車両のシフト位置検出装置
【課題】シフトレバーが２軸方向に移動する場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することが可能な車両のシフト位置検出装置を提供する。
【解決手段】このシフト位置検出装置は、車両のシフトレバーの２軸方向の操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するとともにこの移動に伴ってＭＲＥセンサ１に近接するカウンタ磁石２と、ＭＲＥセンサ１にバイアス磁界を付与するバイアス磁石３とを備えている。そして、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近づくときに生じるバイアス磁界の磁気ベクトルの変化をＭＲＥセンサ１により感知してカウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接を検知するとともに、この検知に基づいてシフトレバーのシフト位置を検出する。ここでは、バイアス磁石３の着磁方向とカウンタ磁石２の着磁方向とを互いに直交させるようにしている。
【解決手段】このシフト位置検出装置は、車両のシフトレバーの２軸方向の操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するとともにこの移動に伴ってＭＲＥセンサ１に近接するカウンタ磁石２と、ＭＲＥセンサ１にバイアス磁界を付与するバイアス磁石３とを備えている。そして、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近づくときに生じるバイアス磁界の磁気ベクトルの変化をＭＲＥセンサ１により感知してカウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接を検知するとともに、この検知に基づいてシフトレバーのシフト位置を検出する。ここでは、バイアス磁石３の着磁方向とカウンタ磁石２の着磁方向とを互いに直交させるようにしている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車両のシフトレバーのシフト位置を検出する車両のシフト位置検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両の運転者により操作されるシフトレバーと車両の変速機との間の機械的な連結を排除した上で、シフトレバーのシフト位置をシフト位置検出装置により検出し、この検出されるシフト位置に基づいて変速機のシフトレンジの切り替えを行う、いわゆるバイワイヤ式のシフト装置が周知である。そして、従来、この種の車両のシフト装置としては、例えば特許文献１に記載の装置がある。図２０にこの特許文献１に記載のシフト装置の斜視構造を、また、図２１にこのシフト装置の断面構造を、さらに、図２２に図２１のＡ−Ａ線に沿った断面構造をそれぞれ示す。
【０００３】
図２０に示されるように、このシフト装置は、基本的には、車両の運転者が把持する部分となる把持部６０ａが設けられたシフトレバー６０と、シフトレバー６０が挿通される部分として十字状のシフトゲート６１ａが形成されたケース６１とを有している。ちなみに、このシフト装置では、シフトレバー６０の中立位置がシフトゲート６１ａの中央位置に設定されている。また、シフトレバー６０のシフト位置、すなわち「Ｐ（パーキング）位置」、「Ｎ（ニュートラル）位置」、「Ｒ（リバース）位置」、及び「Ｄ（ドライブ）位置」の各位置がシフトゲート６１ａの端部の位置に対応してそれぞれ設定されている。
【０００４】
ここで、図１６に示されるように、シフトレバー６０は、ケース６１の内部に設けられた支持部材６２により支持されており、この支持部材６２により支持されている部分を中心に揺動する。また、このシフトレバー６０の基端部には、磁石６０ｂが設けられており、シフトレバー６０の揺動に伴って磁石６０ｂが揺動する構造となっている。一方、ケース６１の内部には、磁石６０ｂに対向するかたちで基板６４が配設されるとともに、図２２に示されるように、この基板６４に、磁石６０ｂから発せられる磁気を検出する磁気センサ６３ａ〜６３ｅが十字状に配置されている。ちなみに、これらの磁気センサ６３ａ〜６３ｅは、シフトレバー６０が中立位置及び各シフト位置に位置しているときの磁石６０ｂの位置に対向するかたちでそれぞれ配設されている。また、このシフト装置では、磁石６０ｂ、磁気センサ６３ａ〜６３ｅ、及び基板６４等によりシフト位置検出装置が構成されている。
【０００５】
そして、このシフト装置では、運転者が、例えばシフトレバー６０を中立位置から「Ｐ位置」まで操作したときに磁石６０ｂが磁気センサ６３ａに対向する位置から磁気センサ６３ｂに対向する位置まで移動して、磁石６０ｂから発せられる磁界が磁気センサ６３ｂを通じて検出されるようになる。そして、このシフト装置では、磁気センサ６３ｂを通じて磁石６０ｂの磁界が検出されるようになったことに基づいてシフトレバー６０が「Ｐ位置」に操作されたと判断して、車両の自動変速機のシフトレンジを「Ｐ（パーキング）レンジ」に切り替える変速制御を行う。
【０００６】
車両のシフト装置としてこうしたシフトバイワイヤ式のシフト装置を採用することで、車室内のシフトレバーの配設位置を自由に変更することが可能になるなど、車両設計の自由度を大きく高めることができるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１０１９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、磁石６０ｂから発せられる磁界を検出するための磁気センサ６３ａ〜６３ｅとしては、例えばホール効果により磁界に応じたホール電圧信号を出力するホール素子により構成されるセンサや、磁気抵抗効果により磁界に応じて抵抗値を変化させる磁気抵抗素子により構成される磁気抵抗効果センサ（ＭＲＥセンサ）などを採用することができる。図２３は、磁気センサとしてＭＲＥセンサを用いるようにしたシフト位置検出装置において一般的に採用されている構造であって、磁石が磁気センサに近接したか否かを検知する近接検知構造の一例についてその斜視構造を示したものである。なお、この図２３では、便宜上、１つの磁気センサの付近の構造のみを示している。
【０００９】
同図１８に示されるように、この近接検知構造は、基本的には、上記磁石６０ｂに対応するカウンタ磁石７０と、上記磁気センサ６３ａ〜６３ｅのうちのいずれか１つの磁気センサに対応するＭＲＥセンサ７１とを有している。ここで、このカウンタ磁石７０は、運転者によるシフトレバーの操作に伴って図中の矢印ｘ１，ｘ２で示す方向に移動するものであり、その移動方向と直交する方向に着磁されている。また、ＭＲＥセンサ７１は、上記カウンタ磁石７０の移動方向及びカウンタ磁石７０の着磁方向の双方に平行となるように配置された磁気感知面（センサ面）を有しており、このセンサ面に平行な磁気ベクトルを感知してその向きに応じた電圧信号を出力する。ちなみに、ＭＲＥセンサ７１のセンサ面には、バイアス磁石７２から発せられるバイアス磁界が常時付与されている。
【００１０】
そして、この近接検知構造では、運転者によってシフトレバーが操作されると、同シフトレバーと一体となってカウンタ磁石７０が矢印ｘ１，ｘ２で示す方向に移動するため、カウンタ磁石７０の移動位置に応じてＭＲＥセンサ７１に付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルに変化が生じる。すなわち、シフトレバーの移動位置に応じてＭＲＥセンサ７１の出力信号に変化が生じるようになるため、このＭＲＥセンサ７１の出力信号に基づいてカウンタ磁石７０がＭＲＥセンサ７１に近接したことを検知することができるようになる。したがって、この図１８に例示する近接検知構造を上記特許文献１に記載のシフト装置において利用するようにすれば、シフトレバーが各シフト位置に操作されたか否かを検知することができるようになる。
【００１１】
ただし、図１８に例示した近接検知構造では、ＭＲＥセンサによりそのセンサ面に平行な磁気ベクトルの変化を感知することはできるが、センサ面に直交する方向（図中の矢印ｙ１，ｙ２で示す方向）の磁気ベクトルの変化を感知することができない。すなわち、図１８に例示した近接検知構造では、カウンタ磁石７０が矢印ｙ１，ｙ２で示す方向にも移動する場合に、ＭＲＥセンサ７１を通じて磁気ベクトルの変化を検出することが難しくなるため、カウンタ磁石７０がＭＲＥセンサ７１に接近したことを検知することが困難になるおそれがある。したがって、上記特許文献１に記載のシフト装置では、磁石６０ｂが２軸方向に移動する部分に配置される磁気センサ、すなわち磁気センサ６３ａにおいて磁石６０ｂの位置を検出することが難しくなるため、これに起因してシフトレバー６０が中立位置であるか否かを検出することが難しくなるおそれがある。ちなみに、こうした問題に対しては、例えば上記磁気センサ６３ａとして２つのＭＲＥセンサを用意して、それぞれのセンサ面が矢印ｘ１，ｘ２で示す方向及び矢印ｙ１，ｙ２で示す方向に平行となるように２つのＭＲＥセンサを配置するといった方法を採用することも可能である。しかしながら、こうした方法を採用するようにした場合には、シフト位置検出装置としての部品点数の増加やコストの増大を招くおそれがある。
【００１２】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、シフトレバーが２軸方向に移動する場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することが可能な車両のシフト位置検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、磁気抵抗素子により構成される磁気抵抗効果センサと、車両のシフトレバーの２軸方向の操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するとともにこの移動に伴って前記磁気抵抗効果センサに近接するカウンタ磁石と、前記磁気抵抗効果センサにバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを備え、前記カウンタ磁石が前記磁気抵抗効果センサに近づくとき前記バイアス磁界の磁気ベクトルに生じる変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記カウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知するとともに、このカウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知することに基づいて前記シフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置において、前記磁気抵抗効果センサは、前記２軸方向を含む平面に平行な磁気ベクトルを感知可能に配置されるとともに、前記バイアス磁石は、前記２軸方向を含む平面に平行な方向に着磁され、前記カウンタ磁石は、前記２軸方向を含む平面に平行な方向であって且つ、前記バイアス磁石の着磁方向と所定角度を成す方向に着磁されてなることを要旨としている。
【００１４】
同構成によれば、カウンタ磁石が互いに直交する２軸方向のいずれかの方向に移動して磁気抵抗効果センサに近づくときに、バイアス磁界の磁気ベクトル（より詳細にはその向き）に変化が生じるとともに、この磁気ベクトルの変化を磁気抵抗効果センサを通じて感知することができるようになる。したがって、カウンタ磁石の２軸方向に移動する部分に対応して磁気抵抗効果センサを配置するようにしたとしても、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近接したことを１つの磁気抵抗効果センサにより検知することができるようになる。このため、シフトレバーが２軸方向に操作される場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することができるようになる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のシフト位置検出装置において、前記バイアス磁石は、前記２軸方向のうちの１軸方向と平行な方向に着磁されるとともに、前記カウンタ磁石は、前記バイアス磁石の着磁方向と直交する方向に着磁されてなることを要旨としている。
【００１６】
同構成によれば、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近づくときに、バイアス磁石から発せられるバイアス磁界に対してこれと直交する磁界が付与されるようになるため、例えばバイアス磁界に対してこれと鋭角をなす磁界が付与される場合と比較すると、バイアス磁界の磁気ベクトルが大きく変化するようになる。このため、カウンタ磁石の磁気抵抗効果センサへの近接を検知し易くなるため、シフトレバーのシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のシフト位置検出装置において、前記カウンタ磁石は、その着磁方向と直交する方向の側面にヨークを有してなることを要旨としている。
【００１８】
同構成によるように、カウンタ磁石においてその着磁方向と直交する方向の側面にヨークを設けるようにすれば、カウンタ磁石の側面の付近に生じる磁気を集磁することができるようになる。このため、カウンタ磁石にヨークを設けていない場合と比較すると、カウンタ磁石がその着磁方向と直交する方向に移動して磁気抵抗効果センサに近づく際に、磁気抵抗効果センサに付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルが大きく変化するようになる。したがって、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近づく際の磁気抵抗効果センサの出力信号の応答性が向上するようになるため、例えば磁気抵抗効果センサの個体差や組み付け誤差などに起因して同センサの出力信号にばらつきが生じたとしても、その影響を抑制しつつカウンタ磁石の磁気抵抗効果素子への近接を検出することができるようになる。すなわち、カウンタ磁石の磁気抵抗効果センサへの近接を高い精度で検出することができるようになるため、シフトレバーのシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載のシフト位置検出装置において、前記磁気抵抗効果センサ及び前記バイアス磁石は、前記カウンタ磁石の着磁方向である１軸方向に沿って複数並設され、この並設された複数のバイアス磁石が、前記１軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなる着磁方向を有してなることを要旨としている。
【００２０】
同構成によるように、磁気抵抗効果センサ及びバイアス磁石がカウンタ磁石の着磁方向である１軸方向に沿って複数並設されている場合には、この並設された複数のバイアス磁石を１軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなるように着磁することで、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近づく際の磁気抵抗効果センサの出力信号の応答性が向上することを発明者は新たに見出した。そして、磁気抵抗効果センサの出力信号の応答性が向上するようになれば、例えば磁気抵抗効果センサの個体差や組み付け誤差などに起因して同センサの出力信号にばらつきが生じたとしても、その影響を抑制しつつカウンタ磁石の磁気抵抗効果素子への近接を検出することができるようになる。したがって、カウンタ磁石の磁気抵抗効果センサへの近接を高い精度で検出することができるようになるため、シフトレバーのシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明にかかる車両のシフト位置検出装置によれば、シフトレバーが２軸方向に移動する場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第１の実施形態に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す斜視図。
【図２】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す正面図。
【図３】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す回路図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図６】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置を利用した車両のシフト装置についてその斜視構造を示す斜視図。
【図７】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置についてその断面構造を示す断面図。
【図８】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置についてその平面構造を示す平面図。
【図９】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置についてそのシステム構成を示すブロック図。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置の動作例を示すタイミングチャート。
【図１１】本発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第２の実施形態に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理の一例を示す斜視図。
【図１２】同第２の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す正面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、同第２の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、同第２の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図１５】本発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第３の実施形態に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理の一例を示す平面図。
【図１６】本発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第３の実施形態に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理の一例を示す側面図。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、同第３の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、同第３の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図１９】同第３の実施形態の車両のシフト位置検出装置についてその平面構造を示す平面図。
【図２０】従来の車両のシフト装置についてその一例を示す斜視図。
【図２１】従来の車両のシフト装置の断面構造を示す断面図。
【図２２】図２１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を示す断面図。
【図２３】従来のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第１の実施形態］
（原理の説明）
この発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第１の実施形態について説明するに先立ち、同実施形態の原理ついてまずは説明する。
【００２４】
図１及び図２は、互いに直交する２軸方向に移動するカウンタ磁石２の磁気抵抗効果センサ（ＭＲＥセンサ）１への近接を検知する構造に採用して有効な近接検知構造の一例についてその斜視構造及び正面構造をそれぞれ示したものである。なお、図１では、カウンタ磁石２の互いに直交する２軸の移動方向を矢印ｘ１，ｘ２で示すｘ軸方向及び矢印ｙ１，ｙ２で示すｙ軸方向でそれぞれ示している。
【００２５】
これら図１及び図２に示されるように、この近接検知構造では、ＭＲＥセンサ１の下部に、矢印ｘ２で示す方向に着磁された立方体形状のバイアス磁石３が固定配設されており、このバイアス磁石３から発せられる矢印ｘ１で示す方向のバイアス磁界がＭＲＥセンサ１に常時付与されている。また、ＭＲＥセンサ１の上部には、ｘ軸方向に長辺方向を有する直方体形状のカウンタ磁石２が配置されており、このカウンタ磁石２が、矢印ｙ１で示す方向に、換言すればバイアス磁石３の着磁方向と直交する方向に着磁されている。また、この近接検知構造では、カウンタ磁石２が図中の位置からｘ軸方向及びｙ軸方向の２軸方向に移動することができる構造になっている。すなわち、この近接検知構造では、例えば図中の位置から離間していたカウンタ磁石２が図中の位置まで移動しようとしてＭＲＥセンサ１に近づいたとすると、ＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルが、カウンタ磁石２から発せられる矢印ｙ２で示す方向の磁界の影響を受けて変化する。そして、こうした磁気ベクトルの変化が上記ＭＲＥセンサ１により感知されることで、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に接近したことを検知する。ちなみに、このＭＲＥセンサ１は、バイアス磁界の磁気ベクトルの変化を感知すべく、ｘ軸方向及びｙ軸方向の双方に平行となるように配置された磁気感知面（センサ面）を有しており、バイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じた電気信号を出力する。
【００２６】
次に、上記ＭＲＥセンサ１の処理回路を含めた電気的な構成について、図３に示す等価回路を併せ参照して説明する。
同図３に示されるように、この近接検知構造において、ＭＲＥセンサ１は、そのセンサ面に平行な磁気ベクトルを感知してその向きに応じて抵抗値を変化させる４つの磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４を備え、これらの磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４がブリッジ接続されたブリッジ回路１１を有して構成されている。このうち、磁気抵抗素子Ｍ１及びＭ３の共通接続部には定電圧「＋Ｖ」が付与され、また磁気抵抗素子Ｍ２及びＭ４の共通接続部は接地されている。そして、ブリッジ接続されている磁気抵抗素子Ｍ１及びＭ２の中点電位Ｖａと磁気抵抗素子Ｍ３及びＭ４の中点電位ＶｂとがそれぞれＭＲＥセンサ１の一部を構成する差動増幅器１２に入力され、差動増幅器１２において各中点電位Ｖａ，Ｖｂの変化が差動増幅される。
【００２７】
すなわち、このＭＲＥセンサ１では、カウンタ磁石２の移動に伴って磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４に付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルの向きが変化すると、該磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値もそれぞれ変化し、上記中点電位Ｖａ，Ｖｂが変化する。そして、これら各中点電位Ｖａ，Ｖｂの変化が差動増幅器１２によって差動増幅されることとなる。そして、この近接検知構造において、該差動増幅された信号、すなわちＭＲＥセンサ１の出力信号Ａはヒステリシス比較器１３に入力される。このヒステリシス比較器１３は、その閾値電圧として、２つの電圧値Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２（Ｖｔｈ１＞Ｖｔｈ２）が設定されており、これらの閾値電圧Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２とＭＲＥセンサ１の出力信号Ａとを比較してその比較結果に基づく２値化信号Ｂを出力する回路である。ちなみに、このヒステリシス比較器１３では、出力される２値化信号Ｂが論理（Ｌ）ローレベルを示している場合には閾値電圧が電圧値Ｖｔｈ１に設定されて、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａが閾値電圧Ｖｔｈ１を上回るとき、２値化信号Ｂが論理Ｈ（ハイ）レベルに反転する。また、出力される２値化信号Ｂが論理ハイレベルを示している場合には閾値電圧が電圧値Ｖｔｈ２に設定されて、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａが閾値電圧Ｖｔｈ２を下回るとき、２値化信号Ｂが論理ローレベルに反転する。そして、この近接検知構造では、こうしたヒステリシス比較器１３を用いることにより、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａの僅かな変化に対して２値化信号Ｂが変化してしまうことを抑制し、２値化信号Ｂの安定化を図るようにしている。
【００２８】
図４は、カウンタ磁石２が上記ｘ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１の上部を横切った際の上記近接検知構造の動作例を示したものである。なお、図４（ａ）は、カウンタ磁石２の位置の変化を示したものである。また、図４（ｂ）は、横軸にＭＲＥセンサ１とカウンタ磁石２との間のｘ軸方向の距離Ｌｘを、縦軸にＭＲＥセンサ１の出力信号Ａをとってこれらの両者の関係を示している。さらに、図４（ｃ）は、横軸にＭＲＥセンサ１とカウンタ磁石２との間のｘ軸方向の距離Ｌｘを、また、縦軸に２値化信号Ｂをとってこれら両者の関係を示している。ちなみに、距離Ｌｘは、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１の上部に位置しているときの値を「０」として、カウンタ磁石２がその位置から上記矢印ｘ２で示す方向に移動したときに負の値に変化し、また、カウンタ磁石２が上記矢印ｘ１で示す方向に移動したときに正の値に変化するものとして示している。
【００２９】
同図４（ａ）に示されるように、カウンタ磁石２の位置がそれぞれ状態Ｐｘ１〜Ｐｘ３のように変化したとすると、カウンタ磁石２から発せられる磁界の影響を受けてＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界が変化して、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは、図４（ｂ）に示される態様で、凸形状をもって推移する。そして、このように出力されるＭＲＥセンサ１の出力信号Ａに対し、図中に破線で示す上記閾値電圧Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２との比較のもとに、ヒステリシス比較器１３にて２値化処理が施される。そしてその結果、図４（ｃ）に示されるように、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１から離間している状態であって２値化信号Ｂが論理ローレベルを示している場合には、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａと閾値電圧Ｖｔｈ１とが交差する点ａ１，ａ２を境に２値化信号Ｂが論理ハイレベルに反転する。一方、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接している状態であって２値化信号Ｂが論理ハイレベルを示している場合には、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａと閾値電圧Ｖｔｈ２とが交差する点ｂ１，ｂ２を境に２値化信号Ｂが論理ローレベルに反転する。したがって、カウンタ磁石２がｘ軸方向に移動している際には、２値化信号Ｂが論理ハイレベルであるか否かに基づいてカウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したか否かを検知することができるようになる。
【００３０】
次に、図５は、カウンタ磁石２が上記ｙ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１の上部を横切った際の上記近接検知構造の動作例を示したものである。なお、図５（ａ）は、カウンタ磁石２の位置の変化を示したものである。また、図５（ｂ）は、横軸にＭＲＥセンサ１とカウンタ磁石２との間のｙ軸方向の距離Ｌｙを、縦軸にＭＲＥセンサ１の出力信号Ａをとってこれらの両者の関係を示している。さらに、図５（ｃ）は、横軸にＭＲＥセンサ１とカウンタ磁石２との間のｙ軸方向の距離Ｌｙを、また、縦軸に２値化信号Ｂをとってこれら両者の関係を示している。ちなみに、距離Ｌｙは、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１の上部に位置しているときに「０」の値をとるとともに、その位置からカウンタ磁石２が上記矢印ｙ２で示す方向に移動したときに負の値に変化し、また、カウンタ磁石２が上記矢印ｙ１で示す方向に移動したときに正の値に変化するものとして示している。
【００３１】
同図５（ａ）に示されるように、カウンタ磁石２の位置がそれぞれ状態Ｐｙ１〜Ｐｙ３のように変化したときにも、カウンタ磁石２から発せられる磁界の影響を受けてＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界が変化して、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは、先の図４（ｂ）に示した推移傾向とほぼ同様の傾向で、凸形状をもって推移する。したがって、図５（ｃ）に示されるように、ヒステリシス比較器１３から出力される２値化信号Ｂも、先の図４（ｃ）に示した推移傾向とほぼ同様の傾向で推移する。すなわち、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１から離間している状態であって２値化信号Ｂが論理ローレベルを示している場合には、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａと閾値電圧Ｖｔｈ１とが交差する点ｃ１，ｃ２を境に２値化信号Ｂが論理ハイレベルに反転する。一方、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接している状態であって２値化信号Ｂが論理ハイレベルを示している場合には、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａと閾値電圧Ｖｔｈ２とが交差する点ｄ１，ｄ２を境に２値化信号Ｂが論理ローレベルに反転する。したがって、カウンタ磁石２がｙ軸方向に移動している際にも、２値化信号Ｂが論理ハイレベルを示しているか否かに基づいてカウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に接近したか否かを検知することができるようになる。
【００３２】
このように、この近接検知構造によれば、カウンタ磁石がｘ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１に近づく場合であっても、あるいはｙ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１に近づく場合であっても、ＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界に変化が生じるとともに、この変化をＭＲＥセンサ１を通じて感知することができるようになる。したがって、カウンタ磁石２の２軸方向に移動する部分に対応してＭＲＥセンサ１を配置するようにしたとしても、カウンタ磁石がＭＲＥセンサ１に近接したことを１つのＭＲＥセンサ１により検知することができるようになる。
【００３３】
また、この近接検知構造では、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近づくときに、ＭＲＥセンサ１に付与されている矢印ｘ１で示す方向のバイアス磁界に対してカウンタ磁石２から発せられる矢印ｙ２で示す方向の磁界、すなわちバイアス磁界に直交する磁界が付与される。このため、例えばバイアス磁界に対してこれと鋭角をなす磁界が付与される場合と比較すると、バイアス磁界の磁気ベクトルが大きく変化し、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａに大きな変化が生じるようになる。このため、カウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接をより検知し易くなる。
【００３４】
以下に、この原理のもとに構成されるシフト位置検出装置を利用した車両のシフト装置の第１の実施形態を示す。
（実施形態）
図６は、本実施形態にかかる車両のシフト装置の斜視構造を示したものである。
【００３５】
同図６に示されるように、このシフト装置は、基本的には、車両の運転者が把持する部分となる把持部１０ａの形成されたシフトレバー１０と、このシフトレバー１０の移動を案内するシフトゲート２１が形成されたシフトパネル２０とを有している。ここで、シフトゲート２１は、図中の互いに直交する矢印ｘ１，ｘ２で示すｘ軸方向及び矢印ｙ１，ｙ２で示すｙ軸方向にそれぞれ延設された第１及び第２の案内溝２１ａ，２１ｂから構成されて全体としてＴ字状に形成されている。そして、このシフト装置では、シフトレバー１０のシフトゲート状の位置に応じて、シフトレバー１０のシフト位置が以下の（ａ１）〜（ａ４）で示す態様で設定されている。
【００３６】
（ａ１）シフトレバー１０が第１の案内溝２１ａの先端部に位置しているとき。このときのシフトレバー１０のシフト位置を「Ｈ（ホーム）位置」に設定する。
（ａ２）シフトレバー１０が第２の案内溝２１ｂの中央部に位置しているとき。このときのシフトレバー１０のシフト位置を「Ｎ（ニュートラル）位置」に設定する。
【００３７】
（ａ３）シフトレバー１０が第２の案内溝２１ｂの手前側の端部に位置しているとき。このときのシフトレバー１０のシフト位置を「Ｄ（ドライブ）位置」に設定する。
（ａ４）シフトレバー１０が第２の案内溝２１ｂの奥側の端部に位置しているとき。このときのシフトレバー１０のシフト位置を「Ｒ（リバース）位置」に設定する。
【００３８】
そして、このシフト装置では、運転者によって外力が印加されることによってシフトレバー１０が各シフト位置に選択的に移動するとともに、このシフトレバー１０のシフト位置の検出が、シフト位置検出装置３０を通じて行われる。
【００３９】
図７は、このシフト位置検出装置３０の断面構造を、また、図８は、同シフト位置検出装置３０の平面構造をそれぞれ示したものであり、次に、図７及び図８を参照して、シフト位置検出装置３０の概略構成について説明する。なお、図８では、便宜上、シフト位置検出装置３０のケース（図７の符号３７の部材）を割愛している。
【００４０】
図７及び図８に示されるように、シフトレバー１０の基端部には、先の原理で説明したカウンタ磁石２に対応する磁石であって矢印ｙ１で示す方向に着磁されたカウンタ磁石３１が取り付けられている。ここで、このカウンタ磁石３１は、シフトレバー１０のシフト位置が上記Ｈ位置であるときに、図中の実線で示す位置Ｔ１に位置している。そして、このカウンタ磁石３１は、運転者によるシフトレバー１０の操作に伴ってシフトレバー１０のシフト位置がＨ位置から上記Ｎ位置、Ｄ位置、及びＲ位置に選択的に切り替えられると、このシフトレバー１０の操作に連動して図中の２点鎖線で示す位置Ｔ２〜Ｔ４まで移動する。一方、図７に示されるように、このシフト位置検出装置３０のケース３７には、先の原理で説明したＭＲＥセンサ１に対応する４つのＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄが実装された基板３２が設けられており、この基板３２が、上記カウンタ磁石２と所定の間隔を隔てて対向するかたちで配置されている。ここで、図８に示されるように、４つのＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄは、上記カウンタ磁石３１の移動位置Ｔ１〜Ｔ４に対応するかたちでそれぞれ配置されており、シフトレバー１０が各シフト位置に操作されると、カウンタ磁石３１が各ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近接する。また、基板３２の下面には、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに対応するかたちで、先の原理で説明したバイアス磁石３に対応する磁石であって矢印ｘ２で示す方向に着磁された４つのバイアス磁石３４ａ〜３４ｄがそれぞれ設けられている。そして、各ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄには、これらバイアス磁石３４ａ〜３４ｄから発せられる矢印ｘ１で示す方向のバイアス磁界が常時付与されている。
【００４１】
図９は、このシフト位置検出装置３０を含めたシフト装置全体のシステム構成をブロック図として示したものである。ちなみに、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄのそれぞれの電気的な構成は、先の原理で説明したＭＲＥセンサ１と同様である。すなわち、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄは、４つの磁気抵抗素子がブリッジ接続されたブリッジ回路と、このブリッジ回路の２つの中点電位の変化を差動増幅する差動増幅器とをそれぞれ有しており、この差動増幅器を通じて差動増幅された信号Ｃ１〜Ｃ４を出力する。
【００４２】
図９に示されるように、このシフト位置検出装置３０では、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄの出力信号Ｃ１〜Ｃ４が、先の原理で説明したヒステリシス比較器１３と同様のヒステリシス比較器３５ａ〜３５ｄにそれぞれ入力される。すなわち、このヒステリシス比較器３５ａ〜３５ｄでは、上記閾値電圧Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２とＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄの出力信号Ｃ１〜Ｃ４とを比較してその比較結果に基づく２値化信号Ｄ１〜Ｄ４をそれぞれ出力する。そして、これらヒステリシス比較器３５ａ〜３５ｄから出力される２値化信号Ｄ１〜Ｄ４は、マイクロコンピュータを中心に構成されて、車両の自動変速機５０の各種制御を統括的に司る制御装置４０に入力される。この制御装置４０では、ヒステリシス比較器３５ａ〜３５ｄから出力される２値化信号Ｄ１〜Ｄ４に基づいてカウンタ磁石３１が上記ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄのいずれのセンサに近接しているかを判断し、その判断結果に基づいてシフトレバー１０のシフト位置を検出する。そして、制御装置４０は、検出されたシフトレバー１０のシフト位置に基づいて自動変速機のシフトレンジを切り替える変速制御を実行する。
【００４３】
図１０は、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置の動作例として、シフトレバー１０が各シフト位置に操作されたときの２値化信号Ｄ１〜Ｄ４の推移をタイミングチャートとしてそれぞれ示したものである。
【００４４】
図１０（ａ）に示すように、シフトレバー１０のシフト位置が「Ｈ位置→Ｎ位置→Ｄ位置→Ｎ位置→Ｒ位置」の順に変化したとすると、前述の近接検知構造の原理に基づき、図１０（ｂ）〜（ｅ）に示すように、シフトレバー１０のシフト位置に応じて、２値化信号Ｄ１〜Ｄ４のいずれかの信号が論理ハイレベルを示すようになる。そこで、上記制御装置４０では、２値化信号Ｄ１〜Ｄ４のいずれが論理ハイレベルを示しているかを判断するとともに、その判断結果に基づいてシフトレバー１０のシフト位置を検出するようにしている。
【００４５】
ところで、従来のシフト位置検出装置にあっては、シフトレバー１０が２軸方向に移動するシフト位置、すなわちＮ位置にシフトレバー１０が位置しているか否かを検出するためには、基本的には２つのＭＲＥセンサを用いる必要があった。
【００４６】
これに対し、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置では、前述の近接検知構造の原理に基づき、シフトレバー１０がＨ位置からＮ位置に移動する場合であっても、あるいはＤ位置からＮ位置に移動する場合であっても、２値化信号Ｄ２が論理ローレベルから論理ハイレベルに変化するようになる。したがって、Ｎ位置に対応して１つのＭＲＥセンサ３３ｂを配置するといった構成を採用しつつも、シフトレバー１０のシフト位置がＮ位置であるか否かを検出することができるようになる。これにより、各シフト位置に対応してＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄを１つずつ設けるだけでシフトレバー１０のシフト位置を検出することができるようになるため、シフトレバー１０が２軸方向に移動する場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバー１０のシフト位置を検出することができるようになる。
【００４７】
また、この車両のシフト位置検出装置では、バイアス磁石３４ａ〜３４ｄの着磁方向とカウンタ磁石３１の着磁方向とを互いに直交させるようにしているため、先の原理で説明したように、カウンタ磁石３１がＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近づくときに、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに付与されているバイアス磁界が大きく変化するようになる。これにより、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄの出力信号Ｃ１〜Ｃ４に大きな変化が生じるようになるため、カウンタ磁石３１のＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄへの近接をより検知し易くなり、ひいてはシフトレバー１０のシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置によれば、以下のような効果が得られるようになる。
（１）ｘ軸方向及びｙ軸方向の２軸方向に移動するカウンタ磁石３１がＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近接したことを検知することに基づいてシフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置に対し、図１〜図５に例示した近接検知構造を適用するようにした。これにより、シフトレバー１０が２軸方向に移動するシフト位置、すなわちＮ位置にシフトレバー１０が位置しているか否かを１つのＭＲＥセンサ３３ｂにより検出することができるようになる。そしてその結果、各シフト位置に対応してＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄを１つずつ設けるだけでシフトレバー１０のシフト位置を検出することができるようになるため、シフトレバー１０が２軸方向に操作される場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバー１０のシフト位置を検出することができるようになる。
【００４９】
（２）バイアス磁石３４ａ〜３４ｄの着磁方向とカウンタ磁石３１の着磁方向とを互いに直交させるようにした。これにより、カウンタ磁石３１がＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近づくときに、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄにそれぞれ付与されているバイアス磁界が大きく変化するようになるため、カウンタ磁石３１のＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄへの近接をより検知し易くなる。したがって、シフトレバー１０のシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
［第２の実施形態］
（原理の説明）
次に、この発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第２の実施形態について説明するに先立ち、同実施形態の原理についてまずは説明する。なお、第２の実施形態の原理でも近接検知構造としての基本構造は先の図１〜図３に示した構造に準ずるものであり、ここでは、先の図１及び図２に対応する図として、近接検知構造の斜視構造及び正面構造を図１１及び図１２にそれぞれ示している。また、この図１１及び図１２において、先の図１及び図２に示した要素と同一の要素にはそれぞれ同一の符号を付すことにより重複する説明を割愛し、以下では、両者の相違点を中心に説明する。
【００５０】
同図１１及び図１２に示されるように、この近接検知構造では、カウンタ磁石２のｘ軸方向の両側面にヨーク４が設けられており、ヨーク４によってカウンタ磁石２の両側面の付近に生じる磁気を集磁するようにしている。
【００５１】
図１３及び図１４は、先の図４に対応する図として、カウンタ磁石２の位置が上記状態Ｐｘ１から状態Ｐｘ２に変化した際のＭＲＥセンサ１の出力信号Ａ及び２値化信号Ｂの推移を、先の図１及び図２に例示した近接検知構造と、先の図１１及び図１２に例示した近接検知構造とを対比してそれぞれ示したものである。
【００５２】
まず対比例として、先の図１及び図２に例示した近接検知構造では、図１３（ａ）に示されるようにカウンタ磁石２の位置が上記状態Ｐｘ１から状態Ｐｘ２に変化したとすると、図１３（ｂ）に示されるように、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは実線で示す態様にて推移する。一方、例えばＭＲＥセンサ１の個体差や組み付け誤差などに起因してＭＲＥセンサ１の出力信号Ａが図中の一点鎖線で示す態様にて、すなわち実線に対して上側にシフトする態様にて推移するようになったとする。このとき、図１３（ｃ）に示されるように、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する時点でのカウンタ磁石２の位置が矢印ｘ２で示す方向に距離Ｌｚ１だけずれてしまう。ちなみに、図中の距離Ｌｈ１は、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置と、上記２値化信号Ｂが論理ハイレベルから論理ローレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置との間の距離を示している。
【００５３】
一方、先の図１１及び図１２に例示した近接検知構造では、図１４（ａ）に示されるようにカウンタ磁石２の位置が状態Ｐｘ１から状態Ｐｘ２のように変化したとすると、上記ヨーク４に集磁されている磁界により、ＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルが大きく変化するようになる。したがって、図１４（ｂ）に実線で示されるように、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは、より大きな傾きをもって推移するようになるため、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａの応答性が向上するようになる。このため、例えばＭＲＥセンサ１の個体差などに起因して、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａが、先の図１３（ｂ）で例示したシフト量と同じだけ上側にシフトして図中の一点鎖線で示す態様にて推移するようになったとしても、図１４（ｃ）に示されるように、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれが上記距離Ｌｚ１よりも短い距離Ｌｚ２となる。すなわち、ＭＲＥセンサ１の個体差などに起因してＭＲＥセンサ１の出力信号Ａにばらつきが生じたとしても、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれに関してはその影響を抑制することができるようになる。これにより、例えば２値化信号Ｂに基づいてカウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したか否かを判断するようにしたとしても、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置のずれを小さくすることができるため、カウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接を高い精度で検出することができるようになる。ちなみに、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接しなくなったと判断する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれも小さくすることもできるため、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１から離間したことについても同様に高い精度で検出することができるようにもなる。
【００５４】
また、このようにＭＲＥセンサ１の出力信号Ａの応答性が向上するようになれば、上記２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置と、上記２値化信号Ｂが論理ハイレベルから論理ローレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置との間の距離が上記距離Ｌｈ１よりも短い距離Ｌｈ２となる。すなわち、それらの位置が互いに接近するようになる。これにより、２値化信号Ｂが反転する位置のずれを小さくすることができるため、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置と、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接していないと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置とのずれも小さくすることができるようにもなる。
【００５５】
以下に、この原理のもとに構成されるシフト位置検出装置を利用した車両のシフト装置の第２の実施形態を示す。
（実施形態）
この第２の実施形態にかかる車両のシフト装置について、先の図７及び図８を参照して説明する。なお、この第２の実施形態にかかる車両のシフト装置もその基本構造は先の図６〜図９に示した構造に準ずるものである。
【００５６】
本実施形態では、図７及び図８に一点鎖線で示されるように、カウンタ磁石３１のｘ軸方向の両側面に、先の原理で説明したヨーク４に対応するヨーク３６を設けるようにしている。このため、前述の近接検知構造の原理に基づき、カウンタ磁石３１にヨーク３６を設けていない、先の図７及び図８に例示したシフト位置検出装置３０と比較すると、運転者によってシフトレバー１０がｘ軸方向に操作された際のＭＲＥセンサ３３ａ，３３ｂの出力信号Ｃ１，Ｃ２の応答性が向上するようになる。このため、例えばＭＲＥセンサ３３ａ，３３ｂの固体差や組み付け誤差などに起因してそれらの出力信号Ｃ１，Ｃ２にばらつきが生じたとしても、制御装置４０では、シフトレバー１０のシフト位置がＨ位置であるか否か、及びＮ位置であるか否かをより高い精度で検出することができるようになる。
【００５７】
また、２値化信号Ｄ１，Ｄ２が反転する位置のずれを小さくすることもできるため、例えば運転者がシフトレバー１０をＨ位置からＮ位置に操作したときに制御装置４０によりシフト位置がＮ位置になったと判断されるシフトレバー１０の位置と、シフトレバー１０をＮ位置からＨ位置に操作したときに制御装置４０によりシフト位置がＮ位置ではなくなったと判断されるシフトレバー１０の位置とのずれを小さくすることもできる。このため、運転者にとって操作性のよいシフト装置を実現することができるようにもなる。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置によれば、先の第１の実施形態による上記（１）及び（２）の効果に加え、以下の効果が得られるようになる。
【００５９】
（３）カウンタ磁石３１のｘ軸方向の両側面にヨーク３６を設けるようにした。これにより、カウンタ磁石３１がｘ軸方向に移動する際のＭＲＥセンサ３３ａ，３３ｂの出力信号Ｃ１，Ｃ２の応答性が向上するようになるため、例えばＭＲＥセンサ３３ａ，３３ｂの固体差などに起因してそれらの出力信号Ｃ１，Ｃ２にばらつきが生じたとしても、シフトレバー１０のシフト位置がＨ位置であるか否か、及びＮ位置であるか否かをより高い精度で検出することができるようになる。
［第３の実施形態］
（原理の説明）
次に、この発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第３の実施形態について説明するに先立ち、同実施形態の原理についてまずは説明する。なお、この第３の実施形態の原理でも近接検知構造としての基本構造は先の図１〜図３に例示した構造に準ずるものであり、図１５及び図１６は、この近接検知構造の平面構造及び側面構造をそれぞれ示したものである。また、この図１５及び図１６において、先の図１及び図２に示した要素と同一の要素にはそれぞれ同一の符号を付すことにより重複する説明を割愛し、以下では、両者の相違点を中心に説明する。
【００６０】
同図１５及び図１６に示されるように、この近接検知構造では、上記バイアス磁石３をｙ軸方向に挟むかたちで２つの磁石５，６が設けられており、これら２つの磁石５，６の着磁方向を、バイアス磁石３の着磁方向と逆方向に、すなわち矢印ｘ１で示す方向にそれぞれ設定するようにしている。換言すれば、バイアス磁石３及び磁石５，６の着磁方向を、ｙ軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなるかたちでそれぞれ設定するようにしている。
【００６１】
図１７及び図１８は、先の図５に対応する図として、カウンタ磁石２が上記ｙ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１の上部を移動した際のＭＲＥセンサ１の出力信号Ａ及び２値化信号Ｂの推移を、バイアス磁石３及び磁石５，６の全てを矢印ｘ２で示す方向に着磁するようにした近接検知構造と、先の図１５及び図１６に例示した近接検知構造とを対比してそれぞれ示したものである。
【００６２】
まず対比例として、バイアス磁石３及び磁石５，６の全てを矢印ｘ２で示す方向に着磁するようにした近接検知構造では、図１７（ａ）に示されるようにカウンタ磁石２の位置がそれぞれ状態Ｐｚ１〜Ｐｚ３のように変化したとすると、図１７（ｂ）に示されるように、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは実線で示す態様にて推移する。ちなみに、図１７（ｃ）に示される距離Ｌａ１は、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置と、上記２値化信号Ｂが論理ハイレベルから論理ローレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置との間の距離を示している。
【００６３】
一方、先の図１５及び図１６に例示した近接検知構造では、図１８（ａ）に示されるようにカウンタ磁石２の位置がそれぞれ状態Ｐｚ１〜Ｐｚ３のように変化したとすると、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは、図１８（ｂ）に示されるように、より大きな傾きをもって推移するようになる。すなわち、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａの応答性が向上するようになる。したがって、先の第２の実施形態の原理と同様に、ＭＲＥセンサ１の個体差などに起因してＭＲＥセンサ１の出力信号Ａにバラツキが生じたとしても、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれに関してはその影響を抑制することができるようになる。このため、例えば２値化信号Ｂに基づいてカウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したか否かを判断するようにしたとしても、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置のずれを小さくすることができるため、カウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接を高い精度で検出することができるようになる。ちなみに、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接しなくなったと判断する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれも小さくすることもできるため、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１から離間したことについても同様に高い精度で検出することができるようにもなる。
【００６４】
また、図１８（ｃ）に示されるように、上記２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置と、上記２値化信号Ｂが論理ハイレベルから論理ローレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置との間の距離が上記距離Ｌａ１よりも短い距離Ｌａ２となり、それらの位置が互いに接近するようになる。これにより、２値化信号Ｂが反転する位置のずれを小さくすることができるため、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置と、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接していないと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置とのずれを小さくすることができるようにもなる。
【００６５】
以下に、この原理のもとに構成されるシフト位置検出装置を利用した車両のシフト装置の第３の実施形態を示す。
（実施形態）
この第３の実施形態にかかる車両のシフト装置について、図１９を参照して説明する。なお、この第３の実施形態にかかる車両のシフト装置もその基本構造は先の図６〜図９に示した構造に準ずるものであり、図１９は、先の図８に対応する図として、車両のシフト位置検出装置の平面構造を示したものである。なお、この図１９において、先の図８に示した要素と同一の要素にはそれぞれ同一の符号を付すことにより重複する説明を割愛し、以下では、両者の相違点を中心に説明する。
【００６６】
図１９に示されるように、この実施形態では、上記バイアス磁石３４ｂの着磁方向を、上記バイアス磁石３４ｃ，３４ｄの着磁方向と逆方向に、すなわち矢印ｘ１で示す方向に設定するようにしている。
【００６７】
このため、前述の近接検知構造の原理に基づき、バイアス磁石３４ｂ〜３４ｄが全て矢印ｘ２で示す方向に着磁されている、先の図７及び図８に例示したシフト位置検出装置と比較すると、運転者によってシフトレバー１０がｙ軸方向に操作された際のＭＲＥセンサ３３ｂの出力信号Ｃ２の応答性が向上するようになる。このため、例えばＭＲＥセンサ３３ｂの固体差や組み付け誤差などに起因してその出力信号Ｃ２にばらつきが生じたとしても、制御装置４０では、シフトレバー１０のシフト位置がＮ位置であるか否かをより高い精度で検出することができるようになる。
【００６８】
また、２値化信号Ｄ２が反転する位置のずれを小さくすることもできるため、例えば運転者がシフトレバー１０をＤ位置からＮ位置に操作したときに制御装置４０によりシフト位置がＮ位置になったと判断される時点でのシフトレバー１０の位置と、シフトレバー１０をＮ位置からＤ位置に操作したときに制御装置４０によりシフト位置がＮ位置ではなくなったと判断される時点でのシフトレバー１０の位置とのずれを小さくすることができるようにもなる。このため、運転者にとって操作性のよいシフト装置を実現することができるようにもなる。
【００６９】
以上説明したように、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置によれば、先の第１の実施形態による上記（１）及び（２）の効果に加え、以下の効果が得られるようになる。
【００７０】
（４）ｙ軸方向に沿って並設されているバイアス磁界の着磁方向を、同ｙ軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなるかたちでそれぞれ設定するようにした。これにより、カウンタ磁石３１がｙ軸方向に移動する際のＭＲＥセンサ３３ｂの出力信号Ｃ２の応答性が向上するようになるため、例えばＭＲＥセンサ３３ｂの固体差などに起因してそれらの出力信号Ｃ１，Ｃ２にばらつきが生じたとしても、シフトレバー１０のシフト位置がＮ位置であるか否かをより高い精度で検出することができるようになる。
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。
【００７１】
・上記各実施形態では、本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を、ｘ軸方向に沿って２つのシフト位置が、また、ｙ軸方向に沿って３つのシフト位置が設けられている車両のシフト位置検出装置に適用するようにした。これに代えて、例えばｘ軸方向に沿って３つのシフト位置が、また、ｙ軸方向に沿って２つのシフト位置が設けられている車両のシフト位置検出装置にも本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を適用することは可能である。また、ｘ軸方向、あるいはｙ軸方向に４つ以上のシフト位置が設けられている車両のシフト位置検出装置にも本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を適用することも可能である。
【００７２】
・上記第３の実施形態では、本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を、ｙ軸方向に沿って３つのバイアス磁石３４ｂ〜３４ｄが並設されているシフト位置検出装置に適用して、３つのバイアス磁石３４ｂ〜３４ｄのうちのバイアス磁石３４ｂの着磁方向を他の２つのバイアス磁石３４ｃ，３４ｄの着磁方向と逆方向に設定するようにした。これに代えて、例えばｘ軸方向、あるいはｙ軸方向に４つ以上のシフト位置が設けられている車両のシフト位置検出装置など、１軸方向に沿って４つ以上のバイアス磁石が並設されているシフト位置検出装置にあっては、それらのバイアス磁石の着磁方向を１軸方向に並設されている順に互い違いとなるように設定するようにしてもよい。
【００７３】
・上記第２の実施形態では、カウンタ磁石３１のｘ軸方向の両側面にヨーク３６を設けるようにしたが、これに代えて、例えばその両側面のいずれか一方の側面にヨーク３６を設けるようにしてもよい。
【００７４】
・図１９に示したカウンタ磁石３１のｘ軸方向の両側面にヨークも設けるようにしてもよい。すなわち、上記第２の実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置の構成と、上記第３の実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置の構成とを組み合わせた構成を採用するようにしてもよい。
【００７５】
・上記各実施形態では、バイアス磁石３４ａ〜３４ｄの着磁方向とカウンタ磁石３１の着磁方向とを互いに直交させるようにしたが、これに代えて、バイアス磁石３４ａ〜３４ｄの着磁方向とカウンタ磁石３１の着磁方向とが鋭角をなすようにしてもよい。こうした構成によっても、カウンタ磁石３１が上記ｘ軸方向及びｙ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近づく際に、バイアス磁石３４ａ〜３４ｄから発せられるバイアス磁界の磁気ベクトルに変化が生じるため、先の第１の実施形態による（１）の効果に準ずる効果を得ることは可能である。
【００７６】
・上記各実施形態では、本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を、カウンタ磁石がＴ字状に移動する車両のシフト位置検出装置に適用したが、これに代えて、例えばカウンタ磁石がＨ字状に移動する車両のシフト位置検出装置や、ｈ字状に移動する車両のシフト位置検出装置にも同様に適用することが可能である。
（付記）
次に、上記実施形態及びその変形例から把握できる技術的思想について追記する。
【００７７】
（イ）車両のシフトレバーの操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するカウンタ磁石と、磁気抵抗素子により構成される磁気抵抗効果センサと、前記磁気抵抗効果センサにバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを備え、前記カウンタ磁石が前記磁気抵抗効果センサに対向する位置まで移動するときに前記バイアス磁界の磁気ベクトルに生じる変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記カウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知するとともに、このカウンタ磁石の前記センサへの近接を検知することに基づいて前記シフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置において、前記磁気抵抗効果センサは、前記直交する２軸方向を含む平面と平行な磁気ベクトルの変化を感知可能に配置されるとともに、前記バイアス磁石は、前記直交する２軸方向を含む平面と平行な磁界を前記磁気抵抗効果センサに付与する態様にて着磁され、前記カウンタ磁石は、前記磁気抵抗効果センサに対向する位置まで移動した状態で前記直交する２軸方向を含む平面と平行な方向であって且つ、前記バイアス磁界と所定の角度を成す磁界を前記磁気抵抗効果センサに付与する態様にて着磁されてなることを特徴とするシフト位置検出装置。同構成によれば、カウンタ磁石が互いに直交する２軸方向のいずれかの方向に移動して磁気抵抗効果センサに近づくときに、バイアス磁界の磁気ベクトル（より詳細にはその向き）に変化が生じるとともに、この磁気ベクトルの変化を磁気抵抗効果センサを通じて感知することができるようになる。したがって、カウンタ磁石の２軸方向に移動する部分に対応して磁気抵抗効果センサを配置するようにしたとしても、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近接したことを１つの磁気抵抗効果センサにより検知することができるようになる。このため、シフトレバーが２軸方向に操作される場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することができるようになる。
【符号の説明】
【００７８】
１，３３ａ〜３３ｄ，７１…磁気抵抗効果センサ（ＭＲＥセンサ）、２，３１，７０…カウンタ磁石、３，３４ａ〜３４ｄ，７２…バイアス磁石、４，３６…ヨーク、５，６，６０ｂ…磁石、１０，６０…シフトレバー、１０ａ，６０ａ…把持部、１１…ブリッジ回路、１２…差動増幅器、１３…ヒステリシス比較器、２０…シフトパネル、２１，６１ａ…シフトゲート、２１ａ…第１の案内溝、２１ｂ…第２の案内溝、３０…シフト位置検出装置、３２，６４…基板、３５ａ〜３５ｄ…ヒステリシス比較器、３７，６１…ケース、４０…制御装置、５０…自動変速機、６２…支持部材、６３ａ〜６３ｅ…磁気センサ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車両のシフトレバーのシフト位置を検出する車両のシフト位置検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両の運転者により操作されるシフトレバーと車両の変速機との間の機械的な連結を排除した上で、シフトレバーのシフト位置をシフト位置検出装置により検出し、この検出されるシフト位置に基づいて変速機のシフトレンジの切り替えを行う、いわゆるバイワイヤ式のシフト装置が周知である。そして、従来、この種の車両のシフト装置としては、例えば特許文献１に記載の装置がある。図２０にこの特許文献１に記載のシフト装置の斜視構造を、また、図２１にこのシフト装置の断面構造を、さらに、図２２に図２１のＡ−Ａ線に沿った断面構造をそれぞれ示す。
【０００３】
図２０に示されるように、このシフト装置は、基本的には、車両の運転者が把持する部分となる把持部６０ａが設けられたシフトレバー６０と、シフトレバー６０が挿通される部分として十字状のシフトゲート６１ａが形成されたケース６１とを有している。ちなみに、このシフト装置では、シフトレバー６０の中立位置がシフトゲート６１ａの中央位置に設定されている。また、シフトレバー６０のシフト位置、すなわち「Ｐ（パーキング）位置」、「Ｎ（ニュートラル）位置」、「Ｒ（リバース）位置」、及び「Ｄ（ドライブ）位置」の各位置がシフトゲート６１ａの端部の位置に対応してそれぞれ設定されている。
【０００４】
ここで、図１６に示されるように、シフトレバー６０は、ケース６１の内部に設けられた支持部材６２により支持されており、この支持部材６２により支持されている部分を中心に揺動する。また、このシフトレバー６０の基端部には、磁石６０ｂが設けられており、シフトレバー６０の揺動に伴って磁石６０ｂが揺動する構造となっている。一方、ケース６１の内部には、磁石６０ｂに対向するかたちで基板６４が配設されるとともに、図２２に示されるように、この基板６４に、磁石６０ｂから発せられる磁気を検出する磁気センサ６３ａ〜６３ｅが十字状に配置されている。ちなみに、これらの磁気センサ６３ａ〜６３ｅは、シフトレバー６０が中立位置及び各シフト位置に位置しているときの磁石６０ｂの位置に対向するかたちでそれぞれ配設されている。また、このシフト装置では、磁石６０ｂ、磁気センサ６３ａ〜６３ｅ、及び基板６４等によりシフト位置検出装置が構成されている。
【０００５】
そして、このシフト装置では、運転者が、例えばシフトレバー６０を中立位置から「Ｐ位置」まで操作したときに磁石６０ｂが磁気センサ６３ａに対向する位置から磁気センサ６３ｂに対向する位置まで移動して、磁石６０ｂから発せられる磁界が磁気センサ６３ｂを通じて検出されるようになる。そして、このシフト装置では、磁気センサ６３ｂを通じて磁石６０ｂの磁界が検出されるようになったことに基づいてシフトレバー６０が「Ｐ位置」に操作されたと判断して、車両の自動変速機のシフトレンジを「Ｐ（パーキング）レンジ」に切り替える変速制御を行う。
【０００６】
車両のシフト装置としてこうしたシフトバイワイヤ式のシフト装置を採用することで、車室内のシフトレバーの配設位置を自由に変更することが可能になるなど、車両設計の自由度を大きく高めることができるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１０１９３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、磁石６０ｂから発せられる磁界を検出するための磁気センサ６３ａ〜６３ｅとしては、例えばホール効果により磁界に応じたホール電圧信号を出力するホール素子により構成されるセンサや、磁気抵抗効果により磁界に応じて抵抗値を変化させる磁気抵抗素子により構成される磁気抵抗効果センサ（ＭＲＥセンサ）などを採用することができる。図２３は、磁気センサとしてＭＲＥセンサを用いるようにしたシフト位置検出装置において一般的に採用されている構造であって、磁石が磁気センサに近接したか否かを検知する近接検知構造の一例についてその斜視構造を示したものである。なお、この図２３では、便宜上、１つの磁気センサの付近の構造のみを示している。
【０００９】
同図１８に示されるように、この近接検知構造は、基本的には、上記磁石６０ｂに対応するカウンタ磁石７０と、上記磁気センサ６３ａ〜６３ｅのうちのいずれか１つの磁気センサに対応するＭＲＥセンサ７１とを有している。ここで、このカウンタ磁石７０は、運転者によるシフトレバーの操作に伴って図中の矢印ｘ１，ｘ２で示す方向に移動するものであり、その移動方向と直交する方向に着磁されている。また、ＭＲＥセンサ７１は、上記カウンタ磁石７０の移動方向及びカウンタ磁石７０の着磁方向の双方に平行となるように配置された磁気感知面（センサ面）を有しており、このセンサ面に平行な磁気ベクトルを感知してその向きに応じた電圧信号を出力する。ちなみに、ＭＲＥセンサ７１のセンサ面には、バイアス磁石７２から発せられるバイアス磁界が常時付与されている。
【００１０】
そして、この近接検知構造では、運転者によってシフトレバーが操作されると、同シフトレバーと一体となってカウンタ磁石７０が矢印ｘ１，ｘ２で示す方向に移動するため、カウンタ磁石７０の移動位置に応じてＭＲＥセンサ７１に付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルに変化が生じる。すなわち、シフトレバーの移動位置に応じてＭＲＥセンサ７１の出力信号に変化が生じるようになるため、このＭＲＥセンサ７１の出力信号に基づいてカウンタ磁石７０がＭＲＥセンサ７１に近接したことを検知することができるようになる。したがって、この図１８に例示する近接検知構造を上記特許文献１に記載のシフト装置において利用するようにすれば、シフトレバーが各シフト位置に操作されたか否かを検知することができるようになる。
【００１１】
ただし、図１８に例示した近接検知構造では、ＭＲＥセンサによりそのセンサ面に平行な磁気ベクトルの変化を感知することはできるが、センサ面に直交する方向（図中の矢印ｙ１，ｙ２で示す方向）の磁気ベクトルの変化を感知することができない。すなわち、図１８に例示した近接検知構造では、カウンタ磁石７０が矢印ｙ１，ｙ２で示す方向にも移動する場合に、ＭＲＥセンサ７１を通じて磁気ベクトルの変化を検出することが難しくなるため、カウンタ磁石７０がＭＲＥセンサ７１に接近したことを検知することが困難になるおそれがある。したがって、上記特許文献１に記載のシフト装置では、磁石６０ｂが２軸方向に移動する部分に配置される磁気センサ、すなわち磁気センサ６３ａにおいて磁石６０ｂの位置を検出することが難しくなるため、これに起因してシフトレバー６０が中立位置であるか否かを検出することが難しくなるおそれがある。ちなみに、こうした問題に対しては、例えば上記磁気センサ６３ａとして２つのＭＲＥセンサを用意して、それぞれのセンサ面が矢印ｘ１，ｘ２で示す方向及び矢印ｙ１，ｙ２で示す方向に平行となるように２つのＭＲＥセンサを配置するといった方法を採用することも可能である。しかしながら、こうした方法を採用するようにした場合には、シフト位置検出装置としての部品点数の増加やコストの増大を招くおそれがある。
【００１２】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、シフトレバーが２軸方向に移動する場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することが可能な車両のシフト位置検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、磁気抵抗素子により構成される磁気抵抗効果センサと、車両のシフトレバーの２軸方向の操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するとともにこの移動に伴って前記磁気抵抗効果センサに近接するカウンタ磁石と、前記磁気抵抗効果センサにバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを備え、前記カウンタ磁石が前記磁気抵抗効果センサに近づくとき前記バイアス磁界の磁気ベクトルに生じる変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記カウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知するとともに、このカウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知することに基づいて前記シフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置において、前記磁気抵抗効果センサは、前記２軸方向を含む平面に平行な磁気ベクトルを感知可能に配置されるとともに、前記バイアス磁石は、前記２軸方向を含む平面に平行な方向に着磁され、前記カウンタ磁石は、前記２軸方向を含む平面に平行な方向であって且つ、前記バイアス磁石の着磁方向と所定角度を成す方向に着磁されてなることを要旨としている。
【００１４】
同構成によれば、カウンタ磁石が互いに直交する２軸方向のいずれかの方向に移動して磁気抵抗効果センサに近づくときに、バイアス磁界の磁気ベクトル（より詳細にはその向き）に変化が生じるとともに、この磁気ベクトルの変化を磁気抵抗効果センサを通じて感知することができるようになる。したがって、カウンタ磁石の２軸方向に移動する部分に対応して磁気抵抗効果センサを配置するようにしたとしても、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近接したことを１つの磁気抵抗効果センサにより検知することができるようになる。このため、シフトレバーが２軸方向に操作される場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することができるようになる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のシフト位置検出装置において、前記バイアス磁石は、前記２軸方向のうちの１軸方向と平行な方向に着磁されるとともに、前記カウンタ磁石は、前記バイアス磁石の着磁方向と直交する方向に着磁されてなることを要旨としている。
【００１６】
同構成によれば、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近づくときに、バイアス磁石から発せられるバイアス磁界に対してこれと直交する磁界が付与されるようになるため、例えばバイアス磁界に対してこれと鋭角をなす磁界が付与される場合と比較すると、バイアス磁界の磁気ベクトルが大きく変化するようになる。このため、カウンタ磁石の磁気抵抗効果センサへの近接を検知し易くなるため、シフトレバーのシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のシフト位置検出装置において、前記カウンタ磁石は、その着磁方向と直交する方向の側面にヨークを有してなることを要旨としている。
【００１８】
同構成によるように、カウンタ磁石においてその着磁方向と直交する方向の側面にヨークを設けるようにすれば、カウンタ磁石の側面の付近に生じる磁気を集磁することができるようになる。このため、カウンタ磁石にヨークを設けていない場合と比較すると、カウンタ磁石がその着磁方向と直交する方向に移動して磁気抵抗効果センサに近づく際に、磁気抵抗効果センサに付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルが大きく変化するようになる。したがって、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近づく際の磁気抵抗効果センサの出力信号の応答性が向上するようになるため、例えば磁気抵抗効果センサの個体差や組み付け誤差などに起因して同センサの出力信号にばらつきが生じたとしても、その影響を抑制しつつカウンタ磁石の磁気抵抗効果素子への近接を検出することができるようになる。すなわち、カウンタ磁石の磁気抵抗効果センサへの近接を高い精度で検出することができるようになるため、シフトレバーのシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載のシフト位置検出装置において、前記磁気抵抗効果センサ及び前記バイアス磁石は、前記カウンタ磁石の着磁方向である１軸方向に沿って複数並設され、この並設された複数のバイアス磁石が、前記１軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなる着磁方向を有してなることを要旨としている。
【００２０】
同構成によるように、磁気抵抗効果センサ及びバイアス磁石がカウンタ磁石の着磁方向である１軸方向に沿って複数並設されている場合には、この並設された複数のバイアス磁石を１軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなるように着磁することで、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近づく際の磁気抵抗効果センサの出力信号の応答性が向上することを発明者は新たに見出した。そして、磁気抵抗効果センサの出力信号の応答性が向上するようになれば、例えば磁気抵抗効果センサの個体差や組み付け誤差などに起因して同センサの出力信号にばらつきが生じたとしても、その影響を抑制しつつカウンタ磁石の磁気抵抗効果素子への近接を検出することができるようになる。したがって、カウンタ磁石の磁気抵抗効果センサへの近接を高い精度で検出することができるようになるため、シフトレバーのシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明にかかる車両のシフト位置検出装置によれば、シフトレバーが２軸方向に移動する場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第１の実施形態に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す斜視図。
【図２】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す正面図。
【図３】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す回路図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図６】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置を利用した車両のシフト装置についてその斜視構造を示す斜視図。
【図７】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置についてその断面構造を示す断面図。
【図８】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置についてその平面構造を示す平面図。
【図９】同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置についてそのシステム構成を示すブロック図。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、同第１の実施形態の車両のシフト位置検出装置の動作例を示すタイミングチャート。
【図１１】本発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第２の実施形態に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理の一例を示す斜視図。
【図１２】同第２の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す正面図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、同第２の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、同第２の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図１５】本発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第３の実施形態に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理の一例を示す平面図。
【図１６】本発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第３の実施形態に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理の一例を示す側面図。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、同第３の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、同第３の実施形態の車両のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示すタイミングチャート。
【図１９】同第３の実施形態の車両のシフト位置検出装置についてその平面構造を示す平面図。
【図２０】従来の車両のシフト装置についてその一例を示す斜視図。
【図２１】従来の車両のシフト装置の断面構造を示す断面図。
【図２２】図２１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を示す断面図。
【図２３】従来のシフト位置検出装置に採用されている近接検知構造についてそのカウンタ磁石のＭＲＥセンサへの近接を検知する原理を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第１の実施形態］
（原理の説明）
この発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第１の実施形態について説明するに先立ち、同実施形態の原理ついてまずは説明する。
【００２４】
図１及び図２は、互いに直交する２軸方向に移動するカウンタ磁石２の磁気抵抗効果センサ（ＭＲＥセンサ）１への近接を検知する構造に採用して有効な近接検知構造の一例についてその斜視構造及び正面構造をそれぞれ示したものである。なお、図１では、カウンタ磁石２の互いに直交する２軸の移動方向を矢印ｘ１，ｘ２で示すｘ軸方向及び矢印ｙ１，ｙ２で示すｙ軸方向でそれぞれ示している。
【００２５】
これら図１及び図２に示されるように、この近接検知構造では、ＭＲＥセンサ１の下部に、矢印ｘ２で示す方向に着磁された立方体形状のバイアス磁石３が固定配設されており、このバイアス磁石３から発せられる矢印ｘ１で示す方向のバイアス磁界がＭＲＥセンサ１に常時付与されている。また、ＭＲＥセンサ１の上部には、ｘ軸方向に長辺方向を有する直方体形状のカウンタ磁石２が配置されており、このカウンタ磁石２が、矢印ｙ１で示す方向に、換言すればバイアス磁石３の着磁方向と直交する方向に着磁されている。また、この近接検知構造では、カウンタ磁石２が図中の位置からｘ軸方向及びｙ軸方向の２軸方向に移動することができる構造になっている。すなわち、この近接検知構造では、例えば図中の位置から離間していたカウンタ磁石２が図中の位置まで移動しようとしてＭＲＥセンサ１に近づいたとすると、ＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルが、カウンタ磁石２から発せられる矢印ｙ２で示す方向の磁界の影響を受けて変化する。そして、こうした磁気ベクトルの変化が上記ＭＲＥセンサ１により感知されることで、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に接近したことを検知する。ちなみに、このＭＲＥセンサ１は、バイアス磁界の磁気ベクトルの変化を感知すべく、ｘ軸方向及びｙ軸方向の双方に平行となるように配置された磁気感知面（センサ面）を有しており、バイアス磁界の磁気ベクトルの向きに応じた電気信号を出力する。
【００２６】
次に、上記ＭＲＥセンサ１の処理回路を含めた電気的な構成について、図３に示す等価回路を併せ参照して説明する。
同図３に示されるように、この近接検知構造において、ＭＲＥセンサ１は、そのセンサ面に平行な磁気ベクトルを感知してその向きに応じて抵抗値を変化させる４つの磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４を備え、これらの磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４がブリッジ接続されたブリッジ回路１１を有して構成されている。このうち、磁気抵抗素子Ｍ１及びＭ３の共通接続部には定電圧「＋Ｖ」が付与され、また磁気抵抗素子Ｍ２及びＭ４の共通接続部は接地されている。そして、ブリッジ接続されている磁気抵抗素子Ｍ１及びＭ２の中点電位Ｖａと磁気抵抗素子Ｍ３及びＭ４の中点電位ＶｂとがそれぞれＭＲＥセンサ１の一部を構成する差動増幅器１２に入力され、差動増幅器１２において各中点電位Ｖａ，Ｖｂの変化が差動増幅される。
【００２７】
すなわち、このＭＲＥセンサ１では、カウンタ磁石２の移動に伴って磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４に付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルの向きが変化すると、該磁気抵抗素子Ｍ１〜Ｍ４の抵抗値もそれぞれ変化し、上記中点電位Ｖａ，Ｖｂが変化する。そして、これら各中点電位Ｖａ，Ｖｂの変化が差動増幅器１２によって差動増幅されることとなる。そして、この近接検知構造において、該差動増幅された信号、すなわちＭＲＥセンサ１の出力信号Ａはヒステリシス比較器１３に入力される。このヒステリシス比較器１３は、その閾値電圧として、２つの電圧値Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２（Ｖｔｈ１＞Ｖｔｈ２）が設定されており、これらの閾値電圧Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２とＭＲＥセンサ１の出力信号Ａとを比較してその比較結果に基づく２値化信号Ｂを出力する回路である。ちなみに、このヒステリシス比較器１３では、出力される２値化信号Ｂが論理（Ｌ）ローレベルを示している場合には閾値電圧が電圧値Ｖｔｈ１に設定されて、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａが閾値電圧Ｖｔｈ１を上回るとき、２値化信号Ｂが論理Ｈ（ハイ）レベルに反転する。また、出力される２値化信号Ｂが論理ハイレベルを示している場合には閾値電圧が電圧値Ｖｔｈ２に設定されて、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａが閾値電圧Ｖｔｈ２を下回るとき、２値化信号Ｂが論理ローレベルに反転する。そして、この近接検知構造では、こうしたヒステリシス比較器１３を用いることにより、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａの僅かな変化に対して２値化信号Ｂが変化してしまうことを抑制し、２値化信号Ｂの安定化を図るようにしている。
【００２８】
図４は、カウンタ磁石２が上記ｘ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１の上部を横切った際の上記近接検知構造の動作例を示したものである。なお、図４（ａ）は、カウンタ磁石２の位置の変化を示したものである。また、図４（ｂ）は、横軸にＭＲＥセンサ１とカウンタ磁石２との間のｘ軸方向の距離Ｌｘを、縦軸にＭＲＥセンサ１の出力信号Ａをとってこれらの両者の関係を示している。さらに、図４（ｃ）は、横軸にＭＲＥセンサ１とカウンタ磁石２との間のｘ軸方向の距離Ｌｘを、また、縦軸に２値化信号Ｂをとってこれら両者の関係を示している。ちなみに、距離Ｌｘは、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１の上部に位置しているときの値を「０」として、カウンタ磁石２がその位置から上記矢印ｘ２で示す方向に移動したときに負の値に変化し、また、カウンタ磁石２が上記矢印ｘ１で示す方向に移動したときに正の値に変化するものとして示している。
【００２９】
同図４（ａ）に示されるように、カウンタ磁石２の位置がそれぞれ状態Ｐｘ１〜Ｐｘ３のように変化したとすると、カウンタ磁石２から発せられる磁界の影響を受けてＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界が変化して、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは、図４（ｂ）に示される態様で、凸形状をもって推移する。そして、このように出力されるＭＲＥセンサ１の出力信号Ａに対し、図中に破線で示す上記閾値電圧Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２との比較のもとに、ヒステリシス比較器１３にて２値化処理が施される。そしてその結果、図４（ｃ）に示されるように、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１から離間している状態であって２値化信号Ｂが論理ローレベルを示している場合には、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａと閾値電圧Ｖｔｈ１とが交差する点ａ１，ａ２を境に２値化信号Ｂが論理ハイレベルに反転する。一方、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接している状態であって２値化信号Ｂが論理ハイレベルを示している場合には、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａと閾値電圧Ｖｔｈ２とが交差する点ｂ１，ｂ２を境に２値化信号Ｂが論理ローレベルに反転する。したがって、カウンタ磁石２がｘ軸方向に移動している際には、２値化信号Ｂが論理ハイレベルであるか否かに基づいてカウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したか否かを検知することができるようになる。
【００３０】
次に、図５は、カウンタ磁石２が上記ｙ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１の上部を横切った際の上記近接検知構造の動作例を示したものである。なお、図５（ａ）は、カウンタ磁石２の位置の変化を示したものである。また、図５（ｂ）は、横軸にＭＲＥセンサ１とカウンタ磁石２との間のｙ軸方向の距離Ｌｙを、縦軸にＭＲＥセンサ１の出力信号Ａをとってこれらの両者の関係を示している。さらに、図５（ｃ）は、横軸にＭＲＥセンサ１とカウンタ磁石２との間のｙ軸方向の距離Ｌｙを、また、縦軸に２値化信号Ｂをとってこれら両者の関係を示している。ちなみに、距離Ｌｙは、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１の上部に位置しているときに「０」の値をとるとともに、その位置からカウンタ磁石２が上記矢印ｙ２で示す方向に移動したときに負の値に変化し、また、カウンタ磁石２が上記矢印ｙ１で示す方向に移動したときに正の値に変化するものとして示している。
【００３１】
同図５（ａ）に示されるように、カウンタ磁石２の位置がそれぞれ状態Ｐｙ１〜Ｐｙ３のように変化したときにも、カウンタ磁石２から発せられる磁界の影響を受けてＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界が変化して、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは、先の図４（ｂ）に示した推移傾向とほぼ同様の傾向で、凸形状をもって推移する。したがって、図５（ｃ）に示されるように、ヒステリシス比較器１３から出力される２値化信号Ｂも、先の図４（ｃ）に示した推移傾向とほぼ同様の傾向で推移する。すなわち、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１から離間している状態であって２値化信号Ｂが論理ローレベルを示している場合には、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａと閾値電圧Ｖｔｈ１とが交差する点ｃ１，ｃ２を境に２値化信号Ｂが論理ハイレベルに反転する。一方、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接している状態であって２値化信号Ｂが論理ハイレベルを示している場合には、上記ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａと閾値電圧Ｖｔｈ２とが交差する点ｄ１，ｄ２を境に２値化信号Ｂが論理ローレベルに反転する。したがって、カウンタ磁石２がｙ軸方向に移動している際にも、２値化信号Ｂが論理ハイレベルを示しているか否かに基づいてカウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に接近したか否かを検知することができるようになる。
【００３２】
このように、この近接検知構造によれば、カウンタ磁石がｘ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１に近づく場合であっても、あるいはｙ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１に近づく場合であっても、ＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界に変化が生じるとともに、この変化をＭＲＥセンサ１を通じて感知することができるようになる。したがって、カウンタ磁石２の２軸方向に移動する部分に対応してＭＲＥセンサ１を配置するようにしたとしても、カウンタ磁石がＭＲＥセンサ１に近接したことを１つのＭＲＥセンサ１により検知することができるようになる。
【００３３】
また、この近接検知構造では、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近づくときに、ＭＲＥセンサ１に付与されている矢印ｘ１で示す方向のバイアス磁界に対してカウンタ磁石２から発せられる矢印ｙ２で示す方向の磁界、すなわちバイアス磁界に直交する磁界が付与される。このため、例えばバイアス磁界に対してこれと鋭角をなす磁界が付与される場合と比較すると、バイアス磁界の磁気ベクトルが大きく変化し、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａに大きな変化が生じるようになる。このため、カウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接をより検知し易くなる。
【００３４】
以下に、この原理のもとに構成されるシフト位置検出装置を利用した車両のシフト装置の第１の実施形態を示す。
（実施形態）
図６は、本実施形態にかかる車両のシフト装置の斜視構造を示したものである。
【００３５】
同図６に示されるように、このシフト装置は、基本的には、車両の運転者が把持する部分となる把持部１０ａの形成されたシフトレバー１０と、このシフトレバー１０の移動を案内するシフトゲート２１が形成されたシフトパネル２０とを有している。ここで、シフトゲート２１は、図中の互いに直交する矢印ｘ１，ｘ２で示すｘ軸方向及び矢印ｙ１，ｙ２で示すｙ軸方向にそれぞれ延設された第１及び第２の案内溝２１ａ，２１ｂから構成されて全体としてＴ字状に形成されている。そして、このシフト装置では、シフトレバー１０のシフトゲート状の位置に応じて、シフトレバー１０のシフト位置が以下の（ａ１）〜（ａ４）で示す態様で設定されている。
【００３６】
（ａ１）シフトレバー１０が第１の案内溝２１ａの先端部に位置しているとき。このときのシフトレバー１０のシフト位置を「Ｈ（ホーム）位置」に設定する。
（ａ２）シフトレバー１０が第２の案内溝２１ｂの中央部に位置しているとき。このときのシフトレバー１０のシフト位置を「Ｎ（ニュートラル）位置」に設定する。
【００３７】
（ａ３）シフトレバー１０が第２の案内溝２１ｂの手前側の端部に位置しているとき。このときのシフトレバー１０のシフト位置を「Ｄ（ドライブ）位置」に設定する。
（ａ４）シフトレバー１０が第２の案内溝２１ｂの奥側の端部に位置しているとき。このときのシフトレバー１０のシフト位置を「Ｒ（リバース）位置」に設定する。
【００３８】
そして、このシフト装置では、運転者によって外力が印加されることによってシフトレバー１０が各シフト位置に選択的に移動するとともに、このシフトレバー１０のシフト位置の検出が、シフト位置検出装置３０を通じて行われる。
【００３９】
図７は、このシフト位置検出装置３０の断面構造を、また、図８は、同シフト位置検出装置３０の平面構造をそれぞれ示したものであり、次に、図７及び図８を参照して、シフト位置検出装置３０の概略構成について説明する。なお、図８では、便宜上、シフト位置検出装置３０のケース（図７の符号３７の部材）を割愛している。
【００４０】
図７及び図８に示されるように、シフトレバー１０の基端部には、先の原理で説明したカウンタ磁石２に対応する磁石であって矢印ｙ１で示す方向に着磁されたカウンタ磁石３１が取り付けられている。ここで、このカウンタ磁石３１は、シフトレバー１０のシフト位置が上記Ｈ位置であるときに、図中の実線で示す位置Ｔ１に位置している。そして、このカウンタ磁石３１は、運転者によるシフトレバー１０の操作に伴ってシフトレバー１０のシフト位置がＨ位置から上記Ｎ位置、Ｄ位置、及びＲ位置に選択的に切り替えられると、このシフトレバー１０の操作に連動して図中の２点鎖線で示す位置Ｔ２〜Ｔ４まで移動する。一方、図７に示されるように、このシフト位置検出装置３０のケース３７には、先の原理で説明したＭＲＥセンサ１に対応する４つのＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄが実装された基板３２が設けられており、この基板３２が、上記カウンタ磁石２と所定の間隔を隔てて対向するかたちで配置されている。ここで、図８に示されるように、４つのＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄは、上記カウンタ磁石３１の移動位置Ｔ１〜Ｔ４に対応するかたちでそれぞれ配置されており、シフトレバー１０が各シフト位置に操作されると、カウンタ磁石３１が各ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近接する。また、基板３２の下面には、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに対応するかたちで、先の原理で説明したバイアス磁石３に対応する磁石であって矢印ｘ２で示す方向に着磁された４つのバイアス磁石３４ａ〜３４ｄがそれぞれ設けられている。そして、各ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄには、これらバイアス磁石３４ａ〜３４ｄから発せられる矢印ｘ１で示す方向のバイアス磁界が常時付与されている。
【００４１】
図９は、このシフト位置検出装置３０を含めたシフト装置全体のシステム構成をブロック図として示したものである。ちなみに、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄのそれぞれの電気的な構成は、先の原理で説明したＭＲＥセンサ１と同様である。すなわち、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄは、４つの磁気抵抗素子がブリッジ接続されたブリッジ回路と、このブリッジ回路の２つの中点電位の変化を差動増幅する差動増幅器とをそれぞれ有しており、この差動増幅器を通じて差動増幅された信号Ｃ１〜Ｃ４を出力する。
【００４２】
図９に示されるように、このシフト位置検出装置３０では、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄの出力信号Ｃ１〜Ｃ４が、先の原理で説明したヒステリシス比較器１３と同様のヒステリシス比較器３５ａ〜３５ｄにそれぞれ入力される。すなわち、このヒステリシス比較器３５ａ〜３５ｄでは、上記閾値電圧Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２とＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄの出力信号Ｃ１〜Ｃ４とを比較してその比較結果に基づく２値化信号Ｄ１〜Ｄ４をそれぞれ出力する。そして、これらヒステリシス比較器３５ａ〜３５ｄから出力される２値化信号Ｄ１〜Ｄ４は、マイクロコンピュータを中心に構成されて、車両の自動変速機５０の各種制御を統括的に司る制御装置４０に入力される。この制御装置４０では、ヒステリシス比較器３５ａ〜３５ｄから出力される２値化信号Ｄ１〜Ｄ４に基づいてカウンタ磁石３１が上記ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄのいずれのセンサに近接しているかを判断し、その判断結果に基づいてシフトレバー１０のシフト位置を検出する。そして、制御装置４０は、検出されたシフトレバー１０のシフト位置に基づいて自動変速機のシフトレンジを切り替える変速制御を実行する。
【００４３】
図１０は、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置の動作例として、シフトレバー１０が各シフト位置に操作されたときの２値化信号Ｄ１〜Ｄ４の推移をタイミングチャートとしてそれぞれ示したものである。
【００４４】
図１０（ａ）に示すように、シフトレバー１０のシフト位置が「Ｈ位置→Ｎ位置→Ｄ位置→Ｎ位置→Ｒ位置」の順に変化したとすると、前述の近接検知構造の原理に基づき、図１０（ｂ）〜（ｅ）に示すように、シフトレバー１０のシフト位置に応じて、２値化信号Ｄ１〜Ｄ４のいずれかの信号が論理ハイレベルを示すようになる。そこで、上記制御装置４０では、２値化信号Ｄ１〜Ｄ４のいずれが論理ハイレベルを示しているかを判断するとともに、その判断結果に基づいてシフトレバー１０のシフト位置を検出するようにしている。
【００４５】
ところで、従来のシフト位置検出装置にあっては、シフトレバー１０が２軸方向に移動するシフト位置、すなわちＮ位置にシフトレバー１０が位置しているか否かを検出するためには、基本的には２つのＭＲＥセンサを用いる必要があった。
【００４６】
これに対し、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置では、前述の近接検知構造の原理に基づき、シフトレバー１０がＨ位置からＮ位置に移動する場合であっても、あるいはＤ位置からＮ位置に移動する場合であっても、２値化信号Ｄ２が論理ローレベルから論理ハイレベルに変化するようになる。したがって、Ｎ位置に対応して１つのＭＲＥセンサ３３ｂを配置するといった構成を採用しつつも、シフトレバー１０のシフト位置がＮ位置であるか否かを検出することができるようになる。これにより、各シフト位置に対応してＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄを１つずつ設けるだけでシフトレバー１０のシフト位置を検出することができるようになるため、シフトレバー１０が２軸方向に移動する場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバー１０のシフト位置を検出することができるようになる。
【００４７】
また、この車両のシフト位置検出装置では、バイアス磁石３４ａ〜３４ｄの着磁方向とカウンタ磁石３１の着磁方向とを互いに直交させるようにしているため、先の原理で説明したように、カウンタ磁石３１がＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近づくときに、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに付与されているバイアス磁界が大きく変化するようになる。これにより、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄの出力信号Ｃ１〜Ｃ４に大きな変化が生じるようになるため、カウンタ磁石３１のＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄへの近接をより検知し易くなり、ひいてはシフトレバー１０のシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置によれば、以下のような効果が得られるようになる。
（１）ｘ軸方向及びｙ軸方向の２軸方向に移動するカウンタ磁石３１がＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近接したことを検知することに基づいてシフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置に対し、図１〜図５に例示した近接検知構造を適用するようにした。これにより、シフトレバー１０が２軸方向に移動するシフト位置、すなわちＮ位置にシフトレバー１０が位置しているか否かを１つのＭＲＥセンサ３３ｂにより検出することができるようになる。そしてその結果、各シフト位置に対応してＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄを１つずつ設けるだけでシフトレバー１０のシフト位置を検出することができるようになるため、シフトレバー１０が２軸方向に操作される場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバー１０のシフト位置を検出することができるようになる。
【００４９】
（２）バイアス磁石３４ａ〜３４ｄの着磁方向とカウンタ磁石３１の着磁方向とを互いに直交させるようにした。これにより、カウンタ磁石３１がＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近づくときに、ＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄにそれぞれ付与されているバイアス磁界が大きく変化するようになるため、カウンタ磁石３１のＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄへの近接をより検知し易くなる。したがって、シフトレバー１０のシフト位置をより高い精度で検出することができるようになる。
［第２の実施形態］
（原理の説明）
次に、この発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第２の実施形態について説明するに先立ち、同実施形態の原理についてまずは説明する。なお、第２の実施形態の原理でも近接検知構造としての基本構造は先の図１〜図３に示した構造に準ずるものであり、ここでは、先の図１及び図２に対応する図として、近接検知構造の斜視構造及び正面構造を図１１及び図１２にそれぞれ示している。また、この図１１及び図１２において、先の図１及び図２に示した要素と同一の要素にはそれぞれ同一の符号を付すことにより重複する説明を割愛し、以下では、両者の相違点を中心に説明する。
【００５０】
同図１１及び図１２に示されるように、この近接検知構造では、カウンタ磁石２のｘ軸方向の両側面にヨーク４が設けられており、ヨーク４によってカウンタ磁石２の両側面の付近に生じる磁気を集磁するようにしている。
【００５１】
図１３及び図１４は、先の図４に対応する図として、カウンタ磁石２の位置が上記状態Ｐｘ１から状態Ｐｘ２に変化した際のＭＲＥセンサ１の出力信号Ａ及び２値化信号Ｂの推移を、先の図１及び図２に例示した近接検知構造と、先の図１１及び図１２に例示した近接検知構造とを対比してそれぞれ示したものである。
【００５２】
まず対比例として、先の図１及び図２に例示した近接検知構造では、図１３（ａ）に示されるようにカウンタ磁石２の位置が上記状態Ｐｘ１から状態Ｐｘ２に変化したとすると、図１３（ｂ）に示されるように、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは実線で示す態様にて推移する。一方、例えばＭＲＥセンサ１の個体差や組み付け誤差などに起因してＭＲＥセンサ１の出力信号Ａが図中の一点鎖線で示す態様にて、すなわち実線に対して上側にシフトする態様にて推移するようになったとする。このとき、図１３（ｃ）に示されるように、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する時点でのカウンタ磁石２の位置が矢印ｘ２で示す方向に距離Ｌｚ１だけずれてしまう。ちなみに、図中の距離Ｌｈ１は、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置と、上記２値化信号Ｂが論理ハイレベルから論理ローレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置との間の距離を示している。
【００５３】
一方、先の図１１及び図１２に例示した近接検知構造では、図１４（ａ）に示されるようにカウンタ磁石２の位置が状態Ｐｘ１から状態Ｐｘ２のように変化したとすると、上記ヨーク４に集磁されている磁界により、ＭＲＥセンサ１に付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルが大きく変化するようになる。したがって、図１４（ｂ）に実線で示されるように、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは、より大きな傾きをもって推移するようになるため、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａの応答性が向上するようになる。このため、例えばＭＲＥセンサ１の個体差などに起因して、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａが、先の図１３（ｂ）で例示したシフト量と同じだけ上側にシフトして図中の一点鎖線で示す態様にて推移するようになったとしても、図１４（ｃ）に示されるように、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれが上記距離Ｌｚ１よりも短い距離Ｌｚ２となる。すなわち、ＭＲＥセンサ１の個体差などに起因してＭＲＥセンサ１の出力信号Ａにばらつきが生じたとしても、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれに関してはその影響を抑制することができるようになる。これにより、例えば２値化信号Ｂに基づいてカウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したか否かを判断するようにしたとしても、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置のずれを小さくすることができるため、カウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接を高い精度で検出することができるようになる。ちなみに、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接しなくなったと判断する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれも小さくすることもできるため、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１から離間したことについても同様に高い精度で検出することができるようにもなる。
【００５４】
また、このようにＭＲＥセンサ１の出力信号Ａの応答性が向上するようになれば、上記２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置と、上記２値化信号Ｂが論理ハイレベルから論理ローレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置との間の距離が上記距離Ｌｈ１よりも短い距離Ｌｈ２となる。すなわち、それらの位置が互いに接近するようになる。これにより、２値化信号Ｂが反転する位置のずれを小さくすることができるため、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置と、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接していないと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置とのずれも小さくすることができるようにもなる。
【００５５】
以下に、この原理のもとに構成されるシフト位置検出装置を利用した車両のシフト装置の第２の実施形態を示す。
（実施形態）
この第２の実施形態にかかる車両のシフト装置について、先の図７及び図８を参照して説明する。なお、この第２の実施形態にかかる車両のシフト装置もその基本構造は先の図６〜図９に示した構造に準ずるものである。
【００５６】
本実施形態では、図７及び図８に一点鎖線で示されるように、カウンタ磁石３１のｘ軸方向の両側面に、先の原理で説明したヨーク４に対応するヨーク３６を設けるようにしている。このため、前述の近接検知構造の原理に基づき、カウンタ磁石３１にヨーク３６を設けていない、先の図７及び図８に例示したシフト位置検出装置３０と比較すると、運転者によってシフトレバー１０がｘ軸方向に操作された際のＭＲＥセンサ３３ａ，３３ｂの出力信号Ｃ１，Ｃ２の応答性が向上するようになる。このため、例えばＭＲＥセンサ３３ａ，３３ｂの固体差や組み付け誤差などに起因してそれらの出力信号Ｃ１，Ｃ２にばらつきが生じたとしても、制御装置４０では、シフトレバー１０のシフト位置がＨ位置であるか否か、及びＮ位置であるか否かをより高い精度で検出することができるようになる。
【００５７】
また、２値化信号Ｄ１，Ｄ２が反転する位置のずれを小さくすることもできるため、例えば運転者がシフトレバー１０をＨ位置からＮ位置に操作したときに制御装置４０によりシフト位置がＮ位置になったと判断されるシフトレバー１０の位置と、シフトレバー１０をＮ位置からＨ位置に操作したときに制御装置４０によりシフト位置がＮ位置ではなくなったと判断されるシフトレバー１０の位置とのずれを小さくすることもできる。このため、運転者にとって操作性のよいシフト装置を実現することができるようにもなる。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置によれば、先の第１の実施形態による上記（１）及び（２）の効果に加え、以下の効果が得られるようになる。
【００５９】
（３）カウンタ磁石３１のｘ軸方向の両側面にヨーク３６を設けるようにした。これにより、カウンタ磁石３１がｘ軸方向に移動する際のＭＲＥセンサ３３ａ，３３ｂの出力信号Ｃ１，Ｃ２の応答性が向上するようになるため、例えばＭＲＥセンサ３３ａ，３３ｂの固体差などに起因してそれらの出力信号Ｃ１，Ｃ２にばらつきが生じたとしても、シフトレバー１０のシフト位置がＨ位置であるか否か、及びＮ位置であるか否かをより高い精度で検出することができるようになる。
［第３の実施形態］
（原理の説明）
次に、この発明にかかる車両のシフト位置検出装置の第３の実施形態について説明するに先立ち、同実施形態の原理についてまずは説明する。なお、この第３の実施形態の原理でも近接検知構造としての基本構造は先の図１〜図３に例示した構造に準ずるものであり、図１５及び図１６は、この近接検知構造の平面構造及び側面構造をそれぞれ示したものである。また、この図１５及び図１６において、先の図１及び図２に示した要素と同一の要素にはそれぞれ同一の符号を付すことにより重複する説明を割愛し、以下では、両者の相違点を中心に説明する。
【００６０】
同図１５及び図１６に示されるように、この近接検知構造では、上記バイアス磁石３をｙ軸方向に挟むかたちで２つの磁石５，６が設けられており、これら２つの磁石５，６の着磁方向を、バイアス磁石３の着磁方向と逆方向に、すなわち矢印ｘ１で示す方向にそれぞれ設定するようにしている。換言すれば、バイアス磁石３及び磁石５，６の着磁方向を、ｙ軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなるかたちでそれぞれ設定するようにしている。
【００６１】
図１７及び図１８は、先の図５に対応する図として、カウンタ磁石２が上記ｙ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ１の上部を移動した際のＭＲＥセンサ１の出力信号Ａ及び２値化信号Ｂの推移を、バイアス磁石３及び磁石５，６の全てを矢印ｘ２で示す方向に着磁するようにした近接検知構造と、先の図１５及び図１６に例示した近接検知構造とを対比してそれぞれ示したものである。
【００６２】
まず対比例として、バイアス磁石３及び磁石５，６の全てを矢印ｘ２で示す方向に着磁するようにした近接検知構造では、図１７（ａ）に示されるようにカウンタ磁石２の位置がそれぞれ状態Ｐｚ１〜Ｐｚ３のように変化したとすると、図１７（ｂ）に示されるように、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは実線で示す態様にて推移する。ちなみに、図１７（ｃ）に示される距離Ｌａ１は、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置と、上記２値化信号Ｂが論理ハイレベルから論理ローレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置との間の距離を示している。
【００６３】
一方、先の図１５及び図１６に例示した近接検知構造では、図１８（ａ）に示されるようにカウンタ磁石２の位置がそれぞれ状態Ｐｚ１〜Ｐｚ３のように変化したとすると、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａは、図１８（ｂ）に示されるように、より大きな傾きをもって推移するようになる。すなわち、ＭＲＥセンサ１の出力信号Ａの応答性が向上するようになる。したがって、先の第２の実施形態の原理と同様に、ＭＲＥセンサ１の個体差などに起因してＭＲＥセンサ１の出力信号Ａにバラツキが生じたとしても、２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれに関してはその影響を抑制することができるようになる。このため、例えば２値化信号Ｂに基づいてカウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したか否かを判断するようにしたとしても、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置のずれを小さくすることができるため、カウンタ磁石２のＭＲＥセンサ１への近接を高い精度で検出することができるようになる。ちなみに、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接しなくなったと判断する時点でのカウンタ磁石２の位置のずれも小さくすることもできるため、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１から離間したことについても同様に高い精度で検出することができるようにもなる。
【００６４】
また、図１８（ｃ）に示されるように、上記２値化信号Ｂが論理ローレベルから論理ハイレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置と、上記２値化信号Ｂが論理ハイレベルから論理ローレベルに反転する際のカウンタ磁石２の位置との間の距離が上記距離Ｌａ１よりも短い距離Ｌａ２となり、それらの位置が互いに接近するようになる。これにより、２値化信号Ｂが反転する位置のずれを小さくすることができるため、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接したと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置と、カウンタ磁石２がＭＲＥセンサ１に近接していないと判断される時点でのカウンタ磁石２の位置とのずれを小さくすることができるようにもなる。
【００６５】
以下に、この原理のもとに構成されるシフト位置検出装置を利用した車両のシフト装置の第３の実施形態を示す。
（実施形態）
この第３の実施形態にかかる車両のシフト装置について、図１９を参照して説明する。なお、この第３の実施形態にかかる車両のシフト装置もその基本構造は先の図６〜図９に示した構造に準ずるものであり、図１９は、先の図８に対応する図として、車両のシフト位置検出装置の平面構造を示したものである。なお、この図１９において、先の図８に示した要素と同一の要素にはそれぞれ同一の符号を付すことにより重複する説明を割愛し、以下では、両者の相違点を中心に説明する。
【００６６】
図１９に示されるように、この実施形態では、上記バイアス磁石３４ｂの着磁方向を、上記バイアス磁石３４ｃ，３４ｄの着磁方向と逆方向に、すなわち矢印ｘ１で示す方向に設定するようにしている。
【００６７】
このため、前述の近接検知構造の原理に基づき、バイアス磁石３４ｂ〜３４ｄが全て矢印ｘ２で示す方向に着磁されている、先の図７及び図８に例示したシフト位置検出装置と比較すると、運転者によってシフトレバー１０がｙ軸方向に操作された際のＭＲＥセンサ３３ｂの出力信号Ｃ２の応答性が向上するようになる。このため、例えばＭＲＥセンサ３３ｂの固体差や組み付け誤差などに起因してその出力信号Ｃ２にばらつきが生じたとしても、制御装置４０では、シフトレバー１０のシフト位置がＮ位置であるか否かをより高い精度で検出することができるようになる。
【００６８】
また、２値化信号Ｄ２が反転する位置のずれを小さくすることもできるため、例えば運転者がシフトレバー１０をＤ位置からＮ位置に操作したときに制御装置４０によりシフト位置がＮ位置になったと判断される時点でのシフトレバー１０の位置と、シフトレバー１０をＮ位置からＤ位置に操作したときに制御装置４０によりシフト位置がＮ位置ではなくなったと判断される時点でのシフトレバー１０の位置とのずれを小さくすることができるようにもなる。このため、運転者にとって操作性のよいシフト装置を実現することができるようにもなる。
【００６９】
以上説明したように、本実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置によれば、先の第１の実施形態による上記（１）及び（２）の効果に加え、以下の効果が得られるようになる。
【００７０】
（４）ｙ軸方向に沿って並設されているバイアス磁界の着磁方向を、同ｙ軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなるかたちでそれぞれ設定するようにした。これにより、カウンタ磁石３１がｙ軸方向に移動する際のＭＲＥセンサ３３ｂの出力信号Ｃ２の応答性が向上するようになるため、例えばＭＲＥセンサ３３ｂの固体差などに起因してそれらの出力信号Ｃ１，Ｃ２にばらつきが生じたとしても、シフトレバー１０のシフト位置がＮ位置であるか否かをより高い精度で検出することができるようになる。
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の形態にて実施することもできる。
【００７１】
・上記各実施形態では、本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を、ｘ軸方向に沿って２つのシフト位置が、また、ｙ軸方向に沿って３つのシフト位置が設けられている車両のシフト位置検出装置に適用するようにした。これに代えて、例えばｘ軸方向に沿って３つのシフト位置が、また、ｙ軸方向に沿って２つのシフト位置が設けられている車両のシフト位置検出装置にも本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を適用することは可能である。また、ｘ軸方向、あるいはｙ軸方向に４つ以上のシフト位置が設けられている車両のシフト位置検出装置にも本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を適用することも可能である。
【００７２】
・上記第３の実施形態では、本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を、ｙ軸方向に沿って３つのバイアス磁石３４ｂ〜３４ｄが並設されているシフト位置検出装置に適用して、３つのバイアス磁石３４ｂ〜３４ｄのうちのバイアス磁石３４ｂの着磁方向を他の２つのバイアス磁石３４ｃ，３４ｄの着磁方向と逆方向に設定するようにした。これに代えて、例えばｘ軸方向、あるいはｙ軸方向に４つ以上のシフト位置が設けられている車両のシフト位置検出装置など、１軸方向に沿って４つ以上のバイアス磁石が並設されているシフト位置検出装置にあっては、それらのバイアス磁石の着磁方向を１軸方向に並設されている順に互い違いとなるように設定するようにしてもよい。
【００７３】
・上記第２の実施形態では、カウンタ磁石３１のｘ軸方向の両側面にヨーク３６を設けるようにしたが、これに代えて、例えばその両側面のいずれか一方の側面にヨーク３６を設けるようにしてもよい。
【００７４】
・図１９に示したカウンタ磁石３１のｘ軸方向の両側面にヨークも設けるようにしてもよい。すなわち、上記第２の実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置の構成と、上記第３の実施形態にかかる車両のシフト位置検出装置の構成とを組み合わせた構成を採用するようにしてもよい。
【００７５】
・上記各実施形態では、バイアス磁石３４ａ〜３４ｄの着磁方向とカウンタ磁石３１の着磁方向とを互いに直交させるようにしたが、これに代えて、バイアス磁石３４ａ〜３４ｄの着磁方向とカウンタ磁石３１の着磁方向とが鋭角をなすようにしてもよい。こうした構成によっても、カウンタ磁石３１が上記ｘ軸方向及びｙ軸方向に移動しながらＭＲＥセンサ３３ａ〜３３ｄに近づく際に、バイアス磁石３４ａ〜３４ｄから発せられるバイアス磁界の磁気ベクトルに変化が生じるため、先の第１の実施形態による（１）の効果に準ずる効果を得ることは可能である。
【００７６】
・上記各実施形態では、本発明にかかる車両のシフト位置検出装置を、カウンタ磁石がＴ字状に移動する車両のシフト位置検出装置に適用したが、これに代えて、例えばカウンタ磁石がＨ字状に移動する車両のシフト位置検出装置や、ｈ字状に移動する車両のシフト位置検出装置にも同様に適用することが可能である。
（付記）
次に、上記実施形態及びその変形例から把握できる技術的思想について追記する。
【００７７】
（イ）車両のシフトレバーの操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するカウンタ磁石と、磁気抵抗素子により構成される磁気抵抗効果センサと、前記磁気抵抗効果センサにバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを備え、前記カウンタ磁石が前記磁気抵抗効果センサに対向する位置まで移動するときに前記バイアス磁界の磁気ベクトルに生じる変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記カウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知するとともに、このカウンタ磁石の前記センサへの近接を検知することに基づいて前記シフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置において、前記磁気抵抗効果センサは、前記直交する２軸方向を含む平面と平行な磁気ベクトルの変化を感知可能に配置されるとともに、前記バイアス磁石は、前記直交する２軸方向を含む平面と平行な磁界を前記磁気抵抗効果センサに付与する態様にて着磁され、前記カウンタ磁石は、前記磁気抵抗効果センサに対向する位置まで移動した状態で前記直交する２軸方向を含む平面と平行な方向であって且つ、前記バイアス磁界と所定の角度を成す磁界を前記磁気抵抗効果センサに付与する態様にて着磁されてなることを特徴とするシフト位置検出装置。同構成によれば、カウンタ磁石が互いに直交する２軸方向のいずれかの方向に移動して磁気抵抗効果センサに近づくときに、バイアス磁界の磁気ベクトル（より詳細にはその向き）に変化が生じるとともに、この磁気ベクトルの変化を磁気抵抗効果センサを通じて感知することができるようになる。したがって、カウンタ磁石の２軸方向に移動する部分に対応して磁気抵抗効果センサを配置するようにしたとしても、カウンタ磁石が磁気抵抗効果センサに近接したことを１つの磁気抵抗効果センサにより検知することができるようになる。このため、シフトレバーが２軸方向に操作される場合であれ、シフト位置検出装置としての部品点数の増加を招くことなくシフトレバーのシフト位置を検出することができるようになる。
【符号の説明】
【００７８】
１，３３ａ〜３３ｄ，７１…磁気抵抗効果センサ（ＭＲＥセンサ）、２，３１，７０…カウンタ磁石、３，３４ａ〜３４ｄ，７２…バイアス磁石、４，３６…ヨーク、５，６，６０ｂ…磁石、１０，６０…シフトレバー、１０ａ，６０ａ…把持部、１１…ブリッジ回路、１２…差動増幅器、１３…ヒステリシス比較器、２０…シフトパネル、２１，６１ａ…シフトゲート、２１ａ…第１の案内溝、２１ｂ…第２の案内溝、３０…シフト位置検出装置、３２，６４…基板、３５ａ〜３５ｄ…ヒステリシス比較器、３７，６１…ケース、４０…制御装置、５０…自動変速機、６２…支持部材、６３ａ〜６３ｅ…磁気センサ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子により構成される磁気抵抗効果センサと、車両のシフトレバーの２軸方向の操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するとともにこの移動に伴って前記磁気抵抗効果センサに近接するカウンタ磁石と、前記磁気抵抗効果センサにバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを備え、前記カウンタ磁石が前記磁気抵抗効果センサに近づくとき前記バイアス磁界の磁気ベクトルに生じる変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記カウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知するとともに、このカウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知することに基づいて前記シフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置において、
前記磁気抵抗効果センサは、前記２軸方向を含む平面に平行な磁気ベクトルを感知可能に配置されるとともに、前記バイアス磁石は、前記２軸方向を含む平面に平行な方向に着磁され、前記カウンタ磁石は、前記２軸方向を含む平面に平行な方向であって且つ、前記バイアス磁石の着磁方向と所定角度を成す方向に着磁されてなる
ことを特徴とするシフト位置検出装置。
【請求項２】
前記バイアス磁石は、前記２軸方向のうちの１軸方向と平行な方向に着磁されるとともに、前記カウンタ磁石は、前記バイアス磁石の着磁方向と直交する方向に着磁されてなる
請求項１に記載のシフト位置検出装置。
【請求項３】
前記カウンタ磁石は、その着磁方向と直交する方向の側面にヨークを有してなる
請求項２に記載のシフト位置検出装置。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果センサ及び前記バイアス磁石は、前記カウンタ磁石の着磁方向である１軸方向に沿って複数並設され、この並設された複数のバイアス磁石が、前記１軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなる着磁方向を有してなる
請求項２又は３に記載のシフト位置検出装置。
【請求項１】
磁気抵抗素子により構成される磁気抵抗効果センサと、車両のシフトレバーの２軸方向の操作に連動して互いに直交する２軸方向に移動するとともにこの移動に伴って前記磁気抵抗効果センサに近接するカウンタ磁石と、前記磁気抵抗効果センサにバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを備え、前記カウンタ磁石が前記磁気抵抗効果センサに近づくとき前記バイアス磁界の磁気ベクトルに生じる変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記カウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知するとともに、このカウンタ磁石の前記磁気抵抗効果センサへの近接を検知することに基づいて前記シフトレバーのシフト位置を検出するシフト位置検出装置において、
前記磁気抵抗効果センサは、前記２軸方向を含む平面に平行な磁気ベクトルを感知可能に配置されるとともに、前記バイアス磁石は、前記２軸方向を含む平面に平行な方向に着磁され、前記カウンタ磁石は、前記２軸方向を含む平面に平行な方向であって且つ、前記バイアス磁石の着磁方向と所定角度を成す方向に着磁されてなる
ことを特徴とするシフト位置検出装置。
【請求項２】
前記バイアス磁石は、前記２軸方向のうちの１軸方向と平行な方向に着磁されるとともに、前記カウンタ磁石は、前記バイアス磁石の着磁方向と直交する方向に着磁されてなる
請求項１に記載のシフト位置検出装置。
【請求項３】
前記カウンタ磁石は、その着磁方向と直交する方向の側面にヨークを有してなる
請求項２に記載のシフト位置検出装置。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果センサ及び前記バイアス磁石は、前記カウンタ磁石の着磁方向である１軸方向に沿って複数並設され、この並設された複数のバイアス磁石が、前記１軸方向に沿って並設されている順に互い違いとなる着磁方向を有してなる
請求項２又は３に記載のシフト位置検出装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１０−２４３２８７（Ｐ２０１０−２４３２８７Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９１２２１（Ｐ２００９−９１２２１）
【出願日】平成２１年４月３日（２００９．４．３）
【出願人】（０００００３５５１）株式会社東海理化電機製作所 (3,198)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月３日（２００９．４．３）
【出願人】（０００００３５５１）株式会社東海理化電機製作所 (3,198)
【Ｆターム（参考）】
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