芳香族ポリカーボネート、電子写真感光体及び画像形成装置
【課題】良好な電荷輸送性能を有し、機械的強度、帯電電位及び感度といった電気的特性、耐久性等に優れ、好適に使用できる新規な芳香族ポリカーボネートを提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）
（Ａｒ1はアリール基又は複素環基を示す。Ａｒ2及びＡｒ3は、アリーレン基又は２価の複素環基を示す。Ａｒ4は、アリーレン基又は２価の複素環基を示す。Ａｒ5は、水素原子、アリール基、アラルキル基又はアルキル基を示す。Ｒ1は水素原子、アリール基又はアルキル基を示す。Ｒ2及びＲ3は、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基又はアラルキル基を示す。ｎは０乃至２の整数を示す。）で表される構成単位を含有する芳香族ポリカーボネートによる。
【解決手段】 下記一般式（１）
（Ａｒ1はアリール基又は複素環基を示す。Ａｒ2及びＡｒ3は、アリーレン基又は２価の複素環基を示す。Ａｒ4は、アリーレン基又は２価の複素環基を示す。Ａｒ5は、水素原子、アリール基、アラルキル基又はアルキル基を示す。Ｒ1は水素原子、アリール基又はアルキル基を示す。Ｒ2及びＲ3は、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基又はアラルキル基を示す。ｎは０乃至２の整数を示す。）で表される構成単位を含有する芳香族ポリカーボネートによる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族ポリカーボネート、電子写真感光体及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複写機、プリンタ、ファクシミリ等の電子写真方式の画像形成装置において、静電潜像を形成する電子写真感光体の表面層には、高い機械的強度を有し、耐摩耗性、寸法安定性、耐摩耗性等に優れることから、ポリカーボネートが使用されている。特に、導電性支持体上に、電荷発生材料を含む電荷発生層及び電荷輸送材料を含む電荷輸送層を順次積層してなる機能分離型電子写真感光体において、最外層になる電荷輸送層には、電荷輸送材料を該層中に保持するためのバインダ樹脂として、ポリカーボネートが多用される。
【０００３】
ポリカーボネートとしては、例えば、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール（ビスフェノールＡ）とホスゲンとを反応させて得られるビスフェノールＡポリカーボネート、耐摩耗性、溶解性等に優れる４，４'−シクロヘキシリデンビスフェノール（ビスフェノールＺ）から合成されるＺ型ポリカーボネート等の芳香族ポリカーボネートが代表的なものとして知られている。これらポリカーボネートは、一般に、他の熱可塑性樹脂に比べて機械的強度（特に低温での機械的強度）に優れ、更に耐候性にも優れている。
【０００４】
ところで、電子写真感光体に要求される電気特性を維持するために、電荷輸送層は、バインダ樹脂であるポリカーボネートとほぼ同量の電荷輸送材料を含んでいる。ところが、このようなポリカーボネートと電荷輸送材料との量比は、電荷輸送材料がポリカーボネートとの相溶性の低い低分子量化合物であることと相俟って、電荷輸送層の耐摩耗性、耐久性等を損なわせる原因になっている。
【０００５】
このため、電荷輸送材料の電気的特性を向上させることによって、電子写真感光体としての電気的特性を維持したまま、電荷輸送材料の添加量を減らし、電荷輸送層の耐久性を向上させる試みがなされている。この試みにより、電荷輸送材料の感度及び移動度の一層の向上が図られてきた。しかしながら、これまで提案されてきた電荷輸送材料では、所望の電気的特性を得るためには、電荷輸送層の耐久性に悪影響を及ぼす程度の添加量が必要になる。そのため、電気的特性と耐久性とを両立することは非常に困難である。
【０００６】
上記課題を解決するために、バインダ樹脂に電荷輸送機能を付与し、電荷輸送材料の添加量を減らそうとする試みがなされている。例えば、電荷輸送機能を有する構成単位を含むバインダ樹脂、いわゆる高分子光導電性材料の開発が進められている。バインダ樹脂の具体例としては、主鎖にカルバゾール環を有するカルバゾール系ポリカーボネート（例えば特許文献１参照）、側鎖にカルバゾール環を有するポリビニルカルバゾール（例えば特許文献２参照）等が挙げられる。これらのカルバゾール系重合体は、可撓性が乏しく、機械的強度も低く、更に電荷輸送能を低下させる原因の１つである構造的トラップを形成し易いという欠点がある。
【０００７】
また、上記以外のバインダ樹脂として、ヒドラゾン側鎖を有するポリスチレン化合物（例えば特許文献３参照）、主鎖に第３級アミン構造を有するアリールアミン化合物（例えば特許文献４〜６参照）、側鎖に第３級アミン構造（トリフェニルアミン骨格）を有する（メタ）アクリル酸共重合体（例えば特許文献７参照）等が挙げられる。これらの重合体も、電荷輸送能、機械的強度等の点で充分満足できるものではない。
【０００８】
また、特許文献１〜７に記載の重合体は、いずれもπ電子共役系であるけれども、それとは異なるσ電子共役系を介した伝導機構を有するポリシラン（例えば特許文献８〜９参照）等が挙げられる。ポリシランは電荷輸送能には優れるものの、紫外光により簡単に分解し、かつ機械的強度も劣るため、実用化には至っていない。
【０００９】
また、機械的強度の向上を目的として、電荷輸送材料をモノマー化し、このモノマーとポリカーボネートのモノマーとを共重合させたポリカーボネート系共重合体が挙げられる（例えば特許文献１０〜１１、非特許文献１参照）。しかしながら、このような共重合体は、電荷輸送能及び機械的強度ともに、充分満足できる水準にはない。
【００１０】
また、電荷輸送能に優れるエナミン化合物（例えば特許文献１２〜１３参照）をモノマー化し、このエナミンモノマーとポリカーボネートモノマーとを共重合させてなる芳香族ポリカーボネートが挙げられる（例えば、特許文献１４参照）。しかしながら、この芳香族ポリカーボネートは、構造の対称性が高く、結晶化を引き起こし易い。そのため、電子写真感光体の感光層用樹脂として使用すると、結晶化部分が画像欠陥になるという不都合を生じる。
【００１１】
また、電荷輸送層のような感光層の機械的強度を向上させる手段として、感光層の上に表面保護層を積層することも行われている。この表面保護層は、通常、導電性物質とバインダ樹脂とを含む。そして、バインダ樹脂としては、例えば、極性基を有するポリカーボネート（例えば特許文献１５参照）、フッ素置換アルキル基を有するポリカーボネート（例えば特許文献１６参照）等が提案されている。しかしながら、このような電子写真感光体では、電荷輸送層中の電荷輸送物質と表面保護層中の導電性物質との不適合によって、表面保護層と電荷輸送層との界面に電位障壁が形成される。この電位障壁は、電荷の注入が不充分の場合、感度低下の原因となる。また、両層の材料が異なることに起因する収縮率の差によって、製造時に剥離及び／又はクラックが発生することがある。そのため充分な性能を実現することができない。
【００１２】
また、最近ではシロキサン系樹脂からなる表面保護層が提案されている(例えば特許文献１７参照)。しかしながら、シロキサン系樹脂を用いて表面保護層を形成するには、シロキサン系樹脂を加熱硬化させる必要がある。しかし、加熱により感光層中の材料が劣化する場合がある。また、シロキサン樹脂自体は絶縁体である。そのため、電荷輸送能を有する低分子化合物を添加する必要がある。しかし、このような低分子化合物の添加が、表面保護層の機械的強度を低下させる原因になることは、電荷輸送層の場合と同様である。
【００１３】
【特許文献１】特開平４−１８３７１９号公報
【特許文献２】特開昭５０−８２０５６号公報
【特許文献３】特開平３−５０５５５号公報
【特許文献４】特開平１−１３０６１号公報
【特許文献５】特開平１−１９０４９号公報
【特許文献６】特開平５−４０３５０号公報
【特許文献７】特開平５−６６５９８号公報
【特許文献８】特開昭６３−２８５５５２号公報
【特許文献９】特開平５−１９４９７号公報
【特許文献１０】特開平３−２２１５２２号公報
【特許文献１１】特開平４−１１６２７号公報
【特許文献１２】特開平６−４３６７４号公報
【特許文献１３】特許登録第３５８０４２６号明細書
【特許文献１４】特開２００４−２６９８１３号公報
【特許文献１５】米国特許第４２６０６７１号明細書
【特許文献１６】特開平１０−１５８３８０号公報
【特許文献１７】特開２０００−２４２０１９号公報
【非特許文献１】「電荷輸送性ポリマーの開発と実用化に向けての展望」、額田克己著、機能材料、１９９９年１０月号、Ｖｏｌ．１９、Ｎｏ．１０、第５２〜５９頁、シーエムシー出版刊
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の課題は、電子写真感光体に、（１）優れた機械的強度、（２）非常に良好な電気的特性、（３）高い帯電電位及び感度、（４）電圧の印加、レーザ光等の照射、トナーの付着、加熱加圧等を繰返し実行した際の非常に少ない諸特性の変化、（５）長期にわたって安定的な高画質画像を電子写真感光体に付与できる新規な芳香族ポリカーボネート、この芳香族ポリカーボネートを利用する電子写真感光体、及びこの電子写真感光体を画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、非対称ビスヒドロキシ化合物を構成単位として含む芳香族ポリカーボネートが、上記課題を解決しうることを見い出すことで、本発明を完成した。
【００１６】
かくして本発明によれば、下記一般式（１）
【００１７】
【化１】
【００１８】
（式中、Ａｒ1は置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基を示す。Ａｒ2及びＡｒ3は、互いに異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ4は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ5は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。Ｒ1は水素原子、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。２ｎ個のＲ2及びＲ3は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基又は置換基を有してもよいアラルキル基を示す。ｎは０乃至２の整数を示す。ｚは５０００〜５０００００の数平均分子量を得るに足る値である。）
で表される構成単位を含有する芳香族ポリカーボネートが提供される。
【００１９】
更に、本発明によれば、導電性支持体上に、上記芳香族ポリカーボネートを含む感光層を有することを特徴とする電子写真感光体が提供される。
また、本発明によれば、導電性支持体上に、感光層と上記芳香族ポリカーボネートを含む表面保護層とを有することを特徴とする電子写真感光体が提供される。
更に、本発明によれば、上記電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、帯電状態にある前記電子写真感光体を画像情報に応じた光で露光して静電潜像を形成する露光手段と、前記電子写真感光体に形成される前記静電潜像を現像して可視像化する現像手段と、該現像手段によって現像された可視像を記録媒体上に転写する転写手段とを含むことを特徴とする画像形成装置が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、一般式（１）で表される構成単位を含む単独重合体、又は一般式（１）で表される構成単位と一般式（４）で表される構成単位とを含む共重合体である芳香族ポリカーボネートが提供される。
上記芳香族ポリカーボネートは、良好な電荷輸送性能を有するだけでなく、機械的強度、電気的特性、耐久性等に優れている。そのため、単層型電子写真感光体における感光層、積層型電子写真感光体における電荷輸送層、単層型及び積層型電子写真感光体における表面保護層等のバインダ樹脂として好適に使用できる。更に、感光層、電荷輸送層等において、本発明の芳香族ポリカーボネートは電荷輸送物質として用いることができる。この場合、本発明の芳香族ポリカーボネートと、バインダー樹脂として他の芳香族ポリカーボネートを用いても、両者の相溶性が良好であるため、感光層、電荷輸送層等において均一な電荷輸送性能を発揮できる。
【００２１】
なお、本発明の芳香族ポリカーボネートは、電子写真感光体における電荷輸送材料、電荷輸送層及び単層型感光層用バインダ樹脂等として使用できるだけでなく、センサ材料、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、有機フォトリフラクティブ素子等用の構成成分としても好適に使用できる。
また、化学物質としての分解又は変質し難いという安定性、入手容易性、製造コスト等を考慮すると、一般式（２）の構成単位が好ましく、一般式（３）の構成単位が更に好ましい。
また、一般式（５）の構成単位を更に含む芳香族ポリカーボネートは、機械的強度、耐久性、耐候性、耐薬品性等を更に向上できるため好ましい。
【００２２】
本発明によれば、本発明の芳香族ポリカーボネートを、感光層、表面保護層等に含有する電子写真感光体が提供される。この電子写真感光体は、電荷輸送性能、機械的強度、電気的特性、耐久性（耐摩耗性も含む）等の諸性能を非常に高い水準で併せ持つ。従って、この電子写真感光体を用いれば、１０万枚又はそれ以上の画像形成を実施しても、膜減り量が非常に少なく、電気的特性が初期の状態とほとんど変わらず、かぶり、黒ポチ、白ポチ等の画像欠陥のない高画質画像を安定的に形成できる。
本発明によれば、上記高画質画像を安定的に形成できる電子写真感光体を含む画像形成装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（芳香族ポリカーボネート）
本発明の芳香族ポリカーボネートは、下記一般式（１）で表される構成単位を含む単独重合体であるか、又は一般式（１）で表される構成単位と下記一般式（４）で表される構成単位とを含む共重合体である。一般式（１）で表される構成単位の中でも、原料の入手又は合成が容易である観点、原料コストが低いという観点、及び化合物としての安定性が高いという観点からは、下記一般式（２）で表される構成単位を含むものが好ましく、下記一般式（３）で表される構成単位を含むものが特に好ましい。同様に、一般式（４）で表される構成単位の中でも、下記一般式（５）で表される構成単位を含むものが好ましい。
【００２４】
【化２】
【００２５】
【化３】
【００２６】
【化４】
【００２７】
【化５】
【００２８】
【化６】
【００２９】
一般式（１）と（４）の構造単位の含有比率は特に制限されないけれども、通常は、一般式（１）：一般式（４）＝５〜９５：９５〜５（モル比）が好ましく、より好ましくは２０〜６０：４０〜８０（モル比）、更に好ましくは３０〜４５：７０〜５５（モル比）である。５〜９５：９５〜５の範囲の比率であれば、機械的強度と電気特性の両立という効果を奏する。
【００３０】
また、単独重合体及び共重合体中、本発明の芳香族ポリカーボネートが占める比率は、５０重量％以上であることが好ましく、８０重量％以上であることがより好ましく、１００重量％であることが特に好ましい。
また、芳香族ポリカーボネート共重合体は、５０００〜５０００００の数平均分子量（Ｍｎ）を有していることが好ましい。Ｍｎが５０００より小さい場合、膜強度が弱くなるので好ましくなく、５０００００を超える場合、製造時に溶媒に対する溶解性に乏しくなるので好ましくない。より好ましいＭｎは１００００〜１０００００であり、更に好ましいＭｎは１５０００〜６００００である。
【００３１】
更に、ポリカーボネート共重合体は、５０００〜５０００００の重量平均分子量（Ｍｗ）を有していることが好ましい。Ｍｗが５０００より小さい場合、膜強度が弱くなるので好ましくなく、５０００００を超える場合、製造時に溶媒に対する溶解性に乏しくなるので好ましくない。より好ましいＭｗは１００００〜３０００００であり、更に好ましいＭｗは２００００〜１５００００である。
【００３２】
ここで、Ｍｎ及びＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算数平均分子量及び重量平均分子量である。
一般式（１）〜（３）において、符号ｚは１０００〜５０００００の数平均分子量を得るに足る値である。一般式（１）及び（２）において、符号ｎは０〜２の整数である。
【００３３】
一般式（１）〜（３）において、符号Ａｒ1中のアリール基としては、フェニル、ナフチル、ビフェニリル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基及び炭素数１〜４のアルコキシ基から選択できる。アリール基としては、フェニル、トリル、メトキシフェニル、ナフチル等が好ましい。
また、符号Ａｒ1中の複素環基としては、チエニル、ベンゾチアゾリル等が挙げられる。複素環基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。複素環基としては、チオフェン環、ベンゾチアゾール環等が好ましい。
【００３４】
一般式（１）において、符号Ａｒ2及びＡｒ3中、一般式（１）及び（２）において符号Ａｒ4中のアリレン基としては、フェニレン、ナフチレン、ベンゾオキサゾレン、ビフェニリレン等が挙げられる。アリレン基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。アリレン基としては、ｐ−フェニレン、ｍ−フェニレン、メチル−ｐ−フェニレン、メトキシ−ｐ−フェニレン、１,４−ナフチレン、ベンゾオキサゾレン、ビフェニリレン等が好ましく、ｐ−フェニレン、ｍ−フェニレン、メチル−ｐ−フェニレン、メトキシ−ｐ−フェニレン、１,４−ナフチレン等がより好ましく、ｐ−フェニレン、１,４−ナフチレンが特に好ましい。
【００３５】
また、一般式（１）において、符号Ａｒ2及びＡｒ3中、一般式（１）及び（２）において符号Ａｒ4中の、２価複素環基としては、１,４−フランジイル、１,４−チオフェンジイル、２,５−ベンゾフランジイル、２,５−ベンゾオキサゾールジイル及びカルバゾール−３,６−ジイル基等が挙げられる。２価複素環基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。２価複素環基としては、１,４−フランジイル、１,４−チオフェンジイル、２,５−ベンゾフランジイル、２,５−ベンゾオキサゾールジイル及びＮ−エチルカルバゾール−３,６−ジイル基が好ましい。
【００３６】
なお、一般式（１）において、符号Ａｒ2及びＡｒ3の一方がｐ−フェニレンであり、他方が１，４−ナフチレンである場合、すなわち一般式（２）の場合が、原材料を安価に入手でき又は合成が容易であることから、特に好ましい。
一般式（１）において、符号Ａｒ5中のアリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基及び炭素数２〜８のジアルキルアミノ基から選択できる。アリール基としては、フェニル及びｐ-トリル等が好ましい。
【００３７】
符号Ａｒ5中のアラルキル基としては、ベンジル、ナフチルメチル等が挙げられる。アラルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、メチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル等から選ばれる炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、シクロヘキシル、シクロペンチル等のシクロアルキル基から選択できる。アラルキル基としては、ベンジル、ｐ−メチルベンジル、１−ナフチルメチル等が好ましい。
【００３８】
一般式（１）〜（３）において、符号Ｒ1中のアリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。アリール基としては、フェニル及びｐ−トリル等が好ましい。
符号Ｒ1中のアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖状アルキル基が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、ハロゲン原子から選択できる。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、トリフルオロメチル等が好ましい。
【００３９】
一般式（１）において、符号Ｒ2及びＲ3中のアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖状アルキル基が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子）、アリール基（例えば、フェニル基）から選択できる。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、フルオロメチル、フェニルメチル等が好ましい。
符号Ｒ2及びＲ3中のアリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。アリール基としては、フェニル及びトリル等が好ましく、フェニル基がより好ましい。
【００４０】
符号Ｒ2及びＲ3中の複素環基としては、チエニル、フリル、ベンゾフリル、ベンゾオキサゾリル及びカルバゾリル基等が挙げられる。複素環基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。複素環基としては、チエニル基が好ましい。
符号Ｒ2及びＲ3中のアラルキル基としては、ベンジル、ナフチルメチル等が挙げられる。アラルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、メチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル等から選ばれる炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、シクロヘキシル、シクロペンチル等のシクロアルキル基から選択できる。アラルキル基としては、ベンジルが好ましい。
【００４１】
なお、芳香族ポリカーボネートの末端構造は、パラヒドロキシ安息香酸−ｎ−ブチル、パラヒドロキシ−ｎ−プロピル、パラヒドロキシ安息香酸エチル等に由来する構造であることが好ましい。
芳香族ポリカーボネートは、テトラヒドロフランのような有機溶媒１００ｇに対して、１０〜３０ｇ溶解する溶解性を有していることが好ましい。このような溶解度を有する芳香族ポリカーボネートは、それを用いた層を塗布法により形成することが容易であるという効果を有する。
【００４２】
（芳香族ポリカーボネートの製造方法）
本発明の芳香族ポリカーボネートの内、一般式（１）で表される構成単位からなる単独重合体は、例えば、原料化合物（モノマー）として、電荷輸送能を有してもよい非対称ビスヒドロキシ化合物の１種又は２種以上と、カーボネート化合物の１種又は２種以上とを用いること以外は、従来のポリカーボネートと同様に製造できる。
また、一般式（１）と一般式（４）で表される構成単位からなる共重合体は、例えば、原料化合物（モノマー）として、電荷輸送能を有してもよい非対称ビスヒドロキシ化合物の１種又は２種以上と、カーボネート化合物の１種又は２種以上と、ジヒドロキシ化合物の１種又は２種以上とを用いること以外は、従来のポリカーボネートと同様に製造できる。
【００４３】
（非対称ビスヒドロキシ化合物）
非対称ビスヒドロキシ化合物としては公知のものを使用できる。この内、例えば、下記一般式（６）で表される電荷輸送能を有する非対称ビスヒドロキシ化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（６）」と称す）が好ましい。
【００４４】
非対称ビスヒドロキシ化合物（６）の中でも、下記一般式（７）で表される非対称ビスヒドロキシ化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（７）」と称す）がより好ましく、下記一般式（８）で表される非対称ビスヒドロキシ化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（８）」と称す）が特に好ましい。
【００４５】
【化７】
【００４６】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びｎは上記に同じ。）
非対称ビスヒドロキシ化合物（６）は、例えば、下記反応行程式に示す方法により製造できる。すなわち、下記反応行程式により非対称ビスヒドロキシ化合物のエーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）を製造し、更に符号Ｒ5で示される水酸基の保護基を脱保護することによって製造できる。
［反応行程式］
【００４７】
【化８】
【００４８】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びｎは上記に同じ。２つのＲ4は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒ5は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアラルキル基を示す。Ａｒ6は置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基を示す。）
この反応行程式において、符号Ｒ4及びＲ5中のアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖状アルキル基が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子）、アリール基（例えば、フェニル基）から選択できる。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル等が好ましい。
【００４９】
符号Ｒ4中のアリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。アリール基としては、フェニル及びｐ−トリル等が好ましく、フェニル基がより好ましい。
符号Ｒ5中のアラルキル基としては、ベンジル、ナフチルメチル等が挙げられる。アラルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、メチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル等から選ばれる炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、シクロヘキシル、シクロペンチル等のシクロアルキル基から選択できる。アラルキル基としては、ベンジルが好ましい。
【００５０】
符号Ａｒ6中置換基を有してもよいアリール基としては、フェニル、ナフチル、ビフェニリル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基及び炭素数１〜４のアルコキシ基から選択できる。アリール基としては、フェニル、トリル、メトキシフェニル、ナフチル等が好ましい。
また、符号Ａｒ6中の複素環基としては、チエニル、ベンゾチアゾリル等が挙げられる。複素環基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。複素環基としては、チオフェン環、ベンゾチアゾール環等が好ましい。
この反応行程式における各反応は、例えば、次のようにして実施できる。
【００５１】
（一般式（１０）で表されるビスカルボニル中間体の製造）
（Ａ）一般式（９）で表されるアミン化合物（以後「アミン化合物（９）」と称す）のビスホルミル化は、例えば、ビルスマイヤー反応に従って実施できる。具体的には、アミン化合物（９）とビルスマイヤー試薬とを攪拌下に加熱した後、加水分解を行うことによって実施できる。
【００５２】
ビルスマイヤー試薬としては公知のものを使用でき、例えば、適当な溶媒中にてオキシ塩化リンとホルムアミド類の１種又は２種以上とを反応させて得られるビルスマイヤー試薬が挙げられる。
ここで溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１，２−ジクロロエタン等が挙げられる。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドはオキシ塩化リンと反応させるホルムアミド類としても使用できる。ホルムアミド類としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのほかに、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジフェニルホルムアミド等が挙げられる。
【００５３】
アミン化合物（９）とビルスマイヤー試薬との使用割合は特に制限されないけれども、反応の効率性等を考慮すると、アミン化合物（９）の１当量に対して、ビルスマイヤー試薬を２．０〜２．３当量程度用いることが好ましい。この反応は、攪拌下にかつ６０〜１１０℃の加熱下に行うことが好ましく、通常２〜８時間程度で終了する。
【００５４】
反応終了後の反応混合物にアルカリを加えて加水分解を行うことによって、一般式（１０）で表されるビスカルボニル中間体（以後「ビスカルボニル中間体（１０）」と称す）の内、２つのＲ1が水素原子である化合物（以後「ビスカルボニル中間体（１０ａ）」と称す）が析出により得られる。ここでアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の一般的なアルカリを使用できる。また、アルカリは、通常、水溶液の形態で使用され、該水溶液におけるアルカリの濃度は１〜８Ｎ程度とすればよい。
【００５５】
（Ｂ）また、アミン化合物（９）のビスアシル化は、例えば、フリーデルクラフツ反応に従って実施できる。具体的には、適当な溶媒中にてアミン化合物（９）とフリーデルクラフツ反応試薬とを反応させ、更に反応生成物を加水分解することによって実施できる。ここで溶媒としては、反応に不活性でかつアミン化合物（９）及びフリーデルクラフツ反応試薬を溶解又は分散できるものであれば特に制限なく使用でき、例えば、１，２−ジクロロエタン等が挙げられる。フリーデルクラフツ反応試薬としては公知のものを使用でき、例えば、塩化アルミニウムと酸塩化物とを反応させて得られるものが挙げられる。ここで、酸塩化物としては、例えば、アセチルクロライド等が挙げられる。
【００５６】
アミン化合物（９）とフリーデルクラフツ反応試薬との使用割合は特に制限されないけれども、反応の効率性等を考慮すると、アミン化合物（９）の１当量に対して、フリーデルクラフツ反応試薬を２．０〜２．３当量程度用いることが好ましい。この反応は、攪拌下にかつ−４０〜８０℃の温度下に行うことが好ましく、通常２〜８時間程度で終了する。
【００５７】
反応終了後の反応混合物にアルカリを加えて加水分解を行うことによって、ビスカルボニル中間体（１０）のうち、２つのＲ1が水素原子以外の基である化合物（以後「ビスカルボニル中間体（１０ｂ）」と称す）が得られる。アルカリによる加水分解は、ビスカルボニル中間体（１０ａ）を得る加水分解と同様に実施できる。
【００５８】
（一般式（１２ａ）又は（１２ｂ）で表されるエーテル化合物の製造）
更に、ビスカルボニル中間体（１０）をウィッティッヒ−ホルナー（Ｗｉｔｔｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ）反応に供し、ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ（Ｗｉｔｔｉｇ）試薬とを反応させることによって、非対称ビスヒドロキシ化合物（６）の前駆体となるエーテル化合物である、一般式（１２ａ）又は（１２ｂ）で表されるエーテル化合物（以後「エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）」と称す）が得られる。
【００５９】
ここで、ウィッティッヒ試薬としては、一般式（１１ａ）又は（１１ｂ）で表される化合物（以後「ウィッティッヒ試薬（１１ａ）又は（１１ｂ）」と称す）が挙げられる。なお、ウィッティッヒ試薬（１１ａ）及び（１１ｂ）は、符号Ａｒ4で示される置換基に結合する水酸基が、符号Ｒ5で示される置換基により保護されている。
【００６０】
ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ試薬（１１ａ）とを反応させるとエーテル化合物（１２ａ）が得られ、更に符号Ｒ5で示される保護基を脱保護することによって、非対称ビスヒドロキシ化合物（６）においてｎ＝０である化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）」と称す）が得られる。
また、ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ試薬（１１ｂ）とを反応させるとエーテル化合物（１２ｂ）が得られ、更に符号Ｒ5で示される保護基を脱保護することによって、非対称ビスヒドロキシ化合物（６）においてｎ＝１又は２である化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（６ｂ）」と称す）が得られる。
ビスカルボニル中間体（１０）に対するウィッティッヒ−ホルナー反応は公知の方法に従って実施できる。例えば、適当な溶媒中にて、金属アルコキシド塩基等の触媒の存在下に、ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ試薬（１１ａ）又は（１１ｂ）とを反応させればよい。
【００６１】
溶媒としては、反応に不活性でかつ反応基質（ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ試薬（１１））及び触媒を溶解又は分散できるものであれば特に制限なく使用できる。例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類等が挙げられる。溶媒は１種を単独で使用でき又は必要に応じて２種以上を混合して使用できる。また溶媒の使用量は特に制限されず、反応基質の使用量、反応温度、反応時間等の反応条件に応じて、反応が円滑に進行する量を適宜選択すればよい。
【００６２】
金属アルコキシド塩基としては公知のものを使用でき、例えば、カリウムｔ−ブトキサイド、ナトリウムエトキサイド、ナトリウムメトキサイド等のアルカリ金属アルコキシド塩基等が挙げられる。金属アルコキシド塩基は１種を単独で使用でき又は２種以上を併用できる。反応基質及び触媒の使用量は特に制限されず、反応条件等に応じて広い範囲から適宜選択できるけれども、反応の円滑な進行等を考慮すると、好ましくはビスカルボニル中間体（１０）の１当量に対して、ウィッティッヒ試薬（１１ａ）又は（１１ｂ）を２．０〜２．３当量程度、及び触媒を２．０〜２．５当量程度用いればよい。この反応は、攪拌下にかつ室温下又は３０〜６０℃の加熱下に行うことが好ましく、通常２〜８時間程度で終了する。この反応により、エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）が得られる。
【００６３】
エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）の脱保護は、公知の方法に従って実施できる。例えば、エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）と脱保護剤とを適当な溶媒中にて反応させることにより実施できる。ここで、脱保護剤としては公知のものを使用でき、例えば、臭化水素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウム、三臭化ホウ素、エタンチオールナトリウム塩等が挙げられる。脱保護剤は１種を単独で使用でき又は２種以上を併用できる。脱保護剤の使用量は特に制限されないけれども、エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）の１当量に対して、好ましくは２．０〜３．０当量程度、より好ましくは２．２〜２．６当量程度用いればよい。
【００６４】
反応を円滑に進行させること、反応終了後の目的化合物を容易に単離精製すること等を考慮すると、脱保護用の溶媒としては反応に不活性でかつ反応基質を安定的に溶解又は分散できるものであれば特に制限なく使用できる。例えば、ベンゼン、ニトロベンゼン等の芳香族炭化水素類、クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のホルムアミド類、無水酢酸、塩化メチレン等が挙げられ、脱保護剤の種類に応じて適宜選択して使用すればよい。例えば、脱保護剤にハロゲン化水素を用いる場合は、無水酢酸が好ましい。ハロゲン化アルミニウムを用いる場合は、芳香族炭化水素類、ハロゲン化芳香族炭化水素類等が好ましい。三臭化ホウ素を用いる場合は、塩化メチレンが好ましい。エタンチオールナトリウム塩を用いる場合は、ホルムアミド類が好ましい。溶媒の使用量は特に制限されず、反応基質及び脱保護剤の種類、使用量、反応温度等の反応条件に応じて広い範囲から適宜選択できる。この脱保護反応は、冷却下又は室温から溶媒還流下にて行うことができ、通常０．５〜２４時間程度で終了する。なお、反応温度は脱保護反応が円滑に進行する温度を適宜選択すればよい。この反応により、非対称ビスヒドロキシ化合物（６）が得られる。
【００６５】
なお、上記各反応において生成する目的化合物は、反応終了後の反応混合物から単離して又は単離することなく次の反応に供することができる。なお、目的化合物の反応混合物からの単離は、抽出、クロマトグラフィー、遠心分離、再結晶化、洗浄等の一般的な精製手段に従って実施できる。
非対称ビスヒドロキシ化合物（６）の具体例としては、例えば、下記表１に記載のものが挙げられる。
【００６６】
【表１−１】
【００６７】
【表１−２】
【００６８】
【表１−３】
【００６９】
【表１−４】
【００７０】
【表１−５】
【００７１】
（カーボネート化合物）
また、芳香族ポリカーボネートの製造において、非対称ビスヒドロキシ化合物とともに用いられるカーボネート化合物としては、ポリカーボネートの製造に用いられるものをいずれも使用できる。例えば、ビスフェニルカーボネート等のビスアリールカーボネート類、ビスクロロホーメート等のハロゲン化ホーメート類、ホスゲン、トリクロロメチルクロロホーメート（ホスゲンの２量体）、ビス（トリクロロメチル）カーボネート（ホスゲンの３量体）、ホスゲンの多量体等のハロゲン化カーボネート類等が挙げられる。なお、ホスゲンの３量体は、熱的及び化学的に安定で、反応制御及び取り扱いが容易であるという利点を有する。また、ハロゲン化ホーメート類は下記のジヒドロキシ化合物から誘導できる。
【００７２】
ジヒドロキシ化合物としては、例えば、一般式（１５）ＨＯ−Ｘ−ＯＨ（式中Ｘは上記に同じ。）で表されるジヒドロキシ化合物（以後「ジヒドロキシ化合物（１５）」と称す）が挙げられる。ジヒドロキシ化合物（１５）を用いることによって得られる一般式（１）と一般式（４）の構造単位を含む芳香族ポリカーボネートの機械的強度を、構成単位（１）のみを含む芳香族ポリカーボネートの機械的強度よりも一層向上できる。
【００７３】
ジヒドロキシ化合物（１５）の具体例としては、例えば、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４'−シクロヘキシリデンビスフェノール、４，４−エチリデンビスフェノール、４，４'−（１，３−ジメチルブチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４'−（１−フェニルエチリデン）ビスフェノール、４，４'−（２−エチルヘキシリデン）ビスフェノール、５，５'−（１−メチルエチリデン）（１，１'−ビフェニル）−２−オール、１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、４，４'−メチリデンビスフェノール、４，４'−メチレンンビス［２−（２−プロペニル）フェノール］、４，４'−メチリデンビス（２−メチルフェノール）、
【００７４】
４，４'−プロパンジイルビスフェノール、４，４'−（１−メチルプロピリデン）ビスフェノール、４，４'−（２−メチルプロピリデン）ビスフェノール、４，４'−（３−メチルブチリデン）ビスフェノール、４，４'−シクロペンチリデンビスフェノール、４，４'−（フェニルメチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−メチルヘプチリデン）ビスフェノール、４，４'−シクロヘキシリデンビス（３−メチルフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（２−プロペニル）フェノール］、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（１−メチルエチル）フェノール］、４，４'−（１−メチルオクチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−フェニルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４'−シクロヘキシリデンビス（２，６−ジメチルフェノール）、
【００７５】
４，４'−（１−メチル）ノニリデンビスフェノール、４，４'−デシリデンビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（１，１−メチルプロピル）フェノール］、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、４，４'−（ジフェニルメチリデン）ビスフェノール、４，４'−シクロヘキシリデンビス［２−（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、４，４'−（２−メチルプロピリデン）ビス［３−メチル−６−（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−シクロヘキシルフェノール）、４，４’−メチレン−ビス［２，６−ビス（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、４，４'−メチレンビス（２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェノール）、
【００７６】
５，５'−（１，１−シクロヘキシリデン）ビス−（１，１'−ビフェニル）−２−オール、４，４'−シクロヘキシリデンビス（２−シクロヘキシルフェノール）、２，２'−メチレンビス（４−ノニルフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２，６−ビス（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、５，５'−（１−フェノールエチリデン）（１，１'−ビフェニル）−２−オール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタノン、４，４'−メチレンビス（２−フルオロフェノール）、４，４'−［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビスフェノール、４，４'−イソプロピリデンビス（２−フルオロフェノール）、４，４'−［（４−フルオロフェニル）メチレン］ビス（２−フルオロフェノール）、４，４'−（フェニルメチレン）ビス（２−フルオロフェノール）、
【００７７】
４，４'−［（４−フルオロフェニル）メチレン］ビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−クロロ−６−メチルフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジクロロフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−クロロフェノール）、４，４'−メチレンビス（２，６−ジブロモフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジブロモフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−ニトロフェノール）、３，３'−ジメチル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、３，３'，５，５'−テトラメチル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、３，３'，５，５'−テトラ−ｔ−ブチル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、３，３'−ジフルオロ−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、３，３'，５，５'−テトラフルオロ−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール等が挙げられる。
【００７８】
上記ジヒロドキシ化合物（１５）らは、２種類以上併用してもよい。特に反応性の観点から、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４'−シクロヘキシリデンビスフェノール等が好ましい。
【００７９】
（重合方法）
非対称ビスヒドロキシ化合物とカーボネート化合物との重合方法、及び非対称ビスヒドロキシ化合物とカーボネート化合物とジヒドロキシ化合物との重合方法は、例えば、「プラスチック材料講座 ポリカーボネート樹脂」（松金幹夫、田原省吾、加藤修士著、日刊工業新聞社刊、１９６９年発行）のような文献に記載された公知の方法に従って実施できる。
例えば、カーボネート化合物としてハロゲン化カーボネート類を用いる場合は、界面重合法、溶液重合法等により芳香族ポリカーボネートを得ることができる。また、カーボネート化合物としてビスアリールカーボネート類を用いる場合には、エステル交換法により芳香族ポリカーボネートを得ることができる。
【００８０】
［界面重合法］
より詳しくは、界面重合法によれば、非対称ビスヒドロキシ化合物を含む水相と、カーボネート化合物及びポリカーボネート生成触媒を含み、更に必要に応じてジヒドロキシ化合物を含む油相とを混合し、２相間で、これら化合物を重合させることにより、本発明の芳香族ポリカーボネートを製造できる。
【００８１】
非対称ビスヒドロキシ化合物は、アルカリ性下で水に溶解させることができる。水をアルカリ性化するには、一般的な塩基を使用できる。塩基としては公知のものを使用でき、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩等が挙げられる。これらの中でも、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましい。塩基は１種を単独で使用でき又は２種以上を併用できる。ここで用いる水は蒸留水、イオン交換水等である。なお、水相には、アルコールのような水性媒体が含まれていてもよい。塩基の使用量は、使用される非対称ビスヒドロキシ化合物の全量が、使用される水に対して安定的に溶解する量とすればよい。
【００８２】
油相を構成する有機溶媒としてはこの分野で常用されるもの、すなわち水に対する溶解度が重合反応に悪影響を及ぼさない程度に低くかつ生成する芳香族ポリカーボネートを溶解し得るものを使用できる。例えば、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、ジクロロプロパン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、ハロゲン化脂肪族炭化水素類の２種以上の混合物、ハロゲン化芳香族炭化水素類の２種以上の混合物、ハロゲン化脂肪族炭化水素類の１種又は２種以上とハロゲン化芳香族炭化水素類の１種又は２種以上との混合物等が挙げられる。これらの中でも、ジクロロメタン、クロロベンゼン等が好ましい。更に、前記有機溶媒に、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素類等から選ばれる１種又は２種以上を混合してもよい。有機溶媒の使用量は特に制限されないけれども、各モノマーの種類及び使用量、有機溶媒の種類、反応温度、反応時間等の反応条件に応じて重合反応が円滑に進行する量を適宜選択すればよい。
【００８３】
ポリカーボネート生成触媒もこの分野で常用されるものを使用できる。例えば、３級アミン、４級アンモニウム塩、３級ホスフィン、４級ホスホニウム塩、含窒素複素環化合物及びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミド基含有化合物等が挙げられる。これらの中でも３級アミンが好ましく、炭素数３〜３０の３級アミンが更に好ましく、トリエチルアミンが特に好ましい。ポリカーボネート生成触媒の反応系への添加時期は、カーボネート化合物を反応系へ添加する前及び添加した後のいずれでもよく、添加前後の２度でもよい。
なお、非対称ビスヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ化合物及びカーボネート化合物の使用割合は特に制限されないけれども、好ましくは、一般式（１）と（４）と構造単位のモル比が前述の範囲内の芳香族ポリカーボネートを得られるように設定することが好ましい。
【００８４】
界面重合反応では、以下のような手法により分子量を調整できる。すなわち、クロマトグラフィーのような手法により、生成するポリカーボネートの分子量を追跡し、所望の分子量になった時点で反応系に、分子量調節剤としての末端停止剤を添加することで分子量を調整する手法である。末端封止剤もこの分野で常用されるものを使用できる。例えば、１価の芳香族ヒドロキシ化合物、１価の芳香族ヒドロキシ化合物のハロホーメート誘導体、１価のカルボン酸、１価のカルボン酸のハライド誘導体等が挙げられる。これらの中でも、１価の芳香族ヒドロキシ化合物が好ましく、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール等が更に好ましい。末端停止剤を用いる場合、得られる芳香族ポリカーボネートのＣ末端及びＯ末端には、末端停止剤に由来する１価の置換基が通常結合する。
【００８５】
界面重合反応では、得られる芳香族ポリカーボネートの機械的特性を更に向上させるために、分岐化剤を適量添加することもできる。分岐化剤としてもこの分野で常用されるものを使用でき、例えば、フェノール性水酸基、ハロホーメート基、カルボン酸基、カルボン酸ハライド基、活性なハロゲン原子等から選ばれる同種又は異種の反応基を３つ以上有する化合物等が挙げられる。
【００８６】
界面重合反応では、高速撹拌、乳化剤の添加等によって反応媒体を乳化させて反応を実施することによって、短時間で分子量分布の狭い芳香族ポリカーボネートを得ることも可能である。
界面重合反応は、例えば、０〜４０℃の温度下に行われ、数分〜５時間程度で終了する。また、水相のｐＨは、例えば、塩基の添加等によって、通常１０以上に保つことが好ましい。
【００８７】
［溶液重合法］
また、溶液重合法によれば、適当な溶媒中にて、脱酸剤の存在下に、非対称ビスヒドロキシ化合物及びカーボネート化合物ならびに必要に応じてジヒドロキシ化合物とからなるモノマーを重合させることにより、芳香族ポリカーボネートを製造できる。更に具体的には、非対称ビスヒドロキシ化合物及び必要に応じてジヒドロキシ化合物を溶媒に溶解し、この溶液に脱酸剤を添加し、更にビスクロロホーメート、ホスゲン、ホスゲンの２〜３量体、ホスゲンの多量体等のカーボネート化合物を添加し、重合反応を実施することにより芳香族ポリカーボネートが得られる。
なお、非対称ビスヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ化合物及びカーボネート化合物の使用割合は特に制限されないけれども、好ましくは、一般式（１）と（４）で表される構造単位のモル比が前述の範囲内の芳香族ポリカーボネートを得られるように設定することが好ましい。
【００８８】
溶媒としてはこの分野で常用され、重合反応に不活性でありかつ３種のモノマー及び脱酸剤を溶解又は分散し得るものを使用できる。例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、ピリジン等が挙げられる。脱酸剤としてもこの分野で常用されるものを使用できる。例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン等の第３級アミン類、ピリジン等が挙げられる。
更に、界面重合の場合と同様に、分子量調節剤、分岐化剤等を添加できる。
この方法は、通常０〜４０℃の温度下に行われ、数分〜５時間程度で終了する。
【００８９】
［エステル交換法］
更に、エステル交換法によれば、例えば、不活性ガス雰囲気中にて非対称ビスヒドロキシ化合物及びビスアリールカーボネート（カーボネート化合物）ならびに必要に応じてジヒドロキシ化合物を混合し、通常減圧下にかつ１２０〜３５０℃の温度下に反応させることにより、芳香族ポリカーボネートが得られる。減圧度は段階的に変化させ、最終的には１ｍｍＨｇ以下にし、副生するフェノール類を系外に留去させることが好ましい。反応時間は通常１〜４時間程度である。また、必要に応じて、分子量調節剤、酸化防止剤等を添加してもよい。
また、上記の各重合反応において、重合操作を適宜選択することによって、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、ランダム交互共重合体又はランダムブロック共重合体を選択的に製造できる。
【００９０】
例えば、非対称ビスヒドロキシ化合物とジヒドロキシ化合物とを均一に混合した後、ホスゲン等のカーボネート化合物と縮合反応させると、ランダム共重合体が得られる。重合反応の途中で、反応系に数種の非対称ビスヒドロキシ化合物を更に添加すると、ランダムブロック共重合体が得られる。ジヒドロキシ化合物から誘導されるビスクロロホーメートと非対称ビスヒドロキシ化合物との縮合反応を行えば、交互共重合体が得られる。逆に非対称ビスヒドロキシ化合物から誘導されるビスクロロホーメートとジヒドロキシ化合物との縮合反応によっても同様に交互共重合体が得られる。２種以上のビスクロロホーメートと非対称ビスヒドロキシ化合物又はジヒドロキシ化合物とを使用する縮合反応によって、ランダム交互共重合体が得られる。
【００９１】
このようにして得られる芳香族ポリカーボネートは、抽出、クロマトグラフィー、遠心分離、再結晶化、洗浄等の一般的な精製手段により、重合反応終了後の反応混合物中から容易に単離精製できる。
本発明の芳香族ポリカーボネートには、必要に応じて、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤等の一般的な樹脂添加剤から選ばれる１種又は２種以上を添加できる。
【００９２】
（電子写真感光体）
上記芳香族ポリカーボネートが、電子写真感光体に含まれている限り、その構成は特に限定されない。
図１〜図８は、電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。図１〜４に示す電子写真感光体は、感光層２が１層からなることを特徴とする単層型電子写真感光体である。また、図５〜８に示す電子写真感光体は、感光層２ａが電荷発生層３と電荷輸送層４とからなる機能分離型又は積層型電子写真感光体である。
図１に示す電子写真感光体は、導電性支持体（電子写真感光体用素管）１と、導電性支持体１の表面に形成される感光層２とを含む。
【００９３】
図２に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される感光層２と、感光層２の表面に形成される表面保護層５とを含む。
図３に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される下引層６と、下引層６の表面に形成される感光層２とを含む。
図４に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される下引層６と、下引層６の表面に形成される感光層２と、感光層２の表面に形成される表面保護層５とを含む。
図５に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される電荷発生層３と、電荷発生層３の表面に形成される電荷輸送層４とを含む。
【００９４】
図６に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される電荷発生層３と、電荷発生層３の表面に形成される電荷輸送層４と、電荷輸送層４の表面に形成される表面保護層５とを含む。
図７に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される下引層６と、下引層６の表面に形成される電荷発生層３と、電荷発生層３の表面に形成される電荷輸送層４とを含む。
図８に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される下引層６と、下引層６の表面に形成される電荷発生層３と、電荷発生層３の表面に形成される電荷輸送層４と、電荷輸送層４の表面に形成される表面保護層５とを含む。
図１〜８に示す電子写真感光体を構成する各層は、具体的には、次の通りである。
【００９５】
［導電性支持体］
導電性支持体１は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス鋼、チタン等の金属材料により構成される。また、これらの金属材料に限定されることなく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリオキシメチレン、ポリスチレン等の合成樹脂、硬質紙、ガラス等からなる基体表面に金属箔をラミネートしたもの、金属材料を蒸着したもの、導電性高分子、酸化スズ、酸化インジウム、炭素粒子、金属粒子等の導電性化合物の層を蒸着もしくは塗布したもの等を用いることもできる。
【００９６】
導電性支持体１の表面には、必要に応じて、画質に影響のない範囲内で、陽極酸化皮膜処理、薬品、熱水等による表面処理、着色処理、表面を粗面化する等の乱反射処理を施してもよい。乱反射処理は、レーザを露光光源として用いる電子写真プロセスにおいて電子写真感光体を用いる場合に特に有効である。すなわち、レーザを露光光源として用いる電子写真プロセスでは、レーザ光の波長が揃っているので、入射するレーザ光と電子写真感光体内で反射された光とが干渉を起こし、この干渉による干渉縞が画像上に現れて画像欠陥の発生することがある。導電性支持体の表面に前述のような乱反射処理を施すことによって、この波長の揃ったレーザ光の干渉による画像欠陥を防止できる。
【００９７】
［感光層］
感光層２は、電荷発生物質と本発明の芳香族ポリカーボネートとを含んで構成される。感光層２において、芳香族ポリカーボネートは、電荷輸送物質及びバインダ樹脂として機能する。感光層２は、必要に応じて、本発明の芳香族ポリカーボネート以外の他の電荷輸送物質、本発明の芳香族ポリカーボネート以外の他のバインダ樹脂、酸化防止剤等を含有してもよい。
【００９８】
電荷発生物質は、光を吸収することにより電荷を発生させる物質である。電荷発生物質としてはこの分野で常用されるものを使用できる。例えば、アゾ系顔料（モノアゾ系顔料、ビスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料等）、インジゴ系顔料（インジゴ、チオインジゴ等）、ペリレン系顔料（ペリレンイミド、ペリレン酸無水物等）、多環キノン系顔料（アントラキノン、ピレンキノン等）、フタロシアニン系顔料（金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン等）、トリフェニルメタン系色素（メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、ナイトブルー、ビクトリアブルー等）、アクリジン系色素（エリスロシン、ローダミンＢ、ローダミン３Ｒ、アクリジンオレンジ、フラペオシン等）、チアジン系色素（メチレンブルー、メチレングリーン等）、オキサジン系色素（カプリブルー、メルドラブルー等）、スクアリリウム色素、ピリリウム塩類、チオピリリウム塩類、チオインジゴ系色素、ビスベンゾイミダゾール系色素、キナクリドン系色素、キノリン系色素、レーキ系色素、アゾレーキ系色素、ジオキサジン系色素、アズレニウム系色素、トリアリルメタン系色素、キサンテン系色素、シアニン系色素等の有機顔料、染料、更にアモルファスシリコン、アモルファスセレン、テルル、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、硫化アンチモン、酸化亜鉛、硫化亜鉛等の無機材料が挙げられる。電荷発生物質は１種を単独で又は２種以上を組合せて使用する。
【００９９】
本発明の芳香族ポリカーボネートとしては、前述の一般式（１）で表される構成単位の単独重合体、及び一般式（１）と（４）の構成単位を含む共重合体から選ばれる１種又は２種以上を使用できる。
他の電荷輸送物質は、例えば、感光層２の電気特性を更に向上させるために用いられる。電荷輸送物質には、ホール輸送物質及び電子輸送物質が包含される。
【０１００】
ホール輸送物質としてはこの分野で常用されるものを使用でき、例えば、カルバゾール誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、多環芳香族化合物、インドール誘導体、ピラゾリン誘導体、オキサゾロン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、エナミン誘導体、ベンジジン誘導体、これらの化合物から誘導される基を主鎖又は側鎖に有するポリマー（ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１−ビニルピレン、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド樹脂、トリフェニルメタンポリマー、ポリ−９−ビニルアントラセン等）、ポリシラン等が挙げられる。
【０１０１】
電子輸送物質としてもこの分野で常用されるものを使用でき、例えば、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、キサントン誘導体、フェナントラキノン誘導体、無水フタール酸誘導体、ジフェノキノン誘導体等の有機化合物、アモルファスシリコン、アモルファスセレン、テルル、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、硫化アンチモン、酸化亜鉛、硫化亜鉛等の無機材料が挙げられる。電荷輸送物質は１種を単独で又は２種以上を組合せて使用できる。
【０１０２】
他のバインダ樹脂は、例えば、感光層２の機械的強度、耐久性等を向上させるために用いられる。他のバインダ樹脂には、本発明の芳香族ポリカーボネートとの相溶性に優れるものが好ましく用いられる。その具体例としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリアミド、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル、ポリアクリルアミド、ポリフェニレンオキサイド等の熱可塑性樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、これらの樹脂の部分架橋物等が挙げられる。これらの中でも、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート及びポリフェニレンオキサイドは、体積抵抗値が１０13Ω以上であって電気絶縁性に優れ、また成膜性、電位特性等にも優れるので、バインダ樹脂として好適に使用できる。更に、ポリカーボネートは特に好適に使用できる。他のバインダ樹脂は１種を単独で又は２種以上を組合せて使用できる。
【０１０３】
酸化防止剤は、電子写真感光体の帯電時に発生するオゾン、ＮＯｘ等の活性物質の付着による表面層の劣化を軽減し、電子写真感光体の繰返し使用時の耐久性を向上させ得る。また、酸化防止剤は、後述する感光層形成用塗工液の安定性を高め、液寿命を延長できる。加えて、この塗工液で製造した電子写真感光体も、不純物が軽減されるので、耐久性を向上できる。
【０１０４】
酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール誘導体、ヒンダードアミン誘導体等が挙げられる。酸化防止剤の使用量は特に制限されないけれども、好ましくは、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１０重量部である。酸化防止剤の使用量が０．１重量部未満では、後述する感光層形成用塗工液の安定性及び電子写真感光体の耐久性を向上効果が不充分になるので好ましくない。また、１０重量部を超えると、電子写真感光体の電気特性に悪影響を及ぼすことがあるので好ましくない。
【０１０５】
感光層２は、電荷発生物質、本発明の芳香族ポリカーボネート、必要に応じて他の電荷輸送物質、他のバインダ樹脂、酸化防止剤等を適用な有機溶媒に溶解及び／又は分散して感光層形成用塗工液を調製し、この塗工液を導電性支持体１又は後述する下引層６の表面に塗布し、乾燥して有機溶媒を除去することによって形成できる。
【０１０６】
ここで有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジフェニルメタン、ジメトキシベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジベンジルエーテル、ジメトキシメチルエーテル等のエーテル類、シクロヘキサノン、アセトフェノン、イソホロン等のケトン類、安息香酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、ジフェニルスルフィド等の含イオウ化合物、ヘキサフロオロイソプロパノール等のフッ素系化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性化合物、これら化合物の２種以上の混合物、これら化合物の１種又は２種以上に更にアルコール類、アセトニトリル又はメチルエチルケトンを加えた混合物等が挙げられる。
【０１０７】
感光層の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは５〜１００μｍ、更に好ましくは１０〜５０μｍである。膜厚が５μｍ未満では、電子写真感光体表面の帯電保持能が低下するおそれがあるので好ましくない。膜厚が１００μｍを超えると、電子写真感光体の生産性が低下するおそれがあるので好ましくない。
【０１０８】
［電荷発生層及び電荷輸送層］
感光層２ａは、電荷発生層３と電荷輸送層４とを含んで構成される積層体である。
電荷発生層３は、電荷発生物質及びバインダ樹脂を含有する。
電荷発生物質としては、感光層２に含まれるものと同様の電荷発生物質の１種又は２種以上を使用できる。
【０１０９】
バインダ樹脂としては電荷発生層のマトリックス樹脂として常用されるものを使用でき、例えば、ポリエステル、ポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート（本発明の芳香族ポリカーボネートを含む）、ポリアリレート等の熱可塑性樹脂、ポリウレタン、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール等の熱硬化性樹脂、これらの樹脂に含まれる構成単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂（塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂等の絶縁性樹脂）等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラールが好ましい。バインダ樹脂は１種を単独で使用でき又は２種以上を併用できる。
【０１１０】
電荷発生物質とバインダ樹脂との含有割合は特に制限されないけれども、電荷発生物質とバインダ樹脂との合計量の全量において、電荷発生物質を１０〜９９重量％含有することが好ましい。電荷発生物質の割合が１０重量％未満では、感度が低下するおそれがあるので好ましくない。電荷発生物質の割合が９９重量％を超えると、（１）電荷発生層３の膜強度が低下することがあり、（２）電荷発生物質の分散性が低下して粗大粒子が増大し、露光によって消去されるべき部分以外の表面電荷が減少することがあるので好ましくない。膜強度の低下や表面電荷の減少は、画像欠陥、特に白地にトナーが付着し微小な黒点が形成される黒ポチと呼ばれる画像のかぶりが多く発生する原因の１つとなる。
【０１１１】
電荷発生層３は、前記２種の必須成分のほかに、必要に応じて、ホール輸送材料、電子輸送材料、酸化防止剤、分散安定剤、増感剤等から選ばれる１種又は２種以上の他の添加剤をそれぞれ適量を含んでもよい。これによって、電位特性が向上するとともに、後述する電荷発生層形成用塗工液の安定性が高まり、電子写真感光体の繰返し使用時の疲労劣化を軽減し、耐久性を向上させ得る。
【０１１２】
電荷発生層３は、例えば、電荷発生物質、バインダ樹脂及び必要に応じて他の添加剤を適当な有機溶媒に溶解又は分散して電荷発生層形成用塗工液を調製し、この塗工液を導電性支持体１又は後述の下引層６の表面に塗布し、乾燥して有機溶媒を除去することにより形成できる。具体的には、例えば、バインダ樹脂を有機溶媒に溶解してなる樹脂溶液に電荷発生物質及び必要に応じて他の添加剤を溶解又は分散させることにより、電荷発生層形成用塗工液が調製される。
【０１１３】
ここで有機溶媒としては、例えば、テトラクロロプロパン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、イソホロン、メチルエチルケトン、アセトフェノン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、安息香酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジベンジルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジフェニルメタン、ジメトキシベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジフェニルスルフィド等の含イオウ化合物、ヘキサフロオロイソプロパノール等のフッ素系化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性化合物等が挙げられる。また、これらの化合物を２種以上混合した混合溶媒を用いることもできる。
【０１１４】
電荷発生物質等を樹脂溶液に溶解又は分散させるに先立ち、電荷発生物質及びその他の添加剤を予備粉砕してもよい。予備粉砕は、例えば、ボールミル、サンドミル、アトライタ、振動ミル、超音波分散機等の一般的な粉砕機を用いて実施される。
電荷発生物質等の樹脂溶液への溶解又は分散は、例えば、ペイントシェーカ、ボールミル、サンドミル等の一般的な分散機を用いて実施される。このとき、樹脂溶液、電荷発生物質等を収容する容器及び分散機を構成する部材から、摩耗等によって不純物が発生し、塗工液中に混入しないように、分散条件を適宜選択するのが好ましい。
【０１１５】
電荷発生層形成用塗工液の塗布方法としては、ロール塗布、スプレー塗布、ブレード塗布、リング塗布、浸漬塗布等が挙げられる。
電荷発生層３の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは０．０５〜５μｍ以下、更に好ましくは０．１〜１μｍである。電荷発生層の膜厚が０．０５μｍ未満では、光吸収の効率が低下し、感度が低下することがあるので好ましくない。電荷発生層の膜厚が５μｍを超えると、電荷発生層内部での電荷移動が電子写真感光体表面の電荷を消去する過程の律速段階となり、感度が低下することがあるので好ましくない。
【０１１６】
電荷輸送層４は、電荷発生物質で発生した電荷を受入れ、そして輸送する能力を有する本発明の芳香族ポリカーボネートにより構成できる。更に、電荷輸送層４は、他の電荷輸送物質、他のバインダ樹脂、酸化防止剤等を含むことができる。電荷輸送層４は、他の電荷輸送物質及び他のバインダ樹脂を必須成分として含有し、更に必要に応じて酸化防止剤等の添加剤を含む構成を採ることもできる。本発明の芳香族ポリカーボネートは、電荷輸送層４中に、５０〜７５重量％の範囲で含まれていることが好ましい。
【０１１７】
本発明の芳香族ポリカーボネートとしては、一般式（１）で表される構造単位からなる単独重合体及び一般式（１）と（４）で表される構造単位を含む共重合体から選ばれる１種又は２種以上を使用できる。
また、他の電荷輸送物質、他のバインダ樹脂及び酸化防止剤としては、感光層２において用いられるものと同様のものを同様の使用量でそれぞれ使用できる。
【０１１８】
電荷輸送層４は、例えば、適当な有機溶媒に本発明の芳香族ポリカーボネート、必要に応じて他の電荷輸送物質、他のバインダ樹脂、酸化防止剤等を溶解又は分散させて電荷輸送層形成用塗工液を調製し、この電荷輸送層形成用塗工液を電荷発生層３の表面に塗布し、乾燥により有機溶媒を除去することにより形成できる。
【０１１９】
ここで用いられる有機溶媒としては、感光層２の形成に用いられる有機溶媒と同様のものを使用できる。電荷輸送層形成用塗工液の電荷発生層３表面への塗布方法としては特に制限はなく、例えば、浸漬塗布、ロール塗布、インクジェット塗布等が挙げられる。また、乾燥は、塗工液中に含まれる有機溶媒を除去し、かつ均一な表面を有する電荷輸送層４を形成できる温度を適宜選択して実施すればよい。
【０１２０】
電荷輸送層４の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは５〜５０μｍ、更に好ましくは１０〜４０μｍである。電荷輸送層の膜厚が５μｍ未満では、電子写真感光体表面の帯電保持能が低下するおそれがあるので好ましくない。電荷輸送層の膜厚が５０μｍを超えると、電子写真感光体の解像度が低下するおそれがあるので好ましくない。
【０１２１】
［表面保護層］
表面保護層５は、例えば、感光層２，２ａの耐久性を向上させる機能を有する。表面保護層５は、例えば、バインダ樹脂（本発明の芳香族ポリカーボネートを含む）を適当な有機溶媒に溶解した樹脂溶液を感光層２，２ａ表面に塗布し、乾燥により有機溶媒除去することにより形成できる。ここで用いられるバインダ樹脂及び有機溶媒としては、電荷輸送層４において用いられるのと同様のものを同量で使用できる。本発明の芳香族ポリカーボネートは、表面保護層５中に、７０〜９０重量％の範囲で含まれていることが好ましい。
【０１２２】
表面保護層５の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは０．５〜１０μｍ以下、更に好ましくは１〜５μｍである。表面保護層５の膜厚が０．５μｍ未満では、電子写真感光体表面の耐擦過性が劣り、耐久性が不充分になることがあるので好ましくない。１０μｍを超えると、電子写真感光体の解像度が低下することがあるので好ましくない。
【０１２３】
［下引層］
下引層６は、導電性支持体１から感光層２，２ａへの電荷の注入を防止する機能を有する。その結果、感光層２，２ａの帯電性の低下を抑制でき、露光によって消去されるべき部分以外の表面電荷の減少が抑制でき、かぶり等の画像欠陥の発生を防止できる。特に、反転現像プロセスによる画像形成の際に、白地部分にトナーからなる微小な黒点が形成される黒ポチと呼ばれる画像かぶりが発生することを防止できる。また、下引層６を導電性支持体１表面に被覆することにより、導電性支持体１表面の欠陥である凹凸の度合を軽減して表面を平坦化できる。そのため、下引層６上の感光層２，２ａの成膜性を高めることができるので、導電性支持体１と感光層２，２ａとの密着性を向上できる。
【０１２４】
下引層６は、例えば、樹脂材料を適当な溶媒に溶解させた下引層形成用塗工液を調製し、この塗工液を導電性支持体１の表面に塗布し、加熱により該塗工液中の溶媒を除去することによって形成できる。樹脂層を構成する樹脂材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリスルホン、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリアリレート等の熱可塑性樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂、これらの熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂に含まれる構成単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース等の天然高分子材料等が挙げられる。樹脂材料を溶解又は分散させる溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、メチルカルビトール、ブチルカルビトール等のグライム類等、これらの溶媒を２種以上混合した混合溶媒等が挙げられる。
【０１２５】
更に、下引層形成用塗工液には、金属酸化物粒子を添加してもよい。金属酸化物粒子の添加により下引層６の体積抵抗値を容易に調節でき、導電性支持体１から感光層２，２ａへの電荷注入を更に抑制でき、各種環境下において電子写真感光体の電気特性を維持できる。金属酸化物粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化スズ等の粒子が挙げられる。金属酸化物粒子を下引層形成用塗工液中に分散させる装置としては、ボールミル、サンドミル、アトライタ、振動ミル、超音波分散機等の一般的な粒子分散装置が挙げられる。
【０１２６】
樹脂材料と金属酸化物粒子とを含む下引層形成用塗工液における、樹脂材料と金属酸化物粒子との合計含有量をＣ、溶剤の含有量をＤとするとき、両者の比率（Ｃ／Ｄ）は、好ましくは１／９９〜４０／６０（＝０．０１〜０．６７、重量比）であり、更に好ましくは２／９８〜３０／７０（＝０．０２〜０．４３、重量比）である。また、樹脂材料含有量（Ｅ）と金属酸化物粒子含有量（Ｆ）との比率（Ｅ／Ｆ）は、好ましくは１／９９〜９０／１０（＝０．０１〜９．０、重量比）であり、更に好ましくは５／９５〜７０／３０（＝０．０５〜２．３３、重量比）である。
【０１２７】
下引層６の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは０．０１〜２０μｍ、更に好ましくは０．１〜１０μｍである。膜厚が０．０１μｍ未満では、下引層６として実質的に機能しなくなり、導電性支持体１の欠陥を被覆して均一な表面が得られず、また導電性支持体１から感光層２，２ａに対する電荷の注入を防止できなくなることがある。その結果、感光層２，２ａの帯電性の低下が生じることがあるので好ましくない。膜厚が２０μｍを超えると、下引層６の均一な形成が難しく、また電子写真感光体の感度も低下することがあるので好ましくない。
なお、導電性支持体１の表面にアルマイトを含む層（アルマイト層）を形成し、該層を下引層６とすることができる。
【０１２８】
（画像形成装置）
図９は、本発明の画像形成装置２０の構成を簡略化して示す側面配置図である。画像形成装置２０は、前述した図１〜８に示すいずれかの構成を有する電子写真感光体２１を備えている。図９を参照して、画像形成装置２０を説明する。なお、本発明の画像形成装置は、以下の記載内容に限定されるものではない。
画像形成装置２０は、不図示の装置本体に回転自在に支持される電子写真感光体２１と、帯電器２４と、露光手段２８と、現像器２５と、転写器２６と、クリーナ２７と、定着器３１とを含んで構成される。
【０１２９】
電子写真感光体２１は、不図示の駆動手段によって回転軸線２２まわりに矢符２３方向に回転駆動される。駆動手段は、例えば電動機と減速歯車とを含んで構成されている。駆動手段は、その駆動力を電子写真感光体２１の芯体を構成する導電性支持体に伝えることによって、電子写真感光体２１を所定の周速度で回転駆動させる。帯電器２４、露光手段２８、現像器２５、転写器２６、クリーナ２７は、電子写真感光体２１の外周面に沿って、矢符２３で示される電子写真感光体２１の回転方向上流側から下流側に向ってこの順序で設けられる。
【０１３０】
帯電器２４は、電子写真感光体２１の外周面を所定の電位に帯電させる帯電手段である。図９では、帯電器２４は、接触式の帯電ローラ２４ａと、帯電ローラ２４ａに電圧を印加するバイアス電源２４ｂとによって実現される。帯電手段としてはチャージャーワイヤも使用できる。特に、前者の帯電ローラの場合、感光体表面に高い耐摩耗性が要求されるため、表面保護層が形成された電子写真感光体は耐久性向上により大きな効果を発揮する。
【０１３１】
露光手段２８は、例えば半導体レーザを光源として備えている。露光手段２８により、光源から出力されるレーザビームのような光２８ａを、電子写真感光体２１の帯電器２４と現像器２５との間に照射できる。この結果、帯電された電子写真感光体２１の外周面に対して画像情報に応じた露光を施すことができる。光２８ａは、通常、主走査方向である電子写真感光体２１の回転軸線２２の延びる方向に繰返し走査され、これに伴って電子写真感光体２１の表面に静電潜像が順次形成できる。
【０１３２】
現像器２５は、露光によって電子写真感光体２１の表面に形成される静電潜像を、現像剤によって現像する現像手段である。現像器２５は、電子写真感光体２１を臨んで設けられ、電子写真感光体２１の外周面にトナーを供給する現像ローラ２５ａと、ケーシング２５ｂとを備える。ケーシング２５ｂは、現像ローラ２５ａを電子写真感光体２１の回転軸線２２と平行な回転軸線まわりに回転可能に支持すると共に、その内部空間にトナーを含む現像剤を収容している。
【０１３３】
転写器２６は、現像によって電子写真感光体２１の外周面に形成される可視像であるトナー画像を、図示しない搬送手段によって矢符２９方向から電子写真感光体２１と転写器２６との間に供給される記録媒体である転写紙３０上に転写させる転写手段である。転写器２６は、例えば、帯電手段を備え、転写紙３０にトナーと逆極性の電荷を与えることによってトナー画像を転写紙３０上に転写させる非接触式の転写手段である。
【０１３４】
クリーナ２７は、転写器２６による転写動作後に電子写真感光体２１の外周面に残留するトナーを除去し回収する清掃手段である。クリーナ２７は、電子写真感光体２１の外周面に残留するトナーを剥離させるクリーニングブレード２７ａと、クリーニングブレード２７ａによって剥離されたトナーを収容する回収用ケーシング２７ｂとを備える。また、このクリーナ２７は、図示しない除電ランプと共に設けられてもよい。
【０１３５】
また、画像形成装置２０には、電子写真感光体２１と転写器２６との間を通過した転写紙３０が搬送される下流側に、転写された画像を定着させる定着手段である定着器３１を設けてもよい。定着器３１は、図示しない加熱手段を有する加熱ローラ３１ａと、加熱ローラ３１ａに対向して設けられ、加熱ローラ３１ａに押圧されて当接部を形成する加圧ローラ３１ｂとを備える。
【０１３６】
この画像形成装置２０による画像形成動作は、次のようにして行われる。
まず、電子写真感光体２１が、駆動手段によって矢符２３方向に回転駆動されると、露光手段２８による光２８ａの結像点よりも電子写真感光体２１の回転方向上流側に設けられる帯電器２４によって、電子写真感光体２１の表面が正又は負の所定電位に均一に帯電される。
【０１３７】
次いで、露光手段２８から、電子写真感光体２１の表面に対して画像情報に応じた光２８ａが照射される。電子写真感光体２１は、この露光によって、光２８ａが照射された部分の表面電荷が除去され、光２８ａが照射された部分の表面電位と光２８ａが照射されなかった部分の表面電位とに差異が生じ、静電潜像が形成される。
露光手段２８による光２８ａの結像点よりも電子写真感光体２１の回転方向下流側に設けられる現像器２５から、静電潜像の形成された電子写真感光体２１の表面にトナーが供給されて静電潜像が現像され、トナー画像が形成される。
【０１３８】
電子写真感光体２１に対する露光と同期して、電子写真感光体２１と転写器２６との間に、転写紙３０が供給される。転写器２６によって、供給された転写紙３０にトナーと逆極性の電荷が与えられ、電子写真感光体２１の表面に形成されたトナー画像が、転写紙３０上に転写される。
トナー画像の転写された転写紙３０は、搬送手段によって定着器３１に搬送され、定着器３１の加熱ローラ３１ａと加圧ローラ３１ｂとの当接部を通過する際に加熱及び加圧され、トナー画像が転写紙３０に定着されて堅牢な画像となる。このようにして画像が形成された転写紙３０は、搬送手段によって画像形成装置２０の外部へ排紙される。
【０１３９】
一方、転写器２６によるトナー画像の転写後も電子写真感光体２１の表面上に残留するトナーは、クリーナ２７によって電子写真感光体２１の表面から剥離されて回収される。このようにしてトナーが除去された電子写真感光体２１の表面の電荷は、除電ランプからの光によって除去され、電子写真感光体２１の表面上の静電潜像が消失する。その後、電子写真感光体２１は更に回転駆動され、再度帯電から始まる一連の動作が繰返されて連続的に画像が形成される。
本発明の画像形成装置は、適度な導電性を有して耐久性に優れる電子写真感光体を備えるので、各種の環境下において高品質の画像を形成することができる。
【実施例】
【０１４０】
以下に製造例、実施例及び比較例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、以下の例は、本発明をなんら限定するものではない。以下において、「部」は「重量部」を意味する。
なお、以下の製造例又は実施例で得られた化合物の分子量測定及び元素分析は、以下の装置及び条件で測定した。
【０１４１】
（分子量測定）
分子量測定装置：ＬＣ−ＭＳ(サーモクエスト社製、フィネガン LCQ Deca マススペクトロメーターシステム)。
LCカラム GL-Sciences Inertsil ODS-3 2.1×100mm
カラム温度 40℃
溶離液 メタノール：水＝９０：１０
サンプル注入量 ５μl
検出器 UV 254nm及びMS ESI
（元素分析）
元素分析装置：パーキン エールマー社製、Elemental Analysis 2400
サンプル量： 約2mgを精秤
ガス流量(ml/分)：He=1.5、O2=1.1、N2=4.3
燃焼管温度設定：925℃
還元管温度設定：640℃
なお、元素分析は、差動熱伝導度法による炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）及び窒素（Ｎ）同時定量法とした。
【０１４２】
（製造例１）
下記反応行程式に従って、例示化合物Ｎｏ．１（化合物（６ａ））を製造した。
【０１４３】
【化９】
【０１４４】
［アミン−ビスアルデヒド中間体（１０ａ）の製造］
無水Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド（略称ＤＭＦ）１００ｍｌ中に、氷冷下、オキシ塩化リン１８.４ｇ（２.４当量）を徐々に加えて約３０分間撹拌し、ビルスマイヤー試薬を調製した。この溶液中に、氷冷下、Ｎ−α−ナフチル-Ｎ−フェニル−ｐ−トルイジン（９ａ）１５.５ｇ（１.０当量）を徐々に加えた。その後、徐々に加熱して反応温度を１１０℃まで上げ、１１０℃を保つように加熱しながら３時間撹拌した。反応終了後、この反応溶液を放冷し、冷４Ｎ水酸化ナトリウム水溶液８００ｍｌ中に徐々に加え、生じた沈殿を濾取し、充分に水洗した後、エタノールと酢酸エチルとの混合溶剤（エタノール：酢酸エチル＝８：２〜７：３）で再結晶を行うことによって、黄色粉末状化合物１４.６ｇを得た。
【０１４５】
得られた黄色粉末状化合物を分析した結果、化学構造式（１０ａ）の化合物（分子量の計算値：３６５.１４）にプロトンが付加した分子イオン［Ｍ＋Ｈ］+に相当するピークが３６６.４に観測されたことから、該化合物が化学構造式（１０ａ）で表されるアミン−ビスアルデヒド中間体（１０ａ）であることが判った（収率：８０重量％）。
また、ＬＣ−ＭＳ測定時のＨＰＬＣの分析結果から、得られたアミン−ビスアルデヒド中間体（１０ａ）の純度は９７.２％であった。
【０１４６】
［非対称ビスアルコキシアミン化合物（１２ａａ）の製造］
アミン−ビスアルデヒド中間体（１０ａ）７.２６ｇ（１.０当量）及びジエチル−ｐ−メトキシベンジルホスホネート（１１ａａ）１２.４１ｇ（２.４当量）を、無水ＤＭＦ８０ｍｌに溶解させ、その溶液中にカリウムｔ−ブトキシド５.６ｇ（２.５当量）を０℃で徐々に加えた。その後室温で１時間放置し、更に５０℃まで加熱し、５０℃を保つように加熱しながら５時間撹拌した。反応混合物を放冷した後、過剰のメタノール中に注いだ。析出物を回収し、トルエンに溶解させてトルエン溶液とした。このトルエン溶液を分液ロートに移し、水洗した後、有機層を取出し、取出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥後、固形物を除去した有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを行うことによって、黄色結晶９.７５ｇを得た。
【０１４７】
得られた黄色結晶をＬＣ−ＭＳで分析した結果、化学構造式（１２ａａ）で表される化合物（分子量の計算値：５７３.２７）にプロトンが付加した分子イオン［Ｍ＋Ｈ］+に相当するピークが５７４.５に観測された。このことから、該結晶が、例示化合物Ｎｏ．１の前駆体である非対称ビスアルコキシアミン化合物（１２ａａ）であることが判った（収率：８５重量％）。また、ＬＣ−ＭＳ測定時のＨＰＬＣの分析結果から、得られた化合物の純度は９７.７％であった。
【０１４８】
［非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）の製造］
非対称ビスアルコキシアミン化合物（９ａ）５.７ｇ（１.０当量）及びエタンチオールナトリウム塩６.３９ｇ（７.０当量）をＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１３０ｍｌに懸濁させ、窒素ガス気流下、撹拌しながら徐々に加熱すると、１３０℃で発泡が始まった。発泡がおさまった後、更に温度を上げて、４時間加熱環流した。室温まで放冷した後、反応混合物を氷水６００ｍｌ中に注入し、撹拌下に濃塩酸３.２ｍｌを加えて中和した。これを酢酸エチル４００ｍｌで抽出し、抽出液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過でこれを除去した後、溶媒を留去して粗結晶６.７１ｇを得た。これを、エタノールと酢酸エチルとの混合溶剤（エタノール：酢酸エチル＝８：２〜７：３）で再結晶を行うことによって、黄色粉末状化合物５.０４ｇを得た。
【０１４９】
この黄色粉末状化合物の元素分析値は以下のとおりであった。
＜例示化合物Ｎｏ．１の元素分析値＞
理論値 Ｃ：８５.８４％、Ｈ：５.７３％、Ｎ：２.５７％
実測値 Ｃ：８４.９５％、Ｈ：５.１８％、Ｎ：２.２２％
また、得られた黄色粉末状化合物をＬＣ−ＭＳで分析した結果、目的とする化学構造式（６ａ）で表される化合物（分子量の計算値：５４５.２４）にプロトンが付加した分子イオン［Ｍ＋Ｈ］+に相当するピークが５４６.８に観測された。
元素分析及びＬＣ−ＭＳの分析結果から、得られた黄色粉末状化合物が、例示化合物Ｎｏ．１の非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）であることが判った（収率：８８％）。また、ＬＣ−ＭＳ測定時のＨＰＬＣの分析結果から、得られた化合物（６ａ）の純度は９９.０％であった。
【０１５０】
（製造例２及び３）
例示化合物Ｎｏ．２及び３の合成
ウィッティッヒ試薬として一般式(１１ａａ)で表される化合物の代わりに下記表２に示す各原料化合物を用いて製造例１と全く同様の操作を行ない、例示化合物Ｎｏ．２及び３をそれぞれ製造した。なお、表２には、例示化合物Ｎｏ．１の原料化合物も合わせて示す。
【０１５１】
【表２】
【０１５２】
また、上記の製造例１〜３で得られた各例示化合物の元素分析値と分子量の計算値及びＬＣ-ＭＳによる実測値［Ｍ＋Ｈ］を表３に示す。
【０１５３】
【表３】
【０１５４】
（製造例４）芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）の合成
水酸化ナトリウム１．６２ｇ及びナトリウムハイドロサルファイト０．０７５ｇを水６０ｍｌに溶解させた水溶液の中に、製造例１で得られた非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）２．７３ｇ（５．０ミリモル）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール１．４８ｇ（６．５ミリモル）及び４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．０３０ｇを加え、アルゴンガス気流下で撹拌した。この混合液に、氷冷下及び激しい撹拌下にトリホスゲン２．１１ｇのジクロロメタン４０ｍｌ溶液を徐々に滴下し、エマルジョンを形成しながら反応を行った。滴下終了後、反応溶液を室温まで戻し、水酸化ナトリウム０．２５ｇを加え、更にトリエチルアミンを０．４５ｍｌ加えた。その後液温を２５〜３０℃の範囲に保持しながら３時間反応させた。反応終了後ジクロロメタン２００ｍｌを加えて有機層を抽出した。この有機層を３％水酸化ナトリウム水溶液、２％塩酸水溶液及びイオン交換水により順次洗浄した後、メタノール中に再沈させ、表４に示す構成単位（１）（一般式（１）に対応する）及び構成単位（４）（一般式（４）に対応する）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）３．７４ｇを得た。
【０１５５】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２８６００、重量平均分子量７４０００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、例示化合物Ｎｏ．１由来の構成単位（１）と４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール由来の構成単位（４）とが０．３４／０．６６（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１５６】
（製造例５）芳香族ポリカーボネート（Ｐ−２）の合成
ビスフェノール成分として、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール１．４８ｇ（６．５ミリモル）に代えて４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール１．９８ｇ（６．５ミリモル）を用いる以外は製造例４と同様にして、表４に示す構成単位（１）及び構成単位（４）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−２）４．２１ｇを得た。
【０１５７】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２９７００、重量平均分子量７３８００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、例示化合物Ｎｏ．１由来の構成単位（１）と４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール由来の構成単位（４）とが０．３５／０．６５（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１５８】
（製造例６）芳香族ポリカーボネート（Ｐ−３）の合成
非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）３．２４ｇ（５．０ミリモル）に代えて、表１に記載の例示化合物Ｎｏ．２を２．９９ｇ（５．０ミリモル）を用いること以外は、製造例４と同様にして、表４に示す構成単位（１）及び構成単位（４）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−３）４．０８ｇを得た。
【０１５９】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２６３００、重量平均分子量６９２００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、例示化合物Ｎｏ．６２由来の構成単位（１）と４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール由来の構成単位（４）とが０．４０／０．６０（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１６０】
（製造例７）芳香族ポリカーボネート（Ｐ−４）の合成
非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）３．２４ｇ（５．０ミリモル）に代えて、表１に記載の例示化合物Ｎｏ．３を３．２５ｇ（５．０ミリモル）を用い、ビスフェノール成分として、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール１．４８ｇ（６．５ミリモル）に代えて４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール１．９８ｇ（６．５ミリモル）を用いること以外は製造例４と同様にして、表４に示す構成単位（１）及び構成単位（４）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−４）３．９８ｇを得た。
【０１６１】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２９１００、重量平均分子量７３３００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、例示化合物Ｎｏ．１由来の構成単位（１）と４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール由来の構成単位（４）とが０．３８／０．６２（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１６２】
（製造例８）比較用芳香族ポリカーボネート（Ｐ−５）の合成
非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）３．２４ｇ（５．０ミリモル）に代えて、特開２００４−２６９３７７号公報記載の下記化学構造式（２０）で表される対称ビスヒドロキシエナミン化合物２．９２ｇ（５．０ミリモル）を用いること以外は製造例４と同様にして反応を行い、表４に示す対称ビスヒドロキシエナミン化合物（２０）由来の構成単位（１’）及び構成単位（４）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−５）３．８４ｇを得た。
【０１６３】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２８０００、重量平均分子量７１０００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、対称ビスヒドロキシエナミン化合物（２０）由来の構成単位（１’）と４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノールとが０．４２／０．５８（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１６４】
【化１０】
【０１６５】
【表４】
【０１６６】
（実施例１）
酸化チタン（商品名：ＴＴＯ５５Ａ、石原産業社製）７部及び共重合ナイロン樹脂（商品名：ＣＭ８０００、東レ社製）１３部を、メチルアルコール１５９部と１，３−ジオキソラン１０６部との混合溶剤に加え、ペイントシェーカにて８時間分散処理し、下引層形成用塗布液を調製した。この下引層形成用塗布液を塗布槽に満たし、直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニウム製ドラム状支持体（導電性支持体）を浸漬し、引き上げて自然乾燥して膜厚１μｍの下引層を形成した。
【０１６７】
次いで、ＣｕＫα１．５４１ÅのＸ線に対するブラッグ角（２θ±０．２°）が、２７．３°に主要なピークを示すＸ線回折スペクトルを有するチタニルフタロシアニン１部及びブチラール樹脂（商品名：＃６０００−Ｃ、電気化学工業社製）１部をメチルエチルケトン９８部に混合し、ペイントシェーカにて分散処理して電荷発生層形成用塗布液を調製した。この電荷発生層形成用塗布液を、下引層形成の場合と同様の方法で下引層表面に塗布し、自然乾燥して膜厚０．４μｍの電荷発生層を形成した。
【０１６８】
次いで、製造例４の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）の２１重量％テトラヒドロフラン溶液を調製し、電荷輸送層形成用塗布液とした。この電荷輸送層形成用塗布液を下引層形成の場合と同様の方法で電荷発生層表面に塗布し、１１０℃で１時間乾燥して膜厚２１μｍの電荷輸送層を形成することで、図６の積層構造を有する積層型電子写真感光体を作製した。
【０１６９】
（実施例２）
芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）に代えて、製造例５の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−２）を用いること以外は、実施例１と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７０】
（実施例３）
芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）に代えて、製造例６の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−３）を用いること以外は、実施例１と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７１】
（実施例４）
芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）に代えて、製造例７の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−４）を用いる以外は、実施例１と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７２】
（実施例５）
直径３０ｍｍ、全長３４０ｍｍのアルミニウム製ドラム状支持体の表面に、実施例１と同様にして、膜厚１μｍの下引層及び膜厚０．４μｍの電荷発生層を順次形成した。
次いで、下記ブタジエン化合物（２１）（１，１−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、商品名：Ｔ４０５、高砂ケミカル社製）１００部、下記構成単位（２２）からなるＺ型ポリカーボネート（ユーピロンＺ４００、三菱ガス化学社製）１００部、及び２，６−ビス−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール（商品名：スミライザーＢＨＴ、住友化学社製）５部を混合し、テトラヒドロフランを溶剤として固形分２１重量％の電荷輸送層形成用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を前述の中間層と同様の方法で先に設けた電荷発生層上に塗布した後、１１０℃で１時間乾燥して膜厚２１μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１７３】
【化１１】
【０１７４】
次いで、製造例６の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−３）の２１重量％テトラヒドロフラン溶液を調製し、表面保護層形成用塗布液とした。この表面保護層形成用塗布液を実施例１における下引層形成の場合と同様の方法で電荷輸送層表面に塗布し、１１０℃で１時間乾燥して膜厚４μｍの表面保護層を形成することで、図８の積層構造を有する積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７５】
（比較例１）
表面保護層を設けないこと以外は、実施例４と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７６】
（比較例２）
直径３０ｍｍ、全長３４０ｍｍのアルミニウム製ドラム状支持体の表面に、実施例１と同様にして、膜厚１μｍの下引層、膜厚０．４μｍの電荷発生層及び膜厚２１μｍの電荷輸送層を順次形成した。
次いで、Ｚ型ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ８００、三菱ガス化学社製）の１０重量％テトラヒドロフラン溶液を調製し、表面保護層形成用塗布液とした。この表面保護層形成用塗布液を実施例１における下引層形成の場合と同様の方法で電荷輸送層表面に塗布し、１１０℃で１時間乾燥して膜厚４μｍの表面保護層を形成することで、図８の積層構造を有する積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７７】
（比較例３）
電荷輸送層の形成に際し、芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）に代えて、製造例８の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−５）を用いること以外は、実施例１と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７８】
（画像評価）
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られた積層型電子写真感光体を市販複写機（商品名：ＡＲ−４５１Ｎ、シャープ社製）に搭載し、ハーフトーン画像を確認して、初期及び１０万枚複写後の画像状態を評価した。
また、初期及び１０万枚複写後に、評価用複写機の現像部位から現像槽を取出し、代わりに表面電位計（商品名：Ｍｏｄｅｌ３４４、Ｔｒｅｋ社製）をセットし、白ベタ原稿複写時の表面電位Ｖ０（Ｖ）、ハーフトーン原稿複写時の表面電位ＶＨ（Ｖ）及び黒ベタ原稿複写時の表面電位ＶＬ（Ｖ）を測定し、電気特性を評価した。
【０１７９】
（耐久性評価）
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られた積層型電子写真感光体を市販複写機（商品名：ＡＲ−４５１Ｎ、シャープ社製）に搭載し、１０万枚の画像複写を実施した。画像複写前及び画像複写後の電子写真感光体におけるドラム支持体上の総膜厚Ｔ１及びＴ２を膜厚測定器（商品名：ＭＣＰＤ１１００、大塚電子社製）にて測定し、摩耗量ΔＴ（＝Ｔ１−Ｔ２）を求めた。磨耗量が大きいほど耐久性に劣ると評価した。
結果を表５に示す。
【０１８０】
【表５】
【０１８１】
本発明の芳香族ポリカーボネートを電荷輸送層に用いた実施例１〜４及び表面保護層に用いた実施例５においては、繰り返し使用（１０万枚複写）後も画像状態が良好であり、磨耗も少なかった。
これに対し、比較例１では初期は画像状態が良好であったものの、繰り返し使用後には画像にカブリが生じた。また、磨耗も大きく、帯電性の低下も顕著であった。
比較例２では初期の帯電特性は良好であるけれども、露光により電位が減衰しないため、画像濃度が低く画像が薄い状態であった。更に繰り返し使用後には、ほとんど画像が出なかった。これは、表面保護層が電荷輸送能を持たず、帯電しても電荷が消去できないためと考えられる。
比較例３は、黒点が生じた。これは、公知の芳香族ポリカーボネートを電荷輸送層に用いものであるけれども、芳香族ポリカーボネートの構成単位（１’）は化学構造的な対象性が高いため、溶解性が低く、溶媒への不溶部分が結晶状態で電荷輸送層中に残り、その部分が画像に黒点として発現したものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明の単層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の単層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の単層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の単層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の積層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の積層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の積層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の積層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の画像形成装置の構成を簡略化して示す側面配置図である。
【符号の説明】
【０１８３】
１ 導電性支持体
２，２ａ 感光層
３ 電荷発生層
４ 電荷輸送層
５ 表面保護層
６ 下引層
２０ 画像形成装置
２１ 電子写真感光体
２４ 帯電器
２５ 現像器
２６ 転写器
２７ クリーナ
２８ 露光手段
３０ 転写紙
３１ 定着器
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族ポリカーボネート、電子写真感光体及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複写機、プリンタ、ファクシミリ等の電子写真方式の画像形成装置において、静電潜像を形成する電子写真感光体の表面層には、高い機械的強度を有し、耐摩耗性、寸法安定性、耐摩耗性等に優れることから、ポリカーボネートが使用されている。特に、導電性支持体上に、電荷発生材料を含む電荷発生層及び電荷輸送材料を含む電荷輸送層を順次積層してなる機能分離型電子写真感光体において、最外層になる電荷輸送層には、電荷輸送材料を該層中に保持するためのバインダ樹脂として、ポリカーボネートが多用される。
【０００３】
ポリカーボネートとしては、例えば、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール（ビスフェノールＡ）とホスゲンとを反応させて得られるビスフェノールＡポリカーボネート、耐摩耗性、溶解性等に優れる４，４'−シクロヘキシリデンビスフェノール（ビスフェノールＺ）から合成されるＺ型ポリカーボネート等の芳香族ポリカーボネートが代表的なものとして知られている。これらポリカーボネートは、一般に、他の熱可塑性樹脂に比べて機械的強度（特に低温での機械的強度）に優れ、更に耐候性にも優れている。
【０００４】
ところで、電子写真感光体に要求される電気特性を維持するために、電荷輸送層は、バインダ樹脂であるポリカーボネートとほぼ同量の電荷輸送材料を含んでいる。ところが、このようなポリカーボネートと電荷輸送材料との量比は、電荷輸送材料がポリカーボネートとの相溶性の低い低分子量化合物であることと相俟って、電荷輸送層の耐摩耗性、耐久性等を損なわせる原因になっている。
【０００５】
このため、電荷輸送材料の電気的特性を向上させることによって、電子写真感光体としての電気的特性を維持したまま、電荷輸送材料の添加量を減らし、電荷輸送層の耐久性を向上させる試みがなされている。この試みにより、電荷輸送材料の感度及び移動度の一層の向上が図られてきた。しかしながら、これまで提案されてきた電荷輸送材料では、所望の電気的特性を得るためには、電荷輸送層の耐久性に悪影響を及ぼす程度の添加量が必要になる。そのため、電気的特性と耐久性とを両立することは非常に困難である。
【０００６】
上記課題を解決するために、バインダ樹脂に電荷輸送機能を付与し、電荷輸送材料の添加量を減らそうとする試みがなされている。例えば、電荷輸送機能を有する構成単位を含むバインダ樹脂、いわゆる高分子光導電性材料の開発が進められている。バインダ樹脂の具体例としては、主鎖にカルバゾール環を有するカルバゾール系ポリカーボネート（例えば特許文献１参照）、側鎖にカルバゾール環を有するポリビニルカルバゾール（例えば特許文献２参照）等が挙げられる。これらのカルバゾール系重合体は、可撓性が乏しく、機械的強度も低く、更に電荷輸送能を低下させる原因の１つである構造的トラップを形成し易いという欠点がある。
【０００７】
また、上記以外のバインダ樹脂として、ヒドラゾン側鎖を有するポリスチレン化合物（例えば特許文献３参照）、主鎖に第３級アミン構造を有するアリールアミン化合物（例えば特許文献４〜６参照）、側鎖に第３級アミン構造（トリフェニルアミン骨格）を有する（メタ）アクリル酸共重合体（例えば特許文献７参照）等が挙げられる。これらの重合体も、電荷輸送能、機械的強度等の点で充分満足できるものではない。
【０００８】
また、特許文献１〜７に記載の重合体は、いずれもπ電子共役系であるけれども、それとは異なるσ電子共役系を介した伝導機構を有するポリシラン（例えば特許文献８〜９参照）等が挙げられる。ポリシランは電荷輸送能には優れるものの、紫外光により簡単に分解し、かつ機械的強度も劣るため、実用化には至っていない。
【０００９】
また、機械的強度の向上を目的として、電荷輸送材料をモノマー化し、このモノマーとポリカーボネートのモノマーとを共重合させたポリカーボネート系共重合体が挙げられる（例えば特許文献１０〜１１、非特許文献１参照）。しかしながら、このような共重合体は、電荷輸送能及び機械的強度ともに、充分満足できる水準にはない。
【００１０】
また、電荷輸送能に優れるエナミン化合物（例えば特許文献１２〜１３参照）をモノマー化し、このエナミンモノマーとポリカーボネートモノマーとを共重合させてなる芳香族ポリカーボネートが挙げられる（例えば、特許文献１４参照）。しかしながら、この芳香族ポリカーボネートは、構造の対称性が高く、結晶化を引き起こし易い。そのため、電子写真感光体の感光層用樹脂として使用すると、結晶化部分が画像欠陥になるという不都合を生じる。
【００１１】
また、電荷輸送層のような感光層の機械的強度を向上させる手段として、感光層の上に表面保護層を積層することも行われている。この表面保護層は、通常、導電性物質とバインダ樹脂とを含む。そして、バインダ樹脂としては、例えば、極性基を有するポリカーボネート（例えば特許文献１５参照）、フッ素置換アルキル基を有するポリカーボネート（例えば特許文献１６参照）等が提案されている。しかしながら、このような電子写真感光体では、電荷輸送層中の電荷輸送物質と表面保護層中の導電性物質との不適合によって、表面保護層と電荷輸送層との界面に電位障壁が形成される。この電位障壁は、電荷の注入が不充分の場合、感度低下の原因となる。また、両層の材料が異なることに起因する収縮率の差によって、製造時に剥離及び／又はクラックが発生することがある。そのため充分な性能を実現することができない。
【００１２】
また、最近ではシロキサン系樹脂からなる表面保護層が提案されている(例えば特許文献１７参照)。しかしながら、シロキサン系樹脂を用いて表面保護層を形成するには、シロキサン系樹脂を加熱硬化させる必要がある。しかし、加熱により感光層中の材料が劣化する場合がある。また、シロキサン樹脂自体は絶縁体である。そのため、電荷輸送能を有する低分子化合物を添加する必要がある。しかし、このような低分子化合物の添加が、表面保護層の機械的強度を低下させる原因になることは、電荷輸送層の場合と同様である。
【００１３】
【特許文献１】特開平４−１８３７１９号公報
【特許文献２】特開昭５０−８２０５６号公報
【特許文献３】特開平３−５０５５５号公報
【特許文献４】特開平１−１３０６１号公報
【特許文献５】特開平１−１９０４９号公報
【特許文献６】特開平５−４０３５０号公報
【特許文献７】特開平５−６６５９８号公報
【特許文献８】特開昭６３−２８５５５２号公報
【特許文献９】特開平５−１９４９７号公報
【特許文献１０】特開平３−２２１５２２号公報
【特許文献１１】特開平４−１１６２７号公報
【特許文献１２】特開平６−４３６７４号公報
【特許文献１３】特許登録第３５８０４２６号明細書
【特許文献１４】特開２００４−２６９８１３号公報
【特許文献１５】米国特許第４２６０６７１号明細書
【特許文献１６】特開平１０−１５８３８０号公報
【特許文献１７】特開２０００−２４２０１９号公報
【非特許文献１】「電荷輸送性ポリマーの開発と実用化に向けての展望」、額田克己著、機能材料、１９９９年１０月号、Ｖｏｌ．１９、Ｎｏ．１０、第５２〜５９頁、シーエムシー出版刊
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の課題は、電子写真感光体に、（１）優れた機械的強度、（２）非常に良好な電気的特性、（３）高い帯電電位及び感度、（４）電圧の印加、レーザ光等の照射、トナーの付着、加熱加圧等を繰返し実行した際の非常に少ない諸特性の変化、（５）長期にわたって安定的な高画質画像を電子写真感光体に付与できる新規な芳香族ポリカーボネート、この芳香族ポリカーボネートを利用する電子写真感光体、及びこの電子写真感光体を画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、非対称ビスヒドロキシ化合物を構成単位として含む芳香族ポリカーボネートが、上記課題を解決しうることを見い出すことで、本発明を完成した。
【００１６】
かくして本発明によれば、下記一般式（１）
【００１７】
【化１】
【００１８】
（式中、Ａｒ1は置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基を示す。Ａｒ2及びＡｒ3は、互いに異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ4は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ5は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。Ｒ1は水素原子、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。２ｎ個のＲ2及びＲ3は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基又は置換基を有してもよいアラルキル基を示す。ｎは０乃至２の整数を示す。ｚは５０００〜５０００００の数平均分子量を得るに足る値である。）
で表される構成単位を含有する芳香族ポリカーボネートが提供される。
【００１９】
更に、本発明によれば、導電性支持体上に、上記芳香族ポリカーボネートを含む感光層を有することを特徴とする電子写真感光体が提供される。
また、本発明によれば、導電性支持体上に、感光層と上記芳香族ポリカーボネートを含む表面保護層とを有することを特徴とする電子写真感光体が提供される。
更に、本発明によれば、上記電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、帯電状態にある前記電子写真感光体を画像情報に応じた光で露光して静電潜像を形成する露光手段と、前記電子写真感光体に形成される前記静電潜像を現像して可視像化する現像手段と、該現像手段によって現像された可視像を記録媒体上に転写する転写手段とを含むことを特徴とする画像形成装置が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、一般式（１）で表される構成単位を含む単独重合体、又は一般式（１）で表される構成単位と一般式（４）で表される構成単位とを含む共重合体である芳香族ポリカーボネートが提供される。
上記芳香族ポリカーボネートは、良好な電荷輸送性能を有するだけでなく、機械的強度、電気的特性、耐久性等に優れている。そのため、単層型電子写真感光体における感光層、積層型電子写真感光体における電荷輸送層、単層型及び積層型電子写真感光体における表面保護層等のバインダ樹脂として好適に使用できる。更に、感光層、電荷輸送層等において、本発明の芳香族ポリカーボネートは電荷輸送物質として用いることができる。この場合、本発明の芳香族ポリカーボネートと、バインダー樹脂として他の芳香族ポリカーボネートを用いても、両者の相溶性が良好であるため、感光層、電荷輸送層等において均一な電荷輸送性能を発揮できる。
【００２１】
なお、本発明の芳香族ポリカーボネートは、電子写真感光体における電荷輸送材料、電荷輸送層及び単層型感光層用バインダ樹脂等として使用できるだけでなく、センサ材料、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、有機フォトリフラクティブ素子等用の構成成分としても好適に使用できる。
また、化学物質としての分解又は変質し難いという安定性、入手容易性、製造コスト等を考慮すると、一般式（２）の構成単位が好ましく、一般式（３）の構成単位が更に好ましい。
また、一般式（５）の構成単位を更に含む芳香族ポリカーボネートは、機械的強度、耐久性、耐候性、耐薬品性等を更に向上できるため好ましい。
【００２２】
本発明によれば、本発明の芳香族ポリカーボネートを、感光層、表面保護層等に含有する電子写真感光体が提供される。この電子写真感光体は、電荷輸送性能、機械的強度、電気的特性、耐久性（耐摩耗性も含む）等の諸性能を非常に高い水準で併せ持つ。従って、この電子写真感光体を用いれば、１０万枚又はそれ以上の画像形成を実施しても、膜減り量が非常に少なく、電気的特性が初期の状態とほとんど変わらず、かぶり、黒ポチ、白ポチ等の画像欠陥のない高画質画像を安定的に形成できる。
本発明によれば、上記高画質画像を安定的に形成できる電子写真感光体を含む画像形成装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（芳香族ポリカーボネート）
本発明の芳香族ポリカーボネートは、下記一般式（１）で表される構成単位を含む単独重合体であるか、又は一般式（１）で表される構成単位と下記一般式（４）で表される構成単位とを含む共重合体である。一般式（１）で表される構成単位の中でも、原料の入手又は合成が容易である観点、原料コストが低いという観点、及び化合物としての安定性が高いという観点からは、下記一般式（２）で表される構成単位を含むものが好ましく、下記一般式（３）で表される構成単位を含むものが特に好ましい。同様に、一般式（４）で表される構成単位の中でも、下記一般式（５）で表される構成単位を含むものが好ましい。
【００２４】
【化２】
【００２５】
【化３】
【００２６】
【化４】
【００２７】
【化５】
【００２８】
【化６】
【００２９】
一般式（１）と（４）の構造単位の含有比率は特に制限されないけれども、通常は、一般式（１）：一般式（４）＝５〜９５：９５〜５（モル比）が好ましく、より好ましくは２０〜６０：４０〜８０（モル比）、更に好ましくは３０〜４５：７０〜５５（モル比）である。５〜９５：９５〜５の範囲の比率であれば、機械的強度と電気特性の両立という効果を奏する。
【００３０】
また、単独重合体及び共重合体中、本発明の芳香族ポリカーボネートが占める比率は、５０重量％以上であることが好ましく、８０重量％以上であることがより好ましく、１００重量％であることが特に好ましい。
また、芳香族ポリカーボネート共重合体は、５０００〜５０００００の数平均分子量（Ｍｎ）を有していることが好ましい。Ｍｎが５０００より小さい場合、膜強度が弱くなるので好ましくなく、５０００００を超える場合、製造時に溶媒に対する溶解性に乏しくなるので好ましくない。より好ましいＭｎは１００００〜１０００００であり、更に好ましいＭｎは１５０００〜６００００である。
【００３１】
更に、ポリカーボネート共重合体は、５０００〜５０００００の重量平均分子量（Ｍｗ）を有していることが好ましい。Ｍｗが５０００より小さい場合、膜強度が弱くなるので好ましくなく、５０００００を超える場合、製造時に溶媒に対する溶解性に乏しくなるので好ましくない。より好ましいＭｗは１００００〜３０００００であり、更に好ましいＭｗは２００００〜１５００００である。
【００３２】
ここで、Ｍｎ及びＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算数平均分子量及び重量平均分子量である。
一般式（１）〜（３）において、符号ｚは１０００〜５０００００の数平均分子量を得るに足る値である。一般式（１）及び（２）において、符号ｎは０〜２の整数である。
【００３３】
一般式（１）〜（３）において、符号Ａｒ1中のアリール基としては、フェニル、ナフチル、ビフェニリル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基及び炭素数１〜４のアルコキシ基から選択できる。アリール基としては、フェニル、トリル、メトキシフェニル、ナフチル等が好ましい。
また、符号Ａｒ1中の複素環基としては、チエニル、ベンゾチアゾリル等が挙げられる。複素環基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。複素環基としては、チオフェン環、ベンゾチアゾール環等が好ましい。
【００３４】
一般式（１）において、符号Ａｒ2及びＡｒ3中、一般式（１）及び（２）において符号Ａｒ4中のアリレン基としては、フェニレン、ナフチレン、ベンゾオキサゾレン、ビフェニリレン等が挙げられる。アリレン基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。アリレン基としては、ｐ−フェニレン、ｍ−フェニレン、メチル−ｐ−フェニレン、メトキシ−ｐ−フェニレン、１,４−ナフチレン、ベンゾオキサゾレン、ビフェニリレン等が好ましく、ｐ−フェニレン、ｍ−フェニレン、メチル−ｐ−フェニレン、メトキシ−ｐ−フェニレン、１,４−ナフチレン等がより好ましく、ｐ−フェニレン、１,４−ナフチレンが特に好ましい。
【００３５】
また、一般式（１）において、符号Ａｒ2及びＡｒ3中、一般式（１）及び（２）において符号Ａｒ4中の、２価複素環基としては、１,４−フランジイル、１,４−チオフェンジイル、２,５−ベンゾフランジイル、２,５−ベンゾオキサゾールジイル及びカルバゾール−３,６−ジイル基等が挙げられる。２価複素環基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。２価複素環基としては、１,４−フランジイル、１,４−チオフェンジイル、２,５−ベンゾフランジイル、２,５−ベンゾオキサゾールジイル及びＮ−エチルカルバゾール−３,６−ジイル基が好ましい。
【００３６】
なお、一般式（１）において、符号Ａｒ2及びＡｒ3の一方がｐ−フェニレンであり、他方が１，４−ナフチレンである場合、すなわち一般式（２）の場合が、原材料を安価に入手でき又は合成が容易であることから、特に好ましい。
一般式（１）において、符号Ａｒ5中のアリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基及び炭素数２〜８のジアルキルアミノ基から選択できる。アリール基としては、フェニル及びｐ-トリル等が好ましい。
【００３７】
符号Ａｒ5中のアラルキル基としては、ベンジル、ナフチルメチル等が挙げられる。アラルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、メチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル等から選ばれる炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、シクロヘキシル、シクロペンチル等のシクロアルキル基から選択できる。アラルキル基としては、ベンジル、ｐ−メチルベンジル、１−ナフチルメチル等が好ましい。
【００３８】
一般式（１）〜（３）において、符号Ｒ1中のアリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。アリール基としては、フェニル及びｐ−トリル等が好ましい。
符号Ｒ1中のアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖状アルキル基が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、ハロゲン原子から選択できる。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、トリフルオロメチル等が好ましい。
【００３９】
一般式（１）において、符号Ｒ2及びＲ3中のアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖状アルキル基が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子）、アリール基（例えば、フェニル基）から選択できる。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、フルオロメチル、フェニルメチル等が好ましい。
符号Ｒ2及びＲ3中のアリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。アリール基としては、フェニル及びトリル等が好ましく、フェニル基がより好ましい。
【００４０】
符号Ｒ2及びＲ3中の複素環基としては、チエニル、フリル、ベンゾフリル、ベンゾオキサゾリル及びカルバゾリル基等が挙げられる。複素環基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。複素環基としては、チエニル基が好ましい。
符号Ｒ2及びＲ3中のアラルキル基としては、ベンジル、ナフチルメチル等が挙げられる。アラルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、メチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル等から選ばれる炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、シクロヘキシル、シクロペンチル等のシクロアルキル基から選択できる。アラルキル基としては、ベンジルが好ましい。
【００４１】
なお、芳香族ポリカーボネートの末端構造は、パラヒドロキシ安息香酸−ｎ−ブチル、パラヒドロキシ−ｎ−プロピル、パラヒドロキシ安息香酸エチル等に由来する構造であることが好ましい。
芳香族ポリカーボネートは、テトラヒドロフランのような有機溶媒１００ｇに対して、１０〜３０ｇ溶解する溶解性を有していることが好ましい。このような溶解度を有する芳香族ポリカーボネートは、それを用いた層を塗布法により形成することが容易であるという効果を有する。
【００４２】
（芳香族ポリカーボネートの製造方法）
本発明の芳香族ポリカーボネートの内、一般式（１）で表される構成単位からなる単独重合体は、例えば、原料化合物（モノマー）として、電荷輸送能を有してもよい非対称ビスヒドロキシ化合物の１種又は２種以上と、カーボネート化合物の１種又は２種以上とを用いること以外は、従来のポリカーボネートと同様に製造できる。
また、一般式（１）と一般式（４）で表される構成単位からなる共重合体は、例えば、原料化合物（モノマー）として、電荷輸送能を有してもよい非対称ビスヒドロキシ化合物の１種又は２種以上と、カーボネート化合物の１種又は２種以上と、ジヒドロキシ化合物の１種又は２種以上とを用いること以外は、従来のポリカーボネートと同様に製造できる。
【００４３】
（非対称ビスヒドロキシ化合物）
非対称ビスヒドロキシ化合物としては公知のものを使用できる。この内、例えば、下記一般式（６）で表される電荷輸送能を有する非対称ビスヒドロキシ化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（６）」と称す）が好ましい。
【００４４】
非対称ビスヒドロキシ化合物（６）の中でも、下記一般式（７）で表される非対称ビスヒドロキシ化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（７）」と称す）がより好ましく、下記一般式（８）で表される非対称ビスヒドロキシ化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（８）」と称す）が特に好ましい。
【００４５】
【化７】
【００４６】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びｎは上記に同じ。）
非対称ビスヒドロキシ化合物（６）は、例えば、下記反応行程式に示す方法により製造できる。すなわち、下記反応行程式により非対称ビスヒドロキシ化合物のエーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）を製造し、更に符号Ｒ5で示される水酸基の保護基を脱保護することによって製造できる。
［反応行程式］
【００４７】
【化８】
【００４８】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ａｒ5、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びｎは上記に同じ。２つのＲ4は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒ5は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアラルキル基を示す。Ａｒ6は置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基を示す。）
この反応行程式において、符号Ｒ4及びＲ5中のアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖状アルキル基が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子）、アリール基（例えば、フェニル基）から選択できる。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル等が好ましい。
【００４９】
符号Ｒ4中のアリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。アリール基としては、フェニル及びｐ−トリル等が好ましく、フェニル基がより好ましい。
符号Ｒ5中のアラルキル基としては、ベンジル、ナフチルメチル等が挙げられる。アラルキル基が置換基を有する場合、その置換基は、メチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル等から選ばれる炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、シクロヘキシル、シクロペンチル等のシクロアルキル基から選択できる。アラルキル基としては、ベンジルが好ましい。
【００５０】
符号Ａｒ6中置換基を有してもよいアリール基としては、フェニル、ナフチル、ビフェニリル等が挙げられる。アリール基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基及び炭素数１〜４のアルコキシ基から選択できる。アリール基としては、フェニル、トリル、メトキシフェニル、ナフチル等が好ましい。
また、符号Ａｒ6中の複素環基としては、チエニル、ベンゾチアゾリル等が挙げられる。複素環基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基から選択できる。複素環基としては、チオフェン環、ベンゾチアゾール環等が好ましい。
この反応行程式における各反応は、例えば、次のようにして実施できる。
【００５１】
（一般式（１０）で表されるビスカルボニル中間体の製造）
（Ａ）一般式（９）で表されるアミン化合物（以後「アミン化合物（９）」と称す）のビスホルミル化は、例えば、ビルスマイヤー反応に従って実施できる。具体的には、アミン化合物（９）とビルスマイヤー試薬とを攪拌下に加熱した後、加水分解を行うことによって実施できる。
【００５２】
ビルスマイヤー試薬としては公知のものを使用でき、例えば、適当な溶媒中にてオキシ塩化リンとホルムアミド類の１種又は２種以上とを反応させて得られるビルスマイヤー試薬が挙げられる。
ここで溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１，２−ジクロロエタン等が挙げられる。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドはオキシ塩化リンと反応させるホルムアミド類としても使用できる。ホルムアミド類としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのほかに、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジフェニルホルムアミド等が挙げられる。
【００５３】
アミン化合物（９）とビルスマイヤー試薬との使用割合は特に制限されないけれども、反応の効率性等を考慮すると、アミン化合物（９）の１当量に対して、ビルスマイヤー試薬を２．０〜２．３当量程度用いることが好ましい。この反応は、攪拌下にかつ６０〜１１０℃の加熱下に行うことが好ましく、通常２〜８時間程度で終了する。
【００５４】
反応終了後の反応混合物にアルカリを加えて加水分解を行うことによって、一般式（１０）で表されるビスカルボニル中間体（以後「ビスカルボニル中間体（１０）」と称す）の内、２つのＲ1が水素原子である化合物（以後「ビスカルボニル中間体（１０ａ）」と称す）が析出により得られる。ここでアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の一般的なアルカリを使用できる。また、アルカリは、通常、水溶液の形態で使用され、該水溶液におけるアルカリの濃度は１〜８Ｎ程度とすればよい。
【００５５】
（Ｂ）また、アミン化合物（９）のビスアシル化は、例えば、フリーデルクラフツ反応に従って実施できる。具体的には、適当な溶媒中にてアミン化合物（９）とフリーデルクラフツ反応試薬とを反応させ、更に反応生成物を加水分解することによって実施できる。ここで溶媒としては、反応に不活性でかつアミン化合物（９）及びフリーデルクラフツ反応試薬を溶解又は分散できるものであれば特に制限なく使用でき、例えば、１，２−ジクロロエタン等が挙げられる。フリーデルクラフツ反応試薬としては公知のものを使用でき、例えば、塩化アルミニウムと酸塩化物とを反応させて得られるものが挙げられる。ここで、酸塩化物としては、例えば、アセチルクロライド等が挙げられる。
【００５６】
アミン化合物（９）とフリーデルクラフツ反応試薬との使用割合は特に制限されないけれども、反応の効率性等を考慮すると、アミン化合物（９）の１当量に対して、フリーデルクラフツ反応試薬を２．０〜２．３当量程度用いることが好ましい。この反応は、攪拌下にかつ−４０〜８０℃の温度下に行うことが好ましく、通常２〜８時間程度で終了する。
【００５７】
反応終了後の反応混合物にアルカリを加えて加水分解を行うことによって、ビスカルボニル中間体（１０）のうち、２つのＲ1が水素原子以外の基である化合物（以後「ビスカルボニル中間体（１０ｂ）」と称す）が得られる。アルカリによる加水分解は、ビスカルボニル中間体（１０ａ）を得る加水分解と同様に実施できる。
【００５８】
（一般式（１２ａ）又は（１２ｂ）で表されるエーテル化合物の製造）
更に、ビスカルボニル中間体（１０）をウィッティッヒ−ホルナー（Ｗｉｔｔｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ）反応に供し、ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ（Ｗｉｔｔｉｇ）試薬とを反応させることによって、非対称ビスヒドロキシ化合物（６）の前駆体となるエーテル化合物である、一般式（１２ａ）又は（１２ｂ）で表されるエーテル化合物（以後「エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）」と称す）が得られる。
【００５９】
ここで、ウィッティッヒ試薬としては、一般式（１１ａ）又は（１１ｂ）で表される化合物（以後「ウィッティッヒ試薬（１１ａ）又は（１１ｂ）」と称す）が挙げられる。なお、ウィッティッヒ試薬（１１ａ）及び（１１ｂ）は、符号Ａｒ4で示される置換基に結合する水酸基が、符号Ｒ5で示される置換基により保護されている。
【００６０】
ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ試薬（１１ａ）とを反応させるとエーテル化合物（１２ａ）が得られ、更に符号Ｒ5で示される保護基を脱保護することによって、非対称ビスヒドロキシ化合物（６）においてｎ＝０である化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）」と称す）が得られる。
また、ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ試薬（１１ｂ）とを反応させるとエーテル化合物（１２ｂ）が得られ、更に符号Ｒ5で示される保護基を脱保護することによって、非対称ビスヒドロキシ化合物（６）においてｎ＝１又は２である化合物（以後「非対称ビスヒドロキシ化合物（６ｂ）」と称す）が得られる。
ビスカルボニル中間体（１０）に対するウィッティッヒ−ホルナー反応は公知の方法に従って実施できる。例えば、適当な溶媒中にて、金属アルコキシド塩基等の触媒の存在下に、ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ試薬（１１ａ）又は（１１ｂ）とを反応させればよい。
【００６１】
溶媒としては、反応に不活性でかつ反応基質（ビスカルボニル中間体（１０）とウィッティッヒ試薬（１１））及び触媒を溶解又は分散できるものであれば特に制限なく使用できる。例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類等が挙げられる。溶媒は１種を単独で使用でき又は必要に応じて２種以上を混合して使用できる。また溶媒の使用量は特に制限されず、反応基質の使用量、反応温度、反応時間等の反応条件に応じて、反応が円滑に進行する量を適宜選択すればよい。
【００６２】
金属アルコキシド塩基としては公知のものを使用でき、例えば、カリウムｔ−ブトキサイド、ナトリウムエトキサイド、ナトリウムメトキサイド等のアルカリ金属アルコキシド塩基等が挙げられる。金属アルコキシド塩基は１種を単独で使用でき又は２種以上を併用できる。反応基質及び触媒の使用量は特に制限されず、反応条件等に応じて広い範囲から適宜選択できるけれども、反応の円滑な進行等を考慮すると、好ましくはビスカルボニル中間体（１０）の１当量に対して、ウィッティッヒ試薬（１１ａ）又は（１１ｂ）を２．０〜２．３当量程度、及び触媒を２．０〜２．５当量程度用いればよい。この反応は、攪拌下にかつ室温下又は３０〜６０℃の加熱下に行うことが好ましく、通常２〜８時間程度で終了する。この反応により、エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）が得られる。
【００６３】
エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）の脱保護は、公知の方法に従って実施できる。例えば、エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）と脱保護剤とを適当な溶媒中にて反応させることにより実施できる。ここで、脱保護剤としては公知のものを使用でき、例えば、臭化水素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウム、三臭化ホウ素、エタンチオールナトリウム塩等が挙げられる。脱保護剤は１種を単独で使用でき又は２種以上を併用できる。脱保護剤の使用量は特に制限されないけれども、エーテル化合物（１２ａ）又は（１２ｂ）の１当量に対して、好ましくは２．０〜３．０当量程度、より好ましくは２．２〜２．６当量程度用いればよい。
【００６４】
反応を円滑に進行させること、反応終了後の目的化合物を容易に単離精製すること等を考慮すると、脱保護用の溶媒としては反応に不活性でかつ反応基質を安定的に溶解又は分散できるものであれば特に制限なく使用できる。例えば、ベンゼン、ニトロベンゼン等の芳香族炭化水素類、クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のホルムアミド類、無水酢酸、塩化メチレン等が挙げられ、脱保護剤の種類に応じて適宜選択して使用すればよい。例えば、脱保護剤にハロゲン化水素を用いる場合は、無水酢酸が好ましい。ハロゲン化アルミニウムを用いる場合は、芳香族炭化水素類、ハロゲン化芳香族炭化水素類等が好ましい。三臭化ホウ素を用いる場合は、塩化メチレンが好ましい。エタンチオールナトリウム塩を用いる場合は、ホルムアミド類が好ましい。溶媒の使用量は特に制限されず、反応基質及び脱保護剤の種類、使用量、反応温度等の反応条件に応じて広い範囲から適宜選択できる。この脱保護反応は、冷却下又は室温から溶媒還流下にて行うことができ、通常０．５〜２４時間程度で終了する。なお、反応温度は脱保護反応が円滑に進行する温度を適宜選択すればよい。この反応により、非対称ビスヒドロキシ化合物（６）が得られる。
【００６５】
なお、上記各反応において生成する目的化合物は、反応終了後の反応混合物から単離して又は単離することなく次の反応に供することができる。なお、目的化合物の反応混合物からの単離は、抽出、クロマトグラフィー、遠心分離、再結晶化、洗浄等の一般的な精製手段に従って実施できる。
非対称ビスヒドロキシ化合物（６）の具体例としては、例えば、下記表１に記載のものが挙げられる。
【００６６】
【表１−１】
【００６７】
【表１−２】
【００６８】
【表１−３】
【００６９】
【表１−４】
【００７０】
【表１−５】
【００７１】
（カーボネート化合物）
また、芳香族ポリカーボネートの製造において、非対称ビスヒドロキシ化合物とともに用いられるカーボネート化合物としては、ポリカーボネートの製造に用いられるものをいずれも使用できる。例えば、ビスフェニルカーボネート等のビスアリールカーボネート類、ビスクロロホーメート等のハロゲン化ホーメート類、ホスゲン、トリクロロメチルクロロホーメート（ホスゲンの２量体）、ビス（トリクロロメチル）カーボネート（ホスゲンの３量体）、ホスゲンの多量体等のハロゲン化カーボネート類等が挙げられる。なお、ホスゲンの３量体は、熱的及び化学的に安定で、反応制御及び取り扱いが容易であるという利点を有する。また、ハロゲン化ホーメート類は下記のジヒドロキシ化合物から誘導できる。
【００７２】
ジヒドロキシ化合物としては、例えば、一般式（１５）ＨＯ−Ｘ−ＯＨ（式中Ｘは上記に同じ。）で表されるジヒドロキシ化合物（以後「ジヒドロキシ化合物（１５）」と称す）が挙げられる。ジヒドロキシ化合物（１５）を用いることによって得られる一般式（１）と一般式（４）の構造単位を含む芳香族ポリカーボネートの機械的強度を、構成単位（１）のみを含む芳香族ポリカーボネートの機械的強度よりも一層向上できる。
【００７３】
ジヒドロキシ化合物（１５）の具体例としては、例えば、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４'−シクロヘキシリデンビスフェノール、４，４−エチリデンビスフェノール、４，４'−（１，３−ジメチルブチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４'−（１−フェニルエチリデン）ビスフェノール、４，４'−（２−エチルヘキシリデン）ビスフェノール、５，５'−（１−メチルエチリデン）（１，１'−ビフェニル）−２−オール、１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、４，４'−メチリデンビスフェノール、４，４'−メチレンンビス［２−（２−プロペニル）フェノール］、４，４'−メチリデンビス（２−メチルフェノール）、
【００７４】
４，４'−プロパンジイルビスフェノール、４，４'−（１−メチルプロピリデン）ビスフェノール、４，４'−（２−メチルプロピリデン）ビスフェノール、４，４'−（３−メチルブチリデン）ビスフェノール、４，４'−シクロペンチリデンビスフェノール、４，４'−（フェニルメチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−メチルヘプチリデン）ビスフェノール、４，４'−シクロヘキシリデンビス（３−メチルフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（２−プロペニル）フェノール］、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（１−メチルエチル）フェノール］、４，４'−（１−メチルオクチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−フェニルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４'−シクロヘキシリデンビス（２，６−ジメチルフェノール）、
【００７５】
４，４'−（１−メチル）ノニリデンビスフェノール、４，４'−デシリデンビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（１，１−メチルプロピル）フェノール］、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、４，４'−（ジフェニルメチリデン）ビスフェノール、４，４'−シクロヘキシリデンビス［２−（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、４，４'−（２−メチルプロピリデン）ビス［３−メチル−６−（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−シクロヘキシルフェノール）、４，４’−メチレン−ビス［２，６−ビス（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、４，４'−メチレンビス（２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェノール）、
【００７６】
５，５'−（１，１−シクロヘキシリデン）ビス−（１，１'−ビフェニル）−２−オール、４，４'−シクロヘキシリデンビス（２−シクロヘキシルフェノール）、２，２'−メチレンビス（４−ノニルフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス［２，６−ビス（１，１−ジメチルエチル）フェノール］、５，５'−（１−フェノールエチリデン）（１，１'−ビフェニル）−２−オール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタノン、４，４'−メチレンビス（２−フルオロフェノール）、４，４'−［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビスフェノール、４，４'−イソプロピリデンビス（２−フルオロフェノール）、４，４'−［（４−フルオロフェニル）メチレン］ビス（２−フルオロフェノール）、４，４'−（フェニルメチレン）ビス（２−フルオロフェノール）、
【００７７】
４，４'−［（４−フルオロフェニル）メチレン］ビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−クロロ−６−メチルフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジクロロフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−クロロフェノール）、４，４'−メチレンビス（２，６−ジブロモフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジブロモフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−ニトロフェノール）、３，３'−ジメチル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、３，３'，５，５'−テトラメチル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、３，３'，５，５'−テトラ−ｔ−ブチル−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、３，３'−ジフルオロ−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール、３，３'，５，５'−テトラフルオロ−１，１'−ビフェニル−４，４'−ジオール等が挙げられる。
【００７８】
上記ジヒロドキシ化合物（１５）らは、２種類以上併用してもよい。特に反応性の観点から、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４'−シクロヘキシリデンビスフェノール等が好ましい。
【００７９】
（重合方法）
非対称ビスヒドロキシ化合物とカーボネート化合物との重合方法、及び非対称ビスヒドロキシ化合物とカーボネート化合物とジヒドロキシ化合物との重合方法は、例えば、「プラスチック材料講座 ポリカーボネート樹脂」（松金幹夫、田原省吾、加藤修士著、日刊工業新聞社刊、１９６９年発行）のような文献に記載された公知の方法に従って実施できる。
例えば、カーボネート化合物としてハロゲン化カーボネート類を用いる場合は、界面重合法、溶液重合法等により芳香族ポリカーボネートを得ることができる。また、カーボネート化合物としてビスアリールカーボネート類を用いる場合には、エステル交換法により芳香族ポリカーボネートを得ることができる。
【００８０】
［界面重合法］
より詳しくは、界面重合法によれば、非対称ビスヒドロキシ化合物を含む水相と、カーボネート化合物及びポリカーボネート生成触媒を含み、更に必要に応じてジヒドロキシ化合物を含む油相とを混合し、２相間で、これら化合物を重合させることにより、本発明の芳香族ポリカーボネートを製造できる。
【００８１】
非対称ビスヒドロキシ化合物は、アルカリ性下で水に溶解させることができる。水をアルカリ性化するには、一般的な塩基を使用できる。塩基としては公知のものを使用でき、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩等が挙げられる。これらの中でも、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物が好ましい。塩基は１種を単独で使用でき又は２種以上を併用できる。ここで用いる水は蒸留水、イオン交換水等である。なお、水相には、アルコールのような水性媒体が含まれていてもよい。塩基の使用量は、使用される非対称ビスヒドロキシ化合物の全量が、使用される水に対して安定的に溶解する量とすればよい。
【００８２】
油相を構成する有機溶媒としてはこの分野で常用されるもの、すなわち水に対する溶解度が重合反応に悪影響を及ぼさない程度に低くかつ生成する芳香族ポリカーボネートを溶解し得るものを使用できる。例えば、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、ジクロロプロパン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、ハロゲン化脂肪族炭化水素類の２種以上の混合物、ハロゲン化芳香族炭化水素類の２種以上の混合物、ハロゲン化脂肪族炭化水素類の１種又は２種以上とハロゲン化芳香族炭化水素類の１種又は２種以上との混合物等が挙げられる。これらの中でも、ジクロロメタン、クロロベンゼン等が好ましい。更に、前記有機溶媒に、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素類等から選ばれる１種又は２種以上を混合してもよい。有機溶媒の使用量は特に制限されないけれども、各モノマーの種類及び使用量、有機溶媒の種類、反応温度、反応時間等の反応条件に応じて重合反応が円滑に進行する量を適宜選択すればよい。
【００８３】
ポリカーボネート生成触媒もこの分野で常用されるものを使用できる。例えば、３級アミン、４級アンモニウム塩、３級ホスフィン、４級ホスホニウム塩、含窒素複素環化合物及びその塩、イミノエーテル及びその塩、アミド基含有化合物等が挙げられる。これらの中でも３級アミンが好ましく、炭素数３〜３０の３級アミンが更に好ましく、トリエチルアミンが特に好ましい。ポリカーボネート生成触媒の反応系への添加時期は、カーボネート化合物を反応系へ添加する前及び添加した後のいずれでもよく、添加前後の２度でもよい。
なお、非対称ビスヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ化合物及びカーボネート化合物の使用割合は特に制限されないけれども、好ましくは、一般式（１）と（４）と構造単位のモル比が前述の範囲内の芳香族ポリカーボネートを得られるように設定することが好ましい。
【００８４】
界面重合反応では、以下のような手法により分子量を調整できる。すなわち、クロマトグラフィーのような手法により、生成するポリカーボネートの分子量を追跡し、所望の分子量になった時点で反応系に、分子量調節剤としての末端停止剤を添加することで分子量を調整する手法である。末端封止剤もこの分野で常用されるものを使用できる。例えば、１価の芳香族ヒドロキシ化合物、１価の芳香族ヒドロキシ化合物のハロホーメート誘導体、１価のカルボン酸、１価のカルボン酸のハライド誘導体等が挙げられる。これらの中でも、１価の芳香族ヒドロキシ化合物が好ましく、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール等が更に好ましい。末端停止剤を用いる場合、得られる芳香族ポリカーボネートのＣ末端及びＯ末端には、末端停止剤に由来する１価の置換基が通常結合する。
【００８５】
界面重合反応では、得られる芳香族ポリカーボネートの機械的特性を更に向上させるために、分岐化剤を適量添加することもできる。分岐化剤としてもこの分野で常用されるものを使用でき、例えば、フェノール性水酸基、ハロホーメート基、カルボン酸基、カルボン酸ハライド基、活性なハロゲン原子等から選ばれる同種又は異種の反応基を３つ以上有する化合物等が挙げられる。
【００８６】
界面重合反応では、高速撹拌、乳化剤の添加等によって反応媒体を乳化させて反応を実施することによって、短時間で分子量分布の狭い芳香族ポリカーボネートを得ることも可能である。
界面重合反応は、例えば、０〜４０℃の温度下に行われ、数分〜５時間程度で終了する。また、水相のｐＨは、例えば、塩基の添加等によって、通常１０以上に保つことが好ましい。
【００８７】
［溶液重合法］
また、溶液重合法によれば、適当な溶媒中にて、脱酸剤の存在下に、非対称ビスヒドロキシ化合物及びカーボネート化合物ならびに必要に応じてジヒドロキシ化合物とからなるモノマーを重合させることにより、芳香族ポリカーボネートを製造できる。更に具体的には、非対称ビスヒドロキシ化合物及び必要に応じてジヒドロキシ化合物を溶媒に溶解し、この溶液に脱酸剤を添加し、更にビスクロロホーメート、ホスゲン、ホスゲンの２〜３量体、ホスゲンの多量体等のカーボネート化合物を添加し、重合反応を実施することにより芳香族ポリカーボネートが得られる。
なお、非対称ビスヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ化合物及びカーボネート化合物の使用割合は特に制限されないけれども、好ましくは、一般式（１）と（４）で表される構造単位のモル比が前述の範囲内の芳香族ポリカーボネートを得られるように設定することが好ましい。
【００８８】
溶媒としてはこの分野で常用され、重合反応に不活性でありかつ３種のモノマー及び脱酸剤を溶解又は分散し得るものを使用できる。例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、ピリジン等が挙げられる。脱酸剤としてもこの分野で常用されるものを使用できる。例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン等の第３級アミン類、ピリジン等が挙げられる。
更に、界面重合の場合と同様に、分子量調節剤、分岐化剤等を添加できる。
この方法は、通常０〜４０℃の温度下に行われ、数分〜５時間程度で終了する。
【００８９】
［エステル交換法］
更に、エステル交換法によれば、例えば、不活性ガス雰囲気中にて非対称ビスヒドロキシ化合物及びビスアリールカーボネート（カーボネート化合物）ならびに必要に応じてジヒドロキシ化合物を混合し、通常減圧下にかつ１２０〜３５０℃の温度下に反応させることにより、芳香族ポリカーボネートが得られる。減圧度は段階的に変化させ、最終的には１ｍｍＨｇ以下にし、副生するフェノール類を系外に留去させることが好ましい。反応時間は通常１〜４時間程度である。また、必要に応じて、分子量調節剤、酸化防止剤等を添加してもよい。
また、上記の各重合反応において、重合操作を適宜選択することによって、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、ランダム交互共重合体又はランダムブロック共重合体を選択的に製造できる。
【００９０】
例えば、非対称ビスヒドロキシ化合物とジヒドロキシ化合物とを均一に混合した後、ホスゲン等のカーボネート化合物と縮合反応させると、ランダム共重合体が得られる。重合反応の途中で、反応系に数種の非対称ビスヒドロキシ化合物を更に添加すると、ランダムブロック共重合体が得られる。ジヒドロキシ化合物から誘導されるビスクロロホーメートと非対称ビスヒドロキシ化合物との縮合反応を行えば、交互共重合体が得られる。逆に非対称ビスヒドロキシ化合物から誘導されるビスクロロホーメートとジヒドロキシ化合物との縮合反応によっても同様に交互共重合体が得られる。２種以上のビスクロロホーメートと非対称ビスヒドロキシ化合物又はジヒドロキシ化合物とを使用する縮合反応によって、ランダム交互共重合体が得られる。
【００９１】
このようにして得られる芳香族ポリカーボネートは、抽出、クロマトグラフィー、遠心分離、再結晶化、洗浄等の一般的な精製手段により、重合反応終了後の反応混合物中から容易に単離精製できる。
本発明の芳香族ポリカーボネートには、必要に応じて、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、滑剤、可塑剤等の一般的な樹脂添加剤から選ばれる１種又は２種以上を添加できる。
【００９２】
（電子写真感光体）
上記芳香族ポリカーボネートが、電子写真感光体に含まれている限り、その構成は特に限定されない。
図１〜図８は、電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。図１〜４に示す電子写真感光体は、感光層２が１層からなることを特徴とする単層型電子写真感光体である。また、図５〜８に示す電子写真感光体は、感光層２ａが電荷発生層３と電荷輸送層４とからなる機能分離型又は積層型電子写真感光体である。
図１に示す電子写真感光体は、導電性支持体（電子写真感光体用素管）１と、導電性支持体１の表面に形成される感光層２とを含む。
【００９３】
図２に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される感光層２と、感光層２の表面に形成される表面保護層５とを含む。
図３に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される下引層６と、下引層６の表面に形成される感光層２とを含む。
図４に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される下引層６と、下引層６の表面に形成される感光層２と、感光層２の表面に形成される表面保護層５とを含む。
図５に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される電荷発生層３と、電荷発生層３の表面に形成される電荷輸送層４とを含む。
【００９４】
図６に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される電荷発生層３と、電荷発生層３の表面に形成される電荷輸送層４と、電荷輸送層４の表面に形成される表面保護層５とを含む。
図７に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される下引層６と、下引層６の表面に形成される電荷発生層３と、電荷発生層３の表面に形成される電荷輸送層４とを含む。
図８に示す電子写真感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の表面に形成される下引層６と、下引層６の表面に形成される電荷発生層３と、電荷発生層３の表面に形成される電荷輸送層４と、電荷輸送層４の表面に形成される表面保護層５とを含む。
図１〜８に示す電子写真感光体を構成する各層は、具体的には、次の通りである。
【００９５】
［導電性支持体］
導電性支持体１は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス鋼、チタン等の金属材料により構成される。また、これらの金属材料に限定されることなく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリオキシメチレン、ポリスチレン等の合成樹脂、硬質紙、ガラス等からなる基体表面に金属箔をラミネートしたもの、金属材料を蒸着したもの、導電性高分子、酸化スズ、酸化インジウム、炭素粒子、金属粒子等の導電性化合物の層を蒸着もしくは塗布したもの等を用いることもできる。
【００９６】
導電性支持体１の表面には、必要に応じて、画質に影響のない範囲内で、陽極酸化皮膜処理、薬品、熱水等による表面処理、着色処理、表面を粗面化する等の乱反射処理を施してもよい。乱反射処理は、レーザを露光光源として用いる電子写真プロセスにおいて電子写真感光体を用いる場合に特に有効である。すなわち、レーザを露光光源として用いる電子写真プロセスでは、レーザ光の波長が揃っているので、入射するレーザ光と電子写真感光体内で反射された光とが干渉を起こし、この干渉による干渉縞が画像上に現れて画像欠陥の発生することがある。導電性支持体の表面に前述のような乱反射処理を施すことによって、この波長の揃ったレーザ光の干渉による画像欠陥を防止できる。
【００９７】
［感光層］
感光層２は、電荷発生物質と本発明の芳香族ポリカーボネートとを含んで構成される。感光層２において、芳香族ポリカーボネートは、電荷輸送物質及びバインダ樹脂として機能する。感光層２は、必要に応じて、本発明の芳香族ポリカーボネート以外の他の電荷輸送物質、本発明の芳香族ポリカーボネート以外の他のバインダ樹脂、酸化防止剤等を含有してもよい。
【００９８】
電荷発生物質は、光を吸収することにより電荷を発生させる物質である。電荷発生物質としてはこの分野で常用されるものを使用できる。例えば、アゾ系顔料（モノアゾ系顔料、ビスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料等）、インジゴ系顔料（インジゴ、チオインジゴ等）、ペリレン系顔料（ペリレンイミド、ペリレン酸無水物等）、多環キノン系顔料（アントラキノン、ピレンキノン等）、フタロシアニン系顔料（金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン等）、トリフェニルメタン系色素（メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、ナイトブルー、ビクトリアブルー等）、アクリジン系色素（エリスロシン、ローダミンＢ、ローダミン３Ｒ、アクリジンオレンジ、フラペオシン等）、チアジン系色素（メチレンブルー、メチレングリーン等）、オキサジン系色素（カプリブルー、メルドラブルー等）、スクアリリウム色素、ピリリウム塩類、チオピリリウム塩類、チオインジゴ系色素、ビスベンゾイミダゾール系色素、キナクリドン系色素、キノリン系色素、レーキ系色素、アゾレーキ系色素、ジオキサジン系色素、アズレニウム系色素、トリアリルメタン系色素、キサンテン系色素、シアニン系色素等の有機顔料、染料、更にアモルファスシリコン、アモルファスセレン、テルル、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、硫化アンチモン、酸化亜鉛、硫化亜鉛等の無機材料が挙げられる。電荷発生物質は１種を単独で又は２種以上を組合せて使用する。
【００９９】
本発明の芳香族ポリカーボネートとしては、前述の一般式（１）で表される構成単位の単独重合体、及び一般式（１）と（４）の構成単位を含む共重合体から選ばれる１種又は２種以上を使用できる。
他の電荷輸送物質は、例えば、感光層２の電気特性を更に向上させるために用いられる。電荷輸送物質には、ホール輸送物質及び電子輸送物質が包含される。
【０１００】
ホール輸送物質としてはこの分野で常用されるものを使用でき、例えば、カルバゾール誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、多環芳香族化合物、インドール誘導体、ピラゾリン誘導体、オキサゾロン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、エナミン誘導体、ベンジジン誘導体、これらの化合物から誘導される基を主鎖又は側鎖に有するポリマー（ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１−ビニルピレン、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド樹脂、トリフェニルメタンポリマー、ポリ−９−ビニルアントラセン等）、ポリシラン等が挙げられる。
【０１０１】
電子輸送物質としてもこの分野で常用されるものを使用でき、例えば、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、キサントン誘導体、フェナントラキノン誘導体、無水フタール酸誘導体、ジフェノキノン誘導体等の有機化合物、アモルファスシリコン、アモルファスセレン、テルル、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、硫化アンチモン、酸化亜鉛、硫化亜鉛等の無機材料が挙げられる。電荷輸送物質は１種を単独で又は２種以上を組合せて使用できる。
【０１０２】
他のバインダ樹脂は、例えば、感光層２の機械的強度、耐久性等を向上させるために用いられる。他のバインダ樹脂には、本発明の芳香族ポリカーボネートとの相溶性に優れるものが好ましく用いられる。その具体例としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリアミド、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテル、ポリアクリルアミド、ポリフェニレンオキサイド等の熱可塑性樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、これらの樹脂の部分架橋物等が挙げられる。これらの中でも、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート及びポリフェニレンオキサイドは、体積抵抗値が１０13Ω以上であって電気絶縁性に優れ、また成膜性、電位特性等にも優れるので、バインダ樹脂として好適に使用できる。更に、ポリカーボネートは特に好適に使用できる。他のバインダ樹脂は１種を単独で又は２種以上を組合せて使用できる。
【０１０３】
酸化防止剤は、電子写真感光体の帯電時に発生するオゾン、ＮＯｘ等の活性物質の付着による表面層の劣化を軽減し、電子写真感光体の繰返し使用時の耐久性を向上させ得る。また、酸化防止剤は、後述する感光層形成用塗工液の安定性を高め、液寿命を延長できる。加えて、この塗工液で製造した電子写真感光体も、不純物が軽減されるので、耐久性を向上できる。
【０１０４】
酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール誘導体、ヒンダードアミン誘導体等が挙げられる。酸化防止剤の使用量は特に制限されないけれども、好ましくは、電荷輸送物質１００重量部に対して０．１〜１０重量部である。酸化防止剤の使用量が０．１重量部未満では、後述する感光層形成用塗工液の安定性及び電子写真感光体の耐久性を向上効果が不充分になるので好ましくない。また、１０重量部を超えると、電子写真感光体の電気特性に悪影響を及ぼすことがあるので好ましくない。
【０１０５】
感光層２は、電荷発生物質、本発明の芳香族ポリカーボネート、必要に応じて他の電荷輸送物質、他のバインダ樹脂、酸化防止剤等を適用な有機溶媒に溶解及び／又は分散して感光層形成用塗工液を調製し、この塗工液を導電性支持体１又は後述する下引層６の表面に塗布し、乾燥して有機溶媒を除去することによって形成できる。
【０１０６】
ここで有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジフェニルメタン、ジメトキシベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジベンジルエーテル、ジメトキシメチルエーテル等のエーテル類、シクロヘキサノン、アセトフェノン、イソホロン等のケトン類、安息香酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、ジフェニルスルフィド等の含イオウ化合物、ヘキサフロオロイソプロパノール等のフッ素系化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性化合物、これら化合物の２種以上の混合物、これら化合物の１種又は２種以上に更にアルコール類、アセトニトリル又はメチルエチルケトンを加えた混合物等が挙げられる。
【０１０７】
感光層の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは５〜１００μｍ、更に好ましくは１０〜５０μｍである。膜厚が５μｍ未満では、電子写真感光体表面の帯電保持能が低下するおそれがあるので好ましくない。膜厚が１００μｍを超えると、電子写真感光体の生産性が低下するおそれがあるので好ましくない。
【０１０８】
［電荷発生層及び電荷輸送層］
感光層２ａは、電荷発生層３と電荷輸送層４とを含んで構成される積層体である。
電荷発生層３は、電荷発生物質及びバインダ樹脂を含有する。
電荷発生物質としては、感光層２に含まれるものと同様の電荷発生物質の１種又は２種以上を使用できる。
【０１０９】
バインダ樹脂としては電荷発生層のマトリックス樹脂として常用されるものを使用でき、例えば、ポリエステル、ポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート（本発明の芳香族ポリカーボネートを含む）、ポリアリレート等の熱可塑性樹脂、ポリウレタン、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール等の熱硬化性樹脂、これらの樹脂に含まれる構成単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂（塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂等の絶縁性樹脂）等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラールが好ましい。バインダ樹脂は１種を単独で使用でき又は２種以上を併用できる。
【０１１０】
電荷発生物質とバインダ樹脂との含有割合は特に制限されないけれども、電荷発生物質とバインダ樹脂との合計量の全量において、電荷発生物質を１０〜９９重量％含有することが好ましい。電荷発生物質の割合が１０重量％未満では、感度が低下するおそれがあるので好ましくない。電荷発生物質の割合が９９重量％を超えると、（１）電荷発生層３の膜強度が低下することがあり、（２）電荷発生物質の分散性が低下して粗大粒子が増大し、露光によって消去されるべき部分以外の表面電荷が減少することがあるので好ましくない。膜強度の低下や表面電荷の減少は、画像欠陥、特に白地にトナーが付着し微小な黒点が形成される黒ポチと呼ばれる画像のかぶりが多く発生する原因の１つとなる。
【０１１１】
電荷発生層３は、前記２種の必須成分のほかに、必要に応じて、ホール輸送材料、電子輸送材料、酸化防止剤、分散安定剤、増感剤等から選ばれる１種又は２種以上の他の添加剤をそれぞれ適量を含んでもよい。これによって、電位特性が向上するとともに、後述する電荷発生層形成用塗工液の安定性が高まり、電子写真感光体の繰返し使用時の疲労劣化を軽減し、耐久性を向上させ得る。
【０１１２】
電荷発生層３は、例えば、電荷発生物質、バインダ樹脂及び必要に応じて他の添加剤を適当な有機溶媒に溶解又は分散して電荷発生層形成用塗工液を調製し、この塗工液を導電性支持体１又は後述の下引層６の表面に塗布し、乾燥して有機溶媒を除去することにより形成できる。具体的には、例えば、バインダ樹脂を有機溶媒に溶解してなる樹脂溶液に電荷発生物質及び必要に応じて他の添加剤を溶解又は分散させることにより、電荷発生層形成用塗工液が調製される。
【０１１３】
ここで有機溶媒としては、例えば、テトラクロロプロパン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、イソホロン、メチルエチルケトン、アセトフェノン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、安息香酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジベンジルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジフェニルメタン、ジメトキシベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジフェニルスルフィド等の含イオウ化合物、ヘキサフロオロイソプロパノール等のフッ素系化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性化合物等が挙げられる。また、これらの化合物を２種以上混合した混合溶媒を用いることもできる。
【０１１４】
電荷発生物質等を樹脂溶液に溶解又は分散させるに先立ち、電荷発生物質及びその他の添加剤を予備粉砕してもよい。予備粉砕は、例えば、ボールミル、サンドミル、アトライタ、振動ミル、超音波分散機等の一般的な粉砕機を用いて実施される。
電荷発生物質等の樹脂溶液への溶解又は分散は、例えば、ペイントシェーカ、ボールミル、サンドミル等の一般的な分散機を用いて実施される。このとき、樹脂溶液、電荷発生物質等を収容する容器及び分散機を構成する部材から、摩耗等によって不純物が発生し、塗工液中に混入しないように、分散条件を適宜選択するのが好ましい。
【０１１５】
電荷発生層形成用塗工液の塗布方法としては、ロール塗布、スプレー塗布、ブレード塗布、リング塗布、浸漬塗布等が挙げられる。
電荷発生層３の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは０．０５〜５μｍ以下、更に好ましくは０．１〜１μｍである。電荷発生層の膜厚が０．０５μｍ未満では、光吸収の効率が低下し、感度が低下することがあるので好ましくない。電荷発生層の膜厚が５μｍを超えると、電荷発生層内部での電荷移動が電子写真感光体表面の電荷を消去する過程の律速段階となり、感度が低下することがあるので好ましくない。
【０１１６】
電荷輸送層４は、電荷発生物質で発生した電荷を受入れ、そして輸送する能力を有する本発明の芳香族ポリカーボネートにより構成できる。更に、電荷輸送層４は、他の電荷輸送物質、他のバインダ樹脂、酸化防止剤等を含むことができる。電荷輸送層４は、他の電荷輸送物質及び他のバインダ樹脂を必須成分として含有し、更に必要に応じて酸化防止剤等の添加剤を含む構成を採ることもできる。本発明の芳香族ポリカーボネートは、電荷輸送層４中に、５０〜７５重量％の範囲で含まれていることが好ましい。
【０１１７】
本発明の芳香族ポリカーボネートとしては、一般式（１）で表される構造単位からなる単独重合体及び一般式（１）と（４）で表される構造単位を含む共重合体から選ばれる１種又は２種以上を使用できる。
また、他の電荷輸送物質、他のバインダ樹脂及び酸化防止剤としては、感光層２において用いられるものと同様のものを同様の使用量でそれぞれ使用できる。
【０１１８】
電荷輸送層４は、例えば、適当な有機溶媒に本発明の芳香族ポリカーボネート、必要に応じて他の電荷輸送物質、他のバインダ樹脂、酸化防止剤等を溶解又は分散させて電荷輸送層形成用塗工液を調製し、この電荷輸送層形成用塗工液を電荷発生層３の表面に塗布し、乾燥により有機溶媒を除去することにより形成できる。
【０１１９】
ここで用いられる有機溶媒としては、感光層２の形成に用いられる有機溶媒と同様のものを使用できる。電荷輸送層形成用塗工液の電荷発生層３表面への塗布方法としては特に制限はなく、例えば、浸漬塗布、ロール塗布、インクジェット塗布等が挙げられる。また、乾燥は、塗工液中に含まれる有機溶媒を除去し、かつ均一な表面を有する電荷輸送層４を形成できる温度を適宜選択して実施すればよい。
【０１２０】
電荷輸送層４の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは５〜５０μｍ、更に好ましくは１０〜４０μｍである。電荷輸送層の膜厚が５μｍ未満では、電子写真感光体表面の帯電保持能が低下するおそれがあるので好ましくない。電荷輸送層の膜厚が５０μｍを超えると、電子写真感光体の解像度が低下するおそれがあるので好ましくない。
【０１２１】
［表面保護層］
表面保護層５は、例えば、感光層２，２ａの耐久性を向上させる機能を有する。表面保護層５は、例えば、バインダ樹脂（本発明の芳香族ポリカーボネートを含む）を適当な有機溶媒に溶解した樹脂溶液を感光層２，２ａ表面に塗布し、乾燥により有機溶媒除去することにより形成できる。ここで用いられるバインダ樹脂及び有機溶媒としては、電荷輸送層４において用いられるのと同様のものを同量で使用できる。本発明の芳香族ポリカーボネートは、表面保護層５中に、７０〜９０重量％の範囲で含まれていることが好ましい。
【０１２２】
表面保護層５の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは０．５〜１０μｍ以下、更に好ましくは１〜５μｍである。表面保護層５の膜厚が０．５μｍ未満では、電子写真感光体表面の耐擦過性が劣り、耐久性が不充分になることがあるので好ましくない。１０μｍを超えると、電子写真感光体の解像度が低下することがあるので好ましくない。
【０１２３】
［下引層］
下引層６は、導電性支持体１から感光層２，２ａへの電荷の注入を防止する機能を有する。その結果、感光層２，２ａの帯電性の低下を抑制でき、露光によって消去されるべき部分以外の表面電荷の減少が抑制でき、かぶり等の画像欠陥の発生を防止できる。特に、反転現像プロセスによる画像形成の際に、白地部分にトナーからなる微小な黒点が形成される黒ポチと呼ばれる画像かぶりが発生することを防止できる。また、下引層６を導電性支持体１表面に被覆することにより、導電性支持体１表面の欠陥である凹凸の度合を軽減して表面を平坦化できる。そのため、下引層６上の感光層２，２ａの成膜性を高めることができるので、導電性支持体１と感光層２，２ａとの密着性を向上できる。
【０１２４】
下引層６は、例えば、樹脂材料を適当な溶媒に溶解させた下引層形成用塗工液を調製し、この塗工液を導電性支持体１の表面に塗布し、加熱により該塗工液中の溶媒を除去することによって形成できる。樹脂層を構成する樹脂材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリスルホン、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリアリレート等の熱可塑性樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂、これらの熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂に含まれる構成単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース等の天然高分子材料等が挙げられる。樹脂材料を溶解又は分散させる溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、メチルカルビトール、ブチルカルビトール等のグライム類等、これらの溶媒を２種以上混合した混合溶媒等が挙げられる。
【０１２５】
更に、下引層形成用塗工液には、金属酸化物粒子を添加してもよい。金属酸化物粒子の添加により下引層６の体積抵抗値を容易に調節でき、導電性支持体１から感光層２，２ａへの電荷注入を更に抑制でき、各種環境下において電子写真感光体の電気特性を維持できる。金属酸化物粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化スズ等の粒子が挙げられる。金属酸化物粒子を下引層形成用塗工液中に分散させる装置としては、ボールミル、サンドミル、アトライタ、振動ミル、超音波分散機等の一般的な粒子分散装置が挙げられる。
【０１２６】
樹脂材料と金属酸化物粒子とを含む下引層形成用塗工液における、樹脂材料と金属酸化物粒子との合計含有量をＣ、溶剤の含有量をＤとするとき、両者の比率（Ｃ／Ｄ）は、好ましくは１／９９〜４０／６０（＝０．０１〜０．６７、重量比）であり、更に好ましくは２／９８〜３０／７０（＝０．０２〜０．４３、重量比）である。また、樹脂材料含有量（Ｅ）と金属酸化物粒子含有量（Ｆ）との比率（Ｅ／Ｆ）は、好ましくは１／９９〜９０／１０（＝０．０１〜９．０、重量比）であり、更に好ましくは５／９５〜７０／３０（＝０．０５〜２．３３、重量比）である。
【０１２７】
下引層６の膜厚は特に制限されないけれども、好ましくは０．０１〜２０μｍ、更に好ましくは０．１〜１０μｍである。膜厚が０．０１μｍ未満では、下引層６として実質的に機能しなくなり、導電性支持体１の欠陥を被覆して均一な表面が得られず、また導電性支持体１から感光層２，２ａに対する電荷の注入を防止できなくなることがある。その結果、感光層２，２ａの帯電性の低下が生じることがあるので好ましくない。膜厚が２０μｍを超えると、下引層６の均一な形成が難しく、また電子写真感光体の感度も低下することがあるので好ましくない。
なお、導電性支持体１の表面にアルマイトを含む層（アルマイト層）を形成し、該層を下引層６とすることができる。
【０１２８】
（画像形成装置）
図９は、本発明の画像形成装置２０の構成を簡略化して示す側面配置図である。画像形成装置２０は、前述した図１〜８に示すいずれかの構成を有する電子写真感光体２１を備えている。図９を参照して、画像形成装置２０を説明する。なお、本発明の画像形成装置は、以下の記載内容に限定されるものではない。
画像形成装置２０は、不図示の装置本体に回転自在に支持される電子写真感光体２１と、帯電器２４と、露光手段２８と、現像器２５と、転写器２６と、クリーナ２７と、定着器３１とを含んで構成される。
【０１２９】
電子写真感光体２１は、不図示の駆動手段によって回転軸線２２まわりに矢符２３方向に回転駆動される。駆動手段は、例えば電動機と減速歯車とを含んで構成されている。駆動手段は、その駆動力を電子写真感光体２１の芯体を構成する導電性支持体に伝えることによって、電子写真感光体２１を所定の周速度で回転駆動させる。帯電器２４、露光手段２８、現像器２５、転写器２６、クリーナ２７は、電子写真感光体２１の外周面に沿って、矢符２３で示される電子写真感光体２１の回転方向上流側から下流側に向ってこの順序で設けられる。
【０１３０】
帯電器２４は、電子写真感光体２１の外周面を所定の電位に帯電させる帯電手段である。図９では、帯電器２４は、接触式の帯電ローラ２４ａと、帯電ローラ２４ａに電圧を印加するバイアス電源２４ｂとによって実現される。帯電手段としてはチャージャーワイヤも使用できる。特に、前者の帯電ローラの場合、感光体表面に高い耐摩耗性が要求されるため、表面保護層が形成された電子写真感光体は耐久性向上により大きな効果を発揮する。
【０１３１】
露光手段２８は、例えば半導体レーザを光源として備えている。露光手段２８により、光源から出力されるレーザビームのような光２８ａを、電子写真感光体２１の帯電器２４と現像器２５との間に照射できる。この結果、帯電された電子写真感光体２１の外周面に対して画像情報に応じた露光を施すことができる。光２８ａは、通常、主走査方向である電子写真感光体２１の回転軸線２２の延びる方向に繰返し走査され、これに伴って電子写真感光体２１の表面に静電潜像が順次形成できる。
【０１３２】
現像器２５は、露光によって電子写真感光体２１の表面に形成される静電潜像を、現像剤によって現像する現像手段である。現像器２５は、電子写真感光体２１を臨んで設けられ、電子写真感光体２１の外周面にトナーを供給する現像ローラ２５ａと、ケーシング２５ｂとを備える。ケーシング２５ｂは、現像ローラ２５ａを電子写真感光体２１の回転軸線２２と平行な回転軸線まわりに回転可能に支持すると共に、その内部空間にトナーを含む現像剤を収容している。
【０１３３】
転写器２６は、現像によって電子写真感光体２１の外周面に形成される可視像であるトナー画像を、図示しない搬送手段によって矢符２９方向から電子写真感光体２１と転写器２６との間に供給される記録媒体である転写紙３０上に転写させる転写手段である。転写器２６は、例えば、帯電手段を備え、転写紙３０にトナーと逆極性の電荷を与えることによってトナー画像を転写紙３０上に転写させる非接触式の転写手段である。
【０１３４】
クリーナ２７は、転写器２６による転写動作後に電子写真感光体２１の外周面に残留するトナーを除去し回収する清掃手段である。クリーナ２７は、電子写真感光体２１の外周面に残留するトナーを剥離させるクリーニングブレード２７ａと、クリーニングブレード２７ａによって剥離されたトナーを収容する回収用ケーシング２７ｂとを備える。また、このクリーナ２７は、図示しない除電ランプと共に設けられてもよい。
【０１３５】
また、画像形成装置２０には、電子写真感光体２１と転写器２６との間を通過した転写紙３０が搬送される下流側に、転写された画像を定着させる定着手段である定着器３１を設けてもよい。定着器３１は、図示しない加熱手段を有する加熱ローラ３１ａと、加熱ローラ３１ａに対向して設けられ、加熱ローラ３１ａに押圧されて当接部を形成する加圧ローラ３１ｂとを備える。
【０１３６】
この画像形成装置２０による画像形成動作は、次のようにして行われる。
まず、電子写真感光体２１が、駆動手段によって矢符２３方向に回転駆動されると、露光手段２８による光２８ａの結像点よりも電子写真感光体２１の回転方向上流側に設けられる帯電器２４によって、電子写真感光体２１の表面が正又は負の所定電位に均一に帯電される。
【０１３７】
次いで、露光手段２８から、電子写真感光体２１の表面に対して画像情報に応じた光２８ａが照射される。電子写真感光体２１は、この露光によって、光２８ａが照射された部分の表面電荷が除去され、光２８ａが照射された部分の表面電位と光２８ａが照射されなかった部分の表面電位とに差異が生じ、静電潜像が形成される。
露光手段２８による光２８ａの結像点よりも電子写真感光体２１の回転方向下流側に設けられる現像器２５から、静電潜像の形成された電子写真感光体２１の表面にトナーが供給されて静電潜像が現像され、トナー画像が形成される。
【０１３８】
電子写真感光体２１に対する露光と同期して、電子写真感光体２１と転写器２６との間に、転写紙３０が供給される。転写器２６によって、供給された転写紙３０にトナーと逆極性の電荷が与えられ、電子写真感光体２１の表面に形成されたトナー画像が、転写紙３０上に転写される。
トナー画像の転写された転写紙３０は、搬送手段によって定着器３１に搬送され、定着器３１の加熱ローラ３１ａと加圧ローラ３１ｂとの当接部を通過する際に加熱及び加圧され、トナー画像が転写紙３０に定着されて堅牢な画像となる。このようにして画像が形成された転写紙３０は、搬送手段によって画像形成装置２０の外部へ排紙される。
【０１３９】
一方、転写器２６によるトナー画像の転写後も電子写真感光体２１の表面上に残留するトナーは、クリーナ２７によって電子写真感光体２１の表面から剥離されて回収される。このようにしてトナーが除去された電子写真感光体２１の表面の電荷は、除電ランプからの光によって除去され、電子写真感光体２１の表面上の静電潜像が消失する。その後、電子写真感光体２１は更に回転駆動され、再度帯電から始まる一連の動作が繰返されて連続的に画像が形成される。
本発明の画像形成装置は、適度な導電性を有して耐久性に優れる電子写真感光体を備えるので、各種の環境下において高品質の画像を形成することができる。
【実施例】
【０１４０】
以下に製造例、実施例及び比較例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、以下の例は、本発明をなんら限定するものではない。以下において、「部」は「重量部」を意味する。
なお、以下の製造例又は実施例で得られた化合物の分子量測定及び元素分析は、以下の装置及び条件で測定した。
【０１４１】
（分子量測定）
分子量測定装置：ＬＣ−ＭＳ(サーモクエスト社製、フィネガン LCQ Deca マススペクトロメーターシステム)。
LCカラム GL-Sciences Inertsil ODS-3 2.1×100mm
カラム温度 40℃
溶離液 メタノール：水＝９０：１０
サンプル注入量 ５μl
検出器 UV 254nm及びMS ESI
（元素分析）
元素分析装置：パーキン エールマー社製、Elemental Analysis 2400
サンプル量： 約2mgを精秤
ガス流量(ml/分)：He=1.5、O2=1.1、N2=4.3
燃焼管温度設定：925℃
還元管温度設定：640℃
なお、元素分析は、差動熱伝導度法による炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）及び窒素（Ｎ）同時定量法とした。
【０１４２】
（製造例１）
下記反応行程式に従って、例示化合物Ｎｏ．１（化合物（６ａ））を製造した。
【０１４３】
【化９】
【０１４４】
［アミン−ビスアルデヒド中間体（１０ａ）の製造］
無水Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド（略称ＤＭＦ）１００ｍｌ中に、氷冷下、オキシ塩化リン１８.４ｇ（２.４当量）を徐々に加えて約３０分間撹拌し、ビルスマイヤー試薬を調製した。この溶液中に、氷冷下、Ｎ−α−ナフチル-Ｎ−フェニル−ｐ−トルイジン（９ａ）１５.５ｇ（１.０当量）を徐々に加えた。その後、徐々に加熱して反応温度を１１０℃まで上げ、１１０℃を保つように加熱しながら３時間撹拌した。反応終了後、この反応溶液を放冷し、冷４Ｎ水酸化ナトリウム水溶液８００ｍｌ中に徐々に加え、生じた沈殿を濾取し、充分に水洗した後、エタノールと酢酸エチルとの混合溶剤（エタノール：酢酸エチル＝８：２〜７：３）で再結晶を行うことによって、黄色粉末状化合物１４.６ｇを得た。
【０１４５】
得られた黄色粉末状化合物を分析した結果、化学構造式（１０ａ）の化合物（分子量の計算値：３６５.１４）にプロトンが付加した分子イオン［Ｍ＋Ｈ］+に相当するピークが３６６.４に観測されたことから、該化合物が化学構造式（１０ａ）で表されるアミン−ビスアルデヒド中間体（１０ａ）であることが判った（収率：８０重量％）。
また、ＬＣ−ＭＳ測定時のＨＰＬＣの分析結果から、得られたアミン−ビスアルデヒド中間体（１０ａ）の純度は９７.２％であった。
【０１４６】
［非対称ビスアルコキシアミン化合物（１２ａａ）の製造］
アミン−ビスアルデヒド中間体（１０ａ）７.２６ｇ（１.０当量）及びジエチル−ｐ−メトキシベンジルホスホネート（１１ａａ）１２.４１ｇ（２.４当量）を、無水ＤＭＦ８０ｍｌに溶解させ、その溶液中にカリウムｔ−ブトキシド５.６ｇ（２.５当量）を０℃で徐々に加えた。その後室温で１時間放置し、更に５０℃まで加熱し、５０℃を保つように加熱しながら５時間撹拌した。反応混合物を放冷した後、過剰のメタノール中に注いだ。析出物を回収し、トルエンに溶解させてトルエン溶液とした。このトルエン溶液を分液ロートに移し、水洗した後、有機層を取出し、取出した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥後、固形物を除去した有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを行うことによって、黄色結晶９.７５ｇを得た。
【０１４７】
得られた黄色結晶をＬＣ−ＭＳで分析した結果、化学構造式（１２ａａ）で表される化合物（分子量の計算値：５７３.２７）にプロトンが付加した分子イオン［Ｍ＋Ｈ］+に相当するピークが５７４.５に観測された。このことから、該結晶が、例示化合物Ｎｏ．１の前駆体である非対称ビスアルコキシアミン化合物（１２ａａ）であることが判った（収率：８５重量％）。また、ＬＣ−ＭＳ測定時のＨＰＬＣの分析結果から、得られた化合物の純度は９７.７％であった。
【０１４８】
［非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）の製造］
非対称ビスアルコキシアミン化合物（９ａ）５.７ｇ（１.０当量）及びエタンチオールナトリウム塩６.３９ｇ（７.０当量）をＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１３０ｍｌに懸濁させ、窒素ガス気流下、撹拌しながら徐々に加熱すると、１３０℃で発泡が始まった。発泡がおさまった後、更に温度を上げて、４時間加熱環流した。室温まで放冷した後、反応混合物を氷水６００ｍｌ中に注入し、撹拌下に濃塩酸３.２ｍｌを加えて中和した。これを酢酸エチル４００ｍｌで抽出し、抽出液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過でこれを除去した後、溶媒を留去して粗結晶６.７１ｇを得た。これを、エタノールと酢酸エチルとの混合溶剤（エタノール：酢酸エチル＝８：２〜７：３）で再結晶を行うことによって、黄色粉末状化合物５.０４ｇを得た。
【０１４９】
この黄色粉末状化合物の元素分析値は以下のとおりであった。
＜例示化合物Ｎｏ．１の元素分析値＞
理論値 Ｃ：８５.８４％、Ｈ：５.７３％、Ｎ：２.５７％
実測値 Ｃ：８４.９５％、Ｈ：５.１８％、Ｎ：２.２２％
また、得られた黄色粉末状化合物をＬＣ−ＭＳで分析した結果、目的とする化学構造式（６ａ）で表される化合物（分子量の計算値：５４５.２４）にプロトンが付加した分子イオン［Ｍ＋Ｈ］+に相当するピークが５４６.８に観測された。
元素分析及びＬＣ−ＭＳの分析結果から、得られた黄色粉末状化合物が、例示化合物Ｎｏ．１の非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）であることが判った（収率：８８％）。また、ＬＣ−ＭＳ測定時のＨＰＬＣの分析結果から、得られた化合物（６ａ）の純度は９９.０％であった。
【０１５０】
（製造例２及び３）
例示化合物Ｎｏ．２及び３の合成
ウィッティッヒ試薬として一般式(１１ａａ)で表される化合物の代わりに下記表２に示す各原料化合物を用いて製造例１と全く同様の操作を行ない、例示化合物Ｎｏ．２及び３をそれぞれ製造した。なお、表２には、例示化合物Ｎｏ．１の原料化合物も合わせて示す。
【０１５１】
【表２】
【０１５２】
また、上記の製造例１〜３で得られた各例示化合物の元素分析値と分子量の計算値及びＬＣ-ＭＳによる実測値［Ｍ＋Ｈ］を表３に示す。
【０１５３】
【表３】
【０１５４】
（製造例４）芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）の合成
水酸化ナトリウム１．６２ｇ及びナトリウムハイドロサルファイト０．０７５ｇを水６０ｍｌに溶解させた水溶液の中に、製造例１で得られた非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）２．７３ｇ（５．０ミリモル）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール１．４８ｇ（６．５ミリモル）及び４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．０３０ｇを加え、アルゴンガス気流下で撹拌した。この混合液に、氷冷下及び激しい撹拌下にトリホスゲン２．１１ｇのジクロロメタン４０ｍｌ溶液を徐々に滴下し、エマルジョンを形成しながら反応を行った。滴下終了後、反応溶液を室温まで戻し、水酸化ナトリウム０．２５ｇを加え、更にトリエチルアミンを０．４５ｍｌ加えた。その後液温を２５〜３０℃の範囲に保持しながら３時間反応させた。反応終了後ジクロロメタン２００ｍｌを加えて有機層を抽出した。この有機層を３％水酸化ナトリウム水溶液、２％塩酸水溶液及びイオン交換水により順次洗浄した後、メタノール中に再沈させ、表４に示す構成単位（１）（一般式（１）に対応する）及び構成単位（４）（一般式（４）に対応する）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）３．７４ｇを得た。
【０１５５】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２８６００、重量平均分子量７４０００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、例示化合物Ｎｏ．１由来の構成単位（１）と４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール由来の構成単位（４）とが０．３４／０．６６（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１５６】
（製造例５）芳香族ポリカーボネート（Ｐ−２）の合成
ビスフェノール成分として、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール１．４８ｇ（６．５ミリモル）に代えて４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール１．９８ｇ（６．５ミリモル）を用いる以外は製造例４と同様にして、表４に示す構成単位（１）及び構成単位（４）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−２）４．２１ｇを得た。
【０１５７】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２９７００、重量平均分子量７３８００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、例示化合物Ｎｏ．１由来の構成単位（１）と４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール由来の構成単位（４）とが０．３５／０．６５（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１５８】
（製造例６）芳香族ポリカーボネート（Ｐ−３）の合成
非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）３．２４ｇ（５．０ミリモル）に代えて、表１に記載の例示化合物Ｎｏ．２を２．９９ｇ（５．０ミリモル）を用いること以外は、製造例４と同様にして、表４に示す構成単位（１）及び構成単位（４）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−３）４．０８ｇを得た。
【０１５９】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２６３００、重量平均分子量６９２００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、例示化合物Ｎｏ．６２由来の構成単位（１）と４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール由来の構成単位（４）とが０．４０／０．６０（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１６０】
（製造例７）芳香族ポリカーボネート（Ｐ−４）の合成
非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）３．２４ｇ（５．０ミリモル）に代えて、表１に記載の例示化合物Ｎｏ．３を３．２５ｇ（５．０ミリモル）を用い、ビスフェノール成分として、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール１．４８ｇ（６．５ミリモル）に代えて４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール１．９８ｇ（６．５ミリモル）を用いること以外は製造例４と同様にして、表４に示す構成単位（１）及び構成単位（４）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−４）３．９８ｇを得た。
【０１６１】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２９１００、重量平均分子量７３３００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、例示化合物Ｎｏ．１由来の構成単位（１）と４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール由来の構成単位（４）とが０．３８／０．６２（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１６２】
（製造例８）比較用芳香族ポリカーボネート（Ｐ−５）の合成
非対称ビスヒドロキシ化合物（６ａ）（例示化合物Ｎｏ．１）３．２４ｇ（５．０ミリモル）に代えて、特開２００４−２６９３７７号公報記載の下記化学構造式（２０）で表される対称ビスヒドロキシエナミン化合物２．９２ｇ（５．０ミリモル）を用いること以外は製造例４と同様にして反応を行い、表４に示す対称ビスヒドロキシエナミン化合物（２０）由来の構成単位（１’）及び構成単位（４）からなる芳香族ポリカーボネート（Ｐ−５）３．８４ｇを得た。
【０１６３】
この芳香族ポリカーボネートの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、数平均分子量２８０００、重量平均分子量７１０００（いずれもポリスチレン換算）であった。また、このものの赤外吸収スペクトルには１７７５ｃｍ-1にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、1Ｈ−ＮＭＲの測定によるシグナルの面積比より、対称ビスヒドロキシエナミン化合物（２０）由来の構成単位（１’）と４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノールとが０．４２／０．５８（モル比）の比率にて重合していることがわかった。
【０１６４】
【化１０】
【０１６５】
【表４】
【０１６６】
（実施例１）
酸化チタン（商品名：ＴＴＯ５５Ａ、石原産業社製）７部及び共重合ナイロン樹脂（商品名：ＣＭ８０００、東レ社製）１３部を、メチルアルコール１５９部と１，３−ジオキソラン１０６部との混合溶剤に加え、ペイントシェーカにて８時間分散処理し、下引層形成用塗布液を調製した。この下引層形成用塗布液を塗布槽に満たし、直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニウム製ドラム状支持体（導電性支持体）を浸漬し、引き上げて自然乾燥して膜厚１μｍの下引層を形成した。
【０１６７】
次いで、ＣｕＫα１．５４１ÅのＸ線に対するブラッグ角（２θ±０．２°）が、２７．３°に主要なピークを示すＸ線回折スペクトルを有するチタニルフタロシアニン１部及びブチラール樹脂（商品名：＃６０００−Ｃ、電気化学工業社製）１部をメチルエチルケトン９８部に混合し、ペイントシェーカにて分散処理して電荷発生層形成用塗布液を調製した。この電荷発生層形成用塗布液を、下引層形成の場合と同様の方法で下引層表面に塗布し、自然乾燥して膜厚０．４μｍの電荷発生層を形成した。
【０１６８】
次いで、製造例４の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）の２１重量％テトラヒドロフラン溶液を調製し、電荷輸送層形成用塗布液とした。この電荷輸送層形成用塗布液を下引層形成の場合と同様の方法で電荷発生層表面に塗布し、１１０℃で１時間乾燥して膜厚２１μｍの電荷輸送層を形成することで、図６の積層構造を有する積層型電子写真感光体を作製した。
【０１６９】
（実施例２）
芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）に代えて、製造例５の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−２）を用いること以外は、実施例１と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７０】
（実施例３）
芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）に代えて、製造例６の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−３）を用いること以外は、実施例１と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７１】
（実施例４）
芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）に代えて、製造例７の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−４）を用いる以外は、実施例１と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７２】
（実施例５）
直径３０ｍｍ、全長３４０ｍｍのアルミニウム製ドラム状支持体の表面に、実施例１と同様にして、膜厚１μｍの下引層及び膜厚０．４μｍの電荷発生層を順次形成した。
次いで、下記ブタジエン化合物（２１）（１，１−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、商品名：Ｔ４０５、高砂ケミカル社製）１００部、下記構成単位（２２）からなるＺ型ポリカーボネート（ユーピロンＺ４００、三菱ガス化学社製）１００部、及び２，６−ビス−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール（商品名：スミライザーＢＨＴ、住友化学社製）５部を混合し、テトラヒドロフランを溶剤として固形分２１重量％の電荷輸送層形成用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を前述の中間層と同様の方法で先に設けた電荷発生層上に塗布した後、１１０℃で１時間乾燥して膜厚２１μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１７３】
【化１１】
【０１７４】
次いで、製造例６の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−３）の２１重量％テトラヒドロフラン溶液を調製し、表面保護層形成用塗布液とした。この表面保護層形成用塗布液を実施例１における下引層形成の場合と同様の方法で電荷輸送層表面に塗布し、１１０℃で１時間乾燥して膜厚４μｍの表面保護層を形成することで、図８の積層構造を有する積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７５】
（比較例１）
表面保護層を設けないこと以外は、実施例４と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７６】
（比較例２）
直径３０ｍｍ、全長３４０ｍｍのアルミニウム製ドラム状支持体の表面に、実施例１と同様にして、膜厚１μｍの下引層、膜厚０．４μｍの電荷発生層及び膜厚２１μｍの電荷輸送層を順次形成した。
次いで、Ｚ型ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ８００、三菱ガス化学社製）の１０重量％テトラヒドロフラン溶液を調製し、表面保護層形成用塗布液とした。この表面保護層形成用塗布液を実施例１における下引層形成の場合と同様の方法で電荷輸送層表面に塗布し、１１０℃で１時間乾燥して膜厚４μｍの表面保護層を形成することで、図８の積層構造を有する積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７７】
（比較例３）
電荷輸送層の形成に際し、芳香族ポリカーボネート（Ｐ−１）に代えて、製造例８の芳香族ポリカーボネート（Ｐ−５）を用いること以外は、実施例１と同様にして、積層型電子写真感光体を作製した。
【０１７８】
（画像評価）
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られた積層型電子写真感光体を市販複写機（商品名：ＡＲ−４５１Ｎ、シャープ社製）に搭載し、ハーフトーン画像を確認して、初期及び１０万枚複写後の画像状態を評価した。
また、初期及び１０万枚複写後に、評価用複写機の現像部位から現像槽を取出し、代わりに表面電位計（商品名：Ｍｏｄｅｌ３４４、Ｔｒｅｋ社製）をセットし、白ベタ原稿複写時の表面電位Ｖ０（Ｖ）、ハーフトーン原稿複写時の表面電位ＶＨ（Ｖ）及び黒ベタ原稿複写時の表面電位ＶＬ（Ｖ）を測定し、電気特性を評価した。
【０１７９】
（耐久性評価）
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られた積層型電子写真感光体を市販複写機（商品名：ＡＲ−４５１Ｎ、シャープ社製）に搭載し、１０万枚の画像複写を実施した。画像複写前及び画像複写後の電子写真感光体におけるドラム支持体上の総膜厚Ｔ１及びＴ２を膜厚測定器（商品名：ＭＣＰＤ１１００、大塚電子社製）にて測定し、摩耗量ΔＴ（＝Ｔ１−Ｔ２）を求めた。磨耗量が大きいほど耐久性に劣ると評価した。
結果を表５に示す。
【０１８０】
【表５】
【０１８１】
本発明の芳香族ポリカーボネートを電荷輸送層に用いた実施例１〜４及び表面保護層に用いた実施例５においては、繰り返し使用（１０万枚複写）後も画像状態が良好であり、磨耗も少なかった。
これに対し、比較例１では初期は画像状態が良好であったものの、繰り返し使用後には画像にカブリが生じた。また、磨耗も大きく、帯電性の低下も顕著であった。
比較例２では初期の帯電特性は良好であるけれども、露光により電位が減衰しないため、画像濃度が低く画像が薄い状態であった。更に繰り返し使用後には、ほとんど画像が出なかった。これは、表面保護層が電荷輸送能を持たず、帯電しても電荷が消去できないためと考えられる。
比較例３は、黒点が生じた。これは、公知の芳香族ポリカーボネートを電荷輸送層に用いものであるけれども、芳香族ポリカーボネートの構成単位（１’）は化学構造的な対象性が高いため、溶解性が低く、溶媒への不溶部分が結晶状態で電荷輸送層中に残り、その部分が画像に黒点として発現したものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明の単層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の単層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の単層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の単層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の積層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の積層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の積層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の積層型電子写真感光体の要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の画像形成装置の構成を簡略化して示す側面配置図である。
【符号の説明】
【０１８３】
１ 導電性支持体
２，２ａ 感光層
３ 電荷発生層
４ 電荷輸送層
５ 表面保護層
６ 下引層
２０ 画像形成装置
２１ 電子写真感光体
２４ 帯電器
２５ 現像器
２６ 転写器
２７ クリーナ
２８ 露光手段
３０ 転写紙
３１ 定着器
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に、感光層又は、感光層と表面保護層とをこの順で有する電子写真感光体であって、前記感光層、前記表面保護層又はこれら両層が、下記一般式（１）
【化１】
（式中、Ａｒ1は置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基を示す。Ａｒ2及びＡｒ3は、互いに異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ4は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ5は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。Ｒ1は水素原子、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。２ｎ個のＲ2及びＲ3は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基又は置換基を有してもよいアラルキル基を示す。ｎは０乃至２の整数を示す。ｚは５０００〜５０００００の数平均分子量を得るに足る値である。）
で表される構成単位を含有する芳香族ポリカーボネートを含むことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記一般式（１）で表される構成単位が、一般式（２）
【化２】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ4、ｎ及びｚは上記と同様である。）
で表される構成単位であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記一般式（１）で表される構成単位が、一般式（３）
【化３】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ4及びｚは上記と同様である。）
で表される構成単位である請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記芳香族ポリカーボネートが、前記一般式（１）で表される構成単位とともに、下記一般式（４）
【化４】
（式中、Ｘは基−Ｙ−Ｚ−又は基−Ｚ−Ｙ−を示す。ここで、Ｙは置換又は無置換の鎖状脂肪族２価基、置換又は無置換の環状脂肪族２価基、置換又は無置換の芳香族２価基、置換又は無置換の複素環２価基、あるいはこれら基を２以上を結合してなる２価基を示す。Ｚは酸素原子又は硫黄原子を示す。）
で表される構成単位を含有する請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記一般式（４）で表される構成単位において、前記Ｘが、一般式（５）
【化５】
（式中、ｌ個のＲ5及びｍ個のＲ6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基又はハロゲン原子を示す。Ｙは単結合、酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の鎖状脂肪族２価基、置換又は無置換の環状脂肪族２価基、あるいはこれら基を２種以上結合してなる２価基を示す。ｌ及びｍは、同一又は異なって、１〜４の整数を示す。）
で表される二価基である請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、帯電状態にある前記電子写真感光体を画像情報に応じた光で露光して静電潜像を形成する露光手段と、前記電子写真感光体に形成される前記静電潜像を現像して可視像化する現像手段と、該現像手段によって現像された可視像を記録媒体上に転写する転写手段とを含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記帯電手段が、接触帯電器である請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
下記一般式（１）
【化６】
（式中、Ａｒ1は置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基を示す。Ａｒ2及びＡｒ3は、互いに異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ4は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ5は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。Ｒ1は水素原子、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。２ｎ個のＲ2及びＲ3は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基又は置換基を有してもよいアラルキル基を示す。ｎは０乃至２の整数を示す。ｚは５０００〜５０００００の数平均分子量を得るに足る値である。）
で表される構成単位を含有する芳香族ポリカーボネート。
【請求項９】
前記一般式（１）で表される構成単位が、一般式（２）
【化７】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ4、ｎ及びｚは上記と同様である。）
で表される構成単位であることを特徴とする請求項８に記載の芳香族ポリカーボネート。
【請求項１０】
前記一般式（１）で表される構成単位が、一般式（３）
【化８】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ4及びｚは上記と同様である。）
で表される構成単位である請求項９に記載の芳香族ポリカーボネート。
【請求項１１】
前記芳香族ポリカーボネートが、前記一般式（１）で表される構成単位とともに、下記一般式（４）
【化９】
（式中、Ｘは基−Ｙ−Ｚ−又は基−Ｚ−Ｙ−を示す。ここで、Ｙは置換又は無置換の鎖状脂肪族２価基、置換又は無置換の環状脂肪族２価基、置換又は無置換の芳香族２価基、置換又は無置換の複素環２価基、あるいはこれら基を２以上を結合してなる２価基を示す。Ｚは酸素原子又は硫黄原子を示す。）
で表される構成単位を含有する請求項８〜１０のいずれか１つに記載の芳香族ポリカーボネート。
【請求項１２】
前記一般式（４）で表される構成単位において、前記Ｘが、一般式（５）
【化１０】
（式中、ｌ個のＲ5及びｍ個のＲ6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基又はハロゲン原子を示す。Ｙは単結合、酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の鎖状脂肪族２価基、置換又は無置換の環状脂肪族２価基、あるいはこれら基を２種以上結合してなる２価基を示す。ｌ及びｍは、同一又は異なって、１〜４の整数を示す。）
で表される二価基である請求項１１に記載の芳香族ポリカーボネート。
【請求項１】
導電性支持体上に、感光層又は、感光層と表面保護層とをこの順で有する電子写真感光体であって、前記感光層、前記表面保護層又はこれら両層が、下記一般式（１）
【化１】
（式中、Ａｒ1は置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基を示す。Ａｒ2及びＡｒ3は、互いに異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ4は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ5は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。Ｒ1は水素原子、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。２ｎ個のＲ2及びＲ3は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基又は置換基を有してもよいアラルキル基を示す。ｎは０乃至２の整数を示す。ｚは５０００〜５０００００の数平均分子量を得るに足る値である。）
で表される構成単位を含有する芳香族ポリカーボネートを含むことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記一般式（１）で表される構成単位が、一般式（２）
【化２】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ4、ｎ及びｚは上記と同様である。）
で表される構成単位であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記一般式（１）で表される構成単位が、一般式（３）
【化３】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ4及びｚは上記と同様である。）
で表される構成単位である請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記芳香族ポリカーボネートが、前記一般式（１）で表される構成単位とともに、下記一般式（４）
【化４】
（式中、Ｘは基−Ｙ−Ｚ−又は基−Ｚ−Ｙ−を示す。ここで、Ｙは置換又は無置換の鎖状脂肪族２価基、置換又は無置換の環状脂肪族２価基、置換又は無置換の芳香族２価基、置換又は無置換の複素環２価基、あるいはこれら基を２以上を結合してなる２価基を示す。Ｚは酸素原子又は硫黄原子を示す。）
で表される構成単位を含有する請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記一般式（４）で表される構成単位において、前記Ｘが、一般式（５）
【化５】
（式中、ｌ個のＲ5及びｍ個のＲ6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基又はハロゲン原子を示す。Ｙは単結合、酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の鎖状脂肪族２価基、置換又は無置換の環状脂肪族２価基、あるいはこれら基を２種以上結合してなる２価基を示す。ｌ及びｍは、同一又は異なって、１〜４の整数を示す。）
で表される二価基である請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、帯電状態にある前記電子写真感光体を画像情報に応じた光で露光して静電潜像を形成する露光手段と、前記電子写真感光体に形成される前記静電潜像を現像して可視像化する現像手段と、該現像手段によって現像された可視像を記録媒体上に転写する転写手段とを含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記帯電手段が、接触帯電器である請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
下記一般式（１）
【化６】
（式中、Ａｒ1は置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基を示す。Ａｒ2及びＡｒ3は、互いに異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ4は、同一又は異なって、置換基を有してもよいアリーレン基又は置換基を有してもよい２価の複素環基を示す。２個のＡｒ5は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。Ｒ1は水素原子、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルキル基を示す。２ｎ個のＲ2及びＲ3は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基又は置換基を有してもよいアラルキル基を示す。ｎは０乃至２の整数を示す。ｚは５０００〜５０００００の数平均分子量を得るに足る値である。）
で表される構成単位を含有する芳香族ポリカーボネート。
【請求項９】
前記一般式（１）で表される構成単位が、一般式（２）
【化７】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ4、ｎ及びｚは上記と同様である。）
で表される構成単位であることを特徴とする請求項８に記載の芳香族ポリカーボネート。
【請求項１０】
前記一般式（１）で表される構成単位が、一般式（３）
【化８】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ4及びｚは上記と同様である。）
で表される構成単位である請求項９に記載の芳香族ポリカーボネート。
【請求項１１】
前記芳香族ポリカーボネートが、前記一般式（１）で表される構成単位とともに、下記一般式（４）
【化９】
（式中、Ｘは基−Ｙ−Ｚ−又は基−Ｚ−Ｙ−を示す。ここで、Ｙは置換又は無置換の鎖状脂肪族２価基、置換又は無置換の環状脂肪族２価基、置換又は無置換の芳香族２価基、置換又は無置換の複素環２価基、あるいはこれら基を２以上を結合してなる２価基を示す。Ｚは酸素原子又は硫黄原子を示す。）
で表される構成単位を含有する請求項８〜１０のいずれか１つに記載の芳香族ポリカーボネート。
【請求項１２】
前記一般式（４）で表される構成単位において、前記Ｘが、一般式（５）
【化１０】
（式中、ｌ個のＲ5及びｍ個のＲ6は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基又はハロゲン原子を示す。Ｙは単結合、酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の鎖状脂肪族２価基、置換又は無置換の環状脂肪族２価基、あるいはこれら基を２種以上結合してなる２価基を示す。ｌ及びｍは、同一又は異なって、１〜４の整数を示す。）
で表される二価基である請求項１１に記載の芳香族ポリカーボネート。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００８−９０７０（Ｐ２００８−９０７０Ａ）
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１７８４２７（Ｐ２００６−１７８４２７）
【出願日】平成１８年６月２８日（２００６．６．２８）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月２８日（２００６．６．２８）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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