電子部品搭載用基材とその製造方法
【課題】リード部材が樹脂フィルムに接着されてなる電子部品搭載用基材において、リード部材における表面をスズなどの金属層で覆うときに、銅などの溶解が発生することを抑制するとともに、リード部材が樹脂フィルムから剥離することのない電子部品搭載用基材とその製造方法を提供する。
【解決手段】金属からなる本体部分２１の表面領域の一部に、当該本体部分２１を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層２２が存在するリード部材２が、前記合金層２２が存在しない表面領域で樹脂フィルム１に接着されてなる電子部品搭載用基材１００とする。
【解決手段】金属からなる本体部分２１の表面領域の一部に、当該本体部分２１を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層２２が存在するリード部材２が、前記合金層２２が存在しない表面領域で樹脂フィルム１に接着されてなる電子部品搭載用基材１００とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細形状のリード部材を有する電子部品搭載用基材とその製造方法、特にテープキャリアパッケージに備えられる電子部品搭載用基材とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子チップ等の電子部品が搭載されてなるテープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）には、フレキシブルな薄膜状のテープキャリア等が利用されている。
このテープキャリアは、銅など導電性に優れた材料からなるリード部材が樹脂フィルムに配され、リード部材の一部がソルダーレジストで覆われた構成を有する。
【０００３】
このようなテープキャリアに電子部品が搭載され、電子部品とリード部材とが半田等で接合されるが、その接合を良好にするために、リード部材の表面の中で、ソルダーレジストで覆われていない領域にスズなどのめっき層が積層される。このめっき層が露出する箇所で電子部品を半田付け若しくはボンディングすることで良好な接続を得ることができる。
【０００４】
ところで、スズめっき層をリード部材に積層形成するには、高温雰囲気下でリード部材をスズめっき液に浸して形成する方法を用いるので、銅リードとソルダーレジストとの熱膨張率の差異などから、ソルダーレジストの界面が銅リードから僅かに剥離し、これらの界面に微小間隙が生じることがある。その間隙にスズめっき薬液が浸入すると、ソルダーレジストで被覆される銅部分が局所的に溶解し、リード部材の強度低下を招いたり、リード部材が細線である場合には断線が発生する場合がある。
【０００５】
また、銅などからなるリード部材にスズめっき層を直接形成すると、スズめっき層表面に針状突起（ホイスカ）が発生する問題もある。
このような問題に対して、特許文献１に開示されるテープキャリアのように、銅リードとソルダーレジストとの間にスズ−銅合金層を介在させる技術が知られている。
図５は、特許文献１に記載された形成工程を示した断面模式図である。
【０００６】
その工程を説明すると、先ず、全表面がスズめっき皮膜８２ａで覆われた銅箔８１を、接着層９１１を介して樹脂フィルム９１に接着（図５（ａ））し、加熱処理でスズめっき皮膜８２ａをスズ−銅合金めっき皮膜８２に変性させる（図５（ｂ））。次に、スズ−銅合金めっき皮膜８２をレジストで覆い、このレジストを露光し、現像してスズ−銅合金めっき皮膜８２の一部を露出させる形状のレジスト８０（図５（ｃ））を形成する。スズ−銅合金めっき皮膜８２及び銅箔８１の一部（露出部分）をエッチングにより除去（図５（ｄ））して複数のリード部材とする。そして、各リード部材の中央部を覆うようにソルダーレジスト９３を形成（図５（ｅ））する。最後に、各リード部材のうちソルダーレジスト９３に覆われていない部分にスズめっき層を形成する。スズめっき層の形成工程において、銅リード９２１とソルダーレジスト９３との間にスズ−銅合金層９２２が介在するので、銅リード９２１の溶解は抑制される。
【特許文献１】特開２００３−２３４３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示したテープキャリアのように、銅リード９２１にスズ−銅合金層９２２を形成したものでは、樹脂フィルム９１と銅リード９２１との間にスズ−銅合金層９２２が介在するので、樹脂フィルム９１に対する密着性が劣ることがわかった。この密着性が劣ると、テープキャリアの製造工程中に、銅リード９２１が樹脂フィルム９１から剥離する恐れがある。
【０００８】
本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、リード部材が樹脂フィルムに接着されてなる電子部品搭載用基材において、リード部材における表面をスズなどでめっきするときに、銅などの溶解が発生することを抑制するとともに、リード部材が樹脂フィルムから剥離することのない電子部品搭載用基材とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明に係る電子部品搭載用基材の構成を以下のようにする。
銅などの金属からなる本体部分の表面領域の一部に、当該本体部分を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層が存在するリード部材が、前記合金層が存在しない表面領域で樹脂フィルムに接着されてなる構成とする。これにより、金属からなる本体部分が樹脂フィルムに接着された状態となる。
【００１０】
そして、樹脂フィルムに接着されておらず、前記合金層が存在するリード部材の表面領域において、その一部領域を覆うようにソルダーレジストが配され、かつ、前記ソルダーレジストで被覆されていない領域に、搭載される電子部品との接合性が前記リード部材よりも高いスズなどの金属層が形成されている構成とする。
前記本体部分が銅からなる金属性の本体部分と、スズからなる金属層との間に介在する前記合金層が、スズ−銅合金層として各層間での密着性を高くすることが好ましい。
【００１１】
また、前記樹脂フィルムは、ポリイミドを主成分としている構成にして金属性の本体部分との密着性も高くすることが好ましい。
なお、前記合金層の厚みが０．０５μｍ以上０．７０μｍ以下となるようにして金属層表面からのホイスカの発生を図り、前記金属層の厚みが０．１５μｍ以上０．８０μｍ以下となるようにしてめっきだれが生じ難いようにするのが好ましい。
【００１２】
また上記構成の電子部品搭載用基材を形成するために以下の製造方法を用いるものとする。
樹脂フィルムに金属箔を接着する第１ステップと、前記樹脂フィルムに接着された状態の前記金属箔の表面に、前記金属箔を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金皮膜を形成する第２ステップと、前記合金皮膜が形成された金属箔の一部を除去する第３ステップとを含む製造方法とする。
【００１３】
なお、前記第２ステップは、前記金属箔表面のうち、前記樹脂フィルムに接着されていない表面領域に、前記金属箔を構成する金属元素とは異なる金属元素を含むめっき皮膜を形成する第1サブステップと、前記めっき皮膜をレジスト膜で被覆する第２サブステップと、加熱処理で前記レジスト膜を硬化させるとともに、当該加熱処理によって少なくとも前記めっき皮膜と前記金属箔との界面に前記合金皮膜を形成する第３サブステップとを含んだものとするのが好ましい。
【００１４】
そして、前記合金皮膜の一部が除去されてなる合金層をソルダーレジストで覆うステップと、当該ステップ後に、前記ソルダーレジストで覆われていない部分を、搭載される電子部品との接合性が前記金属箔よりも高い金属層で被覆するステップとを行って、上記の電子部品搭載用基材と同様の特徴を有する状態にする。
なお、上述しためっき皮膜の形成には無電解めっき法、または電解めっき法を用いることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電子部品搭載用基材では、本体部分の表面領域の一部に、当該本体部分を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層を有しているので、リード部材をソルダーレジストで被覆するときに、上記合金層の部分を被覆すれば、ソルダーレジストとリード部材との界面領域には上記合金層が介在することになる。
従って、リード部材にスズなどの金属層を積層形成するときに、スズめっき液がソルダーレジストとリード部材との界面領域に浸入したとしても、合金層が存在している領域では浸入したスズが銅などの金属で構成された本体部分と直接接触しないので、本体部分の溶解が防止される。
【００１６】
さらに、本発明の電子部品搭載用基材では、リード部材の表面領域のうち、上記合金層が存在しない部分で樹脂フィルムに接着されているので、リード部材の本体部分と樹脂フィルムとが直接接着される。
ここで、リード部材の本体部分は、金属で構成されているので、その熱膨張係数は、合金層の熱膨張係数と比べると大きく、樹脂フィルムの熱膨張係数に近い。
【００１７】
従って、本発明のようにリード部材の本体部分と樹脂フィルムとが直接接着されていると、リード部材と樹脂フィルムとの熱膨張係数の差は比較的小さいので、温度変化時にリード部材と樹脂フィルムとの接着面にかかる応力が小さくなる。よって、リード部材と樹脂フィルムとの間で高い密着性を得ることができ、テープキャリアの製造工程中に、リード部材が樹脂フィルムから剥離することもない。
【００１８】
また、スズなどの金属層は、リード部材において合金層が存在する表面領域のうち、ソルダーレジストで覆われていない領域に形成されるので、金属層と本体部分の間には合金層が介在し、金属層表面に針状突起（ホイスカ）が発生することも抑制される。ホイスカの発生を抑制する上で、合金層の厚みを０．０５μｍ以上にすることが好ましい。
上記本発明の電子部品搭載用基材において、リード部材の本体部分を銅で構成すると、高い導電性を得ることができる。
【００１９】
また、樹脂フィルムをポリイミドが主成分となる構成とすると、リード部材の本体部分を構成する金属、特に銅の熱膨張係数に近いため、リード部材と樹脂フィルムとの間でさらに密着性を高めることができる。
金属層の厚みを０．１５〜０．８０μｍの範囲に設定すれば、電子部品のボンディングを良好に実施できるとともに、めっきダレ等を生じることもなく微細な形状のリード部材を実現できる。
【００２０】
本発明に係る電子部品搭載用基材の製造方法によれば、第１ステップで表面が露出したままの金属箔を樹脂フィルムに接着した後に、第２ステップで、樹脂フィルムに接着された金属箔の表面に対して、金属箔と同種の金属元素を含む合金皮膜を形成するので、第２ステップでは、金属箔の表面のうち、樹脂フィルムと接着していない表面部分だけに合金皮膜が形成され、金属箔と樹脂フィルムとの接着境界には合金皮膜が形成されない。
【００２１】
第３ステップでは、合金皮膜が表面に形成された金属箔を部分的に除去することによって、リード部材の形状にパターニングする。
これによって、樹脂フィルム上にリード部材が接着された電子部品搭載用基材が製造され、製造された電子部品搭載用基材は、上述した本発明の電子部品搭載用基材と同様の特徴を備えることになる。
【００２２】
すなわち、リード部材の表面のうち、樹脂フィルムと接着されていない領域に、金属箔から形成されてなる本体部分の金属元素と同種の金属元素を含む合金層が形成されるとともに、リード部材と樹脂フィルムとの接着境界に合金皮膜が介在されていない。従って、リード部材をソルダーレジストで被覆するときに、合金層に被覆されている領域を被覆すれば、ソルダーレジストとリード部材との間に合金層が介在するので、リード部材にスズなどの金属層を形成するときに、リード部材、特に本体部分が溶解するのを防止できる。また、リード部材と樹脂フィルムとの間で高い密着性を得ることもできる。
【００２３】
上記本発明の製造方法において、第２ステップで樹脂フィルムに接着された金属箔の表面に金属箔と同種の金属元素を含んでなる合金皮膜を形成する方法として、第１サブステップで、金属箔の表面に、金属箔に含まれる金属元素とは異なる金属元素を含んだめっき皮膜を形成し、第２サブステップで、めっき皮膜をレジスト膜で被覆し、第３サブステップで、加熱処理することによって、レジスト膜を硬化させるとともに、めっき皮膜と金属箔との境界に合金皮膜を形成する方法を採ることができる。
【００２４】
この方法によれば、第３サブステップの加熱処理で、レジスト膜の硬化と合金皮膜の形成とを両方行うことができるので製造コストを低減できる。
また、めっき皮膜の形成に無電解めっき法または電解めっき法を利用すれば、簡易かつ精密に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明に係る電子部品搭載用基材の一例について図面を参照しながら説明する。
＜テープキャリア１００＞
図１（ａ）は、本実施形態に係るテープキャリア１００の平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）におけるＡ−Ａ’断面、Ｂ−Ｂ’断面に沿った断面図である。
【００２６】
テープキャリア１００は、図１（ａ）に示すように、長尺状のポリイミド樹脂フィルム（以下、単に「樹脂フィルム」と記す。）１に、短冊状のリード部材２が複数配され、各リード部材２を部分的に覆うようにソルダーレジスト３が配された構成となっている。
リード部材２と樹脂フィルム１との接着は、 エポキシ系やアクリル系、フェノール・ブチラール系からなる接着層１１（図１（ｂ）参照）を介してなされている。
【００２７】
樹脂フィルム１にはデバイスホール１ａ、スプロケットホール１ｂが設けられており、リード部材２は、５本で１組とし、各組ごとに、このデバイスホール１ａの四方に位置し、リード部材２の各々の一端部がデバイスホール１ａの領域に突出した状態で配されている。
ソルダーレジスト３は、デバイスホール１ａを取り囲む四角枠形状に配され、各リード部材２の当該一端部（インナーリード部）と他端部（アウターリード部）を除くように、中央部分を被覆している。
【００２８】
図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、リード部材２は、芯体（本体部分）である銅リード２１と、当該銅リードの表面領域の一部に形成されたスズ−銅合金層２２とを有している。
銅リード２１は、接着層１１を介して樹脂フィルム１に直接接着されている。
また、スズ−銅合金層２２は、銅リード２１の表面において、樹脂フィルム１と接着されている面を除いて、ほぼ全面的に形成されている。詳しくは、図１（ｂ）に示されるように、全ての銅リード２１の上面を被覆するとともに、各組５本並列されたリード部材２の中で両端に位置する２本の銅リード２１の外側部も被覆している。
【００２９】
上記のソルダーレジスト３は、このように表面領域にスズ−銅合金層２２が形成されたリード部材２の中央部分を被覆しているので、ソルダーレジスト３とリード部材２との界面領域には、スズ−銅合金層２２が介在することになる。
なお、リード部材２におけるインナーリード部及びアウターリード部（ソルダーレジスト３で被覆されていない領域）の表面領域には、図１（ｃ）で示すように、スズ−銅合金層２２を覆うようにスズめっき層２３が露出する状態で形成されている。
【００３０】
図１（ｃ）部分拡大図に示す銅リード２１の厚みｄ１は９．０〜３５．０μｍ程度である。
スズ−銅合金層２２の厚みｄ２は、積層されるスズめっき層２３表面でのホイスカの発生を抑制するために０．０５μｍ以上、０．７０μｍ以下とするのが好ましい。
スズめっき層２３の厚みｄ３は、電子チップの実装工程の際にボンディングが容易になるように０．１５μｍ以上で、かつ、ボンディング時にめっきダレが生じないように０．８μｍ以下に設定するのが好ましい。
＜テープキャリアパッケージ２００＞
以上の構成のテープキャリア１００には電子部品が搭載される（図４参照）。
【００３１】
具体的には、図１（ａ）で示したデバイスホール１ａ領域にＩＣチップ５を配置するように、インナーリード部に半田６を介して電子チップ５の端子部をボンディングし、ＩＣチップ５を包含するように一体的に樹脂（例えば、エポキシ系樹脂等）７で封止することによってテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）２００を形成できる。
ここで、上記のようにリード部材２のインナーリード部とアウターリード部は、スズめっき層２３が露出しているので、インナーリード部では半田６を介してＩＣチップ５の端子部を良好に接合でき、アウターリード部でも、外部電子機器を同様に良好に接合できる。
【００３２】
なお、インナーリード部とＩＣチップ５の端子とを半田で接合する以外に、金バンプ等によってボンディングする際にも、スズめっき層２３と金バンプ間に金錫共晶合金が形成されるので、強固な接合力を得ることができる。
＜テープキャリア１００の製造方法＞
上記構成のテープキャリア１００の製造方法について図２および図３を用いて説明する。図２および図３は、テープキャリア１００の製造工程を示す要部斜視図（一部断面図）である。
【００３３】
接着工程：
図２（ａ）で示すように、樹脂フィルム１主面に接着層を形成し、銅リード２１の材料である銅箔２１ａを載置押圧することによって樹脂フィルム１上に銅箔２１ａを接着する。この工程に用いる樹脂フィルム１には、予め、スプロケットホールやデバイスホール等をパンチング加工しておく。
【００３４】
なお、樹脂フィルム１と銅箔２１ａとの接着方法については、接着剤を介さずに熱圧着等の方法で接着しても構わない。
第１スズめっき皮膜形成工程：
樹脂フィルム１に接着された銅箔２１ａを、無電解めっき法によりスズめっきすることにより、図２（ｂ）のようにスズめっき皮膜２２ａで被覆する。この工程で、拡大断面図で示すように、銅箔２１ａの表面のうち、樹脂フィルム１と接着されていない表面部分のみがスズめっき皮膜２２ａで被覆される。
【００３５】
パターニング工程：
表面にスズめっき皮膜２２ａが形成された銅箔２１ａを、リードの形状にパターニングする。
先ず、スズめっき皮膜２２ａ上にノボラック樹脂やフェノールノボラック樹脂、ポリヒドロキシスタイレンからなるフォトレジストを塗布し硬化させると、図２（ｃ）のようにスズめっき皮膜２２ａで覆われた銅箔２１ａの上面及び側面がフォトレジストで覆われる。
【００３６】
このフォトレジストの硬化は、８０〜１２０℃で１０〜６０分程度の加熱処理によって行うが、この加熱処理によって、拡大断面図で示すように、銅箔２１ａとスズめっき皮膜２２ａとの界面部分にスズ−銅合金皮膜２２ｂが形成される。
このように本製法では、フォトレジスト硬化用の加熱処理で、スズ−銅合金皮膜２２ｂの形成も併せて行う。
【００３７】
次に、硬化したフォトレジスト膜を、露光し、現像することによって、フォトレジスト膜４０を図２（ｄ）で示す短冊状に加工する。この状態で、スズめっき皮膜２２ａと銅箔２１ａをエッチングすることによって、スズめっき皮膜２２ａと銅箔２１ａのうち、フォトレジスト４０に覆われていないスリット状の露出部分だけが除去され、フォトレジスト４０で覆われていた部分が残る。
【００３８】
従って、フォトレジスト４０を除去すると、図３（ａ）のように、スズめっき皮膜２２ａで被覆された銅箔２１ａが短冊状に成形される。
この短冊状に残った部分がリード部材２に相当し、銅箔の一部分（銅リード）２１にスズめっき層２２が積層された構成になっている。
なお、上記のように銅箔２１ａが樹脂フィルム１に直接接着され、樹脂フィルム１との接着部分（界面部分）付近で銅箔２１ａのみをエッチングするので、エッチングレートが時間的に変動しない。すなわち、樹脂フィルム１と銅箔２１ａとの界面付近まで安定したエッチングレートを維持し、微細なパターン形状を有するリード部材を実現できる。
【００３９】
ソルダーレジスト形成工程：
その後、図３（ｂ）で示すように、上記短冊状に加工された銅箔（銅リード２１）の中央部（両端部を除いた部分）を覆うようにソルダーレジストを塗布し、加熱処理することにより、ソルダーレジスト３を硬化させる。
このソルダーレジストの加熱処理を行う前に、銅リード２１とスズめっき皮膜２２ａとの界面近傍領域だけに、上述したようにスズ−銅合金膜が形成されているが、ソルダーレジストの加熱処理に伴って、界面近傍だけでなく、銅リード２１に積層されているスズめっき層２２ａが全体的にスズ−銅合金層２２に変性される。
【００４０】
第２スズめっき層形成工程：
パターニング工程で製造されたものに対して、無電解めっき法でスズめっきを施す。それによって、銅リード２１を覆うスズ−銅合金層２２の表面のうち、ソルダーレジスト３で覆われていない部分（両端部）が、図３（ｃ）のようにスズめっき層２３で被覆される。
【００４１】
以上の工程で、テープキャリア１００が製造され、図３（ｂ）における仮想断面Ｓ１部分は図１（ｂ）、仮想断面Ｓ２部分は図１（ｃ）で示す構造となる。
＜テープキャリア１００効果＞
テープキャリア１００は、リード部材２の本体部分が銅リード２１で形成されているので、高い導電性が得られる。
【００４２】
上記のスズめっき層２３を被覆する第２スズめっき層形成工程のときに、銅リード２１の溶解を抑える効果を奏する。すなわち、この工程で使用するめっき液が、銅リード２１とソルダーレジスト３との界面領域に浸入することもある。
このとき、界面領域に浸入しためっき液が銅リード２１に直接接触すると、めっき液に含まれているスズイオンが析出するとともに、銅リード２１の銅が溶出するので銅リード２１が局所的に溶解する現象が生じるのに対して、上述したようにテープキャリア１００では銅リード２１とソルダーレジスト３との界面領域には、スズ−銅合金層２２が介在することと、また、スズ−銅合金層２２は、銅リード２１と同種の金属元素（銅元素）を含むので銅リード２１から剥がれにくいこととにより、この界面領域にめっき液が浸入したとしても、銅リード２１に直接接触することがない。
【００４３】
従って、第２スズめっき層形成工程において、銅リード２１が局所的に溶解する現象は抑えられる。
また、テープキャリア１００は、銅リード２１が、接着層１１を介して樹脂フィルム１に直接接着されている。すわなち、銅リード２１の表面のうち、スズ−銅合金層２２で被覆されていない部分で樹脂フィルム１に接着されている。ここで、銅リード２１の熱膨張係数は、スズ−銅合金層２２の熱膨張係数と比べると大きく、樹脂フィルム１の熱膨張係数に近いので、接着面における熱膨張係数差が比較的小さい。
【００４４】
従って、テープキャリア１００は、温度が変化した時に、リード部材２と樹脂フィルム１の接着面にかかる応力が小さいので、リード部材２と樹脂フィルム１との間で高い密着性が得られる。
また、上記テープキャリア１００の製造方法でも、最初の接着工程において、樹脂フィルム１と銅リード２１が接着剤で直接接着されるので高密着性が得られる。そして、その後の工程を通して、樹脂フィルム１と銅リード２１との高密着は維持されるので、リード部材２１が樹脂フィルム１から剥離することもない。
【００４５】
また、スズめっき層２３と銅リード２１が直接積層されると、スズめっき層２３に針状の突起（ホイスカ）が発生し易いことが知られているが、テープキャリア１００では、スズめっき層２３と銅リード２１の間にスズ−銅合金層２２が介在しており、直接接触していないので、ホイスカの発生も抑制される。
従って、上記製造方法によれば、第１スズめっき皮膜形成工程におけるスズめっき皮膜２２ａを部分的にスズ−銅合金層に変性させるので、その後はスズめっき皮膜２２ａ表面からホイスカが発生することを抑制できる。
【００４６】
なお、この効果を確認するために、銅箔２１ａとスズめっき皮膜２２ａとの界面部分にスズ−銅合金皮膜を形成した場合と形成しない場合で、上記製造方法のパターニング工程におけるスズめっき皮膜２２ａの表面部分でのホイスカの発生について比較する実験を行ったところ、界面部分にスズ−銅合金皮膜２２ｂを形成しておくだけで、ホイスカの発生を２日程度遅らせることができることを確認した。この実験結果は、テープキャリア１００を完成させるまでの工程におけるホイスカの発生抑制という点で、歩留の向上など大きな効果を備える。
【００４７】
上記のテープキャリア１００の製造方法によれば、フォトレジスト４０ａの硬化用の加熱処理でスズ−銅合金皮膜２２ｂを界面部分に併せて形成でき、さらに、ソルダーレジスト３の硬化用の加熱処理で、この界面部分だけでなくスズめっき皮膜２２ａを全体的にスズ−銅合金膜２２ｂに変性できるので、スズ−銅合金皮膜２２ｂを形成するために、加熱工程を別途設ける必要がない。従って、工程数を減らして製造コストを抑えることができる。
＜その他の事項＞
樹脂フィルム１には、芯体となる銅リード２１との熱膨張率が近い材料であれば、ポリエチレンテレフタレート等の他の材料からなるフィルム材も適用できる。フィルム材の代わりに、プリント基板等の厚膜の部材等を用いても構わない。
【００４８】
また金属箔を構成する材料としては銅だけでなく、銅系の素材（Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐなど）、Ｆｅ系素材（Ｆｅ−Ｎｉなど）や機械的強度、電気伝導度、熱伝導度等に優れた素材も適用でき、スズめっき層２３の代わりに、銅などよりもボンディング性に優れた金属や合金でめっき層を形成しても良い。例えば金などの金属材料、錫−ビスマス系材料や錫と微量な銅との合金材料などもこのめっき層に適用できる。
【００４９】
上記製造方法では、フォトレジストの加熱処理工程で、銅箔２１ａとスズめっき膜２２ａとの界面部分だけににスズ−銅合金皮膜２２ｂを形成したが、加熱時間および加熱温度等に係るコスト抑制に支障がなければ、フォトレジストの加熱処理工程で、上記界面部分だけでなく、スズめっき皮膜全体をスズ−銅合金皮膜に変性して形成しても構わない。
また、上記製造方法ではスズめっき皮膜２２ａ、スズめっき層２３の形成には、無電解めっき法を用いたが、電解めっき法を用いても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、電子チップ等の電子部品が搭載される基材に対して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）は本実施形態に係るテープキャリアの模式平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は同テープキャリアの要部断面図である。
【図２】本実施形態に係るテープキャリアの製造工程を示す要部斜視図である。
【図３】本実施形態に係るテープキャリアの製造工程を示す要部斜視図である。
【図４】本実施形態に係るテープキャリアを用いたテープキャリアパッケージの断面図である。
【図５】従来技術に係るテープキャリアの製造工程を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１ ポリイミド樹脂フィルム
２ リード部材
３ ソルダーレジスト
１１ 接着層
２１ 銅リード
２２ スズ−銅合金層
２３ スズめっき層
１００ テープキャリア
２００ テープキャリアパッケージ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細形状のリード部材を有する電子部品搭載用基材とその製造方法、特にテープキャリアパッケージに備えられる電子部品搭載用基材とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子チップ等の電子部品が搭載されてなるテープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）には、フレキシブルな薄膜状のテープキャリア等が利用されている。
このテープキャリアは、銅など導電性に優れた材料からなるリード部材が樹脂フィルムに配され、リード部材の一部がソルダーレジストで覆われた構成を有する。
【０００３】
このようなテープキャリアに電子部品が搭載され、電子部品とリード部材とが半田等で接合されるが、その接合を良好にするために、リード部材の表面の中で、ソルダーレジストで覆われていない領域にスズなどのめっき層が積層される。このめっき層が露出する箇所で電子部品を半田付け若しくはボンディングすることで良好な接続を得ることができる。
【０００４】
ところで、スズめっき層をリード部材に積層形成するには、高温雰囲気下でリード部材をスズめっき液に浸して形成する方法を用いるので、銅リードとソルダーレジストとの熱膨張率の差異などから、ソルダーレジストの界面が銅リードから僅かに剥離し、これらの界面に微小間隙が生じることがある。その間隙にスズめっき薬液が浸入すると、ソルダーレジストで被覆される銅部分が局所的に溶解し、リード部材の強度低下を招いたり、リード部材が細線である場合には断線が発生する場合がある。
【０００５】
また、銅などからなるリード部材にスズめっき層を直接形成すると、スズめっき層表面に針状突起（ホイスカ）が発生する問題もある。
このような問題に対して、特許文献１に開示されるテープキャリアのように、銅リードとソルダーレジストとの間にスズ−銅合金層を介在させる技術が知られている。
図５は、特許文献１に記載された形成工程を示した断面模式図である。
【０００６】
その工程を説明すると、先ず、全表面がスズめっき皮膜８２ａで覆われた銅箔８１を、接着層９１１を介して樹脂フィルム９１に接着（図５（ａ））し、加熱処理でスズめっき皮膜８２ａをスズ−銅合金めっき皮膜８２に変性させる（図５（ｂ））。次に、スズ−銅合金めっき皮膜８２をレジストで覆い、このレジストを露光し、現像してスズ−銅合金めっき皮膜８２の一部を露出させる形状のレジスト８０（図５（ｃ））を形成する。スズ−銅合金めっき皮膜８２及び銅箔８１の一部（露出部分）をエッチングにより除去（図５（ｄ））して複数のリード部材とする。そして、各リード部材の中央部を覆うようにソルダーレジスト９３を形成（図５（ｅ））する。最後に、各リード部材のうちソルダーレジスト９３に覆われていない部分にスズめっき層を形成する。スズめっき層の形成工程において、銅リード９２１とソルダーレジスト９３との間にスズ−銅合金層９２２が介在するので、銅リード９２１の溶解は抑制される。
【特許文献１】特開２００３−２３４３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示したテープキャリアのように、銅リード９２１にスズ−銅合金層９２２を形成したものでは、樹脂フィルム９１と銅リード９２１との間にスズ−銅合金層９２２が介在するので、樹脂フィルム９１に対する密着性が劣ることがわかった。この密着性が劣ると、テープキャリアの製造工程中に、銅リード９２１が樹脂フィルム９１から剥離する恐れがある。
【０００８】
本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、リード部材が樹脂フィルムに接着されてなる電子部品搭載用基材において、リード部材における表面をスズなどでめっきするときに、銅などの溶解が発生することを抑制するとともに、リード部材が樹脂フィルムから剥離することのない電子部品搭載用基材とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明に係る電子部品搭載用基材の構成を以下のようにする。
銅などの金属からなる本体部分の表面領域の一部に、当該本体部分を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層が存在するリード部材が、前記合金層が存在しない表面領域で樹脂フィルムに接着されてなる構成とする。これにより、金属からなる本体部分が樹脂フィルムに接着された状態となる。
【００１０】
そして、樹脂フィルムに接着されておらず、前記合金層が存在するリード部材の表面領域において、その一部領域を覆うようにソルダーレジストが配され、かつ、前記ソルダーレジストで被覆されていない領域に、搭載される電子部品との接合性が前記リード部材よりも高いスズなどの金属層が形成されている構成とする。
前記本体部分が銅からなる金属性の本体部分と、スズからなる金属層との間に介在する前記合金層が、スズ−銅合金層として各層間での密着性を高くすることが好ましい。
【００１１】
また、前記樹脂フィルムは、ポリイミドを主成分としている構成にして金属性の本体部分との密着性も高くすることが好ましい。
なお、前記合金層の厚みが０．０５μｍ以上０．７０μｍ以下となるようにして金属層表面からのホイスカの発生を図り、前記金属層の厚みが０．１５μｍ以上０．８０μｍ以下となるようにしてめっきだれが生じ難いようにするのが好ましい。
【００１２】
また上記構成の電子部品搭載用基材を形成するために以下の製造方法を用いるものとする。
樹脂フィルムに金属箔を接着する第１ステップと、前記樹脂フィルムに接着された状態の前記金属箔の表面に、前記金属箔を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金皮膜を形成する第２ステップと、前記合金皮膜が形成された金属箔の一部を除去する第３ステップとを含む製造方法とする。
【００１３】
なお、前記第２ステップは、前記金属箔表面のうち、前記樹脂フィルムに接着されていない表面領域に、前記金属箔を構成する金属元素とは異なる金属元素を含むめっき皮膜を形成する第1サブステップと、前記めっき皮膜をレジスト膜で被覆する第２サブステップと、加熱処理で前記レジスト膜を硬化させるとともに、当該加熱処理によって少なくとも前記めっき皮膜と前記金属箔との界面に前記合金皮膜を形成する第３サブステップとを含んだものとするのが好ましい。
【００１４】
そして、前記合金皮膜の一部が除去されてなる合金層をソルダーレジストで覆うステップと、当該ステップ後に、前記ソルダーレジストで覆われていない部分を、搭載される電子部品との接合性が前記金属箔よりも高い金属層で被覆するステップとを行って、上記の電子部品搭載用基材と同様の特徴を有する状態にする。
なお、上述しためっき皮膜の形成には無電解めっき法、または電解めっき法を用いることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電子部品搭載用基材では、本体部分の表面領域の一部に、当該本体部分を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層を有しているので、リード部材をソルダーレジストで被覆するときに、上記合金層の部分を被覆すれば、ソルダーレジストとリード部材との界面領域には上記合金層が介在することになる。
従って、リード部材にスズなどの金属層を積層形成するときに、スズめっき液がソルダーレジストとリード部材との界面領域に浸入したとしても、合金層が存在している領域では浸入したスズが銅などの金属で構成された本体部分と直接接触しないので、本体部分の溶解が防止される。
【００１６】
さらに、本発明の電子部品搭載用基材では、リード部材の表面領域のうち、上記合金層が存在しない部分で樹脂フィルムに接着されているので、リード部材の本体部分と樹脂フィルムとが直接接着される。
ここで、リード部材の本体部分は、金属で構成されているので、その熱膨張係数は、合金層の熱膨張係数と比べると大きく、樹脂フィルムの熱膨張係数に近い。
【００１７】
従って、本発明のようにリード部材の本体部分と樹脂フィルムとが直接接着されていると、リード部材と樹脂フィルムとの熱膨張係数の差は比較的小さいので、温度変化時にリード部材と樹脂フィルムとの接着面にかかる応力が小さくなる。よって、リード部材と樹脂フィルムとの間で高い密着性を得ることができ、テープキャリアの製造工程中に、リード部材が樹脂フィルムから剥離することもない。
【００１８】
また、スズなどの金属層は、リード部材において合金層が存在する表面領域のうち、ソルダーレジストで覆われていない領域に形成されるので、金属層と本体部分の間には合金層が介在し、金属層表面に針状突起（ホイスカ）が発生することも抑制される。ホイスカの発生を抑制する上で、合金層の厚みを０．０５μｍ以上にすることが好ましい。
上記本発明の電子部品搭載用基材において、リード部材の本体部分を銅で構成すると、高い導電性を得ることができる。
【００１９】
また、樹脂フィルムをポリイミドが主成分となる構成とすると、リード部材の本体部分を構成する金属、特に銅の熱膨張係数に近いため、リード部材と樹脂フィルムとの間でさらに密着性を高めることができる。
金属層の厚みを０．１５〜０．８０μｍの範囲に設定すれば、電子部品のボンディングを良好に実施できるとともに、めっきダレ等を生じることもなく微細な形状のリード部材を実現できる。
【００２０】
本発明に係る電子部品搭載用基材の製造方法によれば、第１ステップで表面が露出したままの金属箔を樹脂フィルムに接着した後に、第２ステップで、樹脂フィルムに接着された金属箔の表面に対して、金属箔と同種の金属元素を含む合金皮膜を形成するので、第２ステップでは、金属箔の表面のうち、樹脂フィルムと接着していない表面部分だけに合金皮膜が形成され、金属箔と樹脂フィルムとの接着境界には合金皮膜が形成されない。
【００２１】
第３ステップでは、合金皮膜が表面に形成された金属箔を部分的に除去することによって、リード部材の形状にパターニングする。
これによって、樹脂フィルム上にリード部材が接着された電子部品搭載用基材が製造され、製造された電子部品搭載用基材は、上述した本発明の電子部品搭載用基材と同様の特徴を備えることになる。
【００２２】
すなわち、リード部材の表面のうち、樹脂フィルムと接着されていない領域に、金属箔から形成されてなる本体部分の金属元素と同種の金属元素を含む合金層が形成されるとともに、リード部材と樹脂フィルムとの接着境界に合金皮膜が介在されていない。従って、リード部材をソルダーレジストで被覆するときに、合金層に被覆されている領域を被覆すれば、ソルダーレジストとリード部材との間に合金層が介在するので、リード部材にスズなどの金属層を形成するときに、リード部材、特に本体部分が溶解するのを防止できる。また、リード部材と樹脂フィルムとの間で高い密着性を得ることもできる。
【００２３】
上記本発明の製造方法において、第２ステップで樹脂フィルムに接着された金属箔の表面に金属箔と同種の金属元素を含んでなる合金皮膜を形成する方法として、第１サブステップで、金属箔の表面に、金属箔に含まれる金属元素とは異なる金属元素を含んだめっき皮膜を形成し、第２サブステップで、めっき皮膜をレジスト膜で被覆し、第３サブステップで、加熱処理することによって、レジスト膜を硬化させるとともに、めっき皮膜と金属箔との境界に合金皮膜を形成する方法を採ることができる。
【００２４】
この方法によれば、第３サブステップの加熱処理で、レジスト膜の硬化と合金皮膜の形成とを両方行うことができるので製造コストを低減できる。
また、めっき皮膜の形成に無電解めっき法または電解めっき法を利用すれば、簡易かつ精密に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明に係る電子部品搭載用基材の一例について図面を参照しながら説明する。
＜テープキャリア１００＞
図１（ａ）は、本実施形態に係るテープキャリア１００の平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）におけるＡ−Ａ’断面、Ｂ−Ｂ’断面に沿った断面図である。
【００２６】
テープキャリア１００は、図１（ａ）に示すように、長尺状のポリイミド樹脂フィルム（以下、単に「樹脂フィルム」と記す。）１に、短冊状のリード部材２が複数配され、各リード部材２を部分的に覆うようにソルダーレジスト３が配された構成となっている。
リード部材２と樹脂フィルム１との接着は、 エポキシ系やアクリル系、フェノール・ブチラール系からなる接着層１１（図１（ｂ）参照）を介してなされている。
【００２７】
樹脂フィルム１にはデバイスホール１ａ、スプロケットホール１ｂが設けられており、リード部材２は、５本で１組とし、各組ごとに、このデバイスホール１ａの四方に位置し、リード部材２の各々の一端部がデバイスホール１ａの領域に突出した状態で配されている。
ソルダーレジスト３は、デバイスホール１ａを取り囲む四角枠形状に配され、各リード部材２の当該一端部（インナーリード部）と他端部（アウターリード部）を除くように、中央部分を被覆している。
【００２８】
図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、リード部材２は、芯体（本体部分）である銅リード２１と、当該銅リードの表面領域の一部に形成されたスズ−銅合金層２２とを有している。
銅リード２１は、接着層１１を介して樹脂フィルム１に直接接着されている。
また、スズ−銅合金層２２は、銅リード２１の表面において、樹脂フィルム１と接着されている面を除いて、ほぼ全面的に形成されている。詳しくは、図１（ｂ）に示されるように、全ての銅リード２１の上面を被覆するとともに、各組５本並列されたリード部材２の中で両端に位置する２本の銅リード２１の外側部も被覆している。
【００２９】
上記のソルダーレジスト３は、このように表面領域にスズ−銅合金層２２が形成されたリード部材２の中央部分を被覆しているので、ソルダーレジスト３とリード部材２との界面領域には、スズ−銅合金層２２が介在することになる。
なお、リード部材２におけるインナーリード部及びアウターリード部（ソルダーレジスト３で被覆されていない領域）の表面領域には、図１（ｃ）で示すように、スズ−銅合金層２２を覆うようにスズめっき層２３が露出する状態で形成されている。
【００３０】
図１（ｃ）部分拡大図に示す銅リード２１の厚みｄ１は９．０〜３５．０μｍ程度である。
スズ−銅合金層２２の厚みｄ２は、積層されるスズめっき層２３表面でのホイスカの発生を抑制するために０．０５μｍ以上、０．７０μｍ以下とするのが好ましい。
スズめっき層２３の厚みｄ３は、電子チップの実装工程の際にボンディングが容易になるように０．１５μｍ以上で、かつ、ボンディング時にめっきダレが生じないように０．８μｍ以下に設定するのが好ましい。
＜テープキャリアパッケージ２００＞
以上の構成のテープキャリア１００には電子部品が搭載される（図４参照）。
【００３１】
具体的には、図１（ａ）で示したデバイスホール１ａ領域にＩＣチップ５を配置するように、インナーリード部に半田６を介して電子チップ５の端子部をボンディングし、ＩＣチップ５を包含するように一体的に樹脂（例えば、エポキシ系樹脂等）７で封止することによってテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）２００を形成できる。
ここで、上記のようにリード部材２のインナーリード部とアウターリード部は、スズめっき層２３が露出しているので、インナーリード部では半田６を介してＩＣチップ５の端子部を良好に接合でき、アウターリード部でも、外部電子機器を同様に良好に接合できる。
【００３２】
なお、インナーリード部とＩＣチップ５の端子とを半田で接合する以外に、金バンプ等によってボンディングする際にも、スズめっき層２３と金バンプ間に金錫共晶合金が形成されるので、強固な接合力を得ることができる。
＜テープキャリア１００の製造方法＞
上記構成のテープキャリア１００の製造方法について図２および図３を用いて説明する。図２および図３は、テープキャリア１００の製造工程を示す要部斜視図（一部断面図）である。
【００３３】
接着工程：
図２（ａ）で示すように、樹脂フィルム１主面に接着層を形成し、銅リード２１の材料である銅箔２１ａを載置押圧することによって樹脂フィルム１上に銅箔２１ａを接着する。この工程に用いる樹脂フィルム１には、予め、スプロケットホールやデバイスホール等をパンチング加工しておく。
【００３４】
なお、樹脂フィルム１と銅箔２１ａとの接着方法については、接着剤を介さずに熱圧着等の方法で接着しても構わない。
第１スズめっき皮膜形成工程：
樹脂フィルム１に接着された銅箔２１ａを、無電解めっき法によりスズめっきすることにより、図２（ｂ）のようにスズめっき皮膜２２ａで被覆する。この工程で、拡大断面図で示すように、銅箔２１ａの表面のうち、樹脂フィルム１と接着されていない表面部分のみがスズめっき皮膜２２ａで被覆される。
【００３５】
パターニング工程：
表面にスズめっき皮膜２２ａが形成された銅箔２１ａを、リードの形状にパターニングする。
先ず、スズめっき皮膜２２ａ上にノボラック樹脂やフェノールノボラック樹脂、ポリヒドロキシスタイレンからなるフォトレジストを塗布し硬化させると、図２（ｃ）のようにスズめっき皮膜２２ａで覆われた銅箔２１ａの上面及び側面がフォトレジストで覆われる。
【００３６】
このフォトレジストの硬化は、８０〜１２０℃で１０〜６０分程度の加熱処理によって行うが、この加熱処理によって、拡大断面図で示すように、銅箔２１ａとスズめっき皮膜２２ａとの界面部分にスズ−銅合金皮膜２２ｂが形成される。
このように本製法では、フォトレジスト硬化用の加熱処理で、スズ−銅合金皮膜２２ｂの形成も併せて行う。
【００３７】
次に、硬化したフォトレジスト膜を、露光し、現像することによって、フォトレジスト膜４０を図２（ｄ）で示す短冊状に加工する。この状態で、スズめっき皮膜２２ａと銅箔２１ａをエッチングすることによって、スズめっき皮膜２２ａと銅箔２１ａのうち、フォトレジスト４０に覆われていないスリット状の露出部分だけが除去され、フォトレジスト４０で覆われていた部分が残る。
【００３８】
従って、フォトレジスト４０を除去すると、図３（ａ）のように、スズめっき皮膜２２ａで被覆された銅箔２１ａが短冊状に成形される。
この短冊状に残った部分がリード部材２に相当し、銅箔の一部分（銅リード）２１にスズめっき層２２が積層された構成になっている。
なお、上記のように銅箔２１ａが樹脂フィルム１に直接接着され、樹脂フィルム１との接着部分（界面部分）付近で銅箔２１ａのみをエッチングするので、エッチングレートが時間的に変動しない。すなわち、樹脂フィルム１と銅箔２１ａとの界面付近まで安定したエッチングレートを維持し、微細なパターン形状を有するリード部材を実現できる。
【００３９】
ソルダーレジスト形成工程：
その後、図３（ｂ）で示すように、上記短冊状に加工された銅箔（銅リード２１）の中央部（両端部を除いた部分）を覆うようにソルダーレジストを塗布し、加熱処理することにより、ソルダーレジスト３を硬化させる。
このソルダーレジストの加熱処理を行う前に、銅リード２１とスズめっき皮膜２２ａとの界面近傍領域だけに、上述したようにスズ−銅合金膜が形成されているが、ソルダーレジストの加熱処理に伴って、界面近傍だけでなく、銅リード２１に積層されているスズめっき層２２ａが全体的にスズ−銅合金層２２に変性される。
【００４０】
第２スズめっき層形成工程：
パターニング工程で製造されたものに対して、無電解めっき法でスズめっきを施す。それによって、銅リード２１を覆うスズ−銅合金層２２の表面のうち、ソルダーレジスト３で覆われていない部分（両端部）が、図３（ｃ）のようにスズめっき層２３で被覆される。
【００４１】
以上の工程で、テープキャリア１００が製造され、図３（ｂ）における仮想断面Ｓ１部分は図１（ｂ）、仮想断面Ｓ２部分は図１（ｃ）で示す構造となる。
＜テープキャリア１００効果＞
テープキャリア１００は、リード部材２の本体部分が銅リード２１で形成されているので、高い導電性が得られる。
【００４２】
上記のスズめっき層２３を被覆する第２スズめっき層形成工程のときに、銅リード２１の溶解を抑える効果を奏する。すなわち、この工程で使用するめっき液が、銅リード２１とソルダーレジスト３との界面領域に浸入することもある。
このとき、界面領域に浸入しためっき液が銅リード２１に直接接触すると、めっき液に含まれているスズイオンが析出するとともに、銅リード２１の銅が溶出するので銅リード２１が局所的に溶解する現象が生じるのに対して、上述したようにテープキャリア１００では銅リード２１とソルダーレジスト３との界面領域には、スズ−銅合金層２２が介在することと、また、スズ−銅合金層２２は、銅リード２１と同種の金属元素（銅元素）を含むので銅リード２１から剥がれにくいこととにより、この界面領域にめっき液が浸入したとしても、銅リード２１に直接接触することがない。
【００４３】
従って、第２スズめっき層形成工程において、銅リード２１が局所的に溶解する現象は抑えられる。
また、テープキャリア１００は、銅リード２１が、接着層１１を介して樹脂フィルム１に直接接着されている。すわなち、銅リード２１の表面のうち、スズ−銅合金層２２で被覆されていない部分で樹脂フィルム１に接着されている。ここで、銅リード２１の熱膨張係数は、スズ−銅合金層２２の熱膨張係数と比べると大きく、樹脂フィルム１の熱膨張係数に近いので、接着面における熱膨張係数差が比較的小さい。
【００４４】
従って、テープキャリア１００は、温度が変化した時に、リード部材２と樹脂フィルム１の接着面にかかる応力が小さいので、リード部材２と樹脂フィルム１との間で高い密着性が得られる。
また、上記テープキャリア１００の製造方法でも、最初の接着工程において、樹脂フィルム１と銅リード２１が接着剤で直接接着されるので高密着性が得られる。そして、その後の工程を通して、樹脂フィルム１と銅リード２１との高密着は維持されるので、リード部材２１が樹脂フィルム１から剥離することもない。
【００４５】
また、スズめっき層２３と銅リード２１が直接積層されると、スズめっき層２３に針状の突起（ホイスカ）が発生し易いことが知られているが、テープキャリア１００では、スズめっき層２３と銅リード２１の間にスズ−銅合金層２２が介在しており、直接接触していないので、ホイスカの発生も抑制される。
従って、上記製造方法によれば、第１スズめっき皮膜形成工程におけるスズめっき皮膜２２ａを部分的にスズ−銅合金層に変性させるので、その後はスズめっき皮膜２２ａ表面からホイスカが発生することを抑制できる。
【００４６】
なお、この効果を確認するために、銅箔２１ａとスズめっき皮膜２２ａとの界面部分にスズ−銅合金皮膜を形成した場合と形成しない場合で、上記製造方法のパターニング工程におけるスズめっき皮膜２２ａの表面部分でのホイスカの発生について比較する実験を行ったところ、界面部分にスズ−銅合金皮膜２２ｂを形成しておくだけで、ホイスカの発生を２日程度遅らせることができることを確認した。この実験結果は、テープキャリア１００を完成させるまでの工程におけるホイスカの発生抑制という点で、歩留の向上など大きな効果を備える。
【００４７】
上記のテープキャリア１００の製造方法によれば、フォトレジスト４０ａの硬化用の加熱処理でスズ−銅合金皮膜２２ｂを界面部分に併せて形成でき、さらに、ソルダーレジスト３の硬化用の加熱処理で、この界面部分だけでなくスズめっき皮膜２２ａを全体的にスズ−銅合金膜２２ｂに変性できるので、スズ−銅合金皮膜２２ｂを形成するために、加熱工程を別途設ける必要がない。従って、工程数を減らして製造コストを抑えることができる。
＜その他の事項＞
樹脂フィルム１には、芯体となる銅リード２１との熱膨張率が近い材料であれば、ポリエチレンテレフタレート等の他の材料からなるフィルム材も適用できる。フィルム材の代わりに、プリント基板等の厚膜の部材等を用いても構わない。
【００４８】
また金属箔を構成する材料としては銅だけでなく、銅系の素材（Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐなど）、Ｆｅ系素材（Ｆｅ−Ｎｉなど）や機械的強度、電気伝導度、熱伝導度等に優れた素材も適用でき、スズめっき層２３の代わりに、銅などよりもボンディング性に優れた金属や合金でめっき層を形成しても良い。例えば金などの金属材料、錫−ビスマス系材料や錫と微量な銅との合金材料などもこのめっき層に適用できる。
【００４９】
上記製造方法では、フォトレジストの加熱処理工程で、銅箔２１ａとスズめっき膜２２ａとの界面部分だけににスズ−銅合金皮膜２２ｂを形成したが、加熱時間および加熱温度等に係るコスト抑制に支障がなければ、フォトレジストの加熱処理工程で、上記界面部分だけでなく、スズめっき皮膜全体をスズ−銅合金皮膜に変性して形成しても構わない。
また、上記製造方法ではスズめっき皮膜２２ａ、スズめっき層２３の形成には、無電解めっき法を用いたが、電解めっき法を用いても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、電子チップ等の電子部品が搭載される基材に対して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）は本実施形態に係るテープキャリアの模式平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は同テープキャリアの要部断面図である。
【図２】本実施形態に係るテープキャリアの製造工程を示す要部斜視図である。
【図３】本実施形態に係るテープキャリアの製造工程を示す要部斜視図である。
【図４】本実施形態に係るテープキャリアを用いたテープキャリアパッケージの断面図である。
【図５】従来技術に係るテープキャリアの製造工程を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１ ポリイミド樹脂フィルム
２ リード部材
３ ソルダーレジスト
１１ 接着層
２１ 銅リード
２２ スズ−銅合金層
２３ スズめっき層
１００ テープキャリア
２００ テープキャリアパッケージ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属からなる本体部分の表面領域の一部に、当該本体部分を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層が存在するリード部材が、
前記合金層が存在しない表面領域で樹脂フィルムに接着されてなる
ことを特徴とする電子部品搭載用基材。
【請求項２】
前記合金層が存在する表面領域において、
その一部領域を覆うようにソルダーレジストが配され、かつ、
前記ソルダーレジストで被覆されていない領域に、搭載される電子部品との接合性が前記リード部材よりも高い金属層が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項３】
前記金属層は、スズめっき層であり、
前記合金層は、スズ−銅合金層である
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項４】
前記リード部材は、銅を主成分としている
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項５】
前記樹脂フィルムは、ポリイミドを主成分としている
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項６】
前記合金層の厚みは０．０５μｍ以上０．７０μｍ以下であり、
前記金属層の厚みは０．１５μｍ以上０．８０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載の電子部品搭載用基材。
【請求項７】
樹脂フィルムに金属箔を接着する第１ステップと、
前記樹脂フィルムに接着された状態の前記金属箔の表面に、前記金属箔を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金皮膜を形成する第２ステップと、
前記合金皮膜が形成された金属箔の一部を除去する第３ステップと
を含む
ことを特徴とする電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項８】
前記第２ステップは、
前記金属箔表面のうち、前記樹脂フィルムに接着されていない表面領域に、前記金属箔を構成する金属元素とは異なる金属元素を含むめっき皮膜を形成する第1サブステップと、
前記めっき皮膜をレジスト膜で被覆する第２サブステップと、
加熱処理で前記レジスト膜を硬化させるとともに、当該加熱処理によって少なくとも前記めっき皮膜と前記金属箔との界面に前記合金皮膜を形成する第３サブステップと
を含む
ことを特徴とする請求項７に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項９】
前記合金皮膜の一部が除去されてなる合金層をソルダーレジストで覆うステップと、
当該ステップ後に、前記ソルダーレジストで覆われていない部分を、搭載される電子部品との接合性が前記金属箔よりも高い金属層で被覆するステップと
を含む
ことを特徴とする請求項７または８に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項１０】
前記めっき皮膜の形成に無電解めっき法、または電解めっき法を用いる
ことを特徴とする請求項８に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項１】
金属からなる本体部分の表面領域の一部に、当該本体部分を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金層が存在するリード部材が、
前記合金層が存在しない表面領域で樹脂フィルムに接着されてなる
ことを特徴とする電子部品搭載用基材。
【請求項２】
前記合金層が存在する表面領域において、
その一部領域を覆うようにソルダーレジストが配され、かつ、
前記ソルダーレジストで被覆されていない領域に、搭載される電子部品との接合性が前記リード部材よりも高い金属層が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項３】
前記金属層は、スズめっき層であり、
前記合金層は、スズ−銅合金層である
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項４】
前記リード部材は、銅を主成分としている
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項５】
前記樹脂フィルムは、ポリイミドを主成分としている
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品搭載用基材。
【請求項６】
前記合金層の厚みは０．０５μｍ以上０．７０μｍ以下であり、
前記金属層の厚みは０．１５μｍ以上０．８０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載の電子部品搭載用基材。
【請求項７】
樹脂フィルムに金属箔を接着する第１ステップと、
前記樹脂フィルムに接着された状態の前記金属箔の表面に、前記金属箔を構成する金属元素と同種の金属元素を含む合金皮膜を形成する第２ステップと、
前記合金皮膜が形成された金属箔の一部を除去する第３ステップと
を含む
ことを特徴とする電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項８】
前記第２ステップは、
前記金属箔表面のうち、前記樹脂フィルムに接着されていない表面領域に、前記金属箔を構成する金属元素とは異なる金属元素を含むめっき皮膜を形成する第1サブステップと、
前記めっき皮膜をレジスト膜で被覆する第２サブステップと、
加熱処理で前記レジスト膜を硬化させるとともに、当該加熱処理によって少なくとも前記めっき皮膜と前記金属箔との界面に前記合金皮膜を形成する第３サブステップと
を含む
ことを特徴とする請求項７に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項９】
前記合金皮膜の一部が除去されてなる合金層をソルダーレジストで覆うステップと、
当該ステップ後に、前記ソルダーレジストで覆われていない部分を、搭載される電子部品との接合性が前記金属箔よりも高い金属層で被覆するステップと
を含む
ことを特徴とする請求項７または８に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【請求項１０】
前記めっき皮膜の形成に無電解めっき法、または電解めっき法を用いる
ことを特徴とする請求項８に記載の電子部品搭載用基材の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２１０８３５（Ｐ２００８−２１０８３５Ａ）
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４３４１２（Ｐ２００７−４３４１２）
【出願日】平成１９年２月２３日（２００７．２．２３）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２３日（２００７．２．２３）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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