薄膜素子及びその製造方法
【課題】形状を自由に制御できる形状可変な薄膜素子とミラーを一体化し、構造を単純にする事により光ピックアップの部品として十分に小型であり、低電圧で大きな変位を得られる形状可変ミラー素子として用いられる薄膜素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の薄膜から構成される曲面を有するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板１とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の任意の位置における断面形状が変曲点を持たないことを特徴とする。
また、薄膜素子において、あらかじめ基板１を所望の形状に加工した後に薄膜を形成することにより、ダイアフラム部の形状を制御することを特徴とする。
【解決手段】少なくとも１層の薄膜から構成される曲面を有するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板１とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の任意の位置における断面形状が変曲点を持たないことを特徴とする。
また、薄膜素子において、あらかじめ基板１を所望の形状に加工した後に薄膜を形成することにより、ダイアフラム部の形状を制御することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学装置や光ディスク装置の光学ピックアップ、特にその波面収差補正ミラーに用いられる薄膜素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、顕微鏡、カメラ等の光学装置における可変焦点及び収差補正手段として様々な形状可変ミラーが考案されてきたが、近年、光ディスク技術の発展に伴ってその需要は高まりつつある。
【０００３】
光ディスクを用いた情報記録媒体として、コンパクトディスク（ＣＤ）やデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）などがある。近年、光ディスク装置においては複数の記録媒体を同じ光ディスク装置で読み書きする構成が一般的となっており、従来品よりさらに光ディスク装置を小型化する技術が必要となっている。特に、ノート型ＰＣ用の光ディスク装置は小型・薄型の必要性が高まっている。また、マルチメディア技術の発展に合わせて、年々光ディスクへの記憶もしくは記録容量への要求は増大する傾向にあり、（１）波長の短い青色レーザーを用いる、（２）対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくする、などの手段による記録密度の向上が図られ、しかも、（３）メディアにおける記録層を複数にすることによる記録面積の増加が図られ、大容量化を達成している。
【０００４】
光ディスク装置には、レーザー光源、光学ピックアップ、受光素子等が設けられる。レーザー光源から出射されたレーザービームは光学ピックアップを通して、光ディスクのデータ面へ集光し、反射された後、受光素子によって受光され、光ディスクに記録された情報が読み取られ、或いは光ディスクに情報が書き込まれる。この際にビームの波面はさまざまな光学部品や光ディスクによって収差を受けるので、情報を正しく読み書きするためには収差補正が不可欠である。特に、光ディスクの回転中や、異なる層を読み替える際などに生じるダイナミックな収差に関しては、光学ピックアップを構成するレンズや回折光学素子による固定的な補正手段は不適当であり、アクチュエータによる動的補正が不可欠である。
【０００５】
従来から、上記のような収差を補正する方法が考案されており、例えば、（特許文献１）に記載の方法においては、補正レンズをアクチュエータにより動かすことによって球面収差が補正される。しかしながら、この方法はアクチュエータ部が大きく、余分なレンズが必要で、ＰＣ用途など小型化の要求の大きな光学ピックアップには不向きであった。
【０００６】
また、（特許文献２）に記載の方法においては、反射面の背面に微小なアクチュエータを多数配置し、これらのアクチュエータを駆動させることにより収差が補正される。しかしながら、この方法も構造や配線が複雑であるため、小型化は困難である。
【０００７】
したがって、光ピックアップの部品として用いる程度の小型化を達成するためには、ミラーとアクチュエータが一体であり、且つ構造が単純な、例えば圧電素子を用いたユニモルフ型のような素子を用いることが望ましい。しかしながら、このような素子は薄膜積層構造をとるため、薄膜の内部応力の影響が大きく、ミラーの初期形状、変形形状を制御する事、及び低電圧で大きな変位を得ることが困難であるという問題がある。また、膜応力に依存した変形では大きな曲率を得ることは困難で、用途が限られるという問題もある。
【特許文献１】特開平１０−２４１２０１号公報
【特許文献２】特開平５−３３３２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、形状を自由に制御できる形状可変な薄膜素子とミラーを一体化し、構造を単純にする事により光ピックアップの部品として十分に小型であり、低電圧で大きな変位を得られる形状可変ミラー素子として用いられる薄膜素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明は、少なくとも１層の薄膜から構成される曲面を有するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の任意の位置における断面形状が変曲点を持たないことを特徴とする。また、薄膜素子の製造方法において、あらかじめ基板を所望の形状に加工した後に薄膜を形成することにより、ダイアフラム部の形状を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、薄膜素子の形状は膜応力のみに依存しないため、形状制御が容易にでき、大きな曲率をもった球面、非対称形状など膜応力のみに依存した変形によると実現困難である形状にも制御可能である。その中でも、ダイアフラム部の任意の位置における断面において変曲点を持たない形状であることによって、低電圧で大きな変位を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本願の第１の発明は、少なくとも１層の薄膜から構成される曲面を有するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の任意の位置における断面形状が変曲点を持たないことを特徴とする薄膜素子であり、変曲点を持たない構造とすることでダイアフラム部内の広い領域で収差補正用の素子として利用可能であり、圧電、熱、静電などで薄膜素子を変位させる場合も、変曲点を持つ構造と比べて大きな変位を得ることが可能である。
【００１２】
ここで、変曲点とは断面形状を現す式をＹ＝ｆ（ｘ）としたときに、ｆ（ｘ）の２回微分であるｆ”（ｘ）が、ｆ”（ｘ）＝０となるｘの値を持つＹ＝ｆ（ｘ）上の点で定義される。図１に示す本発明による薄膜素子を上から見た時の斜視図において、図１（ａ）のような形状の場合、薄膜素子の断面形状は全て曲線で表される。しかし、図１（ｂ）のような形状の場合、薄膜素子の断面形状は曲線で表される部分と直線で表される部分が存在する。本発明はこのような直線で表される断面が存在する形状であっても、ダイアフラム部が曲面を持ち、任意の位置における断面が曲線で表される形状であれば良い。
【００１３】
本願の第２の発明は、少なくとも１層の薄膜から構成されるダイアフラム部と前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の総膜厚が１００μｍ以下であり、ダイアフラム部の断面の少なくとも一部分が円形状であり、前記円形状の曲率半径が５ｍｍ以下であることを特徴とする薄膜素子であり、曲率半径の小さい薄膜素子とすることにより、レンズなどの他の部品を用いることなく、省スペース、低コストで焦点可変ミラーを作製することができる。
【００１４】
本願の第３の発明は、本願の第１または第２の発明において、ダイアフラム部の少なくとも一部分が可動であることを特徴とする薄膜素子であり、圧電、熱、静電気力、気圧、加速力などの外力を加えることによりダイアフラム部を可動させることによって、マイクロアクチュエータ、圧力センサ、加速度センサなど、様々な用途で利用可能な薄膜素子とすることができる。
【００１５】
本願の第４の発明は、本願の第３の発明において、ダイアフラム部が圧電体と、前記圧電体を挟むように位置する第１電極膜及び第２電極膜とから構成されていることを特徴とする薄膜素子であり、前記構成により、省スペースで形状を可変することができる薄膜素子とすることができる。
【００１６】
本願の第５の発明は、本願の第１から第４のいずれかの発明において、少なくともミラーとしての機能を有する薄膜が形成されていることを特徴とする薄膜素子であり、薄膜素子と一体となるミラーを形成することで、光ピックアップの部品として十分に小型である薄膜素子を製造することができる。
【００１７】
本願の第６の発明は、本願の第１から第５のいずれかの発明において、各膜の膜応力、膜厚、膜厚分布、膜分割により薄膜素子の形状を制御することを特徴とする薄膜素子であり、薄膜素子の微細な形状制御ができる。特に圧電素子を用いた形状可変素子の場合は、電極を分割し、電圧印加領域と非電圧印加領域を設けることにより、電圧印加時の形状を微細に制御することが可能である。
【００１８】
本願の第７の発明は、本願の第１から第６のいずれかの発明において、基板が少なくともＳｉを含む単層もしくは多層構造であることを特徴とする薄膜素子で、Ｓｉを用いることにより、安価で材料特性が安定した材料を入手することができ、半導体プロセスで用いられる加工方法を応用することが可能であるため、微細な加工が可能である。
【００１９】
本願の第８の発明は、本願の第１から第７のいずれかの発明の薄膜素子の製造方法において、あらかじめ基板を所望の形状に加工した後に薄膜を形成することにより、ダイアフラム部の形状を制御することを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、あらかじめ基板を所望の形状に加工することにより、通常薄膜素子の形状を決める因子として支配的である膜応力の影響を小さくすることができる。また、膜応力等による初期形状の制御方法では大きな曲率をもたせることは非常に困難だが、本発明によれば容易に大きな曲率をもたせた薄膜素子を製造することができる。
【００２０】
本願の第９の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、ウェットエッチング法を用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、ウェットエッチングの等方性エッチングや結晶異方性を利用した異方性エッチングをすることにより、所望の形状へ加工することができる。大がかりな装置を必要としないなど、比較的簡単に製造可能であるという利点も有する。
【００２１】
本願の第１０の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、ドライエッチング法を用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、ＲＩＥを利用した等方性エッチング、ＩＣＰ方式による異方性エッチング、など、加工方法の自由度が高く、微細な加工を行うことができる。前記ウェットエッチング法と比較すると、結晶異方性を利用しなくても異方性エッチングが可能で、プロセスの再現性が良く、管理しやすいという利点を持つ。基板の材料、形状精度などを考慮した上で、ウェットエッチング法と組み合わせて用いることにより形状自由度の向上、プロセスの効率化が可能である。
【００２２】
本願の第１１の発明は、本願の第９または第１０の発明において、前記基板の加工を、グレースケールレジストを用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、膜厚分布をもったグレースケールレジストを用い、レジストをエッチングしながら基板もエッチングすることにより、レジストの形状を基板に転写することができる。レジストと基板材料のエッチング選択比によりレジストの形状よりＺ軸方向（高さ方向）に伸縮した形状を得ることができ、高精度で再現性の良い加工が可能である。
【００２３】
本願の第１２の発明は、本願の第９または第１０の発明において、前記基板の加工を、ドーピング法を用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、ドーピングを行うことにより材料特性を変化させ、選択的にドーピングされた部分のみ、または逆にドーピングされていない部分のみをウェットもしくはドライエッチング法でエッチングする方法である。ドーピング法にはイオン注入やプラズマドーピングなど、方法も多彩であり、等方性、異方性も自由に制御できることから微細な加工を行うことができる。
【００２４】
本願の第１３の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、レーザーを用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、加工形状が自由で、精度の良い加工を行うことができる。
【００２５】
本願の第１４の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、機械的研削、研磨により行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、加工形状が自由で、加工時間が短く、精度の良い加工を行うことができる。
【００２６】
本願の第１５の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、金型を用いたプレス加工により行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、精度良く再現性の良い加工ができ、生産性が非常に高い加工方法である。
【００２７】
（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いてより詳細に説明する。なお、図面中の膜厚、基板の厚み、変形量等の寸法は理解を容易にするために実際の寸法とは異なる。
【００２８】
図１は本発明の実施の形態に係る薄膜素子を上から見た時の斜視図である。この薄膜素子は、基板１の上に、第１電極２ａ、圧電膜３、第２電極２ｂ、反射膜４が順次積層されてなるものである。
【００２９】
以下、図１（ａ）のＡ−Ｂ断面図である図２により、本発明の薄膜素子の製造方法を説明する。
【００３０】
初めに、図２（ａ）のような両面とも平面な基板１に図２（ｂ）のように凹部を形成する加工を施す。基板１の材料として特に限定はないが、ＳｉもしくはＳｉを含む多層基板を用いると半導体プロセスを用いて加工ができるため、精度の良い加工が可能である。加工形状は円形に限らず、平面形として図３に示すような楕円形、三角形、四角形、その他の多角形、星形など、断面形として図４に示すような上に凸な形状、非対称な形状、三角形、四角形、その他の多角形など、どのような形状をとっても良い。
【００３１】
加工方法は、フライス盤を用いて所望の形状に加工を施し、研削表面を滑らかにするために回転軸付の砥石にて研磨を行う。このような研削、研磨を行う機器は多数存在するが、前記加工方法は一例を挙げているのであって、使用する加工機器は特に限定されない。
【００３２】
基板加工を行う別の手段として、レジスト塗布、レジストのパターンニング、エッチングといった一連の半導体プロセスを用いた方法がある。一般的なエッチング方法として、ウェットエッチング、ドライエッチングがあり、材料、手法を選択することにより等方性または異方性エッチングが可能であるが、これらの組み合わせとさらに陰影効果を利用することにより自由な形状に加工することができる。しかし、この方法は複雑な曲面や精度を求められる形状の場合、再現性良く加工するのは非常に困難であるため、グレースケールレジストと組み合わせることが好ましい。グレースケールレジストとは、レジスト塗布後にバイナリマスクを複数回使用する多重露光をしたり、露光強度を変化させることができるグレースケール描画装置を用いて、レジストをグレースケール露光したり、また、透
過率が離散的または事実上連続的に変化するグレースケールマスクを用いてレジストを露光したりすることにより、制御された膜厚分布を持つレジスト膜のことである。このようにレジストの形状を所望の形状に加工を施した上でエッチングを行えば、レジストの形状が基板に転写され、比較的簡単に再現性の良い加工ができる。
【００３３】
この他にもドーピング法を用いて、一部分だけ材料特性を変化させた上で、ウェットエッチングやドライエッチングにより材料特性を変化させた部分だけエッチングする方法や、種々のレーザーを用いた加工、金型を用いたプレスにより塑性変形を行うといった方法もある。
【００３４】
次に、ダイアフラムを形成する膜を成膜する。膜の材料、形状、膜厚などに特に限定は無いが、ここでは形状可変薄膜ミラー素子として図２（ｃ）のように第１電極２ａ、圧電膜３、第２電極２ｂ、反射膜４の順に成膜する。成膜方法として、蒸着、スパッタ、ＣＶＤなどの真空プロセス、電着、めっきなどの電気化学反応、滴下、スピンコートなどによる塗布などを用いて行う。
【００３５】
最後に、図２（ｄ）のように基板１の裏面の加工を行う。加工方法は、ウェットエッチング、ドライエッチング、レーザー加工、機械的研削、研磨などを用いて行う。加工形状は円形に限らず楕円形、三角形、四角形、その他の多角形、星形など、どのような形状でも良い。
【００３６】
このようにして作製した形状可変薄膜ミラー素子の初期形状は、基板の加工形状、ダイアフラムを形成する膜の構造などで大きく異なるが、ここではわかりやすくするために基板１の加工形状を下に凸な球面形状、膜は均一な２層膜として図５を用いて説明する。
【００３７】
図５のような構造の場合、ダイアフラムは大きく分けると図６のような３通りの形状をとる。図６において、７はＳｉ基板の加工形状を示す線であり、８はダイアフラムの形状（０Ｖ時）を示す線である。
【００３８】
図５において、第１膜５と第２膜６の膜応力により発生するモーメントが０または上方向の場合、図６（ａ）のような変曲点の存在しない、球面に非常に近い形状となる。第１膜５と第２膜６の膜応力により発生するモーメントが下方向の場合、変曲点の存在しない形状とすることもできるが、膜応力の制御により図６（ｂ）のような外周側に変曲点が存在する形状とすることもできる。この場合、内周側は極めて球面に近い形状となる。第１膜５が圧縮応力、第２膜６が引張応力であって、第１膜５と第２膜６の膜応力の差が大きい場合には、図６（ｃ）のような上に凸であって、内周付近がつぶれた形状となる。
【００３９】
図７に前述の形状をシミュレーションにより解析した結果を示す。図７（ａ）が図６（ａ）に、図７（ｂ）が図６（ｂ）に、図７（ｃ）が図６（ｃ）にそれぞれ対応する解析結果である。このように、膜応力を調整することにより、様々な形状のダイアフラムを作成できることがわかる。ここでは膜応力についてのみ説明したが、膜厚、膜の分割、膜厚分布を制御することにより、さらにダイアフラム形状の自由度は高まる。
【００４０】
特に、圧電素子を用いてダイアフラムを駆動させる場合は、電極を分割することにより電圧印加時の形状も制御可能である。
【００４１】
図８（ａ）に基板が平面のときの、図８（ｂ）に基板が球面のときのダイアフラム形状（０Ｖ時）と電圧印加時のダイアフラムの変位形状のシミュレーション結果を、それぞれ示す。これによると、同一電圧を加えた時の変位量は、基板形状が平面の時に比べて球面の時の方が１００倍以上大きく、本発明によって形状制御できるという効果だけではなく
、変位を拡大させることができるという効果もあることがわかる。
【００４２】
図９に光学ピックアップの基本的な構成例を示す。レーザー光源９から発せられた光束はビームスプリッタ１１を透過し、立ち上げミラーを兼用する形状可変ミラー素子１２で反射され、対物レンズ１４を通って、光ディスク１５に結像する。そこで反射した光は形状可変ミラー素子１２で反射して、ビームスプリッタ１１を反射して受光素子１０において電気信号に変換される。この構成においては、光束は形状可変ミラー素子１２に４５度入射する。形状可変ミラー素子１２はドライバ１３から制御電圧を供給される。ドライバ１３は球面収差量を検知するモニター用受光素子（図示しない）や受光素子１０等の受光手段の内で少なくとも一つからの信号をもとに、制御電圧の値を定め、形状可変ミラー素子１２の曲率を変化させることができる。特に、レーザー光源９から出射される光が青から青紫の短波長光の場合、上記構成は特に有用である。
【００４３】
別の形態における光学ピックアップの構成を図１０に示す。レーザー光源９から発せられた光束は偏光ビームスプリッタ１７を透過し、立ち上げミラー１８で反射し、１／４波長板１６および対物レンズ１４を経て光ディスク１５上で集光する。その後、光ディスクを反射した光は偏光状態を９０度変え、立ち上げミラー１８を経て、偏光ビームスプリッタ１７で反射され、もう一枚の１／４波長板１６を透過し形状可変ミラー素子１２で反射され、再び１／４波長板１６を透過して偏光状態を９０度変えた後、偏光ビームスプリッタ１７を透過して、受光素子１０において電気信号に変換される。形状可変ミラー素子１２はドライバ１３から制御電圧を供給される。ドライバ１３は球面収差量を検知するモニター用受光素子（図示しない）や受光素子１０等の受光手段の内で少なくとも一つからの信号をもとに、制御電圧の値を定め、形状可変ミラー素子１２の曲率を変化させることができる。特に、レーザー光源９から出射される光が青から青紫の短波長光の場合、上記構成は特に有用である。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明によれば、顕微鏡、カメラ等、光学装置のフォーカス及び、ＣＤ／ＤＶＤドライブレコーダ、デコーダ、ＣＤ／ＤＶＤドライブなどに用いられる光学ピックアップ、特に、青色レーザーを用いた光学ピックアップや収差の補正が必要な光学装置に利用可能である。
【００４５】
また、本発明によれば低エネルギー入力で大きな変位が得られるという特徴があるため、光学装置以外、例えばプリンタヘッド等の薄膜マイクロアクチュエータとして利用でき、圧電素子と電極を構成材料として組み込むことにより、正圧電効果を利用した高感度な圧力センサもしくは加速度センサのようなセンサとして利用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施の形態における薄膜素子を示す斜視図
【図２】本発明の一実施の形態における薄膜素子の断面図
【図３】本発明の一実施の形態における基板を示す平面図
【図４】本発明の一実施の形態における基板の断面図
【図５】本発明の一実施の形態における薄膜素子の断面図
【図６】本発明の一実施の形態における薄膜素子の形状を示す図
【図７】本発明の一実施の形態における薄膜素子の形状を示すシミュレーションのグラフ
【図８】本発明の一実施の形態における形状可変薄膜素子の変位形状を示すシミュレーションのグラフ
【図９】本発明による光学ピックアップの光路を示す図
【図１０】本発明による別の形態における光学ピックアップの光路を示す図
【符号の説明】
【００４７】
１ 基板
２ａ 第１電極
２ｂ 第２電極
３ 圧電膜
４ 反射膜
５ 第１膜
６ 第２膜
７ Ｓｉ基板の加工形状を示す線
８ ダイアフラムの形状（０Ｖ時）を示す線
９ レーザー光源
１０ 受光素子
１１ ビームスプリッタ
１２ 形状可変ミラー素子
１３ ドライバ
１４ 対物レンズ
１５ 光ディスク
１６ １／４波長板
１７ 偏光ビームスプリッタ
１８ 立ち上げミラー
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学装置や光ディスク装置の光学ピックアップ、特にその波面収差補正ミラーに用いられる薄膜素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、顕微鏡、カメラ等の光学装置における可変焦点及び収差補正手段として様々な形状可変ミラーが考案されてきたが、近年、光ディスク技術の発展に伴ってその需要は高まりつつある。
【０００３】
光ディスクを用いた情報記録媒体として、コンパクトディスク（ＣＤ）やデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）などがある。近年、光ディスク装置においては複数の記録媒体を同じ光ディスク装置で読み書きする構成が一般的となっており、従来品よりさらに光ディスク装置を小型化する技術が必要となっている。特に、ノート型ＰＣ用の光ディスク装置は小型・薄型の必要性が高まっている。また、マルチメディア技術の発展に合わせて、年々光ディスクへの記憶もしくは記録容量への要求は増大する傾向にあり、（１）波長の短い青色レーザーを用いる、（２）対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくする、などの手段による記録密度の向上が図られ、しかも、（３）メディアにおける記録層を複数にすることによる記録面積の増加が図られ、大容量化を達成している。
【０００４】
光ディスク装置には、レーザー光源、光学ピックアップ、受光素子等が設けられる。レーザー光源から出射されたレーザービームは光学ピックアップを通して、光ディスクのデータ面へ集光し、反射された後、受光素子によって受光され、光ディスクに記録された情報が読み取られ、或いは光ディスクに情報が書き込まれる。この際にビームの波面はさまざまな光学部品や光ディスクによって収差を受けるので、情報を正しく読み書きするためには収差補正が不可欠である。特に、光ディスクの回転中や、異なる層を読み替える際などに生じるダイナミックな収差に関しては、光学ピックアップを構成するレンズや回折光学素子による固定的な補正手段は不適当であり、アクチュエータによる動的補正が不可欠である。
【０００５】
従来から、上記のような収差を補正する方法が考案されており、例えば、（特許文献１）に記載の方法においては、補正レンズをアクチュエータにより動かすことによって球面収差が補正される。しかしながら、この方法はアクチュエータ部が大きく、余分なレンズが必要で、ＰＣ用途など小型化の要求の大きな光学ピックアップには不向きであった。
【０００６】
また、（特許文献２）に記載の方法においては、反射面の背面に微小なアクチュエータを多数配置し、これらのアクチュエータを駆動させることにより収差が補正される。しかしながら、この方法も構造や配線が複雑であるため、小型化は困難である。
【０００７】
したがって、光ピックアップの部品として用いる程度の小型化を達成するためには、ミラーとアクチュエータが一体であり、且つ構造が単純な、例えば圧電素子を用いたユニモルフ型のような素子を用いることが望ましい。しかしながら、このような素子は薄膜積層構造をとるため、薄膜の内部応力の影響が大きく、ミラーの初期形状、変形形状を制御する事、及び低電圧で大きな変位を得ることが困難であるという問題がある。また、膜応力に依存した変形では大きな曲率を得ることは困難で、用途が限られるという問題もある。
【特許文献１】特開平１０−２４１２０１号公報
【特許文献２】特開平５−３３３２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、形状を自由に制御できる形状可変な薄膜素子とミラーを一体化し、構造を単純にする事により光ピックアップの部品として十分に小型であり、低電圧で大きな変位を得られる形状可変ミラー素子として用いられる薄膜素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明は、少なくとも１層の薄膜から構成される曲面を有するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の任意の位置における断面形状が変曲点を持たないことを特徴とする。また、薄膜素子の製造方法において、あらかじめ基板を所望の形状に加工した後に薄膜を形成することにより、ダイアフラム部の形状を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、薄膜素子の形状は膜応力のみに依存しないため、形状制御が容易にでき、大きな曲率をもった球面、非対称形状など膜応力のみに依存した変形によると実現困難である形状にも制御可能である。その中でも、ダイアフラム部の任意の位置における断面において変曲点を持たない形状であることによって、低電圧で大きな変位を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本願の第１の発明は、少なくとも１層の薄膜から構成される曲面を有するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の任意の位置における断面形状が変曲点を持たないことを特徴とする薄膜素子であり、変曲点を持たない構造とすることでダイアフラム部内の広い領域で収差補正用の素子として利用可能であり、圧電、熱、静電などで薄膜素子を変位させる場合も、変曲点を持つ構造と比べて大きな変位を得ることが可能である。
【００１２】
ここで、変曲点とは断面形状を現す式をＹ＝ｆ（ｘ）としたときに、ｆ（ｘ）の２回微分であるｆ”（ｘ）が、ｆ”（ｘ）＝０となるｘの値を持つＹ＝ｆ（ｘ）上の点で定義される。図１に示す本発明による薄膜素子を上から見た時の斜視図において、図１（ａ）のような形状の場合、薄膜素子の断面形状は全て曲線で表される。しかし、図１（ｂ）のような形状の場合、薄膜素子の断面形状は曲線で表される部分と直線で表される部分が存在する。本発明はこのような直線で表される断面が存在する形状であっても、ダイアフラム部が曲面を持ち、任意の位置における断面が曲線で表される形状であれば良い。
【００１３】
本願の第２の発明は、少なくとも１層の薄膜から構成されるダイアフラム部と前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の総膜厚が１００μｍ以下であり、ダイアフラム部の断面の少なくとも一部分が円形状であり、前記円形状の曲率半径が５ｍｍ以下であることを特徴とする薄膜素子であり、曲率半径の小さい薄膜素子とすることにより、レンズなどの他の部品を用いることなく、省スペース、低コストで焦点可変ミラーを作製することができる。
【００１４】
本願の第３の発明は、本願の第１または第２の発明において、ダイアフラム部の少なくとも一部分が可動であることを特徴とする薄膜素子であり、圧電、熱、静電気力、気圧、加速力などの外力を加えることによりダイアフラム部を可動させることによって、マイクロアクチュエータ、圧力センサ、加速度センサなど、様々な用途で利用可能な薄膜素子とすることができる。
【００１５】
本願の第４の発明は、本願の第３の発明において、ダイアフラム部が圧電体と、前記圧電体を挟むように位置する第１電極膜及び第２電極膜とから構成されていることを特徴とする薄膜素子であり、前記構成により、省スペースで形状を可変することができる薄膜素子とすることができる。
【００１６】
本願の第５の発明は、本願の第１から第４のいずれかの発明において、少なくともミラーとしての機能を有する薄膜が形成されていることを特徴とする薄膜素子であり、薄膜素子と一体となるミラーを形成することで、光ピックアップの部品として十分に小型である薄膜素子を製造することができる。
【００１７】
本願の第６の発明は、本願の第１から第５のいずれかの発明において、各膜の膜応力、膜厚、膜厚分布、膜分割により薄膜素子の形状を制御することを特徴とする薄膜素子であり、薄膜素子の微細な形状制御ができる。特に圧電素子を用いた形状可変素子の場合は、電極を分割し、電圧印加領域と非電圧印加領域を設けることにより、電圧印加時の形状を微細に制御することが可能である。
【００１８】
本願の第７の発明は、本願の第１から第６のいずれかの発明において、基板が少なくともＳｉを含む単層もしくは多層構造であることを特徴とする薄膜素子で、Ｓｉを用いることにより、安価で材料特性が安定した材料を入手することができ、半導体プロセスで用いられる加工方法を応用することが可能であるため、微細な加工が可能である。
【００１９】
本願の第８の発明は、本願の第１から第７のいずれかの発明の薄膜素子の製造方法において、あらかじめ基板を所望の形状に加工した後に薄膜を形成することにより、ダイアフラム部の形状を制御することを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、あらかじめ基板を所望の形状に加工することにより、通常薄膜素子の形状を決める因子として支配的である膜応力の影響を小さくすることができる。また、膜応力等による初期形状の制御方法では大きな曲率をもたせることは非常に困難だが、本発明によれば容易に大きな曲率をもたせた薄膜素子を製造することができる。
【００２０】
本願の第９の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、ウェットエッチング法を用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、ウェットエッチングの等方性エッチングや結晶異方性を利用した異方性エッチングをすることにより、所望の形状へ加工することができる。大がかりな装置を必要としないなど、比較的簡単に製造可能であるという利点も有する。
【００２１】
本願の第１０の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、ドライエッチング法を用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、ＲＩＥを利用した等方性エッチング、ＩＣＰ方式による異方性エッチング、など、加工方法の自由度が高く、微細な加工を行うことができる。前記ウェットエッチング法と比較すると、結晶異方性を利用しなくても異方性エッチングが可能で、プロセスの再現性が良く、管理しやすいという利点を持つ。基板の材料、形状精度などを考慮した上で、ウェットエッチング法と組み合わせて用いることにより形状自由度の向上、プロセスの効率化が可能である。
【００２２】
本願の第１１の発明は、本願の第９または第１０の発明において、前記基板の加工を、グレースケールレジストを用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、膜厚分布をもったグレースケールレジストを用い、レジストをエッチングしながら基板もエッチングすることにより、レジストの形状を基板に転写することができる。レジストと基板材料のエッチング選択比によりレジストの形状よりＺ軸方向（高さ方向）に伸縮した形状を得ることができ、高精度で再現性の良い加工が可能である。
【００２３】
本願の第１２の発明は、本願の第９または第１０の発明において、前記基板の加工を、ドーピング法を用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、ドーピングを行うことにより材料特性を変化させ、選択的にドーピングされた部分のみ、または逆にドーピングされていない部分のみをウェットもしくはドライエッチング法でエッチングする方法である。ドーピング法にはイオン注入やプラズマドーピングなど、方法も多彩であり、等方性、異方性も自由に制御できることから微細な加工を行うことができる。
【００２４】
本願の第１３の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、レーザーを用いて行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、加工形状が自由で、精度の良い加工を行うことができる。
【００２５】
本願の第１４の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、機械的研削、研磨により行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、加工形状が自由で、加工時間が短く、精度の良い加工を行うことができる。
【００２６】
本願の第１５の発明は、本願の第８の発明において、前記基板の加工を、金型を用いたプレス加工により行うことを特徴とする薄膜素子の製造方法であり、精度良く再現性の良い加工ができ、生産性が非常に高い加工方法である。
【００２７】
（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いてより詳細に説明する。なお、図面中の膜厚、基板の厚み、変形量等の寸法は理解を容易にするために実際の寸法とは異なる。
【００２８】
図１は本発明の実施の形態に係る薄膜素子を上から見た時の斜視図である。この薄膜素子は、基板１の上に、第１電極２ａ、圧電膜３、第２電極２ｂ、反射膜４が順次積層されてなるものである。
【００２９】
以下、図１（ａ）のＡ−Ｂ断面図である図２により、本発明の薄膜素子の製造方法を説明する。
【００３０】
初めに、図２（ａ）のような両面とも平面な基板１に図２（ｂ）のように凹部を形成する加工を施す。基板１の材料として特に限定はないが、ＳｉもしくはＳｉを含む多層基板を用いると半導体プロセスを用いて加工ができるため、精度の良い加工が可能である。加工形状は円形に限らず、平面形として図３に示すような楕円形、三角形、四角形、その他の多角形、星形など、断面形として図４に示すような上に凸な形状、非対称な形状、三角形、四角形、その他の多角形など、どのような形状をとっても良い。
【００３１】
加工方法は、フライス盤を用いて所望の形状に加工を施し、研削表面を滑らかにするために回転軸付の砥石にて研磨を行う。このような研削、研磨を行う機器は多数存在するが、前記加工方法は一例を挙げているのであって、使用する加工機器は特に限定されない。
【００３２】
基板加工を行う別の手段として、レジスト塗布、レジストのパターンニング、エッチングといった一連の半導体プロセスを用いた方法がある。一般的なエッチング方法として、ウェットエッチング、ドライエッチングがあり、材料、手法を選択することにより等方性または異方性エッチングが可能であるが、これらの組み合わせとさらに陰影効果を利用することにより自由な形状に加工することができる。しかし、この方法は複雑な曲面や精度を求められる形状の場合、再現性良く加工するのは非常に困難であるため、グレースケールレジストと組み合わせることが好ましい。グレースケールレジストとは、レジスト塗布後にバイナリマスクを複数回使用する多重露光をしたり、露光強度を変化させることができるグレースケール描画装置を用いて、レジストをグレースケール露光したり、また、透
過率が離散的または事実上連続的に変化するグレースケールマスクを用いてレジストを露光したりすることにより、制御された膜厚分布を持つレジスト膜のことである。このようにレジストの形状を所望の形状に加工を施した上でエッチングを行えば、レジストの形状が基板に転写され、比較的簡単に再現性の良い加工ができる。
【００３３】
この他にもドーピング法を用いて、一部分だけ材料特性を変化させた上で、ウェットエッチングやドライエッチングにより材料特性を変化させた部分だけエッチングする方法や、種々のレーザーを用いた加工、金型を用いたプレスにより塑性変形を行うといった方法もある。
【００３４】
次に、ダイアフラムを形成する膜を成膜する。膜の材料、形状、膜厚などに特に限定は無いが、ここでは形状可変薄膜ミラー素子として図２（ｃ）のように第１電極２ａ、圧電膜３、第２電極２ｂ、反射膜４の順に成膜する。成膜方法として、蒸着、スパッタ、ＣＶＤなどの真空プロセス、電着、めっきなどの電気化学反応、滴下、スピンコートなどによる塗布などを用いて行う。
【００３５】
最後に、図２（ｄ）のように基板１の裏面の加工を行う。加工方法は、ウェットエッチング、ドライエッチング、レーザー加工、機械的研削、研磨などを用いて行う。加工形状は円形に限らず楕円形、三角形、四角形、その他の多角形、星形など、どのような形状でも良い。
【００３６】
このようにして作製した形状可変薄膜ミラー素子の初期形状は、基板の加工形状、ダイアフラムを形成する膜の構造などで大きく異なるが、ここではわかりやすくするために基板１の加工形状を下に凸な球面形状、膜は均一な２層膜として図５を用いて説明する。
【００３７】
図５のような構造の場合、ダイアフラムは大きく分けると図６のような３通りの形状をとる。図６において、７はＳｉ基板の加工形状を示す線であり、８はダイアフラムの形状（０Ｖ時）を示す線である。
【００３８】
図５において、第１膜５と第２膜６の膜応力により発生するモーメントが０または上方向の場合、図６（ａ）のような変曲点の存在しない、球面に非常に近い形状となる。第１膜５と第２膜６の膜応力により発生するモーメントが下方向の場合、変曲点の存在しない形状とすることもできるが、膜応力の制御により図６（ｂ）のような外周側に変曲点が存在する形状とすることもできる。この場合、内周側は極めて球面に近い形状となる。第１膜５が圧縮応力、第２膜６が引張応力であって、第１膜５と第２膜６の膜応力の差が大きい場合には、図６（ｃ）のような上に凸であって、内周付近がつぶれた形状となる。
【００３９】
図７に前述の形状をシミュレーションにより解析した結果を示す。図７（ａ）が図６（ａ）に、図７（ｂ）が図６（ｂ）に、図７（ｃ）が図６（ｃ）にそれぞれ対応する解析結果である。このように、膜応力を調整することにより、様々な形状のダイアフラムを作成できることがわかる。ここでは膜応力についてのみ説明したが、膜厚、膜の分割、膜厚分布を制御することにより、さらにダイアフラム形状の自由度は高まる。
【００４０】
特に、圧電素子を用いてダイアフラムを駆動させる場合は、電極を分割することにより電圧印加時の形状も制御可能である。
【００４１】
図８（ａ）に基板が平面のときの、図８（ｂ）に基板が球面のときのダイアフラム形状（０Ｖ時）と電圧印加時のダイアフラムの変位形状のシミュレーション結果を、それぞれ示す。これによると、同一電圧を加えた時の変位量は、基板形状が平面の時に比べて球面の時の方が１００倍以上大きく、本発明によって形状制御できるという効果だけではなく
、変位を拡大させることができるという効果もあることがわかる。
【００４２】
図９に光学ピックアップの基本的な構成例を示す。レーザー光源９から発せられた光束はビームスプリッタ１１を透過し、立ち上げミラーを兼用する形状可変ミラー素子１２で反射され、対物レンズ１４を通って、光ディスク１５に結像する。そこで反射した光は形状可変ミラー素子１２で反射して、ビームスプリッタ１１を反射して受光素子１０において電気信号に変換される。この構成においては、光束は形状可変ミラー素子１２に４５度入射する。形状可変ミラー素子１２はドライバ１３から制御電圧を供給される。ドライバ１３は球面収差量を検知するモニター用受光素子（図示しない）や受光素子１０等の受光手段の内で少なくとも一つからの信号をもとに、制御電圧の値を定め、形状可変ミラー素子１２の曲率を変化させることができる。特に、レーザー光源９から出射される光が青から青紫の短波長光の場合、上記構成は特に有用である。
【００４３】
別の形態における光学ピックアップの構成を図１０に示す。レーザー光源９から発せられた光束は偏光ビームスプリッタ１７を透過し、立ち上げミラー１８で反射し、１／４波長板１６および対物レンズ１４を経て光ディスク１５上で集光する。その後、光ディスクを反射した光は偏光状態を９０度変え、立ち上げミラー１８を経て、偏光ビームスプリッタ１７で反射され、もう一枚の１／４波長板１６を透過し形状可変ミラー素子１２で反射され、再び１／４波長板１６を透過して偏光状態を９０度変えた後、偏光ビームスプリッタ１７を透過して、受光素子１０において電気信号に変換される。形状可変ミラー素子１２はドライバ１３から制御電圧を供給される。ドライバ１３は球面収差量を検知するモニター用受光素子（図示しない）や受光素子１０等の受光手段の内で少なくとも一つからの信号をもとに、制御電圧の値を定め、形状可変ミラー素子１２の曲率を変化させることができる。特に、レーザー光源９から出射される光が青から青紫の短波長光の場合、上記構成は特に有用である。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明によれば、顕微鏡、カメラ等、光学装置のフォーカス及び、ＣＤ／ＤＶＤドライブレコーダ、デコーダ、ＣＤ／ＤＶＤドライブなどに用いられる光学ピックアップ、特に、青色レーザーを用いた光学ピックアップや収差の補正が必要な光学装置に利用可能である。
【００４５】
また、本発明によれば低エネルギー入力で大きな変位が得られるという特徴があるため、光学装置以外、例えばプリンタヘッド等の薄膜マイクロアクチュエータとして利用でき、圧電素子と電極を構成材料として組み込むことにより、正圧電効果を利用した高感度な圧力センサもしくは加速度センサのようなセンサとして利用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施の形態における薄膜素子を示す斜視図
【図２】本発明の一実施の形態における薄膜素子の断面図
【図３】本発明の一実施の形態における基板を示す平面図
【図４】本発明の一実施の形態における基板の断面図
【図５】本発明の一実施の形態における薄膜素子の断面図
【図６】本発明の一実施の形態における薄膜素子の形状を示す図
【図７】本発明の一実施の形態における薄膜素子の形状を示すシミュレーションのグラフ
【図８】本発明の一実施の形態における形状可変薄膜素子の変位形状を示すシミュレーションのグラフ
【図９】本発明による光学ピックアップの光路を示す図
【図１０】本発明による別の形態における光学ピックアップの光路を示す図
【符号の説明】
【００４７】
１ 基板
２ａ 第１電極
２ｂ 第２電極
３ 圧電膜
４ 反射膜
５ 第１膜
６ 第２膜
７ Ｓｉ基板の加工形状を示す線
８ ダイアフラムの形状（０Ｖ時）を示す線
９ レーザー光源
１０ 受光素子
１１ ビームスプリッタ
１２ 形状可変ミラー素子
１３ ドライバ
１４ 対物レンズ
１５ 光ディスク
１６ １／４波長板
１７ 偏光ビームスプリッタ
１８ 立ち上げミラー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層の薄膜から構成される曲面を有するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の任意の位置における断面形状が変曲点を持たないことを特徴とする薄膜素子。
【請求項２】
少なくとも１層の薄膜から構成されるダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の総膜厚が１００μｍ以下であり、ダイアフラム部の断面の少なくとも一部分が円形状であり、前記円形状の曲率半径が５ｍｍ以下であることを特徴とする薄膜素子。
【請求項３】
前記ダイアフラム部の少なくとも一部分が可動であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜素子。
【請求項４】
前記ダイアフラム部が圧電体と、前記圧電体を挟むように位置する第１電極膜及び第２電極膜とから構成されていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜素子。
【請求項５】
少なくともミラーとしての機能を有する薄膜が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の薄膜素子。
【請求項６】
各膜の膜応力、膜厚、膜厚分布、膜分割により形状が制御されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の薄膜素子。
【請求項７】
前記基板が少なくともＳｉを含む単層もしくは多層構造であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の薄膜素子。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の薄膜素子の製造方法であって、あらかじめ基板を所望の形状に加工した後に薄膜を形成することにより、ダイアフラム部の形状を制御することを特徴とする薄膜素子の製造方法。
【請求項９】
前記基板の加工を、ウェットエッチング法を用いて行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の加工を、ドライエッチング法を用いて行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１１】
前記基板の加工を、グレースケールレジストを用いて行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１２】
前記基板の加工を、ドーピング法を用いて行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１３】
前記基板の加工を、レーザーを用いて行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１４】
前記基板の加工を、機械的研削、研磨により行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１５】
前記基板の加工を、金型を用いたプレス加工により行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１】
少なくとも１層の薄膜から構成される曲面を有するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の任意の位置における断面形状が変曲点を持たないことを特徴とする薄膜素子。
【請求項２】
少なくとも１層の薄膜から構成されるダイアフラム部と、前記ダイアフラム部を支持する基板とから構成される薄膜素子において、ダイアフラム部の総膜厚が１００μｍ以下であり、ダイアフラム部の断面の少なくとも一部分が円形状であり、前記円形状の曲率半径が５ｍｍ以下であることを特徴とする薄膜素子。
【請求項３】
前記ダイアフラム部の少なくとも一部分が可動であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜素子。
【請求項４】
前記ダイアフラム部が圧電体と、前記圧電体を挟むように位置する第１電極膜及び第２電極膜とから構成されていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜素子。
【請求項５】
少なくともミラーとしての機能を有する薄膜が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の薄膜素子。
【請求項６】
各膜の膜応力、膜厚、膜厚分布、膜分割により形状が制御されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の薄膜素子。
【請求項７】
前記基板が少なくともＳｉを含む単層もしくは多層構造であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の薄膜素子。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の薄膜素子の製造方法であって、あらかじめ基板を所望の形状に加工した後に薄膜を形成することにより、ダイアフラム部の形状を制御することを特徴とする薄膜素子の製造方法。
【請求項９】
前記基板の加工を、ウェットエッチング法を用いて行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の加工を、ドライエッチング法を用いて行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１１】
前記基板の加工を、グレースケールレジストを用いて行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１２】
前記基板の加工を、ドーピング法を用いて行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１３】
前記基板の加工を、レーザーを用いて行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１４】
前記基板の加工を、機械的研削、研磨により行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【請求項１５】
前記基板の加工を、金型を用いたプレス加工により行うことを特徴とする請求項８に記載の薄膜素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００６−１１３１０８（Ｐ２００６−１１３１０８Ａ）
【公開日】平成１８年４月２７日（２００６．４．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２９７４２３（Ｐ２００４−２９７４２３）
【出願日】平成１６年１０月１２日（２００４．１０．１２）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年４月２７日（２００６．４．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１０月１２日（２００４．１０．１２）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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