有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器
【課題】 観察者が正面から見た場合でも、広角から見た場合でも、色シフトや輝度の変化が生じることのない有機ＥＬ装置、及び有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板２０上に、第１電極２３及び第２電極５０に挟持された発光機能層１１０を有する画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲと、複数の画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲからなる単位画素群Ｐｘを備える有機エレクトロルミネッセンス装置１Ａであって、単位画素群Ｐｘのうちの選択された画素には、発光機能層１１０の発光光Ｌを散乱させる散乱部２１が設けられていること、を特徴とする。
【解決手段】 基板２０上に、第１電極２３及び第２電極５０に挟持された発光機能層１１０を有する画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲと、複数の画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲからなる単位画素群Ｐｘを備える有機エレクトロルミネッセンス装置１Ａであって、単位画素群Ｐｘのうちの選択された画素には、発光機能層１１０の発光光Ｌを散乱させる散乱部２１が設けられていること、を特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡ（Personal Digital Assistants）等の電子機器に使用される表示装置や、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして、有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と称する。）等の発光装置が注目されている。この種の発光装置をカラー用に構成するにあたっては、従来、発光層を構成する材料を画素毎に変えることにより、各画素から各色の光が出射されるように構成されている。
【０００３】
また、近年では、有機ＥＬ装置のガラス基板上に、犠牲酸化膜で凹凸を形成し、発光が閉じ込められるのを回避して、光取り出し効率を向上させる構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、トップエミッション構造において、下側基板の反射層が凹凸を有し、凹凸を平坦化する層の屈折率が発光層の屈折率よりも大きくすることで、発光光を散乱させて、発光層の劣化を防止し、素子寿命を延長させることが可能となる有機ＥＬ装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−７６８６４号公報
【特許文献２】特開２００４−２２４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、本発明者によれば、有機ＥＬ装置のパネルに対して、正面から見た場合と、広角（正面よりも斜め方向）から見た場合とを比較すると、表示色が変化して見えたり、輝度が変化したりするという問題を見出した。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、観察者が正面から見た場合でも、広角から見た場合でも、色シフトや輝度の変化が生じることのない有機ＥＬ装置、及び有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明者は、有機ＥＬ装置の発光層の発光は、そのまま観察者側に出射される場合と、電極で反射してから観察者側に出射される場合とがあることに着目した。そして、このような発光光は、相互に干渉し合うことで、有機ＥＬ装置のパネルを正面から見た場合と、広角（正面よりも斜め方向）から見た場合とで、光路長が異なってしまうことを見出した。これにより、従来の有機ＥＬ装置においては、観察者の見る角度によって、色シフトが生じて色が変化して見えたり、輝度が変化したりするという問題点があった。
【０００７】
また、本発明者は、このような色シフトや輝度の変化が生じるのは、干渉条件のピークが得られる波長が短波長側に寄ってしまうことを見出した。この現象は、波長の短い青色で特に顕著であり、青の波長領域で波長が短くなった場合、視感度が低くなるため、輝度変化が視認し易くなってしまう。
更に、発光層の構造として、有機材料を用いた場合では、青色の波長では波長分散により、屈折率が高くなる傾向があるので、青の視角が３原色（赤、緑、青）の中で、ますます狭くなりがちである。従って、表示品質が著しく損なわれてしまう。
【０００８】
また、直視型有機ＥＬ装置の場合において、青の視角だけが狭いという現象が生じると、三色フルカラーで表示している状態で、観察者が斜めから有機ＥＬ装置のパネルを見ると、青の色度が下がり、黄色味がかってしまい、表示品質が落ちてしまう。
また、他の色よりも視感度が高い緑は、波長が若干長いため、青ほど深刻ではないが、僅かな色の差を認識し易くなってしまい、青と同様の問題が生じることで、有機ＥＬ装置のパネルの斜め方向から見ると、緑色が変色して、エメラルドグリーンになってしまう。
【０００９】
更に、緑の発光層材料として高分子系を採用した場合では、緑の色シフトの問題が顕著である。緑の材料は、ポリフェニレンビニレン系の材料が広く知られているが、発光スペクトルピークがやや黄色の領域にある。そのため、緑（５５０ｎｍ前後）の光束を正面に取り出すような構造とした場合、当該正面より斜め方向から有機ＥＬ装置を観察すると、層構造内の干渉によって干渉ピークが短波長にシフトし、発光強度の弱い波長に干渉ピークが来てしまい、５５０ｎｍ前後の光が取り出せないという問題がある。
結果として、緑色の視角が狭く、広角から観察したときの緑が著しく黄色味を帯びてしまう。特に、緑は、視感度が高いため、認識し易い色シフトとなってしまい、表示品質が落ちてしまう。
また、青と緑で、上記のような問題がある場合、三色フルカラーの有機ＥＬ装置においては、斜めから見た時の表示画像の色温度が大幅に落ちることになり、表示品質が損なわれてしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、本発明者らは、上記の問題点を解決すべく、以下の手段を有する本発明を想到した。
即ち、本発明の有機ＥＬ装置は、基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機ＥＬ装置であって、前記単位画素群のうちの選択された画素には、前記発光機能層の発光光を散乱させる散乱部が設けられていること、を特徴としている。
このようにすれば、散乱部が形成された画素においては、様々な光路長を有する干渉光が基板に入射する際に散乱部によって散乱する。従って、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記単位画素群において、前記複数の画素は、各々、赤色、緑色、及び青色の光を出射するものであって、前記散乱部は、緑色画素又は／及び青色画素に形成されていること、を特徴としている。
ここで、可視光の波長領域の中で、赤色の光は長波長領域にピークを有しており、緑色の光は中波長領域にピークを有しており、青色の光は短波長領域にピークを有していることが知られている。
従って、本発明によれば、緑色画素又は／及び青色画素において、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記散乱部は、前記基板と前記発光機能層の間において、前記基板の表面が可視光を散乱しうる凹凸部を有することによって形成されていること、を特徴としている。
このようにすれば、凹凸部によって様々な色の干渉光束が混在させ、当該光束がランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記散乱部に接して、平坦化層が形成されていること、を特徴としている。
このようにすれば、基板の表面は、レベリングされた状態となり、平坦化層が表面の凹凸をフラットにすることで、有機ＥＬ装置の表示欠陥を抑制できる。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記平坦化層の屈折率は、前記基板の屈折率とは異なること、を特徴としている。
ここで、屈折率の差は、０．０８以上であることが好ましい。このようにすれば、より好適に光を散乱させるので、輝度向上を実現できる。
【００１５】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記散乱部は、前記凹凸部に形成された反射層であること、を特徴としている。
このようにすれば、反射層は凹凸部の形状に倣って、凹凸状の表面を有する層膜となる。従って、反射層の当たる光を反射させると共に散乱させることができる。
【００１６】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記基板に対向配置された対向基板と、前記基板及び前記対向基板を接着する接着層とを有し、前記散乱部は、前記対向基板と前記発光機能層の間において、前記対向基板の表面に形成された凹凸部であること、を特徴としている。
このようにすれば、凹凸部によって様々な色の干渉光束が混在させ、当該光束がランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００１７】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記接着層の屈折率は、前記対向基板の屈折率とは異なること、を特徴としている。
ここで、屈折率の差は、０．０８以上であることが好ましい。このようにすれば、より好適に光を散乱させるので、輝度向上を実現できる。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記基板に対向配置されたカラーフィルタ基板と、前記基板及び前記カラーフィルタ基板を接着する接着層とを有し、当該カラーフィルタ基板は、当該カラーフィルタ基板から前記発光機能層に向けて、基板本体と、前記単位画素群の前記複数の画素に各々対応する複数色の着色層とを有し、前記散乱部は、前記基板本体と前記着色層の間において、前記基板本体の表面に形成された凹凸部であること、を特徴としている。
このようにすれば、着色層によって発光機能層の発光光を着色することができると共に、基板本体の表面に形成された凹凸部で発光光を散乱させることができるので、上記と同様の効果が得られる。
【００１９】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記基板に対向配置されたカラーフィルタ基板と、前記基板及び前記カラーフィルタ基板を接着する接着層とを有し、当該カラーフィルタ基板は、当該カラーフィルタ基板から前記発光機能層に向けて、基板本体と、前記単位画素群の前記複数の画素に各々対応する複数色の着色層と、オーバーコート層とを有し、前記散乱部は、前記オーバーコート層の表面、又は、前記着色層の表面に形成された凹凸部であること、を特徴としている。
【００２０】
このようにすれば、着色層によって発光機能層の発光光を着色することができると共に、オーバーコート層の表面、又は、前記着色層の表面に形成された凹凸部で発光光を散乱させることができるので、上記と同様の効果が得られる。
【００２１】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記接着層は、樹脂充填剤と、前記散乱部としての粒子とを有し、当該粒子の屈折率は、前記樹脂充填剤の屈折率とは異なること、を特徴としている。
ここで、屈折率の差は、０．０８以上であることが好ましい。このようにすれば、より好適に光を散乱させるので、輝度向上を実現できる。
【００２２】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記単位画素群のうちの選択された画素に、前記発光機能層の発光光を散乱させる散乱部を形成する工程を含むこと、を特徴としている。
このようにすれば、散乱部が形成された画素においては、様々な光路長を有する干渉光が基板に入射する際に散乱部によって散乱する。従って、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００２３】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記散乱部を形成する工程は、前記基板に対してフッ酸処理を施すことによって、又は、前記基板に対して、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び樹脂層のいずれかをパターニング形成することによって、前記基板に凹凸部を形成すること、を特徴としている。
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記散乱部を形成する工程は、樹脂層を形成した後に、当該樹脂層にオゾンプラズマ処理を施して、当該樹脂層に凹凸部を形成すること、を特徴としている。
このようにすれば、微細な凹凸部を形成することができる。
【００２４】
また、本発明の電子機器は、先に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴としている。
このようにすれば、高輝度化が実現され、色シフトが抑制された表示部を備える電子機器となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を詳しく説明する。
なお、この実施の形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２６】
（有機ＥＬパネル）
まず、本発明の有機ＥＬ装置に係る有機ＥＬパネルの実施形態を説明する。
図１は、有機ＥＬパネル１の配線構造を示す模式図である。
本実施形態の有機ＥＬパネル１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とからなる配線構成を有し、走査線１０１…と信号線１０２…との各交点付近に画素Ｘ…を形成したものである。
もちろん本発明の技術的思想に沿えば、ＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
【００２７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２８】
更に、画素Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）２３と、当該画素電極２３と陰極（第２電極）５０との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。
【００２９】
次に、本実施形態の有機ＥＬパネル１の具体的な態様を、図２及び図３を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬパネル１の構成を模式的に示す平面図である。図３は有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の単位画素群を模式的に示す断面図である。
【００３０】
まず、図２を参照し、有機ＥＬパネル１の構成を説明する。
図２は、基板２０上に形成された各種配線，ＴＦＴ，画素電極，各種回路によって、発光機能層１１０を発光させる有機ＥＬパネル１を示す図である。
図２に示すように、有機ＥＬパネル１は、電気絶縁性を備える基体２０と、スイッチング用ＴＦＴ１１２に接続された画素電極２３が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素Ｘ（図１参照）と、画素Ｘの周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくとも画素Ｘ上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを備えて構成されている。
なお、本実施形態において画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００３１】
実表示領域４においては、赤色発光（Ｒ）、緑色発光（Ｇ）、及び青色発光（Ｂ）で各々発光する、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢが紙面左右方向に規則的に配置されている。また、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々は、紙面縦方向において同一色で配列しており、所謂ストライプ配置を構成している。また、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々は、先述のＴＦＴ１１２，１２３の動作に伴って、ＲＧＢの各色で発光する発光機能層１１０を備えた構成となっている。そして、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢが一つのまとまりとなって、単位画素群Ｐｘ（後述）が構成されており、当該単位画素群ＰｘはＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。従って、単位画素群Ｐｘがマトリクス状に配置されることで構成された実表示領域４においては、フルカラーの画像を表示するようになっている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下層側に位置して設けられている。
【００３２】
また、実表示領域４の図２中上方側には検査回路９０が配置されており、この検査回路９０はダミー領域５の下層側に配置されて設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬパネル１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（不図示）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬパネル１の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００３３】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、有機ＥＬパネル１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００３４】
（有機ＥＬ素子の第１実施形態）
次に、図３を参照し、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第１実施形態について、有機ＥＬ素子の単位画素群の構造を説明する。
なお、図３においては、有機ＥＬ素子を構成する画素電極２３，発光機能層１１０，及び陰極５０について詳述し、画素電極２３には駆動用ＴＦＴ１２３が接続されているものとする。また、画素電極２３は、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、青色画素ＸＢの各々に形成されているものとし、図１に示したように駆動用ＴＦＴ１２３によって画素毎に発光させるようになっている。
【００３５】
図３に示すように、有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ａの単位画素群Ｐｘは、基板２０上に、画素電極２３及び陰極５０に挟持された発光機能層１１０を備えている。また、基板２０に対向配置された封止基板（不図示）が設けられ、各電極２３，５０及び発光機能層１１０は、基板２０と、封止基板の間に配置されている。当該基板２０と封止基板の間は、窒素ガス等の不活性ガスが充填された空間であり、不図示の乾燥剤やゲッター剤によって乾燥状態に維持されている。
また、発光機能層１１０は、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々について、異なる発光材料を有しており、ＲＧＢの各色を発光するようになっている。また、発光光Ｌは、基板２０を透過して出射するようになっている。従って、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａ（有機ＥＬパネル１）は、ボトムエミッション型を構成している。
【００３６】
基板２０は、透明性基板であり、本実施形態ではガラス基板を用いている。また、ガラス基板材料は、５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．５４の屈折率を有している。
また、基板２０と発光機能層１１０の間において、当該基板２０の表面２０ａには、青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部（散乱部）２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１が設けられている。ここで、「青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ａの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に青色画素ＸＢと、凹凸部２１とが重なり合う位置にあることを意味している。また、換言すると、このような凹凸部２１は、基板２０と発光機能層１１０（後述）の間において、基板２０の表面２０ａに形成された部位である。
【００３７】
このような凹部２１の形成方法（散乱部を形成する工程）は、ガラス基板２０の表面２０ａにポジレジストを塗布及び焼成し、マスクを使用して青色画素ＸＢに対応する部分のみに紫外線光を照射して露光処理を行って更に現像処理を行う。これにより、緑色画素ＸＧ及び赤色画素ＸＲに対応する部分がレジストで被覆された状態となり、青色画素ＸＢに対応する部分の表面２０ａが露出状態となる。そして、フッ酸系の薬液にガラス基板２０を晒すフッ酸処理を施すことで、青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成する。その後、レジストの残部の剥離を行う。
【００３８】
また、基板２０において、凹凸部２１を含む表面２０ａの全面には、平坦化層２２が形成されている。換言すれば、平坦化層２２は、基板２０と、画素電極２３との間に設けられている。これによって、基板２０の表面２０ａは、レベリングされた状態となり、平坦化層２２が基板２０の表面２０ａの凹凸をフラットにすることで、有機ＥＬ素子１Ａの表示欠陥を抑制する。
このような平坦化層２２は、ポリマー樹脂を材料とする層膜であり、５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．８０の屈折率を有しており、ガラス基板２０の屈折率とは異なっている。また、その屈折率差は０．２６である。
このような平坦化層の形成方法は、スピンコート法を利用して、ポリマー樹脂を塗布形成することによって行われる。また、塗布後には、熱処理或いは紫外線照射によってポリマー樹脂を硬化させる。
【００３９】
画素電極２３は、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、或いは、酸化スズ、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物等の透明導電膜である。本実施形態では、ＩＴＯ膜を採用している。当該ＩＴＯ膜は、５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．８２の屈折率を有している。
このような画素電極２３の形成方法としては、スパッタ法によって基板２０上の全面に透明導電膜を製膜した後に、レジストマスクを介在させたウエットエッチング処理を行うことで、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々に対応させて画素電極２３がパターニング形成される。
【００４０】
発光機能層１１０は、画素電極２３上に形成された正孔輸送層（発光機能層）７０と、当該正孔輸送層７０上に形成された有機ＥＬ層（発光機能層）６０と、当該有機ＥＬ層６０上に形成された電子輸送層（発光機能層）５５と、が積層されて構成されている。
【００４１】
正孔輸送層７０とは、有機ＥＬ層６０に正孔を輸送／注入する機能を有する層膜である。このような正孔輸送層７０の形成材料としては、高分子材料では特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、即ち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔輸送層７０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。低分子材料では、銅フタロシアニン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＤ、α―ＮＰＤなど、通常の正孔注入材料を蒸着法にて用いることができる。
【００４２】
有機ＥＬ層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。また、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々に有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂを設けることで、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ素子となる。
有機ＥＬ層６０（６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ）の形成材料として具体的には、高分子材料としては（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。低分子材料としては、Ａｌｑ３、ＤＰＶＢｉなどのホスト材料、これにナイルレッド、ＤＣＭ、ルブレン、ぺリレン、ローダミンなどをドープして、またはホスト単独で、蒸着法にて用いることができる。
また、赤色の有機ＥＬ層６０Ｒの形成材料としては例えばＭＥＨＰＰＶ（ポリ（３−メトキシ６−（３−エチルヘキシル）パラフェニレンビニレン）を、緑色の有機ＥＬ層６０Ｇの形成材料としては例えばポリジオクチルフルオレンとＦ８ＢＴ（ジオクチルフルオレンとベンゾチアジアゾールの交互共重合体）の混合溶液を、青色の有機ＥＬ層６０Ｂの形成材料としては例えばポリジオクチルフルオレンを用いる場合がある。
【００４３】
電子輸送層５５とは、有機ＥＬ層６０に電子を輸送／注入する機能を有する層膜である。このような電子輸送層５５の形成材料としては、例えば、ＬｉＦやＳｒＦ２等のアルカリ土類金属やアルカリ金属の化合物が採用される。
【００４４】
陰極５０は、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂに対向する共通電極である。当該陰極５０は、有機ＥＬ層６０上に設けられた低仕事関数の金属からなる第１陰極と、該第１陰極上に設けられて該第１陰極を保護する第２陰極とからなるものである。第１陰極を形成する低仕事関数の金属としては、特に仕事関数が３．０ｅＶ以下の金属であるのが好ましく、具体的にはＣａ（仕事関数；２．６ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数；２．１ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数；２．５ｅＶ）が好適に用いられる。第２陰極は、第１陰極を覆って酸素や水分などからこれを保護するとともに、陰極５０全体の導電性を高めるために設けられたものである。本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａは、基板２０側から発光光を取り出すボトムエミッション型であるから陰極５０は非透明であり、反射性金属としてアルミニウム等が採用される。
なお、陰極の表面に封止層が設けられていてもよい。当該封止層としては、陰極５０に被覆形成された酸化窒化シリコン膜等のパシベーション膜が採用される。これにより、発光機能層１１０への水分や酸素の侵入を抑制することが可能となる。
【００４５】
なお、上記の構成を有する単位画素群Ｐｘにおいては、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの相互間にバンク（隔壁）が形成されてもよい。
この場合、高分子材料からなる発光機能層を液滴吐出法によって形成することができる。また、バンクは、無機材料からなるバンクと、有機材料からなる有機バンクによって構成されていることが好ましい。また、無機バンクの表面には親液性が付与され、有機バンクの表面には撥液性が付与されていることが好ましい。これによって、液滴吐出法によって発光機能層１１０を形成する際に、バンク間に液滴を留めることができる。
また、上記の発光機能層１１０は、低分子材料から構成されていてもよい。この場合、発光機能層はマスク蒸着法を用いて形成されるので、バンクを形成する必要ない。また、低分子系の発光機能層としては、正孔輸送層や電子注入バッファ層が含まれていることが好ましい。
【００４６】
このように構成された有機ＥＬ素子１Ａにおいては、画素電極２３と陰極５０の間に電流が流れると、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）は発光し、発光光Ｌは画素電極２３を直接通じて基板２０から出射したり、陰極５０で反射してから画素電極２３を通じて基板２０から出射したりする。このとき、凹凸部２１が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板２０に入射する際に、凹凸部２１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ素子１Ａを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００４７】
【表１】
【００４８】
表１は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
以下の説明において、「正面」とは有機ＥＬ素子の表示面に対して鉛直方向から観察することを意味し、「斜め」とは有機ＥＬ素子の表示面に対して鉛直方向よりも４５°傾けた方向から観察することを意味する。
また、「相対輝度」とは、有機ＥＬ素子の表示面（実表示領域）に対して正面（０°）から観察した輝度（１００％）に対して、４５°斜めから観察した場合（４５°）の輝度の割合を意味する。
表１から明らかなように、凹凸部２１を有していない従来例では、相対輝度が２５．２３％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６３．６４％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【００４９】
なお、本実施形態では、凹凸部２１を形成するのに、フッ酸処理を用いてガラス基板２０の表面２０ａに多数の凹凸を形成したが、ＳｉＯ２（シリコン酸化物）やＳｉＮ（シリコン窒化物）、アクリル樹脂（樹脂層）等によって青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに付加的に凸状部（凹凸部）を形成してもよい。
具体的に、ＳｉＯ２やＳｉＮを付加的に表面２０ａに形成する場合には、例えば、マスクスパッタ法やマスク蒸着法を利用することにより、基板２０における青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、ＳｉＯ２やＳｉＮの凸状部をパターニング形成する方法が採用される。
また、アクリル樹脂を付加的に形成する場合には、例えば、光硬化性の樹脂層を表面２０ａの全面に形成した後に、露光マスクを介して露光光を照射し、現像処理を行うことにより、基板２０における青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、アクリル樹脂の凸状部をパターニング形成する方法が採用される。
【００５０】
また、本実施形態では、平坦化層２２を基板２０の全面に形成したが、凹凸部２１のみに平坦化層２２を形成して、当該凹凸部２１の平坦化を行ってもよい。この場合、平坦化層２２を塗布する前に、基板２０を表面保護テープ等で被覆したり等のマスキング処理を行うことで、凹凸部２１を形成した青色画素ＸＢのみに、平坦化層２２を形成することができる。
【００５１】
また、本実施形態では、ハーフミラーや誘電体多層膜等を、画素電極２３と平坦化層２２の間に設ける等、有機ＥＬ素子１Ａ内に備えた場合も適用可能である。このようにハーフミラーや誘電体多層膜を備える場合では、発光光の干渉がより起こりやすくなり、色シフトが生じやすくなる傾向があるが、上記のように凹凸部２１を設けたことで、発光光を散乱させて、色シフト及び輝度の減少を抑制できる。
【００５２】
【表２】
【００５３】
表２は、本実施形態における平坦化層２２と基板２０との屈折率差を変化させた場合について、青色画素ＸＢの発光を斜めから観察した場合（４５°）の相対輝度を示している。
また、表２において、「Δｎ」とは、ガラス基板２０と平坦化層２２との屈折率の差を意味している。また、表２において、Δｎが「０」となっているのは、従来の有機ＥＬ素子を示しており、凹凸部２１が形成されていない場合を意味する。
【００５４】
また、図４は、表２に基づいて得られたグラフであり、横軸に「Δｎ」、縦軸に相対輝度をプロットしたものである。
表２及び図４から明らかなように、平坦化層２２と基板２０との屈折率の差が０．０８以上である場合において、４５°視角から観察した相対輝度が約６０％以上となることが分かる。このように、凹凸部２１を形成すると共に、平坦化層２２と基板２０との屈折率の差を０．０８以上にすることで、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。また、Δｎが正の値でも、負の値でも同様の効果が得られることが確認された。
【００５５】
（有機ＥＬ素子の第２実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第２実施形態を説明する。
本実施形態と第１実施形態とは、凹凸部２１が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００５６】
本実施形態において、基板２０の表面２０ａには、緑色画素ＸＧに対応する位置に凹凸部２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部２１が設けられている。ここで、「緑色画素ＸＧに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ａの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に緑色画素ＸＧと、凹凸部２１とが重なり合う位置にあることを意味している。このような凹凸部２１の形成方法は、第１実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成している。
【００５７】
また、緑色画素ＸＧの有機ＥＬ層６０Ｇは、ポリフェニレンビニレン系の高分子材料で形成されている。このような材料は、発光スペクトルピークがやや黄色の領域にある。そのため、緑（５５０ｎｍ前後）の光束を正面に取り出すような構造とした場合、当該正面より斜め方向から有機ＥＬパネルを観察すると、層構造内の干渉によって干渉ピークが短波長にシフトし、発光強度の弱い波長に干渉ピークが来てしまい、５５０ｎｍ前後の光が取り出しにくいという特性を有している。
【００５８】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは画素電極２３を直接通じて基板２０から出射したり、陰極５０で反射してから画素電極２３を通じて基板２０から出射したりする。このとき、凹凸部２１が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板２０に入射する際に、凹凸部２１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ素子１Ａを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
これにより、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【００５９】
【表３】
【００６０】
表３は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表３の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
一般的に、色差が０．０２以上の値である場合には、色の変化が観察者によって認識可能である色変化であり、色シフトが顕著に観察されてしまうことを意味している。一方、色差が０．０２よりも低い値である程、色の変化が小さいことを意味している。
【００６１】
表３に示すように、従来例における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．４０３ ０．５８２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．４５４ ０．５５２）となり、色差は０．０３３となった。
これに対し、本実施形態における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．４０５ ０．５７５）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．４２２ ０．５６６）となり、色差は０．０１０となった。
従って、表３から明らかなように、凹凸部２１を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００６２】
（有機ＥＬ素子の第３実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第３実施形態を説明する。
本実施形態と第１実施形態とは、凹凸部２１が緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００６３】
本実施形態において、基板２０の表面２０ａには、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１が設けられている。ここで、「緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ａの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢと、凹凸部２１とが重なり合う位置にあることを意味している。このような凹凸部２１の形成方法は、第１実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成している。
【００６４】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは画素電極２３を直接通じて基板２０から出射したり、陰極５０で反射してから画素電極２３を通じて基板２０から出射したりする。このとき、凹凸部２１が形成された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板２０に入射する際に、凹凸部２１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ素子１Ａを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００６５】
【表４】
【００６６】
表４は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表４に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．４２ ０．４１）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３４ ０．３５）となり、色差は０．００７となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表４から明らかなように、凹凸部２１を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００６７】
（有機ＥＬ素子の第４実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第４実施形態を説明する。
図５は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、陰極５０を通じて発光機能層１１０の発光を取り出すトップエミッション構造である点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【００６８】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｂにおいては、基板２０の表面２０ａにおける青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部２１が形成されていると共に、凹凸部２１を含む基板２０の表面２０ａの全面に反射層２４が形成されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１が設けられている。これによって、反射層２４は、青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１の形状に倣って凹凸状の表面を有し、本発明の散乱部として機能する。このような反射層２４の材料としては、銀（Ａｇ）やアルミニウム等の光反射性の金属が採用される。
【００６９】
従って、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々において発光した光は、陰極５０を通じて基板２０の反対側に出射するだけでなく、反射層２４によって反射した後に陰極５０を通じて基板２０の反対側に、発光光Ｌとして出射する。そして、緑色画素ＸＧ及び赤色画素ＸＲにおいてはその発光光は平坦な反射層２４によって陰極５０に向けて反射するのに対し、青色画素ＸＢにおいてはその発光光は凹凸状の反射層２４によって散乱及び反射する。
【００７０】
このような有機ＥＬ素子１Ｂは、トップエミッション型であり、陰極５０から発光光を取り出す構造であるため、陰極５０の材料としては、透明導電膜のＩＴＯが採用される。
また、画素電極２３は、赤色画素ＸＲに形成された画素電極２３Ｒ、緑色画素ＸＧに形成された画素電極２３Ｇ、及び青色画素ＸＢに形成された画素電極２３Ｂによって構成されている。そして、各画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、その膜厚が各々異なっており、その膜厚の大小関係は、画素電極２３Ｒ＞画素電極２３Ｇ＞画素電極２３Ｂとなっている。このように、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、膜厚が異なると共に透明性を有するので、光共振器として機能させることができる。即ち、光共振器の光学長を画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ毎に異ならせる（調整する）ことが可能となる。例えば、長波長（例えば赤色光）の発光を行う画素の画素電極２３Ｒの膜厚を長くして、その光学長を合わせることができ、短波長（例えば青色光）の発光を行う画素の画素電極２３Ｂの膜厚を短くして、その光学長を合わせることができる。
その他、画素電極２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂの膜厚を異ならせずに、発光層ＸＲ、ＸＧ、ＸＢの材料を異ならせることによって、画素を形成することも可能である。
【００７１】
また、反射層２４の全面には、平坦化層２２が形成されている。これによって、基板２０の表面２０ａは、レベリングされた状態となり、平坦化層２２が反射層２４の表面の凹凸をフラットにすることで、有機ＥＬ素子１Ｂの表示欠陥を抑制する。
【００７２】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから画素電極２３と陰極５０を通じて出射したりする。このとき、凹凸状の反射層２４が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、反射層２４によって散乱及び反射する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｂを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００７３】
【表５】
【００７４】
表５は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表５の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表５から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例では、相対輝度が２８．５４％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６５．７５％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【００７５】
（有機ＥＬ素子の第５実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第５実施形態を説明する。
本実施形態と第４実施形態とは、緑色画素ＸＧに凹凸状の反射層２４が形成されている点が相違している。また、他の構成は、第４実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００７６】
本実施形態において、基板２０の表面２０ａには、緑色画素ＸＧに対応する位置に凹凸部２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部２１が設けられている。このような凹凸部２１の形成方法は、第１実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成している。
また、凹凸部２１に倣って反射層２４が形成されているので、当該反射層２４は緑色画素ＸＧの発光光を散乱及び反射させる。
【００７７】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから画素電極２３と陰極５０を通じて出射したりする。このとき、凹凸状の反射層２４が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、反射層２４によって散乱及び反射する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｂを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
これにより、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【００７８】
【表６】
【００７９】
表６は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表６の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
【００８０】
表６に示すように、従来例における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．２２９ ０．６８２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．２０５ ０．５６５）となり、色差は０．０３０となった。
これに対し、本実施形態における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．２２０ ０．６５２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．２１０ ０．６２０）となり、色差は０．００８となった。即ち、本実施形態では、色差が０．０２よりも小さくなるので、観察者から見て色シフトが認識されないものとなる。
従って、表６から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００８１】
（有機ＥＬ素子の第６実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第６実施形態を説明する。
本実施形態と第４実施形態とは、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに凹凸状の反射層２４が形成されている点が相違している。また、他の構成は、第４実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００８２】
本実施形態において、基板２０の表面２０ａには、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１が設けられている。このような凹凸部２１の形成方法は、第１実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成している。
また、凹凸部２１に倣って反射層２４が形成されているので、当該反射層２４は緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢの発光光を散乱及び反射させる。
【００８３】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから画素電極２３と陰極５０を通じて出射したりする。このとき、凹凸状の反射層２４が形成された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、反射層２４によって散乱及び反射する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｂを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００８４】
【表７】
【００８５】
表７は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表７に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３８ ０．３６）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３３７ ０．３４５）となり、色差は０．００９となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表７から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００８６】
（有機ＥＬ素子の第７実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第７実施形態を説明する。
図６は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、対向基板を備えたトップエミッション構造である点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【００８７】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｃは、基板２０に対向配置された対向基板３０と、基板２０及び対向基板３０を接着する接着層３５とを備えている。そして、基板２０と対向基板３０との間に、先述の画素電極２３及び陰極５０によって挟持された発光機能層１１０が形成されている。
ここで、対向基板３０は、トップエミッション型の有機ＥＬパネルを構成する基板であるため、ガラス基板等の透明基板が採用される。本実施形態では、基板２０と同一の屈折率（５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．５４の屈折率）を有するガラス基板を対向基板３０として採用している。
また、対向基板３０と発光機能層１１０の間において、当該対向基板３０の表面３０ａには、青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部（散乱部）３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部３１が設けられている。ここで、「青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ｃの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に青色画素ＸＢと、凹凸部３１とが重なり合う位置にあることを意味している。また、換言すると、このような凹凸部３１は、基板２０と発光機能層１１０（後述）の間において、対向基板３０の表面３０ａに形成された部位である。
また、このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【００８８】
接着層３５は、例えばアクリルやエポキシ等の樹脂充填剤からなる層膜である。また、当該接着層３５は、基板２０の陰極５０の表面を被覆するように塗布されたり、或いは、対向基板３０の表面３０ａを被覆するように塗布されたりした後に、基板２０と対向基板３０とを貼り合わせることで、当該両基板２０，３０の間に充填される。
【００８９】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃにおいては、基板２０上に反射膜２４が形成され、当該反射膜２４上に画素電極２３（２３Ｂ，２３Ｇ，２３Ｒ）が形成されている。ここで、画素電極２３は、必ずしも透明導電膜によって形成される必要はなく、金属反射膜であってもよい。このようにすれば、反射膜２４は不要になり、製造工程数を削減できる。
【００９０】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及び対向基板３０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及び対向基板３０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、対向基板３０に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｃを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００９１】
【表８】
【００９２】
表８は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表８の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表８から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例では、相対輝度が２８．５４％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６０．２８％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【００９３】
（有機ＥＬ素子の第８実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第８実施形態を説明する。
本実施形態と第７実施形態とは、凹凸部３１が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第７実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００９４】
本実施形態において、対向基板３０の表面３０ａには、緑色画素ＸＧに対応する位置に凹凸部３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部３１が設けられている。このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【００９５】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及び対向基板３０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及び対向基板３０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、対向基板３０に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｃを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
これにより、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【００９６】
【表９】
【００９７】
表９は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表９の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
【００９８】
表９に示すように、従来例における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．２２９ ０．６８２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．２０５ ０．５６５）となり、色差は０．０３０となった。
これに対し、本実施形態における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．２２０ ０．６５２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．２１３ ０．６１８）となり、色差は０．００８となった。即ち、本実施形態では、色差が０．０２よりも小さくなるので、観察者から見て色シフトが認識されないものとなる。
従って、表９から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例と比較して、本実施形態では、若干、正面のｘ値が増加し、僅かに青色味がかかったが、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００９９】
（有機ＥＬ素子の第９実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第９実施形態を説明する。
本実施形態と第７実施形態とは、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに凹凸状の反射層２４が形成されている点が相違している。また、他の構成は、第７実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１００】
本実施形態において、対向基板３０の表面３０ａには、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて凹凸部３１が設けられている。このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【０１０１】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及び対向基板３０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及び対向基板３０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、対向基板３０に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｃを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１０２】
【表１０】
【０１０３】
表１０は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１０に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３８ ０．３６）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３４８ ０．３４４）となり、色差は０．０１２となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表１０から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【０１０４】
（有機ＥＬ素子の第１０実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第１０実施形態を説明する。
図７は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、カラーフィルタ基板を備えたトップエミッション構造である点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【０１０５】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｄは、基板２０に対向配置されたカラーフィルタ基板４０と、基板２０及びカラーフィルタ基板４０を接着する接着層３５とを備えている。そして、基板２０とカラーフィルタ基板４０との間に、先述の画素電極２３及び陰極５０によって挟持された発光機能層１１０が形成されている。
ここで、カラーフィルタ基板４０は、基板本体４１と、着色層４２（４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒ）とを備えている。
【０１０６】
基板本体４１は、トップエミッション型の有機ＥＬパネルを構成する基板であるため、ガラス基板等の透明基板が採用される。本実施形態では、基板２０と同一の屈折率（５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．５４の屈折率）を有するガラス基板を基板本体４１として採用している。
【０１０７】
着色層４２は、基板本体４１と接着層３５との間に位置していると共に、着色層４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒの各々は、単位画素群Ｐｘの複数の画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲに各々対応して設けられている。即ち、青色発光の有機ＥＬ層６０Ｂには着色層４２Ｂが対応し、緑色発光の有機ＥＬ層６０Ｇには着色層４２Ｇが対応し、赤色発光の有機ＥＬ層６０Ｒには着色層４２Ｒが対応している。
これによって、有機ＥＬ層６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒの各色の発光光は、同色の着色層を通過するので、各画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々から出射される各色光は、色濃度が高い色を有することとなる。また、このような着色層４２を備えたことで、有機ＥＬ層６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒの発光の色補正を行うことが可能となる。
【０１０８】
なお、有機ＥＬ層６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒに代えて、各画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々が白色発光可能な有機ＥＬ層を備えていてもよい。この場合、白色光が着色層４２Ｂを透過することで画素ＸＢから青色光を得ることができ、白色光が着色層４２Ｇを透過することで画素ＸＧから緑色光を得ることができ、白色光が着色層４２Ｒを透過することで画素ＸＲから赤色光を得ることができる。
【０１０９】
また、基板本体４１と着色層４２（４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒ）の間において、当該基板本体４１の表面３０ａには、青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部（散乱部）３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部３１が設けられている。ここで、「青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ｄの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に青色画素ＸＢと、凹凸部３１とが重なり合う位置にあることを意味している。また、換言すると、このような凹凸部３１は、基板本体４１と着色層４２の間において、基板本体４１の表面４１ａに形成された部位である。
また、このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【０１１０】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄにおいては、基板２０上に反射膜２４が形成され、当該反射膜２４上に画素電極２３が形成されている。ここで、画素電極２３は、必ずしも透明導電膜によって形成される必要はなく、金属反射膜であってもよい。このようにすれば、反射膜２４は不要になり、製造工程数を削減できる。
また、有機ＥＬ素子１Ｄにおいては、画素電極２３を画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々に対して異なる膜厚で形成して、光共振器の光学長を調整してもよい（図５、図６参照）。
【０１１１】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板本体４１に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
これに対し、凹凸部３１が形成されていない従来では、光路長が長くなると着色層４２の透過範囲から外れてしまい輝度が暗くなってしまう。また、着色層４２には吸収スペクトルがあり、色シフトが緩和されるといっても、ピーク波長が長波長側にシフトすれば、視認でき得る色シフトの原因となる。
これに対して、本実施形態においては、凹凸部３１を有する青色画素ＸＢにおいて様々な光路長を有する干渉光は、基板本体４１に入射する際に、凹凸部３１によって散乱される。従って、様々な光路長を有する干渉光束、つまり、様々な色の干渉光束がランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｄを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１１２】
【表１１】
【０１１３】
表１１は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１１の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１１から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例では、相対輝度が２５．６８％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６６．１４％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１１４】
（有機ＥＬ素子の第１１実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１１実施形態を説明する。
本実施形態と第１０実施形態とは、凹凸部３１が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１０実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１１５】
本実施形態において、基板本体４１の表面４１ａには、緑色画素ＸＧに対応する位置に凹凸部３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部３１が設けられている。このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【０１１６】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板本体４１に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｃを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
また、本実施形態では、緑色の発光量が高分子系よりも少ない低分子系材料を用いる場合において、緑色の視角を広げることが可能となるので、高輝度広視角を得やすくなる。
また、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【０１１７】
【表１２】
【０１１８】
表１２は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１２の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１２から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例では、相対輝度が４４．６１％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が５０．２８％となった。従って、本実施形態では、緑色画素ＸＧの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１１９】
（有機ＥＬ素子の第１２実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１２実施形態を説明する。
本実施形態と第１０実施形態とは、凹凸部３１が緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１０実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１２０】
本実施形態において、基板本体４１の表面４１ａには、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて凹凸部３１が設けられている。このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【０１２１】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板本体４１に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｄを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１２２】
【表１３】
【０１２３】
表１３は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１３に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３８ ０．３６）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３４４ ０．３４４）となり、色差は０．０１０となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表１３から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【０１２４】
（有機ＥＬ素子の第１３実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第１３実施形態を説明する。
図８（Ａ）は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｅの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、トップエミッション構造においてカラーフィルタ基板にオーバーコート層が形成されている点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【０１２５】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｅは、基板２０に対向配置されたカラーフィルタ基板４０と、基板２０及びカラーフィルタ基板４０を接着する接着層３５とを備えている。そして、基板２０とカラーフィルタ基板４０との間に、先述の画素電極２３及び陰極５０によって挟持された発光機能層１１０が形成されている。
ここで、カラーフィルタ基板４０は、基板本体４１から発光機能層１１０に向けて、着色層４２（４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒ）と、オーバーコート層４３とを備えている。
また、有機ＥＬ装置１Ｅにおいては、画素電極２３を画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々に対して異なる膜厚で形成することで光共振器の光学長を調整してもよい（図５、図６参照）。
【０１２６】
オーバーコート層４３は、着色層４２とは異なる屈折率の樹脂材料によって形成された層膜である。また、オーバーコート層４３と着色層４２との界面において、青色画素ＸＢに対応する着色層４２Ｂの表面に凹凸部（散乱部）４５が形成されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部４５が設けられている。また、緑色画素ＸＧ及び赤色画素ＸＲには、このような凹凸部４５は形成されておらず、平坦面となっている。
【０１２７】
このような着色層４２及びオーバーコート層４３の形成方法について説明する。
まず、青色画素ＸＢにおいて、基板本体３１の表面に青のアクリル材料からなる着色層４２Ｂを形成し、その後に当該着色層４２Ｂに対して１０秒間のオゾンプラズマ処理を行う。これによって、着色層４２Ｂの表面が０．０１〜０．５μｍの深さのランダムな凹凸を有することとなり、凹凸部４５が形成される。その後、緑色画素ＸＧに着色層４２Ｇ、赤色画素ＸＲに着色層４２Ｒを形成した。その後、オーバーコート層４３を例えばスピンコート法によって形成する。以上の工程により、基板本体４１上に着色層４２及びオーバーコート層４３が形成される。
また、オーバーコート層４３が形成された後には、カラーフィルタ基板４０と基板２０とを接着層３５を介して貼り合わせることで、有機ＥＬ素子１Ｅが形成される。
【０１２８】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部４５が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、オーバーコート層４３と、着色層４２Ｂとの界面に入射する際に、凹凸部４５によって散乱する。従って、様々なピーク波長を有する干渉光束出射方向が変化するため、有機ＥＬ素子１Ｅを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１２９】
（有機ＥＬ素子の第１３実施形態の変形例）
次に、有機ＥＬ素子の第１３実施形態の変形例を説明する。
図８（Ｂ）は、本変形例の有機ＥＬ素子１Ｆの単位画素群を模式的に示す断面図である。本変形例は、凹凸部４５がオーバーコート層４３に形成されている点が、先の第１３実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【０１３０】
本変形例の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｆにおいては、オーバーコート層４３が着色層４２とは異なる屈折率の樹脂材料によって形成された層膜となっている。また、オーバーコート層４３と接着層３５との界面において、青色画素ＸＢに対応するオーバーコート層４３の表面に凹凸部４５が形成されている。また、緑色画素ＸＧ及び赤色画素ＸＲには、このような凹凸部４５は形成されておらず、平坦面となっている。
【０１３１】
このようなオーバーコート層４３の形成方法について説明する。
まず、青色画素ＸＢに着色層４２Ｂ、緑色画素ＸＧに着色層４２Ｇ、赤色画素ＸＲに着色層４２Ｒを形成する。その後、着色層４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒの表面に対し、例えばスピンコート法によってオーバーコート層４３を形成する。その後、青色画素ＸＢに対応するオーバーコート層４３のみに対して、１０秒間のオゾンプラズマ処理を行う。これによって、青色画素ＸＢにおけるオーバーコート層４３の表面が０．０１〜０．５μｍの深さのランダムな凹凸を有することとなり、凹凸部４５が形成される。以上の工程により、基板本体４１上に着色層４２及びオーバーコート層４３が形成される。
また、オーバーコート層４３が形成された後には、カラーフィルタ基板４０と基板２０とを接着層３５を介して貼り合わせることで、有機ＥＬ素子１Ｅが形成される。
【０１３２】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部４５が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、接着層３５とオーバーコート層４３との界面に入射する際に、凹凸部４５によって散乱する。従って、様々なピーク波長を有する干渉光束出射方向が変化するため、斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１３３】
【表１４】
【０１３４】
表１４は、上記の第１３実施形態における青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｅと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１４の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１４から明らかなように、凹凸部４５を有していない従来例では、相対輝度が２２．２３％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６０．０２％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
また、上記の第１３実施形態の変形例においても、同様の結果が得られた。
【０１３５】
【表１５】
【０１３６】
表１５は、第１３実施形態及びその変形例について、着色層４２とオーバーコート層４３との屈折率差や、オーバーコート層４３と接着層３５との屈折率差を変化させた場合について、青色画素ＸＢの発光を斜めから観察した場合（４５°）の相対輝度を示している。
また、表１５において、「Δｎ」とは、着色層４２とオーバーコート層４３との屈折率差、又は、オーバーコート層４３と接着層３５との屈折率差、を意味している。また、表１５において、Δｎが「０」となっているのは、凹凸部４５が形成されていない場合を意味する。
【０１３７】
表１５から明らかなように、上記の屈折率の差が０．０８である場合において、４５°視角から観察した相対輝度が約５７％以上となり、また、屈折率の差が０．０８よりも大きい場合には相対輝度が更に大きくなることが分かる。このように、凹凸部４５を形成すると共に、着色層４２とオーバーコート層４３との屈折率差、又は、オーバーコート層４３と接着層３５との屈折率差を、０．０８以上にすることで、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。また、Δｎが正の値でも、負の値でも同様の効果が得られることが確認された。
【０１３８】
（有機ＥＬ素子の第１４実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１４実施形態を説明する。
本実施形態と第１３実施形態とは、凹凸部４５が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１３実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１３９】
本実施形態において、緑色画素ＸＧの着色層４２Ｇには凹凸部４５が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部４５が設けられている。このような凹凸部４５の形成方法は、第１３実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧに当たる部分の着色層４２Ｇのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部４５を形成している。
【０１４０】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部４５が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、オーバーコート層４３と、着色層４２Ｂとの界面に入射する際に、凹凸部４５によって散乱する。従って、様々なピーク波長を有する干渉光束出射方向が変化するため、有機ＥＬ素子１Ｅを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１４１】
【表１６】
【０１４２】
表１６は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｅと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１６の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１６から明らかなように、凹凸部４５を有していない従来例では、相対輝度が４０．２２％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が４８．６６％となった。従って、本実施形態では、緑色画素ＸＧの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１４３】
（有機ＥＬ素子の第１５実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１５実施形態を説明する。
本実施形態と第１３実施形態とは、凹凸部４５が緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１３実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１４４】
本実施形態において、青色画素ＸＢの着色層４２Ｂと緑色画素ＸＧの着色層４２Ｇとに対して凹凸部４５が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢ及び緑色画素ＸＧにおいて凹凸部４５が設けられている。このような凹凸部４５の形成方法は、第１３実施形態と同様であり、着色層４２Ｂ，４２Ｇに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部４５を形成している。
【０１４５】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部４５が形成された青色画素ＸＢ及び緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、オーバーコート層４３と、着色層４２Ｂ，４２Ｇとの界面に入射する際に、凹凸部４５によって散乱する。従って、様々なピーク波長を有する干渉光束出射方向が変化するため、有機ＥＬ素子１Ｅを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１４６】
【表１７】
【０１４７】
表１７は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｅと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１７に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３７１ ０．３６２）となり、色差は０．０２７となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３３２ ０．３４１）となり、色差は０．００７となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表１７から明らかなように、凹凸部４５を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【０１４８】
（第１６実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第１６実施形態を説明する。
図９は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、接着層３５に樹脂粒子（粒子）が含有されている点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【０１４９】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｇは、基板２０に対向配置されたカラーフィルタ基板４０と、基板２０及びカラーフィルタ基板４０を接着する接着層３５とを備えている。
接着層３５は、例えばアクリルやエポキシ等の樹脂充填剤３５ａを主材料とし、青色画素ＸＧに対応する位置に複数の樹脂粒子（散乱部）３６を含んで構成されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて樹脂粒子３６が設けられている。ここで、「青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ｇの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に青色画素ＸＢと、複数の樹脂粒子３６とが重なり合う位置にあることを意味している。
ここで、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率は異なっている。また、樹脂粒子３６は、粒子状であればよく、微視的に見て樹脂球体であっても、樹脂片であってもよい。また、樹脂材料に限らず、屈折率が樹脂充填剤３５ａと異なる有機材料や無機材料であってもよい。
また、有機ＥＬ装置１Ｇにおいては、画素電極２３を画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々に対して異なる膜厚で形成して、光共振器の光学長を調整してもよい（図５、図６参照）。
【０１５０】
また、樹脂粒子３６を樹脂充填剤３５ａに含ませる工程としては、樹脂充填剤３５ａをカラーフィルタ基板４０上又は基板２０上に塗布した後に、青色画素ＸＢに当たる部分のみに樹脂粒子３６を分散させる方法が挙げられる。或いは、樹脂粒子３６を樹脂充填剤３５ａに分散させた塗布材料をディスペンサ等によって青色画素ＸＢに当たる部分のみに吐出し、緑色画素ＸＧや赤色画素ＸＲには樹脂充填剤３５ａのみを吐出する方法が挙げられる。
また、樹脂粒子３６及び樹脂充填剤３５ａを含む接着層３５がカラーフィルタ基板４０上又は基板２０上に塗布された後には、当該基板２０，４０を貼り合わせることで、有機ＥＬ素子１Ｇが形成される。
【０１５１】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、複数の樹脂粒子３６が分散された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光が接着層３５を透過する際に、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差によって散乱する。従って、様々なピーク波長をもつ干渉光束の進行方向が、その屈折率差によって変化するために、有機ＥＬ素子１Ｇを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１５２】
【表１８】
【０１５３】
表１８は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１８の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１８から明らかなように、樹脂粒子３６を有していない従来例では、相対輝度が２３．１５％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６５．６６％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１５４】
【表１９】
【０１５５】
表１９は、第１６実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇについて、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差を変化させた場合について、青色画素ＸＢの発光を斜めから観察した場合（４５°）の相対輝度を示している。
また、表１９において、「Δｎ」とは、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差を意味している。また、表１９において、Δｎが「０」となっているのは、樹脂粒子３６が接着層３５に含まれていない場合を意味する。
【０１５６】
表１９から明らかなように、上記の屈折率の差が０．０８である場合において、４５°視角から観察した相対輝度が約６０％以上となり、また、屈折率の差が０．０８よりも大きい場合には相対輝度が更に大きくなることが分かる。このように、接着層３５に樹脂粒子３６が含んでいると共に、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差を０．０８以上にすることで、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。また、Δｎが正の値でも、負の値でも同様の効果が得られることが確認された。
【０１５７】
（有機ＥＬ素子の第１７実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１７実施形態を説明する。
本実施形態と第１６実施形態とは、複数の樹脂粒子３６が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１６実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１５８】
本実施形態においては、緑色画素ＸＧに対応させて、接着層３５に樹脂粒子３６が含有されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて樹脂粒子３６が設けられている。このように接着層３５に樹脂粒子３６を分散させる方法は、第１６実施形態と同様である。
【０１５９】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、複数の樹脂粒子３６が分散された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光が接着層３５を透過する際に、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差によって散乱する。従って、様々なピーク波長をもつ干渉光束の進行方向が、その屈折率差によって変化するために、有機ＥＬ素子１Ｇを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
また、本実施形態では、緑色の発光量が高分子系よりも少ない低分子系材料を用いる場合において、緑色の視角を広げることが可能となるので、高輝度広視角を得やすくなる。
また、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【０１６０】
【表２０】
【０１６１】
表２０は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表２０の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表２０から明らかなように、樹脂粒子３６を有していない従来例では、相対輝度が４０．２８％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が４９．６５％となった。従って、本実施形態では、緑色画素ＸＧの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１６２】
本実施形態では、屈折率の異なる樹脂片や樹脂球が分散された接着層３５を用いることで、上記の効果を得ているが、散乱機能を有する樹脂であれば、他の材料であってもよい。
【０１６３】
（有機ＥＬ素子の第１８実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１８実施形態を説明する。
本実施形態と第１６実施形態とは、複数の樹脂粒子３６が緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１６実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１６４】
本実施形態においては、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応させて、接着層３５に樹脂粒子３６が含有されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて樹脂粒子３６が設けられている。このように接着層３５に樹脂粒子３６を分散させる方法は、第１６実施形態と同様である。
【０１６５】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、複数の樹脂粒子３６が分散された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光が接着層３５を透過する際に、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差によって散乱する。従って、様々なピーク波長をもつ干渉光束の進行方向が、その屈折率差によって変化するために、有機ＥＬ素子１Ｇを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１６６】
【表２１】
【０１６７】
表２１は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表２１に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３８ ０．３５）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３４８ ０．３４４）となり、色差は０．０１２となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表２１から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【０１６８】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述した有機ＥＬパネル１を表示部として有したものであり、具体的には図１０に示すものが挙げられる。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬパネル１を用いた表示部１００１を備える。
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬパネル１を用いた表示部１１０１を備える。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０１、上述した有機ＥＬパネル１を用いた表示部１２０２、情報処理装置本体（筐体）１２０３を備える。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機ＥＬパネル（有機ＥＬ装置）１を有した表示部１００１，１１０１，１２０２を備えているので、表示部を構成する有機ＥＬ装置の高輝度化を実現すると共に、色シフトが抑制されたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置に係る有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図。
【図２】本発明の有機ＥＬ装置に係る有機ＥＬパネルの構成を模式的に示す平面図。
【図３】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の相対輝度を説明するための図。
【図５】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図６】本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図７】本発明の第１０実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図８】本発明の第１３実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図９】本発明の第１６実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図１０】本発明の有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図。
【符号の説明】
【０１７０】
１ 有機ＥＬパネル（有機エレクトロルミネッセンス装置）、 １Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ 有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス装置）、 ２０ 基板、 ２１，３１，４５ 凹凸部（散乱部）、 ２２ 平坦化層、 ２３，２３Ｂ，２３Ｇ，２３Ｒ 画素電極（第１電極）、 ２４ 反射層、 ３０対向基板、 ３５ 接着層、 ３５ａ 樹脂充填剤、 ３６ 樹脂粒子（粒子、散乱部）、 ４０ カラーフィルタ基板、 ４１ 基板本体、 ４２，４２Ｂ，４２Ｒ，４２Ｒ 着色層、 ４３ オーバーコート層、 ５０ 陰極（第２電極）、 ５５ 電子輸送層（発光機能層）、 ６０，６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ，有機ＥＬ層（発光機能層）、 ７０ 正孔輸送層（発光機能層）、 １１０ 発光機能層、 １０００，１１００，１２００ 電子機器、 Ｐｘ 単位画素群、 Ｌ 発光光、 ＸＧ 緑色画素（画素）、 ＸＢ 青色画素（画素）、 ＸＲ 赤色画素（画素）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡ（Personal Digital Assistants）等の電子機器に使用される表示装置や、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして、有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と称する。）等の発光装置が注目されている。この種の発光装置をカラー用に構成するにあたっては、従来、発光層を構成する材料を画素毎に変えることにより、各画素から各色の光が出射されるように構成されている。
【０００３】
また、近年では、有機ＥＬ装置のガラス基板上に、犠牲酸化膜で凹凸を形成し、発光が閉じ込められるのを回避して、光取り出し効率を向上させる構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、トップエミッション構造において、下側基板の反射層が凹凸を有し、凹凸を平坦化する層の屈折率が発光層の屈折率よりも大きくすることで、発光光を散乱させて、発光層の劣化を防止し、素子寿命を延長させることが可能となる有機ＥＬ装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−７６８６４号公報
【特許文献２】特開２００４−２２４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、本発明者によれば、有機ＥＬ装置のパネルに対して、正面から見た場合と、広角（正面よりも斜め方向）から見た場合とを比較すると、表示色が変化して見えたり、輝度が変化したりするという問題を見出した。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、観察者が正面から見た場合でも、広角から見た場合でも、色シフトや輝度の変化が生じることのない有機ＥＬ装置、及び有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明者は、有機ＥＬ装置の発光層の発光は、そのまま観察者側に出射される場合と、電極で反射してから観察者側に出射される場合とがあることに着目した。そして、このような発光光は、相互に干渉し合うことで、有機ＥＬ装置のパネルを正面から見た場合と、広角（正面よりも斜め方向）から見た場合とで、光路長が異なってしまうことを見出した。これにより、従来の有機ＥＬ装置においては、観察者の見る角度によって、色シフトが生じて色が変化して見えたり、輝度が変化したりするという問題点があった。
【０００７】
また、本発明者は、このような色シフトや輝度の変化が生じるのは、干渉条件のピークが得られる波長が短波長側に寄ってしまうことを見出した。この現象は、波長の短い青色で特に顕著であり、青の波長領域で波長が短くなった場合、視感度が低くなるため、輝度変化が視認し易くなってしまう。
更に、発光層の構造として、有機材料を用いた場合では、青色の波長では波長分散により、屈折率が高くなる傾向があるので、青の視角が３原色（赤、緑、青）の中で、ますます狭くなりがちである。従って、表示品質が著しく損なわれてしまう。
【０００８】
また、直視型有機ＥＬ装置の場合において、青の視角だけが狭いという現象が生じると、三色フルカラーで表示している状態で、観察者が斜めから有機ＥＬ装置のパネルを見ると、青の色度が下がり、黄色味がかってしまい、表示品質が落ちてしまう。
また、他の色よりも視感度が高い緑は、波長が若干長いため、青ほど深刻ではないが、僅かな色の差を認識し易くなってしまい、青と同様の問題が生じることで、有機ＥＬ装置のパネルの斜め方向から見ると、緑色が変色して、エメラルドグリーンになってしまう。
【０００９】
更に、緑の発光層材料として高分子系を採用した場合では、緑の色シフトの問題が顕著である。緑の材料は、ポリフェニレンビニレン系の材料が広く知られているが、発光スペクトルピークがやや黄色の領域にある。そのため、緑（５５０ｎｍ前後）の光束を正面に取り出すような構造とした場合、当該正面より斜め方向から有機ＥＬ装置を観察すると、層構造内の干渉によって干渉ピークが短波長にシフトし、発光強度の弱い波長に干渉ピークが来てしまい、５５０ｎｍ前後の光が取り出せないという問題がある。
結果として、緑色の視角が狭く、広角から観察したときの緑が著しく黄色味を帯びてしまう。特に、緑は、視感度が高いため、認識し易い色シフトとなってしまい、表示品質が落ちてしまう。
また、青と緑で、上記のような問題がある場合、三色フルカラーの有機ＥＬ装置においては、斜めから見た時の表示画像の色温度が大幅に落ちることになり、表示品質が損なわれてしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで、本発明者らは、上記の問題点を解決すべく、以下の手段を有する本発明を想到した。
即ち、本発明の有機ＥＬ装置は、基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機ＥＬ装置であって、前記単位画素群のうちの選択された画素には、前記発光機能層の発光光を散乱させる散乱部が設けられていること、を特徴としている。
このようにすれば、散乱部が形成された画素においては、様々な光路長を有する干渉光が基板に入射する際に散乱部によって散乱する。従って、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記単位画素群において、前記複数の画素は、各々、赤色、緑色、及び青色の光を出射するものであって、前記散乱部は、緑色画素又は／及び青色画素に形成されていること、を特徴としている。
ここで、可視光の波長領域の中で、赤色の光は長波長領域にピークを有しており、緑色の光は中波長領域にピークを有しており、青色の光は短波長領域にピークを有していることが知られている。
従って、本発明によれば、緑色画素又は／及び青色画素において、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記散乱部は、前記基板と前記発光機能層の間において、前記基板の表面が可視光を散乱しうる凹凸部を有することによって形成されていること、を特徴としている。
このようにすれば、凹凸部によって様々な色の干渉光束が混在させ、当該光束がランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記散乱部に接して、平坦化層が形成されていること、を特徴としている。
このようにすれば、基板の表面は、レベリングされた状態となり、平坦化層が表面の凹凸をフラットにすることで、有機ＥＬ装置の表示欠陥を抑制できる。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記平坦化層の屈折率は、前記基板の屈折率とは異なること、を特徴としている。
ここで、屈折率の差は、０．０８以上であることが好ましい。このようにすれば、より好適に光を散乱させるので、輝度向上を実現できる。
【００１５】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記散乱部は、前記凹凸部に形成された反射層であること、を特徴としている。
このようにすれば、反射層は凹凸部の形状に倣って、凹凸状の表面を有する層膜となる。従って、反射層の当たる光を反射させると共に散乱させることができる。
【００１６】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記基板に対向配置された対向基板と、前記基板及び前記対向基板を接着する接着層とを有し、前記散乱部は、前記対向基板と前記発光機能層の間において、前記対向基板の表面に形成された凹凸部であること、を特徴としている。
このようにすれば、凹凸部によって様々な色の干渉光束が混在させ、当該光束がランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００１７】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記接着層の屈折率は、前記対向基板の屈折率とは異なること、を特徴としている。
ここで、屈折率の差は、０．０８以上であることが好ましい。このようにすれば、より好適に光を散乱させるので、輝度向上を実現できる。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記基板に対向配置されたカラーフィルタ基板と、前記基板及び前記カラーフィルタ基板を接着する接着層とを有し、当該カラーフィルタ基板は、当該カラーフィルタ基板から前記発光機能層に向けて、基板本体と、前記単位画素群の前記複数の画素に各々対応する複数色の着色層とを有し、前記散乱部は、前記基板本体と前記着色層の間において、前記基板本体の表面に形成された凹凸部であること、を特徴としている。
このようにすれば、着色層によって発光機能層の発光光を着色することができると共に、基板本体の表面に形成された凹凸部で発光光を散乱させることができるので、上記と同様の効果が得られる。
【００１９】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記基板に対向配置されたカラーフィルタ基板と、前記基板及び前記カラーフィルタ基板を接着する接着層とを有し、当該カラーフィルタ基板は、当該カラーフィルタ基板から前記発光機能層に向けて、基板本体と、前記単位画素群の前記複数の画素に各々対応する複数色の着色層と、オーバーコート層とを有し、前記散乱部は、前記オーバーコート層の表面、又は、前記着色層の表面に形成された凹凸部であること、を特徴としている。
【００２０】
このようにすれば、着色層によって発光機能層の発光光を着色することができると共に、オーバーコート層の表面、又は、前記着色層の表面に形成された凹凸部で発光光を散乱させることができるので、上記と同様の効果が得られる。
【００２１】
また、本発明の有機ＥＬ装置においては、前記接着層は、樹脂充填剤と、前記散乱部としての粒子とを有し、当該粒子の屈折率は、前記樹脂充填剤の屈折率とは異なること、を特徴としている。
ここで、屈折率の差は、０．０８以上であることが好ましい。このようにすれば、より好適に光を散乱させるので、輝度向上を実現できる。
【００２２】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記単位画素群のうちの選択された画素に、前記発光機能層の発光光を散乱させる散乱部を形成する工程を含むこと、を特徴としている。
このようにすれば、散乱部が形成された画素においては、様々な光路長を有する干渉光が基板に入射する際に散乱部によって散乱する。従って、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ装置を斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００２３】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記散乱部を形成する工程は、前記基板に対してフッ酸処理を施すことによって、又は、前記基板に対して、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び樹脂層のいずれかをパターニング形成することによって、前記基板に凹凸部を形成すること、を特徴としている。
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記散乱部を形成する工程は、樹脂層を形成した後に、当該樹脂層にオゾンプラズマ処理を施して、当該樹脂層に凹凸部を形成すること、を特徴としている。
このようにすれば、微細な凹凸部を形成することができる。
【００２４】
また、本発明の電子機器は、先に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴としている。
このようにすれば、高輝度化が実現され、色シフトが抑制された表示部を備える電子機器となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明を詳しく説明する。
なお、この実施の形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２６】
（有機ＥＬパネル）
まず、本発明の有機ＥＬ装置に係る有機ＥＬパネルの実施形態を説明する。
図１は、有機ＥＬパネル１の配線構造を示す模式図である。
本実施形態の有機ＥＬパネル１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とからなる配線構成を有し、走査線１０１…と信号線１０２…との各交点付近に画素Ｘ…を形成したものである。
もちろん本発明の技術的思想に沿えば、ＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
【００２７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２８】
更に、画素Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）２３と、当該画素電極２３と陰極（第２電極）５０との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。
【００２９】
次に、本実施形態の有機ＥＬパネル１の具体的な態様を、図２及び図３を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬパネル１の構成を模式的に示す平面図である。図３は有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の単位画素群を模式的に示す断面図である。
【００３０】
まず、図２を参照し、有機ＥＬパネル１の構成を説明する。
図２は、基板２０上に形成された各種配線，ＴＦＴ，画素電極，各種回路によって、発光機能層１１０を発光させる有機ＥＬパネル１を示す図である。
図２に示すように、有機ＥＬパネル１は、電気絶縁性を備える基体２０と、スイッチング用ＴＦＴ１１２に接続された画素電極２３が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素Ｘ（図１参照）と、画素Ｘの周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくとも画素Ｘ上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを備えて構成されている。
なお、本実施形態において画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００３１】
実表示領域４においては、赤色発光（Ｒ）、緑色発光（Ｇ）、及び青色発光（Ｂ）で各々発光する、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢが紙面左右方向に規則的に配置されている。また、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々は、紙面縦方向において同一色で配列しており、所謂ストライプ配置を構成している。また、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々は、先述のＴＦＴ１１２，１２３の動作に伴って、ＲＧＢの各色で発光する発光機能層１１０を備えた構成となっている。そして、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢが一つのまとまりとなって、単位画素群Ｐｘ（後述）が構成されており、当該単位画素群ＰｘはＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。従って、単位画素群Ｐｘがマトリクス状に配置されることで構成された実表示領域４においては、フルカラーの画像を表示するようになっている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下層側に位置して設けられている。
【００３２】
また、実表示領域４の図２中上方側には検査回路９０が配置されており、この検査回路９０はダミー領域５の下層側に配置されて設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬパネル１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（不図示）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬパネル１の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００３３】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、有機ＥＬパネル１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００３４】
（有機ＥＬ素子の第１実施形態）
次に、図３を参照し、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第１実施形態について、有機ＥＬ素子の単位画素群の構造を説明する。
なお、図３においては、有機ＥＬ素子を構成する画素電極２３，発光機能層１１０，及び陰極５０について詳述し、画素電極２３には駆動用ＴＦＴ１２３が接続されているものとする。また、画素電極２３は、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、青色画素ＸＢの各々に形成されているものとし、図１に示したように駆動用ＴＦＴ１２３によって画素毎に発光させるようになっている。
【００３５】
図３に示すように、有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ａの単位画素群Ｐｘは、基板２０上に、画素電極２３及び陰極５０に挟持された発光機能層１１０を備えている。また、基板２０に対向配置された封止基板（不図示）が設けられ、各電極２３，５０及び発光機能層１１０は、基板２０と、封止基板の間に配置されている。当該基板２０と封止基板の間は、窒素ガス等の不活性ガスが充填された空間であり、不図示の乾燥剤やゲッター剤によって乾燥状態に維持されている。
また、発光機能層１１０は、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々について、異なる発光材料を有しており、ＲＧＢの各色を発光するようになっている。また、発光光Ｌは、基板２０を透過して出射するようになっている。従って、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａ（有機ＥＬパネル１）は、ボトムエミッション型を構成している。
【００３６】
基板２０は、透明性基板であり、本実施形態ではガラス基板を用いている。また、ガラス基板材料は、５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．５４の屈折率を有している。
また、基板２０と発光機能層１１０の間において、当該基板２０の表面２０ａには、青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部（散乱部）２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１が設けられている。ここで、「青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ａの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に青色画素ＸＢと、凹凸部２１とが重なり合う位置にあることを意味している。また、換言すると、このような凹凸部２１は、基板２０と発光機能層１１０（後述）の間において、基板２０の表面２０ａに形成された部位である。
【００３７】
このような凹部２１の形成方法（散乱部を形成する工程）は、ガラス基板２０の表面２０ａにポジレジストを塗布及び焼成し、マスクを使用して青色画素ＸＢに対応する部分のみに紫外線光を照射して露光処理を行って更に現像処理を行う。これにより、緑色画素ＸＧ及び赤色画素ＸＲに対応する部分がレジストで被覆された状態となり、青色画素ＸＢに対応する部分の表面２０ａが露出状態となる。そして、フッ酸系の薬液にガラス基板２０を晒すフッ酸処理を施すことで、青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成する。その後、レジストの残部の剥離を行う。
【００３８】
また、基板２０において、凹凸部２１を含む表面２０ａの全面には、平坦化層２２が形成されている。換言すれば、平坦化層２２は、基板２０と、画素電極２３との間に設けられている。これによって、基板２０の表面２０ａは、レベリングされた状態となり、平坦化層２２が基板２０の表面２０ａの凹凸をフラットにすることで、有機ＥＬ素子１Ａの表示欠陥を抑制する。
このような平坦化層２２は、ポリマー樹脂を材料とする層膜であり、５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．８０の屈折率を有しており、ガラス基板２０の屈折率とは異なっている。また、その屈折率差は０．２６である。
このような平坦化層の形成方法は、スピンコート法を利用して、ポリマー樹脂を塗布形成することによって行われる。また、塗布後には、熱処理或いは紫外線照射によってポリマー樹脂を硬化させる。
【００３９】
画素電極２３は、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、或いは、酸化スズ、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物等の透明導電膜である。本実施形態では、ＩＴＯ膜を採用している。当該ＩＴＯ膜は、５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．８２の屈折率を有している。
このような画素電極２３の形成方法としては、スパッタ法によって基板２０上の全面に透明導電膜を製膜した後に、レジストマスクを介在させたウエットエッチング処理を行うことで、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々に対応させて画素電極２３がパターニング形成される。
【００４０】
発光機能層１１０は、画素電極２３上に形成された正孔輸送層（発光機能層）７０と、当該正孔輸送層７０上に形成された有機ＥＬ層（発光機能層）６０と、当該有機ＥＬ層６０上に形成された電子輸送層（発光機能層）５５と、が積層されて構成されている。
【００４１】
正孔輸送層７０とは、有機ＥＬ層６０に正孔を輸送／注入する機能を有する層膜である。このような正孔輸送層７０の形成材料としては、高分子材料では特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、即ち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔輸送層７０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。低分子材料では、銅フタロシアニン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＤ、α―ＮＰＤなど、通常の正孔注入材料を蒸着法にて用いることができる。
【００４２】
有機ＥＬ層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。また、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々に有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂを設けることで、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ素子となる。
有機ＥＬ層６０（６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ）の形成材料として具体的には、高分子材料としては（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。低分子材料としては、Ａｌｑ３、ＤＰＶＢｉなどのホスト材料、これにナイルレッド、ＤＣＭ、ルブレン、ぺリレン、ローダミンなどをドープして、またはホスト単独で、蒸着法にて用いることができる。
また、赤色の有機ＥＬ層６０Ｒの形成材料としては例えばＭＥＨＰＰＶ（ポリ（３−メトキシ６−（３−エチルヘキシル）パラフェニレンビニレン）を、緑色の有機ＥＬ層６０Ｇの形成材料としては例えばポリジオクチルフルオレンとＦ８ＢＴ（ジオクチルフルオレンとベンゾチアジアゾールの交互共重合体）の混合溶液を、青色の有機ＥＬ層６０Ｂの形成材料としては例えばポリジオクチルフルオレンを用いる場合がある。
【００４３】
電子輸送層５５とは、有機ＥＬ層６０に電子を輸送／注入する機能を有する層膜である。このような電子輸送層５５の形成材料としては、例えば、ＬｉＦやＳｒＦ２等のアルカリ土類金属やアルカリ金属の化合物が採用される。
【００４４】
陰極５０は、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂに対向する共通電極である。当該陰極５０は、有機ＥＬ層６０上に設けられた低仕事関数の金属からなる第１陰極と、該第１陰極上に設けられて該第１陰極を保護する第２陰極とからなるものである。第１陰極を形成する低仕事関数の金属としては、特に仕事関数が３．０ｅＶ以下の金属であるのが好ましく、具体的にはＣａ（仕事関数；２．６ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数；２．１ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数；２．５ｅＶ）が好適に用いられる。第２陰極は、第１陰極を覆って酸素や水分などからこれを保護するとともに、陰極５０全体の導電性を高めるために設けられたものである。本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａは、基板２０側から発光光を取り出すボトムエミッション型であるから陰極５０は非透明であり、反射性金属としてアルミニウム等が採用される。
なお、陰極の表面に封止層が設けられていてもよい。当該封止層としては、陰極５０に被覆形成された酸化窒化シリコン膜等のパシベーション膜が採用される。これにより、発光機能層１１０への水分や酸素の侵入を抑制することが可能となる。
【００４５】
なお、上記の構成を有する単位画素群Ｐｘにおいては、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの相互間にバンク（隔壁）が形成されてもよい。
この場合、高分子材料からなる発光機能層を液滴吐出法によって形成することができる。また、バンクは、無機材料からなるバンクと、有機材料からなる有機バンクによって構成されていることが好ましい。また、無機バンクの表面には親液性が付与され、有機バンクの表面には撥液性が付与されていることが好ましい。これによって、液滴吐出法によって発光機能層１１０を形成する際に、バンク間に液滴を留めることができる。
また、上記の発光機能層１１０は、低分子材料から構成されていてもよい。この場合、発光機能層はマスク蒸着法を用いて形成されるので、バンクを形成する必要ない。また、低分子系の発光機能層としては、正孔輸送層や電子注入バッファ層が含まれていることが好ましい。
【００４６】
このように構成された有機ＥＬ素子１Ａにおいては、画素電極２３と陰極５０の間に電流が流れると、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）は発光し、発光光Ｌは画素電極２３を直接通じて基板２０から出射したり、陰極５０で反射してから画素電極２３を通じて基板２０から出射したりする。このとき、凹凸部２１が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板２０に入射する際に、凹凸部２１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ素子１Ａを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００４７】
【表１】
【００４８】
表１は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
以下の説明において、「正面」とは有機ＥＬ素子の表示面に対して鉛直方向から観察することを意味し、「斜め」とは有機ＥＬ素子の表示面に対して鉛直方向よりも４５°傾けた方向から観察することを意味する。
また、「相対輝度」とは、有機ＥＬ素子の表示面（実表示領域）に対して正面（０°）から観察した輝度（１００％）に対して、４５°斜めから観察した場合（４５°）の輝度の割合を意味する。
表１から明らかなように、凹凸部２１を有していない従来例では、相対輝度が２５．２３％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６３．６４％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【００４９】
なお、本実施形態では、凹凸部２１を形成するのに、フッ酸処理を用いてガラス基板２０の表面２０ａに多数の凹凸を形成したが、ＳｉＯ２（シリコン酸化物）やＳｉＮ（シリコン窒化物）、アクリル樹脂（樹脂層）等によって青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに付加的に凸状部（凹凸部）を形成してもよい。
具体的に、ＳｉＯ２やＳｉＮを付加的に表面２０ａに形成する場合には、例えば、マスクスパッタ法やマスク蒸着法を利用することにより、基板２０における青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、ＳｉＯ２やＳｉＮの凸状部をパターニング形成する方法が採用される。
また、アクリル樹脂を付加的に形成する場合には、例えば、光硬化性の樹脂層を表面２０ａの全面に形成した後に、露光マスクを介して露光光を照射し、現像処理を行うことにより、基板２０における青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、アクリル樹脂の凸状部をパターニング形成する方法が採用される。
【００５０】
また、本実施形態では、平坦化層２２を基板２０の全面に形成したが、凹凸部２１のみに平坦化層２２を形成して、当該凹凸部２１の平坦化を行ってもよい。この場合、平坦化層２２を塗布する前に、基板２０を表面保護テープ等で被覆したり等のマスキング処理を行うことで、凹凸部２１を形成した青色画素ＸＢのみに、平坦化層２２を形成することができる。
【００５１】
また、本実施形態では、ハーフミラーや誘電体多層膜等を、画素電極２３と平坦化層２２の間に設ける等、有機ＥＬ素子１Ａ内に備えた場合も適用可能である。このようにハーフミラーや誘電体多層膜を備える場合では、発光光の干渉がより起こりやすくなり、色シフトが生じやすくなる傾向があるが、上記のように凹凸部２１を設けたことで、発光光を散乱させて、色シフト及び輝度の減少を抑制できる。
【００５２】
【表２】
【００５３】
表２は、本実施形態における平坦化層２２と基板２０との屈折率差を変化させた場合について、青色画素ＸＢの発光を斜めから観察した場合（４５°）の相対輝度を示している。
また、表２において、「Δｎ」とは、ガラス基板２０と平坦化層２２との屈折率の差を意味している。また、表２において、Δｎが「０」となっているのは、従来の有機ＥＬ素子を示しており、凹凸部２１が形成されていない場合を意味する。
【００５４】
また、図４は、表２に基づいて得られたグラフであり、横軸に「Δｎ」、縦軸に相対輝度をプロットしたものである。
表２及び図４から明らかなように、平坦化層２２と基板２０との屈折率の差が０．０８以上である場合において、４５°視角から観察した相対輝度が約６０％以上となることが分かる。このように、凹凸部２１を形成すると共に、平坦化層２２と基板２０との屈折率の差を０．０８以上にすることで、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。また、Δｎが正の値でも、負の値でも同様の効果が得られることが確認された。
【００５５】
（有機ＥＬ素子の第２実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第２実施形態を説明する。
本実施形態と第１実施形態とは、凹凸部２１が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００５６】
本実施形態において、基板２０の表面２０ａには、緑色画素ＸＧに対応する位置に凹凸部２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部２１が設けられている。ここで、「緑色画素ＸＧに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ａの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に緑色画素ＸＧと、凹凸部２１とが重なり合う位置にあることを意味している。このような凹凸部２１の形成方法は、第１実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成している。
【００５７】
また、緑色画素ＸＧの有機ＥＬ層６０Ｇは、ポリフェニレンビニレン系の高分子材料で形成されている。このような材料は、発光スペクトルピークがやや黄色の領域にある。そのため、緑（５５０ｎｍ前後）の光束を正面に取り出すような構造とした場合、当該正面より斜め方向から有機ＥＬパネルを観察すると、層構造内の干渉によって干渉ピークが短波長にシフトし、発光強度の弱い波長に干渉ピークが来てしまい、５５０ｎｍ前後の光が取り出しにくいという特性を有している。
【００５８】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは画素電極２３を直接通じて基板２０から出射したり、陰極５０で反射してから画素電極２３を通じて基板２０から出射したりする。このとき、凹凸部２１が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板２０に入射する際に、凹凸部２１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ素子１Ａを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
これにより、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【００５９】
【表３】
【００６０】
表３は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表３の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
一般的に、色差が０．０２以上の値である場合には、色の変化が観察者によって認識可能である色変化であり、色シフトが顕著に観察されてしまうことを意味している。一方、色差が０．０２よりも低い値である程、色の変化が小さいことを意味している。
【００６１】
表３に示すように、従来例における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．４０３ ０．５８２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．４５４ ０．５５２）となり、色差は０．０３３となった。
これに対し、本実施形態における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．４０５ ０．５７５）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．４２２ ０．５６６）となり、色差は０．０１０となった。
従って、表３から明らかなように、凹凸部２１を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００６２】
（有機ＥＬ素子の第３実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第３実施形態を説明する。
本実施形態と第１実施形態とは、凹凸部２１が緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００６３】
本実施形態において、基板２０の表面２０ａには、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１が設けられている。ここで、「緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ａの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢと、凹凸部２１とが重なり合う位置にあることを意味している。このような凹凸部２１の形成方法は、第１実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成している。
【００６４】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは画素電極２３を直接通じて基板２０から出射したり、陰極５０で反射してから画素電極２３を通じて基板２０から出射したりする。このとき、凹凸部２１が形成された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板２０に入射する際に、凹凸部２１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに空気界面に放射されるので、有機ＥＬ素子１Ａを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００６５】
【表４】
【００６６】
表４は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ａと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表４に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．４２ ０．４１）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３４ ０．３５）となり、色差は０．００７となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表４から明らかなように、凹凸部２１を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００６７】
（有機ＥＬ素子の第４実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第４実施形態を説明する。
図５は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、陰極５０を通じて発光機能層１１０の発光を取り出すトップエミッション構造である点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【００６８】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｂにおいては、基板２０の表面２０ａにおける青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部２１が形成されていると共に、凹凸部２１を含む基板２０の表面２０ａの全面に反射層２４が形成されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１が設けられている。これによって、反射層２４は、青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１の形状に倣って凹凸状の表面を有し、本発明の散乱部として機能する。このような反射層２４の材料としては、銀（Ａｇ）やアルミニウム等の光反射性の金属が採用される。
【００６９】
従って、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々において発光した光は、陰極５０を通じて基板２０の反対側に出射するだけでなく、反射層２４によって反射した後に陰極５０を通じて基板２０の反対側に、発光光Ｌとして出射する。そして、緑色画素ＸＧ及び赤色画素ＸＲにおいてはその発光光は平坦な反射層２４によって陰極５０に向けて反射するのに対し、青色画素ＸＢにおいてはその発光光は凹凸状の反射層２４によって散乱及び反射する。
【００７０】
このような有機ＥＬ素子１Ｂは、トップエミッション型であり、陰極５０から発光光を取り出す構造であるため、陰極５０の材料としては、透明導電膜のＩＴＯが採用される。
また、画素電極２３は、赤色画素ＸＲに形成された画素電極２３Ｒ、緑色画素ＸＧに形成された画素電極２３Ｇ、及び青色画素ＸＢに形成された画素電極２３Ｂによって構成されている。そして、各画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、その膜厚が各々異なっており、その膜厚の大小関係は、画素電極２３Ｒ＞画素電極２３Ｇ＞画素電極２３Ｂとなっている。このように、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、膜厚が異なると共に透明性を有するので、光共振器として機能させることができる。即ち、光共振器の光学長を画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ毎に異ならせる（調整する）ことが可能となる。例えば、長波長（例えば赤色光）の発光を行う画素の画素電極２３Ｒの膜厚を長くして、その光学長を合わせることができ、短波長（例えば青色光）の発光を行う画素の画素電極２３Ｂの膜厚を短くして、その光学長を合わせることができる。
その他、画素電極２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂの膜厚を異ならせずに、発光層ＸＲ、ＸＧ、ＸＢの材料を異ならせることによって、画素を形成することも可能である。
【００７１】
また、反射層２４の全面には、平坦化層２２が形成されている。これによって、基板２０の表面２０ａは、レベリングされた状態となり、平坦化層２２が反射層２４の表面の凹凸をフラットにすることで、有機ＥＬ素子１Ｂの表示欠陥を抑制する。
【００７２】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから画素電極２３と陰極５０を通じて出射したりする。このとき、凹凸状の反射層２４が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、反射層２４によって散乱及び反射する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｂを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００７３】
【表５】
【００７４】
表５は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表５の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表５から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例では、相対輝度が２８．５４％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６５．７５％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【００７５】
（有機ＥＬ素子の第５実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第５実施形態を説明する。
本実施形態と第４実施形態とは、緑色画素ＸＧに凹凸状の反射層２４が形成されている点が相違している。また、他の構成は、第４実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００７６】
本実施形態において、基板２０の表面２０ａには、緑色画素ＸＧに対応する位置に凹凸部２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部２１が設けられている。このような凹凸部２１の形成方法は、第１実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成している。
また、凹凸部２１に倣って反射層２４が形成されているので、当該反射層２４は緑色画素ＸＧの発光光を散乱及び反射させる。
【００７７】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから画素電極２３と陰極５０を通じて出射したりする。このとき、凹凸状の反射層２４が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、反射層２４によって散乱及び反射する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｂを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
これにより、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【００７８】
【表６】
【００７９】
表６は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表６の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
【００８０】
表６に示すように、従来例における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．２２９ ０．６８２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．２０５ ０．５６５）となり、色差は０．０３０となった。
これに対し、本実施形態における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．２２０ ０．６５２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．２１０ ０．６２０）となり、色差は０．００８となった。即ち、本実施形態では、色差が０．０２よりも小さくなるので、観察者から見て色シフトが認識されないものとなる。
従って、表６から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００８１】
（有機ＥＬ素子の第６実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第６実施形態を説明する。
本実施形態と第４実施形態とは、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに凹凸状の反射層２４が形成されている点が相違している。また、他の構成は、第４実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００８２】
本実施形態において、基板２０の表面２０ａには、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部２１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて凹凸部２１が設けられている。このような凹凸部２１の形成方法は、第１実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに当たる部分の表面２０ａのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部２１を形成している。
また、凹凸部２１に倣って反射層２４が形成されているので、当該反射層２４は緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢの発光光を散乱及び反射させる。
【００８３】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから画素電極２３と陰極５０を通じて出射したりする。このとき、凹凸状の反射層２４が形成された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、反射層２４によって散乱及び反射する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｂを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００８４】
【表７】
【００８５】
表７は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表７に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３８ ０．３６）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３３７ ０．３４５）となり、色差は０．００９となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表７から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００８６】
（有機ＥＬ素子の第７実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第７実施形態を説明する。
図６は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、対向基板を備えたトップエミッション構造である点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【００８７】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｃは、基板２０に対向配置された対向基板３０と、基板２０及び対向基板３０を接着する接着層３５とを備えている。そして、基板２０と対向基板３０との間に、先述の画素電極２３及び陰極５０によって挟持された発光機能層１１０が形成されている。
ここで、対向基板３０は、トップエミッション型の有機ＥＬパネルを構成する基板であるため、ガラス基板等の透明基板が採用される。本実施形態では、基板２０と同一の屈折率（５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．５４の屈折率）を有するガラス基板を対向基板３０として採用している。
また、対向基板３０と発光機能層１１０の間において、当該対向基板３０の表面３０ａには、青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部（散乱部）３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部３１が設けられている。ここで、「青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ｃの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に青色画素ＸＢと、凹凸部３１とが重なり合う位置にあることを意味している。また、換言すると、このような凹凸部３１は、基板２０と発光機能層１１０（後述）の間において、対向基板３０の表面３０ａに形成された部位である。
また、このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【００８８】
接着層３５は、例えばアクリルやエポキシ等の樹脂充填剤からなる層膜である。また、当該接着層３５は、基板２０の陰極５０の表面を被覆するように塗布されたり、或いは、対向基板３０の表面３０ａを被覆するように塗布されたりした後に、基板２０と対向基板３０とを貼り合わせることで、当該両基板２０，３０の間に充填される。
【００８９】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃにおいては、基板２０上に反射膜２４が形成され、当該反射膜２４上に画素電極２３（２３Ｂ，２３Ｇ，２３Ｒ）が形成されている。ここで、画素電極２３は、必ずしも透明導電膜によって形成される必要はなく、金属反射膜であってもよい。このようにすれば、反射膜２４は不要になり、製造工程数を削減できる。
【００９０】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及び対向基板３０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及び対向基板３０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、対向基板３０に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｃを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【００９１】
【表８】
【００９２】
表８は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表８の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表８から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例では、相対輝度が２８．５４％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６０．２８％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【００９３】
（有機ＥＬ素子の第８実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第８実施形態を説明する。
本実施形態と第７実施形態とは、凹凸部３１が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第７実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【００９４】
本実施形態において、対向基板３０の表面３０ａには、緑色画素ＸＧに対応する位置に凹凸部３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部３１が設けられている。このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【００９５】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及び対向基板３０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及び対向基板３０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、対向基板３０に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｃを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
これにより、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【００９６】
【表９】
【００９７】
表９は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表９の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
【００９８】
表９に示すように、従来例における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．２２９ ０．６８２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．２０５ ０．５６５）となり、色差は０．０３０となった。
これに対し、本実施形態における緑色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．２２０ ０．６５２）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．２１３ ０．６１８）となり、色差は０．００８となった。即ち、本実施形態では、色差が０．０２よりも小さくなるので、観察者から見て色シフトが認識されないものとなる。
従って、表９から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例と比較して、本実施形態では、若干、正面のｘ値が増加し、僅かに青色味がかかったが、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【００９９】
（有機ＥＬ素子の第９実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第９実施形態を説明する。
本実施形態と第７実施形態とは、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに凹凸状の反射層２４が形成されている点が相違している。また、他の構成は、第７実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１００】
本実施形態において、対向基板３０の表面３０ａには、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて凹凸部３１が設けられている。このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【０１０１】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及び対向基板３０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及び対向基板３０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、対向基板３０に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｃを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１０２】
【表１０】
【０１０３】
表１０は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｃと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１０に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３８ ０．３６）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３４８ ０．３４４）となり、色差は０．０１２となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表１０から明らかなように、凹凸状の反射層２４を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【０１０４】
（有機ＥＬ素子の第１０実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第１０実施形態を説明する。
図７は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、カラーフィルタ基板を備えたトップエミッション構造である点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【０１０５】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｄは、基板２０に対向配置されたカラーフィルタ基板４０と、基板２０及びカラーフィルタ基板４０を接着する接着層３５とを備えている。そして、基板２０とカラーフィルタ基板４０との間に、先述の画素電極２３及び陰極５０によって挟持された発光機能層１１０が形成されている。
ここで、カラーフィルタ基板４０は、基板本体４１と、着色層４２（４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒ）とを備えている。
【０１０６】
基板本体４１は、トップエミッション型の有機ＥＬパネルを構成する基板であるため、ガラス基板等の透明基板が採用される。本実施形態では、基板２０と同一の屈折率（５５０ｎｍの波長を有する光に対して１．５４の屈折率）を有するガラス基板を基板本体４１として採用している。
【０１０７】
着色層４２は、基板本体４１と接着層３５との間に位置していると共に、着色層４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒの各々は、単位画素群Ｐｘの複数の画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲに各々対応して設けられている。即ち、青色発光の有機ＥＬ層６０Ｂには着色層４２Ｂが対応し、緑色発光の有機ＥＬ層６０Ｇには着色層４２Ｇが対応し、赤色発光の有機ＥＬ層６０Ｒには着色層４２Ｒが対応している。
これによって、有機ＥＬ層６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒの各色の発光光は、同色の着色層を通過するので、各画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々から出射される各色光は、色濃度が高い色を有することとなる。また、このような着色層４２を備えたことで、有機ＥＬ層６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒの発光の色補正を行うことが可能となる。
【０１０８】
なお、有機ＥＬ層６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒに代えて、各画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々が白色発光可能な有機ＥＬ層を備えていてもよい。この場合、白色光が着色層４２Ｂを透過することで画素ＸＢから青色光を得ることができ、白色光が着色層４２Ｇを透過することで画素ＸＧから緑色光を得ることができ、白色光が着色層４２Ｒを透過することで画素ＸＲから赤色光を得ることができる。
【０１０９】
また、基板本体４１と着色層４２（４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒ）の間において、当該基板本体４１の表面３０ａには、青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部（散乱部）３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部３１が設けられている。ここで、「青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ｄの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に青色画素ＸＢと、凹凸部３１とが重なり合う位置にあることを意味している。また、換言すると、このような凹凸部３１は、基板本体４１と着色層４２の間において、基板本体４１の表面４１ａに形成された部位である。
また、このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【０１１０】
また、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄにおいては、基板２０上に反射膜２４が形成され、当該反射膜２４上に画素電極２３が形成されている。ここで、画素電極２３は、必ずしも透明導電膜によって形成される必要はなく、金属反射膜であってもよい。このようにすれば、反射膜２４は不要になり、製造工程数を削減できる。
また、有機ＥＬ素子１Ｄにおいては、画素電極２３を画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々に対して異なる膜厚で形成して、光共振器の光学長を調整してもよい（図５、図６参照）。
【０１１１】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板本体４１に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
これに対し、凹凸部３１が形成されていない従来では、光路長が長くなると着色層４２の透過範囲から外れてしまい輝度が暗くなってしまう。また、着色層４２には吸収スペクトルがあり、色シフトが緩和されるといっても、ピーク波長が長波長側にシフトすれば、視認でき得る色シフトの原因となる。
これに対して、本実施形態においては、凹凸部３１を有する青色画素ＸＢにおいて様々な光路長を有する干渉光は、基板本体４１に入射する際に、凹凸部３１によって散乱される。従って、様々な光路長を有する干渉光束、つまり、様々な色の干渉光束がランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｄを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１１２】
【表１１】
【０１１３】
表１１は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１１の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１１から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例では、相対輝度が２５．６８％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６６．１４％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１１４】
（有機ＥＬ素子の第１１実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１１実施形態を説明する。
本実施形態と第１０実施形態とは、凹凸部３１が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１０実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１１５】
本実施形態において、基板本体４１の表面４１ａには、緑色画素ＸＧに対応する位置に凹凸部３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部３１が設けられている。このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【０１１６】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板本体４１に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｃを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
また、本実施形態では、緑色の発光量が高分子系よりも少ない低分子系材料を用いる場合において、緑色の視角を広げることが可能となるので、高輝度広視角を得やすくなる。
また、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【０１１７】
【表１２】
【０１１８】
表１２は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１２の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１２から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例では、相対輝度が４４．６１％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が５０．２８％となった。従って、本実施形態では、緑色画素ＸＧの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１１９】
（有機ＥＬ素子の第１２実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１２実施形態を説明する。
本実施形態と第１０実施形態とは、凹凸部３１が緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１０実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１２０】
本実施形態において、基板本体４１の表面４１ａには、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に凹凸部３１が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて凹凸部３１が設けられている。このような凹部３１の形成方法は、先述の凹部２１の形成方法と同様であり、対向基板３０の表面３０ａに対してフッ酸処理を行うことにより、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹部３１を形成することが可能となる。
【０１２１】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部３１が形成された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、基板本体４１に入射する際に、凹凸部３１によって散乱する。
従って、上述したように、様々な光路長を有する干渉光束が、つまり、様々な色の干渉光束が混在して、ランダムに放射されるので、有機ＥＬ素子１Ｄを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１２２】
【表１３】
【０１２３】
表１３は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｄと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１３に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３８ ０．３６）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３４４ ０．３４４）となり、色差は０．０１０となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表１３から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【０１２４】
（有機ＥＬ素子の第１３実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第１３実施形態を説明する。
図８（Ａ）は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｅの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、トップエミッション構造においてカラーフィルタ基板にオーバーコート層が形成されている点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【０１２５】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｅは、基板２０に対向配置されたカラーフィルタ基板４０と、基板２０及びカラーフィルタ基板４０を接着する接着層３５とを備えている。そして、基板２０とカラーフィルタ基板４０との間に、先述の画素電極２３及び陰極５０によって挟持された発光機能層１１０が形成されている。
ここで、カラーフィルタ基板４０は、基板本体４１から発光機能層１１０に向けて、着色層４２（４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒ）と、オーバーコート層４３とを備えている。
また、有機ＥＬ装置１Ｅにおいては、画素電極２３を画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々に対して異なる膜厚で形成することで光共振器の光学長を調整してもよい（図５、図６参照）。
【０１２６】
オーバーコート層４３は、着色層４２とは異なる屈折率の樹脂材料によって形成された層膜である。また、オーバーコート層４３と着色層４２との界面において、青色画素ＸＢに対応する着色層４２Ｂの表面に凹凸部（散乱部）４５が形成されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて凹凸部４５が設けられている。また、緑色画素ＸＧ及び赤色画素ＸＲには、このような凹凸部４５は形成されておらず、平坦面となっている。
【０１２７】
このような着色層４２及びオーバーコート層４３の形成方法について説明する。
まず、青色画素ＸＢにおいて、基板本体３１の表面に青のアクリル材料からなる着色層４２Ｂを形成し、その後に当該着色層４２Ｂに対して１０秒間のオゾンプラズマ処理を行う。これによって、着色層４２Ｂの表面が０．０１〜０．５μｍの深さのランダムな凹凸を有することとなり、凹凸部４５が形成される。その後、緑色画素ＸＧに着色層４２Ｇ、赤色画素ＸＲに着色層４２Ｒを形成した。その後、オーバーコート層４３を例えばスピンコート法によって形成する。以上の工程により、基板本体４１上に着色層４２及びオーバーコート層４３が形成される。
また、オーバーコート層４３が形成された後には、カラーフィルタ基板４０と基板２０とを接着層３５を介して貼り合わせることで、有機ＥＬ素子１Ｅが形成される。
【０１２８】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部４５が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、オーバーコート層４３と、着色層４２Ｂとの界面に入射する際に、凹凸部４５によって散乱する。従って、様々なピーク波長を有する干渉光束出射方向が変化するため、有機ＥＬ素子１Ｅを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１２９】
（有機ＥＬ素子の第１３実施形態の変形例）
次に、有機ＥＬ素子の第１３実施形態の変形例を説明する。
図８（Ｂ）は、本変形例の有機ＥＬ素子１Ｆの単位画素群を模式的に示す断面図である。本変形例は、凹凸部４５がオーバーコート層４３に形成されている点が、先の第１３実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【０１３０】
本変形例の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｆにおいては、オーバーコート層４３が着色層４２とは異なる屈折率の樹脂材料によって形成された層膜となっている。また、オーバーコート層４３と接着層３５との界面において、青色画素ＸＢに対応するオーバーコート層４３の表面に凹凸部４５が形成されている。また、緑色画素ＸＧ及び赤色画素ＸＲには、このような凹凸部４５は形成されておらず、平坦面となっている。
【０１３１】
このようなオーバーコート層４３の形成方法について説明する。
まず、青色画素ＸＢに着色層４２Ｂ、緑色画素ＸＧに着色層４２Ｇ、赤色画素ＸＲに着色層４２Ｒを形成する。その後、着色層４２Ｂ，４２Ｇ，４２Ｒの表面に対し、例えばスピンコート法によってオーバーコート層４３を形成する。その後、青色画素ＸＢに対応するオーバーコート層４３のみに対して、１０秒間のオゾンプラズマ処理を行う。これによって、青色画素ＸＢにおけるオーバーコート層４３の表面が０．０１〜０．５μｍの深さのランダムな凹凸を有することとなり、凹凸部４５が形成される。以上の工程により、基板本体４１上に着色層４２及びオーバーコート層４３が形成される。
また、オーバーコート層４３が形成された後には、カラーフィルタ基板４０と基板２０とを接着層３５を介して貼り合わせることで、有機ＥＬ素子１Ｅが形成される。
【０１３２】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部４５が形成された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、接着層３５とオーバーコート層４３との界面に入射する際に、凹凸部４５によって散乱する。従って、様々なピーク波長を有する干渉光束出射方向が変化するため、斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１３３】
【表１４】
【０１３４】
表１４は、上記の第１３実施形態における青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｅと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１４の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１４から明らかなように、凹凸部４５を有していない従来例では、相対輝度が２２．２３％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６０．０２％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
また、上記の第１３実施形態の変形例においても、同様の結果が得られた。
【０１３５】
【表１５】
【０１３６】
表１５は、第１３実施形態及びその変形例について、着色層４２とオーバーコート層４３との屈折率差や、オーバーコート層４３と接着層３５との屈折率差を変化させた場合について、青色画素ＸＢの発光を斜めから観察した場合（４５°）の相対輝度を示している。
また、表１５において、「Δｎ」とは、着色層４２とオーバーコート層４３との屈折率差、又は、オーバーコート層４３と接着層３５との屈折率差、を意味している。また、表１５において、Δｎが「０」となっているのは、凹凸部４５が形成されていない場合を意味する。
【０１３７】
表１５から明らかなように、上記の屈折率の差が０．０８である場合において、４５°視角から観察した相対輝度が約５７％以上となり、また、屈折率の差が０．０８よりも大きい場合には相対輝度が更に大きくなることが分かる。このように、凹凸部４５を形成すると共に、着色層４２とオーバーコート層４３との屈折率差、又は、オーバーコート層４３と接着層３５との屈折率差を、０．０８以上にすることで、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。また、Δｎが正の値でも、負の値でも同様の効果が得られることが確認された。
【０１３８】
（有機ＥＬ素子の第１４実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１４実施形態を説明する。
本実施形態と第１３実施形態とは、凹凸部４５が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１３実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１３９】
本実施形態において、緑色画素ＸＧの着色層４２Ｇには凹凸部４５が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて凹凸部４５が設けられている。このような凹凸部４５の形成方法は、第１３実施形態と同様であり、緑色画素ＸＧに当たる部分の着色層４２Ｇのみに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部４５を形成している。
【０１４０】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部４５が形成された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、オーバーコート層４３と、着色層４２Ｂとの界面に入射する際に、凹凸部４５によって散乱する。従って、様々なピーク波長を有する干渉光束出射方向が変化するため、有機ＥＬ素子１Ｅを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１４１】
【表１６】
【０１４２】
表１６は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｅと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１６の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１６から明らかなように、凹凸部４５を有していない従来例では、相対輝度が４０．２２％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が４８．６６％となった。従って、本実施形態では、緑色画素ＸＧの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１４３】
（有機ＥＬ素子の第１５実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１５実施形態を説明する。
本実施形態と第１３実施形態とは、凹凸部４５が緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１３実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１４４】
本実施形態において、青色画素ＸＢの着色層４２Ｂと緑色画素ＸＧの着色層４２Ｇとに対して凹凸部４５が設けられている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢ及び緑色画素ＸＧにおいて凹凸部４５が設けられている。このような凹凸部４５の形成方法は、第１３実施形態と同様であり、着色層４２Ｂ，４２Ｇに、高さ０．０１〜０．５μｍのランダムな多数の凹凸を有する凹凸部４５を形成している。
【０１４５】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、凹凸部４５が形成された青色画素ＸＢ及び緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光は、オーバーコート層４３と、着色層４２Ｂ，４２Ｇとの界面に入射する際に、凹凸部４５によって散乱する。従って、様々なピーク波長を有する干渉光束出射方向が変化するため、有機ＥＬ素子１Ｅを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１４６】
【表１７】
【０１４７】
表１７は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｅと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１７に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３７１ ０．３６２）となり、色差は０．０２７となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３３２ ０．３４１）となり、色差は０．００７となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表１７から明らかなように、凹凸部４５を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【０１４８】
（第１６実施形態）
次に、有機ＥＬパネル１を構成する有機ＥＬ素子の第１６実施形態を説明する。
図９は、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態は、接着層３５に樹脂粒子（粒子）が含有されている点が、先の実施形態と相違している。以下の説明では、先の実施形態と同一構成には、同一符号を付して説明を省略する。
【０１４９】
本実施形態の有機ＥＬ素子（有機ＥＬ装置）１Ｇは、基板２０に対向配置されたカラーフィルタ基板４０と、基板２０及びカラーフィルタ基板４０を接着する接着層３５とを備えている。
接着層３５は、例えばアクリルやエポキシ等の樹脂充填剤３５ａを主材料とし、青色画素ＸＧに対応する位置に複数の樹脂粒子（散乱部）３６を含んで構成されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された青色画素ＸＢにおいて樹脂粒子３６が設けられている。ここで、「青色画素ＸＢに対応する位置」とは、有機ＥＬ素子１Ｇの実表示領域４に対して鉛直方向から見た場合に青色画素ＸＢと、複数の樹脂粒子３６とが重なり合う位置にあることを意味している。
ここで、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率は異なっている。また、樹脂粒子３６は、粒子状であればよく、微視的に見て樹脂球体であっても、樹脂片であってもよい。また、樹脂材料に限らず、屈折率が樹脂充填剤３５ａと異なる有機材料や無機材料であってもよい。
また、有機ＥＬ装置１Ｇにおいては、画素電極２３を画素ＸＢ，ＸＧ，ＸＲの各々に対して異なる膜厚で形成して、光共振器の光学長を調整してもよい（図５、図６参照）。
【０１５０】
また、樹脂粒子３６を樹脂充填剤３５ａに含ませる工程としては、樹脂充填剤３５ａをカラーフィルタ基板４０上又は基板２０上に塗布した後に、青色画素ＸＢに当たる部分のみに樹脂粒子３６を分散させる方法が挙げられる。或いは、樹脂粒子３６を樹脂充填剤３５ａに分散させた塗布材料をディスペンサ等によって青色画素ＸＢに当たる部分のみに吐出し、緑色画素ＸＧや赤色画素ＸＲには樹脂充填剤３５ａのみを吐出する方法が挙げられる。
また、樹脂粒子３６及び樹脂充填剤３５ａを含む接着層３５がカラーフィルタ基板４０上又は基板２０上に塗布された後には、当該基板２０，４０を貼り合わせることで、有機ＥＬ素子１Ｇが形成される。
【０１５１】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、複数の樹脂粒子３６が分散された青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光が接着層３５を透過する際に、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差によって散乱する。従って、様々なピーク波長をもつ干渉光束の進行方向が、その屈折率差によって変化するために、有機ＥＬ素子１Ｇを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１５２】
【表１８】
【０１５３】
表１８は、青色画素ＸＢの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表１８の結果は、青色画素ＸＢのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表１８から明らかなように、樹脂粒子３６を有していない従来例では、相対輝度が２３．１５％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が６５．６６％となった。従って、本実施形態では、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１５４】
【表１９】
【０１５５】
表１９は、第１６実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇについて、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差を変化させた場合について、青色画素ＸＢの発光を斜めから観察した場合（４５°）の相対輝度を示している。
また、表１９において、「Δｎ」とは、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差を意味している。また、表１９において、Δｎが「０」となっているのは、樹脂粒子３６が接着層３５に含まれていない場合を意味する。
【０１５６】
表１９から明らかなように、上記の屈折率の差が０．０８である場合において、４５°視角から観察した相対輝度が約６０％以上となり、また、屈折率の差が０．０８よりも大きい場合には相対輝度が更に大きくなることが分かる。このように、接着層３５に樹脂粒子３６が含んでいると共に、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差を０．０８以上にすることで、青色画素ＸＢの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。また、Δｎが正の値でも、負の値でも同様の効果が得られることが確認された。
【０１５７】
（有機ＥＬ素子の第１７実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１７実施形態を説明する。
本実施形態と第１６実施形態とは、複数の樹脂粒子３６が緑色画素ＸＧに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１６実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１５８】
本実施形態においては、緑色画素ＸＧに対応させて、接着層３５に樹脂粒子３６が含有されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧにおいて樹脂粒子３６が設けられている。このように接着層３５に樹脂粒子３６を分散させる方法は、第１６実施形態と同様である。
【０１５９】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、複数の樹脂粒子３６が分散された緑色画素ＸＧにおいては、様々な光路長を有する干渉光が接着層３５を透過する際に、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差によって散乱する。従って、様々なピーク波長をもつ干渉光束の進行方向が、その屈折率差によって変化するために、有機ＥＬ素子１Ｇを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
また、本実施形態では、緑色の発光量が高分子系よりも少ない低分子系材料を用いる場合において、緑色の視角を広げることが可能となるので、高輝度広視角を得やすくなる。
また、高分子材料で有機ＥＬ層６０Ｇが構成されていたとしても、斜め方向から観察した場合に５５０ｎｍ前後の光を取り出すことができる。
【０１６０】
【表２０】
【０１６１】
表２０は、緑色画素ＸＧの発光光を正面または斜めから観察した場合の相対輝度について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表２０の結果は、緑色画素ＸＧのみを発光させ、他の画素は非発光として測定したものである。
表２０から明らかなように、樹脂粒子３６を有していない従来例では、相対輝度が４０．２８％であるのに対し、本実施形態では相対輝度が４９．６５％となった。従って、本実施形態では、緑色画素ＸＧの輝度の減少が抑制されることが確認された。また、輝度減少が抑制されることで、色シフトが抑制されることが確認された。
【０１６２】
本実施形態では、屈折率の異なる樹脂片や樹脂球が分散された接着層３５を用いることで、上記の効果を得ているが、散乱機能を有する樹脂であれば、他の材料であってもよい。
【０１６３】
（有機ＥＬ素子の第１８実施形態）
次に、有機ＥＬ素子の第１８実施形態を説明する。
本実施形態と第１６実施形態とは、複数の樹脂粒子３６が緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応する位置に設けられている点が相違している。また、他の構成は、第１６実施形態と同一であるため、同一符号を付して説明を省略する。
【０１６４】
本実施形態においては、緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢに対応させて、接着層３５に樹脂粒子３６が含有されている。即ち、単位画素群Ｐｘのうちの選択された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいて樹脂粒子３６が設けられている。このように接着層３５に樹脂粒子３６を分散させる方法は、第１６実施形態と同様である。
【０１６５】
本実施形態においては、有機ＥＬ層６０（６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ）が発光すると、発光光Ｌは陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて直接出射したり、反射層２４で反射してから陰極５０及びカラーフィルタ基板４０を通じて出射したりする。このとき、複数の樹脂粒子３６が分散された緑色画素ＸＧ及び青色画素ＸＢにおいては、様々な光路長を有する干渉光が接着層３５を透過する際に、樹脂充填剤３５ａと樹脂粒子３６との屈折率差によって散乱する。従って、様々なピーク波長をもつ干渉光束の進行方向が、その屈折率差によって変化するために、有機ＥＬ素子１Ｇを斜め（広角）から見たときの色シフトや輝度の減少を抑制できる。
【０１６６】
【表２１】
【０１６７】
表２１は、単位画素群Ｐｘを全発光させた白色光を正面または斜めから観察した場合の色座標（ｘ、ｙ）と色差（Δｕ´ｖ´）について、本実施形態の有機ＥＬ素子１Ｇと従来の有機ＥＬ素子とを比較した結果を示している。
表２１に示すように、従来例における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３８ ０．３５）となり、色差は０．０３２となった。このような従来例では、斜めから観察すると、緑色光の色シフトが生じたり、青色光の輝度が減少したりすることで、全体的に赤味かかった黄色系の白色光となってしまう。
これに対し、本実施形態における白色光の色座標（ｘ、ｙ）は、正面から観察した場合（０°）で（０．３３ ０．３３）、斜めから観察した場合（４５°）で（０．３４８ ０．３４４）となり、色差は０．０１２となった。このような本実施形態では、正面や斜めから観察しても殆ど白色光の変色が生じないことが確認された。
表２１から明らかなように、凹凸部３１を有していない従来例と比較して、本実施形態では、広角から観察したときの色シフトが大きく低減された。
【０１６８】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述した有機ＥＬパネル１を表示部として有したものであり、具体的には図１０に示すものが挙げられる。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬパネル１を用いた表示部１００１を備える。
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬパネル１を用いた表示部１１０１を備える。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０１、上述した有機ＥＬパネル１を用いた表示部１２０２、情報処理装置本体（筐体）１２０３を備える。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機ＥＬパネル（有機ＥＬ装置）１を有した表示部１００１，１１０１，１２０２を備えているので、表示部を構成する有機ＥＬ装置の高輝度化を実現すると共に、色シフトが抑制されたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置に係る有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図。
【図２】本発明の有機ＥＬ装置に係る有機ＥＬパネルの構成を模式的に示す平面図。
【図３】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の相対輝度を説明するための図。
【図５】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図６】本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図７】本発明の第１０実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図８】本発明の第１３実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図９】本発明の第１６実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図。
【図１０】本発明の有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図。
【符号の説明】
【０１７０】
１ 有機ＥＬパネル（有機エレクトロルミネッセンス装置）、 １Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ 有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス装置）、 ２０ 基板、 ２１，３１，４５ 凹凸部（散乱部）、 ２２ 平坦化層、 ２３，２３Ｂ，２３Ｇ，２３Ｒ 画素電極（第１電極）、 ２４ 反射層、 ３０対向基板、 ３５ 接着層、 ３５ａ 樹脂充填剤、 ３６ 樹脂粒子（粒子、散乱部）、 ４０ カラーフィルタ基板、 ４１ 基板本体、 ４２，４２Ｂ，４２Ｒ，４２Ｒ 着色層、 ４３ オーバーコート層、 ５０ 陰極（第２電極）、 ５５ 電子輸送層（発光機能層）、 ６０，６０Ｂ，６０Ｇ，６０Ｒ，有機ＥＬ層（発光機能層）、 ７０ 正孔輸送層（発光機能層）、 １１０ 発光機能層、 １０００，１１００，１２００ 電子機器、 Ｐｘ 単位画素群、 Ｌ 発光光、 ＸＧ 緑色画素（画素）、 ＸＢ 青色画素（画素）、 ＸＲ 赤色画素（画素）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記単位画素群のうちの選択された画素には、前記発光機能層の発光光を散乱させる散乱部が設けられていること、
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記単位画素群において、
前記複数の画素は、各々、赤色、緑色、及び青色の光を出射するものであって、
前記散乱部は、緑色画素又は／及び青色画素に形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記散乱部は、
前記基板と前記発光機能層の間において、前記基板の表面が可視光を散乱しうる凹凸部を有することによって形成されていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記散乱部に接して、平坦化層が形成されていること、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記平坦化層の屈折率は、前記基板の屈折率とは異なること、
を特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記散乱部は、
前記凹凸部に形成された反射層であること、
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記基板に対向配置された対向基板と、前記基板及び前記対向基板を接着する接着層とを有し、
前記散乱部は、
前記対向基板と前記発光機能層の間において、前記対向基板の表面に形成された凹凸部であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記接着層の屈折率は、前記対向基板の屈折率とは異なること、
を特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記基板に対向配置されたカラーフィルタ基板と、前記基板及び前記カラーフィルタ基板を接着する接着層とを有し、
当該カラーフィルタ基板は、当該カラーフィルタ基板から前記発光機能層に向けて、基板本体と、前記単位画素群の前記複数の画素に各々対応する複数色の着色層とを有し、
前記散乱部は、前記基板本体と前記着色層の間において、前記基板本体の表面に形成された凹凸部であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記基板に対向配置されたカラーフィルタ基板と、前記基板及び前記カラーフィルタ基板を接着する接着層とを有し、
当該カラーフィルタ基板は、当該カラーフィルタ基板から前記発光機能層に向けて、基板本体と、前記単位画素群の前記複数の画素に各々対応する複数色の着色層と、オーバーコート層とを有し、
前記散乱部は、前記オーバーコート層の表面、又は、前記着色層の表面に形成された凹凸部であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
前記接着層は、樹脂充填剤と、前記散乱部としての粒子とを有し、
当該粒子の屈折率は、前記樹脂充填剤の屈折率とは異なること、
を特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１２】
基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記単位画素群のうちの選択された画素に、前記発光機能層の発光光を散乱させる散乱部を形成する工程を含むこと、
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１３】
前記散乱部を形成する工程は、
前記基板に対してフッ酸処理を施すことによって、
又は、
前記基板に対して、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び樹脂層のいずれかをパターニング形成することによって、
前記基板に凹凸部を形成すること、
を特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１４】
前記散乱部を形成する工程は、
樹脂層を形成した後に、当該樹脂層にオゾンプラズマ処理を施して、当該樹脂層に凹凸部を形成すること、
を特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記単位画素群のうちの選択された画素には、前記発光機能層の発光光を散乱させる散乱部が設けられていること、
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記単位画素群において、
前記複数の画素は、各々、赤色、緑色、及び青色の光を出射するものであって、
前記散乱部は、緑色画素又は／及び青色画素に形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記散乱部は、
前記基板と前記発光機能層の間において、前記基板の表面が可視光を散乱しうる凹凸部を有することによって形成されていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記散乱部に接して、平坦化層が形成されていること、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記平坦化層の屈折率は、前記基板の屈折率とは異なること、
を特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記散乱部は、
前記凹凸部に形成された反射層であること、
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記基板に対向配置された対向基板と、前記基板及び前記対向基板を接着する接着層とを有し、
前記散乱部は、
前記対向基板と前記発光機能層の間において、前記対向基板の表面に形成された凹凸部であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記接着層の屈折率は、前記対向基板の屈折率とは異なること、
を特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記基板に対向配置されたカラーフィルタ基板と、前記基板及び前記カラーフィルタ基板を接着する接着層とを有し、
当該カラーフィルタ基板は、当該カラーフィルタ基板から前記発光機能層に向けて、基板本体と、前記単位画素群の前記複数の画素に各々対応する複数色の着色層とを有し、
前記散乱部は、前記基板本体と前記着色層の間において、前記基板本体の表面に形成された凹凸部であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記基板に対向配置されたカラーフィルタ基板と、前記基板及び前記カラーフィルタ基板を接着する接着層とを有し、
当該カラーフィルタ基板は、当該カラーフィルタ基板から前記発光機能層に向けて、基板本体と、前記単位画素群の前記複数の画素に各々対応する複数色の着色層と、オーバーコート層とを有し、
前記散乱部は、前記オーバーコート層の表面、又は、前記着色層の表面に形成された凹凸部であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
前記接着層は、樹脂充填剤と、前記散乱部としての粒子とを有し、
当該粒子の屈折率は、前記樹脂充填剤の屈折率とは異なること、
を特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１２】
基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記単位画素群のうちの選択された画素に、前記発光機能層の発光光を散乱させる散乱部を形成する工程を含むこと、
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１３】
前記散乱部を形成する工程は、
前記基板に対してフッ酸処理を施すことによって、
又は、
前記基板に対して、シリコン酸化物、シリコン窒化物、及び樹脂層のいずれかをパターニング形成することによって、
前記基板に凹凸部を形成すること、
を特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１４】
前記散乱部を形成する工程は、
樹脂層を形成した後に、当該樹脂層にオゾンプラズマ処理を施して、当該樹脂層に凹凸部を形成すること、
を特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−７３２１９（Ｐ２００７−７３２１９Ａ）
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２５６０８０（Ｐ２００５−２５６０８０）
【出願日】平成１７年９月５日（２００５．９．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月２２日（２００７．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月５日（２００５．９．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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