湿潤性が良好なポリカーボネート
本発明はポリカーボネート樹脂のアセトン抽出物において測定される式（Ｉ）
（式中、Ｒ１およびＲ２は独立して水素またはＣ１〜Ｃ１２−アルキルであるかまたはＲ１およびＲ２は全体としてＣ４〜Ｃ１２−アルキリドであり、Ｒ３およびＲ４は独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４はそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成し、Ｒ５は水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキル、フェニルまたはクミルである。）のカルバメート誘導体の割合が０．２〜３００ｐｐｍであることを特徴とするポリカーボネートに関する。
（式中、Ｒ１およびＲ２は独立して水素またはＣ１〜Ｃ１２−アルキルであるかまたはＲ１およびＲ２は全体としてＣ４〜Ｃ１２−アルキリドであり、Ｒ３およびＲ４は独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４はそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成し、Ｒ５は水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキル、フェニルまたはクミルである。）のカルバメート誘導体の割合が０．２〜３００ｐｐｍであることを特徴とするポリカーボネートに関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明な射出成形品の製造用、特に被覆される射出成形品の製造用の基材物質としてのポリカーボネート、および本発明によるポリカーボネートから得られる成形品を提供する。成形品は、例えば、透明なシート、レンズ、光学記憶媒体もしくは光学記憶媒体用キャリヤーまたは更に車のグレージングの分野からの物品、例えば、光散乱板であり得る。本発明は、特に良好な被覆能力および湿潤性を有し、かつ例えば、溶液から、特に非極性媒体からの色素の適用に好適である光学記憶媒体または光学記憶媒体用キャリヤー、例えば書き込み可能な光学データ記憶装置、を提供する。更に、本発明によるポリカーボネートの光学射出成形品は、比較的汚れる傾向が少ない。
【背景技術】
【０００２】
透明な射出成形品は、グレージングおよび記憶媒体の分野においてとりわけ重要である。
【０００３】
光学データ記憶媒体は、ますます様々な大量のデータ用記録および／または保管媒体として使用されている。このタイプの光学データ記憶装置の例は、ＣＤ、スーパーオーディオＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷおよびＢＤである。
【０００４】
透明な熱可塑性樹脂、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートおよびそれらの化学変性体が光学記憶媒体に典型的に使用されている。基材物質としてのポリカーボネートは、特に追記型（ｗｒｉｔｔｅｎ ｔｏ ｏｎｃｅ ａｎｄ ｒｅａｄ ｓｅｖｅｒａｌ ｔｉｍｅｓ）光ディスク、および更に書換型（ｗｒｉｔｔｅｎ ｔｏ ｓｅｖｅｒａｌ ｔｉｍｅｓ）光ディスク、および車のグレージングの分野からの成形品、例えば光散乱板の製造に好適である。この熱可塑性樹脂は、優れた機械的安定性を有し、寸法変化を受けにくく、かつ高い透明度および衝撃強さが卓越している。
【０００５】
相界面法により製造されるポリカーボネートは、上記フォーマットの光学データ記憶装置、例えばコンパクトディスク（ＣＤ）またはデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）の製造に使用され得る。これらのディスクはしばしば射出成形法におけるその製造中に高い電場を形成する性質を有する。光学データ記憶装置の製造中、基材上のこの高い場の強度は、例えば環境からのダスト誘引の原因になったり射出成形物品（例えばディスク）が互いに他着する原因になったりし、このことは完成射出成形物品の質を低下させ、射出成形工程を困難にする。
【０００６】
静電帯電、特に（光学データキャリヤー用）ディスクの静電帯電は、とりわけ非極性媒体（例えば非極性色素）の不十分な湿潤性や溶媒（例えばジブチルエーテル、エチルシクロヘキサン、テトラフルオロプロパノール、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンまたはオクタフルオロプロパノール）からの色素の不十分な被覆の原因になることが更に知られている。従って、書き込み可能なデータ記憶装置への色素の塗布中の基材表面における高い電場は、例えば色素の不規則な被覆の原因になり、それゆえに情報層における欠陥の原因になる。
【０００７】
基材物質の静電帯電の程度は、例えば基材表面から特定の距離における電場の測定により測定し得る。
【０００８】
例えば色素成分がスピンコート法で表面に塗布される光学データ記憶装置の場合、書き込み可能層の均一塗布を保証し、問題のない製造工程を確実するためには低い絶対電場強度が必要である。
【０００９】
更に、高い静電場は上記の事のため、基材物質に関して収量の損失の原因になる。このことは、特定の製造工程停止の原因になり、コスト高に関連する。
【００１０】
この高帯電の問題を解決するために、いくつかのセットアップが行われてきた。一般的に、基材物質に帯電防止剤を添加剤として添加する。帯電防止ポリカーボネート組成物は、例えばＪＰ ６２ ２０７ ３５８−Ａに開示されている。ここでは、とりわけリン酸誘導体をポリカーボネートに帯電防止剤として添加している。ＥＰ ０９２２ ７２８は、様々な帯電防止剤、例えばポリアルキレングリコール誘導体、エトキシ化ソルビタンモノラウレート、ポリシロキサン誘導体、ホスフィンオキサイドおよびジステアリルヒドロキシアミン（これらは単独で使用または混合物として使用される）を開示している。日本国出願ＪＰ ６２ ２０７ ３５８は、亜リン酸のエステルを添加剤として開示している。米国特許第５，６６８，２０２号は、スルホン酸誘導体を開示している。ＷＯ ００／５０４８８において、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールが相界面法における連鎖停止剤として使用されている。この連鎖停止剤は、常套の連鎖停止剤と比較して対応する基材物質の低い帯電をもたらす。ＪＰ ６２ ２０７ ３５８−Ａはポリエチレン誘導体およびポリプロピレン誘導体をポリカーボネートの添加剤として開示している。
【００１１】
しかしながら、上記添加剤は更に基材物質の性質に悪影響も有し得る。なぜなら、上記添加剤がこの物質から移行する、すなわち、表面へ（ｔｏ．．． ｔｈｅ ．．． ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ）、傾向があるからである。このことは実際帯電防止性に望ましい効果であるが、沈着物（ｄｅｐｏｓｉｔ）や問題のある複写の形成の原因となり得る。更に、ポリカーボネートにおけるオリゴマーの含量が、更に機械的性質の低いレベルおよびガラス転移温度の低下の原因となり得る。更に、これらの添加剤は副反応を起こし得る。続くエステル交換法により得られたポリカーボネートの「エンドキャッピング」は不経済であり、かつ達成される結果は最適ではない。この物質への新しい末端基の導入は、コスト高に関連する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、基材表面における場の強さの要求（できるだけ低い）に合い、かつ上記不都合の発生を防止する組成物または基材物質を提供する事が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
驚くべき事に、この目的は、光学データ記憶装置の製造に、低い分子量含量で特になるべく少しの不適当な構造、特になるべく少しの溶媒抽出物中に蓄積し得る特定構造のカルバメート化合物を含む物質を使用する事により達成された。
【００１４】
基材物質中に一定量のカルバメート化合物が添加剤の添加、前駆体の汚染または製造工程それ自体により生じ得る。
【００１５】
本発明は、基材物質として、式（１）
【化１】
（式中、
Ｒ１およびＲ２ は互いに独立して水素またはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、好ましくはメチル、エチル、プロピル、イソプロピルまたはブチルであるか、または
Ｒ１およびＲ２ は全体でＣ４〜Ｃ１２−アルキリデン、好ましくはＣ４〜Ｃ８−アルキリデン、特に好ましくはＣ４〜Ｃ５−アルキリデンであり、
Ｒ３およびＲ４ は互いに独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、好ましくはＣ１〜Ｃ８−アルキル、またはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４はそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成し、かつ
Ｒ５ は水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキル、フェニルまたはクミル、好ましくは水素、ｔｅｒｔ−ブチルまたはクミルである。）
から選択される一以上の化合物がＨＰＬＣを用いるクロマトグラフィーによるアセトン抽出物において０．２〜３００ｐｐｍ、好ましくは０．２〜２５０ｐｐｍ、特に好ましくは０．２〜２００ｐｐｍ測定されるポリカーボネートを提供する。
【００１６】
本発明によるポリカーボネートは、射出成形物品、好ましくは光ディスクへの加工後、低い静電帯電を示す。このことは光学記憶媒体の製造に特に重要である。
【００１７】
本発明によるポリカーボネート／基材物質は、好適な処理パラメータの選択により製造され得る。
【００１８】
式１または４の化合物の含量はいくつかの要因により影響され得る。例えば、反応物および補助物質の純度が重要である。更に、処理パラメータ、例えば使用されるビスフェノールとホスゲンとのモル比、反応中の温度、反応および滞留時間が決め手となり得る。当業者にとって、目的は、基材物質におけるカルバメート含量の本発明による範囲を超えないように処理を制御することである。
【００１９】
所望の基材物質を得るための処理パラメータの好適な選択を以下に示す。
【００２０】
常套の連続ポリカーボネート合成において、使用される全ビスフェノールに基づく使用されるホスゲンの過剰量は３〜１００ｍｏｌ％、好ましくは５〜５０ｍｏｌ％であるが、本発明による基材物質は過剰量のホスゲン５〜２０ｍｏｌ％、好ましくは８〜１７ｍｏｌ％を用いて製造される。この手順において、ホスゲンの計量添加中および計量添加後、続く水酸化ナトリウム溶液の計量添加一回もしくは数回または続く対応するビスフェノレート溶液の計量添加によって水性相のｐＨをアルカリの範囲、好ましくは８．５〜１２に保持するが、触媒の添加後、ｐＨを１０〜１４に調節する。ホスゲン化中の温度は０℃〜４０℃、好ましくは５℃〜３６℃である。
【００２１】
本発明によるポリカーボネートは、相界面法により製造される。このポリカーボネートの合成方法は、文献に多く開示されている（例えば一例としてＨ．Ｓｃｈｎｅｌｌ著、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｒｅｖｉｅｗｓ、第９巻、Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、ニューヨーク、１９６４年、３３頁以降、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｒｅｖｉｅｗｓ、第１０巻、“Ｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｂｙ Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ ａｎｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄｓ”、Ｐａｕｌ Ｗ．Ｍｏｒｇａｎ、Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、ニューヨーク、１９６５年、第ＶＩＩＩ章、３２５頁、Ｄｒ．Ｕ．Ｇｒｉｇｏ、Ｄｒ．Ｋ．ＫｉｒｃｈｅｒおよびＤｒ．Ｐ．Ｒ．Ｍｕｅｌｌｅｒ著、Ｂｅｃｋｅｒ／Ｂｒａｕｎ中の“Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ”、Ｋｕｎｓｔｓｔｏｆｆ−Ｈａｎｄｂｕｃｈ、第３／１巻、Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ，Ｐｏｌｙａｃｅｔａｌｅ，Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ，Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ−ｅｓｔｅｒ、Ｃａｒｌ Ｈａｎｓｅｒ Ｖｅｒｌａｇ Ｍｕｎｉｃｈ、ウィーン、１９９２年、１１８〜１４５頁およびＥＰ−Ａ ０ ５１７ ０４４参照。）。
【００２２】
この方法によると、最初に水性アルカリ溶液（または懸濁液）に投入したビスフェノール（または種々のビスフェノールの混合物）の二ナトリウム塩のホスゲン化を第二の相を形成する不活性有機溶媒または溶媒混合物の存在下で行う。形成されたオリゴカーボネート、これは主に有機相に存在する、を好適な触媒の酸を用いて縮合反応させて有機相に溶解される高分子量ポリカーボネートを生じる。最後に、有機相を分離し、ポリカーボネートを種々のワークアップ工程（ｗｏｒｋｉｎｇ ｕｐ ｓｔｅｐ）によりそこから単離する。
【００２３】
ポリカーボネートの製造に好適なジヒドロキシアリール化合物は、式（２）
ＨＯ−Ｚ−ＯＨ （２）
（式中、
Ｚ は一以上の芳香核を有してもよく、置換されていてもよく、かつ脂肪族もしくは脂環式基またはアルキルアリールまたはヘテロ原子を架橋員として含んでもよい、炭素原子を６〜３０個有する芳香族基である。）
のジヒドロキシアリール化合物である。
【００２４】
好ましくは、式（２）におけるＺは、式（３）
【化２】
（式中、
Ｒ６およびＲ７ は互いに独立してＨ、Ｃ１〜Ｃ１８−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１８−アルコキシ、ハロゲン（例えばＣｌまたはＢｒ）、または任意に置換されていてもよいアリールまたはアラルキル、好ましくはＨまたはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはＨまたはＣ１〜Ｃ８−アルキル、より特に好ましくはＨまたはメチルであり、かつ
Ｘ は単結合、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、好ましくはメチルまたはエチルで置換されていてもよいＣ１〜Ｃ６−アルキレン、Ｃ２〜Ｃ５−アルキリデンまたはＣ５〜Ｃ６−シクロアルキリデン、および更に任意にヘテロ原子を含む別の芳香環が縮合していてもよいＣ６〜Ｃ１２−アリーレンである。）
の基である。
【００２５】
好ましくは、Ｘは単結合、Ｃ１〜Ｃ５−アルキレン、Ｃ２〜Ｃ５−アルキリデン、Ｃ５〜Ｃ６−シクロアルキリデン、−Ｏ−、−ＳＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−
または式（３ａ）または（３ｂ）
【化３】
（式中、
Ｒ８およびＲ９ は各Ｘ１に関して個々に選択されてもよく、互いに独立して水素またはＣ１〜Ｃ６−アルキル、好ましくは水素、メチルまたはエチルであり、
Ｘ１ は炭素であり、かつ
ｎ は４〜７の整数、好ましくは４または５、但し少なくとも一つの原子Ｘ１においてＲ８およびＲ９が同時にアルキルである。）
の基である。
【００２６】
ジヒドロキシアリール化合物の例は、ジヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシジフェニル、ビス−（ヒドロキシフェニル）−アルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）−シクロアルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）−アリール、ビス−（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス−（ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホキシド、１，１’−ビス−（ヒドロキシフェニル）−ジイソプロピルベンゼンおよびそれらの核アルキル化化合物および核ハロゲン化化合物である。
【００２７】
本発明による使用されるポリカーボネートの製造に好適なジフェノールは、例えば、ヒドロキノン、レソルシノール、ジヒドロキシジフェニル、ビス−（ヒドロキシフェニル）−アルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）−シクロアルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス−（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス−（ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホキシド、α，α’−ビス−（ヒドロキシフェニル）−ジイソプロピルベンゼンおよびそれらの核アルキル化化合物および核ハロゲン化化合物である。
【００２８】
好ましいジフェノールは、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニル−プロパン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−フェニル−エタン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，３−ビス−［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン（ビスフェノールＭ）、２，２−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−メタン、２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，４−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，３−ビス−［２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］−ベンゼンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）である。
【００２９】
特に好ましいジフェノールは、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−フェニル−エタン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）である。
【００３０】
これらおよび別の好適なジフェノールは、例えば、ＵＳ−Ａ ２ ９９９ ８３５、３ １４８ １７２、２ ９９１ ２７３、３ ２７１ ３６７、４ ９８２ ０１４および２ ９９９ ８４６、ドイツ国公開特許第１ ５７０ ７０３号、第２ ０６３ ０５０号、第２ ０３６ ０５２号、第２ ２１１ ９５６号および第３ ８３２ ３９６号、フランス国特許明細書第１ ５６１ ５１８号、モノグラフ“Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌ著、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ、Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、ニューヨーク、１９６４年、２８頁以下；１０２頁以下”、および“Ｄ．Ｇ．Ｌｅｇｒａｎｄ、Ｊ．Ｔ．Ｂｅｎｄｌｅｒ著、Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ ニューヨーク、２０００年、７２頁以下”に開示されている。
【００３１】
ホモポリカーボネートの場合、一種類のジフェノールのみが使用され、コポリカーボネートの場合、二種類以上のジフェノールが使用される。使用されるジフェノールは、合成に添加される他の化学物質および補助物質と同様に、それ自身の合成、取り扱いおよび保管由来の不純物が混合し得る。しかしながら、できるだけ純粋な原料を用いて処理することが望ましい。
【００３２】
分子量の調整に必要とされる単官能性連鎖停止剤、例えば、フェノールまたはアルキルフェノール、特にフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｉｓｏ−オクチルフェノール、クミルフェノール、それらのクロロ炭酸エステルまたはモノカルボン酸の酸塩化物またはこれらの連鎖停止剤の混合物は、どれも反応にビスフェノレートと共に供給されるか、または合成の所望の時点で（ホスゲンまたはクロロ炭酸末端基が反応混合物中に存在する間、または連鎖停止剤として酸塩化物およびクロロ炭酸エステルの場合、充分ポリマー形成のフェノール性末端基が利用可能な間）添加される。しかしながら、好ましくは連鎖停止剤はホスゲン化後、ホスゲンが既になく触媒がまだ計量添加されていない時ある位置においてまたはある時点において添加されるか、または触媒の前、触媒と共にまたはそれに平行して計量添加される。
【００３３】
通常連鎖停止剤の前に添加すること以外同様に、使用される分枝剤または分枝剤混合物を合成に添加する。トリスフェノール、四級フェノールまたはトリ−もしくはテトラカルボン酸の酸塩化物が通常使用されるか、または更にポリフェノールもしくは酸塩化物の混合物が使用される。
【００３４】
使用され得る三以上のフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物のいくつかは、例えば、
フロログルシノール、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−ヘプト−２−エン、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−ヘプタン、
１，３，５−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−ベンゼン、
１，１，１−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−エタン、
トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルメタン、
２，２−ビス−［４，４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキシル］−プロパン、
２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル−イソプロピル）−フェノールおよび
テトラ−（４−ヒドロキシフェニル）−メタン
である。
【００３５】
他の三官能性化合物のいくつかは、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、塩化シアヌルおよび３，３−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドールである。
【００３６】
好ましい分枝剤は、３，３−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドールおよび１，１，１−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−エタンである。
【００３７】
相界面合成において使用される触媒は、三級アミン、特にトリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ−メチルピペリジンおよびＮ−ｉ／ｎ−プロピルピペリジン；四級アンモニウム塩、例えばテトラブチルアンモニウム／トリブチルベンジルアンモニウム／テトラエチルアンモニウム 水酸化物／塩化物／臭化物／硫酸水素塩／テトラフルオロボレート；およびアンモニウム化合物に対応するホスホニウム化合物である。これらの化合物は、文献に典型的な相界面触媒として開示されており、市販されており、かつ当業者によく知られている。この触媒は合成に単独で、混合物で、または更に並んでかつ連続して、要すれば更にホスゲン化前に添加され得るが、ホスゲンの導入後の計量添加が好ましい（但しオニウム化合物またはオニウム化合物の混合物が触媒と使用される場合を除く）。オニウム化合物またはオニウム化合物の混合物が使用される場合、ホスゲンの計量添加前の添加が好ましい。触媒の計量添加は、バルクにおいて、不活性溶媒、好ましくはポリカーボネート合成の溶媒において、または更に水性溶液として、かつ三級アミンの場合、その酸、好ましくは無機酸、特に塩化水素酸とのアンモニウム塩として行われ得る。いくつかの触媒が使用されるか、または触媒の総量の部分量が計量添加される場合、もちろん計量添加の異なる方法が更に異なる場所または異なる時間において行われてもよい。使用される触媒の総量は、使用されるビスフェノールのモルに基づいて０．００１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは０．０１〜８ｍｏｌ％、特に好ましくは０．０５〜５ｍｏｌ％である。
【００３８】
ポリカーボネートの常套の添加剤を、更に本発明によるポリカーボネートに常套の量で添加してもよい。添加剤の添加は、使用または色の継続時間を長くし（安定剤）、処理を単純にし（例えば、離型剤、流動助剤、帯電防止剤）、または特定のストレスに対するポリマーの特性を適合させる（耐衝撃性改良剤、例えばゴム；防炎加工剤、着色剤、ガラス繊維）のに役立つ。
【００３９】
これらの添加剤は、ポリマー溶融物に単独でまたは所望の混合物でまたはいくつかの異なる混合物で、かつ特に直接ポリマーの単離においてまたはいわゆる配合工程におけるグラニュールの溶融後添加し得る。これに関連して、添加剤またはそれらの混合物をポリマー溶融物に固体として、すなわちパウダーとして、または溶融物として添加し得る。計量添加の他のタイプは、添加剤または添加剤混合物のマスターバッチまたはマスターバッチ混合物の使用である。
【００４０】
好適な添加剤は、例えば、“Ａｄｄｉｔｉｖｅｓ ｆｏｒ Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｊｏｈｎ Ｍｕｒｐｈｙ、Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、オックスフォード、１９９９年”および“Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ａｄｄｉｔｉｖｅｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｈａｎｓ Ｚｗｅｉｆｅｌ、Ｈａｎｓｅｒ、ミュンヘン、２００１年”に開示されている。
【００４１】
好ましい熱安定剤は、例えば、有機ホスフィット、ホスホネートおよびホスファン、通常有機基が完全にまたは部分的に任意に置換されていてもよい芳香族基からなる。使用されるＵＶ安定剤は、例えば、置換ベンゾトリアゾールである。これらおよび他の安定剤は、単独でまたは組み合わせて使用して上述の形態のポリマーに添加してもよい。
【００４２】
更に、加工助剤、例えば、離型剤、通常長鎖脂肪酸の誘導体を添加してもよい。例えば、ペンタエリトリトールテトラステアレートおよびグリセロールモノステアレートが好ましい。それらは、それ自体または混合物で、好ましくは組成物の重量に基づいて０．０２〜１ｗｔ．％の量で使用される。
【００４３】
好適な難燃添加剤は、ホスフェートエステル、すなわちトリフェニルホスフェート、レソルシノール二リン酸エステル、臭素含有化合物、例えば臭化リン酸エステル、臭化オリゴカーボネートおよびポリカーボネート、および好ましくはフッ化有機スルホン酸の塩ある。
【００４４】
好適な耐衝撃性改良剤は、例えば、少なくとも一種類のポリブタジエンゴム、アクリレートゴム（好ましくはエチルまたはブチルアクリレートゴム）、エチレン／プロピレンゴム、から選択される一種類以上のグラフトーベース、およびスチレン、アクリロニトリルまたはアルキルメタクリレート（好ましくはメチルメタクリレート）からなる群からの少なくとも一種類モノマーから選択されるグラフトモノマーを含有するグラフトポリマー、またはメチルメタクリレートまたはスチレン／アクリロニトリルにグラフトした相互貫入シロキサンおよびアクリレートネットワークである。
【００４５】
更に、着色剤、例えば有機色素または顔料もしくは無機顔料またはＩＲ吸収剤を単独で、混合物でまたは更に安定剤、ガラス繊維、ガラス（中空）ビーズまたは無機充填材との組み合わせで添加してもよい。
【００４６】
本発明によるポリカーボネートは、更に式（４）
【化４】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４ は、式（１）に関して定めたものと同じ意味を有する）
のカルバメート化合物を含有し得る。
【００４７】
式（４）のカルバメート化合物の含量を、水酸化ナトリウム溶液を用いるアルカリ加水分解後にＨＰＬＣを用いてアセトン抽出物において測定し、概して０．２〜５００ｐｐｍ、好ましくは０．２〜４００ｐｐｍ、特に好ましくは０．２〜３００ｐｐｍである（更に実施例も参照）。
【００４８】
本出願は、更に本発明によるポリカーボネートから得られる押出品および成形品、特に透明な製品の分野での使用、より特に光学的使用の分野、への押出品および成形品、例えば、シート、多層シート、グレージング、拡散板、ランプカバーまたは光学データ記憶装置、例えば種々の読み取り専用または追記型および更に要すれば書換可能な態様でオーディオＣＤ、ＣＤ−Ｒ（Ｗ）、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ（Ｗ）およびミニディスク、を提供する。
【００４９】
本発明は、更に押出品および成形品の製造への本発明によるポリカーボネートの使用を提供する。
【００５０】
更なる用途は、例えば、以下のものであるが、これは本発明の対象を限定するものではない。
１．建物、乗り物および航空機の多くの領域で必要なもの、およびヘルメットのバイザーとして知られている、セイフティパネル、
２．フィルム、
３．吹込成形品（例えばＵＳ−Ａ ２ ９６４ ７９４参照）、例えば１〜５ガロンの採水器、
４．透明のシート、例えばソリッドシート（ｓｏｌｉｄ ｓｈｅｅｔ）または特に中空室シート（ｈｏｌｌｏｗ ｃｈａｍｂｅｒ ｓｈｅｅｔ）、例えば建物（例えば、鉄道停車場、温室および照明装置）をカバーするもの、
５．光学データ記憶媒体、例えばオーディオＣＤ、ＣＤ−Ｒ（Ｗ）、ＤＣＤ、ＤＶＤ−Ｒ（Ｗ）、ミニディスク、および次世代製品、
６．信号灯のハウジングまたは交通標識、
７．要すれば表面に印刷可能な、連続気泡または独立気泡フォーム、
８．糸およびワイヤ（更にＤＥ−Ａ １１ ３７ １６７参照）、
９．照明の適用（ｌｉｇｈｔｉｎｇ ｕｓｅ）、任意にガラス繊維を半透明の製品の領域において適用に使用してもよい、
１０．透明光散乱性成形品の製造用の所定の量の硫酸バリウムおよび／または二酸化チタンおよび／または二酸化ジルコニウムまたは有機ポリマーアクリレートゴムを含む半透明の配合物（ＥＰ−Ａ ０ ６３０ ４４５；ＥＰ−Ａ ０ ２６９ ３２４）、
１１．ガラス繊維を有し、かつ要すれば更に二硫化モリブデンを１〜１０ｗｔ．％（全成形組成物に基づく）含むポリカーボネートが要すれば使用される精密射出成形品、例えば、ホルダー（例えばレンズホルダー）、
１２．光学機器の部品、特に写真用カメラおよびフィルムカメラ用レンズ（ＤＥ−Ａ ２７ ０１ １７３）、
１３．光透過性キャリヤー、特に光ケーブル（ｌｉｇｈｔ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｃａｂｌｅ）（ＥＰ−Ａ ０ ０８９ ８０１）および光ストリップ（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ ｃｏｖｅｒ ｓｔｒｉｐ）、
１４．導電体用およびプラグハウジングおよびプラグコネクター並びにコンデンサ用電気絶縁材料、
１５．携帯電話のハウジング、
１６．ネットワークインターフェース装置、
１７．有機光伝導体用キャリヤー材料、
１８．ランプ、ヘッドライト、光拡散体または内部レンズ、
１９．医療的用途、例えば人工肺、透析装置、
２０．食品用途、例えば、ボトル、台所用品およびチョコレートの型、
２１．自動車分野における用途、例えばグレージングまたはＡＢＳとのブレンドの形態のバンパー、
２２．スポーツ用品、例えばスラロームポール（ｓｌａｌｏｍ ｐｏｌｅ）、スキーブーツバックル、
２３．家庭用品、例えば、キッチンシンク、洗面台、郵便受け、
２４．ハウジング、例えば、配電盤、
２５．電気装置（例えば、歯ブラシ、ヘアドライヤー、コーヒーマシーンおよび工具、例えば、ドリル、フライス盤、平削り盤およびのこぎり）のハウジング、
２６．洗濯機覗き窓、
２７．保護眼鏡、サングラス、矯正眼鏡およびそのレンズ、
２８．ランプカバー、
２９．包装フィルム、
３０．チップ入れ、チップキャリア、シリコンウェーハーのボックス、
３１．その他の用途、例えば肥育馬屋の戸または動物の檻。
【実施例】
【００５１】
実施例
アセトン抽出物におけるカルバメート含量の測定方法を以下に示す。
【００５２】
アセトン抽出物中における式（１）のカルバメートビスフェノールＡオリゴマーの濃度を以下のように測定する。
【００５３】
抽出物５０ｍｇをアセトニトリル５０ｍｌ中に溶解する。この溶液１０μｌをＨＰＬＣに注入する。検出を所望の通りダイオードアレイ検出器（ＤＡＤ）、蛍光検出器（ＦＬＤ）または質量分析（ＭＳ）を用いて行う。較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００５４】
対応する射出成形品（これは光ディスクである）の場の強度の測定方法は以下の通りである。
【００５５】
電場強度の測定に関して、Ｅｌｔｅｃ社製のフィールドメーター（ｆｉｅｌｄ ｍｅｔｅｒ）（ＥＭＦ ５８１２３０）を使用する。射出成形処理の終了直後に、成形品（ディスク）を取り除き、ロボットアームを介して置く。この手順の間、ディスクを金属と接触させてはならない。なぜなら、さもなければ測定が妨げられるからである。更に、存在する全てのイオナイザーのスイッチを切らなければならない。
【００５６】
フィールドメーターを平行なディスク表面から１００ｍｍ上の距離に配置する。フィールドメーターの中心を目下測定されるディスクにおけるその突起がディスク中央の３９ｍｍ外側に存在するように配置する。このディスクをこの手順の間動かさない。射出成形処理の終了後に３〜１０秒間このように場を測定する。
【００５７】
この測定装置を特定の値がプリントアウトされるｘ／ｙレコーダーに接続する。従って、測定される各ディスクに電場の特定の全体値（ｉｎｔｅｇｒａｌ ｖａｌｕｅ）を与える。データ量を制限するため、この処理の開始後、測定を１００回行う（すなわち、最初の１００ディスクの対応する電場を記録する）。６０分経過毎に、更に１００回測定を行う。４セット目の測定後、すなわち、約３時間後、測定を終える。
【００５８】
測定を行う時、測定中の大気湿度を３０〜６０％、好ましくは３５〜５０％、かつ室温を２５〜２８℃にするべきである。
【００５９】
この方法において、光ディスク表面における電場をプローブを用いて射出成形処理後直接測定する。従って、ディスクは電場が１８ｋＶ／ｍを超える場合書き込みが困難であると考えられている。
【００６０】
実施例１
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシカルボニルオキシ）−１’−（ピペリジンカルボン酸）４，４’−イソプロピリデンジフェニルエステルの製造
最初に、イソプロピリデンジフェニルビスクロロカーボネート９．３０ｇ（０．０２５ｍｏｌ）をアルゴン下において塩化メチレン１５０ｍｌ中に導入し、この混合物を０℃に冷却する。Ｎ−エチルピペリジン４８．４９ｇ（０．４２８ｍｏｌ）を塩化メチレン２０ｍｌ中に溶解し、この溶液を０℃においてビスクロロカーボネート溶液に滴下する。次に塩化メチレン１０ｍｌ中に溶解したｔｅｒｔ−ブチルフェノール３．７６ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を０℃においてこの溶液に滴下する。この混合物を室温にし、３時間撹拌する。その後、真空中で溶媒を除去する。残留物をトルエン５００ｍｌ中で沸騰させ、熱濾過する。冷却するとすぐに結晶が母液中に沈殿する。母液を濾過し、濃縮する（９５℃、２５ｍｂａｒ）。高粘度赤色油１３．２ｇを得る。この油をエチルアセテート１００ｍｌ中に溶解し、シリカゲル１０ｇ（ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ ６０；０．０４〜０．０６３μｍ、Ｍｅｒｃｋ １０９３８５／Ｌｔ：９４８ ７８５ ２０３）の添加後、この混合物を濃縮し、シリカゲルカラム（カラムφ５ｃｍ、充填高約２５ｃｍ）に導入する。ｎ−ヘキサン／エチルアセテート：（９：１）の混合溶媒を用いるクロマトグラフィー後、ガラス質の固体２．３ｇを得る。
【００６１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝７．４−７．３８（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．２３（ｍ，２Ｈ），７．２２−７．１３（ｍ，６Ｈ），７．０３−６．９８（ｍ，２Ｈ），３．６５−３．４５（ｍ，４Ｈ），１．７０−１．５５（ｍ，６Ｈ），１．６６（ｓ，６Ｈ），１．３２（ｓ，９Ｈ）．
【００６２】
実施例２
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシカルボニルオキシ）−１’−（４，４’−イソプロピリデンジフェニル）Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバメートの製造
最初にイソプロピリデンジフェニルビスクロロカーボネート５．０ｇ（０．０１３ｍｏｌ）を０℃、アルゴン下において塩化メチレン１００ｍｌ中に導入する。塩化メチレン３０ｍｌ中に溶解されたトリエチルアミン４．２９ｇ（０．０４２ｍｏｌ）を０℃においてこの溶液に滴下する。次に塩化メチレン３０ｍｌ中に溶解されたｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．０２ｇ（０．０１３ｍｏｌ）を滴下する。この混合物を室温にし、３時間撹拌する。その後、この溶媒を真空中で除去する。残留物をトルエン５００ｍｌ中において沸騰する温度まで温め、熱濾過する。
【００６３】
溶媒を真空中で除去する。粗生成物をシリカゲル（高さ：１６ｃｍ、φ５ｃｍ、移動相ｎ−ヘキサン／ＥＥ ９：１）でクロマトグラフする。
【００６４】
黄色高粘度樹脂２．１ｇを得る。
【００６５】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝７．４５−７．３８（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．１５（ｍ，８Ｈ），７．０５−６．９８（ｍ，２Ｈ），３．５０−３．３０（ｍ，４Ｈ），１．６７（ｓ，６Ｈ）,１．３２（ｓ，９Ｈ），１．２８−１．１５（ｍ，６Ｈ）．
【００６６】
実施例３
ピペリジンカルボン酸４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−フェニルエステルの製造
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシカルボニルオキシ）−１’−（ピペリジンカルボン酸）４，４’−イソプロピリデンジフェニルエステル０．５ｇをＴＨＦ２０ｇに溶解し、３２％強度の水酸化ナトリウム溶液０．５ｇおよび水５ｇを添加し、振とうしながら加水分解を一晩（少なくとも１５時間）行う。
【００６７】
ワークアップ（ｗｏｒｋｉｎｇ ｕｐ）：
ＴＨＦ溶液の水性相を分離し、有機相を濃縮する。残留物をジエチルエーテルにテークアップし、混合物を水で数回洗う。この有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥し、乾燥剤を濾別し、溶媒を真空中で除去する。粗生成物１．４６ｇを得、この生成物をシリカゲル（ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ ６０；０．０４〜０．０６３μｍ；Ｍｅｒｃｋ １０９３８５／Ｌｔ：９４８ ７８５ ２０３）でヘキサン／エチルアセテート（９：１）の混合溶媒を用いてクロマトグラフする（カラムφ５ｃｍ、充填高約２５ｃｍ）。次の過程において、ヘキサン／エチルアセテート（５：１）を溶媒混合物として使用する。白色固体１．０ｇを得る。
【００６８】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝７．２０−７．１５（ｍ，２Ｈ），７．１０−７．０５（ｍ，２Ｈ），７．０２−６．９５（ｍ，２Ｈ），６．７５−６．６８（ｍ，２Ｈ），３．６５−３．４５（ｍ，４Ｈ），１．６３（ｓ，６Ｈ）．
【００６９】
実施例４
ジエチルカルバミン酸４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−フェニルエステルの製造
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシカルボニルオキシ）−１’−（４，４’−イソプロピリデンジフェニル）Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバメート０．５ｇをＴＨＦ２０ｇ中に溶解し、３２％強度の水酸化ナトリウム溶液０．５ｇおよび水５ｇを添加し、この混合物を一晩（少なくとも１５時間）振とうしながら加水分解する。
【００７０】
ワークアップ：
ＴＨＦ溶液の水性相を分離し、有機相を濃縮する。残留物をジエチルエーテルにテークアップし、混合物を水で数回洗う。有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥し、乾燥剤を濾別し、溶媒を真空中で除去する。粗生成物をシリカゲル（ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ ６０；０．０４〜０．０６３μｍ；Ｍｅｒｃｋ １０９３８５／Ｌｔ：９４８ ７８５ ２０３）上でヘキサン／エチルアセテート（９：１）混合溶媒を用いてクロマトグラフする（カラムφ３ｃｍ、充填高約２５ｃｍ）。次の過程において、ヘキサン／エチルアセテート（１：１）を溶媒混合物として使用する。白色固体０．２９ｇを得る。
【００７１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ ＣＤＣｌ３）δ＝７．２６−７．２２（ｍ，２Ｈ），７．１２−７．０８（ｍ，２Ｈ），７．０４−６．９８（ｍ，２Ｈ），６．７２−６．６８（ｍ，２Ｈ），３．５５−３．３５（ｍ，４Ｈ），１．６７（ｓ，６Ｈ），１．３５−１．１５（ｍ，６Ｈ）．
【００７２】
実施例５
ポリカーボネートの製造を既知の相界面法により行う。これを連続法により行う。
【００７３】
ビスフェノーレート溶液（ビスフェノールＡ；アルカリ含量２．１２ｍｏｌ ＮａＯＨ／ｍｏｌ ＢＰＡ）を７５０ｋｇ／ｈ（１４．９３ｗｔ．％）、溶媒（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１）を６４６ｋｇ／ｈおよびホスゲンを５６．４ｋｇ／ｈで反応器に供給し、反応する。反応器中の温度は３５℃である。水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を９．９７ｋｇ／ｈで更に計量添加する。縮合反応の過程において、第二の量の水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を２９．２７ｋｇ／ｈおよび連鎖停止剤の溶液（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１中ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１１．７ｗｔ．％）を３４．１８ｋｇ／ｈで計量添加する。その後、塩化メチレン／クロロベンゼン（１：１）に溶解されたＮ−エチルピペリジン（２．９５ｗｔ．％）を３３．０ｋｇ／ｈで触媒として供給する。相を分離し、有機相を希塩化水素酸で一回、水で五回洗浄する。次にポリカーボネート溶液を濃縮し、更に蒸発器において濃縮し、ポリマー溶融物を脱蔵押出機を通して分離し、粗砕する。
【００７４】
このように製造されるポリカーボネート（表１参照）３００ｇをアセトン５００ｍｌ（Ｆｌｕｋａ，ＵＶ分光用ＡＣＳ）を用いてソックスレー抽出する。抽出量は約５ｇである。抽出物５０ｍｇをアセトニトリル５０ｍｌに溶解し、この溶液１０μｌをＨＰＬＣに注入する。ＭＳにより検出を行う。実施例１の基準物質を使用して較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００７５】
このポリカーボネート試料における実施例１のカルバメート化合物の含量は１６０ｍｇ／ｋｇ（１６０ｐｐｍ）である。
【００７６】
実施例６
比較例
ポリカーボネートの製造を実施例５に記載されているように行う。しかしながら、ビスフェノレート溶液（ビスフェノールＡ）を７５０ｋｇ／ｈ（１４．９３ｗｔ．％）、溶媒（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１）を６４６ｋｇ／ｈおよびホスゲンを５８．２５ｋｇ／ｈで反応器に供給する。水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を１２．３４ｋｇ／ｈで更に計量添加する。第二の量の水酸化ナトリウム溶液は３６．２０ｋｇ／ｈであり、実施例５において述べた濃度において連鎖停止剤の量は３４．１８ｋｇ／ｈである。触媒の量は３３ｋｇ／ｈである。ワークアップを実施例５に記述されているように行う。
【００７７】
このポリカーボネート（表１参照）３００ｇをアセトン（Ｆｌｕｋａ ＵＶ分光用ＡＣＳ）５００ｍｌを用いてソックスレー抽出する。抽出量は約５ｇである。抽出物５０ｍｇをアセトニトリル５０ｍｌ中に溶解し、この溶液１０μｌをＨＰＬＣに注入する。ＭＳにより検出を行う。実施例１の基準物質を使用して較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００７８】
このポリカーボネート試料中の実施例１のカルバメート化合物の含量は、６００ｍｇ／ｋｇ（６００ｐｐｍ）である。
【００７９】
実施例７
ポリカーボネートの製造を既知の相界面法により行う。これは連続法により行う。
【００８０】
ビスフェノレート溶液（ビスフェノールＡ；アルカリ含量２．１２ｍｏｌ ＮａＯＨ／ｍｏｌ ＢＰＡ）を７５０ｋｇ／ｈ（１４．９３ｗｔ．％）、溶媒（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１）を６４６ｋｇ／ｈおよびホスゲンを５６．４ｋｇ／ｈで反応器に供給し、反応させる。反応器中の温度は３５℃である。水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を９．９７ｋｇ／ｈで更に計量添加する。縮合反応の過程において、第二の量の水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を２９．２７ｋｇ／ｈおよび連鎖停止剤の溶液（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１中ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１１．７ｗｔ．％）を３４．１８ｋｇ／ｈで計量添加する。その後、塩化メチレン／クロロベンゼン（１：１）中に溶解したＮ−エチルピペリジン（２．９５ｗｔ．％）を３３．０ｋｇ／ｈで触媒として供給する。この相を分離し、有機相を希塩化水素酸で一回、水で五回洗浄する。次にポリカーボネート溶液を濃縮し、更に蒸発器において濃縮し、ポリマー溶融物を脱蔵押出機を通して分離し、粗砕する。
【００８１】
この方法により製造されたポリカーボネート（表１参照）３００ｇをアセトン（Ｆｌｕｋａ ＵＶ分光用ＡＣＳ）５００ｍｌを用いてソックスレー抽出する。抽出物約５ｇを得る。抽出物５０ｍｇをＴＨＦ２ｇに溶解し、３２％強度水酸化ナトリウム溶液０．１９ｍｇおよび水０．５ｇを添加し、振とうしながら加水分解を一晩（少なくとも１５時間）行う。加水分解後、溶液を塩化水素酸を用いて酸性化し、ＴＨＦを用いて５ｍｌにする。この溶液１５μｌをＨＰＬＣに注入する。検出をＦＬＤにより行う。
【００８２】
実施例３の基準物質を使用して較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００８３】
このポリカーボネート試料中の実施例３のカルバメート化合物の含量は、２２０ｍｇ／ｋｇ（２２０ｐｐｍ）である。
【００８４】
実施例８
比較例
ポリカーボネートの製造を実施例７に記載しているように行う。しかしながら、ビスフェノレート溶液（ビスフェノールＡ）を７５０ｋｇ／ｈ（１４．９３ｗｔ．％）、溶媒（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１）を６４６ｋｇ／ｈおよびホスゲンを５８．２５ｋｇ／ｈで反応器に供給する。水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を１２．３４ｋｇ／ｈで更に計量添加する。第二の量の水酸化ナトリウム溶液は３６．２０ｋｇ／ｈであり、連鎖停止剤の量は実施例５において述べた濃度において３４．１８ｋｇ／ｈである。触媒の量は３３ｋｇ／ｈである。ワークアップは実施例７において記述されているように行う。
【００８５】
このポリカーボネート（表１参照）３００ｇをアセトン（ドイツ国のＦｌｕｋａ，ＵＶ分光用ＡＣＳ）５００ｍｌを用いてソックスレー抽出する。この抽出物含量は約５ｇである。この抽出物５０ｍｇをＴＨＦ２ｇ中に溶解し、３２％強度水酸化ナトリウム溶液０．１９ｇおよび水０．５ｇを添加し、振とうしながら加水分解を一晩（少なくとも１５時間）行う。加水分解後、溶液を塩化水素酸を用いて酸性化し、ＴＨＦを用いて５ｍｌにする。１５μｌをＨＰＬＣに注入する。検出をＦＬＤにより行う。
【００８６】
実施例３の基準物質を使用して較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００８７】
このポリカーボネート試料における実施例３のカルバメート化合物の含量は、１，２００ｍｇ／ｋｇ（１，２００ｐｐｍ）である。
【００８８】
表１
【００８９】
表からわかるように、本発明によるポリカーボネートは記述された範囲内にカルバメート濃度を示し、良好な静電特性に関連する。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明な射出成形品の製造用、特に被覆される射出成形品の製造用の基材物質としてのポリカーボネート、および本発明によるポリカーボネートから得られる成形品を提供する。成形品は、例えば、透明なシート、レンズ、光学記憶媒体もしくは光学記憶媒体用キャリヤーまたは更に車のグレージングの分野からの物品、例えば、光散乱板であり得る。本発明は、特に良好な被覆能力および湿潤性を有し、かつ例えば、溶液から、特に非極性媒体からの色素の適用に好適である光学記憶媒体または光学記憶媒体用キャリヤー、例えば書き込み可能な光学データ記憶装置、を提供する。更に、本発明によるポリカーボネートの光学射出成形品は、比較的汚れる傾向が少ない。
【背景技術】
【０００２】
透明な射出成形品は、グレージングおよび記憶媒体の分野においてとりわけ重要である。
【０００３】
光学データ記憶媒体は、ますます様々な大量のデータ用記録および／または保管媒体として使用されている。このタイプの光学データ記憶装置の例は、ＣＤ、スーパーオーディオＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷおよびＢＤである。
【０００４】
透明な熱可塑性樹脂、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートおよびそれらの化学変性体が光学記憶媒体に典型的に使用されている。基材物質としてのポリカーボネートは、特に追記型（ｗｒｉｔｔｅｎ ｔｏ ｏｎｃｅ ａｎｄ ｒｅａｄ ｓｅｖｅｒａｌ ｔｉｍｅｓ）光ディスク、および更に書換型（ｗｒｉｔｔｅｎ ｔｏ ｓｅｖｅｒａｌ ｔｉｍｅｓ）光ディスク、および車のグレージングの分野からの成形品、例えば光散乱板の製造に好適である。この熱可塑性樹脂は、優れた機械的安定性を有し、寸法変化を受けにくく、かつ高い透明度および衝撃強さが卓越している。
【０００５】
相界面法により製造されるポリカーボネートは、上記フォーマットの光学データ記憶装置、例えばコンパクトディスク（ＣＤ）またはデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）の製造に使用され得る。これらのディスクはしばしば射出成形法におけるその製造中に高い電場を形成する性質を有する。光学データ記憶装置の製造中、基材上のこの高い場の強度は、例えば環境からのダスト誘引の原因になったり射出成形物品（例えばディスク）が互いに他着する原因になったりし、このことは完成射出成形物品の質を低下させ、射出成形工程を困難にする。
【０００６】
静電帯電、特に（光学データキャリヤー用）ディスクの静電帯電は、とりわけ非極性媒体（例えば非極性色素）の不十分な湿潤性や溶媒（例えばジブチルエーテル、エチルシクロヘキサン、テトラフルオロプロパノール、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンまたはオクタフルオロプロパノール）からの色素の不十分な被覆の原因になることが更に知られている。従って、書き込み可能なデータ記憶装置への色素の塗布中の基材表面における高い電場は、例えば色素の不規則な被覆の原因になり、それゆえに情報層における欠陥の原因になる。
【０００７】
基材物質の静電帯電の程度は、例えば基材表面から特定の距離における電場の測定により測定し得る。
【０００８】
例えば色素成分がスピンコート法で表面に塗布される光学データ記憶装置の場合、書き込み可能層の均一塗布を保証し、問題のない製造工程を確実するためには低い絶対電場強度が必要である。
【０００９】
更に、高い静電場は上記の事のため、基材物質に関して収量の損失の原因になる。このことは、特定の製造工程停止の原因になり、コスト高に関連する。
【００１０】
この高帯電の問題を解決するために、いくつかのセットアップが行われてきた。一般的に、基材物質に帯電防止剤を添加剤として添加する。帯電防止ポリカーボネート組成物は、例えばＪＰ ６２ ２０７ ３５８−Ａに開示されている。ここでは、とりわけリン酸誘導体をポリカーボネートに帯電防止剤として添加している。ＥＰ ０９２２ ７２８は、様々な帯電防止剤、例えばポリアルキレングリコール誘導体、エトキシ化ソルビタンモノラウレート、ポリシロキサン誘導体、ホスフィンオキサイドおよびジステアリルヒドロキシアミン（これらは単独で使用または混合物として使用される）を開示している。日本国出願ＪＰ ６２ ２０７ ３５８は、亜リン酸のエステルを添加剤として開示している。米国特許第５，６６８，２０２号は、スルホン酸誘導体を開示している。ＷＯ ００／５０４８８において、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールが相界面法における連鎖停止剤として使用されている。この連鎖停止剤は、常套の連鎖停止剤と比較して対応する基材物質の低い帯電をもたらす。ＪＰ ６２ ２０７ ３５８−Ａはポリエチレン誘導体およびポリプロピレン誘導体をポリカーボネートの添加剤として開示している。
【００１１】
しかしながら、上記添加剤は更に基材物質の性質に悪影響も有し得る。なぜなら、上記添加剤がこの物質から移行する、すなわち、表面へ（ｔｏ．．． ｔｈｅ ．．． ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ）、傾向があるからである。このことは実際帯電防止性に望ましい効果であるが、沈着物（ｄｅｐｏｓｉｔ）や問題のある複写の形成の原因となり得る。更に、ポリカーボネートにおけるオリゴマーの含量が、更に機械的性質の低いレベルおよびガラス転移温度の低下の原因となり得る。更に、これらの添加剤は副反応を起こし得る。続くエステル交換法により得られたポリカーボネートの「エンドキャッピング」は不経済であり、かつ達成される結果は最適ではない。この物質への新しい末端基の導入は、コスト高に関連する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、基材表面における場の強さの要求（できるだけ低い）に合い、かつ上記不都合の発生を防止する組成物または基材物質を提供する事が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
驚くべき事に、この目的は、光学データ記憶装置の製造に、低い分子量含量で特になるべく少しの不適当な構造、特になるべく少しの溶媒抽出物中に蓄積し得る特定構造のカルバメート化合物を含む物質を使用する事により達成された。
【００１４】
基材物質中に一定量のカルバメート化合物が添加剤の添加、前駆体の汚染または製造工程それ自体により生じ得る。
【００１５】
本発明は、基材物質として、式（１）
【化１】
（式中、
Ｒ１およびＲ２ は互いに独立して水素またはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、好ましくはメチル、エチル、プロピル、イソプロピルまたはブチルであるか、または
Ｒ１およびＲ２ は全体でＣ４〜Ｃ１２−アルキリデン、好ましくはＣ４〜Ｃ８−アルキリデン、特に好ましくはＣ４〜Ｃ５−アルキリデンであり、
Ｒ３およびＲ４ は互いに独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、好ましくはＣ１〜Ｃ８−アルキル、またはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４はそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成し、かつ
Ｒ５ は水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキル、フェニルまたはクミル、好ましくは水素、ｔｅｒｔ−ブチルまたはクミルである。）
から選択される一以上の化合物がＨＰＬＣを用いるクロマトグラフィーによるアセトン抽出物において０．２〜３００ｐｐｍ、好ましくは０．２〜２５０ｐｐｍ、特に好ましくは０．２〜２００ｐｐｍ測定されるポリカーボネートを提供する。
【００１６】
本発明によるポリカーボネートは、射出成形物品、好ましくは光ディスクへの加工後、低い静電帯電を示す。このことは光学記憶媒体の製造に特に重要である。
【００１７】
本発明によるポリカーボネート／基材物質は、好適な処理パラメータの選択により製造され得る。
【００１８】
式１または４の化合物の含量はいくつかの要因により影響され得る。例えば、反応物および補助物質の純度が重要である。更に、処理パラメータ、例えば使用されるビスフェノールとホスゲンとのモル比、反応中の温度、反応および滞留時間が決め手となり得る。当業者にとって、目的は、基材物質におけるカルバメート含量の本発明による範囲を超えないように処理を制御することである。
【００１９】
所望の基材物質を得るための処理パラメータの好適な選択を以下に示す。
【００２０】
常套の連続ポリカーボネート合成において、使用される全ビスフェノールに基づく使用されるホスゲンの過剰量は３〜１００ｍｏｌ％、好ましくは５〜５０ｍｏｌ％であるが、本発明による基材物質は過剰量のホスゲン５〜２０ｍｏｌ％、好ましくは８〜１７ｍｏｌ％を用いて製造される。この手順において、ホスゲンの計量添加中および計量添加後、続く水酸化ナトリウム溶液の計量添加一回もしくは数回または続く対応するビスフェノレート溶液の計量添加によって水性相のｐＨをアルカリの範囲、好ましくは８．５〜１２に保持するが、触媒の添加後、ｐＨを１０〜１４に調節する。ホスゲン化中の温度は０℃〜４０℃、好ましくは５℃〜３６℃である。
【００２１】
本発明によるポリカーボネートは、相界面法により製造される。このポリカーボネートの合成方法は、文献に多く開示されている（例えば一例としてＨ．Ｓｃｈｎｅｌｌ著、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｒｅｖｉｅｗｓ、第９巻、Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、ニューヨーク、１９６４年、３３頁以降、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｒｅｖｉｅｗｓ、第１０巻、“Ｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｂｙ Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ ａｎｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄｓ”、Ｐａｕｌ Ｗ．Ｍｏｒｇａｎ、Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、ニューヨーク、１９６５年、第ＶＩＩＩ章、３２５頁、Ｄｒ．Ｕ．Ｇｒｉｇｏ、Ｄｒ．Ｋ．ＫｉｒｃｈｅｒおよびＤｒ．Ｐ．Ｒ．Ｍｕｅｌｌｅｒ著、Ｂｅｃｋｅｒ／Ｂｒａｕｎ中の“Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ”、Ｋｕｎｓｔｓｔｏｆｆ−Ｈａｎｄｂｕｃｈ、第３／１巻、Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ，Ｐｏｌｙａｃｅｔａｌｅ，Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ，Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ−ｅｓｔｅｒ、Ｃａｒｌ Ｈａｎｓｅｒ Ｖｅｒｌａｇ Ｍｕｎｉｃｈ、ウィーン、１９９２年、１１８〜１４５頁およびＥＰ−Ａ ０ ５１７ ０４４参照。）。
【００２２】
この方法によると、最初に水性アルカリ溶液（または懸濁液）に投入したビスフェノール（または種々のビスフェノールの混合物）の二ナトリウム塩のホスゲン化を第二の相を形成する不活性有機溶媒または溶媒混合物の存在下で行う。形成されたオリゴカーボネート、これは主に有機相に存在する、を好適な触媒の酸を用いて縮合反応させて有機相に溶解される高分子量ポリカーボネートを生じる。最後に、有機相を分離し、ポリカーボネートを種々のワークアップ工程（ｗｏｒｋｉｎｇ ｕｐ ｓｔｅｐ）によりそこから単離する。
【００２３】
ポリカーボネートの製造に好適なジヒドロキシアリール化合物は、式（２）
ＨＯ−Ｚ−ＯＨ （２）
（式中、
Ｚ は一以上の芳香核を有してもよく、置換されていてもよく、かつ脂肪族もしくは脂環式基またはアルキルアリールまたはヘテロ原子を架橋員として含んでもよい、炭素原子を６〜３０個有する芳香族基である。）
のジヒドロキシアリール化合物である。
【００２４】
好ましくは、式（２）におけるＺは、式（３）
【化２】
（式中、
Ｒ６およびＲ７ は互いに独立してＨ、Ｃ１〜Ｃ１８−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１８−アルコキシ、ハロゲン（例えばＣｌまたはＢｒ）、または任意に置換されていてもよいアリールまたはアラルキル、好ましくはＨまたはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはＨまたはＣ１〜Ｃ８−アルキル、より特に好ましくはＨまたはメチルであり、かつ
Ｘ は単結合、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、好ましくはメチルまたはエチルで置換されていてもよいＣ１〜Ｃ６−アルキレン、Ｃ２〜Ｃ５−アルキリデンまたはＣ５〜Ｃ６−シクロアルキリデン、および更に任意にヘテロ原子を含む別の芳香環が縮合していてもよいＣ６〜Ｃ１２−アリーレンである。）
の基である。
【００２５】
好ましくは、Ｘは単結合、Ｃ１〜Ｃ５−アルキレン、Ｃ２〜Ｃ５−アルキリデン、Ｃ５〜Ｃ６−シクロアルキリデン、−Ｏ−、−ＳＯ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−
または式（３ａ）または（３ｂ）
【化３】
（式中、
Ｒ８およびＲ９ は各Ｘ１に関して個々に選択されてもよく、互いに独立して水素またはＣ１〜Ｃ６−アルキル、好ましくは水素、メチルまたはエチルであり、
Ｘ１ は炭素であり、かつ
ｎ は４〜７の整数、好ましくは４または５、但し少なくとも一つの原子Ｘ１においてＲ８およびＲ９が同時にアルキルである。）
の基である。
【００２６】
ジヒドロキシアリール化合物の例は、ジヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシジフェニル、ビス−（ヒドロキシフェニル）−アルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）−シクロアルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）−アリール、ビス−（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス−（ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホキシド、１，１’−ビス−（ヒドロキシフェニル）−ジイソプロピルベンゼンおよびそれらの核アルキル化化合物および核ハロゲン化化合物である。
【００２７】
本発明による使用されるポリカーボネートの製造に好適なジフェノールは、例えば、ヒドロキノン、レソルシノール、ジヒドロキシジフェニル、ビス−（ヒドロキシフェニル）−アルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）−シクロアルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス−（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス−（ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホキシド、α，α’−ビス−（ヒドロキシフェニル）−ジイソプロピルベンゼンおよびそれらの核アルキル化化合物および核ハロゲン化化合物である。
【００２８】
好ましいジフェノールは、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニル−プロパン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−フェニル−エタン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，３−ビス−［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン（ビスフェノールＭ）、２，２−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−メタン、２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，４−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，３−ビス−［２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］−ベンゼンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）である。
【００２９】
特に好ましいジフェノールは、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−フェニル−エタン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）である。
【００３０】
これらおよび別の好適なジフェノールは、例えば、ＵＳ−Ａ ２ ９９９ ８３５、３ １４８ １７２、２ ９９１ ２７３、３ ２７１ ３６７、４ ９８２ ０１４および２ ９９９ ８４６、ドイツ国公開特許第１ ５７０ ７０３号、第２ ０６３ ０５０号、第２ ０３６ ０５２号、第２ ２１１ ９５６号および第３ ８３２ ３９６号、フランス国特許明細書第１ ５６１ ５１８号、モノグラフ“Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌ著、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ、Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、ニューヨーク、１９６４年、２８頁以下；１０２頁以下”、および“Ｄ．Ｇ．Ｌｅｇｒａｎｄ、Ｊ．Ｔ．Ｂｅｎｄｌｅｒ著、Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ ニューヨーク、２０００年、７２頁以下”に開示されている。
【００３１】
ホモポリカーボネートの場合、一種類のジフェノールのみが使用され、コポリカーボネートの場合、二種類以上のジフェノールが使用される。使用されるジフェノールは、合成に添加される他の化学物質および補助物質と同様に、それ自身の合成、取り扱いおよび保管由来の不純物が混合し得る。しかしながら、できるだけ純粋な原料を用いて処理することが望ましい。
【００３２】
分子量の調整に必要とされる単官能性連鎖停止剤、例えば、フェノールまたはアルキルフェノール、特にフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｉｓｏ−オクチルフェノール、クミルフェノール、それらのクロロ炭酸エステルまたはモノカルボン酸の酸塩化物またはこれらの連鎖停止剤の混合物は、どれも反応にビスフェノレートと共に供給されるか、または合成の所望の時点で（ホスゲンまたはクロロ炭酸末端基が反応混合物中に存在する間、または連鎖停止剤として酸塩化物およびクロロ炭酸エステルの場合、充分ポリマー形成のフェノール性末端基が利用可能な間）添加される。しかしながら、好ましくは連鎖停止剤はホスゲン化後、ホスゲンが既になく触媒がまだ計量添加されていない時ある位置においてまたはある時点において添加されるか、または触媒の前、触媒と共にまたはそれに平行して計量添加される。
【００３３】
通常連鎖停止剤の前に添加すること以外同様に、使用される分枝剤または分枝剤混合物を合成に添加する。トリスフェノール、四級フェノールまたはトリ−もしくはテトラカルボン酸の酸塩化物が通常使用されるか、または更にポリフェノールもしくは酸塩化物の混合物が使用される。
【００３４】
使用され得る三以上のフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物のいくつかは、例えば、
フロログルシノール、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−ヘプト−２−エン、
４，６−ジメチル−２，４，６−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−ヘプタン、
１，３，５−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−ベンゼン、
１，１，１−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−エタン、
トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルメタン、
２，２−ビス−［４，４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキシル］−プロパン、
２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル−イソプロピル）−フェノールおよび
テトラ−（４−ヒドロキシフェニル）−メタン
である。
【００３５】
他の三官能性化合物のいくつかは、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、塩化シアヌルおよび３，３−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドールである。
【００３６】
好ましい分枝剤は、３，３−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドールおよび１，１，１−トリ−（４−ヒドロキシフェニル）−エタンである。
【００３７】
相界面合成において使用される触媒は、三級アミン、特にトリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ−メチルピペリジンおよびＮ−ｉ／ｎ−プロピルピペリジン；四級アンモニウム塩、例えばテトラブチルアンモニウム／トリブチルベンジルアンモニウム／テトラエチルアンモニウム 水酸化物／塩化物／臭化物／硫酸水素塩／テトラフルオロボレート；およびアンモニウム化合物に対応するホスホニウム化合物である。これらの化合物は、文献に典型的な相界面触媒として開示されており、市販されており、かつ当業者によく知られている。この触媒は合成に単独で、混合物で、または更に並んでかつ連続して、要すれば更にホスゲン化前に添加され得るが、ホスゲンの導入後の計量添加が好ましい（但しオニウム化合物またはオニウム化合物の混合物が触媒と使用される場合を除く）。オニウム化合物またはオニウム化合物の混合物が使用される場合、ホスゲンの計量添加前の添加が好ましい。触媒の計量添加は、バルクにおいて、不活性溶媒、好ましくはポリカーボネート合成の溶媒において、または更に水性溶液として、かつ三級アミンの場合、その酸、好ましくは無機酸、特に塩化水素酸とのアンモニウム塩として行われ得る。いくつかの触媒が使用されるか、または触媒の総量の部分量が計量添加される場合、もちろん計量添加の異なる方法が更に異なる場所または異なる時間において行われてもよい。使用される触媒の総量は、使用されるビスフェノールのモルに基づいて０．００１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは０．０１〜８ｍｏｌ％、特に好ましくは０．０５〜５ｍｏｌ％である。
【００３８】
ポリカーボネートの常套の添加剤を、更に本発明によるポリカーボネートに常套の量で添加してもよい。添加剤の添加は、使用または色の継続時間を長くし（安定剤）、処理を単純にし（例えば、離型剤、流動助剤、帯電防止剤）、または特定のストレスに対するポリマーの特性を適合させる（耐衝撃性改良剤、例えばゴム；防炎加工剤、着色剤、ガラス繊維）のに役立つ。
【００３９】
これらの添加剤は、ポリマー溶融物に単独でまたは所望の混合物でまたはいくつかの異なる混合物で、かつ特に直接ポリマーの単離においてまたはいわゆる配合工程におけるグラニュールの溶融後添加し得る。これに関連して、添加剤またはそれらの混合物をポリマー溶融物に固体として、すなわちパウダーとして、または溶融物として添加し得る。計量添加の他のタイプは、添加剤または添加剤混合物のマスターバッチまたはマスターバッチ混合物の使用である。
【００４０】
好適な添加剤は、例えば、“Ａｄｄｉｔｉｖｅｓ ｆｏｒ Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｊｏｈｎ Ｍｕｒｐｈｙ、Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、オックスフォード、１９９９年”および“Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ａｄｄｉｔｉｖｅｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｈａｎｓ Ｚｗｅｉｆｅｌ、Ｈａｎｓｅｒ、ミュンヘン、２００１年”に開示されている。
【００４１】
好ましい熱安定剤は、例えば、有機ホスフィット、ホスホネートおよびホスファン、通常有機基が完全にまたは部分的に任意に置換されていてもよい芳香族基からなる。使用されるＵＶ安定剤は、例えば、置換ベンゾトリアゾールである。これらおよび他の安定剤は、単独でまたは組み合わせて使用して上述の形態のポリマーに添加してもよい。
【００４２】
更に、加工助剤、例えば、離型剤、通常長鎖脂肪酸の誘導体を添加してもよい。例えば、ペンタエリトリトールテトラステアレートおよびグリセロールモノステアレートが好ましい。それらは、それ自体または混合物で、好ましくは組成物の重量に基づいて０．０２〜１ｗｔ．％の量で使用される。
【００４３】
好適な難燃添加剤は、ホスフェートエステル、すなわちトリフェニルホスフェート、レソルシノール二リン酸エステル、臭素含有化合物、例えば臭化リン酸エステル、臭化オリゴカーボネートおよびポリカーボネート、および好ましくはフッ化有機スルホン酸の塩ある。
【００４４】
好適な耐衝撃性改良剤は、例えば、少なくとも一種類のポリブタジエンゴム、アクリレートゴム（好ましくはエチルまたはブチルアクリレートゴム）、エチレン／プロピレンゴム、から選択される一種類以上のグラフトーベース、およびスチレン、アクリロニトリルまたはアルキルメタクリレート（好ましくはメチルメタクリレート）からなる群からの少なくとも一種類モノマーから選択されるグラフトモノマーを含有するグラフトポリマー、またはメチルメタクリレートまたはスチレン／アクリロニトリルにグラフトした相互貫入シロキサンおよびアクリレートネットワークである。
【００４５】
更に、着色剤、例えば有機色素または顔料もしくは無機顔料またはＩＲ吸収剤を単独で、混合物でまたは更に安定剤、ガラス繊維、ガラス（中空）ビーズまたは無機充填材との組み合わせで添加してもよい。
【００４６】
本発明によるポリカーボネートは、更に式（４）
【化４】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４ は、式（１）に関して定めたものと同じ意味を有する）
のカルバメート化合物を含有し得る。
【００４７】
式（４）のカルバメート化合物の含量を、水酸化ナトリウム溶液を用いるアルカリ加水分解後にＨＰＬＣを用いてアセトン抽出物において測定し、概して０．２〜５００ｐｐｍ、好ましくは０．２〜４００ｐｐｍ、特に好ましくは０．２〜３００ｐｐｍである（更に実施例も参照）。
【００４８】
本出願は、更に本発明によるポリカーボネートから得られる押出品および成形品、特に透明な製品の分野での使用、より特に光学的使用の分野、への押出品および成形品、例えば、シート、多層シート、グレージング、拡散板、ランプカバーまたは光学データ記憶装置、例えば種々の読み取り専用または追記型および更に要すれば書換可能な態様でオーディオＣＤ、ＣＤ−Ｒ（Ｗ）、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ（Ｗ）およびミニディスク、を提供する。
【００４９】
本発明は、更に押出品および成形品の製造への本発明によるポリカーボネートの使用を提供する。
【００５０】
更なる用途は、例えば、以下のものであるが、これは本発明の対象を限定するものではない。
１．建物、乗り物および航空機の多くの領域で必要なもの、およびヘルメットのバイザーとして知られている、セイフティパネル、
２．フィルム、
３．吹込成形品（例えばＵＳ−Ａ ２ ９６４ ７９４参照）、例えば１〜５ガロンの採水器、
４．透明のシート、例えばソリッドシート（ｓｏｌｉｄ ｓｈｅｅｔ）または特に中空室シート（ｈｏｌｌｏｗ ｃｈａｍｂｅｒ ｓｈｅｅｔ）、例えば建物（例えば、鉄道停車場、温室および照明装置）をカバーするもの、
５．光学データ記憶媒体、例えばオーディオＣＤ、ＣＤ−Ｒ（Ｗ）、ＤＣＤ、ＤＶＤ−Ｒ（Ｗ）、ミニディスク、および次世代製品、
６．信号灯のハウジングまたは交通標識、
７．要すれば表面に印刷可能な、連続気泡または独立気泡フォーム、
８．糸およびワイヤ（更にＤＥ−Ａ １１ ３７ １６７参照）、
９．照明の適用（ｌｉｇｈｔｉｎｇ ｕｓｅ）、任意にガラス繊維を半透明の製品の領域において適用に使用してもよい、
１０．透明光散乱性成形品の製造用の所定の量の硫酸バリウムおよび／または二酸化チタンおよび／または二酸化ジルコニウムまたは有機ポリマーアクリレートゴムを含む半透明の配合物（ＥＰ−Ａ ０ ６３０ ４４５；ＥＰ−Ａ ０ ２６９ ３２４）、
１１．ガラス繊維を有し、かつ要すれば更に二硫化モリブデンを１〜１０ｗｔ．％（全成形組成物に基づく）含むポリカーボネートが要すれば使用される精密射出成形品、例えば、ホルダー（例えばレンズホルダー）、
１２．光学機器の部品、特に写真用カメラおよびフィルムカメラ用レンズ（ＤＥ−Ａ ２７ ０１ １７３）、
１３．光透過性キャリヤー、特に光ケーブル（ｌｉｇｈｔ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｃａｂｌｅ）（ＥＰ−Ａ ０ ０８９ ８０１）および光ストリップ（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ ｃｏｖｅｒ ｓｔｒｉｐ）、
１４．導電体用およびプラグハウジングおよびプラグコネクター並びにコンデンサ用電気絶縁材料、
１５．携帯電話のハウジング、
１６．ネットワークインターフェース装置、
１７．有機光伝導体用キャリヤー材料、
１８．ランプ、ヘッドライト、光拡散体または内部レンズ、
１９．医療的用途、例えば人工肺、透析装置、
２０．食品用途、例えば、ボトル、台所用品およびチョコレートの型、
２１．自動車分野における用途、例えばグレージングまたはＡＢＳとのブレンドの形態のバンパー、
２２．スポーツ用品、例えばスラロームポール（ｓｌａｌｏｍ ｐｏｌｅ）、スキーブーツバックル、
２３．家庭用品、例えば、キッチンシンク、洗面台、郵便受け、
２４．ハウジング、例えば、配電盤、
２５．電気装置（例えば、歯ブラシ、ヘアドライヤー、コーヒーマシーンおよび工具、例えば、ドリル、フライス盤、平削り盤およびのこぎり）のハウジング、
２６．洗濯機覗き窓、
２７．保護眼鏡、サングラス、矯正眼鏡およびそのレンズ、
２８．ランプカバー、
２９．包装フィルム、
３０．チップ入れ、チップキャリア、シリコンウェーハーのボックス、
３１．その他の用途、例えば肥育馬屋の戸または動物の檻。
【実施例】
【００５１】
実施例
アセトン抽出物におけるカルバメート含量の測定方法を以下に示す。
【００５２】
アセトン抽出物中における式（１）のカルバメートビスフェノールＡオリゴマーの濃度を以下のように測定する。
【００５３】
抽出物５０ｍｇをアセトニトリル５０ｍｌ中に溶解する。この溶液１０μｌをＨＰＬＣに注入する。検出を所望の通りダイオードアレイ検出器（ＤＡＤ）、蛍光検出器（ＦＬＤ）または質量分析（ＭＳ）を用いて行う。較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００５４】
対応する射出成形品（これは光ディスクである）の場の強度の測定方法は以下の通りである。
【００５５】
電場強度の測定に関して、Ｅｌｔｅｃ社製のフィールドメーター（ｆｉｅｌｄ ｍｅｔｅｒ）（ＥＭＦ ５８１２３０）を使用する。射出成形処理の終了直後に、成形品（ディスク）を取り除き、ロボットアームを介して置く。この手順の間、ディスクを金属と接触させてはならない。なぜなら、さもなければ測定が妨げられるからである。更に、存在する全てのイオナイザーのスイッチを切らなければならない。
【００５６】
フィールドメーターを平行なディスク表面から１００ｍｍ上の距離に配置する。フィールドメーターの中心を目下測定されるディスクにおけるその突起がディスク中央の３９ｍｍ外側に存在するように配置する。このディスクをこの手順の間動かさない。射出成形処理の終了後に３〜１０秒間このように場を測定する。
【００５７】
この測定装置を特定の値がプリントアウトされるｘ／ｙレコーダーに接続する。従って、測定される各ディスクに電場の特定の全体値（ｉｎｔｅｇｒａｌ ｖａｌｕｅ）を与える。データ量を制限するため、この処理の開始後、測定を１００回行う（すなわち、最初の１００ディスクの対応する電場を記録する）。６０分経過毎に、更に１００回測定を行う。４セット目の測定後、すなわち、約３時間後、測定を終える。
【００５８】
測定を行う時、測定中の大気湿度を３０〜６０％、好ましくは３５〜５０％、かつ室温を２５〜２８℃にするべきである。
【００５９】
この方法において、光ディスク表面における電場をプローブを用いて射出成形処理後直接測定する。従って、ディスクは電場が１８ｋＶ／ｍを超える場合書き込みが困難であると考えられている。
【００６０】
実施例１
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシカルボニルオキシ）−１’−（ピペリジンカルボン酸）４，４’−イソプロピリデンジフェニルエステルの製造
最初に、イソプロピリデンジフェニルビスクロロカーボネート９．３０ｇ（０．０２５ｍｏｌ）をアルゴン下において塩化メチレン１５０ｍｌ中に導入し、この混合物を０℃に冷却する。Ｎ−エチルピペリジン４８．４９ｇ（０．４２８ｍｏｌ）を塩化メチレン２０ｍｌ中に溶解し、この溶液を０℃においてビスクロロカーボネート溶液に滴下する。次に塩化メチレン１０ｍｌ中に溶解したｔｅｒｔ−ブチルフェノール３．７６ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を０℃においてこの溶液に滴下する。この混合物を室温にし、３時間撹拌する。その後、真空中で溶媒を除去する。残留物をトルエン５００ｍｌ中で沸騰させ、熱濾過する。冷却するとすぐに結晶が母液中に沈殿する。母液を濾過し、濃縮する（９５℃、２５ｍｂａｒ）。高粘度赤色油１３．２ｇを得る。この油をエチルアセテート１００ｍｌ中に溶解し、シリカゲル１０ｇ（ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ ６０；０．０４〜０．０６３μｍ、Ｍｅｒｃｋ １０９３８５／Ｌｔ：９４８ ７８５ ２０３）の添加後、この混合物を濃縮し、シリカゲルカラム（カラムφ５ｃｍ、充填高約２５ｃｍ）に導入する。ｎ−ヘキサン／エチルアセテート：（９：１）の混合溶媒を用いるクロマトグラフィー後、ガラス質の固体２．３ｇを得る。
【００６１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝７．４−７．３８（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．２３（ｍ，２Ｈ），７．２２−７．１３（ｍ，６Ｈ），７．０３−６．９８（ｍ，２Ｈ），３．６５−３．４５（ｍ，４Ｈ），１．７０−１．５５（ｍ，６Ｈ），１．６６（ｓ，６Ｈ），１．３２（ｓ，９Ｈ）．
【００６２】
実施例２
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシカルボニルオキシ）−１’−（４，４’−イソプロピリデンジフェニル）Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバメートの製造
最初にイソプロピリデンジフェニルビスクロロカーボネート５．０ｇ（０．０１３ｍｏｌ）を０℃、アルゴン下において塩化メチレン１００ｍｌ中に導入する。塩化メチレン３０ｍｌ中に溶解されたトリエチルアミン４．２９ｇ（０．０４２ｍｏｌ）を０℃においてこの溶液に滴下する。次に塩化メチレン３０ｍｌ中に溶解されたｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．０２ｇ（０．０１３ｍｏｌ）を滴下する。この混合物を室温にし、３時間撹拌する。その後、この溶媒を真空中で除去する。残留物をトルエン５００ｍｌ中において沸騰する温度まで温め、熱濾過する。
【００６３】
溶媒を真空中で除去する。粗生成物をシリカゲル（高さ：１６ｃｍ、φ５ｃｍ、移動相ｎ−ヘキサン／ＥＥ ９：１）でクロマトグラフする。
【００６４】
黄色高粘度樹脂２．１ｇを得る。
【００６５】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝７．４５−７．３８（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．１５（ｍ，８Ｈ），７．０５−６．９８（ｍ，２Ｈ），３．５０−３．３０（ｍ，４Ｈ），１．６７（ｓ，６Ｈ）,１．３２（ｓ，９Ｈ），１．２８−１．１５（ｍ，６Ｈ）．
【００６６】
実施例３
ピペリジンカルボン酸４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−フェニルエステルの製造
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシカルボニルオキシ）−１’−（ピペリジンカルボン酸）４，４’−イソプロピリデンジフェニルエステル０．５ｇをＴＨＦ２０ｇに溶解し、３２％強度の水酸化ナトリウム溶液０．５ｇおよび水５ｇを添加し、振とうしながら加水分解を一晩（少なくとも１５時間）行う。
【００６７】
ワークアップ（ｗｏｒｋｉｎｇ ｕｐ）：
ＴＨＦ溶液の水性相を分離し、有機相を濃縮する。残留物をジエチルエーテルにテークアップし、混合物を水で数回洗う。この有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥し、乾燥剤を濾別し、溶媒を真空中で除去する。粗生成物１．４６ｇを得、この生成物をシリカゲル（ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ ６０；０．０４〜０．０６３μｍ；Ｍｅｒｃｋ １０９３８５／Ｌｔ：９４８ ７８５ ２０３）でヘキサン／エチルアセテート（９：１）の混合溶媒を用いてクロマトグラフする（カラムφ５ｃｍ、充填高約２５ｃｍ）。次の過程において、ヘキサン／エチルアセテート（５：１）を溶媒混合物として使用する。白色固体１．０ｇを得る。
【００６８】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ＝７．２０−７．１５（ｍ，２Ｈ），７．１０−７．０５（ｍ，２Ｈ），７．０２−６．９５（ｍ，２Ｈ），６．７５−６．６８（ｍ，２Ｈ），３．６５−３．４５（ｍ，４Ｈ），１．６３（ｓ，６Ｈ）．
【００６９】
実施例４
ジエチルカルバミン酸４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−フェニルエステルの製造
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシカルボニルオキシ）−１’−（４，４’−イソプロピリデンジフェニル）Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバメート０．５ｇをＴＨＦ２０ｇ中に溶解し、３２％強度の水酸化ナトリウム溶液０．５ｇおよび水５ｇを添加し、この混合物を一晩（少なくとも１５時間）振とうしながら加水分解する。
【００７０】
ワークアップ：
ＴＨＦ溶液の水性相を分離し、有機相を濃縮する。残留物をジエチルエーテルにテークアップし、混合物を水で数回洗う。有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥し、乾燥剤を濾別し、溶媒を真空中で除去する。粗生成物をシリカゲル（ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ ６０；０．０４〜０．０６３μｍ；Ｍｅｒｃｋ １０９３８５／Ｌｔ：９４８ ７８５ ２０３）上でヘキサン／エチルアセテート（９：１）混合溶媒を用いてクロマトグラフする（カラムφ３ｃｍ、充填高約２５ｃｍ）。次の過程において、ヘキサン／エチルアセテート（１：１）を溶媒混合物として使用する。白色固体０．２９ｇを得る。
【００７１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ ＣＤＣｌ３）δ＝７．２６−７．２２（ｍ，２Ｈ），７．１２−７．０８（ｍ，２Ｈ），７．０４−６．９８（ｍ，２Ｈ），６．７２−６．６８（ｍ，２Ｈ），３．５５−３．３５（ｍ，４Ｈ），１．６７（ｓ，６Ｈ），１．３５−１．１５（ｍ，６Ｈ）．
【００７２】
実施例５
ポリカーボネートの製造を既知の相界面法により行う。これを連続法により行う。
【００７３】
ビスフェノーレート溶液（ビスフェノールＡ；アルカリ含量２．１２ｍｏｌ ＮａＯＨ／ｍｏｌ ＢＰＡ）を７５０ｋｇ／ｈ（１４．９３ｗｔ．％）、溶媒（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１）を６４６ｋｇ／ｈおよびホスゲンを５６．４ｋｇ／ｈで反応器に供給し、反応する。反応器中の温度は３５℃である。水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を９．９７ｋｇ／ｈで更に計量添加する。縮合反応の過程において、第二の量の水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を２９．２７ｋｇ／ｈおよび連鎖停止剤の溶液（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１中ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１１．７ｗｔ．％）を３４．１８ｋｇ／ｈで計量添加する。その後、塩化メチレン／クロロベンゼン（１：１）に溶解されたＮ−エチルピペリジン（２．９５ｗｔ．％）を３３．０ｋｇ／ｈで触媒として供給する。相を分離し、有機相を希塩化水素酸で一回、水で五回洗浄する。次にポリカーボネート溶液を濃縮し、更に蒸発器において濃縮し、ポリマー溶融物を脱蔵押出機を通して分離し、粗砕する。
【００７４】
このように製造されるポリカーボネート（表１参照）３００ｇをアセトン５００ｍｌ（Ｆｌｕｋａ，ＵＶ分光用ＡＣＳ）を用いてソックスレー抽出する。抽出量は約５ｇである。抽出物５０ｍｇをアセトニトリル５０ｍｌに溶解し、この溶液１０μｌをＨＰＬＣに注入する。ＭＳにより検出を行う。実施例１の基準物質を使用して較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００７５】
このポリカーボネート試料における実施例１のカルバメート化合物の含量は１６０ｍｇ／ｋｇ（１６０ｐｐｍ）である。
【００７６】
実施例６
比較例
ポリカーボネートの製造を実施例５に記載されているように行う。しかしながら、ビスフェノレート溶液（ビスフェノールＡ）を７５０ｋｇ／ｈ（１４．９３ｗｔ．％）、溶媒（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１）を６４６ｋｇ／ｈおよびホスゲンを５８．２５ｋｇ／ｈで反応器に供給する。水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を１２．３４ｋｇ／ｈで更に計量添加する。第二の量の水酸化ナトリウム溶液は３６．２０ｋｇ／ｈであり、実施例５において述べた濃度において連鎖停止剤の量は３４．１８ｋｇ／ｈである。触媒の量は３３ｋｇ／ｈである。ワークアップを実施例５に記述されているように行う。
【００７７】
このポリカーボネート（表１参照）３００ｇをアセトン（Ｆｌｕｋａ ＵＶ分光用ＡＣＳ）５００ｍｌを用いてソックスレー抽出する。抽出量は約５ｇである。抽出物５０ｍｇをアセトニトリル５０ｍｌ中に溶解し、この溶液１０μｌをＨＰＬＣに注入する。ＭＳにより検出を行う。実施例１の基準物質を使用して較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００７８】
このポリカーボネート試料中の実施例１のカルバメート化合物の含量は、６００ｍｇ／ｋｇ（６００ｐｐｍ）である。
【００７９】
実施例７
ポリカーボネートの製造を既知の相界面法により行う。これは連続法により行う。
【００８０】
ビスフェノレート溶液（ビスフェノールＡ；アルカリ含量２．１２ｍｏｌ ＮａＯＨ／ｍｏｌ ＢＰＡ）を７５０ｋｇ／ｈ（１４．９３ｗｔ．％）、溶媒（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１）を６４６ｋｇ／ｈおよびホスゲンを５６．４ｋｇ／ｈで反応器に供給し、反応させる。反応器中の温度は３５℃である。水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を９．９７ｋｇ／ｈで更に計量添加する。縮合反応の過程において、第二の量の水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を２９．２７ｋｇ／ｈおよび連鎖停止剤の溶液（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１中ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１１．７ｗｔ．％）を３４．１８ｋｇ／ｈで計量添加する。その後、塩化メチレン／クロロベンゼン（１：１）中に溶解したＮ−エチルピペリジン（２．９５ｗｔ．％）を３３．０ｋｇ／ｈで触媒として供給する。この相を分離し、有機相を希塩化水素酸で一回、水で五回洗浄する。次にポリカーボネート溶液を濃縮し、更に蒸発器において濃縮し、ポリマー溶融物を脱蔵押出機を通して分離し、粗砕する。
【００８１】
この方法により製造されたポリカーボネート（表１参照）３００ｇをアセトン（Ｆｌｕｋａ ＵＶ分光用ＡＣＳ）５００ｍｌを用いてソックスレー抽出する。抽出物約５ｇを得る。抽出物５０ｍｇをＴＨＦ２ｇに溶解し、３２％強度水酸化ナトリウム溶液０．１９ｍｇおよび水０．５ｇを添加し、振とうしながら加水分解を一晩（少なくとも１５時間）行う。加水分解後、溶液を塩化水素酸を用いて酸性化し、ＴＨＦを用いて５ｍｌにする。この溶液１５μｌをＨＰＬＣに注入する。検出をＦＬＤにより行う。
【００８２】
実施例３の基準物質を使用して較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００８３】
このポリカーボネート試料中の実施例３のカルバメート化合物の含量は、２２０ｍｇ／ｋｇ（２２０ｐｐｍ）である。
【００８４】
実施例８
比較例
ポリカーボネートの製造を実施例７に記載しているように行う。しかしながら、ビスフェノレート溶液（ビスフェノールＡ）を７５０ｋｇ／ｈ（１４．９３ｗｔ．％）、溶媒（塩化メチレン／クロロベンゼン１：１）を６４６ｋｇ／ｈおよびホスゲンを５８．２５ｋｇ／ｈで反応器に供給する。水酸化ナトリウム溶液（３２ｗｔ．％）を１２．３４ｋｇ／ｈで更に計量添加する。第二の量の水酸化ナトリウム溶液は３６．２０ｋｇ／ｈであり、連鎖停止剤の量は実施例５において述べた濃度において３４．１８ｋｇ／ｈである。触媒の量は３３ｋｇ／ｈである。ワークアップは実施例７において記述されているように行う。
【００８５】
このポリカーボネート（表１参照）３００ｇをアセトン（ドイツ国のＦｌｕｋａ，ＵＶ分光用ＡＣＳ）５００ｍｌを用いてソックスレー抽出する。この抽出物含量は約５ｇである。この抽出物５０ｍｇをＴＨＦ２ｇ中に溶解し、３２％強度水酸化ナトリウム溶液０．１９ｇおよび水０．５ｇを添加し、振とうしながら加水分解を一晩（少なくとも１５時間）行う。加水分解後、溶液を塩化水素酸を用いて酸性化し、ＴＨＦを用いて５ｍｌにする。１５μｌをＨＰＬＣに注入する。検出をＦＬＤにより行う。
【００８６】
実施例３の基準物質を使用して較正を外部標準法（多点較正）により行う。
【００８７】
このポリカーボネート試料における実施例３のカルバメート化合物の含量は、１，２００ｍｇ／ｋｇ（１，２００ｐｐｍ）である。
【００８８】
表１
【００８９】
表からわかるように、本発明によるポリカーボネートは記述された範囲内にカルバメート濃度を示し、良好な静電特性に関連する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート樹脂のアセトン抽出物において測定される式（１）
【化１】
（式中、
Ｒ１およびＲ２ は互いに独立して水素またはＣ１〜Ｃ１２−アルキルであるか、またはＲ１およびＲ２が全体としてＣ４〜Ｃ１２−アルキリデンであり、
Ｒ３およびＲ４ は互いに独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４がそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成し、かつ
Ｒ５ は水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキル、フェニルまたはクミルである。）
のカルバメート誘導体含量が０．２〜３００ｐｐｍであることを特徴とする、ポリカーボネート。
【請求項２】
式（１）の化合物を０．２〜２５０ｐｐｍの量で含有する、請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項３】
アセトン抽出物中の式（１）の化合物の含量が０．２〜２００ｐｐｍである、請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項４】
式（１）中、
Ｒ１およびＲ２ が互いに独立して水素、メチル、エチル、プロピルまたはブチルであるか、またはＲ１およびＲ２が全体でＣ４〜Ｃ５−アルキリデンであり、
Ｒ３およびＲ４ が互いに独立して水素、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４がそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成し、かつ
Ｒ５ が水素、ｔｅｒｔ−ブチルまたはクミルである
ことを特徴とする、請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項５】
基材物質としての請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項６】
１００ｍｍの距離において測定される、製造される射出成形品の静電場が１８ｋＶ／ｍ以下である、請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項７】
射出成形品の製造への請求項１記載のポリカーボネートの使用。
【請求項８】
１００ｍｍの距離において測定される静電場が１８ｋＶ／ｍ以下である、請求項１記載のポリカーボネートを含有する射出成形品。
【請求項９】
請求項１記載のポリカーボネートを含有する、光ディスク用キャリヤー。
【請求項１０】
請求項１記載のポリカーボネートを含有する光学データ記憶媒体。
【請求項１１】
ＨＰＬＣを用いて水酸化ナトリウム溶液でのアルカリ加水分解後にアセトン抽出物において測定される式（４）
（式中、
Ｒ１およびＲ２ は互いに独立して水素またはＣ１〜Ｃ１２−アルキルであるか、またはＲ１およびＲ２が全体でＣ４〜Ｃ１２−アルキリデンであり、かつ
Ｒ３およびＲ４ は互いに独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４がそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成する。）
のカルバメート化合物の含量が０．２〜５００ｐｐｍであることを特徴とする、ポリカーボネート。
【請求項１】
ポリカーボネート樹脂のアセトン抽出物において測定される式（１）
【化１】
（式中、
Ｒ１およびＲ２ は互いに独立して水素またはＣ１〜Ｃ１２−アルキルであるか、またはＲ１およびＲ２が全体としてＣ４〜Ｃ１２−アルキリデンであり、
Ｒ３およびＲ４ は互いに独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４がそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成し、かつ
Ｒ５ は水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキル、フェニルまたはクミルである。）
のカルバメート誘導体含量が０．２〜３００ｐｐｍであることを特徴とする、ポリカーボネート。
【請求項２】
式（１）の化合物を０．２〜２５０ｐｐｍの量で含有する、請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項３】
アセトン抽出物中の式（１）の化合物の含量が０．２〜２００ｐｐｍである、請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項４】
式（１）中、
Ｒ１およびＲ２ が互いに独立して水素、メチル、エチル、プロピルまたはブチルであるか、またはＲ１およびＲ２が全体でＣ４〜Ｃ５−アルキリデンであり、
Ｒ３およびＲ４ が互いに独立して水素、Ｃ１〜Ｃ８−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４がそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成し、かつ
Ｒ５ が水素、ｔｅｒｔ−ブチルまたはクミルである
ことを特徴とする、請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項５】
基材物質としての請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項６】
１００ｍｍの距離において測定される、製造される射出成形品の静電場が１８ｋＶ／ｍ以下である、請求項１記載のポリカーボネート。
【請求項７】
射出成形品の製造への請求項１記載のポリカーボネートの使用。
【請求項８】
１００ｍｍの距離において測定される静電場が１８ｋＶ／ｍ以下である、請求項１記載のポリカーボネートを含有する射出成形品。
【請求項９】
請求項１記載のポリカーボネートを含有する、光ディスク用キャリヤー。
【請求項１０】
請求項１記載のポリカーボネートを含有する光学データ記憶媒体。
【請求項１１】
ＨＰＬＣを用いて水酸化ナトリウム溶液でのアルカリ加水分解後にアセトン抽出物において測定される式（４）
（式中、
Ｒ１およびＲ２ は互いに独立して水素またはＣ１〜Ｃ１２−アルキルであるか、またはＲ１およびＲ２が全体でＣ４〜Ｃ１２−アルキリデンであり、かつ
Ｒ３およびＲ４ は互いに独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルまたはフェニルであるか、またはＲ３およびＲ４がそれらが結合している炭素原子と共にシクロヘキシルまたはトリメチルシクロヘキシルを形成する。）
のカルバメート化合物の含量が０．２〜５００ｐｐｍであることを特徴とする、ポリカーボネート。
【公表番号】特表２００８−５２４４０９（Ｐ２００８−５２４４０９Ａ）
【公表日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５４７２４７（Ｐ２００７−５４７２４７）
【出願日】平成１７年１２月９日（２００５．１２．９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００５／０１３２１６
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０７２３４６
【国際公開日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【出願人】（５０４０３７３４６）バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト (728)
【氏名又は名称原語表記】Ｂａｙｅｒ ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅ ＡＧ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月９日（２００５．１２．９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００５／０１３２１６
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０７２３４６
【国際公開日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【出願人】（５０４０３７３４６）バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト (728)
【氏名又は名称原語表記】Ｂａｙｅｒ ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅ ＡＧ
【Ｆターム（参考）】
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