説明

撮像光学ユニット

【課題】赤外線カットフィルタと撮像素子の間で生ずるゴースト光による画質の劣化を低減する。
【解決手段】赤外線カットフィルタ1の赤外光半値波長の光を吸収する光吸収構造体4を撮像素子5と対向する面に配置する。これにより、フィルタ1を透過し、撮像素子5によって反射された光が、フィルタ1の近赤外光反射構造体3に到達するまでに光吸収構造体4を通過することにより反射構造体3による反射光を低減することができる。撮像素子5により反射され、反射構造体3において反射された反射光は撮像素子5に到達するまでに、再度光吸収構造体4を通過することとなり、撮像素子5からの入射光による反射率を低減できる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、固体撮像素子を用いたビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、監視用カメラ等に搭載する撮像光学ユニットに関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来から、ビデオカメラ或いはデジタルスチルカメラ等の撮像系には、CCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサ等から成る撮像素子が用いられている。これらの撮像素子は比較的広い光波長において感度を有しており、可視波長領域の光に加えて近赤外波長領域の光にも感度を有している。しかし、通常のカメラの用途においては、人間の眼に見えない赤外波長領域は不要である。このため、カメラ等の撮像光学系には、撮像素子の入射光側に赤外は跳梁域の光を遮蔽する赤外線カットフィルタを配置し、赤外光が撮像素子に入射することを防いでいる。
【0003】
赤外線カットフィルタには、赤外線を反射させる反射タイプのものと、赤外線を吸収する吸収タイプのものがある。
【0004】
反射タイプの赤外線カットフィルタは、透明基板上に真空蒸着法やIAD法、イオンプレーティング法、スパッタ法等によって多層膜を積層することにより作製し光の干渉により反射させている。また、近年においては軽量化や任意形状への加工等の要望に伴い、基板に合成樹脂製のものも用いられている。
【0005】
一方、吸収タイプの赤外線カットフィルタは、金属イオン等により赤外線を吸収させたり、基材となる樹脂中に金属イオンや色素を練り込んだり、透明基板上に赤外線を吸収する色素を塗布することにより作製されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2003−161831号公報
【特許文献2】特開2000−7870号公報
【特許文献3】特開2002−303720号公報
【特許文献4】特開2002−281515号公報
【特許文献5】特開2006−301489号公報
【特許文献6】特開2008−51985号公報
【特許文献7】特開2008−112033号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
特許文献1においては、透明基板上に低屈折材料と高屈折材料とを複数積層させることにより近赤外光反射構造体を形成し、所望の分光特性を得る反射タイプの赤外線カットフィルタが開示されている。反射タイプの赤外線カットフィルタは吸収タイプと比較すると薄く作製することができ、更に透過波長領域における透過率が高く、色再現性が良いという利点を有している。
【0008】
しかし、この反射タイプの赤外線カットフィルタは、光を透過させる透過波長領域と、透過を妨げる不透過波長領域と、透過波長領域から不透過波長領域へと遷移する遷移波長領域を持っている。遷移波長領域は600〜750nmの間の波長において、透過率が50%となる波長(赤外光半値波長)を有し、その波長における反射率は概ね50%となる。このため、遷移波長領域の赤外光半値波長の光はゴースト光の原因となり、画質の劣化を引き起こし易い。
【0009】
赤外線カットフィルタによるゴースト光の強度は、簡易的には(赤外線カットフィルタの分光透過率)・(赤外線カットフィルタの面の分光反射率)で計算された値が目安となる。
【0010】
特許文献2においては、基材の樹脂中に銅イオン等を含有させた吸収タイプの赤外線カットフィルタが開示されている。これは銅イオン等の赤外線吸収作用を利用して赤外線カットフィルタを作製し、赤外光半値波長における反射率は小さく、ゴースト光の要因となることはない。しかし、近赤外波長領域の光を十分に吸収させるためには、少なくとも0.35mm以上の厚さが必要となり、特に求められている近年の光学系の小型化の要望に相反する。
【0011】
特許文献3においては、基板上に色素を塗布した吸収タイプの赤外線カットフィルタが開示されており、近赤外波長領域の光を吸収する色素を樹脂や有機溶媒に分散させた塗布液を用いて作製している。しかし、このように作製された赤外線カットフィルタは特許文献2と同様に、ゴースト光による画質劣化を引き起こすことは殆どないが、色素は可視波長領域の光も若干吸収し、近赤外波長領域において十分に吸収させると可視波長領域の透過率が低下してしまう。
【0012】
特許文献4においては、赤外線カットフィルタと撮像素子との間に、赤外線カットフィルタの赤外光半値波長の光を吸収するカラーフィルタを配置した撮像光学系が開示されている。このような構成とすることにより、ゴースト光の発生を著しく低減することは可能であるが、別途にカラーフィルタが必要となり、撮像光学系の大型化や高コスト化を招来する。
【0013】
特許文献5、6はフィルタの薄型化を目的として、干渉膜から成る近赤外光反射構造体と、赤外線を吸収する色素による光吸収構造体を設けたハイブリットタイプの赤外線カットフィルタが開示されている。このような構成とすることにより、400〜700nmの波長の可視波長領域における透過率を維持しながら、近赤外波長領域の光を遮蔽する薄型の赤外線カットフィルタを作製することができる。
【0014】
しかし特許文献5、6に示すように、可視波長領域の透過率を高く維持する構成にすると、ゴースト光の主な要因となる600〜750nmの波長に存在する近赤外光反射構造体の赤外光半値波長の光を十分に吸収することができなくなる。そのため、ゴースト光による画質の劣化を大きく改善することは困難である。また特許文献5、6においては、ゴースト光の発生をより低減させる光吸収構造体の配置場所については記載されていない。
【0015】
監視カメラ等のように、近赤外波長領域の感度が高い撮像素子を用いる場合には、赤外線カットフィルタに起因するゴースト光が発生し易く、光吸収構造体の配置位置を最適にし、ゴースト光の強度を極力低減することが望まれている。
【0016】
本発明の目的は、上述の問題点を解消し、ハイブリットタイプの赤外線カットフィルタにおいて、光吸収構造体の光吸収特性や配置位置等を最適にすることにより、ゴースト光による画質劣化を抑制する撮像光学ユニットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0017】
上記目的を達成するための本発明に係る撮像光学ユニットは、赤外線カットフィルタと撮像素子とから成り、前記赤外線カットフィルタは、透明基板と近赤外光反射構造体と所定の吸収波長領域を有する光吸収構造体とを有し、前記近赤外光反射構造体は少なくとも600〜750nmの波長の間に透過波長領域から不透過波長領域に遷移する遷移波長領域を有し、前記光吸収構造体の前記吸収波長領域の少なくとも一部は前記遷移波長領域と重なり、前記光吸収構造体は前記遷移波長領域を有する近赤外反射構造体と前記撮像素子との間に配置したことを特徴とする。
【発明の効果】
【0018】
本発明に係る撮像光学ユニットによれば、赤外光半値波長を有する近赤外光反射構造体と撮像素子との間に光吸収構造体を配置することにより、赤外光半値波長近辺に高い感度を有する撮像素子を使用しても、ゴースト光による画質劣化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】実施例1の撮像光学ユニットの構成図である。
【図2】シアニン系の色素の光学特性のグラフ図である。
【図3】監視用カメラに用いられる撮像素子の感度特性のグラフ図である。
【図4】ゴースト光の強度特性のグラフ図である。
【図5】変形例の撮像光学ユニットの構成図である。
【図6】実施例2の撮像光学ユニットの構成図である。
【図7】ゴースト光の強度特性のグラフ図である。
【図8】変形例の撮像光学ユニットの構成図である。
【図9】実施例3の撮像光学ユニットの構成図である。
【図10】近赤外光反射防止構造体の構成図である。
【図11】ゴースト光の強度特性のグラフ図である。
【図12】撮像光学系の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
【実施例1】
【0021】
図1は実施例1の撮像光学ユニットの構成図を示している。赤外線カットフィルタ1は、透明基板2上に近赤外光反射構造体3、光吸収構造体4を積層した構成とされ、この赤外線カットフィルタ1の光吸収構造体4側の光路上に固体撮像素子5が配置されている。
【0022】
本実施例1において、透明基板2には板厚0.2mmのガラス基板、具体的にはOA−10G(日本電気硝子社製、商品名)を用いている。なお、透明基板2はポリカーボネートやPEN、ポリイミド系等の合成樹脂製基板を用いてもよいが、近赤外光反射構造体3の成膜による熱、水分による分光特性の変化等を考慮すると、耐熱性つまりガラス転移点Tgが高く、吸水率が低いものがより好ましい。
【0023】
近赤外光反射構造体3は透明基板2上に、屈折率が異なるSiO2とTiO2とを真空蒸着法により複数積層させることにより成膜している。反射構造体3の分光特性はSiO2とTiO2の光学膜厚n・d(n:屈折率、d:物理膜厚)により決定する。また、反射構造体3は600〜750nmの波長の間に透過波長領域から不透過波長領域にかけて連続的に透過率が減少する遷移波長領域に、透過率と反射率が共に概ね50%となる波長(赤外光半値波長)を有している。そして、この反射構造体3は近赤外波長領域の光を遮蔽するように膜設計されている。
【0024】
本実施例においては、近赤外光反射構造体3にSiO2とTiO2を使用しているが、例えばMgF2、Al23、MgO、ZrO2、Nb25、Ta25等を用いてもよく、所望の分光特性に適した材料を適宜に選択すればよい。また、本実施例において反射構造体3は真空蒸着法により成膜したが、真空蒸着法以外のイオンプレーティング法、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング法等の成膜方法によっても成膜が可能であり、目的や条件に最も適した成膜方法を選択すればよい。
【0025】
光吸収構造体4は有機溶媒に所定の吸収波長領域を有する染料である色素を樹脂に溶解し、分散させることにより得た塗布溶液を近赤外光反射構造体3上に塗布することにより成膜している。
【0026】
本実施例においては、光吸収構造体4の色素として、図2に示すような透過率、吸収率の光学特性を有するシアニン系の色素を用い、樹脂にはスチレン系のものを用いている。これらの色素及び樹脂をメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系の混合液から成る有機溶媒に溶解させて塗布液を作製し、この塗布液を近赤外光反射構造体3上にスピンコート法によって塗布する。更に、加熱炉で乾燥させ、溶媒を揮発させることにより光吸収構造体4を成膜する。光吸収構造体4はスピンコート法ではなく、ディップ法、スプレ法、グラビア法、バーコータ法等により成膜してもよい。
【0027】
また、色素はシアニン系に限られたものでなく、近赤外波長領域に吸収を有するものであれば、例えばフタロシアニン系、ナフタロシアニン系、ピリリウム系、スクワリリウム系、ポリメチン系、ジイモニウム系、アゾ化合物系、アンスラキノン系等を用いてもよく、或いはこれらを複数nお色素を混合して用いてもよい。
【0028】
樹脂は可視波長領域において高い透過率を有していれば、スチレン系に限らず、ポリエステル系やアクリル系等の樹脂を用いてもよく、或いは複数の樹脂を混合して用いてもよい。
【0029】
更に、有機溶媒はケトン系に限らず、シクロヘキサン等の炭化水素系、酢酸エチル等のエステル系、メチルセロソルブ等のエーテル系、メタノール等のアルコール系、ジメチルホルムアミド等のアミン系有機溶媒を単独又は複数混合したものを使用してもよい。
【0030】
前述したように、赤外線カットフィルタのゴースト光の強度は、簡易的に(赤外線カットフィルタの分光透過率)・(赤外線カットフィルタの分光反射率)で計算される。近赤外光反射構造体3から成る赤外線カットフィルタでは、透過波長領域から不透過波長領域の遷移する遷移波長領域においてゴースト光の強度は最大となり、概ね25%となる。
【0031】
実用的には、ゴースト光の強度は撮像光学系や撮像素子の感度にもよるが、15〜16%程度以下にする必要がある。そのため、例えば強度を16%以下にまで低減するには、光吸収構造体4を組合わせた場合に、少なくとも透過率40%、反射率40%となるようする。従って、光吸収構造体4の吸収波長領域において、少なくともその一部は近赤外光反射構造体3の遷移波長領域に重なり、20%以上の吸収率を有する特性が求められる。
【0032】
このように、色素、樹脂、有機溶媒の選択は、目的や条件に合わせて最適な組み合わせを適宜選択すればよい。
【0033】
図3は撮像素子5の赤色、緑色、青色の色ごとの感度特性のグラフ図を示し、例えば監視用カメラに用いる撮像素子5では夜間でも監視できるように、特に赤色に感度の強い特性を有するものを使用することが好ましい。
【0034】
図4は赤外線カットフィルタと図3に示す特性を有する撮像素子5によって生ずる赤外光半値波長(660nm)付近のゴースト光の強度特性のグラフ図を示している。
【0035】
そして、図4のAに示すように、光吸収構造体4を設けずに近赤外光反射構造体3のみで構成された赤外線カットフィルタを用いた撮像光学ユニットにおけるゴースト光の強度は最大約24%である。
【0036】
また、比較例1として、図1に示す赤外線カットフィルタ1の近赤外光反射構造体3と光吸収構造体4との積層順を逆転し、透明基板2上に光吸収構造体4、反射構造体3の順に積層した。このような赤外線カットフィルタを用いた撮像光学ユニットにおいては、図3のBに示すようにゴースト光の強度は最大約12.5%の結果が得られた。
【0037】
これらに対して、本実施例1のように透明基板2上に近赤外光反射構造体3、光吸収構造体4を順次に積層した赤外線カットフィルタ1を用いた撮像光学ユニットでは、図3のCに示すようにゴースト光の強度は最大約6%となっている。
【0038】
本実施例1の赤外線カットフィルタ1は、近赤外光反射構造体3の遷移波長領域の光を吸収する光吸収構造体4を撮像素子5と対向する面に配置する。
【0039】
これにより、赤外線カットフィルタ1を透過し、撮像素子5によって反射された光が、赤外線カットフィルタ1の近赤外光反射構造体3に到達するまでに光吸収構造体4を通過することにより、反射構造体3による反射光を低減することができる。
【0040】
更に、撮像素子5により反射され、近赤外光反射構造体3において反射された反射光は撮像素子5に到達するまでに、再度光吸収構造体4を通過することとなり、撮像素子5への入射光による撮像素子5からの反射率を低減することができる。
【0041】
本実施例1においては、図1に示すような構成としたが、図5(a)の変形例に示すように、透明基板2の撮像素子5側の面に光吸収構造体4、反対側の面に近赤外光反射構造体3を成膜してもよい。或いは、図5(b)に示すように、透明基板2の撮像素子5の反対側の面上に光吸収構造体4、反射構造体3を順次に成膜してもよい。つまり、光吸収構造体4を近赤外光反射構造体3と撮像素子5の間に配置するような構造とすればよい。
【0042】
また、複数の光吸収構造体4を設ける場合は、少なくともその1つが近赤外光反射構造体3と撮像素子5との間に配置されていればよい。
【実施例2】
【0043】
図6は実施例2の撮像光学ユニットの構成図を示し、透明基板2の撮像素子5と反対側の面に赤外光半値波長の光を遮蔽する近赤外光反射構造体3aを成膜している。更に、透明基板2の撮像素子5側の面には、光吸収構造体4を成膜し、更に光吸収構造体4上に反射構造体3aで遮蔽することのできない不透過波長領域の光を遮蔽する近赤外光反射構造体3bを成膜している。
【0044】
透明基板2として合成樹脂フィルム基板、具体的には板厚0.1mmのノルボルネン系樹脂であるArton(JSR社製、商品名)を用いている。しかし、可視波長領域において透明性が高ければ、Artonに限らず、Zeonex、Zeonor(日本ゼオン社製、商品名)、F1(グンゼ社製、商品名)等の他のノルボルネン系樹脂を使用してもよい。また、ノルボルネン系樹脂以外でもPMMA、PC(ポリカーボネート)、PET、PEN、ポリイミド系樹脂等の種々の合成樹脂フィルム基板を使用することもできる。
【0045】
近赤外光反射構造体3の成膜による熱応力や膜応力、水分による分光の変化を考慮すると、耐熱性つまりガラス転移点Tgが高く、曲げ弾性が大きく、更には吸水率が低いものがより好ましい。これらの条件を考慮するとノルボルネン系樹脂、ポリイミド系樹脂が最も適している材料の1つである。
【0046】
合成樹脂フィルム基板は通常のガラス基板等と比較すると薄く、柔軟性があり、薄型化や任意形状に加工可能という利点を有している。しかし、膜応力等の影響を受け易いため、特許文献7に開示されているように、基板の両面に互いの膜応力を打ち消すように近赤外光反射構造体3を成膜することが好ましい。
【0047】
図7は本実施例2における撮像光学ユニットの赤外光半値波長(660nm)付近のゴースト光の強度特性のグラフ図を示している。光吸収構造体4を設けずに、近赤外光反射構造体3a、3bのみで構成された赤外線カットフィルタを用いた撮像光学ユニットにおけるゴースト光の強度は、Aのように最大約24%である。
【0048】
また、比較例2として、図6に示す近赤外光反射構造体3a、3bの位置を逆にし、透明基板2の撮像素子5の反対側の面に反射構造体3bを成膜し、透明基板2の撮像素子5側の面に光吸収構造体4、反射構造体3aを成膜した。このような赤外線カットフィルタを用いた撮像光学ユニットにおけるゴースト光の強度は、Bのように最大約12.5%の結果となった。
【0049】
これらに対して、本実施例2における赤外線カットフィルタ1を用いた撮像光学ユニットにおけるゴースト光の強度は、Cのように最大約7.5%となっている。
【0050】
これは、撮像素子5からの赤外光半値波長近辺の反射光に対する赤外線カットフィルタ1の反射は、近赤外光反射構造体3aによるものが支配的であり、反射構造体3aに到達するまでに光吸収構造体4で赤外光半値波長の近辺の光を吸収するためである。
【0051】
本実施例2では、図6に示すような構成としているが、図8(a)の変形例に示すように、透明基板2の撮像素子5側の面に近赤外光反射構造体3bを成膜し、反対側の面上に光吸収構造体4、近赤外光反射構造体3aを順次に成膜してもよい。或いは、図8(b)に示すように、透明基板2の撮像素子5側の面上に近赤外光反射構造体3b、光吸収構造体4を順次に成膜し、反対側の面に反射構造体3aを成膜してもよい。これらの場合においても、比較例2のような反射構造体3aと撮像素子5との間に、光吸収構造体4が位置しない赤外線カットフィルタと比較すると、ゴースト光の強度を小さくすることができる。
【0052】
また、光吸収構造体4を複数構成する場合は、少なくともその1つが近赤外光反射構造体3aと撮像素子5との間に配置されていればよい。
【実施例3】
【0053】
図9は実施例3における撮像光学ユニットの構成図を示しており、図8(b)に示す赤外線カットフィルタ1の撮像素子5側の最表層に、更に反射防止構造体6が成膜されている。反射防止構造体6として、図10に示すような光の波長よりも短く、突部を撮像素子5側に向けた円錐状の多数の突起体6aを有するアクリル系の樹脂を使用している。
【0054】
円錐状の突起体6aは最頂部から最底部に向かうにつれて体積が徐々に変化し、それに対応した有効屈折率も突起体6aの最頂部から最底部に向かい連続的に変化する。そのため、円錐状の突起体6aに上方から光が入射した場合には、滑らかな有効屈折率分布を有するため急激な屈折率差がなく、反射防止構造体6の表面では光は殆ど反射されることはない。
【0055】
本実施例3においては、反射防止構造体6の突起体6aを円錐状としたが、角錐状の突起体や逆円錐状の凹部を有するものを使用しても、同様の効果が得られる。
【0056】
この反射防止構造体6は微細凹凸周期構造を形成したモールドを用い、重合性化合物と重合開始剤とを含有する樹脂組成物を充填し、この樹脂組成物を硬化させると共にモールドを剥離することにより成形している。
【0057】
本実施例3においては、反射防止構造体6にアクリル系の樹脂を用いたが、光透過率の高いものであればよく、例えばウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、オレフィン系樹脂等を用いることができる。
【0058】
また本実施例3では、反射防止構造体6となる樹脂組成物を熱硬化させたが、樹脂組成物の硬化は他の活性エネルギ線、例えば可視光線、電子線、プラズマ、赤外線、紫外線等を用いてもよい。活性エネルギ線の照射量は、樹脂組成物の硬化が進行するエネルギ量であればよい。また、反射防止構造体6の作製については射出成型法等を用いてもよく、最終的に微細凹凸構造が得られればよい。
【0059】
反射防止構造体6はアルミナやジルコニア等の酸化物から形成された微細凹凸構造から成るものや、単層或いは複数の薄膜から構成されたものを用いてもよい。反射防止構造体6の作製法としては、例えばアルミニウム化合物や亜鉛化合物等の微細凹凸構造の成分となる材料を有機溶媒に溶解させた塗布溶液を作製し、この塗布溶液を塗布し、室温又は加温して、乾燥或いは熱処理することで得られる。溶液の塗布には、ディッピング法、スピンコート法、スプレー法、印刷法、フローコート法等が用いられる。
【0060】
また、単層或いは複数層の薄膜から構成される反射防止構造体6は、単層の場合はMgF2やSiO2等の比較的屈折率の低いものを用い、複数層から成る場合は屈折率の異なる薄膜を交互に積層させて得る。成膜法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。
【0061】
図11は反射防止構造体6の有無による撮像光学ユニットのゴースト光の強度を比較した強度特性のグラフ図であり、反射防止構造体6がないものは図8(b)に示す構成、反射防止構造体6があるものは図9に示す構成としている。
【0062】
このグラフ図から、反射防止構造体6を有する撮像光学ユニットの方が、ゴースト光の強度が小さいことが分かる。これは反射防止構造体6により、赤外線カットフィルタ1の撮像素子5側の表面の反射率が小さくなるためである。
【0063】
なお、上述の各実施例1、2においても、赤外線カットフィルタ1の撮像素子5側の表面に反射防止構造体6を設けることもできる。
【実施例4】
【0064】
図12は監視用カメラ等に用いられる撮像光学系を示し、実施例1〜3の撮像光学ユニットが用いられている。光路上に、レンズ11、光量絞り装置12、レンズ13〜15、赤外線カットフィルタ1、撮像素子5が順次に配列されている。
【0065】
光量絞り装置12では、絞り羽根支持板16に一対の絞り羽根17a、17bが可動に取り付けられ、開口部の面積を変化させて光量を調節するようにされている。絞り羽根17aには、光量を減光することを目的としたND(Neutral Density)フィルタ18が取り付けられている。
【0066】
絞り羽根17a、17b、NDフィルタ18によって、同じ光量でも、絞りの開口をできるだけ大きく維持できるように入射光量を調節している。これにより、ハンチング現象や光の回折現象等による画質の低下を低減することができる。
【0067】
また、赤外線カットフィルタ1は制御手段19の出力によりフィルタ駆動部20によって光路に対し自在に進退できるようにされ、撮像素子5の特性に合わせて、赤外線の光量を制限し、適正な画像を得ることができるようになっている。
【0068】
光量絞り装置12を透過した光は、赤外線カットフィルタ1に入射するが、被写体が明るいとき、即ち可視光における光量が十分なときは赤外線カットフィルタ1はフィルタ駆動部20によって撮像光学系の光路上に挿入する。一方、夜間のような被写体が暗いとき、即ち可視光における光量が不十分のときは、赤外線カットフィルタ1はフィルタ駆動部20によって撮像光学系の光路外に退避させる。
【0069】
このとき、実施例1〜3で示した赤外線カットフィルタ1を用いることで、遷移波長領域の赤外光半値波長近辺の光の波長によるゴースト光をより低減できる。
【符号の説明】
【0070】
1 赤外線カットフィルタ
2 透明基板
3、3a、3b 近赤外光反射構造体
4 光吸収構造体
5 撮像素子
6 反射防止構造体
6a 突起体
12 光量絞り装置
17a、17b 絞り羽根
18 NDフィルタ
20 フィルタ駆動部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
赤外線カットフィルタと撮像素子とから成り、前記赤外線カットフィルタは、透明基板と近赤外光反射構造体と所定の吸収波長領域を有する光吸収構造体とを有し、前記近赤外光反射構造体は少なくとも600〜750nmの波長の間に透過波長領域から不透過波長領域に遷移する遷移波長領域を有し、前記光吸収構造体の前記吸収波長領域の少なくとも一部は前記遷移波長領域と重なり、前記光吸収構造体は前記遷移波長領域を有する近赤外光反射構造体と前記撮像素子との間に配置したことを特徴とする撮像光学ユニット。
【請求項2】
前記光吸収構造体は樹脂に色素を分散したものであることを特徴とする請求項1に記載の撮像光学ユニット。
【請求項3】
前記近赤外光反射構造体の前記遷移波長領域内で透過率が略50%となる波長において、前記光吸収構造体は20%以上の吸収率を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像光学ユニット。
【請求項4】
前記赤外線カットフィルタの前記撮像素子側の表層に反射防止構造体を設けたことを特徴とする請求項1〜3の何れか1つの請求項に記載の撮像光学ユニット。
【請求項5】
前記透明基板は合成樹脂フィルムであることを特徴とする請求項1〜4の何れか1つの請求項に記載の撮像光学ユニット。
【請求項6】
開口部を有する絞り羽根と、請求項1〜5の何れか1つの請求項に記載の撮像光学ユニット、前記赤外線カットフィルタを前記開口部内に自在に進退できるように駆動する駆動部とを有することを特徴とする撮像光学系。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【公開番号】特開2012−137648(P2012−137648A)
【公開日】平成24年7月19日(2012.7.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−290429(P2010−290429)
【出願日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【出願人】(000104652)キヤノン電子株式会社 (876)
【Fターム(参考)】