有機ELディスプレイの製造方法
【課題】有機層に混入した異物を破壊せず、他の機能層のダメージを与えることなく、有機EL素子の欠陥を修復すること。
【解決手段】TFTが内蔵された基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された複数の有機EL素子とを有し、前記有機EL素子は、前記基板上に配置された第1電極、前記第1電極上に配置された有機層、および前記有機層上に配置された第2電極を含む、有機ELディスプレイの製造方法であって、前記TFTが内蔵された基板を準備する工程と、前記TFTに接続した前記第1電極を、前記基板上に形成する工程と、前記第1電極に前記有機層を形成する工程と、前記有機層の形成後、前記有機層に混入した異物を検出する工程と、前記異物を囲む溝を、前記有機層に形成する工程と、前記有機層上に前記溝によって囲まれた領域から分断された前記第2電極を形成する工程と、を有する、有機ELディスプレイの製造方法。
【解決手段】TFTが内蔵された基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された複数の有機EL素子とを有し、前記有機EL素子は、前記基板上に配置された第1電極、前記第1電極上に配置された有機層、および前記有機層上に配置された第2電極を含む、有機ELディスプレイの製造方法であって、前記TFTが内蔵された基板を準備する工程と、前記TFTに接続した前記第1電極を、前記基板上に形成する工程と、前記第1電極に前記有機層を形成する工程と、前記有機層の形成後、前記有機層に混入した異物を検出する工程と、前記異物を囲む溝を、前記有機層に形成する工程と、前記有機層上に前記溝によって囲まれた領域から分断された前記第2電極を形成する工程と、を有する、有機ELディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機EL素子等を含む発光ディスプレイおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、次世代のフラットディスプレイパネルとして、有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した有機ELディスプレイが期待されている。有機ELディスプレイは、自発光で視野角依存性が無く、高コントラスト、薄型、軽量および低消費電力を実現できるといったメリットを有する。
【0003】
有機ELディスプレイを構成する有機EL素子は、基本的には、マトリックス状にガラス基板上に配置される。各有機EL素子は、第1電極(陽極)および第2電極(陰極)と、第1電極および第2電極の間に配置された有機層とを有する。有機層は、蛍光体分子を含む発光層と、前記発光層を挟むホール伝導性の薄膜および電子伝導性の薄膜とから形成されている。有機EL素子の陽極と陰極との間に電圧を印加すると、陽極からホール伝導性の薄膜に注入されたホールと、陰極から電子伝導性の薄膜に注入された電子とが、発光層内で結合して、発光層が発光する。有機EL素子は、通常、保護層によって外気に対して保護されている。
【0004】
このような有機ELディスプレイの製造では、有機層の積層膜の厚みおよびその均一性が重要である。有機層の厚みおよびその均一性が、有機ELディスプレイの発光効率および消費電力に大きな影響を与えるからである。
【0005】
有機層の形成方法は、インクジェット法などにより、有機材料を含む溶液を必要な箇所に塗布(印刷)して、その後乾燥させる方法や、真空蒸着により、金属マスクを用いて必要な部分のみに形成する方法がある。これらの方法により有機層を形成したとき、有機層内に異物が混入することがある。
【0006】
インクジェット法では、有機材料を吐出するノズルに付着した異物が有機材料の塗布時に落下し、有機層に混入したり、あるいは、インクジェット装置の内部から飛散した異物が有機層に混入したりする。また、真空蒸着法では、蒸着源からのスプラッシュによる異物が有機層に混入したり、真空チャンバ内壁や金属マスク表面から飛散した異物が有機層に混入したりする。
【0007】
特に、近年、ディスプレイの大型化が求められており、有機ELディスプレイにおいても、大型のディスプレイの開発が進められている。したがって、前述したいずれの有機層の形成方法を採用するにせよ、異物が有機層に混入する確率が高くなり、有機ELディスプレイの品質低下を招いている。
【0008】
有機層に異物が混入すると、陽極と陰極との間で電流がリークし、消費電力が増大する。また、異物周辺の有機層には電流が十分流れないため、輝度ムラが発生したり、場合によっては、異物周辺の有機層が発光しなくなる。
【0009】
このように、有機ELディスプレイの製造において有機層中に異物が混入すると、有機EL素子がショートするなどの問題が発生する。このような問題を解決するため、有機ELディスプレイの製造後、有機層に混入した異物を絶縁し、有機EL素子を修復する方法が提案されている(例えば、特許文献1および2参照)。
【0010】
特許文献1には、図1に示すように、異物6の下部に位置する陽極2にレーザ発振機13よりフェムト秒レーザ光12を照射し、異物6の下部に位置する陽極2のみに多光子吸収を生じさせ、異物6の下部に位置する陽極2を破壊する方法が記載されている。これにより欠陥部以外の領域に与えるダメージを減少させ、欠陥部を通した陽極と陰極との間の電流のリークを抑えることができる。
【0011】
特許文献2には、図2に示すように、異物6を囲むように第2電極4をレーザ照射により破壊することで、異物が混入した領域を絶縁し、リーク電流を防ぐ方法が記載されている。特許文献2に記載の方法では、異物6の周囲の第2電極4をレーザによって破壊し、異物6を囲む電極破壊部14を形成する。特許文献2に記載の方法では、異物6に直接レーザが照射されないことから、有機層へのダメージが比較的少ない。
【0012】
しかしながら、特許文献1および2に記載されたような、有機ELディスプレイの完成後に異物が混入した箇所をレーザなどで絶縁する方法では、TFTや電極、絶縁層などに与えるダメージが大きく、レーザ照射によって有機ELディスプレイの不良がかえって増大するおそれがある。
【0013】
また、特許文献2に記載された方法では、第2電極は保護層と有機層によって挟まれているため、レーザ照射によって第2電極を除去することはできない。よって、異物が混入した領域を完全に絶縁することができないため、リーク電流の発生を抑えられない場合がある。また、第2電極の破片によって、異物を通した電流のリークが再び発生する場合がある。
【0014】
これらの問題を解決するために、第2電極の形成前に有機EL素子を修復する方法が提案されている(例えば特許文献3および4参照)。
【0015】
特許文献3には、異物がある部分に絶縁膜を形成することで異物による電流リークの発生を防ぐ方法が記載されている。また、特許文献4には、有機層に混入した異物をレーザで除去し、異物が除去された箇所に有機層の材料液を塗布することで、有機EL素子を修復する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0016】
【特許文献1】特開2008−235178号公報
【特許文献2】特開2005−276600号公報
【特許文献3】特開平11−54286号公報
【特許文献4】特開2004−119243号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0017】
しかしながら、特許文献3に記載された方法では、異物上に絶縁膜を形成するため、異物が混入した箇所が大きく凸状になる。このように異物が混入した箇所が大きく凸状になると、その上に機能層を形成することが困難になる。特に、異物が混入した箇所の凸形状によって、第2電極上に配置される保護層にクラックが発生したり、保護層が断裂されたりする。保護層にクラックが発生したり、保護層が断裂されたりすると、保護層は、有機層を酸素な水などから保護することができないので、有機層が劣化しやすくなる。
【0018】
また、特許文献3に記載された方法では、異物を絶縁する絶縁膜を形成するためにレジストを塗布する工程、レジストを露光および現像する工程が必要なため、製造工程が複雑になり、製造コストの増大を招く。
【0019】
また、特許文献4に記載された方法では、レーザで破壊された異物の破片が、周囲に飛散し、さらなる欠陥を生じさせるおそれがある。
【0020】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、異物を破壊することなく有機EL素子を修復する有機ELディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0021】
[1]TFTが内蔵された基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された複数の有機EL素子とを有し前記有機EL素子は、前記基板上に配置された第1電極、前記第1電極上に配置された有機層、および前記有機層上に配置された第2電極を含む、有機ELディスプレイの製造方法であって、前記TFTが内蔵された基板を準備する工程と、前記TFTに接続した前記第1電極を、前記基板上に形成する工程と、前記第1電極上に前記有機層を形成する工程と、前記有機層の形成後、前記有機層に混入した異物を検出する工程と、前記異物を囲む溝を、前記有機層に形成する工程と、前記有機層上に前記溝によって囲まれた領域から分断された前記第2電極を形成する工程と、を有する、有機ELディスプレイの製造方法。
[2]前記異物を囲む溝の深さは、前記第2電極の厚みよりも大きい、[1]に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[3]前記異物を囲む溝の幅は、前記第2電極の厚みよりも大きい、[1]または[2]に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[4]前記異物を囲む溝の壁面は、前記基板に対して垂直である、[1]〜[3]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[5]前記異物を囲む溝の壁面は、前記基板に対して傾いている、[1]〜[3]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[6]前記異物を囲む溝の形状は、逆テーパ形状である、[1]〜[3]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[7]前記異物を囲む溝は、レーザ照射により前記有機層を除去することで形成される、[1]〜[6]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[8]前記第2電極は、真空蒸着またはスパッタリングによって形成される、[1]〜[7]のいずれかに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【発明の効果】
【0022】
本発明の有機ELディスプレイの製造方法によれば、有機層に異物が混入した場合に、異物を破壊することなく異物を絶縁することができる。このため、本発明によれば、さらならる欠陥を生じさせることなく有機EL素子を修復することができ、歩留まりが高い有機ELディスプレイパネルの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】レーザを異物に照射する特許文献1に記載の方法を示す図
【図2】異物周辺の電極を破壊する特許文献2に記載の方法を示す図
【図3】本発明の有機ELディスプレイの製造方法のフローチャート
【図4】有機層に異物が混入した有機EL素子の断面図
【図5】レーザエネルギ密度と、有機層の除去量との関係を示すグラフ
【図6】異物が混入した有機層の斜視図
【図7】本発明の実施の形態1の製造方法において、有機層に形成した、異物を囲む溝の斜視図
【図8】本発明の実施の形態1の製造方法において製造された有機ELディスプレイの、異物が混入した箇所の断面図
【図9】本発明の実施の形態2の製造方法において、有機層に形成した、異物を囲む溝の断面図
【図10】本発明の実施の形態2の製造方法において製造された有機ELディスプレイの、異物が混入した箇所の断面図
【図11】本発明の実施の形態3の製造方法において、有機層に形成した、異物を囲む溝の断面図
【図12】本発明の実施の形態3の製造方法において製造された有機ELディスプレイの、異物が混入した箇所の断面図
【発明を実施するための形態】
【0024】
本発明は、有機ELディスプレイの製造方法に関する。本発明の製造方法により製造される有機ELディスプレイは、少なくともTFT(薄膜トランジスタ)が内蔵された基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された有機EL素子とを有する。
【0025】
基板は、ガラス基板が使われることが多いが、樹脂シートやフィルムであってもよい。有機EL素子は、少なくとも基板上に配置された第1電極と、第1電極上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された第2電極を有する。第1電極は通常陽極として機能するが、陰極として機能してもよい。また、第2電極は、通常陰極として機能するが陽極として機能してもよい。以下、第1電極を「陽極」、第2電極を「陰極」とも称する。
【0026】
有機層は少なくとも有機発光層を含むが、さらに正孔注入層や正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。また、有機EL素子は、さらにカラーフィルタや封止膜などの任意の構成部材を有していてもよい。有機EL素子のサイズおよび形状は、求める特性(例えば、ディスプレイの解像度など)に応じて自由に設定されうる。
【0027】
本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、図3のフローチャートに示すように、
1)TFTが内蔵された基板を準備する第1工程(S1001)と、
2)第1工程(S1001)で準備した基板上に、TFTに接続した第1電極を形成する第2工程(S1002)と、
3)第2工程(S1002)で形成した第1電極上に有機層を形成する第3工程(S1003)と、
4)第3工程(S1003)で形成した有機層に混入した異物を検出する第4工程(S1004)と、
5)第4工程(S1004)で検出した異物を囲む溝を、有機層に形成する第5工程(S1005)と、
6)第5工程(S1005)後、有機層上に第2電極を形成する第6工程(S1006)と、を有する。
【0028】
このように本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、異物を除去せず、異物を囲む溝を有機層に形成することを特徴とする。以下それぞれの工程について詳細に説明する。
【0029】
1)第1工程では、TFT(薄膜トランジスタ)が内蔵された基板を準備する。基板に内蔵されたTFTは第1電極を駆動する。
【0030】
基板の種類は、絶縁性を有し、かつ所望の透明性および機械的特性を有するものであれば特に限定されない。一般的には、ガラス板などが用いられることが多い。基板には、プラズマ処理やUV処理などの表面処理が施されていてもよい。
【0031】
2)第2工程では、第1工程(S1001)で準備した基板上に、TFTに接続した第1電極を形成する。第1電極は、例えば、基板上に第1電極の材料からなる層をスパッタリングなどで成膜し、成膜された層をエッチングによりパターニングすることで形成されてもよい。
【0032】
3)第3工程では、第2工程で形成した第1電極上に有機層を形成する。有機層の形成方法は、その有機層の材料によって適宜選択される。例えば、有機層の材料が高分子である場合、有機層は、有機層の材料液をインクジェットやディスペンサで、塗布することで形成されることが多い。高分子有機材料および溶媒の種類は、有機層の種類や求める特性などに応じて自由に選択される。高分子有機材料の例には、ポリフルオレン系の高分子有機材料などが含まれる。また、有機層の材料が低分子である場合は、有機層は真空蒸着法などによって形成されうる。
【0033】
上述のように有機層の材料が高分子である場合、有機層は塗布法で形成される。このため、有機層の材料が高分子である場合、有機層の材料液が塗布される領域を規定するバンクが基板上に予め形成されている。バンクは、有機EL素子ごとに有機層を規定していてもよいし、ライン状に配列された複数の有機EL素子を含む区域を規定してもよい(図6参照)。ライン状に配列された複数の有機EL素子は、同一色(赤、緑または青)の光を発する。
【0034】
バンクの材料は、特に限定されないが、絶縁性、有機溶剤耐性、プロセス耐性(プラズマ処理、エッチング処理、ベーク処理に対する耐性)の観点から、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが好ましい。また、バンクの材料は、フッ素系樹脂(アクリル系フッ素樹脂やポリイミド系フッ素樹脂)であってもよい。バンクは、プラズマ処理やUV処理などの表面処理によって表面の親液性や撥液性が調整されてもよい。
【0035】
有機EL素子は、電極および有機層の薄膜を積層することで形成される。それぞれの薄膜は、数nm〜数十nmレベルで膜厚が制御されている。製造環境を厳密に管理し、かつ製造設備を十分にメンテナンスしていても、有機層の形成時に、装置内部や製造環境からの異物が有機層に混入することがある。有機層に混入した異物は、リーク電流発生の要因となる。
【0036】
図4は、異物が混入した有機層を有する有機EL素子の断面図を示す。図4に示されるように有機EL素子は、基板1、基板1上に配置された第1電極2、第1電極2上に配置された有機層3、有機層3上に配置された第2電極4、第2電極4上に配置された保護層5とを有する。有機層3には異物6が混入している。
【0037】
図4に示されるように、異物6は第1電極2および第2電極4と接触しているので、異物6が電流のリークパスとなってしまう。このため、第1電極2と第2電極4との間に電圧を印加すると、異物6を通して、第1電極2から第2電極4に電流がリークし、消費電力の増大や、異物周囲での発光輝度低下による発光ムラや、発光自体がしなくなるという不良現象が発生する。
【0038】
4)第4工程では、第3工程で形成した有機層に混入した異物を検出する。
有機層に混入した異物を検出する方法は、特に限定されないが、顕微鏡を用いた外観検査による方法や画像検査方法やパターン検査方法などがある。画像検査方法やパターン検査方法には、隣接する素子同士を比較することで異物を検出する「Die to Die検査方式」や素子と設計データとを比較することで異物を検出する「Die to Database検査方式」が含まれる。異物が検出された場合は、第5工程に進み、異物を絶縁する。一方、異物が検出されなかった場合は、第5工程を経ずに第6工程に進む。
【0039】
5)第5工程では、第4工程で検出された異物の周辺の有機層を除去し、有機層に異物を囲む溝を形成する。形成する溝の壁面は、基板に対して垂直であってもよく(実施の形態1参照)、基板に対して傾いていてもよい(実施の形態2参照)。また、溝の形状は逆テーパ形状であってもよい(実施の形態3参照)。ここで逆テーパ形状の溝とは、開口部の幅が底面の幅よりも小さい形状の溝を意味する。
【0040】
溝の深さは、後述する第6工程で形成する第2電極の厚さよりも大きい。また、有機層と第2電極との間に、さらなる機能層(電子注入層など)を設ける場合には、溝の深さは、第2電極の厚さと当該機能層の厚さとの和よりも大きい。溝の幅は、後述する第6工程で形成する第2電極の厚さよりも大きいことが好ましい。溝の深さおよび幅が第2電極の厚さよりも大きいことで、第2電極が溝によって分断されやすくなる(後述)。
【0041】
有機層に異物を囲む溝を形成する方法は、特に限定されないが、有機層にレーザを照射すればよい。レーザ照射(レーザアブレーション)によれば、加工サイズや形状を問わず、有機層を除去できるからである。ここで「有機層にレーザを照射する」とは、有機層またはその近傍に焦点を合わせてレーザを照射することを意味する。
【0042】
レーザの光源の種類は、特に限定されないが、例えばフラッシュランプ励起Nd:YAGレーザである。Nd:YAGレーザを用いた場合、レーザの波長を、1064nm(基本波長)、532nm(第二高調波)、355nm(第三高調波)、266nm(第四高調波)から選択することができる。
【0043】
有機層に照射するレーザの波長は、有機層が吸収しうる波長であれば特に限定されないが、1100nm以下であることが好ましく、400nm以下であることが特に好ましい。すなわち、上記Nd:YAGレーザであれば、第三高調波(355nm)または第四高調波(266nm)を照射することが好ましい。レーザの波長が小さいほうが、有機層の下にある層(基板や陽極、別の有機層など)に与える影響が小さいからである(特開2002−124380号公報参照)。有機層に照射するレーザのエネルギ密度は、有機層の材料や厚さなどによって適宜設定する。
【0044】
レーザの照射面積は、形成する溝のサイズに合わせて調整されることが好ましい。レーザの照射面積は、スリットの開口面積などを制御することで調整する。
【0045】
このようにレーザ光の形状や強度を調整することで、所望の形状の溝を形成することができる。
【0046】
図5は、予備実験から求められた、レーザのエネルギ密度(0.09〜0.24J/cm2)と有機層の除去量との関係を示すグラフである。この実験では、ガラス基板上に形成された有機発光層(ポリフルオレン系高分子有機材料;膜厚140nm)に、第三高調波(355nm)の波長のレーザを様々なエネルギ密度で照射し、レーザ照射によって有機発光層に形成された溝の深さを測定した。レーザ光源には、QuickLaze−50ST2(YAGレーザ、ニューウェーブリサーチ社製)を用いた。有機発光層表面におけるレーザのの照射面積は50μmとし、パルス幅は3〜5ナノ秒とした。また、レーザ照射はシングルショットとした。
【0047】
図5に示されるように、レーザのエネルギ密度と溝の深さとは、比例関係にある。この結果は、レーザのエネルギ密度を制御すれば、有機層に形成される溝の深さ数10nmレベルで調整できることがわかる。
【0048】
6)第6工程では、第5工程で有機層に異物を囲む溝を形成した後に有機層上に溝によって囲まれた領域から分断された前記第2電極を形成する。第2電極は、真空蒸着法やスパッタリング法などを適宜選択して形成される。有機層と第2電極との間には、さらなる機能層(電子注入層など)が形成されてもよい。
【0049】
上述のように、有機層には異物を囲む溝が形成されている。さらに、溝の深さは、第2電極の厚さよりも大きい。したがって有機層上に第2電極を形成した場合、第2電極と溝によって囲まれた領域とは溝によって分断され、溝によって囲まれた領域内が絶縁される(図8参照)。これにより、異物を電気的に絶縁することができる。
【0050】
このように、本発明では異物を破壊することなく、異物を絶縁することができる。このため、本発明によれば異物の破片によってさならる欠陥部が生じることなく、異物によって有機EL素子がショートすることを防止することができる。したがって、本発明によれば、リーク電流の低減による低消費電力化や輝度ムラが少ない有機ELディスプレイを高い歩留まりで製造することができる。
【0051】
以下、本発明の製造方法の実施の形態を図面を参照して説明するが、本発明はこれらの実施の形態により限定されない。
【0052】
(実施の形態1)
実施の形態1では異物の周囲に形成された溝の壁面が基板に対して垂直である例について説明する。また、実施の形態1では、有機層が塗布法で形成される例について説明する。
【0053】
実施の形態1の有機ELディスプレイの製造方法は、1)第1電極が配置された基板上にバンクを形成する第1工程と、2)有機層を形成する第2工程と、3)有機層に混入した異物を検出する第3工程と、4)有機層に異物を囲む溝を形成する第4工程と、5)有機層上に第2電極を形成する第5工程を有する。
【0054】
第1工程では、有機層を規定するライン状のバンクを基板上に形成する。次いで、第2工程では、インクジェット法により、第1工程で形成したバンクにより規定された領域に有機材料を含む溶液を塗布して有機層を形成する。第3工程では、有機層中に混入した異物を画像検査機により検出する。
【0055】
図6は、第3工程で検出された異物の斜視図を示す。図6に示されるようにバンク7によって規定された領域内に形成された有機層3には異物6が混入している。
【0056】
第4工程では、第3工程で検出した異物の周辺の有機層にレーザを照射する。異物の周辺の有機層にレーザを照射するには、ライン状の照射形状のレーザで、異物の周囲の四辺ごとを照射してもよいし、ポイント状の照射形状のレーザを異物を囲むように移動させてもよい。有機層に照射するレーザの強度は、予備実験を参照し(図5参照)、レーザ照射によって形成される溝の深さが、第5工程で有機層上に形成する第2電極の厚み以上になるように設定される。
【0057】
照射するレーザの光源は、特に限定されないが、例えば、フラッシュランプ励起Nd:YAGレーザや半導体レーザである。
【0058】
異物の周辺の有機層にレーザを照射すると、図7に示されるように、異物6の周辺の有機層3が除去され、有機層3に異物6を囲む溝8が形成される。
【0059】
第4工程後、第5工程では、有機層上に第2電極を形成する。上述のように有機層には、異物を囲み、かつ深さが第2電極の厚さよりも大きい溝が形成されている。したがって第2電極は溝8によって囲まれた領域から、溝8によって分断される。
【0060】
図8は、第5工程後の異物近辺の有機EL素子の断面図である。図8に示されるように、第2電極4は、異物6を囲む溝8によって切断される。また、溝8の底面には、第2電極の材料9が積層される。
このように、第2電極4は、溝8によって囲まれた領域から溝8によって分断されることから、異物6上の電極材料は絶縁される。このため、第1電極と第2電極間に電圧を印加した場合であっても、異物上の電極材料には、電流が流れることは無いので、異物によるリーク電流が発生しない。
【0061】
以上のように、実施の形態1の有機ELディスプレイの製造方法は、有機層中に混入した異物を破壊することなく、異物を絶縁し、異物によるリーク電流を防ぐことが出来る。
【0062】
(実施の形態2)
実施の形態1では、異物を囲む溝の側面が基板に対して垂直である例について説明した。実施の形態2では、溝の壁面が基板面に対して傾いている例について説明する。
【0063】
実施の形態2の有機ELディスプレイの製造方法は、実施の形態1の製造方法と同様に1)第1電極が配置された基板上にバンクを形成する第1工程と、2)有機層を形成する第2工程と、3)有機層に混入した異物を検出する第3工程と、4)有機層に異物を囲む溝を形成する第4工程と、5)有機層上に第2電極を形成する第5工程を有する。実施の形態2の製造方法は、第4工程が異なる以外は、実施の形態1の製造方法と同じである。したがって、以下、実施の形態2の製造方法の第4工程についてのみ説明する。
【0064】
本実施の形態の第4工程では、異物を囲み、かつ壁面が基板に対して傾いた溝を有機層に形成する。本実施の形態では、溝の壁面は、基板の垂線に対して45°以上傾いていることが好ましい。
【0065】
図9は、本実施の形態の第4工程後の有機層の断面図を示す。図9に示されるように、異物6を囲む溝10の壁面10aは、基板に対して傾いている。
【0066】
壁面が基板に対して傾いた溝を有機層に形成するには、例えば、基板に対して傾いたレーザ光を有機層に照射すればよい。基板に対してレーザを傾かせるには、レーザ発振機を傾けてもよいし、基板を傾けてもよい。このように、溝の壁面を基板に対して傾けると、第5工程で第2電極を形成する際に、溝の一方の壁面に電極材料が付着しない。
【0067】
図10は、第5工程後の異物近辺の有機EL素子の断面図である。図10に示されるように、第2電極4は、溝10によって囲まれた領域から溝10によって分断される。また、溝10の壁面10aには、第2電極の材料が付着しない。このため、より確実に、溝10によって囲まれた領域を絶縁することができる。
【0068】
このように、実施の形態2の有機ELディスプレイの製造方法によれば、実施の形態1よりも確実に、溝によって囲まれた領域内を絶縁することができるので、異物によるリーク電流をより確実に防ぐことができる。
【0069】
(実施の形態3)
実施の形態3では、異物を囲む溝の形状が逆テーパ形状である例について説明する。
【0070】
実施の形態3の有機ELディスプレイの製造方法は、実施の形態1の製造方法と同様に1)第1電極が配置された基板上にバンクを形成する第1工程と、2)有機層を形成する第2工程と、3)有機層に混入した異物を検出する第3工程と、4)有機層に異物を囲む溝を形成する第4工程と、5)有機層上に第2電極を形成する第5工程を有する。実施の形態3の製造方法は、第4工程が異なる以外は、実施の形態1の製造方法と同じである。したがって、以下、実施の形態3の製造方法の第4工程についてのみ説明する。
【0071】
本実施の形態の第4工程では、有機層に異物を囲み、かつ逆テーパ形状の溝を形成する。図11は、本実施の形態の第4工程後の有機層の断面図を示す。図11に示されるように、異物6を囲む溝11は、逆テーパ形状である。ここで「逆テーパ形状の溝」とは、開口部の幅が底面の幅よりも小さい形状の溝を意味する。
【0072】
逆テーパ形状の溝を形成するには、まず、溝の形成予定箇所にレーザ光を照射し、次に、レーザ光の入射位置を変えずに、レーザ光を溝の延伸方向と垂直方向に傾け、レーザ光の傾斜角度を変化させればよい。異物を囲む溝の形状が逆テーパ状であると、第5工程で有機層上に第2電極を形成する際に電極材料が溝11の壁面11aおよび11bに付着しない。このため、確実に溝11によって囲まれた領域内を絶縁することができる。
【0073】
図12は、第5工程後の異物近辺の有機EL素子の断面図である。図12に示されるように、第2電極4は、溝11によって囲まれた領域から、溝11によって分断される。また、溝11の壁面11aおよび11bには、第2電極の材料が付着しない。このため、確実に、溝11によって囲まれた領域を絶縁することができる。
【0074】
このように、実施の形態3の有機ELディスプレイの製造方法によれば、確実に溝によって囲まれた領域内を絶縁することができるので、異物によるリーク電流を確実に防ぐことができる。
【産業上の利用可能性】
【0075】
本発明の有機ELディスプレイの製造方法によれば、有機層に異物が混入した場合に、異物による有機EL素子のショートなどの欠陥を修復することができる。したがって、本発明によれば、リーク電流の低減による低消費電力化や輝度ムラが少なく、有機層の劣化のない有機ELディスプレイを高い歩留まりで製造することができる。
【符号の説明】
【0076】
1 基板
2 第1電極(陽極)
3 有機層
4 第2電極(陰極)
5 保護層
6 異物
7 バンク
8、10、11 溝
9 電極材料
12 レーザ光
13 レーザ発振機
14 電極破壊部
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機EL素子等を含む発光ディスプレイおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、次世代のフラットディスプレイパネルとして、有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した有機ELディスプレイが期待されている。有機ELディスプレイは、自発光で視野角依存性が無く、高コントラスト、薄型、軽量および低消費電力を実現できるといったメリットを有する。
【0003】
有機ELディスプレイを構成する有機EL素子は、基本的には、マトリックス状にガラス基板上に配置される。各有機EL素子は、第1電極(陽極)および第2電極(陰極)と、第1電極および第2電極の間に配置された有機層とを有する。有機層は、蛍光体分子を含む発光層と、前記発光層を挟むホール伝導性の薄膜および電子伝導性の薄膜とから形成されている。有機EL素子の陽極と陰極との間に電圧を印加すると、陽極からホール伝導性の薄膜に注入されたホールと、陰極から電子伝導性の薄膜に注入された電子とが、発光層内で結合して、発光層が発光する。有機EL素子は、通常、保護層によって外気に対して保護されている。
【0004】
このような有機ELディスプレイの製造では、有機層の積層膜の厚みおよびその均一性が重要である。有機層の厚みおよびその均一性が、有機ELディスプレイの発光効率および消費電力に大きな影響を与えるからである。
【0005】
有機層の形成方法は、インクジェット法などにより、有機材料を含む溶液を必要な箇所に塗布(印刷)して、その後乾燥させる方法や、真空蒸着により、金属マスクを用いて必要な部分のみに形成する方法がある。これらの方法により有機層を形成したとき、有機層内に異物が混入することがある。
【0006】
インクジェット法では、有機材料を吐出するノズルに付着した異物が有機材料の塗布時に落下し、有機層に混入したり、あるいは、インクジェット装置の内部から飛散した異物が有機層に混入したりする。また、真空蒸着法では、蒸着源からのスプラッシュによる異物が有機層に混入したり、真空チャンバ内壁や金属マスク表面から飛散した異物が有機層に混入したりする。
【0007】
特に、近年、ディスプレイの大型化が求められており、有機ELディスプレイにおいても、大型のディスプレイの開発が進められている。したがって、前述したいずれの有機層の形成方法を採用するにせよ、異物が有機層に混入する確率が高くなり、有機ELディスプレイの品質低下を招いている。
【0008】
有機層に異物が混入すると、陽極と陰極との間で電流がリークし、消費電力が増大する。また、異物周辺の有機層には電流が十分流れないため、輝度ムラが発生したり、場合によっては、異物周辺の有機層が発光しなくなる。
【0009】
このように、有機ELディスプレイの製造において有機層中に異物が混入すると、有機EL素子がショートするなどの問題が発生する。このような問題を解決するため、有機ELディスプレイの製造後、有機層に混入した異物を絶縁し、有機EL素子を修復する方法が提案されている(例えば、特許文献1および2参照)。
【0010】
特許文献1には、図1に示すように、異物6の下部に位置する陽極2にレーザ発振機13よりフェムト秒レーザ光12を照射し、異物6の下部に位置する陽極2のみに多光子吸収を生じさせ、異物6の下部に位置する陽極2を破壊する方法が記載されている。これにより欠陥部以外の領域に与えるダメージを減少させ、欠陥部を通した陽極と陰極との間の電流のリークを抑えることができる。
【0011】
特許文献2には、図2に示すように、異物6を囲むように第2電極4をレーザ照射により破壊することで、異物が混入した領域を絶縁し、リーク電流を防ぐ方法が記載されている。特許文献2に記載の方法では、異物6の周囲の第2電極4をレーザによって破壊し、異物6を囲む電極破壊部14を形成する。特許文献2に記載の方法では、異物6に直接レーザが照射されないことから、有機層へのダメージが比較的少ない。
【0012】
しかしながら、特許文献1および2に記載されたような、有機ELディスプレイの完成後に異物が混入した箇所をレーザなどで絶縁する方法では、TFTや電極、絶縁層などに与えるダメージが大きく、レーザ照射によって有機ELディスプレイの不良がかえって増大するおそれがある。
【0013】
また、特許文献2に記載された方法では、第2電極は保護層と有機層によって挟まれているため、レーザ照射によって第2電極を除去することはできない。よって、異物が混入した領域を完全に絶縁することができないため、リーク電流の発生を抑えられない場合がある。また、第2電極の破片によって、異物を通した電流のリークが再び発生する場合がある。
【0014】
これらの問題を解決するために、第2電極の形成前に有機EL素子を修復する方法が提案されている(例えば特許文献3および4参照)。
【0015】
特許文献3には、異物がある部分に絶縁膜を形成することで異物による電流リークの発生を防ぐ方法が記載されている。また、特許文献4には、有機層に混入した異物をレーザで除去し、異物が除去された箇所に有機層の材料液を塗布することで、有機EL素子を修復する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0016】
【特許文献1】特開2008−235178号公報
【特許文献2】特開2005−276600号公報
【特許文献3】特開平11−54286号公報
【特許文献4】特開2004−119243号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0017】
しかしながら、特許文献3に記載された方法では、異物上に絶縁膜を形成するため、異物が混入した箇所が大きく凸状になる。このように異物が混入した箇所が大きく凸状になると、その上に機能層を形成することが困難になる。特に、異物が混入した箇所の凸形状によって、第2電極上に配置される保護層にクラックが発生したり、保護層が断裂されたりする。保護層にクラックが発生したり、保護層が断裂されたりすると、保護層は、有機層を酸素な水などから保護することができないので、有機層が劣化しやすくなる。
【0018】
また、特許文献3に記載された方法では、異物を絶縁する絶縁膜を形成するためにレジストを塗布する工程、レジストを露光および現像する工程が必要なため、製造工程が複雑になり、製造コストの増大を招く。
【0019】
また、特許文献4に記載された方法では、レーザで破壊された異物の破片が、周囲に飛散し、さらなる欠陥を生じさせるおそれがある。
【0020】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、異物を破壊することなく有機EL素子を修復する有機ELディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0021】
[1]TFTが内蔵された基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された複数の有機EL素子とを有し前記有機EL素子は、前記基板上に配置された第1電極、前記第1電極上に配置された有機層、および前記有機層上に配置された第2電極を含む、有機ELディスプレイの製造方法であって、前記TFTが内蔵された基板を準備する工程と、前記TFTに接続した前記第1電極を、前記基板上に形成する工程と、前記第1電極上に前記有機層を形成する工程と、前記有機層の形成後、前記有機層に混入した異物を検出する工程と、前記異物を囲む溝を、前記有機層に形成する工程と、前記有機層上に前記溝によって囲まれた領域から分断された前記第2電極を形成する工程と、を有する、有機ELディスプレイの製造方法。
[2]前記異物を囲む溝の深さは、前記第2電極の厚みよりも大きい、[1]に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[3]前記異物を囲む溝の幅は、前記第2電極の厚みよりも大きい、[1]または[2]に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[4]前記異物を囲む溝の壁面は、前記基板に対して垂直である、[1]〜[3]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[5]前記異物を囲む溝の壁面は、前記基板に対して傾いている、[1]〜[3]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[6]前記異物を囲む溝の形状は、逆テーパ形状である、[1]〜[3]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[7]前記異物を囲む溝は、レーザ照射により前記有機層を除去することで形成される、[1]〜[6]のいずれか一つに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
[8]前記第2電極は、真空蒸着またはスパッタリングによって形成される、[1]〜[7]のいずれかに記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【発明の効果】
【0022】
本発明の有機ELディスプレイの製造方法によれば、有機層に異物が混入した場合に、異物を破壊することなく異物を絶縁することができる。このため、本発明によれば、さらならる欠陥を生じさせることなく有機EL素子を修復することができ、歩留まりが高い有機ELディスプレイパネルの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】レーザを異物に照射する特許文献1に記載の方法を示す図
【図2】異物周辺の電極を破壊する特許文献2に記載の方法を示す図
【図3】本発明の有機ELディスプレイの製造方法のフローチャート
【図4】有機層に異物が混入した有機EL素子の断面図
【図5】レーザエネルギ密度と、有機層の除去量との関係を示すグラフ
【図6】異物が混入した有機層の斜視図
【図7】本発明の実施の形態1の製造方法において、有機層に形成した、異物を囲む溝の斜視図
【図8】本発明の実施の形態1の製造方法において製造された有機ELディスプレイの、異物が混入した箇所の断面図
【図9】本発明の実施の形態2の製造方法において、有機層に形成した、異物を囲む溝の断面図
【図10】本発明の実施の形態2の製造方法において製造された有機ELディスプレイの、異物が混入した箇所の断面図
【図11】本発明の実施の形態3の製造方法において、有機層に形成した、異物を囲む溝の断面図
【図12】本発明の実施の形態3の製造方法において製造された有機ELディスプレイの、異物が混入した箇所の断面図
【発明を実施するための形態】
【0024】
本発明は、有機ELディスプレイの製造方法に関する。本発明の製造方法により製造される有機ELディスプレイは、少なくともTFT(薄膜トランジスタ)が内蔵された基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された有機EL素子とを有する。
【0025】
基板は、ガラス基板が使われることが多いが、樹脂シートやフィルムであってもよい。有機EL素子は、少なくとも基板上に配置された第1電極と、第1電極上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された第2電極を有する。第1電極は通常陽極として機能するが、陰極として機能してもよい。また、第2電極は、通常陰極として機能するが陽極として機能してもよい。以下、第1電極を「陽極」、第2電極を「陰極」とも称する。
【0026】
有機層は少なくとも有機発光層を含むが、さらに正孔注入層や正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。また、有機EL素子は、さらにカラーフィルタや封止膜などの任意の構成部材を有していてもよい。有機EL素子のサイズおよび形状は、求める特性(例えば、ディスプレイの解像度など)に応じて自由に設定されうる。
【0027】
本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、図3のフローチャートに示すように、
1)TFTが内蔵された基板を準備する第1工程(S1001)と、
2)第1工程(S1001)で準備した基板上に、TFTに接続した第1電極を形成する第2工程(S1002)と、
3)第2工程(S1002)で形成した第1電極上に有機層を形成する第3工程(S1003)と、
4)第3工程(S1003)で形成した有機層に混入した異物を検出する第4工程(S1004)と、
5)第4工程(S1004)で検出した異物を囲む溝を、有機層に形成する第5工程(S1005)と、
6)第5工程(S1005)後、有機層上に第2電極を形成する第6工程(S1006)と、を有する。
【0028】
このように本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、異物を除去せず、異物を囲む溝を有機層に形成することを特徴とする。以下それぞれの工程について詳細に説明する。
【0029】
1)第1工程では、TFT(薄膜トランジスタ)が内蔵された基板を準備する。基板に内蔵されたTFTは第1電極を駆動する。
【0030】
基板の種類は、絶縁性を有し、かつ所望の透明性および機械的特性を有するものであれば特に限定されない。一般的には、ガラス板などが用いられることが多い。基板には、プラズマ処理やUV処理などの表面処理が施されていてもよい。
【0031】
2)第2工程では、第1工程(S1001)で準備した基板上に、TFTに接続した第1電極を形成する。第1電極は、例えば、基板上に第1電極の材料からなる層をスパッタリングなどで成膜し、成膜された層をエッチングによりパターニングすることで形成されてもよい。
【0032】
3)第3工程では、第2工程で形成した第1電極上に有機層を形成する。有機層の形成方法は、その有機層の材料によって適宜選択される。例えば、有機層の材料が高分子である場合、有機層は、有機層の材料液をインクジェットやディスペンサで、塗布することで形成されることが多い。高分子有機材料および溶媒の種類は、有機層の種類や求める特性などに応じて自由に選択される。高分子有機材料の例には、ポリフルオレン系の高分子有機材料などが含まれる。また、有機層の材料が低分子である場合は、有機層は真空蒸着法などによって形成されうる。
【0033】
上述のように有機層の材料が高分子である場合、有機層は塗布法で形成される。このため、有機層の材料が高分子である場合、有機層の材料液が塗布される領域を規定するバンクが基板上に予め形成されている。バンクは、有機EL素子ごとに有機層を規定していてもよいし、ライン状に配列された複数の有機EL素子を含む区域を規定してもよい(図6参照)。ライン状に配列された複数の有機EL素子は、同一色(赤、緑または青)の光を発する。
【0034】
バンクの材料は、特に限定されないが、絶縁性、有機溶剤耐性、プロセス耐性(プラズマ処理、エッチング処理、ベーク処理に対する耐性)の観点から、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが好ましい。また、バンクの材料は、フッ素系樹脂(アクリル系フッ素樹脂やポリイミド系フッ素樹脂)であってもよい。バンクは、プラズマ処理やUV処理などの表面処理によって表面の親液性や撥液性が調整されてもよい。
【0035】
有機EL素子は、電極および有機層の薄膜を積層することで形成される。それぞれの薄膜は、数nm〜数十nmレベルで膜厚が制御されている。製造環境を厳密に管理し、かつ製造設備を十分にメンテナンスしていても、有機層の形成時に、装置内部や製造環境からの異物が有機層に混入することがある。有機層に混入した異物は、リーク電流発生の要因となる。
【0036】
図4は、異物が混入した有機層を有する有機EL素子の断面図を示す。図4に示されるように有機EL素子は、基板1、基板1上に配置された第1電極2、第1電極2上に配置された有機層3、有機層3上に配置された第2電極4、第2電極4上に配置された保護層5とを有する。有機層3には異物6が混入している。
【0037】
図4に示されるように、異物6は第1電極2および第2電極4と接触しているので、異物6が電流のリークパスとなってしまう。このため、第1電極2と第2電極4との間に電圧を印加すると、異物6を通して、第1電極2から第2電極4に電流がリークし、消費電力の増大や、異物周囲での発光輝度低下による発光ムラや、発光自体がしなくなるという不良現象が発生する。
【0038】
4)第4工程では、第3工程で形成した有機層に混入した異物を検出する。
有機層に混入した異物を検出する方法は、特に限定されないが、顕微鏡を用いた外観検査による方法や画像検査方法やパターン検査方法などがある。画像検査方法やパターン検査方法には、隣接する素子同士を比較することで異物を検出する「Die to Die検査方式」や素子と設計データとを比較することで異物を検出する「Die to Database検査方式」が含まれる。異物が検出された場合は、第5工程に進み、異物を絶縁する。一方、異物が検出されなかった場合は、第5工程を経ずに第6工程に進む。
【0039】
5)第5工程では、第4工程で検出された異物の周辺の有機層を除去し、有機層に異物を囲む溝を形成する。形成する溝の壁面は、基板に対して垂直であってもよく(実施の形態1参照)、基板に対して傾いていてもよい(実施の形態2参照)。また、溝の形状は逆テーパ形状であってもよい(実施の形態3参照)。ここで逆テーパ形状の溝とは、開口部の幅が底面の幅よりも小さい形状の溝を意味する。
【0040】
溝の深さは、後述する第6工程で形成する第2電極の厚さよりも大きい。また、有機層と第2電極との間に、さらなる機能層(電子注入層など)を設ける場合には、溝の深さは、第2電極の厚さと当該機能層の厚さとの和よりも大きい。溝の幅は、後述する第6工程で形成する第2電極の厚さよりも大きいことが好ましい。溝の深さおよび幅が第2電極の厚さよりも大きいことで、第2電極が溝によって分断されやすくなる(後述)。
【0041】
有機層に異物を囲む溝を形成する方法は、特に限定されないが、有機層にレーザを照射すればよい。レーザ照射(レーザアブレーション)によれば、加工サイズや形状を問わず、有機層を除去できるからである。ここで「有機層にレーザを照射する」とは、有機層またはその近傍に焦点を合わせてレーザを照射することを意味する。
【0042】
レーザの光源の種類は、特に限定されないが、例えばフラッシュランプ励起Nd:YAGレーザである。Nd:YAGレーザを用いた場合、レーザの波長を、1064nm(基本波長)、532nm(第二高調波)、355nm(第三高調波)、266nm(第四高調波)から選択することができる。
【0043】
有機層に照射するレーザの波長は、有機層が吸収しうる波長であれば特に限定されないが、1100nm以下であることが好ましく、400nm以下であることが特に好ましい。すなわち、上記Nd:YAGレーザであれば、第三高調波(355nm)または第四高調波(266nm)を照射することが好ましい。レーザの波長が小さいほうが、有機層の下にある層(基板や陽極、別の有機層など)に与える影響が小さいからである(特開2002−124380号公報参照)。有機層に照射するレーザのエネルギ密度は、有機層の材料や厚さなどによって適宜設定する。
【0044】
レーザの照射面積は、形成する溝のサイズに合わせて調整されることが好ましい。レーザの照射面積は、スリットの開口面積などを制御することで調整する。
【0045】
このようにレーザ光の形状や強度を調整することで、所望の形状の溝を形成することができる。
【0046】
図5は、予備実験から求められた、レーザのエネルギ密度(0.09〜0.24J/cm2)と有機層の除去量との関係を示すグラフである。この実験では、ガラス基板上に形成された有機発光層(ポリフルオレン系高分子有機材料;膜厚140nm)に、第三高調波(355nm)の波長のレーザを様々なエネルギ密度で照射し、レーザ照射によって有機発光層に形成された溝の深さを測定した。レーザ光源には、QuickLaze−50ST2(YAGレーザ、ニューウェーブリサーチ社製)を用いた。有機発光層表面におけるレーザのの照射面積は50μmとし、パルス幅は3〜5ナノ秒とした。また、レーザ照射はシングルショットとした。
【0047】
図5に示されるように、レーザのエネルギ密度と溝の深さとは、比例関係にある。この結果は、レーザのエネルギ密度を制御すれば、有機層に形成される溝の深さ数10nmレベルで調整できることがわかる。
【0048】
6)第6工程では、第5工程で有機層に異物を囲む溝を形成した後に有機層上に溝によって囲まれた領域から分断された前記第2電極を形成する。第2電極は、真空蒸着法やスパッタリング法などを適宜選択して形成される。有機層と第2電極との間には、さらなる機能層(電子注入層など)が形成されてもよい。
【0049】
上述のように、有機層には異物を囲む溝が形成されている。さらに、溝の深さは、第2電極の厚さよりも大きい。したがって有機層上に第2電極を形成した場合、第2電極と溝によって囲まれた領域とは溝によって分断され、溝によって囲まれた領域内が絶縁される(図8参照)。これにより、異物を電気的に絶縁することができる。
【0050】
このように、本発明では異物を破壊することなく、異物を絶縁することができる。このため、本発明によれば異物の破片によってさならる欠陥部が生じることなく、異物によって有機EL素子がショートすることを防止することができる。したがって、本発明によれば、リーク電流の低減による低消費電力化や輝度ムラが少ない有機ELディスプレイを高い歩留まりで製造することができる。
【0051】
以下、本発明の製造方法の実施の形態を図面を参照して説明するが、本発明はこれらの実施の形態により限定されない。
【0052】
(実施の形態1)
実施の形態1では異物の周囲に形成された溝の壁面が基板に対して垂直である例について説明する。また、実施の形態1では、有機層が塗布法で形成される例について説明する。
【0053】
実施の形態1の有機ELディスプレイの製造方法は、1)第1電極が配置された基板上にバンクを形成する第1工程と、2)有機層を形成する第2工程と、3)有機層に混入した異物を検出する第3工程と、4)有機層に異物を囲む溝を形成する第4工程と、5)有機層上に第2電極を形成する第5工程を有する。
【0054】
第1工程では、有機層を規定するライン状のバンクを基板上に形成する。次いで、第2工程では、インクジェット法により、第1工程で形成したバンクにより規定された領域に有機材料を含む溶液を塗布して有機層を形成する。第3工程では、有機層中に混入した異物を画像検査機により検出する。
【0055】
図6は、第3工程で検出された異物の斜視図を示す。図6に示されるようにバンク7によって規定された領域内に形成された有機層3には異物6が混入している。
【0056】
第4工程では、第3工程で検出した異物の周辺の有機層にレーザを照射する。異物の周辺の有機層にレーザを照射するには、ライン状の照射形状のレーザで、異物の周囲の四辺ごとを照射してもよいし、ポイント状の照射形状のレーザを異物を囲むように移動させてもよい。有機層に照射するレーザの強度は、予備実験を参照し(図5参照)、レーザ照射によって形成される溝の深さが、第5工程で有機層上に形成する第2電極の厚み以上になるように設定される。
【0057】
照射するレーザの光源は、特に限定されないが、例えば、フラッシュランプ励起Nd:YAGレーザや半導体レーザである。
【0058】
異物の周辺の有機層にレーザを照射すると、図7に示されるように、異物6の周辺の有機層3が除去され、有機層3に異物6を囲む溝8が形成される。
【0059】
第4工程後、第5工程では、有機層上に第2電極を形成する。上述のように有機層には、異物を囲み、かつ深さが第2電極の厚さよりも大きい溝が形成されている。したがって第2電極は溝8によって囲まれた領域から、溝8によって分断される。
【0060】
図8は、第5工程後の異物近辺の有機EL素子の断面図である。図8に示されるように、第2電極4は、異物6を囲む溝8によって切断される。また、溝8の底面には、第2電極の材料9が積層される。
このように、第2電極4は、溝8によって囲まれた領域から溝8によって分断されることから、異物6上の電極材料は絶縁される。このため、第1電極と第2電極間に電圧を印加した場合であっても、異物上の電極材料には、電流が流れることは無いので、異物によるリーク電流が発生しない。
【0061】
以上のように、実施の形態1の有機ELディスプレイの製造方法は、有機層中に混入した異物を破壊することなく、異物を絶縁し、異物によるリーク電流を防ぐことが出来る。
【0062】
(実施の形態2)
実施の形態1では、異物を囲む溝の側面が基板に対して垂直である例について説明した。実施の形態2では、溝の壁面が基板面に対して傾いている例について説明する。
【0063】
実施の形態2の有機ELディスプレイの製造方法は、実施の形態1の製造方法と同様に1)第1電極が配置された基板上にバンクを形成する第1工程と、2)有機層を形成する第2工程と、3)有機層に混入した異物を検出する第3工程と、4)有機層に異物を囲む溝を形成する第4工程と、5)有機層上に第2電極を形成する第5工程を有する。実施の形態2の製造方法は、第4工程が異なる以外は、実施の形態1の製造方法と同じである。したがって、以下、実施の形態2の製造方法の第4工程についてのみ説明する。
【0064】
本実施の形態の第4工程では、異物を囲み、かつ壁面が基板に対して傾いた溝を有機層に形成する。本実施の形態では、溝の壁面は、基板の垂線に対して45°以上傾いていることが好ましい。
【0065】
図9は、本実施の形態の第4工程後の有機層の断面図を示す。図9に示されるように、異物6を囲む溝10の壁面10aは、基板に対して傾いている。
【0066】
壁面が基板に対して傾いた溝を有機層に形成するには、例えば、基板に対して傾いたレーザ光を有機層に照射すればよい。基板に対してレーザを傾かせるには、レーザ発振機を傾けてもよいし、基板を傾けてもよい。このように、溝の壁面を基板に対して傾けると、第5工程で第2電極を形成する際に、溝の一方の壁面に電極材料が付着しない。
【0067】
図10は、第5工程後の異物近辺の有機EL素子の断面図である。図10に示されるように、第2電極4は、溝10によって囲まれた領域から溝10によって分断される。また、溝10の壁面10aには、第2電極の材料が付着しない。このため、より確実に、溝10によって囲まれた領域を絶縁することができる。
【0068】
このように、実施の形態2の有機ELディスプレイの製造方法によれば、実施の形態1よりも確実に、溝によって囲まれた領域内を絶縁することができるので、異物によるリーク電流をより確実に防ぐことができる。
【0069】
(実施の形態3)
実施の形態3では、異物を囲む溝の形状が逆テーパ形状である例について説明する。
【0070】
実施の形態3の有機ELディスプレイの製造方法は、実施の形態1の製造方法と同様に1)第1電極が配置された基板上にバンクを形成する第1工程と、2)有機層を形成する第2工程と、3)有機層に混入した異物を検出する第3工程と、4)有機層に異物を囲む溝を形成する第4工程と、5)有機層上に第2電極を形成する第5工程を有する。実施の形態3の製造方法は、第4工程が異なる以外は、実施の形態1の製造方法と同じである。したがって、以下、実施の形態3の製造方法の第4工程についてのみ説明する。
【0071】
本実施の形態の第4工程では、有機層に異物を囲み、かつ逆テーパ形状の溝を形成する。図11は、本実施の形態の第4工程後の有機層の断面図を示す。図11に示されるように、異物6を囲む溝11は、逆テーパ形状である。ここで「逆テーパ形状の溝」とは、開口部の幅が底面の幅よりも小さい形状の溝を意味する。
【0072】
逆テーパ形状の溝を形成するには、まず、溝の形成予定箇所にレーザ光を照射し、次に、レーザ光の入射位置を変えずに、レーザ光を溝の延伸方向と垂直方向に傾け、レーザ光の傾斜角度を変化させればよい。異物を囲む溝の形状が逆テーパ状であると、第5工程で有機層上に第2電極を形成する際に電極材料が溝11の壁面11aおよび11bに付着しない。このため、確実に溝11によって囲まれた領域内を絶縁することができる。
【0073】
図12は、第5工程後の異物近辺の有機EL素子の断面図である。図12に示されるように、第2電極4は、溝11によって囲まれた領域から、溝11によって分断される。また、溝11の壁面11aおよび11bには、第2電極の材料が付着しない。このため、確実に、溝11によって囲まれた領域を絶縁することができる。
【0074】
このように、実施の形態3の有機ELディスプレイの製造方法によれば、確実に溝によって囲まれた領域内を絶縁することができるので、異物によるリーク電流を確実に防ぐことができる。
【産業上の利用可能性】
【0075】
本発明の有機ELディスプレイの製造方法によれば、有機層に異物が混入した場合に、異物による有機EL素子のショートなどの欠陥を修復することができる。したがって、本発明によれば、リーク電流の低減による低消費電力化や輝度ムラが少なく、有機層の劣化のない有機ELディスプレイを高い歩留まりで製造することができる。
【符号の説明】
【0076】
1 基板
2 第1電極(陽極)
3 有機層
4 第2電極(陰極)
5 保護層
6 異物
7 バンク
8、10、11 溝
9 電極材料
12 レーザ光
13 レーザ発振機
14 電極破壊部
【特許請求の範囲】
【請求項1】
TFTが内蔵された基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された複数の有機EL素子とを有し、
前記有機EL素子は、前記基板上に配置された第1電極、前記第1電極上に配置された有機層、および前記有機層上に配置された第2電極を含む、有機ELディスプレイの製造方法であって、
前記TFTが内蔵された基板を準備する工程と、
前記TFTに接続した前記第1電極を、前記基板上に形成する工程と、
前記第1電極上に前記有機層を形成する工程と、
前記有機層の形成後、前記有機層に混入した異物を検出する工程と、
前記異物を囲む溝を、前記有機層に形成する工程と、
前記有機層上に前記溝によって囲まれた領域から分断された前記第2電極を形成する工程と、
を有する、有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項2】
前記異物を囲む溝の深さは、前記第2電極の厚みよりも大きい、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項3】
前記異物を囲む溝の幅は、前記第2電極の厚みよりも大きい、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項4】
前記異物を囲む溝の壁面は、前記基板に対して垂直である、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項5】
前記異物を囲む溝の壁面は、前記基板に対して傾いている、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項6】
前記異物を囲む溝の形状は、逆テーパ形状である、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項7】
前記異物を囲む溝は、レーザ照射により前記有機層を除去することで形成される、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項8】
前記第2電極は、真空蒸着またはスパッタリングによって形成される、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項1】
TFTが内蔵された基板と、前記基板上にマトリクス状に配置された複数の有機EL素子とを有し、
前記有機EL素子は、前記基板上に配置された第1電極、前記第1電極上に配置された有機層、および前記有機層上に配置された第2電極を含む、有機ELディスプレイの製造方法であって、
前記TFTが内蔵された基板を準備する工程と、
前記TFTに接続した前記第1電極を、前記基板上に形成する工程と、
前記第1電極上に前記有機層を形成する工程と、
前記有機層の形成後、前記有機層に混入した異物を検出する工程と、
前記異物を囲む溝を、前記有機層に形成する工程と、
前記有機層上に前記溝によって囲まれた領域から分断された前記第2電極を形成する工程と、
を有する、有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項2】
前記異物を囲む溝の深さは、前記第2電極の厚みよりも大きい、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項3】
前記異物を囲む溝の幅は、前記第2電極の厚みよりも大きい、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項4】
前記異物を囲む溝の壁面は、前記基板に対して垂直である、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項5】
前記異物を囲む溝の壁面は、前記基板に対して傾いている、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項6】
前記異物を囲む溝の形状は、逆テーパ形状である、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項7】
前記異物を囲む溝は、レーザ照射により前記有機層を除去することで形成される、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【請求項8】
前記第2電極は、真空蒸着またはスパッタリングによって形成される、請求項1に記載の有機ELディスプレイの製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2011−100608(P2011−100608A)
【公開日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−254199(P2009−254199)
【出願日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
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