放射線画像撮影装置
【課題】フレキシブル回路基板上にＩＣを設けて配線を引き回す場合に、画像データに対するノイズの影響を低減することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、放射線検出素子７が二次元状に配列されたセンサ基板４上の配線と、少なくとも放射線検出素子７から読み出された画像データを記憶する記憶手段２３が設けられたＰＣＢ基板３３上の配線とを接続するフレキシブル回路基板１２を備え、フレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上には、少なくとも画像データの読み出し処理に用いられるＩＣチップ１２ａが実装されており、ＩＣチップ１２ａに電力を供給する配線１２ｂと、上記電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップ１２ａに供給する配線１２ｃとの間を接続するコンデンサ１２ｄが、当該ＩＣチップ１２ａが実装されているフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に設けられている。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、放射線検出素子７が二次元状に配列されたセンサ基板４上の配線と、少なくとも放射線検出素子７から読み出された画像データを記憶する記憶手段２３が設けられたＰＣＢ基板３３上の配線とを接続するフレキシブル回路基板１２を備え、フレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上には、少なくとも画像データの読み出し処理に用いられるＩＣチップ１２ａが実装されており、ＩＣチップ１２ａに電力を供給する配線１２ｂと、上記電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップ１２ａに供給する配線１２ｃとの間を接続するコンデンサ１２ｄが、当該ＩＣチップ１２ａが実装されているフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られてお
り、従来は支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機として構成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
ところで、これらの放射線画像撮影装置では、後述する図４の平面図や図７等の等価回路図に示すように、ガラス基板等のセンサ基板４上に複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設され、走査線５や信号線６で区画されたセンサ基板４上の各領域ｒに放射線検出素子７がそれぞれ設けられ、放射線や、シンチレータで放射線から変換された電磁波の照射により各放射線検出素子７内に蓄積された電荷を信号線６を介して取り出すことで、各放射線検出素子７の電気信号を画像データとして読み出すようになっている。
【０００５】
しかし、放射線画像撮影装置の制御手段２２や記憶手段２３、バッテリ２４等を、走査線５や信号線６、放射線検出素子７等が形成されたセンサ基板４の表面４ａ（後述する図４参照）と同じ面上に形成すると、放射線画像撮影装置のセンサ基板４が大型化してしまう。そのため、例えば、特許文献４に記載されているように、センサ基板４の表面４ａ上に走査線５や信号線６、放射線検出素子７等を設け、センサ基板４の端部部分で走査線５や信号線６等にフレキシブル回路基板の一端を接続する。
【０００６】
そして、フレキシブル回路基板の他端に、制御手段２２や記憶手段２３等が設けられたプリント基板（プリント回路板等ともいう。以下、ＰＣＢ基板という。）を接続し、ＰＣＢ基板をセンサ基板４の例えば裏面側に配置するように構成される。このように構成することで、放射線画像撮影装置のセンサ基板４を含むセンサパネルＳＰ（後述する図３等参照）のコンパクト化を図ることが可能となる。
【０００７】
そして、特許文献４に記載されているように、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂを構成するゲートＩＣや、各読み出し回路１７が内部に構成された読み出しＩＣ１６等の各ＩＣを、ＰＣＢ基板上ではなく、上記のフレキシブル回路基板上に実装することで、センサパネルＳＰをさらにコンパクトに形成することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】特開２００７−５７５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記のように、走査線５や信号線６等にフレキシブル回路基板を接続して配線を引き回したり、ゲートＩＣや読み出しＩＣ１６をフレキシブル回路基板上に設ける等すると、各機能部を接続する配線が長くなる。そのため、配線がアンテナのように作用して、外界からの電波や、放射線画像撮影装置内で各機能部が作動する際に発生する電波を拾い易くなり、ノイズが混入し易くなる。
【００１０】
特に、電源回路からフレキシブル回路基板上の各ＩＣに電力を供給する配線にノイズが混入すると、結果的に、読み出される画像データにもノイズが重畳し易くなる等の問題が生じる。そして、画像データにノイズが混入すると、Ｓ／Ｎ比が悪化して、生成される放射線画像の画質が低下してしまうという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、フレキシブル回路基板上にＩＣを設けて配線を引き回す場合でも、画像データに対するノイズの影響を低減することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
複数の走査線および複数の信号線が互いに交差するように配設され、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域にそれぞれ放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサ基板と、
少なくとも前記放射線検出素子から読み出された画像データを記憶する記憶手段が設けられたＰＣＢ基板と、
前記センサ基板上の配線と、前記ＰＣＢ基板上の配線とを接続するフレキシブル回路基板と、
を備え、
前記フレキシブル回路基板のフィルム上には、少なくとも前記画像データの読み出し処理に用いられるＩＣチップが実装されており、
前記ＩＣチップに電力を供給する前記フィルム上の配線と、前記電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップに供給する前記フィルム上の配線との間を接続するコンデンサが、当該ＩＣチップが実装されている前記フレキシブル回路基板のフィルムと同一のフィルム上に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、フレキシブル回路基板のフィルム上にＩＣチップを実装して信号線等の配線をセンサ基板とＰＣＢ基板との間で引き回すように構成する際に、ＩＣチップが実装された同一のフィルム上に、当該ＩＣチップに電力を供給する配線と、当該電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップに供給する配線との間を接続する各コンデンサを設けるため、ＩＣチップと各コンデンサとの距離を短縮することが可能となる。
【００１４】
そのため、ＩＣチップと各コンデンサとを結ぶ配線の長さが短くなり、その部分を通じて、外界からの電波や放射線画像撮影装置内の各機能部で発生した電波がＩＣチップに流入する量を低減することが可能となる。そして、このように、ＩＣチップに流入する電波の量が低減されるため、読み出される画像データに重畳されるノイズを低減させることが可能となり、読み出された画像データのＳ／Ｎ比を改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図である。
【図２】図１の放射線画像撮影装置を反対側から見た外観斜視図である。
【図３】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図４】放射線画像撮影装置のセンサ基板の構成を示す平面図である。
【図５】図４のセンサ基板上の小領域に形成された放射線検出素子とＴＦＴ等の構成を示す拡大図である。
【図６】フレキシブル回路基板やＰＣＢ基板等が取り付けられたセンサ基板を説明する側面図である。
【図７】放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【図９】センサ基板とＰＣＢ基板とを接続するフレキシブル回路基板のフィルム上に実装されたＩＣチップや配線等を説明する図である。
【図１０】電源回路からＩＣチップに電力を供給する配線、電力に対応する基準電位を供給する配、それらを接続するコンデンサ、およびＩＣチップとコンデンサとの距離等を説明する図である。
【図１１】ＩＣチップが実装されたフレキシブル回路基板のフィルム上に設けられたコンデンサ等を説明する図である。
【図１２】フレキシブル回路基板のフィルム上にＩＣチップが接着剤で接着されて実装された状態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１７】
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機型の放射線画像撮影装置に対しても適用される。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、放射線画像撮影装置を反対側から見た外観斜視図である。また、図３は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。放射線画像撮影装置１は、図１〜図３に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレータ３やセンサ基板４等で構成されるセンサパネルＳＰが収納されている。
【００１９】
図１や図２に示すように、本実施形態では、筐体２のうち、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａは、放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されており、ハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで筐体２が形成されている。なお、筐体２をこのようないわゆるモノコック型として形成する代わりに、例えば、フロント板とバック板とで形成された、いわゆる弁当箱型とすることも可能である。
【００２０】
図１に示すように、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクタ３９、バッテリ状態や放射線画像撮影装置１の起働状態等を表示するＬＥＤ等で構成されたインジケータ４０等が配置されている。
【００２１】
本実施形態では、コネクタ３９は、例えば図示しないケーブル等が接続されることにより、外部装置との間で情報や信号等のやり取りを行ったり、放射線画像撮影装置１から外部装置に画像データ等のデータを送信する際の通信手段として機能するようになっている。なお、コネクタ３９の設置位置は蓋部材２Ｂに限定されず、放射線画像撮影装置１の適宜の位置に設置することが可能である。
【００２２】
また、本実施形態では、図２に示すように、外部装置との情報や信号等のやり取り等を無線方式で行うための通信手段としてのアンテナ装置４１が、例えば筐体２の反対側の蓋部材２Ｃ等に設けられており、放射線画像撮影装置１は無線方式でも外部装置と通信できるようになっている。図２に示すように、アンテナ装置４１は、例えば蓋部材２Ｃに埋め込む等して設けることが可能であるが、アンテナ装置４１は放射線画像撮影装置１の任意の位置に設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置４１は１個に限らず、複数設けることも可能である。
【００２３】
図３に示すように、筐体２の内部には、センサ基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。また、センサ基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。また、本実施形態では、センサパネルＳＰと筐体２の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材３６が設けられている。
【００２４】
シンチレータ３は、センサ基板４の後述する検出部Ｐに対向する位置に設けられるようになっている。本実施形態では、シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００２５】
センサ基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図４に示すように、センサ基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。センサ基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
【００２６】
このように、走査線５と信号線６で区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図４に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００２７】
本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図４の拡大図である図５に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００２８】
放射線検出素子７は、放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で放射線から変換された可視光等の電磁波が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子７は、このようにして、照射された放射線（シンチレータ３から照射された電磁波）を電荷に変換するようになっている。
【００２９】
そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５から走査線５を介してゲート電極８ｇに、信号読み出し用の電圧であるオン電圧が印加されるとオン状態になって、ソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを介して放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるようになっている。
【００３０】
本実施形態では、図５に示すように、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、図４に示すように、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、センサ基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０に結束されている。
【００３１】
本実施形態では、図４に示すように、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれセンサ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう。）１１に接続されている。
【００３２】
図６に示すように、各入出力端子１１には、後述する読み出しＩＣ１６や走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂを構成するゲートＩＣ等の各ＩＣチップ１２ａがフィルム上に実装されたフレキシブル回路基板１２が、異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００３３】
そして、フレキシブル回路基板１２は、センサ基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰが形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。また、フレキシブル回路基板１２の構成等については、後で説明する。
【００３４】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図８は検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【００３５】
前述したように、センサ基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７ｂにそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源１４は、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段２２により、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧が制御されるようになっている。
【００３６】
図７や図８に示すように、本実施形態では、バイアス電源１４からは、放射線検出素子７の第２電極７ｂにバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７ａ側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるようになっている。
【００３７】
走査駆動手段１５は、配線１５ｄを介してゲートドライバ１５ｂにオン電圧とオフ電圧を供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えて各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。
【００３８】
図７や図８に示すように、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。読み出し回路１７は、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。
【００３９】
本実施形態では、増幅回路１８は、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続され、オペアンプ１８ａ等に電力を供給する電源供給部１８ｄを備えたチャージアンプ回路で構成されている。増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるようになっている。
【００４０】
なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。また、図８では、読み出しＩＣ１６に電力を供給する電源として、オペアンプ１８ａに電力を供給する電源供給部１８ｄのみが記載されているが、各読み出しＩＣ１６には、この他にも、例えば相関二重サンプリング回路１９やＡ／Ｄ変換器２０（図８では図示省略）等の読み出しＩＣ１６内部の各機能部に対して電力を供給する電源部が、必要な数だけ接続されている。
【００４１】
増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。また、オペアンプ１８ａと相関二重サンプリング回路１９との間には、電荷リセット用スイッチ１８ｃと連動して開閉するスイッチ１８ｅが設けられており、スイッチ１８ｅは、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン／オフ動作と連動してオフ／オン動作するようになっている。
【００４２】
そして、放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射された後に行われる画像データの読み出し処理では、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態とされた状態で、ゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧が印加され、オン状態になった各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から電荷が信号線６に放出される。そして、放出された電荷が増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積されると、増幅回路１８では、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力側から出力される。
【００４３】
そして、その増幅回路１８から出力される電圧値を相関二重サンプリング回路１９でサンプリングし、相関二重サンプリング回路１９から出力されたアナログ値の画像データが、アナログマルチプレクサ２１（図７参照）を介してＡ／Ｄ変換器２０に順次送信され、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値の画像データに変換されて記録手段２３に保存されるようになっている。
【００４４】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図７等に示すように、制御手段２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記録手段２３が接続されている。
【００４５】
また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４１が接続されており、さらに、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記録手段２３、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するためのバッテリ２４が接続されている。また、バッテリ２４には、図示しない充電装置からバッテリ２４に電力を供給してバッテリ２４を充電する際の接続端子２５が取り付けられている。
【００４６】
前述したように、制御手段２２は、バイアス電源１４を制御してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりするなど、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作を制御するようになっている。
【００４７】
以下、本実施形態に係るフレキシブル回路基板１２の構成等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【００４８】
なお、以下では、ＩＣチップ１２ａ（図６参照）が読み出しＩＣ１６（図７、図８参照）である場合について説明するが、ＩＣチップ１２ａが、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（図７参照）を構成するゲートＩＣである場合にも同様に説明される。
【００４９】
前述したように、走査線５や信号線６等にフレキシブル回路基板を接続して配線をセンサ基板４とＰＣＢ基板３３との間で引き回すように構成すると、配線がアンテナのように作用して、外界からの電波や、放射線画像撮影装置内で各機能部が作動する際に発生する電波を拾い易くなりノイズが混入し易くなるといった現象が生じる。
【００５０】
しかし、本発明者らの研究によれば、フレキシブル回路基板１２のフィルム上に、読み出しＩＣ１６等のＩＣチップ１２ａ（図６参照）等を実装する際に、それらの構成を工夫することで、電波やノイズの混入を的確に防止できるという知見が得られた。以下、このことについて説明する。
【００５１】
この場合、フレキシブル回路基板１２のフィルム上に実装された読み出しＩＣ１６等のＩＣチップ１２ａには、図９に示すように、例えばＰＣＢ基板３３上に設けられた電源供給部１８ｄ（図８参照）等の図示しない各電源回路３３ａ、３３ｂ、…が配線１２ｂを介してそれぞれ接続されている。そして、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…から、例えば増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９、Ａ／Ｄ変換器２０等のＩＣチップ１２ａ（すなわちこの場合は読み出し回路１６）内の各機能部に対して、それぞれ所定の電力を供給するように構成される。
【００５２】
そして、上記のようにそれぞれ所定の電力が供給されることでＩＣチップ１２ａ内の各機能部が作動して、例えば、ＩＣチップ１２ａが読み出しＩＣ１６である場合には、図９に示すように、センサ基板４上の放射線検出素子７から読み出された電荷が信号線６を介して読み出しＩＣ１６に流入すると、読み出しＩＣ１６内の各読み出し回路１７で上記のようにして読み出し処理が行われ、読み出しＩＣ１６から出力された画像データが、フレキシブル回路基板１２のフィルム上の読出用の配線１２Ｂを伝って、ＰＣＢ基板３３上に設けられた記憶手段２３に送信されて記憶される。
【００５３】
また、ＩＣチップ１２ａに対して上記のように各電源回路３３ａ、３３ｂ、…からそれぞれ所定の電力を供給する場合、本実施形態では、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…から供給される各電力に対応する基準電位が、各配線１２ｃ（後述する図１０等参照）を介してそれぞれＩＣチップ１２ａに供給されるように構成される。
【００５４】
なお、下記の図１０等では、図を見やすくするために、各基準電位として接地電位（ＧＮＤ電位）が供給される場合が示されているが、各電力に対応する基準電位は必ずしも接地電位であるとは限らず、基準電位としては、各電力に対応する適切な電位に設定された基準電位がそれぞれ供給される。
【００５５】
そして、本実施形態では、図１０に示すように、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…からＩＣチップ１２ａに電力を供給する各配線１２ｂと、これらの各電力に対応する基準電位を供給する各配線１２ｃとの間を、それぞれ各コンデンサ１２ｄで接続するように構成されている。
【００５６】
各電源回路３３ａ、３３ｂ、…では、供給する電圧等にノイズが発生し、このノイズが各配線１２ｂを介してＩＣチップ１２ａに流入する。そして、例えばＩＣチップ１２ａとして読み出しＩＣ１６を用いる場合、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…からノイズが流入すると、図９に示したように、読み出しＩＣ１６から出力される画像データにこれらのノイズが重畳されて、画像データのＳ／Ｎ比が悪化する。
【００５７】
そこで、本実施形態のように、配線１２ｂ、１２ｃ間をコンデンサ１２ｄで接続するように構成することで、各コンデンサ１２ｄが平滑フィルタのように機能して、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…から各配線１２ｂを介してＩＣチップ１２ａに流入するノイズを低減する（すなわちいわばノイズを逃がす）ことが可能となる。
【００５８】
なお、この効果をより的確に得るために、コンデンサ１２ｄとともに、例えば図示しない抵抗器や、コンデンサや抵抗器等からなるループ構造等を配線１２ｂ、１２ｃ間等に接続するように構成することも可能である。すなわち、配線１２ｂ、１２ｃ間に少なくともコンデンサ１２ｄが接続されていればよく、ノイズを低減するための他の種々の構成を適宜採用することが可能である。
【００５９】
しかし、上記のように、配線１２ｂ、１２ｃ間をそれぞれコンデンサ１２ｄで接続するように構成すると、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…で発生してＩＣチップ１２ａに流入するノイズを低減することが可能となるが、その場合、本発明者らの研究では、図１０に示すように、ＩＣチップ１２ａとコンデンサ１２ｄとの距離Ｌが長いと、今度は、その区間の配線１２ｂ、すなわちコンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの区間の配線１２ｂや配線１２ｃの部分がアンテナのように作用してしまうことが分かった。
【００６０】
そして、この部分がアンテナのように作用すると、前述したように、それらの配線１２ｂ、１２ｃの部分で、外界からの電波や、放射線画像撮影装置１内で各電源回路３３ａ等の各機能部が作動する際に発生する電波が配線１２ｂ、１２ｃを受信し易くなり、すなわち電波が各配線１２ｂ、１２ｃに入り込み易くなり、ＩＣチップ１２ａにノイズが混入して画像データにノイズが重畳され易くなる。
【００６１】
一方、本発明者らの研究では、ＩＣチップ１２ａとコンデンサ１２ｄとの距離Ｌを短くするほど、すなわち、ＩＣチップ１２ａからコンデンサ１２ｄまでの配線１２ｂ、１２ｃの長さを短くするほど、拾われる電波の量が少なくなり、画像データに重畳されるノイズの大きさが小さくなるこという知見も得られた。
【００６２】
すなわち、コンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの配線１２ｂ、１２ｃが長くなると、その部分で受信した電波によるノイズがＩＣチップ１２ａに入り込んでしまうが、その部分の配線１２ｂ、１２ｃの長さが短くなれば、その部分で電波を受信しにくくなり、電波によるノイズがＩＣチップ１２ａに入り込みにくくなることが分かった。
【００６３】
なお、その場合、コンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの配線１２ｂ、１２ｃの長さが短くなると、逆に、各電源回路３３ａ等からコンデンサ１２ｄまでの部分の配線１２ｂ、１２ｃの長さは長くなる。そして、その電源回路３３ａ等からコンデンサ１２ｄまでの部分では、電波を受信し易くなると考えられる。
【００６４】
しかし、上記のように、電源回路３３ａ等からコンデンサ１２ｄまでの部分の配線１２ｂ、１２ｃの長さが長くなっても、コンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの配線１２ｂ、１２ｃの長さが短くなれば、画像データに重畳されるノイズの大きさが小さくなる。このことから、電源回路３３ａ等からコンデンサ１２ｄまでの部分で受信した電波によるノイズは、ＩＣチップ１２ａ側に流れ込もうとしても、コンデンサ１２ｄで平滑化され、コンデンサ１２ｄの部分で遮断されてしまうため、ＩＣチップ１２ａには流入しなくなると考えられる。
【００６５】
そこで、以上の結果から、本実施形態では、図１１に示すように、ＩＣチップ１２ａに電力を供給するフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上の各配線１２ｂと、その電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップ１２ａに供給するフィルム１２Ｆ上の各配線１２ｃとの間をそれぞれ接続する各コンデンサ１２ｄを、当該ＩＣチップ１２ａが実装されているフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆと同一のフィルム１２Ｆ上にそれぞれ設けるようになっている。
【００６６】
このように、各コンデンサ１２ｄを、ＩＣチップ１２ａが実装されたフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に設けるように構成することで、例えば各コンデンサ１２ｄをＰＣＢ基板３３（図９等参照）上に設ける場合に比べて、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとの距離Ｌ（すなわちＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとを結ぶ配線１２ｂ、１２ｃの長さＬ。以下同じ。）を短くすることが可能となる。
【００６７】
そして、そのため、コンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの配線１２ｂ、１２ｃの部分で受信した電波がＩＣチップ１２ａに流入する量を的確に低減することが可能となる。なお、図１１では、信号線６や配線１２Ｂ（図９参照）等の記載が省略されている。また、図１１では、コンデンサ１２ｄとしてチップコンデンサが用いられている場合が示されているが、他の形態のコンデンサを用いることも可能である。
【００６８】
その際、各コンデンサ１２ｄを、フレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に実装されたＩＣチップ１２ａのより近い位置に設けるように構成すれば、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとの距離Ｌがさらに短くなり、電波のＩＣチップ１２ａへの流入量をさらに低減することが可能となる。
【００６９】
そこで、例えば、各コンデンサ１２ｄをＩＣチップ１２ａの近傍に設けるように構成することが可能である。
【００７０】
また、ＩＣチップ１２ａをフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に実装する場合、図１２に示すように、ＩＣチップ１２ａの周囲やフィルム１２Ｆとの間に樹脂等の接着剤１２ｅを塗布して接着される場合が多い。そこで、図１１に示すように、各コンデンサ１２ｄを、ＩＣチップ１２ａをフィルム１２Ｆ上に接着する接着剤１２ｅの周囲の部分、すなわち例えば接着剤１２ｅに隣接する部分に設けられるように構成することも可能である。
【００７１】
そして、上記のように構成すれば、各コンデンサ１２ｄを、フレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に実装されたＩＣチップ１２ａのごく近傍の位置に設けることが可能となり、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとの距離Ｌをさらに短縮することが可能となる。そのため、電波のＩＣチップ１２ａへの流入量をさらに低減することが可能となり、ＩＣチップ１２ａとしての読み出しＩＣ１６から出力される画像データに重畳されるノイズを低減させて、画像データのＳ／Ｎ比を改善することが可能となる。
【００７２】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、センサ基板４とＰＣＢ基板３３とを接続するフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上にＩＣチップ１２ａを実装するように構成する際に、ＩＣチップ１２ａが実装された同一のフィルム１２Ｆ上に、当該ＩＣチップ１２ａに電力を供給する配線１２ｂと、当該電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップ１２ａに供給する配線１２ｃとの間を接続する各コンデンサ１２ｄを設けた。そのため、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとの距離Ｌ（図１０参照）を短縮することが可能となる。
【００７３】
そのため、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとを結ぶ配線１２ｂ、１２ｃのフィルム１２Ｆ上での長さＬが短くなり、その部分を通じて、外界からの電波や放射線画像撮影装置１内の各機能部で発生した電波がＩＣチップ１２ａに流入する量を低減することが可能となる。
【００７４】
そして、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１では、このようにＩＣチップ１２ａに流入する電波の量を低減することが可能となるため、ＩＣチップ１２ａとしての読み出しＩＣ１６から出力される画像データに重畳されるノイズを低減させることが可能となり、読み出された画像データのＳ／Ｎ比を改善することが可能となる。
【００７５】
なお、本実施形態では、ＩＣチップ１２ａが読み出しＩＣ１６であることを前提として説明したが、前述したように、ＩＣチップ１２ａが、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（図７参照）を構成するゲートＩＣである場合にも同様に説明することができる。
【００７６】
すなわち、ゲートＩＣに電力を供給する配線と、その電力に対応する基準電位を供給する配線との間にコンデンサが設けられるが、ゲートＩＣとコンデンサとの間の距離が長いと、その部分を通じて、ゲートＩＣに外界等からの電波が流入する。
【００７７】
そして、ゲートＩＣに電波が流入すると、ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から読み出された電荷を画像データとして読み出す処理の際に、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加される信号読み出し用の電圧（すなわちオン電圧）にゆらぎが生じる。そのため、ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から読み出される電荷にゆらぎが生じ、それが読み出される画像データのノイズとなって現れる場合がある。
【００７８】
そのため、ゲートＩＣに電力を供給する配線と、その電力に対応する基準電位を供給する配線との間を接続するコンデンサを、ゲートＩＣが設けられているフレキシブル回路基板１２の同一のフィルム１２Ｆ上に設けることで、上記と同様に、配線を通じてゲートＩＣに流れ込む電波の量を低減させることが可能となる。そのため、オン電圧に生じるゆらぎが低減され、結果的に、読み出される画像データに重畳されるノイズを低減させることが可能となり、読み出された画像データのＳ／Ｎ比を改善することが可能となる。
【００７９】
なお、上記の本実施形態に係る放射線画像撮影装置１のように構成すれば、各コンデンサ１２ｄをＰＣＢ基板３３に設ける必要がなくなるといった副次的な効果も得られる。
【００８０】
また、上記の実施形態では、１つのＩＣチップ１２ａ内の各機能部に、複数の電源回路３３ａ、３３ｂ、…からそれぞれ電力を供給するように構成されている場合を示したが、必ずしもその構成に限定されず、ＩＣチップ１２ａに１つの電源回路から電力を供給する場合にも、本発明を適用することができる。
【００８１】
さらに、上記の実施形態では、１枚のフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に１つのＩＣチップ１２ａが設けられている場合を示したが、フィルム１２Ｆ上に複数のＩＣチップ１２ａが設けられている場合にも、それぞれのＩＣチップ１２ａに対して本発明を適用することができる。
【００８２】
また、上記の実施形態では、ＩＣチップ１２ａに電力を供給する１本の配線１２ｂに対して、この電力に対応する基準電位をＩＣチップ１２ａに供給する配線１２ｃが１本設けられている場合を示したが、例えば複数の配線１２ｂに対して１本の共通の配線１２ｃが設けられている場合にも、本発明を適用することが可能である。
【００８３】
また、上記の実施形態では、例えばＩＣチップ１２ａが読み出しＩＣ１６である場合、図７に示したように、Ａ／Ｄ変換器２０が読み出しＩＣ１６内に内蔵されている場合を示したが、例えば、Ａ／Ｄ変換器２０を含むＩＣチップ１２ａが、読み出しＩＣ１６とは別体とされる場合もある。
【００８４】
このような場合には、読み出しＩＣ１６としてのＩＣチップ１２ａと、Ａ／Ｄ変換器２０を含むＩＣチップ１２ａとのそれぞれについて、それぞれ本発明を適用することが可能である。
【００８５】
また、上記の実施形態では、ＰＣＢ基板３３をセンサ基板４の裏面４ｂ（図６参照）側に配置する場合を示したが、これに限定されず、ＰＣＢ基板３３は、放射線画像撮影装置１内の任意の位置に設けることが可能である。しかし、センサ基板４とＰＣＢ基板３３とがフレキシブル回路基板１２で接続されることが必要である。
【符号の説明】
【００８６】
１ 放射線画像撮影装置
４ センサ基板
５ 走査線
６ 信号線
７ 放射線検出素子
１２ フレキシブル回路基板
１２ａ ＩＣチップ
１２ｂ ＩＣチップに電力を供給する配線
１２ｃ 電力に対応する基準電位をＩＣチップに供給する配線
１２ｄ コンデンサ
１２ｅ 接着剤
１２Ｆ フィルム
１５ｂ ゲートドライバ
１６ 読み出しＩＣ
２３ 記憶手段
３３ ＰＣＢ基板
ｒ 領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られてお
り、従来は支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機として構成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
ところで、これらの放射線画像撮影装置では、後述する図４の平面図や図７等の等価回路図に示すように、ガラス基板等のセンサ基板４上に複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設され、走査線５や信号線６で区画されたセンサ基板４上の各領域ｒに放射線検出素子７がそれぞれ設けられ、放射線や、シンチレータで放射線から変換された電磁波の照射により各放射線検出素子７内に蓄積された電荷を信号線６を介して取り出すことで、各放射線検出素子７の電気信号を画像データとして読み出すようになっている。
【０００５】
しかし、放射線画像撮影装置の制御手段２２や記憶手段２３、バッテリ２４等を、走査線５や信号線６、放射線検出素子７等が形成されたセンサ基板４の表面４ａ（後述する図４参照）と同じ面上に形成すると、放射線画像撮影装置のセンサ基板４が大型化してしまう。そのため、例えば、特許文献４に記載されているように、センサ基板４の表面４ａ上に走査線５や信号線６、放射線検出素子７等を設け、センサ基板４の端部部分で走査線５や信号線６等にフレキシブル回路基板の一端を接続する。
【０００６】
そして、フレキシブル回路基板の他端に、制御手段２２や記憶手段２３等が設けられたプリント基板（プリント回路板等ともいう。以下、ＰＣＢ基板という。）を接続し、ＰＣＢ基板をセンサ基板４の例えば裏面側に配置するように構成される。このように構成することで、放射線画像撮影装置のセンサ基板４を含むセンサパネルＳＰ（後述する図３等参照）のコンパクト化を図ることが可能となる。
【０００７】
そして、特許文献４に記載されているように、後述する走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂを構成するゲートＩＣや、各読み出し回路１７が内部に構成された読み出しＩＣ１６等の各ＩＣを、ＰＣＢ基板上ではなく、上記のフレキシブル回路基板上に実装することで、センサパネルＳＰをさらにコンパクトに形成することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】特開２００７−５７５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記のように、走査線５や信号線６等にフレキシブル回路基板を接続して配線を引き回したり、ゲートＩＣや読み出しＩＣ１６をフレキシブル回路基板上に設ける等すると、各機能部を接続する配線が長くなる。そのため、配線がアンテナのように作用して、外界からの電波や、放射線画像撮影装置内で各機能部が作動する際に発生する電波を拾い易くなり、ノイズが混入し易くなる。
【００１０】
特に、電源回路からフレキシブル回路基板上の各ＩＣに電力を供給する配線にノイズが混入すると、結果的に、読み出される画像データにもノイズが重畳し易くなる等の問題が生じる。そして、画像データにノイズが混入すると、Ｓ／Ｎ比が悪化して、生成される放射線画像の画質が低下してしまうという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、フレキシブル回路基板上にＩＣを設けて配線を引き回す場合でも、画像データに対するノイズの影響を低減することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
複数の走査線および複数の信号線が互いに交差するように配設され、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域にそれぞれ放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサ基板と、
少なくとも前記放射線検出素子から読み出された画像データを記憶する記憶手段が設けられたＰＣＢ基板と、
前記センサ基板上の配線と、前記ＰＣＢ基板上の配線とを接続するフレキシブル回路基板と、
を備え、
前記フレキシブル回路基板のフィルム上には、少なくとも前記画像データの読み出し処理に用いられるＩＣチップが実装されており、
前記ＩＣチップに電力を供給する前記フィルム上の配線と、前記電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップに供給する前記フィルム上の配線との間を接続するコンデンサが、当該ＩＣチップが実装されている前記フレキシブル回路基板のフィルムと同一のフィルム上に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、フレキシブル回路基板のフィルム上にＩＣチップを実装して信号線等の配線をセンサ基板とＰＣＢ基板との間で引き回すように構成する際に、ＩＣチップが実装された同一のフィルム上に、当該ＩＣチップに電力を供給する配線と、当該電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップに供給する配線との間を接続する各コンデンサを設けるため、ＩＣチップと各コンデンサとの距離を短縮することが可能となる。
【００１４】
そのため、ＩＣチップと各コンデンサとを結ぶ配線の長さが短くなり、その部分を通じて、外界からの電波や放射線画像撮影装置内の各機能部で発生した電波がＩＣチップに流入する量を低減することが可能となる。そして、このように、ＩＣチップに流入する電波の量が低減されるため、読み出される画像データに重畳されるノイズを低減させることが可能となり、読み出された画像データのＳ／Ｎ比を改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図である。
【図２】図１の放射線画像撮影装置を反対側から見た外観斜視図である。
【図３】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図４】放射線画像撮影装置のセンサ基板の構成を示す平面図である。
【図５】図４のセンサ基板上の小領域に形成された放射線検出素子とＴＦＴ等の構成を示す拡大図である。
【図６】フレキシブル回路基板やＰＣＢ基板等が取り付けられたセンサ基板を説明する側面図である。
【図７】放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【図９】センサ基板とＰＣＢ基板とを接続するフレキシブル回路基板のフィルム上に実装されたＩＣチップや配線等を説明する図である。
【図１０】電源回路からＩＣチップに電力を供給する配線、電力に対応する基準電位を供給する配、それらを接続するコンデンサ、およびＩＣチップとコンデンサとの距離等を説明する図である。
【図１１】ＩＣチップが実装されたフレキシブル回路基板のフィルム上に設けられたコンデンサ等を説明する図である。
【図１２】フレキシブル回路基板のフィルム上にＩＣチップが接着剤で接着されて実装された状態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１７】
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機型の放射線画像撮影装置に対しても適用される。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、放射線画像撮影装置を反対側から見た外観斜視図である。また、図３は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。放射線画像撮影装置１は、図１〜図３に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレータ３やセンサ基板４等で構成されるセンサパネルＳＰが収納されている。
【００１９】
図１や図２に示すように、本実施形態では、筐体２のうち、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａは、放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されており、ハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで筐体２が形成されている。なお、筐体２をこのようないわゆるモノコック型として形成する代わりに、例えば、フロント板とバック板とで形成された、いわゆる弁当箱型とすることも可能である。
【００２０】
図１に示すように、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクタ３９、バッテリ状態や放射線画像撮影装置１の起働状態等を表示するＬＥＤ等で構成されたインジケータ４０等が配置されている。
【００２１】
本実施形態では、コネクタ３９は、例えば図示しないケーブル等が接続されることにより、外部装置との間で情報や信号等のやり取りを行ったり、放射線画像撮影装置１から外部装置に画像データ等のデータを送信する際の通信手段として機能するようになっている。なお、コネクタ３９の設置位置は蓋部材２Ｂに限定されず、放射線画像撮影装置１の適宜の位置に設置することが可能である。
【００２２】
また、本実施形態では、図２に示すように、外部装置との情報や信号等のやり取り等を無線方式で行うための通信手段としてのアンテナ装置４１が、例えば筐体２の反対側の蓋部材２Ｃ等に設けられており、放射線画像撮影装置１は無線方式でも外部装置と通信できるようになっている。図２に示すように、アンテナ装置４１は、例えば蓋部材２Ｃに埋め込む等して設けることが可能であるが、アンテナ装置４１は放射線画像撮影装置１の任意の位置に設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置４１は１個に限らず、複数設けることも可能である。
【００２３】
図３に示すように、筐体２の内部には、センサ基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。また、センサ基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。また、本実施形態では、センサパネルＳＰと筐体２の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材３６が設けられている。
【００２４】
シンチレータ３は、センサ基板４の後述する検出部Ｐに対向する位置に設けられるようになっている。本実施形態では、シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００２５】
センサ基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図４に示すように、センサ基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。センサ基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
【００２６】
このように、走査線５と信号線６で区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図４に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００２７】
本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図４の拡大図である図５に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００２８】
放射線検出素子７は、放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で放射線から変換された可視光等の電磁波が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子７は、このようにして、照射された放射線（シンチレータ３から照射された電磁波）を電荷に変換するようになっている。
【００２９】
そして、ＴＦＴ８は、後述する走査駆動手段１５から走査線５を介してゲート電極８ｇに、信号読み出し用の電圧であるオン電圧が印加されるとオン状態になって、ソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを介して放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるようになっている。
【００３０】
本実施形態では、図５に示すように、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、図４に示すように、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、センサ基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０に結束されている。
【００３１】
本実施形態では、図４に示すように、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれセンサ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう。）１１に接続されている。
【００３２】
図６に示すように、各入出力端子１１には、後述する読み出しＩＣ１６や走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂを構成するゲートＩＣ等の各ＩＣチップ１２ａがフィルム上に実装されたフレキシブル回路基板１２が、異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００３３】
そして、フレキシブル回路基板１２は、センサ基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰが形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。また、フレキシブル回路基板１２の構成等については、後で説明する。
【００３４】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図であり、図８は検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【００３５】
前述したように、センサ基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７ｂにそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源１４は、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段２２により、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧が制御されるようになっている。
【００３６】
図７や図８に示すように、本実施形態では、バイアス電源１４からは、放射線検出素子７の第２電極７ｂにバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７ａ側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるようになっている。
【００３７】
走査駆動手段１５は、配線１５ｄを介してゲートドライバ１５ｂにオン電圧とオフ電圧を供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えて各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。
【００３８】
図７や図８に示すように、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。読み出し回路１７は、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。
【００３９】
本実施形態では、増幅回路１８は、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続され、オペアンプ１８ａ等に電力を供給する電源供給部１８ｄを備えたチャージアンプ回路で構成されている。増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるようになっている。
【００４０】
なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。また、図８では、読み出しＩＣ１６に電力を供給する電源として、オペアンプ１８ａに電力を供給する電源供給部１８ｄのみが記載されているが、各読み出しＩＣ１６には、この他にも、例えば相関二重サンプリング回路１９やＡ／Ｄ変換器２０（図８では図示省略）等の読み出しＩＣ１６内部の各機能部に対して電力を供給する電源部が、必要な数だけ接続されている。
【００４１】
増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるようになっている。また、オペアンプ１８ａと相関二重サンプリング回路１９との間には、電荷リセット用スイッチ１８ｃと連動して開閉するスイッチ１８ｅが設けられており、スイッチ１８ｅは、電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン／オフ動作と連動してオフ／オン動作するようになっている。
【００４２】
そして、放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射された後に行われる画像データの読み出し処理では、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態とされた状態で、ゲートドライバ１５ｂから各走査線５にオン電圧が印加され、オン状態になった各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から電荷が信号線６に放出される。そして、放出された電荷が増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積されると、増幅回路１８では、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力側から出力される。
【００４３】
そして、その増幅回路１８から出力される電圧値を相関二重サンプリング回路１９でサンプリングし、相関二重サンプリング回路１９から出力されたアナログ値の画像データが、アナログマルチプレクサ２１（図７参照）を介してＡ／Ｄ変換器２０に順次送信され、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値の画像データに変換されて記録手段２３に保存されるようになっている。
【００４４】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図７等に示すように、制御手段２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記録手段２３が接続されている。
【００４５】
また、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４１が接続されており、さらに、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記録手段２３、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するためのバッテリ２４が接続されている。また、バッテリ２４には、図示しない充電装置からバッテリ２４に電力を供給してバッテリ２４を充電する際の接続端子２５が取り付けられている。
【００４６】
前述したように、制御手段２２は、バイアス電源１４を制御してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりするなど、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作を制御するようになっている。
【００４７】
以下、本実施形態に係るフレキシブル回路基板１２の構成等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【００４８】
なお、以下では、ＩＣチップ１２ａ（図６参照）が読み出しＩＣ１６（図７、図８参照）である場合について説明するが、ＩＣチップ１２ａが、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（図７参照）を構成するゲートＩＣである場合にも同様に説明される。
【００４９】
前述したように、走査線５や信号線６等にフレキシブル回路基板を接続して配線をセンサ基板４とＰＣＢ基板３３との間で引き回すように構成すると、配線がアンテナのように作用して、外界からの電波や、放射線画像撮影装置内で各機能部が作動する際に発生する電波を拾い易くなりノイズが混入し易くなるといった現象が生じる。
【００５０】
しかし、本発明者らの研究によれば、フレキシブル回路基板１２のフィルム上に、読み出しＩＣ１６等のＩＣチップ１２ａ（図６参照）等を実装する際に、それらの構成を工夫することで、電波やノイズの混入を的確に防止できるという知見が得られた。以下、このことについて説明する。
【００５１】
この場合、フレキシブル回路基板１２のフィルム上に実装された読み出しＩＣ１６等のＩＣチップ１２ａには、図９に示すように、例えばＰＣＢ基板３３上に設けられた電源供給部１８ｄ（図８参照）等の図示しない各電源回路３３ａ、３３ｂ、…が配線１２ｂを介してそれぞれ接続されている。そして、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…から、例えば増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９、Ａ／Ｄ変換器２０等のＩＣチップ１２ａ（すなわちこの場合は読み出し回路１６）内の各機能部に対して、それぞれ所定の電力を供給するように構成される。
【００５２】
そして、上記のようにそれぞれ所定の電力が供給されることでＩＣチップ１２ａ内の各機能部が作動して、例えば、ＩＣチップ１２ａが読み出しＩＣ１６である場合には、図９に示すように、センサ基板４上の放射線検出素子７から読み出された電荷が信号線６を介して読み出しＩＣ１６に流入すると、読み出しＩＣ１６内の各読み出し回路１７で上記のようにして読み出し処理が行われ、読み出しＩＣ１６から出力された画像データが、フレキシブル回路基板１２のフィルム上の読出用の配線１２Ｂを伝って、ＰＣＢ基板３３上に設けられた記憶手段２３に送信されて記憶される。
【００５３】
また、ＩＣチップ１２ａに対して上記のように各電源回路３３ａ、３３ｂ、…からそれぞれ所定の電力を供給する場合、本実施形態では、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…から供給される各電力に対応する基準電位が、各配線１２ｃ（後述する図１０等参照）を介してそれぞれＩＣチップ１２ａに供給されるように構成される。
【００５４】
なお、下記の図１０等では、図を見やすくするために、各基準電位として接地電位（ＧＮＤ電位）が供給される場合が示されているが、各電力に対応する基準電位は必ずしも接地電位であるとは限らず、基準電位としては、各電力に対応する適切な電位に設定された基準電位がそれぞれ供給される。
【００５５】
そして、本実施形態では、図１０に示すように、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…からＩＣチップ１２ａに電力を供給する各配線１２ｂと、これらの各電力に対応する基準電位を供給する各配線１２ｃとの間を、それぞれ各コンデンサ１２ｄで接続するように構成されている。
【００５６】
各電源回路３３ａ、３３ｂ、…では、供給する電圧等にノイズが発生し、このノイズが各配線１２ｂを介してＩＣチップ１２ａに流入する。そして、例えばＩＣチップ１２ａとして読み出しＩＣ１６を用いる場合、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…からノイズが流入すると、図９に示したように、読み出しＩＣ１６から出力される画像データにこれらのノイズが重畳されて、画像データのＳ／Ｎ比が悪化する。
【００５７】
そこで、本実施形態のように、配線１２ｂ、１２ｃ間をコンデンサ１２ｄで接続するように構成することで、各コンデンサ１２ｄが平滑フィルタのように機能して、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…から各配線１２ｂを介してＩＣチップ１２ａに流入するノイズを低減する（すなわちいわばノイズを逃がす）ことが可能となる。
【００５８】
なお、この効果をより的確に得るために、コンデンサ１２ｄとともに、例えば図示しない抵抗器や、コンデンサや抵抗器等からなるループ構造等を配線１２ｂ、１２ｃ間等に接続するように構成することも可能である。すなわち、配線１２ｂ、１２ｃ間に少なくともコンデンサ１２ｄが接続されていればよく、ノイズを低減するための他の種々の構成を適宜採用することが可能である。
【００５９】
しかし、上記のように、配線１２ｂ、１２ｃ間をそれぞれコンデンサ１２ｄで接続するように構成すると、各電源回路３３ａ、３３ｂ、…で発生してＩＣチップ１２ａに流入するノイズを低減することが可能となるが、その場合、本発明者らの研究では、図１０に示すように、ＩＣチップ１２ａとコンデンサ１２ｄとの距離Ｌが長いと、今度は、その区間の配線１２ｂ、すなわちコンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの区間の配線１２ｂや配線１２ｃの部分がアンテナのように作用してしまうことが分かった。
【００６０】
そして、この部分がアンテナのように作用すると、前述したように、それらの配線１２ｂ、１２ｃの部分で、外界からの電波や、放射線画像撮影装置１内で各電源回路３３ａ等の各機能部が作動する際に発生する電波が配線１２ｂ、１２ｃを受信し易くなり、すなわち電波が各配線１２ｂ、１２ｃに入り込み易くなり、ＩＣチップ１２ａにノイズが混入して画像データにノイズが重畳され易くなる。
【００６１】
一方、本発明者らの研究では、ＩＣチップ１２ａとコンデンサ１２ｄとの距離Ｌを短くするほど、すなわち、ＩＣチップ１２ａからコンデンサ１２ｄまでの配線１２ｂ、１２ｃの長さを短くするほど、拾われる電波の量が少なくなり、画像データに重畳されるノイズの大きさが小さくなるこという知見も得られた。
【００６２】
すなわち、コンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの配線１２ｂ、１２ｃが長くなると、その部分で受信した電波によるノイズがＩＣチップ１２ａに入り込んでしまうが、その部分の配線１２ｂ、１２ｃの長さが短くなれば、その部分で電波を受信しにくくなり、電波によるノイズがＩＣチップ１２ａに入り込みにくくなることが分かった。
【００６３】
なお、その場合、コンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの配線１２ｂ、１２ｃの長さが短くなると、逆に、各電源回路３３ａ等からコンデンサ１２ｄまでの部分の配線１２ｂ、１２ｃの長さは長くなる。そして、その電源回路３３ａ等からコンデンサ１２ｄまでの部分では、電波を受信し易くなると考えられる。
【００６４】
しかし、上記のように、電源回路３３ａ等からコンデンサ１２ｄまでの部分の配線１２ｂ、１２ｃの長さが長くなっても、コンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの配線１２ｂ、１２ｃの長さが短くなれば、画像データに重畳されるノイズの大きさが小さくなる。このことから、電源回路３３ａ等からコンデンサ１２ｄまでの部分で受信した電波によるノイズは、ＩＣチップ１２ａ側に流れ込もうとしても、コンデンサ１２ｄで平滑化され、コンデンサ１２ｄの部分で遮断されてしまうため、ＩＣチップ１２ａには流入しなくなると考えられる。
【００６５】
そこで、以上の結果から、本実施形態では、図１１に示すように、ＩＣチップ１２ａに電力を供給するフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上の各配線１２ｂと、その電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップ１２ａに供給するフィルム１２Ｆ上の各配線１２ｃとの間をそれぞれ接続する各コンデンサ１２ｄを、当該ＩＣチップ１２ａが実装されているフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆと同一のフィルム１２Ｆ上にそれぞれ設けるようになっている。
【００６６】
このように、各コンデンサ１２ｄを、ＩＣチップ１２ａが実装されたフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に設けるように構成することで、例えば各コンデンサ１２ｄをＰＣＢ基板３３（図９等参照）上に設ける場合に比べて、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとの距離Ｌ（すなわちＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとを結ぶ配線１２ｂ、１２ｃの長さＬ。以下同じ。）を短くすることが可能となる。
【００６７】
そして、そのため、コンデンサ１２ｄからＩＣチップ１２ａまでの配線１２ｂ、１２ｃの部分で受信した電波がＩＣチップ１２ａに流入する量を的確に低減することが可能となる。なお、図１１では、信号線６や配線１２Ｂ（図９参照）等の記載が省略されている。また、図１１では、コンデンサ１２ｄとしてチップコンデンサが用いられている場合が示されているが、他の形態のコンデンサを用いることも可能である。
【００６８】
その際、各コンデンサ１２ｄを、フレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に実装されたＩＣチップ１２ａのより近い位置に設けるように構成すれば、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとの距離Ｌがさらに短くなり、電波のＩＣチップ１２ａへの流入量をさらに低減することが可能となる。
【００６９】
そこで、例えば、各コンデンサ１２ｄをＩＣチップ１２ａの近傍に設けるように構成することが可能である。
【００７０】
また、ＩＣチップ１２ａをフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に実装する場合、図１２に示すように、ＩＣチップ１２ａの周囲やフィルム１２Ｆとの間に樹脂等の接着剤１２ｅを塗布して接着される場合が多い。そこで、図１１に示すように、各コンデンサ１２ｄを、ＩＣチップ１２ａをフィルム１２Ｆ上に接着する接着剤１２ｅの周囲の部分、すなわち例えば接着剤１２ｅに隣接する部分に設けられるように構成することも可能である。
【００７１】
そして、上記のように構成すれば、各コンデンサ１２ｄを、フレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に実装されたＩＣチップ１２ａのごく近傍の位置に設けることが可能となり、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとの距離Ｌをさらに短縮することが可能となる。そのため、電波のＩＣチップ１２ａへの流入量をさらに低減することが可能となり、ＩＣチップ１２ａとしての読み出しＩＣ１６から出力される画像データに重畳されるノイズを低減させて、画像データのＳ／Ｎ比を改善することが可能となる。
【００７２】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、センサ基板４とＰＣＢ基板３３とを接続するフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上にＩＣチップ１２ａを実装するように構成する際に、ＩＣチップ１２ａが実装された同一のフィルム１２Ｆ上に、当該ＩＣチップ１２ａに電力を供給する配線１２ｂと、当該電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップ１２ａに供給する配線１２ｃとの間を接続する各コンデンサ１２ｄを設けた。そのため、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとの距離Ｌ（図１０参照）を短縮することが可能となる。
【００７３】
そのため、ＩＣチップ１２ａと各コンデンサ１２ｄとを結ぶ配線１２ｂ、１２ｃのフィルム１２Ｆ上での長さＬが短くなり、その部分を通じて、外界からの電波や放射線画像撮影装置１内の各機能部で発生した電波がＩＣチップ１２ａに流入する量を低減することが可能となる。
【００７４】
そして、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１では、このようにＩＣチップ１２ａに流入する電波の量を低減することが可能となるため、ＩＣチップ１２ａとしての読み出しＩＣ１６から出力される画像データに重畳されるノイズを低減させることが可能となり、読み出された画像データのＳ／Ｎ比を改善することが可能となる。
【００７５】
なお、本実施形態では、ＩＣチップ１２ａが読み出しＩＣ１６であることを前提として説明したが、前述したように、ＩＣチップ１２ａが、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（図７参照）を構成するゲートＩＣである場合にも同様に説明することができる。
【００７６】
すなわち、ゲートＩＣに電力を供給する配線と、その電力に対応する基準電位を供給する配線との間にコンデンサが設けられるが、ゲートＩＣとコンデンサとの間の距離が長いと、その部分を通じて、ゲートＩＣに外界等からの電波が流入する。
【００７７】
そして、ゲートＩＣに電波が流入すると、ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から読み出された電荷を画像データとして読み出す処理の際に、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加される信号読み出し用の電圧（すなわちオン電圧）にゆらぎが生じる。そのため、ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から読み出される電荷にゆらぎが生じ、それが読み出される画像データのノイズとなって現れる場合がある。
【００７８】
そのため、ゲートＩＣに電力を供給する配線と、その電力に対応する基準電位を供給する配線との間を接続するコンデンサを、ゲートＩＣが設けられているフレキシブル回路基板１２の同一のフィルム１２Ｆ上に設けることで、上記と同様に、配線を通じてゲートＩＣに流れ込む電波の量を低減させることが可能となる。そのため、オン電圧に生じるゆらぎが低減され、結果的に、読み出される画像データに重畳されるノイズを低減させることが可能となり、読み出された画像データのＳ／Ｎ比を改善することが可能となる。
【００７９】
なお、上記の本実施形態に係る放射線画像撮影装置１のように構成すれば、各コンデンサ１２ｄをＰＣＢ基板３３に設ける必要がなくなるといった副次的な効果も得られる。
【００８０】
また、上記の実施形態では、１つのＩＣチップ１２ａ内の各機能部に、複数の電源回路３３ａ、３３ｂ、…からそれぞれ電力を供給するように構成されている場合を示したが、必ずしもその構成に限定されず、ＩＣチップ１２ａに１つの電源回路から電力を供給する場合にも、本発明を適用することができる。
【００８１】
さらに、上記の実施形態では、１枚のフレキシブル回路基板１２のフィルム１２Ｆ上に１つのＩＣチップ１２ａが設けられている場合を示したが、フィルム１２Ｆ上に複数のＩＣチップ１２ａが設けられている場合にも、それぞれのＩＣチップ１２ａに対して本発明を適用することができる。
【００８２】
また、上記の実施形態では、ＩＣチップ１２ａに電力を供給する１本の配線１２ｂに対して、この電力に対応する基準電位をＩＣチップ１２ａに供給する配線１２ｃが１本設けられている場合を示したが、例えば複数の配線１２ｂに対して１本の共通の配線１２ｃが設けられている場合にも、本発明を適用することが可能である。
【００８３】
また、上記の実施形態では、例えばＩＣチップ１２ａが読み出しＩＣ１６である場合、図７に示したように、Ａ／Ｄ変換器２０が読み出しＩＣ１６内に内蔵されている場合を示したが、例えば、Ａ／Ｄ変換器２０を含むＩＣチップ１２ａが、読み出しＩＣ１６とは別体とされる場合もある。
【００８４】
このような場合には、読み出しＩＣ１６としてのＩＣチップ１２ａと、Ａ／Ｄ変換器２０を含むＩＣチップ１２ａとのそれぞれについて、それぞれ本発明を適用することが可能である。
【００８５】
また、上記の実施形態では、ＰＣＢ基板３３をセンサ基板４の裏面４ｂ（図６参照）側に配置する場合を示したが、これに限定されず、ＰＣＢ基板３３は、放射線画像撮影装置１内の任意の位置に設けることが可能である。しかし、センサ基板４とＰＣＢ基板３３とがフレキシブル回路基板１２で接続されることが必要である。
【符号の説明】
【００８６】
１ 放射線画像撮影装置
４ センサ基板
５ 走査線
６ 信号線
７ 放射線検出素子
１２ フレキシブル回路基板
１２ａ ＩＣチップ
１２ｂ ＩＣチップに電力を供給する配線
１２ｃ 電力に対応する基準電位をＩＣチップに供給する配線
１２ｄ コンデンサ
１２ｅ 接着剤
１２Ｆ フィルム
１５ｂ ゲートドライバ
１６ 読み出しＩＣ
２３ 記憶手段
３３ ＰＣＢ基板
ｒ 領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線および複数の信号線が互いに交差するように配設され、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域にそれぞれ放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサ基板と、
少なくとも前記放射線検出素子から読み出された画像データを記憶する記憶手段が設けられたＰＣＢ基板と、
前記センサ基板上の配線と、前記ＰＣＢ基板上の配線とを接続するフレキシブル回路基板と、
を備え、
前記フレキシブル回路基板のフィルム上には、少なくとも前記画像データの読み出し処理に用いられるＩＣチップが実装されており、
前記ＩＣチップに電力を供給する前記フィルム上の配線と、前記電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップに供給する前記フィルム上の配線との間を接続するコンデンサが、当該ＩＣチップが実装されている前記フレキシブル回路基板のフィルムと同一のフィルム上に設けられていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記コンデンサは、前記フレキシブル回路基板のフィルム上に実装された前記ＩＣチップの近傍に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記コンデンサは、前記フレキシブル回路基板のフィルム上に前記ＩＣチップを接着する接着剤の周囲の部分に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記ＩＣチップは、前記各信号線に接続され、前記画像データの読み出し処理の際に、前記各信号線を介して前記各放射線検出素子から読み出された電荷を前記画像データに変換する読み出しＩＣであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記ＩＣチップは、前記画像データの読み出し処理の際に、前記各走査線に信号読み出し用の電圧を印加するゲートドライバを構成するゲートＩＣであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１】
複数の走査線および複数の信号線が互いに交差するように配設され、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域にそれぞれ放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサ基板と、
少なくとも前記放射線検出素子から読み出された画像データを記憶する記憶手段が設けられたＰＣＢ基板と、
前記センサ基板上の配線と、前記ＰＣＢ基板上の配線とを接続するフレキシブル回路基板と、
を備え、
前記フレキシブル回路基板のフィルム上には、少なくとも前記画像データの読み出し処理に用いられるＩＣチップが実装されており、
前記ＩＣチップに電力を供給する前記フィルム上の配線と、前記電力に対応する基準電位を当該ＩＣチップに供給する前記フィルム上の配線との間を接続するコンデンサが、当該ＩＣチップが実装されている前記フレキシブル回路基板のフィルムと同一のフィルム上に設けられていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記コンデンサは、前記フレキシブル回路基板のフィルム上に実装された前記ＩＣチップの近傍に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記コンデンサは、前記フレキシブル回路基板のフィルム上に前記ＩＣチップを接着する接着剤の周囲の部分に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記ＩＣチップは、前記各信号線に接続され、前記画像データの読み出し処理の際に、前記各信号線を介して前記各放射線検出素子から読み出された電荷を前記画像データに変換する読み出しＩＣであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記ＩＣチップは、前記画像データの読み出し処理の際に、前記各走査線に信号読み出し用の電圧を印加するゲートドライバを構成するゲートＩＣであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−８３１７０（Ｐ２０１２−８３１７０Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２８６２３（Ｐ２０１０−２２８６２３）
【出願日】平成２２年１０月８日（２０１０．１０．８）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月８日（２０１０．１０．８）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
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