液晶装置の製造方法、および電子機器
【課題】位相差層の層厚方向における遅相軸のばらつきを抑えた液晶装置の製造方法、液晶装置ならびに電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の製造方法は、対向基板１０に設けた配向電極４２，４４と、配向用基板５０に設けた配向電極５２，５４とが対向するように、対向基板１０と配向用基板５０との間に液晶材料層４１を挟持する工程と、液晶材料層４１の液晶分子４１ａを配向電極４２，４４の配向規制力と配向電極５２，５４の配向規制力とによって配向させた状態で、液晶材料層４１を硬化させて位相差層４０を形成する工程と、配向用基板５０を取り外す工程と、を備えたことを特徴とする。
【解決手段】液晶装置１００の製造方法は、対向基板１０に設けた配向電極４２，４４と、配向用基板５０に設けた配向電極５２，５４とが対向するように、対向基板１０と配向用基板５０との間に液晶材料層４１を挟持する工程と、液晶材料層４１の液晶分子４１ａを配向電極４２，４４の配向規制力と配向電極５２，５４の配向規制力とによって配向させた状態で、液晶材料層４１を硬化させて位相差層４０を形成する工程と、配向用基板５０を取り外す工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一つの画素内に透過表示部と反射表示部とを有する半透過反射型液晶装置の形態の一つとして、液晶層を挟持する上基板と下基板とのうち下基板の反射表示部の領域の液晶層側に反射層を設け、上基板と下基板との外側（液晶層の反対側）の全面にそれぞれ位相差板を配置する構成が提案されている。この構成では、本来位相差板がなくてもよい透過表示部にも位相差板が配置されるため、反射表示部に比べて透過表示部の表示品位が低下するという課題があった。
【０００３】
これに対し、他の形態として、下基板の反射表示部の領域に設けられた反射層上に位相差層を配置する構成が提案されている（例えば特許文献１）。また、位相差層を液晶セル内の反射層に対向する側に配置する構成が提案されている（例えば特許文献２）。これらの構成によれば、位相差層を液晶セル外の両側かつ全面に配置する構成に比べ、位相差層を反射表示領域に選択的に配置することで透過表示領域の表示品位を低下させることがなく、また半透過反射型液晶装置全体を薄くすることができる。
【０００４】
上述のような位相差層は、一般的に、ラビング等の配向処理を施した配向膜上に配置した液晶材料を配向させた状態で硬化させることにより形成される。このとき、配向膜上に配置された液晶材料は配向膜に施されたラビング処理の方向に沿って配向し、この配向方向が位相差層の遅相軸の方向となる。すなわち、このような構成においては、位相差層の遅相軸の方向はラビング処理の方向によって規定される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３８２０５号公報
【特許文献２】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、液晶材料中の液晶分子に対する配向規制力は、配向膜との界面から遠ざかるにつれて弱くなる。このため、液晶材料の配向膜とは反対側の界面の近傍では液晶分子の配列に乱れが生じる。このような状態で液晶材料が硬化され位相差層が形成されると、位相差層の層厚方向で遅相軸がばらついてしまい、その結果、所望の光学補償特性とずれが生じ、液晶装置の視角特性が低下するという課題があった。
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１の基板に設けた第１の配向規制手段と第２の基板に設けた第２の配向規制手段とが対向するように、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位相差層材料を挟持する工程（ａ）と、前記位相差層材料の分子を前記第１の配向規制手段の配向規制力と前記第２の配向規制手段の配向規制力とによって配向させた状態で、前記位相差層材料を硬化させて位相差層を形成する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）の後に、前記第１の基板と前記第２の基板とのうち一方の基板を取り外す工程（ｃ）と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、位相差層材料は、硬化される前の状態において、第１の配向規制手段が形成された第１の基板と第２の配向規制手段が形成された第２の基板との間に挟持される。このため、位相差層材料の分子は、第１の配向規制手段の配向規制力と第２の配向規制手段の配向規制力とによって層厚方向の両側から配向を規制されるので、層厚方向の両側でほぼ均一に一軸配向する。これにより、位相差層の層厚方向における遅相軸のばらつきが抑えられる。したがって、従来の製法で得られるものに比べて高い光学補償特性を有する位相差層を形成できる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の配向規制手段は第１の複数の透明電極からなり、前記第２の配向規制手段は第２の複数の透明電極からなり、前記第１の配向規制手段の配向規制力は前記第１の複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であり、前記第２の配向規制手段の配向規制力は前記第２の複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であってもよい。
【００１１】
この構成によれば、第１の基板上の第１の複数の透明電極間に電圧が印加されると、第１の基板上には第１の基板面にほぼ平行な方向に電界が発生し、第２の基板上の第２の複数の透明電極間に電圧が印加されると、第２の基板上には第２の基板面にほぼ平行な方向に電界が発生する。第２の基板は第１の基板にほぼ平行に配置されるので、第２の基板上に発生する電界は第１の基板面にほぼ平行である。これにより、位相差層材料の層厚方向の両側において、第１の基板面にほぼ平行な方向に沿って分子の配向を規制できる。
【００１２】
このとき、位相差層材料の分子の配向方向、すなわち位相差層の遅相軸の方向の精度は、複数の透明電極間に発生する電界の方向の精度、つまり複数の透明電極の位置精度に依存する。複数の透明電極をフォトリソグラフィ法により形成すれば、複数の透明電極の位置精度は、ラビング処理を行う場合の位置精度に比べて格段に高い。これにより、位相差層の遅相軸の方向の精度が格段に高められ、高い光学補償特性が得られる。したがって、優れた表示品質を有する液晶装置を提供できる。
【００１３】
また、位相差層材料の分子を電界により配向させるので、位相差層材料を配向させるための配向膜およびそのラビング処理を必要としない。これにより、配向膜のラビング処理に伴うキズや異物発生のリスクが回避でき、高い歩留りで液晶装置を製造できる。
【００１４】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されており、前記第２の複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていてもよい。
【００１５】
この構成によれば、交互に配置されたそれぞれの複数の電極指同士の間に電界が発生するので、第１の基板上と第２の基板上との双方において、より均一に電界を発生させることができる。これにより、位相差層材料の分子をより均一に配向させることができる。
【００１６】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板上の前記複数の電極指と、前記第２の基板上の前記複数の電極指と、が互いにほぼ平行であってもよい。
【００１７】
この構成によれば、第１の基板上の複数の電極指と第２の基板上の複数の電極指とが互いにほぼ平行であるので、位相差層材料の層厚方向の両側でほぼ同じ方向に電界が発生する。これにより、位相差層材料の分子を層厚方向に亘ってほぼ同じ方向に均一に配向させることができる。
【００１８】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の配向規制手段は配向膜からなり、前記第２の配向規制手段は複数の透明電極からなり、前記第１の配向規制手段の配向規制力は前記配向膜による配向規制力であり、前記第２の配向規制手段の配向規制力は前記複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であってもよい。
【００１９】
この構成によれば、第１の基板上には配向膜により第１の基板面にほぼ平行な方向に配向規制力が生じる。一方、第２の基板上の複数の透明電極間に電圧が印加され電界が発生すると、第２の基板上には第２の基板面にほぼ平行な方向に配向規制力が生じる。第２の基板は第１の基板にほぼ平行に配置されるので、位相差層材料の層厚方向の両側において、第１の基板面にほぼ平行な方向に沿って分子の配向を規制できる。
【００２０】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていてもよい。
【００２１】
この構成によれば、交互に配置されたそれぞれの複数の電極指同士の間に電界が発生するので、第２の基板上に、より均一に電界を発生させることができる。これにより、位相差層材料の分子をより均一に配向させることができる。
【００２２】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記配向膜には配向処理が施され、前記第１の配向規制手段の配向規制方向と、前記第２の配向規制手段の配向規制方向と、が互いにほぼ平行であってもよい。
【００２３】
この構成によれば、第１の基板の配向膜の配向規制方向と、第２の基板の複数の電極間で発生する電界による配向規制方向と、がほぼ平行であるので、位相差層材料の分子を層厚方向に亘ってほぼ同じ方向に均一に配向させることができる。
【００２４】
［適用例８］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第２の基板は柔軟性を有する材料からなり、前記工程（ｃ）では、前記第２の基板を前記第１の基板から取り外してもよい。
【００２５】
この構成によれば、柔軟性を有する材料からなる第２の基板を第１の基板から取り外すので、第２の基板を取り外す際に第１の基板上に形成された位相差層にかかる応力を緩和できる。これにより、第２の基板を取り外す際に位相差層が損傷を受けるリスクを低減でき、高い歩留りで液晶装置を製造できる。
【００２６】
［適用例９］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記液晶装置は、複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに設けられた、反射表示領域と透過表示領域と、をさらに備え、前記工程（ｂ）では、前記反射表示領域の前記位相差層材料の分子を配向させた状態で硬化させてもよい。
【００２７】
この構成によれば、高い光学補償特性を有する位相差層が反射表示領域に選択的に配置されるので、優れた表示品質を有する半透過反射型の液晶装置を提供できる。
【００２８】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置の製造方法を用いて製造した液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、優れた表示品質を有する液晶装置を備えた電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、参照する各図面において、素子、配線、接続部等を省略してある。
【００３１】
（第１の実施形態）
＜液晶装置＞
まず、第１の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域の一部を示す平面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図１のＡ−Ａ’線、または図３のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。図３は位相差層の配置を示す平面図である。なお、図１および図３では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。本実施形態に係る液晶装置１００は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の半透過反射型の液晶装置である。
【００３２】
図１に示すように、液晶装置１００の表示領域には、赤、緑、青の表示に寄与する画素２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単に画素２７とも呼ぶ）が複数配置されている。画素２７は、液晶装置１００の表示の最小単位であり、隣り合う画素２７同士の間に間隔が空くように、マトリクス状に配置されている。隣り合う画素２７同士の間には、図示しないが、遮光層（ブラックマスク）が配置されている。遮光層は、画素２７同士の間から漏れる光を遮って表示のコントラストを向上させる役割を果たす。なお、Ｘ軸は画素２７の行方向を示し、Ｙ軸は画素２７の列方向を示している。
【００３３】
それぞれの画素２７は、反射表示に寄与する反射表示領域Ｒと、透過表示に寄与する透過表示領域Ｔと、を有している。Ｘ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列され、Ｙ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列されている。画素２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂから画素群２８が構成されている。液晶装置１００では、画素群２８において画素２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００３４】
図２に示すように、液晶装置１００は、素子基板２０と、第１の基板としての対向基板１０と、液晶層３０と、第１の複数の透明電極としての配向電極４２および配向電極４４と、位相差層４０と、を備えている。対向基板１０は基板１２を基体として構成されており、素子基板２０は基板２１を基体として構成されている。液晶層３０は、対向基板１０と素子基板２０との間に位置している。
【００３５】
対向基板１０は、液晶装置１００の観察側に位置している。対向基板１０は、基板１２と、カラーフィルタ層１４と、オーバーコート層１６と、を備えている。基板１２は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。カラーフィルタ層１４とオーバーコート層１６とは、基板１２の液晶層３０側に順に積層されている。カラーフィルタ層１４は、例えば、赤、緑、青の３色の色要素を含んでいる。対向基板１０の液晶層３０とは反対側、すなわち観察側には、偏光板１８が配置されている。
【００３６】
配向電極４２と配向電極４４とは、対向基板１０上の液晶層３０側に位置しており、オーバーコート層１６上に配置されている。図３に示すように、配向電極４２と配向電極４４とのそれぞれは、複数の電極指を備えた櫛歯形状を有している。また、配向電極４２と配向電極４４とは、対向基板１０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。配向電極４２の備える複数の電極指４２ａのそれぞれと、配向電極４４の備える複数の電極指４４ａのそれぞれと、は少なくとも反射表示領域Ｒに、互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されている。
【００３７】
交互に配置された電極指４２ａと電極指４４ａとのピッチは、例えば１６μｍ〜２０μｍである。電極指４２ａと電極指４４ａとのそれぞれの幅は、例えば８μｍである。電極指４２ａと電極指４４ａとは、図３のＹ軸に沿った方向に対して所定の角度ずれて配置されている。本実施形態では、電極指４２ａと電極指４４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに１１２．５°ずれている。なお、図３において、Ｘ軸は画素２７（図１参照）の反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列された方向であり、Ｙ軸は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列された方向である。配向電極４２と配向電極４４とは、透明な導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。
【００３８】
位相差層４０は、対向基板１０上の反射表示領域Ｒに位置し、配向電極４２の電極指４２ａと配向電極４４の電極指４４ａとを覆うように配置されている。また、位相差層４０は、Ｘ軸に沿った方向に複数の画素２７の反射表示領域Ｒに亘って一列に配置されている。位相差層４０は、複屈折性を有する光硬化性材料または熱硬化性材料からなる。このような材料の一例として、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を用いることができる。光硬化性材料または熱硬化性材料は、例えば、正の誘電率異方性を有している。光硬化性材料または熱硬化性材料は、負の誘電率異方性を有していてもよい。
【００３９】
位相差層４０は、光硬化性材料または熱硬化性材料が配向された状態で硬化されて形成されている。後述するが、位相差層４０の遅相軸４０ａ（図４参照）は、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。なお、Ｙ軸に沿った方向が、偏光板１８の透過軸１８ａ（図４参照）の方向である。また、位相差層４０は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差、例えば１／２波長分の位相差を付与する。
【００４０】
図２に戻って、素子基板２０は、液晶層３０を挟んで、対向基板１０に対向する側に位置している。素子基板２０は、基板２１と、回路素子層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、絶縁層２５と、画素電極２６と、を備えている。基板２１は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。回路素子層２２は、基板２１の対向基板１０に対向する側に形成されている。反射表示領域Ｒに位置する回路素子層２２の上面には、図示しないが、外光を散乱させるための凹凸形状が形成されており、この凹凸形状を反映する形で反射層２３が形成される。
【００４１】
反射層２３は、回路素子層２２上の反射表示領域Ｒに形成されている。反射層２３は、反射率の高い金属膜からなる。反射層２３の材料は、例えばアルミニウムである。反射層２３の材料は、ＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）であってもよい。共通電極２４は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘って形成されており、反射表示領域Ｒにおいては反射層２３上に形成され透過表示領域Ｔにおいては回路素子層２２上に形成されている。共通電極２４は、例えばＩＴＯからなる。
【００４２】
共通電極２４上には、その上面を覆うように絶縁層２５が形成されている。さらに、絶縁層２５上には、複数のスリット状の開口部２６ａを有する画素電極２６が形成されている。画素電極２６は、例えばＩＴＯからなる。画素電極２６のそれぞれは、カラーフィルタ層１４の赤、緑、青の３色のいずれかに対応している。これらの３色のそれぞれと対応する３つの画素電極２６との組み合わせにより、３色の画素２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂがそれぞれ構成される（図１参照）。
【００４３】
素子基板２０の対向基板１０と反対の側には、偏光板２９が配置されている。なお、回路素子層２２には、図示しないが、液晶層３０を駆動するための素子、配線パターン、接続部等が設けられている。
【００４４】
液晶層３０は、対向基板１０と素子基板２０との間に位置している。対向基板１０の液晶層３０に接する側には、オーバーコート層１６と位相差層４０とを覆うように配向膜３２が形成されている。また、素子基板２０の液晶層３０に接する側には、絶縁層２５と画素電極２６とを覆うように、配向膜３４が形成されている。液晶層３０は、配向膜３２と配向膜３４とに施された配向処理によって配向方向が規制されており、ホモジニアス配向している。
【００４５】
液晶層３０は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで層厚が異なる。具体的には、液晶層３０の反射表示領域Ｒにおける層厚は、液晶層３０の透過表示領域Ｔにおける層厚のほぼ１／２となっている。このことにより、液晶層３０は入射される可視光の波長に対して、反射表示領域Ｒにおいて１／４波長分の位相差を付与し、透過表示領域Ｔにおいて１／２波長分の位相差を付与する。
【００４６】
反射表示を行う液晶装置１００では、光学設計上、暗表示を行う際に反射層２３に到達する外光がすべての可視波長域でほぼ円偏光である必要がある。反射層２３に到達した外光が楕円偏光であると暗表示に色づきが生じ、高コントラストな反射表示を得ることが困難になるからである。
【００４７】
本実施形態では、反射表示領域Ｒに対応する領域に選択的に位相差層４０を配置し、反射表示領域Ｒにおける液晶層３０の層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層３０の層厚に比べて薄くなるように構成している。これにより、偏光板１８と位相差層４０と反射表示領域Ｒ内の液晶層３０とで広帯域円偏光を作り出せるようにして反射層２３に到達する外光をほぼすべての可視波長域で円偏光に近づけている。
【００４８】
＜光学的軸配置および表示原理＞
次に、液晶装置１００の光学的軸配置を説明する。図４は、液晶装置１００の光学的軸配置を説明する図である。図４において、Ｘ軸は図１のＸ軸の方向に対応し、Ｙ軸は図１のＹ軸の方向に対応している。偏光板１８の透過軸１８ａを図４（ａ）に示す。位相差層４０の遅相軸４０ａは、図４（ｂ）に示すように、偏光板１８の透過軸１８ａに対して時計回り方向に２２．５°ずれている。また、液晶層３０の配向方向３０ａは、図４（ｃ）に示すように、偏光板１８の透過軸１８ａに対して時計回り方向に９０°ずれている。なお、図示しないが、偏光板２９の透過軸は、偏光板１８の透過軸１８ａに対して直交している。すなわち、偏光板２９の透過軸は、液晶層３０の配向方向３０ａに平行である。
【００４９】
次に、液晶装置１００の表示原理を説明する。本実施形態では、液晶装置１００は、液晶層３０に電圧が印加されない状態が暗表示となる「ノーマリーブラック」型である。したがって、暗表示を行う場合は、液晶層３０に電圧が印加されない状態（非選択電圧印加状態）とする。
【００５０】
まず、反射表示領域Ｒにおいては、偏光板１８の上方から入射した光は透過軸１８ａに平行な直線偏光となり、その状態で位相差層４０に入射する。位相差層４０に入射した光は、位相差層４０により振動方向の異なる直線偏光に変換され、液晶層３０に入射する。この液晶層３０に入射した直線偏光は、液晶層３０を通過することにより円偏光となる。この円偏光は、反射層２３（図２参照）で反射されることにより回転方向が反転した円偏光になり、次いで液晶層３０と位相差層４０とを再び通過することにより透過軸１８ａに垂直な直線偏光となる。そして、透過軸１８ａに垂直な直線偏光は偏光板１８に吸収されて偏光板１８の上方（観察側）へ戻らないため、暗表示となる。
【００５１】
一方、透過表示領域Ｔにおいては、偏光板２９（図２参照）の下方から入射した光は、偏光板２９の透過軸に平行な直線偏光となり、液晶層３０に入射する。この直線偏光の振動方向は液晶層３０の配向方向３０ａに平行であり、液晶層３０によって位相差が付与されない。したがって、液晶層３０を通過した直線偏光は、偏光板２９の透過軸に平行な状態のまま、すなわち偏光板１８の透過軸１８ａに垂直な状態で、偏光板１８に入射する。そして、透過軸１８ａに垂直な直線偏光は偏光板１８に吸収されて偏光板１８の上方（観察側）へ届かないため、暗表示となる。
【００５２】
次に、明表示を行う場合は、液晶層３０に電圧が印加された状態（選択電圧印加状態）とする。電圧が印加された状態において、液晶層３０における液晶分子は電界により偏光板１８の透過軸１８ａに対し例えば４５°に配向する。
【００５３】
まず、反射表示領域Ｒにおいては、位相差層４０を出た偏光は、液晶層３０を通過し、偏光の状態を変えずに反射層２３で反射して、液晶層３０と位相差層４０とを再び通過することにより透過軸１８ａに平行な直線偏光となる。そして、透過軸１８ａに平行な直線偏光は偏光板１８を透過し、偏光板１８の上方（観察側）へ戻るため、明表示となる。
【００５４】
一方、透過表示領域Ｔにおいては、偏光板２９の下方から入射した光は、偏光板２９の透過軸に平行な直線偏光となり、液晶層３０に入射する。この直線偏光の振動方向は液晶層３０の配向方向３０ａと４５°ずれており、液晶層３０によって１／２波長分の位相差が付与される。したがって、液晶層３０を通過した直線偏光は、偏光板２９の透過軸に垂直な状態で、すなわち偏光板１８の透過軸１８ａに平行な状態で、偏光板１８に入射する。そして、透過軸１８ａに平行な直線偏光は偏光板１８を透過し偏光板１８の上方（観察側）へ届くため、明表示となる。
【００５５】
＜製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法を図を参照して説明する。図５は、対向基板１０のマザー基板を示す図である。図６は、配向用基板を示す図である。図７は、液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図８および図９は、位相差層の形成方法を説明する図である。
【００５６】
各工程を説明する前に、本実施形態では、素子基板２０と対向基板１０とは複数枚取りできる大型の基板（マザー基板）で加工が行われ、最終的にそのマザー基板同士を貼り合わせた後に切断して個片化することにより、複数の液晶装置１００が得られる。図５は、複数の対向基板１０を含むマザー基板１０ｂを示している。図５において、Ｘ軸は図３のＸ軸の方向に対応し、Ｙ軸は図３のＹ軸の方向に対応している。
【００５７】
また、本実施形態では、位相差層形成工程において、位相差層４０の材料の分子の配向を規制するために、第２の基板としての配向用基板５０を対向基板１０上に取り外し可能に配置する。図６に示すように、配向用基板５０は、第２の複数の透明電極としての配向電極５２と配向電極５４とを備えている。図６は、配向用基板５０の配向電極５２と配向電極５４とが形成されていない面側から見た平面図である。Ｙ軸は配向用基板５０の１辺に沿った方向であり、配向用基板５０上における配向電極５２と配向電極５４との位置決めの基準となる方向である。Ｘ軸は、Ｙ軸に直行する方向である。配向用基板５０が対向基板１０上に配置される際は、図６のＹ軸の方向が図３のＹ軸の方向に沿い、図６のＸ軸が図３のＸ軸の方向に沿うように位置合わせされる。
【００５８】
配向用基板５０は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。配向電極５２と配向電極５４とのそれぞれは、複数の電極指を備えた櫛歯形状を有している。また、配向電極５２と配向電極５４とは、配向用基板５０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。配向電極５２の備える複数の電極指５２ａのそれぞれと、配向電極５４の備える複数の電極指５４ａのそれぞれと、は互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されている。
【００５９】
交互に配置された電極指５２ａと電極指５４ａとのピッチは、例えば１６μｍ〜２０μｍである。電極指５２ａと電極指５４ａとのそれぞれの幅は、例えば８μｍである。電極指５２ａと電極指５４ａとのピッチおよび幅は、電極指４２ａと電極指４４ａとのピッチおよび幅と同じであることが好ましい。電極指５２ａと電極指５４ａとは、図６のＹ軸に沿った方向に対して所定の角度ずれて配置されている。本実施形態では、電極指５２ａと電極指５４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに１１２．５°ずれている。配向電極５２と配向電極５４とは、透明な導電材料からなり、例えばＩＴＯからなる。なお、配向用基板５０も素子基板２０および対向基板１０と同様に、複数枚取りできる大型のマザー基板で加工が行われる。
【００６０】
次に、液晶装置１００を製造する工程を説明する。図７において、工程Ｐ１１から工程Ｐ１４は素子基板２０を製造する工程であり、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３は対向基板１０を製造する工程である。工程Ｐ３１から工程Ｐ３３は、素子基板２０と対向基板１０とを組み合わせて液晶装置１００を製造する工程である。工程Ｐ１１から工程Ｐ１４と、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３と、はそれぞれ独立に行われる。
【００６１】
まず、素子基板２０を製造する工程を説明する。図７に示す工程Ｐ１１では、基板２１上に、素子、各種配線、接続部、層間絶縁層等を含む回路素子層２２を形成する。このとき、回路素子層２２の上面の反射表示領域Ｒに位置する部分に、外光を散乱させるための凹凸形状を形成する。次に、工程Ｐ１２では、回路素子層２２上のうち反射表示領域Ｒに反射層２３を形成する。次に、工程Ｐ１３では、回路素子層２２と反射層２３との上に共通電極２４を形成する。次に、工程Ｐ１４では、共通電極２４上に絶縁層２５を形成し、絶縁層２５上に画素電極２６を形成する。
【００６２】
次に、対向基板１０を製造する工程を説明する。工程Ｐ２１では、基板１２上にカラーフィルタ層１４を形成する。次に、工程Ｐ２２では、カラーフィルタ層１４上にオーバーコート層１６を形成する。カラーフィルタ層１４およびオーバーコート層１６を形成する方法は、例えばスピンコート法やフォトリソグラフィ法等を適用する。次に、工程Ｐ２３では、オーバーコート層１６上に位相差層４０を形成する。この工程Ｐ２３は、図８に示す加工工程を含んでいる。以下、図８を参照して、工程Ｐ２３の位相差層形成工程についてより詳しく説明する。なお、本実施形態では、位相差層４０の材料として、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を用いる場合を例にとり説明する。
【００６３】
＜１．配向電極形成工程（対向基板）＞
まず、図８（ａ）に示すように、対向基板１０上に配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとを、例えばフォトリソグラフィ法により形成する。図８（ａ）は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面の反射表示領域Ｒの部分を示している。
【００６４】
このとき、図３に示すように、配向電極４２と配向電極４４とは、対向基板１０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。また、複数の電極指４２ａのそれぞれと複数の電極指４４ａのそれぞれとは、少なくとも反射表示領域Ｒに、互いにほぼ平行であるとともに交互に配置される。また、電極指４２ａと電極指４４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回り方向に１１２．５°ずれて配置される。
【００６５】
この工程では、配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとを形成すると同時に、図５に示すように、マザー基板１０ｂ上にベース電極４２ｂとベース電極４４ｂとを形成する。ベース電極４２ｂは、複数の対向基板１０のそれぞれの配向電極４２に接続されている。ベース電極４４ｂは、複数の対向基板１０のそれぞれの配向電極４４に接続されている。
【００６６】
＜２．材料配置工程＞
次に、図８（ｂ）に示すように、対向基板１０上に配向電極４２と配向電極４４とを覆うように、位相差層４０の材料となる光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を配置する。この光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶は、正の誘電率異方性を有しているものとする。
【００６７】
まず、対向基板１０上の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとに亘って、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤を含む有機溶媒とからなる液晶材料層４１を配置する。液晶材料層４１を配置する方法は、例えばスピンコート法を適用する。続いて、配置された液晶材料層４１をプレベークする。プレベークは、例えば、９０℃に加熱された雰囲気に１分間放置して行う。
【００６８】
＜３．配向電極形成工程（配向用基板）＞
次に、配向用基板５０上に配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとを、例えばフォトリソグラフィ法により形成する。図８（ｃ）に、配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとが形成された配向用基板５０を示す。図８（ｃ）の配向用基板５０は、図６のＣ−Ｃ’線に沿った部分断面を示している。
【００６９】
このとき、図６に示すように、配向電極５２と配向電極５４とは、配向用基板５０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。また、複数の電極指５２ａのそれぞれと、複数の電極指５４ａのそれぞれと、は互いにほぼ平行であるとともに交互に配置される。また、電極指５２ａと電極指５４ａとは、図６のＹ軸に沿った方向に対して時計回り方向に１１２．５°ずれて配置される。
【００７０】
この工程では、配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとを形成すると同時に、図示しないが、配向用基板５０のマザー基板上に、複数の配向用基板５０のそれぞれの配向電極５２に接続されるベース電極と、複数の配向用基板５０のそれぞれの配向電極５４に接続されるベース電極と、を形成する。なお、配向用基板５０の配向電極形成工程は、対向基板１０の配向電極形成工程の前に行ってもよい。
【００７１】
＜４．配向用基板配置工程＞
次に、図８（ｃ）に示すように、配向電極４２および配向電極４４と配向電極５２および配向電極５４とが互いに対向し、対向基板１０と配向用基板５０との間に液晶材料層４１を挟持するように、対向基板１０上に配向用基板５０を取り外し可能に配置する。このとき、図６のＹ軸の方向が図３のＹ軸の方向に沿い、図６のＸ軸が図３のＸ軸の方向に沿うように配置する。配向用基板５０は、好ましくは、電極指５２ａが電極指４２ａに重なり、電極指５４ａが電極指４４ａに重なるように配置する。
【００７２】
＜５．材料配向工程＞
次に、液晶材料層４１を配向させる。まず、液晶材料層４１を等方相となる温度、例えば１２０℃〜１８０℃に加熱する。液晶材料層４１が等方相の状態で、図５に示すマザー基板１０ｂ上のベース電極４２ｂとベース電極４４ｂとの間に、例えば５Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加する。また、図示しないが、配向用基板５０のマザー基板上の配向電極５２に接続されたベース電極と配向電極５４に接続されたベース電極との間にも同様に５Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加する。これにより、図８（ｃ）に示す配向電極４２と配向電極４４との間と、配向電極５２と配向電極５４との間と、に直流電圧が印加される。なお、印加される電圧は交流電圧であってもよい。
【００７３】
図９は、このときの配向用基板５０側、すなわち対向基板１０の観察側から見た反射表示領域Ｒにおける液晶材料層４１の一部を拡大して模式的に示している。Ｘ軸は画素２７（図１参照）の反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列された方向であり、Ｙ軸は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列された方向である。
【００７４】
図９に示すように、配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとは対向基板１０の同一面上に位置している。そのため、配向電極４２と配向電極４４との間に電圧が印加されると、対向基板１０の配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとが形成された面に対してほぼ平行な方向に電界が発生する。
【００７５】
電極指４２ａと電極指４４ａとが互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されているので、配向電極４２と配向電極４４との間に電圧が印加されると、電極指４２ａと電極指４４ａとの間に、それぞれが互いに対向している範囲に亘ってほぼ均一に電界が発生する。この電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生する電界の方向は、電極指４２ａと電極指４４ａとが伸びている方向に対してほぼ直交している。
【００７６】
また、配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとは配向用基板５０の同一面上に位置している。そのため、配向電極５２と配向電極５４との間に電圧が印加されると、配向用基板５０の配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとが形成された面に対してほぼ平行な方向に電界が発生する。
【００７７】
電極指５２ａと電極指５４ａとが互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されているので、配向電極５２と配向電極５４との間に電圧が印加されると、電極指５２ａと電極指５４ａとの間に、それぞれが互いに対向している範囲に亘ってほぼ均一に電界が発生する。この電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生する電界の方向は、電極指５２ａと電極指５４ａとが伸びている方向に対してほぼ直交しており、電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生する電界の方向とほぼ平行である。
【００７８】
次に、配向電極４２と配向電極４４との間、および配向電極５２と配向電極５４との間に電圧が印加された状態を維持し、液晶材料層４１が液晶相となる温度、例えば６０℃以上１２０℃未満になるまで徐々に冷却する。液晶材料層４１が液晶相の状態になると、液晶材料層４１の液晶分子４１ａは対向基板１０側で発生する電界と配向用基板５０側で発生する電界とにより配向する。
【００７９】
液晶材料層４１が例えば正の誘電率異方性を有している場合、液晶材料層４１の液晶分子４１ａは、対向基板１０との界面では電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生した電界の方向に沿って、配向用基板５０との界面では電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生した電界の方向に沿って、対向基板１０の面に対してほぼ平行に配向する。なお、液晶材料層４１が負の誘電率異方性を有している場合は、発生した電界の方向に対して直交する方向に沿って配向する。
【００８０】
ここで、電極指４２ａおよび電極指４４ａと電極指５２ａおよび電極指５４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回り方向に１１２．５°ずれて配置されているので、電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生する電界の方向と、電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生する電界の方向と、はＹ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。したがって、液晶分子４１ａの配向方向は、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。この方向が、前述の位相差層４０の遅相軸４０ａ（図４参照）の方向となる。また、Ｙ軸に沿った方向が、偏光板１８の透過軸１８ａ（図４参照）の方向である。
【００８１】
＜６．材料硬化工程＞
次に、図８（ｄ）に示すように、液晶材料層４１を硬化させる。液晶分子４１ａが配向した状態を維持し、液晶材料層４１に紫外光を照射する。このとき、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒのみに紫外光が照射されるように、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒ以外の部分をマスキングする。これにより、液晶材料層４１のうち反射表示領域Ｒにおいて、液晶分子４１ａのアクリル基が光重合され硬化される。
【００８２】
＜７．配向用基板取り外し工程＞
次に、図８（ｅ）に示すように、対向基板１０上に配置された配向用基板５０を取り外す。なお、取り外した配向用基板５０は、工程Ｐ２３の位相差層形成工程において繰り返し使用してもよい。
【００８３】
＜８．材料除去工程＞
次に、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒ以外の部分、すなわち透過表示領域Ｔ（図３参照）の部分を除去する。液晶材料層４１の透過表示領域Ｔの部分は硬化していないので、有機溶媒を用いてこの部分を現像し除去する。有機溶媒は、例えば、プロピレングリコールメチルエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、あるいはシクロペンタノンを用いることができる。現像の時間は、例えば９０秒である。
【００８４】
以上により、図３に示すように、対向基板１０上の反射表示領域Ｒに位相差層４０が形成される。なお、配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとは、位相差層４０が形成された後も対向基板１０上にそのまま残るが、透明な材料で構成されているので、液晶装置１００の視認性が損なわれることはない。
【００８５】
次に、工程Ｐ３１では、素子基板２０と対向基板１０とを貼り合わせを行う。貼り合わせは、素子基板２０または対向基板１０にシール剤を塗布し、アライメント（位置合わせ）をした後、素子基板２０と対向基板１０とを接触させ、圧着して行われる。
【００８６】
次に、工程Ｐ３２では、シール剤の開口部（注入口）から素子基板２０と対向基板１０との間に液晶を注入し、注入口を封止する。
【００８７】
次に、工程Ｐ３３では、対向基板１０の外側に偏光板１８を、素子基板２０の外側に偏光板２９を、それぞれ貼り付ける。以上により液晶装置１００が完成する。
【００８８】
上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００８９】
（１）硬化される前の位相差層４０の材料、すなわち液晶材料層４１は、配向電極４２と配向電極４４とが形成された対向基板１０と、配向電極５２と配向電極５４とが形成された配向用基板５０と、の間に挟持される。このため、液晶分子４１ａは、配向電極４２と配向電極４４との間に発生する電界による配向規制力と、配向電極５２と配向電極５４との間に発生する電界による配向規制力と、によって層厚方向の両側から配向を規制されるので、層厚方向の両側でほぼ均一に一軸配向する。これにより、位相差層４０の層厚方向における遅相軸４０ａのばらつきが抑えられる。したがって、従来の製法で得られるものに比べて高い光学補償特性を有する位相差層４０を形成できる。また、位相差層４０の層厚方向に亘ってほぼ均一な配向が得られることにより、位相差層４０の層厚から位相差層４０の位相差を予想することが容易になるため、位相差層４０の光学設計を容易にできる。
【００９０】
（２）液晶分子４１ａの配向方向、すなわち位相差層４０の遅相軸４０ａの方向の精度は、配向電極４２と配向電極４４との間に発生する電界の方向の精度、つまり配向電極４２と配向電極４４との位置精度に依存する。配向電極４２と配向電極４４とをフォトリソグラフィ法により形成すれば、配向電極４２と配向電極４４との位置精度は、ラビング処理を行う場合の位置精度に比べて格段に高い。このことは、配向電極５２と配向電極５４とについても同様である。これにより、位相差層４０の遅相軸４０ａの方向の精度が格段に高められ、高い光学補償特性が得られる。したがって、優れた表示品質を有する液晶装置１００を提供できる。
【００９１】
（３）液晶分子４１ａを電界により配向させるので、液晶材料層４１を配向させるための配向膜およびそのラビング処理を必要としない。これにより、配向膜のラビング処理に伴うキズや異物発生のリスクが回避でき、高い歩留りで液晶装置１００を製造できる。
【００９２】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図１０は、第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。図１１は、第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明する図である。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００９３】
第２の実施形態に係る液晶装置２００は、第１の実施形態に係る液晶装置１００に対して、配向電極４２および配向電極４４の代わりに配向膜４６が配置されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
【００９４】
図１０に示すように、液晶装置２００は、素子基板２０と、対向基板１０と、液晶層３０と、配向膜４６と、位相差層４０と、を備えている。配向膜４６は、対向基板１０上の液晶層３０側に位置しており、オーバーコート層１６上に配置されている。配向膜４６には、位相差層４０の材料、すなわち液晶材料層４１（図１１（ｂ）参照）の配向を規制するため、例えばラビング法により配向処理が施されている。配向処理の方法は光配向法であってもよい。配向膜４６に施された配向処理により、図３のＹ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれた方向に沿って配向が規制される。
【００９５】
位相差層４０は、配向膜４６上の反射表示領域Ｒに配置されている。配向膜３２は、配向膜４６と位相差層４０とを覆うように形成されている。
【００９６】
次に、第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法について説明する。第２の実施形態に係る液晶装置２００の製造方法は、第１の実施形態に係る液晶装置１００の製造方法に対し、工程Ｐ２３の位相差層形成工程が異なっているが、その他の工程は同じである。
【００９７】
第２の実施形態に係る位相差層形成工程では、第１の実施形態と同様に、配向用基板５０を対向基板１０上に取り外し可能に配置する。ただし、対向基板１０に配向電極が形成されないため、対向基板１０のマザー基板には配向電極に接続するベース電極は形成されない。以下、図１１を参照して、工程Ｐ２３の位相差層形成工程について説明するが、第１の実施形態と共通する工程についてはその説明を省略する。
【００９８】
＜１．配向膜形成工程（対向基板）＞
まず、図１１（ａ）に示すように、対向基板１０上に配向膜４６を形成する。そして、配向膜４６に配向処理を施す。配向膜４６の材料および形成方法は、公知の技術を適用すればよい。
【００９９】
＜２．材料配置工程＞
次に、図１１（ｂ）に示すように、配向膜４６上に液晶材料層４１を配置する。
【０１００】
＜３．配向電極形成工程（配向用基板）＞
次に、第１の実施形態と同様に、配向用基板５０上に配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとを形成する。
【０１０１】
＜４．配向用基板配置工程＞
次に、図１１（ｃ）に示すように、配向膜４６と配向電極５２および配向電極５４とが対向し、対向基板１０と配向用基板５０との間に液晶材料層４１を挟持するように、対向基板１０上に配向用基板５０を取り外し可能に配置する。
【０１０２】
＜５．材料配向工程＞
次に、液晶材料層４１を配向させる。まず、液晶材料層４１を加熱し等方相にする。液晶材料層４１が等方相の状態で、図示しないが、配向用基板５０のマザー基板上の配向電極５２に接続されたベース電極と配向電極５４に接続されたベース電極との間に５Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加する。これにより、図１１（ｃ）に示す配向電極５２と配向電極５４との間に直流電圧が印加される。
【０１０３】
次に、配向電極５２と配向電極５４との間に電圧が印加された状態を維持し、液晶材料層４１が等方相の状態から液晶相の状態に変わるまで徐々に冷却する。液晶材料層４１が液晶相の状態になると、図示しないが、液晶分子４１ａは、対向基板１０との界面では配向膜４６による配向規制方向に沿って、配向用基板５０との界面では電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生した電界の方向に沿って、対向基板１０の面に対してほぼ平行に配向する。
【０１０４】
ここで、配向膜４６による配向規制方向は、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれており、電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生した電界の方向とほぼ同じ方向である。この方向が、位相差層４０の遅相軸４０ａ（図４参照）の方向である。
【０１０５】
＜６．材料硬化工程＞
次に、図１１（ｄ）に示すように、液晶材料層４１を硬化させる。
【０１０６】
＜７．配向用基板取り外し工程＞
次に、図１１（ｅ）に示すように、対向基板１０上に配置された配向用基板５０を取り外す。
【０１０７】
＜８．材料除去工程＞
次に、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒ以外の部分の部分を除去する。
【０１０８】
以上により、図１０に示すように、対向基板１０上の反射表示領域Ｒに位相差層４０が形成される。
【０１０９】
上記第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【０１１０】
（１）液晶分子４１ａは、配向膜４６による配向規制力と、配向電極５２と配向電極５４との間に発生する電界と、によって層厚方向の両側から配向を規制されるので、層厚方向に亘ってほぼ同じ方向に均一に配向する。これにより、一般的な配向膜を用いて位相差層の材料の配向を規制する構成においても、位相差層４０の層厚方向における遅相軸４０ａのばらつきが抑えられ、高い光学補償特性を有する位相差層４０を形成できる。
【０１１１】
（２）配向膜４６を有機材料で構成すれば、配向膜４６と位相差層４０との密着性は、無機材料であるＩＴＯで形成された配向電極５２および配向電極５４と位相差層４０との密着性よりも良好である。これにより、配向用基板取り外し工程において、配向用基板５０を取り外す際に、対向基板１０上に形成された位相差層４０にかかる応力を緩和できる。これにより、配向用基板５０を取り外す際に、位相差層４０が損傷を受けるリスクを低減でき、高い歩留りで液晶装置２００を製造できる。
【０１１２】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について図を参照して説明する。第３の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態における液晶装置と同じ構成を有している。第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法は、第１の実施形態における液晶装置の製造方法と同じ工程を有しているが、配向用基板の材質が異なっており、これに伴い配向用基板取り外し工程における配向用基板の取り外し方法が異なっているが、それ以外の工程は同じである。図１２は、第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法における配向用基板取り外し工程を説明する図である。
【０１１３】
図１２に示す配向用基板６０は、柔軟性を有する透明な材料、例えばプラスチックからなる。配向用基板６０には、配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとが形成されている。
【０１１４】
＜７．配向用基板取り外し工程＞
図１２に示すように、対向基板１０上に配置された配向用基板６０を、配向用基板６０の端部から矢印の方向に巻き取るようにして取り外す。
【０１１５】
上記第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【０１１６】
（１）柔軟性を有する材料からなる配向用基板６０をその端部から巻き取るようにして対向基板１０から取り外すので、配向用基板６０を取り外す際に、対向基板１０上に形成された位相差層４０にかかる応力をより緩和できる。これにより、配向用基板６０を取り外す際に、位相差層４０が損傷を受けるリスクをより低減できる。
【０１１７】
なお、第３の実施形態の製造方法は、第２の実施形態に適用してもよい。この場合においても同等の効果が得られる。
【０１１８】
（電子機器）
上述した液晶装置１００，２００は、例えば、図１３（ａ）に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。電子機器は、図１３（ｂ）に示すように、電子ビューファインダ５１０であってもよい。携帯電話機５００、電子ビューファインダ５１０は、それぞれの表示部５０２，５１２に液晶装置１００，２００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００および表示部５１２を有する電子ビューファインダ５１０は優れた表示品質を有している。
【０１１９】
また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器、液晶プロジェクタであってもよい。
【０１２０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１２１】
（変形例１）
以上の実施形態では、位相差層形成工程で液晶材料層４１の層厚方向に亘って液晶分子４１ａを同じ方向に配向させた状態で液晶材料層４１を硬化させたが、この形態に限定されない。液晶分子４１ａを液晶材料層４１の層厚方向でツイスト配向させた状態で液晶材料層４１を硬化させてもよい。
【０１２２】
この場合、配向用基板配置工程において、電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生する電界の方向と電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生する電界の方向とが非平行になるように、あるいは、配向膜４６の配向規制方向と電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生する電界の方向とが非平行になるように、配向用基板５０を配置すればよい。また、配向用基板５０の配向電極形成工程において、配向用基板５０上における電極指５２ａと電極指５４ａとの配置をずらしてもよい。
【０１２３】
（変形例２）
以上の実施形態の液晶装置は、ＦＦＳ方式の半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、例えば、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式の液晶装置、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の液晶装置であってもよい。また、液晶装置は、反射型の液晶装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域の一部を示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図３】位相差層の配置を示す平面図。
【図４】液晶装置の光学的軸配置を説明する図。
【図５】対向基板のマザー基板を示す図。
【図６】配向用基板を示す図。
【図７】液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図８】位相差層の形成方法を説明する図。
【図９】位相差層の形成方法を説明する図。
【図１０】第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図１１】第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明する図。
【図１２】第３の実施形態に係る液晶装置の配向用基板取り外し工程を説明する図。
【図１３】本実施の形態における電子機器を示す図。
【符号の説明】
【０１２５】
１０…対向基板、１０ｂ…マザー基板、１２…基板、１４…カラーフィルタ層、１６…オーバーコート層、１８…偏光板、１８ａ…透過軸、２０…素子基板、２１…基板、２２…回路素子層、２３…反射層、２４…共通電極、２５…絶縁層、２６…画素電極、２６ａ…開口部、２７…画素、２８…画素群、２９…偏光板、３０…液晶層、３０ａ…配向方向、３２…配向膜、３４…配向膜、４０…位相差層、４０ａ…遅相軸、４１…液晶材料層、４１ａ…液晶分子、４２…配向電極、４２ａ…電極指、４２ｂ…ベース電極、４４…配向電極、４４ａ…電極指、４４ｂ…ベース電極、４６…配向膜、５０…配向用基板、５２…配向電極、５２ａ…電極指、５４…配向電極、５４ａ…電極指、６０…配向用基板、１００…液晶装置、２００…液晶装置、５００…携帯電話機、５０２…表示部、５１０…電子ビューファインダ、５１２…表示部、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一つの画素内に透過表示部と反射表示部とを有する半透過反射型液晶装置の形態の一つとして、液晶層を挟持する上基板と下基板とのうち下基板の反射表示部の領域の液晶層側に反射層を設け、上基板と下基板との外側（液晶層の反対側）の全面にそれぞれ位相差板を配置する構成が提案されている。この構成では、本来位相差板がなくてもよい透過表示部にも位相差板が配置されるため、反射表示部に比べて透過表示部の表示品位が低下するという課題があった。
【０００３】
これに対し、他の形態として、下基板の反射表示部の領域に設けられた反射層上に位相差層を配置する構成が提案されている（例えば特許文献１）。また、位相差層を液晶セル内の反射層に対向する側に配置する構成が提案されている（例えば特許文献２）。これらの構成によれば、位相差層を液晶セル外の両側かつ全面に配置する構成に比べ、位相差層を反射表示領域に選択的に配置することで透過表示領域の表示品位を低下させることがなく、また半透過反射型液晶装置全体を薄くすることができる。
【０００４】
上述のような位相差層は、一般的に、ラビング等の配向処理を施した配向膜上に配置した液晶材料を配向させた状態で硬化させることにより形成される。このとき、配向膜上に配置された液晶材料は配向膜に施されたラビング処理の方向に沿って配向し、この配向方向が位相差層の遅相軸の方向となる。すなわち、このような構成においては、位相差層の遅相軸の方向はラビング処理の方向によって規定される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３８２０５号公報
【特許文献２】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、液晶材料中の液晶分子に対する配向規制力は、配向膜との界面から遠ざかるにつれて弱くなる。このため、液晶材料の配向膜とは反対側の界面の近傍では液晶分子の配列に乱れが生じる。このような状態で液晶材料が硬化され位相差層が形成されると、位相差層の層厚方向で遅相軸がばらついてしまい、その結果、所望の光学補償特性とずれが生じ、液晶装置の視角特性が低下するという課題があった。
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１の基板に設けた第１の配向規制手段と第２の基板に設けた第２の配向規制手段とが対向するように、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位相差層材料を挟持する工程（ａ）と、前記位相差層材料の分子を前記第１の配向規制手段の配向規制力と前記第２の配向規制手段の配向規制力とによって配向させた状態で、前記位相差層材料を硬化させて位相差層を形成する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）の後に、前記第１の基板と前記第２の基板とのうち一方の基板を取り外す工程（ｃ）と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、位相差層材料は、硬化される前の状態において、第１の配向規制手段が形成された第１の基板と第２の配向規制手段が形成された第２の基板との間に挟持される。このため、位相差層材料の分子は、第１の配向規制手段の配向規制力と第２の配向規制手段の配向規制力とによって層厚方向の両側から配向を規制されるので、層厚方向の両側でほぼ均一に一軸配向する。これにより、位相差層の層厚方向における遅相軸のばらつきが抑えられる。したがって、従来の製法で得られるものに比べて高い光学補償特性を有する位相差層を形成できる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の配向規制手段は第１の複数の透明電極からなり、前記第２の配向規制手段は第２の複数の透明電極からなり、前記第１の配向規制手段の配向規制力は前記第１の複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であり、前記第２の配向規制手段の配向規制力は前記第２の複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であってもよい。
【００１１】
この構成によれば、第１の基板上の第１の複数の透明電極間に電圧が印加されると、第１の基板上には第１の基板面にほぼ平行な方向に電界が発生し、第２の基板上の第２の複数の透明電極間に電圧が印加されると、第２の基板上には第２の基板面にほぼ平行な方向に電界が発生する。第２の基板は第１の基板にほぼ平行に配置されるので、第２の基板上に発生する電界は第１の基板面にほぼ平行である。これにより、位相差層材料の層厚方向の両側において、第１の基板面にほぼ平行な方向に沿って分子の配向を規制できる。
【００１２】
このとき、位相差層材料の分子の配向方向、すなわち位相差層の遅相軸の方向の精度は、複数の透明電極間に発生する電界の方向の精度、つまり複数の透明電極の位置精度に依存する。複数の透明電極をフォトリソグラフィ法により形成すれば、複数の透明電極の位置精度は、ラビング処理を行う場合の位置精度に比べて格段に高い。これにより、位相差層の遅相軸の方向の精度が格段に高められ、高い光学補償特性が得られる。したがって、優れた表示品質を有する液晶装置を提供できる。
【００１３】
また、位相差層材料の分子を電界により配向させるので、位相差層材料を配向させるための配向膜およびそのラビング処理を必要としない。これにより、配向膜のラビング処理に伴うキズや異物発生のリスクが回避でき、高い歩留りで液晶装置を製造できる。
【００１４】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されており、前記第２の複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていてもよい。
【００１５】
この構成によれば、交互に配置されたそれぞれの複数の電極指同士の間に電界が発生するので、第１の基板上と第２の基板上との双方において、より均一に電界を発生させることができる。これにより、位相差層材料の分子をより均一に配向させることができる。
【００１６】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板上の前記複数の電極指と、前記第２の基板上の前記複数の電極指と、が互いにほぼ平行であってもよい。
【００１７】
この構成によれば、第１の基板上の複数の電極指と第２の基板上の複数の電極指とが互いにほぼ平行であるので、位相差層材料の層厚方向の両側でほぼ同じ方向に電界が発生する。これにより、位相差層材料の分子を層厚方向に亘ってほぼ同じ方向に均一に配向させることができる。
【００１８】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の配向規制手段は配向膜からなり、前記第２の配向規制手段は複数の透明電極からなり、前記第１の配向規制手段の配向規制力は前記配向膜による配向規制力であり、前記第２の配向規制手段の配向規制力は前記複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であってもよい。
【００１９】
この構成によれば、第１の基板上には配向膜により第１の基板面にほぼ平行な方向に配向規制力が生じる。一方、第２の基板上の複数の透明電極間に電圧が印加され電界が発生すると、第２の基板上には第２の基板面にほぼ平行な方向に配向規制力が生じる。第２の基板は第１の基板にほぼ平行に配置されるので、位相差層材料の層厚方向の両側において、第１の基板面にほぼ平行な方向に沿って分子の配向を規制できる。
【００２０】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていてもよい。
【００２１】
この構成によれば、交互に配置されたそれぞれの複数の電極指同士の間に電界が発生するので、第２の基板上に、より均一に電界を発生させることができる。これにより、位相差層材料の分子をより均一に配向させることができる。
【００２２】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記配向膜には配向処理が施され、前記第１の配向規制手段の配向規制方向と、前記第２の配向規制手段の配向規制方向と、が互いにほぼ平行であってもよい。
【００２３】
この構成によれば、第１の基板の配向膜の配向規制方向と、第２の基板の複数の電極間で発生する電界による配向規制方向と、がほぼ平行であるので、位相差層材料の分子を層厚方向に亘ってほぼ同じ方向に均一に配向させることができる。
【００２４】
［適用例８］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第２の基板は柔軟性を有する材料からなり、前記工程（ｃ）では、前記第２の基板を前記第１の基板から取り外してもよい。
【００２５】
この構成によれば、柔軟性を有する材料からなる第２の基板を第１の基板から取り外すので、第２の基板を取り外す際に第１の基板上に形成された位相差層にかかる応力を緩和できる。これにより、第２の基板を取り外す際に位相差層が損傷を受けるリスクを低減でき、高い歩留りで液晶装置を製造できる。
【００２６】
［適用例９］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記液晶装置は、複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに設けられた、反射表示領域と透過表示領域と、をさらに備え、前記工程（ｂ）では、前記反射表示領域の前記位相差層材料の分子を配向させた状態で硬化させてもよい。
【００２７】
この構成によれば、高い光学補償特性を有する位相差層が反射表示領域に選択的に配置されるので、優れた表示品質を有する半透過反射型の液晶装置を提供できる。
【００２８】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置の製造方法を用いて製造した液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、優れた表示品質を有する液晶装置を備えた電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、参照する各図面において、素子、配線、接続部等を省略してある。
【００３１】
（第１の実施形態）
＜液晶装置＞
まず、第１の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域の一部を示す平面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図１のＡ−Ａ’線、または図３のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。図３は位相差層の配置を示す平面図である。なお、図１および図３では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。本実施形態に係る液晶装置１００は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の半透過反射型の液晶装置である。
【００３２】
図１に示すように、液晶装置１００の表示領域には、赤、緑、青の表示に寄与する画素２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ（以下では、対応する色について区別しない場合には単に画素２７とも呼ぶ）が複数配置されている。画素２７は、液晶装置１００の表示の最小単位であり、隣り合う画素２７同士の間に間隔が空くように、マトリクス状に配置されている。隣り合う画素２７同士の間には、図示しないが、遮光層（ブラックマスク）が配置されている。遮光層は、画素２７同士の間から漏れる光を遮って表示のコントラストを向上させる役割を果たす。なお、Ｘ軸は画素２７の行方向を示し、Ｙ軸は画素２７の列方向を示している。
【００３３】
それぞれの画素２７は、反射表示に寄与する反射表示領域Ｒと、透過表示に寄与する透過表示領域Ｔと、を有している。Ｘ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列され、Ｙ軸に沿った方向には反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列されている。画素２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂから画素群２８が構成されている。液晶装置１００では、画素群２８において画素２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
【００３４】
図２に示すように、液晶装置１００は、素子基板２０と、第１の基板としての対向基板１０と、液晶層３０と、第１の複数の透明電極としての配向電極４２および配向電極４４と、位相差層４０と、を備えている。対向基板１０は基板１２を基体として構成されており、素子基板２０は基板２１を基体として構成されている。液晶層３０は、対向基板１０と素子基板２０との間に位置している。
【００３５】
対向基板１０は、液晶装置１００の観察側に位置している。対向基板１０は、基板１２と、カラーフィルタ層１４と、オーバーコート層１６と、を備えている。基板１２は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。カラーフィルタ層１４とオーバーコート層１６とは、基板１２の液晶層３０側に順に積層されている。カラーフィルタ層１４は、例えば、赤、緑、青の３色の色要素を含んでいる。対向基板１０の液晶層３０とは反対側、すなわち観察側には、偏光板１８が配置されている。
【００３６】
配向電極４２と配向電極４４とは、対向基板１０上の液晶層３０側に位置しており、オーバーコート層１６上に配置されている。図３に示すように、配向電極４２と配向電極４４とのそれぞれは、複数の電極指を備えた櫛歯形状を有している。また、配向電極４２と配向電極４４とは、対向基板１０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。配向電極４２の備える複数の電極指４２ａのそれぞれと、配向電極４４の備える複数の電極指４４ａのそれぞれと、は少なくとも反射表示領域Ｒに、互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されている。
【００３７】
交互に配置された電極指４２ａと電極指４４ａとのピッチは、例えば１６μｍ〜２０μｍである。電極指４２ａと電極指４４ａとのそれぞれの幅は、例えば８μｍである。電極指４２ａと電極指４４ａとは、図３のＹ軸に沿った方向に対して所定の角度ずれて配置されている。本実施形態では、電極指４２ａと電極指４４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに１１２．５°ずれている。なお、図３において、Ｘ軸は画素２７（図１参照）の反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列された方向であり、Ｙ軸は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列された方向である。配向電極４２と配向電極４４とは、透明な導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。
【００３８】
位相差層４０は、対向基板１０上の反射表示領域Ｒに位置し、配向電極４２の電極指４２ａと配向電極４４の電極指４４ａとを覆うように配置されている。また、位相差層４０は、Ｘ軸に沿った方向に複数の画素２７の反射表示領域Ｒに亘って一列に配置されている。位相差層４０は、複屈折性を有する光硬化性材料または熱硬化性材料からなる。このような材料の一例として、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を用いることができる。光硬化性材料または熱硬化性材料は、例えば、正の誘電率異方性を有している。光硬化性材料または熱硬化性材料は、負の誘電率異方性を有していてもよい。
【００３９】
位相差層４０は、光硬化性材料または熱硬化性材料が配向された状態で硬化されて形成されている。後述するが、位相差層４０の遅相軸４０ａ（図４参照）は、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。なお、Ｙ軸に沿った方向が、偏光板１８の透過軸１８ａ（図４参照）の方向である。また、位相差層４０は、入射される可視光の波長に対し所定の位相差、例えば１／２波長分の位相差を付与する。
【００４０】
図２に戻って、素子基板２０は、液晶層３０を挟んで、対向基板１０に対向する側に位置している。素子基板２０は、基板２１と、回路素子層２２と、反射層２３と、共通電極２４と、絶縁層２５と、画素電極２６と、を備えている。基板２１は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。回路素子層２２は、基板２１の対向基板１０に対向する側に形成されている。反射表示領域Ｒに位置する回路素子層２２の上面には、図示しないが、外光を散乱させるための凹凸形状が形成されており、この凹凸形状を反映する形で反射層２３が形成される。
【００４１】
反射層２３は、回路素子層２２上の反射表示領域Ｒに形成されている。反射層２３は、反射率の高い金属膜からなる。反射層２３の材料は、例えばアルミニウムである。反射層２３の材料は、ＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）であってもよい。共通電極２４は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとに亘って形成されており、反射表示領域Ｒにおいては反射層２３上に形成され透過表示領域Ｔにおいては回路素子層２２上に形成されている。共通電極２４は、例えばＩＴＯからなる。
【００４２】
共通電極２４上には、その上面を覆うように絶縁層２５が形成されている。さらに、絶縁層２５上には、複数のスリット状の開口部２６ａを有する画素電極２６が形成されている。画素電極２６は、例えばＩＴＯからなる。画素電極２６のそれぞれは、カラーフィルタ層１４の赤、緑、青の３色のいずれかに対応している。これらの３色のそれぞれと対応する３つの画素電極２６との組み合わせにより、３色の画素２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂがそれぞれ構成される（図１参照）。
【００４３】
素子基板２０の対向基板１０と反対の側には、偏光板２９が配置されている。なお、回路素子層２２には、図示しないが、液晶層３０を駆動するための素子、配線パターン、接続部等が設けられている。
【００４４】
液晶層３０は、対向基板１０と素子基板２０との間に位置している。対向基板１０の液晶層３０に接する側には、オーバーコート層１６と位相差層４０とを覆うように配向膜３２が形成されている。また、素子基板２０の液晶層３０に接する側には、絶縁層２５と画素電極２６とを覆うように、配向膜３４が形成されている。液晶層３０は、配向膜３２と配向膜３４とに施された配向処理によって配向方向が規制されており、ホモジニアス配向している。
【００４５】
液晶層３０は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで層厚が異なる。具体的には、液晶層３０の反射表示領域Ｒにおける層厚は、液晶層３０の透過表示領域Ｔにおける層厚のほぼ１／２となっている。このことにより、液晶層３０は入射される可視光の波長に対して、反射表示領域Ｒにおいて１／４波長分の位相差を付与し、透過表示領域Ｔにおいて１／２波長分の位相差を付与する。
【００４６】
反射表示を行う液晶装置１００では、光学設計上、暗表示を行う際に反射層２３に到達する外光がすべての可視波長域でほぼ円偏光である必要がある。反射層２３に到達した外光が楕円偏光であると暗表示に色づきが生じ、高コントラストな反射表示を得ることが困難になるからである。
【００４７】
本実施形態では、反射表示領域Ｒに対応する領域に選択的に位相差層４０を配置し、反射表示領域Ｒにおける液晶層３０の層厚が透過表示領域Ｔにおける液晶層３０の層厚に比べて薄くなるように構成している。これにより、偏光板１８と位相差層４０と反射表示領域Ｒ内の液晶層３０とで広帯域円偏光を作り出せるようにして反射層２３に到達する外光をほぼすべての可視波長域で円偏光に近づけている。
【００４８】
＜光学的軸配置および表示原理＞
次に、液晶装置１００の光学的軸配置を説明する。図４は、液晶装置１００の光学的軸配置を説明する図である。図４において、Ｘ軸は図１のＸ軸の方向に対応し、Ｙ軸は図１のＹ軸の方向に対応している。偏光板１８の透過軸１８ａを図４（ａ）に示す。位相差層４０の遅相軸４０ａは、図４（ｂ）に示すように、偏光板１８の透過軸１８ａに対して時計回り方向に２２．５°ずれている。また、液晶層３０の配向方向３０ａは、図４（ｃ）に示すように、偏光板１８の透過軸１８ａに対して時計回り方向に９０°ずれている。なお、図示しないが、偏光板２９の透過軸は、偏光板１８の透過軸１８ａに対して直交している。すなわち、偏光板２９の透過軸は、液晶層３０の配向方向３０ａに平行である。
【００４９】
次に、液晶装置１００の表示原理を説明する。本実施形態では、液晶装置１００は、液晶層３０に電圧が印加されない状態が暗表示となる「ノーマリーブラック」型である。したがって、暗表示を行う場合は、液晶層３０に電圧が印加されない状態（非選択電圧印加状態）とする。
【００５０】
まず、反射表示領域Ｒにおいては、偏光板１８の上方から入射した光は透過軸１８ａに平行な直線偏光となり、その状態で位相差層４０に入射する。位相差層４０に入射した光は、位相差層４０により振動方向の異なる直線偏光に変換され、液晶層３０に入射する。この液晶層３０に入射した直線偏光は、液晶層３０を通過することにより円偏光となる。この円偏光は、反射層２３（図２参照）で反射されることにより回転方向が反転した円偏光になり、次いで液晶層３０と位相差層４０とを再び通過することにより透過軸１８ａに垂直な直線偏光となる。そして、透過軸１８ａに垂直な直線偏光は偏光板１８に吸収されて偏光板１８の上方（観察側）へ戻らないため、暗表示となる。
【００５１】
一方、透過表示領域Ｔにおいては、偏光板２９（図２参照）の下方から入射した光は、偏光板２９の透過軸に平行な直線偏光となり、液晶層３０に入射する。この直線偏光の振動方向は液晶層３０の配向方向３０ａに平行であり、液晶層３０によって位相差が付与されない。したがって、液晶層３０を通過した直線偏光は、偏光板２９の透過軸に平行な状態のまま、すなわち偏光板１８の透過軸１８ａに垂直な状態で、偏光板１８に入射する。そして、透過軸１８ａに垂直な直線偏光は偏光板１８に吸収されて偏光板１８の上方（観察側）へ届かないため、暗表示となる。
【００５２】
次に、明表示を行う場合は、液晶層３０に電圧が印加された状態（選択電圧印加状態）とする。電圧が印加された状態において、液晶層３０における液晶分子は電界により偏光板１８の透過軸１８ａに対し例えば４５°に配向する。
【００５３】
まず、反射表示領域Ｒにおいては、位相差層４０を出た偏光は、液晶層３０を通過し、偏光の状態を変えずに反射層２３で反射して、液晶層３０と位相差層４０とを再び通過することにより透過軸１８ａに平行な直線偏光となる。そして、透過軸１８ａに平行な直線偏光は偏光板１８を透過し、偏光板１８の上方（観察側）へ戻るため、明表示となる。
【００５４】
一方、透過表示領域Ｔにおいては、偏光板２９の下方から入射した光は、偏光板２９の透過軸に平行な直線偏光となり、液晶層３０に入射する。この直線偏光の振動方向は液晶層３０の配向方向３０ａと４５°ずれており、液晶層３０によって１／２波長分の位相差が付与される。したがって、液晶層３０を通過した直線偏光は、偏光板２９の透過軸に垂直な状態で、すなわち偏光板１８の透過軸１８ａに平行な状態で、偏光板１８に入射する。そして、透過軸１８ａに平行な直線偏光は偏光板１８を透過し偏光板１８の上方（観察側）へ届くため、明表示となる。
【００５５】
＜製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法を図を参照して説明する。図５は、対向基板１０のマザー基板を示す図である。図６は、配向用基板を示す図である。図７は、液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図８および図９は、位相差層の形成方法を説明する図である。
【００５６】
各工程を説明する前に、本実施形態では、素子基板２０と対向基板１０とは複数枚取りできる大型の基板（マザー基板）で加工が行われ、最終的にそのマザー基板同士を貼り合わせた後に切断して個片化することにより、複数の液晶装置１００が得られる。図５は、複数の対向基板１０を含むマザー基板１０ｂを示している。図５において、Ｘ軸は図３のＸ軸の方向に対応し、Ｙ軸は図３のＹ軸の方向に対応している。
【００５７】
また、本実施形態では、位相差層形成工程において、位相差層４０の材料の分子の配向を規制するために、第２の基板としての配向用基板５０を対向基板１０上に取り外し可能に配置する。図６に示すように、配向用基板５０は、第２の複数の透明電極としての配向電極５２と配向電極５４とを備えている。図６は、配向用基板５０の配向電極５２と配向電極５４とが形成されていない面側から見た平面図である。Ｙ軸は配向用基板５０の１辺に沿った方向であり、配向用基板５０上における配向電極５２と配向電極５４との位置決めの基準となる方向である。Ｘ軸は、Ｙ軸に直行する方向である。配向用基板５０が対向基板１０上に配置される際は、図６のＹ軸の方向が図３のＹ軸の方向に沿い、図６のＸ軸が図３のＸ軸の方向に沿うように位置合わせされる。
【００５８】
配向用基板５０は、透明な材料からなり、例えばガラスからなる。配向電極５２と配向電極５４とのそれぞれは、複数の電極指を備えた櫛歯形状を有している。また、配向電極５２と配向電極５４とは、配向用基板５０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。配向電極５２の備える複数の電極指５２ａのそれぞれと、配向電極５４の備える複数の電極指５４ａのそれぞれと、は互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されている。
【００５９】
交互に配置された電極指５２ａと電極指５４ａとのピッチは、例えば１６μｍ〜２０μｍである。電極指５２ａと電極指５４ａとのそれぞれの幅は、例えば８μｍである。電極指５２ａと電極指５４ａとのピッチおよび幅は、電極指４２ａと電極指４４ａとのピッチおよび幅と同じであることが好ましい。電極指５２ａと電極指５４ａとは、図６のＹ軸に沿った方向に対して所定の角度ずれて配置されている。本実施形態では、電極指５２ａと電極指５４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに１１２．５°ずれている。配向電極５２と配向電極５４とは、透明な導電材料からなり、例えばＩＴＯからなる。なお、配向用基板５０も素子基板２０および対向基板１０と同様に、複数枚取りできる大型のマザー基板で加工が行われる。
【００６０】
次に、液晶装置１００を製造する工程を説明する。図７において、工程Ｐ１１から工程Ｐ１４は素子基板２０を製造する工程であり、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３は対向基板１０を製造する工程である。工程Ｐ３１から工程Ｐ３３は、素子基板２０と対向基板１０とを組み合わせて液晶装置１００を製造する工程である。工程Ｐ１１から工程Ｐ１４と、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３と、はそれぞれ独立に行われる。
【００６１】
まず、素子基板２０を製造する工程を説明する。図７に示す工程Ｐ１１では、基板２１上に、素子、各種配線、接続部、層間絶縁層等を含む回路素子層２２を形成する。このとき、回路素子層２２の上面の反射表示領域Ｒに位置する部分に、外光を散乱させるための凹凸形状を形成する。次に、工程Ｐ１２では、回路素子層２２上のうち反射表示領域Ｒに反射層２３を形成する。次に、工程Ｐ１３では、回路素子層２２と反射層２３との上に共通電極２４を形成する。次に、工程Ｐ１４では、共通電極２４上に絶縁層２５を形成し、絶縁層２５上に画素電極２６を形成する。
【００６２】
次に、対向基板１０を製造する工程を説明する。工程Ｐ２１では、基板１２上にカラーフィルタ層１４を形成する。次に、工程Ｐ２２では、カラーフィルタ層１４上にオーバーコート層１６を形成する。カラーフィルタ層１４およびオーバーコート層１６を形成する方法は、例えばスピンコート法やフォトリソグラフィ法等を適用する。次に、工程Ｐ２３では、オーバーコート層１６上に位相差層４０を形成する。この工程Ｐ２３は、図８に示す加工工程を含んでいる。以下、図８を参照して、工程Ｐ２３の位相差層形成工程についてより詳しく説明する。なお、本実施形態では、位相差層４０の材料として、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を用いる場合を例にとり説明する。
【００６３】
＜１．配向電極形成工程（対向基板）＞
まず、図８（ａ）に示すように、対向基板１０上に配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとを、例えばフォトリソグラフィ法により形成する。図８（ａ）は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面の反射表示領域Ｒの部分を示している。
【００６４】
このとき、図３に示すように、配向電極４２と配向電極４４とは、対向基板１０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。また、複数の電極指４２ａのそれぞれと複数の電極指４４ａのそれぞれとは、少なくとも反射表示領域Ｒに、互いにほぼ平行であるとともに交互に配置される。また、電極指４２ａと電極指４４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回り方向に１１２．５°ずれて配置される。
【００６５】
この工程では、配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとを形成すると同時に、図５に示すように、マザー基板１０ｂ上にベース電極４２ｂとベース電極４４ｂとを形成する。ベース電極４２ｂは、複数の対向基板１０のそれぞれの配向電極４２に接続されている。ベース電極４４ｂは、複数の対向基板１０のそれぞれの配向電極４４に接続されている。
【００６６】
＜２．材料配置工程＞
次に、図８（ｂ）に示すように、対向基板１０上に配向電極４２と配向電極４４とを覆うように、位相差層４０の材料となる光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶を配置する。この光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶は、正の誘電率異方性を有しているものとする。
【００６７】
まず、対向基板１０上の透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとに亘って、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤を含む有機溶媒とからなる液晶材料層４１を配置する。液晶材料層４１を配置する方法は、例えばスピンコート法を適用する。続いて、配置された液晶材料層４１をプレベークする。プレベークは、例えば、９０℃に加熱された雰囲気に１分間放置して行う。
【００６８】
＜３．配向電極形成工程（配向用基板）＞
次に、配向用基板５０上に配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとを、例えばフォトリソグラフィ法により形成する。図８（ｃ）に、配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとが形成された配向用基板５０を示す。図８（ｃ）の配向用基板５０は、図６のＣ−Ｃ’線に沿った部分断面を示している。
【００６９】
このとき、図６に示すように、配向電極５２と配向電極５４とは、配向用基板５０の同一面上の対向する２辺の近傍にそれぞれが位置し、互いに対向して配置される。また、複数の電極指５２ａのそれぞれと、複数の電極指５４ａのそれぞれと、は互いにほぼ平行であるとともに交互に配置される。また、電極指５２ａと電極指５４ａとは、図６のＹ軸に沿った方向に対して時計回り方向に１１２．５°ずれて配置される。
【００７０】
この工程では、配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとを形成すると同時に、図示しないが、配向用基板５０のマザー基板上に、複数の配向用基板５０のそれぞれの配向電極５２に接続されるベース電極と、複数の配向用基板５０のそれぞれの配向電極５４に接続されるベース電極と、を形成する。なお、配向用基板５０の配向電極形成工程は、対向基板１０の配向電極形成工程の前に行ってもよい。
【００７１】
＜４．配向用基板配置工程＞
次に、図８（ｃ）に示すように、配向電極４２および配向電極４４と配向電極５２および配向電極５４とが互いに対向し、対向基板１０と配向用基板５０との間に液晶材料層４１を挟持するように、対向基板１０上に配向用基板５０を取り外し可能に配置する。このとき、図６のＹ軸の方向が図３のＹ軸の方向に沿い、図６のＸ軸が図３のＸ軸の方向に沿うように配置する。配向用基板５０は、好ましくは、電極指５２ａが電極指４２ａに重なり、電極指５４ａが電極指４４ａに重なるように配置する。
【００７２】
＜５．材料配向工程＞
次に、液晶材料層４１を配向させる。まず、液晶材料層４１を等方相となる温度、例えば１２０℃〜１８０℃に加熱する。液晶材料層４１が等方相の状態で、図５に示すマザー基板１０ｂ上のベース電極４２ｂとベース電極４４ｂとの間に、例えば５Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加する。また、図示しないが、配向用基板５０のマザー基板上の配向電極５２に接続されたベース電極と配向電極５４に接続されたベース電極との間にも同様に５Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加する。これにより、図８（ｃ）に示す配向電極４２と配向電極４４との間と、配向電極５２と配向電極５４との間と、に直流電圧が印加される。なお、印加される電圧は交流電圧であってもよい。
【００７３】
図９は、このときの配向用基板５０側、すなわち対向基板１０の観察側から見た反射表示領域Ｒにおける液晶材料層４１の一部を拡大して模式的に示している。Ｘ軸は画素２７（図１参照）の反射表示領域Ｒ同士または透過表示領域Ｔ同士が対向するように配列された方向であり、Ｙ軸は反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとが互いに対向するように配列された方向である。
【００７４】
図９に示すように、配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとは対向基板１０の同一面上に位置している。そのため、配向電極４２と配向電極４４との間に電圧が印加されると、対向基板１０の配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとが形成された面に対してほぼ平行な方向に電界が発生する。
【００７５】
電極指４２ａと電極指４４ａとが互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されているので、配向電極４２と配向電極４４との間に電圧が印加されると、電極指４２ａと電極指４４ａとの間に、それぞれが互いに対向している範囲に亘ってほぼ均一に電界が発生する。この電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生する電界の方向は、電極指４２ａと電極指４４ａとが伸びている方向に対してほぼ直交している。
【００７６】
また、配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとは配向用基板５０の同一面上に位置している。そのため、配向電極５２と配向電極５４との間に電圧が印加されると、配向用基板５０の配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとが形成された面に対してほぼ平行な方向に電界が発生する。
【００７７】
電極指５２ａと電極指５４ａとが互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されているので、配向電極５２と配向電極５４との間に電圧が印加されると、電極指５２ａと電極指５４ａとの間に、それぞれが互いに対向している範囲に亘ってほぼ均一に電界が発生する。この電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生する電界の方向は、電極指５２ａと電極指５４ａとが伸びている方向に対してほぼ直交しており、電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生する電界の方向とほぼ平行である。
【００７８】
次に、配向電極４２と配向電極４４との間、および配向電極５２と配向電極５４との間に電圧が印加された状態を維持し、液晶材料層４１が液晶相となる温度、例えば６０℃以上１２０℃未満になるまで徐々に冷却する。液晶材料層４１が液晶相の状態になると、液晶材料層４１の液晶分子４１ａは対向基板１０側で発生する電界と配向用基板５０側で発生する電界とにより配向する。
【００７９】
液晶材料層４１が例えば正の誘電率異方性を有している場合、液晶材料層４１の液晶分子４１ａは、対向基板１０との界面では電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生した電界の方向に沿って、配向用基板５０との界面では電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生した電界の方向に沿って、対向基板１０の面に対してほぼ平行に配向する。なお、液晶材料層４１が負の誘電率異方性を有している場合は、発生した電界の方向に対して直交する方向に沿って配向する。
【００８０】
ここで、電極指４２ａおよび電極指４４ａと電極指５２ａおよび電極指５４ａとは、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回り方向に１１２．５°ずれて配置されているので、電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生する電界の方向と、電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生する電界の方向と、はＹ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。したがって、液晶分子４１ａの配向方向は、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれている。この方向が、前述の位相差層４０の遅相軸４０ａ（図４参照）の方向となる。また、Ｙ軸に沿った方向が、偏光板１８の透過軸１８ａ（図４参照）の方向である。
【００８１】
＜６．材料硬化工程＞
次に、図８（ｄ）に示すように、液晶材料層４１を硬化させる。液晶分子４１ａが配向した状態を維持し、液晶材料層４１に紫外光を照射する。このとき、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒのみに紫外光が照射されるように、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒ以外の部分をマスキングする。これにより、液晶材料層４１のうち反射表示領域Ｒにおいて、液晶分子４１ａのアクリル基が光重合され硬化される。
【００８２】
＜７．配向用基板取り外し工程＞
次に、図８（ｅ）に示すように、対向基板１０上に配置された配向用基板５０を取り外す。なお、取り外した配向用基板５０は、工程Ｐ２３の位相差層形成工程において繰り返し使用してもよい。
【００８３】
＜８．材料除去工程＞
次に、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒ以外の部分、すなわち透過表示領域Ｔ（図３参照）の部分を除去する。液晶材料層４１の透過表示領域Ｔの部分は硬化していないので、有機溶媒を用いてこの部分を現像し除去する。有機溶媒は、例えば、プロピレングリコールメチルエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、あるいはシクロペンタノンを用いることができる。現像の時間は、例えば９０秒である。
【００８４】
以上により、図３に示すように、対向基板１０上の反射表示領域Ｒに位相差層４０が形成される。なお、配向電極４２および電極指４２ａと配向電極４４および電極指４４ａとは、位相差層４０が形成された後も対向基板１０上にそのまま残るが、透明な材料で構成されているので、液晶装置１００の視認性が損なわれることはない。
【００８５】
次に、工程Ｐ３１では、素子基板２０と対向基板１０とを貼り合わせを行う。貼り合わせは、素子基板２０または対向基板１０にシール剤を塗布し、アライメント（位置合わせ）をした後、素子基板２０と対向基板１０とを接触させ、圧着して行われる。
【００８６】
次に、工程Ｐ３２では、シール剤の開口部（注入口）から素子基板２０と対向基板１０との間に液晶を注入し、注入口を封止する。
【００８７】
次に、工程Ｐ３３では、対向基板１０の外側に偏光板１８を、素子基板２０の外側に偏光板２９を、それぞれ貼り付ける。以上により液晶装置１００が完成する。
【００８８】
上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００８９】
（１）硬化される前の位相差層４０の材料、すなわち液晶材料層４１は、配向電極４２と配向電極４４とが形成された対向基板１０と、配向電極５２と配向電極５４とが形成された配向用基板５０と、の間に挟持される。このため、液晶分子４１ａは、配向電極４２と配向電極４４との間に発生する電界による配向規制力と、配向電極５２と配向電極５４との間に発生する電界による配向規制力と、によって層厚方向の両側から配向を規制されるので、層厚方向の両側でほぼ均一に一軸配向する。これにより、位相差層４０の層厚方向における遅相軸４０ａのばらつきが抑えられる。したがって、従来の製法で得られるものに比べて高い光学補償特性を有する位相差層４０を形成できる。また、位相差層４０の層厚方向に亘ってほぼ均一な配向が得られることにより、位相差層４０の層厚から位相差層４０の位相差を予想することが容易になるため、位相差層４０の光学設計を容易にできる。
【００９０】
（２）液晶分子４１ａの配向方向、すなわち位相差層４０の遅相軸４０ａの方向の精度は、配向電極４２と配向電極４４との間に発生する電界の方向の精度、つまり配向電極４２と配向電極４４との位置精度に依存する。配向電極４２と配向電極４４とをフォトリソグラフィ法により形成すれば、配向電極４２と配向電極４４との位置精度は、ラビング処理を行う場合の位置精度に比べて格段に高い。このことは、配向電極５２と配向電極５４とについても同様である。これにより、位相差層４０の遅相軸４０ａの方向の精度が格段に高められ、高い光学補償特性が得られる。したがって、優れた表示品質を有する液晶装置１００を提供できる。
【００９１】
（３）液晶分子４１ａを電界により配向させるので、液晶材料層４１を配向させるための配向膜およびそのラビング処理を必要としない。これにより、配向膜のラビング処理に伴うキズや異物発生のリスクが回避でき、高い歩留りで液晶装置１００を製造できる。
【００９２】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶装置の構成について図を参照して説明する。図１０は、第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。図１１は、第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明する図である。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【００９３】
第２の実施形態に係る液晶装置２００は、第１の実施形態に係る液晶装置１００に対して、配向電極４２および配向電極４４の代わりに配向膜４６が配置されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
【００９４】
図１０に示すように、液晶装置２００は、素子基板２０と、対向基板１０と、液晶層３０と、配向膜４６と、位相差層４０と、を備えている。配向膜４６は、対向基板１０上の液晶層３０側に位置しており、オーバーコート層１６上に配置されている。配向膜４６には、位相差層４０の材料、すなわち液晶材料層４１（図１１（ｂ）参照）の配向を規制するため、例えばラビング法により配向処理が施されている。配向処理の方法は光配向法であってもよい。配向膜４６に施された配向処理により、図３のＹ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれた方向に沿って配向が規制される。
【００９５】
位相差層４０は、配向膜４６上の反射表示領域Ｒに配置されている。配向膜３２は、配向膜４６と位相差層４０とを覆うように形成されている。
【００９６】
次に、第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法について説明する。第２の実施形態に係る液晶装置２００の製造方法は、第１の実施形態に係る液晶装置１００の製造方法に対し、工程Ｐ２３の位相差層形成工程が異なっているが、その他の工程は同じである。
【００９７】
第２の実施形態に係る位相差層形成工程では、第１の実施形態と同様に、配向用基板５０を対向基板１０上に取り外し可能に配置する。ただし、対向基板１０に配向電極が形成されないため、対向基板１０のマザー基板には配向電極に接続するベース電極は形成されない。以下、図１１を参照して、工程Ｐ２３の位相差層形成工程について説明するが、第１の実施形態と共通する工程についてはその説明を省略する。
【００９８】
＜１．配向膜形成工程（対向基板）＞
まず、図１１（ａ）に示すように、対向基板１０上に配向膜４６を形成する。そして、配向膜４６に配向処理を施す。配向膜４６の材料および形成方法は、公知の技術を適用すればよい。
【００９９】
＜２．材料配置工程＞
次に、図１１（ｂ）に示すように、配向膜４６上に液晶材料層４１を配置する。
【０１００】
＜３．配向電極形成工程（配向用基板）＞
次に、第１の実施形態と同様に、配向用基板５０上に配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとを形成する。
【０１０１】
＜４．配向用基板配置工程＞
次に、図１１（ｃ）に示すように、配向膜４６と配向電極５２および配向電極５４とが対向し、対向基板１０と配向用基板５０との間に液晶材料層４１を挟持するように、対向基板１０上に配向用基板５０を取り外し可能に配置する。
【０１０２】
＜５．材料配向工程＞
次に、液晶材料層４１を配向させる。まず、液晶材料層４１を加熱し等方相にする。液晶材料層４１が等方相の状態で、図示しないが、配向用基板５０のマザー基板上の配向電極５２に接続されたベース電極と配向電極５４に接続されたベース電極との間に５Ｖ〜１０Ｖの直流電圧を印加する。これにより、図１１（ｃ）に示す配向電極５２と配向電極５４との間に直流電圧が印加される。
【０１０３】
次に、配向電極５２と配向電極５４との間に電圧が印加された状態を維持し、液晶材料層４１が等方相の状態から液晶相の状態に変わるまで徐々に冷却する。液晶材料層４１が液晶相の状態になると、図示しないが、液晶分子４１ａは、対向基板１０との界面では配向膜４６による配向規制方向に沿って、配向用基板５０との界面では電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生した電界の方向に沿って、対向基板１０の面に対してほぼ平行に配向する。
【０１０４】
ここで、配向膜４６による配向規制方向は、Ｙ軸に沿った方向に対して時計回りに２２．５°ずれており、電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生した電界の方向とほぼ同じ方向である。この方向が、位相差層４０の遅相軸４０ａ（図４参照）の方向である。
【０１０５】
＜６．材料硬化工程＞
次に、図１１（ｄ）に示すように、液晶材料層４１を硬化させる。
【０１０６】
＜７．配向用基板取り外し工程＞
次に、図１１（ｅ）に示すように、対向基板１０上に配置された配向用基板５０を取り外す。
【０１０７】
＜８．材料除去工程＞
次に、液晶材料層４１の反射表示領域Ｒ以外の部分の部分を除去する。
【０１０８】
以上により、図１０に示すように、対向基板１０上の反射表示領域Ｒに位相差層４０が形成される。
【０１０９】
上記第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【０１１０】
（１）液晶分子４１ａは、配向膜４６による配向規制力と、配向電極５２と配向電極５４との間に発生する電界と、によって層厚方向の両側から配向を規制されるので、層厚方向に亘ってほぼ同じ方向に均一に配向する。これにより、一般的な配向膜を用いて位相差層の材料の配向を規制する構成においても、位相差層４０の層厚方向における遅相軸４０ａのばらつきが抑えられ、高い光学補償特性を有する位相差層４０を形成できる。
【０１１１】
（２）配向膜４６を有機材料で構成すれば、配向膜４６と位相差層４０との密着性は、無機材料であるＩＴＯで形成された配向電極５２および配向電極５４と位相差層４０との密着性よりも良好である。これにより、配向用基板取り外し工程において、配向用基板５０を取り外す際に、対向基板１０上に形成された位相差層４０にかかる応力を緩和できる。これにより、配向用基板５０を取り外す際に、位相差層４０が損傷を受けるリスクを低減でき、高い歩留りで液晶装置２００を製造できる。
【０１１２】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について図を参照して説明する。第３の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態における液晶装置と同じ構成を有している。第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法は、第１の実施形態における液晶装置の製造方法と同じ工程を有しているが、配向用基板の材質が異なっており、これに伴い配向用基板取り外し工程における配向用基板の取り外し方法が異なっているが、それ以外の工程は同じである。図１２は、第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法における配向用基板取り外し工程を説明する図である。
【０１１３】
図１２に示す配向用基板６０は、柔軟性を有する透明な材料、例えばプラスチックからなる。配向用基板６０には、配向電極５２および電極指５２ａと配向電極５４および電極指５４ａとが形成されている。
【０１１４】
＜７．配向用基板取り外し工程＞
図１２に示すように、対向基板１０上に配置された配向用基板６０を、配向用基板６０の端部から矢印の方向に巻き取るようにして取り外す。
【０１１５】
上記第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【０１１６】
（１）柔軟性を有する材料からなる配向用基板６０をその端部から巻き取るようにして対向基板１０から取り外すので、配向用基板６０を取り外す際に、対向基板１０上に形成された位相差層４０にかかる応力をより緩和できる。これにより、配向用基板６０を取り外す際に、位相差層４０が損傷を受けるリスクをより低減できる。
【０１１７】
なお、第３の実施形態の製造方法は、第２の実施形態に適用してもよい。この場合においても同等の効果が得られる。
【０１１８】
（電子機器）
上述した液晶装置１００，２００は、例えば、図１３（ａ）に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。電子機器は、図１３（ｂ）に示すように、電子ビューファインダ５１０であってもよい。携帯電話機５００、電子ビューファインダ５１０は、それぞれの表示部５０２，５１２に液晶装置１００，２００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００および表示部５１２を有する電子ビューファインダ５１０は優れた表示品質を有している。
【０１１９】
また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器、液晶プロジェクタであってもよい。
【０１２０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１２１】
（変形例１）
以上の実施形態では、位相差層形成工程で液晶材料層４１の層厚方向に亘って液晶分子４１ａを同じ方向に配向させた状態で液晶材料層４１を硬化させたが、この形態に限定されない。液晶分子４１ａを液晶材料層４１の層厚方向でツイスト配向させた状態で液晶材料層４１を硬化させてもよい。
【０１２２】
この場合、配向用基板配置工程において、電極指４２ａと電極指４４ａとの間に発生する電界の方向と電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生する電界の方向とが非平行になるように、あるいは、配向膜４６の配向規制方向と電極指５２ａと電極指５４ａとの間に発生する電界の方向とが非平行になるように、配向用基板５０を配置すればよい。また、配向用基板５０の配向電極形成工程において、配向用基板５０上における電極指５２ａと電極指５４ａとの配置をずらしてもよい。
【０１２３】
（変形例２）
以上の実施形態の液晶装置は、ＦＦＳ方式の半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、例えば、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式の液晶装置、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の液晶装置であってもよい。また、液晶装置は、反射型の液晶装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の表示領域の一部を示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図３】位相差層の配置を示す平面図。
【図４】液晶装置の光学的軸配置を説明する図。
【図５】対向基板のマザー基板を示す図。
【図６】配向用基板を示す図。
【図７】液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図８】位相差層の形成方法を説明する図。
【図９】位相差層の形成方法を説明する図。
【図１０】第２の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。
【図１１】第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明する図。
【図１２】第３の実施形態に係る液晶装置の配向用基板取り外し工程を説明する図。
【図１３】本実施の形態における電子機器を示す図。
【符号の説明】
【０１２５】
１０…対向基板、１０ｂ…マザー基板、１２…基板、１４…カラーフィルタ層、１６…オーバーコート層、１８…偏光板、１８ａ…透過軸、２０…素子基板、２１…基板、２２…回路素子層、２３…反射層、２４…共通電極、２５…絶縁層、２６…画素電極、２６ａ…開口部、２７…画素、２８…画素群、２９…偏光板、３０…液晶層、３０ａ…配向方向、３２…配向膜、３４…配向膜、４０…位相差層、４０ａ…遅相軸、４１…液晶材料層、４１ａ…液晶分子、４２…配向電極、４２ａ…電極指、４２ｂ…ベース電極、４４…配向電極、４４ａ…電極指、４４ｂ…ベース電極、４６…配向膜、５０…配向用基板、５２…配向電極、５２ａ…電極指、５４…配向電極、５４ａ…電極指、６０…配向用基板、１００…液晶装置、２００…液晶装置、５００…携帯電話機、５０２…表示部、５１０…電子ビューファインダ、５１２…表示部、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に設けた第１の配向規制手段と第２の基板に設けた第２の配向規制手段とが対向するように、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位相差層材料を挟持する工程（ａ）と、
前記位相差層材料の分子を前記第１の配向規制手段の配向規制力と前記第２の配向規制手段の配向規制力とによって配向させた状態で、前記位相差層材料を硬化させて位相差層を形成する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）の後に、前記第１の基板と前記第２の基板とのうち一方の基板を取り外す工程（ｃ）と、
を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１の配向規制手段は第１の複数の透明電極からなり、
前記第２の配向規制手段は第２の複数の透明電極からなり、
前記第１の配向規制手段の配向規制力は前記第１の複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であり、
前記第２の配向規制手段の配向規制力は前記第２の複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１の複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されており、
前記第２の複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１の基板上の前記複数の電極指と、前記第２の基板上の前記複数の電極指と、が互いにほぼ平行であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１の配向規制手段は配向膜からなり、
前記第２の配向規制手段は複数の透明電極からなり、
前記第１の配向規制手段の配向規制力は前記配向膜による配向規制力であり、
前記第２の配向規制手段の配向規制力は前記複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記配向膜には配向処理が施され、
前記第１の配向規制手段の配向規制方向と、前記第２の配向規制手段の配向規制方向と、が互いにほぼ平行であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２の基板は柔軟性を有する材料からなり、
前記工程（ｃ）では、前記第２の基板を前記第１の基板から取り外すことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記液晶装置は、
複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれに設けられた、反射表示領域と透過表示領域と、をさらに備え、
前記工程（ｂ）では、前記反射表示領域の前記位相差層材料の分子を配向させた状態で硬化させることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法を用いて製造した液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１の基板に設けた第１の配向規制手段と第２の基板に設けた第２の配向規制手段とが対向するように、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位相差層材料を挟持する工程（ａ）と、
前記位相差層材料の分子を前記第１の配向規制手段の配向規制力と前記第２の配向規制手段の配向規制力とによって配向させた状態で、前記位相差層材料を硬化させて位相差層を形成する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）の後に、前記第１の基板と前記第２の基板とのうち一方の基板を取り外す工程（ｃ）と、
を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１の配向規制手段は第１の複数の透明電極からなり、
前記第２の配向規制手段は第２の複数の透明電極からなり、
前記第１の配向規制手段の配向規制力は前記第１の複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であり、
前記第２の配向規制手段の配向規制力は前記第２の複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１の複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されており、
前記第２の複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１の基板上の前記複数の電極指と、前記第２の基板上の前記複数の電極指と、が互いにほぼ平行であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１の配向規制手段は配向膜からなり、
前記第２の配向規制手段は複数の透明電極からなり、
前記第１の配向規制手段の配向規制力は前記配向膜による配向規制力であり、
前記第２の配向規制手段の配向規制力は前記複数の透明電極間に印加する電圧によって発生する電界であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記複数の透明電極のそれぞれが複数の電極指を備えた櫛歯形状を有し、それぞれの前記複数の電極指同士が互いにほぼ平行であるとともに交互に配置されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記配向膜には配向処理が施され、
前記第１の配向規制手段の配向規制方向と、前記第２の配向規制手段の配向規制方向と、が互いにほぼ平行であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２の基板は柔軟性を有する材料からなり、
前記工程（ｃ）では、前記第２の基板を前記第１の基板から取り外すことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記液晶装置は、
複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれに設けられた、反射表示領域と透過表示領域と、をさらに備え、
前記工程（ｂ）では、前記反射表示領域の前記位相差層材料の分子を配向させた状態で硬化させることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法を用いて製造した液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００９−６９２４５（Ｐ２００９−６９２４５Ａ）
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２３５０４７（Ｐ２００７−２３５０４７）
【出願日】平成１９年９月１１日（２００７．９．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１１日（２００７．９．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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