電気光学装置の製造方法
【課題】生産性及び表示品質を向上させることができる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子基板12が面付けされた第1大型基板51と、複数の対向基板13が面付けされた第2大型基板52と、を貼り合わせる工程と、第1大型基板51と第2大型基板52との貼り合わせ面53aとは反対側の面に大型偏光板61,62を貼り付ける工程と、第1大型基板51又は第2大型基板52と、大型偏光板61(62)とを共に素子基板12又は対向基板13を単位としてパルスレーザー光54を照射して、素子基板12の外周又は対向基板13の外周に沿って第1大型基板51又は第2大型基板52、及び大型偏光板61,62の内部に改質層55を形成する工程と、を有する。
【解決手段】複数の素子基板12が面付けされた第1大型基板51と、複数の対向基板13が面付けされた第2大型基板52と、を貼り合わせる工程と、第1大型基板51と第2大型基板52との貼り合わせ面53aとは反対側の面に大型偏光板61,62を貼り付ける工程と、第1大型基板51又は第2大型基板52と、大型偏光板61(62)とを共に素子基板12又は対向基板13を単位としてパルスレーザー光54を照射して、素子基板12の外周又は対向基板13の外周に沿って第1大型基板51又は第2大型基板52、及び大型偏光板61,62の内部に改質層55を形成する工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、大型基板を分割して電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、素子基板と対向基板とが液晶層を介して貼り合わされてなる液晶装置がある。液晶装置の製造方法としては、まず、複数の素子基板が面付けされた第1大型基板と、同じく複数の対向基板が面付けされた第2大型基板とを液晶層を介して貼り合わせる。その後、一対の大型基板を個々の液晶装置に分割する。そして、液晶装置における基板の貼り合わせ面とは反対側の面に、偏光板を貼り合わせていた。
【0003】
この方法によれば、個々の液晶装置毎に偏光板を貼り付けるので、複数の液晶装置において特性(例えば、輝度やコントラスト)にばらつきが生じたり、異物が付着しやすかったりする。また、生産性も低いという課題がある。
【0004】
そこで、例えば、特許文献1に記載のように、まず、大型基板(第1母基板、第2母基板)を液晶装置の単位でレーザー照射してスクライブラインを形成する。次に、大型基板に大型偏光板を貼り付ける。その後、偏光板を分断し、ブレイクすることにより個々の液晶装置を取り出す方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2009−122386号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、大型基板と大型偏光板とを別々の工程で分断しているので、効率が悪いという課題があった。また、大型基板にスクライブラインを形成した後に大型偏光板を貼り付けるので、貼り合わせ面に異物が混入する恐れがあった。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【0008】
[適用例1]本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第1基板と第2基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、複数の第1基板が面付けされた第1大型基板と、複数の第2基板が面付けされた第2大型基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第1大型基板と前記第2大型基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、前記第1大型基板又は前記第2大型基板と、前記光学部材とを共に前記第1基板又は前記第2基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第1基板の外周又は前記第2基板の外周に沿って前記第1大型基板又は前記第2大型基板、及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、を有することを特徴とする。
【0009】
この方法によれば、第1大型基板及び第2大型基板に光学部材を貼り付けた後、第1基板又は第2基板を単位としてレーザー光を照射するので、第1大型基板及び第2大型基板と光学部材とに形成された改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する(個片にする)ことが可能となる。これにより、電気光学装置毎に光学部材を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の電気光学装置に対して一度に光学部材を貼り付けるので、個々の電気光学装置における光学部材の貼り付け位置が光学的に安定して特性のばらつきを抑えることができる。更に、貼り付け面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。
【0010】
[適用例2]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記貼り合わせ工程は、前記第1大型基板及び前記第2大型基板の少なくとも一方に第3大型基板を貼り付け、前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板と前記第2大型基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする。
【0011】
この方法によれば、第3大型基板を含む大型基板(第1大型基板、第2大型基板)から光学部材まで一緒にレーザー光を照射するので、第3大型基板に形成された改質層を含む改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する(個片にする)ことが可能となる。
【0012】
[適用例3]本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第1基板と第2基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、複数の第1基板が面付けされた第1大型基板と、前記第2基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第1大型基板と前記第2基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、前記第1大型基板と前記光学部材とを共に前記第1基板又は前記第2基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第1基板の外周又は前記第2基板の外周に沿って前記第1大型基板及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、を有することを特徴とする。
【0013】
この方法によれば、第1大型基板に光学部材を貼り付けた後、第1基板又は第2基板を単位としてレーザー光を照射するので、第1大型基板と光学部材とに形成された改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する(個片にする)ことが可能となる。これにより、電気光学装置毎に光学部材を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の電気光学装置の一方の表面に対して一度に光学部材を貼り付けるので、個々の電気光学装置における光学部材の貼り付け位置が光学的に安定して特性のばらつきを抑えることができる。更に、貼り付け面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。
【0014】
[適用例4]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記貼り合わせ工程は、前記第1大型基板に第3大型基板を貼り付け、前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板と前記第2基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする。
【0015】
この方法によれば、第3大型基板を含む第1大型基板から光学部材まで一緒にレーザー光を照射するので、第3大型基板に形成された改質層を含む改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する(個片にする)ことが可能となる。
【0016】
[適用例5]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光は、フェムト秒レーザーであることが好ましい。
【0017】
この方法によれば、フェムト秒レーザーを照射するので、大型基板(第1大型基板、第2大型基板など)や光学部材に改質層を安定的に形成することが可能となる。よって、その改質層を基に大型基板及び光学部材を分割することができる。
【0018】
[適用例6]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光照射工程は、前記貼り合わせ面から前記貼り合わせ面とは反対の方向に向かって前記レーザー光の焦点位置を変えながら前記改質層を形成することが好ましい。
【0019】
この方法によれば、第1大型基板と第2大型基板との貼り合わせ面側から改質層を形成するので、先に形成された改質層が後からのレーザー光の照射を邪魔することを防ぐことができる。
【0020】
[適用例7]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板又は前記第2大型基板に照射するレーザー光のエネルギーと比較して、前記光学部材へ照射するレーザー光のエネルギーを小さくすることが好ましい。
【0021】
この方法によれば、大型基板と比較して光学部材に照射するレーザー光のエネルギーを小さくするので、言い換えれば、レーザー光のエネルギーを最適化するので、光学部材に必要以上のエネルギーが加えられることを防ぐことができる。つまり、材質の違いに応じて最適な照射条件にすることができる。よって、大型基板及び光学部材を効率よく分割させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】第1実施形態の液晶装置の構造を模式的に示す斜視図。
【図2】図1に示す液晶装置のA−A’線に沿う模式断面図。
【図3】図2に示す液晶装置におけるB部の偏光板を拡大して示す模式拡大図。
【図4】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図5】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図6】液晶装置の製造方法のうち一部の工程の液晶装置を示す模式平面図。
【図7】図6に示す液晶装置を側方から見た模式側面図。
【図8】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図9】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図10】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図11】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図12】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図13】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図14】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図15】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図16】図14に示す液晶装置をC方向から見た平面写真。
【図17】図14に示す液晶装置をD方向から見た断面写真。
【図18】第2実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。本実施形態では、電気光学装置として、例えば、液晶ビューファインダーとして用いられるTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
【0024】
なお、以下の形態において、「上」とは、基板から見て液晶層が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【0025】
(第1実施形態)
<液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構造を模式的に示す斜視図である。図2は、図1に示す液晶装置のA−A’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図1及び図2を参照しながら説明する。
【0026】
図1及び図2に示すように、液晶装置11は、例えば、スイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスター)素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置である。液晶装置11は、第1基板としての素子基板12と、素子基板12に対向して配置された第2基板としての対向基板13と、素子基板12と対向基板13との間に挟持された液晶層14とを備えている。
【0027】
具体的には、素子基板12と対向基板13とは、枠状のシール材15を介して対向して貼り合わされている。液晶層14は、素子基板12と対向基板13とシール材15とによって囲まれた空間に封入されている。
【0028】
素子基板12の液晶層14とは反対側の面には、光学部材としての第1偏光板16が配置されている。対向基板13の液晶層14とは反対側の面には、光学部材としての第2偏光板17が配置されている。本実施形態の液晶装置11は透過型であって、第1偏光板16の側には、第1偏光板16に対向してバックライト等の照明装置(図示省略)が配置されて用いられる。なお、液晶装置11は透過型に限定されず、例えば反射型または半透過型であってもよい。
【0029】
素子基板12は、対向基板13より大きく、一部が対向基板13に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層14を駆動するために外部と接続する端子部が形成されている。液晶装置11は、液晶層14が封入された表示領域18において表示を行う。以下、偏光板17(16)の構成について説明する。
【0030】
図3は、図2に示す液晶装置におけるB部の偏光板を拡大して示す模式拡大図である。以下、偏光板の構造を、図3を参照しながら説明する。なお、第2偏光板を例に説明するが、第1偏光板も同様の構成になっている。
【0031】
図3に示すように、第2偏光板17は、対向基板13における液晶層14とは反対側の面13aに配置されている。第2偏光板17は、対向基板13側から粘着剤21、透明な保護フィルムであるTAC(Tri Acetyl Cellulose)フィルム22、ヨウ素などの染色材料により染色された1軸延伸フィルム(偏光素子)であるPVA(Poly Vinyl Alcohol)フィルム23、同じく透明な保護フィルムであるTACフィルム24の順に積層されている。
【0032】
粘着剤21は、アクリル系からなり、例えば、厚みが25μmである。TACフィルム22,24の厚みは、例えば、80μmである。PVAフィルム23の厚みは、例えば、20μmである。
【0033】
図4は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【0034】
図4に示すように、液晶装置11は、素子基板12と対向基板13とが、枠状のシール材15(図2参照)を介して対向配置されている。そして、素子基板12と対向基板13との間には、液晶(液晶層14)が封入されている。
【0035】
素子基板12は、第1基板31を基体とし、画素32ごとに形成されたTFT(Thin Film Transistor)素子33と、TFT素子33に接続された画素電極37等を含む、いわゆるTFT素子基板である。
【0036】
第1基板31は、例えば、厚みが1.2mmであり、石英などの透光性材料によって構成されている。第1基板31上には、TFT素子33を構成するゲート電極33gと、ゲート電極33gを覆って形成された、シリコン酸化膜(SiO2)又はシリコン窒化膜(SiN)などからなるゲート絶縁層35が形成されている。ゲート絶縁層35上には、ゲート電極33gに重なる位置に、アモルファスシリコンからなる半導体層33aが形成されている。
【0037】
また、半導体層33aのソース領域にはソース電極33sが、またドレイン領域にはドレイン電極33dが一部重なった状態で形成されている。半導体層33a、ソース電極33s、ドレイン電極33d、ゲート電極33gにより、TFT素子33が構成される。
【0038】
TFT素子33の上には、SiO2又はSiNなどからなる層間絶縁層36を挟んで、透光性を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極37が形成されている。画素電極37は、層間絶縁層36を貫通して形成されたコンタクトホール38を介してTFT素子33のドレイン電極33dに接続されている。また、画素電極37上には、例えば、ポリイミドからなる第1配向膜(図示省略)が形成されている。
【0039】
素子基板12の、液晶層14側とは反対側の面には、第1偏光板16が配置されている。素子基板12と第1偏光板16との間には、適宜位相差板等を配置してもよい。第1偏光板16に対向する位置には、液晶装置11に向けて光を照射するバックライト39が配置されている。
【0040】
対向基板13は、第2基板41を基体とし、第2基板41上に設けられたカラーフィルター42と、その上に設けられた共通電極43と、を有する。第2基板41は、第1基板31と同様に、例えば、厚みが1.2mmであり、石英などの透光性材料によって構成されている。
【0041】
第2基板41上には、画素32r,32g,32bにそれぞれ対応して、赤色のカラーフィルター42r、緑色のカラーフィルター42g(図示省略)、青色のカラーフィルター42b(以下まとめて「カラーフィルター42」とも呼ぶ)が形成されている。カラーフィルター42は、入射した光のうち特定の波長の光を吸収する層であり、カラーフィルター42によって透過光を所定の色(例えば赤、緑、又は青)とすることができる。また、隣接する画素32の間の領域には、遮光性を有する黒色の樹脂からなる遮光層42xが形成されている。
【0042】
カラーフィルター42及び遮光層42xの表層には、透光性を有するITOからなる平面ベタ状の共通電極43が形成されている。共通電極43は、図示しない定電位線に接続されており、一定の電位に保たれている。共通電極43の表層には、ポリイミドからなる第2配向膜(図示省略)が形成されている。第2基板41における液晶層14と反対側の面には、第2偏光板17が配置されている。
【0043】
上述したように、素子基板12と対向基板13との間には液晶層14が配置されている。液晶層14は、例えば、TN(Twisted Nematic)方式とすることができる。共通電極43と画素電極37との間に駆動電圧が印加されると、液晶層14に電界が生じる。液晶層14内の液晶分子14aは、この電界に従って画素32ごとに駆動され、配向状態が変化する。液晶装置11は、この液晶分子14aの配向状態に応じた偏光変換機能と、偏光板16,17の偏光選択機能とを利用して表示を行う。
【0044】
<電気光学装置の製造方法>
図5は、電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図6は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程の液晶装置を示す模式平面図である。図7は、図6に示す液晶装置を側方から見た模式側面図である。図8〜図15は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図5〜図15を参照しながら説明する。
【0045】
なお、本実施形態では、図6及び図7に示すように、複数の素子基板12が面付けされた第1大型基板51と、複数の対向基板13が面付けされた第2大型基板52とが貼り合わされた大型接合基板53をスクライブラインLに沿って切断し、1つの液晶装置11(チップ状の液晶装置11)を取り出す方法を説明する。第1大型基板51及び第2大型基板52は、上記したように、厚みが1.2mm、直径12インチの石英基板である。図8〜図15は、図6に示す大型接合基板53のE−E'線に沿う部分のみの断面図を示している。
【0046】
最初に、図5を参照しながら、素子基板12側の製造方法を説明する。ステップS11では、第1基板31上にTFT素子33等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、第1基板31上にTFT素子33などを形成する。
【0047】
ステップS12では、画素電極37を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、TFT素子33の上方に画素電極37を形成する。
【0048】
ステップS13では、画素電極37上に第1配向膜(図示省略)を形成する。第1配向膜は、例えば、ポリイミドなどの透明な有機膜からなり、ラビングなどによって所定の方向に配向処理が施される。以上により、素子基板12側が完成する。
【0049】
次に、対向基板13側の製造方法を説明する。まず、図5に示すように、ステップS21では、石英基板等の透光性材料からなる第2基板41上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、カラーフィルター42を形成する。
【0050】
ステップS22では、カラーフィルター42上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、共通電極43を形成する。
【0051】
ステップS23では、共通電極43上に第2配向膜(図示省略)を形成する。第2配向膜は、素子基板12側に形成した第1配向膜と同様であり、例えば、ポリイミドなどの透明な有機膜からなり、ラビングなどによって所定の方向に配向処理が施される。以上により、対向基板13側が完成する。続いて、大型接合基板53からチップ状の液晶装置11を取り出す方法を説明する。
【0052】
図5に示すように、ステップS31では、素子基板12上にシール材15を塗布する。詳しくは、素子基板12とディスペンサー(吐出装置でも可能)との相対的な位置関係を変化させて、素子基板12における表示領域18の周縁部に(表示領域18を囲むように)シール材15を塗布する。
【0053】
ステップS32では、シール材15で囲まれた領域に液晶を滴下する。本実施形態では、例えば、ODF(One Drop Fill)方式を用いる。
【0054】
ステップS33(貼り合わせ工程)では、複数の素子基板12に切り出すことができる第1大型基板51と、複数の対向基板13に切り出すことができる第2大型基板52とを貼り合わせる。具体的には、例えば、第1大型基板51における液晶装置11の周縁部に相当する位置に塗布されたシール材15を介して第1大型基板51と第2大型基板52とを貼り合わせる(図7参照)。より具体的には、互いの大型基板51,52の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【0055】
ステップS34(光学部材貼付け工程)では、図8に示すように、第1大型基板51に光学部材としての第1大型偏光板61を貼り付け、第2大型基板52に光学部材としての第2大型偏光板62を貼り付ける。
【0056】
ステップS35(レーザー光照射工程)では、図9に示すように、第1大型基板51(素子基板12)側にレーザー光としてのパルスレーザー光54を照射して、第1大型基板51と第1大型偏光板61とに液晶装置11の単位(液晶装置11の周縁部(外周)11bに相当する位置)に改質層55を形成していく。具体的には、図6及び図7に示すように、大型基板51,52におけるX方向又はY方向に沿って、また、集光点54aの位置を変えながら、周縁部11bなどの部分にパルスレーザー光54を走査させる。ここで、図7を参照しながら、レーザー照射装置71について簡単に説明する。
【0057】
レーザー照射装置71は、レーザー光源74と、集光レンズ72とを備えており、パルスレーザー光54を出射することが可能となっている。また、レーザー照射装置71は、大型接合基板53を載置することが可能なステージ73を有する。ステージ73は、例えば、X方向やY方向に移動可能に設けられている。集光レンズ72は、例えば、Z方向に移動可能に設けられている。これにより、Z方向にパルスレーザー光54の焦点位置を変えながら改質層55を形成することができる。
【0058】
また、レーザー照射装置71を構成するレーザー光源74は、例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザー光を、フェムト秒のパルス幅で出射する、いわゆるフェムト秒レーザーである。
【0059】
集光レンズ72をZ方向に移動させることにより、パルスレーザー光54の集光点54aの位置を調整することができる。また、ステージ73をX方向やY方向に移動させることにより、大型接合基板53の全体に亘ってパルスレーザー光54を照射することができる。
【0060】
レーザー照射装置71を用いたレーザー加工方法(レーザースクライブ方法)は、加工対象物の内部にパルスレーザー光54を照射し、パルスレーザー光54が集光する領域(集光部)にエネルギーが集中することで、加工対象物の内部に物理的あるいは化学的に変化した改質層55が形成される。
【0061】
加工対象物が透明な材料であっても、材料の吸収のバンドギャップEgよりも光子のエネルギーhνが非常に大きいと吸収が生じる。これを多光子吸収と言い、パルスレーザー光54のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、イオン価数変化、結晶化または分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、この屈折率変化領域を改質層55と呼ぶ。
【0062】
以上により、図10に示すように、第1大型基板51(素子基板12)に改質層55を形成することができ、更に、図11に示すように、第1大型偏光板61に改質層55を形成することができる。なお、改質層55の形成順序としては、第1大型基板51と第2大型基板52との貼り合わせ面53aから、貼り合わせ面53aとは反対の方向に向かって改質層55を形成する。つまり、集光レンズ72をZ方向における下から上に移動させる。これにより、改質層55がパルスレーザー光54の照射を邪魔することなく改質層55を形成していくことができる。
【0063】
大型接合基板53に改質層55を形成するときのパルスレーザー光54の照射条件としては、例えば、パルスエネルギーは100μJであり、走査速度は100mm/sである。また、パルス幅は150fs(フェムト秒)であり、パス数は9である。パス数9のうち、偏光板のパス数は3である。また、収差補正は、0mmである。
【0064】
パス数のパスとは、走査のことであり、深さ方向における集光部の位置を一定として、スクライブラインLに沿ってパルスレーザー光54をパルス的に照射しながら移動させることである。また、改質層55の深さ方向における長さは、パス毎に一定ではなく、表層に近づくほど集光部の大きさが波長依存性によって小さくなるので短くなる。
【0065】
次に、図12に示すように、大型接合基板53の向きを反対にして、第2大型基板52が上側になるように配置する。
【0066】
ステップS36では、図13及び図14に示すように、第2大型基板52(対向基板13)側にパルスレーザー光54を照射して、第2大型基板52及び第2大型偏光板62に液晶装置11の単位(液晶装置11の周縁部11bに相当する位置)に改質層55を形成する。具体的には、図6に示すように、X方向又はY方向に沿って第2大型基板52及び第2大型偏光板62の端から端にパルスレーザー光54を照射する。また、改質層55は、第1大型基板51と第2大型基板52との貼り合わせ面53aから、貼り合わせ面53aとは反対の方向に向かって改質層55を形成する。
【0067】
ステップS37では、図15に示すように、液晶装置11の単位で形成した改質層55に沿って、大型接合基板53に力を印加し分割(ブレイク)する。分割する方法としては、例えば、樹脂材料の上に大型接合基板53を貼り付け、その後樹脂材料を広げることにより個々の液晶装置11に分割する(イクスパンド)。以上により、チップ状の液晶装置11(図1及び図2参照)が完成する。
【0068】
図16及び図17は、多光子吸収により形成された改質層55を示す写真である。具体的には、図16は、図14に示す液晶装置11をC方向から見た平面図である。図17は、図14に示す液晶装置11をD方向から見た断面図である。
【0069】
図16に示すように、液晶装置11の表面は、およそ38μmの幅Wの改質層55が形成されている。また、図17に示すように、液晶装置11の断面は、例えば、対向基板13の厚み方向の全域に亘って改質層55が形成されている。また、切断面は、対向基板13の領域と第2偏光板17の領域とに分離されている。このような改質層55を形成するためのパルスレーザー光54の照射条件としては、加工対象物によって、パルスレーザー光54の出力(エネルギー)やパルス幅、走査速度などの設定が必要となる。
【0070】
このように、改質層55が基板(対向基板13、第2偏光板17)の厚み方向に連続して形成されているため、精度よくかつ容易に切断することが可能である。また、破断面に外形不良等が生じにくい。
【0071】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【0072】
(1)第1実施形態によれば、第1大型基板51に第1大型偏光板61を貼り付け、第2大型基板52に第2大型偏光板62を貼り付けた後、素子基板12又は対向基板13を単位としてパルスレーザー光54を照射するので、第1大型基板51及び第1大型偏光板61、第2大型基板52及び第2大型偏光板62に形成された改質層55に沿って個々の液晶装置11に分割する(個片にする)ことが可能となる。これにより、液晶装置11毎に偏光板を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の液晶装置11に対して一度に偏光板(第1大型偏光板61、第2大型偏光板62)を貼り付けるので、個々の液晶装置11における偏光板16,17の貼り付け位置が光学的に安定して特性(例えば、輝度やコントラスト)のばらつきを抑えることができる。更に、基板12,13と偏光板16,17との貼り合わせ面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。
【0073】
(2)第1実施形態によれば、第1大型基板51と第2大型基板52との貼り合わせ面側から改質層55を形成するので、先に形成された改質層55が後からのパルスレーザー光54の照射を邪魔することを防ぐことができる。
【0074】
(第2実施形態)
図18は、第2実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、第2実施形態の液晶装置の構成を、図18を参照しながら説明する。
【0075】
第2実施形態の液晶装置111は、素子基板112と第1偏光板116との間に防塵基板100が設けられている部分が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【0076】
図18に示すように、第2実施形態の液晶装置111は、例えば、矢印方向から液晶装置111を見た場合、第1偏光板116の中に混入した異物を見えにくくするために、防塵基板100を用いて、素子基板112と対向基板113との貼り合わせ面から第1偏光板116を離して配置している。
【0077】
第2実施形態の液晶装置111の製造方法としては、例えば、まず、複数の素子基板112に切り出すことができる第1大型基板151と、複数の防塵基板100に切り出すことができる第3大型基板としての大型防塵基板181とを貼り合わせる。その後、第1実施形態と同様に、第1大型偏光板161を大型防塵基板181に、第2大型偏光板162を第2大型基板152に貼り付ける。
【0078】
次に、例えば、第1大型基板151側にパルスレーザー光54を照射して、第1大型基板151、大型防塵基板181、第1大型偏光板161に改質層55を形成する。その後、第2大型基板152側にパルスレーザー光54を照射して、第2大型基板152、第2大型偏光板162に改質層55を形成する。
【0079】
その後、液晶装置111の単位で形成した改質層55に沿って、大型接合基板153に力を印加し分割(ブレイク)する。以上により、チップ状の液晶装置111が完成する。
【0080】
以上詳述したように、第2実施形態によれば、上記した第1実施形態の(1)、(2)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【0081】
(3)第2実施形態によれば、液晶装置111が防塵基板100を含む構成であった場合でも、第1大型基板151と大型防塵基板181と第1大型偏光板161とを一緒にした状態でパルスレーザー光54を照射するので、形成された改質層55に沿って個々の液晶装置111に分割することができる。
【0082】
(4)第2実施形態によれば、素子基板112と第1偏光板116との間に防塵基板100を設けたので、素子基板112と対向基板113との貼り合わせ面から第1偏光板116を遠ざけることが可能となる。よって、第1偏光板116の中に異物が混入した場合でも、異物を見えにくくすることができる。
【0083】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【0084】
(変形例1)
上記したように、光学部材は、第1偏光板16や第2偏光板17に限定されるものではなく、例えば、位相差フィルムや光散乱板、あるいはこれらの光学部材と偏光板とを組み合わせたものであってもよい。
【0085】
(変形例2)
上記したように、素子基板12(第1大型基板51)側から改質層55を形成することに限定されず、例えば、対向基板13(第2大型基板52)側から形成するようにしてもよい。また、両方向から同時に改質層55を形成するようにしてもよい。
【0086】
(変形例3)
上記したように、第1大型基板51(第2大型基板52)と第1大型偏光板61(第2大型偏光板62)とを同じ照射条件で加工することに限定されず、例えば、大型基板51,52と大型偏光板61,62とを別々の照射条件で加工するようにしてもよい。上記した実施形態のように、大型基板51,52と大型偏光板61,62とを同じ照射条件で加工した際、材質等の違いから、大型偏光板61,62へのエネルギーが必要以上に大きくなり過ぎ、改質層55の周辺が損傷することが考えられる。この状態で高温高湿度試験を行うと大型偏光板61,62の周辺部から脱色が進行するおそれがある(偏光性が失われる)。
【0087】
そこで、大型基板51,52と大型偏光板61,62とを別々の照射条件で加工する。大型基板51,52を加工する照射条件としては、例えば、上記したように、パルスエネルギーは100μJであり、走査速度は100mm/sである。また、パルス幅は150fs(フェムト秒)であり、パス数は6である。
【0088】
大型偏光板61,62を加工する照射条件としては、例えば、パルスエネルギーは50μJであり、走査速度は20mm/sである。また、パルス幅は300fs(フェムト秒)であり、パス数は3である。
【0089】
このように、大型基板51,52に照射する照射条件と、大型偏光板61,62に照射する照射条件を変える、具体的には、大型基板51,52に比べて大型偏光板61,62に照射するパルスレーザー光54の照射エネルギーを小さくすることにより、偏光板16,17としての光学特性を維持することができる。言い換えれば、大型偏光板61,62に照射するパルスレーザー光54の照射エネルギーを最適化する。なお、大型基板51,52と大型偏光板61,62とを同じ照射条件で照射したあと、偏光板16,17の外周部分を最小エネルギーで再切断するようにしてもよい。
【0090】
また、偏光板16,17の外形を素子基板12や対向基板13の外形より小さくするようにしてもよい。これにより、素子基板12や対向基板13の辺部が露出すると、外部からの衝撃に対して弱くなるので、偏光板16,17のうちTACフィルム22(図3参照)を残すようにパルスレーザー光54を照射することが望ましい。これによれば、ケーシング後の総厚を薄くすることができる。
【0091】
また、素子基板12側に貼り付けられた第1偏光板16の外形は、素子基板12の外形よりも小さくなっているが、素子基板12の外形と同じ大きさであってもよい。
【0092】
(変形例4)
上記したように、第1大型基板51と第2大型基板52との両方に第1大型偏光板61や第2大型偏光板62を貼り付けてから個々の液晶装置11に分割していく方法に代えて、例えば、第1大型基板51には第1大型偏光板61を貼り付け、更に、第1大型基板51に個片の対向基板13を貼り付けるようにしてもよい。これによれば、素子基板12側のみ第1大型基板51及び第1大型偏光板61の状態から個々(チップ状)の液晶装置11に形成することができる。なお、第2大型基板52に第2大型偏光板62を貼り付けたものにレーザー光を照射して分断することにより個々(チップ状)の対向基板13を取り出すようにしてもよい。
【0093】
(変形例5)
上記した第2実施形態のように、素子基板112と第1偏光板116との間に防塵基板100が配置されていることに限定されず、例えば、対向基板113と第2偏光板117との間に防塵基板100が配置されている構成であってもよい。また、素子基板112及び対向基板113の両方に防塵基板100が配置される構成であってもよい。
【0094】
(変形例6)
上記したように、偏光板17(16)を、液晶層14側から粘着剤21、TACフィルム22、PVAフィルム23、TACフィルム24で構成していることに限定されず、例えば、上層のTACフィルム24の上に保護膜を含む構成であってもよい。この場合であっても、パルスレーザー光54に大きな影響を与えずに偏光板17(16)に改質層55を形成することができる。
【0095】
(変形例7)
上記したように、第1基板31及び第2基板41は、石英基板であることに限定されず、パルスレーザー光54を透過するものであればよく、無機材料でも有機材料でもよい。
【0096】
(変形例8)
上記したように、液晶方式は、TN方式に限定されず、例えば、IPS(In Plane Switching)方式やFFS(Fringe Field Switching)方式、VA(Vertical Alignment)方式、ECB(Electrically Controlled Birefringence)方式などであってもよい。
【0097】
(変形例9)
上記したように、液晶装置11を液晶ビューファインダーとして用いる事例に限定されず、例えば、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、車載機器、オーディオ機器、液晶プロジェクターなどに搭載される表示装置に適用することができる。
【0098】
(変形例10)
上記したように、電気光学装置は、液晶装置11に限定されず、例えば、有機EL装置、プラズマ装置、シリコン基板を用いた半導体装置などに適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【0099】
11,111…電気光学装置としての液晶装置、11b…周縁部(外周)、12…第1基板としての素子基板、13,113…第2基板としての対向基板、13a…面、14…液晶層、15…シール材、16…光学部材としての第1偏光板、17,117…光学部材としての第2偏光板、18…表示領域、21…粘着剤、22…TACフィルム、23…PVAフィルム、24…TACフィルム、31…第1基板、32,32r,32g,32b…画素、33…TFT素子、33a…半導体層、33s…ソース電極、33d…ドレイン電極、35…ゲート絶縁層、36…層間絶縁層、37…画素電極、38…コンタクトホール、39…バックライト、41…第2基板、42,42r,42g,42b…カラーフィルター、42x…遮光層、43…共通電極、51…第1大型基板、52…第2大型基板、53…大型接合基板、53a…貼り合わせ面、54…レーザー光としてのパルスレーザー光、54a…集光点、55…改質層、61…光学部材としての第1大型偏光板、62…光学部材としての第2大型偏光板、71…レーザー照射装置、72…集光レンズ、73…ステージ、100…防塵基板、181…第3大型基板としての大型防塵基板。
【技術分野】
【0001】
本発明は、大型基板を分割して電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、素子基板と対向基板とが液晶層を介して貼り合わされてなる液晶装置がある。液晶装置の製造方法としては、まず、複数の素子基板が面付けされた第1大型基板と、同じく複数の対向基板が面付けされた第2大型基板とを液晶層を介して貼り合わせる。その後、一対の大型基板を個々の液晶装置に分割する。そして、液晶装置における基板の貼り合わせ面とは反対側の面に、偏光板を貼り合わせていた。
【0003】
この方法によれば、個々の液晶装置毎に偏光板を貼り付けるので、複数の液晶装置において特性(例えば、輝度やコントラスト)にばらつきが生じたり、異物が付着しやすかったりする。また、生産性も低いという課題がある。
【0004】
そこで、例えば、特許文献1に記載のように、まず、大型基板(第1母基板、第2母基板)を液晶装置の単位でレーザー照射してスクライブラインを形成する。次に、大型基板に大型偏光板を貼り付ける。その後、偏光板を分断し、ブレイクすることにより個々の液晶装置を取り出す方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2009−122386号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、大型基板と大型偏光板とを別々の工程で分断しているので、効率が悪いという課題があった。また、大型基板にスクライブラインを形成した後に大型偏光板を貼り付けるので、貼り合わせ面に異物が混入する恐れがあった。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【0008】
[適用例1]本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第1基板と第2基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、複数の第1基板が面付けされた第1大型基板と、複数の第2基板が面付けされた第2大型基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第1大型基板と前記第2大型基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、前記第1大型基板又は前記第2大型基板と、前記光学部材とを共に前記第1基板又は前記第2基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第1基板の外周又は前記第2基板の外周に沿って前記第1大型基板又は前記第2大型基板、及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、を有することを特徴とする。
【0009】
この方法によれば、第1大型基板及び第2大型基板に光学部材を貼り付けた後、第1基板又は第2基板を単位としてレーザー光を照射するので、第1大型基板及び第2大型基板と光学部材とに形成された改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する(個片にする)ことが可能となる。これにより、電気光学装置毎に光学部材を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の電気光学装置に対して一度に光学部材を貼り付けるので、個々の電気光学装置における光学部材の貼り付け位置が光学的に安定して特性のばらつきを抑えることができる。更に、貼り付け面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。
【0010】
[適用例2]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記貼り合わせ工程は、前記第1大型基板及び前記第2大型基板の少なくとも一方に第3大型基板を貼り付け、前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板と前記第2大型基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする。
【0011】
この方法によれば、第3大型基板を含む大型基板(第1大型基板、第2大型基板)から光学部材まで一緒にレーザー光を照射するので、第3大型基板に形成された改質層を含む改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する(個片にする)ことが可能となる。
【0012】
[適用例3]本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第1基板と第2基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、複数の第1基板が面付けされた第1大型基板と、前記第2基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第1大型基板と前記第2基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、前記第1大型基板と前記光学部材とを共に前記第1基板又は前記第2基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第1基板の外周又は前記第2基板の外周に沿って前記第1大型基板及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、を有することを特徴とする。
【0013】
この方法によれば、第1大型基板に光学部材を貼り付けた後、第1基板又は第2基板を単位としてレーザー光を照射するので、第1大型基板と光学部材とに形成された改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する(個片にする)ことが可能となる。これにより、電気光学装置毎に光学部材を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の電気光学装置の一方の表面に対して一度に光学部材を貼り付けるので、個々の電気光学装置における光学部材の貼り付け位置が光学的に安定して特性のばらつきを抑えることができる。更に、貼り付け面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。
【0014】
[適用例4]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記貼り合わせ工程は、前記第1大型基板に第3大型基板を貼り付け、前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板と前記第2基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする。
【0015】
この方法によれば、第3大型基板を含む第1大型基板から光学部材まで一緒にレーザー光を照射するので、第3大型基板に形成された改質層を含む改質層に沿って個々の電気光学装置に分割する(個片にする)ことが可能となる。
【0016】
[適用例5]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光は、フェムト秒レーザーであることが好ましい。
【0017】
この方法によれば、フェムト秒レーザーを照射するので、大型基板(第1大型基板、第2大型基板など)や光学部材に改質層を安定的に形成することが可能となる。よって、その改質層を基に大型基板及び光学部材を分割することができる。
【0018】
[適用例6]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光照射工程は、前記貼り合わせ面から前記貼り合わせ面とは反対の方向に向かって前記レーザー光の焦点位置を変えながら前記改質層を形成することが好ましい。
【0019】
この方法によれば、第1大型基板と第2大型基板との貼り合わせ面側から改質層を形成するので、先に形成された改質層が後からのレーザー光の照射を邪魔することを防ぐことができる。
【0020】
[適用例7]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板又は前記第2大型基板に照射するレーザー光のエネルギーと比較して、前記光学部材へ照射するレーザー光のエネルギーを小さくすることが好ましい。
【0021】
この方法によれば、大型基板と比較して光学部材に照射するレーザー光のエネルギーを小さくするので、言い換えれば、レーザー光のエネルギーを最適化するので、光学部材に必要以上のエネルギーが加えられることを防ぐことができる。つまり、材質の違いに応じて最適な照射条件にすることができる。よって、大型基板及び光学部材を効率よく分割させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】第1実施形態の液晶装置の構造を模式的に示す斜視図。
【図2】図1に示す液晶装置のA−A’線に沿う模式断面図。
【図3】図2に示す液晶装置におけるB部の偏光板を拡大して示す模式拡大図。
【図4】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図5】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図6】液晶装置の製造方法のうち一部の工程の液晶装置を示す模式平面図。
【図7】図6に示す液晶装置を側方から見た模式側面図。
【図8】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図9】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図10】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図11】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図12】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図13】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図14】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図15】液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図16】図14に示す液晶装置をC方向から見た平面写真。
【図17】図14に示す液晶装置をD方向から見た断面写真。
【図18】第2実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。本実施形態では、電気光学装置として、例えば、液晶ビューファインダーとして用いられるTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げて説明する。
【0024】
なお、以下の形態において、「上」とは、基板から見て液晶層が配置された方向を示し、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接するように配置される場合または○○の上に他の構成物を介して配置される場合または○○の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【0025】
(第1実施形態)
<液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構造を模式的に示す斜視図である。図2は、図1に示す液晶装置のA−A’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図1及び図2を参照しながら説明する。
【0026】
図1及び図2に示すように、液晶装置11は、例えば、スイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスター)素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置である。液晶装置11は、第1基板としての素子基板12と、素子基板12に対向して配置された第2基板としての対向基板13と、素子基板12と対向基板13との間に挟持された液晶層14とを備えている。
【0027】
具体的には、素子基板12と対向基板13とは、枠状のシール材15を介して対向して貼り合わされている。液晶層14は、素子基板12と対向基板13とシール材15とによって囲まれた空間に封入されている。
【0028】
素子基板12の液晶層14とは反対側の面には、光学部材としての第1偏光板16が配置されている。対向基板13の液晶層14とは反対側の面には、光学部材としての第2偏光板17が配置されている。本実施形態の液晶装置11は透過型であって、第1偏光板16の側には、第1偏光板16に対向してバックライト等の照明装置(図示省略)が配置されて用いられる。なお、液晶装置11は透過型に限定されず、例えば反射型または半透過型であってもよい。
【0029】
素子基板12は、対向基板13より大きく、一部が対向基板13に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層14を駆動するために外部と接続する端子部が形成されている。液晶装置11は、液晶層14が封入された表示領域18において表示を行う。以下、偏光板17(16)の構成について説明する。
【0030】
図3は、図2に示す液晶装置におけるB部の偏光板を拡大して示す模式拡大図である。以下、偏光板の構造を、図3を参照しながら説明する。なお、第2偏光板を例に説明するが、第1偏光板も同様の構成になっている。
【0031】
図3に示すように、第2偏光板17は、対向基板13における液晶層14とは反対側の面13aに配置されている。第2偏光板17は、対向基板13側から粘着剤21、透明な保護フィルムであるTAC(Tri Acetyl Cellulose)フィルム22、ヨウ素などの染色材料により染色された1軸延伸フィルム(偏光素子)であるPVA(Poly Vinyl Alcohol)フィルム23、同じく透明な保護フィルムであるTACフィルム24の順に積層されている。
【0032】
粘着剤21は、アクリル系からなり、例えば、厚みが25μmである。TACフィルム22,24の厚みは、例えば、80μmである。PVAフィルム23の厚みは、例えば、20μmである。
【0033】
図4は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【0034】
図4に示すように、液晶装置11は、素子基板12と対向基板13とが、枠状のシール材15(図2参照)を介して対向配置されている。そして、素子基板12と対向基板13との間には、液晶(液晶層14)が封入されている。
【0035】
素子基板12は、第1基板31を基体とし、画素32ごとに形成されたTFT(Thin Film Transistor)素子33と、TFT素子33に接続された画素電極37等を含む、いわゆるTFT素子基板である。
【0036】
第1基板31は、例えば、厚みが1.2mmであり、石英などの透光性材料によって構成されている。第1基板31上には、TFT素子33を構成するゲート電極33gと、ゲート電極33gを覆って形成された、シリコン酸化膜(SiO2)又はシリコン窒化膜(SiN)などからなるゲート絶縁層35が形成されている。ゲート絶縁層35上には、ゲート電極33gに重なる位置に、アモルファスシリコンからなる半導体層33aが形成されている。
【0037】
また、半導体層33aのソース領域にはソース電極33sが、またドレイン領域にはドレイン電極33dが一部重なった状態で形成されている。半導体層33a、ソース電極33s、ドレイン電極33d、ゲート電極33gにより、TFT素子33が構成される。
【0038】
TFT素子33の上には、SiO2又はSiNなどからなる層間絶縁層36を挟んで、透光性を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる画素電極37が形成されている。画素電極37は、層間絶縁層36を貫通して形成されたコンタクトホール38を介してTFT素子33のドレイン電極33dに接続されている。また、画素電極37上には、例えば、ポリイミドからなる第1配向膜(図示省略)が形成されている。
【0039】
素子基板12の、液晶層14側とは反対側の面には、第1偏光板16が配置されている。素子基板12と第1偏光板16との間には、適宜位相差板等を配置してもよい。第1偏光板16に対向する位置には、液晶装置11に向けて光を照射するバックライト39が配置されている。
【0040】
対向基板13は、第2基板41を基体とし、第2基板41上に設けられたカラーフィルター42と、その上に設けられた共通電極43と、を有する。第2基板41は、第1基板31と同様に、例えば、厚みが1.2mmであり、石英などの透光性材料によって構成されている。
【0041】
第2基板41上には、画素32r,32g,32bにそれぞれ対応して、赤色のカラーフィルター42r、緑色のカラーフィルター42g(図示省略)、青色のカラーフィルター42b(以下まとめて「カラーフィルター42」とも呼ぶ)が形成されている。カラーフィルター42は、入射した光のうち特定の波長の光を吸収する層であり、カラーフィルター42によって透過光を所定の色(例えば赤、緑、又は青)とすることができる。また、隣接する画素32の間の領域には、遮光性を有する黒色の樹脂からなる遮光層42xが形成されている。
【0042】
カラーフィルター42及び遮光層42xの表層には、透光性を有するITOからなる平面ベタ状の共通電極43が形成されている。共通電極43は、図示しない定電位線に接続されており、一定の電位に保たれている。共通電極43の表層には、ポリイミドからなる第2配向膜(図示省略)が形成されている。第2基板41における液晶層14と反対側の面には、第2偏光板17が配置されている。
【0043】
上述したように、素子基板12と対向基板13との間には液晶層14が配置されている。液晶層14は、例えば、TN(Twisted Nematic)方式とすることができる。共通電極43と画素電極37との間に駆動電圧が印加されると、液晶層14に電界が生じる。液晶層14内の液晶分子14aは、この電界に従って画素32ごとに駆動され、配向状態が変化する。液晶装置11は、この液晶分子14aの配向状態に応じた偏光変換機能と、偏光板16,17の偏光選択機能とを利用して表示を行う。
【0044】
<電気光学装置の製造方法>
図5は、電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図6は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程の液晶装置を示す模式平面図である。図7は、図6に示す液晶装置を側方から見た模式側面図である。図8〜図15は、液晶装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図5〜図15を参照しながら説明する。
【0045】
なお、本実施形態では、図6及び図7に示すように、複数の素子基板12が面付けされた第1大型基板51と、複数の対向基板13が面付けされた第2大型基板52とが貼り合わされた大型接合基板53をスクライブラインLに沿って切断し、1つの液晶装置11(チップ状の液晶装置11)を取り出す方法を説明する。第1大型基板51及び第2大型基板52は、上記したように、厚みが1.2mm、直径12インチの石英基板である。図8〜図15は、図6に示す大型接合基板53のE−E'線に沿う部分のみの断面図を示している。
【0046】
最初に、図5を参照しながら、素子基板12側の製造方法を説明する。ステップS11では、第1基板31上にTFT素子33等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、第1基板31上にTFT素子33などを形成する。
【0047】
ステップS12では、画素電極37を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、TFT素子33の上方に画素電極37を形成する。
【0048】
ステップS13では、画素電極37上に第1配向膜(図示省略)を形成する。第1配向膜は、例えば、ポリイミドなどの透明な有機膜からなり、ラビングなどによって所定の方向に配向処理が施される。以上により、素子基板12側が完成する。
【0049】
次に、対向基板13側の製造方法を説明する。まず、図5に示すように、ステップS21では、石英基板等の透光性材料からなる第2基板41上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、カラーフィルター42を形成する。
【0050】
ステップS22では、カラーフィルター42上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを用いて、共通電極43を形成する。
【0051】
ステップS23では、共通電極43上に第2配向膜(図示省略)を形成する。第2配向膜は、素子基板12側に形成した第1配向膜と同様であり、例えば、ポリイミドなどの透明な有機膜からなり、ラビングなどによって所定の方向に配向処理が施される。以上により、対向基板13側が完成する。続いて、大型接合基板53からチップ状の液晶装置11を取り出す方法を説明する。
【0052】
図5に示すように、ステップS31では、素子基板12上にシール材15を塗布する。詳しくは、素子基板12とディスペンサー(吐出装置でも可能)との相対的な位置関係を変化させて、素子基板12における表示領域18の周縁部に(表示領域18を囲むように)シール材15を塗布する。
【0053】
ステップS32では、シール材15で囲まれた領域に液晶を滴下する。本実施形態では、例えば、ODF(One Drop Fill)方式を用いる。
【0054】
ステップS33(貼り合わせ工程)では、複数の素子基板12に切り出すことができる第1大型基板51と、複数の対向基板13に切り出すことができる第2大型基板52とを貼り合わせる。具体的には、例えば、第1大型基板51における液晶装置11の周縁部に相当する位置に塗布されたシール材15を介して第1大型基板51と第2大型基板52とを貼り合わせる(図7参照)。より具体的には、互いの大型基板51,52の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【0055】
ステップS34(光学部材貼付け工程)では、図8に示すように、第1大型基板51に光学部材としての第1大型偏光板61を貼り付け、第2大型基板52に光学部材としての第2大型偏光板62を貼り付ける。
【0056】
ステップS35(レーザー光照射工程)では、図9に示すように、第1大型基板51(素子基板12)側にレーザー光としてのパルスレーザー光54を照射して、第1大型基板51と第1大型偏光板61とに液晶装置11の単位(液晶装置11の周縁部(外周)11bに相当する位置)に改質層55を形成していく。具体的には、図6及び図7に示すように、大型基板51,52におけるX方向又はY方向に沿って、また、集光点54aの位置を変えながら、周縁部11bなどの部分にパルスレーザー光54を走査させる。ここで、図7を参照しながら、レーザー照射装置71について簡単に説明する。
【0057】
レーザー照射装置71は、レーザー光源74と、集光レンズ72とを備えており、パルスレーザー光54を出射することが可能となっている。また、レーザー照射装置71は、大型接合基板53を載置することが可能なステージ73を有する。ステージ73は、例えば、X方向やY方向に移動可能に設けられている。集光レンズ72は、例えば、Z方向に移動可能に設けられている。これにより、Z方向にパルスレーザー光54の焦点位置を変えながら改質層55を形成することができる。
【0058】
また、レーザー照射装置71を構成するレーザー光源74は、例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザー光を、フェムト秒のパルス幅で出射する、いわゆるフェムト秒レーザーである。
【0059】
集光レンズ72をZ方向に移動させることにより、パルスレーザー光54の集光点54aの位置を調整することができる。また、ステージ73をX方向やY方向に移動させることにより、大型接合基板53の全体に亘ってパルスレーザー光54を照射することができる。
【0060】
レーザー照射装置71を用いたレーザー加工方法(レーザースクライブ方法)は、加工対象物の内部にパルスレーザー光54を照射し、パルスレーザー光54が集光する領域(集光部)にエネルギーが集中することで、加工対象物の内部に物理的あるいは化学的に変化した改質層55が形成される。
【0061】
加工対象物が透明な材料であっても、材料の吸収のバンドギャップEgよりも光子のエネルギーhνが非常に大きいと吸収が生じる。これを多光子吸収と言い、パルスレーザー光54のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、イオン価数変化、結晶化または分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、この屈折率変化領域を改質層55と呼ぶ。
【0062】
以上により、図10に示すように、第1大型基板51(素子基板12)に改質層55を形成することができ、更に、図11に示すように、第1大型偏光板61に改質層55を形成することができる。なお、改質層55の形成順序としては、第1大型基板51と第2大型基板52との貼り合わせ面53aから、貼り合わせ面53aとは反対の方向に向かって改質層55を形成する。つまり、集光レンズ72をZ方向における下から上に移動させる。これにより、改質層55がパルスレーザー光54の照射を邪魔することなく改質層55を形成していくことができる。
【0063】
大型接合基板53に改質層55を形成するときのパルスレーザー光54の照射条件としては、例えば、パルスエネルギーは100μJであり、走査速度は100mm/sである。また、パルス幅は150fs(フェムト秒)であり、パス数は9である。パス数9のうち、偏光板のパス数は3である。また、収差補正は、0mmである。
【0064】
パス数のパスとは、走査のことであり、深さ方向における集光部の位置を一定として、スクライブラインLに沿ってパルスレーザー光54をパルス的に照射しながら移動させることである。また、改質層55の深さ方向における長さは、パス毎に一定ではなく、表層に近づくほど集光部の大きさが波長依存性によって小さくなるので短くなる。
【0065】
次に、図12に示すように、大型接合基板53の向きを反対にして、第2大型基板52が上側になるように配置する。
【0066】
ステップS36では、図13及び図14に示すように、第2大型基板52(対向基板13)側にパルスレーザー光54を照射して、第2大型基板52及び第2大型偏光板62に液晶装置11の単位(液晶装置11の周縁部11bに相当する位置)に改質層55を形成する。具体的には、図6に示すように、X方向又はY方向に沿って第2大型基板52及び第2大型偏光板62の端から端にパルスレーザー光54を照射する。また、改質層55は、第1大型基板51と第2大型基板52との貼り合わせ面53aから、貼り合わせ面53aとは反対の方向に向かって改質層55を形成する。
【0067】
ステップS37では、図15に示すように、液晶装置11の単位で形成した改質層55に沿って、大型接合基板53に力を印加し分割(ブレイク)する。分割する方法としては、例えば、樹脂材料の上に大型接合基板53を貼り付け、その後樹脂材料を広げることにより個々の液晶装置11に分割する(イクスパンド)。以上により、チップ状の液晶装置11(図1及び図2参照)が完成する。
【0068】
図16及び図17は、多光子吸収により形成された改質層55を示す写真である。具体的には、図16は、図14に示す液晶装置11をC方向から見た平面図である。図17は、図14に示す液晶装置11をD方向から見た断面図である。
【0069】
図16に示すように、液晶装置11の表面は、およそ38μmの幅Wの改質層55が形成されている。また、図17に示すように、液晶装置11の断面は、例えば、対向基板13の厚み方向の全域に亘って改質層55が形成されている。また、切断面は、対向基板13の領域と第2偏光板17の領域とに分離されている。このような改質層55を形成するためのパルスレーザー光54の照射条件としては、加工対象物によって、パルスレーザー光54の出力(エネルギー)やパルス幅、走査速度などの設定が必要となる。
【0070】
このように、改質層55が基板(対向基板13、第2偏光板17)の厚み方向に連続して形成されているため、精度よくかつ容易に切断することが可能である。また、破断面に外形不良等が生じにくい。
【0071】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【0072】
(1)第1実施形態によれば、第1大型基板51に第1大型偏光板61を貼り付け、第2大型基板52に第2大型偏光板62を貼り付けた後、素子基板12又は対向基板13を単位としてパルスレーザー光54を照射するので、第1大型基板51及び第1大型偏光板61、第2大型基板52及び第2大型偏光板62に形成された改質層55に沿って個々の液晶装置11に分割する(個片にする)ことが可能となる。これにより、液晶装置11毎に偏光板を貼り付ける方法と比較して、生産性を向上させることができる。また、複数の液晶装置11に対して一度に偏光板(第1大型偏光板61、第2大型偏光板62)を貼り付けるので、個々の液晶装置11における偏光板16,17の貼り付け位置が光学的に安定して特性(例えば、輝度やコントラスト)のばらつきを抑えることができる。更に、基板12,13と偏光板16,17との貼り合わせ面に異物が混入することを抑えることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。
【0073】
(2)第1実施形態によれば、第1大型基板51と第2大型基板52との貼り合わせ面側から改質層55を形成するので、先に形成された改質層55が後からのパルスレーザー光54の照射を邪魔することを防ぐことができる。
【0074】
(第2実施形態)
図18は、第2実施形態の液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、第2実施形態の液晶装置の構成を、図18を参照しながら説明する。
【0075】
第2実施形態の液晶装置111は、素子基板112と第1偏光板116との間に防塵基板100が設けられている部分が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【0076】
図18に示すように、第2実施形態の液晶装置111は、例えば、矢印方向から液晶装置111を見た場合、第1偏光板116の中に混入した異物を見えにくくするために、防塵基板100を用いて、素子基板112と対向基板113との貼り合わせ面から第1偏光板116を離して配置している。
【0077】
第2実施形態の液晶装置111の製造方法としては、例えば、まず、複数の素子基板112に切り出すことができる第1大型基板151と、複数の防塵基板100に切り出すことができる第3大型基板としての大型防塵基板181とを貼り合わせる。その後、第1実施形態と同様に、第1大型偏光板161を大型防塵基板181に、第2大型偏光板162を第2大型基板152に貼り付ける。
【0078】
次に、例えば、第1大型基板151側にパルスレーザー光54を照射して、第1大型基板151、大型防塵基板181、第1大型偏光板161に改質層55を形成する。その後、第2大型基板152側にパルスレーザー光54を照射して、第2大型基板152、第2大型偏光板162に改質層55を形成する。
【0079】
その後、液晶装置111の単位で形成した改質層55に沿って、大型接合基板153に力を印加し分割(ブレイク)する。以上により、チップ状の液晶装置111が完成する。
【0080】
以上詳述したように、第2実施形態によれば、上記した第1実施形態の(1)、(2)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【0081】
(3)第2実施形態によれば、液晶装置111が防塵基板100を含む構成であった場合でも、第1大型基板151と大型防塵基板181と第1大型偏光板161とを一緒にした状態でパルスレーザー光54を照射するので、形成された改質層55に沿って個々の液晶装置111に分割することができる。
【0082】
(4)第2実施形態によれば、素子基板112と第1偏光板116との間に防塵基板100を設けたので、素子基板112と対向基板113との貼り合わせ面から第1偏光板116を遠ざけることが可能となる。よって、第1偏光板116の中に異物が混入した場合でも、異物を見えにくくすることができる。
【0083】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【0084】
(変形例1)
上記したように、光学部材は、第1偏光板16や第2偏光板17に限定されるものではなく、例えば、位相差フィルムや光散乱板、あるいはこれらの光学部材と偏光板とを組み合わせたものであってもよい。
【0085】
(変形例2)
上記したように、素子基板12(第1大型基板51)側から改質層55を形成することに限定されず、例えば、対向基板13(第2大型基板52)側から形成するようにしてもよい。また、両方向から同時に改質層55を形成するようにしてもよい。
【0086】
(変形例3)
上記したように、第1大型基板51(第2大型基板52)と第1大型偏光板61(第2大型偏光板62)とを同じ照射条件で加工することに限定されず、例えば、大型基板51,52と大型偏光板61,62とを別々の照射条件で加工するようにしてもよい。上記した実施形態のように、大型基板51,52と大型偏光板61,62とを同じ照射条件で加工した際、材質等の違いから、大型偏光板61,62へのエネルギーが必要以上に大きくなり過ぎ、改質層55の周辺が損傷することが考えられる。この状態で高温高湿度試験を行うと大型偏光板61,62の周辺部から脱色が進行するおそれがある(偏光性が失われる)。
【0087】
そこで、大型基板51,52と大型偏光板61,62とを別々の照射条件で加工する。大型基板51,52を加工する照射条件としては、例えば、上記したように、パルスエネルギーは100μJであり、走査速度は100mm/sである。また、パルス幅は150fs(フェムト秒)であり、パス数は6である。
【0088】
大型偏光板61,62を加工する照射条件としては、例えば、パルスエネルギーは50μJであり、走査速度は20mm/sである。また、パルス幅は300fs(フェムト秒)であり、パス数は3である。
【0089】
このように、大型基板51,52に照射する照射条件と、大型偏光板61,62に照射する照射条件を変える、具体的には、大型基板51,52に比べて大型偏光板61,62に照射するパルスレーザー光54の照射エネルギーを小さくすることにより、偏光板16,17としての光学特性を維持することができる。言い換えれば、大型偏光板61,62に照射するパルスレーザー光54の照射エネルギーを最適化する。なお、大型基板51,52と大型偏光板61,62とを同じ照射条件で照射したあと、偏光板16,17の外周部分を最小エネルギーで再切断するようにしてもよい。
【0090】
また、偏光板16,17の外形を素子基板12や対向基板13の外形より小さくするようにしてもよい。これにより、素子基板12や対向基板13の辺部が露出すると、外部からの衝撃に対して弱くなるので、偏光板16,17のうちTACフィルム22(図3参照)を残すようにパルスレーザー光54を照射することが望ましい。これによれば、ケーシング後の総厚を薄くすることができる。
【0091】
また、素子基板12側に貼り付けられた第1偏光板16の外形は、素子基板12の外形よりも小さくなっているが、素子基板12の外形と同じ大きさであってもよい。
【0092】
(変形例4)
上記したように、第1大型基板51と第2大型基板52との両方に第1大型偏光板61や第2大型偏光板62を貼り付けてから個々の液晶装置11に分割していく方法に代えて、例えば、第1大型基板51には第1大型偏光板61を貼り付け、更に、第1大型基板51に個片の対向基板13を貼り付けるようにしてもよい。これによれば、素子基板12側のみ第1大型基板51及び第1大型偏光板61の状態から個々(チップ状)の液晶装置11に形成することができる。なお、第2大型基板52に第2大型偏光板62を貼り付けたものにレーザー光を照射して分断することにより個々(チップ状)の対向基板13を取り出すようにしてもよい。
【0093】
(変形例5)
上記した第2実施形態のように、素子基板112と第1偏光板116との間に防塵基板100が配置されていることに限定されず、例えば、対向基板113と第2偏光板117との間に防塵基板100が配置されている構成であってもよい。また、素子基板112及び対向基板113の両方に防塵基板100が配置される構成であってもよい。
【0094】
(変形例6)
上記したように、偏光板17(16)を、液晶層14側から粘着剤21、TACフィルム22、PVAフィルム23、TACフィルム24で構成していることに限定されず、例えば、上層のTACフィルム24の上に保護膜を含む構成であってもよい。この場合であっても、パルスレーザー光54に大きな影響を与えずに偏光板17(16)に改質層55を形成することができる。
【0095】
(変形例7)
上記したように、第1基板31及び第2基板41は、石英基板であることに限定されず、パルスレーザー光54を透過するものであればよく、無機材料でも有機材料でもよい。
【0096】
(変形例8)
上記したように、液晶方式は、TN方式に限定されず、例えば、IPS(In Plane Switching)方式やFFS(Fringe Field Switching)方式、VA(Vertical Alignment)方式、ECB(Electrically Controlled Birefringence)方式などであってもよい。
【0097】
(変形例9)
上記したように、液晶装置11を液晶ビューファインダーとして用いる事例に限定されず、例えば、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、車載機器、オーディオ機器、液晶プロジェクターなどに搭載される表示装置に適用することができる。
【0098】
(変形例10)
上記したように、電気光学装置は、液晶装置11に限定されず、例えば、有機EL装置、プラズマ装置、シリコン基板を用いた半導体装置などに適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【0099】
11,111…電気光学装置としての液晶装置、11b…周縁部(外周)、12…第1基板としての素子基板、13,113…第2基板としての対向基板、13a…面、14…液晶層、15…シール材、16…光学部材としての第1偏光板、17,117…光学部材としての第2偏光板、18…表示領域、21…粘着剤、22…TACフィルム、23…PVAフィルム、24…TACフィルム、31…第1基板、32,32r,32g,32b…画素、33…TFT素子、33a…半導体層、33s…ソース電極、33d…ドレイン電極、35…ゲート絶縁層、36…層間絶縁層、37…画素電極、38…コンタクトホール、39…バックライト、41…第2基板、42,42r,42g,42b…カラーフィルター、42x…遮光層、43…共通電極、51…第1大型基板、52…第2大型基板、53…大型接合基板、53a…貼り合わせ面、54…レーザー光としてのパルスレーザー光、54a…集光点、55…改質層、61…光学部材としての第1大型偏光板、62…光学部材としての第2大型偏光板、71…レーザー照射装置、72…集光レンズ、73…ステージ、100…防塵基板、181…第3大型基板としての大型防塵基板。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1基板と第2基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、
複数の第1基板が面付けされた第1大型基板と、複数の第2基板が面付けされた第2大型基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記第1大型基板と前記第2大型基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、
前記第1大型基板又は前記第2大型基板と、前記光学部材とを共に前記第1基板又は前記第2基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第1基板の外周又は前記第2基板の外周に沿って前記第1大型基板又は前記第2大型基板、及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項2】
請求項1に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記貼り合わせ工程は、前記第1大型基板及び前記第2大型基板の少なくとも一方に第3大型基板を貼り付け、
前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板と前記第2大型基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項3】
第1基板と第2基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、
複数の第1基板が面付けされた第1大型基板と、前記第2基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記第1大型基板と前記第2基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、
前記第1大型基板と前記光学部材とを共に前記第1基板又は前記第2基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第1基板の外周又は前記第2基板の外周に沿って前記第1大型基板及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項4】
請求項3に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記貼り合わせ工程は、前記第1大型基板に第3大型基板を貼り付け、
前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板と前記第2基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザー光は、フェムト秒レーザーであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザー光照射工程は、前記貼り合わせ面から前記貼り合わせ面とは反対の方向に向かって前記レーザー光の焦点位置を変えながら前記改質層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項7】
請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板又は前記第2大型基板に照射するレーザー光のエネルギーと比較して、前記光学部材へ照射するレーザー光のエネルギーを小さくすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項1】
第1基板と第2基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、
複数の第1基板が面付けされた第1大型基板と、複数の第2基板が面付けされた第2大型基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記第1大型基板と前記第2大型基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、
前記第1大型基板又は前記第2大型基板と、前記光学部材とを共に前記第1基板又は前記第2基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第1基板の外周又は前記第2基板の外周に沿って前記第1大型基板又は前記第2大型基板、及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項2】
請求項1に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記貼り合わせ工程は、前記第1大型基板及び前記第2大型基板の少なくとも一方に第3大型基板を貼り付け、
前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板と前記第2大型基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項3】
第1基板と第2基板とが貼り合わされてなる電気光学装置の製造方法であって、
複数の第1基板が面付けされた第1大型基板と、前記第2基板と、を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記第1大型基板と前記第2基板との貼り合わせ面とは反対側の面に光学部材を貼り付ける光学部材貼付け工程と、
前記第1大型基板と前記光学部材とを共に前記第1基板又は前記第2基板を単位としてレーザー光を照射して、前記第1基板の外周又は前記第2基板の外周に沿って前記第1大型基板及び前記光学部材の内部に改質層を形成するレーザー光照射工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項4】
請求項3に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記貼り合わせ工程は、前記第1大型基板に第3大型基板を貼り付け、
前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板と前記第2基板との貼り合わせ面から前記光学部材までを共に前記レーザー光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザー光は、フェムト秒レーザーであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザー光照射工程は、前記貼り合わせ面から前記貼り合わせ面とは反対の方向に向かって前記レーザー光の焦点位置を変えながら前記改質層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項7】
請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザー光照射工程は、前記第1大型基板又は前記第2大型基板に照射するレーザー光のエネルギーと比較して、前記光学部材へ照射するレーザー光のエネルギーを小さくすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【公開番号】特開2011−180405(P2011−180405A)
【公開日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−44995(P2010−44995)
【出願日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
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