極端紫外光生成装置
【課題】ＥＵＶ光放射後に発生するデブリが光学要素に付着して性能劣化することを抑制する。
【解決手段】極端紫外光生成装置１は、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバ１１と、チャンバに設けられ、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質Ｄを供給するためのターゲット供給部１４ｂと、チャンバに接続される排気ポンプ１２と、チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素Ｍ１〜Ｍ３と、チャンバに設けられ、チャンバ内でターゲット物質がレーザ光に照射される際に放出されて、少なくとも１つの光学要素に付着したターゲット物質のデブリを、エッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部１６ａ〜１６ｃと、少なくとも１つの光学要素の温度を制御するための、少なくとも１つの温度調節機構Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５と、を備えてもよい。
【解決手段】極端紫外光生成装置１は、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバ１１と、チャンバに設けられ、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質Ｄを供給するためのターゲット供給部１４ｂと、チャンバに接続される排気ポンプ１２と、チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素Ｍ１〜Ｍ３と、チャンバに設けられ、チャンバ内でターゲット物質がレーザ光に照射される際に放出されて、少なくとも１つの光学要素に付着したターゲット物質のデブリを、エッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部１６ａ〜１６ｃと、少なくとも１つの光学要素の温度を制御するための、少なくとも１つの温度調節機構Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５と、を備えてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍでの微細加工、さらには３２ｎｍ以下での微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば、３２ｎｍ以下での微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式装置との３種類が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２６６２３４号公報
【概要】
【０００５】
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御するための少なくとも１つの温度調節機構と、を備えてもよい。
【０００６】
本開示の他の態様による極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記ターゲット物質のプラズマから放射した極端紫外光を反射する集光ミラーと、前記集光ミラーの反射面に対向したガスの吹出し口を備え、吹出し口からガスを供給するガス供給部と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、水素ガスが水素ラジカルに変化して、光学要素上の固体Ｓｎと反応してスタナンガスが生成される反応、およびスタナンガスが分解されて、固体Ｓｎが析出する反応を概略的に示す。
【図３】図３は、Ｓｎのエッチング反応速度、Ｓｎの析出反応速度、およびＳｎのエッチング反応速度とＳｎの析出反応速度との差で表されるトータルのエッチングレートそれぞれと温度との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、実施の形態１において、チャンバ内に配置された光学要素の温度を制御するための構成を概略的に示す。
【図５】図５は、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置において、チャンバ内に配置された光学要素の温度を制御するための構成を概略的に示す。
【図６】図６は、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図７】図７は、実施の形態３において、ＥＵＶ集光ミラーの反射面側に近接して配置されるトラップの構成を概略的に示す。
【図８】図８は、実施の形態３において、ゲートバルブの近傍に配置されるトラップの構成を概略的に示す斜視図である。
【図９】図９は、実施の形態３において、チャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるトラップの構成を概略的に示す。
【図１０】図１０は、実施の形態３において、チャンバ内の所定の位置に配置されるトラップの構成を概略的に示す。
【図１１】図１１は、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置におけるトラップおよび回収容器の構成を概略的に示す。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本開示の変形例１によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、本開示の変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本開示の変形例３によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ面に沿った断面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本開示の変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、図１５Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＢ−ＸＶＢ面に沿った断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本開示の変形例５によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ面に沿った断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、本開示の変形例６によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１７Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本開示の変形例７によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＩＩＢ−ＸＶＩＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本開示の変形例８によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ面に沿った断面図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、変形例８によるガス導入管の先端部分の形状を概略的に示す斜視図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、本開示の変形例９によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、図２０Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＢ−ＸＸＢ面に沿った断面図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、本開示の変形例１０によるラジカル生成器およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、図２１Ａに示されるラジカル生成器およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＩＢ−ＸＸＩＢ面に沿った断面図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、本開示の変形例１１によるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、図２２Ａに示されるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＩＩＢ−ＸＸＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図２３】図２３は、本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、図２４Ａに示されるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２５Ａ】図２５Ａは、本開示の実施の形態７によるＥＵＶ集光ミラーおよびガス導入管をＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは、レーザ光集光ユニット、実施の形態７によるＥＵＶ集光ミラーおよびガス導入管のＥＵＶ集光ミラーの反射面に直交する面における構成を概略的に示す断面図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、アッセンブルされた内側配管および壁部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、貫通孔に嵌め込まれた内側配管および壁部の構成を概略的に示す断面図である。
【図２７Ａ】図２７Ａは、外側配管、配管、および水素ガス供給源の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２７Ｂ】図２７Ｂは、図２７Ａに示す外側配管の構成を示す断面図である。
【実施の形態】
【０００８】
以下、本開示を実施するための形態を添付の図面を参照に詳細に説明する。以下の説明において、各図では本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係等が概略的に示されてあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係等に限定されるものではない。各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。また、後述において例示する数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。
【０００９】
実施の形態１
本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。
【００１０】
図１に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成用の空間を画定する気密性の高いチャンバ１１と、チャンバ１１と露光装置（不図示）とを光学的に接続する露光装置接続部１３と、チャンバ１１内にＥＵＶ光の生成材料となる錫（Ｓｎ）などのターゲット物質を液滴状のドロップレットＤとして供給するためのドロップレットコントローラ１４ａおよびドロップレット生成器１４ｂと、ドロップレットＤをプラズマ化するためのパルス状のレーザ光（プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を出力するよう構成されるプリパルスレーザＰＬおよびメインパルスレーザＭＬと、プリパルスレーザＰＬおよびメインパルスレーザＭＬならびにドロップレットコントローラ１４ａ等を適宜制御するよう構成されるＥＵＶ光生成コントローラ１０と、を備えてもよい。チャンバ１１内には、ドロップレット生成器１４ｂに設けられたノズル（不図示）の先端を介してドロップレットＤが供給されてもよい。
【００１１】
チャンバ１１には、ウィンドウＷ１およびＷ２が設けられてもよく、プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂはそれぞれウィンドウＷ１およびＷ２を透過してチャンバ１１内部に入射してもよい。チャンバ１１内部には、ウィンドウＷ１およびＷ２を介して入射したプリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂをそれぞれチャンバ１１内のプラズマ生成領域Ｐ１における所定の位置で集光するための軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３と、プラズマ生成領域Ｐ１で生成されたＥＵＶ光Ｌ２が露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦで集光されるように反射するＥＵＶ集光ミラーＭ１と、が設けられてもよい。
【００１２】
このような構成において、ＥＵＶ光生成コントローラ１０は、ドロップレットコントローラ１４ａを制御することで、ドロップレット生成器１４ｂからドロップレットＤが出力されるタイミングを制御してもよい。ドロップレット生成器１４ｂから出力されたドロップレットＤは、プラズマ生成領域Ｐ１に到着し得る。ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に到着するタイミングに合わせて、ドロップレットＤには、プリパルスレーザＰＬから出力されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａがウィンドウＷ１および軸外放物面ミラーＭ２を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の側面側から集光されてもよい（１段目のレーザ照射）。これにより、ドロップレットＤを構成するターゲット物質が拡散して、液滴状のターゲット物質が弱いプラズマ、中性粒子、クラスターやフラグメント等が混在した状態に変容し得る。以下の説明では、この状態にあるターゲット物質を「拡散したターゲット」と称する。
【００１３】
プラズマ生成領域Ｐ１で生成された拡散したターゲットには、メインパルスレーザＭＬから出力されたメインパルスレーザ光Ｌ１ｂがウィンドウＷ２および軸外放物面ミラーＭ３を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から集光されてもよい（２段目のレーザ照射）。これにより、拡散したターゲットがプラズマ化し得る。ＥＵＶ光Ｌ２は、このプラズマが脱励起する際に放射され得る。なお、ＥＵＶ集光ミラーＭ１には、メインパルスレーザ光Ｌ１ｂを通過させるための貫通孔Ｍ１ａが設けられてもよい。プリパルスレーザＰＬからプリパルスレーザ光Ｌ１ａが出力されるタイミングおよびメインパルスレーザＭＬからメインパルスレーザ光Ｌ１ｂが出力されるタイミングは、ＥＵＶ光生成コントローラ１０によって制御されてもよい。ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に到着するタイミングに合わせてこれにプリパルスレーザ光Ｌ１ａが照射されて、プラズマ生成領域Ｐ１で生成された拡散したターゲットにメインパルスレーザ光Ｌ１ｂが照射されてもよい。
【００１４】
プラズマから放射されたＥＵＶ光Ｌ２は、その反射面が回転楕円面形状のＥＵＶ集光ミラーＭ１によって反射されることで、露光装置接続部１３へ向けて反射されてもよい。反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、上述したように、露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦで集光されてもよい。その後、ＥＵＶ光Ｌ２は、導波路（たとえば管）（不図示）を介して露光装置へ導波されてもよい。
【００１５】
実施の形態１では、レーザ光の２段階照射によってターゲット物質（ドロップレットＤ）がプラズマ化されるが、これに限らず、１段階または３段階以上のレーザ照射によってターゲット物質がプラズマ化されてもよい。さらに、実施の形態１では、ターゲット物質が液滴状で供給される場合を例に挙げたが、これに限らず、予めチャンバ１１内に配置されたローテーション可能な固体ターゲット物質が用いられてもよい。
【００１６】
プラズマ生成領域Ｐ１で生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光Ｌ２が放射された後、イオン、原子、帯電した粒子、中性の粒子など、ターゲット物質であるＳｎの粒子（以下、Ｓｎデブリという）が発生し得る。このＳｎデブリは、プラズマ生成領域Ｐ１から放出された後、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１や軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３などの光学要素に付着し、堆積し得る。
【００１７】
そこで、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１１内に水素ラジカル（以下、ＨラジカルまたはＨ＊と記す）を供給するためのラジカル生成器１５ａ〜１５ｃと、チャンバ１１内のガスを排気するための排気ポンプ１２と、を備えてもよい。ただし、ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃに代えて、水素ガスを供給する水素ガス供給源が用いられてもよい。ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃから放出されたＨラジカルは、チャンバ１１内に延在するガス導入管１６ａ〜１６ｃを介してチャンバ１１内に供給されてもよい。ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃおよびガス導入管１６ａ〜１６ｃは、チャンバ１１内に配置された光学要素に付着したＳｎデブリをエッチングするためのエッチングガス（Ｈラジカルおよびラジカル化されなかったＨ２ガス）を光学要素の表面に沿って流してもよい。
【００１８】
ガス導入管１６ａ〜１６ｃのガス放出口は、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１や軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３などの光学要素にそれぞれ向けられるのが好ましい。それにより、Ｓｎデブリが付着した光学要素表面に沿って、Ｈラジカルが流れ、Ｈラジカルが光学要素表面のＳｎデブリと反応して、スタナン（ＳｎＨ４）ガスが生成され得る。このスタナンガスは、約−５２℃以上で気体である。したがって、ＳｎとＨラジカルとを反応させ、スタナンガスを生成することによって、光学要素表面のＳｎデブリをエッチングすることが可能となる。この結果、光学要素の性能劣化を抑制することができる。なお、実施の形態１および後述する実施の形態において、ガス放出口は、少なくとも１つの開口であっても、スリットであってもよい。
【００１９】
Ｈラジカルを光学要素表面に沿って流すことによって生成されたスタナンガスは、排気ポンプ１２によってチャンバ１１外へ排気されてもよい。実施の形態１では、付着したＳｎデブリを高効率でエッチング反応させるために、水素がラジカルの状態で供給されるのが好ましいが、これに限らず、水素分子（Ｈ２）の状態で供給されてもよい。この場合、水素分子がプラズマ生成領域Ｐ１で放射される紫外光、真空紫外光、ＥＵＶ光等によってＨラジカルへ変容すると、そのＨラジカルが光学要素に付着したＳｎデブリと反応してスタナン（ＳｎＨ４）が生成され得る。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリがエッチングされて光学要素の性能劣化を抑制することができる。この場合、ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃは必須ではなく、ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃの代わりに水素ガス供給源が設けられてもよい。水素ガス供給源は露光装置が設置される設備に備えられていてもよいし、ＥＵＶ光生成装置および露光装置のいずれかに設けられていてもよい。
【００２０】
チャンバ１１内には、たとえば板状のパーティション１１ａ〜１１ｃが配置されてもよい。このパーティション１１ａ〜１１ｃによって、チャンバ１１内でのガス（Ｈラジカル、水素ガス、スタナンガス等）の流れがコントロールされ得る。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリを効率よくエッチングしつつ、生成されたスタナンガスを効率よく排出することが可能となる。パーティション１１ｂと１１ｃとの間に形成される開口部Ａ１は、エッチングガスの流路の機能とメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの光路の機能とを果たしてもよい。パーティション１１ａと１１ｂとの間に形成される開口部Ａ２は、エッチングガスの流路の機能とプリパルスレーザ光Ｌ１ａの光路の機能とを果たしてもよい。
【００２１】
光学要素（たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１ならびに軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３）から、デブリが発生する領域であるプラズマ生成領域Ｐ１へ向けてガスが流れるように、パーティション１１ａ〜１１ｃを用いてガスの流れが制御されることで、光学要素へのＳｎデブリの入射が抑制され得る。これにより、光学要素へのＳｎデブリの付着を低減することが可能となり、光学要素の性能劣化をより確実に抑制することが可能となる。
【００２２】
図２は、水素ガスが水素ラジカルに変化して、光学要素上の固体Ｓｎと反応してスタナンガスが生成される反応、およびスタナンガスが分解されて、固体Ｓｎが析出する反応を概略的に示す。ＳｎとＨラジカルとの反応は、以下の化学反応式（１）および（２）で表され得る。
エッチング反応：Ｓｎ（ｓ）＋４Ｈ＊（ｇ）→ＳｎＨ４（ｇ） （１）
析出反応：ＳｎＨ４→Ｓｎ（ｓ）＋２Ｈ２ （２）
【００２３】
ここで（ｓ）および（ｇ）はそれぞれ、固体状態およびガス状態を示している。化学反応式（１）および（２）に示される反応は、同時に起こり得る。トータルのエッチングレートＶａｌは、以下の式（３）に示されるように、エッチングレートＶ１と析出速度Ｖ２との差で表され得る。
Ｖａｌ＝Ｖ１−Ｖ２ （３）
【００２４】
エッチングレートＶ１、析出速度Ｖ２およびトータルのエッチングレートＶａｌは、Ｈラジカル、Ｈ２、およびＳｎＨ４の濃度が一定の場合、光学要素の温度によって変化し得る。
【００２５】
図２は、光学要素の温度を調節するための構成（温度調節機構）の概略を示す。温度調節機構は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１などの光学要素Ｍに設けられた温度調節素子２０ｂと、温度調節素子２０ｂに電流を供給する電源２０ａと、光学要素Ｍに設けられた温度センサ２０ｃと、温度センサ２０ｃによって検出された温度に基づいて電源２０ａから温度調節素子２０ｂに供給される電流を制御するための温度コントローラ２０と、を備えてもよい。この温度調節素子２０ｂの例としては、ヒータを使用し、温度センサ２０ｃによる検出結果に基づいて、ヒータへ供給される電流を制御することによって、温度を所定の温度に安定化させてもよい。
【００２６】
設定温度（常温から加熱温度調節できる範囲内）に対する、トータルのエッチングレートＶａｌを計測した。図３は、Ｓｎのエッチング反応速度、Ｓｎの析出反応速度、およびＳｎのエッチング反応速度とＳｎの析出反応速度との差で表されるトータルのエッチングレートそれぞれと温度との関係を示すグラフである。図３において、破線はエッチングレートＶ１の温度依存性を示し、一点破線は析出速度Ｖ２の温度依存性を示す。実線は、トータルのエッチングレートＶａｌ（＝Ｖ１−Ｖ２）を示す。トータルのエッチングレートが０の場合とは、エッチングレートＶ１と析出速度Ｖ２とが等しいことを意味し、この場合、光学要素の表面に付着したＳｎは除去されない。トータルのエッチングレートＶａｌが正の場合は、光学要素の表面に付着したＳｎがエッチングされることを意味する。逆にトータルのエッチングレートＶａｌが負の場合は、光学要素の表面にさらにＳｎが付着することを意味する。したがって、光学要素Ｍの温度は、目的の温度範囲（たとえば４０℃以上１２０℃以下、好ましくは６０℃以上１００℃以下）内に維持されるように、実測された温度に基づいて温度コントローラ２０が電源２０ａから温度調節素子２０ｂへ供給される電流を制御することで、トータルのエッチングレートＶａｌを必要なエッチングレートに維持し、光学要素に付着したＳｎを取り除くことができる。
【００２７】
図３に示されるように、光学要素に付着しているＳｎのトータルのエッチングレートＶａｌは、光学要素表面の温度が０℃から６０℃程度までは、温度が上昇するにつれて上昇する。一方、光学要素表面の温度が１００℃程度を超えると、トータルのエッチングレートＶａｌは低下し始める。そこで、実施の形態１では、チャンバ１１内に配置された光学要素の温度をたとえば４０℃以上１２０℃以下、好ましくは６０℃以上１００℃以下の範囲内の温度に制御してもよい。これにより、スタナンガスが分解されて光学要素表面にＳｎが析出するのが抑制され得る。この結果、光学要素表面へのＳｎの再析出が抑制され得る。図４は、実施の形態１において、チャンバ内に配置された光学要素の温度を制御するための構成を概略的に示す。図４では、温度制御の対象となる光学要素として、ウィンドウＷ１およびＷ２、ＥＵＶ集光ミラーＭ１、ならびに軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３（以下、単に光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３という）を例に挙げるが、本開示はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
図４に示されるように、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１１外に配置されたチラー１７を備えてもよい。チラー１７は、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度を制御するための熱媒体（たとえば温度調節された水や油などの動作温度で安定な液体）を主送配管Ｃｉｎへ送出してもよい。主送配管Ｃｉｎから光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へは、それぞれ副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎが分岐していてもよい。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へは、主送配管Ｃｉｎへ送り出された温度調節された熱媒体が副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎを介して供給されてもよい。
【００２９】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３は、送り込まれた熱媒体を内部で循環させるための熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５を備えてもよい。副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎに分岐された熱媒体は、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５に流れ込み、その後、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３内を循環してもよい。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的の範囲内の温度に調節され得る。
【００３０】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３内の熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５を循環した熱媒体は、その後、熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５に連結された副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れ込んでもよい。副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔは、チラー１７に繋がる主排配管Ｃｏｕｔに連結されていてもよい。副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れ込んだ熱媒体は、その後、主排配管Ｃｏｕｔを介してチラー１７に戻されてもよい。チラー１７に戻された熱媒体は、その温度が調節された後、再度、主送配管Ｃｉｎへ送り出されてもよい。
【００３１】
副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎおよび副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔには、それぞれの配管を流れる熱媒体の温度を検出するための温度センサＴ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎおよびＴ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔが設けられてもよい。温度センサＴ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎおよびＴ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔにおけるトータルの流量は、たとえばＥＵＶ光生成コントローラ１０または循環ポンプ（不図示）が内蔵されたチラー１７によって制御されてもよい。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へ滞りなく熱媒体が供給され得る。
【００３２】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔには、流量調節バルブＶ１〜Ｖ５が設けられてもよい。たとえば、ＥＵＶ光生成コントローラ１０またはチラー１７は、光学要素に流れる熱媒体の流量を制御するために、これらの流量調節バルブＶ１〜Ｖ５を制御してもよい。これにより、副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔを流れる熱媒体の流量が制御されてもよい。この結果、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３を流れる熱媒体の流量が制御され、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的の範囲内の温度に調節され得る。
【００３３】
以上のように、実施の形態１によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素表面に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を抑制することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００３４】
実施の形態２
本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】
図５は、実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置において、チャンバ内に配置された光学要素の温度を制御するための構成を概略的に示す。実施の形態２では、上述の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１に冷却機構と加熱機構とが組み合わされた温度調節機構を適用してもよい。この構成によれば、大容量の温度調節が可能なチラー１７が用いられた温度調節機構と、加熱および冷却が可能なヒータが用いられた温度調節機構とを併用することが可能となり得る。これにより、より高精度に光学要素の温度を調節することが可能となるため、光学要素へのＳｎの付着をさらに低減させることが可能となり得る。この結果、光学要素の性能劣化をさらに低減させることが可能となる。
【００３６】
図５に示されるように、実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、図４に示される構成と同様の構成において、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３に、それぞれヒータ２１ｂ〜２５ｂと温度センサ２１ｃ〜２５ｃとがさらに設けられてもよい。ヒータ２１ｂ〜２５ｂは、電源２１ａ〜２５ａに接続されていてもよい。温度センサ２１ｃ〜２５ｃによって検出された温度は、温度コントローラ２１〜２５にそれぞれ入力されてもよい。温度コントローラ２１〜２５は、温度センサ２１ｃ〜２５ｃから入力された温度が目的の温度範囲内に入るように、電源２１ａ〜２５ａからヒータ２１ｂ〜２５ｂに供給される電流を制御してもよい。ヒータ２１ｂ〜２５ｂは、電源２１ａ〜２５ａから供給された電流に応じて、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３を加熱してもよい。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的の温度範囲内に入るように、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が調節され得る。温度が目的の範囲内の温度に対して上昇しすぎた場合は、チラー１７の冷却水によって光学要素を冷却してもよく、加えて、ヒータによって加熱することによって光学要素の温度を高精度に制御することが可能となる。
【００３７】
以上のように、実施の形態２によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素表面に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を抑制することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００３８】
他の構成および効果は、上述した実施の形態１における構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３９】
実施の形態３
つぎに、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図６は、実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。実施の形態３においても、図３または図５に示される温度調節機構がＥＵＶ光生成装置に設けられてもよい。
【００４０】
図６に示されるように、ＥＵＶ光生成装置３は、図１に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、ＳｎとＨラジカル（またはＨ２）とが反応することで生成されるスタナンガスが分解されて析出するＳｎをトラップするためのトラップ３１〜３６が、チャンバ１１内にさらに設けられてもよい。トラップ３１は、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に近接して配置され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に付着したＳｎから生成されるスタナンガスから析出するＳｎをトラップしてもよい。トラップ３２は、チャンバ１１内であって、ゲートバルブＷ３近傍に配置され、ゲートバルブＷ３を介して露光装置接続部１３側へ流れ込もうとするスタナンガスから析出するＳｎをトラップしてもよい。トラップ３３は、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置され、チャンバ１１内から排気ポンプ１２へ流れ込むスタナンガスから析出するＳｎをトラップしてもよい。トラップ３４〜３６は、チャンバ１１内の所定の位置（たとえばＳｎデブリが付着しやすい位置）に配置され、チャンバ１１内に存在するスタナンガスから析出するＳｎをトラップしてもよい。
【００４１】
トラップ３１〜３６の温度は、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に調節されてもよい。これにより、実施の形態３では、チャンバ１１内のスタナンガスの濃度を低減させることが可能となる。その結果、光学要素の表面に付着したＳｎ層表面付近のスタナンガスの濃度も低減されるため、光学要素の表面に付着したＳｎのトータルのエッチングレートを向上させることが可能となる。また、トラップ３１〜３６の温度をＳｎの融点（２３２℃）未満に維持することで、スタナンガスから析出したＳｎを固体の状態でトラップの表面に定着させることが可能となる。トラップ３１〜３６の材料には、Ｓｎとの反応性が低い物質、たとえばモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、またはアルミナ等が用いられるのが好ましい。
【００４２】
以下に、実施の形態３によるトラップの例を、図面を参照して詳細に説明する。
【００４３】
・トラップ３１
図７は、実施の形態３においてＥＵＶ集光ミラーの反射面側に近接して配置されるトラップの構成を概略的に示す斜視図である。図７に示されるように、トラップ３１は、たとえば両端面が開口された概して円柱の形状でもよい。具体的には、トラップ３１は、両端が開口された外周リング３１Ａと、外周リング３１Ａの内側の中央に配置され、両端が開口されたレーザ光通過リング３１Ｂと、の２重リングの構成を備えてもよい。外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとは、略同軸となるよう構成されるのが好ましい。レーザ光通過リング３１Ｂに開口された空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを通過するレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を通過させるためのレーザ光通過穴３１ａとして機能してもよい。外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間の空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２が通過するためのＥＵＶ光通過穴３１ｂとして機能してもよい。ただし、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光通過穴３１ｂ以外の外周リング３１Ａの外側やレーザ光通過リング３１Ｂの内側を通過してもよい。
【００４４】
レーザ光通過リング３１Ｂの外側面から外周リング３１Ａの内側面にかけては、板状のトラッピングブレード３１Ｃが放射状に延在してもよい。このトラッピングブレード３１Ｃは、外周リング３１Ａに対してレーザ光通過リング３１Ｂを固定する機能と、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間のＥＵＶ光通過穴３１ｂを通過するスタナンガスから析出するＳｎをトラップするためのブレードとしての機能とを有し得る。なお、トラッピングブレード３１Ｃは、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間のＥＵＶ光通過穴３１ｂを複数の領域に仕切ってもよい。
【００４５】
以上のような構成を備えるトラップ３１は、レーザ光通過リング３１Ｂの軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを介してプラズマ生成領域Ｐ１で集光されるレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）のビーム軸と略一致し、外周リング３１Ａの軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の軸と略一致するように、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側にＥＵＶ集光ミラーＭ１に近接して配置されてもよい。これにより、トラップ３１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを通過するレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を遮蔽することなく通過させ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２をそのエネルギーロスを抑制しつつ通過させ得る。
【００４６】
ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面にＨラジカル（またはＨ２ガス）を流すことで生成されるスタナンガスは、主に外周リング３１Ａの内側を流れ得る。そこで、トラップ３１を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておいてもよい。トラップ３１には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。トラップ３１には、温度センサ４０ｃが設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３１は、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎから生成されるスタナンガスが、レーザ光通過穴３１ａまたはＥＵＶ光通過穴３１ｂを通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出し得る。これにより、外周リング３１Ａ、レーザ光通過リング３１Ｂおよびトラッピングブレード３１Ｃの少なくともいずれかの表面に析出したＳｎが付着し得る。すなわち、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎからスタナンガスの状態で発生したＳｎの一部は、外周リング３１Ａ、レーザ光通過リング３１Ｂおよびトラッピングブレード３１Ｃの少なくともいずれかによって回収され得る。これにより、チャンバ１１内のスタナンガスの濃度を低減させることが可能となる。この結果、光学要素の表面に析出したＳｎ層表面付近のスタナンガスの濃度が低減されるため、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に付着したＳｎのトータルのエッチングレートを向上させることが可能となる。また、トラップ３１の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満に維持することで、Ｓｎをトラップ３１に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００４７】
・トラップ３２
図８は、実施の形態３において、ゲートバルブの近傍に配置されるトラップの構成を概略的に示す斜視図である。図８に示されるように、トラップ３２は、両端面が開口された概して円錐台の形状でもよい。具体的には、トラップ３２は、両端が開口された外周リング３２Ａと、外周リング３２Ａ内側の中心に配置された芯３２Ｂと、芯３２Ｂから外周リング３２Ａの内側面に放射状に延びる複数のトラッピングブレード３２Ｃと、を備えてもよい。芯３２Ｂは、複数のトラッピングブレード３２Ｃを束ねる機能を果たしてもよい。この芯３２Ｂは、省略されてもよい。外周リング３２Ａに開口された空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２を通過させるためのＥＵＶ光通過穴３２ｂとして機能してもよい。ただし、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光通過穴３２ｂ以外の外周リング３２Ａの外側を通過してもよい。
【００４８】
芯３２Ｂから外周リング３２Ａの内側面にかけては、板状のトラッピングブレード３２Ｃが放射状に延在してもよい。このトラッピングブレード３２Ｃは、外周リング３２ＡのＥＵＶ光通過穴３２ｂを通過するスタナンガスから析出するＳｎをトラップするためのブレードとして機能してもよい。なお、トラッピングブレード３２Ｃは、外周リング３２Ａ内側のＥＵＶ光通過穴３２ｂを複数の領域に仕切ってもよい。
【００４９】
以上のような構成を備えるトラップ３２は、外周リング３２Ａの軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の軸と略一致するように、ゲートバルブＷ３に近接して配置されてもよい。これにより、トラップ３２は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２をそのエネルギーロスを抑制しつつ通過させ得る。
【００５０】
ゲートバルブＷ３を介して露光装置接続部１３内へ流れ込み得るスタナンガスは、主にＥＵＶ光通過穴３２ｂ内を流れ得る。そこで、トラップ３２を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておくのが好ましい。トラップ３２には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。また、トラップ３２には、温度センサ４０ｃが設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３２は、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎから生成されたスタナンガスが、レーザ光通過穴３２ａまたはＥＵＶ光通過穴３２ｂを通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出し得る。これにより、外周リング３２Ａ、芯３２Ｂおよびトラッピングブレード３２Ｃの少なくともいずれかの表面に析出したＳｎが付着し得る。すなわち、ゲートバルブＷ３を介して露光装置側へスタナンガスの状態で流れ込み得るＳｎは、外周リング３２Ａ、芯３２Ｂおよびトラッピングブレード３２Ｃの少なくともいずれかによって回収され得る。これにより、露光装置へスタナンガスが流入するのを抑制することが可能となる。また、トラップ３２の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満に維持することで、Ｓｎをトラップ３２に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００５１】
・トラップ３３
図９は、実施の形態３において、チャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるトラップの構成を概略的に示す。図９に示されるように、トラップ３３は、たとえばチャンバ１１から排気ポンプ１２へガスが流れる方向に対して略平行に複数の板状のブレード３３Ｂが配置された構成でもよい。複数の板状のブレード３３Ｂは、その断面が格子状になるように配置されてもよい。チャンバ１１内から排気ポンプ１２へ流れ込み得るスタナンガスは、ブレード３３Ｂによって格子状に仕切られた空間内を流れ得る。そこで、トラップ３３を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておくのが好ましい。トラップ３３には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。また、トラップ３３には、温度センサ４０ｃが設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３３が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱され、排気ポンプ１２に流れ込み得るスタナンガスが、格子状の空間を通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出し得る。それにより、ブレード３３Ｂの表面に析出したＳｎが付着し得る。すなわち、排気ポンプ１２にスタナンガスの状態で流れ込み得るＳｎは、ブレード３３Ｂによって回収され得る。これにより、排気ポンプ１２へスタナンガスが流入するのを抑制することが可能となる。また、トラップ３３の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満に維持することで、Ｓｎをトラップ３３に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００５２】
・トラップ３４〜３６
図１０は、実施の形態３において、チャンバ内の所定の位置に配置されるトラップの構成を概略的に示す。図１０に示されるように、トラップ３４〜３６は、ワイヤやリボン等が３次元の網目（または格子）状に組み合わされて構成されてもよい。チャンバ１１内を流れるスタナンガスは、トラップ３４〜３６の表面付近を通過し得る。そこで、トラップ３４〜３６を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておくのが好ましい。トラップ３４〜３６には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂがそれぞれ設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。また、トラップ３４〜３６には、温度センサ４０ｃがそれぞれ設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３４〜３６が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱され、チャンバ１１内を流れるスタナンガスが、トラップ３４〜３６の表面付近を通過する際に加熱されて分解され、ワイヤやリボンの表面にＳｎが析出し得る。析出したＳｎは、トラップ３４〜３６の表面に付着し得る。これにより、チャンバ１１内にスタナンガスの状態で存在するＳｎを、トラップ３４〜３６によって回収することができる。また、トラップ３４〜３６の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満に維持することで、Ｓｎをトラップ３４〜３６の内部に固体の状態で定着させることが可能となる。トラップ３４〜３６には、スポンジのような多孔質な部材が用いられてもよい。
【００５３】
以上のように構成することで、実施の形態３によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００５４】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかにおける構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５５】
実施の形態４
本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態３では、トラップ３１〜３６の温度をスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（１２０℃程度）以上であってＳｎが固体の状態を保つ温度（２３２℃）未満に調節することで、トラップ３１〜３６でトラップされたＳｎを、これらに固体の状態で定着させた。これに対し、実施の形態４では、トラップ３１〜３６をＳｎが溶融する温度以上に加熱することで、トラップ３１〜３６でトラップされたＳｎを液化してトラップ３１〜３６から流出させてもよい。流出した溶融Ｓｎは、たとえばバケットなどの回収容器に回収されてもよい。
【００５６】
図１１は、実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置におけるトラップおよび回収容器の構成を概略的に示す。なお、図１１を参照に、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置されるトラップを例に挙げて説明する。
【００５７】
図１１に示されるように、実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置では、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部が、Ｌ字型に屈曲していてもよい。チャンバ１１との接続部は、重力方向に延伸してもよい。排気ポンプ１２との接続部は、チャンバ１１との接続部から分岐する形で水平方向に延伸してもよい。チャンバ１１から排気ポンプ１２に流れ込むスタナンガスをトラップするためのトラップ３３は、チャンバ１１から重力方向に延伸する接続部の途中に配置されてもよい。トラップ３３のブレード３３Ｂには、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。また、少なくとも１つのブレード３３Ｂには、温度センサ４０ｃが設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３３が、Ｓｎが溶融する温度（２３２℃）程度以上に加熱され、トラップ３３から溶融ＳｎＤＤが流れ出し得る。
【００５８】
チャンバ１１から重力方向に延伸する接続部の下部には、トラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤを回収するための回収部４０Ａが設けられてもよい。これにより、トラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤが光学要素等を汚染することを抑制できる。チャンバ１１から延伸する接続部と回収部４０Ａとの連結部分を円錐台形状にしておくことで、トラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤを確実に回収部４０Ａに回収することが可能となる。
【００５９】
実施の形態４では、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置されるトラップ３３を例に挙げて説明した。しかし、本開示はこれに限定されず、たとえば実施の形態３で例示されたトラップ３１〜３６のいずれに対しても同様の構成を適用することが可能である。すなわち、トラップを加熱するためのヒータおよび電源と、トラップの温度を検出するための温度センサと、温度センサで検出された温度に基づいて電源を駆動することでトラップの温度を調節することが可能な温度コントローラと、トラップに対して重力方向下方に配置されてトラップから流れ出した溶融Ｓｎを回収するための回収部とを、各トラップに設けることで、各トラップでトラップされたＳｎを液化して回収することが可能となる。
【００６０】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかにおける構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００６１】
・変形例１
上述した実施の形態におけるガス導入管の変形例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってＨラジカルまたはＨ２ガスを流すためのガス導入管を例に挙げて説明する。
【００６２】
変形例１によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１２Ａは、変形例１によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１２Ｂは、図１２Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００６３】
図１２Ａおよび図１２Ｂに示されるように、変形例１では、ラジカル生成器１５から延出するガス導入管１６−１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように延在してもよい。ガス導入管１６−１には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口された穴が略等間隔で設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−１内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−１に設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−１を介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００６４】
ガス導入管１６−１は、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に向けて進行するのを妨げないように、その一部に隙間が設けられてもよい。
【００６５】
・変形例２
変形例２によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１３Ａは、変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１３Ｂは、図１３Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００６６】
図１３Ａおよび図１３Ｂに示されるように、変形例２では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂが設けられてもよい。あるいは、ラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂに代えて、水素ガスを供給するための水素ガス供給源が用いられてもよい。ラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、略軸対称に配置されてもよい。ラジカル生成器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ａが延在してもよい。同様に、ラジカル生成器１５Ｂからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ｂが延在してもよい。２つの半弧状のガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂによって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面が外側から囲まれてもよい。ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口された穴が略等間隔で設けられてもよい。ラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂからガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂに設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００６７】
ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間が設けられてもよい。
【００６８】
・変形例３
変形例３によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１４Ａは、変形例３によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１４Ｂは、図１４Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ面に沿った断面図である。
【００６９】
図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるように、変形例３では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば４つ）のラジカル生成器１５Ａ〜１５Ｄが設けられてもよい。あるいは、ラジカル生成器１５Ａ〜１５Ｄに代えて、水素ガスを供給するための水素ガス供給源が用いられてもよい。ラジカル生成器１５Ａ〜１５Ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、略軸対称に略等間隔に配置されてもよい。ラジカル生成器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、１／４円弧状のガス導入管１６−３ａが延在してもよい。同様に、ラジカル生成器１５Ｂ〜１５Ｄからは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、１／４円弧状のガス導入管１６−３ｂ〜１６−３ｄが延在してもよい。４つの１／４円弧状のガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄによって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面が外側から囲まれ得る。ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口された穴が略等間隔に設けられてもよい。ラジカル生成器１５Ａ〜１５Ｄからガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄに設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００７０】
ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間が設けられてもよい。
【００７１】
プラズマ生成領域Ｐ１を通る磁場Ｂを生成して、プラズマ生成領域Ｐ１で発生したイオンなどのＳｎデブリをミチゲーションしてイオン回収部１８ａおよび１８ｂで回収する場合、この磁場によってトラップされたデブリが通過する部分には、この通過を妨げないように、ガス導入管の一部に隙間が設けられてもよい。
【００７２】
・変形例４
変形例４によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１５Ａは、変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１５Ｂは、図１５Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＢ−ＸＶＢ面に沿った断面図である。
【００７３】
図１５Ａおよび図１５Ｂに示されるように、変形例４によるガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって（図１５Ａ参照）、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って弓状に歪曲した形状でもよい（図１５Ｂ参照）。ガス導入管１６−４の略中央のＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａに対応する位置には、この貫通孔Ｍ１ａを避けるように半弧状に歪曲した歪曲部１６−４ａが設けられてもよい（図１５Ａ参照）。
【００７４】
このような形状を有するガス導入管１６−４は、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置されるのが好ましい。オブスキュレーション領域とは、ＥＵＶ集光ミラーによって集光されるＥＵＶ光のうち、露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に対応する領域のことをいう。すなわち、オブスキュレーション領域は、露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に含まれる３次元的な領域である。
【００７５】
ガス導入管１６−４には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口された穴が両側に略等間隔に設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−４内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−４に設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａを通る中心線付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−４を介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００７６】
ガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲していてもよい。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されるドロップレットＤのプラズマ生成領域Ｐ１への進行を妨げることを抑制できる。
【００７７】
・変形例５
変形例５によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１６Ａは、変形例５によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１６Ｂは、図１６Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ面に沿った断面図である。
【００７８】
図１６Ａおよび図１６Ｂに示されるように、変形例５によるガス導入管１６−５は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって（図１６Ａ参照）、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の端から中央の貫通孔Ｍ１ａにかけて反射面に沿って弓状に歪曲した形状でもよい（図１６Ｂ参照）。ガス導入管１６−５の先端部であってＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａに対応する位置には、貫通孔Ｍ１ａを囲むように円部１６−５ａが設けられてもよい（図１６Ａ参照）。変形例５によるガス導入管１６−５も、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置されるのが好ましい。
【００７９】
円部１６−５ａには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口された穴が外側に向けて略等間隔に設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−５内に送られたＨラジカルは、円部１６−５ａに設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−５を介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００８０】
ガス導入管１６−５は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲していてもよい。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１へ進行するのを妨げられることを抑制できる。
【００８１】
・変形例６
変形例６によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１７Ａは、変形例６によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１７Ｂは、図１７Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００８２】
図１７Ａおよび図１７Ｂに示されるように、変形例６によるガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出する形状を有してもよい。ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て略軸対称に配置されるのが好ましい。
【００８３】
ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄにおいて貫通孔Ｍ１ａから突出した先端部分には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って開口する複数の穴が設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄ内に送られたＨラジカルは、先端部分の穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄを介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００８４】
・変形例７
変形例７によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１８Ａは、変形例７によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１８Ｂは、図１８Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＩＩＢ−ＸＶＩＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００８５】
図１８Ａおよび図１８Ｂに示されるように、変形例７によるガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出する形状を有してもよい。ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄの貫通孔Ｍ１ａから突出した部分は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の端に向かって延伸するとともに、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲していてもよい。ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て略軸対称に配置されるのが好ましい。
【００８６】
ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄにおける貫通孔Ｍ１ａから突出した部分には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って開口する複数の穴が設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄ内に送られたＨラジカルは、先端部分の穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って広がって流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄを介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００８７】
・変形例８
変形例８によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１９Ａは、変形例８によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１９Ｂは、図１９Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ面に沿った断面図である。
【００８８】
図１９Ａ〜図１９Ｃに示されるように、変形例８によるガス導入管１６−８は、開口する先端がドーム状に拡がった円錐状の外板１６−８ａと、同様に、開口する先端がドーム状に拡がり且つこの先端が外板１６−８ａの開口部から隙間を持ちつつ突出する円錐状の内板１６−８ｂと、を備えてもよい。すなわち、ガス導入管１６−８は、外板１６−８ａと内板１６−８ｂとの間に隙間が設けられた二重構造の構成でもよい。ガス導入管１６−８の先端部は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側より貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出してもよい。ガス導入管１６−８の先端側に形成されたドーム状に拡がる部分の隙間１６−８１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を向いてもよい。Ｈラジカルは、ガス導入管１６−８におけるＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側の隙間からガス導入管１６−８内に流入し、その後、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に突出した先端部分の隙間から吹き出され得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って広がって流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００８９】
・変形例９
変形例９について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、Ｈ２がラジカル化され、Ｈラジカルの状態で光学要素の表面に沿って流されていた。これに対し、変形例９では、チャンバ１１内の光学要素、特にＥＵＶ光Ｌ２を強く浴びるＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して、Ｈラジカルではなく、Ｈ２ガスが吹きつけられてもよい。図２０Ａは、変形例９によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図２０Ｂは、図２０Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＢ−ＸＸＢ面に沿った断面図である。
【００９０】
図２０Ａおよび図２０Ｂに示されるように、変形例９によるガス導入管１６−９は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿ってＨ２ガスを流すように構成されてもよい。ガス導入管１６−９の形状は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２を略遮蔽しないものであれば、如何様にも変形できる。
【００９１】
ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流されたＨ２ガスは、プラズマ生成領域Ｐ１で発生した紫外光、真空紫外光およびＥＵＶ光Ｌ２等の短波長の光に照射されることで、ラジカル化し得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面を、水素ガスがＨラジカルの状態で流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００９２】
・変形例１０
変形例１０について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してＨラジカルまたはＨ２ガスがチャンバ１１内の光学要素の表面に沿って流されたが、これに限定されず、チャンバ１１内の光学要素の表面に直接ＨラジカルまたはＨ２ガスを流すためのラジカル生成器が配置されてもよい。図２１Ａは、変形例１０によるラジカル生成器およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図２１Ｂは、図２１Ａに示されるラジカル生成器およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＩＢ−ＸＸＩＢ面に沿った断面図である。
【００９３】
図２１Ａおよび図２１Ｂに示されるように、変形例１０では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂが設けられてもよい。あるいは、ラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂに代えて、水素ガスを供給するための水素ガス供給源が用いられてもよい。ラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面上外に略軸対称に配置されてもよい。ラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂのラジカル噴出口は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってHラジカルが流れるように向けられていてもよい。これにより、ラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂから噴出されたＨラジカルがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なくＨラジカルが流され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００９４】
・変形例１１
変形例１１について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してＨラジカルまたはＨ２ガスがチャンバ１１内の光学要素に流された。しかし、これに限定されず、チャンバ１１内の光学要素に近接してＨ２ガスをラジカル化するためのフィラメントを配置し、チャンバ１１内にＨ２ガスを充填しておいてもよい。図２２Ａは、変形例１１によるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図２２Ｂは、図２２Ａに示されるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＩＩＢ−ＸＸＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００９５】
図２２Ａおよび図２２Ｂに示されるように、変形例１１では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のフィラメント１６−１１が設けられてもよい。フィラメント１６−１１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面上外に略軸対称に配置されてもよい。Ｈ２ガスは、フィラメント１６−１１近傍を通過する際にエネルギーを受けてラジカル化され、その後、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に入射し得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００９６】
実施の形態５
本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態および変形例では、ＥＵＶ光生成装置の稼働中にＨラジカルまたはＨ２ガスが光学要素の反射面に沿って流れるように、ＨラジカルまたはＨ２ガスを吹きつけて光学要素に付着したＳｎをエッチングしていた。これに対し、実施の形態５では、ＥＵＶ光生成装置の停止中に光学要素の反射面全体にＨラジカルまたはＨ２ガスが吹きつけられて光学要素に付着したＳｎがエッチングされてもよい。図２３は、実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００９７】
図２３に示されるように、実施の形態５によるチャンバ１１Ａでは、チャンバ１１Ａ内におけるＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に、外部からラジカル生成器１６−１２を導入するためのゲートＷ４ａが設けられてもよい。ゲートＷ４ａは、シャッタＷ４によって密閉することが可能である。ＥＵＶ光生成装置の停止時には、まず、シャッタＷ４を移動してゲートＷ４ａが開けられ、ラジカル生成器１６−１２がチャンバ１１Ａ内に導入されてもよい。その後、ラジカル生成器１６−１２から光学要素、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面全体に向けてＨラジカルまたはＨ２ガスが吹き付けられてもよい。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１等の光学要素に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００９８】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかにおける構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００９９】
実施の形態６
本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態５によるラジカル生成器１６−１２は、Ｈ２ガスが吹き出されるガス導入管およびガス導入管から吹き出されたＨ２ガスをラジカル化するフィラメントに、置き換えられてもよい。図２４Ａは、実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【０１００】
図２４Ａおよび図２４Ｂに示されるように、実施の形態６では、チャンバ１１Ａ内に、ラジカル生成器１６−１２に代えて、Ｈ２ガスボンベ（不図示）に接続されたガス導入管１６−１３ａが導入されてもよい。ガス導入管１６−１３ａのガス放出口には、Ｈ２ガスをラジカル化するためのフィラメント１６−１３が設けられてもよい。ＥＵＶ光生成装置の停止時には、まず、シャッタＷ４を移動させてゲートＷ５が開けられ、ガス導入管１６−１３ａがチャンバ１１Ａ内に導入されてもよい。その後、フィラメント１６−１３に電流が供給されるとともに、ガス導入管１６−１３ａへＨ２ガスを流入させてもよい。これにより、ガス導入管１６−１３ａから吹き出されるＨ２ガスがラジカル化され、Ｈラジカルとなって光学要素、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面全体に向けて吹きつけられ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１等の光学要素に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【０１０１】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかにおける構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【０１０２】
実施の形態７
本開示の実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【０１０３】
（構成）
図２５Ａは、実施の形態７によるＥＵＶ集光ミラーおよびガス導入管をＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図２５Ｂは、レーザ光集光ユニット、実施の形態７によるＥＵＶ集光ミラーおよびガス導入管の、ＥＵＶ集光ミラーの反射面と垂直な面における構成を概略的に示す断面図である。
【０１０４】
図２５Ａおよび図２５Ｂに示すように、実施の形態７は、外側配管２６３、内側配管２６４、および壁部２６５を含んでもよい。軸外放物面ミラーＭ２は、レーザ光集光ユニット２１０に置き換えられていてもよい。ＥＵＶ集光ミラーＭ１は、プレートＨ１に固定されていてもよい。プレートＨ１は、上述したチャンバ１１内に固定されていてもよい。
【０１０５】
レーザ光集光ユニット２１０は、ウィンドウＷ２、軸外放物凸面ミラー２１２および楕円凹面ミラー２１３を含んでもよい。これらの光学素子は、ウィンドウＷ２、軸外放物凸面ミラー２１２、楕円凹面ミラー２１３の順番でプリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂが入射するように配置されていてもよい。
【０１０６】
軸外放物凸面ミラー２１２および楕円凹面ミラー２１３は、サブチャンバ２１１内に配置されてもよい。サブチャンバ２１１は、配管２６１を介して水素ガス供給源２５１に接続されていてもよい。水素ガス供給源２５１に代えて、ラジカル生成器が用いられてもよい。配管２６１は、これから吹き出された水素ガスがウィンドウＷ２の表面に流れるように配置されていてもよい。
【０１０７】
サブチャンバ２１１は、プレートＨ１に固定されてもよい。サブチャンバ２１１は、チャンバ１１の内部に配置されてもよいし、チャンバ１１の外壁に取り付けられてもよい。
【０１０８】
サブチャンバ２１１とプレートＨ１とＥＵＶ集光ミラーＭ１との接続部の一部には、レーザ光をプラズマ生成領域Ｐ１へ通過させるために、サブチャンバ２１１とプレートＨ１とＥＵＶ集光ミラーＭ１とを貫通する貫通孔が設けられていてもよい。この貫通孔は、サブチャンバ２１１に設けられた貫通孔２１１ａと、プレートＨ１に設けられた貫通孔Ｈ１ａと、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に設けられた貫通孔Ｍ１ａとで形成されてもよい。サブチャンバ２１１における配管２６１との接続部および貫通孔２１１ａ以外の部分は、気密であってもよい。貫通孔２１１ａには、内側配管２６４および壁部２６５が嵌め込まれていてもよい。
【０１０９】
図２６Ａは、一体化された内側配管２６４および壁部２６５の構成を概略的に示す斜視図である。図２６Ｂは、貫通孔２１１ａ、Ｈ１ａおよびＭ１ａに嵌め込まれた内側配管２６４および壁部２６５の構成を概略的に示す断面図である。図２６Ａおよび図２６Ｂに示すように、壁部２６５は、中空の円錐台形状の部材であってもよい。壁部２６５の底面に当たる部分には、開口２６５ａが設けられていてもよく、壁部２６５の頂点付近に当たる部分には、開口２６５ｂが設けられていてもよい。壁部２６５の内部は、プリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの通過経路として機能してもよい。壁部２６５は、たとえば開口２６５ａおよび開口２６５ｂがそれぞれ円形の開口である場合の各開口の中心点を通過する軸が、楕円凹面ミラー２１３で反射されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂのビーム軸と略一致するように配置されていてもよい。頂点側の開口２６５ｂは、プラズマ生成領域Ｐ１に対向するように配置されてもよい。壁部２６５の内側面によって囲われる立体角は、楕円凹面ミラー２１３で反射されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの集光立体角と略等しくてもよい。このように構成することで、プリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの一部が壁部２６５の内側面に照射された場合でも、レーザ光の入射角が大きくなるので、壁部２６５の損傷を軽減することができる。
【０１１０】
内側配管２６４は、２つの部材（第１および第２部材）で構成されてもよい。各部材は、中空円錐台形状の胴体部と、ラッパ状に広がる返し部とを含んでもよい。第１部材の胴体部の内径は、第２部材の胴体部の外径よりも大きいのが好ましい。これらの２つの部材は、間に略均一なギャップが形成されるように、不図示のスペーサ等で互いに固定されていてもよい。組み合わされた２つの部材は、水素ガスの入り口となる開口２６４ａと、水素ガスの吹出し口となる開口２６４ｂとを形成してもよい。
【０１１１】
内側に配置される第２部材の胴体部は、壁部２６５の底面付近に固定されてもよい。この際、内側配管２６４の開口２６４ａは、壁部２６５の開口２６５ａと同一面上に位置していてもよい。外側に配置される第１部材の胴体部は、サブチャンバ１１ａの貫通孔２１１ａの外周部に固定されてもよい。内側配管２６４は、その吹出し口側の開口２６４ｂから吹き出した水素ガスがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒ上をその中央部から外周側へ向けて放射状に流れるように配置されていてもよい。
【０１１２】
図２７Ａは、外側配管２６３、配管２６２、および水素ガス供給源２５２の構成を概略的に示す斜視図である。図２７Ｂは、図２７Ａに示す外側配管２６３の断面構成を示す断面図である。図２７Ａおよび図２７Ｂに示すように、外側配管２６３は、環状の配管であってもよい。外側配管２６３は、配管２６２を介して水素ガス供給源２５２に接続されていてもよい。水素ガス供給源２５２に代えて、ラジカル生成器が用いられてもよい。外側配管２６３の内周側には、水素ガスの吹出し口となるスリット２６３ａが設けられていてもよい。スリット２６３ａは、外側配管２６３の内周面を一周するように設けられてもよい。スリット２６３ａは、外側配管２６３の内周面の中央に対して一方の側に片寄って設けられてもよい。たとえば、スリット２６３ａは、図２７Ｂに示すように図中下側のＥＵＶ集光ミラーに対向する側に設けられてもよい。水素ガス供給源２５２から供給された水素ガスは、配管２６２を介して、外側配管２６３のスリット２６３ａから吹き出してもよい。外側配管２６３は、吹き出した水素ガスがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒ上をその外周部から中央部へ向けて流れるように、環状配管の中心がＥＵＶ集光ミラーの反射面の中心軸に略一致するように配置されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラーの反射面の中心軸は回転楕円面の回転軸であってよい。
【０１１３】
（動作）
プリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂは、ウィンドウＷ２を介してレーザ光集光ユニット２１０内に導入されてもよい。レーザ光集光ユニット２１０内に導入されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂは、軸外放物凸面ミラー２１２によってビーム断面が広げられてもよい。その後、プリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂは、楕円凹面ミラー２１３によってプラズマ生成領域Ｐ１に向けて反射されドロップレット生成器１４ｂから供給されたドロップレットＤに照射されてもよい。
【０１１４】
ドロップレットＤは、メインパルスレーザ光Ｌ１ｂの照射によってプラズマ化し得る。これにより生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光が放射され得る。この際、ターゲット物質のデブリが生成され得る。このデブリは、チャンバ１１内に配置された各光学素子に付着し得る。
【０１１５】
サブチャンバ２１１内に供給された水素ガスは、サブチャンバ２１１に設けられたウィンドウＷ２、軸外放物凸面ミラー２１２、および楕円凹面ミラー２１３などの光学要素の表面を流れてもよい。
【０１１６】
また、サブチャンバ２１１内に供給された水素ガスは、内側配管２６４および壁部２６５の少なくともいずれかを介してＥＵＶ集光ミラーＭ１が収容された空間内に流入してもよい。内側配管２６４を通過した水素ガスは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒ上を、中央部から外周側へ向けて放射状に流れてもよい。このとき同時に外側配管２６３から、水素ガスがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒ上をその外周部から中央部へ向けて流れるように流出してもよい。
【０１１７】
（作用）
実施の形態７によれば、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒに対し、水素ガスが、中央部から外周側へ向けて反射面Ｍ１ｒに沿って放射状に流され、かつ、外周部から中央部に向かって反射面Ｍ１ｒに沿って流され得る。これにより、プラズマ生成領域Ｐ１で発生したデブリがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒに付着することを低減し得る。また、反射面Ｍ１ｒにデブリが付着したとしても、この付着したデブリをエッチングすることができる。
【０１１８】
さらに、サブチャンバ２１１に導入された水素ガスが各光学要素の表面を流れ得る。これにより、各光学要素へのデブリの付着を抑制し得る。また、各光学要素にデブリが付着したとしても、この付着したデブリをエッチングすることができる。
【０１１９】
上記実施の形態およびそれらの変形例は、本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内である。更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示した変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。
【０１２０】
さらに、上述の実施の形態では、好ましい例として光学要素の表面に沿ってエッチングガスが流される実施の形態が示されたが、この実施の形態に限定されることなく、光学要素の反射面に対してエッチングガスが吹き付けられてもある程度のＳｎをエッチングすることができる。図２３、図２４Ａおよび図２４Ｂに示される実施の形態のように、光学要素表面全体に対してエッチングガスが吹きつけられるのが好ましい。
【０１２１】
光学要素の温度を調節する装置として、温度制御された熱媒体を光学要素基板に流す例やヒータとチラーとを組み合わせた例が示されたが、これらの例に限定されることなく、加熱と冷却とができるシステムであれば如何なるものも適用することができる。たとえば、温度調節素子としてペルチェ素子を使用して電流を制御することによって高精度に光学要素の温度を制御してもよい。
【０１２２】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１２３】
１、３ ＥＵＶ光生成装置
１０ ＥＵＶ光生成コントローラ
１１、１１Ａ チャンバ
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ パーティション
１２ 排気ポンプ
１３ 露光装置接続部
１４ａ ドロップレットコントローラ
１４ｂ ドロップレット生成器
１４ｃ ノズル
１４ｄ ドロップレット回収部
１５、１５ａ〜１５ｃ、１５Ａ〜１５Ｄ、１５−１０ａ、１５−１０ｂ、１６−１２ ラジカル生成器
１６ａ〜１６ｃ、１６−１、１６−２ａ、１６−２ｂ、１６−３ａ〜１６−３ｄ、１６−４、１６−５、１６−６ａ〜１６−６ｄ、１６−７ａ〜１６−７ｄ、１６−８、１６−９、１６−１３ａ ガス導入管
１６−４ａ 歪曲部
１６−５ａ 円部
１６−８ａ 外板
１６−８ｂ 内板
１６−１１、１６−１３ フィラメント
１６−８１ 隙間
１７ チラー
１８ａ、１８ｂ イオン回収部
Ｍ 光学要素
Ｍ１ ＥＵＶ集光ミラー
Ｍ２、Ｍ３ 軸外放物面ミラー
２０ 温度コントローラ
２０ａ 電源
２０ｂ 温度調節素子
２０ｃ 温度センサ
２１〜２５、４０ 温度コントローラ
２１ａ〜２５ａ、４０ａ 電源
２１ｂ〜２５ｂ、４０ｂ ヒータ
２１ｃ〜２５ｃ、４０ｃ 温度センサ
３１、３２、３３、３４、３５、３６、 トラップ
３１Ａ、３２Ａ 外周リング
３１Ｂ レーザ光通過リング
３１Ｃ、３２Ｃ トラッピングブレード
３１ａ レーザ光通過穴
３１ｂ、３２ｂ ＥＵＶ光通過穴
３２Ｂ 芯
３３Ｂ ブレード
４０Ａ 回収部
２１０ レーザ光集光ユニット
２１１ サブチャンバ
２１１ａ 貫通孔
２１２ 軸外放物凸面ミラー
２１３ 楕円凹面ミラー
２５１、２５２ 水素ガス供給源
２６１、２６２ 配管
２６３ 外側配管
２６３ａ スリット
２６４ 内側配管
２６４ａ、２６４ｂ 開口
２６５ 壁部
２６５ａ、２６５ｂ 開口
Ｃ１〜Ｃ５ 熱媒体流路
Ｃｉｎ 主送配管
Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎ 副送配管
Ｃｏｕｔ 主排配管
Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔ 副排配管
Ｄ ドロップレット
Ｅ オブスキュレーション領域
ＩＦ 中間集光点
Ｌ１ａ プリパルスレーザ光
Ｌ１ｂ メインパルスレーザ光
Ｌ２ ＥＵＶ光
Ｍ１ａ 貫通孔
ＭＬ メインパルスレーザ
ＰＬ プリパルスレーザ
Ｐ１ プラズマ生成領域
Ｔ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎ、Ｔ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔ 温度センサ
Ｖ１〜Ｖ５ 流量調節バルブ
Ｗ１、Ｗ２ ウィンドウ
Ｗ３ ゲートバルブ
Ｗ４ シャッタ
Ｗ４ａ、Ｗ５ ゲート
Ｈ１ プレート
Ｈ１ａ 貫通孔
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍでの微細加工、さらには３２ｎｍ以下での微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば、３２ｎｍ以下での微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式装置との３種類が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２６６２３４号公報
【概要】
【０００５】
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御するための少なくとも１つの温度調節機構と、を備えてもよい。
【０００６】
本開示の他の態様による極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記ターゲット物質のプラズマから放射した極端紫外光を反射する集光ミラーと、前記集光ミラーの反射面に対向したガスの吹出し口を備え、吹出し口からガスを供給するガス供給部と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、水素ガスが水素ラジカルに変化して、光学要素上の固体Ｓｎと反応してスタナンガスが生成される反応、およびスタナンガスが分解されて、固体Ｓｎが析出する反応を概略的に示す。
【図３】図３は、Ｓｎのエッチング反応速度、Ｓｎの析出反応速度、およびＳｎのエッチング反応速度とＳｎの析出反応速度との差で表されるトータルのエッチングレートそれぞれと温度との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、実施の形態１において、チャンバ内に配置された光学要素の温度を制御するための構成を概略的に示す。
【図５】図５は、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置において、チャンバ内に配置された光学要素の温度を制御するための構成を概略的に示す。
【図６】図６は、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図７】図７は、実施の形態３において、ＥＵＶ集光ミラーの反射面側に近接して配置されるトラップの構成を概略的に示す。
【図８】図８は、実施の形態３において、ゲートバルブの近傍に配置されるトラップの構成を概略的に示す斜視図である。
【図９】図９は、実施の形態３において、チャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるトラップの構成を概略的に示す。
【図１０】図１０は、実施の形態３において、チャンバ内の所定の位置に配置されるトラップの構成を概略的に示す。
【図１１】図１１は、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置におけるトラップおよび回収容器の構成を概略的に示す。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本開示の変形例１によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、本開示の変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本開示の変形例３によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ面に沿った断面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本開示の変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、図１５Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＢ−ＸＶＢ面に沿った断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本開示の変形例５によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ面に沿った断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、本開示の変形例６によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１７Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本開示の変形例７によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＩＩＢ−ＸＶＩＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本開示の変形例８によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ面に沿った断面図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、変形例８によるガス導入管の先端部分の形状を概略的に示す斜視図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、本開示の変形例９によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、図２０Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＢ−ＸＸＢ面に沿った断面図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、本開示の変形例１０によるラジカル生成器およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、図２１Ａに示されるラジカル生成器およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＩＢ−ＸＸＩＢ面に沿った断面図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、本開示の変形例１１によるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、図２２Ａに示されるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＩＩＢ−ＸＸＩＩＢ面に沿った断面図である。
【図２３】図２３は、本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、図２４Ａに示されるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２５Ａ】図２５Ａは、本開示の実施の形態７によるＥＵＶ集光ミラーおよびガス導入管をＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは、レーザ光集光ユニット、実施の形態７によるＥＵＶ集光ミラーおよびガス導入管のＥＵＶ集光ミラーの反射面に直交する面における構成を概略的に示す断面図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、アッセンブルされた内側配管および壁部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、貫通孔に嵌め込まれた内側配管および壁部の構成を概略的に示す断面図である。
【図２７Ａ】図２７Ａは、外側配管、配管、および水素ガス供給源の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２７Ｂ】図２７Ｂは、図２７Ａに示す外側配管の構成を示す断面図である。
【実施の形態】
【０００８】
以下、本開示を実施するための形態を添付の図面を参照に詳細に説明する。以下の説明において、各図では本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係等が概略的に示されてあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係等に限定されるものではない。各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。また、後述において例示する数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。
【０００９】
実施の形態１
本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。
【００１０】
図１に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成用の空間を画定する気密性の高いチャンバ１１と、チャンバ１１と露光装置（不図示）とを光学的に接続する露光装置接続部１３と、チャンバ１１内にＥＵＶ光の生成材料となる錫（Ｓｎ）などのターゲット物質を液滴状のドロップレットＤとして供給するためのドロップレットコントローラ１４ａおよびドロップレット生成器１４ｂと、ドロップレットＤをプラズマ化するためのパルス状のレーザ光（プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を出力するよう構成されるプリパルスレーザＰＬおよびメインパルスレーザＭＬと、プリパルスレーザＰＬおよびメインパルスレーザＭＬならびにドロップレットコントローラ１４ａ等を適宜制御するよう構成されるＥＵＶ光生成コントローラ１０と、を備えてもよい。チャンバ１１内には、ドロップレット生成器１４ｂに設けられたノズル（不図示）の先端を介してドロップレットＤが供給されてもよい。
【００１１】
チャンバ１１には、ウィンドウＷ１およびＷ２が設けられてもよく、プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂはそれぞれウィンドウＷ１およびＷ２を透過してチャンバ１１内部に入射してもよい。チャンバ１１内部には、ウィンドウＷ１およびＷ２を介して入射したプリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂをそれぞれチャンバ１１内のプラズマ生成領域Ｐ１における所定の位置で集光するための軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３と、プラズマ生成領域Ｐ１で生成されたＥＵＶ光Ｌ２が露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦで集光されるように反射するＥＵＶ集光ミラーＭ１と、が設けられてもよい。
【００１２】
このような構成において、ＥＵＶ光生成コントローラ１０は、ドロップレットコントローラ１４ａを制御することで、ドロップレット生成器１４ｂからドロップレットＤが出力されるタイミングを制御してもよい。ドロップレット生成器１４ｂから出力されたドロップレットＤは、プラズマ生成領域Ｐ１に到着し得る。ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に到着するタイミングに合わせて、ドロップレットＤには、プリパルスレーザＰＬから出力されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａがウィンドウＷ１および軸外放物面ミラーＭ２を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の側面側から集光されてもよい（１段目のレーザ照射）。これにより、ドロップレットＤを構成するターゲット物質が拡散して、液滴状のターゲット物質が弱いプラズマ、中性粒子、クラスターやフラグメント等が混在した状態に変容し得る。以下の説明では、この状態にあるターゲット物質を「拡散したターゲット」と称する。
【００１３】
プラズマ生成領域Ｐ１で生成された拡散したターゲットには、メインパルスレーザＭＬから出力されたメインパルスレーザ光Ｌ１ｂがウィンドウＷ２および軸外放物面ミラーＭ３を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から集光されてもよい（２段目のレーザ照射）。これにより、拡散したターゲットがプラズマ化し得る。ＥＵＶ光Ｌ２は、このプラズマが脱励起する際に放射され得る。なお、ＥＵＶ集光ミラーＭ１には、メインパルスレーザ光Ｌ１ｂを通過させるための貫通孔Ｍ１ａが設けられてもよい。プリパルスレーザＰＬからプリパルスレーザ光Ｌ１ａが出力されるタイミングおよびメインパルスレーザＭＬからメインパルスレーザ光Ｌ１ｂが出力されるタイミングは、ＥＵＶ光生成コントローラ１０によって制御されてもよい。ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に到着するタイミングに合わせてこれにプリパルスレーザ光Ｌ１ａが照射されて、プラズマ生成領域Ｐ１で生成された拡散したターゲットにメインパルスレーザ光Ｌ１ｂが照射されてもよい。
【００１４】
プラズマから放射されたＥＵＶ光Ｌ２は、その反射面が回転楕円面形状のＥＵＶ集光ミラーＭ１によって反射されることで、露光装置接続部１３へ向けて反射されてもよい。反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、上述したように、露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦで集光されてもよい。その後、ＥＵＶ光Ｌ２は、導波路（たとえば管）（不図示）を介して露光装置へ導波されてもよい。
【００１５】
実施の形態１では、レーザ光の２段階照射によってターゲット物質（ドロップレットＤ）がプラズマ化されるが、これに限らず、１段階または３段階以上のレーザ照射によってターゲット物質がプラズマ化されてもよい。さらに、実施の形態１では、ターゲット物質が液滴状で供給される場合を例に挙げたが、これに限らず、予めチャンバ１１内に配置されたローテーション可能な固体ターゲット物質が用いられてもよい。
【００１６】
プラズマ生成領域Ｐ１で生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光Ｌ２が放射された後、イオン、原子、帯電した粒子、中性の粒子など、ターゲット物質であるＳｎの粒子（以下、Ｓｎデブリという）が発生し得る。このＳｎデブリは、プラズマ生成領域Ｐ１から放出された後、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１や軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３などの光学要素に付着し、堆積し得る。
【００１７】
そこで、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１１内に水素ラジカル（以下、ＨラジカルまたはＨ＊と記す）を供給するためのラジカル生成器１５ａ〜１５ｃと、チャンバ１１内のガスを排気するための排気ポンプ１２と、を備えてもよい。ただし、ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃに代えて、水素ガスを供給する水素ガス供給源が用いられてもよい。ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃから放出されたＨラジカルは、チャンバ１１内に延在するガス導入管１６ａ〜１６ｃを介してチャンバ１１内に供給されてもよい。ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃおよびガス導入管１６ａ〜１６ｃは、チャンバ１１内に配置された光学要素に付着したＳｎデブリをエッチングするためのエッチングガス（Ｈラジカルおよびラジカル化されなかったＨ２ガス）を光学要素の表面に沿って流してもよい。
【００１８】
ガス導入管１６ａ〜１６ｃのガス放出口は、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１や軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３などの光学要素にそれぞれ向けられるのが好ましい。それにより、Ｓｎデブリが付着した光学要素表面に沿って、Ｈラジカルが流れ、Ｈラジカルが光学要素表面のＳｎデブリと反応して、スタナン（ＳｎＨ４）ガスが生成され得る。このスタナンガスは、約−５２℃以上で気体である。したがって、ＳｎとＨラジカルとを反応させ、スタナンガスを生成することによって、光学要素表面のＳｎデブリをエッチングすることが可能となる。この結果、光学要素の性能劣化を抑制することができる。なお、実施の形態１および後述する実施の形態において、ガス放出口は、少なくとも１つの開口であっても、スリットであってもよい。
【００１９】
Ｈラジカルを光学要素表面に沿って流すことによって生成されたスタナンガスは、排気ポンプ１２によってチャンバ１１外へ排気されてもよい。実施の形態１では、付着したＳｎデブリを高効率でエッチング反応させるために、水素がラジカルの状態で供給されるのが好ましいが、これに限らず、水素分子（Ｈ２）の状態で供給されてもよい。この場合、水素分子がプラズマ生成領域Ｐ１で放射される紫外光、真空紫外光、ＥＵＶ光等によってＨラジカルへ変容すると、そのＨラジカルが光学要素に付着したＳｎデブリと反応してスタナン（ＳｎＨ４）が生成され得る。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリがエッチングされて光学要素の性能劣化を抑制することができる。この場合、ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃは必須ではなく、ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃの代わりに水素ガス供給源が設けられてもよい。水素ガス供給源は露光装置が設置される設備に備えられていてもよいし、ＥＵＶ光生成装置および露光装置のいずれかに設けられていてもよい。
【００２０】
チャンバ１１内には、たとえば板状のパーティション１１ａ〜１１ｃが配置されてもよい。このパーティション１１ａ〜１１ｃによって、チャンバ１１内でのガス（Ｈラジカル、水素ガス、スタナンガス等）の流れがコントロールされ得る。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリを効率よくエッチングしつつ、生成されたスタナンガスを効率よく排出することが可能となる。パーティション１１ｂと１１ｃとの間に形成される開口部Ａ１は、エッチングガスの流路の機能とメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの光路の機能とを果たしてもよい。パーティション１１ａと１１ｂとの間に形成される開口部Ａ２は、エッチングガスの流路の機能とプリパルスレーザ光Ｌ１ａの光路の機能とを果たしてもよい。
【００２１】
光学要素（たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１ならびに軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３）から、デブリが発生する領域であるプラズマ生成領域Ｐ１へ向けてガスが流れるように、パーティション１１ａ〜１１ｃを用いてガスの流れが制御されることで、光学要素へのＳｎデブリの入射が抑制され得る。これにより、光学要素へのＳｎデブリの付着を低減することが可能となり、光学要素の性能劣化をより確実に抑制することが可能となる。
【００２２】
図２は、水素ガスが水素ラジカルに変化して、光学要素上の固体Ｓｎと反応してスタナンガスが生成される反応、およびスタナンガスが分解されて、固体Ｓｎが析出する反応を概略的に示す。ＳｎとＨラジカルとの反応は、以下の化学反応式（１）および（２）で表され得る。
エッチング反応：Ｓｎ（ｓ）＋４Ｈ＊（ｇ）→ＳｎＨ４（ｇ） （１）
析出反応：ＳｎＨ４→Ｓｎ（ｓ）＋２Ｈ２ （２）
【００２３】
ここで（ｓ）および（ｇ）はそれぞれ、固体状態およびガス状態を示している。化学反応式（１）および（２）に示される反応は、同時に起こり得る。トータルのエッチングレートＶａｌは、以下の式（３）に示されるように、エッチングレートＶ１と析出速度Ｖ２との差で表され得る。
Ｖａｌ＝Ｖ１−Ｖ２ （３）
【００２４】
エッチングレートＶ１、析出速度Ｖ２およびトータルのエッチングレートＶａｌは、Ｈラジカル、Ｈ２、およびＳｎＨ４の濃度が一定の場合、光学要素の温度によって変化し得る。
【００２５】
図２は、光学要素の温度を調節するための構成（温度調節機構）の概略を示す。温度調節機構は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１などの光学要素Ｍに設けられた温度調節素子２０ｂと、温度調節素子２０ｂに電流を供給する電源２０ａと、光学要素Ｍに設けられた温度センサ２０ｃと、温度センサ２０ｃによって検出された温度に基づいて電源２０ａから温度調節素子２０ｂに供給される電流を制御するための温度コントローラ２０と、を備えてもよい。この温度調節素子２０ｂの例としては、ヒータを使用し、温度センサ２０ｃによる検出結果に基づいて、ヒータへ供給される電流を制御することによって、温度を所定の温度に安定化させてもよい。
【００２６】
設定温度（常温から加熱温度調節できる範囲内）に対する、トータルのエッチングレートＶａｌを計測した。図３は、Ｓｎのエッチング反応速度、Ｓｎの析出反応速度、およびＳｎのエッチング反応速度とＳｎの析出反応速度との差で表されるトータルのエッチングレートそれぞれと温度との関係を示すグラフである。図３において、破線はエッチングレートＶ１の温度依存性を示し、一点破線は析出速度Ｖ２の温度依存性を示す。実線は、トータルのエッチングレートＶａｌ（＝Ｖ１−Ｖ２）を示す。トータルのエッチングレートが０の場合とは、エッチングレートＶ１と析出速度Ｖ２とが等しいことを意味し、この場合、光学要素の表面に付着したＳｎは除去されない。トータルのエッチングレートＶａｌが正の場合は、光学要素の表面に付着したＳｎがエッチングされることを意味する。逆にトータルのエッチングレートＶａｌが負の場合は、光学要素の表面にさらにＳｎが付着することを意味する。したがって、光学要素Ｍの温度は、目的の温度範囲（たとえば４０℃以上１２０℃以下、好ましくは６０℃以上１００℃以下）内に維持されるように、実測された温度に基づいて温度コントローラ２０が電源２０ａから温度調節素子２０ｂへ供給される電流を制御することで、トータルのエッチングレートＶａｌを必要なエッチングレートに維持し、光学要素に付着したＳｎを取り除くことができる。
【００２７】
図３に示されるように、光学要素に付着しているＳｎのトータルのエッチングレートＶａｌは、光学要素表面の温度が０℃から６０℃程度までは、温度が上昇するにつれて上昇する。一方、光学要素表面の温度が１００℃程度を超えると、トータルのエッチングレートＶａｌは低下し始める。そこで、実施の形態１では、チャンバ１１内に配置された光学要素の温度をたとえば４０℃以上１２０℃以下、好ましくは６０℃以上１００℃以下の範囲内の温度に制御してもよい。これにより、スタナンガスが分解されて光学要素表面にＳｎが析出するのが抑制され得る。この結果、光学要素表面へのＳｎの再析出が抑制され得る。図４は、実施の形態１において、チャンバ内に配置された光学要素の温度を制御するための構成を概略的に示す。図４では、温度制御の対象となる光学要素として、ウィンドウＷ１およびＷ２、ＥＵＶ集光ミラーＭ１、ならびに軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３（以下、単に光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３という）を例に挙げるが、本開示はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
図４に示されるように、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１１外に配置されたチラー１７を備えてもよい。チラー１７は、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度を制御するための熱媒体（たとえば温度調節された水や油などの動作温度で安定な液体）を主送配管Ｃｉｎへ送出してもよい。主送配管Ｃｉｎから光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へは、それぞれ副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎが分岐していてもよい。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へは、主送配管Ｃｉｎへ送り出された温度調節された熱媒体が副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎを介して供給されてもよい。
【００２９】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３は、送り込まれた熱媒体を内部で循環させるための熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５を備えてもよい。副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎに分岐された熱媒体は、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５に流れ込み、その後、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３内を循環してもよい。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的の範囲内の温度に調節され得る。
【００３０】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３内の熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５を循環した熱媒体は、その後、熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５に連結された副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れ込んでもよい。副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔは、チラー１７に繋がる主排配管Ｃｏｕｔに連結されていてもよい。副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れ込んだ熱媒体は、その後、主排配管Ｃｏｕｔを介してチラー１７に戻されてもよい。チラー１７に戻された熱媒体は、その温度が調節された後、再度、主送配管Ｃｉｎへ送り出されてもよい。
【００３１】
副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎおよび副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔには、それぞれの配管を流れる熱媒体の温度を検出するための温度センサＴ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎおよびＴ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔが設けられてもよい。温度センサＴ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎおよびＴ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔにおけるトータルの流量は、たとえばＥＵＶ光生成コントローラ１０または循環ポンプ（不図示）が内蔵されたチラー１７によって制御されてもよい。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へ滞りなく熱媒体が供給され得る。
【００３２】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔには、流量調節バルブＶ１〜Ｖ５が設けられてもよい。たとえば、ＥＵＶ光生成コントローラ１０またはチラー１７は、光学要素に流れる熱媒体の流量を制御するために、これらの流量調節バルブＶ１〜Ｖ５を制御してもよい。これにより、副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔを流れる熱媒体の流量が制御されてもよい。この結果、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３を流れる熱媒体の流量が制御され、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的の範囲内の温度に調節され得る。
【００３３】
以上のように、実施の形態１によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素表面に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を抑制することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００３４】
実施の形態２
本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】
図５は、実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置において、チャンバ内に配置された光学要素の温度を制御するための構成を概略的に示す。実施の形態２では、上述の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１に冷却機構と加熱機構とが組み合わされた温度調節機構を適用してもよい。この構成によれば、大容量の温度調節が可能なチラー１７が用いられた温度調節機構と、加熱および冷却が可能なヒータが用いられた温度調節機構とを併用することが可能となり得る。これにより、より高精度に光学要素の温度を調節することが可能となるため、光学要素へのＳｎの付着をさらに低減させることが可能となり得る。この結果、光学要素の性能劣化をさらに低減させることが可能となる。
【００３６】
図５に示されるように、実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、図４に示される構成と同様の構成において、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３に、それぞれヒータ２１ｂ〜２５ｂと温度センサ２１ｃ〜２５ｃとがさらに設けられてもよい。ヒータ２１ｂ〜２５ｂは、電源２１ａ〜２５ａに接続されていてもよい。温度センサ２１ｃ〜２５ｃによって検出された温度は、温度コントローラ２１〜２５にそれぞれ入力されてもよい。温度コントローラ２１〜２５は、温度センサ２１ｃ〜２５ｃから入力された温度が目的の温度範囲内に入るように、電源２１ａ〜２５ａからヒータ２１ｂ〜２５ｂに供給される電流を制御してもよい。ヒータ２１ｂ〜２５ｂは、電源２１ａ〜２５ａから供給された電流に応じて、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３を加熱してもよい。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的の温度範囲内に入るように、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が調節され得る。温度が目的の範囲内の温度に対して上昇しすぎた場合は、チラー１７の冷却水によって光学要素を冷却してもよく、加えて、ヒータによって加熱することによって光学要素の温度を高精度に制御することが可能となる。
【００３７】
以上のように、実施の形態２によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素表面に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を抑制することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００３８】
他の構成および効果は、上述した実施の形態１における構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３９】
実施の形態３
つぎに、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図６は、実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。実施の形態３においても、図３または図５に示される温度調節機構がＥＵＶ光生成装置に設けられてもよい。
【００４０】
図６に示されるように、ＥＵＶ光生成装置３は、図１に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、ＳｎとＨラジカル（またはＨ２）とが反応することで生成されるスタナンガスが分解されて析出するＳｎをトラップするためのトラップ３１〜３６が、チャンバ１１内にさらに設けられてもよい。トラップ３１は、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に近接して配置され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に付着したＳｎから生成されるスタナンガスから析出するＳｎをトラップしてもよい。トラップ３２は、チャンバ１１内であって、ゲートバルブＷ３近傍に配置され、ゲートバルブＷ３を介して露光装置接続部１３側へ流れ込もうとするスタナンガスから析出するＳｎをトラップしてもよい。トラップ３３は、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置され、チャンバ１１内から排気ポンプ１２へ流れ込むスタナンガスから析出するＳｎをトラップしてもよい。トラップ３４〜３６は、チャンバ１１内の所定の位置（たとえばＳｎデブリが付着しやすい位置）に配置され、チャンバ１１内に存在するスタナンガスから析出するＳｎをトラップしてもよい。
【００４１】
トラップ３１〜３６の温度は、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に調節されてもよい。これにより、実施の形態３では、チャンバ１１内のスタナンガスの濃度を低減させることが可能となる。その結果、光学要素の表面に付着したＳｎ層表面付近のスタナンガスの濃度も低減されるため、光学要素の表面に付着したＳｎのトータルのエッチングレートを向上させることが可能となる。また、トラップ３１〜３６の温度をＳｎの融点（２３２℃）未満に維持することで、スタナンガスから析出したＳｎを固体の状態でトラップの表面に定着させることが可能となる。トラップ３１〜３６の材料には、Ｓｎとの反応性が低い物質、たとえばモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、またはアルミナ等が用いられるのが好ましい。
【００４２】
以下に、実施の形態３によるトラップの例を、図面を参照して詳細に説明する。
【００４３】
・トラップ３１
図７は、実施の形態３においてＥＵＶ集光ミラーの反射面側に近接して配置されるトラップの構成を概略的に示す斜視図である。図７に示されるように、トラップ３１は、たとえば両端面が開口された概して円柱の形状でもよい。具体的には、トラップ３１は、両端が開口された外周リング３１Ａと、外周リング３１Ａの内側の中央に配置され、両端が開口されたレーザ光通過リング３１Ｂと、の２重リングの構成を備えてもよい。外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとは、略同軸となるよう構成されるのが好ましい。レーザ光通過リング３１Ｂに開口された空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを通過するレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を通過させるためのレーザ光通過穴３１ａとして機能してもよい。外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間の空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２が通過するためのＥＵＶ光通過穴３１ｂとして機能してもよい。ただし、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光通過穴３１ｂ以外の外周リング３１Ａの外側やレーザ光通過リング３１Ｂの内側を通過してもよい。
【００４４】
レーザ光通過リング３１Ｂの外側面から外周リング３１Ａの内側面にかけては、板状のトラッピングブレード３１Ｃが放射状に延在してもよい。このトラッピングブレード３１Ｃは、外周リング３１Ａに対してレーザ光通過リング３１Ｂを固定する機能と、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間のＥＵＶ光通過穴３１ｂを通過するスタナンガスから析出するＳｎをトラップするためのブレードとしての機能とを有し得る。なお、トラッピングブレード３１Ｃは、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間のＥＵＶ光通過穴３１ｂを複数の領域に仕切ってもよい。
【００４５】
以上のような構成を備えるトラップ３１は、レーザ光通過リング３１Ｂの軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを介してプラズマ生成領域Ｐ１で集光されるレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）のビーム軸と略一致し、外周リング３１Ａの軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の軸と略一致するように、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側にＥＵＶ集光ミラーＭ１に近接して配置されてもよい。これにより、トラップ３１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを通過するレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を遮蔽することなく通過させ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２をそのエネルギーロスを抑制しつつ通過させ得る。
【００４６】
ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面にＨラジカル（またはＨ２ガス）を流すことで生成されるスタナンガスは、主に外周リング３１Ａの内側を流れ得る。そこで、トラップ３１を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておいてもよい。トラップ３１には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。トラップ３１には、温度センサ４０ｃが設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３１は、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎから生成されるスタナンガスが、レーザ光通過穴３１ａまたはＥＵＶ光通過穴３１ｂを通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出し得る。これにより、外周リング３１Ａ、レーザ光通過リング３１Ｂおよびトラッピングブレード３１Ｃの少なくともいずれかの表面に析出したＳｎが付着し得る。すなわち、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎからスタナンガスの状態で発生したＳｎの一部は、外周リング３１Ａ、レーザ光通過リング３１Ｂおよびトラッピングブレード３１Ｃの少なくともいずれかによって回収され得る。これにより、チャンバ１１内のスタナンガスの濃度を低減させることが可能となる。この結果、光学要素の表面に析出したＳｎ層表面付近のスタナンガスの濃度が低減されるため、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に付着したＳｎのトータルのエッチングレートを向上させることが可能となる。また、トラップ３１の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満に維持することで、Ｓｎをトラップ３１に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００４７】
・トラップ３２
図８は、実施の形態３において、ゲートバルブの近傍に配置されるトラップの構成を概略的に示す斜視図である。図８に示されるように、トラップ３２は、両端面が開口された概して円錐台の形状でもよい。具体的には、トラップ３２は、両端が開口された外周リング３２Ａと、外周リング３２Ａ内側の中心に配置された芯３２Ｂと、芯３２Ｂから外周リング３２Ａの内側面に放射状に延びる複数のトラッピングブレード３２Ｃと、を備えてもよい。芯３２Ｂは、複数のトラッピングブレード３２Ｃを束ねる機能を果たしてもよい。この芯３２Ｂは、省略されてもよい。外周リング３２Ａに開口された空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２を通過させるためのＥＵＶ光通過穴３２ｂとして機能してもよい。ただし、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光通過穴３２ｂ以外の外周リング３２Ａの外側を通過してもよい。
【００４８】
芯３２Ｂから外周リング３２Ａの内側面にかけては、板状のトラッピングブレード３２Ｃが放射状に延在してもよい。このトラッピングブレード３２Ｃは、外周リング３２ＡのＥＵＶ光通過穴３２ｂを通過するスタナンガスから析出するＳｎをトラップするためのブレードとして機能してもよい。なお、トラッピングブレード３２Ｃは、外周リング３２Ａ内側のＥＵＶ光通過穴３２ｂを複数の領域に仕切ってもよい。
【００４９】
以上のような構成を備えるトラップ３２は、外周リング３２Ａの軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の軸と略一致するように、ゲートバルブＷ３に近接して配置されてもよい。これにより、トラップ３２は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２をそのエネルギーロスを抑制しつつ通過させ得る。
【００５０】
ゲートバルブＷ３を介して露光装置接続部１３内へ流れ込み得るスタナンガスは、主にＥＵＶ光通過穴３２ｂ内を流れ得る。そこで、トラップ３２を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておくのが好ましい。トラップ３２には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。また、トラップ３２には、温度センサ４０ｃが設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３２は、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎから生成されたスタナンガスが、レーザ光通過穴３２ａまたはＥＵＶ光通過穴３２ｂを通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出し得る。これにより、外周リング３２Ａ、芯３２Ｂおよびトラッピングブレード３２Ｃの少なくともいずれかの表面に析出したＳｎが付着し得る。すなわち、ゲートバルブＷ３を介して露光装置側へスタナンガスの状態で流れ込み得るＳｎは、外周リング３２Ａ、芯３２Ｂおよびトラッピングブレード３２Ｃの少なくともいずれかによって回収され得る。これにより、露光装置へスタナンガスが流入するのを抑制することが可能となる。また、トラップ３２の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満に維持することで、Ｓｎをトラップ３２に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００５１】
・トラップ３３
図９は、実施の形態３において、チャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるトラップの構成を概略的に示す。図９に示されるように、トラップ３３は、たとえばチャンバ１１から排気ポンプ１２へガスが流れる方向に対して略平行に複数の板状のブレード３３Ｂが配置された構成でもよい。複数の板状のブレード３３Ｂは、その断面が格子状になるように配置されてもよい。チャンバ１１内から排気ポンプ１２へ流れ込み得るスタナンガスは、ブレード３３Ｂによって格子状に仕切られた空間内を流れ得る。そこで、トラップ３３を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておくのが好ましい。トラップ３３には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。また、トラップ３３には、温度センサ４０ｃが設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３３が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱され、排気ポンプ１２に流れ込み得るスタナンガスが、格子状の空間を通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出し得る。それにより、ブレード３３Ｂの表面に析出したＳｎが付着し得る。すなわち、排気ポンプ１２にスタナンガスの状態で流れ込み得るＳｎは、ブレード３３Ｂによって回収され得る。これにより、排気ポンプ１２へスタナンガスが流入するのを抑制することが可能となる。また、トラップ３３の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満に維持することで、Ｓｎをトラップ３３に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００５２】
・トラップ３４〜３６
図１０は、実施の形態３において、チャンバ内の所定の位置に配置されるトラップの構成を概略的に示す。図１０に示されるように、トラップ３４〜３６は、ワイヤやリボン等が３次元の網目（または格子）状に組み合わされて構成されてもよい。チャンバ１１内を流れるスタナンガスは、トラップ３４〜３６の表面付近を通過し得る。そこで、トラップ３４〜３６を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておくのが好ましい。トラップ３４〜３６には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂがそれぞれ設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。また、トラップ３４〜３６には、温度センサ４０ｃがそれぞれ設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３４〜３６が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱され、チャンバ１１内を流れるスタナンガスが、トラップ３４〜３６の表面付近を通過する際に加熱されて分解され、ワイヤやリボンの表面にＳｎが析出し得る。析出したＳｎは、トラップ３４〜３６の表面に付着し得る。これにより、チャンバ１１内にスタナンガスの状態で存在するＳｎを、トラップ３４〜３６によって回収することができる。また、トラップ３４〜３６の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満に維持することで、Ｓｎをトラップ３４〜３６の内部に固体の状態で定着させることが可能となる。トラップ３４〜３６には、スポンジのような多孔質な部材が用いられてもよい。
【００５３】
以上のように構成することで、実施の形態３によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００５４】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかにおける構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５５】
実施の形態４
本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態３では、トラップ３１〜３６の温度をスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（１２０℃程度）以上であってＳｎが固体の状態を保つ温度（２３２℃）未満に調節することで、トラップ３１〜３６でトラップされたＳｎを、これらに固体の状態で定着させた。これに対し、実施の形態４では、トラップ３１〜３６をＳｎが溶融する温度以上に加熱することで、トラップ３１〜３６でトラップされたＳｎを液化してトラップ３１〜３６から流出させてもよい。流出した溶融Ｓｎは、たとえばバケットなどの回収容器に回収されてもよい。
【００５６】
図１１は、実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置におけるトラップおよび回収容器の構成を概略的に示す。なお、図１１を参照に、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置されるトラップを例に挙げて説明する。
【００５７】
図１１に示されるように、実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置では、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部が、Ｌ字型に屈曲していてもよい。チャンバ１１との接続部は、重力方向に延伸してもよい。排気ポンプ１２との接続部は、チャンバ１１との接続部から分岐する形で水平方向に延伸してもよい。チャンバ１１から排気ポンプ１２に流れ込むスタナンガスをトラップするためのトラップ３３は、チャンバ１１から重力方向に延伸する接続部の途中に配置されてもよい。トラップ３３のブレード３３Ｂには、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられてもよい。ヒータ４０ｂには、それに電流を供給するための電源４０ａが接続されてもよい。また、少なくとも１つのブレード３３Ｂには、温度センサ４０ｃが設けられてもよい。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力されてもよい。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａからヒータ４０ｂに供給される電流を制御してもよい。これにより、トラップ３３が、Ｓｎが溶融する温度（２３２℃）程度以上に加熱され、トラップ３３から溶融ＳｎＤＤが流れ出し得る。
【００５８】
チャンバ１１から重力方向に延伸する接続部の下部には、トラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤを回収するための回収部４０Ａが設けられてもよい。これにより、トラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤが光学要素等を汚染することを抑制できる。チャンバ１１から延伸する接続部と回収部４０Ａとの連結部分を円錐台形状にしておくことで、トラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤを確実に回収部４０Ａに回収することが可能となる。
【００５９】
実施の形態４では、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置されるトラップ３３を例に挙げて説明した。しかし、本開示はこれに限定されず、たとえば実施の形態３で例示されたトラップ３１〜３６のいずれに対しても同様の構成を適用することが可能である。すなわち、トラップを加熱するためのヒータおよび電源と、トラップの温度を検出するための温度センサと、温度センサで検出された温度に基づいて電源を駆動することでトラップの温度を調節することが可能な温度コントローラと、トラップに対して重力方向下方に配置されてトラップから流れ出した溶融Ｓｎを回収するための回収部とを、各トラップに設けることで、各トラップでトラップされたＳｎを液化して回収することが可能となる。
【００６０】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかにおける構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００６１】
・変形例１
上述した実施の形態におけるガス導入管の変形例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってＨラジカルまたはＨ２ガスを流すためのガス導入管を例に挙げて説明する。
【００６２】
変形例１によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１２Ａは、変形例１によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１２Ｂは、図１２Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００６３】
図１２Ａおよび図１２Ｂに示されるように、変形例１では、ラジカル生成器１５から延出するガス導入管１６−１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように延在してもよい。ガス導入管１６−１には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口された穴が略等間隔で設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−１内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−１に設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−１を介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００６４】
ガス導入管１６−１は、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に向けて進行するのを妨げないように、その一部に隙間が設けられてもよい。
【００６５】
・変形例２
変形例２によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１３Ａは、変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１３Ｂは、図１３Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００６６】
図１３Ａおよび図１３Ｂに示されるように、変形例２では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂが設けられてもよい。あるいは、ラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂに代えて、水素ガスを供給するための水素ガス供給源が用いられてもよい。ラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、略軸対称に配置されてもよい。ラジカル生成器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ａが延在してもよい。同様に、ラジカル生成器１５Ｂからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ｂが延在してもよい。２つの半弧状のガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂによって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面が外側から囲まれてもよい。ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口された穴が略等間隔で設けられてもよい。ラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂからガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂに設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００６７】
ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間が設けられてもよい。
【００６８】
・変形例３
変形例３によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１４Ａは、変形例３によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１４Ｂは、図１４Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ面に沿った断面図である。
【００６９】
図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるように、変形例３では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば４つ）のラジカル生成器１５Ａ〜１５Ｄが設けられてもよい。あるいは、ラジカル生成器１５Ａ〜１５Ｄに代えて、水素ガスを供給するための水素ガス供給源が用いられてもよい。ラジカル生成器１５Ａ〜１５Ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、略軸対称に略等間隔に配置されてもよい。ラジカル生成器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、１／４円弧状のガス導入管１６−３ａが延在してもよい。同様に、ラジカル生成器１５Ｂ〜１５Ｄからは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、１／４円弧状のガス導入管１６−３ｂ〜１６−３ｄが延在してもよい。４つの１／４円弧状のガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄによって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面が外側から囲まれ得る。ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口された穴が略等間隔に設けられてもよい。ラジカル生成器１５Ａ〜１５Ｄからガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄに設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００７０】
ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間が設けられてもよい。
【００７１】
プラズマ生成領域Ｐ１を通る磁場Ｂを生成して、プラズマ生成領域Ｐ１で発生したイオンなどのＳｎデブリをミチゲーションしてイオン回収部１８ａおよび１８ｂで回収する場合、この磁場によってトラップされたデブリが通過する部分には、この通過を妨げないように、ガス導入管の一部に隙間が設けられてもよい。
【００７２】
・変形例４
変形例４によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１５Ａは、変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１５Ｂは、図１５Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＢ−ＸＶＢ面に沿った断面図である。
【００７３】
図１５Ａおよび図１５Ｂに示されるように、変形例４によるガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって（図１５Ａ参照）、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って弓状に歪曲した形状でもよい（図１５Ｂ参照）。ガス導入管１６−４の略中央のＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａに対応する位置には、この貫通孔Ｍ１ａを避けるように半弧状に歪曲した歪曲部１６−４ａが設けられてもよい（図１５Ａ参照）。
【００７４】
このような形状を有するガス導入管１６−４は、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置されるのが好ましい。オブスキュレーション領域とは、ＥＵＶ集光ミラーによって集光されるＥＵＶ光のうち、露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に対応する領域のことをいう。すなわち、オブスキュレーション領域は、露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に含まれる３次元的な領域である。
【００７５】
ガス導入管１６−４には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口された穴が両側に略等間隔に設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−４内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−４に設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａを通る中心線付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−４を介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００７６】
ガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲していてもよい。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されるドロップレットＤのプラズマ生成領域Ｐ１への進行を妨げることを抑制できる。
【００７７】
・変形例５
変形例５によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１６Ａは、変形例５によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１６Ｂは、図１６Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＢ−ＸＶＩＢ面に沿った断面図である。
【００７８】
図１６Ａおよび図１６Ｂに示されるように、変形例５によるガス導入管１６−５は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって（図１６Ａ参照）、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の端から中央の貫通孔Ｍ１ａにかけて反射面に沿って弓状に歪曲した形状でもよい（図１６Ｂ参照）。ガス導入管１６−５の先端部であってＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａに対応する位置には、貫通孔Ｍ１ａを囲むように円部１６−５ａが設けられてもよい（図１６Ａ参照）。変形例５によるガス導入管１６−５も、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置されるのが好ましい。
【００７９】
円部１６−５ａには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口された穴が外側に向けて略等間隔に設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−５内に送られたＨラジカルは、円部１６−５ａに設けられた穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−５を介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００８０】
ガス導入管１６−５は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲していてもよい。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１へ進行するのを妨げられることを抑制できる。
【００８１】
・変形例６
変形例６によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１７Ａは、変形例６によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１７Ｂは、図１７Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００８２】
図１７Ａおよび図１７Ｂに示されるように、変形例６によるガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出する形状を有してもよい。ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て略軸対称に配置されるのが好ましい。
【００８３】
ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄにおいて貫通孔Ｍ１ａから突出した先端部分には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って開口する複数の穴が設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄ内に送られたＨラジカルは、先端部分の穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄを介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００８４】
・変形例７
変形例７によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１８Ａは、変形例７によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１８Ｂは、図１８Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＩＩＩＢ−ＸＶＩＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００８５】
図１８Ａおよび図１８Ｂに示されるように、変形例７によるガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出する形状を有してもよい。ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄの貫通孔Ｍ１ａから突出した部分は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の端に向かって延伸するとともに、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲していてもよい。ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て略軸対称に配置されるのが好ましい。
【００８６】
ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄにおける貫通孔Ｍ１ａから突出した部分には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って開口する複数の穴が設けられてもよい。ラジカル生成器１５からガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄ内に送られたＨラジカルは、先端部分の穴から吹き出し得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って広がって流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。なお、ラジカル生成器１５は水素ガス供給源に代えてもよい。その場合、ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄを介して水素ガスがＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ得る。
【００８７】
・変形例８
変形例８によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１９Ａは、変形例８によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１９Ｂは、図１９Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ面に沿った断面図である。
【００８８】
図１９Ａ〜図１９Ｃに示されるように、変形例８によるガス導入管１６−８は、開口する先端がドーム状に拡がった円錐状の外板１６−８ａと、同様に、開口する先端がドーム状に拡がり且つこの先端が外板１６−８ａの開口部から隙間を持ちつつ突出する円錐状の内板１６−８ｂと、を備えてもよい。すなわち、ガス導入管１６−８は、外板１６−８ａと内板１６−８ｂとの間に隙間が設けられた二重構造の構成でもよい。ガス導入管１６−８の先端部は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側より貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出してもよい。ガス導入管１６−８の先端側に形成されたドーム状に拡がる部分の隙間１６−８１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を向いてもよい。Ｈラジカルは、ガス導入管１６−８におけるＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側の隙間からガス導入管１６−８内に流入し、その後、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に突出した先端部分の隙間から吹き出され得る。これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って広がって流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００８９】
・変形例９
変形例９について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、Ｈ２がラジカル化され、Ｈラジカルの状態で光学要素の表面に沿って流されていた。これに対し、変形例９では、チャンバ１１内の光学要素、特にＥＵＶ光Ｌ２を強く浴びるＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して、Ｈラジカルではなく、Ｈ２ガスが吹きつけられてもよい。図２０Ａは、変形例９によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図２０Ｂは、図２０Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＢ−ＸＸＢ面に沿った断面図である。
【００９０】
図２０Ａおよび図２０Ｂに示されるように、変形例９によるガス導入管１６−９は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿ってＨ２ガスを流すように構成されてもよい。ガス導入管１６−９の形状は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２を略遮蔽しないものであれば、如何様にも変形できる。
【００９１】
ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流されたＨ２ガスは、プラズマ生成領域Ｐ１で発生した紫外光、真空紫外光およびＥＵＶ光Ｌ２等の短波長の光に照射されることで、ラジカル化し得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面を、水素ガスがＨラジカルの状態で流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００９２】
・変形例１０
変形例１０について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してＨラジカルまたはＨ２ガスがチャンバ１１内の光学要素の表面に沿って流されたが、これに限定されず、チャンバ１１内の光学要素の表面に直接ＨラジカルまたはＨ２ガスを流すためのラジカル生成器が配置されてもよい。図２１Ａは、変形例１０によるラジカル生成器およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図２１Ｂは、図２１Ａに示されるラジカル生成器およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＩＢ−ＸＸＩＢ面に沿った断面図である。
【００９３】
図２１Ａおよび図２１Ｂに示されるように、変形例１０では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂが設けられてもよい。あるいは、ラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂに代えて、水素ガスを供給するための水素ガス供給源が用いられてもよい。ラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面上外に略軸対称に配置されてもよい。ラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂのラジカル噴出口は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってHラジカルが流れるように向けられていてもよい。これにより、ラジカル生成器１５−１０ａおよび１５−１０ｂから噴出されたＨラジカルがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なくＨラジカルが流され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００９４】
・変形例１１
変形例１１について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してＨラジカルまたはＨ２ガスがチャンバ１１内の光学要素に流された。しかし、これに限定されず、チャンバ１１内の光学要素に近接してＨ２ガスをラジカル化するためのフィラメントを配置し、チャンバ１１内にＨ２ガスを充填しておいてもよい。図２２Ａは、変形例１１によるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図２２Ｂは、図２２Ａに示されるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＸＩＩＢ−ＸＸＩＩＢ面に沿った断面図である。
【００９５】
図２２Ａおよび図２２Ｂに示されるように、変形例１１では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のフィラメント１６−１１が設けられてもよい。フィラメント１６−１１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面上外に略軸対称に配置されてもよい。Ｈ２ガスは、フィラメント１６−１１近傍を通過する際にエネルギーを受けてラジカル化され、その後、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に入射し得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００９６】
実施の形態５
本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態および変形例では、ＥＵＶ光生成装置の稼働中にＨラジカルまたはＨ２ガスが光学要素の反射面に沿って流れるように、ＨラジカルまたはＨ２ガスを吹きつけて光学要素に付着したＳｎをエッチングしていた。これに対し、実施の形態５では、ＥＵＶ光生成装置の停止中に光学要素の反射面全体にＨラジカルまたはＨ２ガスが吹きつけられて光学要素に付着したＳｎがエッチングされてもよい。図２３は、実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００９７】
図２３に示されるように、実施の形態５によるチャンバ１１Ａでは、チャンバ１１Ａ内におけるＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に、外部からラジカル生成器１６−１２を導入するためのゲートＷ４ａが設けられてもよい。ゲートＷ４ａは、シャッタＷ４によって密閉することが可能である。ＥＵＶ光生成装置の停止時には、まず、シャッタＷ４を移動してゲートＷ４ａが開けられ、ラジカル生成器１６−１２がチャンバ１１Ａ内に導入されてもよい。その後、ラジカル生成器１６−１２から光学要素、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面全体に向けてＨラジカルまたはＨ２ガスが吹き付けられてもよい。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１等の光学要素に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【００９８】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかにおける構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００９９】
実施の形態６
本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態５によるラジカル生成器１６−１２は、Ｈ２ガスが吹き出されるガス導入管およびガス導入管から吹き出されたＨ２ガスをラジカル化するフィラメントに、置き換えられてもよい。図２４Ａは、実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。
【０１００】
図２４Ａおよび図２４Ｂに示されるように、実施の形態６では、チャンバ１１Ａ内に、ラジカル生成器１６−１２に代えて、Ｈ２ガスボンベ（不図示）に接続されたガス導入管１６−１３ａが導入されてもよい。ガス導入管１６−１３ａのガス放出口には、Ｈ２ガスをラジカル化するためのフィラメント１６−１３が設けられてもよい。ＥＵＶ光生成装置の停止時には、まず、シャッタＷ４を移動させてゲートＷ５が開けられ、ガス導入管１６−１３ａがチャンバ１１Ａ内に導入されてもよい。その後、フィラメント１６−１３に電流が供給されるとともに、ガス導入管１６−１３ａへＨ２ガスを流入させてもよい。これにより、ガス導入管１６−１３ａから吹き出されるＨ２ガスがラジカル化され、Ｈラジカルとなって光学要素、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面全体に向けて吹きつけられ得る。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１等の光学要素に付着したＳｎがエッチングされ得る。
【０１０１】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかにおける構成および効果と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【０１０２】
実施の形態７
本開示の実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【０１０３】
（構成）
図２５Ａは、実施の形態７によるＥＵＶ集光ミラーおよびガス導入管をＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図２５Ｂは、レーザ光集光ユニット、実施の形態７によるＥＵＶ集光ミラーおよびガス導入管の、ＥＵＶ集光ミラーの反射面と垂直な面における構成を概略的に示す断面図である。
【０１０４】
図２５Ａおよび図２５Ｂに示すように、実施の形態７は、外側配管２６３、内側配管２６４、および壁部２６５を含んでもよい。軸外放物面ミラーＭ２は、レーザ光集光ユニット２１０に置き換えられていてもよい。ＥＵＶ集光ミラーＭ１は、プレートＨ１に固定されていてもよい。プレートＨ１は、上述したチャンバ１１内に固定されていてもよい。
【０１０５】
レーザ光集光ユニット２１０は、ウィンドウＷ２、軸外放物凸面ミラー２１２および楕円凹面ミラー２１３を含んでもよい。これらの光学素子は、ウィンドウＷ２、軸外放物凸面ミラー２１２、楕円凹面ミラー２１３の順番でプリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂが入射するように配置されていてもよい。
【０１０６】
軸外放物凸面ミラー２１２および楕円凹面ミラー２１３は、サブチャンバ２１１内に配置されてもよい。サブチャンバ２１１は、配管２６１を介して水素ガス供給源２５１に接続されていてもよい。水素ガス供給源２５１に代えて、ラジカル生成器が用いられてもよい。配管２６１は、これから吹き出された水素ガスがウィンドウＷ２の表面に流れるように配置されていてもよい。
【０１０７】
サブチャンバ２１１は、プレートＨ１に固定されてもよい。サブチャンバ２１１は、チャンバ１１の内部に配置されてもよいし、チャンバ１１の外壁に取り付けられてもよい。
【０１０８】
サブチャンバ２１１とプレートＨ１とＥＵＶ集光ミラーＭ１との接続部の一部には、レーザ光をプラズマ生成領域Ｐ１へ通過させるために、サブチャンバ２１１とプレートＨ１とＥＵＶ集光ミラーＭ１とを貫通する貫通孔が設けられていてもよい。この貫通孔は、サブチャンバ２１１に設けられた貫通孔２１１ａと、プレートＨ１に設けられた貫通孔Ｈ１ａと、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に設けられた貫通孔Ｍ１ａとで形成されてもよい。サブチャンバ２１１における配管２６１との接続部および貫通孔２１１ａ以外の部分は、気密であってもよい。貫通孔２１１ａには、内側配管２６４および壁部２６５が嵌め込まれていてもよい。
【０１０９】
図２６Ａは、一体化された内側配管２６４および壁部２６５の構成を概略的に示す斜視図である。図２６Ｂは、貫通孔２１１ａ、Ｈ１ａおよびＭ１ａに嵌め込まれた内側配管２６４および壁部２６５の構成を概略的に示す断面図である。図２６Ａおよび図２６Ｂに示すように、壁部２６５は、中空の円錐台形状の部材であってもよい。壁部２６５の底面に当たる部分には、開口２６５ａが設けられていてもよく、壁部２６５の頂点付近に当たる部分には、開口２６５ｂが設けられていてもよい。壁部２６５の内部は、プリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの通過経路として機能してもよい。壁部２６５は、たとえば開口２６５ａおよび開口２６５ｂがそれぞれ円形の開口である場合の各開口の中心点を通過する軸が、楕円凹面ミラー２１３で反射されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂのビーム軸と略一致するように配置されていてもよい。頂点側の開口２６５ｂは、プラズマ生成領域Ｐ１に対向するように配置されてもよい。壁部２６５の内側面によって囲われる立体角は、楕円凹面ミラー２１３で反射されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの集光立体角と略等しくてもよい。このように構成することで、プリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの一部が壁部２６５の内側面に照射された場合でも、レーザ光の入射角が大きくなるので、壁部２６５の損傷を軽減することができる。
【０１１０】
内側配管２６４は、２つの部材（第１および第２部材）で構成されてもよい。各部材は、中空円錐台形状の胴体部と、ラッパ状に広がる返し部とを含んでもよい。第１部材の胴体部の内径は、第２部材の胴体部の外径よりも大きいのが好ましい。これらの２つの部材は、間に略均一なギャップが形成されるように、不図示のスペーサ等で互いに固定されていてもよい。組み合わされた２つの部材は、水素ガスの入り口となる開口２６４ａと、水素ガスの吹出し口となる開口２６４ｂとを形成してもよい。
【０１１１】
内側に配置される第２部材の胴体部は、壁部２６５の底面付近に固定されてもよい。この際、内側配管２６４の開口２６４ａは、壁部２６５の開口２６５ａと同一面上に位置していてもよい。外側に配置される第１部材の胴体部は、サブチャンバ１１ａの貫通孔２１１ａの外周部に固定されてもよい。内側配管２６４は、その吹出し口側の開口２６４ｂから吹き出した水素ガスがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒ上をその中央部から外周側へ向けて放射状に流れるように配置されていてもよい。
【０１１２】
図２７Ａは、外側配管２６３、配管２６２、および水素ガス供給源２５２の構成を概略的に示す斜視図である。図２７Ｂは、図２７Ａに示す外側配管２６３の断面構成を示す断面図である。図２７Ａおよび図２７Ｂに示すように、外側配管２６３は、環状の配管であってもよい。外側配管２６３は、配管２６２を介して水素ガス供給源２５２に接続されていてもよい。水素ガス供給源２５２に代えて、ラジカル生成器が用いられてもよい。外側配管２６３の内周側には、水素ガスの吹出し口となるスリット２６３ａが設けられていてもよい。スリット２６３ａは、外側配管２６３の内周面を一周するように設けられてもよい。スリット２６３ａは、外側配管２６３の内周面の中央に対して一方の側に片寄って設けられてもよい。たとえば、スリット２６３ａは、図２７Ｂに示すように図中下側のＥＵＶ集光ミラーに対向する側に設けられてもよい。水素ガス供給源２５２から供給された水素ガスは、配管２６２を介して、外側配管２６３のスリット２６３ａから吹き出してもよい。外側配管２６３は、吹き出した水素ガスがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒ上をその外周部から中央部へ向けて流れるように、環状配管の中心がＥＵＶ集光ミラーの反射面の中心軸に略一致するように配置されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラーの反射面の中心軸は回転楕円面の回転軸であってよい。
【０１１３】
（動作）
プリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂは、ウィンドウＷ２を介してレーザ光集光ユニット２１０内に導入されてもよい。レーザ光集光ユニット２１０内に導入されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂは、軸外放物凸面ミラー２１２によってビーム断面が広げられてもよい。その後、プリパルスレーザ光Ｌ１ａまたはメインパルスレーザ光Ｌ１ｂは、楕円凹面ミラー２１３によってプラズマ生成領域Ｐ１に向けて反射されドロップレット生成器１４ｂから供給されたドロップレットＤに照射されてもよい。
【０１１４】
ドロップレットＤは、メインパルスレーザ光Ｌ１ｂの照射によってプラズマ化し得る。これにより生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光が放射され得る。この際、ターゲット物質のデブリが生成され得る。このデブリは、チャンバ１１内に配置された各光学素子に付着し得る。
【０１１５】
サブチャンバ２１１内に供給された水素ガスは、サブチャンバ２１１に設けられたウィンドウＷ２、軸外放物凸面ミラー２１２、および楕円凹面ミラー２１３などの光学要素の表面を流れてもよい。
【０１１６】
また、サブチャンバ２１１内に供給された水素ガスは、内側配管２６４および壁部２６５の少なくともいずれかを介してＥＵＶ集光ミラーＭ１が収容された空間内に流入してもよい。内側配管２６４を通過した水素ガスは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒ上を、中央部から外周側へ向けて放射状に流れてもよい。このとき同時に外側配管２６３から、水素ガスがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒ上をその外周部から中央部へ向けて流れるように流出してもよい。
【０１１７】
（作用）
実施の形態７によれば、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒに対し、水素ガスが、中央部から外周側へ向けて反射面Ｍ１ｒに沿って放射状に流され、かつ、外周部から中央部に向かって反射面Ｍ１ｒに沿って流され得る。これにより、プラズマ生成領域Ｐ１で発生したデブリがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面Ｍ１ｒに付着することを低減し得る。また、反射面Ｍ１ｒにデブリが付着したとしても、この付着したデブリをエッチングすることができる。
【０１１８】
さらに、サブチャンバ２１１に導入された水素ガスが各光学要素の表面を流れ得る。これにより、各光学要素へのデブリの付着を抑制し得る。また、各光学要素にデブリが付着したとしても、この付着したデブリをエッチングすることができる。
【０１１９】
上記実施の形態およびそれらの変形例は、本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内である。更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示した変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。
【０１２０】
さらに、上述の実施の形態では、好ましい例として光学要素の表面に沿ってエッチングガスが流される実施の形態が示されたが、この実施の形態に限定されることなく、光学要素の反射面に対してエッチングガスが吹き付けられてもある程度のＳｎをエッチングすることができる。図２３、図２４Ａおよび図２４Ｂに示される実施の形態のように、光学要素表面全体に対してエッチングガスが吹きつけられるのが好ましい。
【０１２１】
光学要素の温度を調節する装置として、温度制御された熱媒体を光学要素基板に流す例やヒータとチラーとを組み合わせた例が示されたが、これらの例に限定されることなく、加熱と冷却とができるシステムであれば如何なるものも適用することができる。たとえば、温度調節素子としてペルチェ素子を使用して電流を制御することによって高精度に光学要素の温度を制御してもよい。
【０１２２】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１２３】
１、３ ＥＵＶ光生成装置
１０ ＥＵＶ光生成コントローラ
１１、１１Ａ チャンバ
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ パーティション
１２ 排気ポンプ
１３ 露光装置接続部
１４ａ ドロップレットコントローラ
１４ｂ ドロップレット生成器
１４ｃ ノズル
１４ｄ ドロップレット回収部
１５、１５ａ〜１５ｃ、１５Ａ〜１５Ｄ、１５−１０ａ、１５−１０ｂ、１６−１２ ラジカル生成器
１６ａ〜１６ｃ、１６−１、１６−２ａ、１６−２ｂ、１６−３ａ〜１６−３ｄ、１６−４、１６−５、１６−６ａ〜１６−６ｄ、１６−７ａ〜１６−７ｄ、１６−８、１６−９、１６−１３ａ ガス導入管
１６−４ａ 歪曲部
１６−５ａ 円部
１６−８ａ 外板
１６−８ｂ 内板
１６−１１、１６−１３ フィラメント
１６−８１ 隙間
１７ チラー
１８ａ、１８ｂ イオン回収部
Ｍ 光学要素
Ｍ１ ＥＵＶ集光ミラー
Ｍ２、Ｍ３ 軸外放物面ミラー
２０ 温度コントローラ
２０ａ 電源
２０ｂ 温度調節素子
２０ｃ 温度センサ
２１〜２５、４０ 温度コントローラ
２１ａ〜２５ａ、４０ａ 電源
２１ｂ〜２５ｂ、４０ｂ ヒータ
２１ｃ〜２５ｃ、４０ｃ 温度センサ
３１、３２、３３、３４、３５、３６、 トラップ
３１Ａ、３２Ａ 外周リング
３１Ｂ レーザ光通過リング
３１Ｃ、３２Ｃ トラッピングブレード
３１ａ レーザ光通過穴
３１ｂ、３２ｂ ＥＵＶ光通過穴
３２Ｂ 芯
３３Ｂ ブレード
４０Ａ 回収部
２１０ レーザ光集光ユニット
２１１ サブチャンバ
２１１ａ 貫通孔
２１２ 軸外放物凸面ミラー
２１３ 楕円凹面ミラー
２５１、２５２ 水素ガス供給源
２６１、２６２ 配管
２６３ 外側配管
２６３ａ スリット
２６４ 内側配管
２６４ａ、２６４ｂ 開口
２６５ 壁部
２６５ａ、２６５ｂ 開口
Ｃ１〜Ｃ５ 熱媒体流路
Ｃｉｎ 主送配管
Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎ 副送配管
Ｃｏｕｔ 主排配管
Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔ 副排配管
Ｄ ドロップレット
Ｅ オブスキュレーション領域
ＩＦ 中間集光点
Ｌ１ａ プリパルスレーザ光
Ｌ１ｂ メインパルスレーザ光
Ｌ２ ＥＵＶ光
Ｍ１ａ 貫通孔
ＭＬ メインパルスレーザ
ＰＬ プリパルスレーザ
Ｐ１ プラズマ生成領域
Ｔ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎ、Ｔ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔ 温度センサ
Ｖ１〜Ｖ５ 流量調節バルブ
Ｗ１、Ｗ２ ウィンドウ
Ｗ３ ゲートバルブ
Ｗ４ シャッタ
Ｗ４ａ、Ｗ５ ゲート
Ｈ１ プレート
Ｈ１ａ 貫通孔
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、
前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御するための少なくとも１つの温度調節機構と、
を備える、極端紫外光生成装置。
【請求項２】
前記ターゲット物質は錫である、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３】
前記エッチングガスはＨ２ガスである、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記エッチングガスはＨラジカルガスである、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
前記エッチングガス導入部には、前記少なくとも１つの光学要素の表面に向けられた少なくとも１つの開口が設けられる、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素に接続される第１の温度調節機構を含み、
前記第１の温度調節機構は、
前記少なくとも１つの光学要素に設けられる温度調節素子と、
該温度調節素子に接続され該温度調節素子に電流を供給する電源と、
前記少なくとも１つの光学要素の温度を検出する温度センサと、
該温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記温度調節素子に供給される電流を制御することで前記光学要素の温度を制御する温度コントローラと、
を含む、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記第１の温度調節機構は、
熱媒体と、
該熱媒体の温度を調節して流出させる温度調節部と、
該温度調節部から流出した温度調節された前記熱媒体を前記光学要素に導く流路と、
をさらに含む、
請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
前記温度調節素子はペルチェ素子である、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項９】
前記第１の温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素の温度を第１の所定の温度範囲内に維持する、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
前記第１の所定の温度範囲は、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも大きくなる温度範囲である、請求項９記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１１】
前記チャンバ内に配置され、前記気体反応生成物から前記デブリを析出させてトラップするための少なくとも１つのトラップ部をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの光学要素は、前記チャンバ内の前記所定の領域で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射されて放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーを含み、
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の前記所定の領域と前記集光ミラーの反射面との間に配置される第１のトラップ部を含む、
請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
前記第１のトラップ部は、該第１のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第１のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第１のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１４】
前記温度コントローラは、前記第１のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項１３記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１５】
前記温度コントローラは、前記第１のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第１のトラップ部は、該第１のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項１３記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記外部装置との接続部分近傍に配置される第２のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１７】
前記第２のトラップ部は、該第２のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第２のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第２のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項１６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１８】
前記温度コントローラは、前記第２のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項１７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１９】
前記温度コントローラは、前記第２のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第２のトラップ部は、該第２のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項１７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記排気ポンプとの接続部分近傍に配置される第３のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２１】
前記第３のトラップ部は、該第３のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第３のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み
前記第３のトラップ部は、通気性を有するよう構成される、
請求項２０記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２２】
前記温度コントローラは、前記第３のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項２１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２３】
前記温度コントローラは、前記第３のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第３のトラップ部は、該第３のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項２１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２４】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの第４のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２５】
前記第４のトラップ部は、
該第４のトラップ部の温度を検出する温度センサと、
該第４のトラップ部を加熱するヒータと、
前記ヒータに電流を供給する電源と、
前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、
を含む、
請求項２４記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２６】
前記温度コントローラは、前記第４のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、
請求項２５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２７】
前記温度コントローラは、前記第４のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第４のトラップ部は、該第４のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項２５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２８】
レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
前記ターゲット物質のプラズマから放射した極端紫外光を反射する集光ミラーと、
前記集光ミラーの反射面に対向したガスの吹出し口を備え、吹出し口からガスを供給するガス供給部と、
を備える、極端紫外光生成装置。
【請求項２９】
前記ガス供給部は、前記集光ミラーの反射面の外周の少なくとも一部に沿って配設された配管を含み、
前記配管は、前記反射面に向けて開口する前記ガスの前記吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３０】
前記吹出し口は、１つ以上の開口またはスリットである、請求項２９記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３１】
前記ガス供給部は、前記反射面の中心を通る中心線上に、該反射面に沿って歪曲して配設された配管を含み、
前記配管は、１つ以上の開口またはスリットよりなる吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３２】
前記ガス供給部は、前記反射面の中心部に、該中心部を囲むように配設されたリング状の配管を含み、
前記配管は、前記反射面の中央部から該反射面の外周側へ向けて開口する前記ガスの吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３３】
前記吹出し口は、１つ以上の開口またはスリットである、請求項３２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３４】
前記ガス供給部は、前記反射面の中央部から該反射面の外周へ向けて延在し、該反射面に沿って歪曲して配設された１つ以上の配管を含み、
各配管は、１つ以上の開口またはスリットよりなる吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３５】
前記ガス供給部は、前記反射面の中央部に配設された配管を含み、
前記配管は、前記反射面に向けて開口するリングスリット状の吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３６】
前記ガス供給部は、前記反射面の中央部に配設された第１配管と、該反射面の外周の少なくとも一部に沿って配設された第２配管とを含み、
前記第１配管は、前記反射面に向けて開口するリングスリット状の吹出し口を備え、
前記第２配管は、前記反射面に向けて開口する前記ガスの吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３７】
前記第２配管の吹出し口は、１つ以上の開口またはスリットである、請求項３６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３８】
前記ターゲット物質は錫である、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３９】
前記ガスはＨ２を含むガスである、請求項３８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４０】
前記ガスはＨラジカルを含むガスである、請求項３８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１】
レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、
前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御するための少なくとも１つの温度調節機構と、
を備える、極端紫外光生成装置。
【請求項２】
前記ターゲット物質は錫である、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３】
前記エッチングガスはＨ２ガスである、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記エッチングガスはＨラジカルガスである、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
前記エッチングガス導入部には、前記少なくとも１つの光学要素の表面に向けられた少なくとも１つの開口が設けられる、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素に接続される第１の温度調節機構を含み、
前記第１の温度調節機構は、
前記少なくとも１つの光学要素に設けられる温度調節素子と、
該温度調節素子に接続され該温度調節素子に電流を供給する電源と、
前記少なくとも１つの光学要素の温度を検出する温度センサと、
該温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記温度調節素子に供給される電流を制御することで前記光学要素の温度を制御する温度コントローラと、
を含む、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記第１の温度調節機構は、
熱媒体と、
該熱媒体の温度を調節して流出させる温度調節部と、
該温度調節部から流出した温度調節された前記熱媒体を前記光学要素に導く流路と、
をさらに含む、
請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
前記温度調節素子はペルチェ素子である、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項９】
前記第１の温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素の温度を第１の所定の温度範囲内に維持する、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
前記第１の所定の温度範囲は、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも大きくなる温度範囲である、請求項９記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１１】
前記チャンバ内に配置され、前記気体反応生成物から前記デブリを析出させてトラップするための少なくとも１つのトラップ部をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの光学要素は、前記チャンバ内の前記所定の領域で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射されて放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーを含み、
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の前記所定の領域と前記集光ミラーの反射面との間に配置される第１のトラップ部を含む、
請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
前記第１のトラップ部は、該第１のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第１のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第１のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１４】
前記温度コントローラは、前記第１のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項１３記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１５】
前記温度コントローラは、前記第１のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第１のトラップ部は、該第１のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項１３記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記外部装置との接続部分近傍に配置される第２のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１７】
前記第２のトラップ部は、該第２のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第２のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第２のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項１６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１８】
前記温度コントローラは、前記第２のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項１７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１９】
前記温度コントローラは、前記第２のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第２のトラップ部は、該第２のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項１７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記排気ポンプとの接続部分近傍に配置される第３のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２１】
前記第３のトラップ部は、該第３のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第３のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み
前記第３のトラップ部は、通気性を有するよう構成される、
請求項２０記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２２】
前記温度コントローラは、前記第３のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項２１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２３】
前記温度コントローラは、前記第３のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第３のトラップ部は、該第３のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項２１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２４】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの第４のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２５】
前記第４のトラップ部は、
該第４のトラップ部の温度を検出する温度センサと、
該第４のトラップ部を加熱するヒータと、
前記ヒータに電流を供給する電源と、
前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、
を含む、
請求項２４記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２６】
前記温度コントローラは、前記第４のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、
請求項２５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２７】
前記温度コントローラは、前記第４のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第４のトラップ部は、該第４のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項２５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２８】
レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
前記ターゲット物質のプラズマから放射した極端紫外光を反射する集光ミラーと、
前記集光ミラーの反射面に対向したガスの吹出し口を備え、吹出し口からガスを供給するガス供給部と、
を備える、極端紫外光生成装置。
【請求項２９】
前記ガス供給部は、前記集光ミラーの反射面の外周の少なくとも一部に沿って配設された配管を含み、
前記配管は、前記反射面に向けて開口する前記ガスの前記吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３０】
前記吹出し口は、１つ以上の開口またはスリットである、請求項２９記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３１】
前記ガス供給部は、前記反射面の中心を通る中心線上に、該反射面に沿って歪曲して配設された配管を含み、
前記配管は、１つ以上の開口またはスリットよりなる吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３２】
前記ガス供給部は、前記反射面の中心部に、該中心部を囲むように配設されたリング状の配管を含み、
前記配管は、前記反射面の中央部から該反射面の外周側へ向けて開口する前記ガスの吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３３】
前記吹出し口は、１つ以上の開口またはスリットである、請求項３２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３４】
前記ガス供給部は、前記反射面の中央部から該反射面の外周へ向けて延在し、該反射面に沿って歪曲して配設された１つ以上の配管を含み、
各配管は、１つ以上の開口またはスリットよりなる吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３５】
前記ガス供給部は、前記反射面の中央部に配設された配管を含み、
前記配管は、前記反射面に向けて開口するリングスリット状の吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３６】
前記ガス供給部は、前記反射面の中央部に配設された第１配管と、該反射面の外周の少なくとも一部に沿って配設された第２配管とを含み、
前記第１配管は、前記反射面に向けて開口するリングスリット状の吹出し口を備え、
前記第２配管は、前記反射面に向けて開口する前記ガスの吹出し口を備える、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３７】
前記第２配管の吹出し口は、１つ以上の開口またはスリットである、請求項３６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３８】
前記ターゲット物質は錫である、請求項２８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３９】
前記ガスはＨ２を含むガスである、請求項３８記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４０】
前記ガスはＨラジカルを含むガスである、請求項３８記載の極端紫外光生成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図１９Ｃ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２５Ａ】
【図２５Ｂ】
【図２６Ａ】
【図２６Ｂ】
【図２７Ａ】
【図２７Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図１９Ｃ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２５Ａ】
【図２５Ｂ】
【図２６Ａ】
【図２６Ｂ】
【図２７Ａ】
【図２７Ｂ】
【公開番号】特開２０１３−４３６９（Ｐ２０１３−４３６９Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３５５６６（Ｐ２０１１−１３５５６６）
【出願日】平成２３年６月１７日（２０１１．６．１７）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２０年度独立行政法人新エネルギー・産業技術開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計）／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１７日（２０１１．６．１７）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２０年度独立行政法人新エネルギー・産業技術開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計）／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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