膜パターンの形成方法及び発光装置の製造方法
【課題】縞状のフォトマスクを利用せずとも縞状パターン膜を形成できるようにする。
【解決手段】方形格子状の明暗パターン５０２を感光層５０１に投影し、その後、明暗パターン５０２をその方形の辺方向にずらして感光層５０１に投影し、その後、感光層５０１を現像する。
【解決手段】方形格子状の明暗パターン５０２を感光層５０１に投影し、その後、明暗パターン５０２をその方形の辺方向にずらして感光層５０１に投影し、その後、感光層５０１を現像する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機などの電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である複数の有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を画素としてマトリクス状に配列したＥＬパネルを適用したものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。各有機ＥＬ素子のキャリア輸送層（例えば、発光層、正孔注入層、電子注入層等）は、湿式塗布法によって形成される。つまり、有機溶液を画素毎に区切るようにして、有機溶液を塗布する。
【０００３】
また、隣り合う画素の有機溶液が乾燥前に混じらないように、水平方向又は垂直方向の画素列の間を仕切る縞状のバンク（隔壁）を予め形成し、バンクの間に有機溶液を塗布することが行われている（例えば、特許文献１，２参照）。塗布された有機溶液はバンクによって堰き止められるので、隣り合う画素の有機溶液が乾燥前に混じらない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１８６００１号公報
【特許文献２】特開２００６−３０９９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、縞状バンクといった微細な縞状パターンは、感光層の露光・現像をすることによって形成される。感光層の露光に際しては、縞状のフォトマスクによって照射光の一部を遮光することによって、縞状の明暗パターンを感光層に投影する。ところが、縞状のフォトマスクを利用できないこともある。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、縞状のフォトマスクを利用せずとも縞状パターン膜を形成できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するため、本発明に係るパターン膜の形成方法は、基板上方に第一の感光材を形成し、
所定方向に並んだ複数の開口部が設けられたマスクを用いて前記第一の感光材を露光した後、前記マスクを前記所定方向にずらして前記第一の感光材を露光し、
前記第一の感光材を現像して縞状パターン膜を形成する方法である。
【０００７】
好ましくは、前記基板と前記縞状パターン膜との間に、第二の感光材を露光・現像してなる格子状パターン膜が形成されている。
好ましくは、前記第二の感光材は前記マスクを用いて露光・現像することで形成される。
好ましくは、前記第一の感光材と前記第二の感光材とは同材料からなる。
好ましくは、前記マスクをずらす距離は、前記所定方向の隣り合わせの二つの前記開口部のピッチの整数倍以外である。
【０００８】
本発明に係る発光装置の製造方法は、
基板上方に形成された第一電極と、前記第一電極と対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を備えた発光素子と、
前記発光素子を駆動するトランジスタと、を備える発光装置の製造方法において、
前記トランジスタが形成された面上に下部感光材を形成し、
所定方向に並んだ複数の開口部が設けられたマスクを用いて、前記下部感光材を露光・現像して、前記トランジスタ上部に残り且つ前記発光層が形成された領域に開口を有する格子状パターン膜を形成し、
前記格子状パターン膜上に上部感光材を形成し、
前記マスクを用いて前記上部感光材を露光した後、前記マスクを前記所定方向にずらして前記上部感光材を露光し、
前記上部感光材を現像して縞状パターン膜を形成する方法である。
【０００９】
好ましくは、前記トランジスタの上には、前記縞状パターン膜の開口が形成されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、縞状のフォトマスクを用いずとも、縞状パターン膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る縞状パターンの形成方法を説明するための断面図である。
【図２】図１に示した工程の後の工程を説明するための平面図である。
【図３】図２に示されたIII−IIIに沿った面の矢視断面図である。
【図４】図２に示されたIV−IVに沿った面の矢視断面図である。
【図５】図２に示した工程の後の工程を説明するための平面図である。
【図６】図５に示されたVI−VIに沿った面の矢視断面図である。
【図７】図５に示されたVII−VIIに沿った面の矢視断面図である。
【図８】完成した縞状パターンを示した平面図である。
【図９】完成した縞状パターンを示した平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る縞状パターンの形成方法を説明するための斜視図である。
【図１１】図１０に示した工程の後の工程を説明するための斜視図である。
【図１２】図１１に示した工程の後の工程を説明するための斜視図である。
【図１３】図１２に示した工程の後の工程を説明するための斜視図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置を示した概略平面図である。
【図１５】XV−XV断面図である。
【図１６】同実施の形態に係る発光装置の画素及び配線の位置関係を示す平面図である。
【図１７】同実施の形態に係る発光装置の１つの画素の周辺回路の一例を示した回路図である。
【図１８】同実施の形態に係る発光装置の１つの画素の周辺回路の一例を示した回路図である。
【図１９】同実施の形態に係る発光装置の１つの画素及びその周辺を示した平面図である。
【図２０】XX−XX断面図である。
【図２１】XXI−XXI断面図である。
【図２２】バンクの形状を説明するための概略部分断面斜視図である。
【図２３】第３の実施の形態に係る発光装置を表示パネルに適用した携帯電話機の一例を示す正面図である。
【図２４】第３の実施の形態に係る発光装置を表示パネルに適用したデジタルカメラの一例を示す正面側斜視図（ａ）と、後面側斜視図（ｂ）である。
【図２５】第３の実施の形態に係る発光装置を表示パネルに適用したパーソナルコンピュータの一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１３】
〔第１の実施の形態〕
本発明の実施の形態に係る縞状パターン膜の形成方法について説明する。
【００１４】
図１の断面図に示すように、基材５００の表面に感光層５０１を形成する。
基材５００は、例えば、基板、透明基板、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、回路基板、アクティブマトリクス基板、ディスプレイパネル用マザーパネル、半導体ウエハ、シート、樹脂シート、金属シート、透明シート、可撓性シート、透明シート、ウエブ、印画用媒体又は光学素子（例えば、レンズ）等である。
基材５００の表面には、例えば絶縁膜、絶縁パターン（絶縁膜を所定の形状にパターニングしたもの）、導電膜、導体パターン（配線パターン）、電極、回路パターン、半導体素子、薄膜トランジスタ、アクティブ素子若しくは画素又はこれらのうち２種以上のものが形成されていて、それらを感光層５０１によってコーティングしてもよい。感光層５０１を基材５００の上に直接形成してもよい。
【００１５】
感光層５０１はポジ型であってもよいし、ネガ型であってもよい。感光層５０１の組成は、感光性を実現するものであれば特に限定するものではない。例えば、感光層５０１の組成物としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等が挙げられる。基材５００の表面に感光層５０１を形成する方法としては、感光性フィルムを基材５００の表面を貼り付けることでその感光性フィルムを感光層５０１とする方法や、液状の感光材を基材５００の表面に塗布することで塗布した感光材を感光層５０１とする方法（例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法又はスクリーン印刷法等）がある。必要に応じて感光層５０１をプリベークしてもよい。
【００１６】
感光層５０１の形成後、方形格子状のフォトマスク（レクチル）及び露光装置（例えばステッパ）を用いて感光層５０１を露光する。つまり、露光装置の光源から発した照射光の一部を方形格子状のフォトマスクで遮光しつつ、フォトマスクで遮光されない照射光を露光装置の光学系（レンズ）によって感光層５０１に投射する。これにより、図２〜図４に示すように、方形格子状の明暗パターン５０２を感光層５０１に投影する。図２は平面図であり、図３はIII−III断面図であり、図４はIV−IV断面図である。フォトマスクには、複数の開口部（好ましくは、方形状の開口部であって、更に好ましくは、長方形の開口部）が所定方向（開口部が方形状である場合には、辺方向であり、開口部が長方形である場合には、短辺又は長辺方向である）に一列又は複数列になって配列されている。そのため、明暗パターン５０２が方形格子状になる。明暗パターン５０２のうち、格子状に配列された複数の方形明部５０３（図２、図３では、方形明部５０３が白抜きで示されている。）が露光された部分であり、これら方形明部５０３の間を占める格子状暗部５０４（図２〜図４では、格子状暗部５０４に模様が付されている。）が露光されていない部分である。図２では、方形明部５０３の形状が長方形であったが、正方形、ひし形又は平行四辺形であってもよい。投影倍率は等倍であってもよいし、縮小であってもよいし、拡大であってもよい。なお、フォトマスクを感光層５０１から離して配置して、光学系によってフォトマスクのパターンを感光層５０１に投影するのではなく、フォトマスクを感光層５０１上に載置して、光学系を用いずにフォトマスクのパターンを感光層５０１に投影してもよい。
【００１７】
図２では方形明部５０３の列の隣同士が揃っていたが、列の隣同士が列方向にずれていてもよい。例えば、長方形の方形明部５０３の長辺方向の列の隣同士が半ピッチ分だけずれていてもよい。
【００１８】
次に、基材５００と感光層５０１又はフォトマスクを明暗パターン５０２の方形の辺方向に移動させて、感光層５０１を再び露光する。基材５００と感光層５０１又はフォトマスクを方形の辺方向に移動させたので、図５の平面図、図６のVI−VI断面図、図７のVII−VII断面図に示すように、感光層５０１に投影される方形格子状の明暗パターン５０２が方形の辺方向にずれる。明暗パターン５０２をずらす距離は、明暗パターン５０２のピッチの整数倍以外である。なお、図５〜図７では、方形明部５０３の形状が長方形であって、明暗パターン５０２をずらす方向（所定方向）を長辺方向としたが、明暗パターン５０２をずらす方向を短辺方向としてもよい。方形明部５０３の形状が平行四辺形（但し、ひし形及び正方形を除く。）である場合も、明暗パターン５０２をずらす方向が短辺、長辺のどちらでもよい。
【００１９】
図５〜図７においても、明暗パターン５０２のうち、格子状に配列された複数の方形明部５０３（図５では、方形明部５０３が白抜きで示されている。）が露光された部分であり、これら方形明部５０３の間を占める格子状暗部５０４（図５では、格子状暗部５０４に模様が付されている。）が露光されていない部分である。また、１回目の露光の際の格子状暗部５０４と、２回目の露光の際の格子状暗部５０４とが重なる部分を濃い模様で示し、その部分は縞状に形成され、１，２回目のどちらでも露光されていない未露光部となる。１回目の露光の際の方形明部５０３と、２回目の露光の際の格子状暗部５０４とが重なる部分を薄い模様で示す。図５、図６では、１回目の露光の際の明暗パターン５０２を一点鎖線で示す。なお、方形明部５０３の列の隣同士が列方向にずれている場合、２回目の露光に際して明暗パターン５０２をずらす方向は列方向である。
【００２０】
感光層５０１に投影する明暗パターン５０２を方形の辺方向にずらすようにして再露光を行うことの回数は、１回でもよいし、複数回でもよい。つまり、明暗パターン５０２を方形の辺方向にずらすようにして再露光を行うことを繰り返してもよい（つまり、間欠的な露光を行う。）
また、露光装置の光源を点灯させた状態で、基材５００と感光層５０１又はフォトマスクを移動させることによって、感光層５０１に明暗パターン５０２を投影した状態（感光層５０１を露光した状態）で明暗パターン５０２を方形の辺方向にずらしてもよい（つまり、連続的な露光を行う）。
【００２１】
次に、感光層５０１を現像液で現像することによって、感光層５０１から縞状パターン膜を形成する。感光層５０１がポジ型である場合には、図８の平面図に示すように、感光層５０１のうち一回も露光されなかった縞状部分５１０が残留し、一回でも露光された縞状部分５１１が現像液に溶解して、除去される。感光層５０１がネガ型である場合には、図９の平面図に示すように、感光層５０１のうち一回でも露光された縞状部分５１３が残留し、一回も露光されなかった縞状部分５１２が現像液に溶解して、除去される。
現像後、残留した縞状部分（縞状パターン膜）５１０，５１３及び基材５００を洗浄し、必要に応じて、残留した縞状部分（縞状パターン膜）５１０，５１３を焼成する。
【００２２】
残留した縞状部分５１０，５１３は、エッチングレジスト、メッキレジスト、ソルダーレジスト等のレジストとして利用される。更に、残留した縞状部分５１０，５１３は、ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、液晶ディスプレイといったディスプレイの画素列を仕切るバンクとして利用される。更に、残留した縞状部分５１０，５１３は、ディスプレイのカラーフィルタ用の遮光材であって、着色層を仕切るものとして利用される。残留した縞状部分５１０，５１２の用途は、以上に挙げた例に限るものではない。
【００２３】
以上のような方法によれば、方形格子状のフォトマスクを用いて縞状パターン膜を形成することができる。そのため、縞状パターン膜を形成するために新たな縞状フォトマスクを作成しなくても済む。
【００２４】
〔第２の実施の形態〕
本発明の実施の形態に係る縞状パターン膜の形成方法について説明する。
図１０の部分断面斜視図に示すように、基材６００の表面に感光層６０１を形成し、必要に応じて感光層６０１をプリベークする。基材６００は、上述した基材５００と同様のものである。感光層６０１は、上述した感光層５０１と同様のものであり、感光層６０１の形成方法も、上述の感光層５０１の形成方法と同様である。
【００２５】
次に、感光層６０１の露光・現像をすることにより、図１１の部分断面斜視図に示すように、感光層６０１を方形格子状にパターニングする。これにより、感光層６０１から方形格子状パターン膜６０２を作成する。
感光層６０１の露光に際しては、露光装置の光源から発した照射光の一部を方形格子状のフォトマスクで遮光しつつ、フォトマスクで遮光されない照射光を露光装置の光学系によって感光層６０１に投射することによって、方形格子状の明暗パターンを感光層６０１に投影する。これにより、方形格子状の潜像を感光層６０１に形成する。
感光層６０１の現像は現像液で行い、感光層６０１のうち格子状に配列された複数の方形部（感光層６０１がポジ型である場合には、方形部は露光した明部であり、感光層６０１がネガ型である場合には、方形部は露光していない暗部である。）を現像液で溶解する。
【００２６】
現像後、残留した方形格子状パターン膜６０２及び基材６００を洗浄し、必要に応じて、残留した方形格子状パターン膜６０２を焼成する。なお、感光層６０１が感光性ポリイミド樹脂である場合、方形格子状パターン膜６０２の焼成により方形格子状パターン膜６０２の組成物であるポリイミド前駆体がポリイミド化する。
【００２７】
次に、図１２の部分断面斜視図に示すように、感光層６０３を方形格子状パターン膜６０２の上から基材６００の表面に形成し、方形格子状パターン膜６０２を感光層６０３でコーティングする。感光層６０３は、上述した感光層５０１と同様のものであり、感光層６０３の形成方法も、上述の感光層５０１の形成方法と同様である。感光層６０３の組成と感光層６０１の組成は同じものであり、感光層６０１と感光層６０３とは同材料からなる。なお、感光層６０３の組成と感光層６０１の組成が異なっていてもよい。
【００２８】
次に、感光層６０３の露光・現像をすることにより、図１３の部分断面斜視図に示すように、感光層６０３を縞状にパターニングする。これにより、感光層６０３から縞状パターン膜６０４を作成する。
【００２９】
感光層６０３の露光方法は、上述した感光層５０１の露光方法と同様である。
具体的に説明すると、まず、露光装置の光源から発した照射光の一部を方形格子状のフォトマスクで遮光しつつ、フォトマスクで遮光されない照射光を露光装置の光学系によって感光層６０３に投射することによって、方形格子状の明暗パターンを感光層６０３に投影する。この際、感光層６０３がポジ型である場合には、方形格子状のフォトマスクの開口部又は明暗パターンの方形明部を方形格子状パターン膜６０２の列方向の複数の方形状開口部に重ねるようにして、フォトマスク又は明暗パターンを方形格子状パターン膜６０２に重ねる。つまり、感光層６０３がポジ型である場合、平面視して、方形格子状のフォトマスク又は方形格子状の明暗パターンを方形格子状パターン膜６０２に合致させる。一方、感光層６０３がネガ型である場合には、方形格子状のフォトマスクの開口部でない格子部又は明暗パターンの格子状暗部を方形格子状パターン膜６０２の方形状開口部に重ねて、フォトマスクの開口部又は明暗パターンの方形明部を方形格子状パターン膜６０２の開口部に重ねずに方形格子状パターン膜６０２に重ねる。つまり、感光層６０３がネガ型である場合、平面視して、方形格子状のフォトマスク又は明暗パターンを方形格子状パターン膜６０２から半ピッチ分だけ列方向にずらした状態にする。
その後、格子状のフォトマスク又は基材６００を列方向にずらすようにして、感光層６０３を再露光する。フォトマスク又は基材６００をずらす距離は、開口部の列方向の一辺の長さＷ１と、開口部間の格子部の列方向の長さＷ２を合わせたフォトマスクのピッチの整数倍以外である（図２参照）。Ｗ１＞Ｗ２の関係が成り立つ場合は、フォトマスク又は基材６００をずらす距離は、Ｗ２以上Ｗ１以下であることが好ましい（二度露光を行うだけでよいため）。なお、方形格子状のフォトマスク又は基材６００をＷ１以内で列方向にずらすようにして感光層６０３の再露光を行うことを繰り返してもよいし（つまり、間欠的な露光を行う）、感光層６０３を露光した状態でフォトマスク又は基材６００をＷ１以内で方形の列方向にずらしてもよい（つまり、連続的な露光を行う）。
【００３０】
感光層６０１の露光の際に用いる格子状フォトマスクを感光層６０３の露光の際に用いて、感光層６０３の露光の際の投影倍率を感光層６０１の露光の際の投影倍率に等しくすることが好ましい。感光層６０３の露光の際に用いる格子状フォトマスクとは別の格子状フォトマスクを用いて感光層６０３を露光してもよい。
【００３１】
感光層６０３の現像方法は、上述した感光層５０１の現像方法と同様である。感光層６０３がポジ型である場合には、感光層６０３のうち一回も露光されなかった部分が残留して、縞状パターン膜６０４が形成される。一方、感光層６０３がネガ型である場合には、感光層６０３のうち一回でも露光された部分が残留して、縞状パターン膜６０４が形成される。先に、方形格子状パターン膜６０２を焼成していれば、感光層６０３の現像の際に、方形格子状パターン膜６０２が現像液によって確実に溶解しないようにすることができる。
【００３２】
現像後、残留した縞状パターン膜６０４及び基材６００を洗浄し、必要に応じて、残留した縞状パターン膜６０４を焼成する。
【００３３】
以上のような方法によれば、感光層６０１の露光の際に用いたフォトマスクを感光層６０３の露光にも用いることができる。そのため、感光層６０３の露光用に新たなフォトマスクを作成しなくても済む。
【００３４】
〔第３の実施の形態〕
図１４は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置１を示した概略平面図である。図１５は、図１４に示されたXV−XVに沿った面の矢視断面図である。
【００３５】
この発光装置１は、パネル状のものである。この発光装置１は、発光パネルの中でも特にドットマトリクス型のディスプレイパネルであって、更に具体的にはアクティブマトリクス型のディスプレイパネルである。
【００３６】
この発光装置１は、基板１０と対向基板４０を対向させて、これらを貼り合わせたものである。基板１０の表側の中央部には、発光領域３０が設けられている。発光領域３０は、複数の発光素子８をマトリクス状に配列したものである。発光素子８は画素であり、発光領域３０は表示領域である。つまり、これら発光素子８が個別に発光し、発光強度若しくは発光時間又はそれらの両方が発光素子８ごとに制御されることによって、発光素子８（画素）ごとに階調が制御されて、発光領域３０に画像が表示される。
【００３７】
以下の説明において、トップエミッション型とは、発光領域３０内の各発光素子８から発した光が対向基板４０の表側の面から外部に放射されることをいい、ボトムエミッション型とは、各発光素子８から発した光が基板１０の裏側の面から外部に放射されることをいう。
【００３８】
基板１０及び対向基板４０は絶縁性の基板であり、例えばガラス又は樹脂（例えば、アクリル、ポリカーボネート）からなる。トップエミッション型の場合、対向基板４０が透明である。ボトムエミッション型の場合、基板１０が透明である。
【００３９】
発光領域３０が枠状のシール材３１によって囲われている。シール材３１は、基板１０と対向基板４０との間に挟持された状態でこれら基板１０と対向基板４０に固着されている。シール材３１によって基板１０と対向基板４０がこれらの間に間隔をおいて接合されている。このような構造によって、発光領域３０は封緘されて、外的環境の影響を受けないように保護されている。シール材３１がガラスビーズ等のギャップ材を含有することによって、圧力によってシール材３１が押し潰されないようになっている。これにより、基板１０と対向基板４０との間隔が保たれ、基板１０の表側と対向基板４０の裏側が接触しない。シール材３１の内側にフィル材が充填されていてもよいし、シール材３１の内側が空洞となっていてもよい。トップエミッション型の場合、フィル材は透明である。なお、対向基板４０が基板１０に貼り合わせられておらず、発光領域３０が封緘されていなくてもよい。
【００４０】
発光領域３０内には、発光素子８のアドレシング、階調指定、電圧供給、接地等に用いられる各種の配線（例えば、走査線、信号線、電圧供給線、グランド線等）が張り巡らされ、これら配線が発光領域３０内から発光領域３０の周囲に引き回されている。具体的には、発光領域３０の周囲に引き回された配線の集まりが、配線群５０である。発光領域３０内の構成については、後に詳述する。
【００４１】
図１４に示すように、対向基板４０のサイズが基板１０のサイズよりも小さく、基板１０の一部１０ａが対向基板４０の縁からはみ出ている。基板１０のはみ出し部分１０ａの表側の面には、複数の端子からなる端子群６０が設けられている。配線群５０の各配線がはみ出し部分１０ａまで引き回されており、配線群５０の各配線が端子群６０の各端子に接続されている。ドライバ用ＩＣチップが基板１０のはみ出し部分１０ａに搭載されたり、ドライバ用ＩＣチップに接続されたフレキシブル配線シート（いわゆるＦＰＣ：Flexible printed circuits）がはみ出し部分１０ａに接合されたりすることによって、ドライバ用ＩＣチップの各端子が端子群６０の各端子に導通する。
【００４２】
以下、発光領域３０内について具体的に説明する。
図１６は、発光領域３０内の画素（発光素子８）及び配線の配置を示す平面図である。発光領域３０内に設けられた配線は、図１６に示すように発光領域３０内に張り巡らされた複数の走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４と、である。
【００４３】
複数の走査線５２は、基板１０の表側に敷設されている。これら走査線５２は、互いに略平行となっているとともに、所定間隔をおいて配列されている。これら走査線５２の延びる方向を水平方向という。
【００４４】
複数の電圧供給線５４は、基板１０の表側に敷設されている。これら電圧供給線５４は、互いに平行となっているとともに、所定間隔をおいて配列されている。電圧供給線５４と走査線５２が互いに平行であり、電圧供給線５４と走査線５２が交互に配列されている。電圧供給線５４の両側に配置される２本の走査線５２のうち一方は、他方よりもその電圧供給線５４の近くに配置されている。
【００４５】
複数の信号線５３は、基板１０の表側に敷設されている。これら信号線５３は、互いに平行となっているとともに、所定間隔をおいて配列されている。平面視して、信号線５３は、走査線５２及び電圧供給線５４に対して直交している。これら信号線５３の延びる方向を垂直方向という。信号線５３と走査線５２が絶縁されているとともに、信号線５３と電圧供給線５４が絶縁されている。なお、電圧供給線５４が垂直方向に延び、平面視して、走査線５２と電圧供給線５４が交差してもよい。この場合、走査線５２と電圧供給線５４が絶縁されている。
【００４６】
発光素子８は、隣り合う信号線５３の間で垂直方向に配列されている。また、発光素子８は、走査線５２とその走査線５２の片側隣りの電圧供給線５４との間で水平方向に配列されている。
【００４７】
図１７、図１８は、１つの画素の周辺回路の一例を示した回路図である。図１７、図１８に示すように、各発光素子８の周辺には、アクティブ素子等を有した画素周辺回路４が設けられている。画素周辺回路４は、走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４に接続されている。
【００４８】
画素周辺回路４は、その画素周辺回路４に接続された走査線５２が選択された時に、その画素周辺回路４に接続された信号線５３から階調信号を取り込むとともに、その走査線５２が次に選択されるまでの間に、取り込んだ階調信号に応じたレベルの電流を電圧供給線５４から発光素子８に流して発光素子８を発光させるものである。信号線５３に出力される階調信号は、信号線５３に印加される電圧のレベルで表されたものでもよいし、信号線５３に印加される電流のレベルで表されたものでもよい。
【００４９】
画素周辺回路４が有するアクティブ素子は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、アクティブ素子の数は複数である。例えば、画素周辺回路４が有するアクティブ素子の数が２である場合、画素周辺回路４が図１７に示すように構成され、画素周辺回路４が有するアクティブ素子の数が３である場合、画素周辺回路４が図１８に示すように構成されている。
【００５０】
図１７に示すように、画素周辺回路４は、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及びキャパシタ７を有する。スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６が、アクティブ素子としての薄膜トランジスタである。
【００５１】
スイッチトランジスタ５のゲートが走査線５２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線５３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線５４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及び発光素子８のアノードに接続されている。
【００５２】
図１８に示すように、画素周辺回路４は、スイッチトランジスタ５Ａ、駆動トランジスタ６Ａ、キャパシタ７Ａ及び保持トランジスタ９Ａを有する。スイッチトランジスタ５Ａ、駆動トランジスタ６Ａ及び保持トランジスタ９Ａが、アクティブ素子としての薄膜トランジスタである。
【００５３】
スイッチトランジスタ５Ａのゲートは、保持トランジスタ９のゲートと、走査線５２とに接続されている。スイッチトランジスタ５Ａのソースとドレインのうち一方は、信号線５３に接続されている。スイッチトランジスタ５Ａのソースとドレインのうち他方は、発光素子８のアノードと、駆動トランジスタ６Ａのソースとドレインのうち一方と、キャパシタ７Ａの一方の電極とに接続されている。
【００５４】
保持トランジスタ９Ａのゲートは、スイッチトランジスタ５Ａのゲートと、走査線５２とに接続されている。保持トランジスタ９Ａのソースとドレインのうち一方は、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの他方と、電圧供給線５４とに接続されている。保持トランジスタ９Ａのソースとドレインのうち他方は、駆動トランジスタ６のゲートと、キャパシタ７Ａの他方の電極とに接続されている。
【００５５】
駆動トランジスタ６Ａのゲートは、保持トランジスタ９Ａのソースとドレインのうち他方と、キャパシタ７Ａの他方の電極とに接続されている。駆動トランジスタ６Ａのソースとドレインのうち一方は、発光素子８のアノードと、スイッチトランジスタ５Ａのソースとドレインのうち他方と、キャパシタ７Ａの一方の電極とに接続されている。駆動トランジスタ６Ａのソースとドレインのうち他方は、保持トランジスタ９Ａのソースとドレインのうち一方と、電圧供給線５４とに接続されている。
【００５６】
画素周辺回路４、走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４は、基板１０の表側に形成されている。つまり、絶縁膜が基板１０の表側に積層され、導体や半導体等がそれら絶縁膜の間にパターニングされることによって、画素周辺回路４、走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４が形成される。
【００５７】
画素周辺回路４が図１７に示すように構成されている場合に、図１９〜図２１を参照して、基板１０の表側に積層された層構造について説明する。図１９は、一つの画素に相当する平面図である。図２０は、図１９に示されたXX−XXに沿った面を矢印方向に見て示した断面図である。図２１は、図１９に示されたXXI−XXIに沿った面を矢印方向に見て示した断面図である。なお、図１９においては、電極及び配線を主に示す。
【００５８】
図１７に示すように、スイッチトランジスタ５は、走査線５２と信号線５３の交差部近傍に配置されているとともに、信号線５３に沿うように配置されている。駆動トランジスタ６は、信号線５３に沿うように配置されている。スイッチトランジスタ５と駆動トランジスタ６は、信号線５３に沿う方向に並列されている。キャパシタ７とスイッチトランジスタ５は、走査線５２に沿う方向に並列されている。キャパシタ７と発光素子８は、信号線５３に沿う方向に並列されている。発光素子８と駆動トランジスタ６は、電圧供給線５４に沿う方向に並列されている。また、走査線５２と電圧供給線５４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及び発光素子８が配置されている。
【００５９】
図１９、図２１に示すように、スイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このスイッチトランジスタ５は、ゲート電極５ａ、半導体膜５ｂ、保護絶縁膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、電極５ｈ及び電極５ｉ等を有するものである。電極５ｈと電極５ｉのどちらか一方がドレインであり、他方がソースである。また、図１９、図２０に示すように、駆動トランジスタ６は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。この駆動トランジスタ６は、ゲート電極６ａ、半導体膜６ｂ、保護絶縁膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、電極６ｈ及び電極６ｉ等を有するものである。電極６ｈと電極６ｉのどちらか一方がドレインであり、他方がソースである。
【００６０】
図１９〜図２１に示すように、信号線５３及びゲート電極５ａ，６ａが基板１０上に形成されている。キャパシタ７の一方の電極７ａも基板１０上に形成されている。第一絶縁膜１１が基板１０上の一面に成膜されており、信号線５３とゲート電極５ａ，６ａと電極７ａが第一絶縁膜１１によって覆われている。第一絶縁膜１１は、スイッチトランジスタ５と駆動トランジスタ６のゲート絶縁膜となるとともに、キャパシタ７の誘電体となる。第一絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。ボトムエミッション型の場合、第一絶縁膜１１が透明である。トップエミッション型の場合、第一絶縁膜１１が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００６１】
走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉは、第一絶縁膜１１上に形成されている。キャパシタ７の他方の電極７ｂも第一絶縁膜１１上に形成されている。例えばシリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる第二絶縁膜１２が第一絶縁膜１１上に成膜されており、走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂが第二絶縁膜１２によって覆われている。このため、信号線５３及びゲート電極５ａ，６ａは、第一絶縁膜１１と基板１０との間に形成され、走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂは、第一絶縁膜１１と第二絶縁膜１２との間に形成されている。
【００６２】
図１９に示すように、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとキャパシタ７の一方の電極７ａが一体に連なっている。駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ及びキャパシタ７の一方の電極７ａは、信号線５３から分離している。スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａは、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ及びキャパシタ７の一方の電極７ａから分離しているとともに、信号線５３からも分離している。駆動トランジスタ６の電極６ｉとキャパシタ７の他方の電極７ｂが一体に連なっている。駆動トランジスタ６の電極６ｉ及びキャパシタ７の他方の電極７ｂは、駆動トランジスタ６の電極６ｈ、スイッチトランジスタ５の電極５ｉ，５ｈ、走査線５２及び電圧供給線５４から分離している。駆動トランジスタ６の電極６ｈと電圧供給線５４が一体に連なっている。駆動トランジスタ６の電極６ｈは、スイッチトランジスタ５の電極５ｈ，５ｉ及び走査線５２から分離している。スイッチトランジスタ５の電極５ｈは、電極５ｉ、走査線５２及び電圧供給線５４から分離している。スイッチトランジスタ５の電極５ｉは、走査線５２及び電圧供給線５４から分離している。
【００６３】
ゲート電極５ａ，６ａ、電極７ａ及び信号線５３は、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。ゲート電極５ａ，６ａ、電極７ａ及び信号線５３は、基板１０上に一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成されたものである。
【００６４】
走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂは、第一絶縁膜１１上に一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００６５】
なお、信号線５３が、ゲートメタル膜（ゲート電極５ａ，６ａ及び電極７ａの元となる導電性膜）から形状加工されたものであって、走査線５２，電圧供給線５４が、ドレインメタル膜（電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂの元となる導電性膜）から形状加工されてものであってもよい。
【００６６】
図２１を参照して、スイッチトランジスタ５の構造について具体的に説明する。図２１に示すように、第一絶縁膜１１上であってゲート電極５ａに対応する位置には、真性な半導体膜５ｂが形成されている。この半導体膜５ｂは、第一絶縁膜１１を挟んでゲート電極５ａと相対している。半導体膜５ｂは、例えば、アモルファスシリコン又は結晶性シリコンからなる。スイッチトランジスタ５の動作時には、半導体膜５ｂにチャネルが形成される。半導体膜５ｂの中央部上には、チャネルをエッチングから保護する保護絶縁膜５ｄが形成されている。この保護絶縁膜５ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。半導体膜５ｂの一端部の上には、不純物半導体膜５ｆが一部保護絶縁膜５ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜５ｂの他端部の上には、不純物半導体膜５ｇが一部保護絶縁膜５ｄに重なるようにして形成されている。不純物半導体膜５ｆ，５ｇは、互いに離間している。スイッチトランジスタ５がｎ型トランジスタであれば、不純物半導体膜５ｆ，５ｇがｎ型半導体であり、スイッチトランジスタ５がｐ型トランジスタであれば、不純物半導体膜５ｆ，５ｇがｐ型半導体である。不純物半導体膜５ｆの上に電極５ｈが形成され、電極５ｈと第一絶縁膜１１との間に不純物半導体膜５ｆ及び半導体膜５ｂが挟まれている。不純物半導体膜５ｇの上に電極５ｉが形成され、電極５ｉと第一絶縁膜１１との間に不純物半導体膜５ｇ及び半導体膜５ｂが挟まれている。保護絶縁膜５ｄ、電極５ｈ及び電極５ｉの上には、絶縁性の第二絶縁膜１２が成膜され、保護絶縁膜５ｄ、電極５ｈ及び電極５ｉが第二絶縁膜１２によって被覆されている。そのため、スイッチトランジスタ５は、第二絶縁膜１２によって覆われている。
【００６７】
図２０を参照して、駆動トランジスタ６の構造について具体的に説明する。図２０に示すように、第一絶縁膜１１の上であってゲート電極６ａに対応する位置には、真性な半導体膜６ｂが形成されている。この半導体膜６ｂは、第一絶縁膜１１を挟んでゲート電極６ａと相対している。半導体膜６ｂは、例えば、アモルファスシリコン又は結晶性シリコンからなる。駆動トランジスタ６の動作時には、半導体膜６ｂにチャネルが形成される。半導体膜６ｂの中央部上には、チャネルをエッチングから保護する保護絶縁膜６ｄが形成されている。この保護絶縁膜６ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。半導体膜６ｂの一端部の上には、不純物半導体膜６ｆが一部保護絶縁膜６ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜６ｂの他端部の上には、不純物半導体膜６ｇが一部保護絶縁膜６ｄに重なるようにして形成されている。不純物半導体膜６ｆ，６ｇは、互いに離間している。不純物半導体膜６ｆ，６ｇがｎ型半導体であり、駆動トランジスタ６がｐ型トランジスタであれば、不純物半導体膜６ｆ，６ｇがｐ型半導体である。不純物半導体膜６ｆの上に電極６ｈが形成され、電極６ｈと第一絶縁膜１１との間に不純物半導体膜６ｆ及び半導体膜６ｂが挟まれている。不純物半導体膜６ｇの上に電極６ｉが形成され、電極６ｉと第一絶縁膜１１との間に不純物半導体膜６ｇ及び半導体膜６ｂが挟まれている。保護絶縁膜６ｄ、電極６ｈ及び電極６ｉの上には、絶縁性の第二絶縁膜１２が成膜され、保護絶縁膜６ｄ、電極６ｈ及び電極６ｉが第二絶縁膜１２によって被覆されている。そして、駆動トランジスタ６は、第二絶縁膜１２によって覆われている。
【００６８】
図１９、図２１を参照して、キャパシタ７の構造について具体的に説明する。図１９に示すように、キャパシタ７は、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａと電極６ｉとの間に接続されている。具体的には、キャパシタ７の一方の電極７ａは、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに接続され、他方の電極７ｂは、駆動トランジスタ６の電極６ｉに接続されている。図２１に示すように、電極７ａが基板１０と第一絶縁膜１１との間に形成され、電極７ｂが第一絶縁膜１１と第二絶縁膜１２との間に形成され、電極７ａと電極７ｂが第一絶縁膜１１を挟んで相対している。
【００６９】
図１９を参照して、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７の接続について説明する。第一絶縁膜１１のうち、ゲート電極５ａと走査線５２とが重なる位置には、コンタクトホール１１ａが形成されている。第一絶縁膜１１のうち、電極５ｈと信号線５３とが重なる位置には、コンタクトホール１１ｂが形成されている。第一絶縁膜１１のうち、ゲート電極６ａと電極５ｉとが重なる位置には、コンタクトホール１１ｃが形成されている。コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃがそれぞれ埋め込まれている。コンタクトプラグ２０ａによってスイッチトランジスタ５のゲート電極５ａと走査線５２が電気的に導通する。コンタクトプラグ２０ｂによってスイッチトランジスタ５の電極５ｈと信号線５３が電気的に導通する。コンタクトプラグ２０ｃによってスイッチトランジスタ５の電極５ｉとキャパシタ７の電極７ａが電気的に導通するとともに、スイッチトランジスタ５の電極５ｉと駆動トランジスタ６のゲート電極６ａが電気的に導通する。なお、コンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃを介することなく、走査線５２がコンタクトホール１１ａを通じて直接ゲート電極５ａと接触し、電極５ｈがコンタクトホール１１ｂを通じて信号線５３と接触し、電極５ｉがコンタクトホール１１ｃを通じてゲート電極６ａと接触してもよい。
【００７０】
図２０に示すように、発光素子８は、有機ＥＬ素子であって、画素電極８ａ、キャリア輸送層（ここでは、正孔注入層８ｂと発光層８ｃ）及び対向電極８ｄを備える。画素電極８ａは、第一電極であって、発光素子８のアノードである。対向電極８ｄは、第二電極であって、発光素子８のカソードである。
【００７１】
画素電極８ａは、基板１０との間に第一絶縁膜１１を介して基板１０の上に設けられている。画素電極８ａが画素ごと（発光素子８ごと）に独立して形成され、発光領域３０内では複数の画素電極８ａがマトリクス状に配列されている。ボトムエミッション型の場合、この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）若しくはカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）又はこれらの混合物からなる。また、トップエミッション型の場合、画素電極８ａは、高い光反射性のアルミ等の単体又は合金層を下層として光反射性層とし、上層として上述の透明電極の積層構造とすることが好ましい。画素電極８ａの一部が駆動トランジスタ６の電極６ｉに重なり、画素電極８ａと電極６ｉとが接続されている。
【００７２】
画素電極８ａの周縁部が第二絶縁膜１２によって覆われているが、画素電極８ａの中央部が第二絶縁膜１２によって覆われていない。つまり、図１９に示すように、第二絶縁膜１２には、開口部１２ａが形成されており、開口部１２ａが画素電極８ａに重なっている。開口部１２ａが画素ごと（発光素子８ごと）に独立して形成され、複数の開口部１２ａがマトリクス状に配列されている。そのため、第二絶縁膜１２は、平面視して、格子状に形成されている。
【００７３】
なお、第二絶縁膜１２に開口部１２ａが形成されておらず、画素電極８ａが第二絶縁膜１２上に形成されていてもよい。その場合、画素電極８ａが、第二絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールを介して駆動トランジスタ６の電極６ｉに接続されている。更に、その場合、ボトムエミッション型であれば、第二絶縁膜１２が透明である。
【００７４】
図２０に示すように、画素電極８ａの上に、キャリア輸送層が積み重ねられている。キャリア輸送層とは、画素電極８ａと対向電極８ｄとの間に電圧が印加されることによって正孔又は電子を輸送する層である。キャリア輸送層は正孔注入層８ｂと発光層８ｃの積層体であり、正孔注入層８ｂが画素電極８ａ上に形成され、発光層８ｃが正孔注入層８ｂ上に形成されている。なお、キャリア輸送層の構成は正孔注入層８ｂと発光層８ｃの積層体に限るものではない。例えば、キャリア輸送層は、画素電極８ａから順に正孔注入層、発光層、電子注入層を積層してなる三層構造であっても良いし、発光層からなる一層構造であっても良いし、これらの層構造において適切な層間に電子若しくは正孔の輸送層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
【００７５】
正孔注入層８ｂは、化合物膜である。例えば、正孔注入層８ｂは、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）からなる層であって、画素電極８ａから発光層８ｃに向けて正孔を注入するキャリア注入層である。
【００７６】
発光層８ｃは、化合物膜である。例えば、発光層８ｃは、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなる層である。発光層８ｃは、対向電極８ｄから供給される電子と、正孔注入層８ｂから注入される正孔との再結合に伴い発光する。発光層８ｃは、発光色を定める発光材料を含有していてもよい。発光層８ｃに含有する発光材料が赤色（Ｒ）の発光材料であれば、発光素子８が赤の画素であり、発光層８ｃに含有する発光材料が緑色（Ｇ）の発光材料であれば、発光素子８が緑の画素であり、発光層８ｃに含有する発光材料が青色（Ｂ）の発光材料であれば、発光素子８が青の画素である。このため、画素の色ごとに、発光層８ｃの発光材料が異なる。なお、画素のＲＧＢ配列はストライプ配列でもよいし、モザイク配列でもよいし、デルタ配列でもよい。ストライプ配列とは、垂直方向に同じ色を配列し、水平方向にＲ、Ｇ、Ｂの順に繰り返し配列したものである。モザイク配列とは、水平方向にＲ、Ｇ、Ｂの順に繰り返し配列して、垂直方向にもＲ，Ｇ，Ｂの順に繰り返し配列して、斜め方向に同じ色が配列したものである。デルタ配列とは、隣り合う垂直方向の列（又は隣り合う水平方向の列）が半ドットずれて、ＲＧＢを三角形に配置したものである。
【００７７】
キャリア輸送層の上には（図２０の場合、発光層８ｃの上には）、対向電極８ｄが積み重ねられている。対向電極８ｄは、画素電極８ａよりも仕事関数の低い材料で形成されている。対向電極８ｄがカソードとして適用される場合、例えば、対向電極８ｄは下層とその下層の上に形成された上層とを有する積層体である。対向電極８ｄの下層は、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム又は希土類金属を含む単体であるか、これらのうち２種以上を含む合金、混合物又は化合物である。対向電極８ｄの上層は、対向電極８ｄのシート抵抗を下げる。トップエミッション型の場合、対向電極８ｄの上層は、透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）若しくはカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）又はこれらの混合物からなる。ボトムエミッションの場合、対向電極８ｄの上層は、高い光反射性のアルミ等の単体又は合金層が好ましい。
【００７８】
対向電極８ｄは、複数の画素（発光素子８）に共通した電極であって、発光領域３０全体に及んでいる。対向電極８ｄは、全ての画素（発光素子８）に共通したものでもよいし、全ての画素（発光素子８）を幾つかのグループに分けた場合に各グループ内の複数の画素（発光素子８）に共通したものでもよい（この場合、対向電極８ｄは、グループの数だけある）。
【００７９】
図２２は、発光領域３０内の一部を破断した状態で示した部分断面斜視図である。図２２に示すように、発光領域３０内には、隔壁である格子状バンク１３及び縞状バンク１４が設けられている。格子状バンク１３は格子状パターン膜であり、縞状バンク１４は縞状パターン膜である。
【００８０】
格子状バンク１３は、平面視して、格子状に形成されている。つまり、格子状バンク１３には、複数の方形開口部１３ａが形成されており、これら方形開口部１３ａが格子状に配列されている。図１９〜図２２に示すように、格子状バンク１３は、第二絶縁膜１２の上から、キャパシタ７の電極７ｂ、走査線５２、信号線５３、電圧供給線５４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及び第一絶縁膜１１を覆うように形成されている。特に、スイッチトランジスタ５は、格子状バンク１３のうち水平方向に延びた部分によって覆われており、駆動トランジスタ６は、格子状バンク１３のうち垂直方向に延びた部分によって覆われている。
【００８１】
方形開口部１３ａが第二絶縁膜１２の開口部１２ａ及び画素電極８ａに重なっており、画素電極８ａの周縁部が格子状バンク１３によって覆われているが、画素電極８ａの中央部は格子状バンク１３によって覆われていない。第二絶縁膜１２を格子状バンク１３よりも幅広とした構造にすることによって、方形開口部１３ａが開口部１２ａより幅広となるようにしてもよい。
【００８２】
縞状バンク１４は、平面視して、ストライプ状に形成されている。つまり、縞状バンク１４が垂直方向に延びているとともに、水平方向に間隔を置いて配列されており、縞状バンク１４の間が溝（開口）１４ａとなっている。縞状バンク１４は、格子状バンク１３のうち垂直方向に延びた部分の上に重なっており、格子状バンク１３の方形開口部１３ａ及び第二絶縁膜１２の開口部１２ａは、縞状バンク１４の間の溝１４ａで垂直方向に配列されている。従って、縞状バンク１４は、信号線５３に沿うように設けられている。駆動トランジスタ６が縞状バンク１４の下に配置されている。スイッチトランジスタ５の上には縞状バンク１４の溝１４ａが形成されており、スイッチトランジスタ５の全体又は一部が縞状バンク１４の間の溝１４ａ内に位置している。なお、縞状バンク１４が、走査線５２及び電圧供給線５４に沿って水平方向に延びているとともに、格子状バンク１３のうち水平方向に延びた部分の上に重なっていてもよい。
【００８３】
格子状バンク１３及び縞状バンク１４は、感光材料（例えば、感光性ポリイミド樹脂）からなり、好ましくはポジ型の感光材料からなる。更に、格子状バンク１３及び縞状バンク１４は、黒色の材料を含有して、遮光性を有していてもよい。
【００８４】
なお、図２２では、画素電極８ａと格子状バンク１３と縞状バンク１４の関係を把握しやすいように、基板１０、画素電極８ａ、格子状バンク１３及び縞状バンク１４以外の要素の図示を省略する。
【００８５】
格子状バンク１３の方形開口部１３ａは、画素ごと（発光素子８ごと）に独立して形成されている。方形開口部１３ａの内側では、画素電極８ａの上に正孔注入層８ｂ、発光層８ｃ及び対向電極８ｄが積層されている。方形開口部１３ａの内側で画素電極８ａ、キャリア輸送層及び対向電極８ｄが積層されてなる積層体が発光素子８であり、その発光素子８が画素となる。発光素子８の正孔注入層８ｂ及び発光層８ｃが格子状バンク１３によって画素（発光素子８）ごとに区切られている。
【００８６】
対向電極８ｄが共通電極であるので、その対向電極８ｄは発光層８ｃ等の化合物膜とともに縞状バンク１４を被覆している。更に、対向電極８ｄは、縞状バンク１４の間において格子状バンク１３を被覆している。
【００８７】
格子状バンク１３は、正孔注入層８ｂや発光層８ｃを湿式法により格子状バンク１３で囲まれた領域（方形開口部１３ａ）に形成するに際して、その領域内に塗布された液状体（正孔注入層８ｂ又は発光層８ｃとなる材料が溶媒に溶解又は分散されたもの）が隣接画素に流出しないように堰き止める隔壁として機能する。そして、各方形開口部１３ａに囲まれた各画素電極８ａ上に、正孔注入層８ｂとなる材料が含有される液状体を塗布し、基板１０ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第１のキャリア輸送層である正孔注入層８ｂとなる。さらに、各方形開口部１３ａに囲まれた各正孔注入層８ｂ上に、発光層８ｃとなる材料が含有される液状体を塗布し、基板１０ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第２のキャリア輸送層である発光層８ｃとなる。なお、正孔注入層８ｂは、縞状バンク１４の間において垂直方向に配列された複数の方形開口部１３ａに跨るように連続して形成されていてもよい。この場合、正孔注入性のある酸化ゲルマニウムが好ましい。
【００８８】
図２０、図２１に示すように、対向電極８ｄ上には、その対向電極８ｄを保護するための保護膜（パッシベーション膜）１５が成膜されている。保護膜１５は、絶縁性を有し、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。トップエミッション型の場合、保護膜１５が透明である。ボトムエミッションの場合、保護膜１５が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００８９】
ボトムエミッション型の場合、画素電極８ａ、基板１０及び第一絶縁膜１１が透明であり、発光層８ｃから発した光が画素電極８ａ、第一絶縁膜１１及び基板１０を透過して出射する。そのため、基板１０の裏側の面が表示面となる。
トップエミッション型の場合、対向電極８ｄ、保護膜１５及び対向基板４０が透明であり、発光層８ｃから発した光が対向電極８ｄ、保護膜１５及び対向基板４０を透過して出射する。そのため、対向基板４０の表側の面が表示面となる。トップエミッション型の場合、画素電極８ａを反射電極とすることが好ましい。
【００９０】
基板１０から第二絶縁膜１２まで積層されたものであって、画素電極８ａ、画素周辺回路４、走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４が形成されたものが、アクティブマトリクス基板である。アクティブマトリクス基板の上に格子状バンク１３、縞状バンク１４、キャリア輸送層（正孔注入層８ｂ、発光層８ｃ）、対向電極８ｄ及び保護膜１５を形成してなるものが、封緘されていない状態の発光装置である。
【００９１】
以上の発光装置１の製造方法について説明する。
まず、アクティブマトリクス基板を作成する。つまり、複数の発光装置１を取ることができる大きさの切断前の基板１０の表側の面に対して、所定の成膜法（例えば、気相成長法、液体塗布法等）、フォトリソグラフィー法、エッチング法、印刷法等を適宜行うことによって、各種素子（スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及びキャパシタ７）、各種配線（走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４）、各種絶縁膜（第一絶縁膜１１及び第二絶縁膜１２）及び画素電極８ａを基板１０の表側の面上に形成する。これにより、アクティブマトリクス基板が得られる。
【００９２】
次に、アクティブマトリクス基板の表側の面（画素電極８ａが形成された面）上に格子状バンク１３を形成する。格子状バンク１３の形成方法は、上記第２実施形態における方形格子状パターン膜６０２を形成方法と同様である。なお、格子状バンク１３の元となる感光層がポジ型である場合には、各画素電極８ａの中央部に重なる方形状の部分を露光するともに、それらの周囲の部分を露光せず、格子状バンク１３の元となる感光層がネガ型である場合には、画素電極８ａの中央部に重なる方形状の部分を露光せず、それらの周囲の部分を露光する。
【００９３】
格子状バンク１３の形成後、格子状バンク１３及びアクティブマトリクス基板を洗浄し、必要に応じて格子状バンク１３を焼成する。
【００９４】
次に、格子状バンク１３のうち垂直方向に延びた部分の上に縞状バンク１４を形成する。縞状バンク１４の形成方法は、上記第２実施形態における縞状パターン膜６０４の形成方法と同様である。なお、縞状バンク１４の元となる感光層がポジ型である場合には、その感光層のうち、各画素電極８ａの中央部に重なる方形状の部分を露光するとともに、それらの露光箇所（明部）を水平方向又は垂直方法にずらす。一方、縞状バンク１４の元なる感光層がネガ型である場合には、その感光層のうち、水平方向の隣り合った画素電極８ａと画素電極８ａとの間に重なる部分を露光するとともに、それらの露光箇所（方形状明部）を垂直方向にずらすか、又は、感光層のうち、垂直方向に隣り合った画素電極８ａと画素電極８ａとの間に重なる部分を露光するとともに、それらの露光箇所（方形状明部）を水平方向にずらす。
【００９５】
次に、液滴吐出法（インクジェット法）、ディスペンサ法、スクリーン印刷法等の湿式塗布法によって、格子状バンク１３の各方形開口部１３ａ内に液状体（正孔注入層８ｂの材料が溶媒に溶解又は分散されたもの）を塗布する。これにより、各方形開口部１３ａ内であって画素電極８ａ上に正孔注入層８ｂを形成する。画素電極８ａに塗布した液状体は、格子状バンク１３及び縞状バンク１４によって堰き止められる。特に、格子状バンク１３上に縞状バンク１４が形成されているから、画素電極８ａに塗布した液状体が縞状バンク１４の上に乗り上がることがなく、塗布ムラの防止を図ることができる。これは、液状体が粘度の低い低分子材料である場合に特に有効である。また、スイッチトランジスタ５が画素電極８ａに対して垂直方向に隣接していて、スイッチトランジスタ５が縞状バンク１４によって覆われていなくても、そのスイッチトランジスタ５が格子状バンク１３によって覆われているから、液状体が垂直方向に滲まないようにすることができる。
その後、塗布した液状体を乾燥させる。
【００９６】
次に、液滴吐出法（インクジェット法）、ディスペンサ法、スクリーン印刷法等の湿式塗布法によって、格子状バンク１３の各方形開口部１３ａ内に液状体（発光層８ｃの材料が溶媒に溶解又は分散されたもの）を塗布する。これにより、各方形開口部１３ａ内であって正孔注入層８ｂ上に発光層８ｃを形成する。発光層８ｃを形成する場合でも、塗布した液状体が格子状バンク１３及び縞状バンク１４によって堰き止められ、塗布ムラの防止を図ることができる。
その後、塗布した液状体を乾燥させる。
【００９７】
次に、対向電極８ｄによって発光層８ｃ、縞状バンク１４及び格子状バンク１３をコーティングするように対向電極８ｄを発光領域３０内に形成する。
次に、対向電極８ｄ上に保護膜１５を成膜する。
次に、アクティブマトリクス基板を発光装置１ごとに切断する。対向基板４０の貼り合わせは、アクティブマトリクス基板を切断する前でもよいし、アクティブマトリクス基板を切断した後でもよい。また、対向基板４０を複数枚取ることができる大きなマザー対向基板を切断前のアクティブマトリクス基板に貼り合わせた後、アクティブマトリクス基板を切断してもよい。その場合、マザー対向基板を複数の対向基板４０に分断する工程は、アクティブマトリクス基板の切断と同時でもよいし、アクティブマトリクス基板の切断の前又は後でもよい。予め分断された複数の対向基板を切断前のアクティブマトリクス基板に貼り合わせた後に、アクティブマトリクス基板を切断してもよい。
【００９８】
なお、上記においては、発光装置１がアクティブマトリクス型のディスプレイパネルであった。パッシブ型のディスプレイパネルの画素を仕切るために、上述のような格子状バンク１３及び縞状バンク１４を用いてもよい。
【００９９】
〔応用例〕
ディスプレイパネルとしての発光装置１は、各種電子機器の表示パネルとして用いられる。
例えば、図２３に示した携帯電話機２００の表示パネル１ａや、図２４（ａ）、（ｂ）に示したデジタルカメラ３００の表示パネル１ｂや、図２５に示したパーソナルコンピュータ４００の表示パネル１ｃが、発光装置１である。
【０１００】
また、ディスプレイパネルとしての発光装置１は、印刷機（例えばページプリンタ）の露光装置として用いることもできる。具体的には、発光装置１の発光領域３０に形成された像（発光した複数の発光素子８によって形成される像）が光学系（例えばロッドレンズアレイ）によって感光材（例えば感光ドラム）に投影されることによって、感光材に静電潜像が形成される。その後、トナーが感光材に付着することによって静電潜像が顕在化する。その後、記録媒体（例えば紙）が感光材に押し当てられることによって、顕在化した静電潜像が記録媒体に転写される。
【符号の説明】
【０１０１】
１ 発光装置
１３ 格子状バンク（格子状パターン膜）
１４ 縞状バンク（縞状パターン膜）
５０１、６０３ 感光層（感光材）
５０２ 明暗パターン
５０３ 方形明部
５０４ 格子状暗部
５１０、５１１ 縞状部分（縞状パターン膜）
５１２、５１３ 縞状部分（縞状パターン膜）
６０２ 格子状パターン膜
６０４ 縞状パターン膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機などの電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である複数の有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を画素としてマトリクス状に配列したＥＬパネルを適用したものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。各有機ＥＬ素子のキャリア輸送層（例えば、発光層、正孔注入層、電子注入層等）は、湿式塗布法によって形成される。つまり、有機溶液を画素毎に区切るようにして、有機溶液を塗布する。
【０００３】
また、隣り合う画素の有機溶液が乾燥前に混じらないように、水平方向又は垂直方向の画素列の間を仕切る縞状のバンク（隔壁）を予め形成し、バンクの間に有機溶液を塗布することが行われている（例えば、特許文献１，２参照）。塗布された有機溶液はバンクによって堰き止められるので、隣り合う画素の有機溶液が乾燥前に混じらない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１８６００１号公報
【特許文献２】特開２００６−３０９９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、縞状バンクといった微細な縞状パターンは、感光層の露光・現像をすることによって形成される。感光層の露光に際しては、縞状のフォトマスクによって照射光の一部を遮光することによって、縞状の明暗パターンを感光層に投影する。ところが、縞状のフォトマスクを利用できないこともある。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、縞状のフォトマスクを利用せずとも縞状パターン膜を形成できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するため、本発明に係るパターン膜の形成方法は、基板上方に第一の感光材を形成し、
所定方向に並んだ複数の開口部が設けられたマスクを用いて前記第一の感光材を露光した後、前記マスクを前記所定方向にずらして前記第一の感光材を露光し、
前記第一の感光材を現像して縞状パターン膜を形成する方法である。
【０００７】
好ましくは、前記基板と前記縞状パターン膜との間に、第二の感光材を露光・現像してなる格子状パターン膜が形成されている。
好ましくは、前記第二の感光材は前記マスクを用いて露光・現像することで形成される。
好ましくは、前記第一の感光材と前記第二の感光材とは同材料からなる。
好ましくは、前記マスクをずらす距離は、前記所定方向の隣り合わせの二つの前記開口部のピッチの整数倍以外である。
【０００８】
本発明に係る発光装置の製造方法は、
基板上方に形成された第一電極と、前記第一電極と対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を備えた発光素子と、
前記発光素子を駆動するトランジスタと、を備える発光装置の製造方法において、
前記トランジスタが形成された面上に下部感光材を形成し、
所定方向に並んだ複数の開口部が設けられたマスクを用いて、前記下部感光材を露光・現像して、前記トランジスタ上部に残り且つ前記発光層が形成された領域に開口を有する格子状パターン膜を形成し、
前記格子状パターン膜上に上部感光材を形成し、
前記マスクを用いて前記上部感光材を露光した後、前記マスクを前記所定方向にずらして前記上部感光材を露光し、
前記上部感光材を現像して縞状パターン膜を形成する方法である。
【０００９】
好ましくは、前記トランジスタの上には、前記縞状パターン膜の開口が形成されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、縞状のフォトマスクを用いずとも、縞状パターン膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る縞状パターンの形成方法を説明するための断面図である。
【図２】図１に示した工程の後の工程を説明するための平面図である。
【図３】図２に示されたIII−IIIに沿った面の矢視断面図である。
【図４】図２に示されたIV−IVに沿った面の矢視断面図である。
【図５】図２に示した工程の後の工程を説明するための平面図である。
【図６】図５に示されたVI−VIに沿った面の矢視断面図である。
【図７】図５に示されたVII−VIIに沿った面の矢視断面図である。
【図８】完成した縞状パターンを示した平面図である。
【図９】完成した縞状パターンを示した平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る縞状パターンの形成方法を説明するための斜視図である。
【図１１】図１０に示した工程の後の工程を説明するための斜視図である。
【図１２】図１１に示した工程の後の工程を説明するための斜視図である。
【図１３】図１２に示した工程の後の工程を説明するための斜視図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置を示した概略平面図である。
【図１５】XV−XV断面図である。
【図１６】同実施の形態に係る発光装置の画素及び配線の位置関係を示す平面図である。
【図１７】同実施の形態に係る発光装置の１つの画素の周辺回路の一例を示した回路図である。
【図１８】同実施の形態に係る発光装置の１つの画素の周辺回路の一例を示した回路図である。
【図１９】同実施の形態に係る発光装置の１つの画素及びその周辺を示した平面図である。
【図２０】XX−XX断面図である。
【図２１】XXI−XXI断面図である。
【図２２】バンクの形状を説明するための概略部分断面斜視図である。
【図２３】第３の実施の形態に係る発光装置を表示パネルに適用した携帯電話機の一例を示す正面図である。
【図２４】第３の実施の形態に係る発光装置を表示パネルに適用したデジタルカメラの一例を示す正面側斜視図（ａ）と、後面側斜視図（ｂ）である。
【図２５】第３の実施の形態に係る発光装置を表示パネルに適用したパーソナルコンピュータの一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１３】
〔第１の実施の形態〕
本発明の実施の形態に係る縞状パターン膜の形成方法について説明する。
【００１４】
図１の断面図に示すように、基材５００の表面に感光層５０１を形成する。
基材５００は、例えば、基板、透明基板、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、回路基板、アクティブマトリクス基板、ディスプレイパネル用マザーパネル、半導体ウエハ、シート、樹脂シート、金属シート、透明シート、可撓性シート、透明シート、ウエブ、印画用媒体又は光学素子（例えば、レンズ）等である。
基材５００の表面には、例えば絶縁膜、絶縁パターン（絶縁膜を所定の形状にパターニングしたもの）、導電膜、導体パターン（配線パターン）、電極、回路パターン、半導体素子、薄膜トランジスタ、アクティブ素子若しくは画素又はこれらのうち２種以上のものが形成されていて、それらを感光層５０１によってコーティングしてもよい。感光層５０１を基材５００の上に直接形成してもよい。
【００１５】
感光層５０１はポジ型であってもよいし、ネガ型であってもよい。感光層５０１の組成は、感光性を実現するものであれば特に限定するものではない。例えば、感光層５０１の組成物としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂等が挙げられる。基材５００の表面に感光層５０１を形成する方法としては、感光性フィルムを基材５００の表面を貼り付けることでその感光性フィルムを感光層５０１とする方法や、液状の感光材を基材５００の表面に塗布することで塗布した感光材を感光層５０１とする方法（例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法又はスクリーン印刷法等）がある。必要に応じて感光層５０１をプリベークしてもよい。
【００１６】
感光層５０１の形成後、方形格子状のフォトマスク（レクチル）及び露光装置（例えばステッパ）を用いて感光層５０１を露光する。つまり、露光装置の光源から発した照射光の一部を方形格子状のフォトマスクで遮光しつつ、フォトマスクで遮光されない照射光を露光装置の光学系（レンズ）によって感光層５０１に投射する。これにより、図２〜図４に示すように、方形格子状の明暗パターン５０２を感光層５０１に投影する。図２は平面図であり、図３はIII−III断面図であり、図４はIV−IV断面図である。フォトマスクには、複数の開口部（好ましくは、方形状の開口部であって、更に好ましくは、長方形の開口部）が所定方向（開口部が方形状である場合には、辺方向であり、開口部が長方形である場合には、短辺又は長辺方向である）に一列又は複数列になって配列されている。そのため、明暗パターン５０２が方形格子状になる。明暗パターン５０２のうち、格子状に配列された複数の方形明部５０３（図２、図３では、方形明部５０３が白抜きで示されている。）が露光された部分であり、これら方形明部５０３の間を占める格子状暗部５０４（図２〜図４では、格子状暗部５０４に模様が付されている。）が露光されていない部分である。図２では、方形明部５０３の形状が長方形であったが、正方形、ひし形又は平行四辺形であってもよい。投影倍率は等倍であってもよいし、縮小であってもよいし、拡大であってもよい。なお、フォトマスクを感光層５０１から離して配置して、光学系によってフォトマスクのパターンを感光層５０１に投影するのではなく、フォトマスクを感光層５０１上に載置して、光学系を用いずにフォトマスクのパターンを感光層５０１に投影してもよい。
【００１７】
図２では方形明部５０３の列の隣同士が揃っていたが、列の隣同士が列方向にずれていてもよい。例えば、長方形の方形明部５０３の長辺方向の列の隣同士が半ピッチ分だけずれていてもよい。
【００１８】
次に、基材５００と感光層５０１又はフォトマスクを明暗パターン５０２の方形の辺方向に移動させて、感光層５０１を再び露光する。基材５００と感光層５０１又はフォトマスクを方形の辺方向に移動させたので、図５の平面図、図６のVI−VI断面図、図７のVII−VII断面図に示すように、感光層５０１に投影される方形格子状の明暗パターン５０２が方形の辺方向にずれる。明暗パターン５０２をずらす距離は、明暗パターン５０２のピッチの整数倍以外である。なお、図５〜図７では、方形明部５０３の形状が長方形であって、明暗パターン５０２をずらす方向（所定方向）を長辺方向としたが、明暗パターン５０２をずらす方向を短辺方向としてもよい。方形明部５０３の形状が平行四辺形（但し、ひし形及び正方形を除く。）である場合も、明暗パターン５０２をずらす方向が短辺、長辺のどちらでもよい。
【００１９】
図５〜図７においても、明暗パターン５０２のうち、格子状に配列された複数の方形明部５０３（図５では、方形明部５０３が白抜きで示されている。）が露光された部分であり、これら方形明部５０３の間を占める格子状暗部５０４（図５では、格子状暗部５０４に模様が付されている。）が露光されていない部分である。また、１回目の露光の際の格子状暗部５０４と、２回目の露光の際の格子状暗部５０４とが重なる部分を濃い模様で示し、その部分は縞状に形成され、１，２回目のどちらでも露光されていない未露光部となる。１回目の露光の際の方形明部５０３と、２回目の露光の際の格子状暗部５０４とが重なる部分を薄い模様で示す。図５、図６では、１回目の露光の際の明暗パターン５０２を一点鎖線で示す。なお、方形明部５０３の列の隣同士が列方向にずれている場合、２回目の露光に際して明暗パターン５０２をずらす方向は列方向である。
【００２０】
感光層５０１に投影する明暗パターン５０２を方形の辺方向にずらすようにして再露光を行うことの回数は、１回でもよいし、複数回でもよい。つまり、明暗パターン５０２を方形の辺方向にずらすようにして再露光を行うことを繰り返してもよい（つまり、間欠的な露光を行う。）
また、露光装置の光源を点灯させた状態で、基材５００と感光層５０１又はフォトマスクを移動させることによって、感光層５０１に明暗パターン５０２を投影した状態（感光層５０１を露光した状態）で明暗パターン５０２を方形の辺方向にずらしてもよい（つまり、連続的な露光を行う）。
【００２１】
次に、感光層５０１を現像液で現像することによって、感光層５０１から縞状パターン膜を形成する。感光層５０１がポジ型である場合には、図８の平面図に示すように、感光層５０１のうち一回も露光されなかった縞状部分５１０が残留し、一回でも露光された縞状部分５１１が現像液に溶解して、除去される。感光層５０１がネガ型である場合には、図９の平面図に示すように、感光層５０１のうち一回でも露光された縞状部分５１３が残留し、一回も露光されなかった縞状部分５１２が現像液に溶解して、除去される。
現像後、残留した縞状部分（縞状パターン膜）５１０，５１３及び基材５００を洗浄し、必要に応じて、残留した縞状部分（縞状パターン膜）５１０，５１３を焼成する。
【００２２】
残留した縞状部分５１０，５１３は、エッチングレジスト、メッキレジスト、ソルダーレジスト等のレジストとして利用される。更に、残留した縞状部分５１０，５１３は、ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、液晶ディスプレイといったディスプレイの画素列を仕切るバンクとして利用される。更に、残留した縞状部分５１０，５１３は、ディスプレイのカラーフィルタ用の遮光材であって、着色層を仕切るものとして利用される。残留した縞状部分５１０，５１２の用途は、以上に挙げた例に限るものではない。
【００２３】
以上のような方法によれば、方形格子状のフォトマスクを用いて縞状パターン膜を形成することができる。そのため、縞状パターン膜を形成するために新たな縞状フォトマスクを作成しなくても済む。
【００２４】
〔第２の実施の形態〕
本発明の実施の形態に係る縞状パターン膜の形成方法について説明する。
図１０の部分断面斜視図に示すように、基材６００の表面に感光層６０１を形成し、必要に応じて感光層６０１をプリベークする。基材６００は、上述した基材５００と同様のものである。感光層６０１は、上述した感光層５０１と同様のものであり、感光層６０１の形成方法も、上述の感光層５０１の形成方法と同様である。
【００２５】
次に、感光層６０１の露光・現像をすることにより、図１１の部分断面斜視図に示すように、感光層６０１を方形格子状にパターニングする。これにより、感光層６０１から方形格子状パターン膜６０２を作成する。
感光層６０１の露光に際しては、露光装置の光源から発した照射光の一部を方形格子状のフォトマスクで遮光しつつ、フォトマスクで遮光されない照射光を露光装置の光学系によって感光層６０１に投射することによって、方形格子状の明暗パターンを感光層６０１に投影する。これにより、方形格子状の潜像を感光層６０１に形成する。
感光層６０１の現像は現像液で行い、感光層６０１のうち格子状に配列された複数の方形部（感光層６０１がポジ型である場合には、方形部は露光した明部であり、感光層６０１がネガ型である場合には、方形部は露光していない暗部である。）を現像液で溶解する。
【００２６】
現像後、残留した方形格子状パターン膜６０２及び基材６００を洗浄し、必要に応じて、残留した方形格子状パターン膜６０２を焼成する。なお、感光層６０１が感光性ポリイミド樹脂である場合、方形格子状パターン膜６０２の焼成により方形格子状パターン膜６０２の組成物であるポリイミド前駆体がポリイミド化する。
【００２７】
次に、図１２の部分断面斜視図に示すように、感光層６０３を方形格子状パターン膜６０２の上から基材６００の表面に形成し、方形格子状パターン膜６０２を感光層６０３でコーティングする。感光層６０３は、上述した感光層５０１と同様のものであり、感光層６０３の形成方法も、上述の感光層５０１の形成方法と同様である。感光層６０３の組成と感光層６０１の組成は同じものであり、感光層６０１と感光層６０３とは同材料からなる。なお、感光層６０３の組成と感光層６０１の組成が異なっていてもよい。
【００２８】
次に、感光層６０３の露光・現像をすることにより、図１３の部分断面斜視図に示すように、感光層６０３を縞状にパターニングする。これにより、感光層６０３から縞状パターン膜６０４を作成する。
【００２９】
感光層６０３の露光方法は、上述した感光層５０１の露光方法と同様である。
具体的に説明すると、まず、露光装置の光源から発した照射光の一部を方形格子状のフォトマスクで遮光しつつ、フォトマスクで遮光されない照射光を露光装置の光学系によって感光層６０３に投射することによって、方形格子状の明暗パターンを感光層６０３に投影する。この際、感光層６０３がポジ型である場合には、方形格子状のフォトマスクの開口部又は明暗パターンの方形明部を方形格子状パターン膜６０２の列方向の複数の方形状開口部に重ねるようにして、フォトマスク又は明暗パターンを方形格子状パターン膜６０２に重ねる。つまり、感光層６０３がポジ型である場合、平面視して、方形格子状のフォトマスク又は方形格子状の明暗パターンを方形格子状パターン膜６０２に合致させる。一方、感光層６０３がネガ型である場合には、方形格子状のフォトマスクの開口部でない格子部又は明暗パターンの格子状暗部を方形格子状パターン膜６０２の方形状開口部に重ねて、フォトマスクの開口部又は明暗パターンの方形明部を方形格子状パターン膜６０２の開口部に重ねずに方形格子状パターン膜６０２に重ねる。つまり、感光層６０３がネガ型である場合、平面視して、方形格子状のフォトマスク又は明暗パターンを方形格子状パターン膜６０２から半ピッチ分だけ列方向にずらした状態にする。
その後、格子状のフォトマスク又は基材６００を列方向にずらすようにして、感光層６０３を再露光する。フォトマスク又は基材６００をずらす距離は、開口部の列方向の一辺の長さＷ１と、開口部間の格子部の列方向の長さＷ２を合わせたフォトマスクのピッチの整数倍以外である（図２参照）。Ｗ１＞Ｗ２の関係が成り立つ場合は、フォトマスク又は基材６００をずらす距離は、Ｗ２以上Ｗ１以下であることが好ましい（二度露光を行うだけでよいため）。なお、方形格子状のフォトマスク又は基材６００をＷ１以内で列方向にずらすようにして感光層６０３の再露光を行うことを繰り返してもよいし（つまり、間欠的な露光を行う）、感光層６０３を露光した状態でフォトマスク又は基材６００をＷ１以内で方形の列方向にずらしてもよい（つまり、連続的な露光を行う）。
【００３０】
感光層６０１の露光の際に用いる格子状フォトマスクを感光層６０３の露光の際に用いて、感光層６０３の露光の際の投影倍率を感光層６０１の露光の際の投影倍率に等しくすることが好ましい。感光層６０３の露光の際に用いる格子状フォトマスクとは別の格子状フォトマスクを用いて感光層６０３を露光してもよい。
【００３１】
感光層６０３の現像方法は、上述した感光層５０１の現像方法と同様である。感光層６０３がポジ型である場合には、感光層６０３のうち一回も露光されなかった部分が残留して、縞状パターン膜６０４が形成される。一方、感光層６０３がネガ型である場合には、感光層６０３のうち一回でも露光された部分が残留して、縞状パターン膜６０４が形成される。先に、方形格子状パターン膜６０２を焼成していれば、感光層６０３の現像の際に、方形格子状パターン膜６０２が現像液によって確実に溶解しないようにすることができる。
【００３２】
現像後、残留した縞状パターン膜６０４及び基材６００を洗浄し、必要に応じて、残留した縞状パターン膜６０４を焼成する。
【００３３】
以上のような方法によれば、感光層６０１の露光の際に用いたフォトマスクを感光層６０３の露光にも用いることができる。そのため、感光層６０３の露光用に新たなフォトマスクを作成しなくても済む。
【００３４】
〔第３の実施の形態〕
図１４は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置１を示した概略平面図である。図１５は、図１４に示されたXV−XVに沿った面の矢視断面図である。
【００３５】
この発光装置１は、パネル状のものである。この発光装置１は、発光パネルの中でも特にドットマトリクス型のディスプレイパネルであって、更に具体的にはアクティブマトリクス型のディスプレイパネルである。
【００３６】
この発光装置１は、基板１０と対向基板４０を対向させて、これらを貼り合わせたものである。基板１０の表側の中央部には、発光領域３０が設けられている。発光領域３０は、複数の発光素子８をマトリクス状に配列したものである。発光素子８は画素であり、発光領域３０は表示領域である。つまり、これら発光素子８が個別に発光し、発光強度若しくは発光時間又はそれらの両方が発光素子８ごとに制御されることによって、発光素子８（画素）ごとに階調が制御されて、発光領域３０に画像が表示される。
【００３７】
以下の説明において、トップエミッション型とは、発光領域３０内の各発光素子８から発した光が対向基板４０の表側の面から外部に放射されることをいい、ボトムエミッション型とは、各発光素子８から発した光が基板１０の裏側の面から外部に放射されることをいう。
【００３８】
基板１０及び対向基板４０は絶縁性の基板であり、例えばガラス又は樹脂（例えば、アクリル、ポリカーボネート）からなる。トップエミッション型の場合、対向基板４０が透明である。ボトムエミッション型の場合、基板１０が透明である。
【００３９】
発光領域３０が枠状のシール材３１によって囲われている。シール材３１は、基板１０と対向基板４０との間に挟持された状態でこれら基板１０と対向基板４０に固着されている。シール材３１によって基板１０と対向基板４０がこれらの間に間隔をおいて接合されている。このような構造によって、発光領域３０は封緘されて、外的環境の影響を受けないように保護されている。シール材３１がガラスビーズ等のギャップ材を含有することによって、圧力によってシール材３１が押し潰されないようになっている。これにより、基板１０と対向基板４０との間隔が保たれ、基板１０の表側と対向基板４０の裏側が接触しない。シール材３１の内側にフィル材が充填されていてもよいし、シール材３１の内側が空洞となっていてもよい。トップエミッション型の場合、フィル材は透明である。なお、対向基板４０が基板１０に貼り合わせられておらず、発光領域３０が封緘されていなくてもよい。
【００４０】
発光領域３０内には、発光素子８のアドレシング、階調指定、電圧供給、接地等に用いられる各種の配線（例えば、走査線、信号線、電圧供給線、グランド線等）が張り巡らされ、これら配線が発光領域３０内から発光領域３０の周囲に引き回されている。具体的には、発光領域３０の周囲に引き回された配線の集まりが、配線群５０である。発光領域３０内の構成については、後に詳述する。
【００４１】
図１４に示すように、対向基板４０のサイズが基板１０のサイズよりも小さく、基板１０の一部１０ａが対向基板４０の縁からはみ出ている。基板１０のはみ出し部分１０ａの表側の面には、複数の端子からなる端子群６０が設けられている。配線群５０の各配線がはみ出し部分１０ａまで引き回されており、配線群５０の各配線が端子群６０の各端子に接続されている。ドライバ用ＩＣチップが基板１０のはみ出し部分１０ａに搭載されたり、ドライバ用ＩＣチップに接続されたフレキシブル配線シート（いわゆるＦＰＣ：Flexible printed circuits）がはみ出し部分１０ａに接合されたりすることによって、ドライバ用ＩＣチップの各端子が端子群６０の各端子に導通する。
【００４２】
以下、発光領域３０内について具体的に説明する。
図１６は、発光領域３０内の画素（発光素子８）及び配線の配置を示す平面図である。発光領域３０内に設けられた配線は、図１６に示すように発光領域３０内に張り巡らされた複数の走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４と、である。
【００４３】
複数の走査線５２は、基板１０の表側に敷設されている。これら走査線５２は、互いに略平行となっているとともに、所定間隔をおいて配列されている。これら走査線５２の延びる方向を水平方向という。
【００４４】
複数の電圧供給線５４は、基板１０の表側に敷設されている。これら電圧供給線５４は、互いに平行となっているとともに、所定間隔をおいて配列されている。電圧供給線５４と走査線５２が互いに平行であり、電圧供給線５４と走査線５２が交互に配列されている。電圧供給線５４の両側に配置される２本の走査線５２のうち一方は、他方よりもその電圧供給線５４の近くに配置されている。
【００４５】
複数の信号線５３は、基板１０の表側に敷設されている。これら信号線５３は、互いに平行となっているとともに、所定間隔をおいて配列されている。平面視して、信号線５３は、走査線５２及び電圧供給線５４に対して直交している。これら信号線５３の延びる方向を垂直方向という。信号線５３と走査線５２が絶縁されているとともに、信号線５３と電圧供給線５４が絶縁されている。なお、電圧供給線５４が垂直方向に延び、平面視して、走査線５２と電圧供給線５４が交差してもよい。この場合、走査線５２と電圧供給線５４が絶縁されている。
【００４６】
発光素子８は、隣り合う信号線５３の間で垂直方向に配列されている。また、発光素子８は、走査線５２とその走査線５２の片側隣りの電圧供給線５４との間で水平方向に配列されている。
【００４７】
図１７、図１８は、１つの画素の周辺回路の一例を示した回路図である。図１７、図１８に示すように、各発光素子８の周辺には、アクティブ素子等を有した画素周辺回路４が設けられている。画素周辺回路４は、走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４に接続されている。
【００４８】
画素周辺回路４は、その画素周辺回路４に接続された走査線５２が選択された時に、その画素周辺回路４に接続された信号線５３から階調信号を取り込むとともに、その走査線５２が次に選択されるまでの間に、取り込んだ階調信号に応じたレベルの電流を電圧供給線５４から発光素子８に流して発光素子８を発光させるものである。信号線５３に出力される階調信号は、信号線５３に印加される電圧のレベルで表されたものでもよいし、信号線５３に印加される電流のレベルで表されたものでもよい。
【００４９】
画素周辺回路４が有するアクティブ素子は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、アクティブ素子の数は複数である。例えば、画素周辺回路４が有するアクティブ素子の数が２である場合、画素周辺回路４が図１７に示すように構成され、画素周辺回路４が有するアクティブ素子の数が３である場合、画素周辺回路４が図１８に示すように構成されている。
【００５０】
図１７に示すように、画素周辺回路４は、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及びキャパシタ７を有する。スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６が、アクティブ素子としての薄膜トランジスタである。
【００５１】
スイッチトランジスタ５のゲートが走査線５２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線５３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線５４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及び発光素子８のアノードに接続されている。
【００５２】
図１８に示すように、画素周辺回路４は、スイッチトランジスタ５Ａ、駆動トランジスタ６Ａ、キャパシタ７Ａ及び保持トランジスタ９Ａを有する。スイッチトランジスタ５Ａ、駆動トランジスタ６Ａ及び保持トランジスタ９Ａが、アクティブ素子としての薄膜トランジスタである。
【００５３】
スイッチトランジスタ５Ａのゲートは、保持トランジスタ９のゲートと、走査線５２とに接続されている。スイッチトランジスタ５Ａのソースとドレインのうち一方は、信号線５３に接続されている。スイッチトランジスタ５Ａのソースとドレインのうち他方は、発光素子８のアノードと、駆動トランジスタ６Ａのソースとドレインのうち一方と、キャパシタ７Ａの一方の電極とに接続されている。
【００５４】
保持トランジスタ９Ａのゲートは、スイッチトランジスタ５Ａのゲートと、走査線５２とに接続されている。保持トランジスタ９Ａのソースとドレインのうち一方は、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの他方と、電圧供給線５４とに接続されている。保持トランジスタ９Ａのソースとドレインのうち他方は、駆動トランジスタ６のゲートと、キャパシタ７Ａの他方の電極とに接続されている。
【００５５】
駆動トランジスタ６Ａのゲートは、保持トランジスタ９Ａのソースとドレインのうち他方と、キャパシタ７Ａの他方の電極とに接続されている。駆動トランジスタ６Ａのソースとドレインのうち一方は、発光素子８のアノードと、スイッチトランジスタ５Ａのソースとドレインのうち他方と、キャパシタ７Ａの一方の電極とに接続されている。駆動トランジスタ６Ａのソースとドレインのうち他方は、保持トランジスタ９Ａのソースとドレインのうち一方と、電圧供給線５４とに接続されている。
【００５６】
画素周辺回路４、走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４は、基板１０の表側に形成されている。つまり、絶縁膜が基板１０の表側に積層され、導体や半導体等がそれら絶縁膜の間にパターニングされることによって、画素周辺回路４、走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４が形成される。
【００５７】
画素周辺回路４が図１７に示すように構成されている場合に、図１９〜図２１を参照して、基板１０の表側に積層された層構造について説明する。図１９は、一つの画素に相当する平面図である。図２０は、図１９に示されたXX−XXに沿った面を矢印方向に見て示した断面図である。図２１は、図１９に示されたXXI−XXIに沿った面を矢印方向に見て示した断面図である。なお、図１９においては、電極及び配線を主に示す。
【００５８】
図１７に示すように、スイッチトランジスタ５は、走査線５２と信号線５３の交差部近傍に配置されているとともに、信号線５３に沿うように配置されている。駆動トランジスタ６は、信号線５３に沿うように配置されている。スイッチトランジスタ５と駆動トランジスタ６は、信号線５３に沿う方向に並列されている。キャパシタ７とスイッチトランジスタ５は、走査線５２に沿う方向に並列されている。キャパシタ７と発光素子８は、信号線５３に沿う方向に並列されている。発光素子８と駆動トランジスタ６は、電圧供給線５４に沿う方向に並列されている。また、走査線５２と電圧供給線５４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及び発光素子８が配置されている。
【００５９】
図１９、図２１に示すように、スイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このスイッチトランジスタ５は、ゲート電極５ａ、半導体膜５ｂ、保護絶縁膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、電極５ｈ及び電極５ｉ等を有するものである。電極５ｈと電極５ｉのどちらか一方がドレインであり、他方がソースである。また、図１９、図２０に示すように、駆動トランジスタ６は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。この駆動トランジスタ６は、ゲート電極６ａ、半導体膜６ｂ、保護絶縁膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、電極６ｈ及び電極６ｉ等を有するものである。電極６ｈと電極６ｉのどちらか一方がドレインであり、他方がソースである。
【００６０】
図１９〜図２１に示すように、信号線５３及びゲート電極５ａ，６ａが基板１０上に形成されている。キャパシタ７の一方の電極７ａも基板１０上に形成されている。第一絶縁膜１１が基板１０上の一面に成膜されており、信号線５３とゲート電極５ａ，６ａと電極７ａが第一絶縁膜１１によって覆われている。第一絶縁膜１１は、スイッチトランジスタ５と駆動トランジスタ６のゲート絶縁膜となるとともに、キャパシタ７の誘電体となる。第一絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。ボトムエミッション型の場合、第一絶縁膜１１が透明である。トップエミッション型の場合、第一絶縁膜１１が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００６１】
走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉは、第一絶縁膜１１上に形成されている。キャパシタ７の他方の電極７ｂも第一絶縁膜１１上に形成されている。例えばシリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる第二絶縁膜１２が第一絶縁膜１１上に成膜されており、走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂが第二絶縁膜１２によって覆われている。このため、信号線５３及びゲート電極５ａ，６ａは、第一絶縁膜１１と基板１０との間に形成され、走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂは、第一絶縁膜１１と第二絶縁膜１２との間に形成されている。
【００６２】
図１９に示すように、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとキャパシタ７の一方の電極７ａが一体に連なっている。駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ及びキャパシタ７の一方の電極７ａは、信号線５３から分離している。スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａは、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ及びキャパシタ７の一方の電極７ａから分離しているとともに、信号線５３からも分離している。駆動トランジスタ６の電極６ｉとキャパシタ７の他方の電極７ｂが一体に連なっている。駆動トランジスタ６の電極６ｉ及びキャパシタ７の他方の電極７ｂは、駆動トランジスタ６の電極６ｈ、スイッチトランジスタ５の電極５ｉ，５ｈ、走査線５２及び電圧供給線５４から分離している。駆動トランジスタ６の電極６ｈと電圧供給線５４が一体に連なっている。駆動トランジスタ６の電極６ｈは、スイッチトランジスタ５の電極５ｈ，５ｉ及び走査線５２から分離している。スイッチトランジスタ５の電極５ｈは、電極５ｉ、走査線５２及び電圧供給線５４から分離している。スイッチトランジスタ５の電極５ｉは、走査線５２及び電圧供給線５４から分離している。
【００６３】
ゲート電極５ａ，６ａ、電極７ａ及び信号線５３は、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。ゲート電極５ａ，６ａ、電極７ａ及び信号線５３は、基板１０上に一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成されたものである。
【００６４】
走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。走査線５２、電圧供給線５４及び電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂは、第一絶縁膜１１上に一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００６５】
なお、信号線５３が、ゲートメタル膜（ゲート電極５ａ，６ａ及び電極７ａの元となる導電性膜）から形状加工されたものであって、走査線５２，電圧供給線５４が、ドレインメタル膜（電極５ｈ，５ｉ，６ｈ，６ｉ，７ｂの元となる導電性膜）から形状加工されてものであってもよい。
【００６６】
図２１を参照して、スイッチトランジスタ５の構造について具体的に説明する。図２１に示すように、第一絶縁膜１１上であってゲート電極５ａに対応する位置には、真性な半導体膜５ｂが形成されている。この半導体膜５ｂは、第一絶縁膜１１を挟んでゲート電極５ａと相対している。半導体膜５ｂは、例えば、アモルファスシリコン又は結晶性シリコンからなる。スイッチトランジスタ５の動作時には、半導体膜５ｂにチャネルが形成される。半導体膜５ｂの中央部上には、チャネルをエッチングから保護する保護絶縁膜５ｄが形成されている。この保護絶縁膜５ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。半導体膜５ｂの一端部の上には、不純物半導体膜５ｆが一部保護絶縁膜５ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜５ｂの他端部の上には、不純物半導体膜５ｇが一部保護絶縁膜５ｄに重なるようにして形成されている。不純物半導体膜５ｆ，５ｇは、互いに離間している。スイッチトランジスタ５がｎ型トランジスタであれば、不純物半導体膜５ｆ，５ｇがｎ型半導体であり、スイッチトランジスタ５がｐ型トランジスタであれば、不純物半導体膜５ｆ，５ｇがｐ型半導体である。不純物半導体膜５ｆの上に電極５ｈが形成され、電極５ｈと第一絶縁膜１１との間に不純物半導体膜５ｆ及び半導体膜５ｂが挟まれている。不純物半導体膜５ｇの上に電極５ｉが形成され、電極５ｉと第一絶縁膜１１との間に不純物半導体膜５ｇ及び半導体膜５ｂが挟まれている。保護絶縁膜５ｄ、電極５ｈ及び電極５ｉの上には、絶縁性の第二絶縁膜１２が成膜され、保護絶縁膜５ｄ、電極５ｈ及び電極５ｉが第二絶縁膜１２によって被覆されている。そのため、スイッチトランジスタ５は、第二絶縁膜１２によって覆われている。
【００６７】
図２０を参照して、駆動トランジスタ６の構造について具体的に説明する。図２０に示すように、第一絶縁膜１１の上であってゲート電極６ａに対応する位置には、真性な半導体膜６ｂが形成されている。この半導体膜６ｂは、第一絶縁膜１１を挟んでゲート電極６ａと相対している。半導体膜６ｂは、例えば、アモルファスシリコン又は結晶性シリコンからなる。駆動トランジスタ６の動作時には、半導体膜６ｂにチャネルが形成される。半導体膜６ｂの中央部上には、チャネルをエッチングから保護する保護絶縁膜６ｄが形成されている。この保護絶縁膜６ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。半導体膜６ｂの一端部の上には、不純物半導体膜６ｆが一部保護絶縁膜６ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜６ｂの他端部の上には、不純物半導体膜６ｇが一部保護絶縁膜６ｄに重なるようにして形成されている。不純物半導体膜６ｆ，６ｇは、互いに離間している。不純物半導体膜６ｆ，６ｇがｎ型半導体であり、駆動トランジスタ６がｐ型トランジスタであれば、不純物半導体膜６ｆ，６ｇがｐ型半導体である。不純物半導体膜６ｆの上に電極６ｈが形成され、電極６ｈと第一絶縁膜１１との間に不純物半導体膜６ｆ及び半導体膜６ｂが挟まれている。不純物半導体膜６ｇの上に電極６ｉが形成され、電極６ｉと第一絶縁膜１１との間に不純物半導体膜６ｇ及び半導体膜６ｂが挟まれている。保護絶縁膜６ｄ、電極６ｈ及び電極６ｉの上には、絶縁性の第二絶縁膜１２が成膜され、保護絶縁膜６ｄ、電極６ｈ及び電極６ｉが第二絶縁膜１２によって被覆されている。そして、駆動トランジスタ６は、第二絶縁膜１２によって覆われている。
【００６８】
図１９、図２１を参照して、キャパシタ７の構造について具体的に説明する。図１９に示すように、キャパシタ７は、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａと電極６ｉとの間に接続されている。具体的には、キャパシタ７の一方の電極７ａは、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに接続され、他方の電極７ｂは、駆動トランジスタ６の電極６ｉに接続されている。図２１に示すように、電極７ａが基板１０と第一絶縁膜１１との間に形成され、電極７ｂが第一絶縁膜１１と第二絶縁膜１２との間に形成され、電極７ａと電極７ｂが第一絶縁膜１１を挟んで相対している。
【００６９】
図１９を参照して、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７の接続について説明する。第一絶縁膜１１のうち、ゲート電極５ａと走査線５２とが重なる位置には、コンタクトホール１１ａが形成されている。第一絶縁膜１１のうち、電極５ｈと信号線５３とが重なる位置には、コンタクトホール１１ｂが形成されている。第一絶縁膜１１のうち、ゲート電極６ａと電極５ｉとが重なる位置には、コンタクトホール１１ｃが形成されている。コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃがそれぞれ埋め込まれている。コンタクトプラグ２０ａによってスイッチトランジスタ５のゲート電極５ａと走査線５２が電気的に導通する。コンタクトプラグ２０ｂによってスイッチトランジスタ５の電極５ｈと信号線５３が電気的に導通する。コンタクトプラグ２０ｃによってスイッチトランジスタ５の電極５ｉとキャパシタ７の電極７ａが電気的に導通するとともに、スイッチトランジスタ５の電極５ｉと駆動トランジスタ６のゲート電極６ａが電気的に導通する。なお、コンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃを介することなく、走査線５２がコンタクトホール１１ａを通じて直接ゲート電極５ａと接触し、電極５ｈがコンタクトホール１１ｂを通じて信号線５３と接触し、電極５ｉがコンタクトホール１１ｃを通じてゲート電極６ａと接触してもよい。
【００７０】
図２０に示すように、発光素子８は、有機ＥＬ素子であって、画素電極８ａ、キャリア輸送層（ここでは、正孔注入層８ｂと発光層８ｃ）及び対向電極８ｄを備える。画素電極８ａは、第一電極であって、発光素子８のアノードである。対向電極８ｄは、第二電極であって、発光素子８のカソードである。
【００７１】
画素電極８ａは、基板１０との間に第一絶縁膜１１を介して基板１０の上に設けられている。画素電極８ａが画素ごと（発光素子８ごと）に独立して形成され、発光領域３０内では複数の画素電極８ａがマトリクス状に配列されている。ボトムエミッション型の場合、この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）若しくはカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）又はこれらの混合物からなる。また、トップエミッション型の場合、画素電極８ａは、高い光反射性のアルミ等の単体又は合金層を下層として光反射性層とし、上層として上述の透明電極の積層構造とすることが好ましい。画素電極８ａの一部が駆動トランジスタ６の電極６ｉに重なり、画素電極８ａと電極６ｉとが接続されている。
【００７２】
画素電極８ａの周縁部が第二絶縁膜１２によって覆われているが、画素電極８ａの中央部が第二絶縁膜１２によって覆われていない。つまり、図１９に示すように、第二絶縁膜１２には、開口部１２ａが形成されており、開口部１２ａが画素電極８ａに重なっている。開口部１２ａが画素ごと（発光素子８ごと）に独立して形成され、複数の開口部１２ａがマトリクス状に配列されている。そのため、第二絶縁膜１２は、平面視して、格子状に形成されている。
【００７３】
なお、第二絶縁膜１２に開口部１２ａが形成されておらず、画素電極８ａが第二絶縁膜１２上に形成されていてもよい。その場合、画素電極８ａが、第二絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールを介して駆動トランジスタ６の電極６ｉに接続されている。更に、その場合、ボトムエミッション型であれば、第二絶縁膜１２が透明である。
【００７４】
図２０に示すように、画素電極８ａの上に、キャリア輸送層が積み重ねられている。キャリア輸送層とは、画素電極８ａと対向電極８ｄとの間に電圧が印加されることによって正孔又は電子を輸送する層である。キャリア輸送層は正孔注入層８ｂと発光層８ｃの積層体であり、正孔注入層８ｂが画素電極８ａ上に形成され、発光層８ｃが正孔注入層８ｂ上に形成されている。なお、キャリア輸送層の構成は正孔注入層８ｂと発光層８ｃの積層体に限るものではない。例えば、キャリア輸送層は、画素電極８ａから順に正孔注入層、発光層、電子注入層を積層してなる三層構造であっても良いし、発光層からなる一層構造であっても良いし、これらの層構造において適切な層間に電子若しくは正孔の輸送層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
【００７５】
正孔注入層８ｂは、化合物膜である。例えば、正孔注入層８ｂは、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）からなる層であって、画素電極８ａから発光層８ｃに向けて正孔を注入するキャリア注入層である。
【００７６】
発光層８ｃは、化合物膜である。例えば、発光層８ｃは、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなる層である。発光層８ｃは、対向電極８ｄから供給される電子と、正孔注入層８ｂから注入される正孔との再結合に伴い発光する。発光層８ｃは、発光色を定める発光材料を含有していてもよい。発光層８ｃに含有する発光材料が赤色（Ｒ）の発光材料であれば、発光素子８が赤の画素であり、発光層８ｃに含有する発光材料が緑色（Ｇ）の発光材料であれば、発光素子８が緑の画素であり、発光層８ｃに含有する発光材料が青色（Ｂ）の発光材料であれば、発光素子８が青の画素である。このため、画素の色ごとに、発光層８ｃの発光材料が異なる。なお、画素のＲＧＢ配列はストライプ配列でもよいし、モザイク配列でもよいし、デルタ配列でもよい。ストライプ配列とは、垂直方向に同じ色を配列し、水平方向にＲ、Ｇ、Ｂの順に繰り返し配列したものである。モザイク配列とは、水平方向にＲ、Ｇ、Ｂの順に繰り返し配列して、垂直方向にもＲ，Ｇ，Ｂの順に繰り返し配列して、斜め方向に同じ色が配列したものである。デルタ配列とは、隣り合う垂直方向の列（又は隣り合う水平方向の列）が半ドットずれて、ＲＧＢを三角形に配置したものである。
【００７７】
キャリア輸送層の上には（図２０の場合、発光層８ｃの上には）、対向電極８ｄが積み重ねられている。対向電極８ｄは、画素電極８ａよりも仕事関数の低い材料で形成されている。対向電極８ｄがカソードとして適用される場合、例えば、対向電極８ｄは下層とその下層の上に形成された上層とを有する積層体である。対向電極８ｄの下層は、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム又は希土類金属を含む単体であるか、これらのうち２種以上を含む合金、混合物又は化合物である。対向電極８ｄの上層は、対向電極８ｄのシート抵抗を下げる。トップエミッション型の場合、対向電極８ｄの上層は、透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）若しくはカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）又はこれらの混合物からなる。ボトムエミッションの場合、対向電極８ｄの上層は、高い光反射性のアルミ等の単体又は合金層が好ましい。
【００７８】
対向電極８ｄは、複数の画素（発光素子８）に共通した電極であって、発光領域３０全体に及んでいる。対向電極８ｄは、全ての画素（発光素子８）に共通したものでもよいし、全ての画素（発光素子８）を幾つかのグループに分けた場合に各グループ内の複数の画素（発光素子８）に共通したものでもよい（この場合、対向電極８ｄは、グループの数だけある）。
【００７９】
図２２は、発光領域３０内の一部を破断した状態で示した部分断面斜視図である。図２２に示すように、発光領域３０内には、隔壁である格子状バンク１３及び縞状バンク１４が設けられている。格子状バンク１３は格子状パターン膜であり、縞状バンク１４は縞状パターン膜である。
【００８０】
格子状バンク１３は、平面視して、格子状に形成されている。つまり、格子状バンク１３には、複数の方形開口部１３ａが形成されており、これら方形開口部１３ａが格子状に配列されている。図１９〜図２２に示すように、格子状バンク１３は、第二絶縁膜１２の上から、キャパシタ７の電極７ｂ、走査線５２、信号線５３、電圧供給線５４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及び第一絶縁膜１１を覆うように形成されている。特に、スイッチトランジスタ５は、格子状バンク１３のうち水平方向に延びた部分によって覆われており、駆動トランジスタ６は、格子状バンク１３のうち垂直方向に延びた部分によって覆われている。
【００８１】
方形開口部１３ａが第二絶縁膜１２の開口部１２ａ及び画素電極８ａに重なっており、画素電極８ａの周縁部が格子状バンク１３によって覆われているが、画素電極８ａの中央部は格子状バンク１３によって覆われていない。第二絶縁膜１２を格子状バンク１３よりも幅広とした構造にすることによって、方形開口部１３ａが開口部１２ａより幅広となるようにしてもよい。
【００８２】
縞状バンク１４は、平面視して、ストライプ状に形成されている。つまり、縞状バンク１４が垂直方向に延びているとともに、水平方向に間隔を置いて配列されており、縞状バンク１４の間が溝（開口）１４ａとなっている。縞状バンク１４は、格子状バンク１３のうち垂直方向に延びた部分の上に重なっており、格子状バンク１３の方形開口部１３ａ及び第二絶縁膜１２の開口部１２ａは、縞状バンク１４の間の溝１４ａで垂直方向に配列されている。従って、縞状バンク１４は、信号線５３に沿うように設けられている。駆動トランジスタ６が縞状バンク１４の下に配置されている。スイッチトランジスタ５の上には縞状バンク１４の溝１４ａが形成されており、スイッチトランジスタ５の全体又は一部が縞状バンク１４の間の溝１４ａ内に位置している。なお、縞状バンク１４が、走査線５２及び電圧供給線５４に沿って水平方向に延びているとともに、格子状バンク１３のうち水平方向に延びた部分の上に重なっていてもよい。
【００８３】
格子状バンク１３及び縞状バンク１４は、感光材料（例えば、感光性ポリイミド樹脂）からなり、好ましくはポジ型の感光材料からなる。更に、格子状バンク１３及び縞状バンク１４は、黒色の材料を含有して、遮光性を有していてもよい。
【００８４】
なお、図２２では、画素電極８ａと格子状バンク１３と縞状バンク１４の関係を把握しやすいように、基板１０、画素電極８ａ、格子状バンク１３及び縞状バンク１４以外の要素の図示を省略する。
【００８５】
格子状バンク１３の方形開口部１３ａは、画素ごと（発光素子８ごと）に独立して形成されている。方形開口部１３ａの内側では、画素電極８ａの上に正孔注入層８ｂ、発光層８ｃ及び対向電極８ｄが積層されている。方形開口部１３ａの内側で画素電極８ａ、キャリア輸送層及び対向電極８ｄが積層されてなる積層体が発光素子８であり、その発光素子８が画素となる。発光素子８の正孔注入層８ｂ及び発光層８ｃが格子状バンク１３によって画素（発光素子８）ごとに区切られている。
【００８６】
対向電極８ｄが共通電極であるので、その対向電極８ｄは発光層８ｃ等の化合物膜とともに縞状バンク１４を被覆している。更に、対向電極８ｄは、縞状バンク１４の間において格子状バンク１３を被覆している。
【００８７】
格子状バンク１３は、正孔注入層８ｂや発光層８ｃを湿式法により格子状バンク１３で囲まれた領域（方形開口部１３ａ）に形成するに際して、その領域内に塗布された液状体（正孔注入層８ｂ又は発光層８ｃとなる材料が溶媒に溶解又は分散されたもの）が隣接画素に流出しないように堰き止める隔壁として機能する。そして、各方形開口部１３ａに囲まれた各画素電極８ａ上に、正孔注入層８ｂとなる材料が含有される液状体を塗布し、基板１０ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第１のキャリア輸送層である正孔注入層８ｂとなる。さらに、各方形開口部１３ａに囲まれた各正孔注入層８ｂ上に、発光層８ｃとなる材料が含有される液状体を塗布し、基板１０ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第２のキャリア輸送層である発光層８ｃとなる。なお、正孔注入層８ｂは、縞状バンク１４の間において垂直方向に配列された複数の方形開口部１３ａに跨るように連続して形成されていてもよい。この場合、正孔注入性のある酸化ゲルマニウムが好ましい。
【００８８】
図２０、図２１に示すように、対向電極８ｄ上には、その対向電極８ｄを保護するための保護膜（パッシベーション膜）１５が成膜されている。保護膜１５は、絶縁性を有し、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。トップエミッション型の場合、保護膜１５が透明である。ボトムエミッションの場合、保護膜１５が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００８９】
ボトムエミッション型の場合、画素電極８ａ、基板１０及び第一絶縁膜１１が透明であり、発光層８ｃから発した光が画素電極８ａ、第一絶縁膜１１及び基板１０を透過して出射する。そのため、基板１０の裏側の面が表示面となる。
トップエミッション型の場合、対向電極８ｄ、保護膜１５及び対向基板４０が透明であり、発光層８ｃから発した光が対向電極８ｄ、保護膜１５及び対向基板４０を透過して出射する。そのため、対向基板４０の表側の面が表示面となる。トップエミッション型の場合、画素電極８ａを反射電極とすることが好ましい。
【００９０】
基板１０から第二絶縁膜１２まで積層されたものであって、画素電極８ａ、画素周辺回路４、走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４が形成されたものが、アクティブマトリクス基板である。アクティブマトリクス基板の上に格子状バンク１３、縞状バンク１４、キャリア輸送層（正孔注入層８ｂ、発光層８ｃ）、対向電極８ｄ及び保護膜１５を形成してなるものが、封緘されていない状態の発光装置である。
【００９１】
以上の発光装置１の製造方法について説明する。
まず、アクティブマトリクス基板を作成する。つまり、複数の発光装置１を取ることができる大きさの切断前の基板１０の表側の面に対して、所定の成膜法（例えば、気相成長法、液体塗布法等）、フォトリソグラフィー法、エッチング法、印刷法等を適宜行うことによって、各種素子（スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及びキャパシタ７）、各種配線（走査線５２、信号線５３及び電圧供給線５４）、各種絶縁膜（第一絶縁膜１１及び第二絶縁膜１２）及び画素電極８ａを基板１０の表側の面上に形成する。これにより、アクティブマトリクス基板が得られる。
【００９２】
次に、アクティブマトリクス基板の表側の面（画素電極８ａが形成された面）上に格子状バンク１３を形成する。格子状バンク１３の形成方法は、上記第２実施形態における方形格子状パターン膜６０２を形成方法と同様である。なお、格子状バンク１３の元となる感光層がポジ型である場合には、各画素電極８ａの中央部に重なる方形状の部分を露光するともに、それらの周囲の部分を露光せず、格子状バンク１３の元となる感光層がネガ型である場合には、画素電極８ａの中央部に重なる方形状の部分を露光せず、それらの周囲の部分を露光する。
【００９３】
格子状バンク１３の形成後、格子状バンク１３及びアクティブマトリクス基板を洗浄し、必要に応じて格子状バンク１３を焼成する。
【００９４】
次に、格子状バンク１３のうち垂直方向に延びた部分の上に縞状バンク１４を形成する。縞状バンク１４の形成方法は、上記第２実施形態における縞状パターン膜６０４の形成方法と同様である。なお、縞状バンク１４の元となる感光層がポジ型である場合には、その感光層のうち、各画素電極８ａの中央部に重なる方形状の部分を露光するとともに、それらの露光箇所（明部）を水平方向又は垂直方法にずらす。一方、縞状バンク１４の元なる感光層がネガ型である場合には、その感光層のうち、水平方向の隣り合った画素電極８ａと画素電極８ａとの間に重なる部分を露光するとともに、それらの露光箇所（方形状明部）を垂直方向にずらすか、又は、感光層のうち、垂直方向に隣り合った画素電極８ａと画素電極８ａとの間に重なる部分を露光するとともに、それらの露光箇所（方形状明部）を水平方向にずらす。
【００９５】
次に、液滴吐出法（インクジェット法）、ディスペンサ法、スクリーン印刷法等の湿式塗布法によって、格子状バンク１３の各方形開口部１３ａ内に液状体（正孔注入層８ｂの材料が溶媒に溶解又は分散されたもの）を塗布する。これにより、各方形開口部１３ａ内であって画素電極８ａ上に正孔注入層８ｂを形成する。画素電極８ａに塗布した液状体は、格子状バンク１３及び縞状バンク１４によって堰き止められる。特に、格子状バンク１３上に縞状バンク１４が形成されているから、画素電極８ａに塗布した液状体が縞状バンク１４の上に乗り上がることがなく、塗布ムラの防止を図ることができる。これは、液状体が粘度の低い低分子材料である場合に特に有効である。また、スイッチトランジスタ５が画素電極８ａに対して垂直方向に隣接していて、スイッチトランジスタ５が縞状バンク１４によって覆われていなくても、そのスイッチトランジスタ５が格子状バンク１３によって覆われているから、液状体が垂直方向に滲まないようにすることができる。
その後、塗布した液状体を乾燥させる。
【００９６】
次に、液滴吐出法（インクジェット法）、ディスペンサ法、スクリーン印刷法等の湿式塗布法によって、格子状バンク１３の各方形開口部１３ａ内に液状体（発光層８ｃの材料が溶媒に溶解又は分散されたもの）を塗布する。これにより、各方形開口部１３ａ内であって正孔注入層８ｂ上に発光層８ｃを形成する。発光層８ｃを形成する場合でも、塗布した液状体が格子状バンク１３及び縞状バンク１４によって堰き止められ、塗布ムラの防止を図ることができる。
その後、塗布した液状体を乾燥させる。
【００９７】
次に、対向電極８ｄによって発光層８ｃ、縞状バンク１４及び格子状バンク１３をコーティングするように対向電極８ｄを発光領域３０内に形成する。
次に、対向電極８ｄ上に保護膜１５を成膜する。
次に、アクティブマトリクス基板を発光装置１ごとに切断する。対向基板４０の貼り合わせは、アクティブマトリクス基板を切断する前でもよいし、アクティブマトリクス基板を切断した後でもよい。また、対向基板４０を複数枚取ることができる大きなマザー対向基板を切断前のアクティブマトリクス基板に貼り合わせた後、アクティブマトリクス基板を切断してもよい。その場合、マザー対向基板を複数の対向基板４０に分断する工程は、アクティブマトリクス基板の切断と同時でもよいし、アクティブマトリクス基板の切断の前又は後でもよい。予め分断された複数の対向基板を切断前のアクティブマトリクス基板に貼り合わせた後に、アクティブマトリクス基板を切断してもよい。
【００９８】
なお、上記においては、発光装置１がアクティブマトリクス型のディスプレイパネルであった。パッシブ型のディスプレイパネルの画素を仕切るために、上述のような格子状バンク１３及び縞状バンク１４を用いてもよい。
【００９９】
〔応用例〕
ディスプレイパネルとしての発光装置１は、各種電子機器の表示パネルとして用いられる。
例えば、図２３に示した携帯電話機２００の表示パネル１ａや、図２４（ａ）、（ｂ）に示したデジタルカメラ３００の表示パネル１ｂや、図２５に示したパーソナルコンピュータ４００の表示パネル１ｃが、発光装置１である。
【０１００】
また、ディスプレイパネルとしての発光装置１は、印刷機（例えばページプリンタ）の露光装置として用いることもできる。具体的には、発光装置１の発光領域３０に形成された像（発光した複数の発光素子８によって形成される像）が光学系（例えばロッドレンズアレイ）によって感光材（例えば感光ドラム）に投影されることによって、感光材に静電潜像が形成される。その後、トナーが感光材に付着することによって静電潜像が顕在化する。その後、記録媒体（例えば紙）が感光材に押し当てられることによって、顕在化した静電潜像が記録媒体に転写される。
【符号の説明】
【０１０１】
１ 発光装置
１３ 格子状バンク（格子状パターン膜）
１４ 縞状バンク（縞状パターン膜）
５０１、６０３ 感光層（感光材）
５０２ 明暗パターン
５０３ 方形明部
５０４ 格子状暗部
５１０、５１１ 縞状部分（縞状パターン膜）
５１２、５１３ 縞状部分（縞状パターン膜）
６０２ 格子状パターン膜
６０４ 縞状パターン膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方に第一の感光材を形成し、
所定方向に並んだ複数の開口部が設けられたマスクを用いて前記第一の感光材を露光した後、前記マスクを前記所定方向にずらして前記第一の感光材を露光し、
前記第一の感光材を現像して縞状パターン膜を形成することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記基板と前記縞状パターン膜との間に、第二の感光材を露光・現像してなる格子状パターン膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記第二の感光材は前記マスクを用いて露光・現像することで形成されることを特徴とする請求項２に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記第一の感光材と前記第二の感光材とは同材料からなることを特徴とする請求項２又は３に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記マスクをずらす距離は、前記所定方向の隣り合わせの二つの前記開口部のピッチの整数倍以外であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項６】
基板上方に形成された第一電極と、前記第一電極と対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を備えた発光素子と、
前記発光素子を駆動するトランジスタと、を備える発光装置の製造方法において、
前記トランジスタが形成された面上に下部感光材を形成し、
所定方向に並んだ複数の開口部が設けられたマスクを用いて、前記下部感光材を露光・現像して、前記トランジスタ上部に残り且つ前記発光層が形成された領域に開口を有する格子状パターン膜を形成し、
前記格子状パターン膜上に上部感光材を形成し、
前記マスクを用いて前記上部感光材を露光した後、前記マスクを前記所定方向にずらして前記上部感光材を露光し、
前記上部感光材を現像して縞状パターン膜を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記トランジスタの上には、前記縞状パターン膜の開口が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１】
基板上方に第一の感光材を形成し、
所定方向に並んだ複数の開口部が設けられたマスクを用いて前記第一の感光材を露光した後、前記マスクを前記所定方向にずらして前記第一の感光材を露光し、
前記第一の感光材を現像して縞状パターン膜を形成することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記基板と前記縞状パターン膜との間に、第二の感光材を露光・現像してなる格子状パターン膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記第二の感光材は前記マスクを用いて露光・現像することで形成されることを特徴とする請求項２に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記第一の感光材と前記第二の感光材とは同材料からなることを特徴とする請求項２又は３に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記マスクをずらす距離は、前記所定方向の隣り合わせの二つの前記開口部のピッチの整数倍以外であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項６】
基板上方に形成された第一電極と、前記第一電極と対向する第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を備えた発光素子と、
前記発光素子を駆動するトランジスタと、を備える発光装置の製造方法において、
前記トランジスタが形成された面上に下部感光材を形成し、
所定方向に並んだ複数の開口部が設けられたマスクを用いて、前記下部感光材を露光・現像して、前記トランジスタ上部に残り且つ前記発光層が形成された領域に開口を有する格子状パターン膜を形成し、
前記格子状パターン膜上に上部感光材を形成し、
前記マスクを用いて前記上部感光材を露光した後、前記マスクを前記所定方向にずらして前記上部感光材を露光し、
前記上部感光材を現像して縞状パターン膜を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記トランジスタの上には、前記縞状パターン膜の開口が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【公開番号】特開２０１２−７９４３５（Ｐ２０１２−７９４３５Ａ）
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２０９６９（Ｐ２０１０−２２０９６９）
【出願日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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