弾性波素子
【課題】弾性波素子１０の電気特性の向上と歩留まり劣化を抑制すること。
【解決手段】本発明の弾性波素子１０は、圧電基板１５と、圧電基板１５の上に設けられた２つの反射器電極と、２つの反射器電極１２、１３の間に設けられたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１と、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２または１３との間のギャップからＩＤＴ電極１１の電極指の伸延方向の延長線上に反射器電極１２または１３またはＩＤＴ電極１１から所定距離をあけて設けられたダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄを備える。この構成によって、ドライエッチングを行う際、エッチングガスをダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との間の隙間からギャップに充分にエッチングガスを供給でき、エッチングを安定的に行うことができる。
【解決手段】本発明の弾性波素子１０は、圧電基板１５と、圧電基板１５の上に設けられた２つの反射器電極と、２つの反射器電極１２、１３の間に設けられたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１と、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２または１３との間のギャップからＩＤＴ電極１１の電極指の伸延方向の延長線上に反射器電極１２または１３またはＩＤＴ電極１１から所定距離をあけて設けられたダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄを備える。この構成によって、ドライエッチングを行う際、エッチングガスをダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との間の隙間からギャップに充分にエッチングガスを供給でき、エッチングを安定的に行うことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話などの通信機器に用いられる弾性波素子に関するものである。
【０００２】
図５は、従来の弾性波素子７０の上面模式図である。弾性波素子７０は、圧電基板７５の上面に形成されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極７１と反射器電極７２、７３とを備える。ＩＤＴ電極７１は反射器電極７２と反射器電極７３の間に設置されている。
【０００３】
ＩＤＴ電極７１は、バスバー７１Ａ、交差電極指７１Ｂ、及び非交差電極指７１Ｃから構成されている。
【０００４】
弾性波素子７０において、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３の間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄに切欠部が設けられている。切欠部は、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３の短絡を防止する目的で設けられている。
【０００５】
この出願に関する先行文献として、例えば特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−８４１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の弾性波素子７０は、ドライエッチング工程によってＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３を形成する際、ドライエッチング工程でＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄ部分の電極膜を充分に除去することができず、不要な電極膜が残存し、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄで短絡が生じ、歩留まりが劣化する可能性がある。
【０００８】
これは、ドライエッチング工程において、ＩＤＴ電極と反射器電極との間のギャップの開口率が大きくなり、ドライエッチングする面積が大きくなる。結果、ドライエッチングを行う際に用いるエッチングガスが十分に供給されず、安定的にエッチングが行えなくなるためである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板の上に設けられた２つの反射器電極と、２つの反射器電極の間に設けられたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、ＩＤＴ電極と反射器電極との間のギャップからＩＤＴ電極の電極指の伸延方向の延長線上に反射器電極またはＩＤＴ電極から所定距離をあけてダミー電極を設けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の弾性波素子において、ＩＤＴ電極と反射器電極との間のギャップからＩＤＴ電極の電極指の伸延方向の延長線上に、反射器電極またはＩＤＴ電極から所定距離をあけてダミー電極を設置することによって、ドライエッチング工程において、ＩＤＴ電極と反射器電極との間のギャップ近傍の開口率を小さくし、ドライエッチングする面積を減少することができる。結果、ドライエッチングを行う際に用いるエッチングガスの反応量を抑え、安定的にエッチングを行うことができる。これにより、不要な電極膜の発生を抑制し、ＩＤＴ電極と反射器電極との短絡を防止することができ、歩留まり劣化を抑制する効果をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性波素子の上面模式図
【図２】同弾性波素子の他の上面模式図
【図３】本発明の実施の形態２における弾性波素子の上面模式図
【図４】同弾性波素子の他の上面模式図
【図５】従来の弾性波素子の上面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における弾性波素子１０について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１は本発明の実施の形態１における弾性波素子１０の上面模式図である。弾性波素子１０は、圧電材料よりなる圧電基板１５と、インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１と、反射器電極１２、１３と、ダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄとを備える。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３とダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄは圧電基板１５の上面１５Ａに形成されている。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２との間にはギャップＧ１１が設けられており、ＩＤＴ電極１１はギャップＧ１１を介して反射器電極１２と離れて対向している。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１３との間にはギャップＧ１２が設けられており、ＩＤＴ電極１１はギャップＧ１２を介して反射器電極１３と離れて対向している。ＩＤＴ電極１１の電極指は方向Ｄ１１に延びる。ダミー電極１６Ａ、１６Ｃは、ギャップＧ１１を通って方向Ｄ１１に延びる直線Ｌ１１上に位置し、反射器電極１２とＩＤＴ電極１１から所定距離をあけて設けられている。ダミー電極１６Ｂ、１６Ｄは、ギャップＧ１２を通って方向Ｄ１１と平行に延びる直線Ｌ１２上に設けられており、反射器電極１３とＩＤＴ電極１１から所定距離をあけて設けられている。
【００１４】
ＩＤＴ電極１１は櫛歯電極１１Ａ、１１Ｃを備える。櫛歯電極１１Ａは、方向Ｄ１１と非平行で直角の方向Ｄ１２に延びるバスバー１１Ｅと、バスバー１１Ｅから方向Ｄ１１で櫛歯電極１１Ｃに向かって延びる複数の交差電極指１１Ｂと、バスバー１１Ｅから方向Ｄ１１で櫛歯電極１１Ｃに向かって延びる複数の非交差電極指１１Ｇとを備える。櫛歯電極１１Ｃは、方向Ｄ１２に延びるバスバー１１Ｆと、バスバー１１Ｆから方向Ｄ１１で櫛歯電極１１Ａに向かって延びる複数の交差電極指１１Ｄと、バスバー１１Ｆから方向Ｄ１１で櫛歯電極１１Ａに向かって延びる複数の非交差電極指１１Ｈとを備える。櫛歯電極１１Ａは、複数の交差電極指１１Ｂと複数の交差電極指１１Ｄが交差するように櫛歯電極１１Ｃに対向している。ＩＤＴ電極１１は反射器電極１２と反射器電極１３の間に設置されている。ＩＤＴ電極１１によって圧電基板１５に励振される主要弾性波は方向Ｄ１２の伝播方向に伝搬する。反射器電極１２、１３は方向Ｄ１２においてＩＤＴ電極１１の両側に形成されている。
【００１５】
弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３とダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６ＤはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、ＲｕＯ2、ＺｎＯおよびＩＴＯの中から選択された少なくとも一つの材料を主成分とする主電極層を有する。これらの電極は、この主電極層と、これらの材料から選択される他の材料よりなる層の２層以上の積層構造で構成されてもよい。実施の形態１において、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３とダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄは、圧電基板１５の上面１５Ａ上に設けられたＴｉよりなる密着層と、この密着層上に設けられたＡｌよりなる主電極層からなる。
【００１６】
ダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄは、それら全てが設けられていなくともよく、これらのうち少なくとも１つのみが設けられていてもよい。
【００１７】
ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３の短絡を防止するために、ギャップＧ１１、Ｇ１２に面するＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３の部分に切欠部１１Ｐが形成されていてもよい。
【００１８】
弾性波素子１０は、反射器電極１２、１３及びＩＤＴ電極１１及びダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄを覆うように圧電基板１５の上面１５Ａ上に設けられた例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の誘電体からなる誘電体層１０Ａを備えていても良い。
【００１９】
複数の交差電極指１１Ｂ、１１Ｄは互いに交差するように配置されているが、複数の非交差電極指１１Ｇ、１１Ｈは互いに交差しないように配置されている。なお、ＩＤＴ電極１１は複数の非交差電極指１１Ｇ、１１Ｈを備えていなくてもよい。
【００２０】
ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２とはギャップＧ１１の方向Ｄ１２の幅である所定距離（最短距離）Ｗ１１だけ離れている。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１３とはギャップＧ１２の方向Ｄ１２の幅である所定距離（最短距離）Ｗ１２だけ離れている。
【００２１】
ダミー電極１６Ａは、ＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ａと反射器電極１２とから所定距離（最短距離）Ｗ１１６Ａ、Ｗ２１６Ａだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１１６Ａ、Ｗ２１６Ａは所定距離Ｗ１１より大きい。所定距離Ｗ１１６Ａ、Ｗ２１６Ａのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ１１より大きくてもよい。
【００２２】
ダミー電極１６Ｂは、ＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ａと反射器電極１３から所定距離（最短距離）Ｗ１１６Ｂ、Ｗ２１６Ｂだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１１６Ｂ、Ｗ２１６Ｂは所定距離Ｗ１２より大きい。所定距離Ｗ１１６Ｂ、Ｗ２１６Ｂのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ１２より大きくてもよい。
【００２３】
ダミー電極１６Ｃは、ＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ｃと反射器電極１２から所定距離（最短距離）Ｗ１１６Ｃ、Ｗ２１６Ｃだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１１６Ｃ、Ｗ２１６Ｃは所定距離Ｗ１１より大きい。所定距離Ｗ１１６Ｃ、Ｗ２１６Ｃのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ１１より大きくてもよい。
【００２４】
ダミー電極１６Ｄは、ＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ｃと反射器電極１３から所定距離（最短距離）Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ｄだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ｄは所定距離Ｗ１２より大きい。所定距離Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ｄのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ１２より大きくてもよい。
【００２５】
所定距離Ｗ１１６Ａ〜Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ａ〜Ｗ２１６ＤはＩＤＴ電極１１に励振される主要弾性波の波長より小さい。
【００２６】
以下、弾性波素子１０の製造方法について説明する。
【００２７】
まず、圧電基板１５の上面１５Ａに上述の材料から構成された電極膜を蒸着、スパッタ、またはＣＶＤ等の方法で成膜する。次に、電極膜の上面にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜を所望の形状に加工する。次に、ドライエッチング技術を用いて電極膜をＩＤＴ電極１１や反射器電極１２、１３、ダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄ等の所望の形状に加工した後、レジスト膜を除去する。そして、ダイシングにより、圧電基板１５を切断することにより、個片の弾性波素子１０を得る。
【００２８】
図５に示す従来の弾性波素子７０では、ドライエッチング工程によってＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３を形成する際、ドライエッチング工程でＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄでの電極膜を充分に除去することができず、不要な電極膜が残存する場合がある。この場合には、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄで短絡が生じ、歩留まりが劣化する場合がある。
【００２９】
ドライエッチング工程において、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３との間のギャップ７４Ａ〜７４Ｄの開口率が大きくなり、ドライエッチングする面積が大きくなる。なお、開口率とは、上記製造工程において、レジスト膜を形成する部分とレジスト膜を形成しない部分の和の面積に対するレジスト膜を形成しない部分の面積の割合である。結果、ドライエッチングを行う際に用いるエッチングガスが十分に供給されず、安定的にエッチングが行えなくなり、上記電極間に電極膜が残存する。
【００３０】
実施の形態１における弾性波素子１０では、ダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄを設けることによって、レジスト膜を用いたドライエッチング工程において、局所的にＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３との間のギャップＧ１１、Ｇ１２の近傍のレジスト膜の開口率を小さくし、エッチングする面積を減少することができる。従って、ドライエッチングを行う際に使用するエッチングガスの反応量を抑えることで、エッチングガスをダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との所定距離Ｗ１１６Ａ〜Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ａ〜Ｗ２１６Ｄの隙間からギャップＧ１１、Ｇ１２に充分にエッチングガスを供給でき、電極膜を安定にエッチングすることができる。結果、不要な電極膜の残存を抑制し、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２または反射器電極１３との短絡を防止し、歩留まり劣化を抑制することができる。所定距離Ｗ１１６Ａ〜Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ａ〜Ｗ２１６Ｄが所定距離Ｗ１１、Ｗ１２より大きく、かつＩＤＴ電極１１に励振される主要弾性波の波長より小さい場合に、上記効果が顕著に得られる。
【００３１】
図２は実施の形態１における他の弾性波素子１０１０の上面模式図である。図２において、図１に示す弾性波素子１０と同じ部分には同じ参照番号を付す。図２に示す弾性波素子１０１０は、図１に示す弾性波素子１０のダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄの代わりにダミー電極６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ、６６Ｄを備える。ダミー電極６６Ａ〜６６ＤとＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３との距離の関係は、図１に示す弾性波素子１０のダミー電極１６Ａ〜１６ＤとＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３との距離の関係と同じである。
【００３２】
ダミー電極６６Ａの部分１６６Ａの方向Ｄ１２の幅は、ダミー電極６６Ａの部分１６６Ａに比べてギャップＧ１１からより遠い部分２６６Ａの方向Ｄ１２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極６６Ａは、ギャップＧ１１に向かって細くなる突出部３６６Ａを有することが好ましい。
【００３３】
同様に、ダミー電極６６Ｂの部分１６６Ｂの方向Ｄ１２の幅は、ダミー電極６６Ｂの部分１６６Ｂに比べてギャップＧ１２からより遠い部分２６６Ｂの方向Ｄ１２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極６６Ｂは、ギャップＧ１２に向かって細くなる突出部３６６Ｂを有することが好ましい。
【００３４】
同様に、ダミー電極６６Ｃの部分１６６Ｃの方向Ｄ１２の幅は、ダミー電極６６Ｃの部分１６６Ｃに比べてギャップＧ１１からより遠い部分２６６Ｃの方向Ｄ１２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極６６Ｃは、ギャップＧ１１に向かって細くなる突出部３６６Ｃを有することが好ましい。
【００３５】
同様に、ダミー電極６６Ｄの部分１６６Ｄの方向Ｄ１２の幅は、ダミー電極６６Ｄの部分１６６Ｄに比べてギャップＧ１２からより遠い部分２６６Ｄの方向Ｄ１２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極６６Ｄは、ギャップＧ１２に向かって細くなる突出部３６６Ｄを有することが好ましい。
【００３６】
この構成により、エッチングガスをダミー電極６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ、６６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との所定距離Ｗ１１６Ａ〜１１６Ｄ、２１６Ａ〜２１６Ｄの隙間からギャップＧ１１、Ｇ１２にエッチングガスを効率よく供給できる。これにより、電極膜を安定にエッチングすることができる。結果、不要な電極膜の残存を抑制し、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２または反射器電極１３との短絡を防止し、歩留まり劣化を抑制することができる。
【００３７】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２における弾性波素子２０の上面模式図である。図３において、弾性波素子２０は、圧電基板２５と、ＩＤＴ電極２１、２２と、反射器電極２３、２４と、ダミー電極２６Ａ、２６Ｂとを備える。ＩＤＴ電極２１、２２と、反射器電極２３、２４と、ダミー電極２６Ａ、２６Ｂは圧電基板２５の上面２５Ａに設けられている。ＩＤＴ電極２１、２２間にはギャップＧ２１が設けられており、ＩＤＴ電極２１はギャップＧ２１を介してＩＤＴ電極２２と離れて対向している。ＩＤＴ電極２１と反射器電極２３との間にはギャップＧ２２が設けられており、ＩＤＴ電極２１はギャップＧ２２を介して反射器電極２３と離れて対向している。ＩＤＴ電極２２と反射器電極２４との間にはギャップＧ２３が設けられており、ＩＤＴ電極２２はギャップＧ２３を介して反射器電極２４と離れて対向している。ＩＤＴ電極２１、２２の電極指は方向Ｄ２１に延びる。ダミー電極２６Ａ、２６Ｂは、ギャップＧ２１を通って方向Ｄ２１と平行に延びる直線Ｌ２１上に位置し、ＩＤＴ電極２１、２２から所定距離をあけて設けられている。
【００３８】
ＩＤＴ電極２１は櫛歯電極２７、２８を備える。櫛歯電極２７は、方向Ｄ２１と非平行で直角の方向Ｄ２２に延びるバスバー２７Ｃと、バスバー２７Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２８に向かって延びる複数の交差電極指２７Ａと、バスバー２７Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２８に向かって延びる複数の非交差電極指２７Ｂとを備える。櫛歯電極２８は、方向Ｄ２２に延びるバスバー２８Ｃと、バスバー２８Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２７に向かって延びる複数の交差電極指２８Ａと、バスバー２８Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２７に向かって延びる複数の非交差電極指２８Ｂとを備える。櫛歯電極２７は、複数の交差電極指２７Ａと複数の交差電極指２８Ａが交差するように櫛歯電極２８に対向している。
【００３９】
ＩＤＴ電極２２は櫛歯電極２９、３０を備える。櫛歯電極２９は、方向Ｄ２２に延びるバスバー２９Ｃと、バスバー２９Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極３０に向かって延びる複数の交差電極指２９Ａと、バスバー２９Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極３０に向かって延びる複数の非交差電極指２９Ｂとを備える。櫛歯電極３０は、方向Ｄ２２に延びるバスバー３０Ｃと、バスバー３０Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２９に向かって延びる複数の交差電極指３０Ａと、バスバー３０Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２９に向かって延びる複数の非交差電極指３０Ｂとを備える。櫛歯電極２９は、複数の交差電極指２９Ａと複数の交差電極指３０Ａが交差するように櫛歯電極３０に対向している。
【００４０】
ＩＤＴ電極２１、２２は反射器電極２３、２４間に設置されている。ＩＤＴ電極２１、２２によって励振される主要弾性波は方向Ｄ２２の伝搬方向に伝播する。反射器電極２３、２４は方向Ｄ２２においてＩＤＴ電極２１、２２の両側に形成されている。
【００４１】
ＩＤＴ電極２１、２２と反射器電極２３、２４とダミー電極２６Ａ、２６ＢはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、ＲｕＯ2、ＺｎＯおよびＩＴＯの中から選択された少なくとも一つの材料を主成分とする主電極層を有する。これら電極は、この主電極層と、これらの材料から選択される他の材料よりなる層の２層以上の積層構造で構成されてもよい。実施の形態２において、ＩＤＴ電極２１、２２と反射器電極２３、２４とダミー電極２６Ａ、２６Ｂは、圧電基板２５の上面２５Ａ上に設けられたＴｉよりなる密着層と、この密着層上に設けられたＡｌよりなる主電極層からなる。
【００４２】
ダミー電極２６Ａ、２６Ｂは、それら双方が設けられていなくともよく、これらのうち少なくとも１つのみが設けられていてもよい。
【００４３】
複数の交差電極指２７Ａ、２８Ａは互いに交差するように配置されているが、複数の非交差電極指２７Ｂ、２８Ｂは互いに交差しないように配置されている。なお、ＩＤＴ電極２１は複数の非交差電極指２７Ｂ、２８Ｂを備えていなくてもよい。同様に、複数の交差電極指２９Ａ、３０Ａは互いに交差するように配置されているが、複数の非交差電極指２９Ｂ、３０Ｂは互いに交差しないように配置されている。なお、ＩＤＴ電極２２は複数の非交差電極指２９Ｂ、３０Ｂを備えていなくてもよい。
【００４４】
ＩＤＴ電極２１、２２はギャップＧ２１の方向Ｄ２２の幅である所定距離（最短距離）Ｗ２１だけ離れている。
【００４５】
ダミー電極２６Ａは、ＩＤＴ電極２１の櫛歯電極２７とＩＤＴ電極２２の櫛歯電極２９とから所定距離（最短距離）Ｗ１２６Ａ、Ｗ２２６Ａだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１２６Ａ、Ｗ２２６Ａは所定距離Ｗ２１より大きい。所定距離Ｗ１２６Ａ、Ｗ２２６Ａのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ２１より大きくてもよい。
【００４６】
ダミー電極２６Ｂは、ＩＤＴ電極２１の櫛歯電極２８とＩＤＴ電極２２の櫛歯電極３０とから所定距離（最短距離）Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ｂだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ｂは所定距離Ｗ２１より大きい。所定距離Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ｂのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ２１より大きくてもよい。
【００４７】
以下、弾性波素子２０の製造方法について説明する。
【００４８】
まず、圧電基板２５の上面２５Ａに上述の材料から構成された電極膜を蒸着、スパッタ、またはＣＶＤ等の方法で成膜する。次に、電極膜の上面にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜を所望の形状に加工する。次に、ドライエッチング技術を用いて電極膜をＩＤＴ電極２１、２２や反射器電極２３、２４、ダミー電極２６Ａ、２６Ｂ等の所望の形状に加工した後、レジスト膜を除去する。そして、ダイシングにより圧電基板２５を切断することにより、個片の弾性波素子２０を得る。
【００４９】
実施の形態２における弾性波素子２０では、ダミー電極２６Ａ、２６Ｂを設けることによって、ドライエッチング工程において、局所的にＩＤＴ電極２１、２２間のギャップＧ２１の近傍の開口率を小さくし、ドライエッチングを行うときのエッチング面積を減少することができる。従って、ドライエッチングに使用するエッチングガスの反応量を抑えることで、エッチングガスをダミー電極２６Ａ、２６ＢとＩＤＴ電極２１、２２との所定距離Ｗ１２６Ａ、Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ａ、Ｗ２２６Ｂの隙間からギャップＧ２１に充分にエッチングガスを供給でき、電極膜を安定にエッチングできる。結果、不要な電極膜の残存を抑制し、ＩＤＴ電極２１、２２の短絡を防止し、弾性波素子２０の歩留まり劣化を抑制することができる。
【００５０】
特に、所定距離Ｗ１２６Ａ、Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ａ、Ｗ２２６Ｂが所定距離Ｗ２１より大きく、さらにＩＤＴ電極２１、２２に励振される主要弾性波の波長より小さい場合に、上記効果が顕著に得られる。
【００５１】
図４は実施の形態２における他の弾性波素子１０２０の上面模式図である。図４において、図３に示す弾性波素子２０と同じ部分には同じ参照番号を付す。図４に示す弾性波素子１０２０は、図３に示す弾性波素子２０のダミー電極２６Ａ、２６Ｂの代わりにダミー電極７６Ａ、７６Ｂを備える。ダミー電極７６Ａ、７６ＢとＩＤＴ電極２１、２２との距離の関係は、図３に示す弾性波素子２０のダミー電極２６Ａ、２６ＢとＩＤＴ電極２１、２２の距離の関係と同じである。
【００５２】
ダミー電極７６Ａの部分１７６Ａの方向Ｄ２２の幅は、ダミー電極７６Ａの部分１７６Ａに比べてギャップＧ２１からより遠い部分２７６Ａの方向Ｄ２２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極７６Ａは、ギャップＧ２１に向かって細くなる突出部３７６Ａを有することが好ましい。
【００５３】
ダミー電極７６Ｂの部分１７６Ｂの方向Ｄ２２の幅は、ダミー電極７６Ｂの部分１７６Ｂに比べてギャップＧ２１からより遠い部分２７６Ｂの方向Ｄ２２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極７６Ｂは、ギャップＧ２１に向かって細くなる突出部３７６Ｂを有することが好ましい。
【００５４】
この構成により、エッチングガスをダミー電極２６Ａ、２６ＢとＩＤＴ電極２１、２２との所定距離Ｗ１２６Ａ、１２５Ｂ、２２６Ａ、２２６Ｂの隙間からギャップＧ２１にエッチングガスを効率的に供給できる。これにより、電極膜を安定にエッチングすることができる。結果、不要な電極膜の残存を抑制し、ＩＤＴ電極２１、２２の短絡を防止し、弾性波素子１０２０の歩留まり劣化を抑制することができる。
【００５５】
なお、実施の形態１、２において、「上面」等の方向を示す用語は、圧電基板やＩＤＴ電極等の弾性波素子の構成部品の相対的な位置関係にのみ依存する相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものでは無い。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の弾性波素子は、弾性波素子の歩留まり劣化を抑制する効果を有し、移動体通信機器などの電子機器に適用可能なものである。
【符号の説明】
【００５７】
１０、２０ 弾性波素子
１１、２１、２２ ＩＤＴ電極
１１Ａ、１１Ｃ、２７、２８、２９、３０ 櫛歯電極
１１Ｂ、１１Ｄ 交差電極指
１１Ｅ、１１Ｆ バスバー
１１Ｇ、１１Ｈ 非交差電極指
１２、１３、２３、２４ 反射器電極
１５、２５ 圧電基板
１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄ、２６Ａ、２６Ｂ ダミー電極
２７Ａ、２８Ａ、２９Ａ、３０Ａ 交差電極指
２７Ｂ、２８Ｂ、２９Ｂ、３０Ｂ 非交差電極指
２７Ｃ、２８Ｃ、２９Ｃ、３０Ｃ バスバー
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話などの通信機器に用いられる弾性波素子に関するものである。
【０００２】
図５は、従来の弾性波素子７０の上面模式図である。弾性波素子７０は、圧電基板７５の上面に形成されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極７１と反射器電極７２、７３とを備える。ＩＤＴ電極７１は反射器電極７２と反射器電極７３の間に設置されている。
【０００３】
ＩＤＴ電極７１は、バスバー７１Ａ、交差電極指７１Ｂ、及び非交差電極指７１Ｃから構成されている。
【０００４】
弾性波素子７０において、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３の間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄに切欠部が設けられている。切欠部は、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３の短絡を防止する目的で設けられている。
【０００５】
この出願に関する先行文献として、例えば特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−８４１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の弾性波素子７０は、ドライエッチング工程によってＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３を形成する際、ドライエッチング工程でＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄ部分の電極膜を充分に除去することができず、不要な電極膜が残存し、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄで短絡が生じ、歩留まりが劣化する可能性がある。
【０００８】
これは、ドライエッチング工程において、ＩＤＴ電極と反射器電極との間のギャップの開口率が大きくなり、ドライエッチングする面積が大きくなる。結果、ドライエッチングを行う際に用いるエッチングガスが十分に供給されず、安定的にエッチングが行えなくなるためである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板の上に設けられた２つの反射器電極と、２つの反射器電極の間に設けられたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、ＩＤＴ電極と反射器電極との間のギャップからＩＤＴ電極の電極指の伸延方向の延長線上に反射器電極またはＩＤＴ電極から所定距離をあけてダミー電極を設けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の弾性波素子において、ＩＤＴ電極と反射器電極との間のギャップからＩＤＴ電極の電極指の伸延方向の延長線上に、反射器電極またはＩＤＴ電極から所定距離をあけてダミー電極を設置することによって、ドライエッチング工程において、ＩＤＴ電極と反射器電極との間のギャップ近傍の開口率を小さくし、ドライエッチングする面積を減少することができる。結果、ドライエッチングを行う際に用いるエッチングガスの反応量を抑え、安定的にエッチングを行うことができる。これにより、不要な電極膜の発生を抑制し、ＩＤＴ電極と反射器電極との短絡を防止することができ、歩留まり劣化を抑制する効果をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性波素子の上面模式図
【図２】同弾性波素子の他の上面模式図
【図３】本発明の実施の形態２における弾性波素子の上面模式図
【図４】同弾性波素子の他の上面模式図
【図５】従来の弾性波素子の上面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における弾性波素子１０について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１は本発明の実施の形態１における弾性波素子１０の上面模式図である。弾性波素子１０は、圧電材料よりなる圧電基板１５と、インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１と、反射器電極１２、１３と、ダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄとを備える。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３とダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄは圧電基板１５の上面１５Ａに形成されている。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２との間にはギャップＧ１１が設けられており、ＩＤＴ電極１１はギャップＧ１１を介して反射器電極１２と離れて対向している。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１３との間にはギャップＧ１２が設けられており、ＩＤＴ電極１１はギャップＧ１２を介して反射器電極１３と離れて対向している。ＩＤＴ電極１１の電極指は方向Ｄ１１に延びる。ダミー電極１６Ａ、１６Ｃは、ギャップＧ１１を通って方向Ｄ１１に延びる直線Ｌ１１上に位置し、反射器電極１２とＩＤＴ電極１１から所定距離をあけて設けられている。ダミー電極１６Ｂ、１６Ｄは、ギャップＧ１２を通って方向Ｄ１１と平行に延びる直線Ｌ１２上に設けられており、反射器電極１３とＩＤＴ電極１１から所定距離をあけて設けられている。
【００１４】
ＩＤＴ電極１１は櫛歯電極１１Ａ、１１Ｃを備える。櫛歯電極１１Ａは、方向Ｄ１１と非平行で直角の方向Ｄ１２に延びるバスバー１１Ｅと、バスバー１１Ｅから方向Ｄ１１で櫛歯電極１１Ｃに向かって延びる複数の交差電極指１１Ｂと、バスバー１１Ｅから方向Ｄ１１で櫛歯電極１１Ｃに向かって延びる複数の非交差電極指１１Ｇとを備える。櫛歯電極１１Ｃは、方向Ｄ１２に延びるバスバー１１Ｆと、バスバー１１Ｆから方向Ｄ１１で櫛歯電極１１Ａに向かって延びる複数の交差電極指１１Ｄと、バスバー１１Ｆから方向Ｄ１１で櫛歯電極１１Ａに向かって延びる複数の非交差電極指１１Ｈとを備える。櫛歯電極１１Ａは、複数の交差電極指１１Ｂと複数の交差電極指１１Ｄが交差するように櫛歯電極１１Ｃに対向している。ＩＤＴ電極１１は反射器電極１２と反射器電極１３の間に設置されている。ＩＤＴ電極１１によって圧電基板１５に励振される主要弾性波は方向Ｄ１２の伝播方向に伝搬する。反射器電極１２、１３は方向Ｄ１２においてＩＤＴ電極１１の両側に形成されている。
【００１５】
弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３とダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６ＤはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、ＲｕＯ2、ＺｎＯおよびＩＴＯの中から選択された少なくとも一つの材料を主成分とする主電極層を有する。これらの電極は、この主電極層と、これらの材料から選択される他の材料よりなる層の２層以上の積層構造で構成されてもよい。実施の形態１において、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３とダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄは、圧電基板１５の上面１５Ａ上に設けられたＴｉよりなる密着層と、この密着層上に設けられたＡｌよりなる主電極層からなる。
【００１６】
ダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄは、それら全てが設けられていなくともよく、これらのうち少なくとも１つのみが設けられていてもよい。
【００１７】
ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３の短絡を防止するために、ギャップＧ１１、Ｇ１２に面するＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３の部分に切欠部１１Ｐが形成されていてもよい。
【００１８】
弾性波素子１０は、反射器電極１２、１３及びＩＤＴ電極１１及びダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄを覆うように圧電基板１５の上面１５Ａ上に設けられた例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の誘電体からなる誘電体層１０Ａを備えていても良い。
【００１９】
複数の交差電極指１１Ｂ、１１Ｄは互いに交差するように配置されているが、複数の非交差電極指１１Ｇ、１１Ｈは互いに交差しないように配置されている。なお、ＩＤＴ電極１１は複数の非交差電極指１１Ｇ、１１Ｈを備えていなくてもよい。
【００２０】
ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２とはギャップＧ１１の方向Ｄ１２の幅である所定距離（最短距離）Ｗ１１だけ離れている。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１３とはギャップＧ１２の方向Ｄ１２の幅である所定距離（最短距離）Ｗ１２だけ離れている。
【００２１】
ダミー電極１６Ａは、ＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ａと反射器電極１２とから所定距離（最短距離）Ｗ１１６Ａ、Ｗ２１６Ａだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１１６Ａ、Ｗ２１６Ａは所定距離Ｗ１１より大きい。所定距離Ｗ１１６Ａ、Ｗ２１６Ａのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ１１より大きくてもよい。
【００２２】
ダミー電極１６Ｂは、ＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ａと反射器電極１３から所定距離（最短距離）Ｗ１１６Ｂ、Ｗ２１６Ｂだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１１６Ｂ、Ｗ２１６Ｂは所定距離Ｗ１２より大きい。所定距離Ｗ１１６Ｂ、Ｗ２１６Ｂのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ１２より大きくてもよい。
【００２３】
ダミー電極１６Ｃは、ＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ｃと反射器電極１２から所定距離（最短距離）Ｗ１１６Ｃ、Ｗ２１６Ｃだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１１６Ｃ、Ｗ２１６Ｃは所定距離Ｗ１１より大きい。所定距離Ｗ１１６Ｃ、Ｗ２１６Ｃのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ１１より大きくてもよい。
【００２４】
ダミー電極１６Ｄは、ＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ｃと反射器電極１３から所定距離（最短距離）Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ｄだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ｄは所定距離Ｗ１２より大きい。所定距離Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ｄのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ１２より大きくてもよい。
【００２５】
所定距離Ｗ１１６Ａ〜Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ａ〜Ｗ２１６ＤはＩＤＴ電極１１に励振される主要弾性波の波長より小さい。
【００２６】
以下、弾性波素子１０の製造方法について説明する。
【００２７】
まず、圧電基板１５の上面１５Ａに上述の材料から構成された電極膜を蒸着、スパッタ、またはＣＶＤ等の方法で成膜する。次に、電極膜の上面にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜を所望の形状に加工する。次に、ドライエッチング技術を用いて電極膜をＩＤＴ電極１１や反射器電極１２、１３、ダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄ等の所望の形状に加工した後、レジスト膜を除去する。そして、ダイシングにより、圧電基板１５を切断することにより、個片の弾性波素子１０を得る。
【００２８】
図５に示す従来の弾性波素子７０では、ドライエッチング工程によってＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３を形成する際、ドライエッチング工程でＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄでの電極膜を充分に除去することができず、不要な電極膜が残存する場合がある。この場合には、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３間のギャップ７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ、７４Ｄで短絡が生じ、歩留まりが劣化する場合がある。
【００２９】
ドライエッチング工程において、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３との間のギャップ７４Ａ〜７４Ｄの開口率が大きくなり、ドライエッチングする面積が大きくなる。なお、開口率とは、上記製造工程において、レジスト膜を形成する部分とレジスト膜を形成しない部分の和の面積に対するレジスト膜を形成しない部分の面積の割合である。結果、ドライエッチングを行う際に用いるエッチングガスが十分に供給されず、安定的にエッチングが行えなくなり、上記電極間に電極膜が残存する。
【００３０】
実施の形態１における弾性波素子１０では、ダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄを設けることによって、レジスト膜を用いたドライエッチング工程において、局所的にＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３との間のギャップＧ１１、Ｇ１２の近傍のレジスト膜の開口率を小さくし、エッチングする面積を減少することができる。従って、ドライエッチングを行う際に使用するエッチングガスの反応量を抑えることで、エッチングガスをダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との所定距離Ｗ１１６Ａ〜Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ａ〜Ｗ２１６Ｄの隙間からギャップＧ１１、Ｇ１２に充分にエッチングガスを供給でき、電極膜を安定にエッチングすることができる。結果、不要な電極膜の残存を抑制し、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２または反射器電極１３との短絡を防止し、歩留まり劣化を抑制することができる。所定距離Ｗ１１６Ａ〜Ｗ１１６Ｄ、Ｗ２１６Ａ〜Ｗ２１６Ｄが所定距離Ｗ１１、Ｗ１２より大きく、かつＩＤＴ電極１１に励振される主要弾性波の波長より小さい場合に、上記効果が顕著に得られる。
【００３１】
図２は実施の形態１における他の弾性波素子１０１０の上面模式図である。図２において、図１に示す弾性波素子１０と同じ部分には同じ参照番号を付す。図２に示す弾性波素子１０１０は、図１に示す弾性波素子１０のダミー電極１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄの代わりにダミー電極６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ、６６Ｄを備える。ダミー電極６６Ａ〜６６ＤとＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３との距離の関係は、図１に示す弾性波素子１０のダミー電極１６Ａ〜１６ＤとＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３との距離の関係と同じである。
【００３２】
ダミー電極６６Ａの部分１６６Ａの方向Ｄ１２の幅は、ダミー電極６６Ａの部分１６６Ａに比べてギャップＧ１１からより遠い部分２６６Ａの方向Ｄ１２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極６６Ａは、ギャップＧ１１に向かって細くなる突出部３６６Ａを有することが好ましい。
【００３３】
同様に、ダミー電極６６Ｂの部分１６６Ｂの方向Ｄ１２の幅は、ダミー電極６６Ｂの部分１６６Ｂに比べてギャップＧ１２からより遠い部分２６６Ｂの方向Ｄ１２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極６６Ｂは、ギャップＧ１２に向かって細くなる突出部３６６Ｂを有することが好ましい。
【００３４】
同様に、ダミー電極６６Ｃの部分１６６Ｃの方向Ｄ１２の幅は、ダミー電極６６Ｃの部分１６６Ｃに比べてギャップＧ１１からより遠い部分２６６Ｃの方向Ｄ１２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極６６Ｃは、ギャップＧ１１に向かって細くなる突出部３６６Ｃを有することが好ましい。
【００３５】
同様に、ダミー電極６６Ｄの部分１６６Ｄの方向Ｄ１２の幅は、ダミー電極６６Ｄの部分１６６Ｄに比べてギャップＧ１２からより遠い部分２６６Ｄの方向Ｄ１２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極６６Ｄは、ギャップＧ１２に向かって細くなる突出部３６６Ｄを有することが好ましい。
【００３６】
この構成により、エッチングガスをダミー電極６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ、６６Ｄと反射器電極１２または反射器電極１３またはＩＤＴ電極１１との所定距離Ｗ１１６Ａ〜１１６Ｄ、２１６Ａ〜２１６Ｄの隙間からギャップＧ１１、Ｇ１２にエッチングガスを効率よく供給できる。これにより、電極膜を安定にエッチングすることができる。結果、不要な電極膜の残存を抑制し、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２または反射器電極１３との短絡を防止し、歩留まり劣化を抑制することができる。
【００３７】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２における弾性波素子２０の上面模式図である。図３において、弾性波素子２０は、圧電基板２５と、ＩＤＴ電極２１、２２と、反射器電極２３、２４と、ダミー電極２６Ａ、２６Ｂとを備える。ＩＤＴ電極２１、２２と、反射器電極２３、２４と、ダミー電極２６Ａ、２６Ｂは圧電基板２５の上面２５Ａに設けられている。ＩＤＴ電極２１、２２間にはギャップＧ２１が設けられており、ＩＤＴ電極２１はギャップＧ２１を介してＩＤＴ電極２２と離れて対向している。ＩＤＴ電極２１と反射器電極２３との間にはギャップＧ２２が設けられており、ＩＤＴ電極２１はギャップＧ２２を介して反射器電極２３と離れて対向している。ＩＤＴ電極２２と反射器電極２４との間にはギャップＧ２３が設けられており、ＩＤＴ電極２２はギャップＧ２３を介して反射器電極２４と離れて対向している。ＩＤＴ電極２１、２２の電極指は方向Ｄ２１に延びる。ダミー電極２６Ａ、２６Ｂは、ギャップＧ２１を通って方向Ｄ２１と平行に延びる直線Ｌ２１上に位置し、ＩＤＴ電極２１、２２から所定距離をあけて設けられている。
【００３８】
ＩＤＴ電極２１は櫛歯電極２７、２８を備える。櫛歯電極２７は、方向Ｄ２１と非平行で直角の方向Ｄ２２に延びるバスバー２７Ｃと、バスバー２７Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２８に向かって延びる複数の交差電極指２７Ａと、バスバー２７Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２８に向かって延びる複数の非交差電極指２７Ｂとを備える。櫛歯電極２８は、方向Ｄ２２に延びるバスバー２８Ｃと、バスバー２８Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２７に向かって延びる複数の交差電極指２８Ａと、バスバー２８Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２７に向かって延びる複数の非交差電極指２８Ｂとを備える。櫛歯電極２７は、複数の交差電極指２７Ａと複数の交差電極指２８Ａが交差するように櫛歯電極２８に対向している。
【００３９】
ＩＤＴ電極２２は櫛歯電極２９、３０を備える。櫛歯電極２９は、方向Ｄ２２に延びるバスバー２９Ｃと、バスバー２９Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極３０に向かって延びる複数の交差電極指２９Ａと、バスバー２９Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極３０に向かって延びる複数の非交差電極指２９Ｂとを備える。櫛歯電極３０は、方向Ｄ２２に延びるバスバー３０Ｃと、バスバー３０Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２９に向かって延びる複数の交差電極指３０Ａと、バスバー３０Ｃから方向Ｄ２１で櫛歯電極２９に向かって延びる複数の非交差電極指３０Ｂとを備える。櫛歯電極２９は、複数の交差電極指２９Ａと複数の交差電極指３０Ａが交差するように櫛歯電極３０に対向している。
【００４０】
ＩＤＴ電極２１、２２は反射器電極２３、２４間に設置されている。ＩＤＴ電極２１、２２によって励振される主要弾性波は方向Ｄ２２の伝搬方向に伝播する。反射器電極２３、２４は方向Ｄ２２においてＩＤＴ電極２１、２２の両側に形成されている。
【００４１】
ＩＤＴ電極２１、２２と反射器電極２３、２４とダミー電極２６Ａ、２６ＢはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｃｏ、ＲｕＯ2、ＺｎＯおよびＩＴＯの中から選択された少なくとも一つの材料を主成分とする主電極層を有する。これら電極は、この主電極層と、これらの材料から選択される他の材料よりなる層の２層以上の積層構造で構成されてもよい。実施の形態２において、ＩＤＴ電極２１、２２と反射器電極２３、２４とダミー電極２６Ａ、２６Ｂは、圧電基板２５の上面２５Ａ上に設けられたＴｉよりなる密着層と、この密着層上に設けられたＡｌよりなる主電極層からなる。
【００４２】
ダミー電極２６Ａ、２６Ｂは、それら双方が設けられていなくともよく、これらのうち少なくとも１つのみが設けられていてもよい。
【００４３】
複数の交差電極指２７Ａ、２８Ａは互いに交差するように配置されているが、複数の非交差電極指２７Ｂ、２８Ｂは互いに交差しないように配置されている。なお、ＩＤＴ電極２１は複数の非交差電極指２７Ｂ、２８Ｂを備えていなくてもよい。同様に、複数の交差電極指２９Ａ、３０Ａは互いに交差するように配置されているが、複数の非交差電極指２９Ｂ、３０Ｂは互いに交差しないように配置されている。なお、ＩＤＴ電極２２は複数の非交差電極指２９Ｂ、３０Ｂを備えていなくてもよい。
【００４４】
ＩＤＴ電極２１、２２はギャップＧ２１の方向Ｄ２２の幅である所定距離（最短距離）Ｗ２１だけ離れている。
【００４５】
ダミー電極２６Ａは、ＩＤＴ電極２１の櫛歯電極２７とＩＤＴ電極２２の櫛歯電極２９とから所定距離（最短距離）Ｗ１２６Ａ、Ｗ２２６Ａだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１２６Ａ、Ｗ２２６Ａは所定距離Ｗ２１より大きい。所定距離Ｗ１２６Ａ、Ｗ２２６Ａのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ２１より大きくてもよい。
【００４６】
ダミー電極２６Ｂは、ＩＤＴ電極２１の櫛歯電極２８とＩＤＴ電極２２の櫛歯電極３０とから所定距離（最短距離）Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ｂだけそれぞれ離れている。所定距離Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ｂは所定距離Ｗ２１より大きい。所定距離Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ｂのうちの少なくとも一方が所定距離Ｗ２１より大きくてもよい。
【００４７】
以下、弾性波素子２０の製造方法について説明する。
【００４８】
まず、圧電基板２５の上面２５Ａに上述の材料から構成された電極膜を蒸着、スパッタ、またはＣＶＤ等の方法で成膜する。次に、電極膜の上面にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜を所望の形状に加工する。次に、ドライエッチング技術を用いて電極膜をＩＤＴ電極２１、２２や反射器電極２３、２４、ダミー電極２６Ａ、２６Ｂ等の所望の形状に加工した後、レジスト膜を除去する。そして、ダイシングにより圧電基板２５を切断することにより、個片の弾性波素子２０を得る。
【００４９】
実施の形態２における弾性波素子２０では、ダミー電極２６Ａ、２６Ｂを設けることによって、ドライエッチング工程において、局所的にＩＤＴ電極２１、２２間のギャップＧ２１の近傍の開口率を小さくし、ドライエッチングを行うときのエッチング面積を減少することができる。従って、ドライエッチングに使用するエッチングガスの反応量を抑えることで、エッチングガスをダミー電極２６Ａ、２６ＢとＩＤＴ電極２１、２２との所定距離Ｗ１２６Ａ、Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ａ、Ｗ２２６Ｂの隙間からギャップＧ２１に充分にエッチングガスを供給でき、電極膜を安定にエッチングできる。結果、不要な電極膜の残存を抑制し、ＩＤＴ電極２１、２２の短絡を防止し、弾性波素子２０の歩留まり劣化を抑制することができる。
【００５０】
特に、所定距離Ｗ１２６Ａ、Ｗ１２６Ｂ、Ｗ２２６Ａ、Ｗ２２６Ｂが所定距離Ｗ２１より大きく、さらにＩＤＴ電極２１、２２に励振される主要弾性波の波長より小さい場合に、上記効果が顕著に得られる。
【００５１】
図４は実施の形態２における他の弾性波素子１０２０の上面模式図である。図４において、図３に示す弾性波素子２０と同じ部分には同じ参照番号を付す。図４に示す弾性波素子１０２０は、図３に示す弾性波素子２０のダミー電極２６Ａ、２６Ｂの代わりにダミー電極７６Ａ、７６Ｂを備える。ダミー電極７６Ａ、７６ＢとＩＤＴ電極２１、２２との距離の関係は、図３に示す弾性波素子２０のダミー電極２６Ａ、２６ＢとＩＤＴ電極２１、２２の距離の関係と同じである。
【００５２】
ダミー電極７６Ａの部分１７６Ａの方向Ｄ２２の幅は、ダミー電極７６Ａの部分１７６Ａに比べてギャップＧ２１からより遠い部分２７６Ａの方向Ｄ２２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極７６Ａは、ギャップＧ２１に向かって細くなる突出部３７６Ａを有することが好ましい。
【００５３】
ダミー電極７６Ｂの部分１７６Ｂの方向Ｄ２２の幅は、ダミー電極７６Ｂの部分１７６Ｂに比べてギャップＧ２１からより遠い部分２７６Ｂの方向Ｄ２２の幅より狭いことが好ましい。特に、ダミー電極７６Ｂは、ギャップＧ２１に向かって細くなる突出部３７６Ｂを有することが好ましい。
【００５４】
この構成により、エッチングガスをダミー電極２６Ａ、２６ＢとＩＤＴ電極２１、２２との所定距離Ｗ１２６Ａ、１２５Ｂ、２２６Ａ、２２６Ｂの隙間からギャップＧ２１にエッチングガスを効率的に供給できる。これにより、電極膜を安定にエッチングすることができる。結果、不要な電極膜の残存を抑制し、ＩＤＴ電極２１、２２の短絡を防止し、弾性波素子１０２０の歩留まり劣化を抑制することができる。
【００５５】
なお、実施の形態１、２において、「上面」等の方向を示す用語は、圧電基板やＩＤＴ電極等の弾性波素子の構成部品の相対的な位置関係にのみ依存する相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものでは無い。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の弾性波素子は、弾性波素子の歩留まり劣化を抑制する効果を有し、移動体通信機器などの電子機器に適用可能なものである。
【符号の説明】
【００５７】
１０、２０ 弾性波素子
１１、２１、２２ ＩＤＴ電極
１１Ａ、１１Ｃ、２７、２８、２９、３０ 櫛歯電極
１１Ｂ、１１Ｄ 交差電極指
１１Ｅ、１１Ｆ バスバー
１１Ｇ、１１Ｈ 非交差電極指
１２、１３、２３、２４ 反射器電極
１５、２５ 圧電基板
１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄ、２６Ａ、２６Ｂ ダミー電極
２７Ａ、２８Ａ、２９Ａ、３０Ａ 交差電極指
２７Ｂ、２８Ｂ、２９Ｂ、３０Ｂ 非交差電極指
２７Ｃ、２８Ｃ、２９Ｃ、３０Ｃ バスバー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の上面に設けられて、所定の方向に延びる複数の電極指を有するインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電基板の前記上面に設けられて、前記ＩＤＴ電極とギャップを介して対向する反射器電極と、
前記ギャップを通り前記所定の方向に延びる直線上に位置し、前記反射器電極と前記ＩＤＴ電極から離れて設けられたダミー電極と、
を備え、
前記ダミー電極と前記ＩＤＴ電極との間の第１の所定距離と、前記ダミー電極と前記反射器電極との間の第２の所定距離とのうちの少なくとも一方は、前記ＩＤＴ電極と前記反射器電極との間の第３の所定距離より大きい、弾性波素子。
【請求項２】
前記第１の所定距離と前記第２の所定距離の双方は、前記第３の所定距離より大きい、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記第３の所定距離は、前記ＩＤＴ電極で励振される主要弾性波の波長より小さい、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記反射器電極と前記ＩＤＴ電極を覆う誘電体層をさらに備えた、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記ダミー電極は、第１の部分と、前記第１の部分に比べて前記ギャップからより遠い第２の部分とを有し、
前記ＩＤＴ電極で励振される主要弾性波が伝播する伝播方向における前記第１の部分の幅は、前記伝播方向における前記第２の部分の幅より狭い、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記ダミー電極は前記ギャップに向けて細くなる突出部を有する、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項７】
圧電基板と、
前記圧電基板の上面上に設けられて、所定の方向に延びる複数の第１の電極指を有する第１のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電基板の前記上面上に設けられて、前記所定の方向に延びる複数の第２の電極指を有して、前記第１のＩＤＴ電極とギャップを介して対向する第２のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記ギャップを通り前記所定の方向に延びる直線上に位置し、前記第１のＩＤＴ電極または前記第２のＩＤＴ電極から所定距離だけ離れて設けられたダミー電極と、
を備え、
前記ダミー電極と前記第１のＩＤＴ電極との間の第１の所定距離と、前記ダミー電極と前記第２のＩＤＴ電極との間の第２の所定距離とのうちの少なくとも一方は、前記第１のＩＤＴ電極と前記第２のＩＤＴ電極との間の第３の所定距離より大きい、弾性波素子。
【請求項８】
前記第１の所定距離と前記第２の所定距離の双方は、前記第３の所定距離より大きい、請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項９】
前記第３の所定距離は前記第１のＩＤＴ電極で励振される主要弾性波の波長より小さい、請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項１０】
前記ダミー電極は、第１の部分と、前記第１の部分に比べて前記ギャップからより遠い第２の部分とを有し、
前記第１のＩＤＴ電極で励振される主要弾性波が伝播する伝播方向における前記第１の部分の幅は、前記伝播方向における前記第２の部分の幅より狭い、請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項１１】
前記ダミー電極は前記ギャップに向けて細くなる突出部を有する、請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の上面に設けられて、所定の方向に延びる複数の電極指を有するインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電基板の前記上面に設けられて、前記ＩＤＴ電極とギャップを介して対向する反射器電極と、
前記ギャップを通り前記所定の方向に延びる直線上に位置し、前記反射器電極と前記ＩＤＴ電極から離れて設けられたダミー電極と、
を備え、
前記ダミー電極と前記ＩＤＴ電極との間の第１の所定距離と、前記ダミー電極と前記反射器電極との間の第２の所定距離とのうちの少なくとも一方は、前記ＩＤＴ電極と前記反射器電極との間の第３の所定距離より大きい、弾性波素子。
【請求項２】
前記第１の所定距離と前記第２の所定距離の双方は、前記第３の所定距離より大きい、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記第３の所定距離は、前記ＩＤＴ電極で励振される主要弾性波の波長より小さい、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記反射器電極と前記ＩＤＴ電極を覆う誘電体層をさらに備えた、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記ダミー電極は、第１の部分と、前記第１の部分に比べて前記ギャップからより遠い第２の部分とを有し、
前記ＩＤＴ電極で励振される主要弾性波が伝播する伝播方向における前記第１の部分の幅は、前記伝播方向における前記第２の部分の幅より狭い、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記ダミー電極は前記ギャップに向けて細くなる突出部を有する、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項７】
圧電基板と、
前記圧電基板の上面上に設けられて、所定の方向に延びる複数の第１の電極指を有する第１のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電基板の前記上面上に設けられて、前記所定の方向に延びる複数の第２の電極指を有して、前記第１のＩＤＴ電極とギャップを介して対向する第２のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記ギャップを通り前記所定の方向に延びる直線上に位置し、前記第１のＩＤＴ電極または前記第２のＩＤＴ電極から所定距離だけ離れて設けられたダミー電極と、
を備え、
前記ダミー電極と前記第１のＩＤＴ電極との間の第１の所定距離と、前記ダミー電極と前記第２のＩＤＴ電極との間の第２の所定距離とのうちの少なくとも一方は、前記第１のＩＤＴ電極と前記第２のＩＤＴ電極との間の第３の所定距離より大きい、弾性波素子。
【請求項８】
前記第１の所定距離と前記第２の所定距離の双方は、前記第３の所定距離より大きい、請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項９】
前記第３の所定距離は前記第１のＩＤＴ電極で励振される主要弾性波の波長より小さい、請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項１０】
前記ダミー電極は、第１の部分と、前記第１の部分に比べて前記ギャップからより遠い第２の部分とを有し、
前記第１のＩＤＴ電極で励振される主要弾性波が伝播する伝播方向における前記第１の部分の幅は、前記伝播方向における前記第２の部分の幅より狭い、請求項７に記載の弾性波素子。
【請求項１１】
前記ダミー電極は前記ギャップに向けて細くなる突出部を有する、請求項７に記載の弾性波素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−７０３６１（Ｐ２０１２−７０３６１Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７０６８４（Ｐ２０１１−１７０６８４）
【出願日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]