有機発光表示装置及びその製造方法
【課題】本発明は、発光効率を改善することができると共に、大面積の有機発光表示装置に適用することができる、有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置及びその製造方法は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第１薄膜、前記第１薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第２薄膜、前記第２薄膜上に形成されている第１電極、前記第１電極上に形成されている発光部材、及び前記第１電極上に形成されている第２電極を含む。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置及びその製造方法は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第１薄膜、前記第１薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第２薄膜、前記第２薄膜上に形成されている第１電極、前記第１電極上に形成されている発光部材、及び前記第１電極上に形成されている第２電極を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）及び他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が二つの電極の間に位置する発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、励起子がエネルギーを放出することによって発光する。
【０００３】
有機発光表示装置は、自発光型で、別途の光源が不要であるため、消費電力が低い。
【０００４】
このような消費電力をさらに低くするためには、有機発光表示装置の発光効率を向上させることが重要である。発光効率は、発光材料の効率、電極から注入された電荷の数と発光層から発生した光子の数との比率（ｒａｔｉｏ）である内部量子効率（ｉｎｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）、及び発光層から発生した光子の数と外部に放出される光子の数との比率である外部量子効率（ｅｘｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）により決定される。
【０００５】
一方、表示装置の大型化に伴って、大面積の有機発光表示装置に適用する工程も必要となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の第１側面は、発光効率を改善することができる有機発光表示装置を提供する。
【０００７】
本発明の第２側面は、発光効率を向上させると共に、大面積の有機発光表示装置に適用することができる有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第１薄膜、前記第１薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第２薄膜、前記第２薄膜上に形成されている第１電極、前記第１電極上に形成されている発光部材、及び前記第１電極上に形成されている第２電極を含む。
【０００９】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜は、屈折率が互いに異なる物質で形成される。
【００１０】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜の屈折率は各々約１．１乃至３である。
【００１１】
前記第１薄膜と前記第２薄膜の屈折率の差は少なくとも０．２である。
【００１２】
前記第１薄膜の屈折率は約１．６乃至２．２であり、前記第２薄膜の屈折率は約１．３乃至１．６である。
【００１３】
前記第１薄膜の屈折率は約１．３乃至１．６であり、前記第２薄膜の屈折率は約１．６乃至２．２である。
【００１４】
前記第１薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせを含み、前記第２薄膜は、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、またはこれらの組み合わせを含む。
【００１５】
前記凹凸部は、不規則に分布する。
【００１６】
本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に凹凸部を有する第１薄膜を形成する段階、前記第１薄膜上に前記凹凸部を平坦化する第２薄膜を形成する段階、前記第２薄膜上に第１電極を形成する段階、前記第１電極上に発光部材を形成する段階、及び前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含む。
【００１７】
前記凹凸部を有する第１薄膜を形成する段階は、第１薄膜を積層する段階、前記第１薄膜上に第１サイズの有機微粒子を含む分散液を塗布する段階、前記分散液を乾燥する段階、前記有機微粒子をエッチングして、前記第１サイズより小さい第２サイズの有機微粒子を形成する段階、及び前記第２サイズの有機微粒子をマスクとして前記第１薄膜をエッチングする段階を含むことができる。
【００１８】
前記有機微粒子は球（ｓｐｈｅｒｅ）形状からなる。
【００１９】
前記有機微粒子はポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）を含むことができる。
【００２０】
前記有機微粒子をエッチングする段階は、プラズマを使用することができる。
【００２１】
前記第１薄膜をエッチングする段階は、反応性イオンエッチングで行うことができる。
【００２２】
前記凹凸部を有する第１薄膜を形成する段階は、有機物質を含む第１薄膜を積層する段階、及び前記第１薄膜の表面をプラズマ処理する段階を含むことができる。
【００２３】
前記製造方法は、前記第１薄膜を積層する段階後に、前記第１薄膜上に金属クラスタを適用する段階をさらに含むことができ、前記第１薄膜の表面をプラズマ処理する段階は、前記金属クラスタをマスクとして行うことができる。
【００２４】
発光層から発生した光が通過する位置に凹凸部を形成することによって、光の経路を制限して、基板の垂直方向に光抽出効果を高めることができ、発光層から発生した光のうちの外部に放出される光の量を増加させることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、発光効率を向上させて、素子の寿命を増加させると共に、有機発光表示装置の駆動電圧を下げることができる。また、スピンコーティングなどの溶液工程またはプラズマエッチングなどの乾式エッチング方法によって凹凸部を形成することができて、大面積の表示装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態により製造された有機発光表示装置における凹凸部を原子顕微鏡で観察した写真である。
【図４】実施例１においてポリスチレン微粒子を除去した後の凹凸部を示した電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図５】実施例１において窒化ケイ素を蒸着した後に平坦化された表面を示した電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に具現され、ここで説明する具現例に限られない。
【００２８】
図面では、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上」にあるとする時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時、これは中間に他の部分がないことを意味する。
【００２９】
まず、図１を参照して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を説明する。
【００３０】
図１は本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した断面図である。
【００３１】
図１を参照すると、透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に第１薄膜１１２が形成されている。第１薄膜１１２は、表面に不規則に分布している凹凸部１１２ａを有する。凹凸部１１２ａは、高さが約１０ｎｍ乃至２μｍの微小パターンを有する光結晶部材であって、内部において光が全反射されるのを減少させて、光の経路を制御して、基板に垂直方向に放出される光の量を増加させる。
【００３２】
第１薄膜１１２は、屈折率が約１．１乃至３．０である無機物質または有機物質で形成され、無機物質は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、またはこれらの組み合わせであり、有機物質は、例えばポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせである。第１薄膜１１２の屈折率が前記絶縁基板１１０の屈折率と類似する場合に、絶縁基板１１０と第１薄膜１１２との間の境界において発生する内部の全反射を減少させることができる。
【００３３】
第１薄膜１１２上には第１薄膜１１２の凹凸部１１２ａを平坦化する第２薄膜１１４が形成されている。
【００３４】
第２薄膜１１４は、第１薄膜１１２の凹凸部１１２ａを平坦化させることによって、後述する発光層が平坦に形成される。それによって、発光層が凹凸部１１２ａの形状に沿って形成される場合に、凹凸部１１２ａの傾斜面に発光層が薄く形成されて、電流が傾斜部位に集中するのを防止することができ、素子の劣化を防止して、信頼性を高めることができる。
【００３５】
第２薄膜１１４は、屈折率が約１．１乃至３．０であり、第１薄膜１１２よりも屈折率が大きいかまたは小さい。また、第２薄膜１１４の屈折率が後述する第１電極１９１の屈折率と同程度である場合に、第２薄膜１１４と第１電極１９１との間の境界において発生する内部の全反射を減少させることができる。
【００３６】
第２薄膜１１４は、第１薄膜１１２と屈折率が異なる無機物質または有機物質で形成され、無機物質は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、またはこれらの組み合わせであり、有機物質は、例えばポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせである。
【００３７】
第１薄膜１１２と第２薄膜１１４との屈折率の差は少なくとも０．２である。例えば、第１薄膜１１２の屈折率は約１．６乃至２．２であり、第２薄膜１１４の屈折率は約１．３乃至１．６であり、これとは逆に、前記第１薄膜１１２の屈折率が約１．３乃至１．６であり、前記第２薄膜１１４の屈折率が約１．６乃至２．２であってもよい。
【００３８】
このように屈折率が互いに異なる第１薄膜１１２と第２薄膜１１４との間の境界面に凹凸を形成して、内部の全反射を減少させることで、前面に抽出される光の量を増加させることができる。従って、光抽出効果を高めることができる。
【００３９】
第２薄膜１１４上には第１電極１９１が形成されている。第１電極１９１は、アノード（ａｎｏｄｅ）またはカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）であって、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ)またはＩＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ)などの透明導電物質で形成される。
【００４０】
第１電極１９１上には有機発光部材３７０が形成されている。有機発光部材３７０は、発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び発光層の発光効率を改善するための付帯層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）（図示せず）を含む多層構造であってもよい。
【００４１】
発光層は、赤色、緑色、青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちのいずれか一つの光を固有に発光する有機物質、または有機物質と無機物質との混合物で形成され、アルミニウムトリス（８-ヒドロキシキノリン）[ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｔｒｉｓ（８-ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）]（Ａｌｑ３）、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ディストリル（ｄｉｓｔｒｙｌ）化合物である。有機発光表示装置は、発光層から発光する基本色の色光の空間的な合計で所望の映像を表示する。
【００４２】
付帯層には電子及び正孔の均衡を取らせるための電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ）（図示せず）、電子及び正孔の注入を強化するための電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）（図示せず）などがあって、この中から選択された一つまたは二つ以上の層を含むことができる。
【００４３】
有機発光部材３７０上には第２電極２７０が形成されている。第１電極１９１が透明導電物質で形成された場合、第２電極２７０はアルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、またはこれらの組み合わせなどの不透明導電物質で形成される。
【００４４】
この時、第１電極１９１がアノード、第２電極２７０がカソードになり、逆に、第１電極１９１がカソード、第２電極２７０がアノードになってもよい。
【００４５】
前述のように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置は、光の経路を制限して、基板の垂直方向における光抽出効果を高めることによって、発光層から発生した光のうちの外部に放出される光の量を増加させることができる。それにより、発光効率を向上させて、素子の寿命を増加させると共に、有機発光表示装置の駆動電圧を下げることができる。
【００４６】
それでは、図１に示した有機発光表示装置を製造する方法について、図２Ａ乃至図２Ｄを図１と共に参照して説明する。
【００４７】
図２Ａ乃至図２Ｄは本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【００４８】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板１１０上に凹凸部１１２ａを有する第１薄膜１１２を形成する段階、前記第１薄膜１１２上に前記凹凸部１１２ａを平坦化する第２薄膜１１４を形成する段階、前記第２薄膜１１４上に第１電極１９１を形成する段階、前記第１電極１９１上に発光部材３７０を形成する段階、及び前記発光部材３７０上に第２電極２７０を形成する段階を含む。
【００４９】
まず、図２Ａを参照すると、基板１１０上に下部膜１１１を積層する。下部膜１１１は、例えば基板１１０をそのまま使用したり、酸化ケイ素、窒化ケイ素などを化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）して形成することができる。
【００５０】
続いて、下部膜１１１上に複数の有機微粒子（ｏｒｇａｎｉｃ ｐａｒｔｉｃｌｅ）５０を含む分散液（図示せず）を塗布する。分散液は、例えば有機微粒子５０を水などの分散媒に混合した懸濁液（ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ）である。塗布は、例えばスピンコーティングで行うことができる。
【００５１】
有機微粒子５０は、有機物質で形成された球（ｓｐｈｅｒｅ）状の粒子であり、例えばポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）で形成される。有機微粒子５０のサイズは、約０．０３μｍ乃至３．２μｍである。
【００５２】
続いて、前記分散液を乾燥して溶媒を除去して、有機微粒子５０だけを残す。
【００５３】
次に、図２Ｂを参照すると、有機微粒子５０を例えば酸素プラズマを使用してエッチングして、有機微粒子５０よりサイズが小さいエッチングされた有機微粒子５０ａを形成する。エッチングされた有機微粒子５０ａのサイズは、約０．０１μｍ乃至２．０μｍである。
【００５４】
次に、図２Ｃを参照すると、エッチングされた有機微粒子５０ａをマスクとして下部膜１１１をエッチングする。この時、エッチングは、反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ、ＲＩＥ）で行うことができ、例えばＣＨＦ３、ＣＦ４プラズマを使用することができる。このようなエッチングによって図２Ｃのように複数の凹凸部１１２ａを有する第１薄膜１１２が形成される。
【００５５】
続いて、前記エッチングされた有機微粒子５０ａを除去した後、第１薄膜１１２上に第２薄膜１１４を積層する。第２薄膜１１４は、例えば窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどを化学気相蒸着して形成することができる。
【００５６】
次に、図１を参照すると、第２薄膜１１４上に第１電極１９１、有機発光部材３７０、及び第２電極２７０を順に積層する。
【００５７】
前記のように、本発明の実施形態によると、塗布及びエッチング方法で比較的容易に凹凸部１１２ａを形成することができる。そのために、大面積の有機発光表示装置にも容易に適用することができ、レーザーを使用する場合の大面積に適用することができない限界を克服することができる。
【００５８】
以下、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の製造方法について説明する。
【００５９】
前述した実施形態と同様に、基板１１０上に下部膜１１１を積層する。この時、下部膜１１１は、有機物質で形成される。有機物質で形成された下部膜１１１は、例えばスピンコーティングした後、オーブンまたはホットプレートで加熱して硬化させることができる。
【００６０】
続いて、有機物質で形成された下部膜１１１の表面をプラズマ処理して、表面を粗くする。この時、プラズマは、例えばアルゴン（Ａｒ）プラズマを使用することができる。
【００６１】
このように、有機物質で形成された下部膜の表面をプラズマ処理することによって、比較的容易に凹凸部を形成することができ、このような凹凸部によって発光効率を向上させることができる。
【００６２】
以下、本発明の第３実施形態による有機発光表示装置の製造方法について説明する。
【００６３】
本実施形態は、前述した実施形態と同様に、下部膜１１１を積層し、プラズマ処理して、凹凸部１１２ａを形成する。しかし、前述した実施形態とは異なって、本実施形態は、下部膜１１１上に金属クラスタ（ｍｅｔａｌ ｃｌｕｓｔｅｒ）を適用し、前記金属クラスタをマスクとして下部膜１１１をプラズマ処理することによって、表面に凹凸部１１２ａを有する第１薄膜１１２を形成することができる。
【００６４】
以下、実施例を通して本発明をより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明目的のものであり、本発明の範囲を限定するのではない。
【００６５】
（実施例１）
平均直径が０．６μｍである球（ｓｐｈｅｒｅ）状のポリスチレン微粒子１０ｇを水１００ｍｌに分散させて懸濁液を製造した。
【００６６】
ガラス基板上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）０．５μｍを化学気相蒸着方法で蒸着した。続いて、前記懸濁液を前記酸化ケイ素膜上に８００ｒｐｍでスピンコーティングした。続いて、２５℃の温度で懸濁液を乾燥して溶媒を除去した。次に、前記基板をプラズマチャンバーに置いて酸素気体（Ｏ２）及びアルゴン気体（Ａｒ）を供給して、ポリスチレン微粒子をプラズマエッチングした。この時、酸素気体（Ｏ２）及びアルゴン気体（Ａｒ）は、各々２ｓｃｃｍ及び５ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）２００Ｗであった。プラズマエッチングによってポリスチレン微粒子のサイズは約０．３μｍに小さくなった。続いて、前記エッチングされたポリスチレン微粒子をマスクとして酸化シリコン膜を乾式エッチングした。乾式エッチングは、ＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）エッチング装置でＣＨＦ３を使用して行った。この時、ＣＨＦ３は２０ｓｃｃｍの流量で供給し、チャンバー圧力は５０ｍＴ、ＩＣＰ出力は５００Ｗであり、２分ずつ３回行った。続いて、常圧プラズマチャンバーで酸素気体（Ｏ２）及びアルゴン気体（Ａｒ）を供給して、残っているポリスチレン微粒子を除去した。
【００６７】
図４はポリスチレン微粒子を除去した後の凹凸部を示した電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００６８】
図４を参照すると、ポリスチレン微粒子を除去した後のＳｉＯ２の凹凸部を確認することができる。
【００６９】
次に、エッチングされた酸化シリコン膜上に窒化ケイ素を化学気相蒸着方法で５０００Åに蒸着して平坦化した。
【００７０】
図５は窒化ケイ素を蒸着した後に平坦化された表面を示した電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００７１】
図５を参照すると、平坦化された表面を確認することができる。
【００７２】
続いて、窒化ケイ素膜上にＩＴＯをスパッタリングで形成した後、パターニングして、正孔注入層及び正孔伝達層としてＮＰＢ（Ｎ、Ｎ-ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ-１-ｙｌ）-Ｎ、Ｎ-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）を蒸着し、その上に発光層としてＡｌｑ３（ｔｒｉｓ-８-ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ）にクマリン６（ｃｏｕｍａｒｉｎ ６）を１重量％ドーピングして共蒸着し、その上に電子伝達層としてＡｌｑ３を蒸着し、その上に電子注入をスムーズにするためにＬｉＦ電子注入層及びＡｌ負極を順に蒸着して、有機発光素子を製造した。
【００７３】
（実施例２）
ガラス基板上にポリアクリル２．０μｍをスピンコーティングで形成した後、乾燥した。続いて、基板をプラズマチャンバーに置いてアルゴン気体（Ａｒ）及び窒素気体（Ｎ２）を供給して、プラズマエッチングを行った。この時、プラズマエッチングは、アルゴン気体（Ａｒ）４０ｓｃｃｍ、窒素気体（Ｎ２）３ｓｃｃｍの流量で供給し、チャンバー圧力は２００ｍＴ、ＩＣＰ出力は４００Ｗ、エッチング時間は５分であった。
【００７４】
このようなエッチングによる有機膜表面の粗度を原子顕微鏡（ａｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＡＦＭ）を使用して確認した。
【００７５】
図３は本発明の第２実施形態により製造された有機発光表示装置における凹凸部を原子顕微鏡で観察した写真である。
【００７６】
図３を参照すると、凹凸部１１２ａの高さは約２００乃至５００Åであり、基板全面に不規則に分布していることを確認することができた。
【００７７】
続いて、実施例１と同様に窒化ケイ素膜、ＩＴＯ、発光層、及び銀を順に積層して、有機発光素子を製造した。
【００７８】
（実施例３）
ガラス基板上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）０．５μｍを化学気相蒸着方法で積層した。続いて、酸化ケイ素膜上に電子ビーム蒸着器を使用して５ｎｍの厚さのＮｉ層を蒸着した。その後、基板を急速熱処理（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ａｎｎｅａｌｉｎｇ、ＲＴＡ）装置に置いて８５０℃で１分間処理して、ナノサイズのＮｉクラスタを形成した。続いて、Ｎｉクラスタをマスクとして反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ、ＲＩＥ）で酸化ケイ素膜をエッチングした。続いて、硝酸溶液を使用してＮｉクラスタを除去した。
【００７９】
続いて、実施例１と同様に窒化ケイ素膜、ＩＴＯ、発光層、及び銀を順次に積層して、有機発光素子を製造した。
【００８０】
以上で、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【００８１】
１１０ 絶縁基板
１１１ 下部膜
１１２，１１４ 薄膜
１１２ａ 凹凸部
１９１，２７０ 電極
３７０ 有機発光部材
５０ａ 有機微粒子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）及び他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が二つの電極の間に位置する発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、励起子がエネルギーを放出することによって発光する。
【０００３】
有機発光表示装置は、自発光型で、別途の光源が不要であるため、消費電力が低い。
【０００４】
このような消費電力をさらに低くするためには、有機発光表示装置の発光効率を向上させることが重要である。発光効率は、発光材料の効率、電極から注入された電荷の数と発光層から発生した光子の数との比率（ｒａｔｉｏ）である内部量子効率（ｉｎｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）、及び発光層から発生した光子の数と外部に放出される光子の数との比率である外部量子効率（ｅｘｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）により決定される。
【０００５】
一方、表示装置の大型化に伴って、大面積の有機発光表示装置に適用する工程も必要となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の第１側面は、発光効率を改善することができる有機発光表示装置を提供する。
【０００７】
本発明の第２側面は、発光効率を向上させると共に、大面積の有機発光表示装置に適用することができる有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第１薄膜、前記第１薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第２薄膜、前記第２薄膜上に形成されている第１電極、前記第１電極上に形成されている発光部材、及び前記第１電極上に形成されている第２電極を含む。
【０００９】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜は、屈折率が互いに異なる物質で形成される。
【００１０】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜の屈折率は各々約１．１乃至３である。
【００１１】
前記第１薄膜と前記第２薄膜の屈折率の差は少なくとも０．２である。
【００１２】
前記第１薄膜の屈折率は約１．６乃至２．２であり、前記第２薄膜の屈折率は約１．３乃至１．６である。
【００１３】
前記第１薄膜の屈折率は約１．３乃至１．６であり、前記第２薄膜の屈折率は約１．６乃至２．２である。
【００１４】
前記第１薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせを含み、前記第２薄膜は、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、またはこれらの組み合わせを含む。
【００１５】
前記凹凸部は、不規則に分布する。
【００１６】
本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に凹凸部を有する第１薄膜を形成する段階、前記第１薄膜上に前記凹凸部を平坦化する第２薄膜を形成する段階、前記第２薄膜上に第１電極を形成する段階、前記第１電極上に発光部材を形成する段階、及び前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含む。
【００１７】
前記凹凸部を有する第１薄膜を形成する段階は、第１薄膜を積層する段階、前記第１薄膜上に第１サイズの有機微粒子を含む分散液を塗布する段階、前記分散液を乾燥する段階、前記有機微粒子をエッチングして、前記第１サイズより小さい第２サイズの有機微粒子を形成する段階、及び前記第２サイズの有機微粒子をマスクとして前記第１薄膜をエッチングする段階を含むことができる。
【００１８】
前記有機微粒子は球（ｓｐｈｅｒｅ）形状からなる。
【００１９】
前記有機微粒子はポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）を含むことができる。
【００２０】
前記有機微粒子をエッチングする段階は、プラズマを使用することができる。
【００２１】
前記第１薄膜をエッチングする段階は、反応性イオンエッチングで行うことができる。
【００２２】
前記凹凸部を有する第１薄膜を形成する段階は、有機物質を含む第１薄膜を積層する段階、及び前記第１薄膜の表面をプラズマ処理する段階を含むことができる。
【００２３】
前記製造方法は、前記第１薄膜を積層する段階後に、前記第１薄膜上に金属クラスタを適用する段階をさらに含むことができ、前記第１薄膜の表面をプラズマ処理する段階は、前記金属クラスタをマスクとして行うことができる。
【００２４】
発光層から発生した光が通過する位置に凹凸部を形成することによって、光の経路を制限して、基板の垂直方向に光抽出効果を高めることができ、発光層から発生した光のうちの外部に放出される光の量を増加させることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、発光効率を向上させて、素子の寿命を増加させると共に、有機発光表示装置の駆動電圧を下げることができる。また、スピンコーティングなどの溶液工程またはプラズマエッチングなどの乾式エッチング方法によって凹凸部を形成することができて、大面積の表示装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態により製造された有機発光表示装置における凹凸部を原子顕微鏡で観察した写真である。
【図４】実施例１においてポリスチレン微粒子を除去した後の凹凸部を示した電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図５】実施例１において窒化ケイ素を蒸着した後に平坦化された表面を示した電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に具現され、ここで説明する具現例に限られない。
【００２８】
図面では、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上」にあるとする時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時、これは中間に他の部分がないことを意味する。
【００２９】
まず、図１を参照して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を説明する。
【００３０】
図１は本発明の第１実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した断面図である。
【００３１】
図１を参照すると、透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に第１薄膜１１２が形成されている。第１薄膜１１２は、表面に不規則に分布している凹凸部１１２ａを有する。凹凸部１１２ａは、高さが約１０ｎｍ乃至２μｍの微小パターンを有する光結晶部材であって、内部において光が全反射されるのを減少させて、光の経路を制御して、基板に垂直方向に放出される光の量を増加させる。
【００３２】
第１薄膜１１２は、屈折率が約１．１乃至３．０である無機物質または有機物質で形成され、無機物質は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、またはこれらの組み合わせであり、有機物質は、例えばポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせである。第１薄膜１１２の屈折率が前記絶縁基板１１０の屈折率と類似する場合に、絶縁基板１１０と第１薄膜１１２との間の境界において発生する内部の全反射を減少させることができる。
【００３３】
第１薄膜１１２上には第１薄膜１１２の凹凸部１１２ａを平坦化する第２薄膜１１４が形成されている。
【００３４】
第２薄膜１１４は、第１薄膜１１２の凹凸部１１２ａを平坦化させることによって、後述する発光層が平坦に形成される。それによって、発光層が凹凸部１１２ａの形状に沿って形成される場合に、凹凸部１１２ａの傾斜面に発光層が薄く形成されて、電流が傾斜部位に集中するのを防止することができ、素子の劣化を防止して、信頼性を高めることができる。
【００３５】
第２薄膜１１４は、屈折率が約１．１乃至３．０であり、第１薄膜１１２よりも屈折率が大きいかまたは小さい。また、第２薄膜１１４の屈折率が後述する第１電極１９１の屈折率と同程度である場合に、第２薄膜１１４と第１電極１９１との間の境界において発生する内部の全反射を減少させることができる。
【００３６】
第２薄膜１１４は、第１薄膜１１２と屈折率が異なる無機物質または有機物質で形成され、無機物質は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、またはこれらの組み合わせであり、有機物質は、例えばポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせである。
【００３７】
第１薄膜１１２と第２薄膜１１４との屈折率の差は少なくとも０．２である。例えば、第１薄膜１１２の屈折率は約１．６乃至２．２であり、第２薄膜１１４の屈折率は約１．３乃至１．６であり、これとは逆に、前記第１薄膜１１２の屈折率が約１．３乃至１．６であり、前記第２薄膜１１４の屈折率が約１．６乃至２．２であってもよい。
【００３８】
このように屈折率が互いに異なる第１薄膜１１２と第２薄膜１１４との間の境界面に凹凸を形成して、内部の全反射を減少させることで、前面に抽出される光の量を増加させることができる。従って、光抽出効果を高めることができる。
【００３９】
第２薄膜１１４上には第１電極１９１が形成されている。第１電極１９１は、アノード（ａｎｏｄｅ）またはカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）であって、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ)またはＩＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ)などの透明導電物質で形成される。
【００４０】
第１電極１９１上には有機発光部材３７０が形成されている。有機発光部材３７０は、発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び発光層の発光効率を改善するための付帯層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）（図示せず）を含む多層構造であってもよい。
【００４１】
発光層は、赤色、緑色、青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちのいずれか一つの光を固有に発光する有機物質、または有機物質と無機物質との混合物で形成され、アルミニウムトリス（８-ヒドロキシキノリン）[ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｔｒｉｓ（８-ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）]（Ａｌｑ３）、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ディストリル（ｄｉｓｔｒｙｌ）化合物である。有機発光表示装置は、発光層から発光する基本色の色光の空間的な合計で所望の映像を表示する。
【００４２】
付帯層には電子及び正孔の均衡を取らせるための電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ）（図示せず）、電子及び正孔の注入を強化するための電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）（図示せず）などがあって、この中から選択された一つまたは二つ以上の層を含むことができる。
【００４３】
有機発光部材３７０上には第２電極２７０が形成されている。第１電極１９１が透明導電物質で形成された場合、第２電極２７０はアルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、またはこれらの組み合わせなどの不透明導電物質で形成される。
【００４４】
この時、第１電極１９１がアノード、第２電極２７０がカソードになり、逆に、第１電極１９１がカソード、第２電極２７０がアノードになってもよい。
【００４５】
前述のように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置は、光の経路を制限して、基板の垂直方向における光抽出効果を高めることによって、発光層から発生した光のうちの外部に放出される光の量を増加させることができる。それにより、発光効率を向上させて、素子の寿命を増加させると共に、有機発光表示装置の駆動電圧を下げることができる。
【００４６】
それでは、図１に示した有機発光表示装置を製造する方法について、図２Ａ乃至図２Ｄを図１と共に参照して説明する。
【００４７】
図２Ａ乃至図２Ｄは本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【００４８】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板１１０上に凹凸部１１２ａを有する第１薄膜１１２を形成する段階、前記第１薄膜１１２上に前記凹凸部１１２ａを平坦化する第２薄膜１１４を形成する段階、前記第２薄膜１１４上に第１電極１９１を形成する段階、前記第１電極１９１上に発光部材３７０を形成する段階、及び前記発光部材３７０上に第２電極２７０を形成する段階を含む。
【００４９】
まず、図２Ａを参照すると、基板１１０上に下部膜１１１を積層する。下部膜１１１は、例えば基板１１０をそのまま使用したり、酸化ケイ素、窒化ケイ素などを化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）して形成することができる。
【００５０】
続いて、下部膜１１１上に複数の有機微粒子（ｏｒｇａｎｉｃ ｐａｒｔｉｃｌｅ）５０を含む分散液（図示せず）を塗布する。分散液は、例えば有機微粒子５０を水などの分散媒に混合した懸濁液（ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ）である。塗布は、例えばスピンコーティングで行うことができる。
【００５１】
有機微粒子５０は、有機物質で形成された球（ｓｐｈｅｒｅ）状の粒子であり、例えばポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）で形成される。有機微粒子５０のサイズは、約０．０３μｍ乃至３．２μｍである。
【００５２】
続いて、前記分散液を乾燥して溶媒を除去して、有機微粒子５０だけを残す。
【００５３】
次に、図２Ｂを参照すると、有機微粒子５０を例えば酸素プラズマを使用してエッチングして、有機微粒子５０よりサイズが小さいエッチングされた有機微粒子５０ａを形成する。エッチングされた有機微粒子５０ａのサイズは、約０．０１μｍ乃至２．０μｍである。
【００５４】
次に、図２Ｃを参照すると、エッチングされた有機微粒子５０ａをマスクとして下部膜１１１をエッチングする。この時、エッチングは、反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ、ＲＩＥ）で行うことができ、例えばＣＨＦ３、ＣＦ４プラズマを使用することができる。このようなエッチングによって図２Ｃのように複数の凹凸部１１２ａを有する第１薄膜１１２が形成される。
【００５５】
続いて、前記エッチングされた有機微粒子５０ａを除去した後、第１薄膜１１２上に第２薄膜１１４を積層する。第２薄膜１１４は、例えば窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどを化学気相蒸着して形成することができる。
【００５６】
次に、図１を参照すると、第２薄膜１１４上に第１電極１９１、有機発光部材３７０、及び第２電極２７０を順に積層する。
【００５７】
前記のように、本発明の実施形態によると、塗布及びエッチング方法で比較的容易に凹凸部１１２ａを形成することができる。そのために、大面積の有機発光表示装置にも容易に適用することができ、レーザーを使用する場合の大面積に適用することができない限界を克服することができる。
【００５８】
以下、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の製造方法について説明する。
【００５９】
前述した実施形態と同様に、基板１１０上に下部膜１１１を積層する。この時、下部膜１１１は、有機物質で形成される。有機物質で形成された下部膜１１１は、例えばスピンコーティングした後、オーブンまたはホットプレートで加熱して硬化させることができる。
【００６０】
続いて、有機物質で形成された下部膜１１１の表面をプラズマ処理して、表面を粗くする。この時、プラズマは、例えばアルゴン（Ａｒ）プラズマを使用することができる。
【００６１】
このように、有機物質で形成された下部膜の表面をプラズマ処理することによって、比較的容易に凹凸部を形成することができ、このような凹凸部によって発光効率を向上させることができる。
【００６２】
以下、本発明の第３実施形態による有機発光表示装置の製造方法について説明する。
【００６３】
本実施形態は、前述した実施形態と同様に、下部膜１１１を積層し、プラズマ処理して、凹凸部１１２ａを形成する。しかし、前述した実施形態とは異なって、本実施形態は、下部膜１１１上に金属クラスタ（ｍｅｔａｌ ｃｌｕｓｔｅｒ）を適用し、前記金属クラスタをマスクとして下部膜１１１をプラズマ処理することによって、表面に凹凸部１１２ａを有する第１薄膜１１２を形成することができる。
【００６４】
以下、実施例を通して本発明をより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明目的のものであり、本発明の範囲を限定するのではない。
【００６５】
（実施例１）
平均直径が０．６μｍである球（ｓｐｈｅｒｅ）状のポリスチレン微粒子１０ｇを水１００ｍｌに分散させて懸濁液を製造した。
【００６６】
ガラス基板上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）０．５μｍを化学気相蒸着方法で蒸着した。続いて、前記懸濁液を前記酸化ケイ素膜上に８００ｒｐｍでスピンコーティングした。続いて、２５℃の温度で懸濁液を乾燥して溶媒を除去した。次に、前記基板をプラズマチャンバーに置いて酸素気体（Ｏ２）及びアルゴン気体（Ａｒ）を供給して、ポリスチレン微粒子をプラズマエッチングした。この時、酸素気体（Ｏ２）及びアルゴン気体（Ａｒ）は、各々２ｓｃｃｍ及び５ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）２００Ｗであった。プラズマエッチングによってポリスチレン微粒子のサイズは約０．３μｍに小さくなった。続いて、前記エッチングされたポリスチレン微粒子をマスクとして酸化シリコン膜を乾式エッチングした。乾式エッチングは、ＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）エッチング装置でＣＨＦ３を使用して行った。この時、ＣＨＦ３は２０ｓｃｃｍの流量で供給し、チャンバー圧力は５０ｍＴ、ＩＣＰ出力は５００Ｗであり、２分ずつ３回行った。続いて、常圧プラズマチャンバーで酸素気体（Ｏ２）及びアルゴン気体（Ａｒ）を供給して、残っているポリスチレン微粒子を除去した。
【００６７】
図４はポリスチレン微粒子を除去した後の凹凸部を示した電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００６８】
図４を参照すると、ポリスチレン微粒子を除去した後のＳｉＯ２の凹凸部を確認することができる。
【００６９】
次に、エッチングされた酸化シリコン膜上に窒化ケイ素を化学気相蒸着方法で５０００Åに蒸着して平坦化した。
【００７０】
図５は窒化ケイ素を蒸着した後に平坦化された表面を示した電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００７１】
図５を参照すると、平坦化された表面を確認することができる。
【００７２】
続いて、窒化ケイ素膜上にＩＴＯをスパッタリングで形成した後、パターニングして、正孔注入層及び正孔伝達層としてＮＰＢ（Ｎ、Ｎ-ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ-１-ｙｌ）-Ｎ、Ｎ-ｄｉｐｈｅｎｙｌ-ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）を蒸着し、その上に発光層としてＡｌｑ３（ｔｒｉｓ-８-ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ）にクマリン６（ｃｏｕｍａｒｉｎ ６）を１重量％ドーピングして共蒸着し、その上に電子伝達層としてＡｌｑ３を蒸着し、その上に電子注入をスムーズにするためにＬｉＦ電子注入層及びＡｌ負極を順に蒸着して、有機発光素子を製造した。
【００７３】
（実施例２）
ガラス基板上にポリアクリル２．０μｍをスピンコーティングで形成した後、乾燥した。続いて、基板をプラズマチャンバーに置いてアルゴン気体（Ａｒ）及び窒素気体（Ｎ２）を供給して、プラズマエッチングを行った。この時、プラズマエッチングは、アルゴン気体（Ａｒ）４０ｓｃｃｍ、窒素気体（Ｎ２）３ｓｃｃｍの流量で供給し、チャンバー圧力は２００ｍＴ、ＩＣＰ出力は４００Ｗ、エッチング時間は５分であった。
【００７４】
このようなエッチングによる有機膜表面の粗度を原子顕微鏡（ａｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＡＦＭ）を使用して確認した。
【００７５】
図３は本発明の第２実施形態により製造された有機発光表示装置における凹凸部を原子顕微鏡で観察した写真である。
【００７６】
図３を参照すると、凹凸部１１２ａの高さは約２００乃至５００Åであり、基板全面に不規則に分布していることを確認することができた。
【００７７】
続いて、実施例１と同様に窒化ケイ素膜、ＩＴＯ、発光層、及び銀を順に積層して、有機発光素子を製造した。
【００７８】
（実施例３）
ガラス基板上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）０．５μｍを化学気相蒸着方法で積層した。続いて、酸化ケイ素膜上に電子ビーム蒸着器を使用して５ｎｍの厚さのＮｉ層を蒸着した。その後、基板を急速熱処理（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ａｎｎｅａｌｉｎｇ、ＲＴＡ）装置に置いて８５０℃で１分間処理して、ナノサイズのＮｉクラスタを形成した。続いて、Ｎｉクラスタをマスクとして反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ、ＲＩＥ）で酸化ケイ素膜をエッチングした。続いて、硝酸溶液を使用してＮｉクラスタを除去した。
【００７９】
続いて、実施例１と同様に窒化ケイ素膜、ＩＴＯ、発光層、及び銀を順次に積層して、有機発光素子を製造した。
【００８０】
以上で、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【００８１】
１１０ 絶縁基板
１１１ 下部膜
１１２，１１４ 薄膜
１１２ａ 凹凸部
１９１，２７０ 電極
３７０ 有機発光部材
５０ａ 有機微粒子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第１薄膜、
前記第１薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第２薄膜、
前記第２薄膜上に形成されている第１電極、
前記第１電極上に形成されている発光部材、及び
前記第１電極上に形成されている第２電極を含むことを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜は屈折率が互いに異なることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜の屈折率は各々１．１乃至３であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜の屈折率の差は少なくとも０．２であることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１薄膜の屈折率は１．６乃至２．２であり、
前記第２薄膜の屈折率は１．３乃至１．６であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１薄膜の屈折率は１．３乃至１．６であり、
前記第２薄膜の屈折率は１．６乃至２．２であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせを含み、
前記第２薄膜は、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、またはこれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記凹凸部は、不規則に分布していることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
基板上に凹凸部を有する第１薄膜を形成する段階、
前記第１薄膜上に前記凹凸部を平坦化する第２薄膜を形成する段階、
前記第２薄膜上に第１電極を形成する段階、
前記第１電極上に発光部材を形成する段階、及び
前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記凹凸部を有する前記第１薄膜を形成する段階は、
前記第１薄膜を積層する段階、
前記第１薄膜上に第１サイズの有機微粒子を含む分散液を塗布する段階、
前記分散液を乾燥させる段階、
前記有機微粒子をエッチングして、前記第１サイズより小さい第２サイズの有機微粒子を形成する段階、及び
前記第２サイズの有機微粒子をマスクとして前記第１薄膜をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記有機微粒子は球形状からなることを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記有機微粒子はポリスチレンを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機微粒子をエッチングする段階は、プラズマを使用することを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１薄膜をエッチングする段階は、反応性イオンエッチングで行うことを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記凹凸部を有する前記第１薄膜を形成する段階は、
有機物質を含む前記第１薄膜を積層する段階、及び
前記第１薄膜の表面をプラズマ処理する段階を含むことを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１薄膜を積層する段階後に、前記第１薄膜上に金属クラスタを適用する段階をさらに含み、
前記第１薄膜の表面をプラズマ処理する段階は、前記金属クラスタをマスクとして行うことを特徴とする、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板、
前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第１薄膜、
前記第１薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第２薄膜、
前記第２薄膜上に形成されている第１電極、
前記第１電極上に形成されている発光部材、及び
前記第１電極上に形成されている第２電極を含むことを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜は屈折率が互いに異なることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜の屈折率は各々１．１乃至３であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１薄膜及び前記第２薄膜の屈折率の差は少なくとも０．２であることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１薄膜の屈折率は１．６乃至２．２であり、
前記第２薄膜の屈折率は１．３乃至１．６であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１薄膜の屈折率は１．３乃至１．６であり、
前記第２薄膜の屈折率は１．６乃至２．２であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせを含み、
前記第２薄膜は、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、またはこれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記凹凸部は、不規則に分布していることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
基板上に凹凸部を有する第１薄膜を形成する段階、
前記第１薄膜上に前記凹凸部を平坦化する第２薄膜を形成する段階、
前記第２薄膜上に第１電極を形成する段階、
前記第１電極上に発光部材を形成する段階、及び
前記発光部材上に第２電極を形成する段階を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記凹凸部を有する前記第１薄膜を形成する段階は、
前記第１薄膜を積層する段階、
前記第１薄膜上に第１サイズの有機微粒子を含む分散液を塗布する段階、
前記分散液を乾燥させる段階、
前記有機微粒子をエッチングして、前記第１サイズより小さい第２サイズの有機微粒子を形成する段階、及び
前記第２サイズの有機微粒子をマスクとして前記第１薄膜をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記有機微粒子は球形状からなることを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記有機微粒子はポリスチレンを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機微粒子をエッチングする段階は、プラズマを使用することを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１薄膜をエッチングする段階は、反応性イオンエッチングで行うことを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記凹凸部を有する前記第１薄膜を形成する段階は、
有機物質を含む前記第１薄膜を積層する段階、及び
前記第１薄膜の表面をプラズマ処理する段階を含むことを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１薄膜を積層する段階後に、前記第１薄膜上に金属クラスタを適用する段階をさらに含み、
前記第１薄膜の表面をプラズマ処理する段階は、前記金属クラスタをマスクとして行うことを特徴とする、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−１０８６３２（Ｐ２０１１−１０８６３２Ａ）
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１８６２１０（Ｐ２０１０−１８６２１０）
【出願日】平成２２年８月２３日（２０１０．８．２３）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【出願人】（５１０２２７８３８）慶北大学校 産学協力団 (1)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月２３日（２０１０．８．２３）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【出願人】（５１０２２７８３８）慶北大学校 産学協力団 (1)
【Ｆターム（参考）】
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