。
【００４２】
図２（ｂ）に示すように、第２拡散防止膜２０は、櫛型電極１２の上面と第１絶縁膜１６の上面とを覆うように設けられている。つまり、第２拡散防止膜２０は、櫛型電極１２の上面全面と第１絶縁膜１６の上面全面とに設けられている。これにより、櫛型電極１２を構成する金属の第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２２への拡散をさらに抑制することができる。また、櫛型電極１２が、第１拡散防止膜１８と第２拡散防止膜２０とにより覆われている構成とすることで、櫛型電極１２を構成する金属の第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２２への拡散をさらに抑制することができる。
【００４３】
図４（ａ）および図４（ｂ）で説明したように、櫛型電極１２の上面と第１絶縁膜１６の上面とが同一平面にあるように形成することが好ましい。これにより、第２拡散防止膜２０に生じる凹凸を抑制できる。この結果、第２拡散防止膜２０上に形成する第２絶縁膜２２に生じる凹凸も抑制できる。つまり、第２拡散防止膜２０の表面と第２絶縁膜２２の表面とを平坦化することができる。これにより、弾性波デバイスの特性悪化を抑制できる。
【００４４】
実施例１において、第１拡散防止膜１８はＴｉＮ（窒化チタン）である場合を例に示したが、拡散防止膜としての機能を果たす材料であれば、弾性波デバイスの特性最適化や信頼性向上のために、その他の材料を用いてもよい。第１拡散防止膜１８は導電性材料である場合でも、非導電性材料である場合でもよい。例えば、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、およびこれらの金属のうちの１つを主成分とする化合物（例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮなど）を用いることができる。
【００４５】
また、実施例１において、第２拡散防止膜２０はＳｉＮ（窒化シリコン）である場合を例に示したが、これについても拡散防止膜としての機能を果たす材料であれば、弾性波デバイスの特性最適化や信頼性向上のために、その他の材料（例えば、ＴａＮやＳｉＣなど）を用いてもよい。ただし、櫛型電極１２間の絶縁を図るため、第２拡散防止膜２０は絶縁性の材料で形成することが望ましい。
【００４６】
また、実施例１において、第１拡散防止膜１８および第２拡散防止膜２０はスパッタ法を用いて形成する場合を例に示したが、ＣＶＤ法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成してもよい。
【００４７】
また、実施例１では第１絶縁膜１６と第２絶縁膜２２とは同じ材料で形成したが、異なる材料で形成されている場合でもよい。しかしながら、実施例１のように同じ材料を用いることで、弾性波デバイスの温度特性を改善することができる。また、実施例１では、第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２２はＳｉＯ２膜である場合を例に示したが、その他の材料を用いてもよい。ただし、ＳｉＯ２膜を用いることで、その他の材料（例えば、ＳｉＮやＳｉＣなど）を用いる場合に比べて弾性波デバイスの温度特性を改善することができる。また、実施例１では、櫛型電極１２はＣｕ（銅）で形成されている場合を例に示したが、その他の材料により形成されている場合でもよい。その場合、例えばＡｌ（アルミニウム）のような比較的軽い金属よりも、例えばＣｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ａｇ（銀）およびこれらの金属のうちの１つを主成分とする合金のように比較的重く、絶縁膜への拡散が生じやすい金属の場合が実施例１に係る弾性波デバイスの構成に適している。
【００４８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０ 圧電基板
１２ 櫛型電極
１４ 反射器
１６ 第１絶縁膜
１８ 第１拡散防止膜
２０ 第２拡散防止膜
２２ 第２絶縁膜
２４ マスク層
３０ 共振器
５０ 圧電基板
５２ 第１絶縁膜
５４ レジスト
５６ 櫛型電極
５８ 拡散防止膜
６０ 第２絶縁膜
１００ 弾性波デバイス
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、特に、櫛型電極を覆うように絶縁膜が設けられた弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波を利用した弾性波デバイスの一つとして、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（Interdigital Transducer）からなる櫛型電極を備え、櫛型電極に電力を印加することで励振した弾性波を用いる弾性表面波デバイスは良く知られている。弾性表面波デバイスは、小型軽量で高減衰量を得られることから、携帯電話端末の送受信フィルタやアンテナ分波器などに広く利用されている。
【０００３】
近年、弾性表面波デバイスの他に、櫛型電極を絶縁膜で封止するタイプの弾性波デバイス（例えば、ラブ波デバイスや弾性境界波デバイス）が開発されている。また、最近の携帯電話端末の高機能化に伴い、弾性波デバイスにおいて温度特性の向上が求められている。例えば、特許文献１には、櫛型電極を厚膜のＳｉＯ２（酸化シリコン）膜で覆い封止することで、温度特性を改善する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１２７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、特許文献１に示された弾性波デバイスでは、櫛型電極の材料としてＣｕ（銅）が用いられている。このように、櫛型電極にＣｕなどの拡散し易い材料を用いる場合、例えば熱的要因によりＣｕが絶縁膜中に拡散してしまうということが生じる。これにより、弾性波デバイスの信頼性低下などが起こる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、櫛型電極を構成する金属が絶縁膜中に拡散することを抑制し、信頼性の高い弾性波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、前記圧電基板上であって、前記櫛型電極の電極指間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の側面を覆うように、前記櫛型電極と前記第１絶縁膜との間に設けられた第１拡散防止膜と、前記櫛型電極の上面および側面と前記第１絶縁膜の上面とに設けられた絶縁性の第２拡散防止膜と、前記第２拡散防止膜上に設けられた第２絶縁膜と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、櫛型電極を構成する金属が第１絶縁膜および第２絶縁膜中に拡散することを抑制でき、信頼性の高い弾性波デバイスを得ることができる。
【０００８】
上記構成において、前記櫛型電極は、前記圧電基板から離れるに従い前記圧電基板に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状を有する構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極の側面に第２拡散防止膜をより確実に形成することができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２拡散防止膜は、前記櫛型電極の上面と前記第１絶縁膜の上面とを覆うように設けられている構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極を構成する金属の第１絶縁膜および第２絶縁膜への拡散をさらに抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１拡散防止膜は、前記圧電基板と前記櫛型電極との間にも設けられている構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極を構成する金属の第１絶縁膜への拡散をさらに抑制することができる。
【００１１】
上記構成において、前記櫛型電極は、前記第１拡散防止膜と前記第２拡散防止膜とに覆われている構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極を構成する金属の第１絶縁膜および第２絶縁膜への拡散をさらに抑制することができる。
【００１２】
上記構成において、前記櫛型電極の上面と前記第１絶縁膜の上面とは同一平面にある構成とすることができる。この構成によれば、第２拡散防止膜および第２絶縁膜の表面を平坦化することができ、弾性波デバイスの特性悪化を抑制できる。
【００１３】
上記構成において、前記第１絶縁膜の材料と前記第２絶縁膜の材料とは同じである構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスの温度特性を改善できる。
【００１４】
上記構成において、前記第１絶縁膜は、ＳｉＯ２である構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスの温度特性をより改善できる。
【００１５】
上記構成において、前記櫛型電極は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇおよびこれらの金属のうちの１つを主成分とする合金のいずれかである構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記第１拡散防止膜は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗおよびこれらの金属のうちの１つを主成分とする化合物のいずれかである構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、圧電基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜をパターニングする工程と、前記圧電基板の上面およびパターニングされた前記第１絶縁膜の側面に第１拡散防止膜を形成する工程と、前記第１拡散防止膜を形成した後、パターニングされた前記第１絶縁膜の間に櫛型電極を形成する工程と、前記櫛型電極の上面および側面と前記第１絶縁膜の上面とに絶縁性の第２拡散防止膜を形成する工程と、前記第２拡散防止膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、櫛型電極を構成する金属が第１絶縁膜および第２絶縁膜中に拡散することを抑制でき、信頼性の高い弾性波デバイスを得ることができる。
【００１８】
上記構成において、前記櫛型電極を形成する工程は、前記圧電基板から離れるに従い前記圧電基板に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状の前記櫛型電極を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、櫛型電極の側面に第２拡散防止膜を容易に形成することができる。
【００１９】
上記構成において、前記第１絶縁膜をパターニングする工程は、前記第１絶縁膜上に形成したマスク層をマスクにして前記第１絶縁膜をパターニングする工程であり、前記第１拡散防止膜を形成する工程および前記櫛型電極を形成する工程は、前記第１絶縁膜上に前記マスク層を残存させた状態で前記第１拡散防止膜となる材料および前記櫛型電極となる材料を堆積することにより実行される構成とすることができる。この構成によれば、第１絶縁膜上に第１拡散防止膜となる材料および櫛型電極となる材料が形成されないため、第１絶縁膜上に形成された材料を除去する工程が必要なく、プロセス工程の簡略化が図れる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、櫛型電極を構成する金属が第１絶縁膜および第２絶縁膜中に拡散することを抑制でき、信頼性の高い弾性波デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（ａ）から図１（ｅ）は、比較例に係る弾性波デバイスの製造方法の例を示す断面模式図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの上面模式図の例であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ間の一部を拡大した断面模式図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法の例を示す断面模式図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法の例を示す断面模式図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
最初に、比較例に係る弾性波デバイスについて説明する。
（比較例）
【００２３】
図１（ａ）から図１（ｅ）は、比較例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面模式図である。図１（ａ）のように、圧電基板５０の上面全面に第１絶縁膜５２を形成する。図１（ｂ）のように、第１絶縁膜５２上にパターニングされたレジスト５４を形成し、レジスト５４をマスクに第１絶縁膜５２をエッチングする。次に、図１（ｃ）のように、例えば、蒸着法およびリフトオフ法により、パターニングされた第１絶縁膜５２間に櫛型電極５６を形成する。リフトオフ法により櫛型電極５６を形成することで、櫛型電極５６の形状は、圧電基板５０から離れるに従い圧電基板５０に水平方向の幅が狭まるテーパ形状となる。
【００２４】
図１（ｄ）のように、第１絶縁膜５２の上面および櫛型電極５６の上面に絶縁性の拡散防止膜５８を形成する。このとき、櫛型電極５６がテーパ形状をしていることから櫛型電極５６の側面上部にも拡散防止膜５８が形成され易くなり、この結果、櫛型電極５６と第１絶縁膜５２との間の隙間は拡散防止膜５８で埋め込まれる。その後、図１（ｅ）のように、拡散防止膜５８上に第２絶縁膜６０を形成する。これにより、櫛型電極５６が第１絶縁膜５２と第２絶縁膜６０とで封止された弾性波デバイスが得られる。
【００２５】
比較例に係る弾性波デバイスによれば、櫛型電極５６が第１絶縁膜５２と第２絶縁膜６０とで封止されているため、封止されていない場合に比べて弾性波デバイスの温度特性を向上させることができる。しかしながら、櫛型電極５６の側面下部と第１絶縁膜５２の側面とが接触しているため、櫛型電極５６や第１絶縁膜５２の材質によっては、櫛型電極５６を構成する金属が第１絶縁膜５２中に拡散する場合がある。例えば、第１絶縁膜５２にＳｉＯ２（酸化シリコン）膜を用いた場合、櫛型電極５６を比較的重い金属（例えば、Ｃｕ（銅）やＡｕ（金）など）で形成すると拡散が生じる。なお、櫛型電極５６と第２絶縁膜６０との間には拡散防止膜５８が設けられているため、櫛形電極５６の上面から第２絶縁膜６０への金属の拡散は抑制される。
【００２６】
このように、比較例に係る弾性波デバイスでは、櫛型電極を構成する金属が、櫛型電極を封止する絶縁膜中に拡散されてしまい、弾性波デバイスの信頼性が損なわれる。そこで、以下に記載の実施例では、櫛型電極を構成する金属の絶縁膜中への拡散が抑制可能な弾性波デバイスおよびその製造方法について説明する。
【実施例１】
【００２７】
図２（ａ）は実施例１に係る弾性波デバイス１００の上面模式図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ間の一部を拡大した断面模式図である。なお、図２（ａ）においては、第１絶縁膜１６、第２絶縁膜２２、第１拡散防止膜１８、および第２拡散防止膜２０は図示を省略している。図２（ａ）および図２（ｂ）のように、圧電基板１０の上面に共振器３０が形成されている。共振器３０は、一対の反射器１４と、その間に設けられた櫛型電極１２と、を含む。圧電基板１０には、例えばＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）基板やＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）基板を用いる。櫛型電極１２および反射器１４には、例えばＣｕ（銅）を用いる。
【００２８】
圧電基板１０の上面には、さらに、櫛型電極１２の電極指間に第１絶縁膜１６が形成されている。第１絶縁膜１６には、例えばＳｉＯ２（酸化シリコン）を用いる。櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間には、第１絶縁膜１６の側面を覆うように第１拡散防止膜１８が形成されている。第１拡散防止膜１８は、圧電基板１０と櫛型電極１２との間にも形成されている。第１拡散防止膜１８は、例えばＴｉＮ（窒化チタン）を用いる。
【００２９】
第１絶縁膜１６の上面と櫛型電極１２の上面とには絶縁性の第２拡散防止膜２０が形成されている。また、櫛型電極１２は、圧電基板１０から離れるに従い圧電基板１０に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状をしており、このテーパ形状をした櫛型電極１２の側面にも第２拡散防止膜２０が形成され、この結果、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の隙間は第２拡散防止膜２０で埋め込まれている。なお、第２拡散防止膜２０は、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の隙間を完全に埋め込まずに、櫛型電極１２の側面と第１拡散防止膜１８の側面とに設けられている場合でもよい。このように、櫛型電極１２は、第１拡散防止膜１８と第２拡散防止膜２０とにより覆われている。第２拡散防止膜２０には、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）を用いる。第２拡散防止膜２０の上面には第２絶縁膜２２が形成されている。第２絶縁膜２２には、例えば第１絶縁膜１６と同じ材料であるＳｉＯ２（酸化シリコン）を用いる。
【００３０】
櫛型電極１２の一方の電極指で励振した弾性波は、圧電基板１０と第１絶縁膜１６との境界付近を伝搬する。弾性波は反射器１４で反射されて、他方の電極指に電気信号が発生する。電気信号は、電極指の周期などに対応する周波数で共振する。
【００３１】
次に、図３（ａ）から図４（ｄ）を用いて、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を説明する。図３（ａ）から図４（ｄ）は、図２（ｂ）に相当する部分の断面模式図である。図３（ａ）のように、例えばＣＶＤ（化学気相成長）法を用い、圧電基板１０の上面全面に第１絶縁膜１６を形成する。第１絶縁膜１６の厚さは、例えば１３０ｎｍである。なお、弾性波デバイスの温度特性を改善する目的から、圧電基板１０の上面にＡｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）膜などの絶縁膜を形成し、Ａｌ２Ｏ３膜を介して第１絶縁膜１６を形成してもよい。
【００３２】
図３（ｂ）のように、第１絶縁膜１６の上面にレジストを塗布して、露光および現像を行い、所望の形状にパターニングしたマスク層２４を形成する。なお、第１絶縁膜１６の上面に反射防止膜として機能するＳｉ（シリコン）膜などを形成し、Ｓｉ膜の上面にレジストを塗布してもよい。
【００３３】
図３（ｃ）のように、マスク層２４をマスクとして第１絶縁膜１６をエッチングして、第１絶縁膜１６をパターニングする。これにより、櫛型電極１２を形成すべき領域の第１絶縁膜１６が除去されて開口する。第１絶縁膜１６のエッチングは、第１絶縁膜１６の側面形状が垂直となるよう、異方性のドライエッチングを用いることが好ましい。
【００３４】
図３（ｄ）のように、例えばスパッタ法を用いて、パターニングされた第１絶縁膜１６の側面および圧電基板１０の上面を覆うように第１拡散防止膜１８を形成する。第１拡散防止膜１８の厚さは、例えば１０ｎｍである。なお、パターニングされた第１絶縁膜１６の上面にはマスク層２４が残存しているため、第１絶縁膜１６の上面に第１拡散防止膜１８は形成されない。
【００３５】
図４（ａ）のように、例えば蒸着法を用いて櫛型電極１２の材料であるＣｕ２８を堆積して、第１絶縁膜１６の間の開口部にＣｕ２８を埋め込む。なお、第１絶縁膜１６上にマスク層２４があるため、第１絶縁膜１６の上面にはＣｕ２８は堆積されない。また、第１拡散防止膜１８とＣｕ２８の密着性を高める目的から、第１拡散防止膜１８とＣｕ２８との間に接着層として機能するＴｉ（チタン）層などを設けてもよい。次いで、図４（ｂ）のように、マスク層２４とマスク層２４の上面に堆積されたＣｕ２８とを除去することで、第１絶縁膜１６間の開口部にのみＣｕ２８を残存させる。これにより、パターニングされた第１絶縁膜１６の間に櫛型電極１２が形成される。このように、リフトオフ法を用いて櫛型電極１２を形成することで、櫛型電極１２の形状は、圧電基板１０から離れるに従い圧電基板１０に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状となる。なお、マスク層２４の側面にも第１拡散帽子膜１８が堆積される場合があるが、上述のようにリフトオフをすることで、マスク層２４の側面に形成された第１拡散防止膜１８も除去される。櫛型電極１２の厚さは、櫛型電極１２の上面と第１絶縁膜１６の上面とが同一平面になるように調整することが好ましい。即ち、実施例１においては、櫛型電極１２の厚さは、例えば１２０ｎｍである場合が好ましく、このような厚さになるよう、Ｃｕ２８の堆積量を調整することが好ましい。
【００３６】
図４（ｃ）のように、例えばスパッタ法を用いて、櫛型電極１２の上面および第１絶縁膜１６の上面に第２拡散防止膜２０を形成する。このとき、櫛型電極１２がテーパ形状をしているため、櫛型電極１２の側面にも第２拡散防止膜２０が形成され易くなり、この結果、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の隙間は第２拡散防止膜２０で埋め込まれる。なお、第２拡散防止膜２０は、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の隙間を完全に埋め込まずに、櫛型電極１２の側面と第１拡散防止膜１８の側面とに形成されている場合であればよい。これにより、櫛型電極１２は、第１拡散防止膜１８と第２拡散防止膜２０とにより覆われた状態になる。第２拡散防止膜２０の厚さは、例えば２０ｎｍである。
【００３７】
図４（ｄ）のように、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、第２拡散防止膜２０の上面に第２絶縁膜２２を形成する。第２絶縁膜２２の膜厚は、例えば４００ｎｍである。以上の工程により、図２（ｂ）に示した実施例１に係る弾性波デバイスが完成する。
【００３８】
以上説明してきたように、実施例１に係る弾性波デバイス１００によれば、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間に第１絶縁膜１６の側面を覆うように第１拡散防止膜１８が形成されている。さらに、櫛型電極１２の側面に第２拡散防止膜２０が形成されている。これにより、櫛型電極１２を構成する金属が第１絶縁膜１６中に拡散することを抑制できる。特に、第１絶縁膜１６の側面に第１拡散防止膜１８を形成し、且つ櫛型電極１２の側面に第２拡散防止膜２０を形成することで、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間の拡散防止膜の厚さを厚くすることができ、金属の拡散をより抑制することができる。例えば、圧電基板１０と櫛型電極１２との間に形成される第１拡散防止膜１８の厚さを薄くしようとすると、第１絶縁膜１６の側面に形成される第１拡散防止膜１８の厚さも薄くなるが、櫛型電極１２と第１絶縁膜１６との間に第１拡散防止膜１８に加えて第２拡散防止膜２０が形成されることで、櫛型電極１２を構成する金属が第１絶縁膜１６に拡散することを抑制できる。また、櫛型電極１２と第２絶縁膜２２との間には第２拡散防止膜２０が形成されているため、櫛型電極１２を構成する金属が第２絶縁膜２２中に拡散することを抑制できる。このように、櫛型電極を構成する金属が絶縁膜中に拡散することを抑制できることで、弾性波デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００３９】
図４（ａ）および図４（ｂ）で説明したように、リフトオフ法を用いて櫛型電極１２を形成することで、櫛型電極１２の形状を、圧電基板１０から離れるに従い圧電基板１０に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状としている。櫛型電極１２の形状をこのようなテーパ形状とすることで、第２拡散防止膜２０を櫛型電極１２の側面に容易且つより確実に形成することができ、櫛型電極１２を構成する金属が第１絶縁膜１６に拡散することをより確実に抑制できる。なお、櫛型電極１２の形成方法はリフトオフ法に限られず、櫛型電極１２の形状が上述したテーパ形状となる方法であれば、その他の形成方法を用いてもよい。
【００４０】
実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法によれば、図３（ｃ）のように、第１絶縁膜１６上に形成したマスク層２４をマスクに第１絶縁膜１６をパターニングし、図３（ｄ）および図４（ａ）のように、第１絶縁膜１６上にマスク層２４を残存させた状態で第１拡散防止膜１８となる材料および櫛型電極１２となる材料を堆積して、第１拡散防止膜１８および櫛型電極１２を形成している。このような方法を用いることで、第１絶縁膜１６の上面には第１拡散防止膜１８となる材料および櫛型電極１２となる材料が形成されない。したがって、第１絶縁膜１６上面に形成された材料を除去する工程が必要なく、プロセス工程を簡略にできる。
【００４１】
図３（ｄ）から図４（ｂ）で説明したように、圧電基板１０の上面および第１絶縁膜１６の側面に第１拡散防止膜１８を形成した後、第１絶縁膜１６の間に櫛型電極１２を形成している。これにより、第１拡散防止膜１８が圧電基板１０と櫛型電極１２との間にも設けられることになる。このように、圧電基板１０と櫛型電極１２との間にも第１拡散防止膜１８が設けられることで、櫛形電極１２を構成する金属の第１絶縁膜１６への拡散をさらに抑制することができる。
【００４２】
図２（ｂ）に示すように、第２拡散防止膜２０は、櫛型電極１２の上面と第１絶縁膜１６の上面とを覆うように設けられている。つまり、第２拡散防止膜２０は、櫛型電極１２の上面全面と第１絶縁膜１６の上面全面とに設けられている。これにより、櫛型電極１２を構成する金属の第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２２への拡散をさらに抑制することができる。また、櫛型電極１２が、第１拡散防止膜１８と第２拡散防止膜２０とにより覆われている構成とすることで、櫛型電極１２を構成する金属の第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２２への拡散をさらに抑制することができる。
【００４３】
図４（ａ）および図４（ｂ）で説明したように、櫛型電極１２の上面と第１絶縁膜１６の上面とが同一平面にあるように形成することが好ましい。これにより、第２拡散防止膜２０に生じる凹凸を抑制できる。この結果、第２拡散防止膜２０上に形成する第２絶縁膜２２に生じる凹凸も抑制できる。つまり、第２拡散防止膜２０の表面と第２絶縁膜２２の表面とを平坦化することができる。これにより、弾性波デバイスの特性悪化を抑制できる。
【００４４】
実施例１において、第１拡散防止膜１８はＴｉＮ（窒化チタン）である場合を例に示したが、拡散防止膜としての機能を果たす材料であれば、弾性波デバイスの特性最適化や信頼性向上のために、その他の材料を用いてもよい。第１拡散防止膜１８は導電性材料である場合でも、非導電性材料である場合でもよい。例えば、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、およびこれらの金属のうちの１つを主成分とする化合物（例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮなど）を用いることができる。
【００４５】
また、実施例１において、第２拡散防止膜２０はＳｉＮ（窒化シリコン）である場合を例に示したが、これについても拡散防止膜としての機能を果たす材料であれば、弾性波デバイスの特性最適化や信頼性向上のために、その他の材料（例えば、ＴａＮやＳｉＣなど）を用いてもよい。ただし、櫛型電極１２間の絶縁を図るため、第２拡散防止膜２０は絶縁性の材料で形成することが望ましい。
【００４６】
また、実施例１において、第１拡散防止膜１８および第２拡散防止膜２０はスパッタ法を用いて形成する場合を例に示したが、ＣＶＤ法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成してもよい。
【００４７】
また、実施例１では第１絶縁膜１６と第２絶縁膜２２とは同じ材料で形成したが、異なる材料で形成されている場合でもよい。しかしながら、実施例１のように同じ材料を用いることで、弾性波デバイスの温度特性を改善することができる。また、実施例１では、第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２２はＳｉＯ２膜である場合を例に示したが、その他の材料を用いてもよい。ただし、ＳｉＯ２膜を用いることで、その他の材料（例えば、ＳｉＮやＳｉＣなど）を用いる場合に比べて弾性波デバイスの温度特性を改善することができる。また、実施例１では、櫛型電極１２はＣｕ（銅）で形成されている場合を例に示したが、その他の材料により形成されている場合でもよい。その場合、例えばＡｌ（アルミニウム）のような比較的軽い金属よりも、例えばＣｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ａｇ（銀）およびこれらの金属のうちの１つを主成分とする合金のように比較的重く、絶縁膜への拡散が生じやすい金属の場合が実施例１に係る弾性波デバイスの構成に適している。
【００４８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０ 圧電基板
１２ 櫛型電極
１４ 反射器
１６ 第１絶縁膜
１８ 第１拡散防止膜
２０ 第２拡散防止膜
２２ 第２絶縁膜
２４ マスク層
３０ 共振器
５０ 圧電基板
５２ 第１絶縁膜
５４ レジスト
５６ 櫛型電極
５８ 拡散防止膜
６０ 第２絶縁膜
１００ 弾性波デバイス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
前記圧電基板上であって、前記櫛型電極の電極指間に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の側面を覆うように、前記櫛型電極と前記第１絶縁膜との間に設けられた第１拡散防止膜と、
前記櫛型電極の上面および側面と前記第１絶縁膜の上面とに設けられた絶縁性の第２拡散防止膜と、
前記第２拡散防止膜上に設けられた第２絶縁膜と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記櫛型電極は、前記圧電基板から離れるに従い前記圧電基板に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状を有することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第２拡散防止膜は、前記櫛型電極の上面と前記第１絶縁膜の上面とを覆うように設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第１拡散防止膜は、前記圧電基板と前記櫛型電極との間にも設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記櫛型電極は、前記第１拡散防止膜と前記第２拡散防止膜とにより覆われていることを特徴とする請求項４記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記櫛型電極の上面と前記第１絶縁膜の上面とは同一平面にあることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１絶縁膜の材料と前記第２絶縁膜の材料は同じであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記櫛型電極は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇおよびこれらの金属のうちの１つを主成分とする合金のいずれかであることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第１拡散防止膜は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗおよびこれらの金属のうちの１つを主成分とする化合物のいずれかであることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
圧電基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜をパターニングする工程と、
前記圧電基板の上面およびパターニングされた前記第１絶縁膜の側面に第１拡散防止膜を形成する工程と、
前記第１拡散防止膜を形成した後、パターニングされた前記第１絶縁膜の間に櫛型電極を形成する工程と、
前記櫛型電極の上面および側面と前記第１絶縁膜の上面とに絶縁性の第２拡散防止膜を形成する工程と、
前記第２拡散防止膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記櫛型電極を形成する工程は、前記圧電基板から離れるに従い前記圧電基板に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状の前記櫛型電極を形成する工程であることを特徴とする請求項１１記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記第１絶縁膜をパターニングする工程は、前記第１絶縁膜上に形成したマスク層をマスクにして前記第１絶縁膜をパターニングする工程であり、
前記第１拡散防止膜を形成する工程および前記櫛型電極を形成する工程は、前記第１絶縁膜上に前記マスク層を残存させた状態で前記第１拡散防止膜の材料および前記櫛型電極の材料を堆積することにより実行されることを特徴とする請求項１１および１２記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
前記圧電基板上であって、前記櫛型電極の電極指間に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の側面を覆うように、前記櫛型電極と前記第１絶縁膜との間に設けられた第１拡散防止膜と、
前記櫛型電極の上面および側面と前記第１絶縁膜の上面とに設けられた絶縁性の第２拡散防止膜と、
前記第２拡散防止膜上に設けられた第２絶縁膜と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記櫛型電極は、前記圧電基板から離れるに従い前記圧電基板に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状を有することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第２拡散防止膜は、前記櫛型電極の上面と前記第１絶縁膜の上面とを覆うように設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第１拡散防止膜は、前記圧電基板と前記櫛型電極との間にも設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記櫛型電極は、前記第１拡散防止膜と前記第２拡散防止膜とにより覆われていることを特徴とする請求項４記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記櫛型電極の上面と前記第１絶縁膜の上面とは同一平面にあることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１絶縁膜の材料と前記第２絶縁膜の材料は同じであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記櫛型電極は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇおよびこれらの金属のうちの１つを主成分とする合金のいずれかであることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第１拡散防止膜は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗおよびこれらの金属のうちの１つを主成分とする化合物のいずれかであることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
圧電基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜をパターニングする工程と、
前記圧電基板の上面およびパターニングされた前記第１絶縁膜の側面に第１拡散防止膜を形成する工程と、
前記第１拡散防止膜を形成した後、パターニングされた前記第１絶縁膜の間に櫛型電極を形成する工程と、
前記櫛型電極の上面および側面と前記第１絶縁膜の上面とに絶縁性の第２拡散防止膜を形成する工程と、
前記第２拡散防止膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記櫛型電極を形成する工程は、前記圧電基板から離れるに従い前記圧電基板に水平方向の幅が狭まるようなテーパ形状の前記櫛型電極を形成する工程であることを特徴とする請求項１１記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記第１絶縁膜をパターニングする工程は、前記第１絶縁膜上に形成したマスク層をマスクにして前記第１絶縁膜をパターニングする工程であり、
前記第１拡散防止膜を形成する工程および前記櫛型電極を形成する工程は、前記第１絶縁膜上に前記マスク層を残存させた状態で前記第１拡散防止膜の材料および前記櫛型電極の材料を堆積することにより実行されることを特徴とする請求項１１および１２記載の弾性波デバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−１２４７４５（Ｐ２０１１−１２４７４５Ａ）
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８００９２（Ｐ２００９−２８００９２）
【出願日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
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