有機ＥＬ装置、その製造方法およびこれを備える電子機器
【課題】封止性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生
を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置１は、基板１０上に形成された複数の有機ＥＬ素子１２と、基
板１０上に形成され複数の有機ＥＬ素子１２を区分する絶縁性の隔壁１４と、複数の有機
ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆う絶縁性の封止膜とを備える。隔壁１４で区分された有
機ＥＬ素子１２の区域では、対向電極２０と封止膜（第１の封止膜３０）の厚さと残留応
力の積の合計である累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４に重なる区域では、対向電
極２０と封止膜（第１の封止膜３０と第２の封止膜３２）の累積残留応力が圧縮である。
を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置１は、基板１０上に形成された複数の有機ＥＬ素子１２と、基
板１０上に形成され複数の有機ＥＬ素子１２を区分する絶縁性の隔壁１４と、複数の有機
ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆う絶縁性の封止膜とを備える。隔壁１４で区分された有
機ＥＬ素子１２の区域では、対向電極２０と封止膜（第１の封止膜３０）の厚さと残留応
力の積の合計である累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４に重なる区域では、対向電
極２０と封止膜（第１の封止膜３０と第２の封止膜３２）の累積残留応力が圧縮である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止膜を有する有機ＥＬ装置、その製造方法およびこれを備える電子機器に
関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の一種として、画素電極と対向電極の間に介在し電界により励起して発光する
有機発光層を有する有機ＥＬ（electro-luminescent）素子がある。有機ＥＬ素子を備え
る装置の製造工程では、外気や水分等により有機発光材料およびカルシウム、マグネシウ
ム、アルミニウム錯体などの電子注入層が劣化するのを防ぐために封止が行われる。この
封止の技術として、極薄の無機化合物膜で有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止技術が知られてい
る（特許文献１〜４）。薄膜封止はベタ封止とも呼ばれる。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いた発光パネルまたは画像表示パネルでは、隔壁（セパレータ）が用
いられることが多い（例えば特許文献５）。隔壁は各有機ＥＬ素子の画素電極を画定する
ことにより複数の有機ＥＬ素子を区分する。隔壁の役割としては、各画素電極の区画のほ
か、画素電極と対向電極の短絡の防止がある。低分子有機ＥＬパネルでは、発光色に応じ
て有機発光層を塗り分ける場合には、隔壁は発光層を区画する機能も有し、パッシブマト
リクス駆動の場合には、隔壁は対向電極を区画する機能も有する。高分子有機ＥＬパネル
では、有機発光層の材料となる液体を貯留する堤防として隔壁は機能する。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１８５９９４号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４０４１号公報
【特許文献３】特開２０００−２２３２６４号公報
【特許文献４】特開２００３−１７２４４号公報
【特許文献５】特開平１０−６９１４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬパネルに薄膜封止技術を応用する場合には、封止膜にクラックなどの欠陥が生
じて、封止性能が低下しないことが望ましい。また、封止膜の歪みの方向および大きさに
よっては、対向電極または有機発光層などが変位し、対向電極と画素電極の間に介在する
層、例えば有機発光層がその上下の層から剥離するおそれがある。このような剥離が一部
でも発生すると、その部分は電流が流れないために発光せず、ダークスポットが生じてし
まう。特に、隔壁を有する有機ＥＬパネルに薄膜封止技術を応用する場合には、隔壁と封
止膜の熱膨張係数の相違のため、温度の上下によって封止膜に生ずる歪みが大きいと予測
され、ダークスポットが発生する可能性が高い。
【０００６】
そこで、本発明は、封止性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークス
ポットの発生を抑制することが可能な有機ＥＬ装置、その製造方法およびこれを備える電
子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子と
、前記基板上に形成され前記複数の有機ＥＬ素子を区分する絶縁性の隔壁と、前記複数の
有機ＥＬ素子および前記隔壁を覆う絶縁性の封止膜とを備え、前記有機ＥＬ素子の各々は
、前記基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された発光層と、前記発光
層上に形成された対向電極とを有する。前記隔壁で区分された前記有機ＥＬ素子の区域で
は、前記封止膜の残留応力が引っ張りであって、前記対向電極と前記封止膜の厚さと残留
応力の積の合計である累積残留応力が引っ張りであり、前記隔壁に重なる区域では、前記
封止膜の累積残留応力が圧縮である。
【０００８】
本発明によれば、隔壁で区分された有機ＥＬ素子の区域では、封止膜の残留応力が引っ
張りであって、対向電極と封止膜の累積残留応力（対向電極の厚さと残留応力の積と、封
止膜の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りである。つまり、隔壁で区分された有機Ｅ
Ｌ素子の区域では、発光層上で封止膜には自らを伸張しようとする応力が残留し、対向電
極には伸張させようとする応力が加わっている。有機ＥＬ素子の区域で対向電極と封止膜
での累積残留応力が圧縮の場合には、その区域で対向電極が縮む方向に歪むので対向電極
と画素電極の間に介在する層、例えば有機発光層をその上下の層から引き剥がす方向に働
く応力が発生するが、本発明のように、有機ＥＬ素子の区域で対向電極と封止膜での累積
残留応力が引っ張りの場合には、その区域では逆に対向電極と画素電極の間に介在する層
をその上下の層に密着させる方向に働く応力が発生する。従って、隔壁で区分された有機
ＥＬ素子の区域で、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制
することが可能である。
【０００９】
また、封止性能を高めるには、一般には封止膜の残留応力が圧縮である方が、密度が高
く水または空気の浸透をより抑制できて有利と考えられがちであるが、密度が高い場合に
は脆性クラックが生じやすくなる。これに対して、本発明では、隔壁で区分された有機Ｅ
Ｌ素子の区域で、封止膜の残留応力が引っ張りなので、脆性クラックが生じがたく封止性
能を却って高めることができる。
他方、本発明では、隔壁に重なる区域では、封止膜の累積残留応力が圧縮である。つま
り、ここでは封止膜自体が隔壁に向けて縮み、封止膜と隔壁の間に何らかの層（装置の種
類によっては対向電極および発光機能層またはこれらのいずれか）がある場合、その層を
隔壁に向けて押し付けるように作用する。従って、隔壁に重なる区域で、層同士の密着性
を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制することが可能である。
【００１０】
好ましくは、前記封止膜は、前記複数の有機ＥＬ素子および隔壁を覆う第１の封止膜と
、前記隔壁に重なる区域にて前記第１の封止膜上に形成された第２の封止膜を有しており
、前記第１の封止膜の残留応力が引っ張りであって、前記第２の封止膜の残留応力が圧縮
である。隔壁に重なる区域で、圧縮応力が残留する第２の封止膜を形成することにより、
本発明に係る有機ＥＬ装置の構成を簡単に実現することができる。また、隔壁に重なる区
域で、第１の封止膜が対向電極から剥離しようとすることを圧縮応力が残留している第２
の封止膜が抑制する。
【００１１】
前記隔壁は格子状に形成され、前記複数の有機ＥＬ素子は前記格子状の隔壁に区分され
てマトリクス状に配置され、少なくとも前記隔壁の格子のコーナーの部分に重なる区域で
は前記第２の封止膜に切れ目がないと好ましい。格子状の隔壁のコーナーの部分で圧縮性
の第２の封止膜に切れ目がないことにより、第２の封止膜が第１の封止膜と対向電極を隔
壁に向けて効率的に押し付けることができる。従って、引っ張り応力が残留している第１
の封止膜によって層同士の密着性が阻害されるのを抑制することができる。
【００１２】
このような概略的に二層の封止膜を有する有機ＥＬ装置を製造する好適な方法は、前記
基板上に前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を形成する工程と、前記複数の有機ＥＬ
素子および前記隔壁を覆うように前記第１の封止膜を形成する工程と、前記隔壁で区分さ
れた前記複数の有機ＥＬ素子の区域にそれぞれ重なる複数のマスクと、前記複数のマスク
を連結する連結部とを有するマスクアセンブリを、前記マスクが前記有機ＥＬ素子の区域
に重なるとともに前記連結部が前記隔壁に部分的に重なるように配置する工程と、前記第
２の封止膜に圧縮応力が残留するように、前記マスクアセンブリおよび前記隔壁上に前記
第２の封止膜を堆積させる工程と、前記マスクアセンブリを取り除く工程を備える。
マスクアセンブリは、複数のマスクと、複数のマスクを連結する連結部すなわち橋とを
有しており、この製造方法では、複数のマスクが隔壁で区分された複数の有機ＥＬ素子の
区域にそれぞれ重なって、連結部が隔壁に部分的に重なるようにマスクアセンブリが配置
される。従って、複数の有機ＥＬ素子の区域にマスクを簡単に一括して重ねることができ
、有機ＥＬ素子の区域を避けて隔壁に重なる区域に第２の封止膜を簡単に形成することが
できる。
【００１３】
さらに、前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を形成する工程では、前記複数の有機
ＥＬ素子をマトリクス状に形成し、前記マスクアセンブリを配置する工程では、前記連結
部が前記有機ＥＬ素子のマトリクスの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子同士の間の部分に
重なることを避けて、前記有機ＥＬ素子のマトリクスの行方向および列方向の少なくとも
いずれかで隣り合う有機ＥＬ素子同士の間の部分に重なるように前記連結部を配置すると
好ましい。
複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配列された構造では、隔壁は格子状に形成される
。マトリクスの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子同士の間の部分、つまり格子のコーナー
の部分で第１の封止膜と対向電極を隔壁に向けて押し付けることは、引っ張り応力が残留
している第１の封止膜によって層同士の密着性が阻害されるのを抑制するために効果があ
る。マスクアセンブリの連結部をマトリクスの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子同士の間
の部分を避けて配置することにより、格子状の隔壁のコーナーの部分では圧縮性の第２の
封止膜に切れ目がなくなるので、第２の封止膜は第１の封止膜と対向電極を隔壁に向けて
効率的に押し付けることができる。
【００１４】
本発明に係る電子機器は、上述した有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。このよう
な電子機器として、有機ＥＬ装置を表示装置に適用したパーソナルコンピュータ、携帯電
話機、および携帯情報端末などが該当し、また、有機ＥＬ装置を露光ヘッドに用いた電子
写真方式のプリンタや複写器が該当する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る様々な実施の形態を説明する。図面にお
いては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１を示す断面図であり、図２は
有機ＥＬ装置１の平面図である。
【００１６】
有機ＥＬ装置１は、基板１０と基板１０上に形成された複数の有機ＥＬ素子１２を備え
る。基板１０には、有機ＥＬ素子１２に給電して発光させるための配線が配置されている
が、配線の図示は省略する。図示しないが、有機ＥＬ素子１２に給電するための回路を基
板１０に配置してもよい。
【００１７】
基板１０には隔壁（セパレータ）１４が形成されている。隔壁１４は、絶縁性の透明材
料、例えばアクリル、ポリイミドなどにより形成されている。図２に示すように、隔壁１
４は、複数の縦壁１４ａと複数の横壁１４ｂを有しており、縦壁１４ａと横壁１４ｂは交
叉点すなわちコーナー部１４ｃで互いに交叉し格子を構成する。後述するように、複数の
有機ＥＬ素子１２は格子状の隔壁１４に区分されてマトリクス状に配置されている。
【００１８】
図１に示すように、有機ＥＬ素子１２の各々は、画素電極１６、発光機能層１８および
対向電極２０を有する。画素電極１６は陽極であり、基板１０上に形成され隔壁１４で包
囲されている。発光機能層１８は、少なくとも発光層を含み、発光層は正孔と電子が結合
して発光する有機ＥＬ物質から形成されている。この実施の形態では、有機ＥＬ物質は低
分子材料であって、白色光を発する。発光機能層１８を構成する他の層として、電子ブロ
ック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層および正孔ブロック層の一部
または全部を備えていてもよい。発光機能層１８は、隔壁１４で画定された複数の画素電
極１６および隔壁１４に重なって接触している。従って、発光機能層１８は複数の有機Ｅ
Ｌ素子１２に共通である。対向電極２０は陰極であり、発光機能層１８の全面に接触して
いる。つまり、対向電極２０は、複数の有機ＥＬ素子１２に共通するように、隔壁１４で
画定された複数の画素電極１６の区域および隔壁１４上に広がっている。
【００１９】
発光機能層１８および対向電極２０は複数の有機ＥＬ素子１２に共通であるが、個々の
画素電極１６は他の画素電極１６から離れているため、個々の画素電極１６と対向電極２
０の間で電流が流れたときには、その画素電極１６に重なった位置でのみ発光機能層１８
が発光する。従って、隔壁１４は複数の有機ＥＬ素子１２を区分し、隔壁１４で包囲され
た部分つまり画素電極１６の部分を有機ＥＬ素子１２の区域と呼ぶことができる。
【００２０】
この実施の形態の有機ＥＬ装置１では、画素電極１６は、仕事関数が大きく反射率の高
い金属材料、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれらの合金から形成され、対向電極
２０はＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ
２のような透明酸化物導電材料から形成されている。従って、発光層からの光は、対向電
極２０を透過して外部に放出される。すなわち有機ＥＬ装置１は、基板１０の反対側に光
を放出するトップエミッションタイプである。
【００２１】
対向電極２０上には、無機化合物から形成された封止膜が配置されている。図１に示す
ように、封止膜は、対向電極２０の全面に接触して、複数の有機ＥＬ素子１２および隔壁
１４を覆う第１の封止膜３０と、隔壁１４に重なる区域にて第１の封止膜３０上に形成さ
れた第２の封止膜３２を有する。第１の封止膜３０および第２の封止膜３２は、窒化珪素
や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成されている。これらの窒化珪素や
酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、結晶材料であってもよいし、水素を含んで
いてもよい。
【００２２】
図２において、太線で囲まれ多数のドットが付された部分が第２の封止膜３２である。
このように第２の封止膜３２は、隔壁１４のコーナー部１４ｃに重なる複数の区域に配置
され、有機ＥＬ素子１２に重なる区域には配置されない。隔壁１４の縦壁１４ａおよび横
壁１４ｂに重なる区域には、第２の封止膜３２は部分的に重なるが、これらの区域では、
部分的に第２の封止膜３２の切れ目があり、第１の封止膜３０がその切れ目で露出する。
但し、隔壁１４のコーナー部１４ｃに重なる区域では第２の封止膜３２には切れ目がない
。
【００２３】
図示しないが、第２の封止膜３２および第１の封止膜３０を覆うように他の層を設ける
ことも可能である。例えば、これらを覆うように有機材料から形成された平坦化層を設け
、その平坦化層の凹凸の少ない表面にさらに封止層を形成してもよい。また、発光機能層
１８の発光層は白色光を発するので、この有機ＥＬ装置１をカラー画像表示装置として使
用する場合、図示しないがカラーフィルタが有機ＥＬ装置１の図１中の上方に配置される
。
【００２４】
この実施の形態では、対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力（対向電極２０
の厚さと残留応力の積と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りで
あるのに対して、対向電極２０と第１の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力（
対向電極２０の厚さと残留応力の積と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積と、第２
の封止膜３２の厚さと残留応力の積の合計）は圧縮である。従って、隔壁１４で区分され
た有機ＥＬ素子１２の区域（画素電極１６の区域）では、対向電極２０と封止膜の厚さと
残留応力の積の合計である累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４、特にコーナー部１
４ｃに重なる区域では、対向電極２０と封止膜の累積残留応力が圧縮である。
【００２５】
対向電極２０の材料である透明酸化物導電材料には、一般に圧縮応力が残留するため、
第１の封止膜３０は、引っ張り応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１の
封止膜３０の累積残留応力は、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好ましい。例えば、対向
電極２０の残留応力がゼロの場合には、２００ＭＰａの引っ張り応力が残留する厚さ２０
０ｎｍの第１の封止膜３０を形成すれば、対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応
力は４０００Ｐａ・ｃｍになる。
【００２６】
また、第２の封止膜３２は圧縮応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１
の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力は、１０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好
ましく、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると後述する効果が安定的に得られてさらに好まし
い。
【００２７】
このように残留応力を制御することが可能な封止膜の製造方法としては、例えば、ＣＶ
Ｄ（chemical vapor deposition）等の気相成長法、スパッタリング、またはイオンプ
レーティングといった膜を堆積させる公知の技術がある。これらの成膜方法で、圧力、成
膜速度、基板温度などの条件を制御することによって、残留応力を制御することが可能で
ある。これらの条件と実現される残留応力の関係は、成膜装置に依存する。実際の成膜装
置で温度を制御する場合には、（１）基板を加熱しながら膜成分を堆積させる工程と、（
２）加熱および堆積を中断する工程と、（３）堆積を行わないで基板を自然に冷却する工
程を繰り返す。これにより、一つの膜の完成まで所定の温度範囲に基板を維持する。封止
膜は概略的に二層（第１の封止膜３０と第２の封止膜３２）であるが、このような工程の
繰り返しのため、第１の封止膜３０および第２の封止膜３２の各々は、樹木の年輪のよう
な多層構造を有することになり、破断した場合には、観察によってその多層構造が確認で
きる。
【００２８】
この実施の形態によれば、隔壁１４で区分された有機ＥＬ素子１２の区域では、封止膜
の残留応力が引っ張りであって、対向電極２０と封止膜の累積残留応力が引っ張りである
。つまり、隔壁１４で区分された有機ＥＬ素子１２の区域では、発光機能層１８上で封止
膜（ここでは第１の封止膜３０）には自らを伸張しようとする応力が残留し、対向電極２
０には伸張させようとする応力が加わっている。有機ＥＬ素子１２の区域で対向電極２０
と封止膜での累積残留応力が圧縮の場合には、その区域で対向電極２０が縮む方向に歪む
ので対向電極２０と画素電極１６の間に介在する層、例えば有機発光層をその上下の層か
ら引き剥がす方向に働く応力が発生する。有機発光層は、他の層に比べて、他の層との密
着性に劣るために、引き剥がす方向に働く応力によって実際に剥離するおそれがある。し
かし、この実施の形態のように、有機ＥＬ素子１２の区域で対向電極２０と封止膜での累
積残留応力が引っ張りの場合には、その区域では逆に対向電極２０と画素電極１６の間に
介在する層をその上下の層に密着させる方向に働く応力が発生する。従って、隔壁１４で
区分された有機ＥＬ素子１２の区域で、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークス
ポットの発生を抑制することが可能である。
【００２９】
また、封止性能を高めるには、一般には封止膜の残留応力が圧縮である方が、密度が高
く水または空気の浸透をより抑制できて有利と考えられがちであるが、密度が高い場合に
は脆性クラックが生じやすくなる。これに対して、この実施の形態では、隔壁１４で区分
された有機ＥＬ素子１２の区域で、封止膜（ここでは第１の封止膜３０）の残留応力が引
っ張りなので、脆性クラックが生じがたい。さらには、有機ＥＬ素子１２の区域だけでな
く隔壁１４上でも、第１の封止膜３０の累積残留応力が引っ張りであり、脆性クラックが
生じがたく封止性能を却って高めることができる。
【００３０】
他方、この実施の形態では、隔壁１４に重なる区域では、対向電極２０と封止膜の累積
残留応力が圧縮である。つまり、ここでは封止膜は、自らの残留応力によって隔壁１４に
向けて押し付けられ、さらに封止膜と隔壁１４の間にある層（対向電極２０および発光機
能層１８）を隔壁１４に向けて押し付けるように作用する。従って、他の層との密着性に
劣る有機発光層が隔壁１４上に配置されているにもかかわらず、隔壁１４に重なる区域で
、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制することが可能で
ある。
【００３１】
この実施の形態では、封止膜を広大で引っ張り性の第１の封止膜３０と、隔壁１４に重
なる局部的な圧縮性の第２の封止膜３２から形成することによって、封止層と対向電極２
０からなる層の残留応力が上記のように分布することを簡単に実現している。
【００３２】
隔壁１４に重なる区域で、第１の封止膜３０が対向電極２０から剥離しようとすること
を圧縮応力が残留している第２の封止膜３２が抑制する。特に、上述の通り、格子状の隔
壁１４のコーナー部１４ｃに重なる区域では第２の封止膜３２には切れ目がない。これに
より、第２の封止膜３２が第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１４に向けて効率的に
押し付けることができる。従って、引っ張り応力が残留している第１の封止膜３０によっ
て層同士の密着性が阻害されるのを抑制することができる。
【００３３】
次に、このような概略的に二層の封止膜を有する有機ＥＬ装置を製造する方法を説明す
る。まず、公知の手法で基板１０上に複数の画素電極１６をマトリクス状に形成する。次
に隔壁１４を格子状に形成する。例えば隔壁１４の材料となるアクリルまたはポリイミド
に感光性材料を混合して、フォトリソグラフィーの手法で露光により隔壁１４をパターニ
ングすることができる。さらに、隔壁１４および画素電極１６を覆うように発光機能層１
８を蒸着などの公知の手法で堆積させて、発光機能層１８の全体を覆う対向電極２０を形
成する。このようにして、有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を形成する。
【００３４】
この後、複数の有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆うように第１の封止膜３０を形成
する。上述したように、第１の封止膜３０は、残留応力を制御することが可能な封止膜の
製造技術によって、引っ張り応力が残留するように形成される。
【００３５】
さらに、図３および図４に示すように、マスクアセンブリ４０を第１の封止膜３０上に
配置する。図４において、多数のドットが付された部分が、第１の封止膜３０のうちマス
クアセンブリ４０で覆われずに露出する部分である。マスクアセンブリ４０は、マトリク
ス状に配置された複数のマスク４２と、縦と横に（マトリクスの行方向および列方向）に
隣り合うマスク４２を連結する多数の連結部４４を有する。マスク４２と連結部４４は、
同一材料から一体に形成してもよいし、別の材料から別個に形成して接合してもよい。複
数のマスク４２は、隔壁１４で区分された複数の有機ＥＬ素子１２の区域（画素電極１６
の区域）にそれぞれ重なるようにマトリクス状に配置されており、個々のマスク４２は、
隔壁１４の縦壁１４ａと横壁１４ｂに支持される。
【００３６】
マスクアセンブリ４０を第１の封止膜３０上に配置する時、マスクアセンブリ４０の連
結部４４すなわち橋は、隔壁１４に部分的に重ねられる。具体的には、マスクアセンブリ
４０を配置する工程では、連結部４４が有機ＥＬ素子１２のマトリクスの斜め方向に隣り
合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分で隔壁１４のコーナー部１４ｃに重なることを避け
て、有機ＥＬ素子１２のマトリクスの行方向および列方向で隣り合う有機ＥＬ素子１２同
士の間の部分で隔壁１４の縦壁１４ａと横壁１４ｂに重なるように連結部４４を配置する
。
【００３７】
この後、マスクアセンブリ４０および第１の封止膜３０上に全体的に第２の封止膜３２
を堆積させる。上述したように、第２の封止膜３２は、残留応力を制御することが可能な
封止膜の製造技術によって、圧縮応力が残留するように形成される。この後、マスクアセ
ンブリ４０を取り除く。これによって、マスクアセンブリ４０上に堆積した第２の封止膜
３２は、マスクアセンブリ４０と共に取り除かれ、図４のドットが付された第１の封止膜
３０上に堆積した第２の封止膜３２がマトリクス状に残される。格子状の隔壁１４のコー
ナー部１４ｃに重なる区域では第２の封止膜３２には切れ目が生じない。このようにして
図１および図２に示す構造の有機ＥＬ装置１が製造される。
【００３８】
この製造方法では、複数のマスク４２が隔壁１４で区分された複数の有機ＥＬ素子１２
の区域にそれぞれ重なって、連結部４４が隔壁１４に部分的に重なるようにマスクアセン
ブリ４０が配置される。従って、複数の有機ＥＬ素子１２の区域にマスク４２を簡単に一
括して重ねることができ、有機ＥＬ素子１２の区域を避けて隔壁１４に重なる区域に第２
の封止膜３２を簡単に形成することができる。マスクアセンブリ４０の連結部４４をマト
リクスの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分を避けて配置することによ
り、格子状の隔壁１４のコーナー部１４ｃ上で圧縮性の第２の封止膜３２に切れ目がなく
なるので、第２の封止膜３２は第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１４に向けて効率
的に押し付けることができる。
【００３９】
上述したマスクアセンブリ４０は、すべての有機ＥＬ素子１２の区域を覆うが、第２の
封止膜３２の形成のために、図５に示すように複数の細片状のマスクアセンブリ４０Ａを
使用してもよい。図５において、多数のドットが付された部分が、第１の封止膜３０のう
ちマスクアセンブリ４０Ａで覆われずに露出する部分である。マスクアセンブリ４０Ａの
各々は、直線状（図では縦方向）に配列された複数のマスク４２と、縦に隣り合うマスク
４２を連結する複数の連結部４４すなわち橋を有する。マスク４２と連結部４４は、同一
材料から一体に形成してもよいし、別の材料から別個に形成して接合してもよい。複数の
マスク４２は、隔壁１４で区分された複数の有機ＥＬ素子１２の区域（画素電極１６の区
域）にそれぞれ重なるようにマトリクス状に配置されており、個々のマスク４２は、隔壁
１４の横壁１４ｂ（隣り合う画素電極１６ひいては有機ＥＬ素子１２の区域の短辺同士の
間）に支持される。一つのマスクアセンブリ４０Ａに属する複数のマスク４２は、図の縦
方向上の一列にある複数の有機ＥＬ素子１２の区域を覆う。
【００４０】
これらのマスクアセンブリ４０Ａを第１の封止膜３０上に配置する時、マスクアセンブ
リ４０Ａの連結部４４すなわち橋は、隔壁１４に部分的に重ねられる。具体的には、マス
クアセンブリ４０Ａを配置する工程では、連結部４４が有機ＥＬ素子１２のマトリクスの
斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分および行方向（横方向）に隣り合う
有機ＥＬ素子１２同士の間の部分で隔壁１４のコーナー部１４ｃおよび縦壁１４ａに重な
ることを避けて、有機ＥＬ素子１２のマトリクスの列方向（縦方向）で隣り合う有機ＥＬ
素子１２同士の間の部分で隔壁１４の横壁１４ｂに重なるように連結部４４を配置する。
【００４１】
この後、マスクアセンブリ４０Ａおよび第１の封止膜３０上に全体的に第２の封止膜３
２を堆積させる。上述したように、第２の封止膜３２は、残留応力を制御することが可能
な封止膜の製造技術によって、圧縮応力が残留するように形成される。この後、マスクア
センブリ４０Ａを取り除く。これによって、マスクアセンブリ４０Ａ上に堆積した第２の
封止膜３２は、マスクアセンブリ４０Ａと共に取り除かれ、図５のドットが付された第１
の封止膜３０上に堆積した第２の封止膜３２が細片状に残される。このようにして図６に
示す構造の有機ＥＬ装置１が製造される。図６において、太線で囲まれ多数のドットが付
された部分が細片状に残された第２の封止膜３２である。格子状の隔壁１４のコーナー部
１４ｃに重なる区域だけでなく縦壁１４ａに重なる区域でも、第２の封止膜３２には切れ
目が生じない。マスクアセンブリ４０Ａの連結部４４をマトリクスの斜め方向と横方向に
隣り合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分を避けて配置することにより、格子状の隔壁１
４のコーナー部１４ｃおよび縦壁１４ａ上で圧縮性の第２の封止膜３２に切れ目がなくな
るので、第２の封止膜３２は第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１４に向けて効率的
に押し付けることができる。
【００４２】
第２の封止膜３２で第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１４に向けて押し付けるた
めには、第２の封止膜３２には可能な限り切れ目がないことが望ましく、従って連結部４
４は少ない方が好ましい。同様の観点からいって、格子状の隔壁１４のコーナー部１４ｃ
に重なる区域には、第２の封止膜３２に切れ目がないことが最も好ましいので、マトリク
スの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分には連結部４４を配置しないこ
とが最も好ましい。
【００４３】
コーナー部１４ｃの次に第２の封止膜３２に切れ目がないことが好ましい位置は、格子
状の隔壁１４の縦壁１４ａに重なる区域である。縦壁１４ａは、画素電極１６ひいては有
機ＥＬ素子１２の区域の長辺を画定するので、縦壁１４ａ上で第２の封止膜３２に切れ目
がなければ、より効果的に第２の封止膜３２で第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１
４に向けて押し付けることができるからである。従って、図５に示す例のマスクアセンブ
リ４０Ａは、隔壁１４のコーナー部１４ｃおよび縦壁１４ａに連結部４４が重なることが
避けられるので、図４に示す例のマスクアセンブリ４０よりも好ましいといえる。
【００４４】
マスクアセンブリにおける連結部４４すなわち橋の位置は、図４および図５の例に限ら
れず、連結部４４を隔壁１４の縦壁１４ａ（隣り合う画素電極１６ひいては有機ＥＬ素子
１２の区域の長辺同士の間）で支持するように、マスクアセンブリの各々が、横方向に配
列された複数のマスク４２と、横に隣り合うマスク４２を連結する複数の連結部４４を有
するように変更してもよい。但し、このような変更例の配置では、格子状の隔壁１４のコ
ーナー部１４ｃに重なる区域では第２の封止膜３２に切れ目がなくなるが、格子状の隔壁
１４の縦壁１４ａに重なる区域に連結部４４の痕跡として第２の封止膜３２の切れ目が残
る。従って、この変更例では、図４のマスクアセンブリ４０よりも第１の封止膜３０と対
向電極２０を隔壁１４に向けて押し付け続けることができるかもしれないが、図５のマス
クアセンブリ４０Ａよりも押し付け続ける効果は高くないと予測できる。
【００４５】
＜第２の実施の形態＞
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２を示す断面図である。第１の
実施の形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッションタイプであるが、第２の実施の形態の
有機ＥＬ装置２はボトムエミッションタイプである。但し、多くの構成要素が共通してお
り、図７では共通する構成要素を示すために図１と同一の符号を使用し、それらを詳細に
は説明しない。有機ＥＬ装置２の平面図は、図２と同様である。以下、主に相違点を説明
する。
【００４６】
この実施の形態では、各有機ＥＬ素子１２の発光機能層１８の発光層の有機ＥＬ物質は
低分子材料であるが、Ｒ（赤）、Ｇ（緑），Ｂ（青）の三種類の有機ＥＬ物質が使用され
る。つまり、Ｒの波長領域の光を発生する有機ＥＬ物質と、Ｇの波長領域の光を発生する
有機ＥＬ物質と、Ｂの波長領域の光を発生する有機ＥＬ物質のいずれかが一つの有機ＥＬ
素子１２の発光層に使用される。従って、発光機能層１８はすべての有機ＥＬ素子１２に
共通ではなく、塗り分けられている。図７に示すように、発光機能層１８は隔壁１４の上
面にも達しているが、隔壁１４上で隣の発光機能層１８とはつながっていない。但し、隔
壁１４上のこの部分では発光層は発光しないので、隣り合う有機ＥＬ素子の発光機能層１
８がこの部分で重なっていてもよい。発光機能層１８は、例えばマスクを利用して、必要
な箇所だけに発光機能層１８を蒸着させることにより塗り分けすることができる。対向電
極２０は陰極であり、複数の発光機能層１８の全面に接触している。つまり、対向電極２
０は、複数の有機ＥＬ素子１２に共通するように、隔壁１４で画定された複数の画素電極
１６の区域および隔壁１４上に広がっている。
【００４７】
ボトムエミッションでは基板１０から光を放出するため、画素電極１６は、ＩＴＯ、Ｉ
ＺＯ、またはＺｎＯ２のような透明酸化物導電材料から形成され、対向電極２０は、仕事
関数が小さく反射率の高い材料、例えば、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、ま
たはリチウム等またはそれらの合金から形成されている。従って、発光層からの光は、画
素電極１６を透過して外部に放出される。
【００４８】
対向電極２０上には、無機化合物から形成された封止膜が配置されている。第１の実施
の形態と同様に、図７に示すように、封止膜は、対向電極２０の全面に接触して、複数の
有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆う第１の封止膜３０と、隔壁１４に重なる区域にて
第１の封止膜３０上に形成された第２の封止膜３２を有する。第１の封止膜３０および第
２の封止膜３２は、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成され
ている。これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、結晶材料であ
ってもよいし、水素を含んでいてもよい。
【００４９】
対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力（対向電極２０の厚さと残留応力の積
と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りであるのに対して、対向
電極２０と第１の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力（対向電極２０の厚さと
残留応力の積と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積と、第２の封止膜３２の厚さと
残留応力の積の合計）は圧縮である。従って、隔壁１４で区分された有機ＥＬ素子１２の
区域（画素電極１６の区域）では、対向電極２０と封止膜の厚さと残留応力の積の合計で
ある累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４、特にコーナー部１４ｃに重なる区域では
、対向電極２０と封止膜の累積残留応力が圧縮である。
【００５０】
対向電極２０の材料であるアルミニウムなどには、一般に圧縮応力が残留するため、第
１の封止膜３０は、引っ張り応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１の封
止膜３０の累積残留応力は、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好ましい。例えば、対向電
極２０の残留応力がゼロの場合には、２００ＭＰａの引っ張り応力が残留する厚さ２００
ｎｍの第１の封止膜３０を形成すれば、対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力
は４０００Ｐａ・ｃｍになる。
【００５１】
また、第２の封止膜３２は圧縮応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１
の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力は、１０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好
ましく、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると後述する効果が安定的に得られてさらに好まし
い。
【００５２】
このような概略的に二層の封止膜は、第１の実施の形態と同様の残留応力を制御するこ
とが可能な封止膜の製造方法において、第１の実施の形態と同様のマスクアセンブリを使
用して、製造することができる。第１の実施の形態と同様に、この実施の形態でも、封止
性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制するこ
とが可能な有機ＥＬ装置を提供することが可能である。
【００５３】
＜第３の実施の形態＞
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置３を示す断面図である。第１の
実施の形態および第２の実施の形態の有機ＥＬ装置１，２では発光機能層１８の発光層の
有機ＥＬ物質は低分子材料であるが、第３の実施の形態の有機ＥＬ装置３では発光機能層
１８の発光層の有機ＥＬ物質は高分子材料である。但し、多くの構成要素が共通しており
、図８では共通する構成要素を示すために図１と同一の符号を使用し、それらを詳細には
説明しない。有機ＥＬ装置３の平面図は、図２と同様である。以下、主に相違点を説明す
る。
【００５４】
この実施の形態では、各有機ＥＬ素子１２の発光機能層１８の発光層の有機ＥＬ物質は
高分子材料であって、インクジェットまたはスピンコートによって、隔壁１４で画定され
た空間内に配置される。発光機能層１８は隔壁１４の上面には形成されず、有機ＥＬ素子
１２の各々は、個別に発光機能層１８を有する。これらの発光機能層１８は白色光を発し
てもよいし、Ｒの波長領域の光を発生する有機ＥＬ物質と、Ｇの波長領域の光を発生する
有機ＥＬ物質と、Ｂの波長領域の光を発生する有機ＥＬ物質のいずれかが一つの有機ＥＬ
素子１２の発光層に使用されるのでもよい。
【００５５】
対向電極２０は陰極であり、複数の発光機能層１８の全面に接触している。つまり、対
向電極２０は、複数の有機ＥＬ素子１２に共通するように、隔壁１４で画定された複数の
画素電極１６の区域および隔壁１４上に広がっている。
【００５６】
有機ＥＬ装置３は、ボトムエミッションタイプでもよいし、トップエミッションタイプ
でもよい。画素電極１６および対向電極２０の材料は、第１の実施の形態または第２の実
施の形態に準ずる。
【００５７】
対向電極２０上には、無機化合物から形成された封止膜が配置されている。第１の実施
の形態と同様に、図８に示すように、封止膜は、対向電極２０の全面に接触して、複数の
有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆う第１の封止膜３０と、隔壁１４に重なる区域にて
第１の封止膜３０上に形成された第２の封止膜３２を有する。第１の封止膜３０および第
２の封止膜３２は、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成され
ている。これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、結晶材料であ
ってもよいし、水素を含んでいてもよい。
【００５８】
対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力（対向電極２０の厚さと残留応力の積
と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りであるのに対して、対向
電極２０と第１の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力（対向電極２０の厚さと
残留応力の積と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積と、第２の封止膜３２の厚さと
残留応力の積の合計）は圧縮である。従って、隔壁１４で区分された有機ＥＬ素子１２の
区域（画素電極１６の区域）では、対向電極２０と封止膜の厚さと残留応力の積の合計で
ある累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４、特にコーナー部１４ｃに重なる区域では
、対向電極２０と封止膜の累積残留応力が圧縮である。
【００５９】
対向電極２０の材料であるアルミニウムなどには、一般に圧縮応力が残留するため、第
１の封止膜３０は、引っ張り応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１の封
止膜３０の累積残留応力は、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好ましい。例えば、対向電
極２０の残留応力がゼロの場合には、２００ＭＰａの引っ張り応力が残留する厚さ２００
ｎｍの第１の封止膜３０を形成すれば、対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力
は４０００Ｐａ・ｃｍになる。
【００６０】
また、第２の封止膜３２は圧縮応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１
の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力は、１０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好
ましく、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると後述する効果が安定的に得られてさらに好まし
い。
【００６１】
このような概略的に二層の封止膜は、第１の実施の形態と同様の残留応力を制御するこ
とが可能な封止膜の製造方法において、第１の実施の形態と同様のマスクアセンブリを使
用して、製造することができる。第１の実施の形態と同様に、この実施の形態でも、封止
性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制するこ
とが可能な有機ＥＬ装置を提供することが可能である。
【００６２】
＜変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる変形が
可能である。
上述した各実施形態においては、すべての有機ＥＬ素子１２の共通電極として単一の対
向電極２０が設けられているが、複数の共通電極を設けて、それぞれの共通電極が異なる
有機ＥＬ素子１２の陰極となるように配置してもよい。
上述した各実施形態においては、対向電極２０は有機ＥＬ素子１２の陰極であったが、
陽極であってもよい。
【００６３】
上述した各実施形態においては、対向電極２０は、複数の有機ＥＬ素子１２に共通する
共通電極であるが、図９に示す変形例の有機ＥＬ装置３のように、対向電極２０を隔壁１
４で包囲された空間内に設けることによって、有機ＥＬ素子１２の各々が独立した対向電
極２０を有するようにしてもよい。このような個別の対向電極２０は、例えばパッシブマ
トリクス駆動で利用される。図９の変形例で、第１の封止膜３０は、複数の対向電極２０
および隔壁１４上に接触して、複数の有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆い、第２の封
止膜３２は、隔壁１４に重なる区域にて第１の封止膜３０上に形成されている。対向電極
２０と第１の封止膜３０の累積残留応力（対向電極２０の厚さと残留応力の積と、第１の
封止膜３０の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りであるのに対して、第１の封止膜３
０と第２の封止膜３２の累積残留応力（第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積と、第２
の封止膜３２の厚さと残留応力の積の合計）は圧縮である。従って、隔壁１４で区分され
た有機ＥＬ素子１２の区域では、対向電極２０と封止膜の厚さと残留応力の積の合計であ
る累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４、特にコーナー部１４ｃに重なる区域では、
封止膜の累積残留応力が圧縮である。このような概略的に二層の封止膜は、第１の実施の
形態と同様の残留応力を制御することが可能な封止膜の製造方法において、第１の実施の
形態と同様のマスクアセンブリを使用して、製造することができる。第１の実施の形態と
同様に、この実施の形態でも、封止性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持し
ダークスポットの発生を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することが可能である
。
【００６４】
＜応用例＞
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器について説明する。図１０は、上
記実施形態に係る有機ＥＬ装置１を表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュ
ータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての
有機ＥＬ装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００
１およびキーボード２００２が設けられている。この有機ＥＬ装置１（２，３）はＯＬＥ
Ｄ素子７０を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００６５】
図１１に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話
機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表
示装置としての有機ＥＬ装置１（２，３）を備える。スクロールボタン３００２を操作す
ることによって、有機ＥＬ装置１（２，３）に表示される画面がスクロールされる。
【００６６】
図１２に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Pers
onal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００
１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１（２，３）を
備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情
報が有機ＥＬ装置１に表示される。
【００６７】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図１０から図１２に示した
もののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、
ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。ほ
かに、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射して潜像を形成
するプリンタヘッドのような発光源も、そのような電子機器に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図２】図１の有機ＥＬ装置の平面図である。
【図３】図１の有機ＥＬ装置の製造の一工程を示す断面図である。
【図４】図１の有機ＥＬ装置の製造の一工程を示す平面図である。
【図５】図１の有機ＥＬ装置の製造の一工程の変形例を示す平面図である。
【図６】図５の変形例の工程を使用した場合の図１の有機ＥＬ装置の平面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図９】本発明の変形例に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る有機ＥＬ装置を有するパーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る有機ＥＬ装置を有する携帯電話機の外観を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る有機ＥＬ装置を有する携帯情報端末の外観を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
１，２，３…有機ＥＬ装置、１０…基板、１２…有機ＥＬ素子、１４…隔壁、１４ａ…
縦壁、１４ｂ…横壁、１４ｃ…コーナー部、１６…画素電極、１８…発光機能層、２０…
対向電極、３０…第１の封止膜、３２…第２の封止膜、４０，４０Ａ…マスクアセンブリ
、４２…マスク、４４…連結部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止膜を有する有機ＥＬ装置、その製造方法およびこれを備える電子機器に
関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の一種として、画素電極と対向電極の間に介在し電界により励起して発光する
有機発光層を有する有機ＥＬ（electro-luminescent）素子がある。有機ＥＬ素子を備え
る装置の製造工程では、外気や水分等により有機発光材料およびカルシウム、マグネシウ
ム、アルミニウム錯体などの電子注入層が劣化するのを防ぐために封止が行われる。この
封止の技術として、極薄の無機化合物膜で有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止技術が知られてい
る（特許文献１〜４）。薄膜封止はベタ封止とも呼ばれる。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いた発光パネルまたは画像表示パネルでは、隔壁（セパレータ）が用
いられることが多い（例えば特許文献５）。隔壁は各有機ＥＬ素子の画素電極を画定する
ことにより複数の有機ＥＬ素子を区分する。隔壁の役割としては、各画素電極の区画のほ
か、画素電極と対向電極の短絡の防止がある。低分子有機ＥＬパネルでは、発光色に応じ
て有機発光層を塗り分ける場合には、隔壁は発光層を区画する機能も有し、パッシブマト
リクス駆動の場合には、隔壁は対向電極を区画する機能も有する。高分子有機ＥＬパネル
では、有機発光層の材料となる液体を貯留する堤防として隔壁は機能する。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１８５９９４号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４０４１号公報
【特許文献３】特開２０００−２２３２６４号公報
【特許文献４】特開２００３−１７２４４号公報
【特許文献５】特開平１０−６９１４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬパネルに薄膜封止技術を応用する場合には、封止膜にクラックなどの欠陥が生
じて、封止性能が低下しないことが望ましい。また、封止膜の歪みの方向および大きさに
よっては、対向電極または有機発光層などが変位し、対向電極と画素電極の間に介在する
層、例えば有機発光層がその上下の層から剥離するおそれがある。このような剥離が一部
でも発生すると、その部分は電流が流れないために発光せず、ダークスポットが生じてし
まう。特に、隔壁を有する有機ＥＬパネルに薄膜封止技術を応用する場合には、隔壁と封
止膜の熱膨張係数の相違のため、温度の上下によって封止膜に生ずる歪みが大きいと予測
され、ダークスポットが発生する可能性が高い。
【０００６】
そこで、本発明は、封止性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークス
ポットの発生を抑制することが可能な有機ＥＬ装置、その製造方法およびこれを備える電
子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る有機ＥＬ装置は、基板と、前記基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子と
、前記基板上に形成され前記複数の有機ＥＬ素子を区分する絶縁性の隔壁と、前記複数の
有機ＥＬ素子および前記隔壁を覆う絶縁性の封止膜とを備え、前記有機ＥＬ素子の各々は
、前記基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された発光層と、前記発光
層上に形成された対向電極とを有する。前記隔壁で区分された前記有機ＥＬ素子の区域で
は、前記封止膜の残留応力が引っ張りであって、前記対向電極と前記封止膜の厚さと残留
応力の積の合計である累積残留応力が引っ張りであり、前記隔壁に重なる区域では、前記
封止膜の累積残留応力が圧縮である。
【０００８】
本発明によれば、隔壁で区分された有機ＥＬ素子の区域では、封止膜の残留応力が引っ
張りであって、対向電極と封止膜の累積残留応力（対向電極の厚さと残留応力の積と、封
止膜の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りである。つまり、隔壁で区分された有機Ｅ
Ｌ素子の区域では、発光層上で封止膜には自らを伸張しようとする応力が残留し、対向電
極には伸張させようとする応力が加わっている。有機ＥＬ素子の区域で対向電極と封止膜
での累積残留応力が圧縮の場合には、その区域で対向電極が縮む方向に歪むので対向電極
と画素電極の間に介在する層、例えば有機発光層をその上下の層から引き剥がす方向に働
く応力が発生するが、本発明のように、有機ＥＬ素子の区域で対向電極と封止膜での累積
残留応力が引っ張りの場合には、その区域では逆に対向電極と画素電極の間に介在する層
をその上下の層に密着させる方向に働く応力が発生する。従って、隔壁で区分された有機
ＥＬ素子の区域で、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制
することが可能である。
【０００９】
また、封止性能を高めるには、一般には封止膜の残留応力が圧縮である方が、密度が高
く水または空気の浸透をより抑制できて有利と考えられがちであるが、密度が高い場合に
は脆性クラックが生じやすくなる。これに対して、本発明では、隔壁で区分された有機Ｅ
Ｌ素子の区域で、封止膜の残留応力が引っ張りなので、脆性クラックが生じがたく封止性
能を却って高めることができる。
他方、本発明では、隔壁に重なる区域では、封止膜の累積残留応力が圧縮である。つま
り、ここでは封止膜自体が隔壁に向けて縮み、封止膜と隔壁の間に何らかの層（装置の種
類によっては対向電極および発光機能層またはこれらのいずれか）がある場合、その層を
隔壁に向けて押し付けるように作用する。従って、隔壁に重なる区域で、層同士の密着性
を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制することが可能である。
【００１０】
好ましくは、前記封止膜は、前記複数の有機ＥＬ素子および隔壁を覆う第１の封止膜と
、前記隔壁に重なる区域にて前記第１の封止膜上に形成された第２の封止膜を有しており
、前記第１の封止膜の残留応力が引っ張りであって、前記第２の封止膜の残留応力が圧縮
である。隔壁に重なる区域で、圧縮応力が残留する第２の封止膜を形成することにより、
本発明に係る有機ＥＬ装置の構成を簡単に実現することができる。また、隔壁に重なる区
域で、第１の封止膜が対向電極から剥離しようとすることを圧縮応力が残留している第２
の封止膜が抑制する。
【００１１】
前記隔壁は格子状に形成され、前記複数の有機ＥＬ素子は前記格子状の隔壁に区分され
てマトリクス状に配置され、少なくとも前記隔壁の格子のコーナーの部分に重なる区域で
は前記第２の封止膜に切れ目がないと好ましい。格子状の隔壁のコーナーの部分で圧縮性
の第２の封止膜に切れ目がないことにより、第２の封止膜が第１の封止膜と対向電極を隔
壁に向けて効率的に押し付けることができる。従って、引っ張り応力が残留している第１
の封止膜によって層同士の密着性が阻害されるのを抑制することができる。
【００１２】
このような概略的に二層の封止膜を有する有機ＥＬ装置を製造する好適な方法は、前記
基板上に前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を形成する工程と、前記複数の有機ＥＬ
素子および前記隔壁を覆うように前記第１の封止膜を形成する工程と、前記隔壁で区分さ
れた前記複数の有機ＥＬ素子の区域にそれぞれ重なる複数のマスクと、前記複数のマスク
を連結する連結部とを有するマスクアセンブリを、前記マスクが前記有機ＥＬ素子の区域
に重なるとともに前記連結部が前記隔壁に部分的に重なるように配置する工程と、前記第
２の封止膜に圧縮応力が残留するように、前記マスクアセンブリおよび前記隔壁上に前記
第２の封止膜を堆積させる工程と、前記マスクアセンブリを取り除く工程を備える。
マスクアセンブリは、複数のマスクと、複数のマスクを連結する連結部すなわち橋とを
有しており、この製造方法では、複数のマスクが隔壁で区分された複数の有機ＥＬ素子の
区域にそれぞれ重なって、連結部が隔壁に部分的に重なるようにマスクアセンブリが配置
される。従って、複数の有機ＥＬ素子の区域にマスクを簡単に一括して重ねることができ
、有機ＥＬ素子の区域を避けて隔壁に重なる区域に第２の封止膜を簡単に形成することが
できる。
【００１３】
さらに、前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を形成する工程では、前記複数の有機
ＥＬ素子をマトリクス状に形成し、前記マスクアセンブリを配置する工程では、前記連結
部が前記有機ＥＬ素子のマトリクスの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子同士の間の部分に
重なることを避けて、前記有機ＥＬ素子のマトリクスの行方向および列方向の少なくとも
いずれかで隣り合う有機ＥＬ素子同士の間の部分に重なるように前記連結部を配置すると
好ましい。
複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配列された構造では、隔壁は格子状に形成される
。マトリクスの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子同士の間の部分、つまり格子のコーナー
の部分で第１の封止膜と対向電極を隔壁に向けて押し付けることは、引っ張り応力が残留
している第１の封止膜によって層同士の密着性が阻害されるのを抑制するために効果があ
る。マスクアセンブリの連結部をマトリクスの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子同士の間
の部分を避けて配置することにより、格子状の隔壁のコーナーの部分では圧縮性の第２の
封止膜に切れ目がなくなるので、第２の封止膜は第１の封止膜と対向電極を隔壁に向けて
効率的に押し付けることができる。
【００１４】
本発明に係る電子機器は、上述した有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。このよう
な電子機器として、有機ＥＬ装置を表示装置に適用したパーソナルコンピュータ、携帯電
話機、および携帯情報端末などが該当し、また、有機ＥＬ装置を露光ヘッドに用いた電子
写真方式のプリンタや複写器が該当する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る様々な実施の形態を説明する。図面にお
いては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１を示す断面図であり、図２は
有機ＥＬ装置１の平面図である。
【００１６】
有機ＥＬ装置１は、基板１０と基板１０上に形成された複数の有機ＥＬ素子１２を備え
る。基板１０には、有機ＥＬ素子１２に給電して発光させるための配線が配置されている
が、配線の図示は省略する。図示しないが、有機ＥＬ素子１２に給電するための回路を基
板１０に配置してもよい。
【００１７】
基板１０には隔壁（セパレータ）１４が形成されている。隔壁１４は、絶縁性の透明材
料、例えばアクリル、ポリイミドなどにより形成されている。図２に示すように、隔壁１
４は、複数の縦壁１４ａと複数の横壁１４ｂを有しており、縦壁１４ａと横壁１４ｂは交
叉点すなわちコーナー部１４ｃで互いに交叉し格子を構成する。後述するように、複数の
有機ＥＬ素子１２は格子状の隔壁１４に区分されてマトリクス状に配置されている。
【００１８】
図１に示すように、有機ＥＬ素子１２の各々は、画素電極１６、発光機能層１８および
対向電極２０を有する。画素電極１６は陽極であり、基板１０上に形成され隔壁１４で包
囲されている。発光機能層１８は、少なくとも発光層を含み、発光層は正孔と電子が結合
して発光する有機ＥＬ物質から形成されている。この実施の形態では、有機ＥＬ物質は低
分子材料であって、白色光を発する。発光機能層１８を構成する他の層として、電子ブロ
ック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層および正孔ブロック層の一部
または全部を備えていてもよい。発光機能層１８は、隔壁１４で画定された複数の画素電
極１６および隔壁１４に重なって接触している。従って、発光機能層１８は複数の有機Ｅ
Ｌ素子１２に共通である。対向電極２０は陰極であり、発光機能層１８の全面に接触して
いる。つまり、対向電極２０は、複数の有機ＥＬ素子１２に共通するように、隔壁１４で
画定された複数の画素電極１６の区域および隔壁１４上に広がっている。
【００１９】
発光機能層１８および対向電極２０は複数の有機ＥＬ素子１２に共通であるが、個々の
画素電極１６は他の画素電極１６から離れているため、個々の画素電極１６と対向電極２
０の間で電流が流れたときには、その画素電極１６に重なった位置でのみ発光機能層１８
が発光する。従って、隔壁１４は複数の有機ＥＬ素子１２を区分し、隔壁１４で包囲され
た部分つまり画素電極１６の部分を有機ＥＬ素子１２の区域と呼ぶことができる。
【００２０】
この実施の形態の有機ＥＬ装置１では、画素電極１６は、仕事関数が大きく反射率の高
い金属材料、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれらの合金から形成され、対向電極
２０はＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ
２のような透明酸化物導電材料から形成されている。従って、発光層からの光は、対向電
極２０を透過して外部に放出される。すなわち有機ＥＬ装置１は、基板１０の反対側に光
を放出するトップエミッションタイプである。
【００２１】
対向電極２０上には、無機化合物から形成された封止膜が配置されている。図１に示す
ように、封止膜は、対向電極２０の全面に接触して、複数の有機ＥＬ素子１２および隔壁
１４を覆う第１の封止膜３０と、隔壁１４に重なる区域にて第１の封止膜３０上に形成さ
れた第２の封止膜３２を有する。第１の封止膜３０および第２の封止膜３２は、窒化珪素
や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成されている。これらの窒化珪素や
酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、結晶材料であってもよいし、水素を含んで
いてもよい。
【００２２】
図２において、太線で囲まれ多数のドットが付された部分が第２の封止膜３２である。
このように第２の封止膜３２は、隔壁１４のコーナー部１４ｃに重なる複数の区域に配置
され、有機ＥＬ素子１２に重なる区域には配置されない。隔壁１４の縦壁１４ａおよび横
壁１４ｂに重なる区域には、第２の封止膜３２は部分的に重なるが、これらの区域では、
部分的に第２の封止膜３２の切れ目があり、第１の封止膜３０がその切れ目で露出する。
但し、隔壁１４のコーナー部１４ｃに重なる区域では第２の封止膜３２には切れ目がない
。
【００２３】
図示しないが、第２の封止膜３２および第１の封止膜３０を覆うように他の層を設ける
ことも可能である。例えば、これらを覆うように有機材料から形成された平坦化層を設け
、その平坦化層の凹凸の少ない表面にさらに封止層を形成してもよい。また、発光機能層
１８の発光層は白色光を発するので、この有機ＥＬ装置１をカラー画像表示装置として使
用する場合、図示しないがカラーフィルタが有機ＥＬ装置１の図１中の上方に配置される
。
【００２４】
この実施の形態では、対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力（対向電極２０
の厚さと残留応力の積と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りで
あるのに対して、対向電極２０と第１の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力（
対向電極２０の厚さと残留応力の積と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積と、第２
の封止膜３２の厚さと残留応力の積の合計）は圧縮である。従って、隔壁１４で区分され
た有機ＥＬ素子１２の区域（画素電極１６の区域）では、対向電極２０と封止膜の厚さと
残留応力の積の合計である累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４、特にコーナー部１
４ｃに重なる区域では、対向電極２０と封止膜の累積残留応力が圧縮である。
【００２５】
対向電極２０の材料である透明酸化物導電材料には、一般に圧縮応力が残留するため、
第１の封止膜３０は、引っ張り応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１の
封止膜３０の累積残留応力は、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好ましい。例えば、対向
電極２０の残留応力がゼロの場合には、２００ＭＰａの引っ張り応力が残留する厚さ２０
０ｎｍの第１の封止膜３０を形成すれば、対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応
力は４０００Ｐａ・ｃｍになる。
【００２６】
また、第２の封止膜３２は圧縮応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１
の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力は、１０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好
ましく、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると後述する効果が安定的に得られてさらに好まし
い。
【００２７】
このように残留応力を制御することが可能な封止膜の製造方法としては、例えば、ＣＶ
Ｄ（chemical vapor deposition）等の気相成長法、スパッタリング、またはイオンプ
レーティングといった膜を堆積させる公知の技術がある。これらの成膜方法で、圧力、成
膜速度、基板温度などの条件を制御することによって、残留応力を制御することが可能で
ある。これらの条件と実現される残留応力の関係は、成膜装置に依存する。実際の成膜装
置で温度を制御する場合には、（１）基板を加熱しながら膜成分を堆積させる工程と、（
２）加熱および堆積を中断する工程と、（３）堆積を行わないで基板を自然に冷却する工
程を繰り返す。これにより、一つの膜の完成まで所定の温度範囲に基板を維持する。封止
膜は概略的に二層（第１の封止膜３０と第２の封止膜３２）であるが、このような工程の
繰り返しのため、第１の封止膜３０および第２の封止膜３２の各々は、樹木の年輪のよう
な多層構造を有することになり、破断した場合には、観察によってその多層構造が確認で
きる。
【００２８】
この実施の形態によれば、隔壁１４で区分された有機ＥＬ素子１２の区域では、封止膜
の残留応力が引っ張りであって、対向電極２０と封止膜の累積残留応力が引っ張りである
。つまり、隔壁１４で区分された有機ＥＬ素子１２の区域では、発光機能層１８上で封止
膜（ここでは第１の封止膜３０）には自らを伸張しようとする応力が残留し、対向電極２
０には伸張させようとする応力が加わっている。有機ＥＬ素子１２の区域で対向電極２０
と封止膜での累積残留応力が圧縮の場合には、その区域で対向電極２０が縮む方向に歪む
ので対向電極２０と画素電極１６の間に介在する層、例えば有機発光層をその上下の層か
ら引き剥がす方向に働く応力が発生する。有機発光層は、他の層に比べて、他の層との密
着性に劣るために、引き剥がす方向に働く応力によって実際に剥離するおそれがある。し
かし、この実施の形態のように、有機ＥＬ素子１２の区域で対向電極２０と封止膜での累
積残留応力が引っ張りの場合には、その区域では逆に対向電極２０と画素電極１６の間に
介在する層をその上下の層に密着させる方向に働く応力が発生する。従って、隔壁１４で
区分された有機ＥＬ素子１２の区域で、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークス
ポットの発生を抑制することが可能である。
【００２９】
また、封止性能を高めるには、一般には封止膜の残留応力が圧縮である方が、密度が高
く水または空気の浸透をより抑制できて有利と考えられがちであるが、密度が高い場合に
は脆性クラックが生じやすくなる。これに対して、この実施の形態では、隔壁１４で区分
された有機ＥＬ素子１２の区域で、封止膜（ここでは第１の封止膜３０）の残留応力が引
っ張りなので、脆性クラックが生じがたい。さらには、有機ＥＬ素子１２の区域だけでな
く隔壁１４上でも、第１の封止膜３０の累積残留応力が引っ張りであり、脆性クラックが
生じがたく封止性能を却って高めることができる。
【００３０】
他方、この実施の形態では、隔壁１４に重なる区域では、対向電極２０と封止膜の累積
残留応力が圧縮である。つまり、ここでは封止膜は、自らの残留応力によって隔壁１４に
向けて押し付けられ、さらに封止膜と隔壁１４の間にある層（対向電極２０および発光機
能層１８）を隔壁１４に向けて押し付けるように作用する。従って、他の層との密着性に
劣る有機発光層が隔壁１４上に配置されているにもかかわらず、隔壁１４に重なる区域で
、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制することが可能で
ある。
【００３１】
この実施の形態では、封止膜を広大で引っ張り性の第１の封止膜３０と、隔壁１４に重
なる局部的な圧縮性の第２の封止膜３２から形成することによって、封止層と対向電極２
０からなる層の残留応力が上記のように分布することを簡単に実現している。
【００３２】
隔壁１４に重なる区域で、第１の封止膜３０が対向電極２０から剥離しようとすること
を圧縮応力が残留している第２の封止膜３２が抑制する。特に、上述の通り、格子状の隔
壁１４のコーナー部１４ｃに重なる区域では第２の封止膜３２には切れ目がない。これに
より、第２の封止膜３２が第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１４に向けて効率的に
押し付けることができる。従って、引っ張り応力が残留している第１の封止膜３０によっ
て層同士の密着性が阻害されるのを抑制することができる。
【００３３】
次に、このような概略的に二層の封止膜を有する有機ＥＬ装置を製造する方法を説明す
る。まず、公知の手法で基板１０上に複数の画素電極１６をマトリクス状に形成する。次
に隔壁１４を格子状に形成する。例えば隔壁１４の材料となるアクリルまたはポリイミド
に感光性材料を混合して、フォトリソグラフィーの手法で露光により隔壁１４をパターニ
ングすることができる。さらに、隔壁１４および画素電極１６を覆うように発光機能層１
８を蒸着などの公知の手法で堆積させて、発光機能層１８の全体を覆う対向電極２０を形
成する。このようにして、有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を形成する。
【００３４】
この後、複数の有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆うように第１の封止膜３０を形成
する。上述したように、第１の封止膜３０は、残留応力を制御することが可能な封止膜の
製造技術によって、引っ張り応力が残留するように形成される。
【００３５】
さらに、図３および図４に示すように、マスクアセンブリ４０を第１の封止膜３０上に
配置する。図４において、多数のドットが付された部分が、第１の封止膜３０のうちマス
クアセンブリ４０で覆われずに露出する部分である。マスクアセンブリ４０は、マトリク
ス状に配置された複数のマスク４２と、縦と横に（マトリクスの行方向および列方向）に
隣り合うマスク４２を連結する多数の連結部４４を有する。マスク４２と連結部４４は、
同一材料から一体に形成してもよいし、別の材料から別個に形成して接合してもよい。複
数のマスク４２は、隔壁１４で区分された複数の有機ＥＬ素子１２の区域（画素電極１６
の区域）にそれぞれ重なるようにマトリクス状に配置されており、個々のマスク４２は、
隔壁１４の縦壁１４ａと横壁１４ｂに支持される。
【００３６】
マスクアセンブリ４０を第１の封止膜３０上に配置する時、マスクアセンブリ４０の連
結部４４すなわち橋は、隔壁１４に部分的に重ねられる。具体的には、マスクアセンブリ
４０を配置する工程では、連結部４４が有機ＥＬ素子１２のマトリクスの斜め方向に隣り
合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分で隔壁１４のコーナー部１４ｃに重なることを避け
て、有機ＥＬ素子１２のマトリクスの行方向および列方向で隣り合う有機ＥＬ素子１２同
士の間の部分で隔壁１４の縦壁１４ａと横壁１４ｂに重なるように連結部４４を配置する
。
【００３７】
この後、マスクアセンブリ４０および第１の封止膜３０上に全体的に第２の封止膜３２
を堆積させる。上述したように、第２の封止膜３２は、残留応力を制御することが可能な
封止膜の製造技術によって、圧縮応力が残留するように形成される。この後、マスクアセ
ンブリ４０を取り除く。これによって、マスクアセンブリ４０上に堆積した第２の封止膜
３２は、マスクアセンブリ４０と共に取り除かれ、図４のドットが付された第１の封止膜
３０上に堆積した第２の封止膜３２がマトリクス状に残される。格子状の隔壁１４のコー
ナー部１４ｃに重なる区域では第２の封止膜３２には切れ目が生じない。このようにして
図１および図２に示す構造の有機ＥＬ装置１が製造される。
【００３８】
この製造方法では、複数のマスク４２が隔壁１４で区分された複数の有機ＥＬ素子１２
の区域にそれぞれ重なって、連結部４４が隔壁１４に部分的に重なるようにマスクアセン
ブリ４０が配置される。従って、複数の有機ＥＬ素子１２の区域にマスク４２を簡単に一
括して重ねることができ、有機ＥＬ素子１２の区域を避けて隔壁１４に重なる区域に第２
の封止膜３２を簡単に形成することができる。マスクアセンブリ４０の連結部４４をマト
リクスの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分を避けて配置することによ
り、格子状の隔壁１４のコーナー部１４ｃ上で圧縮性の第２の封止膜３２に切れ目がなく
なるので、第２の封止膜３２は第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１４に向けて効率
的に押し付けることができる。
【００３９】
上述したマスクアセンブリ４０は、すべての有機ＥＬ素子１２の区域を覆うが、第２の
封止膜３２の形成のために、図５に示すように複数の細片状のマスクアセンブリ４０Ａを
使用してもよい。図５において、多数のドットが付された部分が、第１の封止膜３０のう
ちマスクアセンブリ４０Ａで覆われずに露出する部分である。マスクアセンブリ４０Ａの
各々は、直線状（図では縦方向）に配列された複数のマスク４２と、縦に隣り合うマスク
４２を連結する複数の連結部４４すなわち橋を有する。マスク４２と連結部４４は、同一
材料から一体に形成してもよいし、別の材料から別個に形成して接合してもよい。複数の
マスク４２は、隔壁１４で区分された複数の有機ＥＬ素子１２の区域（画素電極１６の区
域）にそれぞれ重なるようにマトリクス状に配置されており、個々のマスク４２は、隔壁
１４の横壁１４ｂ（隣り合う画素電極１６ひいては有機ＥＬ素子１２の区域の短辺同士の
間）に支持される。一つのマスクアセンブリ４０Ａに属する複数のマスク４２は、図の縦
方向上の一列にある複数の有機ＥＬ素子１２の区域を覆う。
【００４０】
これらのマスクアセンブリ４０Ａを第１の封止膜３０上に配置する時、マスクアセンブ
リ４０Ａの連結部４４すなわち橋は、隔壁１４に部分的に重ねられる。具体的には、マス
クアセンブリ４０Ａを配置する工程では、連結部４４が有機ＥＬ素子１２のマトリクスの
斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分および行方向（横方向）に隣り合う
有機ＥＬ素子１２同士の間の部分で隔壁１４のコーナー部１４ｃおよび縦壁１４ａに重な
ることを避けて、有機ＥＬ素子１２のマトリクスの列方向（縦方向）で隣り合う有機ＥＬ
素子１２同士の間の部分で隔壁１４の横壁１４ｂに重なるように連結部４４を配置する。
【００４１】
この後、マスクアセンブリ４０Ａおよび第１の封止膜３０上に全体的に第２の封止膜３
２を堆積させる。上述したように、第２の封止膜３２は、残留応力を制御することが可能
な封止膜の製造技術によって、圧縮応力が残留するように形成される。この後、マスクア
センブリ４０Ａを取り除く。これによって、マスクアセンブリ４０Ａ上に堆積した第２の
封止膜３２は、マスクアセンブリ４０Ａと共に取り除かれ、図５のドットが付された第１
の封止膜３０上に堆積した第２の封止膜３２が細片状に残される。このようにして図６に
示す構造の有機ＥＬ装置１が製造される。図６において、太線で囲まれ多数のドットが付
された部分が細片状に残された第２の封止膜３２である。格子状の隔壁１４のコーナー部
１４ｃに重なる区域だけでなく縦壁１４ａに重なる区域でも、第２の封止膜３２には切れ
目が生じない。マスクアセンブリ４０Ａの連結部４４をマトリクスの斜め方向と横方向に
隣り合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分を避けて配置することにより、格子状の隔壁１
４のコーナー部１４ｃおよび縦壁１４ａ上で圧縮性の第２の封止膜３２に切れ目がなくな
るので、第２の封止膜３２は第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１４に向けて効率的
に押し付けることができる。
【００４２】
第２の封止膜３２で第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１４に向けて押し付けるた
めには、第２の封止膜３２には可能な限り切れ目がないことが望ましく、従って連結部４
４は少ない方が好ましい。同様の観点からいって、格子状の隔壁１４のコーナー部１４ｃ
に重なる区域には、第２の封止膜３２に切れ目がないことが最も好ましいので、マトリク
スの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子１２同士の間の部分には連結部４４を配置しないこ
とが最も好ましい。
【００４３】
コーナー部１４ｃの次に第２の封止膜３２に切れ目がないことが好ましい位置は、格子
状の隔壁１４の縦壁１４ａに重なる区域である。縦壁１４ａは、画素電極１６ひいては有
機ＥＬ素子１２の区域の長辺を画定するので、縦壁１４ａ上で第２の封止膜３２に切れ目
がなければ、より効果的に第２の封止膜３２で第１の封止膜３０と対向電極２０を隔壁１
４に向けて押し付けることができるからである。従って、図５に示す例のマスクアセンブ
リ４０Ａは、隔壁１４のコーナー部１４ｃおよび縦壁１４ａに連結部４４が重なることが
避けられるので、図４に示す例のマスクアセンブリ４０よりも好ましいといえる。
【００４４】
マスクアセンブリにおける連結部４４すなわち橋の位置は、図４および図５の例に限ら
れず、連結部４４を隔壁１４の縦壁１４ａ（隣り合う画素電極１６ひいては有機ＥＬ素子
１２の区域の長辺同士の間）で支持するように、マスクアセンブリの各々が、横方向に配
列された複数のマスク４２と、横に隣り合うマスク４２を連結する複数の連結部４４を有
するように変更してもよい。但し、このような変更例の配置では、格子状の隔壁１４のコ
ーナー部１４ｃに重なる区域では第２の封止膜３２に切れ目がなくなるが、格子状の隔壁
１４の縦壁１４ａに重なる区域に連結部４４の痕跡として第２の封止膜３２の切れ目が残
る。従って、この変更例では、図４のマスクアセンブリ４０よりも第１の封止膜３０と対
向電極２０を隔壁１４に向けて押し付け続けることができるかもしれないが、図５のマス
クアセンブリ４０Ａよりも押し付け続ける効果は高くないと予測できる。
【００４５】
＜第２の実施の形態＞
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置２を示す断面図である。第１の
実施の形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッションタイプであるが、第２の実施の形態の
有機ＥＬ装置２はボトムエミッションタイプである。但し、多くの構成要素が共通してお
り、図７では共通する構成要素を示すために図１と同一の符号を使用し、それらを詳細に
は説明しない。有機ＥＬ装置２の平面図は、図２と同様である。以下、主に相違点を説明
する。
【００４６】
この実施の形態では、各有機ＥＬ素子１２の発光機能層１８の発光層の有機ＥＬ物質は
低分子材料であるが、Ｒ（赤）、Ｇ（緑），Ｂ（青）の三種類の有機ＥＬ物質が使用され
る。つまり、Ｒの波長領域の光を発生する有機ＥＬ物質と、Ｇの波長領域の光を発生する
有機ＥＬ物質と、Ｂの波長領域の光を発生する有機ＥＬ物質のいずれかが一つの有機ＥＬ
素子１２の発光層に使用される。従って、発光機能層１８はすべての有機ＥＬ素子１２に
共通ではなく、塗り分けられている。図７に示すように、発光機能層１８は隔壁１４の上
面にも達しているが、隔壁１４上で隣の発光機能層１８とはつながっていない。但し、隔
壁１４上のこの部分では発光層は発光しないので、隣り合う有機ＥＬ素子の発光機能層１
８がこの部分で重なっていてもよい。発光機能層１８は、例えばマスクを利用して、必要
な箇所だけに発光機能層１８を蒸着させることにより塗り分けすることができる。対向電
極２０は陰極であり、複数の発光機能層１８の全面に接触している。つまり、対向電極２
０は、複数の有機ＥＬ素子１２に共通するように、隔壁１４で画定された複数の画素電極
１６の区域および隔壁１４上に広がっている。
【００４７】
ボトムエミッションでは基板１０から光を放出するため、画素電極１６は、ＩＴＯ、Ｉ
ＺＯ、またはＺｎＯ２のような透明酸化物導電材料から形成され、対向電極２０は、仕事
関数が小さく反射率の高い材料、例えば、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、ま
たはリチウム等またはそれらの合金から形成されている。従って、発光層からの光は、画
素電極１６を透過して外部に放出される。
【００４８】
対向電極２０上には、無機化合物から形成された封止膜が配置されている。第１の実施
の形態と同様に、図７に示すように、封止膜は、対向電極２０の全面に接触して、複数の
有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆う第１の封止膜３０と、隔壁１４に重なる区域にて
第１の封止膜３０上に形成された第２の封止膜３２を有する。第１の封止膜３０および第
２の封止膜３２は、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成され
ている。これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、結晶材料であ
ってもよいし、水素を含んでいてもよい。
【００４９】
対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力（対向電極２０の厚さと残留応力の積
と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りであるのに対して、対向
電極２０と第１の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力（対向電極２０の厚さと
残留応力の積と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積と、第２の封止膜３２の厚さと
残留応力の積の合計）は圧縮である。従って、隔壁１４で区分された有機ＥＬ素子１２の
区域（画素電極１６の区域）では、対向電極２０と封止膜の厚さと残留応力の積の合計で
ある累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４、特にコーナー部１４ｃに重なる区域では
、対向電極２０と封止膜の累積残留応力が圧縮である。
【００５０】
対向電極２０の材料であるアルミニウムなどには、一般に圧縮応力が残留するため、第
１の封止膜３０は、引っ張り応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１の封
止膜３０の累積残留応力は、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好ましい。例えば、対向電
極２０の残留応力がゼロの場合には、２００ＭＰａの引っ張り応力が残留する厚さ２００
ｎｍの第１の封止膜３０を形成すれば、対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力
は４０００Ｐａ・ｃｍになる。
【００５１】
また、第２の封止膜３２は圧縮応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１
の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力は、１０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好
ましく、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると後述する効果が安定的に得られてさらに好まし
い。
【００５２】
このような概略的に二層の封止膜は、第１の実施の形態と同様の残留応力を制御するこ
とが可能な封止膜の製造方法において、第１の実施の形態と同様のマスクアセンブリを使
用して、製造することができる。第１の実施の形態と同様に、この実施の形態でも、封止
性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制するこ
とが可能な有機ＥＬ装置を提供することが可能である。
【００５３】
＜第３の実施の形態＞
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置３を示す断面図である。第１の
実施の形態および第２の実施の形態の有機ＥＬ装置１，２では発光機能層１８の発光層の
有機ＥＬ物質は低分子材料であるが、第３の実施の形態の有機ＥＬ装置３では発光機能層
１８の発光層の有機ＥＬ物質は高分子材料である。但し、多くの構成要素が共通しており
、図８では共通する構成要素を示すために図１と同一の符号を使用し、それらを詳細には
説明しない。有機ＥＬ装置３の平面図は、図２と同様である。以下、主に相違点を説明す
る。
【００５４】
この実施の形態では、各有機ＥＬ素子１２の発光機能層１８の発光層の有機ＥＬ物質は
高分子材料であって、インクジェットまたはスピンコートによって、隔壁１４で画定され
た空間内に配置される。発光機能層１８は隔壁１４の上面には形成されず、有機ＥＬ素子
１２の各々は、個別に発光機能層１８を有する。これらの発光機能層１８は白色光を発し
てもよいし、Ｒの波長領域の光を発生する有機ＥＬ物質と、Ｇの波長領域の光を発生する
有機ＥＬ物質と、Ｂの波長領域の光を発生する有機ＥＬ物質のいずれかが一つの有機ＥＬ
素子１２の発光層に使用されるのでもよい。
【００５５】
対向電極２０は陰極であり、複数の発光機能層１８の全面に接触している。つまり、対
向電極２０は、複数の有機ＥＬ素子１２に共通するように、隔壁１４で画定された複数の
画素電極１６の区域および隔壁１４上に広がっている。
【００５６】
有機ＥＬ装置３は、ボトムエミッションタイプでもよいし、トップエミッションタイプ
でもよい。画素電極１６および対向電極２０の材料は、第１の実施の形態または第２の実
施の形態に準ずる。
【００５７】
対向電極２０上には、無機化合物から形成された封止膜が配置されている。第１の実施
の形態と同様に、図８に示すように、封止膜は、対向電極２０の全面に接触して、複数の
有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆う第１の封止膜３０と、隔壁１４に重なる区域にて
第１の封止膜３０上に形成された第２の封止膜３２を有する。第１の封止膜３０および第
２の封止膜３２は、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料から形成され
ている。これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、結晶材料であ
ってもよいし、水素を含んでいてもよい。
【００５８】
対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力（対向電極２０の厚さと残留応力の積
と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りであるのに対して、対向
電極２０と第１の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力（対向電極２０の厚さと
残留応力の積と、第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積と、第２の封止膜３２の厚さと
残留応力の積の合計）は圧縮である。従って、隔壁１４で区分された有機ＥＬ素子１２の
区域（画素電極１６の区域）では、対向電極２０と封止膜の厚さと残留応力の積の合計で
ある累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４、特にコーナー部１４ｃに重なる区域では
、対向電極２０と封止膜の累積残留応力が圧縮である。
【００５９】
対向電極２０の材料であるアルミニウムなどには、一般に圧縮応力が残留するため、第
１の封止膜３０は、引っ張り応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１の封
止膜３０の累積残留応力は、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好ましい。例えば、対向電
極２０の残留応力がゼロの場合には、２００ＭＰａの引っ張り応力が残留する厚さ２００
ｎｍの第１の封止膜３０を形成すれば、対向電極２０と第１の封止膜３０の累積残留応力
は４０００Ｐａ・ｃｍになる。
【００６０】
また、第２の封止膜３２は圧縮応力が残留するように形成される。対向電極２０と第１
の封止膜３０と第２の封止膜３２の累積残留応力は、１０００Ｐａ・ｃｍ以上であると好
ましく、４０００Ｐａ・ｃｍ以上であると後述する効果が安定的に得られてさらに好まし
い。
【００６１】
このような概略的に二層の封止膜は、第１の実施の形態と同様の残留応力を制御するこ
とが可能な封止膜の製造方法において、第１の実施の形態と同様のマスクアセンブリを使
用して、製造することができる。第１の実施の形態と同様に、この実施の形態でも、封止
性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持しダークスポットの発生を抑制するこ
とが可能な有機ＥＬ装置を提供することが可能である。
【００６２】
＜変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる変形が
可能である。
上述した各実施形態においては、すべての有機ＥＬ素子１２の共通電極として単一の対
向電極２０が設けられているが、複数の共通電極を設けて、それぞれの共通電極が異なる
有機ＥＬ素子１２の陰極となるように配置してもよい。
上述した各実施形態においては、対向電極２０は有機ＥＬ素子１２の陰極であったが、
陽極であってもよい。
【００６３】
上述した各実施形態においては、対向電極２０は、複数の有機ＥＬ素子１２に共通する
共通電極であるが、図９に示す変形例の有機ＥＬ装置３のように、対向電極２０を隔壁１
４で包囲された空間内に設けることによって、有機ＥＬ素子１２の各々が独立した対向電
極２０を有するようにしてもよい。このような個別の対向電極２０は、例えばパッシブマ
トリクス駆動で利用される。図９の変形例で、第１の封止膜３０は、複数の対向電極２０
および隔壁１４上に接触して、複数の有機ＥＬ素子１２および隔壁１４を覆い、第２の封
止膜３２は、隔壁１４に重なる区域にて第１の封止膜３０上に形成されている。対向電極
２０と第１の封止膜３０の累積残留応力（対向電極２０の厚さと残留応力の積と、第１の
封止膜３０の厚さと残留応力の積の合計）が引っ張りであるのに対して、第１の封止膜３
０と第２の封止膜３２の累積残留応力（第１の封止膜３０の厚さと残留応力の積と、第２
の封止膜３２の厚さと残留応力の積の合計）は圧縮である。従って、隔壁１４で区分され
た有機ＥＬ素子１２の区域では、対向電極２０と封止膜の厚さと残留応力の積の合計であ
る累積残留応力が引っ張りであり、隔壁１４、特にコーナー部１４ｃに重なる区域では、
封止膜の累積残留応力が圧縮である。このような概略的に二層の封止膜は、第１の実施の
形態と同様の残留応力を制御することが可能な封止膜の製造方法において、第１の実施の
形態と同様のマスクアセンブリを使用して、製造することができる。第１の実施の形態と
同様に、この実施の形態でも、封止性能が高く、層同士の密着性を長期にわたって維持し
ダークスポットの発生を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することが可能である
。
【００６４】
＜応用例＞
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器について説明する。図１０は、上
記実施形態に係る有機ＥＬ装置１を表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュ
ータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての
有機ＥＬ装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００
１およびキーボード２００２が設けられている。この有機ＥＬ装置１（２，３）はＯＬＥ
Ｄ素子７０を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００６５】
図１１に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話
機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表
示装置としての有機ＥＬ装置１（２，３）を備える。スクロールボタン３００２を操作す
ることによって、有機ＥＬ装置１（２，３）に表示される画面がスクロールされる。
【００６６】
図１２に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Pers
onal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００
１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１（２，３）を
備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情
報が有機ＥＬ装置１に表示される。
【００６７】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図１０から図１２に示した
もののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、
ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。ほ
かに、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射して潜像を形成
するプリンタヘッドのような発光源も、そのような電子機器に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図２】図１の有機ＥＬ装置の平面図である。
【図３】図１の有機ＥＬ装置の製造の一工程を示す断面図である。
【図４】図１の有機ＥＬ装置の製造の一工程を示す平面図である。
【図５】図１の有機ＥＬ装置の製造の一工程の変形例を示す平面図である。
【図６】図５の変形例の工程を使用した場合の図１の有機ＥＬ装置の平面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図９】本発明の変形例に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る有機ＥＬ装置を有するパーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る有機ＥＬ装置を有する携帯電話機の外観を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る有機ＥＬ装置を有する携帯情報端末の外観を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
１，２，３…有機ＥＬ装置、１０…基板、１２…有機ＥＬ素子、１４…隔壁、１４ａ…
縦壁、１４ｂ…横壁、１４ｃ…コーナー部、１６…画素電極、１８…発光機能層、２０…
対向電極、３０…第１の封止膜、３２…第２の封止膜、４０，４０Ａ…マスクアセンブリ
、４２…マスク、４４…連結部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子と、
前記基板上に形成され前記複数の有機ＥＬ素子を区分する絶縁性の隔壁と、
前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を覆う絶縁性の封止膜とを備え、
前記有機ＥＬ素子の各々は、前記基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形
成された発光層と、前記発光層上に形成された対向電極とを有し、
前記隔壁で区分された前記有機ＥＬ素子の区域では、前記封止膜の残留応力が引っ張り
であって、前記対向電極と前記封止膜の厚さと残留応力の積の合計である累積残留応力が
引っ張りであり、
前記隔壁に重なる区域では、前記封止膜の累積残留応力が圧縮であることを特徴とする
有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記封止膜は、
前記複数の有機ＥＬ素子および隔壁を覆う第１の封止膜と、
前記隔壁に重なる区域にて前記第１の封止膜上に形成された第２の封止膜を有しており
、前記第１の封止膜の残留応力が引っ張りであって、前記第２の封止膜の残留応力が圧縮
であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記隔壁は格子状に形成され、前記複数の有機ＥＬ素子は前記格子状の隔壁に区分され
てマトリクス状に配置され、少なくとも前記隔壁の格子のコーナーの部分に重なる区域で
は前記第２の封止膜に切れ目がないことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項２に記載の有機ＥＬ装置を製造する方法であって、
前記基板上に前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を形成する工程と、
前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を覆うように前記第１の封止膜を形成する工程
と、
前記隔壁で区分された前記複数の有機ＥＬ素子の区域にそれぞれ重なる複数のマスクと
、前記複数のマスクを連結する連結部とを有するマスクアセンブリを、前記マスクが前記
有機ＥＬ素子の区域に重なるとともに前記連結部が前記隔壁に部分的に重なるように配置
する工程と、
前記第２の封止膜に圧縮応力が残留するように、前記マスクアセンブリおよび前記隔壁
上に前記第２の封止膜を堆積させる工程と、
前記マスクアセンブリを取り除く工程を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方
法。
【請求項５】
前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を形成する工程では、前記複数の有機ＥＬ素子
をマトリクス状に形成し、
前記マスクアセンブリを配置する工程では、前記連結部が前記有機ＥＬ素子のマトリク
スの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子同士の間の部分に重なることを避けて、前記有機Ｅ
Ｌ素子のマトリクスの行方向および列方向の少なくともいずれかで隣り合う有機ＥＬ素子
同士の間の部分に重なるように前記連結部を配置することを特徴とする請求項４に記載の
有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置を備える電子機器。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子と、
前記基板上に形成され前記複数の有機ＥＬ素子を区分する絶縁性の隔壁と、
前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を覆う絶縁性の封止膜とを備え、
前記有機ＥＬ素子の各々は、前記基板上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形
成された発光層と、前記発光層上に形成された対向電極とを有し、
前記隔壁で区分された前記有機ＥＬ素子の区域では、前記封止膜の残留応力が引っ張り
であって、前記対向電極と前記封止膜の厚さと残留応力の積の合計である累積残留応力が
引っ張りであり、
前記隔壁に重なる区域では、前記封止膜の累積残留応力が圧縮であることを特徴とする
有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記封止膜は、
前記複数の有機ＥＬ素子および隔壁を覆う第１の封止膜と、
前記隔壁に重なる区域にて前記第１の封止膜上に形成された第２の封止膜を有しており
、前記第１の封止膜の残留応力が引っ張りであって、前記第２の封止膜の残留応力が圧縮
であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記隔壁は格子状に形成され、前記複数の有機ＥＬ素子は前記格子状の隔壁に区分され
てマトリクス状に配置され、少なくとも前記隔壁の格子のコーナーの部分に重なる区域で
は前記第２の封止膜に切れ目がないことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項２に記載の有機ＥＬ装置を製造する方法であって、
前記基板上に前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を形成する工程と、
前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を覆うように前記第１の封止膜を形成する工程
と、
前記隔壁で区分された前記複数の有機ＥＬ素子の区域にそれぞれ重なる複数のマスクと
、前記複数のマスクを連結する連結部とを有するマスクアセンブリを、前記マスクが前記
有機ＥＬ素子の区域に重なるとともに前記連結部が前記隔壁に部分的に重なるように配置
する工程と、
前記第２の封止膜に圧縮応力が残留するように、前記マスクアセンブリおよび前記隔壁
上に前記第２の封止膜を堆積させる工程と、
前記マスクアセンブリを取り除く工程を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方
法。
【請求項５】
前記複数の有機ＥＬ素子および前記隔壁を形成する工程では、前記複数の有機ＥＬ素子
をマトリクス状に形成し、
前記マスクアセンブリを配置する工程では、前記連結部が前記有機ＥＬ素子のマトリク
スの斜め方向に隣り合う有機ＥＬ素子同士の間の部分に重なることを避けて、前記有機Ｅ
Ｌ素子のマトリクスの行方向および列方向の少なくともいずれかで隣り合う有機ＥＬ素子
同士の間の部分に重なるように前記連結部を配置することを特徴とする請求項４に記載の
有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置を備える電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−２２０５８０（Ｐ２００７−２２０５８０Ａ）
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４２０２２（Ｐ２００６−４２０２２）
【出願日】平成１８年２月２０日（２００６．２．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月３０日（２００７．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月２０日（２００６．２．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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