成膜用基板および発光装置の作製方法
【課題】光による成膜において、膜を所望の形状にすることができる成膜用基板を提供する。
【解決手段】成膜用基板に光を照射する光源（レーザ）と、成膜用基板に設けられた反射層や光吸収層等との間に配置された反射防止膜を設けた成膜用基板を作製する。また、この反射防止膜を設けた成膜用基板を用いて、光照射による成膜を行い発光装置を作製する。
【解決手段】成膜用基板に光を照射する光源（レーザ）と、成膜用基板に設けられた反射層や光吸収層等との間に配置された反射防止膜を設けた成膜用基板を作製する。また、この反射防止膜を設けた成膜用基板を用いて、光照射による成膜を行い発光装置を作製する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜可能な材料の成膜に用いる成膜用基板およびこれを用いた発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００３】
発光素子の発光機構は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。
【０００５】
また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法などを用いて成膜されることが多い。
【０００６】
蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板を設置する基板ホルダと、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有しており、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される構成となっている。
【０００７】
しかし、実際には均一に膜を成膜するために、被成膜基板を回転させることや、基板とルツボとの間の距離を一定以上離すことが必要となる。また、複数のＥＬ材料を用いてメタルマスクなどのマスクを介した塗り分けを行う場合には、異なる画素間の間隔を広く設計し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁（バンク）の幅を広くすることが必要となるなど発光素子を含む発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。
【０００８】
従って、フラットパネルディスプレイとして、より高精細化や高信頼性を図るために、これらの課題を解決すると共に生産性の向上や低コスト化を図ることが要求されている。
【０００９】
これに対して、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、支持基板上に、低反射層と高反射層から構成される光熱変換層と、転写層を有する転写用基板について記載されている。このような転写用基板にレーザ光を照射することにより、転写層を素子作製用基板に転写することができる。
【００１０】
しかしながら、レーザによる成膜の場合において、レーザ光は、照射領域におけるエネルギー分布にばらつきが生じる為、レーザ光を用いた成膜では成膜される膜の形状が所望の形状とならずにぼけてしまったり、膜質や膜厚にばらつきが生じるという問題がある。
【特許文献１】特開２００６−３０９９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明の一態様は、光を用いた成膜において、膜を所望の形状にすることができる成膜用基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の一態様では、成膜用基板に光を照射する光源（レーザ）と、成膜用基板に設けられた反射層や光吸収層等との間に配置された反射防止膜を設けた成膜用基板を作製する。また、この成膜用基板を用いて、光照射による成膜を行い発光装置を作製する。
【００１３】
本発明の一態様は、基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、基板の一方の面および反射層に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層を有し、基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有することを特徴とする。
【００１４】
上記構成に加えて、反射防止膜は、基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜で構成され、基板の屈折率をｎＧ、第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、Ｘ層の積層膜である反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２であることを特徴とする。
（但し、反射防止膜を構成する第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【００１５】
さらに、上記構成に加えて、反射防止膜を構成するＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜の間であって、Ｍ層目と、（Ｍ＋１）層目の間に、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たす第Ｈの誘電体膜を挿入することを特徴とする。
【００１６】
なお、上記構成において、反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする。また、反射層の膜厚は、１００ｎｍ以上であることが好ましい。また、反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする。
【００１７】
また、上記構成における光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする。また、光吸収層の膜厚は、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする。また、光吸収層は、窒化タンタル、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする。
【００１８】
なお、上記構成において光吸収層が前記反射層の開口部と重なる位置に島状に形成されていてもよい。
【００１９】
また、上記構成において、材料層は有機化合物を含むことを特徴とする。なお、材料層が、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含む場合も本発明に含めることとする。
【００２０】
また、本発明の一態様である発光装置の作製方法は、上述した成膜用基板を用いた発光装置の作製方法であって、基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、基板の一方の面および反射層に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層を有し、基板の他方の面に接して形成された反射防止膜とを少なくとも有する第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の別の一態様である発光装置の作製方法は、基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、基板の一方の面および反射層に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層を有し、基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有し、反射防止膜は、基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜で構成され、基板の屈折率をｎＧ、前記第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、
Ｘ層の積層膜である反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２である第１の基板の一方の面と、
第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第１の電極表面に成膜することを特徴とする。
（但し、反射防止膜を構成する第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【００２２】
さらに、本発明の別の一態様である発光装置の作製方法は、基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、基板の一方の面および反射層に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層を有し、基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有し、
反射防止膜を構成するＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜の間であって、Ｍ層目と、（Ｍ＋１）層目の間に、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たす第Ｈの誘電体膜が挿入された第１の基板の一方の面と、
第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第１の電極表面に成膜することを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００２４】
成膜用基板に反射防止膜を設けることにより、成膜用基板に光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができるため、エネルギー分布のばらつきを防ぎ、所望の形状の膜形成や、膜質の良好な膜形成が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２６】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の一態様として、成膜用基板の構造について説明する。
【００２７】
図１（Ａ）に示すように、支持基板である基板１０１上に反射層１０２が形成されている。なお、反射層１０２は開口部１０３を有している。また、反射層１０２上には、光吸収層１０４が形成されている。なお、光吸収層１０４の一部は、反射層１０２の開口部１０３を埋めるように形成されている。また、光吸収層１０４上には、成膜材料からなる材料層１０５が形成されている。
【００２８】
一方、基板１０１の裏面（反射層１０２、光吸収層１０４、材料層１０５が形成される面とは反対側の面）には、反射防止膜１０６が形成されている。
【００２９】
図１（Ａ）において、光吸収層１０４、材料層１０５、および反射防止膜１０６は、基板１０１の全面に形成されている。
【００３０】
なお、図１（Ａ）に示す成膜用基板を用いて成膜する場合、基板１０１の反射防止膜１０６が形成されている側から光を照射することによって、材料層１０５の一部を被成膜基板に成膜する。そのため、基板１０１は、照射された光（レーザ光）を透過させることのできる光の透過率が高い基板であることが好ましい。さらに、熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いことにより、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができるためである。基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。
【００３１】
反射層１０２は、成膜の際、光吸収層１０４の一部分に選択的に光を照射するために、それ以外の部分に照射される光を反射させる層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。
【００３２】
反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金（例えば、アルミニウム−ネオジム合金）、または銀を含む合金（例えば、銀−ネオジム合金）などを用いることができる。
【００３３】
なお、反射層１０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。
【００３４】
また、反射層１０２に開口部１０３を形成する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、さらに微細なパターンを成膜することができる。
【００３５】
光吸収層１０４は、基板１０１および反射層１０２を覆って形成され、成膜の際に照射された光を吸収し、材料層１０５に熱を与える層である。よって、光吸収層１０４は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０４は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。
【００３６】
光吸収層１０４に用いることができる材料としては、例えば、チタン、モリブデン、タンタル、タングステンなどの金属の他、窒化チタン、窒化タンタル等の金属窒化物を用いることができる。なお、光吸収層１０４はこれらの材料からなる単層膜であっても良いし、いずれかを組み合わせてなる積層膜により構成されていてもよい。
【００３７】
なお、光吸収層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。
【００３８】
また、光吸収層１０４の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚（好ましくは１００ｎｍ以上２μｍ以下）であることが好ましい。特に、光吸収層１０４の膜厚を１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収層１０４の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。
【００３９】
なお、光吸収層１０４は、材料層１０５に含まれる材料の昇華温度まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、材料層１０５に含まれる材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。
【００４０】
材料層１０５は、光吸収層１０４に接して形成され、被成膜基板上に成膜する材料を含んで形成される層である。そして、材料層１０５に光を照射することにより、材料層１０５に含まれる材料が光吸収層１０４によって加熱され、被成膜基板上に成膜される。
【００４１】
なお、材料層１０５に含まれる材料としては、成膜可能な材料であれば、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。例えば、本実施の形態で示すように発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料の詳細については、実施の形態５において詳述するので、それを参考にすることとし、ここでの説明は省略する。
【００４２】
材料層１０５は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１０５は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよいし、混合層であってもよい。
【００４３】
なお、材料層１０５は、種々の方法により形成することができる。例えば、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。また、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、印刷法等を用いることができる。
【００４４】
反射防止膜１０６は、成膜の際に照射された光の一部が、光吸収層１０４と基板１０１との界面において光吸収層１０４に吸収されることなく反射され、さらに基板１０１と外部（空気）との界面において外部に出射されることなく基板１０１内部に反射されるのを防ぐための層である。
【００４５】
すなわち、反射防止膜１０６を設けることによって、光吸収層１０４と基板１０１との界面において反射された光を基板１０１から外部（空気）へ出射させることができ、成膜の際に照射される光の干渉を防ぐことができるため、干渉の強弱に起因した成膜不良を防止することができる。
【００４６】
なお、反射防止膜１０６は、成膜の際に用いる光がレーザ光の場合に効果的である。例えば、スキャンスピードの速さにメリットを有するガルバノ式のレーザを用いる場合、大部分のレーザ光の入射角が基板に対して垂直とはならず、ガラス内部における光学距離が入射角毎に異なってしまう。そのため、干渉の強度に強弱が生じて成膜される領域が変化し、所望の形状の成膜ができなくなるが、反射防止膜１０６を設けることにより、光の干渉を防ぐことができるので、所望の形状の膜形成が可能となる。また、基板にうねりがある場合にも干渉の強度に強弱が生じるが、この場合も反射防止膜１０６を設けることにより、光の干渉を防ぐことができる。
【００４７】
なお、反射防止膜１０６は、図１（Ｂ）に示すようにＸ層（但し、Ｘは、１、２、・・、Ｐの整数）の誘電体膜を積層して形成される。すなわち、基板１０１側から第１の誘電体膜（１０６（１））、第２の誘電体膜（１０６（２））、、、第（Ｐ−１）の誘電体膜（１０６（Ｐ−１））、第Ｐの誘電体膜（１０６（Ｐ））なる誘電体膜をＸ層積層して形成される。
【００４８】
また、Ｘ層の積層膜からなる反射防止膜１０６の光学アドミッタンスＹＸは、基板１０１の屈折率をｎＧ、第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとした時、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２である。
（但し、反射防止膜１０６を構成する第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【００４９】
また、反射防止膜１０６は、図２に示す構造としても良い。図２に示す反射防止膜１０６は、図１（Ｂ）に示した反射防止膜１０６の内部であって、基板１０１側からＭ番目である第Ｍの誘電体膜（１０６−Ｍ）と、（Ｍ＋１）番目である第（Ｍ＋１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ＋１））の間に第Ｈの誘電体膜（１０６−Ｈ）を導入した構造である。
【００５０】
なお、第Ｍの誘電体膜（１０６−Ｍ）の屈折率をｎＭ、第Ｈの誘電体膜（１０６−Ｈ）の屈折率をｎＨとし、第１の誘電体膜（１０６−１）から第（Ｍ−１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ−１））までの積層膜の屈折率をＹＭ−１、第１の誘電体膜（１０６−１）から第Ｍの誘電体膜（１０６−Ｍ）までの積層膜の屈折率をＹＭ、第１の誘電体膜（１０６−１）から第（Ｍ＋１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ＋１））までの屈折率をＹＭ＋１とした時、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式が成り立つものとする。
【００５１】
反射防止膜１０６は、基板１０１に接して形成されるが、反射層１０２、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成される面とは反対側の面に形成される。なお、反射防止膜は、基板１０１側から第１の誘電体膜（１０６（１））、第２の誘電体膜（１０６（２））、、、第（Ｍ−１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ−１））、第Ｍの誘電体膜（１０６−Ｍ）、第Ｈの誘電体膜（１０６−Ｈ）、第（Ｍ＋１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ＋１））、、、第（Ｐ−１）の誘電体膜（１０６（Ｐ−１））、第Ｐの誘電体膜（１０６（Ｐ））が順次積層されてなる積層膜である。
【００５２】
なお、上述したように反射防止膜１０６は、誘電体膜の積層膜であることから、反射防止膜１０６を構成する誘電体膜に用いることができる材料としては、透光性を有する材料、好ましくは１０％以上の透過率を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、酸化チタン（Ｔｉ２Ｏ）などを用いることができる。
【００５３】
本実施の形態に示す成膜用基板は、成膜用基板に形成される反射層や光吸収層と、光源（レーザ）との間に反射防止膜が形成されているため、成膜用基板に光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができる。これにより、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状の膜が形成できるとともに、膜質の良好な膜を形成することができる。
【００５４】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、本発明の一態様として、実施の形態１で説明した成膜用基板を用いて被成膜基板上に発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。なお、実施の形態１で示した基板１０１は、本実施の形態２では、第１の基板３０１とよぶこととする。
【００５５】
まず、図３（Ａ）に示すように、第１の基板３０１の一方の面であって、反射層３０２、光吸収層３０３、および材料層３０４が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板３０７を配置する。第２の基板３０７は、発光素子のＥＬ層が形成される被成膜基板である。従って、第２の基板３０７上には、発光素子の一方の電極となる第１の電極３０８、および絶縁物３０９が形成されている。
【００５６】
なお、第１の基板３０１上の反射層３０２に形成された開口部３０６は、第１の電極３０８上に形成されるＥＬ層の形状に合わせて形成されているため、開口部３０６と第１の電極３０８とが重なるように第１の基板３０１と第２の基板３０７とを配置する。
【００５７】
そして、第１の基板３０１と第２の基板３０７とを至近距離、具体的には第１の基板３０１上の材料層３０４の表面と、第２の基板３０７表面との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。
【００５８】
なお、距離ｄは、第１の基板３０１上の材料層３０４の表面と、第２の基板３０７表面との距離で定義する。従って、第２の基板３０７上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁物等）が形成されている場合、距離ｄは、第１の基板３０１上の材料層３０４の表面と、第２の基板３０７上に形成された層の最表面との距離で定義する。ただし、第１の基板３０１上の材料層３０４の表面や、第２の基板３０７上に形成された層の最表面が凹凸を有する場合における距離ｄは、第１の基板３０１上の材料層３０４の表面と、第２の基板３０７上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義することとする。
【００５９】
次に、図３（Ｂ）に示すように第１の基板３０１の他方の面であって、反射防止膜３０５が形成された面側から光３１０を照射する。このとき、第１の基板３０１上に形成された反射層３０２に照射された光は、反射されるが、反射層３０２の開口部３０６に照射された光は、光吸収層３０３に吸収される。そして、光吸収層３０３は、吸収した光から得た熱を材料層３０４に与えることにより、第２の基板３０７上に形成された第１の電極３０８上に材料を成膜する。これにより、第２の基板３０７上に発光素子のＥＬ層３１１が形成される。
【００６０】
なお、照射する光としては、レーザ光であることが好ましい。レーザ光を用いることにより、光吸収層３０３に瞬間的に高エネルギーの光を照射できるので、材料を高精細にパターニングすることができる。
【００６１】
また、本発明では、照射された光源からの光による輻射熱を利用するのではなく、光源からの光を吸収した光吸収層３０３が材料層３０４に熱を与えることが特徴である。従って、光が照射される光吸収層３０３の一部から、光が照射されない光吸収層１０４の一部へ、面方向に熱が伝わることにより、必要な範囲以上に材料層３０４が加熱されることのないように、光の照射時間は、短くすることが好ましい。
【００６２】
なお、照射するレーザ光の光源としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００６３】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−６Ｐａ以上１０−３Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。
【００６４】
また、図３（Ｃ）には、第１の基板３０１と第２の基板３０７との距離ｄが０ｍｍの場合について示す。つまり、第１の基板３０１上に形成された材料層３０４と、第２の基板３０７上に形成された層のうちの最表層である絶縁物３０９とが接する場合について示す。このように距離ｄを小さくすることで、必要以上の材料消費を防ぐことができるので、材料の利用効率を向上させることができる。また、光を照射した際に、第２の基板３０７上に成膜される膜の形状を精度良く形成することができる。ただし、第２の基板３０７の表面に凹凸がない場合には、第１の基板３０１上の材料層３０４と第２の基板３０７の被成膜面が接しないようにすることが好ましい。
【００６５】
なお、図３に示す第１の基板３０１には、光吸収層３０３が第１の基板３０１の全面に形成される場合について示したが、図４に示すように、島状にパターン形成された光吸収層４０３が形成される構成としても良い。この様に島状にパターン形成された光吸収層４０３を形成することにより、第１の基板３０１に光を照射した際、光が照射される領域にある光吸収層における熱が、光の照射されない光吸収層にまで面方向に伝わるのを防ぐことができる。これにより、所望の領域以外の材料層が加熱することにより生じる、被成膜面の成膜パターンのずれや、ぼけを防ぐことができる。
【００６６】
なお、図４に示した成膜用基板の場合も図１で説明した成膜用基板の場合と同様であり、図３（Ａ）に示すように、基板４０１の一方の面であって、反射層４０２、光吸収層４０３、および材料層４０４が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板３０７を配置し、第１の基板４０１の裏面（反射層４０２、光吸収層４０３、および材料層４０４が形成されていない面）側から光を照射して材料を成膜することにより、第２の基板３０７上に形成された第１の電極３０８上にＥＬ層を形成することができる。
【００６７】
なお、本実施の形態では、第２の基板３０７が、第１の基板３０１の下方に位置する場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
【００６８】
以上より、本実施の形態に示す成膜用基板は、成膜用基板に形成される反射層や光吸収層と、光源（レーザ）との間に反射防止膜が形成されているため、成膜用基板に光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができる。これにより、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状のＥＬ層が形成できるとともに、膜質の良好なＥＬ層を形成することができる。
【００６９】
なお、本実施の形態２に示す構成は、実施の形態１に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【００７０】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、本発明の一態様として、実施の形態１で説明した成膜用基板を、ＥＬ層の形成に用いる材料が異なる毎に別の成膜用基板に変え、実施の形態２で示すようにＥＬ層を形成することにより、被成膜基板上に複数形成された第１の電極上に何種類かの材料の異なるＥＬ層をそれぞれ形成し、フルカラー表示が可能な発光装置を作製する方法について説明する。
【００７１】
具体的には、実施の形態１で説明した成膜用基板を３枚用いて、発光色の異なるＥＬ層の成膜を３回行うことにより、被成膜基板上に複数形成された第１の電極上に３種類のＥＬ層のうちのいずれかを形成する場合について説明する。
【００７２】
１枚目の第１の成膜用基板は、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す構造を有しており、図５（Ａ）は、図５（Ｂ）の上面図の破線Ｐ−Ｐ’における断面図を示している。なお、第１の成膜用基板は、基板５０１の一方の面に反射層５０２、光吸収層５０３、材料層（Ｒ）５０４が形成され、他方の面には、反射防止膜が形成された構造を有し、材料層（Ｒ）５０４には、赤色発光を示すＥＬ層を形成するための成膜材料が含まれている。また、反射層５０２は、開口部５０５を有している。
【００７３】
次に、図５（Ａ）（Ｂ）で示した第１の成膜用基板の材料層（Ｒ）５０４が形成された面と、被成膜基板の被成膜面とを向かい合わせて重ね、位置合わせを行った後、光を照射することにより被成膜基板上に第１の成膜用基板の材料層（Ｒ）５０４を成膜する。
【００７４】
なお、図５（Ａ）（Ｂ）で示した第１の成膜用基板の開口部５０５では、光吸収層５０３および材料層（Ｒ）５０４が積層された構造を有するので、第１の成膜用基板に光を照射することにより、開口部５０５における材料層（Ｒ）５０４のみを被成膜基板に成膜することができる。
【００７５】
光照射による成膜後の被成膜基板を図５（Ｃ）（Ｄ）に示す。図５（Ｃ）は、図５（Ｄ）の上面図の破線Ｑ−Ｑ’における断面図を示している。なお、ＥＬ層を成膜する被成膜基板には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の駆動用回路や配線等が形成される場合もあるが、ここでは、便宜上省略し、基板５１１の一方の面に第１の電極５１２、絶縁物５１３、ＥＬ層（Ｒ）５１４が形成される様子のみを示す。なお、第１の電極５１２は、陰極または陽極である。
【００７６】
すなわち、基板５１１上に形成される複数の第１の電極のうち、第１の成膜用基板の開口部５０５と重なる位置にある第１の電極上のみにＥＬ層（Ｒ）が形成される。
【００７７】
２枚目の第２の成膜用基板も第１の成膜用基板と同様の構造を有しているが、第２の成膜用基板の材料層（Ｇ）には、緑色発光を示すＥＬ層を形成するための材料が含まれている。また、反射層５０２に形成される開口部の位置が、第１の成膜用基板とは１画素分ずらした位置、すなわち、図５（Ｂ）の点線で示す領域５０６に形成されている。すなわち、第２の成膜用基板を用いて光照射による成膜を行うことにより、赤色発光を示すＥＬ層（Ｒ）が形成される第１の電極の隣の第１の電極上、すなわち、図５（Ｃ）（Ｄ）の点線で示す領域５１５に緑色発光を示すＥＬ層（Ｇ）を形成することができる。
【００７８】
３枚目の第３の成膜用基板も第１の成膜用基板と同様の構造を有しているが、第３の成膜用基板の材料層（Ｂ）には、青色発光を示すＥＬ層を形成するための材料が含まれている。また、反射層５０２に形成される開口部の位置が、第１の成膜用基板とは２画素分ずらした位置、すなわち、図５（Ｂ）の点線で示す領域５０７に形成されている。すなわち、第３の成膜用基板を用いて光照射による成膜を行うことにより、赤色発光を示すＥＬ層（Ｒ）が形成される第１の電極の２つ隣の第１の電極上、すなわち、図５（Ｃ）（Ｄ）の点線で示す領域５１６に青色発光を示すＥＬ層（Ｂ）を形成することができる。
【００７９】
なお、これらの光照射による成膜における基板の位置合わせを、より精度良く行う為、被成膜基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。さらに、成膜用基板（第１の成膜用基板、第２の成膜用基板、第３の成膜用基板）にも位置合わせ用のマーカを設けてもよい。
【００８０】
この様に、３枚の成膜用基板を用いることにより、同一の被成膜基板上にＥＬ層（Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）を一定の間隔をあけて形成することができる。そして、これらのＥＬ層上に第２の電極を形成することによって、発光素子を形成することができる。なお、第２の電極は、第１の電極５１２とは極性の異なる電極である。
【００８１】
以上により、同一基板上に異なる発光を示す発光素子を形成することができるため、フルカラー表示が可能な発光装置を形成することができる。
【００８２】
なお、本実施の形態では、成膜用基板に形成された反射層の開口部５０５の形状を矩形とした例を示したが、特に限定されず、同じ発光色となる複数の画素上に形成されるストライプ状の開口部としても良い。ストライプ状の開口部とした場合、同じ発光色となる画素の発光領域の間にも成膜が行われるが、絶縁物５１３の上に形成されるため、絶縁物５１３と重なる部分は発光領域とはならない。
【００８３】
なお、画素の配列や形状は、本実施の形態に示す構成に限定されず、様々な配列とすることができる。また、１つの画素形状も円形、多角形、例えば六角形とすることができる。
【００８４】
以上より、本実施の形態に示す成膜用基板（第１の成膜用基板、第２の成膜用基板、第３の成膜用基板）は、成膜用基板に形成される反射層や光吸収層と、光源（レーザ）との間に反射防止膜が形成されているため、成膜用基板に光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができる。これにより、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状のＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ））が形成できるとともに、膜質の良好なＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ））を形成することができる。
【００８５】
なお、本実施の形態３に示す構成は、実施の形態１または実施の形態２に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【００８６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様として、成膜用基板を用いて光照射による成膜を行う成膜装置について、図６を用いて説明する。
【００８７】
本実施の形態に示す構成は、図６に示すように、成膜用基板６０１および被成膜基板６０２は、いずれも成膜室６０３内に備えられ、成膜用基板６０１は、成膜用基板支持機構６０４上に配置され、被成膜基板６０２は、ステージ６０５上に配置されている。
【００８８】
また、成膜室６０３は、ゲート弁６０６によって外部から遮断されており、成膜室６０３の内部を真空チャンバーとすることができる。また、成膜室６０３は、透光性の材料で形成された窓６０７を有している。従って、成膜室６０３の外部の光源から窓６０７を介して光を照射することによって、成膜室６０３内部の被成膜基板に成膜することができる。
【００８９】
また、待機時における光源から成膜用基板６０１へ光が照射されることによる影響を防ぐため、待機時（成膜処理前）には光源と成膜用基板６０１との間を遮光することができる開閉式のシャッターを窓６０７に設けてもよい。
【００９０】
また、本実施の形態では、光源は、成膜室６０３の外部に設ける構成としているが、光源を内部に配置する構成としても良い。
【００９１】
本実施の形態で示す成膜装置は、光源をレーザ光とするものである。従って、射出されるレーザ光はレーザ発振装置６０８（ＹＡＧレーザ装置、エキシマレーザ装置など）から出力され、ビーム形状を矩形状とするための第１の光学系６０９と、整形するための第２の光学系６１０と、平行光線にするための第３の光学系６１１とを通過し、反射ミラー６１２で光路が成膜用基板６０１に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、成膜用基板６０１にレーザ光を照射する。
【００９２】
レーザ光としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００９３】
また、成膜用基板６０１に照射されるレーザスポットの形状は、矩形状または線状とすることが好ましく、出力の比較的大きなエキシマレーザなどを用いる場合には、短辺が１ｍｍ〜５ｍｍ、且つ長辺が１０ｍｍ〜５０ｍｍの矩形状とすればよい。また、大面積基板を用いる場合には、処理時間を短縮するため、レーザスポットの長辺を２０ｃｍ〜１００ｃｍとすることが好ましい。また、図６に示すレーザ発振装置及び光学系を複数設置して大面積の基板を短時間に処理してもよい。具体的には、複数のレーザ発振装置からレーザ光をそれぞれ照射して基板１枚における処理面積を分担してもよい。
【００９４】
なお、図６は一例であり、レーザ光の光路に配置する各光学系や電気光学素子の位置関係は特に限定されない。例えば、レーザ発振装置６０８を成膜用基板６０１の上方に配置し、レーザ発振装置６０８から射出するレーザ光が成膜用基板６０１の主平面に垂直な方向となるように配置すれば、反射ミラー６１２を用いずともよい。また、各光学系は、集光レンズ、ビームエキスパンダ、ホモジナイザ、または偏光子などを用いればよく、これらを組み合わせてもよい。また、各光学系としてスリットを組み合わせてもよい。
【００９５】
被照射面上でレーザ光の照射領域を２次元的に、適宜、走査させることによって、基板の広い面積に照射を行う。走査するために、レーザ光の照射領域と基板とを相対的に移動させる。ここでは、成膜用基板６０１を保持している成膜用基板支持機構６０４と、被成膜基板６０２を保持しているステージ６０５を同時にＸＹ方向に移動させながらレーザ光を照射させる。
【００９６】
また、制御装置６１３は、ステージ６０５をＸＹ方向に移動させる移動手段も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置６１３は、レーザ発振装置６０８も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置６１３は、位置マーカを認識するための撮像素子６１４を有する位置アライメント機構と連動させることが好ましい。なお、位置アライメント機構は、成膜用基板６０１と、被成膜基板６０２との位置合わせを行う。
【００９７】
また、成膜用基板６０１と被成膜基板６０２の基板間隔である距離ｄは、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。また、被成膜基板６０２に隔壁となる絶縁物が設けられている場合には、被成膜基板６０２の絶縁物と、成膜用基板６０１の材料層とを接触させて配置してもよい。
【００９８】
また、図６に示す成膜装置は、被成膜基板６０２の被成膜面が上を向いた、所謂フェイスアップ方式の成膜装置の例を示しているが、フェイスダウン方式の成膜装置とすることもできる。また、被成膜基板６０２が大面積基板である場合、基板の自重により基板の中心が撓んでしまうことを抑えるために、被成膜基板６０２の主平面を水平面に対して垂直に立てる、所謂縦置き方式の装置としてもよい。
【００９９】
また、成膜装置には被成膜基板６０２を冷却する冷却手段を設けても良い。冷却手段としては、例えば、ステージ６０５に熱媒体（冷媒など）を流すチューブを設けたり、ステージ６０５にコールドプレートを用いるなどの方法が挙げられる。被成膜基板６０２を冷却する冷却手段をさらに設けることで、プラスチック基板などの可撓性基板を被成膜基板６０２に用いることができる。
【０１００】
なお、本実施の形態に示した製造装置を複数設け、マルチチャンバー型の製造装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した製造装置を直列に複数並べて、インライン型の製造装置にすることもできる。
【０１０１】
本実施の形態に示す成膜装置において成膜用基板を用いた成膜を行うことにより、成膜用基板に光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができる。これにより、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状の膜が形成できるとともに、膜質の良好な膜を形成することができる。
【０１０２】
また、この様な成膜装置を用いることにより、成膜工程を全自動化でき、スループットの向上を図ることができる。
【０１０３】
なお、本実施の形態４に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態３に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１０４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様として、発光素子を作製する方法について説明する。
【０１０５】
発光素子の具体的な構造を図７（Ａ）や図７（Ｂ）に示す。発光素子は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで形成されるが、発光素子におけるＥＬ層は、図７（Ａ）に示すように少なくとも発光層７１３を含んで形成されていれば良く、図７（Ｂ）に示すように発光層７１３以外の層も形成された積層構造であっても良い。具体的には、発光層７１３に加えて、正孔注入性の高い物質からなる正孔注入層７１１、正孔輸送性の高い物質からなる正孔輸送層７１２、電子輸送性の高い物質からなる電子輸送層７１４、および電子注入性の高い物質からなる電子注入層７１５を含んでなる積層構造とすることができる。
【０１０６】
また、発光素子の電極のうちの第１の電極７０２は、陽極または陰極のいずれか一方であり、第２の電極７０４は、陽極または陰極のいずれか他方である。なお、発光素子では、陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層７０３で再結合することにより、発光が得られる。なお、本実施の形態では、第１の電極７０２が陽極、第２の電極７０４が陰極の場合について説明する。
【０１０７】
基板７０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。
【０１０８】
第１の電極７０２としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい。）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。
【０１０９】
これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。
【０１１０】
この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の導電性ポリマーを用いても良い。但し、第１の電極７０２と接して電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第１の電極７０２に用いることができる。
【０１１１】
上述した電荷発生領域を設ける場合には、図７（Ａ）や図７（Ｂ）におけるＥＬ層７０３と、陽極である第１の電極７０２との間に設ける。なお、電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。また、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が第１の電極７０２と接する構造となる。
【０１１２】
電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。
【０１１３】
また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０１１４】
第２の電極７０４としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下であることが好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。
【０１１５】
この他、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属の化合物（例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（ＬｉＯｘ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）など）の薄膜と、アルミニウム等の金属膜とを積層することによって、第２の電極７０４を形成することも可能である。しかしながら、第２の電極７０４と接して上述した電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第２の電極７０４に用いることができる。
【０１１６】
なお、本実施の形態に示す発光素子においては、第１の電極７０２および第２の電極７０４のうち、少なくとも一方が透光性を有すればよい。透光性は、ＩＴＯのような透明電極を用いるか、あるいは電極の膜厚を薄くすることにより確保できる。
【０１１７】
ＥＬ層を構成する各層に用いる材料について、以下に具体例を示す。
【０１１８】
正孔注入層７１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１１９】
正孔輸送層７１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２０】
これ以外にも、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を正孔輸送層に用いることができる。
【０１２１】
発光層７１３は、発光物質を含む層である。発光物質としては、以下に示す蛍光性化合物を用いることができる。例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。
【０１２２】
また、発光物質としては、以下に示す燐光性化合物を用いることもできる。例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１２３】
また、発光層７１３としては、これらの発光物質をドーパント材料として用い、ホスト材料（例えば、正孔輸送性の高い物質や電子輸送性の高い物質等）に分散させた構成とすることもできる。なお、ドーパント材料をホスト材料に分散させた構成を用いることにより、発光層７１３の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１２４】
ドーパント材料を分散させるホスト材料としては、ドーパント材料が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、ドーパント材料が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
【０１２５】
ホスト材料の具体例としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。
【０１２６】
なお、ドーパント材料をホスト材料に分散させた構成を有する発光層７１３を形成する際に成膜用基板を用いる場合には、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。その他、成膜用基板上の材料層をホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層との積層構造としてもよい。
【０１２７】
電子輸送層７１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体、さらに、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などを用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を二層以上積層したものを用いてもよい。
【０１２８】
これ以外にも、ＰＦ−Ｐｙ（略称）、ＰＦ−ＢＰｙ（略称）などの高分子化合物を電子輸送層７１４に用いることができる。
【０１２９】
電子注入層７１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。また、電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。この様な構造とすることにより、第２の電極７０４からの電子注入効率をより高めることができる。
【０１３０】
なお、ＥＬ層７０３の形成には、成膜用基板を用いた光照射による成膜法を用いて形成することができる。また、ＥＬ層７０３が上述した複数の層（正孔注入層７１１、正孔輸送層７１２、発光層７１３、電子輸送層７１４、電子注入層７１５）からなる積層構造の場合には、各層を形成する材料からなる材料層を有する成膜用基板を層の数だけ用意し、各層毎に異なる成膜用基板を用いて積層構造を有するＥＬ層７０３を形成する。なお、ＥＬ層７０３の全ての層に成膜用基板を用いた成膜方法を用いることもできるが、一部の層のみに用いても良い。
【０１３１】
また、図７（Ａ）（Ｂ）では、陽極として機能する第１の電極７０２を基板７０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極７０４を基板７０１側に設けてもよい。
【０１３２】
本実施の形態に示す発光素子のＥＬ層は、成膜用基板を用いた光照射による成膜法を用いて形成することができる。この場合、成膜用基板に設けられた反射防止膜によって光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができ、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状のＥＬ層が形成できるとともに、膜質の良好なＥＬ層を形成することができる。従って、素子特性の優れた発光素子を形成することができる。
【０１３３】
なお、本実施の形態５に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態４に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３４】
（実施の形態６）
本実施の形態６では、本発明の一態様として、発光素子を用いて作製される発光装置であるパッシブマトリクス型の発光装置、およびアクティブマトリクス型の発光装置について説明する。
【０１３５】
図８、図９にパッシブマトリクス型の発光装置の例を示す。
【０１３６】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【０１３７】
図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図８（Ｄ）である。
【０１３８】
基板８０１上には、下地絶縁層として絶縁層８０２を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層８０２上には、ストライプ状に複数の第１の電極８０３が等間隔で配置されている（図８（Ａ）。）。
【０１３９】
また、第１の電極８０３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁８０４が設けられ、開口部を有する隔壁８０４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部８０５が発光領域となる（図８（Ｂ）。）。
【０１４０】
開口部を有する隔壁８０４上に、第１の電極８０３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁８０６が設けられる（図８（Ｃ）。）。逆テーパ状の隔壁８０６はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。
【０１４１】
図８（Ｃ）に示すように逆テーパ状の隔壁８０６を形成した後、図８（Ｄ）に示すようにＥＬ層８０７および第２の電極８０８を順次形成する。開口部を有する隔壁８０４及び逆テーパ状の隔壁８０６を合わせた高さは、ＥＬ層８０７及び第２の電極８０８の膜厚より大きくなるように設定されているため、図８（Ｄ）に示すように複数の領域に分離されたＥＬ層８０７と、第２の電極８０８とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。
【０１４２】
第２の電極８０８は、第１の電極８０３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁８０６上にもＥＬ層８０７及び第２の電極８０８を形成する導電層の一部が形成されるが、ＥＬ層８０７、及び第２の電極８０８とは分断されている。
【０１４３】
なお、本実施の形態における第１の電極８０３および第２の電極８０８は、一方が陽極であり、他方が陰極であればどちらであっても良い。なお、ＥＬ層８０７を構成する積層構造については、電極の極性に応じて適宜調整すればよい。
【０１４４】
また、必要であれば、基板８０１に封止缶やガラス基板などの封止材をシール材などの接着剤で貼り合わせて封止し、発光素子が密閉された空間に配置されるようにしても良い。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。なお、密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填しても良い。さらに、水分などによる発光素子の劣化を防ぐために基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥剤によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。なお、乾燥剤としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【０１４５】
次に、図８（Ａ）乃至図８（Ｄ）に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図９に示す。
【０１４６】
図９において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１４７】
ここで、図８における第１の電極８０３が、図９の走査線９０３に相当し、図８における第２の電極８０８が、図９のデータ線９０８に相当し、逆テーパ状の隔壁８０６が隔壁９０６に相当する。データ線９０８と走査線９０３の間には、図８のＥＬ層８０７が挟まれており、領域９０５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０１４８】
なお、走査線９０３は配線端で接続配線９０９と電気的に接続され、接続配線９０９が入力端子９１０を介してＦＰＣ９１１ｂに接続される。また、データ線は入力端子９１２を介してＦＰＣ９１１ａに接続される。
【０１４９】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１５０】
なお、図９では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０１５１】
また、ＩＣチップを実装させる場合には、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。
【０１５２】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１０を用いて説明する。なお、図１０（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１００１上に設けられた画素部１００２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）１００３と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１００４と、を有する。画素部１００２、駆動回路部１００３、及び駆動回路部１００４は、シール材１００５によって、素子基板１００１と封止基板１００６との間に封止されている。
【０１５３】
また、素子基板１００１上には、駆動回路部１００３、及び駆動回路部１００４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１００７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１００８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１５４】
次に、断面構造について図１０（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１００１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１００３と、画素部１００２が示されている。
【０１５５】
駆動回路部１００３はｎチャネル型ＴＦＴ１００９とｐチャネル型ＴＦＴ１０１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１５６】
また、画素部１００２はスイッチング用ＴＦＴ１０１１と、電流制御用ＴＦＴ１０１２と電流制御用ＴＦＴ１０１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された陽極１０１３とを含む複数の画素により形成される。なお、陽極１０１３の端部を覆って絶縁物１０１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
【０１５７】
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１０１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１０１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１０１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１０１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。
【０１５８】
陽極１０１３上には、ＥＬ層１０１５及び陰極１０１６が積層形成されている。なお、陽極１０１３をＩＴＯ膜とし、陽極１０１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１０１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、陰極１０１６は外部入力端子であるＦＰＣ１００８に電気的に接続されている。
【０１５９】
なお、ＥＬ層１０１５は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。陽極１０１３、ＥＬ層１０１５及び陰極１０１６との積層構造で、発光素子１０１７が形成されている。
【０１６０】
また、図１０（Ｂ）に示す断面図では発光素子１０１７を１つのみ図示しているが、画素部１００２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１００２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０１６１】
さらにシール材１００５で封止基板１００６を素子基板１００１と貼り合わせることにより、素子基板１００１、封止基板１００６、およびシール材１００５で囲まれた空間１０１８に発光素子１０１７が備えられた構造になっている。なお、空間１０１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１００５で充填される構成も含むものとする。
【０１６２】
なお、シール材１００５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１００６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１６３】
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
【０１６４】
なお、本実施の形態６に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態５に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１６５】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明を適用した一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および照明器具の一例について、図１１を用いて説明する。
【０１６６】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図１１に示す。
【０１６７】
図１１（Ａ）は、テレビジョン装置９１００の一例を示している。テレビジョン装置９１００は、筐体９１０１に表示部９１０３が組み込まれている。表示部９１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部９１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド９１０５により筐体９１０１を支持した構成を示している。
【０１６８】
テレビジョン装置９１００の操作は、筐体９１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機９１１０により行うことができる。リモコン操作機９１１０が備える操作キー９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機９１１０に、当該リモコン操作機９１１０から出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成としてもよい。
【０１６９】
なお、テレビジョン装置９１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１７０】
図１１（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、マウス９２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部９２０３に用いることにより作製される。
【０１７１】
図１１（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体９３０１と筐体９３０２の２つの筐体で構成されており、連結部９３０３により、開閉可能に連結されている。筐体９３０１には表示部９３０４が組み込まれ、筐体９３０２には表示部９３０５が組み込まれている。また、図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９３０６、記録媒体挿入部９３０７、ＬＥＤランプ９３０８、入力手段（操作キー９３０９、接続端子９３１０、センサ９３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部９３０４および表示部９３０５の両方、または一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１７２】
図１１（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機９４００は、筐体９４０１に組み込まれた表示部９４０２の他、操作ボタン９４０３、外部接続ポート９４０４、スピーカ９４０５、マイク９４０６などを備えている。なお、携帯電話機９４００は、発光装置を表示部９４０２に用いることにより作製される。
【０１７３】
図１１（Ｄ）に示す携帯電話機９４００は、表示部９４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部９４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１７４】
表示部９４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１７５】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部９４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部９４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１７６】
また、携帯電話機９４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機９４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部９４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１７７】
また、画面モードの切り替えは、表示部９４０２を触れること、又は筐体９４０１の操作ボタン９４０３の操作により行われる。また、表示部９４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１７８】
また、入力モードにおいて、表示部９４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部９４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１７９】
表示部９４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部９４０２に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１８０】
図１１（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部９５０１、傘９５０２、可変アーム９５０３、支柱９５０４、台９５０５、電源９５０６を含む。なお、卓上照明器具は、発光装置を照明部９５０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。
【０１８１】
図１２は、発光装置を、室内の照明装置１２０１として用いた例である。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他、ロール型の照明装置１２０２として用いることもできる。なお、図１２に示すように、室内の照明装置１２０１を備えた部屋で、図１２（Ｅ）で説明した卓上照明器具１２０３を併用してもよい。
【０１８２】
以上のようにして、発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１８３】
なお、本実施の形態７に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態に６示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例１】
【０１８４】
本実施例では、本発明の一実施例として、図１３（Ａ）（Ｂ）に示す構造の成膜用基板を作製し、照射される光の波長に対する反射率について測定した結果を示す。
【０１８５】
図１３（Ａ）に示す構造の成膜用基板（１）は、基板１３０１に接して反射防止膜１３０２が形成されており、反射防止膜１３０２は、基板１３０１側から第１の誘電体膜（１３０２−１）、第２の誘電体膜（１３０２−２）、第３の誘電体膜（１３０２−３）が積層された構造を有する。
【０１８６】
なお、成膜用基板（１）において、第１の誘電体膜（１３０２−１）は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）：９０ｎｍ、第２の誘電体膜（１３０２−２）は、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）：７５ｎｍ、第３の誘電体膜（１３０２−３）は、酸化珪素（ＳｉＯ２）：８５ｎｍで形成される。
【０１８７】
また、図１３（Ｂ）に示す構造の成膜用基板（２）は、基板１４０１に接して反射防止膜１４０２が形成されており、反射防止膜１４０２は、基板１４０１側から第１の誘電体膜（１４０２−１）、第２の誘電体膜（１４０２−２）、第３の誘電体膜（１４０２−３）、第４の誘電体膜（１４０２−４）が積層された構造を有する。
【０１８８】
なお、成膜用基板（２）において、第１の誘電体膜（１４０２−１）は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）：９０ｎｍ、第２の誘電体膜（１４０２−２）は、酸化チタン（ＴｉＯ２）：１０６ｎｍ、第３の誘電体膜（１４０２−３）は、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）：７５ｎｍ、第４の誘電体膜（１４０２−４）は、酸化珪素（ＳｉＯ２）：８５ｎｍで形成される。
【０１８９】
図１４において、成膜用基板（１）および成膜用基板（２）に対して、異なる波長の光を垂直に照射し、その反射率を測定した結果を示す。また、図１５において、成膜用基板（１）および成膜用基板（２）に対して、照射される波長５１０ｎｍの光の入射角に対する反射率を測定した結果を示す。
【０１９０】
図１４の結果から、成膜用基板（１）では、波長５００ｎｍ付近における反射率が低下していることが分かる。成膜用基板の光照射の際、波長範囲の狭いレーザ光を、基板または光源をスキャンさせて照射する場合には、成膜用基板（１）の構造でも対応できることが分かる。
【０１９１】
また、図１４の結果から、成膜用基板（２）では、波長５００ｎｍから波長６００ｎｍの広範囲で反射率が低下している。さらに、図１５の結果から、成膜用基板（１）よりも入射角に対して反射率が影響しにくいことがわかる。成膜用基板（１）に比べて反射防止膜を構成する機能膜の積層数が増えてしまうが、成膜用基板の光照射の際、成膜用基板の基板面に対して角度を持って光が入射するガルバノ式のレーザなどを光源に用いる場合には、成膜用基板（２）が好ましいことがわかる。
【０１９２】
従って、本実施例に示す成膜用基板を用いることにより、光照射による成膜の際、成膜用基板に設けられた反射防止膜によって光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができ、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状の膜が形成できるとともに、膜質の良好な膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１９３】
【図１】成膜用基板を説明する図。
【図２】成膜用基板を説明する図。
【図３】成膜方法を説明する図。
【図４】成膜用基板を説明する図。
【図５】成膜方法について説明する図。
【図６】成膜装置について説明する図。
【図７】発光素子について説明する図。
【図８】パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図９】パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図１０】アクティブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図１１】電子機器について説明する図。
【図１２】照明器具について説明する図。
【図１３】実施例１について説明する図。
【図１４】波長に対する反射率についての測定結果を示す図。
【図１５】入射角に対する反射率についての測定結果を示す図。
【符号の説明】
【０１９４】
１０１ 基板
１０２ 反射層
１０３ 開口部
１０４ 光吸収層
１０５ 材料層
１０６ 反射防止膜
３０１ 基板
３０２ 反射層
３０３ 光吸収層
３０４ 材料層
３０５ 反射防止膜
３０６ 開口部
３０７ 基板
３０８ 電極
３０９ 絶縁物
３１０ 光
３１１ ＥＬ層
４０１ 基板
４０２ 反射層
４０３ 光吸収層
４０４ 材料層
５０１ 基板
５０２ 反射層
５０３ 光吸収層
５０４ 材料層（Ｒ）
５０５ 開口部
５０６ 領域
５０７ 領域
５１１ 基板
５１２ 第１の電極
５１３ 絶縁物
５１４ ＥＬ層（Ｒ）
５１５ 領域
５１６ 領域
６０１ 成膜用基板
６０２ 被成膜基板
６０３ 成膜室
６０４ 成膜用基板支持機構
６０５ ステージ
６０６ ゲート弁
６０７ 窓
６０８ レーザ発振装置
６０９ 第１の光学系
６１０ 第２の光学系
６１１ 第３の光学系
６１２ 反射ミラー
６１３ 制御装置
６１４ 撮像素子
７０１ 基板
７０２ 第１の電極
７０３ ＥＬ層
７０４ 第２の電極
７１１ 正孔注入層
７１２ 正孔輸送層
７１３ 発光層
７１４ 電子輸送層
７１５ 電子注入層
８０１ 基板
８０２ 絶縁層
８０３ 第１の電極
８０４ 隔壁
８０５ 開口部
８０６ 逆テーパ状の隔壁
８０７ ＥＬ層
８０８ 第２の電極
９０３ 走査線
９０５ 領域
９０６ 隔壁
９０８ データ線
９０９ 接続配線
９１０ 入力端子
９１１ａ ＦＰＣ
９１１ｂ ＦＰＣ
９１２ 入力端子
１００１ 素子基板
１００２ 画素部
１００３ 駆動回路部（ソース側駆動回路）
１００４ 駆動回路部（ゲート側駆動回路）
１００５ シール材
１００６ 封止基板
１００７ 配線
１００８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１００９ ｎチャネル型ＴＦＴ
１０１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
１０１１ スイッチング用ＴＦＴ
１０１２ 電流制御用ＴＦＴ
１０１３ 陽極
１０１４ 絶縁物
１０１５ ＥＬ層
１０１６ 陰極
１０１７ 発光素子
１０１８ 空間
１２０１ 照明装置
１２０２ 照明装置
１２０３ 卓上照明器具
１３０１ 基板
１３０２ 反射防止膜
１３０２−１ 第１の誘電体膜
１３０２−２ 第２の誘電体膜
１３０２−３ 第３の誘電体膜
１４０１ 基板
１４０２ 反射防止膜
１４０２−１ 第１の誘電体膜
１４０２−２ 第２の誘電体膜
１４０２−３ 第３の誘電体膜
１４０２−４ 第４の誘電体膜
９１００ テレビジョン装置
９１０１ 筐体
９１０３ 表示部
９１０５ スタンド
９１０７ 表示部
９１０９ 操作キー
９１１０ リモコン操作機
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ マウス
９３０１ 筐体
９３０２ 筐体
９３０３ 連結部
９３０４ 表示部
９３０５ 表示部
９３０６ スピーカ部
９３０７ 記録媒体挿入部
９３０８ ＬＥＤランプ
９３０９ 操作キー
９３１０ 接続端子
９３１１ センサ
９３１２ マイクロフォン
９４００ 携帯電話機
９４０１ 筐体
９４０２ 表示部
９４０３ 操作ボタン
９４０４ 外部接続ポート
９４０５ スピーカ
９４０６ マイク
９５０１ 照明部
９５０２ 傘
９５０３ 可変アーム
９５０４ 支柱
９５０５ 台
９５０６ 電源
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜可能な材料の成膜に用いる成膜用基板およびこれを用いた発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００３】
発光素子の発光機構は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。
【０００５】
また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法などを用いて成膜されることが多い。
【０００６】
蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板を設置する基板ホルダと、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有しており、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される構成となっている。
【０００７】
しかし、実際には均一に膜を成膜するために、被成膜基板を回転させることや、基板とルツボとの間の距離を一定以上離すことが必要となる。また、複数のＥＬ材料を用いてメタルマスクなどのマスクを介した塗り分けを行う場合には、異なる画素間の間隔を広く設計し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁（バンク）の幅を広くすることが必要となるなど発光素子を含む発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。
【０００８】
従って、フラットパネルディスプレイとして、より高精細化や高信頼性を図るために、これらの課題を解決すると共に生産性の向上や低コスト化を図ることが要求されている。
【０００９】
これに対して、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、支持基板上に、低反射層と高反射層から構成される光熱変換層と、転写層を有する転写用基板について記載されている。このような転写用基板にレーザ光を照射することにより、転写層を素子作製用基板に転写することができる。
【００１０】
しかしながら、レーザによる成膜の場合において、レーザ光は、照射領域におけるエネルギー分布にばらつきが生じる為、レーザ光を用いた成膜では成膜される膜の形状が所望の形状とならずにぼけてしまったり、膜質や膜厚にばらつきが生じるという問題がある。
【特許文献１】特開２００６−３０９９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明の一態様は、光を用いた成膜において、膜を所望の形状にすることができる成膜用基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の一態様では、成膜用基板に光を照射する光源（レーザ）と、成膜用基板に設けられた反射層や光吸収層等との間に配置された反射防止膜を設けた成膜用基板を作製する。また、この成膜用基板を用いて、光照射による成膜を行い発光装置を作製する。
【００１３】
本発明の一態様は、基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、基板の一方の面および反射層に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層を有し、基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有することを特徴とする。
【００１４】
上記構成に加えて、反射防止膜は、基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜で構成され、基板の屈折率をｎＧ、第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、Ｘ層の積層膜である反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２であることを特徴とする。
（但し、反射防止膜を構成する第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【００１５】
さらに、上記構成に加えて、反射防止膜を構成するＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜の間であって、Ｍ層目と、（Ｍ＋１）層目の間に、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たす第Ｈの誘電体膜を挿入することを特徴とする。
【００１６】
なお、上記構成において、反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする。また、反射層の膜厚は、１００ｎｍ以上であることが好ましい。また、反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする。
【００１７】
また、上記構成における光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする。また、光吸収層の膜厚は、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする。また、光吸収層は、窒化タンタル、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする。
【００１８】
なお、上記構成において光吸収層が前記反射層の開口部と重なる位置に島状に形成されていてもよい。
【００１９】
また、上記構成において、材料層は有機化合物を含むことを特徴とする。なお、材料層が、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含む場合も本発明に含めることとする。
【００２０】
また、本発明の一態様である発光装置の作製方法は、上述した成膜用基板を用いた発光装置の作製方法であって、基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、基板の一方の面および反射層に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層を有し、基板の他方の面に接して形成された反射防止膜とを少なくとも有する第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の別の一態様である発光装置の作製方法は、基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、基板の一方の面および反射層に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層を有し、基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有し、反射防止膜は、基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜で構成され、基板の屈折率をｎＧ、前記第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、
Ｘ層の積層膜である反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２である第１の基板の一方の面と、
第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第１の電極表面に成膜することを特徴とする。
（但し、反射防止膜を構成する第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【００２２】
さらに、本発明の別の一態様である発光装置の作製方法は、基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、基板の一方の面および反射層に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層を有し、基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有し、
反射防止膜を構成するＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜の間であって、Ｍ層目と、（Ｍ＋１）層目の間に、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たす第Ｈの誘電体膜が挿入された第１の基板の一方の面と、
第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第１の電極表面に成膜することを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００２４】
成膜用基板に反射防止膜を設けることにより、成膜用基板に光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができるため、エネルギー分布のばらつきを防ぎ、所望の形状の膜形成や、膜質の良好な膜形成が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２６】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の一態様として、成膜用基板の構造について説明する。
【００２７】
図１（Ａ）に示すように、支持基板である基板１０１上に反射層１０２が形成されている。なお、反射層１０２は開口部１０３を有している。また、反射層１０２上には、光吸収層１０４が形成されている。なお、光吸収層１０４の一部は、反射層１０２の開口部１０３を埋めるように形成されている。また、光吸収層１０４上には、成膜材料からなる材料層１０５が形成されている。
【００２８】
一方、基板１０１の裏面（反射層１０２、光吸収層１０４、材料層１０５が形成される面とは反対側の面）には、反射防止膜１０６が形成されている。
【００２９】
図１（Ａ）において、光吸収層１０４、材料層１０５、および反射防止膜１０６は、基板１０１の全面に形成されている。
【００３０】
なお、図１（Ａ）に示す成膜用基板を用いて成膜する場合、基板１０１の反射防止膜１０６が形成されている側から光を照射することによって、材料層１０５の一部を被成膜基板に成膜する。そのため、基板１０１は、照射された光（レーザ光）を透過させることのできる光の透過率が高い基板であることが好ましい。さらに、熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いことにより、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができるためである。基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。
【００３１】
反射層１０２は、成膜の際、光吸収層１０４の一部分に選択的に光を照射するために、それ以外の部分に照射される光を反射させる層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。
【００３２】
反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金（例えば、アルミニウム−ネオジム合金）、または銀を含む合金（例えば、銀−ネオジム合金）などを用いることができる。
【００３３】
なお、反射層１０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。
【００３４】
また、反射層１０２に開口部１０３を形成する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、さらに微細なパターンを成膜することができる。
【００３５】
光吸収層１０４は、基板１０１および反射層１０２を覆って形成され、成膜の際に照射された光を吸収し、材料層１０５に熱を与える層である。よって、光吸収層１０４は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０４は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。
【００３６】
光吸収層１０４に用いることができる材料としては、例えば、チタン、モリブデン、タンタル、タングステンなどの金属の他、窒化チタン、窒化タンタル等の金属窒化物を用いることができる。なお、光吸収層１０４はこれらの材料からなる単層膜であっても良いし、いずれかを組み合わせてなる積層膜により構成されていてもよい。
【００３７】
なお、光吸収層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。
【００３８】
また、光吸収層１０４の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚（好ましくは１００ｎｍ以上２μｍ以下）であることが好ましい。特に、光吸収層１０４の膜厚を１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収層１０４の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。
【００３９】
なお、光吸収層１０４は、材料層１０５に含まれる材料の昇華温度まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、材料層１０５に含まれる材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。
【００４０】
材料層１０５は、光吸収層１０４に接して形成され、被成膜基板上に成膜する材料を含んで形成される層である。そして、材料層１０５に光を照射することにより、材料層１０５に含まれる材料が光吸収層１０４によって加熱され、被成膜基板上に成膜される。
【００４１】
なお、材料層１０５に含まれる材料としては、成膜可能な材料であれば、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。例えば、本実施の形態で示すように発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料の詳細については、実施の形態５において詳述するので、それを参考にすることとし、ここでの説明は省略する。
【００４２】
材料層１０５は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１０５は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよいし、混合層であってもよい。
【００４３】
なお、材料層１０５は、種々の方法により形成することができる。例えば、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。また、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、印刷法等を用いることができる。
【００４４】
反射防止膜１０６は、成膜の際に照射された光の一部が、光吸収層１０４と基板１０１との界面において光吸収層１０４に吸収されることなく反射され、さらに基板１０１と外部（空気）との界面において外部に出射されることなく基板１０１内部に反射されるのを防ぐための層である。
【００４５】
すなわち、反射防止膜１０６を設けることによって、光吸収層１０４と基板１０１との界面において反射された光を基板１０１から外部（空気）へ出射させることができ、成膜の際に照射される光の干渉を防ぐことができるため、干渉の強弱に起因した成膜不良を防止することができる。
【００４６】
なお、反射防止膜１０６は、成膜の際に用いる光がレーザ光の場合に効果的である。例えば、スキャンスピードの速さにメリットを有するガルバノ式のレーザを用いる場合、大部分のレーザ光の入射角が基板に対して垂直とはならず、ガラス内部における光学距離が入射角毎に異なってしまう。そのため、干渉の強度に強弱が生じて成膜される領域が変化し、所望の形状の成膜ができなくなるが、反射防止膜１０６を設けることにより、光の干渉を防ぐことができるので、所望の形状の膜形成が可能となる。また、基板にうねりがある場合にも干渉の強度に強弱が生じるが、この場合も反射防止膜１０６を設けることにより、光の干渉を防ぐことができる。
【００４７】
なお、反射防止膜１０６は、図１（Ｂ）に示すようにＸ層（但し、Ｘは、１、２、・・、Ｐの整数）の誘電体膜を積層して形成される。すなわち、基板１０１側から第１の誘電体膜（１０６（１））、第２の誘電体膜（１０６（２））、、、第（Ｐ−１）の誘電体膜（１０６（Ｐ−１））、第Ｐの誘電体膜（１０６（Ｐ））なる誘電体膜をＸ層積層して形成される。
【００４８】
また、Ｘ層の積層膜からなる反射防止膜１０６の光学アドミッタンスＹＸは、基板１０１の屈折率をｎＧ、第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとした時、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２である。
（但し、反射防止膜１０６を構成する第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【００４９】
また、反射防止膜１０６は、図２に示す構造としても良い。図２に示す反射防止膜１０６は、図１（Ｂ）に示した反射防止膜１０６の内部であって、基板１０１側からＭ番目である第Ｍの誘電体膜（１０６−Ｍ）と、（Ｍ＋１）番目である第（Ｍ＋１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ＋１））の間に第Ｈの誘電体膜（１０６−Ｈ）を導入した構造である。
【００５０】
なお、第Ｍの誘電体膜（１０６−Ｍ）の屈折率をｎＭ、第Ｈの誘電体膜（１０６−Ｈ）の屈折率をｎＨとし、第１の誘電体膜（１０６−１）から第（Ｍ−１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ−１））までの積層膜の屈折率をＹＭ−１、第１の誘電体膜（１０６−１）から第Ｍの誘電体膜（１０６−Ｍ）までの積層膜の屈折率をＹＭ、第１の誘電体膜（１０６−１）から第（Ｍ＋１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ＋１））までの屈折率をＹＭ＋１とした時、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式が成り立つものとする。
【００５１】
反射防止膜１０６は、基板１０１に接して形成されるが、反射層１０２、光吸収層１０４、および材料層１０５が形成される面とは反対側の面に形成される。なお、反射防止膜は、基板１０１側から第１の誘電体膜（１０６（１））、第２の誘電体膜（１０６（２））、、、第（Ｍ−１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ−１））、第Ｍの誘電体膜（１０６−Ｍ）、第Ｈの誘電体膜（１０６−Ｈ）、第（Ｍ＋１）の誘電体膜（１０６−（Ｍ＋１））、、、第（Ｐ−１）の誘電体膜（１０６（Ｐ−１））、第Ｐの誘電体膜（１０６（Ｐ））が順次積層されてなる積層膜である。
【００５２】
なお、上述したように反射防止膜１０６は、誘電体膜の積層膜であることから、反射防止膜１０６を構成する誘電体膜に用いることができる材料としては、透光性を有する材料、好ましくは１０％以上の透過率を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、酸化チタン（Ｔｉ２Ｏ）などを用いることができる。
【００５３】
本実施の形態に示す成膜用基板は、成膜用基板に形成される反射層や光吸収層と、光源（レーザ）との間に反射防止膜が形成されているため、成膜用基板に光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができる。これにより、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状の膜が形成できるとともに、膜質の良好な膜を形成することができる。
【００５４】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、本発明の一態様として、実施の形態１で説明した成膜用基板を用いて被成膜基板上に発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。なお、実施の形態１で示した基板１０１は、本実施の形態２では、第１の基板３０１とよぶこととする。
【００５５】
まず、図３（Ａ）に示すように、第１の基板３０１の一方の面であって、反射層３０２、光吸収層３０３、および材料層３０４が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板３０７を配置する。第２の基板３０７は、発光素子のＥＬ層が形成される被成膜基板である。従って、第２の基板３０７上には、発光素子の一方の電極となる第１の電極３０８、および絶縁物３０９が形成されている。
【００５６】
なお、第１の基板３０１上の反射層３０２に形成された開口部３０６は、第１の電極３０８上に形成されるＥＬ層の形状に合わせて形成されているため、開口部３０６と第１の電極３０８とが重なるように第１の基板３０１と第２の基板３０７とを配置する。
【００５７】
そして、第１の基板３０１と第２の基板３０７とを至近距離、具体的には第１の基板３０１上の材料層３０４の表面と、第２の基板３０７表面との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。
【００５８】
なお、距離ｄは、第１の基板３０１上の材料層３０４の表面と、第２の基板３０７表面との距離で定義する。従って、第２の基板３０７上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁物等）が形成されている場合、距離ｄは、第１の基板３０１上の材料層３０４の表面と、第２の基板３０７上に形成された層の最表面との距離で定義する。ただし、第１の基板３０１上の材料層３０４の表面や、第２の基板３０７上に形成された層の最表面が凹凸を有する場合における距離ｄは、第１の基板３０１上の材料層３０４の表面と、第２の基板３０７上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義することとする。
【００５９】
次に、図３（Ｂ）に示すように第１の基板３０１の他方の面であって、反射防止膜３０５が形成された面側から光３１０を照射する。このとき、第１の基板３０１上に形成された反射層３０２に照射された光は、反射されるが、反射層３０２の開口部３０６に照射された光は、光吸収層３０３に吸収される。そして、光吸収層３０３は、吸収した光から得た熱を材料層３０４に与えることにより、第２の基板３０７上に形成された第１の電極３０８上に材料を成膜する。これにより、第２の基板３０７上に発光素子のＥＬ層３１１が形成される。
【００６０】
なお、照射する光としては、レーザ光であることが好ましい。レーザ光を用いることにより、光吸収層３０３に瞬間的に高エネルギーの光を照射できるので、材料を高精細にパターニングすることができる。
【００６１】
また、本発明では、照射された光源からの光による輻射熱を利用するのではなく、光源からの光を吸収した光吸収層３０３が材料層３０４に熱を与えることが特徴である。従って、光が照射される光吸収層３０３の一部から、光が照射されない光吸収層１０４の一部へ、面方向に熱が伝わることにより、必要な範囲以上に材料層３０４が加熱されることのないように、光の照射時間は、短くすることが好ましい。
【００６２】
なお、照射するレーザ光の光源としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００６３】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−６Ｐａ以上１０−３Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。
【００６４】
また、図３（Ｃ）には、第１の基板３０１と第２の基板３０７との距離ｄが０ｍｍの場合について示す。つまり、第１の基板３０１上に形成された材料層３０４と、第２の基板３０７上に形成された層のうちの最表層である絶縁物３０９とが接する場合について示す。このように距離ｄを小さくすることで、必要以上の材料消費を防ぐことができるので、材料の利用効率を向上させることができる。また、光を照射した際に、第２の基板３０７上に成膜される膜の形状を精度良く形成することができる。ただし、第２の基板３０７の表面に凹凸がない場合には、第１の基板３０１上の材料層３０４と第２の基板３０７の被成膜面が接しないようにすることが好ましい。
【００６５】
なお、図３に示す第１の基板３０１には、光吸収層３０３が第１の基板３０１の全面に形成される場合について示したが、図４に示すように、島状にパターン形成された光吸収層４０３が形成される構成としても良い。この様に島状にパターン形成された光吸収層４０３を形成することにより、第１の基板３０１に光を照射した際、光が照射される領域にある光吸収層における熱が、光の照射されない光吸収層にまで面方向に伝わるのを防ぐことができる。これにより、所望の領域以外の材料層が加熱することにより生じる、被成膜面の成膜パターンのずれや、ぼけを防ぐことができる。
【００６６】
なお、図４に示した成膜用基板の場合も図１で説明した成膜用基板の場合と同様であり、図３（Ａ）に示すように、基板４０１の一方の面であって、反射層４０２、光吸収層４０３、および材料層４０４が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板３０７を配置し、第１の基板４０１の裏面（反射層４０２、光吸収層４０３、および材料層４０４が形成されていない面）側から光を照射して材料を成膜することにより、第２の基板３０７上に形成された第１の電極３０８上にＥＬ層を形成することができる。
【００６７】
なお、本実施の形態では、第２の基板３０７が、第１の基板３０１の下方に位置する場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
【００６８】
以上より、本実施の形態に示す成膜用基板は、成膜用基板に形成される反射層や光吸収層と、光源（レーザ）との間に反射防止膜が形成されているため、成膜用基板に光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができる。これにより、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状のＥＬ層が形成できるとともに、膜質の良好なＥＬ層を形成することができる。
【００６９】
なお、本実施の形態２に示す構成は、実施の形態１に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【００７０】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、本発明の一態様として、実施の形態１で説明した成膜用基板を、ＥＬ層の形成に用いる材料が異なる毎に別の成膜用基板に変え、実施の形態２で示すようにＥＬ層を形成することにより、被成膜基板上に複数形成された第１の電極上に何種類かの材料の異なるＥＬ層をそれぞれ形成し、フルカラー表示が可能な発光装置を作製する方法について説明する。
【００７１】
具体的には、実施の形態１で説明した成膜用基板を３枚用いて、発光色の異なるＥＬ層の成膜を３回行うことにより、被成膜基板上に複数形成された第１の電極上に３種類のＥＬ層のうちのいずれかを形成する場合について説明する。
【００７２】
１枚目の第１の成膜用基板は、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す構造を有しており、図５（Ａ）は、図５（Ｂ）の上面図の破線Ｐ−Ｐ’における断面図を示している。なお、第１の成膜用基板は、基板５０１の一方の面に反射層５０２、光吸収層５０３、材料層（Ｒ）５０４が形成され、他方の面には、反射防止膜が形成された構造を有し、材料層（Ｒ）５０４には、赤色発光を示すＥＬ層を形成するための成膜材料が含まれている。また、反射層５０２は、開口部５０５を有している。
【００７３】
次に、図５（Ａ）（Ｂ）で示した第１の成膜用基板の材料層（Ｒ）５０４が形成された面と、被成膜基板の被成膜面とを向かい合わせて重ね、位置合わせを行った後、光を照射することにより被成膜基板上に第１の成膜用基板の材料層（Ｒ）５０４を成膜する。
【００７４】
なお、図５（Ａ）（Ｂ）で示した第１の成膜用基板の開口部５０５では、光吸収層５０３および材料層（Ｒ）５０４が積層された構造を有するので、第１の成膜用基板に光を照射することにより、開口部５０５における材料層（Ｒ）５０４のみを被成膜基板に成膜することができる。
【００７５】
光照射による成膜後の被成膜基板を図５（Ｃ）（Ｄ）に示す。図５（Ｃ）は、図５（Ｄ）の上面図の破線Ｑ−Ｑ’における断面図を示している。なお、ＥＬ層を成膜する被成膜基板には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の駆動用回路や配線等が形成される場合もあるが、ここでは、便宜上省略し、基板５１１の一方の面に第１の電極５１２、絶縁物５１３、ＥＬ層（Ｒ）５１４が形成される様子のみを示す。なお、第１の電極５１２は、陰極または陽極である。
【００７６】
すなわち、基板５１１上に形成される複数の第１の電極のうち、第１の成膜用基板の開口部５０５と重なる位置にある第１の電極上のみにＥＬ層（Ｒ）が形成される。
【００７７】
２枚目の第２の成膜用基板も第１の成膜用基板と同様の構造を有しているが、第２の成膜用基板の材料層（Ｇ）には、緑色発光を示すＥＬ層を形成するための材料が含まれている。また、反射層５０２に形成される開口部の位置が、第１の成膜用基板とは１画素分ずらした位置、すなわち、図５（Ｂ）の点線で示す領域５０６に形成されている。すなわち、第２の成膜用基板を用いて光照射による成膜を行うことにより、赤色発光を示すＥＬ層（Ｒ）が形成される第１の電極の隣の第１の電極上、すなわち、図５（Ｃ）（Ｄ）の点線で示す領域５１５に緑色発光を示すＥＬ層（Ｇ）を形成することができる。
【００７８】
３枚目の第３の成膜用基板も第１の成膜用基板と同様の構造を有しているが、第３の成膜用基板の材料層（Ｂ）には、青色発光を示すＥＬ層を形成するための材料が含まれている。また、反射層５０２に形成される開口部の位置が、第１の成膜用基板とは２画素分ずらした位置、すなわち、図５（Ｂ）の点線で示す領域５０７に形成されている。すなわち、第３の成膜用基板を用いて光照射による成膜を行うことにより、赤色発光を示すＥＬ層（Ｒ）が形成される第１の電極の２つ隣の第１の電極上、すなわち、図５（Ｃ）（Ｄ）の点線で示す領域５１６に青色発光を示すＥＬ層（Ｂ）を形成することができる。
【００７９】
なお、これらの光照射による成膜における基板の位置合わせを、より精度良く行う為、被成膜基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。さらに、成膜用基板（第１の成膜用基板、第２の成膜用基板、第３の成膜用基板）にも位置合わせ用のマーカを設けてもよい。
【００８０】
この様に、３枚の成膜用基板を用いることにより、同一の被成膜基板上にＥＬ層（Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）を一定の間隔をあけて形成することができる。そして、これらのＥＬ層上に第２の電極を形成することによって、発光素子を形成することができる。なお、第２の電極は、第１の電極５１２とは極性の異なる電極である。
【００８１】
以上により、同一基板上に異なる発光を示す発光素子を形成することができるため、フルカラー表示が可能な発光装置を形成することができる。
【００８２】
なお、本実施の形態では、成膜用基板に形成された反射層の開口部５０５の形状を矩形とした例を示したが、特に限定されず、同じ発光色となる複数の画素上に形成されるストライプ状の開口部としても良い。ストライプ状の開口部とした場合、同じ発光色となる画素の発光領域の間にも成膜が行われるが、絶縁物５１３の上に形成されるため、絶縁物５１３と重なる部分は発光領域とはならない。
【００８３】
なお、画素の配列や形状は、本実施の形態に示す構成に限定されず、様々な配列とすることができる。また、１つの画素形状も円形、多角形、例えば六角形とすることができる。
【００８４】
以上より、本実施の形態に示す成膜用基板（第１の成膜用基板、第２の成膜用基板、第３の成膜用基板）は、成膜用基板に形成される反射層や光吸収層と、光源（レーザ）との間に反射防止膜が形成されているため、成膜用基板に光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができる。これにより、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状のＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ））が形成できるとともに、膜質の良好なＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ））を形成することができる。
【００８５】
なお、本実施の形態３に示す構成は、実施の形態１または実施の形態２に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【００８６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様として、成膜用基板を用いて光照射による成膜を行う成膜装置について、図６を用いて説明する。
【００８７】
本実施の形態に示す構成は、図６に示すように、成膜用基板６０１および被成膜基板６０２は、いずれも成膜室６０３内に備えられ、成膜用基板６０１は、成膜用基板支持機構６０４上に配置され、被成膜基板６０２は、ステージ６０５上に配置されている。
【００８８】
また、成膜室６０３は、ゲート弁６０６によって外部から遮断されており、成膜室６０３の内部を真空チャンバーとすることができる。また、成膜室６０３は、透光性の材料で形成された窓６０７を有している。従って、成膜室６０３の外部の光源から窓６０７を介して光を照射することによって、成膜室６０３内部の被成膜基板に成膜することができる。
【００８９】
また、待機時における光源から成膜用基板６０１へ光が照射されることによる影響を防ぐため、待機時（成膜処理前）には光源と成膜用基板６０１との間を遮光することができる開閉式のシャッターを窓６０７に設けてもよい。
【００９０】
また、本実施の形態では、光源は、成膜室６０３の外部に設ける構成としているが、光源を内部に配置する構成としても良い。
【００９１】
本実施の形態で示す成膜装置は、光源をレーザ光とするものである。従って、射出されるレーザ光はレーザ発振装置６０８（ＹＡＧレーザ装置、エキシマレーザ装置など）から出力され、ビーム形状を矩形状とするための第１の光学系６０９と、整形するための第２の光学系６１０と、平行光線にするための第３の光学系６１１とを通過し、反射ミラー６１２で光路が成膜用基板６０１に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、成膜用基板６０１にレーザ光を照射する。
【００９２】
レーザ光としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００９３】
また、成膜用基板６０１に照射されるレーザスポットの形状は、矩形状または線状とすることが好ましく、出力の比較的大きなエキシマレーザなどを用いる場合には、短辺が１ｍｍ〜５ｍｍ、且つ長辺が１０ｍｍ〜５０ｍｍの矩形状とすればよい。また、大面積基板を用いる場合には、処理時間を短縮するため、レーザスポットの長辺を２０ｃｍ〜１００ｃｍとすることが好ましい。また、図６に示すレーザ発振装置及び光学系を複数設置して大面積の基板を短時間に処理してもよい。具体的には、複数のレーザ発振装置からレーザ光をそれぞれ照射して基板１枚における処理面積を分担してもよい。
【００９４】
なお、図６は一例であり、レーザ光の光路に配置する各光学系や電気光学素子の位置関係は特に限定されない。例えば、レーザ発振装置６０８を成膜用基板６０１の上方に配置し、レーザ発振装置６０８から射出するレーザ光が成膜用基板６０１の主平面に垂直な方向となるように配置すれば、反射ミラー６１２を用いずともよい。また、各光学系は、集光レンズ、ビームエキスパンダ、ホモジナイザ、または偏光子などを用いればよく、これらを組み合わせてもよい。また、各光学系としてスリットを組み合わせてもよい。
【００９５】
被照射面上でレーザ光の照射領域を２次元的に、適宜、走査させることによって、基板の広い面積に照射を行う。走査するために、レーザ光の照射領域と基板とを相対的に移動させる。ここでは、成膜用基板６０１を保持している成膜用基板支持機構６０４と、被成膜基板６０２を保持しているステージ６０５を同時にＸＹ方向に移動させながらレーザ光を照射させる。
【００９６】
また、制御装置６１３は、ステージ６０５をＸＹ方向に移動させる移動手段も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置６１３は、レーザ発振装置６０８も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置６１３は、位置マーカを認識するための撮像素子６１４を有する位置アライメント機構と連動させることが好ましい。なお、位置アライメント機構は、成膜用基板６０１と、被成膜基板６０２との位置合わせを行う。
【００９７】
また、成膜用基板６０１と被成膜基板６０２の基板間隔である距離ｄは、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。また、被成膜基板６０２に隔壁となる絶縁物が設けられている場合には、被成膜基板６０２の絶縁物と、成膜用基板６０１の材料層とを接触させて配置してもよい。
【００９８】
また、図６に示す成膜装置は、被成膜基板６０２の被成膜面が上を向いた、所謂フェイスアップ方式の成膜装置の例を示しているが、フェイスダウン方式の成膜装置とすることもできる。また、被成膜基板６０２が大面積基板である場合、基板の自重により基板の中心が撓んでしまうことを抑えるために、被成膜基板６０２の主平面を水平面に対して垂直に立てる、所謂縦置き方式の装置としてもよい。
【００９９】
また、成膜装置には被成膜基板６０２を冷却する冷却手段を設けても良い。冷却手段としては、例えば、ステージ６０５に熱媒体（冷媒など）を流すチューブを設けたり、ステージ６０５にコールドプレートを用いるなどの方法が挙げられる。被成膜基板６０２を冷却する冷却手段をさらに設けることで、プラスチック基板などの可撓性基板を被成膜基板６０２に用いることができる。
【０１００】
なお、本実施の形態に示した製造装置を複数設け、マルチチャンバー型の製造装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した製造装置を直列に複数並べて、インライン型の製造装置にすることもできる。
【０１０１】
本実施の形態に示す成膜装置において成膜用基板を用いた成膜を行うことにより、成膜用基板に光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができる。これにより、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状の膜が形成できるとともに、膜質の良好な膜を形成することができる。
【０１０２】
また、この様な成膜装置を用いることにより、成膜工程を全自動化でき、スループットの向上を図ることができる。
【０１０３】
なお、本実施の形態４に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態３に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１０４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様として、発光素子を作製する方法について説明する。
【０１０５】
発光素子の具体的な構造を図７（Ａ）や図７（Ｂ）に示す。発光素子は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで形成されるが、発光素子におけるＥＬ層は、図７（Ａ）に示すように少なくとも発光層７１３を含んで形成されていれば良く、図７（Ｂ）に示すように発光層７１３以外の層も形成された積層構造であっても良い。具体的には、発光層７１３に加えて、正孔注入性の高い物質からなる正孔注入層７１１、正孔輸送性の高い物質からなる正孔輸送層７１２、電子輸送性の高い物質からなる電子輸送層７１４、および電子注入性の高い物質からなる電子注入層７１５を含んでなる積層構造とすることができる。
【０１０６】
また、発光素子の電極のうちの第１の電極７０２は、陽極または陰極のいずれか一方であり、第２の電極７０４は、陽極または陰極のいずれか他方である。なお、発光素子では、陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層７０３で再結合することにより、発光が得られる。なお、本実施の形態では、第１の電極７０２が陽極、第２の電極７０４が陰極の場合について説明する。
【０１０７】
基板７０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。
【０１０８】
第１の電極７０２としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい。）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。
【０１０９】
これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。
【０１１０】
この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の導電性ポリマーを用いても良い。但し、第１の電極７０２と接して電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第１の電極７０２に用いることができる。
【０１１１】
上述した電荷発生領域を設ける場合には、図７（Ａ）や図７（Ｂ）におけるＥＬ層７０３と、陽極である第１の電極７０２との間に設ける。なお、電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。また、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が第１の電極７０２と接する構造となる。
【０１１２】
電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。
【０１１３】
また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０１１４】
第２の電極７０４としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下であることが好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。
【０１１５】
この他、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属の化合物（例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（ＬｉＯｘ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）など）の薄膜と、アルミニウム等の金属膜とを積層することによって、第２の電極７０４を形成することも可能である。しかしながら、第２の電極７０４と接して上述した電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第２の電極７０４に用いることができる。
【０１１６】
なお、本実施の形態に示す発光素子においては、第１の電極７０２および第２の電極７０４のうち、少なくとも一方が透光性を有すればよい。透光性は、ＩＴＯのような透明電極を用いるか、あるいは電極の膜厚を薄くすることにより確保できる。
【０１１７】
ＥＬ層を構成する各層に用いる材料について、以下に具体例を示す。
【０１１８】
正孔注入層７１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１１９】
正孔輸送層７１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１２０】
これ以外にも、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を正孔輸送層に用いることができる。
【０１２１】
発光層７１３は、発光物質を含む層である。発光物質としては、以下に示す蛍光性化合物を用いることができる。例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。
【０１２２】
また、発光物質としては、以下に示す燐光性化合物を用いることもできる。例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１２３】
また、発光層７１３としては、これらの発光物質をドーパント材料として用い、ホスト材料（例えば、正孔輸送性の高い物質や電子輸送性の高い物質等）に分散させた構成とすることもできる。なお、ドーパント材料をホスト材料に分散させた構成を用いることにより、発光層７１３の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１２４】
ドーパント材料を分散させるホスト材料としては、ドーパント材料が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、ドーパント材料が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
【０１２５】
ホスト材料の具体例としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。
【０１２６】
なお、ドーパント材料をホスト材料に分散させた構成を有する発光層７１３を形成する際に成膜用基板を用いる場合には、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。その他、成膜用基板上の材料層をホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層との積層構造としてもよい。
【０１２７】
電子輸送層７１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体、さらに、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などを用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を二層以上積層したものを用いてもよい。
【０１２８】
これ以外にも、ＰＦ−Ｐｙ（略称）、ＰＦ−ＢＰｙ（略称）などの高分子化合物を電子輸送層７１４に用いることができる。
【０１２９】
電子注入層７１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。また、電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。この様な構造とすることにより、第２の電極７０４からの電子注入効率をより高めることができる。
【０１３０】
なお、ＥＬ層７０３の形成には、成膜用基板を用いた光照射による成膜法を用いて形成することができる。また、ＥＬ層７０３が上述した複数の層（正孔注入層７１１、正孔輸送層７１２、発光層７１３、電子輸送層７１４、電子注入層７１５）からなる積層構造の場合には、各層を形成する材料からなる材料層を有する成膜用基板を層の数だけ用意し、各層毎に異なる成膜用基板を用いて積層構造を有するＥＬ層７０３を形成する。なお、ＥＬ層７０３の全ての層に成膜用基板を用いた成膜方法を用いることもできるが、一部の層のみに用いても良い。
【０１３１】
また、図７（Ａ）（Ｂ）では、陽極として機能する第１の電極７０２を基板７０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極７０４を基板７０１側に設けてもよい。
【０１３２】
本実施の形態に示す発光素子のＥＬ層は、成膜用基板を用いた光照射による成膜法を用いて形成することができる。この場合、成膜用基板に設けられた反射防止膜によって光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができ、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状のＥＬ層が形成できるとともに、膜質の良好なＥＬ層を形成することができる。従って、素子特性の優れた発光素子を形成することができる。
【０１３３】
なお、本実施の形態５に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態４に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３４】
（実施の形態６）
本実施の形態６では、本発明の一態様として、発光素子を用いて作製される発光装置であるパッシブマトリクス型の発光装置、およびアクティブマトリクス型の発光装置について説明する。
【０１３５】
図８、図９にパッシブマトリクス型の発光装置の例を示す。
【０１３６】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【０１３７】
図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図８（Ｄ）である。
【０１３８】
基板８０１上には、下地絶縁層として絶縁層８０２を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層８０２上には、ストライプ状に複数の第１の電極８０３が等間隔で配置されている（図８（Ａ）。）。
【０１３９】
また、第１の電極８０３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁８０４が設けられ、開口部を有する隔壁８０４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部８０５が発光領域となる（図８（Ｂ）。）。
【０１４０】
開口部を有する隔壁８０４上に、第１の電極８０３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁８０６が設けられる（図８（Ｃ）。）。逆テーパ状の隔壁８０６はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。
【０１４１】
図８（Ｃ）に示すように逆テーパ状の隔壁８０６を形成した後、図８（Ｄ）に示すようにＥＬ層８０７および第２の電極８０８を順次形成する。開口部を有する隔壁８０４及び逆テーパ状の隔壁８０６を合わせた高さは、ＥＬ層８０７及び第２の電極８０８の膜厚より大きくなるように設定されているため、図８（Ｄ）に示すように複数の領域に分離されたＥＬ層８０７と、第２の電極８０８とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。
【０１４２】
第２の電極８０８は、第１の電極８０３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁８０６上にもＥＬ層８０７及び第２の電極８０８を形成する導電層の一部が形成されるが、ＥＬ層８０７、及び第２の電極８０８とは分断されている。
【０１４３】
なお、本実施の形態における第１の電極８０３および第２の電極８０８は、一方が陽極であり、他方が陰極であればどちらであっても良い。なお、ＥＬ層８０７を構成する積層構造については、電極の極性に応じて適宜調整すればよい。
【０１４４】
また、必要であれば、基板８０１に封止缶やガラス基板などの封止材をシール材などの接着剤で貼り合わせて封止し、発光素子が密閉された空間に配置されるようにしても良い。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。なお、密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填しても良い。さらに、水分などによる発光素子の劣化を防ぐために基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥剤によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。なお、乾燥剤としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【０１４５】
次に、図８（Ａ）乃至図８（Ｄ）に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図９に示す。
【０１４６】
図９において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１４７】
ここで、図８における第１の電極８０３が、図９の走査線９０３に相当し、図８における第２の電極８０８が、図９のデータ線９０８に相当し、逆テーパ状の隔壁８０６が隔壁９０６に相当する。データ線９０８と走査線９０３の間には、図８のＥＬ層８０７が挟まれており、領域９０５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０１４８】
なお、走査線９０３は配線端で接続配線９０９と電気的に接続され、接続配線９０９が入力端子９１０を介してＦＰＣ９１１ｂに接続される。また、データ線は入力端子９１２を介してＦＰＣ９１１ａに接続される。
【０１４９】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１５０】
なお、図９では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０１５１】
また、ＩＣチップを実装させる場合には、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。
【０１５２】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１０を用いて説明する。なお、図１０（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１００１上に設けられた画素部１００２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）１００３と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１００４と、を有する。画素部１００２、駆動回路部１００３、及び駆動回路部１００４は、シール材１００５によって、素子基板１００１と封止基板１００６との間に封止されている。
【０１５３】
また、素子基板１００１上には、駆動回路部１００３、及び駆動回路部１００４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１００７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１００８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１５４】
次に、断面構造について図１０（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１００１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１００３と、画素部１００２が示されている。
【０１５５】
駆動回路部１００３はｎチャネル型ＴＦＴ１００９とｐチャネル型ＴＦＴ１０１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１５６】
また、画素部１００２はスイッチング用ＴＦＴ１０１１と、電流制御用ＴＦＴ１０１２と電流制御用ＴＦＴ１０１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された陽極１０１３とを含む複数の画素により形成される。なお、陽極１０１３の端部を覆って絶縁物１０１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
【０１５７】
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１０１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１０１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１０１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１０１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。
【０１５８】
陽極１０１３上には、ＥＬ層１０１５及び陰極１０１６が積層形成されている。なお、陽極１０１３をＩＴＯ膜とし、陽極１０１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１０１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、陰極１０１６は外部入力端子であるＦＰＣ１００８に電気的に接続されている。
【０１５９】
なお、ＥＬ層１０１５は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。陽極１０１３、ＥＬ層１０１５及び陰極１０１６との積層構造で、発光素子１０１７が形成されている。
【０１６０】
また、図１０（Ｂ）に示す断面図では発光素子１０１７を１つのみ図示しているが、画素部１００２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１００２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０１６１】
さらにシール材１００５で封止基板１００６を素子基板１００１と貼り合わせることにより、素子基板１００１、封止基板１００６、およびシール材１００５で囲まれた空間１０１８に発光素子１０１７が備えられた構造になっている。なお、空間１０１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１００５で充填される構成も含むものとする。
【０１６２】
なお、シール材１００５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１００６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１６３】
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
【０１６４】
なお、本実施の形態６に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態５に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１６５】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明を適用した一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および照明器具の一例について、図１１を用いて説明する。
【０１６６】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図１１に示す。
【０１６７】
図１１（Ａ）は、テレビジョン装置９１００の一例を示している。テレビジョン装置９１００は、筐体９１０１に表示部９１０３が組み込まれている。表示部９１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部９１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド９１０５により筐体９１０１を支持した構成を示している。
【０１６８】
テレビジョン装置９１００の操作は、筐体９１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機９１１０により行うことができる。リモコン操作機９１１０が備える操作キー９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機９１１０に、当該リモコン操作機９１１０から出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成としてもよい。
【０１６９】
なお、テレビジョン装置９１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１７０】
図１１（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、マウス９２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部９２０３に用いることにより作製される。
【０１７１】
図１１（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体９３０１と筐体９３０２の２つの筐体で構成されており、連結部９３０３により、開閉可能に連結されている。筐体９３０１には表示部９３０４が組み込まれ、筐体９３０２には表示部９３０５が組み込まれている。また、図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９３０６、記録媒体挿入部９３０７、ＬＥＤランプ９３０８、入力手段（操作キー９３０９、接続端子９３１０、センサ９３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部９３０４および表示部９３０５の両方、または一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１１（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１７２】
図１１（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機９４００は、筐体９４０１に組み込まれた表示部９４０２の他、操作ボタン９４０３、外部接続ポート９４０４、スピーカ９４０５、マイク９４０６などを備えている。なお、携帯電話機９４００は、発光装置を表示部９４０２に用いることにより作製される。
【０１７３】
図１１（Ｄ）に示す携帯電話機９４００は、表示部９４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つなどの操作は、表示部９４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１７４】
表示部９４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１７５】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部９４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部９４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１７６】
また、携帯電話機９４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機９４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部９４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１７７】
また、画面モードの切り替えは、表示部９４０２を触れること、又は筐体９４０１の操作ボタン９４０３の操作により行われる。また、表示部９４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１７８】
また、入力モードにおいて、表示部９４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部９４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１７９】
表示部９４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部９４０２に掌や指を触れることで、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１８０】
図１１（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部９５０１、傘９５０２、可変アーム９５０３、支柱９５０４、台９５０５、電源９５０６を含む。なお、卓上照明器具は、発光装置を照明部９５０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。
【０１８１】
図１２は、発光装置を、室内の照明装置１２０１として用いた例である。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他、ロール型の照明装置１２０２として用いることもできる。なお、図１２に示すように、室内の照明装置１２０１を備えた部屋で、図１２（Ｅ）で説明した卓上照明器具１２０３を併用してもよい。
【０１８２】
以上のようにして、発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１８３】
なお、本実施の形態７に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態に６示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例１】
【０１８４】
本実施例では、本発明の一実施例として、図１３（Ａ）（Ｂ）に示す構造の成膜用基板を作製し、照射される光の波長に対する反射率について測定した結果を示す。
【０１８５】
図１３（Ａ）に示す構造の成膜用基板（１）は、基板１３０１に接して反射防止膜１３０２が形成されており、反射防止膜１３０２は、基板１３０１側から第１の誘電体膜（１３０２−１）、第２の誘電体膜（１３０２−２）、第３の誘電体膜（１３０２−３）が積層された構造を有する。
【０１８６】
なお、成膜用基板（１）において、第１の誘電体膜（１３０２−１）は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）：９０ｎｍ、第２の誘電体膜（１３０２−２）は、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）：７５ｎｍ、第３の誘電体膜（１３０２−３）は、酸化珪素（ＳｉＯ２）：８５ｎｍで形成される。
【０１８７】
また、図１３（Ｂ）に示す構造の成膜用基板（２）は、基板１４０１に接して反射防止膜１４０２が形成されており、反射防止膜１４０２は、基板１４０１側から第１の誘電体膜（１４０２−１）、第２の誘電体膜（１４０２−２）、第３の誘電体膜（１４０２−３）、第４の誘電体膜（１４０２−４）が積層された構造を有する。
【０１８８】
なお、成膜用基板（２）において、第１の誘電体膜（１４０２−１）は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）：９０ｎｍ、第２の誘電体膜（１４０２−２）は、酸化チタン（ＴｉＯ２）：１０６ｎｍ、第３の誘電体膜（１４０２−３）は、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）：７５ｎｍ、第４の誘電体膜（１４０２−４）は、酸化珪素（ＳｉＯ２）：８５ｎｍで形成される。
【０１８９】
図１４において、成膜用基板（１）および成膜用基板（２）に対して、異なる波長の光を垂直に照射し、その反射率を測定した結果を示す。また、図１５において、成膜用基板（１）および成膜用基板（２）に対して、照射される波長５１０ｎｍの光の入射角に対する反射率を測定した結果を示す。
【０１９０】
図１４の結果から、成膜用基板（１）では、波長５００ｎｍ付近における反射率が低下していることが分かる。成膜用基板の光照射の際、波長範囲の狭いレーザ光を、基板または光源をスキャンさせて照射する場合には、成膜用基板（１）の構造でも対応できることが分かる。
【０１９１】
また、図１４の結果から、成膜用基板（２）では、波長５００ｎｍから波長６００ｎｍの広範囲で反射率が低下している。さらに、図１５の結果から、成膜用基板（１）よりも入射角に対して反射率が影響しにくいことがわかる。成膜用基板（１）に比べて反射防止膜を構成する機能膜の積層数が増えてしまうが、成膜用基板の光照射の際、成膜用基板の基板面に対して角度を持って光が入射するガルバノ式のレーザなどを光源に用いる場合には、成膜用基板（２）が好ましいことがわかる。
【０１９２】
従って、本実施例に示す成膜用基板を用いることにより、光照射による成膜の際、成膜用基板に設けられた反射防止膜によって光源からレーザ光を照射した際に生じる光の干渉を防ぐことができ、照射された光のエネルギー分布のばらつきを防ぐことができるので、所望の形状の膜が形成できるとともに、膜質の良好な膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１９３】
【図１】成膜用基板を説明する図。
【図２】成膜用基板を説明する図。
【図３】成膜方法を説明する図。
【図４】成膜用基板を説明する図。
【図５】成膜方法について説明する図。
【図６】成膜装置について説明する図。
【図７】発光素子について説明する図。
【図８】パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図９】パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図１０】アクティブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図１１】電子機器について説明する図。
【図１２】照明器具について説明する図。
【図１３】実施例１について説明する図。
【図１４】波長に対する反射率についての測定結果を示す図。
【図１５】入射角に対する反射率についての測定結果を示す図。
【符号の説明】
【０１９４】
１０１ 基板
１０２ 反射層
１０３ 開口部
１０４ 光吸収層
１０５ 材料層
１０６ 反射防止膜
３０１ 基板
３０２ 反射層
３０３ 光吸収層
３０４ 材料層
３０５ 反射防止膜
３０６ 開口部
３０７ 基板
３０８ 電極
３０９ 絶縁物
３１０ 光
３１１ ＥＬ層
４０１ 基板
４０２ 反射層
４０３ 光吸収層
４０４ 材料層
５０１ 基板
５０２ 反射層
５０３ 光吸収層
５０４ 材料層（Ｒ）
５０５ 開口部
５０６ 領域
５０７ 領域
５１１ 基板
５１２ 第１の電極
５１３ 絶縁物
５１４ ＥＬ層（Ｒ）
５１５ 領域
５１６ 領域
６０１ 成膜用基板
６０２ 被成膜基板
６０３ 成膜室
６０４ 成膜用基板支持機構
６０５ ステージ
６０６ ゲート弁
６０７ 窓
６０８ レーザ発振装置
６０９ 第１の光学系
６１０ 第２の光学系
６１１ 第３の光学系
６１２ 反射ミラー
６１３ 制御装置
６１４ 撮像素子
７０１ 基板
７０２ 第１の電極
７０３ ＥＬ層
７０４ 第２の電極
７１１ 正孔注入層
７１２ 正孔輸送層
７１３ 発光層
７１４ 電子輸送層
７１５ 電子注入層
８０１ 基板
８０２ 絶縁層
８０３ 第１の電極
８０４ 隔壁
８０５ 開口部
８０６ 逆テーパ状の隔壁
８０７ ＥＬ層
８０８ 第２の電極
９０３ 走査線
９０５ 領域
９０６ 隔壁
９０８ データ線
９０９ 接続配線
９１０ 入力端子
９１１ａ ＦＰＣ
９１１ｂ ＦＰＣ
９１２ 入力端子
１００１ 素子基板
１００２ 画素部
１００３ 駆動回路部（ソース側駆動回路）
１００４ 駆動回路部（ゲート側駆動回路）
１００５ シール材
１００６ 封止基板
１００７ 配線
１００８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１００９ ｎチャネル型ＴＦＴ
１０１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
１０１１ スイッチング用ＴＦＴ
１０１２ 電流制御用ＴＦＴ
１０１３ 陽極
１０１４ 絶縁物
１０１５ ＥＬ層
１０１６ 陰極
１０１７ 発光素子
１０１８ 空間
１２０１ 照明装置
１２０２ 照明装置
１２０３ 卓上照明器具
１３０１ 基板
１３０２ 反射防止膜
１３０２−１ 第１の誘電体膜
１３０２−２ 第２の誘電体膜
１３０２−３ 第３の誘電体膜
１４０１ 基板
１４０２ 反射防止膜
１４０２−１ 第１の誘電体膜
１４０２−２ 第２の誘電体膜
１４０２−３ 第３の誘電体膜
１４０２−４ 第４の誘電体膜
９１００ テレビジョン装置
９１０１ 筐体
９１０３ 表示部
９１０５ スタンド
９１０７ 表示部
９１０９ 操作キー
９１１０ リモコン操作機
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ マウス
９３０１ 筐体
９３０２ 筐体
９３０３ 連結部
９３０４ 表示部
９３０５ 表示部
９３０６ スピーカ部
９３０７ 記録媒体挿入部
９３０８ ＬＥＤランプ
９３０９ 操作キー
９３１０ 接続端子
９３１１ センサ
９３１２ マイクロフォン
９４００ 携帯電話機
９４０１ 筐体
９４０２ 表示部
９４０３ 操作ボタン
９４０４ 外部接続ポート
９４０５ スピーカ
９４０６ マイク
９５０１ 照明部
９５０２ 傘
９５０３ 可変アーム
９５０４ 支柱
９５０５ 台
９５０６ 電源
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、
前記基板の一方の面および前記反射層に接して形成された光吸収層と、
前記光吸収層に接して形成された材料層を有し、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記反射防止膜は、前記基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜で構成され、
前記基板の屈折率をｎＧ、前記第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、前記第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、前記第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、
Ｘ層の積層膜である前記反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２であることを特徴とする成膜用基板。
（但し、前記反射防止膜を構成する前記第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、前記第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、前記第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記反射防止膜を構成するＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜の間であって、Ｍ層目と、（Ｍ＋１）層目の間に、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たす第Ｈの誘電体膜を挿入することを特徴とする成膜用基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記光吸収層の膜厚は、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物を含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記材料層は、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項１１】
基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、
前記基板の一方の面および前記反射層に接して形成された光吸収層と、
前記光吸収層に接して形成された材料層を有し、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜とを少なくとも有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、
前記反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、
前記材料層の一部を前記第２の基板の被成膜面に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、
前記基板の一方の面および前記反射層に接して形成された光吸収層と、
前記光吸収層に接して形成された材料層を有し、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有し、
前記反射防止膜は、前記基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜で構成され、
前記基板の屈折率をｎＧ、前記第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、前記第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、前記第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、
Ｘ層の積層膜である前記反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２である第１の基板の一方の面と、
第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、
前記反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、
前記材料層の一部を前記第１の電極表面に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
（但し、前記反射防止膜を構成する前記第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、前記第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、前記第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【請求項１３】
基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、
前記基板の一方の面および前記反射層に接して形成された光吸収層と、
前記光吸収層に接して形成された材料層を有し、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有し、
反射防止膜を構成するＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜の間であって、Ｍ層目と、（Ｍ＋１）層目の間に、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たす第Ｈの誘電体膜が挿入された第１の基板の一方の面と、
第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、
前記反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、
前記材料層の一部を前記第１の電極表面に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記光吸収層の膜厚は、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１８のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１１乃至請求項１９のいずれか一において、
前記材料層は、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１】
基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、
前記基板の一方の面および前記反射層に接して形成された光吸収層と、
前記光吸収層に接して形成された材料層を有し、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記反射防止膜は、前記基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜で構成され、
前記基板の屈折率をｎＧ、前記第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、前記第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、前記第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、
Ｘ層の積層膜である前記反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２であることを特徴とする成膜用基板。
（但し、前記反射防止膜を構成する前記第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、前記第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、前記第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記反射防止膜を構成するＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜の間であって、Ｍ層目と、（Ｍ＋１）層目の間に、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たす第Ｈの誘電体膜を挿入することを特徴とする成膜用基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記光吸収層の膜厚は、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする成膜用基板。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物を含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記材料層は、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含むことを特徴とする成膜用基板。
【請求項１１】
基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、
前記基板の一方の面および前記反射層に接して形成された光吸収層と、
前記光吸収層に接して形成された材料層を有し、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜とを少なくとも有する第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、
前記反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、
前記材料層の一部を前記第２の基板の被成膜面に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、
前記基板の一方の面および前記反射層に接して形成された光吸収層と、
前記光吸収層に接して形成された材料層を有し、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有し、
前記反射防止膜は、前記基板側から第１の誘電体膜、第２の誘電体膜、・・、第Ｐの誘電体膜が順次積層されたＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜で構成され、
前記基板の屈折率をｎＧ、前記第１の誘電体膜の屈折率をｎ１、前記第２の誘電体膜の屈折率をｎ２、・・、前記第Ｐの誘電体膜の屈折率をｎＰとすると、
Ｘ層の積層膜である前記反射防止膜の光学アドミッタンスＹＸは、
ｉ） Ｘが奇数の時、
ＹＸ＝（ｎ１２×ｎ３２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
ｉｉ） Ｘが偶数の時、
ＹＸ＝（ｎＧ×ｎ２２×・・×ｎＰ−２２×ｎＰ２）／（ｎ１２×ｎ３２・・×ｎＰ−３２×ｎＰ−１２）
で示され、
０．８≦ＹＸ＜２である第１の基板の一方の面と、
第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、
前記反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、
前記材料層の一部を前記第１の電極表面に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
（但し、前記反射防止膜を構成する前記第１の誘電体膜の膜厚（ｄ１）、前記第２の誘電体膜の膜厚（ｄ２）、・・、前記第Ｐの誘電体膜の膜厚（ｄＰ）は、成膜用基板に照射される光の波長（λ）に対して、ｄＸ＝λ／（４ｎＸ）なる関係を満たすこととする。）
【請求項１３】
基板の一方の面に接して形成された開口部を有する反射層と、
前記基板の一方の面および前記反射層に接して形成された光吸収層と、
前記光吸収層に接して形成された材料層を有し、
前記基板の他方の面に接して形成された反射防止膜を少なくとも有し、
反射防止膜を構成するＸ層（Ｘ＝１、２、・・、Ｐ）の積層膜の間であって、Ｍ層目と、（Ｍ＋１）層目の間に、
ｉ）ＹＭ−１＜ＹＭ かつ ＹＭ＞ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＜ｎＨ
または、
ｉｉ）ＹＭ−１＞ＹＭ かつ ＹＭ＜ＹＭ＋１ かつ ｎＭ＞ｎＨ かつ ｄＨ＝λ／（２ｎＨ）
なる関係式を満たす第Ｈの誘電体膜が挿入された第１の基板の一方の面と、
第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、
前記反射層の開口部と重なる位置にある前記材料層の一部を選択的に加熱し、
前記材料層の一部を前記第１の電極表面に成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記光吸収層の膜厚は、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１８のいずれか一において、
前記材料層は有機化合物からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１１乃至請求項１９のいずれか一において、
前記材料層は、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−１５３１７３（Ｐ２０１０−１５３１７３Ａ）
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２９３８６（Ｐ２００８−３２９３８６）
【出願日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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