集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法
【課題】本発明は、放熱可能なだけでなく、電気通信上の接続を有し、高密度でマルチファンクションな応用を達成できる集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明が開示する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法はまず、集積回路と発光ダイオードを提供する。集積回路の表面には少なくとも１つの第一導電ブロックと少なくとも１つの第一接合ブロックを設けて、第一導電ブロックと電気的接続する。発光ダイオードは相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面は少なくとも１つの第二導電ブロックと少なくとも１つの第二接合ブロックを設けて、第二導電ブロックと電気的接続する。そして、集積回路は、第一導電ブロックと第一接合ブロックをそれぞれ第二導電ブロックと第二接合ブロックに対応させて接合することで、発光ダイオードと相互結合するとともに、第一導電ブロックと第二導電ブロックを電気的接続して、製造は完成する。
【解決手段】本発明が開示する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法はまず、集積回路と発光ダイオードを提供する。集積回路の表面には少なくとも１つの第一導電ブロックと少なくとも１つの第一接合ブロックを設けて、第一導電ブロックと電気的接続する。発光ダイオードは相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面は少なくとも１つの第二導電ブロックと少なくとも１つの第二接合ブロックを設けて、第二導電ブロックと電気的接続する。そして、集積回路は、第一導電ブロックと第一接合ブロックをそれぞれ第二導電ブロックと第二接合ブロックに対応させて接合することで、発光ダイオードと相互結合するとともに、第一導電ブロックと第二導電ブロックを電気的接続して、製造は完成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は異種集積技術に関するものであって、特に集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）は一種の冷光発光素子であり、半導体材料中の電子と正孔の再結合によりエネルギーが光という形で放出されるものである。異なる材料の使用により、異なる波長の単色光を発することができる。主に、可視光発光ダイオードと不可視光（赤外線）発光ダイオードの２種類に分けることができ、発光ダイオードは従来の電球発光方式と比べて、省エネや耐震や速い閃光速度等の長所を有するため、日常生活には不可欠な重要コンポーネントとなっている。
【０００３】
図１ａ〜図１ｃは従来技術の放熱効果を有する発光ダイオード製造の各工程の構造断面図であり、図１ａが示すように、まずサファイア基板１０上に発光ダイオード１２を堆積して作成し、次に図１ｂが示すように、金属接着（ｍｅｔａｌ ａｄｈｅｓｉｖｅ）層１４と高熱伝導のシリコン基板１６上を利用して接合を行い、最後に図１ｃが示すように、サファイア基板１０の除去を行う。この発光ダイオード１２とシリコン基板１６の接合においては、主に高熱伝導のシリコン基板１６を利用して放熱を促し、発光ダイオード１２とシリコン基板１６間にはいかなる電気的接続効果も無く、接合方式上は金属接着層１４全層を利用して接合を行うことで、発光ダイオード１２から生じる熱が下向きにシリコン基板１６までスムーズに放熱できるようにする。従来の技術ではシリコン基板１６を利用して放熱を行うが、発光ダイオード１２の作成は高温下での作成工程であり、高いサーマルバジェット（ｔｈｅｒｍａｌ ｂｕｄｇｅｔ）と熱応力の発生は避けられない。また、この種の発光ダイオードは、機能的な集積回路と集積されていなかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このため、本発明は上述の問題に対して、公知技術が抱える欠点を克服すべく、集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法を提供する。
【０００５】
本発明の主な目的は、金属と接合ブロックの混合型接合（ｈｙｂｒｉｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を利用して集積回路と発光ダイオードを堆積接続し、集積回路と発光ダイオードの間に放熱効果をもたらす以外に、電気通信上の接続効果を有し、高密度でマルチファンクションな異種集積技術の開発と応用を達成する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するために、本発明が提供する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造は、集積回路を含み、その表面には少なくとも１つの接合構造と少なくとも１つの導電構造を設けることで、導電構造と電気的接続する。もう片方の発光ダイオードは、異なる両側の第一面と第二面を有し、発光ダイオードの第一面は接合構造と導電構造上に位置することで、集積回路と相互結合し、且つ発光ダイオードは導電構造と電気的接続する。また、発光ダイオード中に導電スルーホールを設けることで、導電構造と電気的接続し、且つ上述の第二面も導電ブロックを有することで、導電スルーホールと電気的接続し、発光ダイオード上にその他の応用構造を堆積することができる。
【０００７】
また、本発明が提供する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法は、まず、集積回路と発光ダイオードを提供し、集積回路の表面には少なくとも１つの第一導電ブロックと少なくとも１つの第一接合ブロックを設けることで、第一導電ブロックと電気的接続し、発光ダイオードは相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面には少なくとも１つの第二導電ブロックと少なくとも１つの第二接合ブロックを設けることで、第二導電ブロックと電気的接続する。次に、集積回路は第一導電ブロックと第一接合ブロックをそれぞれ、第二導電ブロックと第二接合ブロックに対応させて接合することで、発光ダイオードと相互結合するとともに、第一、第二導電ブロックと電気的接続する。更に、発光ダイオード中には導電構造と接続する導電スルーホールを設け、且つ第二面には導電ブロックを設けて、導電スルーホールと電気的接続する。集積回路と発光ダイオードが結合するとき、発光ダイオード上に堆積する異種集積構造が形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、放熱効果を有するだけでなく、電気通信上の接続効果を更に有し、高密度でマルチファンクションな異種集積技術に応用できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１ａ】従来技術の放熱効果を有する発光ダイオード製造の各工程の構造断面図。
【図１ｂ】従来技術の放熱効果を有する発光ダイオード製造の各工程の構造断面図。
【図１ｃ】従来技術の放熱効果を有する発光ダイオード製造の各工程の構造断面図。
【図２】本発明第一実施例の構造断面図。
【図３ａ】本発明第一実施例の各製造工程の構造断面図。
【図３ｂ】本発明第一実施例の各製造工程の構造断面図。
【図３ｃ】本発明第一実施例の各製造工程の構造断面図。
【図３ｄ】本発明第一実施例で行う切断分割工程を示す図。
【図４】本発明の第二実施例の構造断面図。
【図５ａ】本発明第二実施例の各製造工程の構造断面図。
【図５ｂ】本発明第二実施例の各製造工程の構造断面図。
【図５ｃ】本発明第二実施例の各製造工程の構造断面図。
【図５ｄ】本発明第二実施例の各製造工程の構造断面図。
【図５ｅ】本発明第二実施例で行う切断分割工程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の構造的特徴と達成する効果の更なる理解と認識のために、好ましい実施例と図をもとに、以下に詳しく説明する。
【実施例】
【００１１】
まず、以下に本発明の第一実施例を紹介する。図２を参照されたい。本発明は集積回路１８を含み、その表面には少なくとも１つの接合構造２０と少なくとも１つの導電構造２２を設けるとともに、集積回路１８と導電構造２２は電気的接続する。もう片方の発光ダイオード２４は、相異なる両側の第一面と第二面を有し、発光ダイオード２４の第一面は接合構造２０と導電構造２２上に位置することで、集積回路１８と相互結合し、且つ発光ダイオード２４は導電構造２２と電気的接続する。上述の構造中では、集積回路１８はマルチファンクションを有する。例えば、発光ダイオード２４に電源供給できる、或いはロジックコントローラー、メモリー、補助型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）画像センサー、高周波集積回路等の機能である。従来技術に対して、本発明は集積回路１８によってシリコン基板を代替する。このため、本発明は、集積回路１８と発光ダイオード２４の間の放熱以外にも、電気通信上の接続を更に有し、高密度でマルチファンクションな異種集積技術の開発と応用を達成する。
【００１２】
接合構造２０は、更に第一接合ブロック２６と第二接合ブロック２８を含み、その材質は２５０℃以下で適用できるエポキシ樹脂ベースのフォトレジスト（ＳＵ−８）のような高分子材料を選ぶ。第一接合ブロックは集積回路１８の表面上に設けられ、第二接合ブロック２８は発光ダイオード２４の第一面上に設けられ、第一接合ブロック２６と相互接合する。導電構造２２は、金属材質の第一導電ブロックと第二導電ブロック３０を更に含み、第一導電ブロックは集積回路１８の表面上に設けられることで、集積回路１８と電気的接続し、第二導電ブロック３０は発光ダイオード２４の第一面上に設けられることで、発光ダイオード２４と電気的接続し、且つ第二導電ブロック３０と第一導電ブロックは相互接合するとともに、電気的接続する。第一導電ブロックは２つの構造を含み、その１つは集積回路１８の表面上に設けられることで集積回路１８と電気的接続する高温接合金属ブロック３２であり、もう１つは高温接合金属ブロック３２と第二導電ブロック３０を接合することで電気的接続する低温接合金属ブロック３４である。中でも低温接合金属ブロック３４の材質は２５０℃以下で適用できる錫（Ｓｎ）或いはインジウム（Ｉｎ）等の金属材料を選ぶ。言い換えれば、集積回路１８と発光ダイオード２４の接続は金属及び高分子材料の混合型接合（ｈｙｂｒｉｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を採用し、その金属部分は電気通信接続を提供し、高分子部分は構造補強を提供し、その技術特徴は、金属も高分子も接合材料だということである。これにより、集積回路１８と発光ダイオード２４の電気的接続とマイクロスペース高分子充填の効果を同時に達成し、集積回路１８と発光ダイオード２４の接合強度を増し堆積コンポーネントの使用上の信頼性を高める。
【００１３】
以下に第一実施例の製造方法を紹介する。図３ａ〜図３ｄを参照されたい。まず図３ａが示すように、集積回路１８の表面上に高温接合金属ブロック３２を形成して、高温接合金属ブロック３２と集積回路１８を電気的接続する。そして低温接合金属ブロック３４を高温接合気金属ブロック３２上に形成しすることで、高温接合金属ブロック３２と電気的接続し、この高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４は第一導電ブロック３６を構成する。同時に、発光ダイオード２４の第一面上に第二導電ブロック３０を形成することで、発光ダイオード２４と電気的接続する。そこでリソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４と第二導電ブロック３０を形成する。次に、図３ｂが示すように、集積回路１８の表面と発光ダイオード２４の第一面にそれぞれ第一接合ブロック２６と第二接合ブロック２８を形成し、且つリソグラフィーの形成方式によって製造工程が進められる。更に図３ｃが示すように、発光ダイオード２４は低温製造工程により適しており、且つ接合及び導電材料も低温製造が可能なので、第一接合ブロック２６・第二接合ブロック２８と第一導電ブロック３０・第二導電ブロック３６に対しては２５０℃〜２５℃の低温を適用し、集積回路１８が第一導電ブロック３６の低温接合金属ブロック３４と第一接合ブロック２６をそれぞれ第二導電ブロック３０と第二接合ブロック２８に対応させて接合することで、発光ダイオード２４と相互結合するとともに、低温接合金属ブロック３４と第二導電ブロック３０を電気的接続し、低温接合の異種集積構造３８は完成する。最後に、図３ｄが示すように、切断分割工程を実行する。集積回路１８と発光ダイオード２４が構成する異種集積構造３８に対して切断分割を行う。図３ｃでは破線によって複数の異種集積ユニット４０を示す。
【００１４】
上述の手順では、図３ｄの工程は省略できる。また、図３ａの工程では、高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４を集積回路１８上に形成する工程は、高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４を含む第一導電ブロック３６を集積回路１８の表面上に直接形成する工程によって代替でき、そこでは、高温接合金属ブロック３２が低温接合金属ブロック３４と集積回路１８の間に位置する必要がある。更に、図３ａ〜図３ｃの工程の手順においては、図３ａ〜図３ｂの工程を単一工程によって代替できる。即ち、集積回路１８と発光ダイオード２４を直接提供し、且つ集積回路１８の表面には少なくとも１つの第一導電ブロック３６と少なくとも１つの第一接合ブロック２６を設けることで、第一導電ブロック３６と電気的接続し、発光ダイオード２４は相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面は少なくとも１つの第二導電ブロック３０と少なくとも１つの第二接合ブロック２８を設けることで、第二導電ブロック３０と電気的接続する。その図は図３ｂと同じである。続いて、図３ｃの工程に進む。
【００１５】
以下に本発明の第二実施例を紹介する。図４を参照されたい。第二実施例と第一実施例の差異は、第二実施例の発光ダイオード２４は少なくとも１つの導電スルーホール４２を更に設け、導電構造２２の第二導電ブロック３０と電気的接続し、且つ発光ダイオード２４の第二面には少なくとも１つの金属材質の第三導電ブロック４４を設けて、導電スルーホール４２と電気的接続する点である。
【００１６】
以下に第二実施例の製造方法を紹介する。図５ａ〜図５ｅを参照されたい。まず図５ａが示すように、集積回路１８の表面上に高温接合金属ブロック３２を形成し、高温接合金属ブロック３２と集積回路１８を電気的接続する。そして、高温接合金属ブロック３２上に低温接合金属ブロック３４を形成することで、高温接合金属ブロック３２と電気的接続する。この高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４は第一導電ブロック３６を形成する。同時に、発光ダイオード２４の第一面上に第二導電ブロック３０を形成することで、発光ダイオード２４と電気的接続する。中でも高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４と第二導電ブロック３０はリソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる。次に、図５ｂが示すように、発光ダイオード２４中に導電スルーホール４２を形成することで、第二導電ブロック３０と電気的接続する。続いて、リソグラフィーや電気めっきやエッチングによって、発光ダイオード２４の第二面に第三導電ブロック４４を形成するともに、導電スルーホール４２と電気的接続することで、発光ダイオード２４の設置或いはその他のコンポーネントの堆積を便利にする。更に、図５ｃが示すように、集積回路１８の表面と発光ダイオード２４の第一面にそれぞれ第一接合ブロック２６と第二接合ブロック２８を形成し、それはリソグラフィーの形成方式によって製造工程が進められる。続いて、図５ｄが示すように、第一実施例の方式と類似するが、第一接合ブロック２６・第二接合ブロック２８と第一導電ブロック３６・第二導電ブロック３０に対しては２５０℃〜２５℃の低温を適用し、集積回路１８が第一導電ブロック３６の低温接合金属ブロック３４と第一接合ブロック２６をそれぞれ第二導電ブロック３０と第二接合ブロック２８に対応させて接合することで、発光ダイオード２４と相互結合するとともに、低温接合金属ブロック３４と第二導電ブロック３０を電気的接続し、低温接合の異種集積構造４６は完成する。最後に、図５ｅが示すように、切断分割工程を実行する。集積回路１８と発光ダイオード２４が構成する異種集積構造４６に対して切断分割を行う。図５ｄでは破線によって複数の異種集積ユニット４８を示す。
【００１７】
上述の手順では、図５ｅの工程は省略できる。また、図５ａの工程では、高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４を集積回路１８上に形成する工程は、高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４を含む第一導電ブロック３６を集積回路１８の表面上に直接形成する工程によって代替でき、そこでは、高温接合金属ブロック３２が低温接合金属ブロック３４と集積回路１８の間に位置する必要がある。更に、図５ａ〜図５ｄの手順においては、図５ａ〜図５ｃの工程を単一工程によって代替できる。即ち、集積回路１８と発光ダイオード２４を直接提供し、且つ集積回路１８の表面には少なくとも１つの第一導電ブロック３６と少なくとも１つの第一接合ブロック２６を設けることで、第一導電ブロック３６と電気的接続し、発光ダイオード２４は相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面は少なくとも１つの第二導電ブロック３０と少なくとも１つの第二接合ブロック２８を設けることで、第二導電ブロック３０と電気的接続する。発光ダイオオード２４は少なくとも１つの導電スルーホール４２を更に設けて、第二導電ブロック３０と電気的接続し、且つ発光ダイオード２４の第二面には少なくとも１つの第三導電ブロック４４を更に設けて、導電スルーホール４２と電気的接続する。その図は図５ｃと同じである。続いて、図５ｄの工程に進む。
【００１８】
以上に述べた内容は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の実施範囲を限定するものではない。したがって、本願の特許請求の範囲に記載された形状、構造、特徴、精神に基づいた変更や潤色は全て、本発明の特許請求の範囲内に属するものとする。
【符号の説明】
【００１９】
１０ サファイア基板
１２ 発光ダイオード
１４ 金属接着層
１６ シリコン基板
１８ 集積回路
２０ 接合構造
２２ 導電構造
２４ 発光ダイオード
２６ 第一接合ブロック
２８ 第二接合ブロック
３０ 第二導電ブロック
３２ 高温接合金属ブロック
３４ 低温接合金属ブロック
３６ 第一導電ブロック
３８ 異種集積構造
４０ 異種集積ユニット
４２ 導電スルーホール
４４ 第三導電ブロック
４６ 異種集積構造
４８ 異種集積ユニット
【技術分野】
【０００１】
本発明は異種集積技術に関するものであって、特に集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）は一種の冷光発光素子であり、半導体材料中の電子と正孔の再結合によりエネルギーが光という形で放出されるものである。異なる材料の使用により、異なる波長の単色光を発することができる。主に、可視光発光ダイオードと不可視光（赤外線）発光ダイオードの２種類に分けることができ、発光ダイオードは従来の電球発光方式と比べて、省エネや耐震や速い閃光速度等の長所を有するため、日常生活には不可欠な重要コンポーネントとなっている。
【０００３】
図１ａ〜図１ｃは従来技術の放熱効果を有する発光ダイオード製造の各工程の構造断面図であり、図１ａが示すように、まずサファイア基板１０上に発光ダイオード１２を堆積して作成し、次に図１ｂが示すように、金属接着（ｍｅｔａｌ ａｄｈｅｓｉｖｅ）層１４と高熱伝導のシリコン基板１６上を利用して接合を行い、最後に図１ｃが示すように、サファイア基板１０の除去を行う。この発光ダイオード１２とシリコン基板１６の接合においては、主に高熱伝導のシリコン基板１６を利用して放熱を促し、発光ダイオード１２とシリコン基板１６間にはいかなる電気的接続効果も無く、接合方式上は金属接着層１４全層を利用して接合を行うことで、発光ダイオード１２から生じる熱が下向きにシリコン基板１６までスムーズに放熱できるようにする。従来の技術ではシリコン基板１６を利用して放熱を行うが、発光ダイオード１２の作成は高温下での作成工程であり、高いサーマルバジェット（ｔｈｅｒｍａｌ ｂｕｄｇｅｔ）と熱応力の発生は避けられない。また、この種の発光ダイオードは、機能的な集積回路と集積されていなかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このため、本発明は上述の問題に対して、公知技術が抱える欠点を克服すべく、集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法を提供する。
【０００５】
本発明の主な目的は、金属と接合ブロックの混合型接合（ｈｙｂｒｉｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を利用して集積回路と発光ダイオードを堆積接続し、集積回路と発光ダイオードの間に放熱効果をもたらす以外に、電気通信上の接続効果を有し、高密度でマルチファンクションな異種集積技術の開発と応用を達成する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するために、本発明が提供する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造は、集積回路を含み、その表面には少なくとも１つの接合構造と少なくとも１つの導電構造を設けることで、導電構造と電気的接続する。もう片方の発光ダイオードは、異なる両側の第一面と第二面を有し、発光ダイオードの第一面は接合構造と導電構造上に位置することで、集積回路と相互結合し、且つ発光ダイオードは導電構造と電気的接続する。また、発光ダイオード中に導電スルーホールを設けることで、導電構造と電気的接続し、且つ上述の第二面も導電ブロックを有することで、導電スルーホールと電気的接続し、発光ダイオード上にその他の応用構造を堆積することができる。
【０００７】
また、本発明が提供する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法は、まず、集積回路と発光ダイオードを提供し、集積回路の表面には少なくとも１つの第一導電ブロックと少なくとも１つの第一接合ブロックを設けることで、第一導電ブロックと電気的接続し、発光ダイオードは相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面には少なくとも１つの第二導電ブロックと少なくとも１つの第二接合ブロックを設けることで、第二導電ブロックと電気的接続する。次に、集積回路は第一導電ブロックと第一接合ブロックをそれぞれ、第二導電ブロックと第二接合ブロックに対応させて接合することで、発光ダイオードと相互結合するとともに、第一、第二導電ブロックと電気的接続する。更に、発光ダイオード中には導電構造と接続する導電スルーホールを設け、且つ第二面には導電ブロックを設けて、導電スルーホールと電気的接続する。集積回路と発光ダイオードが結合するとき、発光ダイオード上に堆積する異種集積構造が形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、放熱効果を有するだけでなく、電気通信上の接続効果を更に有し、高密度でマルチファンクションな異種集積技術に応用できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１ａ】従来技術の放熱効果を有する発光ダイオード製造の各工程の構造断面図。
【図１ｂ】従来技術の放熱効果を有する発光ダイオード製造の各工程の構造断面図。
【図１ｃ】従来技術の放熱効果を有する発光ダイオード製造の各工程の構造断面図。
【図２】本発明第一実施例の構造断面図。
【図３ａ】本発明第一実施例の各製造工程の構造断面図。
【図３ｂ】本発明第一実施例の各製造工程の構造断面図。
【図３ｃ】本発明第一実施例の各製造工程の構造断面図。
【図３ｄ】本発明第一実施例で行う切断分割工程を示す図。
【図４】本発明の第二実施例の構造断面図。
【図５ａ】本発明第二実施例の各製造工程の構造断面図。
【図５ｂ】本発明第二実施例の各製造工程の構造断面図。
【図５ｃ】本発明第二実施例の各製造工程の構造断面図。
【図５ｄ】本発明第二実施例の各製造工程の構造断面図。
【図５ｅ】本発明第二実施例で行う切断分割工程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の構造的特徴と達成する効果の更なる理解と認識のために、好ましい実施例と図をもとに、以下に詳しく説明する。
【実施例】
【００１１】
まず、以下に本発明の第一実施例を紹介する。図２を参照されたい。本発明は集積回路１８を含み、その表面には少なくとも１つの接合構造２０と少なくとも１つの導電構造２２を設けるとともに、集積回路１８と導電構造２２は電気的接続する。もう片方の発光ダイオード２４は、相異なる両側の第一面と第二面を有し、発光ダイオード２４の第一面は接合構造２０と導電構造２２上に位置することで、集積回路１８と相互結合し、且つ発光ダイオード２４は導電構造２２と電気的接続する。上述の構造中では、集積回路１８はマルチファンクションを有する。例えば、発光ダイオード２４に電源供給できる、或いはロジックコントローラー、メモリー、補助型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）画像センサー、高周波集積回路等の機能である。従来技術に対して、本発明は集積回路１８によってシリコン基板を代替する。このため、本発明は、集積回路１８と発光ダイオード２４の間の放熱以外にも、電気通信上の接続を更に有し、高密度でマルチファンクションな異種集積技術の開発と応用を達成する。
【００１２】
接合構造２０は、更に第一接合ブロック２６と第二接合ブロック２８を含み、その材質は２５０℃以下で適用できるエポキシ樹脂ベースのフォトレジスト（ＳＵ−８）のような高分子材料を選ぶ。第一接合ブロックは集積回路１８の表面上に設けられ、第二接合ブロック２８は発光ダイオード２４の第一面上に設けられ、第一接合ブロック２６と相互接合する。導電構造２２は、金属材質の第一導電ブロックと第二導電ブロック３０を更に含み、第一導電ブロックは集積回路１８の表面上に設けられることで、集積回路１８と電気的接続し、第二導電ブロック３０は発光ダイオード２４の第一面上に設けられることで、発光ダイオード２４と電気的接続し、且つ第二導電ブロック３０と第一導電ブロックは相互接合するとともに、電気的接続する。第一導電ブロックは２つの構造を含み、その１つは集積回路１８の表面上に設けられることで集積回路１８と電気的接続する高温接合金属ブロック３２であり、もう１つは高温接合金属ブロック３２と第二導電ブロック３０を接合することで電気的接続する低温接合金属ブロック３４である。中でも低温接合金属ブロック３４の材質は２５０℃以下で適用できる錫（Ｓｎ）或いはインジウム（Ｉｎ）等の金属材料を選ぶ。言い換えれば、集積回路１８と発光ダイオード２４の接続は金属及び高分子材料の混合型接合（ｈｙｂｒｉｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式を採用し、その金属部分は電気通信接続を提供し、高分子部分は構造補強を提供し、その技術特徴は、金属も高分子も接合材料だということである。これにより、集積回路１８と発光ダイオード２４の電気的接続とマイクロスペース高分子充填の効果を同時に達成し、集積回路１８と発光ダイオード２４の接合強度を増し堆積コンポーネントの使用上の信頼性を高める。
【００１３】
以下に第一実施例の製造方法を紹介する。図３ａ〜図３ｄを参照されたい。まず図３ａが示すように、集積回路１８の表面上に高温接合金属ブロック３２を形成して、高温接合金属ブロック３２と集積回路１８を電気的接続する。そして低温接合金属ブロック３４を高温接合気金属ブロック３２上に形成しすることで、高温接合金属ブロック３２と電気的接続し、この高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４は第一導電ブロック３６を構成する。同時に、発光ダイオード２４の第一面上に第二導電ブロック３０を形成することで、発光ダイオード２４と電気的接続する。そこでリソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４と第二導電ブロック３０を形成する。次に、図３ｂが示すように、集積回路１８の表面と発光ダイオード２４の第一面にそれぞれ第一接合ブロック２６と第二接合ブロック２８を形成し、且つリソグラフィーの形成方式によって製造工程が進められる。更に図３ｃが示すように、発光ダイオード２４は低温製造工程により適しており、且つ接合及び導電材料も低温製造が可能なので、第一接合ブロック２６・第二接合ブロック２８と第一導電ブロック３０・第二導電ブロック３６に対しては２５０℃〜２５℃の低温を適用し、集積回路１８が第一導電ブロック３６の低温接合金属ブロック３４と第一接合ブロック２６をそれぞれ第二導電ブロック３０と第二接合ブロック２８に対応させて接合することで、発光ダイオード２４と相互結合するとともに、低温接合金属ブロック３４と第二導電ブロック３０を電気的接続し、低温接合の異種集積構造３８は完成する。最後に、図３ｄが示すように、切断分割工程を実行する。集積回路１８と発光ダイオード２４が構成する異種集積構造３８に対して切断分割を行う。図３ｃでは破線によって複数の異種集積ユニット４０を示す。
【００１４】
上述の手順では、図３ｄの工程は省略できる。また、図３ａの工程では、高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４を集積回路１８上に形成する工程は、高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４を含む第一導電ブロック３６を集積回路１８の表面上に直接形成する工程によって代替でき、そこでは、高温接合金属ブロック３２が低温接合金属ブロック３４と集積回路１８の間に位置する必要がある。更に、図３ａ〜図３ｃの工程の手順においては、図３ａ〜図３ｂの工程を単一工程によって代替できる。即ち、集積回路１８と発光ダイオード２４を直接提供し、且つ集積回路１８の表面には少なくとも１つの第一導電ブロック３６と少なくとも１つの第一接合ブロック２６を設けることで、第一導電ブロック３６と電気的接続し、発光ダイオード２４は相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面は少なくとも１つの第二導電ブロック３０と少なくとも１つの第二接合ブロック２８を設けることで、第二導電ブロック３０と電気的接続する。その図は図３ｂと同じである。続いて、図３ｃの工程に進む。
【００１５】
以下に本発明の第二実施例を紹介する。図４を参照されたい。第二実施例と第一実施例の差異は、第二実施例の発光ダイオード２４は少なくとも１つの導電スルーホール４２を更に設け、導電構造２２の第二導電ブロック３０と電気的接続し、且つ発光ダイオード２４の第二面には少なくとも１つの金属材質の第三導電ブロック４４を設けて、導電スルーホール４２と電気的接続する点である。
【００１６】
以下に第二実施例の製造方法を紹介する。図５ａ〜図５ｅを参照されたい。まず図５ａが示すように、集積回路１８の表面上に高温接合金属ブロック３２を形成し、高温接合金属ブロック３２と集積回路１８を電気的接続する。そして、高温接合金属ブロック３２上に低温接合金属ブロック３４を形成することで、高温接合金属ブロック３２と電気的接続する。この高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４は第一導電ブロック３６を形成する。同時に、発光ダイオード２４の第一面上に第二導電ブロック３０を形成することで、発光ダイオード２４と電気的接続する。中でも高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４と第二導電ブロック３０はリソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる。次に、図５ｂが示すように、発光ダイオード２４中に導電スルーホール４２を形成することで、第二導電ブロック３０と電気的接続する。続いて、リソグラフィーや電気めっきやエッチングによって、発光ダイオード２４の第二面に第三導電ブロック４４を形成するともに、導電スルーホール４２と電気的接続することで、発光ダイオード２４の設置或いはその他のコンポーネントの堆積を便利にする。更に、図５ｃが示すように、集積回路１８の表面と発光ダイオード２４の第一面にそれぞれ第一接合ブロック２６と第二接合ブロック２８を形成し、それはリソグラフィーの形成方式によって製造工程が進められる。続いて、図５ｄが示すように、第一実施例の方式と類似するが、第一接合ブロック２６・第二接合ブロック２８と第一導電ブロック３６・第二導電ブロック３０に対しては２５０℃〜２５℃の低温を適用し、集積回路１８が第一導電ブロック３６の低温接合金属ブロック３４と第一接合ブロック２６をそれぞれ第二導電ブロック３０と第二接合ブロック２８に対応させて接合することで、発光ダイオード２４と相互結合するとともに、低温接合金属ブロック３４と第二導電ブロック３０を電気的接続し、低温接合の異種集積構造４６は完成する。最後に、図５ｅが示すように、切断分割工程を実行する。集積回路１８と発光ダイオード２４が構成する異種集積構造４６に対して切断分割を行う。図５ｄでは破線によって複数の異種集積ユニット４８を示す。
【００１７】
上述の手順では、図５ｅの工程は省略できる。また、図５ａの工程では、高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４を集積回路１８上に形成する工程は、高温接合金属ブロック３２と低温接合金属ブロック３４を含む第一導電ブロック３６を集積回路１８の表面上に直接形成する工程によって代替でき、そこでは、高温接合金属ブロック３２が低温接合金属ブロック３４と集積回路１８の間に位置する必要がある。更に、図５ａ〜図５ｄの手順においては、図５ａ〜図５ｃの工程を単一工程によって代替できる。即ち、集積回路１８と発光ダイオード２４を直接提供し、且つ集積回路１８の表面には少なくとも１つの第一導電ブロック３６と少なくとも１つの第一接合ブロック２６を設けることで、第一導電ブロック３６と電気的接続し、発光ダイオード２４は相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面は少なくとも１つの第二導電ブロック３０と少なくとも１つの第二接合ブロック２８を設けることで、第二導電ブロック３０と電気的接続する。発光ダイオオード２４は少なくとも１つの導電スルーホール４２を更に設けて、第二導電ブロック３０と電気的接続し、且つ発光ダイオード２４の第二面には少なくとも１つの第三導電ブロック４４を更に設けて、導電スルーホール４２と電気的接続する。その図は図５ｃと同じである。続いて、図５ｄの工程に進む。
【００１８】
以上に述べた内容は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の実施範囲を限定するものではない。したがって、本願の特許請求の範囲に記載された形状、構造、特徴、精神に基づいた変更や潤色は全て、本発明の特許請求の範囲内に属するものとする。
【符号の説明】
【００１９】
１０ サファイア基板
１２ 発光ダイオード
１４ 金属接着層
１６ シリコン基板
１８ 集積回路
２０ 接合構造
２２ 導電構造
２４ 発光ダイオード
２６ 第一接合ブロック
２８ 第二接合ブロック
３０ 第二導電ブロック
３２ 高温接合金属ブロック
３４ 低温接合金属ブロック
３６ 第一導電ブロック
３８ 異種集積構造
４０ 異種集積ユニット
４２ 導電スルーホール
４４ 第三導電ブロック
４６ 異種集積構造
４８ 異種集積ユニット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路と、
前記集積回路の表面に設けられた少なくとも１つの接合構造と、
前記表面に設けられるとともに、前記集積回路と電気的接続する少なくとも１つの導電構造と、
発光ダイオードであり、相異なる両側の第一面と第二面を有し、前記発光ダイオードの前記第一面が前記接合構造と前記導電構造上に位置するこことで、前記集積回路と相互結合し、且つ前記発光ダイオードは前記導電構造に電気的接続する発光ダイオードと、
を含むことを特徴とする集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項２】
前記接合構造は、
前記表面上に設けられた第一接合ブロックと、
前記第一面上に設けられるとともに、前記第一接合ブロックと相互接合する第二接合ブロックと、
を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項３】
前記第一、第二接合ブロックの材質は、エポキシ樹脂ベースのフォトレジスト（ＳＵ−８）であることを特徴とする、請求項２に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項４】
前記導電構造は、
前記表面上に設けられることで前記集積回路と電気的接続する第一導電ブロックと、
第二導電ブロックであり、前記第一面上に設けられることで前記発光ダイオードと電気的接続し、且つ前記第二導電ブロックと前記第一導電ブロックが相互接合するとともに、電気的接続する第二導電ブロックと、を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項５】
前記第一、第二導電ブロックは金属材質であることを特徴とする、請求項４に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項６】
前記第一導電ブロックは、
前記表面上に設けられることで前記集積回路と電気的接続する高温接合金属ブロックと、
前記高温接合金属ブロックと前記第二導電ブロックに接合することで電気的接続する低温接合金属ブロックと、
を更に含むことを特徴とする、請求項４に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項７】
前記低温接合金属ブロックの材質は錫（Ｓｎ）或いはインジウム（Ｉｎ）であることを特徴とする、請求項６に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項８】
前記発光ダイオードは、少なくとも１つの導電スルーホールを設けて前記導電構造と電気的接続し、且つ前記第二面には少なくとも１つの第三導電ブロックを設けて、前記導電スルーホールと電気的接続することを特徴とする、請求項１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項９】
前記第三導電ブロックは金属材質であることを特徴とする、請求項８に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項１０】
集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法であり、
集積回路と発光ダイオードを提供し、前記集積回路の表面は少なくとも１つの第一導電ブロックと少なくとも１つの第一接合ブロックを設けることで、前記第一導電ブロックと電気的接続し、前記発光ダイオオードは相異なる両側の第一、第二面を有し、前記第一面には少なくとも１つの第二導電ブロックと少なくとも１つの第二接合ブロックを設けることで前記第二導電ブロックと電気的接続する工程、
前記集積回路が前記第一導電ブロックと前記第一接合ブロックをそれぞれ前記第二導電ブロックと前記第二接合ブロックに対応させて接合することで、前記発光ダイオードと相互結合するとともに、前記第一、第二導電ブロックを電気的接続する工程、
を含むことを特徴とする、集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１１】
前記第一導電ブロックと前記第一接合ブロックを設けた前記集積回路を提供する工程は更に、
前記表面に前記第一導電ブロックを形成することで、前記集積回路と電気接続する工程、
前記表面に前記第一接合ブロックを形成する工程、
を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１２】
リソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる第一導電ブロックを形成し、リソグラフィーによって製造工程が進められる第一接合ブロックを形成することを特徴とする、請求項１１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１３】
前記表面上に前記第一導電ブロックを形成する工程は、
前記表面上に高温接合金属ブロックを形成して、前記集積回路と電気接続する工程、
前記高温接合金属ブロック上に低温接合金属ブロックを形成して、前記高温接合金属ブロックと電気的接続する工程
を更に含むことを特徴とする、請求項１１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１４】
前記第二導電ブロックと前記第二接合ブロックを設けた前記発光ダイオードを提供する工程は、
前記第一面に前記第二導電ブロックを形成して、前記発光ダイオードと電気的接続する工程、
前記第一面に前記第二接合ブロックを形成する工程、
を更に含むことを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１５】
リソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる第二導電ブロックを形成し、リソグラフィーによって製造工程が進められる第二接合ブロックを形成することを特徴とする、請求項１４に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１６】
前記集積回路と前記発光ダイオードの相互結合工程において、前記第一、第二接合ブロックと前記第一、第二導電ブロックに対し２５０℃〜２５℃で低温接合を行うことを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１７】
前記第二導電ブロックと前記第二接合ブロックを設けた前記発光ダイオードを提供する工程において、前記発光ダイオードは少なくとも１つの導電スルーホールを更に設けて、前記第二導電ブロックと電気的接続し、且つ前記第二面に少なくとも１つの第三導電ブロックを設けて前記導電スルーホールと電気的接続することを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１８】
前記第二導電ブロックと第二接合ブロックと前記導電スルーホールと前記第三導電ブロックを設けた前記発光ダイオードを提供する工程において、
前記第一面に前記第二導電ブロックを形成して、前記発光ダイオードと電気的接続する工程、
前記発光ダイオード中に前記導電スルーホールを形成して、前記第二導電ブロックと電気的接続する工程、
前記第二面に前記第三導電ブロックを形成するとともに、前記導電スルーホールと電気的接続する工程、
前記第一面に前記第二接合ブロックを形成する工程、
を更に含むことを特徴とする、請求項１７に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１９】
リソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる前記第二、第三導電ブロックを形成し、リソグラフィーによって製造工程が進められる第二接合ブロックを形成することを特徴とする、請求項１８に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項２０】
前記集積回路と前記発光ダイオードに対して切断分割を行うことで、複数の異種集積ユニットとする切断分割工程を更に含むことを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１】
集積回路と、
前記集積回路の表面に設けられた少なくとも１つの接合構造と、
前記表面に設けられるとともに、前記集積回路と電気的接続する少なくとも１つの導電構造と、
発光ダイオードであり、相異なる両側の第一面と第二面を有し、前記発光ダイオードの前記第一面が前記接合構造と前記導電構造上に位置するこことで、前記集積回路と相互結合し、且つ前記発光ダイオードは前記導電構造に電気的接続する発光ダイオードと、
を含むことを特徴とする集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項２】
前記接合構造は、
前記表面上に設けられた第一接合ブロックと、
前記第一面上に設けられるとともに、前記第一接合ブロックと相互接合する第二接合ブロックと、
を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項３】
前記第一、第二接合ブロックの材質は、エポキシ樹脂ベースのフォトレジスト（ＳＵ−８）であることを特徴とする、請求項２に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項４】
前記導電構造は、
前記表面上に設けられることで前記集積回路と電気的接続する第一導電ブロックと、
第二導電ブロックであり、前記第一面上に設けられることで前記発光ダイオードと電気的接続し、且つ前記第二導電ブロックと前記第一導電ブロックが相互接合するとともに、電気的接続する第二導電ブロックと、を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項５】
前記第一、第二導電ブロックは金属材質であることを特徴とする、請求項４に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項６】
前記第一導電ブロックは、
前記表面上に設けられることで前記集積回路と電気的接続する高温接合金属ブロックと、
前記高温接合金属ブロックと前記第二導電ブロックに接合することで電気的接続する低温接合金属ブロックと、
を更に含むことを特徴とする、請求項４に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項７】
前記低温接合金属ブロックの材質は錫（Ｓｎ）或いはインジウム（Ｉｎ）であることを特徴とする、請求項６に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項８】
前記発光ダイオードは、少なくとも１つの導電スルーホールを設けて前記導電構造と電気的接続し、且つ前記第二面には少なくとも１つの第三導電ブロックを設けて、前記導電スルーホールと電気的接続することを特徴とする、請求項１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項９】
前記第三導電ブロックは金属材質であることを特徴とする、請求項８に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造。
【請求項１０】
集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法であり、
集積回路と発光ダイオードを提供し、前記集積回路の表面は少なくとも１つの第一導電ブロックと少なくとも１つの第一接合ブロックを設けることで、前記第一導電ブロックと電気的接続し、前記発光ダイオオードは相異なる両側の第一、第二面を有し、前記第一面には少なくとも１つの第二導電ブロックと少なくとも１つの第二接合ブロックを設けることで前記第二導電ブロックと電気的接続する工程、
前記集積回路が前記第一導電ブロックと前記第一接合ブロックをそれぞれ前記第二導電ブロックと前記第二接合ブロックに対応させて接合することで、前記発光ダイオードと相互結合するとともに、前記第一、第二導電ブロックを電気的接続する工程、
を含むことを特徴とする、集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１１】
前記第一導電ブロックと前記第一接合ブロックを設けた前記集積回路を提供する工程は更に、
前記表面に前記第一導電ブロックを形成することで、前記集積回路と電気接続する工程、
前記表面に前記第一接合ブロックを形成する工程、
を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１２】
リソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる第一導電ブロックを形成し、リソグラフィーによって製造工程が進められる第一接合ブロックを形成することを特徴とする、請求項１１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１３】
前記表面上に前記第一導電ブロックを形成する工程は、
前記表面上に高温接合金属ブロックを形成して、前記集積回路と電気接続する工程、
前記高温接合金属ブロック上に低温接合金属ブロックを形成して、前記高温接合金属ブロックと電気的接続する工程
を更に含むことを特徴とする、請求項１１に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１４】
前記第二導電ブロックと前記第二接合ブロックを設けた前記発光ダイオードを提供する工程は、
前記第一面に前記第二導電ブロックを形成して、前記発光ダイオードと電気的接続する工程、
前記第一面に前記第二接合ブロックを形成する工程、
を更に含むことを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１５】
リソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる第二導電ブロックを形成し、リソグラフィーによって製造工程が進められる第二接合ブロックを形成することを特徴とする、請求項１４に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１６】
前記集積回路と前記発光ダイオードの相互結合工程において、前記第一、第二接合ブロックと前記第一、第二導電ブロックに対し２５０℃〜２５℃で低温接合を行うことを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１７】
前記第二導電ブロックと前記第二接合ブロックを設けた前記発光ダイオードを提供する工程において、前記発光ダイオードは少なくとも１つの導電スルーホールを更に設けて、前記第二導電ブロックと電気的接続し、且つ前記第二面に少なくとも１つの第三導電ブロックを設けて前記導電スルーホールと電気的接続することを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１８】
前記第二導電ブロックと第二接合ブロックと前記導電スルーホールと前記第三導電ブロックを設けた前記発光ダイオードを提供する工程において、
前記第一面に前記第二導電ブロックを形成して、前記発光ダイオードと電気的接続する工程、
前記発光ダイオード中に前記導電スルーホールを形成して、前記第二導電ブロックと電気的接続する工程、
前記第二面に前記第三導電ブロックを形成するとともに、前記導電スルーホールと電気的接続する工程、
前記第一面に前記第二接合ブロックを形成する工程、
を更に含むことを特徴とする、請求項１７に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項１９】
リソグラフィーや電気めっきやエッチングによって製造工程が進められる前記第二、第三導電ブロックを形成し、リソグラフィーによって製造工程が進められる第二接合ブロックを形成することを特徴とする、請求項１８に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【請求項２０】
前記集積回路と前記発光ダイオードに対して切断分割を行うことで、複数の異種集積ユニットとする切断分割工程を更に含むことを特徴とする、請求項１０に記載の集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造の製造方法。
【図１ａ】
【図１ｂ】
【図１ｃ】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図３ｃ】
【図３ｄ】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５ｃ】
【図５ｄ】
【図５ｅ】
【図１ｂ】
【図１ｃ】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図３ｃ】
【図３ｄ】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５ｃ】
【図５ｄ】
【図５ｅ】
【公開番号】特開２０１２−２５６８１０（Ｐ２０１２−２５６８１０Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６３２５５（Ｐ２０１１−１６３２５５）
【出願日】平成２３年７月２６日（２０１１．７．２６）
【出願人】（５９８１３９７４８）國立交通大學 (92)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２６日（２０１１．７．２６）
【出願人】（５９８１３９７４８）國立交通大學 (92)
【Ｆターム（参考）】
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