有機発光表示装置及びその製造方法
【課題】本発明は、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置の製造方法は、基板上の画素領域の外側に上部電極電源ラインを形成し、画素領域に下部電極を形成し、画素領域と画素領域の外側に少なくとも一層の有機物層を形成し、画素領域に上部電極を形成し、上部電極の外側に露出された有機物層部位を選択的に除去して上部電極電源ラインを露出させ、常圧条件で上部電極及び上部電極電源ラインと重なるように上部電極及び上部電極電源ラインの間に導電物質を塗布して接続部を形成する段階を含む。
【解決手段】有機発光表示装置の製造方法は、基板上の画素領域の外側に上部電極電源ラインを形成し、画素領域に下部電極を形成し、画素領域と画素領域の外側に少なくとも一層の有機物層を形成し、画素領域に上部電極を形成し、上部電極の外側に露出された有機物層部位を選択的に除去して上部電極電源ラインを露出させ、常圧条件で上部電極及び上部電極電源ラインと重なるように上部電極及び上部電極電源ラインの間に導電物質を塗布して接続部を形成する段階を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置に関し、より詳しくは、上部電極電源ラインと電気的に接続される上部電極及びこの上部電極を含む有機発光表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、複数の画素を含む画素領域を含む。各画素は、赤色、緑色、及び青色の複数の副画素で構成され、各副画素には下部電極、有機発光層、及び上部電極を含む有機発光素子が形成される。有機発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を含む多重膜で形成される。
【０００３】
画素領域の外側には画素領域に電源電圧を提供するための上部及び下部電源電圧ラインと、画素領域に選択信号を出力するスキャンドライバーと、画素領域にデータ信号を出力するデータドライバーと、上部電極に駆動電圧を提供するための上部電極電源ラインとが備えられる。
【０００４】
上部電極電源ラインは絶縁層で覆われ、絶縁層に少なくとも一つのコンタクト孔が形成されて上部電極電源ラインの一部を露出させる。また、上部電極が画素領域全体及び画素領域の外側、つまり少なくとも一つのコンタクト孔にわたって形成され、上部電極電源ラインとの接触によってこれと電気的に接続される。
【０００５】
有機発光素子を形成する過程で、少なくとも一つの有機物層（例えば、正孔注入層及び正孔輸送層）がスピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）などの液状塗布法によって形成される。しかし、液状塗布法によって形成された有機物層は、画素領域だけでなく、その外側領域であるスキャンドライバー、データドライバー、及び上部電極電源ラインのコンタクト孔などの意図しなかった領域にも共に形成される。
【０００６】
画素領域の外側に形成された有機物層を除去しなければ、後続工程を円滑に行うことができない。例えば、有機物層は、コンタクト孔によって露出された上部電極電源ライン上にも形成されるため、この有機物層を除去しなければ、その後の上部電極を形成する過程で上部電極及び上部電極電源ラインを接続することができなくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる、有機発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板上の画素領域の外側に上部電極電源ラインを形成する段階と、画素領域に下部電極を形成する段階と、画素領域及び画素領域の外側に少なくとも一層の有機物層を形成する段階と、画素領域に上部電極を形成する段階と、上部電極の外側に露出された有機物層部位を選択的に除去して上部電極電源ラインを露出させる段階と、常圧条件で上部電極及び上部電極電源ラインと重なるように上部電極及び上部電極電源ラインの間に導電物質を塗布して接続部を形成する段階とを含む。
【０００９】
有機物層は、正孔注入層及び正孔輸送層の多重層である。有機発光表示装置の製造方法は、上部電極を形成する前に、画素領域上の正孔輸送層上に発光層、電子輸送層、及び電子注入層を形成する段階をさらに含むことができる。
一方、有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の多重層であってもよい。有機発光表示装置の製造方法は、電子輸送層を形成する前に、画素領域上の正孔輸送層上に発光層を形成する段階をさらに含むことができる。
発光層は、インクジェット印刷法で画素領域上の副画素毎に一つずつ形成される。上部電極は、真空蒸着法及びスパッタリング法のうちのいずれか一つの方法によって形成される。
【００１０】
上部電極で画素領域を保護した状態で、レーザー照射法及びプラズマエッチング法のうちのいずれか一つの方法で上部電極の外側に露出された有機物層部位を選択的に除去する。
接続部は、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ノズル印刷法、及びオフセット印刷法のうちのいずれか一つの方法によって形成される。接続部は、アルミニウム、銅、金、パラジウム、及び白金のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含み、厚さが２０ｎｍ乃至１ｍｍである。
【００１１】
上部電極電源ラインは、画素領域上の薄膜トランジスターと同時に形成される。薄膜トランジスターは、ゲート電極、及び層間絶縁膜を間においてゲート電極の上部に位置するソース電極及びドレイン電極を含み、上部電極電源ラインは、ソース電極及びドレイン電極と同時に形成される。
【００１２】
ソース電極、ドレイン電極、及び上部電極電源ライン上に絶縁膜を形成し、絶縁膜にドレイン電極を露出させるコンタクト孔及び上部電極電源ラインを露出させる少なくとも一つのコンタクト孔を形成する。
下部電極は、絶縁膜のコンタクト孔を通してドレイン電極と接続される。接続部は、上部電極及び絶縁膜のコンタクト孔によって露出された上部電極電源ラインを接続することができる。
【００１３】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置は、ｉ）基板上の画素領域に形成されて、下部電極、有機発光層、及び上部電極を含む複数の有機発光素子と、ｉｉ）画素領域の外側に形成される上部電極電源ラインと、ｉｉｉ）上部電極及び上部電極電源ラインと重なるように上部電極及び上部電極電源ラインの間に形成される接続部とを含む。接続部は、アルミニウム、銅、金、パラジウム、及び白金のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含み、厚さが２０ｎｍ乃至１ｍｍである。
上部電極は、厚さが５ｎｍ乃至２００ｎｍであってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の平面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｅ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｆ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図３Ａ】本実施形態の有機発光表示装置のうちの上部電極及び接続部の平面形状を概略的に示した平面図である。
【図３Ｂ】本実施形態の有機発光表示装置のうちの上部電極及び接続部の平面形状を概略的に示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に具現され、ここで説明する実施形態に限られない。
本発明を明確に説明するために、説明に不要な部分は省略し、明細書全体で同一または類似する構成要素については、同一な符号を付けた。また、図面に示された各構成要素のサイズ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したものであるため、本発明は示した例に限られない。
【００１７】
図面では、多数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。また、図面では、説明の便宜のために、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上」または「上部」にあるとする時、これはある部分の「真上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
【００１８】
図１は本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の平面図である。
図１を参照すると、本実施形態の有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）、上部電源電圧ライン１０、下部電源電圧ライン１１、及び画素電源電圧ライン１３を含む。
画素領域（ＰＡ）は、複数の画素が形成された領域である。上部電源電圧ライン１０は、画素領域（ＰＡ）の上側及び左右側に配列されて、画素領域（ＰＡ）に電源電圧を提供する。下部電源電圧ライン１１は、画素領域（ＰＡ）の下側に配列されて、画素領域（ＰＡ）に電源電圧を提供する。画素電源電圧ライン１３は、上部電源電圧ライン１０及び下部電源電圧ライン１１と接続されるように画素領域（ＰＡ）に形成される。
【００１９】
また、有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）に選択信号を出力するスキャンドライバー１４、画素領域（ＰＡ）にデータ信号を出力するデータドライバー１５、画素領域（ＰＡ）及び上部電源電圧ライン１０の間に位置する上部電極電源ライン１６を含む。スキャンドライバー１４及びデータドライバー１５は、画素領域（ＰＡ）の外側に位置する。
【００２０】
各画素は、赤色、緑色、及び青色の複数の副画素で構成され、各副画素毎に有機発光素子（図示せず）が形成される。有機発光素子は、下部電極、有機発光層、及び上部電極１７を含む。上部電極１７は、共通電極として画素領域（ＰＡ）全体に形成され、接続部１８が上部電極１７及び上部電極電源ライン１６の間に形成されて、上部電極１７及び上部電極電源ライン１６を電気的に接続する。
【００２１】
以下、図２Ａ乃至図２Ｆを参照して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法について説明する。図２Ａ乃至図２Ｆは、図１のＩＩ-ＩＩ線による断面図であり、画素領域に位置する一つの副画素及び画素領域の外側に位置する上部電極電圧ラインを示す。
【００２２】
図２Ａを参照すると、画素領域（ＰＡ）及びその外側領域を含む基板２０全体にバッファー層２１を形成する。バッファー層２１は、基板２０の真上に形成されて、基板２０から流出される不純物から後続工程で形成される薄膜トランジスターを保護する役割を果たす。バッファー層２１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、及び酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）のうちの少なくとも一つを含むことができる。
【００２３】
次に、画素領域（ＰＡ）のバッファー層２１上に半導体層２２を形成する。半導体層２２は、多結晶シリコン膜で形成したり、非晶質シリコン膜を蒸着後に結晶化して形成する。半導体層２２は、不純物がドーピングされないチャンネル領域２３、及びチャンネル領域２３の両側に位置して、不純物がドーピングされたソース領域２４及びドレイン領域２５を含む。ソース領域２４及びドレイン領域２５にドーピングされるイオン物質は、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物である。
【００２４】
薄膜トランジスターは、ｐ型不純物を使用したＰＭＯＳ構造以外にも、ｎ型不純物を使用したＮＭＯＳ構造、またはｃ型不純物を使用したＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターであってもよい。
半導体層２２を覆うようにバッファー層２１上にゲート絶縁膜２６を形成する。ゲート絶縁膜２６は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことができる。また、ゲート絶縁膜２６上にゲート電極２７を含むゲート配線を形成する。ゲート電極２７は、半導体層２２の一部、特にチャンネル領域２３と重なるように形成される。
【００２５】
次に、ゲート絶縁膜２６上にゲート電極２７を覆う層間絶縁膜２８を形成する。層間絶縁膜２８は、ゲート絶縁膜２６と同様に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことができる。また、層間絶縁膜２８及びゲート絶縁膜２６を一部除去して、ソース領域２４及びドレイン領域２５を露出させるコンタクト孔を形成する。
【００２６】
層間絶縁膜２８上にソース電極２９及びドレイン電極３０を含むデータ配線を形成する。ソース電極２９はコンタクト孔を通して半導体層２２のソース領域２４と接続され、ドレイン電極３０はコンタクト孔を通して半導体層２２のドレイン領域２５と接続される。これによって、半導体層２２、ゲート電極２７、ソース電極２９、及びドレイン電極３０を含む薄膜トランジスター（ＴＲ）を完成する。
【００２７】
有機発光表示装置１００は、一つの副画素毎にスイッチング薄膜トランジスター、駆動薄膜トランジスター、及びキャパシターを含むことができ、図２Ａでは、便宜上、駆動薄膜トランジスターだけを示した。駆動薄膜トランジスターの構成は前述した例に限定されずに多様に変形することができる。また、有機発光表示装置１００は、一つの副画素毎に３つ以上の薄膜トランジスター及び２つ以上のキャパシターを含むこともできる。
【００２８】
一方、画素領域（ＰＡ）の外側に上部電極電源ライン１６を形成する。上部電極電源ライン１６は、薄膜トランジスター（ＴＲ）と同時に形成される。具体的に、上部電極電源ライン１６は、ゲート絶縁膜２６上にゲート電極２７と同時に形成されたり、層間絶縁膜２８上にソース電極２９及びドレイン電極３０と同時に形成される。図２Ａでは、上部電極電源ライン１６が層間絶縁膜２８上でソース電極２９及びドレイン電極３０と同時に形成される場合を示した。
【００２９】
ここで、上部電極電源ライン１６がソース電極２９及びドレイン電極３０と同時に形成されるということは、層間絶縁膜２８上に導電物質を蒸着して導電膜を形成した後に導電膜をパターニングして、ソース電極２９、ドレイン電極３０、及び上部電極電源ライン１６を共に形成したことを意味する。これによって、上部電極電源ライン１６は、ソース電極２９及びドレイン電極３０と同一な成分を含み、厚さが同一である。
【００３０】
図２Ｂを参照すると、層間絶縁膜２８上にソース電極２９、ドレイン電極３０、及び上部電極電源ライン１６を覆う絶縁膜３１を形成する。絶縁膜３１上に平坦化膜を追加的に形成したり、絶縁膜３１そのものが平坦化膜で構成される。平坦化膜は、それ以前に形成された部材の段差または表面の屈曲を全てカバーして平らに形成される。従って、平坦化膜は、その上に形成される有機発光素子を平らにして、発光効率を向上させる。絶縁膜３１の一部を除去して、ドレイン電極３０を露出させるコンタクト孔３１１及び上部電極電源ライン１６を露出させるコンタクト孔３１２を形成する。
【００３１】
絶縁膜３１は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの一つ以上の物質を含むことができる。
【００３２】
次に、画素領域（ＰＡ）の絶縁膜３１上に有機発光素子の下部電極３２を形成する。下部電極３２は、画素電極として副画素毎に一つずつ位置して、絶縁膜３１のコンタクト孔３１１を通してドレイン電極３０と接続される。下部電極３２は、正孔注入電極であり、透明な導電物質または半透過型導電物質で形成される。
【００３３】
下部電極３２の形成のための透明な導電物質として、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びＩｎ２Ｏ３（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）などの物質を使用することができ、半透過型導電物質として、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの一つ以上の物質を使用することができる。
【００３４】
図２Ｃを参照すると、画素領域（ＰＡ）の絶縁膜３１上に下部電極３２を覆う画素定義膜３３を形成し、画素定義膜３３に開口部３３１を形成して下部電極３２を露出させる。画素定義膜３３が形成された部分は、複数の副画素間の領域に相当する。つまり、実際に発光する発光層（図示せず）が後に画素定義膜３３の開口部３３１に形成されるため、画素定義膜３３は、副画素別に発光層が形成される領域を定義する役割を果たす。
【００３５】
画素定義膜３３は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、及び酸化ケイ素（ＳｉＯ２）系の無機物のうちのいずれか一つを含むことができる。この時、画素定義膜３３は、画素領域（ＰＡ）にだけ形成され、この場合、画素領域（ＰＡ）の外側の上部電極電源ライン１６及び絶縁膜３１を覆わない。
【００３６】
次に、画素領域（ＰＡ）及びその外側領域にスピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）などの液状塗布法で少なくとも一つの有機物層３４を形成する。液状塗布法を適用すれば、厚さが薄くて均一な有機物層３４を容易で迅速に形成することができる。ここで、有機物層３４は、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）３４１及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）３４２である。
【００３７】
液状塗布法によって形成された有機物層３４は、画素領域（ＰＡ）だけでなく、その外側領域まで全て形成されるため、上部電極電源ライン１６を覆う。つまり、有機物層３４は、画素領域（ＰＡ）の外側の絶縁膜３１、及び絶縁膜３１のコンタクト孔３１２によって露出された上部電極電源ライン１６上にも形成される。従って、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を除去して上部電極電源ライン１６を再び露出させなければならない。
【００３８】
図２Ｄを参照すると、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を除去する前に、画素定義膜３３の開口部３３１に対応する正孔輸送層３４２上に発光層３５を形成する。発光層３５は、画素定義膜３３の開口部３３１に対応する領域にだけ選択的に形成され、このために、インクジェット噴射法で発光層形成物質を特定の領域にだけ噴射して、発光層３５を形成する。発光層３５は、インクジェット噴射法以外の他の方法でも形成される。
次に、発光層３５上に電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）３４３及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）３４４を形成する。これによって、正孔注入層３４１、正孔輸送層３４２、発光層３５、電子輸送層３４３、及び電子注入層３４４で構成された有機発光層が完成される。
【００３９】
電子輸送層３４３及び電子注入層３４４は、発光層３５上にだけ形成されたり、スピンコーティングなどの液状塗布法によって形成されて、画素領域（ＰＡ）及びその外側領域全体に位置する。図２Ｄでは後者の場合を例示した。後者の場合、画素領域（ＰＡ）及びその外側領域に共に形成された有機物層３４は、前述した正孔注入層３４１及び正孔輸送層３４２以外に電子輸送層３４３及び電子注入層３４４も含む。
【００４０】
図２Ｅを参照すると、画素領域（ＰＡ）全体に真空蒸着またはスパッタリングなどの薄膜工程を適用して共通電極の上部電極１７を形成する。上部電極１７は、画素領域（ＰＡ）より大きい面積に形成される。上部電極１７は、電子注入電極であり、反射型導電物質で形成される。これによって、有機発光表示装置１００は、背面発光型に構成される。つまり、発光層３５から放出された光は上部電極１７によって反射されて、下部電極３２、薄膜トランジスター（ＴＲ）、及び基板２０を透過して画像を表示する。
【００４１】
上部電極１７は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／ Ｃａ）、及びフッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、上部電極１７は、透明な導電物質及び反射型導電物質の多重層にも形成される。
【００４２】
上部電極１７は、真空蒸着またはスパッタリングなどの薄膜工程によって形成された薄膜（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）であり、厚さが約５ｎｍ乃至２００ｎｍである。具体的に、蒸着マスクを備えた蒸着チャンバー（図示せず）の内部で導電物質を気化させて、上部電極１７を形成する。この時、蒸着マスクは、画素領域（ＰＡ）に対応する一つの開口部を形成し、蒸着チャンバーの内部は高真空状態を維持する。
【００４３】
上部電極１７が画素領域（ＰＡ）に形成されるため、有機物層３４のうちの画素領域（ＰＡ）に対応する部位は上部電極１７で覆われ、画素領域（ＰＡ）の外側に対応する部位は外部に露出される。従って、上部電極１７を利用して画素領域（ＰＡ）を保護すると共に、外部に露出された有機物層３４部位を選択的に除去する。このために、基板２０を蒸着チャンバーから取り出した後、レーザー設備（図示せず）またはプラズマエッチング設備（図示せず）に移動する。
【００４４】
レーザー除去法を適用する場合、外部に露出された有機物層３４部位にレーザービームを照射して、レーザービームのエネルギーで有機物層３４を気化させて除去する。この過程で、上部電極１７は、気化した有機物が画素領域（ＰＡ）の有機物と接触するのを防止して、画素領域（ＰＡ）の発光特性が変化するのを防止する。レーザービームとしては、エキシマ（ｅｘｃｉｍｅｒ）レーザー、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザー、またはＮｄ:ＹＡＧレーザーなどを使用することができ、１００ｍＪ／ｃｍ２乃至１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー範囲及び１９３ｎｍ乃至３５１ｎｍの波長範囲のレーザーを使用することができる。
【００４５】
プラズマエッチング法を適用する場合、上部電極１７がエッチングマスクとして機能するため、外部に露出された有機物層３４部位だけプラズマと反応する。これによって、プラズマとの反応で有機物層３４をエッチングして除去する。プラズマガスとしては、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、またはアルゴン（Ａｒ）などを使用することができ、常圧や高真空条件の全てにおいてプラズマエッチングが可能であり、有機発光素子の変成を防止するために、１００℃以下の温度でプラズマエッチングを行う。
【００４６】
図２Ｆを参照すると、レーザー除去法またはプラズマエッチング法で有機物層３４のうちの上部電極１７の外側に露出された部位が除去されるため、前段階で有機物層３４で覆われていた絶縁膜３１及び上部電極電源ライン１６が露出される。図２Ｆに示した状態では画素領域（ＰＡ）に上部電極１７が存在するが、上部電極１７は、上部電極電源ライン１６と分離されているため、有機発光素子４０の駆動に必要な電圧が提供されない。
次に、常圧条件で上部電極１７及び上部電極電源ライン１６と重なるように上部電極１７及び上部電極電源ライン１６の間に導電物質を塗布して接続部１８を形成する。接続部１８は、上部電極１７とは異なって、真空蒸着やスパッタリングなどの薄膜工程で形成されずに、常圧で実施可能な厚膜工程で形成される。つまり、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ノズル印刷、及びオフセット印刷のうちのいずれか一つの印刷法で接続部１８を形成する。
【００４７】
接続部１８は、有機発光層と接触する電極ではなく、上部電極１７及び上部電極電源ライン１６を接続する導電パスであるため、材料、厚さ、及び形成方法などに大きな制約がない。また、接続部１８を形成する際に高水準の精密度が要求されないため、工程費用が安い印刷法によって形成することができる。従って、薄膜工程に比べて材料費及び工程費用を節減させることができるため、大量生産に有利である。
【００４８】
しかし、接続部１８を形成する際に最も重要な要素は導電性である。接続部１８は、導電性が優れているアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含む。ここで、ナノ粒子とは、１ｎｍ乃至１，０００ｎｍの範囲のサイズの粒子を意味する。
【００４９】
具体的には、前述した金属ナノ粒子にビヒクル及びバインダーなどの有機物質を混合して印刷に適した粘度の混合物を製造し、この混合物をスクリーン印刷、インクジェット印刷、ノズル印刷、及びオフセット印刷のうちのいずれか一つの印刷法で塗布した後、乾燥または熱処理工程を経て接続部１８を形成する。このように厚膜工程で形成された接続部１８は、厚さが約２０ｎｍ乃至１ｍｍであり、比抵抗が約１００Ω／□ 以下である。
【００５０】
仮に接続部１８を真空蒸着で形成すると仮定すると、接続部１８は、上部電極１７と形状が異なるため、上部電極形成用蒸着マスクと異なる形状の蒸着マスクが設置された別途の蒸着チャンバーが必要である。つまり、接続部１８を形成するために蒸着チャンバーを追加しなければならない。また、蒸着チャンバーの真空度を高めて上部電極１７を形成し、真空度を低くして基板２０を取り出した後、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を除去して、蒸着チャンバーの真空度を高めて接続部１８を形成しなければならない。従って、製造工程が複雑になり、製作に多くの時間がかかる。
【００５１】
しかし、本実施形態では、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を除去した後、常圧で印刷法で接続部１８をそのまま形成することによって、上部電極１７の形成以降に真空度を調節する必要がなく、真空蒸着より安い費用で接続部１８を容易に形成することができる。本実施形態の有機発光表示装置１００において、接続部１８は、上部電極１７より厚く形成され、高い導電性を確保するために、前述した金属ナノ粒子を含む。
【００５２】
図３Ａ及び図３Ｂは本実施形態の有機発光表示装置のうちの上部電極及び接続部の平面形状を概略的に示した平面図である。
図３Ａを参照すると、上部電極１７は、上部電極電源ライン１６に向かった一側が画素領域の外側にのびて、接続部１８が画素領域の外側で上部電極１７の一部及び上部電極電源ライン１６全体と重なるように形成される。上部電極電源ライン１６上には一つまたは複数のコンタクト孔３１２が形成され、接続部１８は、コンタクト孔３１２を通して上部電極電源ライン１６と接触する。図３Ａでは複数のコンタクト孔３１２が形成されたことを示した。
【００５３】
図３Ｂを参照すると、上部電極１７は、上部電極電源ライン１６に向かう一側が画素領域の外側にのびて、上部電極電源ライン１６上に複数のコンタクト孔３１２が上部電極電源ライン１６の長さ方向に沿って形成される。そして、接続部１８１は、コンタクト孔３１２の数に対応して複数形成され、それぞれの接続部１８１が画素領域の外側で上部電極１７の一部及び一つのコンタクト孔３１２と重なるように形成される。
【００５４】
接続部１８、１８１の形状は前述した例に限定されず、上部電極１７及び上部電極電源ライン１６を接続することができる形状であれば全て適用可能である。
前述した構成の有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）を上部電極１７で保護した状態で、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を効果的に除去することができる。また、常圧条件で実施可能な印刷法を適用するため、低い費用及び単純化された工程で接続部１８を容易に形成することができる。また、接続部１８が導電性が優れている金属ナノ粒子を含むことによって、上部電極１７及び上部電極電源ライン１６の間の電気抵抗を最少化して、有機発光素子４０の発光特性を向上させることができる。
【００５５】
以上で、本発明の望ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付図面の範囲内で多様に変形して実施することができ、これらも本発明の範囲に属するのは当然である。
【符号の説明】
【００５６】
１００ 有機発光表示装置
１０ 上部電源電圧ライン
１１ 下部電源電圧ライン
１３ 画素電源電圧ライン
１４ スキャンドライバー
１５ データドライバー
１６ 上部電極電源ライン
１７ 上部電極
１８ 接続部
１８１ 接続部
２０ 基板
２１ バッファー層
２２ 半導体層
２３ チャンネル領域
２４ ソース領域
２５ ドレイン領域
２６ ゲート絶縁膜
２７ ゲート電極
２８ 層間絶縁膜
２９ ソース電極
３０ ドレイン電極
３１ 絶縁膜
３２ 下部電極
３３ 画素定義膜
３４ 有機物層
３５ 発光層
４０ 有機発光素子
３１１、３１２ コンタクト孔
３３１ 開口部
３４１ 正孔注入層
３４２ 正孔輸送層
３４３ 電子輸送層
３４４ 電子注入層
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置に関し、より詳しくは、上部電極電源ラインと電気的に接続される上部電極及びこの上部電極を含む有機発光表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、複数の画素を含む画素領域を含む。各画素は、赤色、緑色、及び青色の複数の副画素で構成され、各副画素には下部電極、有機発光層、及び上部電極を含む有機発光素子が形成される。有機発光層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を含む多重膜で形成される。
【０００３】
画素領域の外側には画素領域に電源電圧を提供するための上部及び下部電源電圧ラインと、画素領域に選択信号を出力するスキャンドライバーと、画素領域にデータ信号を出力するデータドライバーと、上部電極に駆動電圧を提供するための上部電極電源ラインとが備えられる。
【０００４】
上部電極電源ラインは絶縁層で覆われ、絶縁層に少なくとも一つのコンタクト孔が形成されて上部電極電源ラインの一部を露出させる。また、上部電極が画素領域全体及び画素領域の外側、つまり少なくとも一つのコンタクト孔にわたって形成され、上部電極電源ラインとの接触によってこれと電気的に接続される。
【０００５】
有機発光素子を形成する過程で、少なくとも一つの有機物層（例えば、正孔注入層及び正孔輸送層）がスピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）などの液状塗布法によって形成される。しかし、液状塗布法によって形成された有機物層は、画素領域だけでなく、その外側領域であるスキャンドライバー、データドライバー、及び上部電極電源ラインのコンタクト孔などの意図しなかった領域にも共に形成される。
【０００６】
画素領域の外側に形成された有機物層を除去しなければ、後続工程を円滑に行うことができない。例えば、有機物層は、コンタクト孔によって露出された上部電極電源ライン上にも形成されるため、この有機物層を除去しなければ、その後の上部電極を形成する過程で上部電極及び上部電極電源ラインを接続することができなくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる、有機発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板上の画素領域の外側に上部電極電源ラインを形成する段階と、画素領域に下部電極を形成する段階と、画素領域及び画素領域の外側に少なくとも一層の有機物層を形成する段階と、画素領域に上部電極を形成する段階と、上部電極の外側に露出された有機物層部位を選択的に除去して上部電極電源ラインを露出させる段階と、常圧条件で上部電極及び上部電極電源ラインと重なるように上部電極及び上部電極電源ラインの間に導電物質を塗布して接続部を形成する段階とを含む。
【０００９】
有機物層は、正孔注入層及び正孔輸送層の多重層である。有機発光表示装置の製造方法は、上部電極を形成する前に、画素領域上の正孔輸送層上に発光層、電子輸送層、及び電子注入層を形成する段階をさらに含むことができる。
一方、有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の多重層であってもよい。有機発光表示装置の製造方法は、電子輸送層を形成する前に、画素領域上の正孔輸送層上に発光層を形成する段階をさらに含むことができる。
発光層は、インクジェット印刷法で画素領域上の副画素毎に一つずつ形成される。上部電極は、真空蒸着法及びスパッタリング法のうちのいずれか一つの方法によって形成される。
【００１０】
上部電極で画素領域を保護した状態で、レーザー照射法及びプラズマエッチング法のうちのいずれか一つの方法で上部電極の外側に露出された有機物層部位を選択的に除去する。
接続部は、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ノズル印刷法、及びオフセット印刷法のうちのいずれか一つの方法によって形成される。接続部は、アルミニウム、銅、金、パラジウム、及び白金のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含み、厚さが２０ｎｍ乃至１ｍｍである。
【００１１】
上部電極電源ラインは、画素領域上の薄膜トランジスターと同時に形成される。薄膜トランジスターは、ゲート電極、及び層間絶縁膜を間においてゲート電極の上部に位置するソース電極及びドレイン電極を含み、上部電極電源ラインは、ソース電極及びドレイン電極と同時に形成される。
【００１２】
ソース電極、ドレイン電極、及び上部電極電源ライン上に絶縁膜を形成し、絶縁膜にドレイン電極を露出させるコンタクト孔及び上部電極電源ラインを露出させる少なくとも一つのコンタクト孔を形成する。
下部電極は、絶縁膜のコンタクト孔を通してドレイン電極と接続される。接続部は、上部電極及び絶縁膜のコンタクト孔によって露出された上部電極電源ラインを接続することができる。
【００１３】
本発明の第１実施形態による有機発光表示装置は、ｉ）基板上の画素領域に形成されて、下部電極、有機発光層、及び上部電極を含む複数の有機発光素子と、ｉｉ）画素領域の外側に形成される上部電極電源ラインと、ｉｉｉ）上部電極及び上部電極電源ラインと重なるように上部電極及び上部電極電源ラインの間に形成される接続部とを含む。接続部は、アルミニウム、銅、金、パラジウム、及び白金のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含み、厚さが２０ｎｍ乃至１ｍｍである。
上部電極は、厚さが５ｎｍ乃至２００ｎｍであってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、画素領域を保護すると共に、画素領域の外側の有機物層を効果的に除去して、上部電極及び上部電極電源ラインの接続時にこれらの間の接触抵抗を最少化し、有機発光素子の発光特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の平面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｅ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図２Ｆ】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法を示した工程図である。
【図３Ａ】本実施形態の有機発光表示装置のうちの上部電極及び接続部の平面形状を概略的に示した平面図である。
【図３Ｂ】本実施形態の有機発光表示装置のうちの上部電極及び接続部の平面形状を概略的に示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に具現され、ここで説明する実施形態に限られない。
本発明を明確に説明するために、説明に不要な部分は省略し、明細書全体で同一または類似する構成要素については、同一な符号を付けた。また、図面に示された各構成要素のサイズ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したものであるため、本発明は示した例に限られない。
【００１７】
図面では、多数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。また、図面では、説明の便宜のために、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上」または「上部」にあるとする時、これはある部分の「真上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
【００１８】
図１は本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の平面図である。
図１を参照すると、本実施形態の有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）、上部電源電圧ライン１０、下部電源電圧ライン１１、及び画素電源電圧ライン１３を含む。
画素領域（ＰＡ）は、複数の画素が形成された領域である。上部電源電圧ライン１０は、画素領域（ＰＡ）の上側及び左右側に配列されて、画素領域（ＰＡ）に電源電圧を提供する。下部電源電圧ライン１１は、画素領域（ＰＡ）の下側に配列されて、画素領域（ＰＡ）に電源電圧を提供する。画素電源電圧ライン１３は、上部電源電圧ライン１０及び下部電源電圧ライン１１と接続されるように画素領域（ＰＡ）に形成される。
【００１９】
また、有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）に選択信号を出力するスキャンドライバー１４、画素領域（ＰＡ）にデータ信号を出力するデータドライバー１５、画素領域（ＰＡ）及び上部電源電圧ライン１０の間に位置する上部電極電源ライン１６を含む。スキャンドライバー１４及びデータドライバー１５は、画素領域（ＰＡ）の外側に位置する。
【００２０】
各画素は、赤色、緑色、及び青色の複数の副画素で構成され、各副画素毎に有機発光素子（図示せず）が形成される。有機発光素子は、下部電極、有機発光層、及び上部電極１７を含む。上部電極１７は、共通電極として画素領域（ＰＡ）全体に形成され、接続部１８が上部電極１７及び上部電極電源ライン１６の間に形成されて、上部電極１７及び上部電極電源ライン１６を電気的に接続する。
【００２１】
以下、図２Ａ乃至図２Ｆを参照して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法について説明する。図２Ａ乃至図２Ｆは、図１のＩＩ-ＩＩ線による断面図であり、画素領域に位置する一つの副画素及び画素領域の外側に位置する上部電極電圧ラインを示す。
【００２２】
図２Ａを参照すると、画素領域（ＰＡ）及びその外側領域を含む基板２０全体にバッファー層２１を形成する。バッファー層２１は、基板２０の真上に形成されて、基板２０から流出される不純物から後続工程で形成される薄膜トランジスターを保護する役割を果たす。バッファー層２１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、及び酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）のうちの少なくとも一つを含むことができる。
【００２３】
次に、画素領域（ＰＡ）のバッファー層２１上に半導体層２２を形成する。半導体層２２は、多結晶シリコン膜で形成したり、非晶質シリコン膜を蒸着後に結晶化して形成する。半導体層２２は、不純物がドーピングされないチャンネル領域２３、及びチャンネル領域２３の両側に位置して、不純物がドーピングされたソース領域２４及びドレイン領域２５を含む。ソース領域２４及びドレイン領域２５にドーピングされるイオン物質は、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物である。
【００２４】
薄膜トランジスターは、ｐ型不純物を使用したＰＭＯＳ構造以外にも、ｎ型不純物を使用したＮＭＯＳ構造、またはｃ型不純物を使用したＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターであってもよい。
半導体層２２を覆うようにバッファー層２１上にゲート絶縁膜２６を形成する。ゲート絶縁膜２６は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことができる。また、ゲート絶縁膜２６上にゲート電極２７を含むゲート配線を形成する。ゲート電極２７は、半導体層２２の一部、特にチャンネル領域２３と重なるように形成される。
【００２５】
次に、ゲート絶縁膜２６上にゲート電極２７を覆う層間絶縁膜２８を形成する。層間絶縁膜２８は、ゲート絶縁膜２６と同様に窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことができる。また、層間絶縁膜２８及びゲート絶縁膜２６を一部除去して、ソース領域２４及びドレイン領域２５を露出させるコンタクト孔を形成する。
【００２６】
層間絶縁膜２８上にソース電極２９及びドレイン電極３０を含むデータ配線を形成する。ソース電極２９はコンタクト孔を通して半導体層２２のソース領域２４と接続され、ドレイン電極３０はコンタクト孔を通して半導体層２２のドレイン領域２５と接続される。これによって、半導体層２２、ゲート電極２７、ソース電極２９、及びドレイン電極３０を含む薄膜トランジスター（ＴＲ）を完成する。
【００２７】
有機発光表示装置１００は、一つの副画素毎にスイッチング薄膜トランジスター、駆動薄膜トランジスター、及びキャパシターを含むことができ、図２Ａでは、便宜上、駆動薄膜トランジスターだけを示した。駆動薄膜トランジスターの構成は前述した例に限定されずに多様に変形することができる。また、有機発光表示装置１００は、一つの副画素毎に３つ以上の薄膜トランジスター及び２つ以上のキャパシターを含むこともできる。
【００２８】
一方、画素領域（ＰＡ）の外側に上部電極電源ライン１６を形成する。上部電極電源ライン１６は、薄膜トランジスター（ＴＲ）と同時に形成される。具体的に、上部電極電源ライン１６は、ゲート絶縁膜２６上にゲート電極２７と同時に形成されたり、層間絶縁膜２８上にソース電極２９及びドレイン電極３０と同時に形成される。図２Ａでは、上部電極電源ライン１６が層間絶縁膜２８上でソース電極２９及びドレイン電極３０と同時に形成される場合を示した。
【００２９】
ここで、上部電極電源ライン１６がソース電極２９及びドレイン電極３０と同時に形成されるということは、層間絶縁膜２８上に導電物質を蒸着して導電膜を形成した後に導電膜をパターニングして、ソース電極２９、ドレイン電極３０、及び上部電極電源ライン１６を共に形成したことを意味する。これによって、上部電極電源ライン１６は、ソース電極２９及びドレイン電極３０と同一な成分を含み、厚さが同一である。
【００３０】
図２Ｂを参照すると、層間絶縁膜２８上にソース電極２９、ドレイン電極３０、及び上部電極電源ライン１６を覆う絶縁膜３１を形成する。絶縁膜３１上に平坦化膜を追加的に形成したり、絶縁膜３１そのものが平坦化膜で構成される。平坦化膜は、それ以前に形成された部材の段差または表面の屈曲を全てカバーして平らに形成される。従って、平坦化膜は、その上に形成される有機発光素子を平らにして、発光効率を向上させる。絶縁膜３１の一部を除去して、ドレイン電極３０を露出させるコンタクト孔３１１及び上部電極電源ライン１６を露出させるコンタクト孔３１２を形成する。
【００３１】
絶縁膜３１は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの一つ以上の物質を含むことができる。
【００３２】
次に、画素領域（ＰＡ）の絶縁膜３１上に有機発光素子の下部電極３２を形成する。下部電極３２は、画素電極として副画素毎に一つずつ位置して、絶縁膜３１のコンタクト孔３１１を通してドレイン電極３０と接続される。下部電極３２は、正孔注入電極であり、透明な導電物質または半透過型導電物質で形成される。
【００３３】
下部電極３２の形成のための透明な導電物質として、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びＩｎ２Ｏ３（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）などの物質を使用することができ、半透過型導電物質として、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの一つ以上の物質を使用することができる。
【００３４】
図２Ｃを参照すると、画素領域（ＰＡ）の絶縁膜３１上に下部電極３２を覆う画素定義膜３３を形成し、画素定義膜３３に開口部３３１を形成して下部電極３２を露出させる。画素定義膜３３が形成された部分は、複数の副画素間の領域に相当する。つまり、実際に発光する発光層（図示せず）が後に画素定義膜３３の開口部３３１に形成されるため、画素定義膜３３は、副画素別に発光層が形成される領域を定義する役割を果たす。
【００３５】
画素定義膜３３は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、及び酸化ケイ素（ＳｉＯ２）系の無機物のうちのいずれか一つを含むことができる。この時、画素定義膜３３は、画素領域（ＰＡ）にだけ形成され、この場合、画素領域（ＰＡ）の外側の上部電極電源ライン１６及び絶縁膜３１を覆わない。
【００３６】
次に、画素領域（ＰＡ）及びその外側領域にスピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）などの液状塗布法で少なくとも一つの有機物層３４を形成する。液状塗布法を適用すれば、厚さが薄くて均一な有機物層３４を容易で迅速に形成することができる。ここで、有機物層３４は、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）３４１及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）３４２である。
【００３７】
液状塗布法によって形成された有機物層３４は、画素領域（ＰＡ）だけでなく、その外側領域まで全て形成されるため、上部電極電源ライン１６を覆う。つまり、有機物層３４は、画素領域（ＰＡ）の外側の絶縁膜３１、及び絶縁膜３１のコンタクト孔３１２によって露出された上部電極電源ライン１６上にも形成される。従って、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を除去して上部電極電源ライン１６を再び露出させなければならない。
【００３８】
図２Ｄを参照すると、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を除去する前に、画素定義膜３３の開口部３３１に対応する正孔輸送層３４２上に発光層３５を形成する。発光層３５は、画素定義膜３３の開口部３３１に対応する領域にだけ選択的に形成され、このために、インクジェット噴射法で発光層形成物質を特定の領域にだけ噴射して、発光層３５を形成する。発光層３５は、インクジェット噴射法以外の他の方法でも形成される。
次に、発光層３５上に電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）３４３及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）３４４を形成する。これによって、正孔注入層３４１、正孔輸送層３４２、発光層３５、電子輸送層３４３、及び電子注入層３４４で構成された有機発光層が完成される。
【００３９】
電子輸送層３４３及び電子注入層３４４は、発光層３５上にだけ形成されたり、スピンコーティングなどの液状塗布法によって形成されて、画素領域（ＰＡ）及びその外側領域全体に位置する。図２Ｄでは後者の場合を例示した。後者の場合、画素領域（ＰＡ）及びその外側領域に共に形成された有機物層３４は、前述した正孔注入層３４１及び正孔輸送層３４２以外に電子輸送層３４３及び電子注入層３４４も含む。
【００４０】
図２Ｅを参照すると、画素領域（ＰＡ）全体に真空蒸着またはスパッタリングなどの薄膜工程を適用して共通電極の上部電極１７を形成する。上部電極１７は、画素領域（ＰＡ）より大きい面積に形成される。上部電極１７は、電子注入電極であり、反射型導電物質で形成される。これによって、有機発光表示装置１００は、背面発光型に構成される。つまり、発光層３５から放出された光は上部電極１７によって反射されて、下部電極３２、薄膜トランジスター（ＴＲ）、及び基板２０を透過して画像を表示する。
【００４１】
上部電極１７は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／ Ｃａ）、及びフッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、上部電極１７は、透明な導電物質及び反射型導電物質の多重層にも形成される。
【００４２】
上部電極１７は、真空蒸着またはスパッタリングなどの薄膜工程によって形成された薄膜（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）であり、厚さが約５ｎｍ乃至２００ｎｍである。具体的に、蒸着マスクを備えた蒸着チャンバー（図示せず）の内部で導電物質を気化させて、上部電極１７を形成する。この時、蒸着マスクは、画素領域（ＰＡ）に対応する一つの開口部を形成し、蒸着チャンバーの内部は高真空状態を維持する。
【００４３】
上部電極１７が画素領域（ＰＡ）に形成されるため、有機物層３４のうちの画素領域（ＰＡ）に対応する部位は上部電極１７で覆われ、画素領域（ＰＡ）の外側に対応する部位は外部に露出される。従って、上部電極１７を利用して画素領域（ＰＡ）を保護すると共に、外部に露出された有機物層３４部位を選択的に除去する。このために、基板２０を蒸着チャンバーから取り出した後、レーザー設備（図示せず）またはプラズマエッチング設備（図示せず）に移動する。
【００４４】
レーザー除去法を適用する場合、外部に露出された有機物層３４部位にレーザービームを照射して、レーザービームのエネルギーで有機物層３４を気化させて除去する。この過程で、上部電極１７は、気化した有機物が画素領域（ＰＡ）の有機物と接触するのを防止して、画素領域（ＰＡ）の発光特性が変化するのを防止する。レーザービームとしては、エキシマ（ｅｘｃｉｍｅｒ）レーザー、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザー、またはＮｄ:ＹＡＧレーザーなどを使用することができ、１００ｍＪ／ｃｍ２乃至１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー範囲及び１９３ｎｍ乃至３５１ｎｍの波長範囲のレーザーを使用することができる。
【００４５】
プラズマエッチング法を適用する場合、上部電極１７がエッチングマスクとして機能するため、外部に露出された有機物層３４部位だけプラズマと反応する。これによって、プラズマとの反応で有機物層３４をエッチングして除去する。プラズマガスとしては、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、またはアルゴン（Ａｒ）などを使用することができ、常圧や高真空条件の全てにおいてプラズマエッチングが可能であり、有機発光素子の変成を防止するために、１００℃以下の温度でプラズマエッチングを行う。
【００４６】
図２Ｆを参照すると、レーザー除去法またはプラズマエッチング法で有機物層３４のうちの上部電極１７の外側に露出された部位が除去されるため、前段階で有機物層３４で覆われていた絶縁膜３１及び上部電極電源ライン１６が露出される。図２Ｆに示した状態では画素領域（ＰＡ）に上部電極１７が存在するが、上部電極１７は、上部電極電源ライン１６と分離されているため、有機発光素子４０の駆動に必要な電圧が提供されない。
次に、常圧条件で上部電極１７及び上部電極電源ライン１６と重なるように上部電極１７及び上部電極電源ライン１６の間に導電物質を塗布して接続部１８を形成する。接続部１８は、上部電極１７とは異なって、真空蒸着やスパッタリングなどの薄膜工程で形成されずに、常圧で実施可能な厚膜工程で形成される。つまり、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ノズル印刷、及びオフセット印刷のうちのいずれか一つの印刷法で接続部１８を形成する。
【００４７】
接続部１８は、有機発光層と接触する電極ではなく、上部電極１７及び上部電極電源ライン１６を接続する導電パスであるため、材料、厚さ、及び形成方法などに大きな制約がない。また、接続部１８を形成する際に高水準の精密度が要求されないため、工程費用が安い印刷法によって形成することができる。従って、薄膜工程に比べて材料費及び工程費用を節減させることができるため、大量生産に有利である。
【００４８】
しかし、接続部１８を形成する際に最も重要な要素は導電性である。接続部１８は、導電性が優れているアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含む。ここで、ナノ粒子とは、１ｎｍ乃至１，０００ｎｍの範囲のサイズの粒子を意味する。
【００４９】
具体的には、前述した金属ナノ粒子にビヒクル及びバインダーなどの有機物質を混合して印刷に適した粘度の混合物を製造し、この混合物をスクリーン印刷、インクジェット印刷、ノズル印刷、及びオフセット印刷のうちのいずれか一つの印刷法で塗布した後、乾燥または熱処理工程を経て接続部１８を形成する。このように厚膜工程で形成された接続部１８は、厚さが約２０ｎｍ乃至１ｍｍであり、比抵抗が約１００Ω／□ 以下である。
【００５０】
仮に接続部１８を真空蒸着で形成すると仮定すると、接続部１８は、上部電極１７と形状が異なるため、上部電極形成用蒸着マスクと異なる形状の蒸着マスクが設置された別途の蒸着チャンバーが必要である。つまり、接続部１８を形成するために蒸着チャンバーを追加しなければならない。また、蒸着チャンバーの真空度を高めて上部電極１７を形成し、真空度を低くして基板２０を取り出した後、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を除去して、蒸着チャンバーの真空度を高めて接続部１８を形成しなければならない。従って、製造工程が複雑になり、製作に多くの時間がかかる。
【００５１】
しかし、本実施形態では、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を除去した後、常圧で印刷法で接続部１８をそのまま形成することによって、上部電極１７の形成以降に真空度を調節する必要がなく、真空蒸着より安い費用で接続部１８を容易に形成することができる。本実施形態の有機発光表示装置１００において、接続部１８は、上部電極１７より厚く形成され、高い導電性を確保するために、前述した金属ナノ粒子を含む。
【００５２】
図３Ａ及び図３Ｂは本実施形態の有機発光表示装置のうちの上部電極及び接続部の平面形状を概略的に示した平面図である。
図３Ａを参照すると、上部電極１７は、上部電極電源ライン１６に向かった一側が画素領域の外側にのびて、接続部１８が画素領域の外側で上部電極１７の一部及び上部電極電源ライン１６全体と重なるように形成される。上部電極電源ライン１６上には一つまたは複数のコンタクト孔３１２が形成され、接続部１８は、コンタクト孔３１２を通して上部電極電源ライン１６と接触する。図３Ａでは複数のコンタクト孔３１２が形成されたことを示した。
【００５３】
図３Ｂを参照すると、上部電極１７は、上部電極電源ライン１６に向かう一側が画素領域の外側にのびて、上部電極電源ライン１６上に複数のコンタクト孔３１２が上部電極電源ライン１６の長さ方向に沿って形成される。そして、接続部１８１は、コンタクト孔３１２の数に対応して複数形成され、それぞれの接続部１８１が画素領域の外側で上部電極１７の一部及び一つのコンタクト孔３１２と重なるように形成される。
【００５４】
接続部１８、１８１の形状は前述した例に限定されず、上部電極１７及び上部電極電源ライン１６を接続することができる形状であれば全て適用可能である。
前述した構成の有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）を上部電極１７で保護した状態で、画素領域（ＰＡ）の外側の有機物層３４を効果的に除去することができる。また、常圧条件で実施可能な印刷法を適用するため、低い費用及び単純化された工程で接続部１８を容易に形成することができる。また、接続部１８が導電性が優れている金属ナノ粒子を含むことによって、上部電極１７及び上部電極電源ライン１６の間の電気抵抗を最少化して、有機発光素子４０の発光特性を向上させることができる。
【００５５】
以上で、本発明の望ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付図面の範囲内で多様に変形して実施することができ、これらも本発明の範囲に属するのは当然である。
【符号の説明】
【００５６】
１００ 有機発光表示装置
１０ 上部電源電圧ライン
１１ 下部電源電圧ライン
１３ 画素電源電圧ライン
１４ スキャンドライバー
１５ データドライバー
１６ 上部電極電源ライン
１７ 上部電極
１８ 接続部
１８１ 接続部
２０ 基板
２１ バッファー層
２２ 半導体層
２３ チャンネル領域
２４ ソース領域
２５ ドレイン領域
２６ ゲート絶縁膜
２７ ゲート電極
２８ 層間絶縁膜
２９ ソース電極
３０ ドレイン電極
３１ 絶縁膜
３２ 下部電極
３３ 画素定義膜
３４ 有機物層
３５ 発光層
４０ 有機発光素子
３１１、３１２ コンタクト孔
３３１ 開口部
３４１ 正孔注入層
３４２ 正孔輸送層
３４３ 電子輸送層
３４４ 電子注入層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画素領域の外側に上部電極電源ラインを形成する段階、
前記画素領域に下部電極を形成する段階、
前記画素領域及び前記画素領域の外側に少なくとも一層の有機物層を形成する段階、
前記画素領域に上部電極を形成する段階、
前記上部電極の外側に露出された前記有機物層部位を選択的に除去して前記上部電極電源ラインを露出させる段階、及び
常圧条件で前記上部電極及び前記上部電極電源ラインと重なるように前記上部電極及び前記上部電極電源ラインの間に導電物質を塗布して接続部を形成する段階を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機物層は、正孔注入層及び正孔輸送層の多重層であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記上部電極を形成する前に、前記画素領域上の前記正孔輸送層上に発光層、電子輸送層、及び電子注入層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の多重層であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記電子輸送層を形成する前に、前記画素領域上の前記正孔輸送層上に発光層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記発光層は、インクジェット印刷法で前記画素領域上の副画素毎に一つずつ形成されることを特徴とする、請求項３または５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記上部電極は、真空蒸着法及びスパッタリング法のうちのいずれか一つの方法によって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記上部電極で前記画素領域を保護した状態で、レーザー照射法及びプラズマエッチング法のうちのいずれか一つの方法で前記上部電極の外側に露出された前記有機物層部位を選択的に除去することを特徴とする、請求項７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記上部電極で前記画素領域を保護した状態で、前記レーザー照射法で前記上部電極の外側に露出された前記有機物層部位を選択的に除去する際に、前記上部電極は、気化した前記有機物が前記画素領域の前記有機物と接触するのを防止して、前記画素領域の発光特性が変化するのを防止することを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記上部電極で前記画素領域を保護した状態で、プラズマエッチング法で前記上部電極の外側に露出された前記有機物層部位を選択的に除去する際に、前記上部電極がエッチングマスクとして機能することを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記接続部は、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ノズル印刷法、及びオフセット印刷法のうちのいずれか一つの方法によって形成されることを特徴とする、請求項１または８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接続部は、アルミニウム、銅、金、パラジウム、及び白金のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含み、厚さが２０ｎｍ乃至１ｍｍであることを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記上部電極電源ラインは、前記画素領域上の薄膜トランジスターと同時に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスターは、ゲート電極、及び層間絶縁膜を間において前記ゲート電極の上部に位置するソース電極及びドレイン電極を含み、
前記上部電極電源ラインは、前記ソース電極及びドレイン電極と同時に形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記上部電極電源ライン上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に前記ドレイン電極を露出させるコンタクト孔及び前記上部電極電源ラインを露出させる少なくとも一つのコンタクト孔を形成することを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記下部電極は、前記絶縁膜のコンタクト孔を通して前記ドレイン電極と接続されることを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接続部は、前記上部電極及び前記絶縁膜のコンタクト孔によって露出された前記上部電極電源ラインを接続することを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
基板上の画素領域に形成されて、下部電極、有機発光層、及び上部電極を含む複数の有機発光素子、
前記画素領域の外側に形成される上部電極電源ライン、及び
前記上部電極及び前記上部電極電源ラインと重なるように前記上部電極及び前記上部電極電源ラインの間に形成される接続部を含み、
前記接続部は、アルミニウム、銅、金、パラジウム、及び白金のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含み、厚さが２０ｎｍ乃至１ｍｍであることを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記上部電極は、厚さが５ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする、請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１】
基板上の画素領域の外側に上部電極電源ラインを形成する段階、
前記画素領域に下部電極を形成する段階、
前記画素領域及び前記画素領域の外側に少なくとも一層の有機物層を形成する段階、
前記画素領域に上部電極を形成する段階、
前記上部電極の外側に露出された前記有機物層部位を選択的に除去して前記上部電極電源ラインを露出させる段階、及び
常圧条件で前記上部電極及び前記上部電極電源ラインと重なるように前記上部電極及び前記上部電極電源ラインの間に導電物質を塗布して接続部を形成する段階を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機物層は、正孔注入層及び正孔輸送層の多重層であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記上部電極を形成する前に、前記画素領域上の前記正孔輸送層上に発光層、電子輸送層、及び電子注入層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の多重層であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記電子輸送層を形成する前に、前記画素領域上の前記正孔輸送層上に発光層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記発光層は、インクジェット印刷法で前記画素領域上の副画素毎に一つずつ形成されることを特徴とする、請求項３または５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記上部電極は、真空蒸着法及びスパッタリング法のうちのいずれか一つの方法によって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記上部電極で前記画素領域を保護した状態で、レーザー照射法及びプラズマエッチング法のうちのいずれか一つの方法で前記上部電極の外側に露出された前記有機物層部位を選択的に除去することを特徴とする、請求項７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記上部電極で前記画素領域を保護した状態で、前記レーザー照射法で前記上部電極の外側に露出された前記有機物層部位を選択的に除去する際に、前記上部電極は、気化した前記有機物が前記画素領域の前記有機物と接触するのを防止して、前記画素領域の発光特性が変化するのを防止することを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記上部電極で前記画素領域を保護した状態で、プラズマエッチング法で前記上部電極の外側に露出された前記有機物層部位を選択的に除去する際に、前記上部電極がエッチングマスクとして機能することを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記接続部は、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ノズル印刷法、及びオフセット印刷法のうちのいずれか一つの方法によって形成されることを特徴とする、請求項１または８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接続部は、アルミニウム、銅、金、パラジウム、及び白金のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含み、厚さが２０ｎｍ乃至１ｍｍであることを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記上部電極電源ラインは、前記画素領域上の薄膜トランジスターと同時に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスターは、ゲート電極、及び層間絶縁膜を間において前記ゲート電極の上部に位置するソース電極及びドレイン電極を含み、
前記上部電極電源ラインは、前記ソース電極及びドレイン電極と同時に形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記上部電極電源ライン上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に前記ドレイン電極を露出させるコンタクト孔及び前記上部電極電源ラインを露出させる少なくとも一つのコンタクト孔を形成することを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記下部電極は、前記絶縁膜のコンタクト孔を通して前記ドレイン電極と接続されることを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接続部は、前記上部電極及び前記絶縁膜のコンタクト孔によって露出された前記上部電極電源ラインを接続することを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
基板上の画素領域に形成されて、下部電極、有機発光層、及び上部電極を含む複数の有機発光素子、
前記画素領域の外側に形成される上部電極電源ライン、及び
前記上部電極及び前記上部電極電源ラインと重なるように前記上部電極及び前記上部電極電源ラインの間に形成される接続部を含み、
前記接続部は、アルミニウム、銅、金、パラジウム、及び白金のうちの少なくとも一つの金属ナノ粒子を含み、厚さが２０ｎｍ乃至１ｍｍであることを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記上部電極は、厚さが５ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする、請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【公開番号】特開２０１１−１２４１９９（Ｐ２０１１−１２４１９９Ａ）
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２９９２２（Ｐ２０１０−２９９２２）
【出願日】平成２２年２月１５日（２０１０．２．１５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月１５日（２０１０．２．１５）
【出願人】（３０８０４０３５１）三星モバイルディスプレイ株式會社 (764)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｍｏｂｉｌｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｓａｎ ＃２４ Ｎｏｎｇｓｅｏ−Ｄｏｎｇ，Ｇｉｈｅｕｎｇ−Ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ−Ｃｉｔｙ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−Ｄｏ ４４６−７１１ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ ＫＯＲＥＡ
【Ｆターム（参考）】
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