電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
【課題】 トランジスタの特性バラツキに関係なく輝度を精度良く制御することができる電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】 有機ＥＬディスプレイにおいて、各画素回路１０に、駆動電流Ｉdに比例
した検出電流Ｉpを検出する第１及び第２トランジスタＱ1，Ｑ2と、その検出した検出電
流Ｉpに応じた電荷を蓄積する蓄積容量素子Ｃpと、蓄積容量素子Ｃpに蓄積された総電荷
量によって駆動トランジスタＱdをオン・オフ制御する消灯トランジスタＱoとを備えた。そして、蓄積容量素子Ｃpに蓄積された総電荷量が第２副データ信号ＳＤ1ｂに相対した電荷量になったときに消灯トランジスタＱoをオンして有機ＥＬ素子１１への駆動電流Ｉdの供給を遮断するようにした。
【解決手段】 有機ＥＬディスプレイにおいて、各画素回路１０に、駆動電流Ｉdに比例
した検出電流Ｉpを検出する第１及び第２トランジスタＱ1，Ｑ2と、その検出した検出電
流Ｉpに応じた電荷を蓄積する蓄積容量素子Ｃpと、蓄積容量素子Ｃpに蓄積された総電荷
量によって駆動トランジスタＱdをオン・オフ制御する消灯トランジスタＱoとを備えた。そして、蓄積容量素子Ｃpに蓄積された総電荷量が第２副データ信号ＳＤ1ｂに相対した電荷量になったときに消灯トランジスタＱoをオンして有機ＥＬ素子１１への駆動電流Ｉdの供給を遮断するようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気光学装置として液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、「有機ＥＬディスプレイ」という）といったフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）が注目されている。この種の電気光学装置においては、例えば有機ＥＬディスプレイのように電気光学素子が電流駆動素子である場合、各画素に、書き込んだデータ信号を駆動電流に変換する駆動トランジスタを備えている。
【０００３】
ところで、上記駆動トランジスタは、アモルファスシリコンや多結晶シリコンで構成されたＭＯＳ構造を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成するのが一般的である。これらＴＦＴは、画素毎に閾値電圧や移動度の特性がばらつくという欠点がある。駆動トランジスタに、閾値電圧や移動度の特性のバラツキがあると、各画素に同じデータを与えても画素間に輝度のバラツキが生じてしまう。このため、均一な表示ができなくなり、表示品位が劣化してしまうという問題があった。
【０００４】
そこで、各画素に補償回路を備え、駆動トランジスタの閾値電圧を補償するようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特開２００３−５０９７２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の画素では、上述したように、駆動トランジスタの閾値電圧を補償することはできるが、移動度のバラツキを補償することができない。移動度は駆動電流の大きさに影響するので、移動度にバラツキがあると、画素毎に駆動電流の大きさにバラツキが生じてしまい、その結果、画素間に輝度のバラツキが生じてしまう。このため、表示の不均一を完全に取り除くことはできなかった。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、トランジスタの特性バラツキに関係なく輝度を精度良く制御することができる電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子回路は、電流駆動素子と、選択信号に応答して導通しその導通状態が保持されて前記電流駆動素子に電流を供給する第１のトランジスタと、データ信号に対応した電荷量を蓄積する第１の容量素子と、前記第１の容量素子に蓄積された前記電荷量に基づき前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を電荷量として検出する検出回路部と、前記検出回路部により検出された電荷量が前記データ信号に対応した電荷量に達したときに前記検出回路部から出力される検出信号に基づいて前記電流駆動素子への電流供給を遮断する第２のトランジスタとを備えた。
【０００８】
これによれば、検出回路部は電流駆動素子に流れる電流の積分値である総電荷量を検出し、その検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になったときに前記電流駆動素子への電流の供給が第２のトランジスタが非導通（オフ）になることで遮断される。つまり、第1のトランジスタの移動度が高い場合は電流値が大きくなるが、その分流れてい
る期間は短くなり、また、第1のトランジスタの移動度が低い場合は電流値が小さくなる
が、その分流れている期間は長くなる。従って、例えば複数の電子回路が形成された場合において、所定の電子回路を構成する第１のトランジスタの移動度と、他の電子回路を構成する第１のトランジスタの移動度が異なっていても、電流駆動素子に流れる電流の積分値は一致する。
【０００９】
この電子回路において、前記検出回路部は、前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出するカレントミラー回路と、前記検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、を備え、前記第２の容量素子に蓄積された電荷量が前記第１の容量素子に先に蓄積された前記データ信号に対応した電荷量に達したとき、前記検出信号を出力するものであってもよい。
【００１０】
これによれば、検出回路部は、カレントミラー回路であり、前記電流駆動素子に供給される電流によって蓄積される総電荷量は、このカレントミラー回路に流れる電流によって蓄積される電荷量により検出される。従って、第１の容量素子と前記電流駆動素子に供給される電流によって蓄積される総電荷量を精度良く検出することが可能となる。
【００１１】
この電子回路において、前記検出回路部は、前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出し該検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、前記データ信号に対応した電荷量を蓄積する第３の容量素子と、前記第２の容量素子の電位と、前記第３の容量素子の電位とを比較して前記検出信号を出力する比較回路とを備えていてもよい。
【００１２】
これによれば、電流駆動素子に供給された電流の積分値に相対した電荷量が第２の容量素子に蓄積され、その第２の容量素子に蓄積された総電荷量に応じた電圧と、第3の容量
に蓄積されたデータ信号に対応した電荷量に応じた電圧とが等しくなったときに第２のトランジスタが非導通（オフ）になる。従って、電流駆動素子に供給される電流の積分値をデータ信号に応じてより精度良く制御することが可能となる。
【００１３】
この電子回路において、前記第２のトランジスタは、前記検出信号により導通して前記第１のトランジスタを非導通にしてもよい。
これによれば、検出回路部に検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になるまでは第２のトランジスタは導通せず、また第１のトランジスタは非導通にならない。従って、データ信号に応じた電流が精度良く電流駆動素子に流れる。
【００１４】
この電子回路において、前記第２のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであって、そのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３のトランジスタと、前記ゲート端子に接続された第４の容量素子とからなる閾値補償回路が接続されていてもよい。
【００１５】
これによれば、例えば複数の電子回路が形成された場合において、所定の電子回路を構成する第２のトランジスタの閾値電圧と、他の電子回路を構成する第２のトランジスタの閾値電圧とが異なっていても、各々の電流駆動素子に供給される電荷量を一致させることができる。
【００１６】
この電子回路において、前記電流駆動素子に電流を供給する経路の中に、前記電流駆動素子に電流の供給開始を制御する第４のトランジスタを設けていてもよい。
これによれば、第１の容量素子にデータ信号を供給している間は電流駆動素子に電流が供給されず、第１の容量素子にデータ信号を供給終了後に電流駆動素子に電流を供給される。従って、データ信号に応じた電流を精度良く電流駆動素子に流すことができる。
【００１７】
この電子回路において、前記電流駆動素子は発光層が有機材料で構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであってもよい。
これによれば、発光層が有機材料で構成された所謂有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードの輝度をデータ信号に応じて精度良く制御することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、前記各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応してそれぞれ設けられた画素回路とを備えた電気光学装置において、前記画素回路は、電気光学素子と、選択信号に応答して導通しその導通状態が保持されて前記電気光学素子に電流を供給する第１のトランジスタと、データ信号に対応した電荷量を蓄積する第１の容量素子と、前記第１の容量素子に蓄積された前記電荷量に基づき前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を電荷量として検出する検出回路部と、前記検出回路部により検出された電荷量が前記データ信号に対応した電荷量に達したときに前記検出回路部から出力される検出信号に基づいて前記電気光学素子への電流供給を遮断する第２のトランジスタとを備えた。
【００１９】
これによれば、検出回路部は電気光学素子に流れる電流によって蓄積された総電荷量を検出し、その検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になったときに電気光学素子への電流の供給が第２のトランジスタが非導通になることで遮断される。従って、第1のトランジスタの移動度が高い場合は電気光学素子に流れる電流が大きくなるが、その
分流れている期間は短くなり、また、第1のトランジスタの移動度が低い場合は電気光学
素子に流れる電流が小さくなるが、その分流れている期間は長くなる。従って、例えば複数の画素回路が形成された場合において、所定の画素回路を構成する第１のトランジスタの移動度と、他の画素回路を構成する第１のトランジスタの移動度が異なっていても、電流駆動素子に流れる電流の積分値は一致する。この結果、画素回路毎に電気光学素子の輝度のバラツキが少ない電気光学装置を提供することができる。
【００２０】
この電気光学装置において、前記検出回路部は、前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出するカレントミラー回路と、前記検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、を備え、前記第２の容量素子に蓄積された電荷量が前記第１の容量素子に先に蓄積された前記データ信号に対応した電荷量に達したとき、前記検出信号を出力するものであってもよい。
【００２１】
これによれば、検出回路部は、カレントミラー回路であり、前記電気光学素子に供給される電流によって蓄積される総電荷量は、このカレントミラー回路に流れる電流によって蓄積される電荷量により検出される。従って、第１の容量素子と前記電気光学素子に供給される電流によって蓄積される総電荷量を精度良く検出することが可能となる。
【００２２】
この電気光学装置において、前記検出回路部は、前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出し該検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、前記データ信号に対応した電荷量を蓄積する第３の容量素子と、前記第２の容量素子の電位と、前記第３の容量素子との電位を比較して前記検出信号を出力する比較回路とを備えていてもよい。
【００２３】
これによれば、電気光学素子に供給される電流に相対した電荷量を第１の容量素子に蓄積しその第１の容量素子に蓄積された総電荷量に応じた電圧と、データ信号に対応した電荷を第２の容量素子によって蓄積しその第２の容量素子に蓄積された電荷量に応じた電圧とが等しくなったときに第１のトランジスタが非導通になる。従って、電気光学素子に供給される電流をデータ信号に応じてより精度良く制御することが可能となる。この結果、電気光学素子の輝度をデータ信号に応じて精度良く制御することができる。
【００２４】
この電気光学装置において、前記第２のトランジスタは、前記検出信号により導通して前記第１のトランジスタを非導通にしてもよい。
これによれば、検出回路部で検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になるまでは第２のトランジスタは導通せず、また第１のトランジスタは非導通にならない。従って、データ信号に応じた電流が精度良く電気光学素子に流れる。
【００２５】
この電気光学装置において、前記第２のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであって、そのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３のトランジスタと、前記ゲート端子に接続された第３の容量素子とからなる閾値補償回路が接続されていてもよい。
【００２６】
これによれば、互いに異なる画素回路を構成する第２のトランジスタの閾値電圧バラツキによって発生する画素回路ごとの電気光学素子の輝度ばらつきを無くすことができる。
この電気光学装置において、前記電気光学素子と前記第１のトランジスタとの間に、前記電気光学素子に電流の供給開始を制御する第４のトランジスタを設けていてもよい。
【００２７】
これによれば、第１の容量素子にデータ信号を供給している間は電流駆動素子に電流が供給されず、第１の容量素子にデータ信号を供給終了後に電流駆動素子に電流を供給される。従って、データ信号に応じた電流を精度良く電気光学素子に流すことができる。
【００２８】
この電気光学装置において、前記電気光学素子は発光層が有機材料で構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであってもよい。
これによれば、発光層が有機材料で構成された所謂有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードの輝度をデータ信号に応じて精度良く制御することができる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、前記各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応してそれぞれ設けられ、前記データ線を介して供給されるデータ信号に基づいて電気光学素子を発光させる画素回路とを備えた電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学素子に電流を供給して前記電気光学素子を発光させた後、前記電気光学素子に供給した電荷量が、前記データ信号に対応した電荷量に達した時点で電流の供給を遮断して前記電気光学素子を消灯させるようにした。
【００３０】
これによれば、電気光学素子に流れる電流の積分値である総電荷量を検出し、その検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になったときに電気光学素子への電流の供給を遮断するようにしたので、画素回路毎に輝度のバラツキを少なくして電気光学装置を駆動させることができる。
【００３１】
本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を実装している。
これによれば、画素回路毎に輝度のムラのない優れた表示品位を有する電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（第１実施形態）
以下、本発明の電気光学装置を有機ＥＬディスプレイに適用した場合について述べる。
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの主要部分におけるブロック図である。有機ＥＬディスプレイ１は、表示パネル部２、走査線駆動回路３、データ線駆動回路４及び制御回路５を備えている。
【００３３】
有機ＥＬディスプレイ１は、その走査線駆動回路３、データ線駆動回路４及び制御回路５が、それぞれ独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、走査線駆動回
路３、データ線駆動回路４及び制御回路５が各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、走査線駆動回路３、データ線駆動回路４及び制御回路５の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００３４】
表示パネル部２上には、行方向（図１中Ｘ矢印方向）に沿ってｎ本の走査線ＬＹ1〜Ｌ
Ｙn（ｎは自然数）が延設される一方、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnに対して交差するように列
方向（図１中Ｙ矢印方向）に沿ってｍ本のデータ線ＬＸ1〜ＬＸm（ｍは自然数）が延設されている。また、表示パネル部２上には、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnと各データ線ＬＸ1〜Ｌ
Ｘmとの交差部に対応してその各内部に有機ＥＬ素子１１を含む画素回路１０が設けられ
ている。本実施形態では、図２に示すように、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnは、第１副走査線ＬＹａと第２副走査線ＬＹｂとから構成されている。
【００３５】
また、表示パネル部２上には、図１に示すように、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnに対して平行にｎ本の電源供給線ＬＺ1〜ＬＺnがそれぞれ延設されている。各電源供給線ＬＺ1〜ＬＺnは互いに接続され、駆動電圧Ｖddがそれぞれに供給されるようになっている。
【００３６】
走査線駆動回路３は、走査線ＬＹ1〜ＬＹnに接続されている。走査線駆動回路３は、図示しないシフトレジスタ、出力回路等を主体に構成されており、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnに選択信号ＳＹ1〜ＳＹnを出力する。
【００３７】
本実施形態の走査線駆動回路３において、各選択信号ＳＹ1〜ＳＹnは、図３に示すように、２種類の選択信号（第１副走査線ＬＹaに供給される第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹna
及び第２副走査線ＬＹbに供給される第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnb）から構成されてい
る。尚、図３には、第１走査線ＬＹ1に供給される第１選択信号ＳＹ1（第１副選択信号ＳＹ1a及び第２副選択信号ＳＹ1b）と、第２走査線ＬＹ2に供給される第２選択信号ＳＹ2（第１副選択信号ＳＹ2a及び第２副選択信号ＳＹ2b）のみを説明の便宜上示している。
【００３８】
第１及び第２副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹna，ＳＹ1b〜ＳＹnbは、低電位レベル（以下、「Ｌレベル」という）から高電位レベル（以下、「Ｈレベル」という）の電圧信号を出力して対応する走査線ＬＹ1〜ＬＹnを選択し、その選択された走査線上の画素回路１０を駆動する信号である。そして、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnにおいて、第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹnaが先に一定期間ｔ1供給された後に第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnbが一定期間ｔ2供給される。
【００３９】
そして、走査線駆動回路３は、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnに対する選択信号ＳＹ1〜ＳＹn（第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹna及び第２副走査線ＳＹ1b〜ＳＹnb）を、第１走査線ＬＹ1
，第２走査線ＬＹ2，…，第ｎ走査線ＬＹnの順で供給する。
【００４０】
データ線駆動回路４は、図１に示すように、データ線ＬＸ1〜ＬＸmに接続されている。データ線駆動回路４は、図示しないデジタル・アナログ変換回路、ラインラッチ回路、出力回路等を主体に構成されている。データ線駆動回路４は、外部装置（図示略）から出力された画像データＤを入力し、その画像データＤに基づいて各データ線ＬＸ1〜ＬＸmにそれぞれ供給されるデータ信号ＳＤ1〜ＳＤmを生成する。
【００４１】
本実施形態のデータ線駆動回路４においては、各データ信号ＳＤ1〜ＳＤmは、図３に示すように、２種類のデータ信号（第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤma及び第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmb）からそれぞれ構成されている。
【００４２】
各データ信号ＳＤ1〜ＳＤmの第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbは、第１副選択信号ＳＹ
1a〜ＳＹnaが出力される毎に、各データ線ＬＸ1〜ＬＸmに一斉に出力され、選択された走査線上の画素回路１０にそれぞれ供給される。
【００４３】
一方、各データ信号ＳＤ1〜ＳＤmの第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaは、第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnbが出力される毎に、各データ線ＬＸ1〜ＬＸmに一斉に出力され、選択された走査線上の画素回路１０にそれぞれ供給される。
【００４４】
例えば、第１走査線ＬＹ1の第１副走査線ＬＹaに第１副選択信号ＳＹ1aが出力されると、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbが第１走査線ＬＹ1上の画素回路１０に供給される。
続いて、第１走査線ＬＹ1の第２副走査線ＬＹｂに第２副選択信号ＳＹ1bが出力されると
、第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaが第１走査線ＬＹ1上の画素回路１０に供給される。
【００４５】
第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaは、各画素回路１０の有機ＥＬ素子１１の発光期間における発光輝度を決めるためのデータ値（本実施形態では図３に示すような電圧値）である。詳述すると、第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaは、発光期間中に有機ＥＬ素子１１を画像データＤに基づく輝度で発光させるために、その発光期間中に後記する画素回路１０に設けた駆動トランジスタＱdを駆動させるときの駆動量（有機ＥＬ素子１１に供給する
電流値）を決定するためのデータ値である。そして、第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaの値は、明るい輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させる画像データＤに対しては高い電圧値をとり、低い輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させる画像データＤに対しては低い電圧値となるようにしている。
【００４６】
一方、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbは、同じく各画素回路１０の有機ＥＬ素子１１の、フレーム期間における平均輝度を決めるためのデータ値（本実施形態では図３に示すような電圧値）である。詳述すると、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbは、有機ＥＬ素子１１に流す総電荷量、つまり電流の時間積分値を決定するデータ値である。後述する各画素回路１０に設けた駆動トランジスタＱｄは、移動度や閾値のバラツキを持っている。各駆動トランジスタＱdが第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaに基づく駆動量で制御されてい
ても、駆動トランジスタＱdの移動度や閾値がばらついているから、有機ＥＬ素子１１に
流れる電流値が相違することになる。このため、このバラツキを補償するためデータ信号として第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbが選択された走査線上の各画素回路１０に供給される。第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbのデータ値は、有機ＥＬ素子１１に供給する総電荷量に対応した電圧値であり、画像データＤに基づいて設定される。後述する画素回路１０は、有機ＥＬ素子１１に供給された電荷が、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbで設定した値に達した時点で有機ＥＬ素子１１の発光を停止する。従って、駆動トランジスタＱｄの移動度が大きく、有機ＥＬ素子１１に大きな電流が流れる場合は発光時間が短くなり、逆に、駆動トランジスタＱｄの移動度が小さく、有機ＥＬ素子１１に小さな電流が流れる場合は発光時間が長くなる。これにより、１フレーム期間における平均輝度（人間に知覚される輝度）が等しくなる。
【００４７】
このように、データ線駆動回路４は、走査線が選択される毎にその選択された走査線上の各画素回路１０に対して、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbと第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaとを順番に供給するようになっている。
【００４８】
制御回路５は、図示しないパルス発生装置からのクロックパルスＣＫを入力し、そのクロックパルスＣＫに基づいて、垂直同期信号VSYNC及び水平同期信号HSYNCを生成する。制御回路５は、その生成された垂直同期信号VSYNC及び水平同期信号HSYNCを走査線駆動回路３に出力するとともに、水平同期信号HSYNCをデータ線駆動回路４に出力することで、走
査線駆動回路３及びデータ線駆動回路４を同期制御する。つまり、走査線駆動回路３は、水平同期信号HSYNCのタイミングで、１画像の表示期間に相当する１フレーム期間毎に所
定の順序（一般的には第１走査線ＬＹ1→第２走査線ＬＹ2→…→第ｎ走査線ＬＹn→第１
走査線ＬＹ1→…の順序）で、それぞれの走査線を線順次選択する。そして、データ線駆
動回路４は、水平同期信号HSYNCのタイミングで、１本の走査線を選択する期間に相当す
る１水平走査期間において、データ線ＬＸ1〜ＬＸmを介して前記データ信号ＳＤ1〜ＳＤm（第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤma及び第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmb）を一斉に出力する。
【００４９】
次に、画素回路１０の内部回路構成の詳細を図２に従って説明する。図２は、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路１０の電気的構成を説明するための図である。尚、各画素回路１０の内部回路構成は全て同じであるので、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路１０についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素回路１０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
【００５０】
図２に示すように、画素回路１０は、駆動トランジスタＱd、第１スイッチングトラン
ジスタＱsw1、第２スイッチングトランジスタＱsw2、保持キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子１１を備えている。また、画素回路１０は、第１トランジスタＱ1、第２トランジスタ
Ｑ2、蓄積容量素子Ｃp及び消灯トランジスタＱoを備えている。
【００５１】
本実施形態においては、駆動トランジスタＱd、第１スイッチングトランジスタＱsw1、第２スイッチングトランジスタＱsw2及び消灯トランジスタＱoは、それぞれその導電型がｎ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。また、第１及び第２トランジスタＱ1，Ｑ2は、導電型がｐ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。有機ＥＬ素子１１は、その発光層が有機材料で構成されたエレクトロルミネッセンス素子である。
【００５２】
駆動トランジスタＱdは、そのゲート端子に第１スイッチングトランジスタＱsw1のソース端子が接続されている。第１スイッチングトランジスタＱsw1は、そのドレイン端子が
第１データ線ＬＸ1に接続され、ゲート端子が第２副走査線ＬＹbに接続されている。また、駆動トランジスタＱdのゲート端子には保持キャパシタＣoの一端が接続されている。保持キャパシタＣoの他端は第１電源供給線ＬＺ1に接続され、駆動電圧Ｖddが供給されている。駆動トランジスタＱdのソース端子は有機ＥＬ素子１１の陽極に接続され、有機ＥＬ
素子１１の陰極は接地されている。
【００５３】
駆動トランジスタＱdのドレイン端子は、第１トランジスタＱ1のドレイン端子に接続されている。第１トランジスタＱ1のソース端子は第１電源供給線ＬＺ1に接続され、駆動電圧Ｖddが供給されている。この第１トランジスタＱ1はダイオード接続され、そのゲート
端子が第２トランジスタＱ2のゲート端子に接続されている。第２トランジスタＱ2のソース端子は第１電源供給線ＬＺ1に接続され、駆動電圧Ｖddが供給されている。つまり、第
１トランジスタＱ1は、第２トランジスタＱ2とカレントミラー回路を形成している。
【００５４】
第２トランジスタＱ2のドレイン端子は蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1に接続され、蓄
積容量素子Ｃpの第２電極Ｐ2は接地されている。蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1は、第２スイッチングトランジスタＱsw2のソース端子に接続されている。第２スイッチングトラ
ンジスタＱsw2は、そのドレイン端子が第１データ線ＬＸ1に接続され、ゲート端子は第１副走査線ＬＹaに接続されている。
【００５５】
また、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1は、消灯トランジスタＱｏのゲート端子に接続されている。消灯トランジスタＱoのドレイン端子は、駆動トランジスタＱdのゲート端子に接続され、ソース端子は接地されている。尚、本実施形態においては、前記したように第１副走査線ＬＹaと第２副走査線ＬＹbとで第１走査線ＬＹ1が構成されている。
【００５６】
次に、前記のように構成された画素回路１０の動作について図２及び図３に従って説明する。以下、説明の便宜上、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路１０を代表してその動作を説明する。
【００５７】
図３は、画素回路１０の動作を説明するためのタイミングチャートである。
まず、走査線駆動回路３から第１副走査線ＬＹaを介して第１副選択信号ＳＹ1aが所定
期間ｔ1出力されると、第２スイッチングトランジスタＱsw2が所定期間ｔ1オンになる。
このタイミングで、データ線駆動回路４から第１データ線ＬＸ1に第２副データ信号ＳＤ1bが出力されると、第２スイッチングトランジスタＱsw2を介して第２副データ信号ＳＤ1bが蓄積容量素子Ｃpに供給される。この結果、蓄積容量素子Ｃpには第２副データ信号ＳＤ1bに応じた電荷量が蓄積され、蓄積容量素子Ｃｐの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1が第２副データ信号ＳＤ1bに設定される。
【００５８】
このとき、第２副データ信号ＳＤ1bは、前記したように、有機ＥＬ素子１１を画像データＤに基づく輝度（人間に知覚される、フレーム期間の平均輝度）で発光させる場合に、有機ＥＬ素子１１に供給する必要のある電荷量を設定する電圧値である。そして、本実施形態では、第２副データ信号ＳＤ1bの電圧値は、画像データＤに相対してそれぞれ決定される必要な総電荷量が有機ＥＬ素子１１に供給されたとき、蓄積容量素子Ｃpの第１電極
Ｐ1の電位Ｅ1が前記消灯トランジスタＱoをオンさせるような初期設定値である。
【００５９】
その後、走査線駆動回路３から第２副走査線ＬＹbを介して第２副選択信号ＳＹ1bが所
定期間ｔ2出力される。すると、第１スイッチングトランジスタＱsw1が所定期間ｔ2オン
して、データ線駆動回路４から第１データ線ＬＸ1を介して第１副データ信号ＳＤ1aが供
給される。
【００６０】
すると、第１副データ信号ＳＤ1aが第１スイッチングトランジスタＱsw１を介して保持キャパシタＣoに供給される。保持キャパシタＣoは第１副データ信号ＳＤ1aに対応した電荷量を蓄積し保持する。また、駆動トランジスタＱdのゲート端子の電位Ｅgは第１副データ信号ＳＤ1aにより押し上げられ、駆動トランジスタＱdのドレイン／ソースに第１副デ
ータ信号ＳＤ1aに応じた駆動電流Ｉdが流れ、その駆動電流Ｉdが有機ＥＬ素子１１に供給する。この駆動電流Ｉdは、保持キャパシタＣｏに蓄積された第１副データ信号ＳＤ1aに
応じた電荷量に相対した値となる。
【００６１】
つまり、駆動トランジスタＱdは、第１副データ信号ＳＤ1aに応答して導通し、その導
通状態が保持されて有機ＥＬ素子１１に駆動電流Ｉdを供給する。すると、このタイミン
グで有機ＥＬ素子１１が発光し始める。また、このとき、第２トランジスタＱ2は、駆動
トランジスタＱdに接続された第１トランジスタＱ1とカレントミラー回路を構成しているので、第２トランジスタＱ2には、駆動電流Ｉdに比例した検出電流Ｉpが流れる。つまり
、第１トランジスタＱ1と第２トランジスタＱ2とは、駆動トランジスタＱdの導通状態に
基づいて有機ＥＬ素子１１に供給されている駆動電流Ｉd（電荷量）と相対した検出電流
Ｉpを出力する検出回路部として機能する。そして、検出電流Ｉpは蓄積容量素子Ｃpに流
れ込み、電荷が蓄積される。つまり、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1は、前記
初期設定値から徐々に上昇していく。
【００６２】
やがて、電位Ｅ1が消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthより大きくなると、消灯トランジスタＱoがオンする。この結果、駆動トランジスタＱdのゲート端子が接地されてオフになり駆動電流Ｉdへの供給を遮断して有機ＥＬ素子１１が消灯する。つまり、第１電極Ｐ1の電位Ｅ１は、第１トランジスタＱ1と第２トランジスタＱ2によって検出された駆動電流Ｉdの総電荷量が、画像データＤに基づく輝度で発光させる場合に有機ＥＬ素子１１に供
給する必要のある総電荷量になったかを検出する検出信号として機能する。
【００６３】
また、このとき、保持キャパシタＣoの一端も消灯トランジスタＱoを介して接地されるので、保持キャパシタＣoに保持された電荷は消灯トランジスタＱoを介してディスチャージされる。
【００６４】
ここで、人間に知覚される有機ＥＬ素子１１の輝度は、駆動電流Ｉdの電流値によって
決まる発光時の輝度と、駆動電流Ｉdが流れた期間（つまり発光した時間）との積分値に
比例する。従って、駆動電流Ｉdの電流値が大きい場合、蓄積容量素子Ｃpには短期間で消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthに至るまで電荷が蓄積されるので、駆動電流Ｉdに流れる期間（発光時間）が短くなる。逆に、駆動電流Ｉdの電流値が小さい場合、蓄積容量素
子Ｃpには長い期間かかって消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthに至るまで電荷が蓄積されるので、駆動電流Ｉdが流れる期間（発光時間）が長くなる。
【００６５】
従って、各駆動トランジスタＱdの移動度にバラツキがあり、その移動度のバラツキで
駆動トランジスタＱdが有機ＥＬ素子１１に供給する駆動電流Ｉdの電流値に変動があっても、発光時間を調整してこのバラツキを補償している。
【００６６】
つまり、各有機ＥＬ素子１１の輝度は、駆動電流Ｉdの積分値（総電荷量）によって制
御されるので、たとえ所定の画素回路１０の駆動トランジスタＱdの移動度が、他の画素
回路１０の駆動トランジスタＱdの移動度と異なっていても、各有機ＥＬ素子１１の輝度
に移動度の差による輝度のバラツキは発生しない。従って、有機ＥＬディスプレイ１は、画素回路１０毎に輝度のムラのない優れた画像を表示することができる。
【００６７】
尚、特許請求の範囲に記載の第１の容量素子は、例えば、本実施形態においては保持キャパシタＣoに対応している。特許請求の範囲に記載の第２の容量素子は、例えば、本実
施形態においては蓄積容量素子Ｃpに対応している。特許請求の範囲に記載の電流駆動素
子、電気光学素子または有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬ素子１１に対応している。特許請求の範囲に記載の検出信号は、例えば、本実施形態においては蓄積容量素子の第１電極Ｐ1の電位Ｅ1に対応している。特許請求の範囲に記載の第１のトランジスタは、例えば、本実施形態においては駆動トランジスタＱdに対応している。特許請求の範囲に記載の第２のトランジスタは、例えば、本実施形態
においては消灯トランジスタＱoに対応している。特許請求の範囲に記載の電気光学装置
は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬディスプレイ１に対応している。特許請求の範囲に記載の電子回路は、例えば、本実施形態においては画素回路１０に対応している。
【００６８】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）本実施形態では、有機ＥＬ素子１１の輝度を駆動電流Ｉdの積分値（総電荷量）に
よって制御するようにした。従って、たとえ所定の画素回路１０の駆動トランジスタＱd
の移動度が、他の画素回路１０の駆動トランジスタＱdの移動度と異なっていても、各有
機ＥＬ素子１１の輝度に移動度の差による輝度のバラツキは発生しない。この結果、有機ＥＬディスプレイ１は、画素回路１０毎に輝度のムラのない優れた画像を表示することができる。
（２）本実施形態では、駆動電流Ｉdに比例した検出電流Ｉpを検出するための回路構成を第１トランジスタＱ1と第２トランジスタＱ2とで構成されるカレントミラー回路によって構成した。従って、駆動電流Ｉdが有機ＥＬ素子１１に流れたかどうかを精度良く検出す
ることができる。
（３）本実施形態では、駆動トランジスタＱdの移動度のバラツキに関係なくその輝度を
制御可能とする画素回路１０を有機ＥＬディスプレイ１に備えた。従って、表示品位の優れた有機ＥＬディスプレイを提供することができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した第２の実施形態を図４及び図５に従って説明する。この第２実施形態においては、上記第１の実施形態の表示パネル部２上に新たに制御線と定電圧供給線とが設けられているとともに、画素回路１０の構成が異なっている他は上記有機ＥＬディスプレイ１と同じ構成である。従って、有機ＥＬディスプレイ１と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００６９】
図４は、本実施形態における第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に配置された画素回路２０の回路構成図である。尚、全ての画素回路２０の内部回路構成は同じであるので、以下、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路２０についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素回路２０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
【００７０】
図４に示すように、画素回路２０は、上記第１実施形態の画素回路１０に加えて、消灯トランジスタＱoのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３トランジスタＱ3と、消灯トランジスタＱoのゲート端子と蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1との間に接続され
た第１コンデンサＣ1とからなる閾値補償回路２１が接続されている。第３トランジスタ
Ｑ3のゲート端子は、表示パネル部２上に走査線ＬＹ1と平行に延設された第１制御線Ｌ1
に接続されている。第３トランジスタＱ3は、走査線駆動回路３から出力される第１制御
信号Ｓ1に応じてオン・オフ制御されるようになっている。
【００７１】
また、画素回路２０は、駆動トランジスタＱdのソース端子と有機ＥＬ素子１１の陽極
との間に第４トランジスタＱ4が接続されている。第４トランジスタＱ4のゲート端子は、表示パネル部２上に走査線ＬＹ1と平行に延設された第２制御線Ｌ2に接続されている。第４トランジスタＱ4は、走査線駆動回路３から出力される第２制御信号Ｓ2に応じてオン・オフ制御されるようになっている。
【００７２】
さらに、画素回路２０においては、第１スイッチングトランジスタＱsw1のドレイン端
子は第１データ線ＬＸ1ではなく表示パネル部２上に第１走査線ＬＹ1と平行に延設された第３制御線Ｌ3に接続され、電圧信号Ｖ1が供給されるようになっている。
【００７３】
そして、本実施形態では、図５に示すように、上記実施形態とは反対に、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnにおいて、第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnbが先に一定期間ｔ3供給され、その後
に第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹnaが一定期間ｔ4供給され、その後、再び第２副選択信号
ＳＹ1b〜ＳＹnbが先に一定期間ｔ5供給される。そして、期間ｔ3〜期間ｔ5の合計が当該
走査線の選択期間となる。また、第１制御信号Ｓ1は、第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnbが
先に一定期間ｔ3供給された後に、前記第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹnaより短い期間出力
される。さらに、第２制御信号Ｓ2は、当該走査線が選択されている期間だけＬレベルの
信号となる。
【００７４】
また、本実施形態のデータ線駆動回路４は、各データ線に供給するデータ信号ＳＤ1〜
ＳＤmは、図５に示すように、２種類の信号（リセット電圧Ｖrstと第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmb）を交互に出力する。リセット電圧Ｖrstは、画像データＤに寄らず一定の電
圧値を有した信号である。
【００７５】
次に、前記のように構成された画素回路２０の動作について図４及び図５に従って説明する。以下、説明の便宜上、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路２０を代表してその動作を説明する。図５は、画素回路２０の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００７６】
まず、走査線駆動回路３から第２副走査線ＬＹbを介して第２副選択信号ＳＹ1bが所定
期間ｔ3出力されて第１スイッチングトランジスタＱsw1がオンして、電圧信号Ｖ1が保持
キャパシタＣoに供給保持される。すると、保持キャパシタＣoの一端側の電位（駆動トランジスタＱdのゲート端子に接続された電極の電位）Ｅ2が十分に高くなり、駆動トランジスタＱdはオン状態となる。このとき、走査線駆動回路３から第２制御線Ｌ2を介してＬレベルの第２制御信号Ｓ2が供給されていることから、有機ＥＬ素子１１の陽極との間に接
続された第４トランジスタＱ4がオフとなるために、駆動トランジスタＱdのゲート端子に電圧信号Ｖ1が供給されゲート端子の電位が押し上げられてオンになったとしても駆動電
流Ｉdは流れない。
【００７７】
その後、走査線駆動回路３から第１制御線Ｌ1を介して第１制御信号Ｓ1が所定期間ｔ4
出力されて第３トランジスタＱ3がオンして、保持キャパシタＣoの一端側の電位Ｅ2が消
灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthにバイアスされる。また、このとき、走査線駆動回路
３から第１副走査線ＬＹaを介して第１副選択信号ＳＹ1aが所定期間ｔ4出力されて第２スイッチングトランジスタＱsw2がオンして、データ線駆動回路４から第１データ線ＬＸ1を介して一定レベルのリセット電圧Ｖrstが供給され、電位Ｅ1がリセット電圧Ｖrstになる
。
【００７８】
これにより、第１コンデンサＣ1にはＶrst−Ｖthの大きさの電圧がかかる。この結果、第１コンデンサＣ1には、電位Ｅ1がリセット電圧Ｖrstに等しくなると消灯トランジスタ
Ｑoのゲート端子を押し上げてその閾値電圧Ｖthになりオンになるという電荷量が記憶さ
れる。
【００７９】
続いて、第２スイッチングトランジスタＱsw2がオンした状態のままで、データ線駆動
回路４から第１データ線ＬＸ1に第２副データ信号ＳＤ1bが出力されると、第２スイッチ
ングトランジスタＱsw2を介して第２副データ信号ＳＤ1bが蓄積容量素子Ｃpに供給される。この結果、蓄積容量素子Ｃpには第２副データ信号ＳＤ1bに応じた電荷量が蓄積され、
蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1が第２副データ信号ＳＤ1bに設定される。
【００８０】
このとき、第２副データ信号ＳＤ1bは、上記第１実施形態と同様に、画像データＤに基づく輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させる場合に、有機ＥＬ素子１１に供給する必要のある総電荷量設定する電圧値である。そして、本実施形態では、画像データＤに対応して決定される必要な総電荷量が有機ＥＬ素子１１に供給されたとき、蓄積容量素子Ｃpの第１
電極Ｐ1の電位Ｅ1が前記消灯トランジスタＱoをオンさせる際の初期設定値である。
【００８１】
その後、走査線駆動回路３から第２副走査線ＬＹbを介して再び第２副選択信号ＳＹ1b
が出力され、第１スイッチングトランジスタＱsw 1がオンされる。すると、保持キャパシタＣoは電圧信号Ｖ1に対応した電荷量を蓄積し保持する。また、駆動トランジスタＱdの
ゲート端子の電位Ｅgは電圧信号Ｖ1により押し上げられる。ここで、電圧信号Ｖ1は、デ
ータ信号ＳＤ1の大きさに寄らず一定の電圧値を有した電圧信号である。従って、駆動電
流Ｉdは、第２副データ信号ＳＤ1ｂの大きさに寄らず一定である。
【００８２】
そして、走査線駆動回路３から第２制御線Ｌ2を介してＨレベルの第２制御信号Ｓ2が供給される。すると、第４トランジスタＱ4がオンされ、駆動トランジスタＱdのドレイン／ソースに電圧信号Ｖ1に応じた駆動電流Ｉdが流れ、その駆動電流Ｉdが有機ＥＬ素子１１
に供給される。また、このとき、第２トランジスタＱ2には、駆動電流Ｉdに比例した検出電流Ｉpが流れる。そして、検出電流Ｉpは蓄積容量素子Ｃpに流れ込み、電荷が蓄積され
、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1は、前記初期設定値から徐々に上昇していく
。
【００８３】
やがて、電位Ｅ1がリセット電圧Ｖrstに等しくなると消灯トランジスタＱoがオンする
。この結果、駆動トランジスタＱdのゲート端子が接地されてオフになり駆動電流Ｉdへの供給を遮断して有機ＥＬ素子１１が消灯する。つまり、第１電極Ｐ1の電位Ｅ1は、第１トランジスタＱ1と第２トランジスタＱ2によって検出された駆動電流Ｉdの総電荷量が画像
データＤに基づく輝度で発光させる場合に有機ＥＬ素子１１に供給するに必要な総電荷量になったかを検出する検出信号として機能する。
【００８４】
以上により、画素回路２０では、上記第１実施形態の効果に加えて、消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthが補償されるので、たとえ、消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthがばらついていても、均一な表示が可能となる。
【００８５】
尚、特許請求の範囲に記載の第３のトランジスタは、例えば、本実施形態においては第３トランジスタＱ3に対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子回路は、例えば
、本実施形態においては画素回路２０に対応している。特許請求の範囲に記載の第４の容量素子は、本実施形態においては第１コンデンサＣ1に対応している。
（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化した第３の実施形態を図６及び図７に従って説明する。この第３実施形態においては、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnは、第１及び第２実施形態とは異なってそれぞれ１本の走査線から構成されている。また、画素回路の構成が上記第１の実施形態とは異なっている。その他の構成については、上記有機ＥＬディスプレイ１と同じ構成であるので、有機ＥＬディスプレイ１と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００８６】
図６は、本実施形態における第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に配置された画素回路３０の回路構成図である。尚、全ての画素回路３０の内部回路構成は同じであるので、以下、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路３０についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素回路３０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
【００８７】
図６に示すように、画素回路３０においては、駆動トランジスタＱd及び第２トランジ
スタＱ2の導電型はそれぞれｐ型である。また、画素回路３０においては、第１スイッチ
ングトランジスタＱsw1のドレイン端子は第１データ線ＬＸ1ではなく表示パネル部２上に走査線ＬＹ1と平行に延設された第３制御線Ｌ3に接続され、電圧信号Ｖ1が供給されるよ
うになっている。さらに、駆動トランジスタＱdのゲート端子が第２トランジスタＱ2のゲート端子に接続されている。
【００８８】
また、画素回路３０は、駆動トランジスタＱdのドレイン端子と有機ＥＬ素子１１の陽
極との間に第４トランジスタＱ4が接続されている。第４トランジスタＱ4のゲート端子は、走査線ＬＹ1に接続されている。第１スイッチングトランジスタＱｓｗ1のゲート端子は、走査線ＬＹ1に接続されている。従って、第１スイッチングトランジスタＱｓｗ1と第４トランジスタＱ4とは相補的にオン・オフされることになる。
【００８９】
また、画素回路３０においては、第２トランジスタＱ2と蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1との間に導電型がｐ型の第５トランジスタＱ5を備えている。第５トランジスタＱ5のゲ
ート端子は、第１走査線ＬＹ1に接続されている。従って、第５トランジスタＱ5は、第４トランジスタＱ4がオンされてそのゲート／ソースに駆動電流Ｉdが流れると、それに同期してオンされてそのゲート／ソースに検出電流Ｉｐが流れる。つまり、第２トランジスタＱ2のゲート／ソース電圧を駆動トランジスタＱdのゲート／ソース電圧と揃えることによって、第２トランジスタＱ2を保持キャパシタＣoに蓄積された電荷量に相対した電荷量が駆動トランジスタＱdの導通状態に基づいて有機ＥＬ素子１１に供給されたかどうかを検
出する検出回路部として機能する。
【００９０】
さらに、画素回路３０においては、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1は第１データ線ＬＸ1に接続されず、蓄積容量素子Ｃpには検出電流Ｉpに応じた電荷のみが蓄積されるように
なっている。また、第５トランジスタＱ5のドレイン端子と接地との間には、蓄積容量素
子Ｃpに対して並列に接続される第６トランジスタＱ6が備えられている。第６トランジスタＱ6の導電型はｎ型であり、そのゲート端子は第１走査線ＬＹ1に接続されている。第６トランジスタＱ6はオンされることで、蓄積容量素子Ｃpに蓄積された電荷をディスチャージさせる。
【００９１】
さらにまた、画素回路３０においては、コンデンサＣd及びコンパレータ３１を備えて
いる。コンデンサＣdは、その第１電極Ｕ1が第２スイッチングトランジスタＱsw2を介し
て第１データ線ＬＸ1に接続される一方、第２電極Ｕ2は接地されている。
【００９２】
コンパレータ３１は、その非反転入力端子に第１電極Ｐ1が、反転入力端子に第１電極
Ｕ1が接続され、出力側端子は消灯トランジスタＱoのゲート端子に接続されている。コンパレータ３１は、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1とコンデンサＣdの第１電極Ｕ1の電位Ｅaとを比較し、その結果、電位Ｅ1が電位Ｅaより低いときにＬレベルの電圧信号Ｚを出力して消灯トランジスタＱoをオフし、電位Ｅ1が電位Ｅa以上のときにＨレベルの
電圧信号Ｚを出力して消灯トランジスタＱoをオンさせる。
【００９３】
また、本実施形態のデータ線駆動回路４は、各データ線ＬＸ1〜ＬＸmに供給するデータ信号ＳＤ1〜ＳＤmは、図７に示すように、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbである。
次に、前記のように構成された画素回路３０の動作について図６及び図７に従って説明する。以下、説明の便宜上、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路３０を代表してその動作を説明する。図７は、画素回路３０の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００９４】
まず、走査線駆動回路３から第１走査線ＬＹ1を介して選択信号ＳＹ1が所定期間出力されて第２スイッチングトランジスタＱsw2がオンして、データ線駆動回路４から第１デー
タ線ＬＸ1に第２副データ信号ＳＤ1bが出力されると、第２スイッチングトランジスタＱsw2を介して第２副データ信号ＳＤ1bがコンデンサＣdに供給される。この結果、コンデン
サＣdには第２副データ信号ＳＤ1bに応じた電荷量が蓄積され、コンデンサＣdの第１電極Ｕ1の電位Ｅaが第２副データ信号ＳＤ1bに設定される。
【００９５】
このとき、第２副データ信号ＳＤ1bは、画像データＤに基づく輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させる場合に、有機ＥＬ素子１１に供給するの必要のある総電荷量に対応した電圧である。また、このとき、第６トランジスタＱ6がオンされて蓄積容量素子Ｃpに蓄積されていた電荷がディスチャージされる。さらに、このとき、第４及び第５トランジスタＱ4
，Ｑ5はともにその導電型がｐ型であるので、同期してオフとなり、その結果、駆動電流
Ｉd及び電流Ｉpは流れない。
【００９６】
従って、この状態においては、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1はコンデンサ
Ｃｄの第１電極Ｕ1の電位Ｅaより低いので、コンパレータ３１からは、Ｌレベルの電圧信号Ｚが出力され、その結果、消灯トランジスタＱoはオフになっている。この結果、保持
キャパシタＣoには、第１スイッチングトランジスタＱsw1を介して電圧信号Ｖ1に対応し
た電荷量が蓄積される。
【００９７】
続いて、走査線駆動回路３から走査線ＬＹ1を介して選択信号ＳＹ1がＬレベルになると、第２スイッチングトランジスタＱsw2、第１スイッチングトランジスタＱsw1及び第６ト
ランジスタＱ6が全てオフするとともに、第４トランジスタＱ4及び第５トランジスタＱ5
がオンになる。
【００９８】
すると、第４トランジスタＱ4のソース／ドレインを介して保持キャパシタＣoに蓄積された電荷量に応じた駆動電流Ｉdが有機ＥＬ素子１１に、また、同駆動電流Ｉdに比例した検出電流Ｉpが蓄積容量素子Ｃpにそれぞれ流れ込む。この結果、有機ＥＬ素子１１は発光を開始する。
【００９９】
すると、検出電流Ｉpは蓄積容量素子Ｃpに流れ込み、電荷が蓄積され、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1は、徐々に上昇していく。
やがて、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1がコンデンサＣdの第１電極Ｕ1の電
位Ｅaと等しくなると、即ち、有機ＥＬ素子１１に流れ込んだ駆動電流Ｉdの積分値（総電荷量）が第２副データ信号ＳＤ1bに対応した電荷量になると、コンパレータ３１は、Ｈレベルの電圧信号Ｚを出力する。この結果、消灯トランジスタＱoがオンになる。すると、
消灯トランジスタＱoを介して駆動電圧Ｖｄｄが駆動トランジスタＱdのゲート端子に印加され駆動トランジスタＱdはオフになる。
【０１００】
この結果、有機ＥＬ素子１１は消灯する。つまり、コンパレータ３１は、蓄積容量素子Ｃpの電位Ｅ1と、前記コンデンサＣdの電位Ｅaを比較して、検出電流Ｉpの総電荷量が画
像データＤに基づく輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させるのに必要な総電荷量になったかを検出する。そして、有機ＥＬ素子１１が画像データＤに基づく輝度で発光したら駆動トランジスタＱdをオフして有機ＥＬ素子１１の発光を停止させる。
【０１０１】
以上により、画素回路３０は、上記第１実施形態のと同様の効果を得ることができる。また、消灯トランジスタＱoのオン・オフ制御をコンパレータ３１によって行うようにし
たので、有機ＥＬ素子１１の消灯動作の精度を高めることができる。
【０１０２】
尚、本実施形態のコンパレータに代わって、キャパシタと該キャパシタに直列に接続されたインバータと、該インバータの入出力端子にそのドレイン及びソースが並列に接続されたトランジスタとで構成されたチョッパ型コンパレータを用いてもよい。また、前記インバータは、ｐ型のトランジスタとｎ型のトランジスタとを組み合わせたＣＭＯＳ構成、能動負荷のついたｎ型ＭＯＳ構成、或いは抵抗付きのＭＯＳ構成のいずれかであってもよい。
【０１０３】
尚、特許請求の範囲に記載の電子回路は、例えば、本実施形態においては画素回路３０に対応している。また、特許請求の範囲に記載の比較回路は、例えば、本実施形態においてはコンパレータ３１に対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の検出信号は、例えば、本実施形態においては電圧信号Ｚに対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の第３の容量素子は、例えば、本実施形態においては、コンデンサＣdに対応している。
【０１０４】
（第４の実施形態）
次に、第１〜第３の実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１の電子機器の適用について図８に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１０５】
図８は、大型テレビ４０の斜視図である。この大型テレビ４０は、有機ＥＬディスプレイ１を搭載した大型テレビ用の表示ユニット４１と、スピーカー４２と、複数の操作ボタン４３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１を用いた表示ユニット４１は、輝度ムラの無い優れた画像表示ができる大型テレビを提供できる。
【０１０６】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
（１）上記第１〜第３の実施形態では、電気光学素子として有機ＥＬ素子１１に適応したが、これに限定されるものではなく、たとえば、発光ダイオードであっても上記各実施形態と同様な効果が得られる。
【０１０７】
（２）上記第３の実施形態では、駆動トランジスタＱd及び第２トランジスタＱ2をともにその導電型がｐ型であったが、特にこれに限定されるものではなく、ｎ型であってもよい。要は、駆動トランジスタＱdと第２トランジスタＱ2を同じ導電型で構成し、さらに、互いのゲート端子、ソース端子間の電圧が同じになるように結線すれば良い。
【０１０８】
（３）上記第１実施形態では、駆動トランジスタＱdのソース端子に直接有機ＥＬ素子
１１の陽極を接続した。従って、第１スイッチングトランジスタＱsw1をオンにして第１
副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaを保持キャパシタＣoに供給すると、駆動トランジスタＱdがオンし有機ＥＬ素子１１に駆動電流Ｉdが流れ込み発光が開始する。すると、第１副デー
タ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaを供給している間に蓄積容量素子Ｃpに検出電流Ｉpが流れ込み始め、電位Ｅ1が上昇するが、この途中で、電位Ｅ1が消灯トランジスタＱｏの閾値電圧Ｖt h
を超え消灯トランジスタＱoがオンしてしまい、保持キャパシタＣoに所望の第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaが書き込めない場合がある。そこで、図９に示すように、駆動トランジスタＱdのソース端子と有機ＥＬ素子１１の陽極との間にスイッチング素子Ｑｓを設け
てもよい。この場合、第１スイッチングトランジスタＱsw1をオンして保持キャパシタＣoに第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaを供給している間は、駆動トランジスタＱdと有機Ｅ
Ｌ素子１１とを電気的に切断し、駆動電流Ｉdが流れないようにする。そして、保持キャ
パシタＣoに第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaを供給した後に、駆動トランジスタＱdと有機ＥＬ素子１１とを電気的に接続し、駆動電流Ｉdを有機ＥＬ素子１１に流れるようにす
る。
【０１０９】
（４）上記実施形態では、有機ＥＬ素子１１を備えた有機ＥＬディスプレイに具体化して好適な効果を得たが、有機ＥＬディスプレイ以外の例えば電子放出素子を用いたディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ（Surface−Conduction Electron−Emitter Display）に具
体化してもよい。また。電子写真装置の光ヘッド（光プリンタのヘッドやデジタルラボのヘッド）に使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】有機ＥＬディスプレイのブロック構成図である。
【図２】第１の実施形態に係る画素回路を説明するための図である。
【図３】第１の実施形態に係る画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】第２の実施形態に係る画素回路を説明するための図である。
【図５】第２の実施形態に係る画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】第３の実施形態に係る画素回路を説明するための図である。
【図７】第３の実施形態に係る画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】第４の実施形態に係る電子機器としての大型テレビの斜視図である。
【図９】画素回路の別例を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１１】
Ｃ1…第４の容量素子としての第１コンデンサ、Ｃo…第１の容量素子としての保持キャ
パシタ、Ｃp…第２の容量素子としての蓄積容量素子、31…比較回路としてのコンパレー
タ、ＳＤ1〜ＳＤm…データ信号、Ｅ1…検出信号としての蓄積容量素子の第１電極の電位
、Ｉp…検出電流、１１…電流駆動素子、電気光学素子または有機エレクトロルミネッセ
ンス素子としての有機ＥＬ素子、Ｑd…第１のトランジスタとしての駆動トランジスタ、
Ｑo…第２のトランジスタとしての消灯トランジスタ、Ｑ3…第４のトランジスタとしての第３トランジスタ、ＳＹ1〜ＳＹn…選択信号、ＬＸ1〜ＬＸm…データ線、ＬＹ1〜ＬＹn…走査線、Ｚ…検出信号としての電圧信号、１…電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ、１０，２０，３０…電子回路としての画素回路、４０…電子機器としての大型テレビ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気光学装置として液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、「有機ＥＬディスプレイ」という）といったフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）が注目されている。この種の電気光学装置においては、例えば有機ＥＬディスプレイのように電気光学素子が電流駆動素子である場合、各画素に、書き込んだデータ信号を駆動電流に変換する駆動トランジスタを備えている。
【０００３】
ところで、上記駆動トランジスタは、アモルファスシリコンや多結晶シリコンで構成されたＭＯＳ構造を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成するのが一般的である。これらＴＦＴは、画素毎に閾値電圧や移動度の特性がばらつくという欠点がある。駆動トランジスタに、閾値電圧や移動度の特性のバラツキがあると、各画素に同じデータを与えても画素間に輝度のバラツキが生じてしまう。このため、均一な表示ができなくなり、表示品位が劣化してしまうという問題があった。
【０００４】
そこで、各画素に補償回路を備え、駆動トランジスタの閾値電圧を補償するようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特開２００３−５０９７２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の画素では、上述したように、駆動トランジスタの閾値電圧を補償することはできるが、移動度のバラツキを補償することができない。移動度は駆動電流の大きさに影響するので、移動度にバラツキがあると、画素毎に駆動電流の大きさにバラツキが生じてしまい、その結果、画素間に輝度のバラツキが生じてしまう。このため、表示の不均一を完全に取り除くことはできなかった。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、トランジスタの特性バラツキに関係なく輝度を精度良く制御することができる電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子回路は、電流駆動素子と、選択信号に応答して導通しその導通状態が保持されて前記電流駆動素子に電流を供給する第１のトランジスタと、データ信号に対応した電荷量を蓄積する第１の容量素子と、前記第１の容量素子に蓄積された前記電荷量に基づき前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を電荷量として検出する検出回路部と、前記検出回路部により検出された電荷量が前記データ信号に対応した電荷量に達したときに前記検出回路部から出力される検出信号に基づいて前記電流駆動素子への電流供給を遮断する第２のトランジスタとを備えた。
【０００８】
これによれば、検出回路部は電流駆動素子に流れる電流の積分値である総電荷量を検出し、その検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になったときに前記電流駆動素子への電流の供給が第２のトランジスタが非導通（オフ）になることで遮断される。つまり、第1のトランジスタの移動度が高い場合は電流値が大きくなるが、その分流れてい
る期間は短くなり、また、第1のトランジスタの移動度が低い場合は電流値が小さくなる
が、その分流れている期間は長くなる。従って、例えば複数の電子回路が形成された場合において、所定の電子回路を構成する第１のトランジスタの移動度と、他の電子回路を構成する第１のトランジスタの移動度が異なっていても、電流駆動素子に流れる電流の積分値は一致する。
【０００９】
この電子回路において、前記検出回路部は、前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出するカレントミラー回路と、前記検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、を備え、前記第２の容量素子に蓄積された電荷量が前記第１の容量素子に先に蓄積された前記データ信号に対応した電荷量に達したとき、前記検出信号を出力するものであってもよい。
【００１０】
これによれば、検出回路部は、カレントミラー回路であり、前記電流駆動素子に供給される電流によって蓄積される総電荷量は、このカレントミラー回路に流れる電流によって蓄積される電荷量により検出される。従って、第１の容量素子と前記電流駆動素子に供給される電流によって蓄積される総電荷量を精度良く検出することが可能となる。
【００１１】
この電子回路において、前記検出回路部は、前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出し該検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、前記データ信号に対応した電荷量を蓄積する第３の容量素子と、前記第２の容量素子の電位と、前記第３の容量素子の電位とを比較して前記検出信号を出力する比較回路とを備えていてもよい。
【００１２】
これによれば、電流駆動素子に供給された電流の積分値に相対した電荷量が第２の容量素子に蓄積され、その第２の容量素子に蓄積された総電荷量に応じた電圧と、第3の容量
に蓄積されたデータ信号に対応した電荷量に応じた電圧とが等しくなったときに第２のトランジスタが非導通（オフ）になる。従って、電流駆動素子に供給される電流の積分値をデータ信号に応じてより精度良く制御することが可能となる。
【００１３】
この電子回路において、前記第２のトランジスタは、前記検出信号により導通して前記第１のトランジスタを非導通にしてもよい。
これによれば、検出回路部に検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になるまでは第２のトランジスタは導通せず、また第１のトランジスタは非導通にならない。従って、データ信号に応じた電流が精度良く電流駆動素子に流れる。
【００１４】
この電子回路において、前記第２のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであって、そのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３のトランジスタと、前記ゲート端子に接続された第４の容量素子とからなる閾値補償回路が接続されていてもよい。
【００１５】
これによれば、例えば複数の電子回路が形成された場合において、所定の電子回路を構成する第２のトランジスタの閾値電圧と、他の電子回路を構成する第２のトランジスタの閾値電圧とが異なっていても、各々の電流駆動素子に供給される電荷量を一致させることができる。
【００１６】
この電子回路において、前記電流駆動素子に電流を供給する経路の中に、前記電流駆動素子に電流の供給開始を制御する第４のトランジスタを設けていてもよい。
これによれば、第１の容量素子にデータ信号を供給している間は電流駆動素子に電流が供給されず、第１の容量素子にデータ信号を供給終了後に電流駆動素子に電流を供給される。従って、データ信号に応じた電流を精度良く電流駆動素子に流すことができる。
【００１７】
この電子回路において、前記電流駆動素子は発光層が有機材料で構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであってもよい。
これによれば、発光層が有機材料で構成された所謂有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードの輝度をデータ信号に応じて精度良く制御することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、前記各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応してそれぞれ設けられた画素回路とを備えた電気光学装置において、前記画素回路は、電気光学素子と、選択信号に応答して導通しその導通状態が保持されて前記電気光学素子に電流を供給する第１のトランジスタと、データ信号に対応した電荷量を蓄積する第１の容量素子と、前記第１の容量素子に蓄積された前記電荷量に基づき前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を電荷量として検出する検出回路部と、前記検出回路部により検出された電荷量が前記データ信号に対応した電荷量に達したときに前記検出回路部から出力される検出信号に基づいて前記電気光学素子への電流供給を遮断する第２のトランジスタとを備えた。
【００１９】
これによれば、検出回路部は電気光学素子に流れる電流によって蓄積された総電荷量を検出し、その検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になったときに電気光学素子への電流の供給が第２のトランジスタが非導通になることで遮断される。従って、第1のトランジスタの移動度が高い場合は電気光学素子に流れる電流が大きくなるが、その
分流れている期間は短くなり、また、第1のトランジスタの移動度が低い場合は電気光学
素子に流れる電流が小さくなるが、その分流れている期間は長くなる。従って、例えば複数の画素回路が形成された場合において、所定の画素回路を構成する第１のトランジスタの移動度と、他の画素回路を構成する第１のトランジスタの移動度が異なっていても、電流駆動素子に流れる電流の積分値は一致する。この結果、画素回路毎に電気光学素子の輝度のバラツキが少ない電気光学装置を提供することができる。
【００２０】
この電気光学装置において、前記検出回路部は、前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出するカレントミラー回路と、前記検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、を備え、前記第２の容量素子に蓄積された電荷量が前記第１の容量素子に先に蓄積された前記データ信号に対応した電荷量に達したとき、前記検出信号を出力するものであってもよい。
【００２１】
これによれば、検出回路部は、カレントミラー回路であり、前記電気光学素子に供給される電流によって蓄積される総電荷量は、このカレントミラー回路に流れる電流によって蓄積される電荷量により検出される。従って、第１の容量素子と前記電気光学素子に供給される電流によって蓄積される総電荷量を精度良く検出することが可能となる。
【００２２】
この電気光学装置において、前記検出回路部は、前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出し該検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、前記データ信号に対応した電荷量を蓄積する第３の容量素子と、前記第２の容量素子の電位と、前記第３の容量素子との電位を比較して前記検出信号を出力する比較回路とを備えていてもよい。
【００２３】
これによれば、電気光学素子に供給される電流に相対した電荷量を第１の容量素子に蓄積しその第１の容量素子に蓄積された総電荷量に応じた電圧と、データ信号に対応した電荷を第２の容量素子によって蓄積しその第２の容量素子に蓄積された電荷量に応じた電圧とが等しくなったときに第１のトランジスタが非導通になる。従って、電気光学素子に供給される電流をデータ信号に応じてより精度良く制御することが可能となる。この結果、電気光学素子の輝度をデータ信号に応じて精度良く制御することができる。
【００２４】
この電気光学装置において、前記第２のトランジスタは、前記検出信号により導通して前記第１のトランジスタを非導通にしてもよい。
これによれば、検出回路部で検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になるまでは第２のトランジスタは導通せず、また第１のトランジスタは非導通にならない。従って、データ信号に応じた電流が精度良く電気光学素子に流れる。
【００２５】
この電気光学装置において、前記第２のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであって、そのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３のトランジスタと、前記ゲート端子に接続された第３の容量素子とからなる閾値補償回路が接続されていてもよい。
【００２６】
これによれば、互いに異なる画素回路を構成する第２のトランジスタの閾値電圧バラツキによって発生する画素回路ごとの電気光学素子の輝度ばらつきを無くすことができる。
この電気光学装置において、前記電気光学素子と前記第１のトランジスタとの間に、前記電気光学素子に電流の供給開始を制御する第４のトランジスタを設けていてもよい。
【００２７】
これによれば、第１の容量素子にデータ信号を供給している間は電流駆動素子に電流が供給されず、第１の容量素子にデータ信号を供給終了後に電流駆動素子に電流を供給される。従って、データ信号に応じた電流を精度良く電気光学素子に流すことができる。
【００２８】
この電気光学装置において、前記電気光学素子は発光層が有機材料で構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであってもよい。
これによれば、発光層が有機材料で構成された所謂有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードの輝度をデータ信号に応じて精度良く制御することができる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、前記各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応してそれぞれ設けられ、前記データ線を介して供給されるデータ信号に基づいて電気光学素子を発光させる画素回路とを備えた電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学素子に電流を供給して前記電気光学素子を発光させた後、前記電気光学素子に供給した電荷量が、前記データ信号に対応した電荷量に達した時点で電流の供給を遮断して前記電気光学素子を消灯させるようにした。
【００３０】
これによれば、電気光学素子に流れる電流の積分値である総電荷量を検出し、その検出された総電荷量がデータ信号に相対した電荷量になったときに電気光学素子への電流の供給を遮断するようにしたので、画素回路毎に輝度のバラツキを少なくして電気光学装置を駆動させることができる。
【００３１】
本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を実装している。
これによれば、画素回路毎に輝度のムラのない優れた表示品位を有する電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（第１実施形態）
以下、本発明の電気光学装置を有機ＥＬディスプレイに適用した場合について述べる。
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの主要部分におけるブロック図である。有機ＥＬディスプレイ１は、表示パネル部２、走査線駆動回路３、データ線駆動回路４及び制御回路５を備えている。
【００３３】
有機ＥＬディスプレイ１は、その走査線駆動回路３、データ線駆動回路４及び制御回路５が、それぞれ独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、走査線駆動回
路３、データ線駆動回路４及び制御回路５が各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、走査線駆動回路３、データ線駆動回路４及び制御回路５の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００３４】
表示パネル部２上には、行方向（図１中Ｘ矢印方向）に沿ってｎ本の走査線ＬＹ1〜Ｌ
Ｙn（ｎは自然数）が延設される一方、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnに対して交差するように列
方向（図１中Ｙ矢印方向）に沿ってｍ本のデータ線ＬＸ1〜ＬＸm（ｍは自然数）が延設されている。また、表示パネル部２上には、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnと各データ線ＬＸ1〜Ｌ
Ｘmとの交差部に対応してその各内部に有機ＥＬ素子１１を含む画素回路１０が設けられ
ている。本実施形態では、図２に示すように、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnは、第１副走査線ＬＹａと第２副走査線ＬＹｂとから構成されている。
【００３５】
また、表示パネル部２上には、図１に示すように、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnに対して平行にｎ本の電源供給線ＬＺ1〜ＬＺnがそれぞれ延設されている。各電源供給線ＬＺ1〜ＬＺnは互いに接続され、駆動電圧Ｖddがそれぞれに供給されるようになっている。
【００３６】
走査線駆動回路３は、走査線ＬＹ1〜ＬＹnに接続されている。走査線駆動回路３は、図示しないシフトレジスタ、出力回路等を主体に構成されており、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnに選択信号ＳＹ1〜ＳＹnを出力する。
【００３７】
本実施形態の走査線駆動回路３において、各選択信号ＳＹ1〜ＳＹnは、図３に示すように、２種類の選択信号（第１副走査線ＬＹaに供給される第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹna
及び第２副走査線ＬＹbに供給される第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnb）から構成されてい
る。尚、図３には、第１走査線ＬＹ1に供給される第１選択信号ＳＹ1（第１副選択信号ＳＹ1a及び第２副選択信号ＳＹ1b）と、第２走査線ＬＹ2に供給される第２選択信号ＳＹ2（第１副選択信号ＳＹ2a及び第２副選択信号ＳＹ2b）のみを説明の便宜上示している。
【００３８】
第１及び第２副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹna，ＳＹ1b〜ＳＹnbは、低電位レベル（以下、「Ｌレベル」という）から高電位レベル（以下、「Ｈレベル」という）の電圧信号を出力して対応する走査線ＬＹ1〜ＬＹnを選択し、その選択された走査線上の画素回路１０を駆動する信号である。そして、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnにおいて、第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹnaが先に一定期間ｔ1供給された後に第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnbが一定期間ｔ2供給される。
【００３９】
そして、走査線駆動回路３は、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnに対する選択信号ＳＹ1〜ＳＹn（第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹna及び第２副走査線ＳＹ1b〜ＳＹnb）を、第１走査線ＬＹ1
，第２走査線ＬＹ2，…，第ｎ走査線ＬＹnの順で供給する。
【００４０】
データ線駆動回路４は、図１に示すように、データ線ＬＸ1〜ＬＸmに接続されている。データ線駆動回路４は、図示しないデジタル・アナログ変換回路、ラインラッチ回路、出力回路等を主体に構成されている。データ線駆動回路４は、外部装置（図示略）から出力された画像データＤを入力し、その画像データＤに基づいて各データ線ＬＸ1〜ＬＸmにそれぞれ供給されるデータ信号ＳＤ1〜ＳＤmを生成する。
【００４１】
本実施形態のデータ線駆動回路４においては、各データ信号ＳＤ1〜ＳＤmは、図３に示すように、２種類のデータ信号（第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤma及び第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmb）からそれぞれ構成されている。
【００４２】
各データ信号ＳＤ1〜ＳＤmの第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbは、第１副選択信号ＳＹ
1a〜ＳＹnaが出力される毎に、各データ線ＬＸ1〜ＬＸmに一斉に出力され、選択された走査線上の画素回路１０にそれぞれ供給される。
【００４３】
一方、各データ信号ＳＤ1〜ＳＤmの第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaは、第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnbが出力される毎に、各データ線ＬＸ1〜ＬＸmに一斉に出力され、選択された走査線上の画素回路１０にそれぞれ供給される。
【００４４】
例えば、第１走査線ＬＹ1の第１副走査線ＬＹaに第１副選択信号ＳＹ1aが出力されると、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbが第１走査線ＬＹ1上の画素回路１０に供給される。
続いて、第１走査線ＬＹ1の第２副走査線ＬＹｂに第２副選択信号ＳＹ1bが出力されると
、第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaが第１走査線ＬＹ1上の画素回路１０に供給される。
【００４５】
第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaは、各画素回路１０の有機ＥＬ素子１１の発光期間における発光輝度を決めるためのデータ値（本実施形態では図３に示すような電圧値）である。詳述すると、第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaは、発光期間中に有機ＥＬ素子１１を画像データＤに基づく輝度で発光させるために、その発光期間中に後記する画素回路１０に設けた駆動トランジスタＱdを駆動させるときの駆動量（有機ＥＬ素子１１に供給する
電流値）を決定するためのデータ値である。そして、第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaの値は、明るい輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させる画像データＤに対しては高い電圧値をとり、低い輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させる画像データＤに対しては低い電圧値となるようにしている。
【００４６】
一方、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbは、同じく各画素回路１０の有機ＥＬ素子１１の、フレーム期間における平均輝度を決めるためのデータ値（本実施形態では図３に示すような電圧値）である。詳述すると、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbは、有機ＥＬ素子１１に流す総電荷量、つまり電流の時間積分値を決定するデータ値である。後述する各画素回路１０に設けた駆動トランジスタＱｄは、移動度や閾値のバラツキを持っている。各駆動トランジスタＱdが第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaに基づく駆動量で制御されてい
ても、駆動トランジスタＱdの移動度や閾値がばらついているから、有機ＥＬ素子１１に
流れる電流値が相違することになる。このため、このバラツキを補償するためデータ信号として第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbが選択された走査線上の各画素回路１０に供給される。第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbのデータ値は、有機ＥＬ素子１１に供給する総電荷量に対応した電圧値であり、画像データＤに基づいて設定される。後述する画素回路１０は、有機ＥＬ素子１１に供給された電荷が、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbで設定した値に達した時点で有機ＥＬ素子１１の発光を停止する。従って、駆動トランジスタＱｄの移動度が大きく、有機ＥＬ素子１１に大きな電流が流れる場合は発光時間が短くなり、逆に、駆動トランジスタＱｄの移動度が小さく、有機ＥＬ素子１１に小さな電流が流れる場合は発光時間が長くなる。これにより、１フレーム期間における平均輝度（人間に知覚される輝度）が等しくなる。
【００４７】
このように、データ線駆動回路４は、走査線が選択される毎にその選択された走査線上の各画素回路１０に対して、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbと第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaとを順番に供給するようになっている。
【００４８】
制御回路５は、図示しないパルス発生装置からのクロックパルスＣＫを入力し、そのクロックパルスＣＫに基づいて、垂直同期信号VSYNC及び水平同期信号HSYNCを生成する。制御回路５は、その生成された垂直同期信号VSYNC及び水平同期信号HSYNCを走査線駆動回路３に出力するとともに、水平同期信号HSYNCをデータ線駆動回路４に出力することで、走
査線駆動回路３及びデータ線駆動回路４を同期制御する。つまり、走査線駆動回路３は、水平同期信号HSYNCのタイミングで、１画像の表示期間に相当する１フレーム期間毎に所
定の順序（一般的には第１走査線ＬＹ1→第２走査線ＬＹ2→…→第ｎ走査線ＬＹn→第１
走査線ＬＹ1→…の順序）で、それぞれの走査線を線順次選択する。そして、データ線駆
動回路４は、水平同期信号HSYNCのタイミングで、１本の走査線を選択する期間に相当す
る１水平走査期間において、データ線ＬＸ1〜ＬＸmを介して前記データ信号ＳＤ1〜ＳＤm（第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤma及び第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmb）を一斉に出力する。
【００４９】
次に、画素回路１０の内部回路構成の詳細を図２に従って説明する。図２は、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路１０の電気的構成を説明するための図である。尚、各画素回路１０の内部回路構成は全て同じであるので、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路１０についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素回路１０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
【００５０】
図２に示すように、画素回路１０は、駆動トランジスタＱd、第１スイッチングトラン
ジスタＱsw1、第２スイッチングトランジスタＱsw2、保持キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子１１を備えている。また、画素回路１０は、第１トランジスタＱ1、第２トランジスタ
Ｑ2、蓄積容量素子Ｃp及び消灯トランジスタＱoを備えている。
【００５１】
本実施形態においては、駆動トランジスタＱd、第１スイッチングトランジスタＱsw1、第２スイッチングトランジスタＱsw2及び消灯トランジスタＱoは、それぞれその導電型がｎ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。また、第１及び第２トランジスタＱ1，Ｑ2は、導電型がｐ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。有機ＥＬ素子１１は、その発光層が有機材料で構成されたエレクトロルミネッセンス素子である。
【００５２】
駆動トランジスタＱdは、そのゲート端子に第１スイッチングトランジスタＱsw1のソース端子が接続されている。第１スイッチングトランジスタＱsw1は、そのドレイン端子が
第１データ線ＬＸ1に接続され、ゲート端子が第２副走査線ＬＹbに接続されている。また、駆動トランジスタＱdのゲート端子には保持キャパシタＣoの一端が接続されている。保持キャパシタＣoの他端は第１電源供給線ＬＺ1に接続され、駆動電圧Ｖddが供給されている。駆動トランジスタＱdのソース端子は有機ＥＬ素子１１の陽極に接続され、有機ＥＬ
素子１１の陰極は接地されている。
【００５３】
駆動トランジスタＱdのドレイン端子は、第１トランジスタＱ1のドレイン端子に接続されている。第１トランジスタＱ1のソース端子は第１電源供給線ＬＺ1に接続され、駆動電圧Ｖddが供給されている。この第１トランジスタＱ1はダイオード接続され、そのゲート
端子が第２トランジスタＱ2のゲート端子に接続されている。第２トランジスタＱ2のソース端子は第１電源供給線ＬＺ1に接続され、駆動電圧Ｖddが供給されている。つまり、第
１トランジスタＱ1は、第２トランジスタＱ2とカレントミラー回路を形成している。
【００５４】
第２トランジスタＱ2のドレイン端子は蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1に接続され、蓄
積容量素子Ｃpの第２電極Ｐ2は接地されている。蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1は、第２スイッチングトランジスタＱsw2のソース端子に接続されている。第２スイッチングトラ
ンジスタＱsw2は、そのドレイン端子が第１データ線ＬＸ1に接続され、ゲート端子は第１副走査線ＬＹaに接続されている。
【００５５】
また、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1は、消灯トランジスタＱｏのゲート端子に接続されている。消灯トランジスタＱoのドレイン端子は、駆動トランジスタＱdのゲート端子に接続され、ソース端子は接地されている。尚、本実施形態においては、前記したように第１副走査線ＬＹaと第２副走査線ＬＹbとで第１走査線ＬＹ1が構成されている。
【００５６】
次に、前記のように構成された画素回路１０の動作について図２及び図３に従って説明する。以下、説明の便宜上、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路１０を代表してその動作を説明する。
【００５７】
図３は、画素回路１０の動作を説明するためのタイミングチャートである。
まず、走査線駆動回路３から第１副走査線ＬＹaを介して第１副選択信号ＳＹ1aが所定
期間ｔ1出力されると、第２スイッチングトランジスタＱsw2が所定期間ｔ1オンになる。
このタイミングで、データ線駆動回路４から第１データ線ＬＸ1に第２副データ信号ＳＤ1bが出力されると、第２スイッチングトランジスタＱsw2を介して第２副データ信号ＳＤ1bが蓄積容量素子Ｃpに供給される。この結果、蓄積容量素子Ｃpには第２副データ信号ＳＤ1bに応じた電荷量が蓄積され、蓄積容量素子Ｃｐの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1が第２副データ信号ＳＤ1bに設定される。
【００５８】
このとき、第２副データ信号ＳＤ1bは、前記したように、有機ＥＬ素子１１を画像データＤに基づく輝度（人間に知覚される、フレーム期間の平均輝度）で発光させる場合に、有機ＥＬ素子１１に供給する必要のある電荷量を設定する電圧値である。そして、本実施形態では、第２副データ信号ＳＤ1bの電圧値は、画像データＤに相対してそれぞれ決定される必要な総電荷量が有機ＥＬ素子１１に供給されたとき、蓄積容量素子Ｃpの第１電極
Ｐ1の電位Ｅ1が前記消灯トランジスタＱoをオンさせるような初期設定値である。
【００５９】
その後、走査線駆動回路３から第２副走査線ＬＹbを介して第２副選択信号ＳＹ1bが所
定期間ｔ2出力される。すると、第１スイッチングトランジスタＱsw1が所定期間ｔ2オン
して、データ線駆動回路４から第１データ線ＬＸ1を介して第１副データ信号ＳＤ1aが供
給される。
【００６０】
すると、第１副データ信号ＳＤ1aが第１スイッチングトランジスタＱsw１を介して保持キャパシタＣoに供給される。保持キャパシタＣoは第１副データ信号ＳＤ1aに対応した電荷量を蓄積し保持する。また、駆動トランジスタＱdのゲート端子の電位Ｅgは第１副データ信号ＳＤ1aにより押し上げられ、駆動トランジスタＱdのドレイン／ソースに第１副デ
ータ信号ＳＤ1aに応じた駆動電流Ｉdが流れ、その駆動電流Ｉdが有機ＥＬ素子１１に供給する。この駆動電流Ｉdは、保持キャパシタＣｏに蓄積された第１副データ信号ＳＤ1aに
応じた電荷量に相対した値となる。
【００６１】
つまり、駆動トランジスタＱdは、第１副データ信号ＳＤ1aに応答して導通し、その導
通状態が保持されて有機ＥＬ素子１１に駆動電流Ｉdを供給する。すると、このタイミン
グで有機ＥＬ素子１１が発光し始める。また、このとき、第２トランジスタＱ2は、駆動
トランジスタＱdに接続された第１トランジスタＱ1とカレントミラー回路を構成しているので、第２トランジスタＱ2には、駆動電流Ｉdに比例した検出電流Ｉpが流れる。つまり
、第１トランジスタＱ1と第２トランジスタＱ2とは、駆動トランジスタＱdの導通状態に
基づいて有機ＥＬ素子１１に供給されている駆動電流Ｉd（電荷量）と相対した検出電流
Ｉpを出力する検出回路部として機能する。そして、検出電流Ｉpは蓄積容量素子Ｃpに流
れ込み、電荷が蓄積される。つまり、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1は、前記
初期設定値から徐々に上昇していく。
【００６２】
やがて、電位Ｅ1が消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthより大きくなると、消灯トランジスタＱoがオンする。この結果、駆動トランジスタＱdのゲート端子が接地されてオフになり駆動電流Ｉdへの供給を遮断して有機ＥＬ素子１１が消灯する。つまり、第１電極Ｐ1の電位Ｅ１は、第１トランジスタＱ1と第２トランジスタＱ2によって検出された駆動電流Ｉdの総電荷量が、画像データＤに基づく輝度で発光させる場合に有機ＥＬ素子１１に供
給する必要のある総電荷量になったかを検出する検出信号として機能する。
【００６３】
また、このとき、保持キャパシタＣoの一端も消灯トランジスタＱoを介して接地されるので、保持キャパシタＣoに保持された電荷は消灯トランジスタＱoを介してディスチャージされる。
【００６４】
ここで、人間に知覚される有機ＥＬ素子１１の輝度は、駆動電流Ｉdの電流値によって
決まる発光時の輝度と、駆動電流Ｉdが流れた期間（つまり発光した時間）との積分値に
比例する。従って、駆動電流Ｉdの電流値が大きい場合、蓄積容量素子Ｃpには短期間で消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthに至るまで電荷が蓄積されるので、駆動電流Ｉdに流れる期間（発光時間）が短くなる。逆に、駆動電流Ｉdの電流値が小さい場合、蓄積容量素
子Ｃpには長い期間かかって消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthに至るまで電荷が蓄積されるので、駆動電流Ｉdが流れる期間（発光時間）が長くなる。
【００６５】
従って、各駆動トランジスタＱdの移動度にバラツキがあり、その移動度のバラツキで
駆動トランジスタＱdが有機ＥＬ素子１１に供給する駆動電流Ｉdの電流値に変動があっても、発光時間を調整してこのバラツキを補償している。
【００６６】
つまり、各有機ＥＬ素子１１の輝度は、駆動電流Ｉdの積分値（総電荷量）によって制
御されるので、たとえ所定の画素回路１０の駆動トランジスタＱdの移動度が、他の画素
回路１０の駆動トランジスタＱdの移動度と異なっていても、各有機ＥＬ素子１１の輝度
に移動度の差による輝度のバラツキは発生しない。従って、有機ＥＬディスプレイ１は、画素回路１０毎に輝度のムラのない優れた画像を表示することができる。
【００６７】
尚、特許請求の範囲に記載の第１の容量素子は、例えば、本実施形態においては保持キャパシタＣoに対応している。特許請求の範囲に記載の第２の容量素子は、例えば、本実
施形態においては蓄積容量素子Ｃpに対応している。特許請求の範囲に記載の電流駆動素
子、電気光学素子または有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬ素子１１に対応している。特許請求の範囲に記載の検出信号は、例えば、本実施形態においては蓄積容量素子の第１電極Ｐ1の電位Ｅ1に対応している。特許請求の範囲に記載の第１のトランジスタは、例えば、本実施形態においては駆動トランジスタＱdに対応している。特許請求の範囲に記載の第２のトランジスタは、例えば、本実施形態
においては消灯トランジスタＱoに対応している。特許請求の範囲に記載の電気光学装置
は、例えば、本実施形態においては有機ＥＬディスプレイ１に対応している。特許請求の範囲に記載の電子回路は、例えば、本実施形態においては画素回路１０に対応している。
【００６８】
前記実施形態によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）本実施形態では、有機ＥＬ素子１１の輝度を駆動電流Ｉdの積分値（総電荷量）に
よって制御するようにした。従って、たとえ所定の画素回路１０の駆動トランジスタＱd
の移動度が、他の画素回路１０の駆動トランジスタＱdの移動度と異なっていても、各有
機ＥＬ素子１１の輝度に移動度の差による輝度のバラツキは発生しない。この結果、有機ＥＬディスプレイ１は、画素回路１０毎に輝度のムラのない優れた画像を表示することができる。
（２）本実施形態では、駆動電流Ｉdに比例した検出電流Ｉpを検出するための回路構成を第１トランジスタＱ1と第２トランジスタＱ2とで構成されるカレントミラー回路によって構成した。従って、駆動電流Ｉdが有機ＥＬ素子１１に流れたかどうかを精度良く検出す
ることができる。
（３）本実施形態では、駆動トランジスタＱdの移動度のバラツキに関係なくその輝度を
制御可能とする画素回路１０を有機ＥＬディスプレイ１に備えた。従って、表示品位の優れた有機ＥＬディスプレイを提供することができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した第２の実施形態を図４及び図５に従って説明する。この第２実施形態においては、上記第１の実施形態の表示パネル部２上に新たに制御線と定電圧供給線とが設けられているとともに、画素回路１０の構成が異なっている他は上記有機ＥＬディスプレイ１と同じ構成である。従って、有機ＥＬディスプレイ１と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００６９】
図４は、本実施形態における第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に配置された画素回路２０の回路構成図である。尚、全ての画素回路２０の内部回路構成は同じであるので、以下、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路２０についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素回路２０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
【００７０】
図４に示すように、画素回路２０は、上記第１実施形態の画素回路１０に加えて、消灯トランジスタＱoのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３トランジスタＱ3と、消灯トランジスタＱoのゲート端子と蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1との間に接続され
た第１コンデンサＣ1とからなる閾値補償回路２１が接続されている。第３トランジスタ
Ｑ3のゲート端子は、表示パネル部２上に走査線ＬＹ1と平行に延設された第１制御線Ｌ1
に接続されている。第３トランジスタＱ3は、走査線駆動回路３から出力される第１制御
信号Ｓ1に応じてオン・オフ制御されるようになっている。
【００７１】
また、画素回路２０は、駆動トランジスタＱdのソース端子と有機ＥＬ素子１１の陽極
との間に第４トランジスタＱ4が接続されている。第４トランジスタＱ4のゲート端子は、表示パネル部２上に走査線ＬＹ1と平行に延設された第２制御線Ｌ2に接続されている。第４トランジスタＱ4は、走査線駆動回路３から出力される第２制御信号Ｓ2に応じてオン・オフ制御されるようになっている。
【００７２】
さらに、画素回路２０においては、第１スイッチングトランジスタＱsw1のドレイン端
子は第１データ線ＬＸ1ではなく表示パネル部２上に第１走査線ＬＹ1と平行に延設された第３制御線Ｌ3に接続され、電圧信号Ｖ1が供給されるようになっている。
【００７３】
そして、本実施形態では、図５に示すように、上記実施形態とは反対に、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnにおいて、第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnbが先に一定期間ｔ3供給され、その後
に第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹnaが一定期間ｔ4供給され、その後、再び第２副選択信号
ＳＹ1b〜ＳＹnbが先に一定期間ｔ5供給される。そして、期間ｔ3〜期間ｔ5の合計が当該
走査線の選択期間となる。また、第１制御信号Ｓ1は、第２副選択信号ＳＹ1b〜ＳＹnbが
先に一定期間ｔ3供給された後に、前記第１副選択信号ＳＹ1a〜ＳＹnaより短い期間出力
される。さらに、第２制御信号Ｓ2は、当該走査線が選択されている期間だけＬレベルの
信号となる。
【００７４】
また、本実施形態のデータ線駆動回路４は、各データ線に供給するデータ信号ＳＤ1〜
ＳＤmは、図５に示すように、２種類の信号（リセット電圧Ｖrstと第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmb）を交互に出力する。リセット電圧Ｖrstは、画像データＤに寄らず一定の電
圧値を有した信号である。
【００７５】
次に、前記のように構成された画素回路２０の動作について図４及び図５に従って説明する。以下、説明の便宜上、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路２０を代表してその動作を説明する。図５は、画素回路２０の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００７６】
まず、走査線駆動回路３から第２副走査線ＬＹbを介して第２副選択信号ＳＹ1bが所定
期間ｔ3出力されて第１スイッチングトランジスタＱsw1がオンして、電圧信号Ｖ1が保持
キャパシタＣoに供給保持される。すると、保持キャパシタＣoの一端側の電位（駆動トランジスタＱdのゲート端子に接続された電極の電位）Ｅ2が十分に高くなり、駆動トランジスタＱdはオン状態となる。このとき、走査線駆動回路３から第２制御線Ｌ2を介してＬレベルの第２制御信号Ｓ2が供給されていることから、有機ＥＬ素子１１の陽極との間に接
続された第４トランジスタＱ4がオフとなるために、駆動トランジスタＱdのゲート端子に電圧信号Ｖ1が供給されゲート端子の電位が押し上げられてオンになったとしても駆動電
流Ｉdは流れない。
【００７７】
その後、走査線駆動回路３から第１制御線Ｌ1を介して第１制御信号Ｓ1が所定期間ｔ4
出力されて第３トランジスタＱ3がオンして、保持キャパシタＣoの一端側の電位Ｅ2が消
灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthにバイアスされる。また、このとき、走査線駆動回路
３から第１副走査線ＬＹaを介して第１副選択信号ＳＹ1aが所定期間ｔ4出力されて第２スイッチングトランジスタＱsw2がオンして、データ線駆動回路４から第１データ線ＬＸ1を介して一定レベルのリセット電圧Ｖrstが供給され、電位Ｅ1がリセット電圧Ｖrstになる
。
【００７８】
これにより、第１コンデンサＣ1にはＶrst−Ｖthの大きさの電圧がかかる。この結果、第１コンデンサＣ1には、電位Ｅ1がリセット電圧Ｖrstに等しくなると消灯トランジスタ
Ｑoのゲート端子を押し上げてその閾値電圧Ｖthになりオンになるという電荷量が記憶さ
れる。
【００７９】
続いて、第２スイッチングトランジスタＱsw2がオンした状態のままで、データ線駆動
回路４から第１データ線ＬＸ1に第２副データ信号ＳＤ1bが出力されると、第２スイッチ
ングトランジスタＱsw2を介して第２副データ信号ＳＤ1bが蓄積容量素子Ｃpに供給される。この結果、蓄積容量素子Ｃpには第２副データ信号ＳＤ1bに応じた電荷量が蓄積され、
蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1が第２副データ信号ＳＤ1bに設定される。
【００８０】
このとき、第２副データ信号ＳＤ1bは、上記第１実施形態と同様に、画像データＤに基づく輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させる場合に、有機ＥＬ素子１１に供給する必要のある総電荷量設定する電圧値である。そして、本実施形態では、画像データＤに対応して決定される必要な総電荷量が有機ＥＬ素子１１に供給されたとき、蓄積容量素子Ｃpの第１
電極Ｐ1の電位Ｅ1が前記消灯トランジスタＱoをオンさせる際の初期設定値である。
【００８１】
その後、走査線駆動回路３から第２副走査線ＬＹbを介して再び第２副選択信号ＳＹ1b
が出力され、第１スイッチングトランジスタＱsw 1がオンされる。すると、保持キャパシタＣoは電圧信号Ｖ1に対応した電荷量を蓄積し保持する。また、駆動トランジスタＱdの
ゲート端子の電位Ｅgは電圧信号Ｖ1により押し上げられる。ここで、電圧信号Ｖ1は、デ
ータ信号ＳＤ1の大きさに寄らず一定の電圧値を有した電圧信号である。従って、駆動電
流Ｉdは、第２副データ信号ＳＤ1ｂの大きさに寄らず一定である。
【００８２】
そして、走査線駆動回路３から第２制御線Ｌ2を介してＨレベルの第２制御信号Ｓ2が供給される。すると、第４トランジスタＱ4がオンされ、駆動トランジスタＱdのドレイン／ソースに電圧信号Ｖ1に応じた駆動電流Ｉdが流れ、その駆動電流Ｉdが有機ＥＬ素子１１
に供給される。また、このとき、第２トランジスタＱ2には、駆動電流Ｉdに比例した検出電流Ｉpが流れる。そして、検出電流Ｉpは蓄積容量素子Ｃpに流れ込み、電荷が蓄積され
、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1は、前記初期設定値から徐々に上昇していく
。
【００８３】
やがて、電位Ｅ1がリセット電圧Ｖrstに等しくなると消灯トランジスタＱoがオンする
。この結果、駆動トランジスタＱdのゲート端子が接地されてオフになり駆動電流Ｉdへの供給を遮断して有機ＥＬ素子１１が消灯する。つまり、第１電極Ｐ1の電位Ｅ1は、第１トランジスタＱ1と第２トランジスタＱ2によって検出された駆動電流Ｉdの総電荷量が画像
データＤに基づく輝度で発光させる場合に有機ＥＬ素子１１に供給するに必要な総電荷量になったかを検出する検出信号として機能する。
【００８４】
以上により、画素回路２０では、上記第１実施形態の効果に加えて、消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthが補償されるので、たとえ、消灯トランジスタＱoの閾値電圧Ｖthがばらついていても、均一な表示が可能となる。
【００８５】
尚、特許請求の範囲に記載の第３のトランジスタは、例えば、本実施形態においては第３トランジスタＱ3に対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子回路は、例えば
、本実施形態においては画素回路２０に対応している。特許請求の範囲に記載の第４の容量素子は、本実施形態においては第１コンデンサＣ1に対応している。
（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化した第３の実施形態を図６及び図７に従って説明する。この第３実施形態においては、各走査線ＬＹ1〜ＬＹnは、第１及び第２実施形態とは異なってそれぞれ１本の走査線から構成されている。また、画素回路の構成が上記第１の実施形態とは異なっている。その他の構成については、上記有機ＥＬディスプレイ１と同じ構成であるので、有機ＥＬディスプレイ１と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００８６】
図６は、本実施形態における第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に配置された画素回路３０の回路構成図である。尚、全ての画素回路３０の内部回路構成は同じであるので、以下、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路３０についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素回路３０の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
【００８７】
図６に示すように、画素回路３０においては、駆動トランジスタＱd及び第２トランジ
スタＱ2の導電型はそれぞれｐ型である。また、画素回路３０においては、第１スイッチ
ングトランジスタＱsw1のドレイン端子は第１データ線ＬＸ1ではなく表示パネル部２上に走査線ＬＹ1と平行に延設された第３制御線Ｌ3に接続され、電圧信号Ｖ1が供給されるよ
うになっている。さらに、駆動トランジスタＱdのゲート端子が第２トランジスタＱ2のゲート端子に接続されている。
【００８８】
また、画素回路３０は、駆動トランジスタＱdのドレイン端子と有機ＥＬ素子１１の陽
極との間に第４トランジスタＱ4が接続されている。第４トランジスタＱ4のゲート端子は、走査線ＬＹ1に接続されている。第１スイッチングトランジスタＱｓｗ1のゲート端子は、走査線ＬＹ1に接続されている。従って、第１スイッチングトランジスタＱｓｗ1と第４トランジスタＱ4とは相補的にオン・オフされることになる。
【００８９】
また、画素回路３０においては、第２トランジスタＱ2と蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1との間に導電型がｐ型の第５トランジスタＱ5を備えている。第５トランジスタＱ5のゲ
ート端子は、第１走査線ＬＹ1に接続されている。従って、第５トランジスタＱ5は、第４トランジスタＱ4がオンされてそのゲート／ソースに駆動電流Ｉdが流れると、それに同期してオンされてそのゲート／ソースに検出電流Ｉｐが流れる。つまり、第２トランジスタＱ2のゲート／ソース電圧を駆動トランジスタＱdのゲート／ソース電圧と揃えることによって、第２トランジスタＱ2を保持キャパシタＣoに蓄積された電荷量に相対した電荷量が駆動トランジスタＱdの導通状態に基づいて有機ＥＬ素子１１に供給されたかどうかを検
出する検出回路部として機能する。
【００９０】
さらに、画素回路３０においては、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1は第１データ線ＬＸ1に接続されず、蓄積容量素子Ｃpには検出電流Ｉpに応じた電荷のみが蓄積されるように
なっている。また、第５トランジスタＱ5のドレイン端子と接地との間には、蓄積容量素
子Ｃpに対して並列に接続される第６トランジスタＱ6が備えられている。第６トランジスタＱ6の導電型はｎ型であり、そのゲート端子は第１走査線ＬＹ1に接続されている。第６トランジスタＱ6はオンされることで、蓄積容量素子Ｃpに蓄積された電荷をディスチャージさせる。
【００９１】
さらにまた、画素回路３０においては、コンデンサＣd及びコンパレータ３１を備えて
いる。コンデンサＣdは、その第１電極Ｕ1が第２スイッチングトランジスタＱsw2を介し
て第１データ線ＬＸ1に接続される一方、第２電極Ｕ2は接地されている。
【００９２】
コンパレータ３１は、その非反転入力端子に第１電極Ｐ1が、反転入力端子に第１電極
Ｕ1が接続され、出力側端子は消灯トランジスタＱoのゲート端子に接続されている。コンパレータ３１は、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1とコンデンサＣdの第１電極Ｕ1の電位Ｅaとを比較し、その結果、電位Ｅ1が電位Ｅaより低いときにＬレベルの電圧信号Ｚを出力して消灯トランジスタＱoをオフし、電位Ｅ1が電位Ｅa以上のときにＨレベルの
電圧信号Ｚを出力して消灯トランジスタＱoをオンさせる。
【００９３】
また、本実施形態のデータ線駆動回路４は、各データ線ＬＸ1〜ＬＸmに供給するデータ信号ＳＤ1〜ＳＤmは、図７に示すように、第２副データ信号ＳＤ1b〜ＳＤmbである。
次に、前記のように構成された画素回路３０の動作について図６及び図７に従って説明する。以下、説明の便宜上、第１走査線ＬＹ1と第１データ線ＬＸ1との交差部に対応する位置に配置された画素回路３０を代表してその動作を説明する。図７は、画素回路３０の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【００９４】
まず、走査線駆動回路３から第１走査線ＬＹ1を介して選択信号ＳＹ1が所定期間出力されて第２スイッチングトランジスタＱsw2がオンして、データ線駆動回路４から第１デー
タ線ＬＸ1に第２副データ信号ＳＤ1bが出力されると、第２スイッチングトランジスタＱsw2を介して第２副データ信号ＳＤ1bがコンデンサＣdに供給される。この結果、コンデン
サＣdには第２副データ信号ＳＤ1bに応じた電荷量が蓄積され、コンデンサＣdの第１電極Ｕ1の電位Ｅaが第２副データ信号ＳＤ1bに設定される。
【００９５】
このとき、第２副データ信号ＳＤ1bは、画像データＤに基づく輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させる場合に、有機ＥＬ素子１１に供給するの必要のある総電荷量に対応した電圧である。また、このとき、第６トランジスタＱ6がオンされて蓄積容量素子Ｃpに蓄積されていた電荷がディスチャージされる。さらに、このとき、第４及び第５トランジスタＱ4
，Ｑ5はともにその導電型がｐ型であるので、同期してオフとなり、その結果、駆動電流
Ｉd及び電流Ｉpは流れない。
【００９６】
従って、この状態においては、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1はコンデンサ
Ｃｄの第１電極Ｕ1の電位Ｅaより低いので、コンパレータ３１からは、Ｌレベルの電圧信号Ｚが出力され、その結果、消灯トランジスタＱoはオフになっている。この結果、保持
キャパシタＣoには、第１スイッチングトランジスタＱsw1を介して電圧信号Ｖ1に対応し
た電荷量が蓄積される。
【００９７】
続いて、走査線駆動回路３から走査線ＬＹ1を介して選択信号ＳＹ1がＬレベルになると、第２スイッチングトランジスタＱsw2、第１スイッチングトランジスタＱsw1及び第６ト
ランジスタＱ6が全てオフするとともに、第４トランジスタＱ4及び第５トランジスタＱ5
がオンになる。
【００９８】
すると、第４トランジスタＱ4のソース／ドレインを介して保持キャパシタＣoに蓄積された電荷量に応じた駆動電流Ｉdが有機ＥＬ素子１１に、また、同駆動電流Ｉdに比例した検出電流Ｉpが蓄積容量素子Ｃpにそれぞれ流れ込む。この結果、有機ＥＬ素子１１は発光を開始する。
【００９９】
すると、検出電流Ｉpは蓄積容量素子Ｃpに流れ込み、電荷が蓄積され、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1は、徐々に上昇していく。
やがて、蓄積容量素子Ｃpの第１電極Ｐ1の電位Ｅ1がコンデンサＣdの第１電極Ｕ1の電
位Ｅaと等しくなると、即ち、有機ＥＬ素子１１に流れ込んだ駆動電流Ｉdの積分値（総電荷量）が第２副データ信号ＳＤ1bに対応した電荷量になると、コンパレータ３１は、Ｈレベルの電圧信号Ｚを出力する。この結果、消灯トランジスタＱoがオンになる。すると、
消灯トランジスタＱoを介して駆動電圧Ｖｄｄが駆動トランジスタＱdのゲート端子に印加され駆動トランジスタＱdはオフになる。
【０１００】
この結果、有機ＥＬ素子１１は消灯する。つまり、コンパレータ３１は、蓄積容量素子Ｃpの電位Ｅ1と、前記コンデンサＣdの電位Ｅaを比較して、検出電流Ｉpの総電荷量が画
像データＤに基づく輝度で有機ＥＬ素子１１を発光させるのに必要な総電荷量になったかを検出する。そして、有機ＥＬ素子１１が画像データＤに基づく輝度で発光したら駆動トランジスタＱdをオフして有機ＥＬ素子１１の発光を停止させる。
【０１０１】
以上により、画素回路３０は、上記第１実施形態のと同様の効果を得ることができる。また、消灯トランジスタＱoのオン・オフ制御をコンパレータ３１によって行うようにし
たので、有機ＥＬ素子１１の消灯動作の精度を高めることができる。
【０１０２】
尚、本実施形態のコンパレータに代わって、キャパシタと該キャパシタに直列に接続されたインバータと、該インバータの入出力端子にそのドレイン及びソースが並列に接続されたトランジスタとで構成されたチョッパ型コンパレータを用いてもよい。また、前記インバータは、ｐ型のトランジスタとｎ型のトランジスタとを組み合わせたＣＭＯＳ構成、能動負荷のついたｎ型ＭＯＳ構成、或いは抵抗付きのＭＯＳ構成のいずれかであってもよい。
【０１０３】
尚、特許請求の範囲に記載の電子回路は、例えば、本実施形態においては画素回路３０に対応している。また、特許請求の範囲に記載の比較回路は、例えば、本実施形態においてはコンパレータ３１に対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の検出信号は、例えば、本実施形態においては電圧信号Ｚに対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の第３の容量素子は、例えば、本実施形態においては、コンデンサＣdに対応している。
【０１０４】
（第４の実施形態）
次に、第１〜第３の実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１の電子機器の適用について図８に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１０５】
図８は、大型テレビ４０の斜視図である。この大型テレビ４０は、有機ＥＬディスプレイ１を搭載した大型テレビ用の表示ユニット４１と、スピーカー４２と、複数の操作ボタン４３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１を用いた表示ユニット４１は、輝度ムラの無い優れた画像表示ができる大型テレビを提供できる。
【０１０６】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
（１）上記第１〜第３の実施形態では、電気光学素子として有機ＥＬ素子１１に適応したが、これに限定されるものではなく、たとえば、発光ダイオードであっても上記各実施形態と同様な効果が得られる。
【０１０７】
（２）上記第３の実施形態では、駆動トランジスタＱd及び第２トランジスタＱ2をともにその導電型がｐ型であったが、特にこれに限定されるものではなく、ｎ型であってもよい。要は、駆動トランジスタＱdと第２トランジスタＱ2を同じ導電型で構成し、さらに、互いのゲート端子、ソース端子間の電圧が同じになるように結線すれば良い。
【０１０８】
（３）上記第１実施形態では、駆動トランジスタＱdのソース端子に直接有機ＥＬ素子
１１の陽極を接続した。従って、第１スイッチングトランジスタＱsw1をオンにして第１
副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaを保持キャパシタＣoに供給すると、駆動トランジスタＱdがオンし有機ＥＬ素子１１に駆動電流Ｉdが流れ込み発光が開始する。すると、第１副デー
タ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaを供給している間に蓄積容量素子Ｃpに検出電流Ｉpが流れ込み始め、電位Ｅ1が上昇するが、この途中で、電位Ｅ1が消灯トランジスタＱｏの閾値電圧Ｖt h
を超え消灯トランジスタＱoがオンしてしまい、保持キャパシタＣoに所望の第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaが書き込めない場合がある。そこで、図９に示すように、駆動トランジスタＱdのソース端子と有機ＥＬ素子１１の陽極との間にスイッチング素子Ｑｓを設け
てもよい。この場合、第１スイッチングトランジスタＱsw1をオンして保持キャパシタＣoに第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaを供給している間は、駆動トランジスタＱdと有機Ｅ
Ｌ素子１１とを電気的に切断し、駆動電流Ｉdが流れないようにする。そして、保持キャ
パシタＣoに第１副データ信号ＳＤ1a〜ＳＤmaを供給した後に、駆動トランジスタＱdと有機ＥＬ素子１１とを電気的に接続し、駆動電流Ｉdを有機ＥＬ素子１１に流れるようにす
る。
【０１０９】
（４）上記実施形態では、有機ＥＬ素子１１を備えた有機ＥＬディスプレイに具体化して好適な効果を得たが、有機ＥＬディスプレイ以外の例えば電子放出素子を用いたディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ（Surface−Conduction Electron−Emitter Display）に具
体化してもよい。また。電子写真装置の光ヘッド（光プリンタのヘッドやデジタルラボのヘッド）に使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】有機ＥＬディスプレイのブロック構成図である。
【図２】第１の実施形態に係る画素回路を説明するための図である。
【図３】第１の実施形態に係る画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】第２の実施形態に係る画素回路を説明するための図である。
【図５】第２の実施形態に係る画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】第３の実施形態に係る画素回路を説明するための図である。
【図７】第３の実施形態に係る画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】第４の実施形態に係る電子機器としての大型テレビの斜視図である。
【図９】画素回路の別例を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１１】
Ｃ1…第４の容量素子としての第１コンデンサ、Ｃo…第１の容量素子としての保持キャ
パシタ、Ｃp…第２の容量素子としての蓄積容量素子、31…比較回路としてのコンパレー
タ、ＳＤ1〜ＳＤm…データ信号、Ｅ1…検出信号としての蓄積容量素子の第１電極の電位
、Ｉp…検出電流、１１…電流駆動素子、電気光学素子または有機エレクトロルミネッセ
ンス素子としての有機ＥＬ素子、Ｑd…第１のトランジスタとしての駆動トランジスタ、
Ｑo…第２のトランジスタとしての消灯トランジスタ、Ｑ3…第４のトランジスタとしての第３トランジスタ、ＳＹ1〜ＳＹn…選択信号、ＬＸ1〜ＬＸm…データ線、ＬＹ1〜ＬＹn…走査線、Ｚ…検出信号としての電圧信号、１…電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ、１０，２０，３０…電子回路としての画素回路、４０…電子機器としての大型テレビ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流駆動素子と、
選択信号に応答して導通しその導通状態が保持されて前記電流駆動素子に電流を供給する第１のトランジスタと、
データ信号に対応した電荷量を蓄積する第１の容量素子と、
前記第１の容量素子に蓄積された前記電荷量に基づき前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を電荷量として検出する検出回路部と、
前記検出回路部により検出された電荷量が前記データ信号に対応した電荷量に達したときに前記検出回路部から出力される検出信号に基づいて前記電流駆動素子への電流供給を遮断する第２のトランジスタと、
を備えたことを特徴とする電子回路。
【請求項２】
請求項１に記載の電子回路において、
前記検出回路部は、
前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出するカレントミラー回路と、
前記検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、を備え、
前記第２の容量素子に蓄積された電荷量が前記第１の容量素子に先に蓄積された前記データ信号に対応した電荷量に達したとき、前記検出信号を出力することを特徴とする電子回路。
【請求項３】
請求項１に記載の電子回路において、
前記検出回路部は、
前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出し該検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、
前記データ信号に対応した電荷量を蓄積する第３の容量素子と、
前記第２の容量素子の電位と、前記第３の容量素子の電位とを比較して前記検出信号を出力する比較回路と、
を備えたことを特徴とする電子回路。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載の電子回路において、
前記第２のトランジスタは、前記検出信号により導通して前記第１のトランジスタを非導通にすることを特徴とする電子回路。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１に記載の電子回路において、
前記第２のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであって、そのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３のトランジスタと、前記ゲート端子に接続された第４の容量素子とからなる閾値補償回路が接続されていることを特徴とする電子回路。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１に記載の電子回路において、
前記電流駆動素子に電流を供給する経路の中に、前記電流駆動素子に電流の供給開始を制御する第４のトランジスタを設けたことを特徴とする電子回路。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１に記載の電子回路において、
前記電流駆動素子は発光層が有機材料で構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであることを特徴とする電子回路。
【請求項８】
複数の走査線と、
前記各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線と、
前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応してそれぞれ設けられた画素回路と
を備えた電気光学装置において、
前記画素回路は、
電気光学素子と、
選択信号に応答して導通しその導通状態が保持されて前記電気光学素子に電流を供給する第１のトランジスタと、
データ信号に対応した電荷量を蓄積する第１の容量素子と、
前記第１の容量素子に蓄積された前記電荷量に基づき前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を電荷量として検出する検出回路部と、
前記検出回路部により検出された電荷量が前記データ信号に対応した電荷量に達したときに前記検出回路部から出力される検出信号に基づいて前記電気光学素子への電流供給を遮断する第２のトランジスタと、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置において、
前記検出回路部は、
前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出するカレントミラー回路と、
前記検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、を備え、
前記第２の容量素子に蓄積された電荷量が前記第１の容量素子に先に蓄積された前記データ信号に対応した電荷量に達したとき、前記検出信号を出力することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の電気光学装置において、
前記検出回路部は、
前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出し該検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、
前記データ信号に対応した電荷量を蓄積する第３の容量素子と、
前記第２の容量素子の電位と、前記第３の容量素子との電位を比較して前記検出信号を出力する比較回路と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１に記載の電気光学装置において、
前記第２のトランジスタは、前記検出信号により導通して前記第１のトランジスタを非導通にすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか１に記載の電気光学装置において、
前記第２のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであって、そのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３のトランジスタと、前記ゲート端子に接続された第３の容量素子とからなる閾値補償回路が接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか１に記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子と前記第１のトランジスタとの間に、前記電気光学素子に電流の供給開始を制御する第４のトランジスタを設けたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれか１に記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子は発光層が有機材料で構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
複数の走査線と、
前記各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線と、
前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応してそれぞれ設けられ、前記データ線を介して供給されるデータ信号に基づいて電気光学素子を発光させる画素回路と
を備えた電気光学装置の駆動方法において、
前記電気光学素子に電流を供給して前記電気光学素子を発光させた後、前記電気光学素子に供給した電荷量が、前記データ信号に対応した電荷量に達した時点で電流の供給を遮断して前記電気光学素子を消灯させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１６】
請求項８〜１４に記載の電気光学装置を実装したことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
電流駆動素子と、
選択信号に応答して導通しその導通状態が保持されて前記電流駆動素子に電流を供給する第１のトランジスタと、
データ信号に対応した電荷量を蓄積する第１の容量素子と、
前記第１の容量素子に蓄積された前記電荷量に基づき前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を電荷量として検出する検出回路部と、
前記検出回路部により検出された電荷量が前記データ信号に対応した電荷量に達したときに前記検出回路部から出力される検出信号に基づいて前記電流駆動素子への電流供給を遮断する第２のトランジスタと、
を備えたことを特徴とする電子回路。
【請求項２】
請求項１に記載の電子回路において、
前記検出回路部は、
前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出するカレントミラー回路と、
前記検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、を備え、
前記第２の容量素子に蓄積された電荷量が前記第１の容量素子に先に蓄積された前記データ信号に対応した電荷量に達したとき、前記検出信号を出力することを特徴とする電子回路。
【請求項３】
請求項１に記載の電子回路において、
前記検出回路部は、
前記電流駆動素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出し該検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、
前記データ信号に対応した電荷量を蓄積する第３の容量素子と、
前記第２の容量素子の電位と、前記第３の容量素子の電位とを比較して前記検出信号を出力する比較回路と、
を備えたことを特徴とする電子回路。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載の電子回路において、
前記第２のトランジスタは、前記検出信号により導通して前記第１のトランジスタを非導通にすることを特徴とする電子回路。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１に記載の電子回路において、
前記第２のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであって、そのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３のトランジスタと、前記ゲート端子に接続された第４の容量素子とからなる閾値補償回路が接続されていることを特徴とする電子回路。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１に記載の電子回路において、
前記電流駆動素子に電流を供給する経路の中に、前記電流駆動素子に電流の供給開始を制御する第４のトランジスタを設けたことを特徴とする電子回路。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１に記載の電子回路において、
前記電流駆動素子は発光層が有機材料で構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであることを特徴とする電子回路。
【請求項８】
複数の走査線と、
前記各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線と、
前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応してそれぞれ設けられた画素回路と
を備えた電気光学装置において、
前記画素回路は、
電気光学素子と、
選択信号に応答して導通しその導通状態が保持されて前記電気光学素子に電流を供給する第１のトランジスタと、
データ信号に対応した電荷量を蓄積する第１の容量素子と、
前記第１の容量素子に蓄積された前記電荷量に基づき前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を電荷量として検出する検出回路部と、
前記検出回路部により検出された電荷量が前記データ信号に対応した電荷量に達したときに前記検出回路部から出力される検出信号に基づいて前記電気光学素子への電流供給を遮断する第２のトランジスタと、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置において、
前記検出回路部は、
前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出するカレントミラー回路と、
前記検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、を備え、
前記第２の容量素子に蓄積された電荷量が前記第１の容量素子に先に蓄積された前記データ信号に対応した電荷量に達したとき、前記検出信号を出力することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の電気光学装置において、
前記検出回路部は、
前記電気光学素子に流れる電流と比例した電流を検出電流として検出し該検出電流に基づく電荷を蓄積する第２の容量素子と、
前記データ信号に対応した電荷量を蓄積する第３の容量素子と、
前記第２の容量素子の電位と、前記第３の容量素子との電位を比較して前記検出信号を出力する比較回路と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１に記載の電気光学装置において、
前記第２のトランジスタは、前記検出信号により導通して前記第１のトランジスタを非導通にすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか１に記載の電気光学装置において、
前記第２のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであって、そのゲート端子とドレイン端子との間に接続された第３のトランジスタと、前記ゲート端子に接続された第３の容量素子とからなる閾値補償回路が接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか１に記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子と前記第１のトランジスタとの間に、前記電気光学素子に電流の供給開始を制御する第４のトランジスタを設けたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれか１に記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子は発光層が有機材料で構成されている有機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
複数の走査線と、
前記各走査線に対して交差するように配線された複数のデータ線と、
前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応してそれぞれ設けられ、前記データ線を介して供給されるデータ信号に基づいて電気光学素子を発光させる画素回路と
を備えた電気光学装置の駆動方法において、
前記電気光学素子に電流を供給して前記電気光学素子を発光させた後、前記電気光学素子に供給した電荷量が、前記データ信号に対応した電荷量に達した時点で電流の供給を遮断して前記電気光学素子を消灯させるようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１６】
請求項８〜１４に記載の電気光学装置を実装したことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−７８５２１（Ｐ２００６−７８５２１Ａ）
【公開日】平成１８年３月２３日（２００６．３．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２５９３１７（Ｐ２００４−２５９３１７）
【出願日】平成１６年９月７日（２００４．９．７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月２３日（２００６．３．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月７日（２００４．９．７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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