表示装置とその製造方法
【課題】酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による表示装置は、表示素子が設けられている絶縁基板と、絶縁基板に対向して接合されるカバー基板と、絶縁基板とカバー基板のうちのいずれか一方の基板の周縁に沿って設けられ、相互に離隔して配置される複数の第１シーラントと、複数の第１シーラントの間に対応して絶縁基板とカバー基板のうちのもう一方の基板の周縁に沿って設けられる少なくとも一つの第２シーラントと、第１シーラントと第２シーラントとの間に介在される封止薄膜とを含むことを特徴とする。
【解決手段】本発明による表示装置は、表示素子が設けられている絶縁基板と、絶縁基板に対向して接合されるカバー基板と、絶縁基板とカバー基板のうちのいずれか一方の基板の周縁に沿って設けられ、相互に離隔して配置される複数の第１シーラントと、複数の第１シーラントの間に対応して絶縁基板とカバー基板のうちのもう一方の基板の周縁に沿って設けられる少なくとも一つの第２シーラントと、第１シーラントと第２シーラントとの間に介在される封止薄膜とを含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置とその製造方法に関するものであって、より詳しくは、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、フラットパネルディスプレイ装置（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）のうちの低電圧駆動、軽量薄形、広視野角、そして高速応答などの長所によって、最近、ＯＬＥＤ（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）が脚光を浴びている。このようなＯＬＥＤはゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと接続されている画素電極と、画素電極の間を区分している隔壁と、隔壁と隔壁の間の領域に配置されている画素電極の上に形成されている発光層、および発光層の上に形成されている共通電極とを含む。
【０００３】
ここで、発光層は有機物質からなる自発光素子であって、発光層の性能および寿命は水分と酸素に敏感である。つまり、外部から流入した水分および酸素によって発光層が容易に劣化することがある。したがって、有機発光層が設けられた絶縁基板と水分および酸素の流入を防止するカバー基板とを相互に接合させる密封工程を行う。そして、絶縁基板とカバー基板の間にはシーラントのような封止樹脂を介在させて両基板を接合させると同時に外部からの水分および酸素の流入を遮断する。
【０００４】
しかし、シーラントなどの封止樹脂はその材料の特性上、水分および酸素透過率が相対的に大きいという短所がある。これによって、両基板の間の間隔が大きいほど両基板の間に浸透する水分および酸素の量が増加するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的は、本発明によって、表示素子が設けられている絶縁基板と、絶縁基板に対向して接合されるカバー基板と、絶縁基板とカバー基板のうちのいずれか一つの周縁に沿って設けられており、相互離隔配置されている複数の第１シーラントと、複数の第１シーラントの間に対応して絶縁基板とカバー基板のうちの一方の周縁に沿って設けられている少なくとも一つの第２シーラントと、第１シーラントと第２シーラントの間に介在されている封止薄膜とを含むことを特徴とする表示装置によって達成される。
【０００８】
ここで、複数の第１シーラントと第２シーラントの表面は曲面形状であってもよい。そして、封止薄膜の少なくとも一部は絶縁基板およびカバー基板のうちの少なくとも一つと接してもよい。
【０００９】
また、互いに対向する絶縁基板とカバー基板の両面の間の距離は第１シーラントおよび第２シーラントのうちのいずれか一つの高さと封止薄膜の厚さとの合計と実質的に同一であることができる。
【００１０】
ここで、複数の第１シーラントと第２シーラントの高さは実質的に同一であることができる。
【００１１】
そして、複数の第１シーラントの間の離隔した距離は第２シーラントの幅と実質的に同一であることができる。また、封止薄膜は複数の層から形成されてもよい。
【００１２】
ここで、封止薄膜は無機物質を含むんでもよく、封止薄膜はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘ、およびＡｌＮｘのうちの少なくとも一つを含んでもよい。
【００１３】
そして、封止薄膜は絶縁基板とカバー基板の間の周縁に沿って形成されてもよい。また、封止薄膜は表示素子を覆ってもよい。
【００１４】
本発明の目的は、絶縁基板、カバー基板、絶縁基板とカバー基板の周縁に沿って形成されて絶縁基板とカバー基板とを付着させる接着部材を含む表示装置において、接着部材は絶縁基板の上に相互離隔配置されている複数の第１シーラント、第１シーラントの上に形成されており横断面が曲線パターンに形成されている封止薄膜、および封止薄膜の上に形成されてカバー基板と接する第２シーラントを含むことを特徴とする表示装置によって達成される。
【００１５】
そして、封止薄膜の少なくとも一部は絶縁基板およびカバー基板のうちの少なくとも一つと部分的に接してもよい。
【００１６】
また、封止薄膜の曲線パターンは絶縁基板からカバー基板に向かって延長される第１区間と、カバー基板から絶縁基板に向かって延長される第２区間とを含み、第１区間と第２区間は複数個設けられ、相互反復して形成されてもよい。
【００１７】
本発明の他の目的は、カバー基板と表示素子が設けられた絶縁基板を準備し、絶縁基板とカバー基板のうちのいずれか一つの周縁に沿って相互離隔されている複数の第１シーラントを形成し、第１シーラントを硬化させ、第１シーラントの上に封止薄膜を形成し、カバー基板と絶縁基板のうちの他の一つの周縁に沿って第２シーラントを形成し、複数の第１シーラントの間に第２シーラントが対応するように絶縁基板とカバー基板とを対向接合させ、第２シーラントを硬化させることを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
【００１８】
ここで、複数の第１シーラントと第２シーラントはスクリーンプリンティング法またはディスペンシング法によって形成されてもよい。
【００１９】
そして、複数の第１シーラントと第２シーラントの表面は曲面形状であることができる。また、複数の第１シーラントと第２シーラントは熱および光のうちのいずれか一つによって硬化してもよい。
【００２０】
ここで、封止薄膜はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、イオンビーム補助蒸着（ｉｏｎ ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンビームスパッタリング（ｉｏｎ ｂｅａｍ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマ化学気相成長法（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、および電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうちのいずれか一つによって形成してもよい。そして、封止薄膜は表示素子を覆うように形成される。
【００２１】
また、封止薄膜は絶縁基板とカバー基板の間の周縁に沿って形成されてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置が提供される。
【００２３】
また、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。ここで、ある膜（層）が他の膜（層）の上に形成されて（位置して）いるということは、２つの膜（層）が接している場合だけでなく２つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
【００２５】
図１は本発明の第１実施形態による表示装置の構造を説明するための図面であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【００２６】
ＯＬＥＤ１は、電気的な信号を受けて発光する有機物を利用した自発光型素子であって、このような有機物の性能と寿命は、水分と酸素に脆弱である。したがって、有機物（有機発光層）に浸透する酸素と水分を効果的に防止する密封方法が重要である。
【００２７】
本発明の第１実施形態によるＯＬＥＤ１は、図１および図２に示されているように、映像を表示するための表示素子１１０が設けられた絶縁基板１００、絶縁基板１００と対向して接合されて表示素子１１０への酸素または／および水分の流入を防止するカバー基板１２０、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に各基板の周縁に沿って形成されている接着部材を含む。接着部材は絶縁基板１００に設けられた第１シーラント１３０、カバー基板１２０に設けられた第２シーラント１４０、および第１シーラント１３０と第２シーラント１４０の間に介在されている封止薄膜１５０を含む。
【００２８】
絶縁基板１００は透明な基板であって、有機基板またはプラスチック基板であってもよい。そして、図示されていないが、絶縁基板１００の上面、つまり、表示素子１１０と絶縁基板１００の間には遮断層がさらに形成されてもよい。遮断層は絶縁基板１００を通じて表示素子１１０に流入する酸素または水分を遮断し、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３等を含んで構成されてもよい。遮断層はスパッタリングなどの方法によって形成されてもよい。
【００２９】
表示素子１１０は公知の方法によって設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続されている画素電極と、各画素電極間を区分している隔壁と、画素電極の上に形成されている有機発光層と、有機発光層の上に形成されている共通電極などを含む。そして、表示素子１１０は情報処理装置から入力された映像信号に対応する映像を表示する。
【００３０】
カバー基板１２０は絶縁基板１００と同一の材質で設けることができ、またはソーダライムガラス基板（ｓｏｄａ−ｌｉｍｅ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、ボロシリケートガラス基板（ｂｏｒｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、シリケートガラス基板（ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、および鉛ガラス基板（ｌｅａｄ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）等を使用してもよい。カバー基板１２０の厚さは、水分または酸素がカバー基板１２０を通じて表示素子１１０に浸透することを防止するために０．１ｍｍ〜１０ｍｍの厚さであってもよく、好ましくは１ｍｍ〜１０ｍｍの厚さを有してもよい。
【００３１】
絶縁基板１００とカバー基板１２０の間の周縁に沿って第１シーラント１３０および第２シーラント１４０が形成されている。第１および第２シーラント１３０、１４０は、絶縁基板１００とカバー基板１２０によって形成された空間を通じて表示素子１１０に酸素および水分が流入することを防止する密封樹脂である。第１シーラント１３０は、絶縁基板１００の周縁に沿って複数個設けられており、複数の第１シーラント１３０は相互に所定の間隔で離隔されている。そして、第２シーラント１４０は複数の第１シーラント１３０の間に対応してカバー基板１２０の周縁に沿って少なくとも一つが形成されている。
【００３２】
具体的に、図２に示されているように、第１シーラント１３０は絶縁基板１００の外側の周縁に沿って延びている第１部分１３０ａと、第１部分１３０ａから所定の間隔で離隔され、第１部分１３０ａの内側に位置する第２部分１３０ｂとを含む。第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの表面は曲面形状であって、角張っていないように形成されている。これは、後述する封止薄膜１５０が第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの上に形成される場合、第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの角張っている表面によって封止薄膜１５０にオープンされた領域が発生するのを最少化するためである。つまり、均一で綿密な封止薄膜１５０を形成するために第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの表面は曲面形状に設けることが好ましい。第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの横断面はほぼ半円形状を有する。
【００３３】
第２シーラント１４０は第1シーラントの第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂとの間に対応してカバー基板１２０の周縁に沿って形成されている第３部分１４０ａと、第３部分１４０ａから所定の間隔で離隔され、第３部分１４０ａの内側に位置する第４部分１４０ｂとを含む。第３部分１４０ａと第４部分１４０ｂとの間の空間には第２部分１３０ｂが位置するようになる。つまり、第２シーラントの第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂは、第１シーラントの第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂとそれぞれ互い違いに配置されている。
【００３４】
第１シーラント１３０と第２シーラント１４０の高さｈ１、ｈ２は実質的に同一であり、第１シーラントの第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂの間の距離ｌは第２シーラント１４０の幅ｗと実質的に同一に設けられている。ここで、第１シーラント１３０の高さｈ１は絶縁基板１００の表面から第１シーラント１３０の頂上部までの距離であり、第２シーラント１４０の高さｈ２はカバー基板１２０の表面から第２シーラント１４０の頂上部までの距離である。そして、第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの間の距離ｌは絶縁基板１００に隣接した領域で相互に対向する第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの間の距離であり、第２シーラント１４０の幅ｗはカバー基板１２０に隣接した領域に配置される第３部分１４０ａまたは第４部分１４０ｂの幅である。
【００３５】
第１シーラント１３０と第２シーラント１４０の間には封止薄膜１５０が介在されている。封止薄膜１５０は、絶縁基板１００とカバー基板１２０との間に、各基板の周縁に沿って形成されており、封止薄膜１５０の一部は絶縁基板１００およびカバー基板１２０のうちの少なくとも一つと部分的に接している。封止薄膜１５０の横断面は曲線パターンに設けられており、曲線パターンは絶縁基板１００からカバー基板１２０に向かって延びる第１区間ａと、カバー基板１２０から絶縁基板１００に向かう第２区間ｂとを含む。第１区間ａおよび第２区間ｂの両端は絶縁基板１００およびカバー基板１２０と部分的に接している。図２に示されているように、第１区間ａおよび第２区間ｂは複数個設けてもよく、相互に反復して形成される。このような封止薄膜１５０は複数の層で設けられてもよく、無機物質を含む。さらに具体的には、封止薄膜１５０はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘおよびＡｌＮｘのうちのいずれか一つを含んでもよい。このような無機物質からなる封止薄膜１５０は、水分および酸素の透過率が非常に低いので有機発光層を効果的に保護することができる。
【００３６】
このような構造によって、互いに対向する絶縁基板１００とカバー基板１２０の両面の間の距離Ｄは第１シーラント１３０および第２シーラント１４０のうちのいずれか一つの高さ（ｈ１またはｈ２）と封止薄膜１５０の厚さｄとの合計と実質的に同一になる。つまり、従来と比較して、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間の幅Ｄが減るようになるので、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に侵入する酸素および水分の量が減少する。特に、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に侵入する酸素および水分は、封止薄膜１５０、第１部分１３０ａ、封止薄膜１５０、第３部分１４０ａ、封止薄膜１５０、第２部分１３０ｂ、封止薄膜１５０、および第４部分１４０ｂを順に通過してはじめて有機発光層に到達できるので、有機発光層の側面に浸透可能な酸素および水分が最小になる。これによって、表示装置の性能が改善され寿命が延長される。
【００３７】
以下、図３Ａ乃至図３Ｄを参照して本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、図３Ａに示されているように、カバー基板１２０の周縁に沿って第１シーラント１３０を形成する。第１シーラント１３０は相互に所定の間隔で離隔されている第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂとを含む。第１部分１３０ａは絶縁基板１００の周縁に沿って形成されており、第２部分１３０ｂは第１部分１３０ａと離隔され、第１部分１３０ａの内側に形成されている。第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂは所定のパターンが形成されたマスクを利用したスクリーンプリンティング（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）によって同時に形成されてもよく、ディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）法によって形成されてもよい。スクリーンプリンティングまたはディスペンシングによって形成された第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂは自身の粘度による流動性によって角張った表面ではなく、柔らかい曲面形状を有するようになる。このように第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂとを含む第１シーラント１３０の形成が完成した後、第１シーラント１３０に光および熱のうちの少なくとも一つを加えて第１シーラント１３０を硬化させる。
【００３９】
その次に、図３Ｂに示されているように、第１シーラント１３０の上に封止薄膜１５０を形成する。封止薄膜１５０は複数の層で設けてもよく、酸化物および窒化物系列のような無機物質を含む。さらに具体的には、封止薄膜１５０はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘおよびＡｌＮｘのうちのいずれか一つを含んでもよい。このような封止薄膜１５０は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、イオンビーム補助蒸着（ｉｏｎ ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンビームスパッタリング（ｉｏｎ ｂｅａｍ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマ化学気相成長法（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、本明細書においては、プラズマ化学蒸着法ともいう。）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、および電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうちのいずれか一つによって形成されてもよい。ここで、イオンビーム補助蒸着法、イオンビームスパッタリング法、スパッタリング法は膜を形成する粒子の持つエネルギーが高いため、緻密な薄膜構造を得ることができる。しかし、このような方法は表示素子１１０に損傷を与える可能性があるため、表示素子１１０以外の絶縁基板１００の周縁に沿って形成されるのが好ましい。このような無機物質からなる封止薄膜１５０は水分および酸素の透過率が非常に低いので有機発光層を効果的に保護することができる。
【００４０】
一方、図３Ｃに示されているように、第１シーラント１３０の形成と並行してまたは別途の工程で、カバー基板１２０の周縁に沿って第２シーラント１４０を形成する。第２シーラント１４０は第１シーラントの第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂの間に対応してカバー基板１２０の周縁に沿って形成されている第３部分１４０ａと、第３部分１４０ａから所定の間隔で離隔され、第３部分１４０ａの内側に位置する第４部分１４０ｂとを含む。第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂは第１シーラント１３０のようにスクリーンプリンティング（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）法またはディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）法によって形成されてもよい。スクリーンプリンティング時に第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂは第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂの形成に使用される同一のマスクを使用してもよい。第２シーラント１４０はまだ硬化されていない状態である。
【００４１】
絶縁基板１００とカバー基板１２０のそれぞれに第１シーラント１３０と第２シーラント１４０が設けられた後、図３Ｃに示されているように、第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの間に第３部分１４０ａが位置するように位置合わせをして絶縁基板１００とカバー基板１２０とを配置する。つまり、第１シーラントの第１部分１３０ａ、および第２部分１３０ｂが第２シーラントの第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂと互い違いに配置されるように、絶縁基板１００とカバー基板１２０とを位置合わせをして配置する。
【００４２】
その次に、図３Ｄに示されているように、両基板１００、１２０を相互に加圧して接合させる。両基板１００、１２０が接合された状態で第２シーラント１４０に熱および光のうちの少なくとも一つを加えて第２シーラント１４０を硬化させることによって両基板１００、１２０を相互に付着させる。
【００４３】
このような方法によって、第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂと、第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂとが互い違いに接合されるので、従来と比較して、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間の幅が減る。これによって、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に侵入する酸素および水分の量が減少する。特に、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に侵入する酸素および水分は封止薄膜１５０、第１部分１３０ａ、封止薄膜１５０、第３部分１４０ａ、封止薄膜１５０、第２部分１３０ｂ、封止薄膜１５０、および第４部分１４０ｂを通り、はじめて有機発光層に到達できるので、有機発光層の側面に浸透可能な酸素および水分が最小になる。これによって、表示装置の性能が改善され寿命が延長される。
【００４４】
以下、図４を参照して本発明の第２実施形態による表示装置およびその製造方法について説明する。第２実施形態では第１実施形態と異なる特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明が省略された部分は前記第１実施形態または公知の技術による。そして、説明の便宜のために同一の構成要素に対しては同一の参照番号を付与して説明する。
【００４５】
図４に示されているように、封止薄膜１５０は表示素子１１０を覆っており、第２シーラント１４０は第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの間に対応する一つの部分で設けられている。つまり、第２シーラント１４０は少なくとも一つ以上、第１シーラント１３０は少なくとも２つ以上設けられる。第１および第２シーラント１３０、１４０の個数が多いほど側面に侵入する水分および酸素はシーラント１３０、１４０および封止薄膜１５０の複数の層を通過しなければならないので、有機発光層の側面に浸透可能な水分および酸素の量が最少になる。そして、表示素子１１０を覆うように封止薄膜１５０を形成する場合には熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）および電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうちのいずれか一つの方法を使用するのが好ましい。
【００４６】
第１実施形態で前述のようにイオンビーム補助蒸着法、イオンビームスパッタリング法、スパッタリング法のようにプラズマを利用する蒸着法は表示素子１１０に損傷を与えることがあるためである。
【００４７】
一方、図示されたこととは異なり、第１シーラント１３０はカバー基板１２０に設けられ、第２シーラント１４０も絶縁基板１００に設けられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１実施形態による表示装置の構造を説明するための図面である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｃ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｄ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図４】本発明の第２実施形態による表示装置の構造を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００４９】
１ ＯＬＥＤ
１００ 絶縁基板
１１０ 表示素子
１２０ カバー基板
１３０ 第１シーラント
１４０ 第２シーラント
１５０ 封止薄膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置とその製造方法に関するものであって、より詳しくは、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、フラットパネルディスプレイ装置（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）のうちの低電圧駆動、軽量薄形、広視野角、そして高速応答などの長所によって、最近、ＯＬＥＤ（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）が脚光を浴びている。このようなＯＬＥＤはゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと接続されている画素電極と、画素電極の間を区分している隔壁と、隔壁と隔壁の間の領域に配置されている画素電極の上に形成されている発光層、および発光層の上に形成されている共通電極とを含む。
【０００３】
ここで、発光層は有機物質からなる自発光素子であって、発光層の性能および寿命は水分と酸素に敏感である。つまり、外部から流入した水分および酸素によって発光層が容易に劣化することがある。したがって、有機発光層が設けられた絶縁基板と水分および酸素の流入を防止するカバー基板とを相互に接合させる密封工程を行う。そして、絶縁基板とカバー基板の間にはシーラントのような封止樹脂を介在させて両基板を接合させると同時に外部からの水分および酸素の流入を遮断する。
【０００４】
しかし、シーラントなどの封止樹脂はその材料の特性上、水分および酸素透過率が相対的に大きいという短所がある。これによって、両基板の間の間隔が大きいほど両基板の間に浸透する水分および酸素の量が増加するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的は、本発明によって、表示素子が設けられている絶縁基板と、絶縁基板に対向して接合されるカバー基板と、絶縁基板とカバー基板のうちのいずれか一つの周縁に沿って設けられており、相互離隔配置されている複数の第１シーラントと、複数の第１シーラントの間に対応して絶縁基板とカバー基板のうちの一方の周縁に沿って設けられている少なくとも一つの第２シーラントと、第１シーラントと第２シーラントの間に介在されている封止薄膜とを含むことを特徴とする表示装置によって達成される。
【０００８】
ここで、複数の第１シーラントと第２シーラントの表面は曲面形状であってもよい。そして、封止薄膜の少なくとも一部は絶縁基板およびカバー基板のうちの少なくとも一つと接してもよい。
【０００９】
また、互いに対向する絶縁基板とカバー基板の両面の間の距離は第１シーラントおよび第２シーラントのうちのいずれか一つの高さと封止薄膜の厚さとの合計と実質的に同一であることができる。
【００１０】
ここで、複数の第１シーラントと第２シーラントの高さは実質的に同一であることができる。
【００１１】
そして、複数の第１シーラントの間の離隔した距離は第２シーラントの幅と実質的に同一であることができる。また、封止薄膜は複数の層から形成されてもよい。
【００１２】
ここで、封止薄膜は無機物質を含むんでもよく、封止薄膜はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘ、およびＡｌＮｘのうちの少なくとも一つを含んでもよい。
【００１３】
そして、封止薄膜は絶縁基板とカバー基板の間の周縁に沿って形成されてもよい。また、封止薄膜は表示素子を覆ってもよい。
【００１４】
本発明の目的は、絶縁基板、カバー基板、絶縁基板とカバー基板の周縁に沿って形成されて絶縁基板とカバー基板とを付着させる接着部材を含む表示装置において、接着部材は絶縁基板の上に相互離隔配置されている複数の第１シーラント、第１シーラントの上に形成されており横断面が曲線パターンに形成されている封止薄膜、および封止薄膜の上に形成されてカバー基板と接する第２シーラントを含むことを特徴とする表示装置によって達成される。
【００１５】
そして、封止薄膜の少なくとも一部は絶縁基板およびカバー基板のうちの少なくとも一つと部分的に接してもよい。
【００１６】
また、封止薄膜の曲線パターンは絶縁基板からカバー基板に向かって延長される第１区間と、カバー基板から絶縁基板に向かって延長される第２区間とを含み、第１区間と第２区間は複数個設けられ、相互反復して形成されてもよい。
【００１７】
本発明の他の目的は、カバー基板と表示素子が設けられた絶縁基板を準備し、絶縁基板とカバー基板のうちのいずれか一つの周縁に沿って相互離隔されている複数の第１シーラントを形成し、第１シーラントを硬化させ、第１シーラントの上に封止薄膜を形成し、カバー基板と絶縁基板のうちの他の一つの周縁に沿って第２シーラントを形成し、複数の第１シーラントの間に第２シーラントが対応するように絶縁基板とカバー基板とを対向接合させ、第２シーラントを硬化させることを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
【００１８】
ここで、複数の第１シーラントと第２シーラントはスクリーンプリンティング法またはディスペンシング法によって形成されてもよい。
【００１９】
そして、複数の第１シーラントと第２シーラントの表面は曲面形状であることができる。また、複数の第１シーラントと第２シーラントは熱および光のうちのいずれか一つによって硬化してもよい。
【００２０】
ここで、封止薄膜はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、イオンビーム補助蒸着（ｉｏｎ ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンビームスパッタリング（ｉｏｎ ｂｅａｍ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマ化学気相成長法（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、および電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうちのいずれか一つによって形成してもよい。そして、封止薄膜は表示素子を覆うように形成される。
【００２１】
また、封止薄膜は絶縁基板とカバー基板の間の周縁に沿って形成されてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置が提供される。
【００２３】
また、酸素および水分の透過率を最少化することができる表示装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。ここで、ある膜（層）が他の膜（層）の上に形成されて（位置して）いるということは、２つの膜（層）が接している場合だけでなく２つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
【００２５】
図１は本発明の第１実施形態による表示装置の構造を説明するための図面であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【００２６】
ＯＬＥＤ１は、電気的な信号を受けて発光する有機物を利用した自発光型素子であって、このような有機物の性能と寿命は、水分と酸素に脆弱である。したがって、有機物（有機発光層）に浸透する酸素と水分を効果的に防止する密封方法が重要である。
【００２７】
本発明の第１実施形態によるＯＬＥＤ１は、図１および図２に示されているように、映像を表示するための表示素子１１０が設けられた絶縁基板１００、絶縁基板１００と対向して接合されて表示素子１１０への酸素または／および水分の流入を防止するカバー基板１２０、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に各基板の周縁に沿って形成されている接着部材を含む。接着部材は絶縁基板１００に設けられた第１シーラント１３０、カバー基板１２０に設けられた第２シーラント１４０、および第１シーラント１３０と第２シーラント１４０の間に介在されている封止薄膜１５０を含む。
【００２８】
絶縁基板１００は透明な基板であって、有機基板またはプラスチック基板であってもよい。そして、図示されていないが、絶縁基板１００の上面、つまり、表示素子１１０と絶縁基板１００の間には遮断層がさらに形成されてもよい。遮断層は絶縁基板１００を通じて表示素子１１０に流入する酸素または水分を遮断し、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３等を含んで構成されてもよい。遮断層はスパッタリングなどの方法によって形成されてもよい。
【００２９】
表示素子１１０は公知の方法によって設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続されている画素電極と、各画素電極間を区分している隔壁と、画素電極の上に形成されている有機発光層と、有機発光層の上に形成されている共通電極などを含む。そして、表示素子１１０は情報処理装置から入力された映像信号に対応する映像を表示する。
【００３０】
カバー基板１２０は絶縁基板１００と同一の材質で設けることができ、またはソーダライムガラス基板（ｓｏｄａ−ｌｉｍｅ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、ボロシリケートガラス基板（ｂｏｒｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、シリケートガラス基板（ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、および鉛ガラス基板（ｌｅａｄ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）等を使用してもよい。カバー基板１２０の厚さは、水分または酸素がカバー基板１２０を通じて表示素子１１０に浸透することを防止するために０．１ｍｍ〜１０ｍｍの厚さであってもよく、好ましくは１ｍｍ〜１０ｍｍの厚さを有してもよい。
【００３１】
絶縁基板１００とカバー基板１２０の間の周縁に沿って第１シーラント１３０および第２シーラント１４０が形成されている。第１および第２シーラント１３０、１４０は、絶縁基板１００とカバー基板１２０によって形成された空間を通じて表示素子１１０に酸素および水分が流入することを防止する密封樹脂である。第１シーラント１３０は、絶縁基板１００の周縁に沿って複数個設けられており、複数の第１シーラント１３０は相互に所定の間隔で離隔されている。そして、第２シーラント１４０は複数の第１シーラント１３０の間に対応してカバー基板１２０の周縁に沿って少なくとも一つが形成されている。
【００３２】
具体的に、図２に示されているように、第１シーラント１３０は絶縁基板１００の外側の周縁に沿って延びている第１部分１３０ａと、第１部分１３０ａから所定の間隔で離隔され、第１部分１３０ａの内側に位置する第２部分１３０ｂとを含む。第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの表面は曲面形状であって、角張っていないように形成されている。これは、後述する封止薄膜１５０が第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの上に形成される場合、第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの角張っている表面によって封止薄膜１５０にオープンされた領域が発生するのを最少化するためである。つまり、均一で綿密な封止薄膜１５０を形成するために第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの表面は曲面形状に設けることが好ましい。第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの横断面はほぼ半円形状を有する。
【００３３】
第２シーラント１４０は第1シーラントの第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂとの間に対応してカバー基板１２０の周縁に沿って形成されている第３部分１４０ａと、第３部分１４０ａから所定の間隔で離隔され、第３部分１４０ａの内側に位置する第４部分１４０ｂとを含む。第３部分１４０ａと第４部分１４０ｂとの間の空間には第２部分１３０ｂが位置するようになる。つまり、第２シーラントの第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂは、第１シーラントの第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂとそれぞれ互い違いに配置されている。
【００３４】
第１シーラント１３０と第２シーラント１４０の高さｈ１、ｈ２は実質的に同一であり、第１シーラントの第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂの間の距離ｌは第２シーラント１４０の幅ｗと実質的に同一に設けられている。ここで、第１シーラント１３０の高さｈ１は絶縁基板１００の表面から第１シーラント１３０の頂上部までの距離であり、第２シーラント１４０の高さｈ２はカバー基板１２０の表面から第２シーラント１４０の頂上部までの距離である。そして、第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの間の距離ｌは絶縁基板１００に隣接した領域で相互に対向する第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの間の距離であり、第２シーラント１４０の幅ｗはカバー基板１２０に隣接した領域に配置される第３部分１４０ａまたは第４部分１４０ｂの幅である。
【００３５】
第１シーラント１３０と第２シーラント１４０の間には封止薄膜１５０が介在されている。封止薄膜１５０は、絶縁基板１００とカバー基板１２０との間に、各基板の周縁に沿って形成されており、封止薄膜１５０の一部は絶縁基板１００およびカバー基板１２０のうちの少なくとも一つと部分的に接している。封止薄膜１５０の横断面は曲線パターンに設けられており、曲線パターンは絶縁基板１００からカバー基板１２０に向かって延びる第１区間ａと、カバー基板１２０から絶縁基板１００に向かう第２区間ｂとを含む。第１区間ａおよび第２区間ｂの両端は絶縁基板１００およびカバー基板１２０と部分的に接している。図２に示されているように、第１区間ａおよび第２区間ｂは複数個設けてもよく、相互に反復して形成される。このような封止薄膜１５０は複数の層で設けられてもよく、無機物質を含む。さらに具体的には、封止薄膜１５０はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘおよびＡｌＮｘのうちのいずれか一つを含んでもよい。このような無機物質からなる封止薄膜１５０は、水分および酸素の透過率が非常に低いので有機発光層を効果的に保護することができる。
【００３６】
このような構造によって、互いに対向する絶縁基板１００とカバー基板１２０の両面の間の距離Ｄは第１シーラント１３０および第２シーラント１４０のうちのいずれか一つの高さ（ｈ１またはｈ２）と封止薄膜１５０の厚さｄとの合計と実質的に同一になる。つまり、従来と比較して、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間の幅Ｄが減るようになるので、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に侵入する酸素および水分の量が減少する。特に、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に侵入する酸素および水分は、封止薄膜１５０、第１部分１３０ａ、封止薄膜１５０、第３部分１４０ａ、封止薄膜１５０、第２部分１３０ｂ、封止薄膜１５０、および第４部分１４０ｂを順に通過してはじめて有機発光層に到達できるので、有機発光層の側面に浸透可能な酸素および水分が最小になる。これによって、表示装置の性能が改善され寿命が延長される。
【００３７】
以下、図３Ａ乃至図３Ｄを参照して本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、図３Ａに示されているように、カバー基板１２０の周縁に沿って第１シーラント１３０を形成する。第１シーラント１３０は相互に所定の間隔で離隔されている第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂとを含む。第１部分１３０ａは絶縁基板１００の周縁に沿って形成されており、第２部分１３０ｂは第１部分１３０ａと離隔され、第１部分１３０ａの内側に形成されている。第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂは所定のパターンが形成されたマスクを利用したスクリーンプリンティング（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）によって同時に形成されてもよく、ディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）法によって形成されてもよい。スクリーンプリンティングまたはディスペンシングによって形成された第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂは自身の粘度による流動性によって角張った表面ではなく、柔らかい曲面形状を有するようになる。このように第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂとを含む第１シーラント１３０の形成が完成した後、第１シーラント１３０に光および熱のうちの少なくとも一つを加えて第１シーラント１３０を硬化させる。
【００３９】
その次に、図３Ｂに示されているように、第１シーラント１３０の上に封止薄膜１５０を形成する。封止薄膜１５０は複数の層で設けてもよく、酸化物および窒化物系列のような無機物質を含む。さらに具体的には、封止薄膜１５０はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘおよびＡｌＮｘのうちのいずれか一つを含んでもよい。このような封止薄膜１５０は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、イオンビーム補助蒸着（ｉｏｎ ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンビームスパッタリング（ｉｏｎ ｂｅａｍ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマ化学気相成長法（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、本明細書においては、プラズマ化学蒸着法ともいう。）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、および電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうちのいずれか一つによって形成されてもよい。ここで、イオンビーム補助蒸着法、イオンビームスパッタリング法、スパッタリング法は膜を形成する粒子の持つエネルギーが高いため、緻密な薄膜構造を得ることができる。しかし、このような方法は表示素子１１０に損傷を与える可能性があるため、表示素子１１０以外の絶縁基板１００の周縁に沿って形成されるのが好ましい。このような無機物質からなる封止薄膜１５０は水分および酸素の透過率が非常に低いので有機発光層を効果的に保護することができる。
【００４０】
一方、図３Ｃに示されているように、第１シーラント１３０の形成と並行してまたは別途の工程で、カバー基板１２０の周縁に沿って第２シーラント１４０を形成する。第２シーラント１４０は第１シーラントの第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂの間に対応してカバー基板１２０の周縁に沿って形成されている第３部分１４０ａと、第３部分１４０ａから所定の間隔で離隔され、第３部分１４０ａの内側に位置する第４部分１４０ｂとを含む。第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂは第１シーラント１３０のようにスクリーンプリンティング（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）法またはディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）法によって形成されてもよい。スクリーンプリンティング時に第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂは第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂの形成に使用される同一のマスクを使用してもよい。第２シーラント１４０はまだ硬化されていない状態である。
【００４１】
絶縁基板１００とカバー基板１２０のそれぞれに第１シーラント１３０と第２シーラント１４０が設けられた後、図３Ｃに示されているように、第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの間に第３部分１４０ａが位置するように位置合わせをして絶縁基板１００とカバー基板１２０とを配置する。つまり、第１シーラントの第１部分１３０ａ、および第２部分１３０ｂが第２シーラントの第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂと互い違いに配置されるように、絶縁基板１００とカバー基板１２０とを位置合わせをして配置する。
【００４２】
その次に、図３Ｄに示されているように、両基板１００、１２０を相互に加圧して接合させる。両基板１００、１２０が接合された状態で第２シーラント１４０に熱および光のうちの少なくとも一つを加えて第２シーラント１４０を硬化させることによって両基板１００、１２０を相互に付着させる。
【００４３】
このような方法によって、第１部分１３０ａおよび第２部分１３０ｂと、第３部分１４０ａおよび第４部分１４０ｂとが互い違いに接合されるので、従来と比較して、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間の幅が減る。これによって、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に侵入する酸素および水分の量が減少する。特に、絶縁基板１００とカバー基板１２０の間に侵入する酸素および水分は封止薄膜１５０、第１部分１３０ａ、封止薄膜１５０、第３部分１４０ａ、封止薄膜１５０、第２部分１３０ｂ、封止薄膜１５０、および第４部分１４０ｂを通り、はじめて有機発光層に到達できるので、有機発光層の側面に浸透可能な酸素および水分が最小になる。これによって、表示装置の性能が改善され寿命が延長される。
【００４４】
以下、図４を参照して本発明の第２実施形態による表示装置およびその製造方法について説明する。第２実施形態では第１実施形態と異なる特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明が省略された部分は前記第１実施形態または公知の技術による。そして、説明の便宜のために同一の構成要素に対しては同一の参照番号を付与して説明する。
【００４５】
図４に示されているように、封止薄膜１５０は表示素子１１０を覆っており、第２シーラント１４０は第１部分１３０ａと第２部分１３０ｂの間に対応する一つの部分で設けられている。つまり、第２シーラント１４０は少なくとも一つ以上、第１シーラント１３０は少なくとも２つ以上設けられる。第１および第２シーラント１３０、１４０の個数が多いほど側面に侵入する水分および酸素はシーラント１３０、１４０および封止薄膜１５０の複数の層を通過しなければならないので、有機発光層の側面に浸透可能な水分および酸素の量が最少になる。そして、表示素子１１０を覆うように封止薄膜１５０を形成する場合には熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）および電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうちのいずれか一つの方法を使用するのが好ましい。
【００４６】
第１実施形態で前述のようにイオンビーム補助蒸着法、イオンビームスパッタリング法、スパッタリング法のようにプラズマを利用する蒸着法は表示素子１１０に損傷を与えることがあるためである。
【００４７】
一方、図示されたこととは異なり、第１シーラント１３０はカバー基板１２０に設けられ、第２シーラント１４０も絶縁基板１００に設けられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１実施形態による表示装置の構造を説明するための図面である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｃ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｄ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図４】本発明の第２実施形態による表示装置の構造を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００４９】
１ ＯＬＥＤ
１００ 絶縁基板
１１０ 表示素子
１２０ カバー基板
１３０ 第１シーラント
１４０ 第２シーラント
１５０ 封止薄膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示素子が設けられている絶縁基板と、
前記絶縁基板に対向して接合されるカバー基板と、
前記絶縁基板と前記カバー基板のうちのいずれか一方の基板の周縁に沿って設けられ、相互に離隔して配置される複数の第１シーラントと、
前記複数の第１シーラントの間に対応して前記絶縁基板と前記カバー基板のうちのもう一方の基板の周縁に沿って設けられる少なくとも一つの第２シーラントと、
前記第１シーラントと前記第２シーラントとの間に介在される封止薄膜と
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の第１シーラントおよび前記第２シーラントの表面は曲面形状であることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記封止薄膜の少なくとも一部は前記絶縁基板および前記カバー基板のうちの少なくとも一つと接していることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
互いに対向する前記絶縁基板と前記カバー基板の両面の間の距離は前記第１シーラントおよび前記第２シーラントのうちのいずれか一つの高さと前記封止薄膜の厚さとの合計と実質的に同一であることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の第１シーラントと前記第２シーラントの高さは実質的に同一であることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
各前記複数の第１シーラント同士の間の距離は前記第２シーラントの幅と実質的に同一であることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記封止薄膜は複数の層からなることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記封止薄膜は無機物質を含むことを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記封止薄膜はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘ、およびＡｌＮｘのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記封止薄膜は前記絶縁基板と前記カバー基板の間の周縁に沿って形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記封止薄膜は前記表示素子を覆っていることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
絶縁基板と、
カバー基板と、
前記絶縁基板と前記カバー基板の周縁に沿って形成されて前記絶縁基板と前記カバー基板とを付着させる接着部材とを含む表示装置であり、
前記接着部材は前記絶縁基板の上に相互に離隔して配置される複数の第１シーラント、前記第１シーラントの上に形成されており横断面が曲線パターンに形成されている封止薄膜、および前記封止薄膜の上に形成されて前記カバー基板と接する第２シーラントを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
前記封止薄膜の少なくとも一部は前記絶縁基板および前記カバー基板のうちの少なくとも一つと部分的に接していることを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記封止薄膜の曲線パターンは前記絶縁基板から前記カバー基板に向かって延びる第１区間と、前記カバー基板から前記絶縁基板に向かって延びる第２区間とを含み、
前記第１区間と前記第２区間は複数個設けられ、相互に反復して形成されていることを特徴とする、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
カバー基板と表示素子が設けられた絶縁基板を準備し、
前記絶縁基板と前記カバー基板のうちのいずれか一方の基板の周縁に沿って相互に離隔されている複数の第１シーラントを形成し、
前記第１シーラントを硬化させ、
前記第１シーラントの上に封止薄膜を形成し、
前記カバー基板と前記絶縁基板のうちのもう一方の基板の周縁に沿って第２シーラントを形成し、
前記複数の第１シーラントの間に前記第２シーラントが対応するように前記絶縁基板と前記カバー基板とを対向して接合させ、
前記第２シーラントを硬化させること
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記複数の第１シーラントおよび前記第２シーラントはスクリーンプリンティング法またはディスペンシング法によって形成されることを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記複数の第１シーラントと前記第２シーラントの表面は曲面形状であることを特徴とする、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記複数の第１シーラントと前記第２シーラントは熱および光のうちのいずれか一つによって硬化されることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記封止薄膜はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、イオンビーム補助蒸着（ｉｏｎ ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンビームスパッタリング（ｉｏｎ ｂｅａｍ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマ化学気相成長法（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、および電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうちのいずれか一つによって形成されることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記封止薄膜は前記表示素子を覆うように形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記封止薄膜は前記絶縁基板と前記カバー基板の間にいずれかの基板の周縁に沿って形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
表示素子が設けられている絶縁基板と、
前記絶縁基板に対向して接合されるカバー基板と、
前記絶縁基板と前記カバー基板のうちのいずれか一方の基板の周縁に沿って設けられ、相互に離隔して配置される複数の第１シーラントと、
前記複数の第１シーラントの間に対応して前記絶縁基板と前記カバー基板のうちのもう一方の基板の周縁に沿って設けられる少なくとも一つの第２シーラントと、
前記第１シーラントと前記第２シーラントとの間に介在される封止薄膜と
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の第１シーラントおよび前記第２シーラントの表面は曲面形状であることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記封止薄膜の少なくとも一部は前記絶縁基板および前記カバー基板のうちの少なくとも一つと接していることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
互いに対向する前記絶縁基板と前記カバー基板の両面の間の距離は前記第１シーラントおよび前記第２シーラントのうちのいずれか一つの高さと前記封止薄膜の厚さとの合計と実質的に同一であることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の第１シーラントと前記第２シーラントの高さは実質的に同一であることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
各前記複数の第１シーラント同士の間の距離は前記第２シーラントの幅と実質的に同一であることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記封止薄膜は複数の層からなることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記封止薄膜は無機物質を含むことを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記封止薄膜はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘ、およびＡｌＮｘのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記封止薄膜は前記絶縁基板と前記カバー基板の間の周縁に沿って形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記封止薄膜は前記表示素子を覆っていることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
絶縁基板と、
カバー基板と、
前記絶縁基板と前記カバー基板の周縁に沿って形成されて前記絶縁基板と前記カバー基板とを付着させる接着部材とを含む表示装置であり、
前記接着部材は前記絶縁基板の上に相互に離隔して配置される複数の第１シーラント、前記第１シーラントの上に形成されており横断面が曲線パターンに形成されている封止薄膜、および前記封止薄膜の上に形成されて前記カバー基板と接する第２シーラントを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
前記封止薄膜の少なくとも一部は前記絶縁基板および前記カバー基板のうちの少なくとも一つと部分的に接していることを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記封止薄膜の曲線パターンは前記絶縁基板から前記カバー基板に向かって延びる第１区間と、前記カバー基板から前記絶縁基板に向かって延びる第２区間とを含み、
前記第１区間と前記第２区間は複数個設けられ、相互に反復して形成されていることを特徴とする、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
カバー基板と表示素子が設けられた絶縁基板を準備し、
前記絶縁基板と前記カバー基板のうちのいずれか一方の基板の周縁に沿って相互に離隔されている複数の第１シーラントを形成し、
前記第１シーラントを硬化させ、
前記第１シーラントの上に封止薄膜を形成し、
前記カバー基板と前記絶縁基板のうちのもう一方の基板の周縁に沿って第２シーラントを形成し、
前記複数の第１シーラントの間に前記第２シーラントが対応するように前記絶縁基板と前記カバー基板とを対向して接合させ、
前記第２シーラントを硬化させること
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記複数の第１シーラントおよび前記第２シーラントはスクリーンプリンティング法またはディスペンシング法によって形成されることを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記複数の第１シーラントと前記第２シーラントの表面は曲面形状であることを特徴とする、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記複数の第１シーラントと前記第２シーラントは熱および光のうちのいずれか一つによって硬化されることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記封止薄膜はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、イオンビーム補助蒸着（ｉｏｎ ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンビームスパッタリング（ｉｏｎ ｂｅａｍ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、プラズマ化学気相成長法（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、および電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のうちのいずれか一つによって形成されることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記封止薄膜は前記表示素子を覆うように形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記封止薄膜は前記絶縁基板と前記カバー基板の間にいずれかの基板の周縁に沿って形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４】
【公開番号】特開２００７−３２４１２１（Ｐ２００７−３２４１２１Ａ）
【公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１０２４８３（Ｐ２００７−１０２４８３）
【出願日】平成１９年４月１０日（２００７．４．１０）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月１３日（２００７．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月１０日（２００７．４．１０）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
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