放熱パッケージ基板及びその製造方法
【課題】放熱効率を増大させる放熱パッケージ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６が注入されたヒートパイプ１０２に、冷媒１０６をカバーするように、上部に回路層１１４ａが形成された絶縁層１０８が付着されたヒートパイプ基板１１６ａ、及び回路層１１４ａに実装された電子部品１２０を含んでなるもので、冷媒１０６及びヒートパイプ１０２の放熱作用によって放熱効率が増大する。
【解決手段】冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６が注入されたヒートパイプ１０２に、冷媒１０６をカバーするように、上部に回路層１１４ａが形成された絶縁層１０８が付着されたヒートパイプ基板１１６ａ、及び回路層１１４ａに実装された電子部品１２０を含んでなるもので、冷媒１０６及びヒートパイプ１０２の放熱作用によって放熱効率が増大する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放熱パッケージ基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の小型化、高密度化及び薄型化につれて、パッケージ基板も薄型化、高機能化に対する研究が活発に進んでいる。
【０００３】
特に、液晶表示装置の需要が増加するにしたがい、バックライトユニット（Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）の光源から放出される熱を放出することができる放熱パッケージ基板に対する研究が注目されている。
【０００４】
バックライトユニットの光源としては、円筒状の発光ランプである冷陰極管（Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｌａｍｐ；ＣＣＦＬ）が一般的に使用されてきたが、近年には携帯電話などに用いられる小型液晶パネルを中心として発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；以下、ＬＥＤ）が主に使用されている。
【０００５】
発光ダイオードは、環境に優しいながらも迅速な処理速度及び省エネルギー効果がある点で次世代光源として注目されているが、活性層でエネルギーが光の形態だけでなく熱の形態でも放出されるため、特に放熱問題を解決するための方案が求められている。
【０００６】
図１は従来技術による放熱パッケージ基板の概略断面図である。
【０００７】
図１に示すように、従来技術による放熱パッケージ基板１０は、メタルコア１２の一面に熱伝導度の高い放熱フィラー１６が含まれた放熱絶縁層１４及び回路層１８ａが形成され、この回路層１８ａにＬＥＤ２０が実装された構造を持つ。
【０００８】
このような従来技術による放熱パッケージ基板１０は、図１に矢印で示すように、ＬＥＤ２０から放出される熱が放熱絶縁層１４を介してメタルコア１２に伝達されることにより、放熱がなされる。
【０００９】
しかしながら、従来技術に使用される放熱絶縁層１４は、高価であるため、パッケージ基板の値段も一緒に上昇する問題点があるだけではなく、ＬＥＤ２０から放出される熱がメタルコア１２に直接伝達されるものではなく、放熱絶縁層１４を介して間接的に伝達されるから、放熱効率が落ちる問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明は前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、放熱効率を増大させることができる放熱パッケージ基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明の一面によれば、冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に回路層が形成された絶縁層が付着されたヒートパイプ基板；及び前記回路層に実装された電子部品；を含む、放熱パッケージ基板が提供される。
【００１２】
前記冷媒は、前記絶縁層と直接接触することが好ましい。
【００１３】
前記絶縁層の両側端は、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されることが好ましい。
【００１４】
前記絶縁層の両側端と前記ヒートパイプの両側壁は、その間に介在される熱伝導接着剤を介して付着されることが好ましい。
【００１５】
前記ヒートパイプの両側壁は、前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることが好ましい。
【００１６】
前記ヒートパイプの両側壁は、前記絶縁層の両側端に形成されたバンプを介して前記回路層に連結されていることが好ましい。
【００１７】
前記電子部品は、ＬＥＤであることが好ましい。
【００１８】
前記目的を達成するために、本発明の他の面によれば、（Ａ）冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に金属層が形成された絶縁層を付着する段階；（Ｂ）前記金属層をパターニングして回路層を形成することで、ヒートパイプ基板を製造する段階；及び（Ｃ）前記回路層に電子部品を実装する段階；を含む、放熱パッケージ基板の製造方法が提供される。
【００１９】
前記冷媒は、前記絶縁層と直接接触することが好ましい。
【００２０】
前記絶縁層の両側端は、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されることが好ましい。
【００２１】
前記絶縁層の両側端と前記ヒートパイプの両側壁は、その間に介在される熱伝導接着剤を介して付着されることが好ましい。
【００２２】
前記ヒートパイプの両側壁は、前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることが好ましい。
【００２３】
前記（Ｂ）段階は、（Ｂ１）前記絶縁層に、前記ヒートパイプの両側壁を露出させるビアホールを加工する段階；（Ｂ２）前記ビアホールの内部とともに前記金属層にメッキ層を形成する段階；及び（Ｂ３）前記金属層及びメッキ層をパターニングして回路層を形成する段階；を含むことが好ましい。
【００２４】
前記電子部品は、ＬＥＤであることが好ましい。
【００２５】
本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。
【００２６】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る放熱パッケージ基板は、冷媒を備えたヒートパイプを含み、冷媒及びヒートパイプの放熱作用によって放熱効率が増大する効果がある。
【００２８】
また、本発明に係る放熱パッケージ基板は、電子部品に連結される回路層がビアまたはバンプを介してヒートパイプに連結されて熱を直接伝達することにより、放熱効率が増大する効果がある。
【００２９】
次に、本発明に係る放熱パッケージ基板は、ビアまたはバンプを介して電子部品に放出される熱を直接ヒートパイプに伝達することにより、熱伝導度の高い放熱フィラーが含まれた高価の放熱絶縁層を使用しなくても放熱効率が一層増大する効果がある。
【００３０】
また、本発明に係る放熱パッケージ基板は、冷媒が絶縁層と直接接触することにより、伝熱経路が短くなって放熱効率が一層増大する効果がある。
【００３１】
更に、本発明に係る放熱パッケージ基板の製造方法は、回路及び放熱部材を備えたヒートパイプ基板を一括して先に製造した状態で電子部品を実装することにより、放熱パッケージ基板の製造が一層容易になる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来技術による放熱パッケージ基板の断面図である。
【図２】本発明の好適な第１実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。
【図３】本発明の好適な第２実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。
【図４】本発明の好適な第３実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。
【図５】図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）である。
【図６】図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（２）である。
【図７】図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（３）である。
【図８】図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（４）である。
【図９】図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）である。
【図１０】図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（２）である。
【図１１】図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（３）である。
【図１２】図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（４）である。
【図１３】図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）である。
【図１４】図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（２）である。
【図１５】図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（３）である。
【図１６】図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（４）である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の目的、利点及び特徴は添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例からもっと明らかになろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際して、同じ構成要素には、たとえ異なる図面に表示されていても、できるだけ同一符号を付けることにする。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにすることができると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
【００３４】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３５】
（放熱パッケージ基板の構造−第１実施例）
図２は本発明の好適な第１実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて、本実施例による放熱パッケージ基板１００ａについて説明すれば次のようである。
【００３６】
図２に示すように、本実施例による放熱パッケージ基板１００ａは、ヒートパイプ基板１１６ａ及び電子部品１２０を含んでなるものである。
【００３７】
ヒートパイプ基板１１６ａは、冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６が注入されたヒートパイプ１０２に、冷媒１０６をカバーするように、上部に回路層１１４ａが形成された絶縁層１０８が付着された構造を持つ。
【００３８】
ここで、ヒートパイプ１０２は、放熱機能をするためのもので、高熱伝導度の金属、例えば、ステンレススチール、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル（Ｔａ）、及びこれらの合金の中でいずれか１種で形成される。また、ヒートパイプ１０２は放熱機能を果たすとともにパッケージ基板の変形を最小化するために、熱膨張係数の小さい金属、例えば鉄の熱膨張係数の約１／１０である鉄とニッケルの合金（Ｉｎｖａｒ）で形成されることが好ましい。
【００３９】
また、ヒートパイプ１０２は、内部に冷媒注入用凹部１０４が形成された構造を持つ。すなわち、ヒートパイプ１０２の一面は冷媒注入用凹部１０４によって開放し、他面は閉鎖した構造を持つ。
【００４０】
冷媒１０６は、気化または凝縮しながら電子部品１２０及び回路層１１４ａから伝達される熱を放出するためのもので、例えば蒸留水が使用される。この際、冷媒はヒートパイプ１０２の冷媒注入用凹部１０４に注入され、絶縁層１０８と直接接触することになる。
【００４１】
絶縁層１０８は、上部に回路層１１４ａが形成され、冷媒注入用凹部１０４が形成されたヒートパイプ１０２の一面に付着（積層）される。
【００４２】
すなわち、絶縁層１０８は、両側端が冷媒注入用凹部１０４を形成するヒートパイプ１０２の側壁と接触して付着される。この際、絶縁層１０８の両側端とヒートパイプ１０２の側壁とのの間に熱伝導接着剤が介在して接着力を向上させることができる。これにより、冷媒１０６は絶縁層１０８と直接接触した状態で、ヒートパイプ１０２が形成する冷媒注入用凹部１０４に拘束され、絶縁層１０８と直接接触するので、伝熱経路が最小化して迅速な放熱を果たすことになる。
【００４３】
また、電子部品１２０は、例えば液晶表示装置に使用されるＬＥＤである。
【００４４】
（放熱パッケージ基板の構造−第２実施例）
図３は本発明の好適な第２実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板１００ｂについて説明する。
【００４５】
図３に示すように、本実施例による放熱パッケージ基板１００ｂは、第１実施例による放熱パッケージ基板１００ａにおいて、ヒートパイプ１０２の側壁と回路層１１４ｂがビア１１３を介して連結されたことを特徴とするものである。
【００４６】
すなわち、第１実施例による放熱構造において、回路層１１４ｂを介して伝達される熱がビア１１３を介してヒートパイプ１０２に直接伝達されるようにすることにより、放熱効率が一層改善された構造を提供することができる。この際、回路層１１４ｂは、金属層１１０とメッキ層１１２からなるものである。
【００４７】
（放熱パッケージ基板の構造−第３実施例）
図４は本発明の好適な第３実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板１００ｃについて説明する。
【００４８】
図４に示すように、本実施例による放熱パッケージ基板１００ｃは、第１実施例による放熱パッケージ基板１００ａにおいて、ヒートパイプ１０２の側壁と回路層１１４ｃがバンプＢを介して連結されたことを特徴とするものである。
【００４９】
すなわち、第１実施例による放熱構造において、回路層１１４ｃを介して伝達される熱がバンプＢを介してヒートパイプ１０２に直接伝達されるようにすることにより、放熱効率が一層改善された構造を提供することができる。
【００５０】
（放熱パッケージ基板の製造方法−第４実施例）
図５〜図７は図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板１００ａの製造方法を説明する。
【００５１】
まず、図５に示すように、内部に開放冷媒注入用凹部１０４が形成されたヒートパイプ１０２の冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６を注入し、上部に金属層１１０が形成された絶縁層１０８を、前記冷媒１０６をカバーするように、前記ヒートパイプ１０２に付着する。
【００５２】
この際、冷媒１０６は絶縁層１０８の両側端を除く中間部と接触した状態で絶縁層１０８によってカバーされる。
【００５３】
また、絶縁層１０８の両側端は、冷媒注入用凹部１０４によって形成されるヒートパイプ１０２の両側壁と接触した状態で付着する。すなわち、絶縁層１０８の両側端を加熱して半硬化状態にした状態で、ヒートパイプ１０２の両側壁の上側に配置して硬化させることにより、ヒートパイプ１０２に絶縁層１０８が付着されることができる。
【００５４】
一方、図示しないが、ヒートパイプ１０２と絶縁層１０８の接着力を増大させるために、絶縁層１０８の両側端部とヒートパイプ１０２の両側壁との間に熱伝導接着剤を介在して接着力を増大させることが好ましい。
【００５５】
ついで、図６に示すように、金属層１１０をパターニングして回路層１１４ａを形成し、ヒートパイプ基板１１６ａを製造する。
【００５６】
この際、回路層１１４ａは一般的な回路形成方法によって形成することができる。例えば、金属層１10上にドライフィルム（ＤＦ）層を積層し、露光、現像及びエッチング工程を行うサブトラックティブ工法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ ｍｅｔｈｏｄ）によって形成することができる。
【００５７】
最後に、図７に示すように、回路層１１４ａに電子部品１２０を実装して放熱パッケージ基板１００ａを完成する。本実施例においては、ヒートパイプ基板１１６ａを一括して製造した状態で電子部品１２０を実装することにより、工程収率を増大させることができる。
【００５８】
前述したような製造方法によって、図２に示す放熱パッケージ基板１００ａが製造される。
【００５９】
（放熱パッケージ基板の製造方法−第５実施例）
図８〜図１２は図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板の製造方法を説明する。本実施例の説明において、第４実施例と同一ないし類似の構成要素に対しては同一符号を付け、その重複説明は省略する。
【００６０】
まず、図８に示すように、内部に開放冷媒注入用凹部１０４が形成されたヒートパイプ１０２の冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６を注入し、上部に金属層１１０が形成された絶縁層１０８を、前記冷媒１０６をカバーするように、前記ヒートパイプ１０２に付着する。
【００６１】
ついで、図９に示すように、絶縁層１０８及び金属層１１０にビアホールＨを加工する。
【００６２】
この際、ビアホールＨはヒートパイプ１０２の両側壁を露出させる構造を持つ。これは、機械ドリルまたはレーザードリル（ＣＯ２またはＹａｇレーザー）によって形成可能である。
【００６３】
一方、ビアホールＨの加工の後には、デバリングまたはデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）工程を行うことが好ましい。
【００６４】
ついで、図１０に示すように、ビアホールＨの内部とともに金属層１１０上に銅メッキ工程を行ってメッキ層１１２を形成する。
【００６５】
この際、メッキ層１１２は、無電解メッキ工程によって形成された無電解メッキ層と、この無電解メッキ層上に電解メッキ工程によって形成された電解メッキ層とからなるものである。
【００６６】
ついで、図１１に示すように、金属層１１０及びメッキ層１１２をパターニングして、ビア１１３を含む回路層１１４ｂを形成することでヒートパイプ基板１１６ｂを製造する。
【００６７】
ここで、回路層１１４ｂは、メッキ層１１２上にドライフィルム（ＤＦ）のようなエッチングレジストを塗布してからパターニングし、これをマスクとして用いて、エッチングレジストが形成されなかった領域の金属層１１０及びメッキ層１１２を食刻した後、エッチングレジストを除去することで形成される。
【００６８】
この際、ビア１１３はヒートパイプ１０２の両側壁に連結されるので、電子部品１２０から発生する熱をヒートパイプ１０２に直接伝達する役目をすることになる。
【００６９】
最後に、図１２に示すように、回路層１１４ｂに電子部品１２０を実装する。
【００７０】
前述したような製造方法によって、図３に示す放熱パッケージ基板１００ｂが製造される。
【００７１】
（放熱パッケージ基板の製造方法−第６実施例）
図１３〜図１６は図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板の製造方法について説明する。本実施例の説明において、第４実施例及び第５実施例同一ないし類似の構成要素には同一符号を付け、その重複説明は省略する。
【００７２】
まず、図１３に示すように、冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６が注入されたヒートパイプ１０２の両側壁の上部にバンプＢを形成する。
【００７３】
ここで、バンプＢは、例えば、スクリーンプリント方式によって形成することができる。スクリーンプリントは、開口部が形成されたマスクを通して導電性ペーストを転写する過程によってバンプを印刷する方式である。
【００７４】
すなわち、マスクの開口部の位置を整列し、導電性ペーストをマスクの上面に塗布する。そして、スキージー（ｓｑｕｅｅｇｅｅ）などを利用して導電性ペーストを掻き出せば、開口部を通じて導電性ペーストが押し込みながらヒートパイプ１０２上に転写され、所望の形状及び高さに形成することが可能である。
【００７５】
もちろん、他の公知の方法によってバンプＢを印刷することも本発明の範疇内に含まれる。
【００７６】
ついで、図１４に示すように、バンプＢが形成されたヒートパイプ１０２に絶縁層１０８及び金属層１１０を積層する。
【００７７】
この際、絶縁層１０８は、印刷されたバンプＢの高さより小さな厚さを持つように形成することが好ましく、バンプＢが印刷されたヒートパイプ１０２に絶縁層１０８を積層することで形成される。
【００７８】
ここで、バンプＢは、絶縁層１０８を貫くように、絶縁層１０８より強度が高いものが好ましく、絶縁層１０８は熱硬化性樹脂で形成された半硬化状態のプリプレグが好ましい。好ましくは、絶縁層１０８はバンプＢの高さより小さな厚さを持つので、バンプＢはその高さの差分だけ絶縁層１０８を貫くことになる。
【００７９】
また、金属層１１０は、真空状態で絶縁層１０８を軟化温度以上に加熱するとともに表面が平たいステンレス板のようなプレス板で加圧することにより、絶縁層１０８上に積層することができる。この際、金属層１１０は、例えば銅箔層が使用可能である。
【００８０】
一方、絶縁層１０８及び金属層１１０を一括して積層することも可能である。
【００８１】
ついで、図１５に示すように、金属層１１０をパターニングして回路層１１４ｃを形成することでヒートパイプ基板１１６ｃを製造する。
【００８２】
ここで、回路層１１４ｃは通常のサブトラクティブ法によって形成される。すなわち、金属層１１０上にドライフィルム（ＤＦ）層を積層し、露光、現像及びエッチング工程を行うことで形成することができる。
【００８３】
この際、金属層１１０としては一般的な銅箔層が使用可能であり、パターニングの際に使用されるエッチング液は塩化鉄（ＦｅＣｌ５）腐食液、５塩化銅腐食液（ＣｕＣｌ５）、アルカリ腐食液、及び過酸化水素／硫酸系（Ｈ２Ｏ５／Ｈ２ＳＯ４）腐食液などがある。
【００８４】
最後に、図１６に示すように、回路層１１４ｂに電子部品１２０を実装する。
【００８５】
前述したような製造方法によって、図４に示す放熱パッケージ基板１００ｃが製造される。
【００８６】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による放熱パッケージ基板及びその製造方法はこれに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、放熱効率を増大させる放熱パッケージ基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００８８】
１０２ ヒートパイプ
１０４ 冷媒注入用凹部
１０６ 冷媒
１０８ 絶縁層
１１０ 金属層
１１２ メッキ層
１１３ ビア
１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ 回路層
１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ ヒートパイプ基板
１２０ 電子部品
Ｈ ビアホール
Ｂ バンプ
【技術分野】
【０００１】
本発明は放熱パッケージ基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の小型化、高密度化及び薄型化につれて、パッケージ基板も薄型化、高機能化に対する研究が活発に進んでいる。
【０００３】
特に、液晶表示装置の需要が増加するにしたがい、バックライトユニット（Ｂａｃｋ Ｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）の光源から放出される熱を放出することができる放熱パッケージ基板に対する研究が注目されている。
【０００４】
バックライトユニットの光源としては、円筒状の発光ランプである冷陰極管（Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｌａｍｐ；ＣＣＦＬ）が一般的に使用されてきたが、近年には携帯電話などに用いられる小型液晶パネルを中心として発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；以下、ＬＥＤ）が主に使用されている。
【０００５】
発光ダイオードは、環境に優しいながらも迅速な処理速度及び省エネルギー効果がある点で次世代光源として注目されているが、活性層でエネルギーが光の形態だけでなく熱の形態でも放出されるため、特に放熱問題を解決するための方案が求められている。
【０００６】
図１は従来技術による放熱パッケージ基板の概略断面図である。
【０００７】
図１に示すように、従来技術による放熱パッケージ基板１０は、メタルコア１２の一面に熱伝導度の高い放熱フィラー１６が含まれた放熱絶縁層１４及び回路層１８ａが形成され、この回路層１８ａにＬＥＤ２０が実装された構造を持つ。
【０００８】
このような従来技術による放熱パッケージ基板１０は、図１に矢印で示すように、ＬＥＤ２０から放出される熱が放熱絶縁層１４を介してメタルコア１２に伝達されることにより、放熱がなされる。
【０００９】
しかしながら、従来技術に使用される放熱絶縁層１４は、高価であるため、パッケージ基板の値段も一緒に上昇する問題点があるだけではなく、ＬＥＤ２０から放出される熱がメタルコア１２に直接伝達されるものではなく、放熱絶縁層１４を介して間接的に伝達されるから、放熱効率が落ちる問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明は前記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、放熱効率を増大させることができる放熱パッケージ基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明の一面によれば、冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に回路層が形成された絶縁層が付着されたヒートパイプ基板；及び前記回路層に実装された電子部品；を含む、放熱パッケージ基板が提供される。
【００１２】
前記冷媒は、前記絶縁層と直接接触することが好ましい。
【００１３】
前記絶縁層の両側端は、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されることが好ましい。
【００１４】
前記絶縁層の両側端と前記ヒートパイプの両側壁は、その間に介在される熱伝導接着剤を介して付着されることが好ましい。
【００１５】
前記ヒートパイプの両側壁は、前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることが好ましい。
【００１６】
前記ヒートパイプの両側壁は、前記絶縁層の両側端に形成されたバンプを介して前記回路層に連結されていることが好ましい。
【００１７】
前記電子部品は、ＬＥＤであることが好ましい。
【００１８】
前記目的を達成するために、本発明の他の面によれば、（Ａ）冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に金属層が形成された絶縁層を付着する段階；（Ｂ）前記金属層をパターニングして回路層を形成することで、ヒートパイプ基板を製造する段階；及び（Ｃ）前記回路層に電子部品を実装する段階；を含む、放熱パッケージ基板の製造方法が提供される。
【００１９】
前記冷媒は、前記絶縁層と直接接触することが好ましい。
【００２０】
前記絶縁層の両側端は、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されることが好ましい。
【００２１】
前記絶縁層の両側端と前記ヒートパイプの両側壁は、その間に介在される熱伝導接着剤を介して付着されることが好ましい。
【００２２】
前記ヒートパイプの両側壁は、前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることが好ましい。
【００２３】
前記（Ｂ）段階は、（Ｂ１）前記絶縁層に、前記ヒートパイプの両側壁を露出させるビアホールを加工する段階；（Ｂ２）前記ビアホールの内部とともに前記金属層にメッキ層を形成する段階；及び（Ｂ３）前記金属層及びメッキ層をパターニングして回路層を形成する段階；を含むことが好ましい。
【００２４】
前記電子部品は、ＬＥＤであることが好ましい。
【００２５】
本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以降の詳細な説明からより明らかになるであろう。
【００２６】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に使用された用語や単語は通常的で辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る放熱パッケージ基板は、冷媒を備えたヒートパイプを含み、冷媒及びヒートパイプの放熱作用によって放熱効率が増大する効果がある。
【００２８】
また、本発明に係る放熱パッケージ基板は、電子部品に連結される回路層がビアまたはバンプを介してヒートパイプに連結されて熱を直接伝達することにより、放熱効率が増大する効果がある。
【００２９】
次に、本発明に係る放熱パッケージ基板は、ビアまたはバンプを介して電子部品に放出される熱を直接ヒートパイプに伝達することにより、熱伝導度の高い放熱フィラーが含まれた高価の放熱絶縁層を使用しなくても放熱効率が一層増大する効果がある。
【００３０】
また、本発明に係る放熱パッケージ基板は、冷媒が絶縁層と直接接触することにより、伝熱経路が短くなって放熱効率が一層増大する効果がある。
【００３１】
更に、本発明に係る放熱パッケージ基板の製造方法は、回路及び放熱部材を備えたヒートパイプ基板を一括して先に製造した状態で電子部品を実装することにより、放熱パッケージ基板の製造が一層容易になる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来技術による放熱パッケージ基板の断面図である。
【図２】本発明の好適な第１実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。
【図３】本発明の好適な第２実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。
【図４】本発明の好適な第３実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。
【図５】図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）である。
【図６】図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（２）である。
【図７】図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（３）である。
【図８】図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（４）である。
【図９】図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）である。
【図１０】図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（２）である。
【図１１】図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（３）である。
【図１２】図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（４）である。
【図１３】図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（１）である。
【図１４】図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（２）である。
【図１５】図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（３）である。
【図１６】図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図（４）である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の目的、利点及び特徴は添付図面を参照する以下の詳細な説明及び好適な実施例からもっと明らかになろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際して、同じ構成要素には、たとえ異なる図面に表示されていても、できるだけ同一符号を付けることにする。また、本発明の説明において、関連の公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにすることができると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
【００３４】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３５】
（放熱パッケージ基板の構造−第１実施例）
図２は本発明の好適な第１実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて、本実施例による放熱パッケージ基板１００ａについて説明すれば次のようである。
【００３６】
図２に示すように、本実施例による放熱パッケージ基板１００ａは、ヒートパイプ基板１１６ａ及び電子部品１２０を含んでなるものである。
【００３７】
ヒートパイプ基板１１６ａは、冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６が注入されたヒートパイプ１０２に、冷媒１０６をカバーするように、上部に回路層１１４ａが形成された絶縁層１０８が付着された構造を持つ。
【００３８】
ここで、ヒートパイプ１０２は、放熱機能をするためのもので、高熱伝導度の金属、例えば、ステンレススチール、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル（Ｔａ）、及びこれらの合金の中でいずれか１種で形成される。また、ヒートパイプ１０２は放熱機能を果たすとともにパッケージ基板の変形を最小化するために、熱膨張係数の小さい金属、例えば鉄の熱膨張係数の約１／１０である鉄とニッケルの合金（Ｉｎｖａｒ）で形成されることが好ましい。
【００３９】
また、ヒートパイプ１０２は、内部に冷媒注入用凹部１０４が形成された構造を持つ。すなわち、ヒートパイプ１０２の一面は冷媒注入用凹部１０４によって開放し、他面は閉鎖した構造を持つ。
【００４０】
冷媒１０６は、気化または凝縮しながら電子部品１２０及び回路層１１４ａから伝達される熱を放出するためのもので、例えば蒸留水が使用される。この際、冷媒はヒートパイプ１０２の冷媒注入用凹部１０４に注入され、絶縁層１０８と直接接触することになる。
【００４１】
絶縁層１０８は、上部に回路層１１４ａが形成され、冷媒注入用凹部１０４が形成されたヒートパイプ１０２の一面に付着（積層）される。
【００４２】
すなわち、絶縁層１０８は、両側端が冷媒注入用凹部１０４を形成するヒートパイプ１０２の側壁と接触して付着される。この際、絶縁層１０８の両側端とヒートパイプ１０２の側壁とのの間に熱伝導接着剤が介在して接着力を向上させることができる。これにより、冷媒１０６は絶縁層１０８と直接接触した状態で、ヒートパイプ１０２が形成する冷媒注入用凹部１０４に拘束され、絶縁層１０８と直接接触するので、伝熱経路が最小化して迅速な放熱を果たすことになる。
【００４３】
また、電子部品１２０は、例えば液晶表示装置に使用されるＬＥＤである。
【００４４】
（放熱パッケージ基板の構造−第２実施例）
図３は本発明の好適な第２実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板１００ｂについて説明する。
【００４５】
図３に示すように、本実施例による放熱パッケージ基板１００ｂは、第１実施例による放熱パッケージ基板１００ａにおいて、ヒートパイプ１０２の側壁と回路層１１４ｂがビア１１３を介して連結されたことを特徴とするものである。
【００４６】
すなわち、第１実施例による放熱構造において、回路層１１４ｂを介して伝達される熱がビア１１３を介してヒートパイプ１０２に直接伝達されるようにすることにより、放熱効率が一層改善された構造を提供することができる。この際、回路層１１４ｂは、金属層１１０とメッキ層１１２からなるものである。
【００４７】
（放熱パッケージ基板の構造−第３実施例）
図４は本発明の好適な第３実施例による放熱パッケージ基板の断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板１００ｃについて説明する。
【００４８】
図４に示すように、本実施例による放熱パッケージ基板１００ｃは、第１実施例による放熱パッケージ基板１００ａにおいて、ヒートパイプ１０２の側壁と回路層１１４ｃがバンプＢを介して連結されたことを特徴とするものである。
【００４９】
すなわち、第１実施例による放熱構造において、回路層１１４ｃを介して伝達される熱がバンプＢを介してヒートパイプ１０２に直接伝達されるようにすることにより、放熱効率が一層改善された構造を提供することができる。
【００５０】
（放熱パッケージ基板の製造方法−第４実施例）
図５〜図７は図２に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板１００ａの製造方法を説明する。
【００５１】
まず、図５に示すように、内部に開放冷媒注入用凹部１０４が形成されたヒートパイプ１０２の冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６を注入し、上部に金属層１１０が形成された絶縁層１０８を、前記冷媒１０６をカバーするように、前記ヒートパイプ１０２に付着する。
【００５２】
この際、冷媒１０６は絶縁層１０８の両側端を除く中間部と接触した状態で絶縁層１０８によってカバーされる。
【００５３】
また、絶縁層１０８の両側端は、冷媒注入用凹部１０４によって形成されるヒートパイプ１０２の両側壁と接触した状態で付着する。すなわち、絶縁層１０８の両側端を加熱して半硬化状態にした状態で、ヒートパイプ１０２の両側壁の上側に配置して硬化させることにより、ヒートパイプ１０２に絶縁層１０８が付着されることができる。
【００５４】
一方、図示しないが、ヒートパイプ１０２と絶縁層１０８の接着力を増大させるために、絶縁層１０８の両側端部とヒートパイプ１０２の両側壁との間に熱伝導接着剤を介在して接着力を増大させることが好ましい。
【００５５】
ついで、図６に示すように、金属層１１０をパターニングして回路層１１４ａを形成し、ヒートパイプ基板１１６ａを製造する。
【００５６】
この際、回路層１１４ａは一般的な回路形成方法によって形成することができる。例えば、金属層１10上にドライフィルム（ＤＦ）層を積層し、露光、現像及びエッチング工程を行うサブトラックティブ工法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ ｍｅｔｈｏｄ）によって形成することができる。
【００５７】
最後に、図７に示すように、回路層１１４ａに電子部品１２０を実装して放熱パッケージ基板１００ａを完成する。本実施例においては、ヒートパイプ基板１１６ａを一括して製造した状態で電子部品１２０を実装することにより、工程収率を増大させることができる。
【００５８】
前述したような製造方法によって、図２に示す放熱パッケージ基板１００ａが製造される。
【００５９】
（放熱パッケージ基板の製造方法−第５実施例）
図８〜図１２は図３に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板の製造方法を説明する。本実施例の説明において、第４実施例と同一ないし類似の構成要素に対しては同一符号を付け、その重複説明は省略する。
【００６０】
まず、図８に示すように、内部に開放冷媒注入用凹部１０４が形成されたヒートパイプ１０２の冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６を注入し、上部に金属層１１０が形成された絶縁層１０８を、前記冷媒１０６をカバーするように、前記ヒートパイプ１０２に付着する。
【００６１】
ついで、図９に示すように、絶縁層１０８及び金属層１１０にビアホールＨを加工する。
【００６２】
この際、ビアホールＨはヒートパイプ１０２の両側壁を露出させる構造を持つ。これは、機械ドリルまたはレーザードリル（ＣＯ２またはＹａｇレーザー）によって形成可能である。
【００６３】
一方、ビアホールＨの加工の後には、デバリングまたはデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）工程を行うことが好ましい。
【００６４】
ついで、図１０に示すように、ビアホールＨの内部とともに金属層１１０上に銅メッキ工程を行ってメッキ層１１２を形成する。
【００６５】
この際、メッキ層１１２は、無電解メッキ工程によって形成された無電解メッキ層と、この無電解メッキ層上に電解メッキ工程によって形成された電解メッキ層とからなるものである。
【００６６】
ついで、図１１に示すように、金属層１１０及びメッキ層１１２をパターニングして、ビア１１３を含む回路層１１４ｂを形成することでヒートパイプ基板１１６ｂを製造する。
【００６７】
ここで、回路層１１４ｂは、メッキ層１１２上にドライフィルム（ＤＦ）のようなエッチングレジストを塗布してからパターニングし、これをマスクとして用いて、エッチングレジストが形成されなかった領域の金属層１１０及びメッキ層１１２を食刻した後、エッチングレジストを除去することで形成される。
【００６８】
この際、ビア１１３はヒートパイプ１０２の両側壁に連結されるので、電子部品１２０から発生する熱をヒートパイプ１０２に直接伝達する役目をすることになる。
【００６９】
最後に、図１２に示すように、回路層１１４ｂに電子部品１２０を実装する。
【００７０】
前述したような製造方法によって、図３に示す放熱パッケージ基板１００ｂが製造される。
【００７１】
（放熱パッケージ基板の製造方法−第６実施例）
図１３〜図１６は図４に示す放熱パッケージ基板の製造方法を順に示す工程断面図である。以下、同図に基づいて本実施例による放熱パッケージ基板の製造方法について説明する。本実施例の説明において、第４実施例及び第５実施例同一ないし類似の構成要素には同一符号を付け、その重複説明は省略する。
【００７２】
まず、図１３に示すように、冷媒注入用凹部１０４に冷媒１０６が注入されたヒートパイプ１０２の両側壁の上部にバンプＢを形成する。
【００７３】
ここで、バンプＢは、例えば、スクリーンプリント方式によって形成することができる。スクリーンプリントは、開口部が形成されたマスクを通して導電性ペーストを転写する過程によってバンプを印刷する方式である。
【００７４】
すなわち、マスクの開口部の位置を整列し、導電性ペーストをマスクの上面に塗布する。そして、スキージー（ｓｑｕｅｅｇｅｅ）などを利用して導電性ペーストを掻き出せば、開口部を通じて導電性ペーストが押し込みながらヒートパイプ１０２上に転写され、所望の形状及び高さに形成することが可能である。
【００７５】
もちろん、他の公知の方法によってバンプＢを印刷することも本発明の範疇内に含まれる。
【００７６】
ついで、図１４に示すように、バンプＢが形成されたヒートパイプ１０２に絶縁層１０８及び金属層１１０を積層する。
【００７７】
この際、絶縁層１０８は、印刷されたバンプＢの高さより小さな厚さを持つように形成することが好ましく、バンプＢが印刷されたヒートパイプ１０２に絶縁層１０８を積層することで形成される。
【００７８】
ここで、バンプＢは、絶縁層１０８を貫くように、絶縁層１０８より強度が高いものが好ましく、絶縁層１０８は熱硬化性樹脂で形成された半硬化状態のプリプレグが好ましい。好ましくは、絶縁層１０８はバンプＢの高さより小さな厚さを持つので、バンプＢはその高さの差分だけ絶縁層１０８を貫くことになる。
【００７９】
また、金属層１１０は、真空状態で絶縁層１０８を軟化温度以上に加熱するとともに表面が平たいステンレス板のようなプレス板で加圧することにより、絶縁層１０８上に積層することができる。この際、金属層１１０は、例えば銅箔層が使用可能である。
【００８０】
一方、絶縁層１０８及び金属層１１０を一括して積層することも可能である。
【００８１】
ついで、図１５に示すように、金属層１１０をパターニングして回路層１１４ｃを形成することでヒートパイプ基板１１６ｃを製造する。
【００８２】
ここで、回路層１１４ｃは通常のサブトラクティブ法によって形成される。すなわち、金属層１１０上にドライフィルム（ＤＦ）層を積層し、露光、現像及びエッチング工程を行うことで形成することができる。
【００８３】
この際、金属層１１０としては一般的な銅箔層が使用可能であり、パターニングの際に使用されるエッチング液は塩化鉄（ＦｅＣｌ５）腐食液、５塩化銅腐食液（ＣｕＣｌ５）、アルカリ腐食液、及び過酸化水素／硫酸系（Ｈ２Ｏ５／Ｈ２ＳＯ４）腐食液などがある。
【００８４】
最後に、図１６に示すように、回路層１１４ｂに電子部品１２０を実装する。
【００８５】
前述したような製造方法によって、図４に示す放熱パッケージ基板１００ｃが製造される。
【００８６】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのもので、本発明による放熱パッケージ基板及びその製造方法はこれに限定されなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を持った者によって多様な変形及び改良が可能であろう。本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の範疇内に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求範囲によって明らかに決まるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、放熱効率を増大させる放熱パッケージ基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００８８】
１０２ ヒートパイプ
１０４ 冷媒注入用凹部
１０６ 冷媒
１０８ 絶縁層
１１０ 金属層
１１２ メッキ層
１１３ ビア
１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ 回路層
１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ ヒートパイプ基板
１２０ 電子部品
Ｈ ビアホール
Ｂ バンプ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に回路層が形成された絶縁層が付着されたヒートパイプ基板；及び
前記回路層に実装された電子部品；
を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板。
【請求項２】
前記冷媒が、前記絶縁層と直接接触することを特徴とする、請求項１に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項３】
前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されることを特徴とする、請求項１に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項４】
前記絶縁層の両側端と前記ヒートパイプの両側壁が、その間に介在される熱伝導接着剤を介して付着されることを特徴とする、請求項３に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項５】
前記ヒートパイプの両側壁が、前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、請求項３に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項６】
前記ヒートパイプの両側壁が、前記絶縁層の両側端に形成されたバンプを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、請求項３に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項７】
前記電子部品が、ＬＥＤであることを特徴とする、請求項１に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項８】
（Ａ）冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に金属層が形成された絶縁層を付着する段階；
（Ｂ）前記金属層をパターニングして回路層を形成することで、ヒートパイプ基板を製造する段階；及び
（Ｃ）前記回路層に電子部品を実装する段階；
を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項９】
前記冷媒が、前記絶縁層と直接接触することを特徴とする、請求項８記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されることを特徴とする、請求項８に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層の両側端と前記ヒートパイプの両側壁が、その間に介在される熱伝導接着剤を介して付着されることを特徴とする、請求項１０に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ヒートパイプの両側壁が、前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、請求項１１に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｂ）段階が、
（Ｂ１）前記絶縁層に、前記ヒートパイプの両側壁を露出させるビアホールを加工する段階；
（Ｂ２）前記ビアホールの内部とともに前記金属層にメッキ層を形成する段階；及び
（Ｂ３）前記金属層及びメッキ層をパターニングして回路層を形成する段階；
を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記電子部品が、ＬＥＤであることを特徴とする、請求項８に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１】
冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に回路層が形成された絶縁層が付着されたヒートパイプ基板；及び
前記回路層に実装された電子部品；
を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板。
【請求項２】
前記冷媒が、前記絶縁層と直接接触することを特徴とする、請求項１に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項３】
前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されることを特徴とする、請求項１に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項４】
前記絶縁層の両側端と前記ヒートパイプの両側壁が、その間に介在される熱伝導接着剤を介して付着されることを特徴とする、請求項３に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項５】
前記ヒートパイプの両側壁が、前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、請求項３に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項６】
前記ヒートパイプの両側壁が、前記絶縁層の両側端に形成されたバンプを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、請求項３に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項７】
前記電子部品が、ＬＥＤであることを特徴とする、請求項１に記載の放熱パッケージ基板。
【請求項８】
（Ａ）冷媒注入用凹部に冷媒が注入されたヒートパイプに、前記冷媒をカバーするように、上部に金属層が形成された絶縁層を付着する段階；
（Ｂ）前記金属層をパターニングして回路層を形成することで、ヒートパイプ基板を製造する段階；及び
（Ｃ）前記回路層に電子部品を実装する段階；
を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項９】
前記冷媒が、前記絶縁層と直接接触することを特徴とする、請求項８記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層の両側端が、前記冷媒注入用凹部を形成する前記ヒートパイプの両側壁と接触して付着されることを特徴とする、請求項８に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層の両側端と前記ヒートパイプの両側壁が、その間に介在される熱伝導接着剤を介して付着されることを特徴とする、請求項１０に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ヒートパイプの両側壁が、前記絶縁層の両側端に形成されたビアを介して前記回路層に連結されていることを特徴とする、請求項１１に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｂ）段階が、
（Ｂ１）前記絶縁層に、前記ヒートパイプの両側壁を露出させるビアホールを加工する段階；
（Ｂ２）前記ビアホールの内部とともに前記金属層にメッキ層を形成する段階；及び
（Ｂ３）前記金属層及びメッキ層をパターニングして回路層を形成する段階；
を含むことを特徴とする、放熱パッケージ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記電子部品が、ＬＥＤであることを特徴とする、請求項８に記載の放熱パッケージ基板の製造方法。
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１】
【公開番号】特開２０１０−２０６１５９（Ｐ２０１０−２０６１５９Ａ）
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１９１３７２（Ｐ２００９−１９１３７２）
【出願日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【出願人】（５９１００３７７０）三星電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月２０日（２００９．８．２０）
【出願人】（５９１００３７７０）三星電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
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