洗浄用途のためのフッ素化オレフィンを含む共沸組成物
本発明は、式Ｅ−またはＺ−Ｃ３Ｆ７ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｆ７を有するフッ素化オレフィンと、少なくとも１種のアルコール、ハロゲン化炭素、ヒドロフルオロカーボン、フルオロエーテルまたはアルカンおよびそれらの組み合わせとを含む共沸組成物または共沸様組成物に関する。一実施形態において、アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボン、アルカンからなる群から選択された１種の化合物は、メタノール、エタノール、イソ−プロパノール、ｎ−プロパノール、トランス−１，２−ジクロロエチレン、シス−１，２−ジクロロエチレン、ｎ−プロピルブロミド、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、ヘプタンまたはそれらの組み合わせのいずれかである。別の実施形態において、これらの組成物は、表面から油および／または他の残渣を除去するための脱脂剤またはフラックス除去剤として洗浄用途において有用である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
本願は、２００７年８月２３日出願の米国仮特許出願第６０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号（代理人整理番号ＦＬ１３５４ＰＲＶ）の優先権の利益を主張するものである。
【０００２】
本発明は、フッ素化オレフィンと、少なくとも１種のアルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボンまたはアルカンおよびそれらの組み合わせとを含む組成物に関する。これらの組成物は共沸または共沸様であり、フラックス除去剤として洗浄用途において、および表面から油または残渣を除去するために有用である。
【背景技術】
【０００３】
フラックス残渣は、ロジンフラックスを用いて組み立てられたマイクロエレクトロニクスコンポーネント上に常に存在する。近代の電子回路基板が増加した回路密度およびコンポーネント密度に向けて進化するにつれて、半田付け後の完全な基板洗浄は重要な処理工程になっている。半田付け後、フラックス残渣は、しばしば有機溶媒で除去される。洗浄される基材を破壊せずにフラックスおよびフラックス残渣を除去できるように、フラックス除去溶媒は不燃性であり、低い毒性を有するとともに高い溶解力を有するべきである。更に、油およびグリースなどの残渣の他のタイプは、使用における最適性能のためにこれらの素子から効率的に除去されなければならない。
【０００４】
モントリオール議定書の結果としての以前のほぼすべてのＣＦＣおよびＨＣＦＣの排除以来、代替非オゾン層破壊溶媒が利用できるようになってきた。溶媒混合物を調製することにより、沸点、可燃性および溶解力の特性をしばしば調節できる一方で、これらの混合物が使用中に望ましくない程度に分別するので、これらの混合物は、不満足であることが多い。こうした溶媒混合物は溶媒蒸留中にも分別し、それは、元の組成の溶媒混合物を回収することを実質的に不可能にする。
【０００５】
共沸溶媒混合物は、これらのフラックス除去・脱脂用途のために必要とされる特性および他の洗浄剤の必要なものを保有し得る。共沸混合物は、最高沸点または最低沸点のいずれかを示し、沸騰すると分別しない。沸騰条件下での組成の固有の不変性は、混合物の個々の成分の比が使用中に変化しないことおよび溶解力特性も一定のままであることを確実なものにする。
【０００６】
一実施形態において、本発明は、半導体チップおよび回路基板の洗浄プロセス、フラックス除去プロセスおよび脱脂プロセスにおいて有用な共沸組成物または共沸様組成物を提供する。本組成物は不燃性であり、本組成物が分別しないので、本組成物は使用中に可燃性の組成を生成しない。更に、使用済み共沸溶媒混合物を組成の変化を伴わずに再蒸留し、そして再使用してもよい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロオクト−４−エンと、アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボン、アルカンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種の化合物とを含む共沸組成物または共沸様組成物に関する。一実施形態において、少なくとも１種の化合物は、
ｎ−プロピルブロミド、
トランス−１，２−ジクロロエチレン、
シス−１，２−ジクロロエチレン、
メタノール、
エタノール、
ｎ−プロパノール、
イソプロパノール、
Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、
Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、
ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、
ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、
ヘプタン
およびそれらの組み合わせ
からなる群から選択される。
【０００８】
更に、本発明は、集積回路素子などの表面を洗浄する方法および集積回路素子などの表面から残渣を除去する方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本出願人は、この開示中のすべての引用参考文献の全体の内容を参照により特に援用する。更に、量、濃度もしくは他の値またはパラメータが、範囲、好ましい範囲または好ましい上方値と好ましい下方値のリストのいずれかとして与えられる時、これは、範囲が別個に開示されているかどうかにかかわらず、あらゆる上方範囲限界または好ましい上方値とあらゆる下方範囲限界または好ましい下方値のあらゆる対から形成されたすべての範囲を本質的に開示しているとして理解されるべきである。数値の範囲が本明細書において挙げられる時、別段に指定されない限り、その範囲は、範囲の終点、範囲内のすべての整数および端数を含むべく意図されている。範囲を定めるとき、挙げられた特定の値に本発明の範囲を限定することは意図されていない。
【００１０】
一実施形態において、本発明は、式Ｅ−またはＺ−Ｒ１ＣＨ＝ＣＨＲ２（式Ｉ）（式中、Ｒ１およびＲ２は、Ｃ３パーフルオロアルキル基である）を有す化合物と、少なくとも１種のアルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボンまたはアルカンおよびそれらの組み合わせとを含む組成物に関する。Ｒ１基およびＲ２基の例としては、ｎ−Ｃ３Ｃ７およびｉ−Ｃ３Ｆ７が挙げられるが、それらに限定されない。例示的な非限定的な式Ｉの化合物を表１において示している。
【００１１】
【表１】
【００１２】
式Ｉの化合物は、式Ｒ１Ｉのパーフルオロアルキルヨージドを式Ｒ２ＣＨ＝ＣＨ２のパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンに接触させて、式Ｒ１ＣＨ２ＣＨＩＲ２のトリヒドロヨードパーフルオロアルカンを生成させることにより調製してもよい。その後、このトリヒドロヨードパーフルオロアルカンを脱ヨウ化水素化してＲ１ＣＨ＝ＣＨＲ２を生成させることが可能である。あるいは、オレフィンＲ１ＣＨ＝ＣＨＲ２は、式Ｒ１ＣＨＩＣＨ２Ｒ２のトリヒドロヨードパーフルオロアルカンの脱ヨウ化水素化によって調製してもよく、そして次に式Ｒ１ＣＨＩＣＨ２Ｒ２のトリヒドロヨードパーフルオロアルカンは、式Ｒ２Ｉのパーフルオロアルキルヨージドを式Ｒ１ＣＨ＝ＣＨ２のパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンと反応させることにより生成する。
【００１３】
パーフルオロアルキルヨージドとパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンとの前記接触は、反応温度で反応体と生成物の自原性圧力下で動作できる好適な反応容器内で反応体を組み合わせることによりバッチ様式で行ってもよい。好適な反応容器としては、特にオーステナイト型のステンレススチール、およびＭｏｎｅｌ（登録商標）ニッケル銅合金、Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ（登録商標）ニッケル系合金およびＩｎｃｏｎｅｌ（登録商標）ニッケルクロム合金などの周知された高ニッケル合金から製作された反応容器が挙げられる。あるいは、反応は、反応温度でポンプなどの好適な添加装置によってパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィン反応体をパーフルオロアルキルヨージド反応体に添加する半バッチ様式で行ってもよい。
【００１４】
パーフルオロアルキルヨージド対パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの比は、約１：１〜約４：１の間、好ましくは約１．５：１〜２．５：１であるのがよい。１．５：１未満の比は、Ｊｅａｎｎｅａｕｘら，ｉｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｆｌｕｏｒｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．４，ｐａｇｅｓ２６１−２７０（１９７４）によって報告されたように大量の２：１付加体をもたらす傾向がある。
【００１５】
前記パーフルオロアルキルヨージドと前記パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンとの接触のための温度は、好ましくは、約１５０℃〜３００℃、好ましくは約１７０℃〜約２５０℃、最も好ましくは約１８０℃〜約２３０℃の範囲内である。前記パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンへの前記パーフルオロアルキルヨウジドの接触のための圧力は、好ましくは、反応温度における反応物の自生圧力である。
【００１６】
パーフルオロアルキルヨージドとパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの反応のために好適な接触時間は、約０．５時間〜１８時間、好ましくは約４〜約１２時間である。
【００１７】
パーフルオロアルキルヨージドとパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの反応によって調製されたトリヒドロヨードパーフルオロアルカンを脱ヨウ化水素工程で直接用いてもよいか、または好ましくは、脱ヨウ化水素工程の前に回収し、蒸留によって精製してもよい。
【００１８】
なお別の実施形態において、パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンへのパーフルオロアルキルヨージドの接触は、触媒の存在下で行われる。一実施形態において、好適な触媒は、第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体である。代表的な第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体は、限定はされないが、零価ＮｉＬ４錯体を含む。式中、配位子Ｌは、ホスフィン配位子、ホスフィット配位子、カルボニル配位子、イソニトリル配位子、アルケン配位子またはそれらの組み合わせであることが可能である。こうした一実施形態において、Ｎｉ（０）Ｌ４錯体はＮｉＬ２（ＣＯ）２錯体である。特定の一実施形態において、第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体は、ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）ジカルボニルである。一実施形態において、パーフルオロアルキルヨージド対パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの比は、約３：１〜約８：１の間である。一実施形態において、触媒の存在下での前記パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンへの前記パーフルオロアルキルヨージドの接触のための温度は、約８０℃〜約１３０℃の範囲内である。別の実施形態において、温度は約９０℃〜約１２０℃である。
【００１９】
一実施形態において、触媒の存在下でのパーフルオロアルキルヨージドとパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの反応のための接触時間は、約０．５時間〜約１８時間である。別の実施形態において、接触時間は約４時間〜約１２時間である。
【００２０】
脱ヨウ化水素工程は、トリヒドロヨードパーフルオロアルカンを塩基性物質に接触させることにより行われる。好適な塩基性物質としては、アルカリ金属水酸化物（例えば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム）、アルカリ金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム）、アルカリ土類金属水酸化物（例えば、水酸化カルシウム）、アルカリ土類金属酸化物（例えば、酸化カルシウム）、アルカリ金属アルコキシド（例えば、ナトリウムメトキシドまたはナトリウムエトキシド）、水性アンモニア、ナトリウムアミド、あるいはソーダ石灰などの塩基性物質の混合物が挙げられる。好ましい塩基性物質は水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムである。
【００２１】
トリヒドロヨードパーフルオロアルカンと塩基性物質との前記接触は、好ましくは両方の反応体の少なくとも一部を溶解させることができる溶媒の存在下で液相中で行ってもよい。脱ヨウ化水素工程のために好適な溶媒としては、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノールおよびｔ−ブタノール）、ニトリル（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリルまたはアジポニトリル）、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチピロリジノンまたはスルホランなどの１種以上の極性有機溶媒が挙げられる。溶媒の選択は、基本基材の溶解度、パーフルオロアルキルヨージドの溶解度およびパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの溶解度ならびに生成物の沸点および精製中の生成物からの微量の溶媒を分離する容易さに応じて異なる。典型的には、エタノールまたはイソプロパノールは反応のために良好な溶媒である。生成物からの溶媒の分離は、蒸留、抽出、相分離または３つの組み合わせによって行ってもよい。
【００２２】
典型的には、脱ヨウ化水素反応は、好適な反応容器内で反応体の一方（塩基性物質またはトリヒドロヨードパーフルオロアルカンのいずれか）の他方の反応体への添加によって行ってもよい。前記反応容器は、ガラス、セラミックまたは金属から製作してもよく、好ましくはインペラまたは他の攪拌機構により攪拌される。
【００２３】
脱ヨウ化水素反応のために好適な温度は、約１０℃〜約１００℃、好ましくは約２０℃〜約７０℃である。脱ヨウ化水素反応は、大気圧、減圧または高圧で行ってもよい。式Ｉの化合物が生成するにつれて、式Ｉの化合物を反応容器から蒸留除去する脱ヨウ化水素反応は注目される。
【００２４】
あるいは、脱ヨウ化水素反応は、相間移動触媒の存在下でアルカン（例えば、ヘキサン、ヘプタンまたはオクタン）、芳香族炭化水素（例えば、トルエン）、ハロゲン化炭化水素（例えば、塩化メチレン、四塩化炭素またはテトラクロロエチレン）、またはエーテル（例えば、ジエチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジグリムまたはテトラグリム）などのより低い極性の１種以上の有機溶媒中のトリヒドロヨードパーフルオロアルカンの溶液に前記塩基性物質の水溶液を接触させることにより、行ってもよい。好適な相間移動触媒としては、第四アンモニウムハロゲン化物（例えば、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムヒドロスルフェート、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリドおよびトリカプリリルメチルアンモニウムクロリド）、第四ホスホニウムハロゲン化物（例えば、トリフェニルメチルホスホニウムブロミドおよびテトラフェニルホスホニウムクロリド）、またはクラウンエーテル（例えば、１８−クラウン−６および１５−クラウン−５）として当該技術分野で知られている環式エーテル化合物が挙げられる。
【００２５】
あるいは、脱ヨウ化水素反応は、１種または複数種の固体塩基性物質または液体塩基性物質にトリヒドロヨードパーフルオロアルカンを添加することにより溶媒の存在しない状態で行ってもよい。
【００２６】
脱ヨウ化水素反応のために好適な反応時間は、反応体の溶解度に応じて約１５分〜約６時間以上である。典型的には、脱ヨウ化水素反応は迅速であり、完了のために約３０分〜約３時間しか必要としない。
【００２７】
式Ｉの化合物は、場合により水の添加後の、相分離によって、蒸留によってまたはそれらの組み合わせによって脱ヨウ化水素反応混合物から回収してもよい。
【００２８】
別の実施形態において、式Ｉの化合物は、式Ｅ−またはＺ−Ｒ１ＣＣｌ＝ＣＣｌＲ２（式ＩＩ）（式中、Ｒ１およびＲ２は、上で定義された通りである）の化合物を還元剤に接触させることによっても調製してよい。この経路は、Ｒ１とＲ２の両方がｎ−Ｃ３Ｆ７である時に特に有用である。式ＩＩの化合物Ｅ／Ｚ−ｎ−Ｃ３Ｆ７ＣＣｌ＝ＣＣｌ−ｎ−Ｃ３Ｆ７は、米国特許第５，１６２，５９４号明細書およびＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌｕｍｅ７７，頁１１７−１２６（１９９６年）においてＫｒｅｓｐａｎによって開示された方法によって調製してもよい。その教示は参照により援用される。
【００２９】
式ＩＩの化合物の式Ｉの化合物への転化のために好適な還元剤としては、ジフェニル錫ジヒドリド、トリフェニル錫ヒドリド、トリブチル錫ヒドリドおよびジブチル錫ジヒドリドなどの有機錫ヒドリドが挙げられる。一実施形態において、有機錫ヒドリドは、商業的な幾つかの供給業者から入手できるトリ−ｎ−ブチル錫ヒドリド（トリブチルスタナン）である。有機化学における還元剤としての有機錫ヒドリド（すなわち、スタナン）の使用は、「Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」，Ｅｌｌｉｓ Ｈｏｒｗｏｏｄ，Ｃｈｉｃｈｅｓｔｅｒ，ＵＫ，１９８４年においてＨｕｄｌｉｃｋｙによって論じられている。
【００３０】
一実施形態において、トリ−ｎ−ブチル錫ヒドリドなどの有機錫ヒドリドへの式ＩＩ化合物の前記接触は、反応物の自生圧力下で作動できる好適な反応容器中の反応物と生成物を反応温度で組み合わせることによりバッチ方式で行ってもよい。好適な反応容器としては、ガラス、セラミックまたはステンレススチールから製作された反応容器が挙げられる。別の実施形態において、反応は、反応温度でポンプなどの好適な添加装置によって式ＩＩの化合物が有機錫ヒドリド反応物に添加される半バッチ方式で行われる。あるいは、有機錫ヒドリドを式ＩＩの化合物に添加してもよい。
【００３１】
一実施形態において、有機錫ヒドリド対式ＩＩの化合物のモル比は約１：１〜約３：１の間である。別の実施形態において、有機錫ヒドリド対式ＩＩの化合物のモル比は約２：１〜約２．５：１である。２：１未満の比は、中間化合物Ｅ−またはＺ−Ｒ１ＣＣｌ＝ＣＨＲ２（式ＩＩＩ）もしくはＥ−またはＺ−Ｒ１−ＣＨ＝ＣＣｌＲ２（式ＩＩＩａ）（式中、Ｒ１およびＲ２は、上で定義された通りである）の形成をもたらす傾向がある。故意にまたは反応副生物として形成された場合、前記式ＩＩＩ化合物は、追加の量の有機錫ヒドリドとの反応によって式Ｉの化合物に転化され得る。
【００３２】
一実施形態において、前記有機錫ヒドリドへの前記式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）の接触のための温度は約３０℃〜１５０℃の範囲内である。別の実施形態において、前記有機錫ヒドリドへの前記式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）の接触のための温度は約４０℃〜約１２０℃である。なお別の実施形態において、前記有機錫ヒドリドへの前記式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）の接触のための温度は約５０℃〜約１００℃である。反応は、典型的には大気圧で行われる。
【００３３】
一実施形態において、式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）と前記有機錫ヒドリドの反応のための好適な接触時間は約０．５時間〜１８時間である。別の実施形態において、式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）と前記有機錫ヒドリドの反応のために好適な接触時間は約１〜約１０時間である。
【００３４】
式ＩＩの化合物と有機錫ヒドリドの反応は、ラジカル開始剤化合物の存在しない状態でまたは存在する状態で、もしくは紫外線の存在下で行ってもよい。好適なラジカル開始剤としては、過酸化ベンゾイルまたは過酸化ｔ−ブチルなどの過酸化物またはＡＩＢＮなどのアゾ化合物が挙げられる。有機錫ヒドリド還元のためのこうした開始剤の使用は有機合成の技術分野において周知である。式ＩＩの化合物と有機錫ヒドリドの反応が開始剤の存在しない状態で行われる場合、主たる生成物は、典型的には式ＩＩＩまたはＩＩＩａの化合物である。式ＩＩの化合物と有機錫ヒドリドの反応が開始剤の存在下で行われる場合、主たる生成物は、典型的には式Ｉの化合物である。開始剤の存在下での式ＩＩＩまたはＩＩＩａの化合物と有機錫ヒドリドの反応は対応する式Ｉの化合物を与える。
【００３５】
一実施形態において、式ＩＩの化合物と有機錫ヒドリドの反応は、溶媒の存在しない状態で行われる。別の実施形態において、式Ｉの化合物もしくはテトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、グリムまたはジグリムなどのエーテルなどの溶媒を用いてもよい。
【００３６】
一実施形態において、式Ｉまたは式ＩＩＩの化合物を相分離によって反応混合物から回収してもよい。有機錫クロリド副生物が生成物中で殆ど溶解度をもたないからである。別の実施形態において、式Ｉの化合物を大気圧でまたは任意に真空下で反応混合物から蒸留によって、または相分離と蒸留の組み合わせによって回収してもよい。
【００３７】
なお別の実施形態において、本発明は、フッ素化オレフィンと、アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボンおよびアルカンからなる群から選択された少なくとも１種の化合物とを含む共沸組成物または共沸様組成物を用いる表面を洗浄する方法に関する。
【００３８】
一実施形態において、表１のフルオロオレフィンは、本発明の組成物を形成させるために表２に記載された化合物と組み合わされる。
【００３９】
【表２】
【００４０】
表２に記載された化合物は化学品供給業者から市販されている。Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３およびＣ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５は３Ｍ（登録商標）（Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ）から入手できる。ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅは、Ｅ．Ｉ．ＤｕＰｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ＆ ＣＯ（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ）から入手できる。ＨＦＣ−３６５ｍｆｃは、Ｓｏｌｖａｙ−Ｓｏｌｅｘｉｓから入手できる。本明細書において用いられるトランス−１，２−ジクロロエチレンは、シス−１，２−ジクロロエチレン約２０重量％以下を含有する混合物を意味するべく意図されている。
【００４１】
本発明の組成物は、個々の成分の所望の量を組み合わせることにより便利なあらゆる方法によって調製してもよい。好ましい方法は、所望の成分量を秤量し、その後、適切な容器内で成分を組み合わせることである。望むならば、攪拌を用いてもよい。
【００４２】
一実施形態において、本発明の組成物は、表１に記載されたフルオロオレフィンの１種およびトランス−１，２−ジクロロエチレン、シス−１，２−ジクロロエチレン、ｎ−プロピルブロミド、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、ヘプタンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択された化合物の少なくとも１種を含有する組成物を含む。一実施形態において、本組成物は共沸または共沸様である。
【００４３】
本明細書において用いられる共沸組成物は、混合物が実質的な組成の変化を伴わずに蒸留し、定沸点組成物として挙動する２種以上の物質の定沸点液体混合物である。共沸として特徴付けられる定沸点組成物は、同じ物質の非共沸混合物の沸点と比べた時に最高沸点または最低沸点のいずれかを示す。本明細書において用いられる共沸組成物は、液体の部分蒸発または蒸留によって生じた蒸気が液体と同じ組成を有する点で単一物質として挙動する２種以上の物質の液体混合物である均質共沸混合物を含む。本明細書において用いられる共沸組成物は、液相が２つ以上の液相に分かれる不均一共沸混合物も含む。これらの実施形態において、共沸点で、気相は２つの液相と平衡にあり、すべての３つの相は異なる組成を有する。不均一共沸混合物の２つの平衡液相を組み合わせ、全体の液相の組成を計算する場合、これは、気相の組成と同じであろう。
【００４４】
時には「近共沸組成物」とも呼ばれる本明細書において用いられる「共沸様組成物」という用語は、単一物質として挙動する２つ以上の物質の定沸点液体混合物または実質的に定沸点の液体混合物を意味する。共沸様組成物を特徴付ける１つの方法は、液体の部分蒸発または蒸留によって生じた蒸気が、蒸発または蒸留された液体と実質的に同じ組成を有することである。すなわち、混合物は、組成の実質的な変化を伴わずに蒸留／還流する。共沸様組成物を特徴付ける別の方法は、特定の温度における組成物の泡立ち点蒸気圧および組成物の露点蒸気圧が実質的に同じであることである。組成物の５０重量％が蒸発または沸騰などにより除去され、元の組成物と、元の組成物の５０重量％が蒸発または沸騰によって除去された後に残る組成物との間の蒸気圧の差が１０％未満である場合、本明細書において、組成物は共沸様である。
【００４５】
蒸気脱脂装置またはフラックス除去装置などの洗浄装置内で、シャフトシール、ホース継手、半田付け継手および破線における漏れを通して、運転中に洗浄組成物の多少の損失が起きる場合がある。加えて、使用組成物は、装置に関する保守手順中に大気に放出される場合がある。組成物が純粋な化合物、共沸組成物、共沸様組成物でない場合、装置から大気に漏れたか、または放出された時、組成が変化する場合がある。それは、装置中に残る組成物を可燃性になるようにさせるか、または許容できない性能を示すようにさせる場合がある。従って、漏れるかまたは沸騰すると、無視できる程度に分別する単一フッ素化炭化水素もしくは共沸組成物または共沸様組成物を洗浄組成物として用いることが望ましい。
【００４６】
本発明の一実施形態の共沸組成物を表３に記載する。
【００４７】
【表３】
【００４８】
更に、別の実施形態において、本発明の共沸組成物は、表２からの化合物を含む三元強沸組成物および４元共沸組成物を含んでもよい。これらのより高い次元の共沸組成物の非限定的な例を、組成物に関する大気圧沸点に加えて表４において例示する。
【００４９】
【表４】
【００５０】
別の実施形態において、本発明の二元共沸様組成物を表５に記載している。
【００５１】
【表５】
【００５２】
なお別の実施形態において、前の表の二元共沸様組成物に加えて、より高い次元（三元または四元）の共沸様組成物を本発明に含める。三元共沸様組成物またはより高い次元の共沸様組成物の非限定的な例を表６に示している。
【００５３】
【表６】
【００５４】
本発明のなお別の実施形態において、本発明の組成物は、エアロゾル噴射剤を更に含んでもよい。エアロゾル噴射剤は、エアロゾル状で貯蔵容器から表面に本組成物を送出するのを手助けし得る。エアロゾル噴射剤は、任意に、全組成物の２５重量％以下において本組成物中に含まれる。代表的なエアロゾル噴射剤は、空気、窒素、二酸化炭素、ジフルオロメタン（ＨＦＣ−３２、ＣＨ２Ｆ２）、トリフルオロメタン（ＨＦＣ−２３、ＣＨＦ３）、ジフルオロエタン（ＨＦＣ−１５２ａ、ＣＨＦ２ＣＨ３）、トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３ａ、ＣＨ３ＣＦ３またはＨＦＣ−１４３、ＣＨＦ２ＣＨ２Ｆ）、テトラフルオロエタン（ＨＦＣ−１３４ａ、ＣＦ３ＣＨ２Ｆ；ＨＦＣ−１３４、ＣＨＦ２ＣＨＦ２）、ペンタフルオロエタン（ＨＦＣ−１２５、ＣＦ３ＣＨＦ２）、ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｅａ、ＣＦ３ＣＨＦＣＨＦ２、ＨＦＣ−２３６ｆａ、ＣＦ３ＣＨ２ＣＦ３；ＨＦＣ−２３６ｃｂ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ２Ｆ）、ヘプタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ、ＣＦ３ＣＨＦＣＦ３）、ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ、ＣＦ３ＣＨ２ＣＨＦ２）、ｎ−ブタン、イソ−ブタン、プロパン、ジメチルエーテル（ＣＨ３ＯＣＨ３）またはそれらの混合物を含む。
【００５５】
本発明の実施形態において、本発明の共沸組成物は、効果的な洗浄剤、フラックス除去剤および脱脂剤である。特に、本発明の共沸組成物は、フリップチップ、μＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）およびチップスケールまたは他の先進高密度パッケージングコンポーネントなどのコンポーネントを有する回路基板をフラックス除去する時に有用である。フリップチップ、μＢＧＡおよびチップスケールは、半導体産業において用いられる高密度パッケージングコンポーネントを表現する用語であり、当業者によって良く理解されている。
【００５６】
別の実施形態において、本発明は、表面または基材から残渣を除去する方法であって、表面または基材を本発明の組成物に接触させ、本組成物から表面または基材を回収することを含む方法に関する。
【００５７】
本発明のプロセス実施形態において、表面または基材は、集積回路素子であってもよく、この場合、残渣はロジンフラックスまたは油を含む。集積回路素子は、フリップチップ、μＢＧＡまたはチップスケールパッケージングコンポーネントなどの種々のタイプのコンポーネントを有する回路基板であってもよい。表面または基材は、更に、ステンレススチールなどの金属表面であってもよい。ロジンフラックスは、ＲＭＡ（穏やかに活性化されたロジン）、ＲＡ（活性化されたロジン）、ＷＳ（水溶性）およびＯＡ（有機酸）を含むが、それらに限定されない集積回路素子の半田付けにおいて一般に用いられるあらゆるタイプであってもよい。油残渣としては、鉱油、モーター油およびシリコーン油が挙げられるが、それらに限定されない。
【００５８】
本発明方法において、表面または基材を接触させる手段は重要でなく、組成物を含有する浴に素子を浸漬するか、組成物を素子に噴霧するか、または組成物で濡らした基材により素子を拭き取ることにより実行してもよい。あるいは、組成物は、こうした残渣除去のために設計された蒸気脱脂装置または蒸気フラックス除去装置中で用いてもよい。こうした蒸気脱脂装置または蒸気フラックス除去装置は、特に、Ｆｏｒｗａｒｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（Ｃｒｅｓｔ Ｇｒｏｕｐ（Ｔｒｅｎｔｏｎ，ＮＪ）の系列会社）、Ｔｒｅｋ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ａｚｕｓａ，ＣＡ）およびＵｌｔｒｏｎｉｘ，Ｉｎｃ．（Ｈａｔｆｉｅｌｄ，ＰＡ）などの種々の供給業者から入手できる。
【００５９】
表面から残渣を除去するために効果的な組成物は、少なくとも約１０、好ましくは約４０、なおより好ましくは約１００のカウリブタノール価（Ｋｂ）を有する組成物であろう。所定の組成物のためのカウリブタノール価（Ｋｂ）は、種々の有機残渣（例えば、機械潤滑剤および従来の冷凍潤滑剤）を可溶化する前記組成物の能力を反映している。Ｋｂ価は、ＡＳＴＭ−Ｄ−１１３３−９４によって決定してもよい。
【００６０】
以下の特定の実施例は本発明を単に例示するものであり、いかにしても限定されるものではない。
【実施例】
【００６１】
実施例１
蒸気漏れの影響
容器に指定温度で初期組成物を投入し、組成物の初期蒸気圧を測定する。５０重量％の初期組成物が除去されるまで、温度を一定で保持しつつ組成物を放置して容器から漏れさせる。５０重量％の初期組成物が除去された時点で、容器に残る組成物の蒸気圧を測定する。結果を以下の表７においてまとめている。
【００６２】
【表７】
【００６３】
【表８】
【００６４】
【表９】
【００６５】
実施例２
１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンの調製
米国特許第５，１６２，５９４号明細書においてＫｒｅｓｐａｎによって開示された通り、８５℃で４ｇのアルミニウムクロロフルオリドの存在下で２，３−ジクロロ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（６９．６ｇ、０．３００モル）をテトラフルオロエチレン（６５ｇ、０．６５モル）と反応させることにより、Ｅ−およびＺ−４，５−ジクロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンの混合物を調製した。得られた反応混合物を２回蒸留（１２０−１２４ｍＢａｒ、ヘッド温度８０−８１℃）して、９７％のＧＣ純度を有するＥ／Ｚ−４，５−ジクロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンを得た。
【００６６】
ポリ（テトラフルオロエチレン）被覆攪拌棒を含有し、コンデンサ、添加漏斗および熱電対鞘を備えた５００ｍＬ三ツ口フラスコにトリ−ｎ−ブチル錫ヒドリド（１３５．０ｇ、０．４６３モル）を投入した。フラスコを窒素でパージし、７１℃に加熱した。その後、Ｅ／Ｚ−４，５−ジクロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（１００．０ｇ、０．２３１モル）を１．５時間の過程にわたり添加漏斗を介してフラスコに添加した。温度は、この時間中に最高で９５℃に上昇した。添加が完了した後、混合物を９３−９６℃で追加の１．５時間にわたり加熱した。
【００６７】
冷却後、下方層を集め、３Ｎ ＨＣｌおよび水性ホスフェート緩衝液で洗浄し、モレキュラーシーブ上で乾燥させた。生成物（７６．７ｇ）をガスクロマトグラフィによって分析し、１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（２３．８％）および４−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（６１．８％）を含有することを決定した。１２インチ充填塔を用いてこの生成物を大気圧で蒸留して、１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（ヘッド温度９３．８−９６℃、純度９３％）および４−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（ヘッド温度１１０−１１９℃、純度９７％）を得た。１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ６．４９（ｍ＝ＣＨ）。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ−８２．９５（ｔ，Ｊ＝９．３Ｈｚ、−ＣＦ３）、−１１７．４４（ｍ、−ＣＦ２−）、−１３０．１３（ｂｒ、−ＣＦ２−）。４−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ６．５４（ｔ、Ｊ＝１２．４Ｈｚ、＝ＣＨ）。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ−８１．０３（ｔ，Ｊ＝８．７Ｈｚ、−ＣＦ３）、−８１．０７（ｔ，Ｊ＝９．２Ｈｚ、−ＣＦ３）、−１１１．８４（ｍ、−ＣＦ２−）、−１１３．０９（ｍ、−ＣＦ２−）、−１２５．７７（ｂｒ、−ＣＦ２−）、−１２８．１６（ｂｒ、−ＣＦ２−）。
【００６８】
４−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンの１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンへの変換
２１０ｍＬのＨａｓｔｅｌｌｏｙ（商標）Ｃチューブに−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（４０．０ｇ、０．０９２４モル）、トリ−ｎ−ブチル錫ヒドリド（３５．０ｇ、０．１２モル）およびｔ−ブチルペルオキシド（１．４６ｇ、０．０１０モル）を投入した。チューブを密封し、ドライアイス中で冷却し、排気し、窒素でパージした。チューブを１３０−１３１．５℃で４時間にわたり振とうした。チューブを排出した後、ガスクロマトグラフィによる底層の分析は、１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンへの殆ど完全な変換を示した。
【００６９】
実施例３
フラックス除去
本発明の組成物は、表面からイオン汚れを洗浄するために有効である。表面清浄度を決定するために用いられる試験は以下の工程を含んでいた。
１．ロジンフラックスをＦＲ−４試験ボード（錫メッキ銅製のトレーシングを有するエポキシ印刷配線板）上に自由に印刷する。
２．その後、このように処理されたボードを約１〜２分にわたり約１７５℃でオーブン内で加熱して、ロジンフラックスを活性化する。
３．その後、約２００℃で約１０秒にわたり半田（Ｓｎ６３、６３／３７Ｓｎ／鉛半田）にボードを浸漬する。
４．その後、約３分にわたり沸騰洗浄組成物に浸漬し、ボードの静かな移動を提供することにより、ボードを洗浄する。その後、ボードを洗浄組成物のできたての室温浴に浸漬して、約２分にわたりリンスする。
５．その後、Ｏｍｅｇａ Ｍｅｔｅｒ６００ＳＭＤイオン分析装置によりボードの残留イオンを試験する。
【００７０】
フラックスの沈着の前のボード、フラックスの沈着後のボードおよびその後の洗浄手順後のボードを秤量することにより洗浄性能を決定する。結果を表８において示している。
【００７１】
【表１０】
【００７２】
実施例４
金属洗浄
非磨き表面を提供するためにグリットブラストされたステンレススチール（タイプ３１６）２インチ×３インチクーポンを予備洗浄し、オーブンで乾燥させて一切の残留汚れを除去する。各クーポンの自重を０．１ｍｇと決定する。少量の鉱油を綿棒で被着させ、その後、クーポンを再秤量して「負荷」重量を得る。その後、沸騰洗浄組成物に１分にわたり浸漬することによりクーポンを洗浄し、３０秒にわたり蒸気中に保持し、その後、１分にわたり空気乾燥させる。その後、クーポンを再秤量し、記録された３つの重量を用いて除去された汚れの％を計算する。結果を表９において示している。
【００７３】
【表１１】
【００７４】
結果は、本発明の組成物によるステンレススチール表面からの鉱油残渣の効率的な除去を示している。
【００７５】
実施例５
金属洗浄
非磨き表面を提供するためにグリットブラストされたステンレススチール（タイプ３１６）２インチ×３インチクーポンを予備洗浄し、オーブンで乾燥させて一切の残留汚れを除去する。各クーポンの自重を０．１ｍｇと決定する。少量のＤＣ２００シリコーンを綿棒で被着させ、その後、クーポンを再秤量して「負荷」重量を得る。その後、沸騰洗浄組成物に１分にわたり浸漬することによりクーポンを洗浄し、３０秒にわたり蒸気中に保持し、その後、１分にわたり空気乾燥させる。その後、クーポンを秤量し、記録された３つの重量を用いて除去された汚れの％を計算する。結果を表１０において示している。
【００７６】
【表１２】
【００７７】
結果は、本発明の組成物によるステンレススチール表面からのシリコーン残渣の効率的な除去を示している。
【００７８】
実施例６
金属洗浄の効力
非磨き表面を提供するためにグリットブラストされたステンレススチール（タイプ３１６）２インチ×３インチクーポンを予備洗浄し、オーブンで乾燥させて一切の残留汚れを除去する。各クーポンを４箇所で秤量して自重を得る。少量の鉱油を綿棒で被着させ、その後、クーポンを秤量して「負荷」重量を得る。その後、沸騰洗浄組成物に１分にわたり浸漬することによりクーポンを洗浄し、３０秒にわたり蒸気中に保持し、その後、１分にわたり空気乾燥させる。その後、クーポンを秤量し、記録された３つの重量を用いて除去された汚れの％を計算する。結果を表１１において示している。
【００７９】
【表１３】
【００８０】
結果は、本発明の組成物によるステンレススチール表面からの鉱油残渣の効率的な除去を示している。
【００８１】
実施例７
金属洗浄の効力
非磨き表面を提供するためにグリットブラストされたステンレススチール（タイプ３１６）２インチ×３インチクーポンを予備洗浄し、オーブンで乾燥させて一切の残留汚れを除去する。各クーポンを４箇所に対して秤量して自重を得る。少量のＤＣ２００シリコーンを綿棒で被着させ、その後、クーポンを秤量して「負荷」重量を得る。その後、沸騰洗浄組成物に１分にわたり浸漬することによりクーポンを洗浄し、３０秒にわたり蒸気中に保持し、その後、１分にわたり空気乾燥させる。その後、クーポンを秤量し、記録された３つの重量を用いて除去された汚れの％を計算する。結果を表１２において示している。
【００８２】
【表１４】
【００８３】
実施例８
２６．８重量％のＦ３３Ｅと７３．２重量％の１，２−トランス−ジクロロエチレン（ｔ−ＤＣＥ）の混合物を調製し、１０：１の還流比で５プレート蒸留装置に入れる。蒸留ヘッドでの温度を記録し、蒸留された材料の数留分を経時的に除去する。蒸留された材料をガスクロマトグラフィによって分析する。データを以下の表１３において示している。組成および温度は実験全体を通して安定なままであり、よって、この混合物の共沸挙動を示している。
【００８４】
【表１５】
【００８５】
実施例９
２６重量％のＦ３３Ｅ、６９．８重量％の１，２−トランス−ジクロロエチレン（ｔ−ＤＣＥ）および４．２重量％のエタノールの混合物を調製し、１０：１の還流比で５プレート蒸留装置に入れる。蒸留ヘッドでの温度を記録し、蒸留された材料の数留分を経時的に除去する。蒸留された材料をガスクロマトグラフィによって分析した。データを以下の表１４において示している。組成および温度は実験全体を通して安定なままであり、よって、この混合物の共沸挙動を示している。
【００８６】
【表１６】
【００８７】
実施例１０
８６重量％のＦ３３Ｅと１４．０重量％のエタノールの混合物を調製し、１０：１の還流比で５プレート蒸留装置に入れる。蒸留ヘッドでの温度を記録し、蒸留された材料の数留分を経時的に除去する。蒸留された材料をガスクロマトグラフィによって分析した。データを以下の表１５において示している。組成および温度は実験全体を通して安定なままであり、よって、この混合物の共沸挙動を示している。
【００８８】
【表１７】
【００８９】
実施例１１
８４重量％のＦ３３Ｅと１６．０重量％のメタノールの混合物を調製し、１０：１の還流比で５プレート蒸留装置に入れる。蒸留ヘッドでの温度を記録し、蒸留された材料の数留分を経時的に除去する。蒸留された材料をガスクロマトグラフィによって分析した。データを以下の表１６において示している。組成および温度は実験全体を通して安定なままであり、よって、この混合物の共沸挙動を示している。
【００９０】
【表１８】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
本願は、２００７年８月２３日出願の米国仮特許出願第６０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号（代理人整理番号ＦＬ１３５４ＰＲＶ）の優先権の利益を主張するものである。
【０００２】
本発明は、フッ素化オレフィンと、少なくとも１種のアルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボンまたはアルカンおよびそれらの組み合わせとを含む組成物に関する。これらの組成物は共沸または共沸様であり、フラックス除去剤として洗浄用途において、および表面から油または残渣を除去するために有用である。
【背景技術】
【０００３】
フラックス残渣は、ロジンフラックスを用いて組み立てられたマイクロエレクトロニクスコンポーネント上に常に存在する。近代の電子回路基板が増加した回路密度およびコンポーネント密度に向けて進化するにつれて、半田付け後の完全な基板洗浄は重要な処理工程になっている。半田付け後、フラックス残渣は、しばしば有機溶媒で除去される。洗浄される基材を破壊せずにフラックスおよびフラックス残渣を除去できるように、フラックス除去溶媒は不燃性であり、低い毒性を有するとともに高い溶解力を有するべきである。更に、油およびグリースなどの残渣の他のタイプは、使用における最適性能のためにこれらの素子から効率的に除去されなければならない。
【０００４】
モントリオール議定書の結果としての以前のほぼすべてのＣＦＣおよびＨＣＦＣの排除以来、代替非オゾン層破壊溶媒が利用できるようになってきた。溶媒混合物を調製することにより、沸点、可燃性および溶解力の特性をしばしば調節できる一方で、これらの混合物が使用中に望ましくない程度に分別するので、これらの混合物は、不満足であることが多い。こうした溶媒混合物は溶媒蒸留中にも分別し、それは、元の組成の溶媒混合物を回収することを実質的に不可能にする。
【０００５】
共沸溶媒混合物は、これらのフラックス除去・脱脂用途のために必要とされる特性および他の洗浄剤の必要なものを保有し得る。共沸混合物は、最高沸点または最低沸点のいずれかを示し、沸騰すると分別しない。沸騰条件下での組成の固有の不変性は、混合物の個々の成分の比が使用中に変化しないことおよび溶解力特性も一定のままであることを確実なものにする。
【０００６】
一実施形態において、本発明は、半導体チップおよび回路基板の洗浄プロセス、フラックス除去プロセスおよび脱脂プロセスにおいて有用な共沸組成物または共沸様組成物を提供する。本組成物は不燃性であり、本組成物が分別しないので、本組成物は使用中に可燃性の組成を生成しない。更に、使用済み共沸溶媒混合物を組成の変化を伴わずに再蒸留し、そして再使用してもよい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロオクト−４−エンと、アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボン、アルカンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１種の化合物とを含む共沸組成物または共沸様組成物に関する。一実施形態において、少なくとも１種の化合物は、
ｎ−プロピルブロミド、
トランス−１，２−ジクロロエチレン、
シス−１，２−ジクロロエチレン、
メタノール、
エタノール、
ｎ−プロパノール、
イソプロパノール、
Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、
Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、
ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、
ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、
ヘプタン
およびそれらの組み合わせ
からなる群から選択される。
【０００８】
更に、本発明は、集積回路素子などの表面を洗浄する方法および集積回路素子などの表面から残渣を除去する方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本出願人は、この開示中のすべての引用参考文献の全体の内容を参照により特に援用する。更に、量、濃度もしくは他の値またはパラメータが、範囲、好ましい範囲または好ましい上方値と好ましい下方値のリストのいずれかとして与えられる時、これは、範囲が別個に開示されているかどうかにかかわらず、あらゆる上方範囲限界または好ましい上方値とあらゆる下方範囲限界または好ましい下方値のあらゆる対から形成されたすべての範囲を本質的に開示しているとして理解されるべきである。数値の範囲が本明細書において挙げられる時、別段に指定されない限り、その範囲は、範囲の終点、範囲内のすべての整数および端数を含むべく意図されている。範囲を定めるとき、挙げられた特定の値に本発明の範囲を限定することは意図されていない。
【００１０】
一実施形態において、本発明は、式Ｅ−またはＺ−Ｒ１ＣＨ＝ＣＨＲ２（式Ｉ）（式中、Ｒ１およびＲ２は、Ｃ３パーフルオロアルキル基である）を有す化合物と、少なくとも１種のアルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボンまたはアルカンおよびそれらの組み合わせとを含む組成物に関する。Ｒ１基およびＲ２基の例としては、ｎ−Ｃ３Ｃ７およびｉ−Ｃ３Ｆ７が挙げられるが、それらに限定されない。例示的な非限定的な式Ｉの化合物を表１において示している。
【００１１】
【表１】
【００１２】
式Ｉの化合物は、式Ｒ１Ｉのパーフルオロアルキルヨージドを式Ｒ２ＣＨ＝ＣＨ２のパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンに接触させて、式Ｒ１ＣＨ２ＣＨＩＲ２のトリヒドロヨードパーフルオロアルカンを生成させることにより調製してもよい。その後、このトリヒドロヨードパーフルオロアルカンを脱ヨウ化水素化してＲ１ＣＨ＝ＣＨＲ２を生成させることが可能である。あるいは、オレフィンＲ１ＣＨ＝ＣＨＲ２は、式Ｒ１ＣＨＩＣＨ２Ｒ２のトリヒドロヨードパーフルオロアルカンの脱ヨウ化水素化によって調製してもよく、そして次に式Ｒ１ＣＨＩＣＨ２Ｒ２のトリヒドロヨードパーフルオロアルカンは、式Ｒ２Ｉのパーフルオロアルキルヨージドを式Ｒ１ＣＨ＝ＣＨ２のパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンと反応させることにより生成する。
【００１３】
パーフルオロアルキルヨージドとパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンとの前記接触は、反応温度で反応体と生成物の自原性圧力下で動作できる好適な反応容器内で反応体を組み合わせることによりバッチ様式で行ってもよい。好適な反応容器としては、特にオーステナイト型のステンレススチール、およびＭｏｎｅｌ（登録商標）ニッケル銅合金、Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ（登録商標）ニッケル系合金およびＩｎｃｏｎｅｌ（登録商標）ニッケルクロム合金などの周知された高ニッケル合金から製作された反応容器が挙げられる。あるいは、反応は、反応温度でポンプなどの好適な添加装置によってパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィン反応体をパーフルオロアルキルヨージド反応体に添加する半バッチ様式で行ってもよい。
【００１４】
パーフルオロアルキルヨージド対パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの比は、約１：１〜約４：１の間、好ましくは約１．５：１〜２．５：１であるのがよい。１．５：１未満の比は、Ｊｅａｎｎｅａｕｘら，ｉｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｆｌｕｏｒｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．４，ｐａｇｅｓ２６１−２７０（１９７４）によって報告されたように大量の２：１付加体をもたらす傾向がある。
【００１５】
前記パーフルオロアルキルヨージドと前記パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンとの接触のための温度は、好ましくは、約１５０℃〜３００℃、好ましくは約１７０℃〜約２５０℃、最も好ましくは約１８０℃〜約２３０℃の範囲内である。前記パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンへの前記パーフルオロアルキルヨウジドの接触のための圧力は、好ましくは、反応温度における反応物の自生圧力である。
【００１６】
パーフルオロアルキルヨージドとパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの反応のために好適な接触時間は、約０．５時間〜１８時間、好ましくは約４〜約１２時間である。
【００１７】
パーフルオロアルキルヨージドとパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの反応によって調製されたトリヒドロヨードパーフルオロアルカンを脱ヨウ化水素工程で直接用いてもよいか、または好ましくは、脱ヨウ化水素工程の前に回収し、蒸留によって精製してもよい。
【００１８】
なお別の実施形態において、パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンへのパーフルオロアルキルヨージドの接触は、触媒の存在下で行われる。一実施形態において、好適な触媒は、第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体である。代表的な第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体は、限定はされないが、零価ＮｉＬ４錯体を含む。式中、配位子Ｌは、ホスフィン配位子、ホスフィット配位子、カルボニル配位子、イソニトリル配位子、アルケン配位子またはそれらの組み合わせであることが可能である。こうした一実施形態において、Ｎｉ（０）Ｌ４錯体はＮｉＬ２（ＣＯ）２錯体である。特定の一実施形態において、第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体は、ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）ジカルボニルである。一実施形態において、パーフルオロアルキルヨージド対パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの比は、約３：１〜約８：１の間である。一実施形態において、触媒の存在下での前記パーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンへの前記パーフルオロアルキルヨージドの接触のための温度は、約８０℃〜約１３０℃の範囲内である。別の実施形態において、温度は約９０℃〜約１２０℃である。
【００１９】
一実施形態において、触媒の存在下でのパーフルオロアルキルヨージドとパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの反応のための接触時間は、約０．５時間〜約１８時間である。別の実施形態において、接触時間は約４時間〜約１２時間である。
【００２０】
脱ヨウ化水素工程は、トリヒドロヨードパーフルオロアルカンを塩基性物質に接触させることにより行われる。好適な塩基性物質としては、アルカリ金属水酸化物（例えば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム）、アルカリ金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム）、アルカリ土類金属水酸化物（例えば、水酸化カルシウム）、アルカリ土類金属酸化物（例えば、酸化カルシウム）、アルカリ金属アルコキシド（例えば、ナトリウムメトキシドまたはナトリウムエトキシド）、水性アンモニア、ナトリウムアミド、あるいはソーダ石灰などの塩基性物質の混合物が挙げられる。好ましい塩基性物質は水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムである。
【００２１】
トリヒドロヨードパーフルオロアルカンと塩基性物質との前記接触は、好ましくは両方の反応体の少なくとも一部を溶解させることができる溶媒の存在下で液相中で行ってもよい。脱ヨウ化水素工程のために好適な溶媒としては、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノールおよびｔ−ブタノール）、ニトリル（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリルまたはアジポニトリル）、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチピロリジノンまたはスルホランなどの１種以上の極性有機溶媒が挙げられる。溶媒の選択は、基本基材の溶解度、パーフルオロアルキルヨージドの溶解度およびパーフルオロアルキルトリヒドロオレフィンの溶解度ならびに生成物の沸点および精製中の生成物からの微量の溶媒を分離する容易さに応じて異なる。典型的には、エタノールまたはイソプロパノールは反応のために良好な溶媒である。生成物からの溶媒の分離は、蒸留、抽出、相分離または３つの組み合わせによって行ってもよい。
【００２２】
典型的には、脱ヨウ化水素反応は、好適な反応容器内で反応体の一方（塩基性物質またはトリヒドロヨードパーフルオロアルカンのいずれか）の他方の反応体への添加によって行ってもよい。前記反応容器は、ガラス、セラミックまたは金属から製作してもよく、好ましくはインペラまたは他の攪拌機構により攪拌される。
【００２３】
脱ヨウ化水素反応のために好適な温度は、約１０℃〜約１００℃、好ましくは約２０℃〜約７０℃である。脱ヨウ化水素反応は、大気圧、減圧または高圧で行ってもよい。式Ｉの化合物が生成するにつれて、式Ｉの化合物を反応容器から蒸留除去する脱ヨウ化水素反応は注目される。
【００２４】
あるいは、脱ヨウ化水素反応は、相間移動触媒の存在下でアルカン（例えば、ヘキサン、ヘプタンまたはオクタン）、芳香族炭化水素（例えば、トルエン）、ハロゲン化炭化水素（例えば、塩化メチレン、四塩化炭素またはテトラクロロエチレン）、またはエーテル（例えば、ジエチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジグリムまたはテトラグリム）などのより低い極性の１種以上の有機溶媒中のトリヒドロヨードパーフルオロアルカンの溶液に前記塩基性物質の水溶液を接触させることにより、行ってもよい。好適な相間移動触媒としては、第四アンモニウムハロゲン化物（例えば、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムヒドロスルフェート、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムクロリドおよびトリカプリリルメチルアンモニウムクロリド）、第四ホスホニウムハロゲン化物（例えば、トリフェニルメチルホスホニウムブロミドおよびテトラフェニルホスホニウムクロリド）、またはクラウンエーテル（例えば、１８−クラウン−６および１５−クラウン−５）として当該技術分野で知られている環式エーテル化合物が挙げられる。
【００２５】
あるいは、脱ヨウ化水素反応は、１種または複数種の固体塩基性物質または液体塩基性物質にトリヒドロヨードパーフルオロアルカンを添加することにより溶媒の存在しない状態で行ってもよい。
【００２６】
脱ヨウ化水素反応のために好適な反応時間は、反応体の溶解度に応じて約１５分〜約６時間以上である。典型的には、脱ヨウ化水素反応は迅速であり、完了のために約３０分〜約３時間しか必要としない。
【００２７】
式Ｉの化合物は、場合により水の添加後の、相分離によって、蒸留によってまたはそれらの組み合わせによって脱ヨウ化水素反応混合物から回収してもよい。
【００２８】
別の実施形態において、式Ｉの化合物は、式Ｅ−またはＺ−Ｒ１ＣＣｌ＝ＣＣｌＲ２（式ＩＩ）（式中、Ｒ１およびＲ２は、上で定義された通りである）の化合物を還元剤に接触させることによっても調製してよい。この経路は、Ｒ１とＲ２の両方がｎ−Ｃ３Ｆ７である時に特に有用である。式ＩＩの化合物Ｅ／Ｚ−ｎ−Ｃ３Ｆ７ＣＣｌ＝ＣＣｌ−ｎ−Ｃ３Ｆ７は、米国特許第５，１６２，５９４号明細書およびＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌｕｍｅ７７，頁１１７−１２６（１９９６年）においてＫｒｅｓｐａｎによって開示された方法によって調製してもよい。その教示は参照により援用される。
【００２９】
式ＩＩの化合物の式Ｉの化合物への転化のために好適な還元剤としては、ジフェニル錫ジヒドリド、トリフェニル錫ヒドリド、トリブチル錫ヒドリドおよびジブチル錫ジヒドリドなどの有機錫ヒドリドが挙げられる。一実施形態において、有機錫ヒドリドは、商業的な幾つかの供給業者から入手できるトリ−ｎ−ブチル錫ヒドリド（トリブチルスタナン）である。有機化学における還元剤としての有機錫ヒドリド（すなわち、スタナン）の使用は、「Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」，Ｅｌｌｉｓ Ｈｏｒｗｏｏｄ，Ｃｈｉｃｈｅｓｔｅｒ，ＵＫ，１９８４年においてＨｕｄｌｉｃｋｙによって論じられている。
【００３０】
一実施形態において、トリ−ｎ−ブチル錫ヒドリドなどの有機錫ヒドリドへの式ＩＩ化合物の前記接触は、反応物の自生圧力下で作動できる好適な反応容器中の反応物と生成物を反応温度で組み合わせることによりバッチ方式で行ってもよい。好適な反応容器としては、ガラス、セラミックまたはステンレススチールから製作された反応容器が挙げられる。別の実施形態において、反応は、反応温度でポンプなどの好適な添加装置によって式ＩＩの化合物が有機錫ヒドリド反応物に添加される半バッチ方式で行われる。あるいは、有機錫ヒドリドを式ＩＩの化合物に添加してもよい。
【００３１】
一実施形態において、有機錫ヒドリド対式ＩＩの化合物のモル比は約１：１〜約３：１の間である。別の実施形態において、有機錫ヒドリド対式ＩＩの化合物のモル比は約２：１〜約２．５：１である。２：１未満の比は、中間化合物Ｅ−またはＺ−Ｒ１ＣＣｌ＝ＣＨＲ２（式ＩＩＩ）もしくはＥ−またはＺ−Ｒ１−ＣＨ＝ＣＣｌＲ２（式ＩＩＩａ）（式中、Ｒ１およびＲ２は、上で定義された通りである）の形成をもたらす傾向がある。故意にまたは反応副生物として形成された場合、前記式ＩＩＩ化合物は、追加の量の有機錫ヒドリドとの反応によって式Ｉの化合物に転化され得る。
【００３２】
一実施形態において、前記有機錫ヒドリドへの前記式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）の接触のための温度は約３０℃〜１５０℃の範囲内である。別の実施形態において、前記有機錫ヒドリドへの前記式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）の接触のための温度は約４０℃〜約１２０℃である。なお別の実施形態において、前記有機錫ヒドリドへの前記式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）の接触のための温度は約５０℃〜約１００℃である。反応は、典型的には大気圧で行われる。
【００３３】
一実施形態において、式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）と前記有機錫ヒドリドの反応のための好適な接触時間は約０．５時間〜１８時間である。別の実施形態において、式ＩＩの化合物（または式ＩＩＩ／ＩＩＩａ化合物）と前記有機錫ヒドリドの反応のために好適な接触時間は約１〜約１０時間である。
【００３４】
式ＩＩの化合物と有機錫ヒドリドの反応は、ラジカル開始剤化合物の存在しない状態でまたは存在する状態で、もしくは紫外線の存在下で行ってもよい。好適なラジカル開始剤としては、過酸化ベンゾイルまたは過酸化ｔ−ブチルなどの過酸化物またはＡＩＢＮなどのアゾ化合物が挙げられる。有機錫ヒドリド還元のためのこうした開始剤の使用は有機合成の技術分野において周知である。式ＩＩの化合物と有機錫ヒドリドの反応が開始剤の存在しない状態で行われる場合、主たる生成物は、典型的には式ＩＩＩまたはＩＩＩａの化合物である。式ＩＩの化合物と有機錫ヒドリドの反応が開始剤の存在下で行われる場合、主たる生成物は、典型的には式Ｉの化合物である。開始剤の存在下での式ＩＩＩまたはＩＩＩａの化合物と有機錫ヒドリドの反応は対応する式Ｉの化合物を与える。
【００３５】
一実施形態において、式ＩＩの化合物と有機錫ヒドリドの反応は、溶媒の存在しない状態で行われる。別の実施形態において、式Ｉの化合物もしくはテトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、グリムまたはジグリムなどのエーテルなどの溶媒を用いてもよい。
【００３６】
一実施形態において、式Ｉまたは式ＩＩＩの化合物を相分離によって反応混合物から回収してもよい。有機錫クロリド副生物が生成物中で殆ど溶解度をもたないからである。別の実施形態において、式Ｉの化合物を大気圧でまたは任意に真空下で反応混合物から蒸留によって、または相分離と蒸留の組み合わせによって回収してもよい。
【００３７】
なお別の実施形態において、本発明は、フッ素化オレフィンと、アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボンおよびアルカンからなる群から選択された少なくとも１種の化合物とを含む共沸組成物または共沸様組成物を用いる表面を洗浄する方法に関する。
【００３８】
一実施形態において、表１のフルオロオレフィンは、本発明の組成物を形成させるために表２に記載された化合物と組み合わされる。
【００３９】
【表２】
【００４０】
表２に記載された化合物は化学品供給業者から市販されている。Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３およびＣ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５は３Ｍ（登録商標）（Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ）から入手できる。ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅは、Ｅ．Ｉ．ＤｕＰｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ＆ ＣＯ（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ）から入手できる。ＨＦＣ−３６５ｍｆｃは、Ｓｏｌｖａｙ−Ｓｏｌｅｘｉｓから入手できる。本明細書において用いられるトランス−１，２−ジクロロエチレンは、シス−１，２−ジクロロエチレン約２０重量％以下を含有する混合物を意味するべく意図されている。
【００４１】
本発明の組成物は、個々の成分の所望の量を組み合わせることにより便利なあらゆる方法によって調製してもよい。好ましい方法は、所望の成分量を秤量し、その後、適切な容器内で成分を組み合わせることである。望むならば、攪拌を用いてもよい。
【００４２】
一実施形態において、本発明の組成物は、表１に記載されたフルオロオレフィンの１種およびトランス−１，２−ジクロロエチレン、シス−１，２−ジクロロエチレン、ｎ−プロピルブロミド、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、ヘプタンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択された化合物の少なくとも１種を含有する組成物を含む。一実施形態において、本組成物は共沸または共沸様である。
【００４３】
本明細書において用いられる共沸組成物は、混合物が実質的な組成の変化を伴わずに蒸留し、定沸点組成物として挙動する２種以上の物質の定沸点液体混合物である。共沸として特徴付けられる定沸点組成物は、同じ物質の非共沸混合物の沸点と比べた時に最高沸点または最低沸点のいずれかを示す。本明細書において用いられる共沸組成物は、液体の部分蒸発または蒸留によって生じた蒸気が液体と同じ組成を有する点で単一物質として挙動する２種以上の物質の液体混合物である均質共沸混合物を含む。本明細書において用いられる共沸組成物は、液相が２つ以上の液相に分かれる不均一共沸混合物も含む。これらの実施形態において、共沸点で、気相は２つの液相と平衡にあり、すべての３つの相は異なる組成を有する。不均一共沸混合物の２つの平衡液相を組み合わせ、全体の液相の組成を計算する場合、これは、気相の組成と同じであろう。
【００４４】
時には「近共沸組成物」とも呼ばれる本明細書において用いられる「共沸様組成物」という用語は、単一物質として挙動する２つ以上の物質の定沸点液体混合物または実質的に定沸点の液体混合物を意味する。共沸様組成物を特徴付ける１つの方法は、液体の部分蒸発または蒸留によって生じた蒸気が、蒸発または蒸留された液体と実質的に同じ組成を有することである。すなわち、混合物は、組成の実質的な変化を伴わずに蒸留／還流する。共沸様組成物を特徴付ける別の方法は、特定の温度における組成物の泡立ち点蒸気圧および組成物の露点蒸気圧が実質的に同じであることである。組成物の５０重量％が蒸発または沸騰などにより除去され、元の組成物と、元の組成物の５０重量％が蒸発または沸騰によって除去された後に残る組成物との間の蒸気圧の差が１０％未満である場合、本明細書において、組成物は共沸様である。
【００４５】
蒸気脱脂装置またはフラックス除去装置などの洗浄装置内で、シャフトシール、ホース継手、半田付け継手および破線における漏れを通して、運転中に洗浄組成物の多少の損失が起きる場合がある。加えて、使用組成物は、装置に関する保守手順中に大気に放出される場合がある。組成物が純粋な化合物、共沸組成物、共沸様組成物でない場合、装置から大気に漏れたか、または放出された時、組成が変化する場合がある。それは、装置中に残る組成物を可燃性になるようにさせるか、または許容できない性能を示すようにさせる場合がある。従って、漏れるかまたは沸騰すると、無視できる程度に分別する単一フッ素化炭化水素もしくは共沸組成物または共沸様組成物を洗浄組成物として用いることが望ましい。
【００４６】
本発明の一実施形態の共沸組成物を表３に記載する。
【００４７】
【表３】
【００４８】
更に、別の実施形態において、本発明の共沸組成物は、表２からの化合物を含む三元強沸組成物および４元共沸組成物を含んでもよい。これらのより高い次元の共沸組成物の非限定的な例を、組成物に関する大気圧沸点に加えて表４において例示する。
【００４９】
【表４】
【００５０】
別の実施形態において、本発明の二元共沸様組成物を表５に記載している。
【００５１】
【表５】
【００５２】
なお別の実施形態において、前の表の二元共沸様組成物に加えて、より高い次元（三元または四元）の共沸様組成物を本発明に含める。三元共沸様組成物またはより高い次元の共沸様組成物の非限定的な例を表６に示している。
【００５３】
【表６】
【００５４】
本発明のなお別の実施形態において、本発明の組成物は、エアロゾル噴射剤を更に含んでもよい。エアロゾル噴射剤は、エアロゾル状で貯蔵容器から表面に本組成物を送出するのを手助けし得る。エアロゾル噴射剤は、任意に、全組成物の２５重量％以下において本組成物中に含まれる。代表的なエアロゾル噴射剤は、空気、窒素、二酸化炭素、ジフルオロメタン（ＨＦＣ−３２、ＣＨ２Ｆ２）、トリフルオロメタン（ＨＦＣ−２３、ＣＨＦ３）、ジフルオロエタン（ＨＦＣ−１５２ａ、ＣＨＦ２ＣＨ３）、トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３ａ、ＣＨ３ＣＦ３またはＨＦＣ−１４３、ＣＨＦ２ＣＨ２Ｆ）、テトラフルオロエタン（ＨＦＣ−１３４ａ、ＣＦ３ＣＨ２Ｆ；ＨＦＣ−１３４、ＣＨＦ２ＣＨＦ２）、ペンタフルオロエタン（ＨＦＣ−１２５、ＣＦ３ＣＨＦ２）、ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｅａ、ＣＦ３ＣＨＦＣＨＦ２、ＨＦＣ−２３６ｆａ、ＣＦ３ＣＨ２ＣＦ３；ＨＦＣ−２３６ｃｂ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨ２Ｆ）、ヘプタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ、ＣＦ３ＣＨＦＣＦ３）、ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ、ＣＦ３ＣＨ２ＣＨＦ２）、ｎ−ブタン、イソ−ブタン、プロパン、ジメチルエーテル（ＣＨ３ＯＣＨ３）またはそれらの混合物を含む。
【００５５】
本発明の実施形態において、本発明の共沸組成物は、効果的な洗浄剤、フラックス除去剤および脱脂剤である。特に、本発明の共沸組成物は、フリップチップ、μＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）およびチップスケールまたは他の先進高密度パッケージングコンポーネントなどのコンポーネントを有する回路基板をフラックス除去する時に有用である。フリップチップ、μＢＧＡおよびチップスケールは、半導体産業において用いられる高密度パッケージングコンポーネントを表現する用語であり、当業者によって良く理解されている。
【００５６】
別の実施形態において、本発明は、表面または基材から残渣を除去する方法であって、表面または基材を本発明の組成物に接触させ、本組成物から表面または基材を回収することを含む方法に関する。
【００５７】
本発明のプロセス実施形態において、表面または基材は、集積回路素子であってもよく、この場合、残渣はロジンフラックスまたは油を含む。集積回路素子は、フリップチップ、μＢＧＡまたはチップスケールパッケージングコンポーネントなどの種々のタイプのコンポーネントを有する回路基板であってもよい。表面または基材は、更に、ステンレススチールなどの金属表面であってもよい。ロジンフラックスは、ＲＭＡ（穏やかに活性化されたロジン）、ＲＡ（活性化されたロジン）、ＷＳ（水溶性）およびＯＡ（有機酸）を含むが、それらに限定されない集積回路素子の半田付けにおいて一般に用いられるあらゆるタイプであってもよい。油残渣としては、鉱油、モーター油およびシリコーン油が挙げられるが、それらに限定されない。
【００５８】
本発明方法において、表面または基材を接触させる手段は重要でなく、組成物を含有する浴に素子を浸漬するか、組成物を素子に噴霧するか、または組成物で濡らした基材により素子を拭き取ることにより実行してもよい。あるいは、組成物は、こうした残渣除去のために設計された蒸気脱脂装置または蒸気フラックス除去装置中で用いてもよい。こうした蒸気脱脂装置または蒸気フラックス除去装置は、特に、Ｆｏｒｗａｒｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（Ｃｒｅｓｔ Ｇｒｏｕｐ（Ｔｒｅｎｔｏｎ，ＮＪ）の系列会社）、Ｔｒｅｋ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ａｚｕｓａ，ＣＡ）およびＵｌｔｒｏｎｉｘ，Ｉｎｃ．（Ｈａｔｆｉｅｌｄ，ＰＡ）などの種々の供給業者から入手できる。
【００５９】
表面から残渣を除去するために効果的な組成物は、少なくとも約１０、好ましくは約４０、なおより好ましくは約１００のカウリブタノール価（Ｋｂ）を有する組成物であろう。所定の組成物のためのカウリブタノール価（Ｋｂ）は、種々の有機残渣（例えば、機械潤滑剤および従来の冷凍潤滑剤）を可溶化する前記組成物の能力を反映している。Ｋｂ価は、ＡＳＴＭ−Ｄ−１１３３−９４によって決定してもよい。
【００６０】
以下の特定の実施例は本発明を単に例示するものであり、いかにしても限定されるものではない。
【実施例】
【００６１】
実施例１
蒸気漏れの影響
容器に指定温度で初期組成物を投入し、組成物の初期蒸気圧を測定する。５０重量％の初期組成物が除去されるまで、温度を一定で保持しつつ組成物を放置して容器から漏れさせる。５０重量％の初期組成物が除去された時点で、容器に残る組成物の蒸気圧を測定する。結果を以下の表７においてまとめている。
【００６２】
【表７】
【００６３】
【表８】
【００６４】
【表９】
【００６５】
実施例２
１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンの調製
米国特許第５，１６２，５９４号明細書においてＫｒｅｓｐａｎによって開示された通り、８５℃で４ｇのアルミニウムクロロフルオリドの存在下で２，３−ジクロロ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（６９．６ｇ、０．３００モル）をテトラフルオロエチレン（６５ｇ、０．６５モル）と反応させることにより、Ｅ−およびＺ−４，５−ジクロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンの混合物を調製した。得られた反応混合物を２回蒸留（１２０−１２４ｍＢａｒ、ヘッド温度８０−８１℃）して、９７％のＧＣ純度を有するＥ／Ｚ−４，５−ジクロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンを得た。
【００６６】
ポリ（テトラフルオロエチレン）被覆攪拌棒を含有し、コンデンサ、添加漏斗および熱電対鞘を備えた５００ｍＬ三ツ口フラスコにトリ−ｎ−ブチル錫ヒドリド（１３５．０ｇ、０．４６３モル）を投入した。フラスコを窒素でパージし、７１℃に加熱した。その後、Ｅ／Ｚ−４，５−ジクロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（１００．０ｇ、０．２３１モル）を１．５時間の過程にわたり添加漏斗を介してフラスコに添加した。温度は、この時間中に最高で９５℃に上昇した。添加が完了した後、混合物を９３−９６℃で追加の１．５時間にわたり加熱した。
【００６７】
冷却後、下方層を集め、３Ｎ ＨＣｌおよび水性ホスフェート緩衝液で洗浄し、モレキュラーシーブ上で乾燥させた。生成物（７６．７ｇ）をガスクロマトグラフィによって分析し、１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（２３．８％）および４−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（６１．８％）を含有することを決定した。１２インチ充填塔を用いてこの生成物を大気圧で蒸留して、１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（ヘッド温度９３．８−９６℃、純度９３％）および４−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（ヘッド温度１１０−１１９℃、純度９７％）を得た。１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ６．４９（ｍ＝ＣＨ）。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ−８２．９５（ｔ，Ｊ＝９．３Ｈｚ、−ＣＦ３）、−１１７．４４（ｍ、−ＣＦ２−）、−１３０．１３（ｂｒ、−ＣＦ２−）。４−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン：１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ６．５４（ｔ、Ｊ＝１２．４Ｈｚ、＝ＣＨ）。１９Ｆ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ−８１．０３（ｔ，Ｊ＝８．７Ｈｚ、−ＣＦ３）、−８１．０７（ｔ，Ｊ＝９．２Ｈｚ、−ＣＦ３）、−１１１．８４（ｍ、−ＣＦ２−）、−１１３．０９（ｍ、−ＣＦ２−）、−１２５．７７（ｂｒ、−ＣＦ２−）、−１２８．１６（ｂｒ、−ＣＦ２−）。
【００６８】
４−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンの１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンへの変換
２１０ｍＬのＨａｓｔｅｌｌｏｙ（商標）Ｃチューブに−クロロ−１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテン（４０．０ｇ、０．０９２４モル）、トリ−ｎ−ブチル錫ヒドリド（３５．０ｇ、０．１２モル）およびｔ−ブチルペルオキシド（１．４６ｇ、０．０１０モル）を投入した。チューブを密封し、ドライアイス中で冷却し、排気し、窒素でパージした。チューブを１３０−１３１．５℃で４時間にわたり振とうした。チューブを排出した後、ガスクロマトグラフィによる底層の分析は、１，１，１，２，２，３，３，６，６，７，７，８，８，８−テトラデカフルオロ−４−オクテンへの殆ど完全な変換を示した。
【００６９】
実施例３
フラックス除去
本発明の組成物は、表面からイオン汚れを洗浄するために有効である。表面清浄度を決定するために用いられる試験は以下の工程を含んでいた。
１．ロジンフラックスをＦＲ−４試験ボード（錫メッキ銅製のトレーシングを有するエポキシ印刷配線板）上に自由に印刷する。
２．その後、このように処理されたボードを約１〜２分にわたり約１７５℃でオーブン内で加熱して、ロジンフラックスを活性化する。
３．その後、約２００℃で約１０秒にわたり半田（Ｓｎ６３、６３／３７Ｓｎ／鉛半田）にボードを浸漬する。
４．その後、約３分にわたり沸騰洗浄組成物に浸漬し、ボードの静かな移動を提供することにより、ボードを洗浄する。その後、ボードを洗浄組成物のできたての室温浴に浸漬して、約２分にわたりリンスする。
５．その後、Ｏｍｅｇａ Ｍｅｔｅｒ６００ＳＭＤイオン分析装置によりボードの残留イオンを試験する。
【００７０】
フラックスの沈着の前のボード、フラックスの沈着後のボードおよびその後の洗浄手順後のボードを秤量することにより洗浄性能を決定する。結果を表８において示している。
【００７１】
【表１０】
【００７２】
実施例４
金属洗浄
非磨き表面を提供するためにグリットブラストされたステンレススチール（タイプ３１６）２インチ×３インチクーポンを予備洗浄し、オーブンで乾燥させて一切の残留汚れを除去する。各クーポンの自重を０．１ｍｇと決定する。少量の鉱油を綿棒で被着させ、その後、クーポンを再秤量して「負荷」重量を得る。その後、沸騰洗浄組成物に１分にわたり浸漬することによりクーポンを洗浄し、３０秒にわたり蒸気中に保持し、その後、１分にわたり空気乾燥させる。その後、クーポンを再秤量し、記録された３つの重量を用いて除去された汚れの％を計算する。結果を表９において示している。
【００７３】
【表１１】
【００７４】
結果は、本発明の組成物によるステンレススチール表面からの鉱油残渣の効率的な除去を示している。
【００７５】
実施例５
金属洗浄
非磨き表面を提供するためにグリットブラストされたステンレススチール（タイプ３１６）２インチ×３インチクーポンを予備洗浄し、オーブンで乾燥させて一切の残留汚れを除去する。各クーポンの自重を０．１ｍｇと決定する。少量のＤＣ２００シリコーンを綿棒で被着させ、その後、クーポンを再秤量して「負荷」重量を得る。その後、沸騰洗浄組成物に１分にわたり浸漬することによりクーポンを洗浄し、３０秒にわたり蒸気中に保持し、その後、１分にわたり空気乾燥させる。その後、クーポンを秤量し、記録された３つの重量を用いて除去された汚れの％を計算する。結果を表１０において示している。
【００７６】
【表１２】
【００７７】
結果は、本発明の組成物によるステンレススチール表面からのシリコーン残渣の効率的な除去を示している。
【００７８】
実施例６
金属洗浄の効力
非磨き表面を提供するためにグリットブラストされたステンレススチール（タイプ３１６）２インチ×３インチクーポンを予備洗浄し、オーブンで乾燥させて一切の残留汚れを除去する。各クーポンを４箇所で秤量して自重を得る。少量の鉱油を綿棒で被着させ、その後、クーポンを秤量して「負荷」重量を得る。その後、沸騰洗浄組成物に１分にわたり浸漬することによりクーポンを洗浄し、３０秒にわたり蒸気中に保持し、その後、１分にわたり空気乾燥させる。その後、クーポンを秤量し、記録された３つの重量を用いて除去された汚れの％を計算する。結果を表１１において示している。
【００７９】
【表１３】
【００８０】
結果は、本発明の組成物によるステンレススチール表面からの鉱油残渣の効率的な除去を示している。
【００８１】
実施例７
金属洗浄の効力
非磨き表面を提供するためにグリットブラストされたステンレススチール（タイプ３１６）２インチ×３インチクーポンを予備洗浄し、オーブンで乾燥させて一切の残留汚れを除去する。各クーポンを４箇所に対して秤量して自重を得る。少量のＤＣ２００シリコーンを綿棒で被着させ、その後、クーポンを秤量して「負荷」重量を得る。その後、沸騰洗浄組成物に１分にわたり浸漬することによりクーポンを洗浄し、３０秒にわたり蒸気中に保持し、その後、１分にわたり空気乾燥させる。その後、クーポンを秤量し、記録された３つの重量を用いて除去された汚れの％を計算する。結果を表１２において示している。
【００８２】
【表１４】
【００８３】
実施例８
２６．８重量％のＦ３３Ｅと７３．２重量％の１，２−トランス−ジクロロエチレン（ｔ−ＤＣＥ）の混合物を調製し、１０：１の還流比で５プレート蒸留装置に入れる。蒸留ヘッドでの温度を記録し、蒸留された材料の数留分を経時的に除去する。蒸留された材料をガスクロマトグラフィによって分析する。データを以下の表１３において示している。組成および温度は実験全体を通して安定なままであり、よって、この混合物の共沸挙動を示している。
【００８４】
【表１５】
【００８５】
実施例９
２６重量％のＦ３３Ｅ、６９．８重量％の１，２−トランス−ジクロロエチレン（ｔ−ＤＣＥ）および４．２重量％のエタノールの混合物を調製し、１０：１の還流比で５プレート蒸留装置に入れる。蒸留ヘッドでの温度を記録し、蒸留された材料の数留分を経時的に除去する。蒸留された材料をガスクロマトグラフィによって分析した。データを以下の表１４において示している。組成および温度は実験全体を通して安定なままであり、よって、この混合物の共沸挙動を示している。
【００８６】
【表１６】
【００８７】
実施例１０
８６重量％のＦ３３Ｅと１４．０重量％のエタノールの混合物を調製し、１０：１の還流比で５プレート蒸留装置に入れる。蒸留ヘッドでの温度を記録し、蒸留された材料の数留分を経時的に除去する。蒸留された材料をガスクロマトグラフィによって分析した。データを以下の表１５において示している。組成および温度は実験全体を通して安定なままであり、よって、この混合物の共沸挙動を示している。
【００８８】
【表１７】
【００８９】
実施例１１
８４重量％のＦ３３Ｅと１６．０重量％のメタノールの混合物を調製し、１０：１の還流比で５プレート蒸留装置に入れる。蒸留ヘッドでの温度を記録し、蒸留された材料の数留分を経時的に除去する。蒸留された材料をガスクロマトグラフィによって分析した。データを以下の表１６において示している。組成および温度は実験全体を通して安定なままであり、よって、この混合物の共沸挙動を示している。
【００９０】
【表１８】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｅ−またはＺ−Ｃ３Ｆ７ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｆ７を有するフッ素化オレフィンと、アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボン、アルカンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１つの化合物とを含む共沸組成物または共沸様組成物。
【請求項２】
アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボンおよびアルカンからなる群から選択された少なくとも１つの化合物が、メタノール、エタノール、イソ−プロパノール、ｎ−プロパノール、トランス−１，２−ジクロロエチレン、シス−１，２−ジクロロエチレン、ｎ−プロピルブロミド、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、ヘプタンまたはそれらの組み合わせのいずれかである請求項１に記載の共沸組成物または共沸様組成物。
【請求項３】
組成物が、
約６３〜約９４質量％のＦ３３Ｅおよび約６〜約３７質量％のメタノール、
約６０〜約９３質量％のＦ３３Ｅおよび約７〜約４０質量％のイソプロパノール、
約６４〜約９４質量％のＦ３３Ｅおよび約６〜約３６質量％のエタノール、
約１７〜約７３質量％のＦ３３Ｅおよび約２７〜約８３質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレン
約３２〜約８０質量％のＦ３３Ｅおよび約６８〜約２０質量％のｎ−プロピルブロミド、
約１〜約９９質量％のＦ３３Ｅおよび約９９〜約１質量％のＣ４Ｆ９ＯＣ2Ｈ５、
約２８〜約７９質量％のＦ３３Ｅおよび約２１〜約７２質量％のシス−１，２−ジクロロエチレン、
約１〜約９９質量％のＦ３３Ｅおよび約１〜約９９質量％のヘプタン、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約３０〜約８５質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約３０質量％のメタノール、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約３０〜約８５質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約２５質量％のエタノール、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約３０〜約８０質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約７０質量％のＣ４Ｆ９ＯＣＨ３、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約３０〜約８０質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約７０質量％のＣ４Ｆ９ＯＣ2Ｈ５、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約２０〜約６０質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約８０質量％のＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、
約１〜約６０質量％のＦ３３Ｅ、約１０〜約６０質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約８０質量％のＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、
約１〜約８０質量％のＦ３３Ｅ、約１〜約９５質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約９９質量％のシス−１，２−ジクロロエチレン
からなる群から選択された共沸組成物または共沸様組成物を含む請求項１に記載の共沸組成物または共沸様組成物。
【請求項４】
組成物が、
約５８．４℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する７９．３質量％のＦ３３Ｅおよび２０．７質量％のメタノール、
約７０．３℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する７９．８質量％のＦ３３Ｅおよび２０．２質量％のイソプロノール、
約６７．６℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する８１．５質量％のＦ３３Ｅおよび１８．５質量％のエタノール、
約４４．５℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する３０．９質量％のＦ３３Ｅおよび６９．１質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレン、
約６２．９℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する５１．８質量％のＦ３３Ｅおよび４８．２質量％のｎ−プロピルブロミド、
約５４．５℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する４５．４質量％のＦ３３Ｅおよび５４．５質量％のシス−１，２−ジクロロエチレン、
約８９．８℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する７４．８質量％のＦ３３Ｅおよび２５．２質量％のヘプタン、
約３８．８℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する３０．２質量％のＦ３３Ｅ、６２．１質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび７．７質量％のメタノール、
約４３．１℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する３１．４質量％のＦ３３Ｅ、６４．４質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび４．２質量％のエタノール
からなる群から選択された共沸組成物または共沸様組成物を含む請求項１に記載の共沸組成物または共沸様組成物。
【請求項５】
洗浄する方法であって、
ａ．残渣を含む表面を請求項１に記載の組成物に接触させる工程と、
ｂ．組成物から表面を回収する工程と、
を含む方法。
【請求項６】
エアロゾル推進剤を更に含む請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
エアロゾル推進剤が、空気、窒素、二酸化炭素、ジフルオロメタン、トリフルオロメタン、ジフルオロエタン、トリフルオロエタン、テトラフルオロエタン、ペンタフルオロエタン、ヘキサフルオロプロパン、ヘプタフルオロプロパン、ペンタフルオロプロパン、ｎ−ブタン、イソ−ブタンおよびプロパンからなる群から選択される請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
残渣が油を含む請求項５に記載の方法。
【請求項９】
残渣がロジンフラックスを含む請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
表面が集積回路デバイスである請求項５に記載の方法。
【請求項１】
式Ｅ−またはＺ−Ｃ３Ｆ７ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｆ７を有するフッ素化オレフィンと、アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボン、アルカンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１つの化合物とを含む共沸組成物または共沸様組成物。
【請求項２】
アルコール、ハロゲン化炭素、フルオロアルキルエーテル、ヒドロフルオロカーボンおよびアルカンからなる群から選択された少なくとも１つの化合物が、メタノール、エタノール、イソ−プロパノール、ｎ−プロパノール、トランス−１，２−ジクロロエチレン、シス−１，２−ジクロロエチレン、ｎ−プロピルブロミド、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、ＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、ヘプタンまたはそれらの組み合わせのいずれかである請求項１に記載の共沸組成物または共沸様組成物。
【請求項３】
組成物が、
約６３〜約９４質量％のＦ３３Ｅおよび約６〜約３７質量％のメタノール、
約６０〜約９３質量％のＦ３３Ｅおよび約７〜約４０質量％のイソプロパノール、
約６４〜約９４質量％のＦ３３Ｅおよび約６〜約３６質量％のエタノール、
約１７〜約７３質量％のＦ３３Ｅおよび約２７〜約８３質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレン
約３２〜約８０質量％のＦ３３Ｅおよび約６８〜約２０質量％のｎ−プロピルブロミド、
約１〜約９９質量％のＦ３３Ｅおよび約９９〜約１質量％のＣ４Ｆ９ＯＣ2Ｈ５、
約２８〜約７９質量％のＦ３３Ｅおよび約２１〜約７２質量％のシス−１，２−ジクロロエチレン、
約１〜約９９質量％のＦ３３Ｅおよび約１〜約９９質量％のヘプタン、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約３０〜約８５質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約３０質量％のメタノール、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約３０〜約８５質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約２５質量％のエタノール、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約３０〜約８０質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約７０質量％のＣ４Ｆ９ＯＣＨ３、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約３０〜約８０質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約７０質量％のＣ４Ｆ９ＯＣ2Ｈ５、
約１〜約７０質量％のＦ３３Ｅ、約２０〜約６０質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約８０質量％のＨＦＣ−４３−１０ｍｅｅ、
約１〜約６０質量％のＦ３３Ｅ、約１０〜約６０質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約８０質量％のＨＦＣ−３６５ｍｆｃ、
約１〜約８０質量％のＦ３３Ｅ、約１〜約９５質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび約１〜約９９質量％のシス−１，２−ジクロロエチレン
からなる群から選択された共沸組成物または共沸様組成物を含む請求項１に記載の共沸組成物または共沸様組成物。
【請求項４】
組成物が、
約５８．４℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する７９．３質量％のＦ３３Ｅおよび２０．７質量％のメタノール、
約７０．３℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する７９．８質量％のＦ３３Ｅおよび２０．２質量％のイソプロノール、
約６７．６℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する８１．５質量％のＦ３３Ｅおよび１８．５質量％のエタノール、
約４４．５℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する３０．９質量％のＦ３３Ｅおよび６９．１質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレン、
約６２．９℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する５１．８質量％のＦ３３Ｅおよび４８．２質量％のｎ−プロピルブロミド、
約５４．５℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する４５．４質量％のＦ３３Ｅおよび５４．５質量％のシス−１，２−ジクロロエチレン、
約８９．８℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する７４．８質量％のＦ３３Ｅおよび２５．２質量％のヘプタン、
約３８．８℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する３０．２質量％のＦ３３Ｅ、６２．１質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび７．７質量％のメタノール、
約４３．１℃の温度で約１４．７ｐｓｉａ（１０１ｋＰａ）の蒸気圧を有する３１．４質量％のＦ３３Ｅ、６４．４質量％のトランス−１，２−ジクロロエチレンおよび４．２質量％のエタノール
からなる群から選択された共沸組成物または共沸様組成物を含む請求項１に記載の共沸組成物または共沸様組成物。
【請求項５】
洗浄する方法であって、
ａ．残渣を含む表面を請求項１に記載の組成物に接触させる工程と、
ｂ．組成物から表面を回収する工程と、
を含む方法。
【請求項６】
エアロゾル推進剤を更に含む請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
エアロゾル推進剤が、空気、窒素、二酸化炭素、ジフルオロメタン、トリフルオロメタン、ジフルオロエタン、トリフルオロエタン、テトラフルオロエタン、ペンタフルオロエタン、ヘキサフルオロプロパン、ヘプタフルオロプロパン、ペンタフルオロプロパン、ｎ−ブタン、イソ−ブタンおよびプロパンからなる群から選択される請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
残渣が油を含む請求項５に記載の方法。
【請求項９】
残渣がロジンフラックスを含む請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
表面が集積回路デバイスである請求項５に記載の方法。
【公表番号】特表２０１０−５３６９８５（Ｐ２０１０−５３６９８５Ａ）
【公表日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５２１８２２（Ｐ２０１０−５２１８２２）
【出願日】平成１９年８月２９日（２００７．８．２９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０１８８９８
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０２５６４７
【国際公開日】平成２１年２月２６日（２００９．２．２６）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月２９日（２００７．８．２９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０１８８９８
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０２５６４７
【国際公開日】平成２１年２月２６日（２００９．２．２６）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
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