有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬディスプレイ
【課題】発光特性を発光色に応じて最適化可能な有機ＥＬ素子の製造方法、この製造方法を用いて製造された有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬディスプレイを提供すること。
【解決手段】本適用例の有機ＥＬ素子の製造方法は、素子基板１上に複数の画素電極としての陽極３１を形成する画素電極形成工程と、複数の陽極３１をプラズマガスに曝すプラズマ処理工程と、プラズマ処理が施された複数の陽極３１上に発光層を含む機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを形成する機能層形成工程と、機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを覆うように共通電極としての陰極３４を形成する共通電極形成工程と、を備え、プラズマ処理工程は、複数の陽極３１のうち、少なくとも１色の発光色に対応する陽極３１に対して他の陽極３１をマスクしてプラズマガスに曝すことにより、当該陽極３１のプラズマ処理条件が他の陽極３１に対して異なるようにプラズマ処理する工程を含む。
【解決手段】本適用例の有機ＥＬ素子の製造方法は、素子基板１上に複数の画素電極としての陽極３１を形成する画素電極形成工程と、複数の陽極３１をプラズマガスに曝すプラズマ処理工程と、プラズマ処理が施された複数の陽極３１上に発光層を含む機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを形成する機能層形成工程と、機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを覆うように共通電極としての陰極３４を形成する共通電極形成工程と、を備え、プラズマ処理工程は、複数の陽極３１のうち、少なくとも１色の発光色に対応する陽極３１に対して他の陽極３１をマスクしてプラズマガスに曝すことにより、当該陽極３１のプラズマ処理条件が他の陽極３１に対して異なるようにプラズマ処理する工程を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子の製造方法、有機ＥＬディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の製造方法としては、有機層の付着前に、ベース電極が、プラズマ反応器内において酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンおよびそれらの混合物から選択されたプラズマガスに曝されるエレクトロルミネセンス発生装置のベース電極の洗浄方法が知られている（特許文献１）。
【０００３】
また、陽極の表面の水との接触角が１０°以下になるように陽極の表面を洗浄処理した後、陽極の表面の仕事関数を０．５ｅｖ以上大きくする表面処理を行い、この後に、陽極の上に有機発光層および陰極を形成する有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法が知られている（特許文献２）。
【０００４】
これらの洗浄方法または表面処理は、いずれもベース電極あるいは陽極の仕事関数を大きくしてホールの注入効率を高めることにより、有機ＥＬ素子の動作特性を改善しようとするものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−９２５８５号公報
【特許文献２】特開２００４−６３２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１および特許文献２の有機ＥＬ素子の製造方法では、ベース電極（あるいは陽極）を画一的な処理条件で洗浄または表面処理することを提案している。しかしながら、これらの洗浄または表面処理を行うことによりホールの注入効率を高めても、発光色に対応して形成された有機発光層に必ずしも適合していないおそれがあった。言い換えれば、画一的な処理条件では、有機ＥＬ素子の発光特性を発光色に対応して最適化できないおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記複数の画素電極をプラズマガスに曝すプラズマ処理工程と、プラズマ処理が施された前記複数の画素電極上に発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層を覆うように共通電極を形成する共通電極形成工程と、を備え、前記プラズマ処理工程では、前記複数の画素電極のうち、少なくとも１色の発光色に対応する画素電極に対して他の画素電極をマスクしてプラズマガスに曝すことにより、当該画素電極のプラズマ処理条件が前記他の画素電極に対して異なるようにプラズマ処理する工程を含むことを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、プラズマ処理工程では、処理対象の画素電極以外の他の画素電極をマスクして当該画素電極のプラズマ処理条件が他の画素電極に対して異なるようにプラズマ処理する。したがって、発光色に対応した機能層に対する画素電極の表面状態、いわゆる仕事関数を発光色ごとに最適化して、安定した発光特性が得られる有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記プラズマ処理条件が前記プラズマガスに対する曝露時間、またはプラズマパワーであることを特徴とする。
この方法によれば、曝露時間、またはプラズマパワーを調整することにより、画素電極の仕事関数を発光色ごとに比較的容易に最適化することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層が形成される前記画素電極の表面層がＩＴＯ膜からなり、前記プラズマガスが酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのいずれかのガス、またはこれらのガスから少なくとも２つ以上選ばれた混合ガスであることを特徴とする。
この方法によれば、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのいずれかのガス、またはこれらのガスから少なくとも２つ以上選ばれた混合ガスをプラズマ化して、プラズマガスに対する曝露時間、またはプラズマパワーを調整することにより、ＩＴＯ膜の表面の仕事関数を制御することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、ホールと電子とが結びつく再結合領域が、前記発光層と一致もしくはその近傍となるように、各画素電極の前記プラズマ処理条件を設定することが好ましい。
この方法によれば、高い発光効率を実現することができる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記プラズマ処理工程では、常磁性の前記マスクを用いることが好ましい。
この方法によれば、プラズマ処理工程において、プラズマの生成状態がマスクによって影響されず、安定したプラズマ処理が可能である。
【００１４】
［適用例６］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記マスクがシリコンからなるとしてもよい。
この方法によれば、湿式または乾式にてシリコンをエッチングして、プラズマ処理用のマスクを高精度に形成することができる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記プラズマ処理工程では、発光色ごとに用意した前記マスクを用いるとしてもよい。
この方法によれば、基板上における様々な有機ＥＬ素子の配置に対応できる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記基板上に同一形状の画素領域がマトリクス状に配置され、前記プラズマ処理工程では、同一発光色の前記画素領域の配置に対応した開口部を有するマスクを、処理対象の前記画素電極を有する前記画素領域に前記開口部が対向するように配置して、当該画素電極をプラズマ処理し、当該画素電極以外の他の画素電極をプラズマ処理する際には、前記マスクを相対移動させることを特徴とする。
この方法によれば、１つのマスクを用いてすべての画素電極を画素電極ごとに設定された処理条件でプラズマ処理することができる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層形成工程では、前記画素電極ごとに発光色に対応した前記機能層を個別に形成することを特徴とする。
この方法によれば、個別に形成された機能層の発光特性を発光色ごとに最適化できる。
【００１８】
［適用例１０］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層形成工程では、前記画素電極ごとに複数色の発光が可能な複数種の前記発光層を含む前記機能層を形成するとしてもよい。
この方法によれば、複数種の発光層のうち発光色に対応して画素電極の仕事関数を最適化できる。
【００１９】
［適用例１１］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記複数の画素電極をすべてプラズマ処理した後に、前記機能層を形成することを特徴とする。
この方法によれば、製造工程を遡ることなく、効率的に有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００２０】
［適用例１２］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、発光色に対応した前記画素電極をプラズマ処理した後に、当該画素電極以外の他の画素電極をマスクした状態のままで当該画素電極上に前記機能層を形成するとしてもよい。
この方法によれば、当該画素電極をプラズマ処理した後に、続けて機能層を形成するので、機能層形成までの時間を短縮して、プラズマ処理後の画素電極の表面状態を維持し、より安定した発光特性が得られる有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００２１】
［適用例１３］本適用例の有機ＥＬディスプレイは、上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造された複数の有機ＥＬ素子を備えることを特徴とする。
この構成によれば、発光色ごとに安定した発光特性が得られる有機ＥＬ素子を備えているので、優れた表示品位を有する有機ＥＬディスプレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００２３】
（実施形態１）
＜有機ＥＬディスプレイ＞
図１は、有機ＥＬディスプレイを示す概略正面図である。図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子１２（図２参照）が複数配列された素子基板１と、複数配列した有機ＥＬ素子１２を封着する封着層３５（図２参照）を介して素子基板１を封止する封止基板２とを備えている。
【００２４】
素子基板１は、有機ＥＬ素子１２を駆動する駆動素子を備えた回路部１１（図２参照）を有している。複数の有機ＥＬ素子１２は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光が個別に得られる。そして、表示領域６において同一色の発光が得られる有機ＥＬ素子１２が、同一方向に配列する所謂ストライプ方式で素子基板１上に配置され表示画素７を構成している。なお、表示画素７は、実際には非常に微細なものであり、図示の都合上拡大している。
【００２５】
素子基板１は、封止基板２よりも一回り大きく、額縁状に張り出した部分には、駆動素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子８（図２参照）を駆動する２つの走査線駆動回路部３と１つのデータ線駆動回路部４が設けられている。素子基板１の端子部１ａには、これらの駆動回路部３，４と外部駆動回路とを接続するためのフレキシブルな中継基板５が実装されている。
【００２６】
図２は、有機ＥＬディスプレイの要部構造を示す概略断面図である。図２に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０において、有機ＥＬ素子１２は、画素電極としての陽極３１と、陽極３１を区画する隔壁部３３と、陽極３１上に形成された有機膜からなる発光層を含む機能層３２とを有している。また、機能層３２を介して陽極３１と対向するように形成された共通電極としての陰極３４を有している。
【００２７】
隔壁部３３は、フェノールまたはポリイミドなどの絶縁性を有する感光性樹脂からなり、表示画素７を構成する陽極３１の周囲を一部覆って、複数の陽極３１をそれぞれ区画するように設けられている。
【００２８】
陽極３１は、素子基板１上に形成されたＴＦＴ素子８の３端子のうちの１つに接続しており、例えば、透明電極材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を厚さ１００ｎｍ程度に成膜した電極である。なお、図示省略したが、陽極３１の下層（平坦化層２８側）に、絶縁層を介してＡｌからなる反射層が設けられている。当該反射層は、機能層３２における発光を封止基板２側に反射するものである。また、当該反射層はＡｌに限定されず、発光を反射する機能（反射面）を有していればよい。例えば、絶縁性の有機材料あるいは無機材料を用いて凹凸を有する反射面を形成する方法、陽極３１自体を反射機能を有する導電材料で構成し、表面層にＩＴＯ膜を形成する方法などが挙げられる。
【００２９】
陰極３４は、同じく、ＩＴＯなどの透明電極材料により形成されている。
【００３０】
本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、いわゆるトップエミッション型の構造となっており、陽極３１と陰極３４との間に駆動電流を流して機能層３２で発光した光を上記反射層で反射させて封止基板２側から取り出す。したがって、封止基板２は透明なガラス等からなる基板を用いる。また、素子基板１は、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００３１】
素子基板１には、有機ＥＬ素子１２を駆動する回路部１１が設けられている。すなわち、素子基板１の表面にはＳｉＯ2を主体とする下地保護層２１が下地として形成され、その上にはシリコン層２２が形成されている。このシリコン層２２の表面には、ＳｉＯ2および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２３が形成されている。
【００３２】
また、シリコン層２２のうち、ゲート絶縁層２３を挟んでゲート電極２６と重なる領域がチャネル領域２２ａとされている。なお、このゲート電極２６は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２２を覆い、ゲート電極２６を形成したゲート絶縁層２３の表面には、ＳｉＯ2を主体とする第１層間絶縁層２７が形成されている。
【００３３】
また、シリコン層２２のうち、チャネル領域２２ａのソース側には、低濃度ソース領域および高濃度ソース領域２２ｃが設けられる一方、チャネル領域２２ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域および高濃度ドレイン領域２２ｂが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２２ｃは、ゲート絶縁層２３と第１層間絶縁層２７とにわたって開孔するコンタクトホール２５ａを介して、ソース電極２５に接続されている。このソース電極２５は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２２ｂは、ゲート絶縁層２３と第１層間絶縁層２７とにわたって開孔するコンタクトホール２４ａを介して、ソース電極２５と同一層からなるドレイン電極２４に接続されている。
【００３４】
ソース電極２５およびドレイン電極２４が形成された第１層間絶縁層２７の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化層２８が形成されている。この平坦化層２８は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、ＴＦＴ素子８やソース電極２５、ドレイン電極２４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００３５】
そして、陽極３１が、この平坦化層２８の表面上に形成されると共に、該平坦化層２８に設けられたコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極２４に接続されている。すなわち、陽極３１は、ドレイン電極２４を介して、シリコン層２２の高濃度ドレイン領域２２ｂに接続されている。陰極３４は、ＧＮＤに接続されている。したがって、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子８により、上記電源線から陽極３１に供給され陰極３４との間で流れる駆動電流を制御する。これにより、回路部１１は、所望の有機ＥＬ素子１２を発光させカラー表示を可能としている。
【００３６】
なお、有機ＥＬ素子１２を駆動する回路部１１の構成は、これに限定されるものではない。
【００３７】
機能層３２は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、有機膜からなる発光層、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）と呼ばれる複数の薄膜層からなり、陽極３１側からこの順で積層されている。
【００３８】
機能層３２を構成する正孔注入層（ＨＩＬ）の形成材料としては、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）等が挙げられる。特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）が好適である。また、正孔輸送層（ＨＴＬ）としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。
【００３９】
発光層の形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等が挙げられる。これらの正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層の形成材料は所謂低分子系材料であり、真空蒸着法により成膜することができる。
【００４０】
電子輸送層（ＥＴＬ）の形成材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が挙げられる。
【００４１】
電子注入層（ＥＩＬ）としては、ＬｉＦ（フッ化リチウム）などのアルカリ金属化合物が挙げられる。
【００４２】
このような有機ＥＬ素子１２を有する素子基板１は、透明な熱硬化型エポキシ樹脂等を封着部材として用いた封着層３５を介して透明な封止基板２と隙間なくベタ封止されている。
【００４３】
本実施形態の有機ＥＬ素子１２は、後述する有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造されており、機能層３２を形成する前に、発光色に対応した陽極３１ごとに設定された処理条件でプラズマ処理が施されている。また、プラズマ処理条件は、ＩＴＯ膜からなる陽極３１の最表面の仕事関数が、発光色ごとに適合するように設定されている。それゆえに機能層３２において発光特性が向上し、高い輝度特性が得られる。
【００４４】
なお、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、トップエミッション型に限定されず、共通電極としての陰極３４を反射機能を有する不透明なＡｌ等の導電材料を用いて成膜し、有機ＥＬ素子１２の発光を陰極３４で反射させて、素子基板１側から取り出すボトムエミッション型の構造としてもよい。
【００４５】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。図３は有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、図４（ａ）〜（ｇ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。なお、図４（ａ）〜（ｇ）では、回路部１１および反射層を図示省略している。回路部１１は、公知の製造方法を用いてＴＦＴ素子８などの構成要素を形成すればよい。
【００４６】
図３に示すように、有機ＥＬ素子１２の製造方法は、画素電極として複数の陽極３１を形成する画素電極形成工程（ステップＳ１）と、陽極３１を区画するように隔壁部３３を形成する隔壁部形成工程（ステップＳ２）とを備えている。また、各発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）ごとに陽極３１の表面をプラズマ処理するプラズマ処理工程（ステップＳ３、ステップＳ４、ステップＳ５）と、プラズマ処理された陽極３１上に発光色ごとの機能層３２をそれぞれ形成する機能層形成工程（ステップＳ６、ステップＳ７、ステップＳ８）と、共通電極としての陰極３４を形成する共通電極形成工程（ステップＳ９）とを備えている。
【００４７】
図３のステップＳ１は、画素電極形成工程である。ステップＳ１では、図４（ａ）に示すように、回路部１１が形成された素子基板１の表面（実際には平坦化層２８の表面）に複数の陽極３１を形成する。まず、反射層となるＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成する。そして、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行うこと（フォトリソグラフィ法）により、所定のパターン形状を有する反射層を形成する。次に、反射層を覆うように透明な絶縁膜（例えば、ＳｉＯ2やＳｉＮ、あるいはこれらの混合物からなる）を形成した後に、ＩＴＯ膜を成膜してパターニングする。これによれば、高い寸法精度で陽極３１を形成できる。また、平坦化層２８に設けられたコンタクトホール２８ａを介して陽極３１とドレイン電極２４とが電気的に接続されるように、反射層およびＩＴＯ膜をパターニングすることは言うまでもない。そして、ステップＳ２へ進む。
【００４８】
図３のステップＳ２は、隔壁部形成工程である。ステップＳ２では、図４（ｂ）に示すように、素子基板１の表面に形成された陽極３１の一部を覆って区画するように隔壁部３３を形成する。具体的には、素子基板１の表面を全面覆うように感光性樹脂材料を厚さおよそ２μｍで塗布して成膜する。次にフォトマスクを用いて陽極３１上の不要な感光性樹脂材料の部分を露光して現像することにより取り除く。そして、ポストベーク（加熱）することにより、隔壁部３３の形状を安定化させると共に、素子基板１との密着性を確保する。これにより、画素電極としての陽極３１を有する複数の画素領域Ａを隔壁部３３により区画する。そして、ステップＳ３へ進む。
【００４９】
図３のステップＳ３は、プラズマ処理（Ｒ）工程である。ステップＳ３では、図４（ｃ）に示すように、画素領域Ａの大きさに相当する開口部１１０ａを有するマスク１１０と、素子基板１とを位置決めする。この際に、赤色（Ｒ）の発光色に対応する陽極３１（Ｒ）を有する画素領域Ａと開口部１１０ａとが合致するように位置決めする。マスク１１０を素子基板１に密着させた状態、すなわち、他の画素領域Ａをマスクした状態で、陽極３１（Ｒ）の表面を、酸素を処理ガスとしてプラズマ処理する。そして、ステップＳ４に進む。
【００５０】
図３のステップＳ４は、プラズマ処理（Ｇ）工程である。ステップＳ４では、図４（ｄ）に示すように、今度は、素子基板１に対して緑色（Ｇ）の発光色に対応する陽極３１（Ｇ）を有する画素領域Ａと開口部１１０ａとが合致するようにマスク１１０を相対移動させて密着させる。この状態で、陽極３１（Ｇ）の表面をプラズマ処理する。そして、ステップＳ５へ進む。
【００５１】
図３のステップＳ５は、プラズマ処理（Ｂ）工程である。ステップＳ５では、図４（ｅ）に示すように、今度は、素子基板１に対して青色（Ｂ）の発光色に対応する陽極３１（Ｂ）を有する画素領域Ａと開口部１１０ａとが合致するようにマスク１１０を相対移動させて密着させる。この状態で、陽極３１（Ｂ）の表面をプラズマ処理する。これらステップＳ３〜ステップＳ５におけるプラズマ処理の詳しい方法は、後述するが、発光色ごとに予めプラズマ処理条件が設定されている。なお、各陽極３１（Ｒ），３１（Ｇ），３１（Ｂ）を処理する順番は、これに限定されない。そして、ステップＳ６へ進む。
【００５２】
図３のステップＳ６は、機能層形成（Ｒ）工程である。ステップＳ６では、図４（ｆ）に示すように、上記プラズマ処理において利用したマスク１１０を用いて、再び、開口部１１０ａと赤色（Ｒ）の発光色に対応する陽極３１（Ｒ）を有する画素領域Ａと合致するようにマスク１１０を位置決めして密着させる。すなわち、陽極３１（Ｇ）や陽極３１（Ｂ）を有する他の画素領域Ａをマスクした状態で、真空蒸着法により機能層３２Ｒを陽極３１（Ｒ）上に形成する。
【００５３】
同様にして、ステップＳ７の機能層形成（Ｇ）工程では、機能層３２Ｇを陽極３１（Ｇ）上に形成し、ステップＳ８の機能層形成（Ｂ）工程では、機能層３２Ｂを陽極３１（Ｂ）上に形成する。なお、陽極３１上に各機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを形成する順番は、これに限定されない。また、上記プラズマ処理工程および機能層形成工程では、素子基板１とマスク１１０とが隔壁部３３を介して密着するので、プラズマ処理された陽極３１や機能層３２の表面にマスク１１０が直接に触れない。したがって、マスク１１０の接触による不具合が回避されている。そして、ステップＳ９へ進む。
【００５４】
図３のステップＳ９は、共通電極形成工程である。ステップＳ９では、図４（ｇ）に示すように、各機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと隔壁部３３とを覆うように、共通電極としての陰極３４を、真空蒸着法で形成する。陰極３４はＩＴＯであり、膜厚は、１００〜２００ｎｍである。これにより、陽極３１と陰極３４との間に機能層３２（３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ）を有する有機ＥＬ素子１２が形成される。
【００５５】
なお、有機ＥＬ素子１２が形成された素子基板１は、封着層３５を介して封止基板２と接着され有機ＥＬディスプレイ１０を構成する。このようなベタ封止構造は、侵入する水分や気体から有機ＥＬ素子１２を保護して、所定の発光寿命を確保するものである。ステップＳ９において、陰極３４を形成した後に、ガスバリア性を有する透明なＳｉＯ2またはＳｉＮ、あるいはこれらの混合物からなる膜をさらに積層してもよい。これにより、より長い発光寿命を実現することができる。
【００５６】
＜プラズマ処理方法＞
次に、ステップＳ３〜ステップＳ５におけるプラズマ処理方法について、図を参照して詳しく説明する。図５（ａ）および（ｂ）は、プラズマ処理装置を示す概略図である。
【００５７】
まず、プラズマ処理工程において用いられるプラズマ処理装置の１例について説明する。図５（ａ）に示すように、プラズマ処理装置１００は、被処理体であるワークＷとマスク１１０とを収納する第１の室１０１ａと、第１の室１０１ａに連通し、プラズマ発生源１０２が設けられた第２の室１０１ｂとを有するチャンバー１０１を備えている。
【００５８】
第１の室１０１ａ内には、プラズマ発生源１０２に対してワークＷを対向させ、Ｘ軸方向およびＹ軸方向においてほぼ水平に把持する一対の把持部１０３ａ，１０４ａと、各把持部１０３ａ，１０４ａに連接して、ワークＷをＺ軸方向に移動させる２組の移動部１０３ｂ，１０４ｂとを備えている。移動部１０３ｂ，１０４ｂは、第１の室１０１ａの天井部１０１ｄから垂設されている。すなわち、各把持部１０３ａ，１０４ａと移動部１０３ｂ，１０４ｂとにより、ワークＷを保持する一対の保持部１０３，１０４を構成している。また、マスク１１０をワークＷとプラズマ発生源１０２との間にほぼ水平に支持するテーブル状の支持部１０５と、支持部１０５に設けられマスク１１０をＸ軸およびＹ軸によって規定される平面内おいて位置決めするための一対の駆動部１０６ａ，１０６ｂを備えている。なお、支持部１０５は、第１の室１０１ａの側壁に設けられているが、Ｚ軸方向に立設させてもよい。
【００５９】
第１の室１０１ａの天井部１０１ｄには、一対の透明な窓部１０７ａ，１０７ｂが設けられている。その上方には、これに対応して同じく一対の撮像部１０８ａ，１０８ｂが設けられている。これらの撮像部１０８ａ，１０８ｂは、窓部１０７ａ，１０７ｂを介して透明なワークＷを透過し、マスク１１０に設けられたアライメントマーク（図示省略）を観察可能な状態となっている。ワークＷが不透明な基材ならば、アライメントマークとしてワークＷに孔を穿っておき、この孔とマスク１１０のアライメントマークとを合わせる方法や、ワークＷとマスク１１０とを外形基準で位置を合わせる方法が挙げられる。
【００６０】
第２の室１０１ｂの内底部１０１ｃに設けられたプラズマ発生源１０２は、公知のプラズマ発生源を用いればよく、例えば、高周波プラズマやＤＣプラズマ等が挙げられる。
【００６１】
図５（ｂ）を参照して、プラズマ処理装置１００の動作について説明する。チャンバー１０１には、処理前のストッカー（図示省略）と処理後のストッカー（図示省略）とが連結されている。処理前のストッカーには、処理面を下方に向けて、複数のワークＷが収納されている。処理前のストッカーから搬出されたワークＷは、Ｙ軸方向に搬送されて把持部１０３ａ，１０４ａに把持される。ワークＷにもアライメントマークが形成されており、マスク１１０のアライメントマークとの相対的な位置関係を撮像部１０８ａ，１０８ｂにより観察して、ワークＷに対するマスク１１０の位置情報を入手する。該位置情報に基づいて、駆動部１０６ａ，１０６ｂを駆動することにより、ワークＷとマスク１１０とを位置合わせする。位置合わせが終了すると、移動部１０３ｂ，１０４ｂは、把持部１０３ａ，１０４ａを下降させ、ワークＷとマスク１１０とを密着させる。
【００６２】
チャンバー１０１は、真空ポンプなどの減圧手段に接続されており、プラズマを生成可能な状態に室内を減圧する。減圧下において、外部から処理ガスを所定の流量で第１の室１０１ａ内に導入すると共に、プラズマ発生源１０２を稼動させて、処理ガスをプラズマ化したプラズマガスを発生させる。プラズマガスにマスク１１０を介してワークＷを曝露することにより、マスキングされていないワークＷの処理面をプラズマ処理することができる。
【００６３】
ワークＷとマスク１１０との位置関係を変えてプラズマ処理する場合には、プラズマガスの生成を中断した後に、移動部１０３ｂ，１０４ｂを駆動して、ワークＷとマスク１１０との密着を解除する。この間に残留する処理ガスを排出する。次に、駆動部１０６ａ，１０６ｂを駆動して、所望の移動量でマスク１１０を移動させる。移動部１０３ｂ，１０４ｂを再び駆動して、ワークＷとマスク１１０とを密着させる。そして、処理ガスを導入してプラズマガスを生成し、プラズマ処理を行う。
【００６４】
このようにしてプラズマ処理されたワークＷは、処理後のストッカーに搬入される。ワークＷを第１の室１０１ａ内で搬送する手段は、アームを備えたロボットを採用することができる。あるいは、ワークＷの非処理面を吸着して搬送する方法を採用してもよい。
【００６５】
また、プラズマガスにワークＷを曝露する曝露時間を確実に制御するために、プラズマ発生源１０２を遮蔽するシャッターなどの手段を設けることが望ましい。
【００６６】
このようなプラズマ処理装置１００には、図示省略したが、第１の室１０１ａ内の減圧度を計測する真空計、ワークＷの温度を計測する温度センサー、処理ガスの流量を調整する調整弁、処理後の処理ガスを排出する排出機構などが設けられ、これらを含めて各部を制御する制御部を備えていることは言うまでもない。制御部は、上記曝露時間やプラズマガスを生成するプラズマパワーを制御して、適正にワークＷをプラズマ処理する動作を行わせる。
【００６７】
次に、マスク１１０の形態について説明する。図６（ａ）および（ｂ）は、マスクの形態を示す概略平面図である。
【００６８】
図６（ａ）に示すように、プラズマ処理装置１００にセットされるマスク１１０は、画素領域Ａ（図４（ｆ）参照）の平面視の形状とほぼ同一な複数の開口部１１０ａを有している。複数の開口部１１０ａは、マスク１１０のマスキング領域（図５（ａ）参照）において、同色の発光色が得られる画素領域Ａの配列に対応して設けられている。その配置は、Ｘ軸方向において画素領域Ａの配置ピッチＰｘの３倍、すなわち３Ｐｘにて配置されている。また、Ｙ軸方向において画素領域Ａの配置ピッチＰｙと同じ寸法で配置されている。この場合、開口部１１０ａの形状が矩形状であるが、これに限定されるものではない。少なくとも処理対象の画素領域Ａ以外の画素領域Ａをマスキングすることができればよく、画素領域Ａの大きさよりもやや大きい、あるいはやや小さいサイズとしてもよい。
【００６９】
図６（ａ）に示すような開口部１１０ａの配置によれば、画素領域Ａの形状や配置に対応してプラズマ処理を行うことができる。画素領域ＡのＸ軸方向およびＹ軸方向の配置が一定の配置ピッチＰｘ，Ｐｙでない変則的な場合には、プラズマ処理条件が異なる画素領域Ａの配置に対応して開口部１１０ａが形成された複数のマスク１１０を用意すればよい。
【００７０】
また、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の製造にあたって使用するマスク１１０は、図６（ａ）に示したものに限定されず、例えば、図６（ｂ）に示すように、開口部１２０ａが同色の画素領域Ａの配置に対応してＹ軸方向にストライプ状に開口したマスク１２０を用いてもよい。すなわち、開口部１２０ａのＸ軸方向の配置ピッチは、同様に３Ｐｘである。
【００７１】
このようなマスク１１０の材料としては、プラズマ処理装置１００において発生したプラズマを妨げるような強磁性を示すものは相応しくない。プラズマ発生源１０２によるプラズマの形成は、磁場によりコントロールされている。強磁性の材料を用いると、プラズマの形成状態に影響を及ぼす他に、開口部１１０ａにおけるプラズマガスに対する陽極３１の曝露状態にも影響を及ぼすおそれがある。したがって、常磁性の材料が好ましく、例えばシリコンなどの材料が挙げられる。シリコンを材料としたマスク基材を用いれば、湿式や乾式のエッチング方法により、高精度に開口部１１０ａを形成することが可能である。言い換えれば、画素領域Ａの形状や配置に対して容易に対応したマスク１１０を提供することができる。
【００７２】
上記マスク１１０または上記マスク１２０を用いれば、Ｘ軸方向にマスク１１０（１２０）を相対移動させて、１つのマスク１１０（１２０）で３種（３色）の画素領域Ａをそれぞれ異なるプラズマ処理条件でプラズマ処理することが可能である。
【００７３】
次に、プラズマ処理条件について説明する。図７は曝露時間およびプラズマパワーと仕事関数との関係を示すグラフ、図８は有機ＥＬ素子におけるエネルギーダイヤグラムを示す概略図である。
【００７４】
上記プラズマ処理装置１００を用い、ワークＷとして陽極３１が形成された素子基板１をプラズマパワーと曝露時間とを設定してプラズマ処理することにより、図７に示すような陽極３１の仕事関数（ｅｖ）のグラフが得られた。このときのプラズマ処理条件としては、プラズマパワーが５０Ｗと１００Ｗであり、プラズマ発生源１０２とマスク１１０との距離Ｌ（図５（ａ）参照）はおよそ１００ｍｍ、処理ガスである酸素ガスの流量は２４ｓｃｃｍである。
【００７５】
なお、陽極３１の仕事関数（ｅｖ）は、理研計器（株）製の光電子分光装置ＡＣ−２を用いて測定を行った。
【００７６】
ＩＴＯからなる陽極３１において、処理前の仕事関数（ｅｖ）は、およそ５．０５ｅｖであった。プラズマパワーが５０Ｗのとき、曝露時間が２分までは、仕事関数（ｅｖ）が５．７ｅｖまで上昇し、曝露時間を２分以上としても５．７ｅｖ以上とはならない。プラズマパワーが１００Ｗのとき、曝露時間が１分までは、仕事関数が５．８ｅｖ近くまで上昇し、曝露時間を１分以上かけてもそれ以上とはならない。言い換えれば、仕事関数（ｅｖ）が直線的に変化する範囲では、曝露時間を制御することによって、陽極３１の仕事関数（ｅｖ）を制御可能なことがわかる。あるいは、曝露時間を一定としてもプラズマパワーを制御すれば、陽極３１の仕事関数（ｅｖ）を制御可能なことがわかる。
【００７７】
図８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子１２におけるエネルギーダイヤグラムによれば、陽極側から注入されるホール（正孔）の注入量と陰極側から注入される電子の注入量とが適度にバランス（キャリアバランス）すると共に、ホールと電子とが結びつく再結合領域が、発光層と一致、もしくはその近傍に形成されることが望ましい。一方、発光層は、発光色ごとに選定された有機材料によって構成されるため、正孔注入層（ＨＩＬ）よりも低いイオン化ポテンシャル（ＨＯＭＯ）を有するとは限らない。このようなキャリアバランスと再結合領域の形成は、発光色ごとにホールの注入量と電子の注入量とを制御することにより達成される。
【００７８】
電子の注入量（電流量）を一定とすれば、キャリアバランスと再結合領域の形成はホールの注入量に依存する。ホールの注入量は、陽極３１の仕事関数と、正孔注入層（ＨＩＬ）の仕事関数すなわちＨＯＭＯレベルとに関連する。この場合、プラズマ処理前のＩＴＯからなる陽極３１の仕事関数は、およそ４．７〜５．１ｅｖである。陽極３１を形成した後に、異物や汚れを除去する洗浄工程などの表面処理を加えた場合には、当該表面処理によっても変動する。例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）をＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）とした場合には、ＨＯＭＯレベルが５．３ｅｖとなる。ＨＯＭＯレベルが陽極３１の仕事関数よりも高いので、陽極３１をプラズマ処理することにより、その表面における仕事関数を上昇させると、ホールは正孔注入層（ＨＩＬ）に対して移動し易くなる。言い換えれば、陽極３１と正孔注入層（ＨＩＬ）との間のエネルギー障壁のレベルを変えることができる。すなわち、陽極３１の仕事関数を制御することにより、ホールの注入量を制御して、発光色ごとの有機ＥＬ素子１２の発光特性を最適化することが可能である。
【００７９】
したがって、各機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの実際の構成に対応して、図７に示した仕事関数のグラフに基づいて、適正な陽極３１の仕事関数となるように、発光色ごとにプラズマ処理条件（曝露時間またはプラズマパワー）を決定する。発光色ごとにプラズマ処理条件が異なる場合や少なくとも１色の発光色に対応した陽極３１のプラズマ処理条件が、他の発光色に比べて異なる場合が考えられる。
【００８０】
上記実施形態１の効果は、以下の通りである。
（１）有機ＥＬ素子１２の製造方法によれば、プラズマ処理工程において、陽極３１の表面における仕事関数が、発光色に応じて形成される機能層３２に適合するように、プラズマ処理条件（プラズマガスに対する曝露時間またはプラズマパワー）が設定されている。したがって、発光色に対応した有機ＥＬ素子１２ごとに、ホールと電子とが結びつく再結合領域が、発光層と一致もしくはその近傍となるように、また適度なキャリアバランスが得られるように、ホールの注入量が最適化される。すなわち、発光特性（輝度特性、発光寿命など）が改善された有機ＥＬ素子１２を製造することができる。
【００８１】
（２）プラズマ処理工程において用いられるマスク１１０は、同一発光色の画素領域Ａの形状および配置に対応した複数の開口部１１０ａを有している。したがって、開口部１１０ａを処理対象の画素領域Ａに対向配置すれば、他の発光色の画素領域Ａをマスクして、発光色ごとに陽極３１のプラズマ処理条件を異ならせることができる。また、１つのマスク１１０を用いて、すべての陽極３１のプラズマ処理が可能であると共に、３色の機能層３２を形成する機能層形成工程においても利用可能である。
【００８２】
（３）マスク１１０は、常磁性のシリコンからなるマスク基材を用いており、精度よく開口部１１０ａを形成可能であると共に、プラズマ処理装置１００においてプラズマガスに対するワークＷの曝露状態に影響を与えない。すなわち、処理対象の陽極３１を隈なくプラズマ処理することができる。
【００８３】
（４）有機ＥＬディスプレイ１０は、上記有機ＥＬ素子１２の製造方法を用いて製造された複数の有機ＥＬ素子１２を備えている。有機ＥＬ素子１２は、発光特性（輝度特性、発光寿命など）が改善されているため、優れた表示品質を有する有機ＥＬディスプレイ１０を提供することができる。
【００８４】
（実施形態２）
＜他の有機ＥＬ素子とその製造方法＞
次に、上記実施形態１のプラズマ処理方法を適用した、他の有機ＥＬ素子について説明する。図９は、実施形態２の有機ＥＬ素子の構造を示す概略図である。実施形態１と同じ構成の部分は、同じ符号を用いて説明する。
【００８５】
図９に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、回路部１１を有する素子基板１上に形成された画素電極としての陽極５１と、共通電極としての陰極５９と、これらの電極の間に形成された機能層５０とを有している。
【００８６】
陽極５１は透明なＩＴＯからなり、陰極５９は反射性を有するＡｌからなる。すなわち、機能層５０からの発光が素子基板１側から取り出されるボトムエミッション型である。この場合も、陽極５１と素子基板１との間に反射層を設け、陰極５９を透明な導電材料からなる電極とすれば、トップエミッション型の有機ＥＬ素子６０を構成可能である。
【００８７】
機能層５０は、ＣｕＰｃからなる正孔注入層５２と、α−ＮＰＤ（ジフェニルナフチルジアミン）からなる正孔輸送層５３と、Ａｌｑ３をホストとしてアシストドーパントであるルブレンと赤色ドーパントであるＤＣＭ２（ジアノメチレンピラン誘導体）とを含むＲｅｄ発光層５４と、ＢＨ２１５をホストとして青色ドーパントであるＢＤ１０２を含むＢｌｕｅ発光層５５と、ＢＨ２１５をホストとして緑色ドーパントであるＧＤ２０６を含むＧｒｅｅｎ発光層５６と、Ａｌｑ３からなる電子輸送層５７と、ＬｉＦからなる電子注入層５８とを備えている。本構成は、いわゆる「ドーパント法」に基づく３色の発光層を備え、白色発光を可能としている。ホストであるＢＨ２１５、ドーパントであるＢＤ１０２、ＧＤ２０６は、いずれも出光興産製の公知材料である。
【００８８】
このような有機ＥＬ素子６０の製造方法は、ＩＴＯをターゲットとしたスパッタリング法あるいはＩＴＯを蒸着源とした真空蒸着法によりＩＴＯ膜を成膜し、これをパターニングすることにより陽極５１を形成することができる（画素電極形成工程）。機能層５０は、これを構成する各層を真空蒸着法により陽極５１上に順次成膜して形成することができる（機能層形成工程）。また、陰極５９は、形成された機能層５０にダメージを与えないように、Ａｌを蒸着源として真空蒸着することにより形成することができる（共通電極形成工程）。機能層形成工程では、画素領域Ａごとの膜構成が同一なため、マスク１１０を用いなくてもよい。
【００８９】
このような有機ＥＬ素子６０を複数備えた素子基板１と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のカラーフィルタを備えた封止基板２とを封着層３５を介して接着すれば、フルカラー表示が可能な有機ＥＬディスプレイ１０を提供することができる（組立工程）。
【００９０】
図１０は、実施形態２の有機ＥＬ素子のエネルギーダイヤグラムである。図１０に示すように、有機ＥＬ素子６０のエネルギーダイヤグラムによれば、陰極５９からの電子の注入量が、Ｒｅｄ発光層５４、Ｂｌｕｅ発光層５５、Ｇｒｅｅｎ発光層５６で変わらないとした場合、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のカラーフィルタを介して発光バランスのよい発光色を得るには、Ｒｅｄ発光層５４、Ｂｌｕｅ発光層５５、Ｇｒｅｅｎ発光層５６の順にホールの注入量が増加するのが望ましい。
【００９１】
したがって、ＣｕＰｃからなる正孔注入層５２のＨＯＭＯレベルが５．３ｅｖであることから、Ｒのカラーフィルタに対応する陽極５１の仕事関数としては５．２〜５．３ｅｖ、Ｂのカラーフィルタに対応する陽極５１の仕事関数としては５．４〜５．５ｅｖ、Ｇのカラーフィルタに対応する陽極５１の仕事関数としては５．７〜５．８ｅｖに調整することが望ましい。
【００９２】
よって、図７の仕事関数のグラフに基づいて、陽極５１を形成した後のプラズマ処理工程におけるプラズマ処理条件は、次の通りとなる。例えば、プラズマパワーを１００Ｗとしたときには、発光色ごとの陽極５１のプラズマガスに対する曝露時間は、赤が１５〜２５秒、青が３０〜４５秒、緑が１分以上となる。プラズマ処理工程において、マスク１１０を用いてプラズマ処理条件を異ならせる点は、実施形態１と同様である。
【００９３】
上記実施形態２の効果は、以下の通りである。
（１）上記有機ＥＬ素子６０は、３色のカラーフィルタを介して得られる発光色に対応して、陽極５１のプラズマ処理条件が設定され、プラズマ処理されている。したがって、発光バランスのよい発光色が得られる。
【００９４】
（２）上記有機ＥＬ素子６０と３色のカラーフィルタとを有機ＥＬディスプレイ１０に備える構成とすれば、優れた表示品位を有するフルカラー表示が可能な有機ＥＬディスプレイ１０を提供することができる。
【００９５】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００９６】
（変形例１）上記実施形態１の有機ＥＬ素子１２において、機能層３２の形成方法は、低分子系の形成材料を用いて真空蒸着する方法に限定されない。例えば、高分子系の形成材料を含む分散液を画素領域Ａに液滴吐出法（インクジェット法）により、吐出して各層を形成してもよい。すなわち、機能層３２を湿式の形成方法を用いても、陽極３１のプラズマ処理方法を適用することができる。
【００９７】
正孔注入／輸送層の高分子系の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。この他にも、例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えばポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが挙げられる。
【００９８】
同じく、高分子系の有機発光層の形成材料としては、具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００９９】
（変形例２）上記実施形態１の有機ＥＬ素子１２の製造方法において、製造工程の順番は、これに限定されない。図１１は、変形例の有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャートである。例えば、図１１に示すように、１つの発光色に対応する画素電極のプラズマ処理が終了したら、続いて当該発光色に対応する機能層を形成する。すなわち、発光色の数に応じて、これをプラズマ処理工程と機能層形成工程とを繰り返す。これによれば、すべての画素電極をプラズマ処理してから、機能層をそれぞれ形成する場合に比べて、プラズマ処理後の経過時間を短縮して機能層を形成するので、経過時間による画素電極の仕事関数の変動を回避できる。すなわち、発光特性がより安定した有機ＥＬ素子１２を製造することができる。上記実施形態２の有機ＥＬ素子６０の製造方法においても同様である。
【０１００】
（変形例３）上記実施形態１の有機ＥＬ素子１２の製造方法において、プラズマ処理に用いる装置は、プラズマ処理装置１００に限定されない。例えば、大気圧プラズマ処理装置を用いても同様なプラズマ処理と、その効果が期待できる。
【０１０１】
（変形例４）上記実施形態１のプラズマ処理装置１００において用いられる処理ガスは、酸素に限定されない。例えば、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのいずれかのガス、またはこれらのガスから少なくとも２つ以上選ばれた混合ガスを用いても同様な仕事関数の調整が期待できる。
【０１０２】
（変形例５）実施形態２の有機ＥＬ素子６０において、機能層５０の構成は、これに限定されない。例えば、発光層をＲｅｄ発光層５４とＢｌｕｅ発光層５５の二層構成としても、白色発光させることが可能である。したがって、プラズマ処理工程では、発光層の構成とエネルギーダイヤグラムとを鑑みて処理条件を決定すればよい。
【０１０３】
（変形例６）上記実施形態１の有機ＥＬ素子１２および上記実施形態２の有機ＥＬ素子６０を用いる電気光学装置は、有機ＥＬディスプレイ１０に限定されない。例えば、感光ドラムを感光させる光プリンタヘッド、複数色の発光が可能な照明装置などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】有機ＥＬディスプレイを示す概略正面図。
【図２】有機ＥＬディスプレイの要部構造を示す概略断面図。
【図３】有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｇ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）および（ｂ）はプラズマ処理装置を示す概略図。
【図６】（ａ）および（ｂ）はマスクの形態を示す概略平面図。
【図７】曝露時間およびプラズマパワーと仕事関数との関係を示すグラフ。
【図８】有機ＥＬ素子におけるエネルギーダイヤグラムを示す概略図。
【図９】実施形態２の有機ＥＬ素子の構造を示す概略図。
【図１０】実施形態２の有機ＥＬ素子のエネルギーダイヤグラム。
【図１１】変形例の有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【０１０５】
１…基板としての素子基板、１０…有機ＥＬディスプレイ、１２，６０…有機ＥＬ素子、３１，５１…画素電極としての陽極、３２，５０…機能層、３４，５９…共通電極としての陰極、５４…発光層としてのＲｅｄ発光層、５５…発光層としてのＢｌｕｅ発光層、５６…発光層としてのＧｒｅｅｎ発光層、１１０，１２０…マスク、１１０ａ，１２０ａ…開口部、Ａ…画素領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子の製造方法、有機ＥＬディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の製造方法としては、有機層の付着前に、ベース電極が、プラズマ反応器内において酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンおよびそれらの混合物から選択されたプラズマガスに曝されるエレクトロルミネセンス発生装置のベース電極の洗浄方法が知られている（特許文献１）。
【０００３】
また、陽極の表面の水との接触角が１０°以下になるように陽極の表面を洗浄処理した後、陽極の表面の仕事関数を０．５ｅｖ以上大きくする表面処理を行い、この後に、陽極の上に有機発光層および陰極を形成する有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法が知られている（特許文献２）。
【０００４】
これらの洗浄方法または表面処理は、いずれもベース電極あるいは陽極の仕事関数を大きくしてホールの注入効率を高めることにより、有機ＥＬ素子の動作特性を改善しようとするものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−９２５８５号公報
【特許文献２】特開２００４−６３２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１および特許文献２の有機ＥＬ素子の製造方法では、ベース電極（あるいは陽極）を画一的な処理条件で洗浄または表面処理することを提案している。しかしながら、これらの洗浄または表面処理を行うことによりホールの注入効率を高めても、発光色に対応して形成された有機発光層に必ずしも適合していないおそれがあった。言い換えれば、画一的な処理条件では、有機ＥＬ素子の発光特性を発光色に対応して最適化できないおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記複数の画素電極をプラズマガスに曝すプラズマ処理工程と、プラズマ処理が施された前記複数の画素電極上に発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層を覆うように共通電極を形成する共通電極形成工程と、を備え、前記プラズマ処理工程では、前記複数の画素電極のうち、少なくとも１色の発光色に対応する画素電極に対して他の画素電極をマスクしてプラズマガスに曝すことにより、当該画素電極のプラズマ処理条件が前記他の画素電極に対して異なるようにプラズマ処理する工程を含むことを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、プラズマ処理工程では、処理対象の画素電極以外の他の画素電極をマスクして当該画素電極のプラズマ処理条件が他の画素電極に対して異なるようにプラズマ処理する。したがって、発光色に対応した機能層に対する画素電極の表面状態、いわゆる仕事関数を発光色ごとに最適化して、安定した発光特性が得られる有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記プラズマ処理条件が前記プラズマガスに対する曝露時間、またはプラズマパワーであることを特徴とする。
この方法によれば、曝露時間、またはプラズマパワーを調整することにより、画素電極の仕事関数を発光色ごとに比較的容易に最適化することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層が形成される前記画素電極の表面層がＩＴＯ膜からなり、前記プラズマガスが酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのいずれかのガス、またはこれらのガスから少なくとも２つ以上選ばれた混合ガスであることを特徴とする。
この方法によれば、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのいずれかのガス、またはこれらのガスから少なくとも２つ以上選ばれた混合ガスをプラズマ化して、プラズマガスに対する曝露時間、またはプラズマパワーを調整することにより、ＩＴＯ膜の表面の仕事関数を制御することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、ホールと電子とが結びつく再結合領域が、前記発光層と一致もしくはその近傍となるように、各画素電極の前記プラズマ処理条件を設定することが好ましい。
この方法によれば、高い発光効率を実現することができる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記プラズマ処理工程では、常磁性の前記マスクを用いることが好ましい。
この方法によれば、プラズマ処理工程において、プラズマの生成状態がマスクによって影響されず、安定したプラズマ処理が可能である。
【００１４】
［適用例６］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記マスクがシリコンからなるとしてもよい。
この方法によれば、湿式または乾式にてシリコンをエッチングして、プラズマ処理用のマスクを高精度に形成することができる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記プラズマ処理工程では、発光色ごとに用意した前記マスクを用いるとしてもよい。
この方法によれば、基板上における様々な有機ＥＬ素子の配置に対応できる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記基板上に同一形状の画素領域がマトリクス状に配置され、前記プラズマ処理工程では、同一発光色の前記画素領域の配置に対応した開口部を有するマスクを、処理対象の前記画素電極を有する前記画素領域に前記開口部が対向するように配置して、当該画素電極をプラズマ処理し、当該画素電極以外の他の画素電極をプラズマ処理する際には、前記マスクを相対移動させることを特徴とする。
この方法によれば、１つのマスクを用いてすべての画素電極を画素電極ごとに設定された処理条件でプラズマ処理することができる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層形成工程では、前記画素電極ごとに発光色に対応した前記機能層を個別に形成することを特徴とする。
この方法によれば、個別に形成された機能層の発光特性を発光色ごとに最適化できる。
【００１８】
［適用例１０］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記機能層形成工程では、前記画素電極ごとに複数色の発光が可能な複数種の前記発光層を含む前記機能層を形成するとしてもよい。
この方法によれば、複数種の発光層のうち発光色に対応して画素電極の仕事関数を最適化できる。
【００１９】
［適用例１１］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記複数の画素電極をすべてプラズマ処理した後に、前記機能層を形成することを特徴とする。
この方法によれば、製造工程を遡ることなく、効率的に有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００２０】
［適用例１２］上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法において、発光色に対応した前記画素電極をプラズマ処理した後に、当該画素電極以外の他の画素電極をマスクした状態のままで当該画素電極上に前記機能層を形成するとしてもよい。
この方法によれば、当該画素電極をプラズマ処理した後に、続けて機能層を形成するので、機能層形成までの時間を短縮して、プラズマ処理後の画素電極の表面状態を維持し、より安定した発光特性が得られる有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００２１】
［適用例１３］本適用例の有機ＥＬディスプレイは、上記適用例の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造された複数の有機ＥＬ素子を備えることを特徴とする。
この構成によれば、発光色ごとに安定した発光特性が得られる有機ＥＬ素子を備えているので、優れた表示品位を有する有機ＥＬディスプレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００２３】
（実施形態１）
＜有機ＥＬディスプレイ＞
図１は、有機ＥＬディスプレイを示す概略正面図である。図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子１２（図２参照）が複数配列された素子基板１と、複数配列した有機ＥＬ素子１２を封着する封着層３５（図２参照）を介して素子基板１を封止する封止基板２とを備えている。
【００２４】
素子基板１は、有機ＥＬ素子１２を駆動する駆動素子を備えた回路部１１（図２参照）を有している。複数の有機ＥＬ素子１２は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光が個別に得られる。そして、表示領域６において同一色の発光が得られる有機ＥＬ素子１２が、同一方向に配列する所謂ストライプ方式で素子基板１上に配置され表示画素７を構成している。なお、表示画素７は、実際には非常に微細なものであり、図示の都合上拡大している。
【００２５】
素子基板１は、封止基板２よりも一回り大きく、額縁状に張り出した部分には、駆動素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子８（図２参照）を駆動する２つの走査線駆動回路部３と１つのデータ線駆動回路部４が設けられている。素子基板１の端子部１ａには、これらの駆動回路部３，４と外部駆動回路とを接続するためのフレキシブルな中継基板５が実装されている。
【００２６】
図２は、有機ＥＬディスプレイの要部構造を示す概略断面図である。図２に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０において、有機ＥＬ素子１２は、画素電極としての陽極３１と、陽極３１を区画する隔壁部３３と、陽極３１上に形成された有機膜からなる発光層を含む機能層３２とを有している。また、機能層３２を介して陽極３１と対向するように形成された共通電極としての陰極３４を有している。
【００２７】
隔壁部３３は、フェノールまたはポリイミドなどの絶縁性を有する感光性樹脂からなり、表示画素７を構成する陽極３１の周囲を一部覆って、複数の陽極３１をそれぞれ区画するように設けられている。
【００２８】
陽極３１は、素子基板１上に形成されたＴＦＴ素子８の３端子のうちの１つに接続しており、例えば、透明電極材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を厚さ１００ｎｍ程度に成膜した電極である。なお、図示省略したが、陽極３１の下層（平坦化層２８側）に、絶縁層を介してＡｌからなる反射層が設けられている。当該反射層は、機能層３２における発光を封止基板２側に反射するものである。また、当該反射層はＡｌに限定されず、発光を反射する機能（反射面）を有していればよい。例えば、絶縁性の有機材料あるいは無機材料を用いて凹凸を有する反射面を形成する方法、陽極３１自体を反射機能を有する導電材料で構成し、表面層にＩＴＯ膜を形成する方法などが挙げられる。
【００２９】
陰極３４は、同じく、ＩＴＯなどの透明電極材料により形成されている。
【００３０】
本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、いわゆるトップエミッション型の構造となっており、陽極３１と陰極３４との間に駆動電流を流して機能層３２で発光した光を上記反射層で反射させて封止基板２側から取り出す。したがって、封止基板２は透明なガラス等からなる基板を用いる。また、素子基板１は、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００３１】
素子基板１には、有機ＥＬ素子１２を駆動する回路部１１が設けられている。すなわち、素子基板１の表面にはＳｉＯ2を主体とする下地保護層２１が下地として形成され、その上にはシリコン層２２が形成されている。このシリコン層２２の表面には、ＳｉＯ2および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２３が形成されている。
【００３２】
また、シリコン層２２のうち、ゲート絶縁層２３を挟んでゲート電極２６と重なる領域がチャネル領域２２ａとされている。なお、このゲート電極２６は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２２を覆い、ゲート電極２６を形成したゲート絶縁層２３の表面には、ＳｉＯ2を主体とする第１層間絶縁層２７が形成されている。
【００３３】
また、シリコン層２２のうち、チャネル領域２２ａのソース側には、低濃度ソース領域および高濃度ソース領域２２ｃが設けられる一方、チャネル領域２２ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域および高濃度ドレイン領域２２ｂが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２２ｃは、ゲート絶縁層２３と第１層間絶縁層２７とにわたって開孔するコンタクトホール２５ａを介して、ソース電極２５に接続されている。このソース電極２５は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２２ｂは、ゲート絶縁層２３と第１層間絶縁層２７とにわたって開孔するコンタクトホール２４ａを介して、ソース電極２５と同一層からなるドレイン電極２４に接続されている。
【００３４】
ソース電極２５およびドレイン電極２４が形成された第１層間絶縁層２７の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化層２８が形成されている。この平坦化層２８は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、ＴＦＴ素子８やソース電極２５、ドレイン電極２４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００３５】
そして、陽極３１が、この平坦化層２８の表面上に形成されると共に、該平坦化層２８に設けられたコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極２４に接続されている。すなわち、陽極３１は、ドレイン電極２４を介して、シリコン層２２の高濃度ドレイン領域２２ｂに接続されている。陰極３４は、ＧＮＤに接続されている。したがって、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子８により、上記電源線から陽極３１に供給され陰極３４との間で流れる駆動電流を制御する。これにより、回路部１１は、所望の有機ＥＬ素子１２を発光させカラー表示を可能としている。
【００３６】
なお、有機ＥＬ素子１２を駆動する回路部１１の構成は、これに限定されるものではない。
【００３７】
機能層３２は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、有機膜からなる発光層、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）と呼ばれる複数の薄膜層からなり、陽極３１側からこの順で積層されている。
【００３８】
機能層３２を構成する正孔注入層（ＨＩＬ）の形成材料としては、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）等が挙げられる。特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）が好適である。また、正孔輸送層（ＨＴＬ）としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。
【００３９】
発光層の形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等が挙げられる。これらの正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層の形成材料は所謂低分子系材料であり、真空蒸着法により成膜することができる。
【００４０】
電子輸送層（ＥＴＬ）の形成材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が挙げられる。
【００４１】
電子注入層（ＥＩＬ）としては、ＬｉＦ（フッ化リチウム）などのアルカリ金属化合物が挙げられる。
【００４２】
このような有機ＥＬ素子１２を有する素子基板１は、透明な熱硬化型エポキシ樹脂等を封着部材として用いた封着層３５を介して透明な封止基板２と隙間なくベタ封止されている。
【００４３】
本実施形態の有機ＥＬ素子１２は、後述する有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造されており、機能層３２を形成する前に、発光色に対応した陽極３１ごとに設定された処理条件でプラズマ処理が施されている。また、プラズマ処理条件は、ＩＴＯ膜からなる陽極３１の最表面の仕事関数が、発光色ごとに適合するように設定されている。それゆえに機能層３２において発光特性が向上し、高い輝度特性が得られる。
【００４４】
なお、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、トップエミッション型に限定されず、共通電極としての陰極３４を反射機能を有する不透明なＡｌ等の導電材料を用いて成膜し、有機ＥＬ素子１２の発光を陰極３４で反射させて、素子基板１側から取り出すボトムエミッション型の構造としてもよい。
【００４５】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。図３は有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート、図４（ａ）〜（ｇ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。なお、図４（ａ）〜（ｇ）では、回路部１１および反射層を図示省略している。回路部１１は、公知の製造方法を用いてＴＦＴ素子８などの構成要素を形成すればよい。
【００４６】
図３に示すように、有機ＥＬ素子１２の製造方法は、画素電極として複数の陽極３１を形成する画素電極形成工程（ステップＳ１）と、陽極３１を区画するように隔壁部３３を形成する隔壁部形成工程（ステップＳ２）とを備えている。また、各発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）ごとに陽極３１の表面をプラズマ処理するプラズマ処理工程（ステップＳ３、ステップＳ４、ステップＳ５）と、プラズマ処理された陽極３１上に発光色ごとの機能層３２をそれぞれ形成する機能層形成工程（ステップＳ６、ステップＳ７、ステップＳ８）と、共通電極としての陰極３４を形成する共通電極形成工程（ステップＳ９）とを備えている。
【００４７】
図３のステップＳ１は、画素電極形成工程である。ステップＳ１では、図４（ａ）に示すように、回路部１１が形成された素子基板１の表面（実際には平坦化層２８の表面）に複数の陽極３１を形成する。まず、反射層となるＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成する。そして、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離を行うこと（フォトリソグラフィ法）により、所定のパターン形状を有する反射層を形成する。次に、反射層を覆うように透明な絶縁膜（例えば、ＳｉＯ2やＳｉＮ、あるいはこれらの混合物からなる）を形成した後に、ＩＴＯ膜を成膜してパターニングする。これによれば、高い寸法精度で陽極３１を形成できる。また、平坦化層２８に設けられたコンタクトホール２８ａを介して陽極３１とドレイン電極２４とが電気的に接続されるように、反射層およびＩＴＯ膜をパターニングすることは言うまでもない。そして、ステップＳ２へ進む。
【００４８】
図３のステップＳ２は、隔壁部形成工程である。ステップＳ２では、図４（ｂ）に示すように、素子基板１の表面に形成された陽極３１の一部を覆って区画するように隔壁部３３を形成する。具体的には、素子基板１の表面を全面覆うように感光性樹脂材料を厚さおよそ２μｍで塗布して成膜する。次にフォトマスクを用いて陽極３１上の不要な感光性樹脂材料の部分を露光して現像することにより取り除く。そして、ポストベーク（加熱）することにより、隔壁部３３の形状を安定化させると共に、素子基板１との密着性を確保する。これにより、画素電極としての陽極３１を有する複数の画素領域Ａを隔壁部３３により区画する。そして、ステップＳ３へ進む。
【００４９】
図３のステップＳ３は、プラズマ処理（Ｒ）工程である。ステップＳ３では、図４（ｃ）に示すように、画素領域Ａの大きさに相当する開口部１１０ａを有するマスク１１０と、素子基板１とを位置決めする。この際に、赤色（Ｒ）の発光色に対応する陽極３１（Ｒ）を有する画素領域Ａと開口部１１０ａとが合致するように位置決めする。マスク１１０を素子基板１に密着させた状態、すなわち、他の画素領域Ａをマスクした状態で、陽極３１（Ｒ）の表面を、酸素を処理ガスとしてプラズマ処理する。そして、ステップＳ４に進む。
【００５０】
図３のステップＳ４は、プラズマ処理（Ｇ）工程である。ステップＳ４では、図４（ｄ）に示すように、今度は、素子基板１に対して緑色（Ｇ）の発光色に対応する陽極３１（Ｇ）を有する画素領域Ａと開口部１１０ａとが合致するようにマスク１１０を相対移動させて密着させる。この状態で、陽極３１（Ｇ）の表面をプラズマ処理する。そして、ステップＳ５へ進む。
【００５１】
図３のステップＳ５は、プラズマ処理（Ｂ）工程である。ステップＳ５では、図４（ｅ）に示すように、今度は、素子基板１に対して青色（Ｂ）の発光色に対応する陽極３１（Ｂ）を有する画素領域Ａと開口部１１０ａとが合致するようにマスク１１０を相対移動させて密着させる。この状態で、陽極３１（Ｂ）の表面をプラズマ処理する。これらステップＳ３〜ステップＳ５におけるプラズマ処理の詳しい方法は、後述するが、発光色ごとに予めプラズマ処理条件が設定されている。なお、各陽極３１（Ｒ），３１（Ｇ），３１（Ｂ）を処理する順番は、これに限定されない。そして、ステップＳ６へ進む。
【００５２】
図３のステップＳ６は、機能層形成（Ｒ）工程である。ステップＳ６では、図４（ｆ）に示すように、上記プラズマ処理において利用したマスク１１０を用いて、再び、開口部１１０ａと赤色（Ｒ）の発光色に対応する陽極３１（Ｒ）を有する画素領域Ａと合致するようにマスク１１０を位置決めして密着させる。すなわち、陽極３１（Ｇ）や陽極３１（Ｂ）を有する他の画素領域Ａをマスクした状態で、真空蒸着法により機能層３２Ｒを陽極３１（Ｒ）上に形成する。
【００５３】
同様にして、ステップＳ７の機能層形成（Ｇ）工程では、機能層３２Ｇを陽極３１（Ｇ）上に形成し、ステップＳ８の機能層形成（Ｂ）工程では、機能層３２Ｂを陽極３１（Ｂ）上に形成する。なお、陽極３１上に各機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂを形成する順番は、これに限定されない。また、上記プラズマ処理工程および機能層形成工程では、素子基板１とマスク１１０とが隔壁部３３を介して密着するので、プラズマ処理された陽極３１や機能層３２の表面にマスク１１０が直接に触れない。したがって、マスク１１０の接触による不具合が回避されている。そして、ステップＳ９へ進む。
【００５４】
図３のステップＳ９は、共通電極形成工程である。ステップＳ９では、図４（ｇ）に示すように、各機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと隔壁部３３とを覆うように、共通電極としての陰極３４を、真空蒸着法で形成する。陰極３４はＩＴＯであり、膜厚は、１００〜２００ｎｍである。これにより、陽極３１と陰極３４との間に機能層３２（３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ）を有する有機ＥＬ素子１２が形成される。
【００５５】
なお、有機ＥＬ素子１２が形成された素子基板１は、封着層３５を介して封止基板２と接着され有機ＥＬディスプレイ１０を構成する。このようなベタ封止構造は、侵入する水分や気体から有機ＥＬ素子１２を保護して、所定の発光寿命を確保するものである。ステップＳ９において、陰極３４を形成した後に、ガスバリア性を有する透明なＳｉＯ2またはＳｉＮ、あるいはこれらの混合物からなる膜をさらに積層してもよい。これにより、より長い発光寿命を実現することができる。
【００５６】
＜プラズマ処理方法＞
次に、ステップＳ３〜ステップＳ５におけるプラズマ処理方法について、図を参照して詳しく説明する。図５（ａ）および（ｂ）は、プラズマ処理装置を示す概略図である。
【００５７】
まず、プラズマ処理工程において用いられるプラズマ処理装置の１例について説明する。図５（ａ）に示すように、プラズマ処理装置１００は、被処理体であるワークＷとマスク１１０とを収納する第１の室１０１ａと、第１の室１０１ａに連通し、プラズマ発生源１０２が設けられた第２の室１０１ｂとを有するチャンバー１０１を備えている。
【００５８】
第１の室１０１ａ内には、プラズマ発生源１０２に対してワークＷを対向させ、Ｘ軸方向およびＹ軸方向においてほぼ水平に把持する一対の把持部１０３ａ，１０４ａと、各把持部１０３ａ，１０４ａに連接して、ワークＷをＺ軸方向に移動させる２組の移動部１０３ｂ，１０４ｂとを備えている。移動部１０３ｂ，１０４ｂは、第１の室１０１ａの天井部１０１ｄから垂設されている。すなわち、各把持部１０３ａ，１０４ａと移動部１０３ｂ，１０４ｂとにより、ワークＷを保持する一対の保持部１０３，１０４を構成している。また、マスク１１０をワークＷとプラズマ発生源１０２との間にほぼ水平に支持するテーブル状の支持部１０５と、支持部１０５に設けられマスク１１０をＸ軸およびＹ軸によって規定される平面内おいて位置決めするための一対の駆動部１０６ａ，１０６ｂを備えている。なお、支持部１０５は、第１の室１０１ａの側壁に設けられているが、Ｚ軸方向に立設させてもよい。
【００５９】
第１の室１０１ａの天井部１０１ｄには、一対の透明な窓部１０７ａ，１０７ｂが設けられている。その上方には、これに対応して同じく一対の撮像部１０８ａ，１０８ｂが設けられている。これらの撮像部１０８ａ，１０８ｂは、窓部１０７ａ，１０７ｂを介して透明なワークＷを透過し、マスク１１０に設けられたアライメントマーク（図示省略）を観察可能な状態となっている。ワークＷが不透明な基材ならば、アライメントマークとしてワークＷに孔を穿っておき、この孔とマスク１１０のアライメントマークとを合わせる方法や、ワークＷとマスク１１０とを外形基準で位置を合わせる方法が挙げられる。
【００６０】
第２の室１０１ｂの内底部１０１ｃに設けられたプラズマ発生源１０２は、公知のプラズマ発生源を用いればよく、例えば、高周波プラズマやＤＣプラズマ等が挙げられる。
【００６１】
図５（ｂ）を参照して、プラズマ処理装置１００の動作について説明する。チャンバー１０１には、処理前のストッカー（図示省略）と処理後のストッカー（図示省略）とが連結されている。処理前のストッカーには、処理面を下方に向けて、複数のワークＷが収納されている。処理前のストッカーから搬出されたワークＷは、Ｙ軸方向に搬送されて把持部１０３ａ，１０４ａに把持される。ワークＷにもアライメントマークが形成されており、マスク１１０のアライメントマークとの相対的な位置関係を撮像部１０８ａ，１０８ｂにより観察して、ワークＷに対するマスク１１０の位置情報を入手する。該位置情報に基づいて、駆動部１０６ａ，１０６ｂを駆動することにより、ワークＷとマスク１１０とを位置合わせする。位置合わせが終了すると、移動部１０３ｂ，１０４ｂは、把持部１０３ａ，１０４ａを下降させ、ワークＷとマスク１１０とを密着させる。
【００６２】
チャンバー１０１は、真空ポンプなどの減圧手段に接続されており、プラズマを生成可能な状態に室内を減圧する。減圧下において、外部から処理ガスを所定の流量で第１の室１０１ａ内に導入すると共に、プラズマ発生源１０２を稼動させて、処理ガスをプラズマ化したプラズマガスを発生させる。プラズマガスにマスク１１０を介してワークＷを曝露することにより、マスキングされていないワークＷの処理面をプラズマ処理することができる。
【００６３】
ワークＷとマスク１１０との位置関係を変えてプラズマ処理する場合には、プラズマガスの生成を中断した後に、移動部１０３ｂ，１０４ｂを駆動して、ワークＷとマスク１１０との密着を解除する。この間に残留する処理ガスを排出する。次に、駆動部１０６ａ，１０６ｂを駆動して、所望の移動量でマスク１１０を移動させる。移動部１０３ｂ，１０４ｂを再び駆動して、ワークＷとマスク１１０とを密着させる。そして、処理ガスを導入してプラズマガスを生成し、プラズマ処理を行う。
【００６４】
このようにしてプラズマ処理されたワークＷは、処理後のストッカーに搬入される。ワークＷを第１の室１０１ａ内で搬送する手段は、アームを備えたロボットを採用することができる。あるいは、ワークＷの非処理面を吸着して搬送する方法を採用してもよい。
【００６５】
また、プラズマガスにワークＷを曝露する曝露時間を確実に制御するために、プラズマ発生源１０２を遮蔽するシャッターなどの手段を設けることが望ましい。
【００６６】
このようなプラズマ処理装置１００には、図示省略したが、第１の室１０１ａ内の減圧度を計測する真空計、ワークＷの温度を計測する温度センサー、処理ガスの流量を調整する調整弁、処理後の処理ガスを排出する排出機構などが設けられ、これらを含めて各部を制御する制御部を備えていることは言うまでもない。制御部は、上記曝露時間やプラズマガスを生成するプラズマパワーを制御して、適正にワークＷをプラズマ処理する動作を行わせる。
【００６７】
次に、マスク１１０の形態について説明する。図６（ａ）および（ｂ）は、マスクの形態を示す概略平面図である。
【００６８】
図６（ａ）に示すように、プラズマ処理装置１００にセットされるマスク１１０は、画素領域Ａ（図４（ｆ）参照）の平面視の形状とほぼ同一な複数の開口部１１０ａを有している。複数の開口部１１０ａは、マスク１１０のマスキング領域（図５（ａ）参照）において、同色の発光色が得られる画素領域Ａの配列に対応して設けられている。その配置は、Ｘ軸方向において画素領域Ａの配置ピッチＰｘの３倍、すなわち３Ｐｘにて配置されている。また、Ｙ軸方向において画素領域Ａの配置ピッチＰｙと同じ寸法で配置されている。この場合、開口部１１０ａの形状が矩形状であるが、これに限定されるものではない。少なくとも処理対象の画素領域Ａ以外の画素領域Ａをマスキングすることができればよく、画素領域Ａの大きさよりもやや大きい、あるいはやや小さいサイズとしてもよい。
【００６９】
図６（ａ）に示すような開口部１１０ａの配置によれば、画素領域Ａの形状や配置に対応してプラズマ処理を行うことができる。画素領域ＡのＸ軸方向およびＹ軸方向の配置が一定の配置ピッチＰｘ，Ｐｙでない変則的な場合には、プラズマ処理条件が異なる画素領域Ａの配置に対応して開口部１１０ａが形成された複数のマスク１１０を用意すればよい。
【００７０】
また、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の製造にあたって使用するマスク１１０は、図６（ａ）に示したものに限定されず、例えば、図６（ｂ）に示すように、開口部１２０ａが同色の画素領域Ａの配置に対応してＹ軸方向にストライプ状に開口したマスク１２０を用いてもよい。すなわち、開口部１２０ａのＸ軸方向の配置ピッチは、同様に３Ｐｘである。
【００７１】
このようなマスク１１０の材料としては、プラズマ処理装置１００において発生したプラズマを妨げるような強磁性を示すものは相応しくない。プラズマ発生源１０２によるプラズマの形成は、磁場によりコントロールされている。強磁性の材料を用いると、プラズマの形成状態に影響を及ぼす他に、開口部１１０ａにおけるプラズマガスに対する陽極３１の曝露状態にも影響を及ぼすおそれがある。したがって、常磁性の材料が好ましく、例えばシリコンなどの材料が挙げられる。シリコンを材料としたマスク基材を用いれば、湿式や乾式のエッチング方法により、高精度に開口部１１０ａを形成することが可能である。言い換えれば、画素領域Ａの形状や配置に対して容易に対応したマスク１１０を提供することができる。
【００７２】
上記マスク１１０または上記マスク１２０を用いれば、Ｘ軸方向にマスク１１０（１２０）を相対移動させて、１つのマスク１１０（１２０）で３種（３色）の画素領域Ａをそれぞれ異なるプラズマ処理条件でプラズマ処理することが可能である。
【００７３】
次に、プラズマ処理条件について説明する。図７は曝露時間およびプラズマパワーと仕事関数との関係を示すグラフ、図８は有機ＥＬ素子におけるエネルギーダイヤグラムを示す概略図である。
【００７４】
上記プラズマ処理装置１００を用い、ワークＷとして陽極３１が形成された素子基板１をプラズマパワーと曝露時間とを設定してプラズマ処理することにより、図７に示すような陽極３１の仕事関数（ｅｖ）のグラフが得られた。このときのプラズマ処理条件としては、プラズマパワーが５０Ｗと１００Ｗであり、プラズマ発生源１０２とマスク１１０との距離Ｌ（図５（ａ）参照）はおよそ１００ｍｍ、処理ガスである酸素ガスの流量は２４ｓｃｃｍである。
【００７５】
なお、陽極３１の仕事関数（ｅｖ）は、理研計器（株）製の光電子分光装置ＡＣ−２を用いて測定を行った。
【００７６】
ＩＴＯからなる陽極３１において、処理前の仕事関数（ｅｖ）は、およそ５．０５ｅｖであった。プラズマパワーが５０Ｗのとき、曝露時間が２分までは、仕事関数（ｅｖ）が５．７ｅｖまで上昇し、曝露時間を２分以上としても５．７ｅｖ以上とはならない。プラズマパワーが１００Ｗのとき、曝露時間が１分までは、仕事関数が５．８ｅｖ近くまで上昇し、曝露時間を１分以上かけてもそれ以上とはならない。言い換えれば、仕事関数（ｅｖ）が直線的に変化する範囲では、曝露時間を制御することによって、陽極３１の仕事関数（ｅｖ）を制御可能なことがわかる。あるいは、曝露時間を一定としてもプラズマパワーを制御すれば、陽極３１の仕事関数（ｅｖ）を制御可能なことがわかる。
【００７７】
図８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子１２におけるエネルギーダイヤグラムによれば、陽極側から注入されるホール（正孔）の注入量と陰極側から注入される電子の注入量とが適度にバランス（キャリアバランス）すると共に、ホールと電子とが結びつく再結合領域が、発光層と一致、もしくはその近傍に形成されることが望ましい。一方、発光層は、発光色ごとに選定された有機材料によって構成されるため、正孔注入層（ＨＩＬ）よりも低いイオン化ポテンシャル（ＨＯＭＯ）を有するとは限らない。このようなキャリアバランスと再結合領域の形成は、発光色ごとにホールの注入量と電子の注入量とを制御することにより達成される。
【００７８】
電子の注入量（電流量）を一定とすれば、キャリアバランスと再結合領域の形成はホールの注入量に依存する。ホールの注入量は、陽極３１の仕事関数と、正孔注入層（ＨＩＬ）の仕事関数すなわちＨＯＭＯレベルとに関連する。この場合、プラズマ処理前のＩＴＯからなる陽極３１の仕事関数は、およそ４．７〜５．１ｅｖである。陽極３１を形成した後に、異物や汚れを除去する洗浄工程などの表面処理を加えた場合には、当該表面処理によっても変動する。例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）をＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）とした場合には、ＨＯＭＯレベルが５．３ｅｖとなる。ＨＯＭＯレベルが陽極３１の仕事関数よりも高いので、陽極３１をプラズマ処理することにより、その表面における仕事関数を上昇させると、ホールは正孔注入層（ＨＩＬ）に対して移動し易くなる。言い換えれば、陽極３１と正孔注入層（ＨＩＬ）との間のエネルギー障壁のレベルを変えることができる。すなわち、陽極３１の仕事関数を制御することにより、ホールの注入量を制御して、発光色ごとの有機ＥＬ素子１２の発光特性を最適化することが可能である。
【００７９】
したがって、各機能層３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの実際の構成に対応して、図７に示した仕事関数のグラフに基づいて、適正な陽極３１の仕事関数となるように、発光色ごとにプラズマ処理条件（曝露時間またはプラズマパワー）を決定する。発光色ごとにプラズマ処理条件が異なる場合や少なくとも１色の発光色に対応した陽極３１のプラズマ処理条件が、他の発光色に比べて異なる場合が考えられる。
【００８０】
上記実施形態１の効果は、以下の通りである。
（１）有機ＥＬ素子１２の製造方法によれば、プラズマ処理工程において、陽極３１の表面における仕事関数が、発光色に応じて形成される機能層３２に適合するように、プラズマ処理条件（プラズマガスに対する曝露時間またはプラズマパワー）が設定されている。したがって、発光色に対応した有機ＥＬ素子１２ごとに、ホールと電子とが結びつく再結合領域が、発光層と一致もしくはその近傍となるように、また適度なキャリアバランスが得られるように、ホールの注入量が最適化される。すなわち、発光特性（輝度特性、発光寿命など）が改善された有機ＥＬ素子１２を製造することができる。
【００８１】
（２）プラズマ処理工程において用いられるマスク１１０は、同一発光色の画素領域Ａの形状および配置に対応した複数の開口部１１０ａを有している。したがって、開口部１１０ａを処理対象の画素領域Ａに対向配置すれば、他の発光色の画素領域Ａをマスクして、発光色ごとに陽極３１のプラズマ処理条件を異ならせることができる。また、１つのマスク１１０を用いて、すべての陽極３１のプラズマ処理が可能であると共に、３色の機能層３２を形成する機能層形成工程においても利用可能である。
【００８２】
（３）マスク１１０は、常磁性のシリコンからなるマスク基材を用いており、精度よく開口部１１０ａを形成可能であると共に、プラズマ処理装置１００においてプラズマガスに対するワークＷの曝露状態に影響を与えない。すなわち、処理対象の陽極３１を隈なくプラズマ処理することができる。
【００８３】
（４）有機ＥＬディスプレイ１０は、上記有機ＥＬ素子１２の製造方法を用いて製造された複数の有機ＥＬ素子１２を備えている。有機ＥＬ素子１２は、発光特性（輝度特性、発光寿命など）が改善されているため、優れた表示品質を有する有機ＥＬディスプレイ１０を提供することができる。
【００８４】
（実施形態２）
＜他の有機ＥＬ素子とその製造方法＞
次に、上記実施形態１のプラズマ処理方法を適用した、他の有機ＥＬ素子について説明する。図９は、実施形態２の有機ＥＬ素子の構造を示す概略図である。実施形態１と同じ構成の部分は、同じ符号を用いて説明する。
【００８５】
図９に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、回路部１１を有する素子基板１上に形成された画素電極としての陽極５１と、共通電極としての陰極５９と、これらの電極の間に形成された機能層５０とを有している。
【００８６】
陽極５１は透明なＩＴＯからなり、陰極５９は反射性を有するＡｌからなる。すなわち、機能層５０からの発光が素子基板１側から取り出されるボトムエミッション型である。この場合も、陽極５１と素子基板１との間に反射層を設け、陰極５９を透明な導電材料からなる電極とすれば、トップエミッション型の有機ＥＬ素子６０を構成可能である。
【００８７】
機能層５０は、ＣｕＰｃからなる正孔注入層５２と、α−ＮＰＤ（ジフェニルナフチルジアミン）からなる正孔輸送層５３と、Ａｌｑ３をホストとしてアシストドーパントであるルブレンと赤色ドーパントであるＤＣＭ２（ジアノメチレンピラン誘導体）とを含むＲｅｄ発光層５４と、ＢＨ２１５をホストとして青色ドーパントであるＢＤ１０２を含むＢｌｕｅ発光層５５と、ＢＨ２１５をホストとして緑色ドーパントであるＧＤ２０６を含むＧｒｅｅｎ発光層５６と、Ａｌｑ３からなる電子輸送層５７と、ＬｉＦからなる電子注入層５８とを備えている。本構成は、いわゆる「ドーパント法」に基づく３色の発光層を備え、白色発光を可能としている。ホストであるＢＨ２１５、ドーパントであるＢＤ１０２、ＧＤ２０６は、いずれも出光興産製の公知材料である。
【００８８】
このような有機ＥＬ素子６０の製造方法は、ＩＴＯをターゲットとしたスパッタリング法あるいはＩＴＯを蒸着源とした真空蒸着法によりＩＴＯ膜を成膜し、これをパターニングすることにより陽極５１を形成することができる（画素電極形成工程）。機能層５０は、これを構成する各層を真空蒸着法により陽極５１上に順次成膜して形成することができる（機能層形成工程）。また、陰極５９は、形成された機能層５０にダメージを与えないように、Ａｌを蒸着源として真空蒸着することにより形成することができる（共通電極形成工程）。機能層形成工程では、画素領域Ａごとの膜構成が同一なため、マスク１１０を用いなくてもよい。
【００８９】
このような有機ＥＬ素子６０を複数備えた素子基板１と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のカラーフィルタを備えた封止基板２とを封着層３５を介して接着すれば、フルカラー表示が可能な有機ＥＬディスプレイ１０を提供することができる（組立工程）。
【００９０】
図１０は、実施形態２の有機ＥＬ素子のエネルギーダイヤグラムである。図１０に示すように、有機ＥＬ素子６０のエネルギーダイヤグラムによれば、陰極５９からの電子の注入量が、Ｒｅｄ発光層５４、Ｂｌｕｅ発光層５５、Ｇｒｅｅｎ発光層５６で変わらないとした場合、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のカラーフィルタを介して発光バランスのよい発光色を得るには、Ｒｅｄ発光層５４、Ｂｌｕｅ発光層５５、Ｇｒｅｅｎ発光層５６の順にホールの注入量が増加するのが望ましい。
【００９１】
したがって、ＣｕＰｃからなる正孔注入層５２のＨＯＭＯレベルが５．３ｅｖであることから、Ｒのカラーフィルタに対応する陽極５１の仕事関数としては５．２〜５．３ｅｖ、Ｂのカラーフィルタに対応する陽極５１の仕事関数としては５．４〜５．５ｅｖ、Ｇのカラーフィルタに対応する陽極５１の仕事関数としては５．７〜５．８ｅｖに調整することが望ましい。
【００９２】
よって、図７の仕事関数のグラフに基づいて、陽極５１を形成した後のプラズマ処理工程におけるプラズマ処理条件は、次の通りとなる。例えば、プラズマパワーを１００Ｗとしたときには、発光色ごとの陽極５１のプラズマガスに対する曝露時間は、赤が１５〜２５秒、青が３０〜４５秒、緑が１分以上となる。プラズマ処理工程において、マスク１１０を用いてプラズマ処理条件を異ならせる点は、実施形態１と同様である。
【００９３】
上記実施形態２の効果は、以下の通りである。
（１）上記有機ＥＬ素子６０は、３色のカラーフィルタを介して得られる発光色に対応して、陽極５１のプラズマ処理条件が設定され、プラズマ処理されている。したがって、発光バランスのよい発光色が得られる。
【００９４】
（２）上記有機ＥＬ素子６０と３色のカラーフィルタとを有機ＥＬディスプレイ１０に備える構成とすれば、優れた表示品位を有するフルカラー表示が可能な有機ＥＬディスプレイ１０を提供することができる。
【００９５】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００９６】
（変形例１）上記実施形態１の有機ＥＬ素子１２において、機能層３２の形成方法は、低分子系の形成材料を用いて真空蒸着する方法に限定されない。例えば、高分子系の形成材料を含む分散液を画素領域Ａに液滴吐出法（インクジェット法）により、吐出して各層を形成してもよい。すなわち、機能層３２を湿式の形成方法を用いても、陽極３１のプラズマ処理方法を適用することができる。
【００９７】
正孔注入／輸送層の高分子系の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。この他にも、例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えばポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが挙げられる。
【００９８】
同じく、高分子系の有機発光層の形成材料としては、具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００９９】
（変形例２）上記実施形態１の有機ＥＬ素子１２の製造方法において、製造工程の順番は、これに限定されない。図１１は、変形例の有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャートである。例えば、図１１に示すように、１つの発光色に対応する画素電極のプラズマ処理が終了したら、続いて当該発光色に対応する機能層を形成する。すなわち、発光色の数に応じて、これをプラズマ処理工程と機能層形成工程とを繰り返す。これによれば、すべての画素電極をプラズマ処理してから、機能層をそれぞれ形成する場合に比べて、プラズマ処理後の経過時間を短縮して機能層を形成するので、経過時間による画素電極の仕事関数の変動を回避できる。すなわち、発光特性がより安定した有機ＥＬ素子１２を製造することができる。上記実施形態２の有機ＥＬ素子６０の製造方法においても同様である。
【０１００】
（変形例３）上記実施形態１の有機ＥＬ素子１２の製造方法において、プラズマ処理に用いる装置は、プラズマ処理装置１００に限定されない。例えば、大気圧プラズマ処理装置を用いても同様なプラズマ処理と、その効果が期待できる。
【０１０１】
（変形例４）上記実施形態１のプラズマ処理装置１００において用いられる処理ガスは、酸素に限定されない。例えば、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのいずれかのガス、またはこれらのガスから少なくとも２つ以上選ばれた混合ガスを用いても同様な仕事関数の調整が期待できる。
【０１０２】
（変形例５）実施形態２の有機ＥＬ素子６０において、機能層５０の構成は、これに限定されない。例えば、発光層をＲｅｄ発光層５４とＢｌｕｅ発光層５５の二層構成としても、白色発光させることが可能である。したがって、プラズマ処理工程では、発光層の構成とエネルギーダイヤグラムとを鑑みて処理条件を決定すればよい。
【０１０３】
（変形例６）上記実施形態１の有機ＥＬ素子１２および上記実施形態２の有機ＥＬ素子６０を用いる電気光学装置は、有機ＥＬディスプレイ１０に限定されない。例えば、感光ドラムを感光させる光プリンタヘッド、複数色の発光が可能な照明装置などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】有機ＥＬディスプレイを示す概略正面図。
【図２】有機ＥＬディスプレイの要部構造を示す概略断面図。
【図３】有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｇ）は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【図５】（ａ）および（ｂ）はプラズマ処理装置を示す概略図。
【図６】（ａ）および（ｂ）はマスクの形態を示す概略平面図。
【図７】曝露時間およびプラズマパワーと仕事関数との関係を示すグラフ。
【図８】有機ＥＬ素子におけるエネルギーダイヤグラムを示す概略図。
【図９】実施形態２の有機ＥＬ素子の構造を示す概略図。
【図１０】実施形態２の有機ＥＬ素子のエネルギーダイヤグラム。
【図１１】変形例の有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【０１０５】
１…基板としての素子基板、１０…有機ＥＬディスプレイ、１２，６０…有機ＥＬ素子、３１，５１…画素電極としての陽極、３２，５０…機能層、３４，５９…共通電極としての陰極、５４…発光層としてのＲｅｄ発光層、５５…発光層としてのＢｌｕｅ発光層、５６…発光層としてのＧｒｅｅｎ発光層、１１０，１２０…マスク、１１０ａ，１２０ａ…開口部、Ａ…画素領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記複数の画素電極をプラズマガスに曝すプラズマ処理工程と、
プラズマ処理が施された前記複数の画素電極上に発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、
前記機能層を覆うように共通電極を形成する共通電極形成工程と、を備え、
前記プラズマ処理工程では、前記複数の画素電極のうち、少なくとも１色の発光色に対応する画素電極に対して他の画素電極をマスクしてプラズマガスに曝すことにより、当該画素電極のプラズマ処理条件が前記他の画素電極に対して異なるようにプラズマ処理する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理条件が前記プラズマガスに対する曝露時間、またはプラズマパワーであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記機能層が形成される前記画素電極の表面層がＩＴＯ膜からなり、前記プラズマガスが酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのいずれかのガス、またはこれらのガスから少なくとも２つ以上選ばれた混合ガスであることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
ホールと電子とが結びつく再結合領域が、前記発光層と一致もしくはその近傍となるように、各画素電極の前記プラズマ処理条件を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記プラズマ処理工程では、常磁性の前記マスクを用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記マスクがシリコンからなることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
前記プラズマ処理工程では、発光色ごとに用意した前記マスクを用いることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
前記基板上に同一形状の画素領域がマトリクス状に配置され、
前記プラズマ処理工程では、同一発光色の前記画素領域の配置に対応した開口部を有するマスクを、処理対象の前記画素電極を有する前記画素領域に前記開口部が対向するように配置して、当該画素電極をプラズマ処理し、当該画素電極以外の他の画素電極をプラズマ処理する際には、前記マスクを相対移動させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項９】
前記機能層形成工程では、前記画素電極ごとに発光色に対応した前記機能層を個別に形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記機能層形成工程では、前記画素電極ごとに複数色の発光が可能な複数種の前記発光層を含む前記機能層を形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の画素電極をすべてプラズマ処理した後に、前記機能層を形成することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１２】
発光色に対応した前記画素電極をプラズマ処理した後に、当該画素電極以外の他の画素電極をマスクした状態のままで当該画素電極上に前記機能層を形成することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造された複数の有機ＥＬ素子を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項１】
基板上に複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記複数の画素電極をプラズマガスに曝すプラズマ処理工程と、
プラズマ処理が施された前記複数の画素電極上に発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、
前記機能層を覆うように共通電極を形成する共通電極形成工程と、を備え、
前記プラズマ処理工程では、前記複数の画素電極のうち、少なくとも１色の発光色に対応する画素電極に対して他の画素電極をマスクしてプラズマガスに曝すことにより、当該画素電極のプラズマ処理条件が前記他の画素電極に対して異なるようにプラズマ処理する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理条件が前記プラズマガスに対する曝露時間、またはプラズマパワーであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記機能層が形成される前記画素電極の表面層がＩＴＯ膜からなり、前記プラズマガスが酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンのいずれかのガス、またはこれらのガスから少なくとも２つ以上選ばれた混合ガスであることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
ホールと電子とが結びつく再結合領域が、前記発光層と一致もしくはその近傍となるように、各画素電極の前記プラズマ処理条件を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記プラズマ処理工程では、常磁性の前記マスクを用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記マスクがシリコンからなることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
前記プラズマ処理工程では、発光色ごとに用意した前記マスクを用いることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
前記基板上に同一形状の画素領域がマトリクス状に配置され、
前記プラズマ処理工程では、同一発光色の前記画素領域の配置に対応した開口部を有するマスクを、処理対象の前記画素電極を有する前記画素領域に前記開口部が対向するように配置して、当該画素電極をプラズマ処理し、当該画素電極以外の他の画素電極をプラズマ処理する際には、前記マスクを相対移動させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項９】
前記機能層形成工程では、前記画素電極ごとに発光色に対応した前記機能層を個別に形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記機能層形成工程では、前記画素電極ごとに複数色の発光が可能な複数種の前記発光層を含む前記機能層を形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の画素電極をすべてプラズマ処理した後に、前記機能層を形成することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１２】
発光色に対応した前記画素電極をプラズマ処理した後に、当該画素電極以外の他の画素電極をマスクした状態のままで当該画素電極上に前記機能層を形成することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造された複数の有機ＥＬ素子を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００９−１９３７５３（Ｐ２００９−１９３７５３Ａ）
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３１４２４（Ｐ２００８−３１４２４）
【出願日】平成２０年２月１３日（２００８．２．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１３日（２００８．２．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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