撮像装置および撮像装置の制御プログラム
【課題】連続撮影時においては、途中で被写体環境の明るさが暗くなった場合に、測光素子が必要とする電荷蓄積時間が長くなり、撮影継続中に連写速度が急激に低下する場合があった。
【解決手段】撮像装置は、撮像素子と、測光素子と、測光信号に基づいて被写体の明るさを算出する算出部と、撮像素子が連続的に画像信号を出力する場合に、撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられた、測光素子が被写体像を受光する時間である測光受光時間が、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間未満であるときは、算出部により事前に算出された被写体の明るさを適用して撮像受光動作を実行する制御部とを備える。
【解決手段】撮像装置は、撮像素子と、測光素子と、測光信号に基づいて被写体の明るさを算出する算出部と、撮像素子が連続的に画像信号を出力する場合に、撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられた、測光素子が被写体像を受光する時間である測光受光時間が、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間未満であるときは、算出部により事前に算出された被写体の明るさを適用して撮像受光動作を実行する制御部とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置および撮像装置の制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、被写体環境の明るさを検出する測光素子とを別々に備えるＴＴＬの撮像装置は、一般的に、被写体光束を排他的にそれぞれの素子へ導く可動ミラー構造を有する。したがって、撮像素子が連続的に画像信号を出力する連続撮影時においては、撮像素子による撮像受光動作の合間に、可動ミラーを駆動して、測光素子による被写体環境の明るさ検出が実行される。撮像受光動作は、検出された被写体環境の明るさに基づいて決定される露出値に従って制御される。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開２００５−６２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、連続撮影時においては、途中で被写体環境の明るさが暗くなった場合に、測光素子が必要とする電荷蓄積時間が長くなり、撮影継続中に連写速度が急激に低下する場合があった。連写速度を優先して電荷蓄積時間を制限すると、測光素子の読み出しゲインが大きくなり、正確な露出値が算出できなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様における撮像装置は、被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、被写体像を受光して測光信号を出力する測光素子と、測光信号に基づいて被写体の明るさを算出する算出部と、撮像素子が連続的に画像信号を出力する場合に、撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられた、測光素子が被写体像を受光する時間である測光受光時間が、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間未満であるときは、算出部により事前に算出された被写体の明るさを適用して撮像受光動作を実行する制御部とを備える。
【０００５】
本発明の第２の態様における撮像装置の制御プログラムは、被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、被写体像を受光して測光信号を出力する測光素子とを備える撮像装置の制御プログラムであって、撮像素子が画像信号を連続的に出力する場合に、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間を参照する参照ステップと、参照ステップによる参照の結果、撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられる、測光素子が被写体像を受光する時間である測光受光時間が、許容時間未満である場合に、事前に算出された被写体の明るさを適用して撮像受光動作を実行する撮像ステップとをコンピュータに実行させる。
【０００６】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係る一眼レフカメラの要部断面図である。
【図２】一眼レフカメラのシステム構成を概略的に示すブロック図である。
【図３】測光素子の電荷蓄積時間と出力値の関係を示す図である。
【図４】ＥＶ値と電荷蓄積時間の関係を示す図である。
【図５】測光受光時間と算出されるＥＶ値の関係を示す図である。
【図６】ＥＶ値と測光充足条件によって区分されるＡＥロック領域と測光追従領域を示す図である。
【図７】メインミラー、測光素子および撮像素子の動作遷移を示すタイミングチャートである。
【図８】連写時における主に測光動作の処理を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る一眼レフカメラ１０の要部断面図である。一眼レフカメラ１０は、レンズユニット２０とカメラユニット３０が組み合わされて撮像装置として機能する。
【００１０】
レンズユニット２０は、光軸１１に沿って配列されたレンズ群２１を備える。レンズ群２１は、入射される被写体光束をカメラユニット３０へ導く。レンズ群２１には、フォーカスレンズ、ズームレンズ等が含まれ、焦点調整、画角調整の指示に応じて光軸方向に移動できるように構成されている。レンズユニット２０は、カメラユニット３０との接続部にレンズマウント２２を備え、カメラユニット３０が備えるカメラマウント５４と係合して、カメラユニット３０と一体化する。
【００１１】
レンズユニット２０は、レンズユニット２０の動作等を制御するレンズシステム制御部２３を備える。レンズシステム制御部２３は、レンズマウント２２およびカメラマウント５４に設けられた通信端子を介して、カメラユニット３０と相互に通信を行う。
【００１２】
カメラユニット３０は、レンズユニット２０から入射される被写体光束を反射するメインミラー３１と、メインミラー３１で反射された被写体光束が結像するピント板３５を備える。メインミラー３１は、メインミラー保持枠３２に保持されてメインミラー回転軸３３周りに回動して、光軸１１を中心とする被写体光束中に斜設される斜設状態と、被写体光束から退避する退避状態を取り得る。
【００１３】
ピント板３５側へ被写体像を導く場合は、メインミラー３１は被写体光束中に斜設される。このとき、メインミラー保持枠３２の裏面がメインミラー偏心ピン３４と当接して、メインミラー３１の斜設角度が規定される。メインミラー偏心ピン３４は、回転することでメインミラー保持枠３２と当接する箇所を調整することができ、メインミラー３１の斜設角度を精確に設定できる。また、ピント板３５は、撮像素子４８の受光面と共役の位置に配置されている。ピント板３５で結像した被写体像は、ペンタプリズム３６で正立像に変換され、接眼光学系３７を介してユーザに観察される。
【００１４】
ペンタプリズム３６の射出面上方には測光素子３９が配置されており、測光素子３９の受光面には、ピント板３５に結像した被写体像が、ペンタプリズム３６および測光光学系３８を介して二次結像される。測光素子３９は、被写体環境の輝度分布を検出するＡＥセンサの役割を担う素子であり、二次元配列された光電変換素子により構成される。
【００１５】
ピント板３５とペンタプリズム３６の間には、液晶素子から構成されるファインダ表示部４０が配置されている。ファインダ表示部４０は、格子線、焦点調節領域等を表示することができ、ユーザはこれらを、接眼光学系３７を介して、ピント板３５に結像する被写体像に重ねて観察することができる。
【００１６】
斜設状態におけるメインミラー３１の光軸１１の近傍領域は、ハーフミラーとして形成されており、入射される被写体光束の一部が透過する。透過した被写体光束は、メインミラー３１と連動して回動するサブミラー保持枠４２に保持されたサブミラー４１で反射されて、ＡＦ光学系４５へ導かれる。ＡＦ光学系４５を通過した被写体光束は、ＡＦセンサ４６へ入射される。
【００１７】
なお、サブミラー保持枠４２は、メインミラー保持枠３２に設けられるサブミラー回転軸４３周りに回動する。そして、斜設状態においては、サブミラー保持枠４２の裏面がサブミラー偏心ピン４４と当接して、サブミラー４１の斜設角度が規定される。サブミラー偏心ピン４４は、回転することでサブミラー保持枠４２と当接する箇所を調整することができ、サブミラー４１の斜設角度を精確に設定できる。
【００１８】
ＡＦセンサ４６は、例えば、受光した被写体光束から位相差信号を出力する複数の光電変換素子列である。具体的には、被写体像の特定の領域に対応して設けられる複数の焦点調整領域のそれぞれにおいて、合焦状態、前ピン状態、後ピン状態を検出でき、前ピン状態、後ピン状態の場合には、合焦状態からのずれ量も検出することができるように構成されている。なお、サブミラー４１は、メインミラー３１が被写体光束から退避する場合は、メインミラー３１に連動して被写体光束から退避する。
【００１９】
斜設されたメインミラー３１の後方には、光軸１１に沿って、フォーカルプレーンシャッタ４７、撮像素子４８が配列されている。フォーカルプレーンシャッタ４７は、撮像素子４８へ被写体光束を導くときに開放状態を取り、その他のときに遮蔽状態を取る。そして、撮像素子４８は、例えばＣＭＯＳセンサなどの光電変換素子であり、受光面で結像した被写体像を電気信号に変換する。
【００２０】
撮像素子４８で光電変換された電気信号は、メイン基板４９に搭載されたＤＳＰである画像処理部５５で画像データに処理される。メイン基板４９には、画像処理部５５の他に、カメラユニット３０のシステムを統合的に制御するＭＰＵであるカメラシステム制御部５１が搭載されている。カメラシステム制御部５１は、カメラシーケンスを管理すると共に、各構成要素の入出力処理等を行う。例えば、測光素子３９から出力される被写体像の輝度分布から被写体環境の明るさを算出する。そして算出された明るさとプログラム線図から露出値を決定する。また、ＡＦセンサ４６から出力される位相差信号を用いて合焦制御を行う。
【００２１】
カメラユニット３０の背面には液晶モニタ等による背面表示部５２が配設されており、画像処理部５５で処理された被写体画像が表示される。背面表示部５２は、撮影後の静止画像に限らず、各種メニュー情報、撮影情報等を表示する。また、カメラユニット３０には、着脱可能な二次電池５３が収容され、カメラユニット３０に限らず、レンズユニット２０にも電力を供給する。
【００２２】
図２は、一眼レフカメラ１０のシステム構成を概略的に示すブロック図である。一眼レフカメラ１０のシステムは、レンズユニット２０とカメラユニット３０のそれぞれに対応して、レンズシステム制御部２３を中心とするレンズ制御系と、カメラシステム制御部５１を中心とするカメラ制御系により構成される。そして、レンズ制御系とカメラ制御系は、レンズマウント２２とカメラマウント５４によって接続される通信端子を介して、相互に各種データ、制御信号の授受を行う。
【００２３】
カメラ制御系に含まれる画像処理部５５は、カメラシステム制御部５１からの指令に従って、撮像素子４８で光電変換された撮像信号を画像データに処理する。処理された画像データは、表示制御部５９へ送られて、例えば撮影後の一定時間の間、背面表示部５２に表示される。これに並行して、処理された画像データは、予め定められた画像フォーマットに加工され、外部接続ＩＦ５６を介して外部メモリに記録される。
【００２４】
カメラメモリ５７は、例えばフラッシュメモリなどの不揮発性メモリであり、一眼レフカメラ１０を制御するプログラム、各種パラメータなどを記憶する役割を担う。ワークメモリ５８は、例えばＲＡＭなどの高速アクセスできるメモリであり、処理中の画像データを一時的に保管する役割などを担う。
【００２５】
カメラ駆動部６０は、カメラシステム制御部５１からの指令に従ってメインミラー３１、サブミラー４１、フォーカルプレーンシャッタ４７等を駆動する。操作入力部６１は、レリーズボタン、撮影モードダイヤル、測光モードダイヤル等の操作部材がユーザに操作されたことを検出して、カメラシステム制御部５１へ出力する。なお、上述のように、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９の出力を受けて被写体環境の明るさを算出する。
【００２６】
レンズシステム制御部２３は、カメラシステム制御部５１からの制御信号を受けて各種動作を制御する。レンズメモリ２４は、レンズ固有の情報およびレンズシステム制御部２３が実行するプログラム等を記憶している。
【００２７】
次に、測光素子３９の電荷蓄積時間と出力の関係について説明する。図３は、同一強度の光を受光した場合の測光素子３９の電荷蓄積時間と出力値の関係を示す図である。横軸は電荷蓄積時間の経過を表し、縦軸は測光素子３９の出力信号を１０ｂｉｔの分解能でＡＤ変換した後の出力値を表す。電荷蓄積時間は、測光素子３９の各光電変換素子がリセットされた後に被写体像の受光を継続している時間である。
【００２８】
同一の明るさの被写体像を受光し続ける場合、電荷蓄積時間が長くなるほど、出力される電圧は大きくなる。ただし、各光電変換素子には受容できる光量の上限があるので、やがて飽和する。出力信号を１倍のゲインでＡＤ変換する場合、この飽和電荷量近傍に相当するアナログ電圧のＡＤ変換値をＡＤ変換器の上限値と設定すると良い。図３に示すように、ゲイン１倍で時間Ｔ０まで電荷蓄積を継続した場合、飽和出力値であるＫ１に到達する。より大きなＥＶ値である場合、すなわち被写体環境がより明るい場合は、時間Ｔ０が短くなり、逆により小さなＥＶ値である場合、すなわち被写体環境がより暗い場合は、時間Ｔ０が長くなる。したがって、飽和出力値よりもやや小さな値であるＫ２に目標レベルを定め、この目標レベルに到達するまでの時間Ｔ１を計測すれば、被写体環境の明るさとしてのＥＶ値を検出することができる。
【００２９】
同じ明るさの被写体像を受光した場合、増幅率であるゲインを２倍にすれば、ゲインを１倍にしたときに比べておよそ半分の電荷蓄積時間で目標レベルに到達する。図３においては、２Ｔ２≒Ｔ１の関係が成り立つ。同様に、ゲインを４倍にすれば、ゲインを１倍にしたときに比べておよそ１／４の電荷蓄積時間で目標レベルに到達する。図３においては、４Ｔ４≒Ｔ１の関係が成り立つ。
【００３０】
したがって、半分の強度の被写体像を受光する場合にゲインを２倍にすれば、電荷蓄積時間はＴ１となる。同様に、１／４の強度の被写体像を受光する場合にゲインを４倍にすれば、電荷蓄積時間はやはりＴ１となる。したがって、被写体環境が暗い場合には、ゲインを大きくすることにより、電荷蓄積時間を短くすることができる。換言すれば、ある程度の電荷蓄積時間が確保できるのであれば、大きなゲインを採用することにより、被写体環境としては暗い、すなわち小さなＥＶまで検出することができる。ただし、ゲインを大きくし過ぎるとＳＮ比が悪くなるので、例えば事前の実験等により採用できるゲインの上限を定めておくことが肝要である。本実施例においては、最大ゲインを４倍とする。
【００３１】
図４は、検出されるＥＶ値と電荷蓄積時間の関係を示す図である。横軸はＥＶ値を表し、縦軸は電荷蓄積時間を表す。ここでは、測光素子３９の検出能力の例としてＥＶ０から２０である場合について説明する。
【００３２】
被写体環境が比較的明るいＡの領域においては、測光素子３９の出力が目標レベルとなるように電荷蓄積時間とゲインを調整しながら電荷蓄積を実行する。図において被写体輝度の高い側（明るい側）から低い側（暗い側）へ実線を辿ると、まず、ゲインが１倍に設定された状態であって、電荷蓄積時間として最小蓄積時間であるＴｍｉｎとＥＶ２０が対応することがわかる。そして、ゲイン１倍のラインに沿って進むと、目標レベルに到達する電荷蓄積時間が長くなるに従い、対応するＥＶ値が小さくなることがわかる。
【００３３】
ゲインが１倍に設定されている状態においてゲイン切替上限時間Ｔｇｕに到達したら、次の測光時にはゲインが２倍に切り替えられる。このとき、電荷蓄積時間は約半分になる。そして、今度はゲイン２倍のラインに沿って進むと、やはり目標レベルに到達する電荷蓄積時間が長くなるに従い、対応するＥＶ値が小さくなることがわかる。再びゲイン切替上限時間Ｔｇｕに到達したら、次の測光時にはゲインが４倍に切り替えられる。このとき、やはり電荷蓄積時間は約半分になる。同様に、今度はゲイン４倍のラインに沿って進むと、最大電荷蓄積時間Ｔｍａｘまでは、やはり目標レベルに到達する電荷蓄積時間が長くなるに従い、対応するＥＶ値が小さくなることがわかる。
【００３４】
最大電荷蓄積時間Ｔｍａｘは、カメラシステム制御部５１が電荷蓄積時間として割り当て可能な上限時間を表す。一眼レフカメラ１０が連写撮影を実行する場合、測光素子３９の測光受光時間である電荷蓄積時間を長く設定すると、その分だけ単位時間当たりの撮影枚数である駒速が低下する。しかも、測光サイクルが長くなり、被写体の輝度変化に対する追従性も低下する。さらに、電荷蓄積時間を長くし過ぎると出力信号のＳＮ比も悪化する。そこで、駒速および測光サイクルの確保、出力信号の信頼性の観点から、電荷蓄積時間の上限時間として最大電荷蓄積時間Ｔｍａｘが予め設定されている。
【００３５】
被写体環境が比較的暗いＢの領域において、ゲイン４倍のラインがやがてＴｍａｘに到達し、その後の電荷蓄積時間はＴｍａｘで頭打ちとなる。電荷蓄積時間がＴｍａｘで一定に制限される場合は、カメラシステム制御部５１は、この一定時間の間に蓄積された電荷量、すなわちこれに対応するＡＤ変換値からＥＶ値を算出する。
【００３６】
なお、図４において一転鎖線で示すラインは、被写体輝度の低い側から高い側へ変化する場合の電荷蓄積時間とＥＶ値の関係を示す。ゲインが４倍に設定されている状態においてゲイン切替下限時間Ｔｇｌに到達したら、ゲインが２倍に切り替えられる。このとき、電荷蓄積時間は約２倍になる。そしてゲインが２倍に設定されている状態において再びゲイン切替下限時間Ｔｇｌに到達したら、ゲインが１倍に切り替えられる。このときも、電荷蓄積時間は約２倍になる。このように、被写体輝度の高い側から低い側へ変化する場合と、低い側から高い側へ変化する場合でヒステリシスを持たせることにより、ゲイン切替のばたつきを回避している。
【００３７】
図４で示す実線において、Ｔｍａｘで制限されない斜線部分は、目標レベルに到達するまでの電荷蓄積時間を表し、Ｔｍａｘで制限される水平部分は、対応するＥＶ値を精度よく検出する場合に必要な電荷蓄積時間を表している。つまり、図４で示す実線は、ＥＶ値を算出する場合の理想的な電荷蓄積時間を表す。光電変換素子のリセットタイミング等による誤差を無視して電荷蓄積時間と測光素子３９が被写体像を受光する測光受光時間とが等しいとするなら、図４の実線で表される電荷蓄積時間は目標受光時間であると捉えることができる。
【００３８】
上述の通り、最大電荷蓄積時間Ｔｍａｘは、駒速確保等の観点から電荷蓄積時間の上限時間として設定されているが、実際の連写撮影においては、より高速な撮影シーケンスが実行される場合がある。したがって、撮像素子４８が連続的に画像信号を出力するときに、カメラシステム制御部５１が撮像受光動作の間に割り当てる測光受光時間は、Ｔｍａｘよりも短くなることがある。つまり、カメラシステム制御部５１は、駒間の測光受光時間としてＴｍａｘの時間を割くことができない場合がある。その場合には、目標受光時間よりも短い測光受光時間で電荷蓄積された出力信号からＥＶ値を算出しなければならない。しかし、測光受光時間があまりにも短いと蓄積される電荷が少なく、算出結果が安定しない。つまり、算出されたＥＶ値の信頼性が低く、露出値の演算に用いることができない。そこで、本実施形態においては、算出されたＥＶ値が正しいと判断され得る測光受光時間として、許容受光時間を導入する。
【００３９】
図５は、測光受光時間と算出されるＥＶ値の関係を示す図である。特に、図４のＢの領域に対応する領域を示す。横軸に測光受光時間を対数目盛りで表し、縦軸に算出されたＥＶ値を表す。この図は、各ＥＶ値に相当する輝度に調整された被写体環境を、測光受光時間を変化させつつ実際に測光素子３９で測光した実験結果を模式的に示す。
【００４０】
各ラインは、下から順にＥＶ０、ＥＶ１、…ＥＶ９の実験結果を表す。いずれのラインも測光受光時間が短い領域で曲線となり、長い領域で水平な直線となる。しかも、曲線部と水平直線部の接続点は、ＥＶ値が大きいラインほど、測光受光時間に対してより短い時点に現れる。そして、各ラインの水平直線部は、縦軸の算出されたＥＶ値を参照すると、実際に調整した被写体環境の輝度に対応するＥＶ値と良く一致する。例えば、ＥＶ６に相当する輝度に調整された被写体環境に対して得られたラインの水平直線部は、算出結果としてもＥＶ６を示している。しかし、曲線部では、実際に調整した被写体環境の輝度に対して、算出されるＥＶ値が大きな値を示している。すなわち、測光受光時間が短いと、算出されるＥＶ値は実際の被写体環境の輝度に対するＥＶ値よりも大きな値となる。
【００４１】
つまり、算出されるＥＶ値と実際の被写体環境の輝度に対するＥＶ値が一致するのは、各ラインの接続点に対応する測光受光時間よりも長時間側の領域であると言える。換言すれば、算出されたＥＶ値が正しいと判断されるのは、測光受光時間が、各ラインの接続点付近を結んで規定される許容受光時間よりも長時間の領域に存在する場合である。
【００４２】
したがって、図４を用いて説明した目標受光時間（図５においてはＴｍａｘが１００ｍｓｅｃに相当する）のラインと許容受光時間のラインで挟まれる、図５の網掛け領域に測光受光時間が存在するのであれば、算出されたＥＶ値は正確であると判断できる。逆に、この領域以外の領域に測光受光時間が存在するのであれば、算出されたＥＶ値は信用できないと判断できる。この意味において図５の網掛け領域は、測光可能領域と定義できる。
【００４３】
カメラシステム制御部５１は、割り当てた測光受光時間で測光素子３９が測光した出力信号を受け取り、ＥＶ値を算出する。そして、割り当てた測光受光時間と算出したＥＶ値を図５のグラフに当てはめ、適応するラインを選択する。この選択されたラインは、特定のＥＶ値に対する実験結果であるので、上述のように、曲線部と水平直線部との接続点付近に許容受光時間が規定されている。カメラシステム制御部５１は、割り当てた測光受光時間が許容受光時間よりも右側の水平直線部である測光可能領域に属するか否かを判断する。測光可能領域に属すると判断すれば、その算出したＥＶ値は正確な値として採用し、属しないと判断すれば、信頼できない値として破棄する。別言すれば、カメラシステム制御部５１は、算出したＥＶ値と選択したラインのＥＶ値とが一致していれば正確な値として採用し、一致していなければ信頼できない値として破棄する。ただし、後述するように、ここで選択されたラインから定められる許容受光時間と目標受光時間は、次回の測光動作における測光受光時間の決定時に参照される。
【００４４】
図５では、ＥＶ値で１刻みの実験結果を示すラインを描いているが、もちろんより細かく実験データを取得しても良い。そして、このように実験あるいはシミュレーションなどによって取得されたデータから、各ＥＶ値に対する測光可能領域を示すルックアップテーブルを作成し、カメラメモリ５７に記憶させておく。カメラシステム制御部５１は、連写時など割り当てた測光時間が短い場合等において、このルックアップテーブルを参照して、算出したＥＶ値を採用するか否かを判断する。
【００４５】
上述のように、連写時においては特に測光受光時間が短くなる。その短くなった測光受光時間であっても被写体が明るければ、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９の出力から正確なＥＶ値を算出することができる。一方、被写体が暗ければ正確なＥＶ値を算出できない。そこで、カメラシステム制御部５１は、正確なＥＶ値が算出できた場合には、連写中であっても各駒間で当該ＥＶ値から露出値を演算し、その露出値に従って次の駒の撮像制御に反映させる。つまり測光追従を実行する。正確なＥＶ値が算出できなかった場合には、当該ＥＶ値を破棄して、前駒で適用された露出値を次の駒の撮影制御にも適用する。つまりＡＥロックを実行する。ＡＥロックでは、事前に算出された、例えば先頭駒の撮像動作に先立って算出された正確なＥＶ値を用いて演算された露出値が、継続して適用される。
【００４６】
上述のように、測光受光時間が測光可能領域に存在するか否かにより、測光追従するかＡＥロックするかを決定しても良いが、測光受光時間／目標受光時間で定義される測光充足条件に則してルックアップテーブルを生成することもできる。図６は、この観点において生成されたルックアップテーブルを図示したものである。より具体的には、図６は、ＥＶ値と測光充足条件によって区分されるＡＥロック領域と測光追従領域を示す。横軸に算出されたＥＶ値を表し、縦軸に測光充足条件を表す。
【００４７】
図６における測光追従領域とＡＥロック領域の境界線は、図５の測光可能領域から導出される。図５において、ＥＶ８よりも大きな輝度の領域では、許容受光時間と目標受光時間が平行線で表されるので、図６におけるＲＬはこの一定の比率によって定められる。ＥＶ８未満の領域では、目標受光時間が一定（＝Ｔｍａｘ）であるのに対し、許容受光時間はＥＶ値が小さくなるに従って一定の割合で増加する。したがって、図６のこの領域における境界線は、ＥＶ値が小さくなるにしたがって測光充足条件が増加する関係を示す。さらに、ＥＶ１未満の領域では、許容受光時間と目標受光時間が平行線で表されるので、図６におけるＲＵもこの一定の比率によって定められる。このように、測光追従領域とＡＥロック領域の境界線を、測光充足条件により区分しておけば、ルックアップテーブルとしての管理が容易となる。
【００４８】
以上のような本実施形態に係る一眼レフカメラ１０において連写撮影を実行する場合、カメラシステム制御部５１は、撮像素子４８による撮像受光動作の間に割り当てられる、測光素子３９が被写体像を受光する時間である測光受光時間を漸増させる。以下に具体的に説明する。
【００４９】
従来の一眼レフカメラにおいて連写撮影を行う場合、システム制御部は、撮像素子による撮像受光動作の合間にメインミラーを斜設状態にして被写体光束を測光素子へ導き、測光素子に十分な電荷蓄積時間を与えて測光を行っていた。このように制御すれば、連写撮影中に発生する被写体環境の明るさの変化に追従でき、より適切な露出値をもって一枚一枚の撮像受光動作を実行することができる。しかし、例えば、被写体が日なたから日陰へ移動した場合など、被写体環境の明るさが急激に暗くなると、測光素子が必要とする電荷蓄積時間が急激に増大する。この場合、明るさの変化の前後において駒速が急激に低下することになる。つまり、連写撮影の測光制御において明るさの変化への追従を重視しすぎると、ユーザは、駒速の急激な低下に違和感を覚える。
【００５０】
あるいは、従来の一眼レフカメラにおいて連写撮影を行う場合、システム制御部は、１枚目の撮影に用いた露出値を固定して、後の連続する撮像受光動作に適用するＡＥロックを行っていた。この場合は、駒速が優先されるので、急激な駒速低下は発生しないが、連写撮影中に発生する被写体環境の明るさの変化には追従できない。したがって、被写体環境が暗くなった後に撮影された画像データは、すべてアンダーとなる場合があった。
【００５１】
そこで、本実施形態においては、カメラシステム制御部５１は、駒速の連続性と、明るさの変化に対する追従性のバランスを考慮して、以下に説明するように測光素子３９に割り当てる測光受光時間を、連写撮影中に漸増させる。図７は、メインミラー３１、測光素子３９および撮像素子４８の動作遷移を示すタイミングチャートである。図において、横軸は、時間の経過を表す。図の例は、特徴的な変化を示すべく、連写撮影動作開始後のｎ枚目から連続する３枚の撮影動作についての遷移を表している。
【００５２】
図において、縦軸方向には、上から順にメインミラー３１の状態、測光素子３９の電荷蓄積状態および撮像素子４８の電荷蓄積状態を整列させている。メインミラー３１は、上述のように、ＵＰ状態である待避状態と、ＤＯＷＮ状態である斜設状態を取る。カメラシステム制御部５１がレリーズ制御信号をカメラ駆動部６０へ送出すると、カメラ駆動部６０は、メインミラー３１をＤＯＷＮ状態からＵＰ状態へ駆動し始める。このとき、サブミラー４１も、メインミラー３１の変位に連動してＵＰ状態へ変位する。メインミラー３１とサブミラー４１を含むミラー部は、カメラ駆動部６０により高速に変位されるので、ＵＰ状態に到達しても、静止するまでの間にバウンスが減衰する時間を要する。
【００５３】
そして、後述するように撮像素子４８の電荷蓄積が完了したら、カメラシステム制御部５１は、カメラ駆動部６０へミラー部をＤＯＷＮ状態へ駆動させる制御信号を送出する。ミラー部は、カメラ駆動部６０に駆動されて、ＵＰ状態からＤＯＷＮ状態へ変位する。この場合も、ミラー部がＤＯＷＮ状態で静止するまでに、ミラー部のバウンスが減衰する時間を要する。ミラー部は、連続撮影が行われている間は、このようにして、ＵＰ状態とＤＯＷＮ状態を繰り返す。
【００５４】
測光素子３９は、ピント板３５に結像した被写体像を受光する。したがって、測光素子３９が被写体光束を受光して電荷を蓄積できる期間は、メインミラー３１がピント板３５へ被写体光束を安定的に導く、ＤＯＷＮＮ状態の静止期間である。カメラシステム制御部５１は、この期間の長さを調整する制御を行う。
【００５５】
図７の中段で示すように、測光素子３９は、メインミラー３１のＤＯＷＮ状態の静止期間に電荷蓄積を実行するように、カメラシステム制御部５１によって制御される。この実際に被写体光束を受光して電荷蓄積を行える期間を、測光受光時間とする。なお、カメラシステム制御部５１は、ミラー部の静止時点を、他のセンサにより検出しても良いし、カメラ駆動部６０がＤＯＷＮ状態へ駆動し始めてからバウンスが減衰するまでの時間を予め計測しておくことにより予測しても良い。
【００５６】
カメラシステム制御部５１は、一旦開始した連続撮影の駒速の連続性を考慮して、測光受光時間を急激には変化させない。したがって、被写体環境が連写撮影中に暗くなって、目標受光時間が延びたとしても、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間として目標受光時間を直ちには割り当てない。具体的には、カメラシステム制御部５１は、明るい被写体環境下において測光動作が正しく実行できていた前回の測光受光時間をそのまま割り当てる。そして、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９が当該測光受光時間で測光した出力信号を受け取り、ＥＶ値を算出する。この場合、実際には被写体環境が暗くなっているので、図５を用いて説明したように、割り当てられた測光受光時間は、選択されたラインによって定められる許容受光時間に到達せず、算出されたＥＶ値は破棄される。この場合、カメラシステム制御部５１は、被写体環境の正確なＥＶ値を算出できないので、連続する撮像受光動作に対しては、前回（ｎ−１枚目）の撮像受光動作で用いた露出値をそのまま用いる。つまり、カメラシステム制御部５１は、ＡＥロックにより撮像受光動作を実行する。なお、カメラシステム制御部５１は、次回（ｎ＋１枚目）の撮像受光動作に備えて、今回の測光受光時間と選択されたラインによって定められる目標受光時間とを記憶しておく。
【００５７】
カメラシステム制御部５１は、ｎ枚目の撮像受光動作として、ｎ−１枚目の撮像受光動作で適用した絞り値でレンズユニット２０の絞りを駆動し、シャッタ速度でフォーカルプレーンシャッタ４７を駆動し、ＩＳＯ感度で撮像素子４８の出力信号を増幅する。図７の下段で示すように、撮像素子４８は、ミラー部のＵＰ状態の静止期間において電荷蓄積状態となる。カメラシステム制御部５１は、この期間内にフォーカルプレーンシャッタ４７の先幕と後幕を走行させて、被写体光束が撮像素子４８へ到達する期間（シャッタ速度）を調整する。
【００５８】
電荷蓄積時間として許容受光時間を確保できれば、測光素子３９が正確な輝度分布を出力することができるのは上述の通りである。本実施形態においては、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間を漸増させていき、測光受光時間が許容受光時間を超えたら、ＡＥロックを解除して、新たな露出値を算出する。
【００５９】
カメラシステム制御部５１は、記憶しておいたｎ枚目の測光受光時間と目標受光時間とを用いて延長時間を算出し、これを参照してｎ＋１枚目の測光受光時間を定める。具体的には、ｎ枚目の測光受光時間に、ｎ枚目における目標受光時間と測光受光時間との差分である不足時間に予め定められた割合をかけた延長時間を加算して、ｎ＋１枚目の測光受光時間を定める。図７の中段に示すように、ｎ＋１枚目の測光受光時間は、延長時間が加算された分だけｎ枚目の測光受光時間よりは長い。カメラシステム制御部５１は、ｎ枚目の処理と同様に、測光素子３９が当該測光受光時間で測光した出力信号を受け取り、ＥＶ値を算出する。そして、当該測光受光時間と算出したＥＶ値とから図５におけるラインを選択し、ｎ＋１枚目における許容受光時間を定める。図の例では、ｎ＋１枚目においても、測光受光時間は、新たに定められた許容受光時間を下回っている。したがって、カメラシステム制御部５１は、正確なＥＶ値を算出できないので、連続する撮像受光動作に対しては、前回（ｎ枚目）の撮像受光動作で用いた露出値をそのまま用いる。つまり、カメラシステム制御部５１は、ｎ枚目の撮像受光動作と同様に、ＡＥロックにより撮像受光動作を実行する。
【００６０】
カメラシステム制御部５１は、続くｎ＋２枚目における測光受光時間も同様に漸増させる。すなわち、ｎ＋１枚目の測光受光時間に、ｎ＋１枚目における目標受光時間と測光受光時間との差である不足時間に予め定められた割合をかけた延長時間を加算して、ｎ＋２枚目の測光受光時間を定める。図の例では、ｎ＋２枚目の測光受光時間は、延長時間が加算された分だけｎ＋１枚目の測光受光時間より長くなり、その結果、ｎ＋２枚目に対して定められた許容受光時間を上回っている。そこで、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９の出力からＥＶ値を算出し、選択されている撮影モードに従って露出値を決定する、ＡＥ演算を実行する。そして、カメラシステム制御部５１は、連続する撮像受光動作に対して、ＡＥ演算により決定された露出値を適用する。なお、更に連続してｎ＋３枚目、ｎ＋４枚目…と連写撮影が継続される場合も、カメラシステム制御部５１は、前回の不足時間に予め定められた割合をかけた延長時間を前回の測光受光時間に加算して、今回の測光受光時間を定める。この場合、測光受光時間は、目標受光時間に到達するまで漸増され、目標受光時間を超えた場合は、それ以上延長されない。なお、測光受光時間を漸増させた結果、測光受光時間が許容受光時間を超えた場合は、目標受光時間に到達していなくても、それ以上延長しないように構成しても良い。
【００６１】
次に、一連の処理の流れについて説明する。図８は、連写時における主に測光動作の処理を示すフロー図である。フローは、一眼レフカメラ１０の電源がオンにされ、ユーザから撮影準備の指示を受け付けられる状態になった時点から開始する。
【００６２】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０１で、操作入力部６１の一つであるレリーズボタンがユーザによって半押しされた場合にオンとなる、ＳＷ１がオンとなったか否かを検出する。カメラシステム制御部５１は、オンを検出したら、ステップＳ１０２へ進み、撮影準備動作を開始する。
【００６３】
ステップＳ１０２において、カメラシステム制御部５１は、目標受光時間を測光受光時間として、測光素子３９の電荷蓄積を実行する。そして、カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０３で、測光演算を行って被写体の輝度情報としてのＥＶ値を算出し、このＥＶ値と設定された撮影モード等により、露出値を算出する。なお、カメラシステム制御部５１は、撮影準備段階における電荷蓄積動作を、一回に限らず、数回行っても良い。
【００６４】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０４で、予め設定されたタイマー時間が経過するまで、撮影指示であるＳＷ２がオンにされるのを待つ。ＳＷ２は、レリーズボタンがユーザによって全押しされた場合にオンとなる。
【００６５】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０４でＳＷ２がオンにされたと判断したら、ステップＳ１０５へ進み、撮影動作を開始する。具体的には、カメラシステム制御部５１は、カメラ駆動部６０を介してミラー部をＵＰ状態へ移行させ、撮像素子４８を電荷蓄積状態にする。並行して、レンズシステム制御部２３を介して、ステップＳ１０３で算出した絞り値に従ってレンズユニット２０の絞りを駆動する。さらに、カメラシステム制御部５１は、カメラ駆動部６０を介して、ステップＳ１０３で算出したシャッタ速度に従ってフォーカルプレーンシャッタ４７を走行させる。カメラシステム制御部５１は、被写体像が光電変換された画像信号を、ステップＳ１０３で算出したＩＳＯ感度に従って撮像素子４８から読み出し、ＡＤ変換を行った後にワークメモリ５８へ送出する。
【００６６】
カメラシステム制御部５１は、ワークメモリ５８で一旦保管された画像データを順次画像処理部５５へ転送して、画像処理を開始させる。画像処理部５５は、指定された画像フォーマットにしたがって、画像処理、ファイル化処理等を施し、生成した画像ファイルを外部メモリへ送出する。
【００６７】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０５で撮影動作を完了したら、連続して次の撮影動作へ移行することができる。カメラシステム制御部５１は、１枚目の撮影動作が完了したら、ステップＳ１０６で、オフにされたか否かを判断する。ＳＷ２がオフにされていると判断したら、撮影指示が終了したと判断する。ＳＷ２がオンのままであると判断したら、ユーザがレリーズボタンを継続して全押ししていることを意味するので、カメラシステム制御部５１は、ユーザが連写撮影を指示していると判断する。
【００６８】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０６でＳＷ２が継続してオン状態であると判断したらステップＳ１０７へ進み、測光受光時間Ｔｇを割り当て、測光素子３９に電荷蓄積を実行させる。そして、ステップＳ１０８で、カメラシステム制御部５１は、図５を用いて説明したように、測光素子３９の出力から一旦ＥＶ値を算出し、測光受光時間Ｔｇが、算出したＥＶ値に基づいて定められる許容受光時間Ｔｐを下回っているか否かを判断する。測光受光時間Ｔｇが許容受光時間Ｔｐ以上であれば、ステップＳ１０９へ進み、カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０７による測光素子３９の電荷蓄積結果から算出したＥＶ値を用いて、ステップＳ１０３と同様に、測光演算および露出値算出を行う。ただし、連写撮影継続中においては、駒速を高速に維持する要請から、割り当てられる測光受光時間Ｔｇは必要十分の短時間に限られるので、測光素子３９によって実行される電荷蓄積は複数回では無く、原則的には１回である。カメラシステム制御部５１は、算出した露出値を、ステップＳ１１０で実行する撮影動作に適用する露出値として設定する。
【００６９】
ステップＳ１０８で、測光受光時間Ｔｇが許容受光時間Ｔｐを下回っていると判断した場合は、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９の電荷蓄積結果を反映させない。すなわち、ステップＳ１１０で実行する撮影動作に適用する露出値として、前回の露出値をそのまま設定する。例えば、２枚目の撮影動作の準備段階であれば、ステップＳ１０３で算出した露出値を設定する。
【００７０】
ステップＳ１１０では、カメラシステム制御部５１は、設定された露出値に従って、ステップＳ１０５と同様に、撮影動作を実行する。さらには、画像処理部５５に画像処理を実行させる。そして、カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１１１へ進み、図７を用いて説明したように延長時間を算出し、測光受光時間Ｔｇに当該延長時間を加算することにより、測光受光時間Ｔｇを更新する。測光受光時間Ｔｇを更新したら再びステップＳ１０６へ戻る。ステップＳ１０６でＳＷ２のオンが継続されていれば、連写撮影が継続される。このとき、ステップＳ１０７では、更新された測光受光時間Ｔｇが割り当てられる。
【００７１】
ステップＳ１０１でＳＷ１がオンにされなかった場合、ステップＳ１０４でＳＷ２がオンにされなかった場合、ステップＳ１０６でＳＷ２がオフにされた場合には、ステップＳ１１２へ進み、カメラシステム制御部５１は、電源がオフにされたか否かを判断する。電源がオフにされていないと判断した場合には、ステップＳ１０１へ戻る。オフにされたと判断した場合には、一連の処理を終了する。
【００７２】
また、上記の処理においては、ステップＳ１０８で、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間Ｔｇが許容受光時間Ｔｐを下回っていると判断した場合は、測光演算および露出値算出を行わない。しかし、測光演算自体さらには露出値の算出自体は一律に行い、その結果を使わないとすることもできる。
【００７３】
以上の実施形態においては、被写体環境が暗くなる場合を想定して、測光受光時間Ｔｇを漸増させる場合の処理について説明した。しかし、被写体環境が連写撮影中に暗くなる場合があるのと同様に、明るくなる場合もある。明るくなる場合には、それまで漸増させた測光受光時間Ｔｇに対して、目標受光時間が突然短くなることが想定される。この場合、明るさの変化に対する追従性が犠牲になることはないが、駒速の連続性の観点においては突然高速になることがあり、ユーザが覚える違和感と共に、予想外にメモリを消費してしまうという問題がある。そこで、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間Ｔｇから、目標受光時間Ｔｔとの差である余剰時間に、予め定められる短縮割合を掛けた短縮時間を減算して、測光受光時間Ｔｇを漸減させる。このような処理を実行すれば、駒速が徐々に速くなるので、ユーザの違和感が緩和されると共に、急激なメモリ消費を防ぐことができる。測光受光時間Ｔｇを漸減させた結果、目標受光時間Ｔｔを下回った場合には、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間Ｔｇをそれ以上短縮させない。また、短縮させ過ぎた場合には、目標受光時間Ｔｔあるいは許容受光時間Ｔｐに到達するまで、漸増させるように構成しても良い。
【００７４】
以上の実施形態においては、測光素子３９がステップＳ１０７で被写体像を受光して出力した、つまり割り当てられた測光受光時間で受光して出力した測光信号からＥＶ値を算出し、そのＥＶ値に対応する許容時間を決定した。しかし、一眼レフカメラ１０に周辺環境の輝度を検出するセンサを設けて、当該センサの出力からＥＶ値を算出しても良い。測光受光時間が非常に短い場合には、その蓄積電荷からＥＶ値を算出すると実際のＥＶ値とはかけ離れる場合があるので、他のセンサを補助的に用いることにより、許容受光時間が正確に決定されることが期待できる。
【００７５】
なお、以上の実施形態においては、最大の増幅率として４倍を採用した。もちろん、ＳＮ比との兼ね合いにより、これより高い増幅率を採用することもできる。その場合、測光信号が予め定められた最大の増幅率により出力されている場合に、上記実施形態の通り、許容受光時間に基づいて撮像受光動作を実行する。このとき、測光信号が最大の増幅率よりも小さな増幅率で出力されている場合に測光受光時間が不足すれば、増幅率を大きくして測光追従すれば良い。
【００７６】
したがって、許容受光時間に基づいて撮像受光動作を実行するのは、被写体の明るさが予め定められた明るさよりも暗い場合である。別言すれば、測光受光時間が、被写体の明るさおよび撮像素子が画像信号を出力する撮像周期の少なくともいずれかに基づいて決定される目標受光時間未満である場合に、許容受光時間に基づいて撮像受光動作が実行される。
【００７７】
以上の実施形態においては、被写体環境の明るさを輝度として一律にＥＶ値に対応させて説明した。Ａｐｅｘ演算においては、ＥＶ値は露出値であり、絞り値に対応する開口値（ＡＶ値）とシャッタ速度に対応する露光時間（ＴＶ値）の和で表される制御値である。測光素子３９が直接的に算出するのは輝度値（ＢＶ値）であり、この輝度値にＩＳＯ感度に対応する感度値（ＳＶ値）を加えた値が光値（ＬＶ値）となる。ＥＶ値とＬＶ値が等しくなるように露出演算をした場合に適正露出となる。つまり、以上の実施形態においては、適正露出を前提に説明した。したがって、測光素子３９の出力から算出される値としてＢＶ値を適用し、ＬＶ値を基準として図５に対応するルックアップテーブルを生成しても良い。もちろん、適正露出を前提としないのであれば、適正露出との差分によりＥＶ値とＬＶ値の間で調整を行えば良い。
【００７８】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００７９】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００８０】
１０ 一眼レフカメラ、１１ 光軸、２０ レンズユニット、２１ レンズ群、２２ レンズマウント、２３ レンズシステム制御部、２４ レンズメモリ、３０ カメラユニット、３１ メインミラー、３２ メインミラー保持枠、３３ メインミラー回転軸、３４ メインミラー偏心ピン、３５ ピント板、３６ ペンタプリズム、３７ 接眼光学系、３８ 測光光学系、３９ 測光素子、４０ ファインダ表示部、４１ サブミラー、４２ サブミラー保持枠、４３ サブミラー回転軸、４４ サブミラー偏心ピン、４５ ＡＦ光学系、４６ ＡＦセンサ、４７ フォーカルプレーンシャッタ、４８ 撮像素子、４９ メイン基板、５１ カメラシステム制御部、５２ 背面表示部、５３ 二次電池、５４ カメラマウント、５５ 画像処理部、５６ 外部接続ＩＦ、５７ カメラメモリ、５８ ワークメモリ、５９ 表示制御部、６０ カメラ駆動部、６１ 操作入力部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置および撮像装置の制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、被写体環境の明るさを検出する測光素子とを別々に備えるＴＴＬの撮像装置は、一般的に、被写体光束を排他的にそれぞれの素子へ導く可動ミラー構造を有する。したがって、撮像素子が連続的に画像信号を出力する連続撮影時においては、撮像素子による撮像受光動作の合間に、可動ミラーを駆動して、測光素子による被写体環境の明るさ検出が実行される。撮像受光動作は、検出された被写体環境の明るさに基づいて決定される露出値に従って制御される。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開２００５−６２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、連続撮影時においては、途中で被写体環境の明るさが暗くなった場合に、測光素子が必要とする電荷蓄積時間が長くなり、撮影継続中に連写速度が急激に低下する場合があった。連写速度を優先して電荷蓄積時間を制限すると、測光素子の読み出しゲインが大きくなり、正確な露出値が算出できなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様における撮像装置は、被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、被写体像を受光して測光信号を出力する測光素子と、測光信号に基づいて被写体の明るさを算出する算出部と、撮像素子が連続的に画像信号を出力する場合に、撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられた、測光素子が被写体像を受光する時間である測光受光時間が、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間未満であるときは、算出部により事前に算出された被写体の明るさを適用して撮像受光動作を実行する制御部とを備える。
【０００５】
本発明の第２の態様における撮像装置の制御プログラムは、被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、被写体像を受光して測光信号を出力する測光素子とを備える撮像装置の制御プログラムであって、撮像素子が画像信号を連続的に出力する場合に、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間を参照する参照ステップと、参照ステップによる参照の結果、撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられる、測光素子が被写体像を受光する時間である測光受光時間が、許容時間未満である場合に、事前に算出された被写体の明るさを適用して撮像受光動作を実行する撮像ステップとをコンピュータに実行させる。
【０００６】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係る一眼レフカメラの要部断面図である。
【図２】一眼レフカメラのシステム構成を概略的に示すブロック図である。
【図３】測光素子の電荷蓄積時間と出力値の関係を示す図である。
【図４】ＥＶ値と電荷蓄積時間の関係を示す図である。
【図５】測光受光時間と算出されるＥＶ値の関係を示す図である。
【図６】ＥＶ値と測光充足条件によって区分されるＡＥロック領域と測光追従領域を示す図である。
【図７】メインミラー、測光素子および撮像素子の動作遷移を示すタイミングチャートである。
【図８】連写時における主に測光動作の処理を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る一眼レフカメラ１０の要部断面図である。一眼レフカメラ１０は、レンズユニット２０とカメラユニット３０が組み合わされて撮像装置として機能する。
【００１０】
レンズユニット２０は、光軸１１に沿って配列されたレンズ群２１を備える。レンズ群２１は、入射される被写体光束をカメラユニット３０へ導く。レンズ群２１には、フォーカスレンズ、ズームレンズ等が含まれ、焦点調整、画角調整の指示に応じて光軸方向に移動できるように構成されている。レンズユニット２０は、カメラユニット３０との接続部にレンズマウント２２を備え、カメラユニット３０が備えるカメラマウント５４と係合して、カメラユニット３０と一体化する。
【００１１】
レンズユニット２０は、レンズユニット２０の動作等を制御するレンズシステム制御部２３を備える。レンズシステム制御部２３は、レンズマウント２２およびカメラマウント５４に設けられた通信端子を介して、カメラユニット３０と相互に通信を行う。
【００１２】
カメラユニット３０は、レンズユニット２０から入射される被写体光束を反射するメインミラー３１と、メインミラー３１で反射された被写体光束が結像するピント板３５を備える。メインミラー３１は、メインミラー保持枠３２に保持されてメインミラー回転軸３３周りに回動して、光軸１１を中心とする被写体光束中に斜設される斜設状態と、被写体光束から退避する退避状態を取り得る。
【００１３】
ピント板３５側へ被写体像を導く場合は、メインミラー３１は被写体光束中に斜設される。このとき、メインミラー保持枠３２の裏面がメインミラー偏心ピン３４と当接して、メインミラー３１の斜設角度が規定される。メインミラー偏心ピン３４は、回転することでメインミラー保持枠３２と当接する箇所を調整することができ、メインミラー３１の斜設角度を精確に設定できる。また、ピント板３５は、撮像素子４８の受光面と共役の位置に配置されている。ピント板３５で結像した被写体像は、ペンタプリズム３６で正立像に変換され、接眼光学系３７を介してユーザに観察される。
【００１４】
ペンタプリズム３６の射出面上方には測光素子３９が配置されており、測光素子３９の受光面には、ピント板３５に結像した被写体像が、ペンタプリズム３６および測光光学系３８を介して二次結像される。測光素子３９は、被写体環境の輝度分布を検出するＡＥセンサの役割を担う素子であり、二次元配列された光電変換素子により構成される。
【００１５】
ピント板３５とペンタプリズム３６の間には、液晶素子から構成されるファインダ表示部４０が配置されている。ファインダ表示部４０は、格子線、焦点調節領域等を表示することができ、ユーザはこれらを、接眼光学系３７を介して、ピント板３５に結像する被写体像に重ねて観察することができる。
【００１６】
斜設状態におけるメインミラー３１の光軸１１の近傍領域は、ハーフミラーとして形成されており、入射される被写体光束の一部が透過する。透過した被写体光束は、メインミラー３１と連動して回動するサブミラー保持枠４２に保持されたサブミラー４１で反射されて、ＡＦ光学系４５へ導かれる。ＡＦ光学系４５を通過した被写体光束は、ＡＦセンサ４６へ入射される。
【００１７】
なお、サブミラー保持枠４２は、メインミラー保持枠３２に設けられるサブミラー回転軸４３周りに回動する。そして、斜設状態においては、サブミラー保持枠４２の裏面がサブミラー偏心ピン４４と当接して、サブミラー４１の斜設角度が規定される。サブミラー偏心ピン４４は、回転することでサブミラー保持枠４２と当接する箇所を調整することができ、サブミラー４１の斜設角度を精確に設定できる。
【００１８】
ＡＦセンサ４６は、例えば、受光した被写体光束から位相差信号を出力する複数の光電変換素子列である。具体的には、被写体像の特定の領域に対応して設けられる複数の焦点調整領域のそれぞれにおいて、合焦状態、前ピン状態、後ピン状態を検出でき、前ピン状態、後ピン状態の場合には、合焦状態からのずれ量も検出することができるように構成されている。なお、サブミラー４１は、メインミラー３１が被写体光束から退避する場合は、メインミラー３１に連動して被写体光束から退避する。
【００１９】
斜設されたメインミラー３１の後方には、光軸１１に沿って、フォーカルプレーンシャッタ４７、撮像素子４８が配列されている。フォーカルプレーンシャッタ４７は、撮像素子４８へ被写体光束を導くときに開放状態を取り、その他のときに遮蔽状態を取る。そして、撮像素子４８は、例えばＣＭＯＳセンサなどの光電変換素子であり、受光面で結像した被写体像を電気信号に変換する。
【００２０】
撮像素子４８で光電変換された電気信号は、メイン基板４９に搭載されたＤＳＰである画像処理部５５で画像データに処理される。メイン基板４９には、画像処理部５５の他に、カメラユニット３０のシステムを統合的に制御するＭＰＵであるカメラシステム制御部５１が搭載されている。カメラシステム制御部５１は、カメラシーケンスを管理すると共に、各構成要素の入出力処理等を行う。例えば、測光素子３９から出力される被写体像の輝度分布から被写体環境の明るさを算出する。そして算出された明るさとプログラム線図から露出値を決定する。また、ＡＦセンサ４６から出力される位相差信号を用いて合焦制御を行う。
【００２１】
カメラユニット３０の背面には液晶モニタ等による背面表示部５２が配設されており、画像処理部５５で処理された被写体画像が表示される。背面表示部５２は、撮影後の静止画像に限らず、各種メニュー情報、撮影情報等を表示する。また、カメラユニット３０には、着脱可能な二次電池５３が収容され、カメラユニット３０に限らず、レンズユニット２０にも電力を供給する。
【００２２】
図２は、一眼レフカメラ１０のシステム構成を概略的に示すブロック図である。一眼レフカメラ１０のシステムは、レンズユニット２０とカメラユニット３０のそれぞれに対応して、レンズシステム制御部２３を中心とするレンズ制御系と、カメラシステム制御部５１を中心とするカメラ制御系により構成される。そして、レンズ制御系とカメラ制御系は、レンズマウント２２とカメラマウント５４によって接続される通信端子を介して、相互に各種データ、制御信号の授受を行う。
【００２３】
カメラ制御系に含まれる画像処理部５５は、カメラシステム制御部５１からの指令に従って、撮像素子４８で光電変換された撮像信号を画像データに処理する。処理された画像データは、表示制御部５９へ送られて、例えば撮影後の一定時間の間、背面表示部５２に表示される。これに並行して、処理された画像データは、予め定められた画像フォーマットに加工され、外部接続ＩＦ５６を介して外部メモリに記録される。
【００２４】
カメラメモリ５７は、例えばフラッシュメモリなどの不揮発性メモリであり、一眼レフカメラ１０を制御するプログラム、各種パラメータなどを記憶する役割を担う。ワークメモリ５８は、例えばＲＡＭなどの高速アクセスできるメモリであり、処理中の画像データを一時的に保管する役割などを担う。
【００２５】
カメラ駆動部６０は、カメラシステム制御部５１からの指令に従ってメインミラー３１、サブミラー４１、フォーカルプレーンシャッタ４７等を駆動する。操作入力部６１は、レリーズボタン、撮影モードダイヤル、測光モードダイヤル等の操作部材がユーザに操作されたことを検出して、カメラシステム制御部５１へ出力する。なお、上述のように、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９の出力を受けて被写体環境の明るさを算出する。
【００２６】
レンズシステム制御部２３は、カメラシステム制御部５１からの制御信号を受けて各種動作を制御する。レンズメモリ２４は、レンズ固有の情報およびレンズシステム制御部２３が実行するプログラム等を記憶している。
【００２７】
次に、測光素子３９の電荷蓄積時間と出力の関係について説明する。図３は、同一強度の光を受光した場合の測光素子３９の電荷蓄積時間と出力値の関係を示す図である。横軸は電荷蓄積時間の経過を表し、縦軸は測光素子３９の出力信号を１０ｂｉｔの分解能でＡＤ変換した後の出力値を表す。電荷蓄積時間は、測光素子３９の各光電変換素子がリセットされた後に被写体像の受光を継続している時間である。
【００２８】
同一の明るさの被写体像を受光し続ける場合、電荷蓄積時間が長くなるほど、出力される電圧は大きくなる。ただし、各光電変換素子には受容できる光量の上限があるので、やがて飽和する。出力信号を１倍のゲインでＡＤ変換する場合、この飽和電荷量近傍に相当するアナログ電圧のＡＤ変換値をＡＤ変換器の上限値と設定すると良い。図３に示すように、ゲイン１倍で時間Ｔ０まで電荷蓄積を継続した場合、飽和出力値であるＫ１に到達する。より大きなＥＶ値である場合、すなわち被写体環境がより明るい場合は、時間Ｔ０が短くなり、逆により小さなＥＶ値である場合、すなわち被写体環境がより暗い場合は、時間Ｔ０が長くなる。したがって、飽和出力値よりもやや小さな値であるＫ２に目標レベルを定め、この目標レベルに到達するまでの時間Ｔ１を計測すれば、被写体環境の明るさとしてのＥＶ値を検出することができる。
【００２９】
同じ明るさの被写体像を受光した場合、増幅率であるゲインを２倍にすれば、ゲインを１倍にしたときに比べておよそ半分の電荷蓄積時間で目標レベルに到達する。図３においては、２Ｔ２≒Ｔ１の関係が成り立つ。同様に、ゲインを４倍にすれば、ゲインを１倍にしたときに比べておよそ１／４の電荷蓄積時間で目標レベルに到達する。図３においては、４Ｔ４≒Ｔ１の関係が成り立つ。
【００３０】
したがって、半分の強度の被写体像を受光する場合にゲインを２倍にすれば、電荷蓄積時間はＴ１となる。同様に、１／４の強度の被写体像を受光する場合にゲインを４倍にすれば、電荷蓄積時間はやはりＴ１となる。したがって、被写体環境が暗い場合には、ゲインを大きくすることにより、電荷蓄積時間を短くすることができる。換言すれば、ある程度の電荷蓄積時間が確保できるのであれば、大きなゲインを採用することにより、被写体環境としては暗い、すなわち小さなＥＶまで検出することができる。ただし、ゲインを大きくし過ぎるとＳＮ比が悪くなるので、例えば事前の実験等により採用できるゲインの上限を定めておくことが肝要である。本実施例においては、最大ゲインを４倍とする。
【００３１】
図４は、検出されるＥＶ値と電荷蓄積時間の関係を示す図である。横軸はＥＶ値を表し、縦軸は電荷蓄積時間を表す。ここでは、測光素子３９の検出能力の例としてＥＶ０から２０である場合について説明する。
【００３２】
被写体環境が比較的明るいＡの領域においては、測光素子３９の出力が目標レベルとなるように電荷蓄積時間とゲインを調整しながら電荷蓄積を実行する。図において被写体輝度の高い側（明るい側）から低い側（暗い側）へ実線を辿ると、まず、ゲインが１倍に設定された状態であって、電荷蓄積時間として最小蓄積時間であるＴｍｉｎとＥＶ２０が対応することがわかる。そして、ゲイン１倍のラインに沿って進むと、目標レベルに到達する電荷蓄積時間が長くなるに従い、対応するＥＶ値が小さくなることがわかる。
【００３３】
ゲインが１倍に設定されている状態においてゲイン切替上限時間Ｔｇｕに到達したら、次の測光時にはゲインが２倍に切り替えられる。このとき、電荷蓄積時間は約半分になる。そして、今度はゲイン２倍のラインに沿って進むと、やはり目標レベルに到達する電荷蓄積時間が長くなるに従い、対応するＥＶ値が小さくなることがわかる。再びゲイン切替上限時間Ｔｇｕに到達したら、次の測光時にはゲインが４倍に切り替えられる。このとき、やはり電荷蓄積時間は約半分になる。同様に、今度はゲイン４倍のラインに沿って進むと、最大電荷蓄積時間Ｔｍａｘまでは、やはり目標レベルに到達する電荷蓄積時間が長くなるに従い、対応するＥＶ値が小さくなることがわかる。
【００３４】
最大電荷蓄積時間Ｔｍａｘは、カメラシステム制御部５１が電荷蓄積時間として割り当て可能な上限時間を表す。一眼レフカメラ１０が連写撮影を実行する場合、測光素子３９の測光受光時間である電荷蓄積時間を長く設定すると、その分だけ単位時間当たりの撮影枚数である駒速が低下する。しかも、測光サイクルが長くなり、被写体の輝度変化に対する追従性も低下する。さらに、電荷蓄積時間を長くし過ぎると出力信号のＳＮ比も悪化する。そこで、駒速および測光サイクルの確保、出力信号の信頼性の観点から、電荷蓄積時間の上限時間として最大電荷蓄積時間Ｔｍａｘが予め設定されている。
【００３５】
被写体環境が比較的暗いＢの領域において、ゲイン４倍のラインがやがてＴｍａｘに到達し、その後の電荷蓄積時間はＴｍａｘで頭打ちとなる。電荷蓄積時間がＴｍａｘで一定に制限される場合は、カメラシステム制御部５１は、この一定時間の間に蓄積された電荷量、すなわちこれに対応するＡＤ変換値からＥＶ値を算出する。
【００３６】
なお、図４において一転鎖線で示すラインは、被写体輝度の低い側から高い側へ変化する場合の電荷蓄積時間とＥＶ値の関係を示す。ゲインが４倍に設定されている状態においてゲイン切替下限時間Ｔｇｌに到達したら、ゲインが２倍に切り替えられる。このとき、電荷蓄積時間は約２倍になる。そしてゲインが２倍に設定されている状態において再びゲイン切替下限時間Ｔｇｌに到達したら、ゲインが１倍に切り替えられる。このときも、電荷蓄積時間は約２倍になる。このように、被写体輝度の高い側から低い側へ変化する場合と、低い側から高い側へ変化する場合でヒステリシスを持たせることにより、ゲイン切替のばたつきを回避している。
【００３７】
図４で示す実線において、Ｔｍａｘで制限されない斜線部分は、目標レベルに到達するまでの電荷蓄積時間を表し、Ｔｍａｘで制限される水平部分は、対応するＥＶ値を精度よく検出する場合に必要な電荷蓄積時間を表している。つまり、図４で示す実線は、ＥＶ値を算出する場合の理想的な電荷蓄積時間を表す。光電変換素子のリセットタイミング等による誤差を無視して電荷蓄積時間と測光素子３９が被写体像を受光する測光受光時間とが等しいとするなら、図４の実線で表される電荷蓄積時間は目標受光時間であると捉えることができる。
【００３８】
上述の通り、最大電荷蓄積時間Ｔｍａｘは、駒速確保等の観点から電荷蓄積時間の上限時間として設定されているが、実際の連写撮影においては、より高速な撮影シーケンスが実行される場合がある。したがって、撮像素子４８が連続的に画像信号を出力するときに、カメラシステム制御部５１が撮像受光動作の間に割り当てる測光受光時間は、Ｔｍａｘよりも短くなることがある。つまり、カメラシステム制御部５１は、駒間の測光受光時間としてＴｍａｘの時間を割くことができない場合がある。その場合には、目標受光時間よりも短い測光受光時間で電荷蓄積された出力信号からＥＶ値を算出しなければならない。しかし、測光受光時間があまりにも短いと蓄積される電荷が少なく、算出結果が安定しない。つまり、算出されたＥＶ値の信頼性が低く、露出値の演算に用いることができない。そこで、本実施形態においては、算出されたＥＶ値が正しいと判断され得る測光受光時間として、許容受光時間を導入する。
【００３９】
図５は、測光受光時間と算出されるＥＶ値の関係を示す図である。特に、図４のＢの領域に対応する領域を示す。横軸に測光受光時間を対数目盛りで表し、縦軸に算出されたＥＶ値を表す。この図は、各ＥＶ値に相当する輝度に調整された被写体環境を、測光受光時間を変化させつつ実際に測光素子３９で測光した実験結果を模式的に示す。
【００４０】
各ラインは、下から順にＥＶ０、ＥＶ１、…ＥＶ９の実験結果を表す。いずれのラインも測光受光時間が短い領域で曲線となり、長い領域で水平な直線となる。しかも、曲線部と水平直線部の接続点は、ＥＶ値が大きいラインほど、測光受光時間に対してより短い時点に現れる。そして、各ラインの水平直線部は、縦軸の算出されたＥＶ値を参照すると、実際に調整した被写体環境の輝度に対応するＥＶ値と良く一致する。例えば、ＥＶ６に相当する輝度に調整された被写体環境に対して得られたラインの水平直線部は、算出結果としてもＥＶ６を示している。しかし、曲線部では、実際に調整した被写体環境の輝度に対して、算出されるＥＶ値が大きな値を示している。すなわち、測光受光時間が短いと、算出されるＥＶ値は実際の被写体環境の輝度に対するＥＶ値よりも大きな値となる。
【００４１】
つまり、算出されるＥＶ値と実際の被写体環境の輝度に対するＥＶ値が一致するのは、各ラインの接続点に対応する測光受光時間よりも長時間側の領域であると言える。換言すれば、算出されたＥＶ値が正しいと判断されるのは、測光受光時間が、各ラインの接続点付近を結んで規定される許容受光時間よりも長時間の領域に存在する場合である。
【００４２】
したがって、図４を用いて説明した目標受光時間（図５においてはＴｍａｘが１００ｍｓｅｃに相当する）のラインと許容受光時間のラインで挟まれる、図５の網掛け領域に測光受光時間が存在するのであれば、算出されたＥＶ値は正確であると判断できる。逆に、この領域以外の領域に測光受光時間が存在するのであれば、算出されたＥＶ値は信用できないと判断できる。この意味において図５の網掛け領域は、測光可能領域と定義できる。
【００４３】
カメラシステム制御部５１は、割り当てた測光受光時間で測光素子３９が測光した出力信号を受け取り、ＥＶ値を算出する。そして、割り当てた測光受光時間と算出したＥＶ値を図５のグラフに当てはめ、適応するラインを選択する。この選択されたラインは、特定のＥＶ値に対する実験結果であるので、上述のように、曲線部と水平直線部との接続点付近に許容受光時間が規定されている。カメラシステム制御部５１は、割り当てた測光受光時間が許容受光時間よりも右側の水平直線部である測光可能領域に属するか否かを判断する。測光可能領域に属すると判断すれば、その算出したＥＶ値は正確な値として採用し、属しないと判断すれば、信頼できない値として破棄する。別言すれば、カメラシステム制御部５１は、算出したＥＶ値と選択したラインのＥＶ値とが一致していれば正確な値として採用し、一致していなければ信頼できない値として破棄する。ただし、後述するように、ここで選択されたラインから定められる許容受光時間と目標受光時間は、次回の測光動作における測光受光時間の決定時に参照される。
【００４４】
図５では、ＥＶ値で１刻みの実験結果を示すラインを描いているが、もちろんより細かく実験データを取得しても良い。そして、このように実験あるいはシミュレーションなどによって取得されたデータから、各ＥＶ値に対する測光可能領域を示すルックアップテーブルを作成し、カメラメモリ５７に記憶させておく。カメラシステム制御部５１は、連写時など割り当てた測光時間が短い場合等において、このルックアップテーブルを参照して、算出したＥＶ値を採用するか否かを判断する。
【００４５】
上述のように、連写時においては特に測光受光時間が短くなる。その短くなった測光受光時間であっても被写体が明るければ、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９の出力から正確なＥＶ値を算出することができる。一方、被写体が暗ければ正確なＥＶ値を算出できない。そこで、カメラシステム制御部５１は、正確なＥＶ値が算出できた場合には、連写中であっても各駒間で当該ＥＶ値から露出値を演算し、その露出値に従って次の駒の撮像制御に反映させる。つまり測光追従を実行する。正確なＥＶ値が算出できなかった場合には、当該ＥＶ値を破棄して、前駒で適用された露出値を次の駒の撮影制御にも適用する。つまりＡＥロックを実行する。ＡＥロックでは、事前に算出された、例えば先頭駒の撮像動作に先立って算出された正確なＥＶ値を用いて演算された露出値が、継続して適用される。
【００４６】
上述のように、測光受光時間が測光可能領域に存在するか否かにより、測光追従するかＡＥロックするかを決定しても良いが、測光受光時間／目標受光時間で定義される測光充足条件に則してルックアップテーブルを生成することもできる。図６は、この観点において生成されたルックアップテーブルを図示したものである。より具体的には、図６は、ＥＶ値と測光充足条件によって区分されるＡＥロック領域と測光追従領域を示す。横軸に算出されたＥＶ値を表し、縦軸に測光充足条件を表す。
【００４７】
図６における測光追従領域とＡＥロック領域の境界線は、図５の測光可能領域から導出される。図５において、ＥＶ８よりも大きな輝度の領域では、許容受光時間と目標受光時間が平行線で表されるので、図６におけるＲＬはこの一定の比率によって定められる。ＥＶ８未満の領域では、目標受光時間が一定（＝Ｔｍａｘ）であるのに対し、許容受光時間はＥＶ値が小さくなるに従って一定の割合で増加する。したがって、図６のこの領域における境界線は、ＥＶ値が小さくなるにしたがって測光充足条件が増加する関係を示す。さらに、ＥＶ１未満の領域では、許容受光時間と目標受光時間が平行線で表されるので、図６におけるＲＵもこの一定の比率によって定められる。このように、測光追従領域とＡＥロック領域の境界線を、測光充足条件により区分しておけば、ルックアップテーブルとしての管理が容易となる。
【００４８】
以上のような本実施形態に係る一眼レフカメラ１０において連写撮影を実行する場合、カメラシステム制御部５１は、撮像素子４８による撮像受光動作の間に割り当てられる、測光素子３９が被写体像を受光する時間である測光受光時間を漸増させる。以下に具体的に説明する。
【００４９】
従来の一眼レフカメラにおいて連写撮影を行う場合、システム制御部は、撮像素子による撮像受光動作の合間にメインミラーを斜設状態にして被写体光束を測光素子へ導き、測光素子に十分な電荷蓄積時間を与えて測光を行っていた。このように制御すれば、連写撮影中に発生する被写体環境の明るさの変化に追従でき、より適切な露出値をもって一枚一枚の撮像受光動作を実行することができる。しかし、例えば、被写体が日なたから日陰へ移動した場合など、被写体環境の明るさが急激に暗くなると、測光素子が必要とする電荷蓄積時間が急激に増大する。この場合、明るさの変化の前後において駒速が急激に低下することになる。つまり、連写撮影の測光制御において明るさの変化への追従を重視しすぎると、ユーザは、駒速の急激な低下に違和感を覚える。
【００５０】
あるいは、従来の一眼レフカメラにおいて連写撮影を行う場合、システム制御部は、１枚目の撮影に用いた露出値を固定して、後の連続する撮像受光動作に適用するＡＥロックを行っていた。この場合は、駒速が優先されるので、急激な駒速低下は発生しないが、連写撮影中に発生する被写体環境の明るさの変化には追従できない。したがって、被写体環境が暗くなった後に撮影された画像データは、すべてアンダーとなる場合があった。
【００５１】
そこで、本実施形態においては、カメラシステム制御部５１は、駒速の連続性と、明るさの変化に対する追従性のバランスを考慮して、以下に説明するように測光素子３９に割り当てる測光受光時間を、連写撮影中に漸増させる。図７は、メインミラー３１、測光素子３９および撮像素子４８の動作遷移を示すタイミングチャートである。図において、横軸は、時間の経過を表す。図の例は、特徴的な変化を示すべく、連写撮影動作開始後のｎ枚目から連続する３枚の撮影動作についての遷移を表している。
【００５２】
図において、縦軸方向には、上から順にメインミラー３１の状態、測光素子３９の電荷蓄積状態および撮像素子４８の電荷蓄積状態を整列させている。メインミラー３１は、上述のように、ＵＰ状態である待避状態と、ＤＯＷＮ状態である斜設状態を取る。カメラシステム制御部５１がレリーズ制御信号をカメラ駆動部６０へ送出すると、カメラ駆動部６０は、メインミラー３１をＤＯＷＮ状態からＵＰ状態へ駆動し始める。このとき、サブミラー４１も、メインミラー３１の変位に連動してＵＰ状態へ変位する。メインミラー３１とサブミラー４１を含むミラー部は、カメラ駆動部６０により高速に変位されるので、ＵＰ状態に到達しても、静止するまでの間にバウンスが減衰する時間を要する。
【００５３】
そして、後述するように撮像素子４８の電荷蓄積が完了したら、カメラシステム制御部５１は、カメラ駆動部６０へミラー部をＤＯＷＮ状態へ駆動させる制御信号を送出する。ミラー部は、カメラ駆動部６０に駆動されて、ＵＰ状態からＤＯＷＮ状態へ変位する。この場合も、ミラー部がＤＯＷＮ状態で静止するまでに、ミラー部のバウンスが減衰する時間を要する。ミラー部は、連続撮影が行われている間は、このようにして、ＵＰ状態とＤＯＷＮ状態を繰り返す。
【００５４】
測光素子３９は、ピント板３５に結像した被写体像を受光する。したがって、測光素子３９が被写体光束を受光して電荷を蓄積できる期間は、メインミラー３１がピント板３５へ被写体光束を安定的に導く、ＤＯＷＮＮ状態の静止期間である。カメラシステム制御部５１は、この期間の長さを調整する制御を行う。
【００５５】
図７の中段で示すように、測光素子３９は、メインミラー３１のＤＯＷＮ状態の静止期間に電荷蓄積を実行するように、カメラシステム制御部５１によって制御される。この実際に被写体光束を受光して電荷蓄積を行える期間を、測光受光時間とする。なお、カメラシステム制御部５１は、ミラー部の静止時点を、他のセンサにより検出しても良いし、カメラ駆動部６０がＤＯＷＮ状態へ駆動し始めてからバウンスが減衰するまでの時間を予め計測しておくことにより予測しても良い。
【００５６】
カメラシステム制御部５１は、一旦開始した連続撮影の駒速の連続性を考慮して、測光受光時間を急激には変化させない。したがって、被写体環境が連写撮影中に暗くなって、目標受光時間が延びたとしても、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間として目標受光時間を直ちには割り当てない。具体的には、カメラシステム制御部５１は、明るい被写体環境下において測光動作が正しく実行できていた前回の測光受光時間をそのまま割り当てる。そして、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９が当該測光受光時間で測光した出力信号を受け取り、ＥＶ値を算出する。この場合、実際には被写体環境が暗くなっているので、図５を用いて説明したように、割り当てられた測光受光時間は、選択されたラインによって定められる許容受光時間に到達せず、算出されたＥＶ値は破棄される。この場合、カメラシステム制御部５１は、被写体環境の正確なＥＶ値を算出できないので、連続する撮像受光動作に対しては、前回（ｎ−１枚目）の撮像受光動作で用いた露出値をそのまま用いる。つまり、カメラシステム制御部５１は、ＡＥロックにより撮像受光動作を実行する。なお、カメラシステム制御部５１は、次回（ｎ＋１枚目）の撮像受光動作に備えて、今回の測光受光時間と選択されたラインによって定められる目標受光時間とを記憶しておく。
【００５７】
カメラシステム制御部５１は、ｎ枚目の撮像受光動作として、ｎ−１枚目の撮像受光動作で適用した絞り値でレンズユニット２０の絞りを駆動し、シャッタ速度でフォーカルプレーンシャッタ４７を駆動し、ＩＳＯ感度で撮像素子４８の出力信号を増幅する。図７の下段で示すように、撮像素子４８は、ミラー部のＵＰ状態の静止期間において電荷蓄積状態となる。カメラシステム制御部５１は、この期間内にフォーカルプレーンシャッタ４７の先幕と後幕を走行させて、被写体光束が撮像素子４８へ到達する期間（シャッタ速度）を調整する。
【００５８】
電荷蓄積時間として許容受光時間を確保できれば、測光素子３９が正確な輝度分布を出力することができるのは上述の通りである。本実施形態においては、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間を漸増させていき、測光受光時間が許容受光時間を超えたら、ＡＥロックを解除して、新たな露出値を算出する。
【００５９】
カメラシステム制御部５１は、記憶しておいたｎ枚目の測光受光時間と目標受光時間とを用いて延長時間を算出し、これを参照してｎ＋１枚目の測光受光時間を定める。具体的には、ｎ枚目の測光受光時間に、ｎ枚目における目標受光時間と測光受光時間との差分である不足時間に予め定められた割合をかけた延長時間を加算して、ｎ＋１枚目の測光受光時間を定める。図７の中段に示すように、ｎ＋１枚目の測光受光時間は、延長時間が加算された分だけｎ枚目の測光受光時間よりは長い。カメラシステム制御部５１は、ｎ枚目の処理と同様に、測光素子３９が当該測光受光時間で測光した出力信号を受け取り、ＥＶ値を算出する。そして、当該測光受光時間と算出したＥＶ値とから図５におけるラインを選択し、ｎ＋１枚目における許容受光時間を定める。図の例では、ｎ＋１枚目においても、測光受光時間は、新たに定められた許容受光時間を下回っている。したがって、カメラシステム制御部５１は、正確なＥＶ値を算出できないので、連続する撮像受光動作に対しては、前回（ｎ枚目）の撮像受光動作で用いた露出値をそのまま用いる。つまり、カメラシステム制御部５１は、ｎ枚目の撮像受光動作と同様に、ＡＥロックにより撮像受光動作を実行する。
【００６０】
カメラシステム制御部５１は、続くｎ＋２枚目における測光受光時間も同様に漸増させる。すなわち、ｎ＋１枚目の測光受光時間に、ｎ＋１枚目における目標受光時間と測光受光時間との差である不足時間に予め定められた割合をかけた延長時間を加算して、ｎ＋２枚目の測光受光時間を定める。図の例では、ｎ＋２枚目の測光受光時間は、延長時間が加算された分だけｎ＋１枚目の測光受光時間より長くなり、その結果、ｎ＋２枚目に対して定められた許容受光時間を上回っている。そこで、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９の出力からＥＶ値を算出し、選択されている撮影モードに従って露出値を決定する、ＡＥ演算を実行する。そして、カメラシステム制御部５１は、連続する撮像受光動作に対して、ＡＥ演算により決定された露出値を適用する。なお、更に連続してｎ＋３枚目、ｎ＋４枚目…と連写撮影が継続される場合も、カメラシステム制御部５１は、前回の不足時間に予め定められた割合をかけた延長時間を前回の測光受光時間に加算して、今回の測光受光時間を定める。この場合、測光受光時間は、目標受光時間に到達するまで漸増され、目標受光時間を超えた場合は、それ以上延長されない。なお、測光受光時間を漸増させた結果、測光受光時間が許容受光時間を超えた場合は、目標受光時間に到達していなくても、それ以上延長しないように構成しても良い。
【００６１】
次に、一連の処理の流れについて説明する。図８は、連写時における主に測光動作の処理を示すフロー図である。フローは、一眼レフカメラ１０の電源がオンにされ、ユーザから撮影準備の指示を受け付けられる状態になった時点から開始する。
【００６２】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０１で、操作入力部６１の一つであるレリーズボタンがユーザによって半押しされた場合にオンとなる、ＳＷ１がオンとなったか否かを検出する。カメラシステム制御部５１は、オンを検出したら、ステップＳ１０２へ進み、撮影準備動作を開始する。
【００６３】
ステップＳ１０２において、カメラシステム制御部５１は、目標受光時間を測光受光時間として、測光素子３９の電荷蓄積を実行する。そして、カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０３で、測光演算を行って被写体の輝度情報としてのＥＶ値を算出し、このＥＶ値と設定された撮影モード等により、露出値を算出する。なお、カメラシステム制御部５１は、撮影準備段階における電荷蓄積動作を、一回に限らず、数回行っても良い。
【００６４】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０４で、予め設定されたタイマー時間が経過するまで、撮影指示であるＳＷ２がオンにされるのを待つ。ＳＷ２は、レリーズボタンがユーザによって全押しされた場合にオンとなる。
【００６５】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０４でＳＷ２がオンにされたと判断したら、ステップＳ１０５へ進み、撮影動作を開始する。具体的には、カメラシステム制御部５１は、カメラ駆動部６０を介してミラー部をＵＰ状態へ移行させ、撮像素子４８を電荷蓄積状態にする。並行して、レンズシステム制御部２３を介して、ステップＳ１０３で算出した絞り値に従ってレンズユニット２０の絞りを駆動する。さらに、カメラシステム制御部５１は、カメラ駆動部６０を介して、ステップＳ１０３で算出したシャッタ速度に従ってフォーカルプレーンシャッタ４７を走行させる。カメラシステム制御部５１は、被写体像が光電変換された画像信号を、ステップＳ１０３で算出したＩＳＯ感度に従って撮像素子４８から読み出し、ＡＤ変換を行った後にワークメモリ５８へ送出する。
【００６６】
カメラシステム制御部５１は、ワークメモリ５８で一旦保管された画像データを順次画像処理部５５へ転送して、画像処理を開始させる。画像処理部５５は、指定された画像フォーマットにしたがって、画像処理、ファイル化処理等を施し、生成した画像ファイルを外部メモリへ送出する。
【００６７】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０５で撮影動作を完了したら、連続して次の撮影動作へ移行することができる。カメラシステム制御部５１は、１枚目の撮影動作が完了したら、ステップＳ１０６で、オフにされたか否かを判断する。ＳＷ２がオフにされていると判断したら、撮影指示が終了したと判断する。ＳＷ２がオンのままであると判断したら、ユーザがレリーズボタンを継続して全押ししていることを意味するので、カメラシステム制御部５１は、ユーザが連写撮影を指示していると判断する。
【００６８】
カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０６でＳＷ２が継続してオン状態であると判断したらステップＳ１０７へ進み、測光受光時間Ｔｇを割り当て、測光素子３９に電荷蓄積を実行させる。そして、ステップＳ１０８で、カメラシステム制御部５１は、図５を用いて説明したように、測光素子３９の出力から一旦ＥＶ値を算出し、測光受光時間Ｔｇが、算出したＥＶ値に基づいて定められる許容受光時間Ｔｐを下回っているか否かを判断する。測光受光時間Ｔｇが許容受光時間Ｔｐ以上であれば、ステップＳ１０９へ進み、カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１０７による測光素子３９の電荷蓄積結果から算出したＥＶ値を用いて、ステップＳ１０３と同様に、測光演算および露出値算出を行う。ただし、連写撮影継続中においては、駒速を高速に維持する要請から、割り当てられる測光受光時間Ｔｇは必要十分の短時間に限られるので、測光素子３９によって実行される電荷蓄積は複数回では無く、原則的には１回である。カメラシステム制御部５１は、算出した露出値を、ステップＳ１１０で実行する撮影動作に適用する露出値として設定する。
【００６９】
ステップＳ１０８で、測光受光時間Ｔｇが許容受光時間Ｔｐを下回っていると判断した場合は、カメラシステム制御部５１は、測光素子３９の電荷蓄積結果を反映させない。すなわち、ステップＳ１１０で実行する撮影動作に適用する露出値として、前回の露出値をそのまま設定する。例えば、２枚目の撮影動作の準備段階であれば、ステップＳ１０３で算出した露出値を設定する。
【００７０】
ステップＳ１１０では、カメラシステム制御部５１は、設定された露出値に従って、ステップＳ１０５と同様に、撮影動作を実行する。さらには、画像処理部５５に画像処理を実行させる。そして、カメラシステム制御部５１は、ステップＳ１１１へ進み、図７を用いて説明したように延長時間を算出し、測光受光時間Ｔｇに当該延長時間を加算することにより、測光受光時間Ｔｇを更新する。測光受光時間Ｔｇを更新したら再びステップＳ１０６へ戻る。ステップＳ１０６でＳＷ２のオンが継続されていれば、連写撮影が継続される。このとき、ステップＳ１０７では、更新された測光受光時間Ｔｇが割り当てられる。
【００７１】
ステップＳ１０１でＳＷ１がオンにされなかった場合、ステップＳ１０４でＳＷ２がオンにされなかった場合、ステップＳ１０６でＳＷ２がオフにされた場合には、ステップＳ１１２へ進み、カメラシステム制御部５１は、電源がオフにされたか否かを判断する。電源がオフにされていないと判断した場合には、ステップＳ１０１へ戻る。オフにされたと判断した場合には、一連の処理を終了する。
【００７２】
また、上記の処理においては、ステップＳ１０８で、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間Ｔｇが許容受光時間Ｔｐを下回っていると判断した場合は、測光演算および露出値算出を行わない。しかし、測光演算自体さらには露出値の算出自体は一律に行い、その結果を使わないとすることもできる。
【００７３】
以上の実施形態においては、被写体環境が暗くなる場合を想定して、測光受光時間Ｔｇを漸増させる場合の処理について説明した。しかし、被写体環境が連写撮影中に暗くなる場合があるのと同様に、明るくなる場合もある。明るくなる場合には、それまで漸増させた測光受光時間Ｔｇに対して、目標受光時間が突然短くなることが想定される。この場合、明るさの変化に対する追従性が犠牲になることはないが、駒速の連続性の観点においては突然高速になることがあり、ユーザが覚える違和感と共に、予想外にメモリを消費してしまうという問題がある。そこで、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間Ｔｇから、目標受光時間Ｔｔとの差である余剰時間に、予め定められる短縮割合を掛けた短縮時間を減算して、測光受光時間Ｔｇを漸減させる。このような処理を実行すれば、駒速が徐々に速くなるので、ユーザの違和感が緩和されると共に、急激なメモリ消費を防ぐことができる。測光受光時間Ｔｇを漸減させた結果、目標受光時間Ｔｔを下回った場合には、カメラシステム制御部５１は、測光受光時間Ｔｇをそれ以上短縮させない。また、短縮させ過ぎた場合には、目標受光時間Ｔｔあるいは許容受光時間Ｔｐに到達するまで、漸増させるように構成しても良い。
【００７４】
以上の実施形態においては、測光素子３９がステップＳ１０７で被写体像を受光して出力した、つまり割り当てられた測光受光時間で受光して出力した測光信号からＥＶ値を算出し、そのＥＶ値に対応する許容時間を決定した。しかし、一眼レフカメラ１０に周辺環境の輝度を検出するセンサを設けて、当該センサの出力からＥＶ値を算出しても良い。測光受光時間が非常に短い場合には、その蓄積電荷からＥＶ値を算出すると実際のＥＶ値とはかけ離れる場合があるので、他のセンサを補助的に用いることにより、許容受光時間が正確に決定されることが期待できる。
【００７５】
なお、以上の実施形態においては、最大の増幅率として４倍を採用した。もちろん、ＳＮ比との兼ね合いにより、これより高い増幅率を採用することもできる。その場合、測光信号が予め定められた最大の増幅率により出力されている場合に、上記実施形態の通り、許容受光時間に基づいて撮像受光動作を実行する。このとき、測光信号が最大の増幅率よりも小さな増幅率で出力されている場合に測光受光時間が不足すれば、増幅率を大きくして測光追従すれば良い。
【００７６】
したがって、許容受光時間に基づいて撮像受光動作を実行するのは、被写体の明るさが予め定められた明るさよりも暗い場合である。別言すれば、測光受光時間が、被写体の明るさおよび撮像素子が画像信号を出力する撮像周期の少なくともいずれかに基づいて決定される目標受光時間未満である場合に、許容受光時間に基づいて撮像受光動作が実行される。
【００７７】
以上の実施形態においては、被写体環境の明るさを輝度として一律にＥＶ値に対応させて説明した。Ａｐｅｘ演算においては、ＥＶ値は露出値であり、絞り値に対応する開口値（ＡＶ値）とシャッタ速度に対応する露光時間（ＴＶ値）の和で表される制御値である。測光素子３９が直接的に算出するのは輝度値（ＢＶ値）であり、この輝度値にＩＳＯ感度に対応する感度値（ＳＶ値）を加えた値が光値（ＬＶ値）となる。ＥＶ値とＬＶ値が等しくなるように露出演算をした場合に適正露出となる。つまり、以上の実施形態においては、適正露出を前提に説明した。したがって、測光素子３９の出力から算出される値としてＢＶ値を適用し、ＬＶ値を基準として図５に対応するルックアップテーブルを生成しても良い。もちろん、適正露出を前提としないのであれば、適正露出との差分によりＥＶ値とＬＶ値の間で調整を行えば良い。
【００７８】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００７９】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００８０】
１０ 一眼レフカメラ、１１ 光軸、２０ レンズユニット、２１ レンズ群、２２ レンズマウント、２３ レンズシステム制御部、２４ レンズメモリ、３０ カメラユニット、３１ メインミラー、３２ メインミラー保持枠、３３ メインミラー回転軸、３４ メインミラー偏心ピン、３５ ピント板、３６ ペンタプリズム、３７ 接眼光学系、３８ 測光光学系、３９ 測光素子、４０ ファインダ表示部、４１ サブミラー、４２ サブミラー保持枠、４３ サブミラー回転軸、４４ サブミラー偏心ピン、４５ ＡＦ光学系、４６ ＡＦセンサ、４７ フォーカルプレーンシャッタ、４８ 撮像素子、４９ メイン基板、５１ カメラシステム制御部、５２ 背面表示部、５３ 二次電池、５４ カメラマウント、５５ 画像処理部、５６ 外部接続ＩＦ、５７ カメラメモリ、５８ ワークメモリ、５９ 表示制御部、６０ カメラ駆動部、６１ 操作入力部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、
前記被写体像を受光して測光信号を出力する測光素子と、
前記測光信号に基づいて被写体の明るさを算出する算出部と、
前記撮像素子が連続的に前記画像信号を出力する場合に、前記撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられた、前記測光素子が前記被写体像を受光する時間である測光受光時間が、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間未満であるときは、前記算出部により事前に算出された前記被写体の明るさを適用して前記撮像受光動作を実行する制御部と
を備える撮像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記測光受光時間が前記許容受光時間以上であるときは、前記測光素子が前記被写体像を前記測光受光時間の間受光して出力した前記測光信号に基づいて前記算出部が算出した前記被写体の明るさを適用して前記撮像受光動作を実行する請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記測光素子が前記被写体像を前記測光受光時間の間受光して出力した前記測光信号に基づいて前記算出部が算出した前記被写体の明るさから前記許容時間を決定する請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記測光信号が予め定められた最大の増幅率により出力されている場合に、前記許容受光時間に基づいて前記撮像受光動作を実行する請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記被写体の明るさが予め定められた明るさよりも暗い場合に、前記許容受光時間に基づいて前記撮像受光動作を実行する請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記測光受光時間が、前記被写体の明るさおよび前記撮像素子が前記画像信号を出力する撮像周期の少なくともいずれかに基づいて決定される、前記測光素子が前記被写体像を受光すべき目標受光時間未満である場合に、前記許容受光時間に基づいて前記撮像受光動作を実行する請求項１から５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、前記被写体像を受光して測光信号を出力する測光素子とを備える撮像装置の制御プログラムであって、
前記撮像素子が前記画像信号を連続的に出力する場合に、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間を参照する参照ステップと、
前記参照ステップによる参照の結果、前記撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられる、前記測光素子が前記被写体像を受光する時間である測光受光時間が、前記許容時間未満である場合に、事前に算出された前記被写体の明るさを適用して前記撮像受光動作を実行する撮像ステップと
をコンピュータに実行させる撮像装置の制御プログラム。
【請求項１】
被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、
前記被写体像を受光して測光信号を出力する測光素子と、
前記測光信号に基づいて被写体の明るさを算出する算出部と、
前記撮像素子が連続的に前記画像信号を出力する場合に、前記撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられた、前記測光素子が前記被写体像を受光する時間である測光受光時間が、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間未満であるときは、前記算出部により事前に算出された前記被写体の明るさを適用して前記撮像受光動作を実行する制御部と
を備える撮像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記測光受光時間が前記許容受光時間以上であるときは、前記測光素子が前記被写体像を前記測光受光時間の間受光して出力した前記測光信号に基づいて前記算出部が算出した前記被写体の明るさを適用して前記撮像受光動作を実行する請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記測光素子が前記被写体像を前記測光受光時間の間受光して出力した前記測光信号に基づいて前記算出部が算出した前記被写体の明るさから前記許容時間を決定する請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記測光信号が予め定められた最大の増幅率により出力されている場合に、前記許容受光時間に基づいて前記撮像受光動作を実行する請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記被写体の明るさが予め定められた明るさよりも暗い場合に、前記許容受光時間に基づいて前記撮像受光動作を実行する請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記測光受光時間が、前記被写体の明るさおよび前記撮像素子が前記画像信号を出力する撮像周期の少なくともいずれかに基づいて決定される、前記測光素子が前記被写体像を受光すべき目標受光時間未満である場合に、前記許容受光時間に基づいて前記撮像受光動作を実行する請求項１から５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体像を受光して画像信号を出力する撮像素子と、前記被写体像を受光して測光信号を出力する測光素子とを備える撮像装置の制御プログラムであって、
前記撮像素子が前記画像信号を連続的に出力する場合に、被写体環境の明るさに対応して予め設定された許容受光時間を参照する参照ステップと、
前記参照ステップによる参照の結果、前記撮像素子による撮像受光動作の間に割り当てられる、前記測光素子が前記被写体像を受光する時間である測光受光時間が、前記許容時間未満である場合に、事前に算出された前記被写体の明るさを適用して前記撮像受光動作を実行する撮像ステップと
をコンピュータに実行させる撮像装置の制御プログラム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１３−８８７５９（Ｐ２０１３−８８７５９Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３１６６６（Ｐ２０１１−２３１６６６）
【出願日】平成２３年１０月２１日（２０１１．１０．２１）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月２１日（２０１１．１０．２１）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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