有機発光表示装置及びその製造方法
【課題】本発明は、安定的に明点不良を暗点化して、表示品質の低下を抑制した有機発光表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域毎に前記基板部材上に各々離隔配置された複数の画素電極と、前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有して前記基板部材上に形成された画素定義膜と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された共通電極と、を含み、前記複数の画素領域のうち一つ以上の画素領域には前記共通電極が切断されて形成されて、前記画素定義膜の開口部を囲む電極切断部が形成される。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域毎に前記基板部材上に各々離隔配置された複数の画素電極と、前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有して前記基板部材上に形成された画素定義膜と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された共通電極と、を含み、前記複数の画素領域のうち一つ以上の画素領域には前記共通電極が切断されて形成されて、前記画素定義膜の開口部を囲む電極切断部が形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは明点不良を暗点化して表示品質の低下を抑制した有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は、正孔注入電極と、有機発光層と、電子注入電極を有する複数の有機発光素子（ＯＬＥＤ）と、を含む。有機発光層内部で電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光され、これを利用して有機発光表示装置は画像を表示する。
【０００３】
従って、有機発光表示装置は自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を要しないため、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度及び高い反応速度などの高品位特性を有するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００４】
また、有機発光表示装置は多数の画素で画像を表示する。画素は画像を表示する最小単位であり、画素毎に有機発光素子が形成される。一般に有機発光素子は有機発光層と、正孔注入電極と、電子注入電極と、を含む。正孔注入電極及び電子注入電極に電流が流れると有機発光層が発光する。
【０００５】
しかし、製造過程において一部画素に明点の不良が生じる可能性がある。明点不良は当該不良画素の有機発光素子がデータ信号及びゲート信号によらずに常時発光する状態を意味する。このように、常時発光する明点不良が生じた画素は視認性が高く、使用者に明点または輝点として簡単に認識される。つまり、明点不良の発生は有機発光表示装置の品質に大きい影響を与えるようになる。
【０００６】
従って、有機発光素子を完成した後に検査を通して明点不良が生じた画素を探して、これをレーザー（ｌａｓｅｒ）を利用して暗点化するリペア（ｒｅｐａｉｒ）工程を実施している。
【０００７】
しかし、従来のレーザーを利用したリペア工程は明点不良が生じた画素を暗点化する過程において周辺データライン及び共通電源ラインやその他電極が損傷する問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の第１の目的は、安定的に明点不良を暗点化して、表示品質の低下を抑制した有機発光表示装置を提供することである。
【０００９】
本発明の第２の目的は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域毎に前記基板部材上に各々離隔配置された複数の画素電極と、前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有して前記基板部材上に形成された画素定義膜と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された共通電極と、を含み、前記複数の画素領域のうち一つ以上の画素領域で前記共通電極が切断され前記画素定義膜の開口部を囲む電極切断部が形成される。
【００１１】
前記電極切断部は前記画素定義膜上に形成されてもよい。
【００１２】
前記画素定義膜は前記電極切断部に沿って形成された陥没部を有することができる。
【００１３】
前記電極切断部と前記画素電極との間に前記画素定義膜が配置できる。
【００１４】
データライン、共通電源ライン、ソース電極、及びドレイン電極をさらに含み、前記データライン、前記共通電源ライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の一つ以上は前記電極切断部の下部に配置される。
【００１５】
前記電極切断部が形成された前記画素領域では前記有機発光層が発光しないことである。
【００１６】
前記有機発光表示装置において、前記有機発光層は前記画素定義膜と前記共通電極との間にも形成され、前記電極切断部が形成された前記画素領域には前記電極切断部に沿って前記有機発光層が切断されて形成された有機層切断部が形成できる。
【００１７】
また、本発明の実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、複数の画素領域を含む基板部材上に前記毎画素領域に各々画素電極を形成する段階と、前記基板部材上に前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有する画素定義膜を形成する段階と、前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上に共通電極を形成して複数の有機発光素子を完成する段階と、前記有機発光素子を検査して不良有機発光素子を検出する段階と、そして前記不良有機発光素子が位置した画素領域において前記共通電極を切断して形成された電極切断部を形成する段階と、をさらに含み、前記電極切断部は前記画素定義膜の開口部を囲むように形成できる。
【００１８】
前記電極切断部は前記画素定義膜上に形成できる。
【００１９】
前記電極切断部を形成する工程において、前記電極切断部の下部の前記画素定義膜を陥没させて陥没部を共に形成してもよい。
【００２０】
前記電極切断部と前記画素電極との間に前記画素定義膜が配置されてもよい。
【００２１】
データライン、共通電源ライン、ソース電極、及びドレイン電極をさらに含み、前記データライン、前記共通電源ライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の一つ以上は前記電極切断部の下部に配置される。
【００２２】
前記電極切断部が形成された前記画素領域では前記有機発光層が発光しないことである。
【００２３】
前記有機発光表示装置の製造方法において、前記有機発光層は前記画素定義膜と前記共通電極との間にもさらに形成され、前記電極切断部を形成する工程において前記電極切断部に沿って前記有機発光層が切断されて形成された有機層切断部を共に形成できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、有機発光表示装置は安定的に明点不良が暗点化されて、表示品質の低下を抑制することができる。
【００２５】
また、有機発光表示装置の製造方法は安定的に明点不良を暗点化して、表示品質の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【図４】図３の有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図を参照して、本発明の多様な実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は様々な形態に具現され、ここで説明する実施形態に限られない。
【００２８】
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したため、本発明が必ずしも示されたものに限られない。
【００２９】
また、図面から多様な層及び領域を明確に表現するため、厚さを拡大して示した。明細書全体に亘って類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」または「上部に」あるという時、これは他の部分の「真上に」ある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆にある部分が他の部分の「真上に」あるという時にはその中間に他の部分がないことを意味する。
【００３０】
本発明を明確に説明するため、説明上不要な部分は省略し、明細書全体に亘って同一または類似する構成要素については同一参照符号を付ける。
【００３１】
また、多様な実施形態において、同一構成を有する構成要素については同一符号を付け、代表的に第１実施形態を説明し、その他の実施形態では第１実施形態と異なっている構成についてだけ説明する。
【００３２】
また、添付図は、一つの画素領域に二つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備えた２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明はこれに限定されない。従って、有機発光表示装置は一つの画素領域に三つ以上の薄膜トランジスターと二つ以上の蓄電素子を具備でき、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成してもよい。
【００３３】
ここで、画素領域は画素が形成された領域を示す。画素は画像を表示する最小単位を言い、有機発光表示装置は複数の画素を通して画像を表示する。
【００３４】
以下、図１及び図２を参照して本発明の第１実施形態について説明する。
【００３５】
図１及び図２に示したように、有機発光表示装置１００は複数の画素領域を含む。また、有機発光表示装置１００は画素領域毎に形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、そして有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。また、有機発光表示装置１００は一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、ゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１及び共通電源ライン１７２をさらに含む。ここで、一つの画素領域は通常ゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２を境界と定義できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００３６】
また、図示はしないが、有機発光表示装置１００は薄膜トランジスター１０、２０、蓄電素子８０及び有機発光素子７０等を外部から封止できるように覆う封止部材をさらに含むことができる。
【００３７】
有機発光素子７０は、画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０を含む。ここで、画素電極７１０は正孔注入電極の正（＋）極であり、半透過共通電極７３０は電子注入電極の負（−）極となる。しかし、本発明が必ずしもこれに限定されるのではなく、有機発光表示装置１００の駆動方法により画素電極７１０が負極となって、共通電極７３０が正極となってもよい。画素電極７１０及び共通電極７３０から各々正孔と電子が有機発光層７２０の内部に注入される。注入された正孔と電子が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する。
【００３８】
スイッチング薄膜トランジスター１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３及びスイッチングドレイン電極１７４を含み、駆動薄膜トランジスター２０は駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００３９】
蓄電素子８０は層間絶縁膜１６０を間において配置された第１蓄電板１５８と第２蓄電板１７８を含む。ここで、層間絶縁膜は誘電体となる。蓄電素子８０で蓄電された電荷と両蓄電板１５８、１７８との間の電圧によって蓄電容量が決定される。
【００４０】
スイッチング薄膜トランジスター１０は発光させようとする画素領域を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１と接続される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１と接続される。スイッチングドレイン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔配置されると共に、第１蓄電板１５８と連結される。
【００４１】
駆動薄膜トランジスター２０は選択された画素領域内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は第１蓄電板１５８と接続される。駆動ソース電極１７６及び第２蓄電板１７８は各々共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７はコンタクト孔（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２を通して有機発光素子７０の画素電極７１０と接続される。
【００４２】
このような構造によって、スイッチング薄膜トランジスター１０はゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動し、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスター１０から伝えられたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に保存され、蓄電素子８０に保存された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通し有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光するようになる。
【００４３】
また、有機発光表示装置１００が有する複数の画素領域のうち一つ以上の画素領域には共通電極７３０が切断されたように形成された電極切断部７３５が形成される。電極切断部７３５は当該画素領域の画素定義膜１９０の開口部を囲む。つまり、電極切断部７３５が形成された画素領域では画素電極７１０上に位置した共通電極７３０が電気的に遮断される。従って、電極切断部７３５が形成された画素領域では有機発光素子７０の有機発光層７２０が発光できなくなる。
【００４４】
以下、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００において、電極切断部７３５が形成された画素領域の構造について積層順に具体的に説明する。また、以下、駆動薄膜トランジスター２０を中心に薄膜トランジスタの構造について説明する。そしてスイッチング薄膜トランジスター１０は駆動薄膜トランジスターとの相違点のみを簡略に説明する。
【００４５】
基板部材１１０はガラス、石英、セラミック、プラスチックなどで構成された絶縁性基板で形成される。しかし、本発明はこれに限定されない。従って、基板部材１１０がステンレス鋼などで構成された金属性基板で形成されてもよい。また、基板部材１１０は複数に区画された画素領域を含む。
【００４６】
基板部材１１０上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は不純物元素の浸透を防止し表面を平坦化する役割を望まれるが、このような役割を遂行できる物質 は多様に存在する。例えば、バッファー層１２０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２膜）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちいずれか一つが用いられる。しかし、バッファー層１２０は必ずしも必要なものではなく、基板部材１１０の種類及び工程条件により省略できる。
【００４７】
バッファー層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３２は不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ＋ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７を含む。この時、ドーピングされるイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が用いられる。ここで、このような不純物は薄膜トランジスターの種類によって異なる。
【００４８】
本発明の第１実施形態においては、駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたがこれに限定されるのではない。従って、駆動薄膜トランジスター２０にＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターも全て用いることができる。
【００４９】
また、図２に示した駆動薄膜トランジスター２０は多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図２に示されないスイッチング薄膜トランジスター１０は多結晶薄膜トランジスターでもよく、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターでもよい。
【００５０】
駆動半導体層１３２上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。また、ゲート配線はゲートライン１５１、第１蓄電板１５８及びその他の配線をさらに含む。また、駆動ゲート電極１５５は駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００５１】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する複数の貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等で構成される。
【００５２】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。また、データ配線はデータライン１７１、共通電源ライン１７２、第２蓄電板１７８及びその他に配線をさらに含む。また、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は各々層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０に形成された複数の貫通孔を通して、駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と接続される。
【００５３】
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。駆動薄膜トランジスター２０の構成は前述した例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知された構成であるため、多様に変形できる。
【００５４】
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０はその上に形成される有機発光素子７０の発光効率を上げるために段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０はドレイン電極１７７の一部を露出させるコンタクト孔１８２を有する。
【００５５】
平坦化膜１８０はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）の中の一つ以上の物質などで構成できる。
【００５６】
また、本発明による第１実施形態は前述した構造に限定されるのではなく、場合により平坦化膜１８０と層間絶縁膜１６０のうちいずれか一つは省略できる。
【００５７】
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成される。つまり、有機発光表示装置１００は複数の画素領域毎に各々離隔配置された複数の画素電極７１０を含む。画素電極７１０は平坦化膜１８０のコンタクト孔１８２を通しドレイン電極１７７と接続される。
【００５８】
また、平坦化膜１８０上には画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義膜１９０が形成される。つまり、画素定義膜１９０は画素領域毎に形成された複数の開口部を有する。また、画素電極７１０は画素定義膜１９０の開口部に対応するように配置される。しかし、画素電極７１０が必ずしも画素定義膜１９０の開口部にだけ配置されるのではなく、画素電極７１０の一部が画素定義膜１９０と重なるように画素定義膜１９０の下に配置される。画素定義膜１９０はポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）及びポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）等の樹脂またはシリカ系の無機物などで構成できる。
【００５９】
画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には共通電極７３０が形成される。このように、画素電極７１０、有機発光層７２０、及び共通電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。
【００６０】
有機発光層７２０は低分子有機物または高分子有機物で構成される。また、有機発光層７２０は発光層と、正孔注入層（ｈｏｌｅ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）と、正孔輸送層（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）と、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）と、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうち一つ以上を含む多重膜で形成できる。これら全部を含むとき、正孔注入層が正極の画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次に積層される。
【００６１】
画素電極７１０と共通電極７３０は各々透明な導電性物質で形成されたり、半透過型または反射型導電性物質で形成できる。画素電極７１０及び共通電極７３０を形成する物質の種類によって、有機発光表示装置９００は前面発光型、背面発光型または両面発光型となる。
【００６２】
透明な導電性物質としては、インジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）等の物質を用いることができる。反射型物質及び半透過型物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）等の物質を使用できる。
【００６３】
電極切断部７３５は共通電極７３０が切断されて形成され、画素定義膜１９０の開口部を囲む。また、電極切断部７３５は画素定義膜１９０上に形成される。つまり、画素定義膜１９０上の共通電極７３０が切断されて電極切断部７３５を形成する。また、電極切断部７３５はすべての画素領域に形成されるのではなく、有機発光素子７０が作動不良な画素領域にだけ形成される。
【００６４】
このように、電極切断部７３５によって当該画素領域の画素電極７１０上に位置された共通電極７３０は隣接の画素領域に位置した共通電極７３０と電気的に断絶される。従って、電極切断部７３５が形成された画素領域では有機発光素子７０の有機発光層７２０が発光できなくなる。
【００６５】
また、電極切断部７３５は画素定義膜１９０上に形成される。また、画素定義膜１９０は電極切断部７３５に沿って形成された陥没部１９５を有する。画素定義膜１９０の陥没部１９５は電極切断部７３５を形成する過程において共に形成される。また、電極切断部７３５はレーザーを用いて共通電極７３０を切断して形成される。また、陥没部１９５は必ずしも必要な構成ではなく、場合により省略できる。
【００６６】
電極切断部７３５が画素定義膜１９０上に形成されるので、電極切断部７３５と画素電極７１０との間には画素定義膜１９０が位置される。従って、レーザーを用いて共通電極７３０を切断して電極切断部７３５を形成する過程において画素定義膜１９０が保護膜の役割を果たし、画素電極７１０の損傷を防止する。
【００６７】
また、データライン１７１、共通電源ライン１７２、ソース電極１７６、及びドレイン電極１７７等を含むデータ配線のうちの一部が電極切断部７３５の下部に配置される。しかし、電極切断部７３５が画素定義膜１９０上に形成されて画素定義膜１９０が保護膜の役割を果たすため、電極切断部７３５が形成される過程においてデータ配線が損傷されるのを防止できる。
【００６８】
このような構成によって、有機発光表示装置１００は明点不良が生じた画素領域が安定的に暗点化されて表示品質の低下が抑制できるようになる。
【００６９】
以下、図３を参照して本発明の第２実施形態について説明する。
【００７０】
図３に示したように、有機発光層７２０は画素電極７１０上にだけでなく画素定義膜１９０と共通電極７３０との間にも配置される。具体的には、有機発光層７２０は発光層と共に正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）等の多様な膜を含むことができる。この時、発光層を除いた他の正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）は製造過程においてオープンマスク（ｏｐｅｎ ｍａｓｋ）を用いて、共通電極７３０と同様に画素電極７１０上にだけでなく画素定義膜１９０上にも形成される。つまり、有機発光層７２０に属した多様な膜の中の一つ以上の膜が画素定義膜１９０と共通電極７３０との間に配置される。
【００７１】
また、電極切断部７３５が形成された画素領域には電極切断部７３５に沿って画素定義膜１９０と共通電極７３０との間に配置された有機発光層７２０が切断されて形成された有機層切断部７２５がさらに形成される。つまり、画素定義膜１９０上の有機発光層７２０が切断されて有機層切断部７２５を形成する。有機層切断部７２５も画素定義膜１９０の開口部を囲む。
【００７２】
このように、有機層切断部７２５によって当該画素領域の画素電極７１０上に位置された有機発光層７２０は隣接の画素領域に位置された有機発光層７２０と電気的に断絶される。従って、電極切断部７３５及び有機層切断部７２５が形成された画素領域では有機発光素子７０の有機発光層７２０が発光できなくなる。
【００７３】
このような構成によって、有機発光表示装置２００は明点不良が生じた画素領域がもっと安定的に暗点化されて表示品質の低下が抑制できる。電極切断部７３５を通して共通電極７３０だけ断絶する場合、有機発光層７２０を通して微量の電流が流れる可能性がある。しかし、有機層切断部７２５を形成することによって有機発光層７２５を通した電流の流れも完全に遮断することができる。従って、不良有機発光素子７０が配置された画素領域を確かに暗点化することができる。
【００７４】
以下、図４を参照して図３の有機発光表示装置１００の製造方法について説明する。
【００７５】
まず、複数の画素領域を含む基板部材１１０上に薄膜トランジスター２０及び蓄電素子８０等を形成し、その上に平坦化膜１８０を形成する。また、平坦化膜１８０上に画素領域毎に各々画素電極７１０を形成する。
【００７６】
次に、平坦化膜１８０上に画素電極７１０を各々露出する複数の開口部を有する画素定義膜１９０を形成した後、画素電極７１０上に有機発光層７２０と共通電極７３０を順次形成して有機発光素子７０を完成する。
【００７７】
ここで、有機発光層７２０及び共通電極７３０は画素電極７１０の真上にだけでなく画素定義膜１９０上にも形成される。しかし、有機発光層７２０は場合により画素定義膜１９０の開口部内、つまり、画素電極７１０上にだけ形成されてもよい。
【００７８】
次に、有機発光素子７０を検査して、不良な有機発光素子７０を検出する。ここで、不良な有機発光素子７０はデータ信号及びゲート信号と関係なく発光される。
【００７９】
次に、図４に示したように、不良な有機発光素子７０が位置された画素領域でレーザー（Ｌ）を使って共通電極７３０を切断して形成した電極切断部７３５と有機発光層７２０を切断して形成した有機層切断部７２５を形成する。この時、電極切断部７３５と有機層切断部７２５は画素定義膜１９０上に形成されて画素定義膜１９０の開口部を囲む。また、電極切断部７３５及び有機層切断部７２５と共に画素定義膜１９０の陥没部１９５が形成される。但し、有機発光層７２０が画素定義膜１９０上に位置しない場合には電極切断部７３５と陥没部１９５だけ形成することができる。
【００８０】
このように、電極切断部７３５及び有機層切断部７２５によって当該画素領域の画素電極１９０上に位置された共通電極７３０及び有機発光層７２０は、隣接の画素領域に位置された共通電極７３０及び有機発光層７２０と電気的に断絶される。従って、当該画素領域に形成された不良な有機発光素子７０の有機発光層７２０が発光できなくなる。また、不良な有機発光素子７０が位置された画素領域は暗点化される。
【００８１】
このような製造方法によって、明点不良が生じた画素領域を安定的かつ効果的に暗点化して、有機発光表示装置２００の表示品質低下を抑制することができる。
【００８２】
以上、本発明を望ましい実施形態を説明したが、本発明はこれに限定されることなく、特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることを本発明が属する技術分野における当業者なら簡単に理解できる。
【符号の説明】
【００８３】
１００ 有機発光表示装置
１０ スイッチング薄膜トランジスター
２０ 駆動薄膜トランジスター
８０ 蓄電素子
７０ 有機発光素子（ＯＬＥＤ）
１３１ スイッチング半導体層
１３２ 駆動半導体層
１３５ チャンネル領域
１３６ ソース領域
１３７ ドレイン領域
１４０ 絶縁膜
１５１ ゲートライン
１５２ スイッチングゲート電極
１５５ 駆動ゲート電極
１５８ 第１蓄電板
１７８ 第２蓄電板
１６０ 層間絶縁膜
１７１ データライン
１７２ 共通電源ライン
１７３ スイッチングソース電極
１７４ スイッチングドレイン電極
１７６ 駆動ソース電極
１７７ 駆動ドレイン電極
１８０ 平坦化膜
１８２ コンタクト孔
１９０ 画素定義膜
１９５ 陥没部
７１０ 画素電極
７２０ 有機発光層
７３０ 共通電極
７３５ 電極切断部
９００ 有機発光表示装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは明点不良を暗点化して表示品質の低下を抑制した有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は、正孔注入電極と、有機発光層と、電子注入電極を有する複数の有機発光素子（ＯＬＥＤ）と、を含む。有機発光層内部で電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光され、これを利用して有機発光表示装置は画像を表示する。
【０００３】
従って、有機発光表示装置は自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を要しないため、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度及び高い反応速度などの高品位特性を有するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００４】
また、有機発光表示装置は多数の画素で画像を表示する。画素は画像を表示する最小単位であり、画素毎に有機発光素子が形成される。一般に有機発光素子は有機発光層と、正孔注入電極と、電子注入電極と、を含む。正孔注入電極及び電子注入電極に電流が流れると有機発光層が発光する。
【０００５】
しかし、製造過程において一部画素に明点の不良が生じる可能性がある。明点不良は当該不良画素の有機発光素子がデータ信号及びゲート信号によらずに常時発光する状態を意味する。このように、常時発光する明点不良が生じた画素は視認性が高く、使用者に明点または輝点として簡単に認識される。つまり、明点不良の発生は有機発光表示装置の品質に大きい影響を与えるようになる。
【０００６】
従って、有機発光素子を完成した後に検査を通して明点不良が生じた画素を探して、これをレーザー（ｌａｓｅｒ）を利用して暗点化するリペア（ｒｅｐａｉｒ）工程を実施している。
【０００７】
しかし、従来のレーザーを利用したリペア工程は明点不良が生じた画素を暗点化する過程において周辺データライン及び共通電源ラインやその他電極が損傷する問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の第１の目的は、安定的に明点不良を暗点化して、表示品質の低下を抑制した有機発光表示装置を提供することである。
【０００９】
本発明の第２の目的は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域毎に前記基板部材上に各々離隔配置された複数の画素電極と、前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有して前記基板部材上に形成された画素定義膜と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された共通電極と、を含み、前記複数の画素領域のうち一つ以上の画素領域で前記共通電極が切断され前記画素定義膜の開口部を囲む電極切断部が形成される。
【００１１】
前記電極切断部は前記画素定義膜上に形成されてもよい。
【００１２】
前記画素定義膜は前記電極切断部に沿って形成された陥没部を有することができる。
【００１３】
前記電極切断部と前記画素電極との間に前記画素定義膜が配置できる。
【００１４】
データライン、共通電源ライン、ソース電極、及びドレイン電極をさらに含み、前記データライン、前記共通電源ライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の一つ以上は前記電極切断部の下部に配置される。
【００１５】
前記電極切断部が形成された前記画素領域では前記有機発光層が発光しないことである。
【００１６】
前記有機発光表示装置において、前記有機発光層は前記画素定義膜と前記共通電極との間にも形成され、前記電極切断部が形成された前記画素領域には前記電極切断部に沿って前記有機発光層が切断されて形成された有機層切断部が形成できる。
【００１７】
また、本発明の実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、複数の画素領域を含む基板部材上に前記毎画素領域に各々画素電極を形成する段階と、前記基板部材上に前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有する画素定義膜を形成する段階と、前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上に共通電極を形成して複数の有機発光素子を完成する段階と、前記有機発光素子を検査して不良有機発光素子を検出する段階と、そして前記不良有機発光素子が位置した画素領域において前記共通電極を切断して形成された電極切断部を形成する段階と、をさらに含み、前記電極切断部は前記画素定義膜の開口部を囲むように形成できる。
【００１８】
前記電極切断部は前記画素定義膜上に形成できる。
【００１９】
前記電極切断部を形成する工程において、前記電極切断部の下部の前記画素定義膜を陥没させて陥没部を共に形成してもよい。
【００２０】
前記電極切断部と前記画素電極との間に前記画素定義膜が配置されてもよい。
【００２１】
データライン、共通電源ライン、ソース電極、及びドレイン電極をさらに含み、前記データライン、前記共通電源ライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の一つ以上は前記電極切断部の下部に配置される。
【００２２】
前記電極切断部が形成された前記画素領域では前記有機発光層が発光しないことである。
【００２３】
前記有機発光表示装置の製造方法において、前記有機発光層は前記画素定義膜と前記共通電極との間にもさらに形成され、前記電極切断部を形成する工程において前記電極切断部に沿って前記有機発光層が切断されて形成された有機層切断部を共に形成できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、有機発光表示装置は安定的に明点不良が暗点化されて、表示品質の低下を抑制することができる。
【００２５】
また、有機発光表示装置の製造方法は安定的に明点不良を暗点化して、表示品質の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【図４】図３の有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図を参照して、本発明の多様な実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は様々な形態に具現され、ここで説明する実施形態に限られない。
【００２８】
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したため、本発明が必ずしも示されたものに限られない。
【００２９】
また、図面から多様な層及び領域を明確に表現するため、厚さを拡大して示した。明細書全体に亘って類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」または「上部に」あるという時、これは他の部分の「真上に」ある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆にある部分が他の部分の「真上に」あるという時にはその中間に他の部分がないことを意味する。
【００３０】
本発明を明確に説明するため、説明上不要な部分は省略し、明細書全体に亘って同一または類似する構成要素については同一参照符号を付ける。
【００３１】
また、多様な実施形態において、同一構成を有する構成要素については同一符号を付け、代表的に第１実施形態を説明し、その他の実施形態では第１実施形態と異なっている構成についてだけ説明する。
【００３２】
また、添付図は、一つの画素領域に二つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備えた２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明はこれに限定されない。従って、有機発光表示装置は一つの画素領域に三つ以上の薄膜トランジスターと二つ以上の蓄電素子を具備でき、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成してもよい。
【００３３】
ここで、画素領域は画素が形成された領域を示す。画素は画像を表示する最小単位を言い、有機発光表示装置は複数の画素を通して画像を表示する。
【００３４】
以下、図１及び図２を参照して本発明の第１実施形態について説明する。
【００３５】
図１及び図２に示したように、有機発光表示装置１００は複数の画素領域を含む。また、有機発光表示装置１００は画素領域毎に形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、そして有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。また、有機発光表示装置１００は一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、ゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１及び共通電源ライン１７２をさらに含む。ここで、一つの画素領域は通常ゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２を境界と定義できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００３６】
また、図示はしないが、有機発光表示装置１００は薄膜トランジスター１０、２０、蓄電素子８０及び有機発光素子７０等を外部から封止できるように覆う封止部材をさらに含むことができる。
【００３７】
有機発光素子７０は、画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０を含む。ここで、画素電極７１０は正孔注入電極の正（＋）極であり、半透過共通電極７３０は電子注入電極の負（−）極となる。しかし、本発明が必ずしもこれに限定されるのではなく、有機発光表示装置１００の駆動方法により画素電極７１０が負極となって、共通電極７３０が正極となってもよい。画素電極７１０及び共通電極７３０から各々正孔と電子が有機発光層７２０の内部に注入される。注入された正孔と電子が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する。
【００３８】
スイッチング薄膜トランジスター１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３及びスイッチングドレイン電極１７４を含み、駆動薄膜トランジスター２０は駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００３９】
蓄電素子８０は層間絶縁膜１６０を間において配置された第１蓄電板１５８と第２蓄電板１７８を含む。ここで、層間絶縁膜は誘電体となる。蓄電素子８０で蓄電された電荷と両蓄電板１５８、１７８との間の電圧によって蓄電容量が決定される。
【００４０】
スイッチング薄膜トランジスター１０は発光させようとする画素領域を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１と接続される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１と接続される。スイッチングドレイン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔配置されると共に、第１蓄電板１５８と連結される。
【００４１】
駆動薄膜トランジスター２０は選択された画素領域内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は第１蓄電板１５８と接続される。駆動ソース電極１７６及び第２蓄電板１７８は各々共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７はコンタクト孔（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２を通して有機発光素子７０の画素電極７１０と接続される。
【００４２】
このような構造によって、スイッチング薄膜トランジスター１０はゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動し、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスター１０から伝えられたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に保存され、蓄電素子８０に保存された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通し有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光するようになる。
【００４３】
また、有機発光表示装置１００が有する複数の画素領域のうち一つ以上の画素領域には共通電極７３０が切断されたように形成された電極切断部７３５が形成される。電極切断部７３５は当該画素領域の画素定義膜１９０の開口部を囲む。つまり、電極切断部７３５が形成された画素領域では画素電極７１０上に位置した共通電極７３０が電気的に遮断される。従って、電極切断部７３５が形成された画素領域では有機発光素子７０の有機発光層７２０が発光できなくなる。
【００４４】
以下、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００において、電極切断部７３５が形成された画素領域の構造について積層順に具体的に説明する。また、以下、駆動薄膜トランジスター２０を中心に薄膜トランジスタの構造について説明する。そしてスイッチング薄膜トランジスター１０は駆動薄膜トランジスターとの相違点のみを簡略に説明する。
【００４５】
基板部材１１０はガラス、石英、セラミック、プラスチックなどで構成された絶縁性基板で形成される。しかし、本発明はこれに限定されない。従って、基板部材１１０がステンレス鋼などで構成された金属性基板で形成されてもよい。また、基板部材１１０は複数に区画された画素領域を含む。
【００４６】
基板部材１１０上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は不純物元素の浸透を防止し表面を平坦化する役割を望まれるが、このような役割を遂行できる物質 は多様に存在する。例えば、バッファー層１２０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２膜）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちいずれか一つが用いられる。しかし、バッファー層１２０は必ずしも必要なものではなく、基板部材１１０の種類及び工程条件により省略できる。
【００４７】
バッファー層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３２は不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ＋ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７を含む。この時、ドーピングされるイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が用いられる。ここで、このような不純物は薄膜トランジスターの種類によって異なる。
【００４８】
本発明の第１実施形態においては、駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたがこれに限定されるのではない。従って、駆動薄膜トランジスター２０にＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターも全て用いることができる。
【００４９】
また、図２に示した駆動薄膜トランジスター２０は多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図２に示されないスイッチング薄膜トランジスター１０は多結晶薄膜トランジスターでもよく、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターでもよい。
【００５０】
駆動半導体層１３２上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。また、ゲート配線はゲートライン１５１、第１蓄電板１５８及びその他の配線をさらに含む。また、駆動ゲート電極１５５は駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００５１】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する複数の貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等で構成される。
【００５２】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。また、データ配線はデータライン１７１、共通電源ライン１７２、第２蓄電板１７８及びその他に配線をさらに含む。また、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は各々層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０に形成された複数の貫通孔を通して、駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と接続される。
【００５３】
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。駆動薄膜トランジスター２０の構成は前述した例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知された構成であるため、多様に変形できる。
【００５４】
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０はその上に形成される有機発光素子７０の発光効率を上げるために段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０はドレイン電極１７７の一部を露出させるコンタクト孔１８２を有する。
【００５５】
平坦化膜１８０はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）の中の一つ以上の物質などで構成できる。
【００５６】
また、本発明による第１実施形態は前述した構造に限定されるのではなく、場合により平坦化膜１８０と層間絶縁膜１６０のうちいずれか一つは省略できる。
【００５７】
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成される。つまり、有機発光表示装置１００は複数の画素領域毎に各々離隔配置された複数の画素電極７１０を含む。画素電極７１０は平坦化膜１８０のコンタクト孔１８２を通しドレイン電極１７７と接続される。
【００５８】
また、平坦化膜１８０上には画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義膜１９０が形成される。つまり、画素定義膜１９０は画素領域毎に形成された複数の開口部を有する。また、画素電極７１０は画素定義膜１９０の開口部に対応するように配置される。しかし、画素電極７１０が必ずしも画素定義膜１９０の開口部にだけ配置されるのではなく、画素電極７１０の一部が画素定義膜１９０と重なるように画素定義膜１９０の下に配置される。画素定義膜１９０はポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）及びポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）等の樹脂またはシリカ系の無機物などで構成できる。
【００５９】
画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には共通電極７３０が形成される。このように、画素電極７１０、有機発光層７２０、及び共通電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。
【００６０】
有機発光層７２０は低分子有機物または高分子有機物で構成される。また、有機発光層７２０は発光層と、正孔注入層（ｈｏｌｅ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）と、正孔輸送層（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）と、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）と、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうち一つ以上を含む多重膜で形成できる。これら全部を含むとき、正孔注入層が正極の画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次に積層される。
【００６１】
画素電極７１０と共通電極７３０は各々透明な導電性物質で形成されたり、半透過型または反射型導電性物質で形成できる。画素電極７１０及び共通電極７３０を形成する物質の種類によって、有機発光表示装置９００は前面発光型、背面発光型または両面発光型となる。
【００６２】
透明な導電性物質としては、インジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）等の物質を用いることができる。反射型物質及び半透過型物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）等の物質を使用できる。
【００６３】
電極切断部７３５は共通電極７３０が切断されて形成され、画素定義膜１９０の開口部を囲む。また、電極切断部７３５は画素定義膜１９０上に形成される。つまり、画素定義膜１９０上の共通電極７３０が切断されて電極切断部７３５を形成する。また、電極切断部７３５はすべての画素領域に形成されるのではなく、有機発光素子７０が作動不良な画素領域にだけ形成される。
【００６４】
このように、電極切断部７３５によって当該画素領域の画素電極７１０上に位置された共通電極７３０は隣接の画素領域に位置した共通電極７３０と電気的に断絶される。従って、電極切断部７３５が形成された画素領域では有機発光素子７０の有機発光層７２０が発光できなくなる。
【００６５】
また、電極切断部７３５は画素定義膜１９０上に形成される。また、画素定義膜１９０は電極切断部７３５に沿って形成された陥没部１９５を有する。画素定義膜１９０の陥没部１９５は電極切断部７３５を形成する過程において共に形成される。また、電極切断部７３５はレーザーを用いて共通電極７３０を切断して形成される。また、陥没部１９５は必ずしも必要な構成ではなく、場合により省略できる。
【００６６】
電極切断部７３５が画素定義膜１９０上に形成されるので、電極切断部７３５と画素電極７１０との間には画素定義膜１９０が位置される。従って、レーザーを用いて共通電極７３０を切断して電極切断部７３５を形成する過程において画素定義膜１９０が保護膜の役割を果たし、画素電極７１０の損傷を防止する。
【００６７】
また、データライン１７１、共通電源ライン１７２、ソース電極１７６、及びドレイン電極１７７等を含むデータ配線のうちの一部が電極切断部７３５の下部に配置される。しかし、電極切断部７３５が画素定義膜１９０上に形成されて画素定義膜１９０が保護膜の役割を果たすため、電極切断部７３５が形成される過程においてデータ配線が損傷されるのを防止できる。
【００６８】
このような構成によって、有機発光表示装置１００は明点不良が生じた画素領域が安定的に暗点化されて表示品質の低下が抑制できるようになる。
【００６９】
以下、図３を参照して本発明の第２実施形態について説明する。
【００７０】
図３に示したように、有機発光層７２０は画素電極７１０上にだけでなく画素定義膜１９０と共通電極７３０との間にも配置される。具体的には、有機発光層７２０は発光層と共に正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）等の多様な膜を含むことができる。この時、発光層を除いた他の正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）は製造過程においてオープンマスク（ｏｐｅｎ ｍａｓｋ）を用いて、共通電極７３０と同様に画素電極７１０上にだけでなく画素定義膜１９０上にも形成される。つまり、有機発光層７２０に属した多様な膜の中の一つ以上の膜が画素定義膜１９０と共通電極７３０との間に配置される。
【００７１】
また、電極切断部７３５が形成された画素領域には電極切断部７３５に沿って画素定義膜１９０と共通電極７３０との間に配置された有機発光層７２０が切断されて形成された有機層切断部７２５がさらに形成される。つまり、画素定義膜１９０上の有機発光層７２０が切断されて有機層切断部７２５を形成する。有機層切断部７２５も画素定義膜１９０の開口部を囲む。
【００７２】
このように、有機層切断部７２５によって当該画素領域の画素電極７１０上に位置された有機発光層７２０は隣接の画素領域に位置された有機発光層７２０と電気的に断絶される。従って、電極切断部７３５及び有機層切断部７２５が形成された画素領域では有機発光素子７０の有機発光層７２０が発光できなくなる。
【００７３】
このような構成によって、有機発光表示装置２００は明点不良が生じた画素領域がもっと安定的に暗点化されて表示品質の低下が抑制できる。電極切断部７３５を通して共通電極７３０だけ断絶する場合、有機発光層７２０を通して微量の電流が流れる可能性がある。しかし、有機層切断部７２５を形成することによって有機発光層７２５を通した電流の流れも完全に遮断することができる。従って、不良有機発光素子７０が配置された画素領域を確かに暗点化することができる。
【００７４】
以下、図４を参照して図３の有機発光表示装置１００の製造方法について説明する。
【００７５】
まず、複数の画素領域を含む基板部材１１０上に薄膜トランジスター２０及び蓄電素子８０等を形成し、その上に平坦化膜１８０を形成する。また、平坦化膜１８０上に画素領域毎に各々画素電極７１０を形成する。
【００７６】
次に、平坦化膜１８０上に画素電極７１０を各々露出する複数の開口部を有する画素定義膜１９０を形成した後、画素電極７１０上に有機発光層７２０と共通電極７３０を順次形成して有機発光素子７０を完成する。
【００７７】
ここで、有機発光層７２０及び共通電極７３０は画素電極７１０の真上にだけでなく画素定義膜１９０上にも形成される。しかし、有機発光層７２０は場合により画素定義膜１９０の開口部内、つまり、画素電極７１０上にだけ形成されてもよい。
【００７８】
次に、有機発光素子７０を検査して、不良な有機発光素子７０を検出する。ここで、不良な有機発光素子７０はデータ信号及びゲート信号と関係なく発光される。
【００７９】
次に、図４に示したように、不良な有機発光素子７０が位置された画素領域でレーザー（Ｌ）を使って共通電極７３０を切断して形成した電極切断部７３５と有機発光層７２０を切断して形成した有機層切断部７２５を形成する。この時、電極切断部７３５と有機層切断部７２５は画素定義膜１９０上に形成されて画素定義膜１９０の開口部を囲む。また、電極切断部７３５及び有機層切断部７２５と共に画素定義膜１９０の陥没部１９５が形成される。但し、有機発光層７２０が画素定義膜１９０上に位置しない場合には電極切断部７３５と陥没部１９５だけ形成することができる。
【００８０】
このように、電極切断部７３５及び有機層切断部７２５によって当該画素領域の画素電極１９０上に位置された共通電極７３０及び有機発光層７２０は、隣接の画素領域に位置された共通電極７３０及び有機発光層７２０と電気的に断絶される。従って、当該画素領域に形成された不良な有機発光素子７０の有機発光層７２０が発光できなくなる。また、不良な有機発光素子７０が位置された画素領域は暗点化される。
【００８１】
このような製造方法によって、明点不良が生じた画素領域を安定的かつ効果的に暗点化して、有機発光表示装置２００の表示品質低下を抑制することができる。
【００８２】
以上、本発明を望ましい実施形態を説明したが、本発明はこれに限定されることなく、特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることを本発明が属する技術分野における当業者なら簡単に理解できる。
【符号の説明】
【００８３】
１００ 有機発光表示装置
１０ スイッチング薄膜トランジスター
２０ 駆動薄膜トランジスター
８０ 蓄電素子
７０ 有機発光素子（ＯＬＥＤ）
１３１ スイッチング半導体層
１３２ 駆動半導体層
１３５ チャンネル領域
１３６ ソース領域
１３７ ドレイン領域
１４０ 絶縁膜
１５１ ゲートライン
１５２ スイッチングゲート電極
１５５ 駆動ゲート電極
１５８ 第１蓄電板
１７８ 第２蓄電板
１６０ 層間絶縁膜
１７１ データライン
１７２ 共通電源ライン
１７３ スイッチングソース電極
１７４ スイッチングドレイン電極
１７６ 駆動ソース電極
１７７ 駆動ドレイン電極
１８０ 平坦化膜
１８２ コンタクト孔
１９０ 画素定義膜
１９５ 陥没部
７１０ 画素電極
７２０ 有機発光層
７３０ 共通電極
７３５ 電極切断部
９００ 有機発光表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素領域を含む基板部材と、
前記画素領域毎に前記基板部材上に各々離隔配置された複数の画素電極と、
前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有して前記基板部材上に形成された画素定義膜と、
前記画素電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された共通電極とを含み、
前記複数の画素領域のうち一つ以上の画素領域には前記共通電極が切断されて形成されて、前記画素定義膜の開口部を囲む電極切断部が形成されたことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記電極切断部は前記画素定義膜上に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記画素定義膜は前記電極切断部に沿って形成された陥没部を有することを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記電極切断部と前記画素電極との間に前記画素定義膜が配置されたことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
データライン、共通電源ライン、ソース電極、及びドレイン電極をさらに含み、
前記データライン、前記共通電源ライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の一つ以上は前記電極切断部の下に配置されたことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記電極切断部が形成された前記画素領域では前記有機発光層が発光しないことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記有機発光層は前記画素定義膜と前記共通電極との間にも形成され、
前記電極切断部が形成された前記画素領域には前記電極切断部に沿って前記有機発光層が切断されて形成された有機層切断部が形成されたことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一つに記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
複数の画素領域を含む基板部材上に前記毎画素領域に各々画素電極を形成する段階と、
前記基板部材上に前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有する画素定義膜を形成する段階と、
前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層上に共通電極を形成して複数の有機発光素子を完成する段階と、
前記有機発光素子を検査して不良有機発光素子を検出する段階と、
前記不良有機発光素子が位置する画素領域に前記共通電極を切断して形成された電極切断部を形成する段階と、をさらに含み、
前記電極切断部は前記画素定義膜の開口部を囲むように形成されたことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極切断部は前記画素定義膜上に形成されたことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極切断部を形成する工程において前記電極切断部の下部の前記画素定義膜を陥没させて、陥没部を共に形成することを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電極切断部と前記画素電極との間に前記画素定義膜が配置されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
データライン、共通電源ライン、ソース電極、及びドレイン電極をさらに含み、
前記データライン、前記共通電源ライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の一つ以上は前記電極切断部の下に配置されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電極切断部が形成された前記画素領域では前記有機発光層が発光しないことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記有機発光層は前記画素定義膜と前記共通電極との間にも形成され、
前記電極切断部を形成する工程において前記電極切断部に沿って前記有機発光層が切断されて形成された有機層切断部を共に形成することを特徴とする請求項８乃至１３のうちいずれか一つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１】
複数の画素領域を含む基板部材と、
前記画素領域毎に前記基板部材上に各々離隔配置された複数の画素電極と、
前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有して前記基板部材上に形成された画素定義膜と、
前記画素電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された共通電極とを含み、
前記複数の画素領域のうち一つ以上の画素領域には前記共通電極が切断されて形成されて、前記画素定義膜の開口部を囲む電極切断部が形成されたことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記電極切断部は前記画素定義膜上に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記画素定義膜は前記電極切断部に沿って形成された陥没部を有することを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記電極切断部と前記画素電極との間に前記画素定義膜が配置されたことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
データライン、共通電源ライン、ソース電極、及びドレイン電極をさらに含み、
前記データライン、前記共通電源ライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の一つ以上は前記電極切断部の下に配置されたことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記電極切断部が形成された前記画素領域では前記有機発光層が発光しないことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記有機発光層は前記画素定義膜と前記共通電極との間にも形成され、
前記電極切断部が形成された前記画素領域には前記電極切断部に沿って前記有機発光層が切断されて形成された有機層切断部が形成されたことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一つに記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
複数の画素領域を含む基板部材上に前記毎画素領域に各々画素電極を形成する段階と、
前記基板部材上に前記画素電極を各々露出する複数の開口部を有する画素定義膜を形成する段階と、
前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層上に共通電極を形成して複数の有機発光素子を完成する段階と、
前記有機発光素子を検査して不良有機発光素子を検出する段階と、
前記不良有機発光素子が位置する画素領域に前記共通電極を切断して形成された電極切断部を形成する段階と、をさらに含み、
前記電極切断部は前記画素定義膜の開口部を囲むように形成されたことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極切断部は前記画素定義膜上に形成されたことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極切断部を形成する工程において前記電極切断部の下部の前記画素定義膜を陥没させて、陥没部を共に形成することを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電極切断部と前記画素電極との間に前記画素定義膜が配置されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
データライン、共通電源ライン、ソース電極、及びドレイン電極をさらに含み、
前記データライン、前記共通電源ライン、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の中の一つ以上は前記電極切断部の下に配置されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電極切断部が形成された前記画素領域では前記有機発光層が発光しないことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記有機発光層は前記画素定義膜と前記共通電極との間にも形成され、
前記電極切断部を形成する工程において前記電極切断部に沿って前記有機発光層が切断されて形成された有機層切断部を共に形成することを特徴とする請求項８乃至１３のうちいずれか一つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１０−５００８１（Ｐ２０１０−５００８１Ａ）
【公開日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５２０５６（Ｐ２００９−５２０５６）
【出願日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月４日（２０１０．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月５日（２００９．３．５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【Ｆターム（参考）】
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