電気光学装置及び電子機器
【課題】配向状態が乱れたディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置、及び当該表示装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】表示領域に配置された第１の画素電極と、非表示領域に配置されたダミー画素電極と、第１の画素電極とダミー画素電極との間に配置された第2の画素電極と、遮光部材とを備え、第２の画素電極のサイズを大きくし、非表示領域側にはみ出させる。ダミー画素電極からの横電界に起因する配向状態が乱れたディスクリネーションを、非表示領域側にはみ出した第２の画素電極上に発生させ、非表示領域に形成した遮光部材と平面的に重ね合わせ、遮光部材によってディスクリネーションを隠すことによって、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置が提供される。
【解決手段】表示領域に配置された第１の画素電極と、非表示領域に配置されたダミー画素電極と、第１の画素電極とダミー画素電極との間に配置された第2の画素電極と、遮光部材とを備え、第２の画素電極のサイズを大きくし、非表示領域側にはみ出させる。ダミー画素電極からの横電界に起因する配向状態が乱れたディスクリネーションを、非表示領域側にはみ出した第２の画素電極上に発生させ、非表示領域に形成した遮光部材と平面的に重ね合わせ、遮光部材によってディスクリネーションを隠すことによって、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置が提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例としての液晶表示装置は、アクティブ画素がマトリクス状に配置された表示領域を有している。表示領域の最外周に配置されたアクティブ画素（以降、最外周アクティブ画素と称す）は、走査の始点（立ち上がり）又は終点（立ち下がり）となり、ノイズやタイミングずれなどの影響を受けやすく、表示領域の中央付近に配置されたアクティブ画素と同等の信号が供給されない場合がある。さらに、最外周アクティブ画素は、製造過程で発生する静電気などの影響を受けやすい傾向にある。
【０００３】
このために、表示領域の周囲にアクティブ画素と略同様な設計のダミー画素を配置し、ダミー画素によってアクティブ画素が保護された構成が知られている。ダミー画素を有する液晶表示装置では、ダミー画素の画素電極と最外周アクティブ画素の画素電極との間の電位差によって横電界が生じ、最外周アクティブ画素の画素電極に、部分的に液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生し、表示上の不具合となるために、特許文献１ではダミー画素の駆動方法を最適化する提案がされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２４１７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の液晶表示装置では、最外周アクティブ画素において、依然として表示上の不具合が発生してしまうという課題があった。詳しくは、表示領域のアクティブ画素の電位は一定でなく、映像信号によって常に変化しているために、ダミー画素との電位差を完全に無くすことは困難であり、アクティブ画素の画素電極とダミー画素の画素電極との間で横電界が発生してしまう。当該横電界によって、最外周アクティブ画素の画素電極に、部分的に液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生し、光漏れなどの表示上の不具合となってしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る表示装置は、表示領域に配置された第１の画素電極と、非表示領域に配置されたダミー画素電極と、第１の画素電極とダミー画素電極との間に配置された第２の画素電極と、遮光部材とを備え、第２の画素電極は第１の画素電極のサイズとは異なるサイズを有し、第２の画素電極のうち、ダミー画素電極と隣り合う領域は、遮光部材と平面的に重なるように配置されていることを特徴とする。
【０００８】
上記適用例によれば、ダミー画素電極と第２の画素電極との電位差に基づく横電界によって、第２の画素電極のうち、ダミー画素電極と隣り合う側で発生する液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーション領域を遮光部材で隠すことができる。さらに、第２の画素電極を第１の画素電極より大きなサイズとし、遮光部材で隠されていない第２の画素電極の光変調領域のサイズと第１の画素電極の光変調領域のサイズとを略同じにすることによって、第２の画素電極と第１の画素電極とを略同じ電気光学特性にすることができる。
従って、ダミー画素電極からの横電界で発生するディスクリネーションが表示に影響しない、良好な表示品質の表示装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載の表示装置において、第２の画素電極は表示領域の最外周に配置され、第２の画素電極のサイズが第１の画素電極のサイズよりも大きいことが好ましい。
【００１０】
上記適用例によれば、表示領域の最外周部に配置された第２の画素電極の外周縁部は、隣り合うダミー画素電極などの非表示領域からの電界の影響を受け、ディスクリネーションなどの表示上の不具合が発生しやすい。第２の画素電極のサイズを第１の画素電極のサイズよりも大きくし、第２の画素電極の外周縁部を非表示領域にはみ出させ、当該はみ出し領域に上記不具合を発生させることで、上記不具合が表示領域に影響しないようにすることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の表示装置において、第１の画素電極の光変調領域のサイズと第２の画素電極の光変調領域のサイズとが、略等しいことが好ましい。
【００１２】
上記適用例によれば、第１の画素電極の光変調領域のサイズと第２の画素電極の光変調領域のサイズとは略等しいので、第１の画素電極のサイズと第２の画素電極のサイズとが異なっていても、第１の画素電極の電気光学特性と第２の画素電極の電気光学特性とを略同じにすることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の表示装置において、ダミー画素電極には、所定の電圧が印加されていることが好ましい。
【００１４】
上記適用例によれば、ダミー画素電極に所定の電圧を印加することで、ダミー画素電極と第２の画素電極との電位差で発生する横電界の電界強度を一定の範囲内に抑制できる。よって、上記横電界で第２の画素電極上に発生するディスクリネーション領域を一定の範囲内に限定し、突発的なディスクリネーション領域の広がりを抑制することができる。従って、一定の範囲に限定されたディスクリネーション領域を遮光部材で隠すことで、ディスクリネーションが表示に影響しない表示装置を、安定して提供することができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の表示装置において、ダミー画素電極と第２の画素電極との間隔が、第１の画素電極と第２の画素電極との間隔よりも広いことが好ましい。
【００１６】
上記適用例によれば、ダミー画素電極と第２の画素電極との間隔を広くすることで、ダミー画素電極と第２の画素電極との電位差によって発生する横電界の電界強度を弱くすることができる。従って、上記横電界によって、第２の画素電極のうち、ダミー画素電極と隣り合う側で発生するディスクリネーション領域を狭くすることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に記載の表示装置において、遮光部材は非表示領域に配置され、表示領域の輪郭を区画することが好ましい。
【００１８】
上記適用例に記載の表示装置は、遮光部材によって表示領域の輪郭が区画され、表示領域が規制されているので、第２の画素電極のうち表示上の不具合が発生した領域を非表示領域にはみ出させ、遮光部材で隠すことによって、上記不具合が表示領域に影響しないようにすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に記載の表示装置において、遮光部材は、第１の画素電極、第２の画素電極、及びダミー画素電極を有する素子基板に形成されている遮光材料で構成されていることが好ましい。
【００２０】
上記適用例に記載の表示装置は、素子基板に形成されている遮光材料を活用して遮光部材を形成するので、新たな工数増がなく、安価に遮光部材を形成することができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に記載の表示装置において、遮光部材は、素子基板に対向配置された対向基板に形成されている遮光材料で構成されていることが好ましい。
【００２２】
上記適用例に記載の表示装置は、対向基板に形成されている遮光材料を活用して遮光部材を形成するので、新たな工数増がなく、安価に遮光部材を形成することができる。さらに、上記適用例に記載の表示装置は、反射型表示装置に適用することが好ましい。これにより、反射型表示装置であって、対向基板に形成されている遮光材料により、ディスクリネーション領域を隠すことができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に記載の表示装置において、遮光部材は、素子基板に形成されている遮光材料と対向基板に形成されている遮光材料とで構成されていることが好ましい。
【００２４】
上記適用例に記載の表示装置は、素子基板に形成されている遮光材料と対向基板に形成されている遮光材料とを活用して遮光部材を形成するので、新たな工数増がなく、安価に遮光部材を形成することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に記載の表示装置において、素子基板と対向基板とに挟持された液晶層を有し、複数の第２画素電極のうち、液晶層の液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列された第２画素電極とダミー画素電極との間隔と、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列された第２画素電極とダミー画素電極との間隔とが異なることが好ましい。
【００２６】
上記適用例に記載の表示装置は、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列された第２の画素電極で発生する、当初規定されたプレチルトの方位と逆方位側に液晶分子の配向状態が乱れたリバースチルトディスクリネーション領域が、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列された第２画素電極で発生する、プレチルトの方位と順方位側に液晶分子の配向が乱れたディスクリネーション領域よりも広いという不具合を、上記リバースチルトディスクリネーションが発生する側の第２画素電極とダミー画素電極との間隔を、上記ディスクリネーションが発生する側の第２画素電極とダミー画素電極との間隔よりも大きくし、上記リバースチルトディスクリネーションが発生する側の横電界の電界強度を弱めることによって、解消することができる。
【００２７】
［適用例１１］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の表示装置を備えていることを特徴とする。
【００２８】
本適用例によれば、上記適用例に記載の表示装置を備えているので、高品位な表示機能を有する、例えば、プロジェクター、リアプロジェクション型テレビ、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）実施形態１に係る表示装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のｊ−ｊ線に沿った断面図。
【図２】（ａ）表示装置の画素レイアウト図、（ｂ）画素の等価回路図。
【図３】図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図。
【図４】図３におけるｍ−ｍ線に沿った断面図。
【図５】第１の遮光材料に関する、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図。
【図６】第２の遮光材料に関する、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図。
【図７】第１の遮光材料と第２の遮光材料とで構成した遮光部材に関する、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図。
【図８】図２（ａ）におけるＫ部及びＬ部の光学特性。
【図９】電子機器としてのプロジェクターの構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部位を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部位の尺度を実際とは異ならせしめてある。
【００３１】
（実施形態１）
「表示装置の概要」
【００３２】
図１（ａ）は実施形態１に係る表示装置の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｊ−ｊ線（視）における断面である。
まず、図１を用いて、本実施形態に係る電気光学装置としての表示装置１００の全体構成について説明する。
【００３３】
表示装置１００は、素子基板１０、対向基板２０、及びこれら一対の基板に挟持された液晶層５０などを有する。
素子基板１０は、好適例として石英基板を用いている。素子基板１０は、無アルカリガラス基板、シリコン基板などを用いても良い。素子基板１０には、画像を形成するアクティブ画素Ａがマトリクス状に配置された素子領域Ｖが形成されている。
【００３４】
対向基板２０は、好適例として無アルカリガラス基板を用いている。対向基板２０は、石英基板、ガラス基板などを用いても良い。対向基板２０には、遮光膜５３、対向電極２１などが形成されている。遮光膜５３は、例えば遮光性の金属膜または金属酸化膜などからなり、表示領域Ｖの周囲に額縁形状に形成されている。対向電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。
【００３５】
素子基板１０ と対向基板２０とは、その周縁部で紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂などからなるシール材５２により接着されている。シール材５２中には、グラスファイバーや、ガラスビーズなどのギャップ材５６が散布されている。ギャップ材５６によって、素子基板１０と対向基板２０との間に所定のギャップの間隙が形成され、当該間隙に液晶層５０が封入されている。
【００３６】
液晶層５０には、好適例として誘電率異方性が負の液晶を用いている。当該液晶は、電圧が印加されていない状態で液晶分子が垂直に配向し、電圧が印加されると液晶分子が寝た状態となる垂直配向（Vertically Aligned）モードのネガ液晶であり、信号電圧がゼロの場合に黒表示となる、いわゆるノーマリーブラックモードの表示が提供される。ネガ液晶であれば、一種類の液晶でも良いし、複数種の液晶を混合したものでも良い。
なお、ネガ液晶を用いることに限定するものではなく、正の誘電率異方性の液晶からなるポジ液晶を用いても良い。液晶の動作モードも、垂直配向（Vertically Aligned）モードに限定するものではなく、ＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＩＰＳ（In−Plane Switching）モードなどを用いても良い。
【００３７】
素子基板１０の一辺側は、平面視で対向基板２０から張出しており、当該張出した領域（以降、張出領域と略す）には、データ線駆動回路６と、外部回路接続端子３４とが形成されている。さらに、シール材の内側でかつ表示領域Ｖの外側の領域には、サンプリング回路７が形成されている。張出領域と直交する２辺において、シール材の内側でかつ表示領域Ｖの外側の領域には、走査線駆動回路８が形成されている。張出領域と対向する辺において、シール材の内側でかつ表示領域Ｖの外側の領域には、２つの走査線駆動回路８を電気的に接続する複数の配線３５が形成されている。
【００３８】
サンプリング回路７と、２つの走査線駆動回路８と、及び配線３５とは、対向基板２０の額縁形状の遮光膜５３と平面的に重なっている。また、２つの走査線駆動回路８と配線３５とは、それぞれシール材５２の外側の領域に形成しても良い。
【００３９】
素子基板１０には、対向基板２０の４隅と対向する領域に、素子基板１０と対向基板２０との間の上下導通を取るための上下導通部３６が配置されている。例えば、異方性導電材料を用いて、上下導通部３６によって、各基板の配線間の電気的な導通がとられている。
なお、図１を含む各図においては、横長の長方形をなした表示領域Ｖにおける横方向をＸ軸方向、当該方向と交差する縦方向をＹ軸方向とし、さらに、Ｘ軸（＋）方向を右、Ｘ軸（−）方向を左、Ｙ軸（＋）方向を上、Ｙ軸（−）方向を下と称す。また、表示装置１００の厚さ方向で、素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ軸（＋）としている。
【００４０】
「画素レイアウト、及び回路構成」
図２（ａ）は、表示装置１００の画素レイアウト図であり、図２（ｂ）は画素の等価回路図である。
最初に画素レイアウトに関して、詳細を説明する。
図２（ａ）に示すように、表示装置１００は、表示領域Ｖ（図１参照）、非表示領域ＶＤ、走査線駆動回路８、データ線駆動回路６、サンプリング回路７などで構成されている。
表示領域Ｖは、第１のアクティブ画素Ａ１がマトリクス状に配置された第１の表示領域Ｖ１、及び、その周囲に第２のアクティブ画素Ａ２が配置された第２の表示領域Ｖ２で構成されている。ここで、第２のアクティブ画素Ａ２が最外周アクティブ画素となる。第１のアクティブ画素Ａ１と第２のアクティブ画素Ａ２とが、略同等の電気光学特性となるように、ダミー画素Ｄは、表示領域Ｖを囲んで配置されている。
【００４１】
非表示領域ＶＤには、表示領域Ｖの上下方向にそれぞれ配置された２行のダミー画素行と、表示領域Ｖの左右方向に配置された２列のダミー画素列とからなる２行２列のダミー画素Ｄが配置されている。詳しくは、非表示領域ＶＤには、第２の表示領域Ｖ２を囲んで配置された第２のダミー画素Ｄ２、及び第２のダミー画素Ｄ２を囲んで配置された第１のダミー画素Ｄ１が配置されている。なお、非表示領域ＶＤに配置されるダミー画素Ｄは、上述の２行２列の構成に限定するものではなく、第１のアクティブ画素Ａ１と第２のアクティブ画素Ａ２とを略同等の電気光学特性にするという作用効果を得るために、必要なダミー画素行及びダミー画素列にすれば良い。
【００４２】
図２（ａ）では、第１の表示領域Ｖ１に配置されている第１のアクティブ画素Ａ１が白抜きの長方形として、第２の表示領域Ｖ２に配置されている第２のアクティブ画素Ａ２がハッチングされた長方形として、及び非表示領域ＶＤに配置されている第１のダミー画素Ｄ１と第２のダミー画素Ｄ２とが黒ベタの長方形として、それぞれ示されている。
【００４３】
また、図２（ａ）の矢印Ｂは液晶層５０の液晶分子のプレチルトの方位を示している。
従って、図２（ａ）におけるＫ部は、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列されたアクティブ画素とダミー画素との境界付近の領域を示し、図２（ａ）におけるＬ部は、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列されたアクティブ画素とダミー画素との境界付近の領域を示している。
【００４４】
なお、説明の都合上、第１の表示領域Ｖ１と第２の表示領域Ｖ２とを表示領域Ｖ、第１のアクティブ画素Ａ１と第２のアクティブ画素Ａ２とをアクティブ画素Ａ、第１のダミー画素Ｄ１と第２のダミー画素Ｄ２とをダミー画素Ｄと表現する場合がある。
【００４５】
次に回路構成に関して、詳細を説明する。
図２（ｂ）に示すように、アクティブ画素Ａには、駆動素子としてのＴＦＴ３０、画素電極Ｐａ、及び蓄積容量７０がそれぞれ形成されている。ＴＦＴ３０は、電界効果型のＮ型トランジスターである。
各ＴＦＴ３０において、ゲート端子は対応する走査線８３に接続され、ソース端子は対応するデータ線６３に接続され、ドレイン端子は画素電極Ｐａ、及び蓄積容量７０の一端に接続されている。
また、ダミー画素Ｄも、上述したアクティブ画素Ａと同様の回路構成となっている。
【００４６】
ＴＦＴ３０は、走査線８３に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍによって選択されたタイミングで、データ線６３に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを対応する画素電極Ｐａに書き込む。即ち、走査線駆動回路８から各走査線８３に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍのタイミングに従って、各画素が線順次に選択される。データ線駆動回路６及びサンプリング回路７からは、走査信号による各画素の選択と同期して、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが各データ線６３に供給される。
【００４７】
詳しくは、サンプリング回路７は、連続する６本のデータ線６３に対して、データ線駆動回路６から供給されるサンプリング回路駆動信号６１のタイミングに従って、画像信号線６５における相展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を同時にサンプリングし、各データ線６３に供給する。なお、ここでは、好適例として６層の相展開駆動を行う場合について説明したが、これに限定するものではなく、定められたフレームレートで違和感なく、画像を表示できる駆動方法であれば良い。
【００４８】
なお、ダミー画素Ｄのダミー画素電極には、データ線駆動回路６及びサンプリング回路７から、所定の電圧が供給されている。本実施形態では、ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄに対して所定の電圧として、ノーマリーブラックモードでの白表示を５Ｖとした場合に、２〜４Ｖ程度の黒表示〜中間調表示に相当する信号が供給されている。
【００４９】
このようにして、画素電極Ｐａを介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。
ここで書き込まれたデータ信号の電位を保持するために、画素電極Ｐａと対向電極２１との間に形成される液晶容量に対して、電気的に並列な蓄積容量７０が形成されている。蓄積容量７０の他端は、所定の電位に設定された容量線８５に接続されている。
また、対向基板２０の対向電極２１は、対向電極信号生成回路（図示せず）に接続されており、周期的に極性が反転する対向電圧が供給され、反転駆動が行われている。反転駆動としては、ライン反転駆動や、フレーム反転駆動、ドット反転駆動などを用いることができる。
【００５０】
「アクティブ画素及びダミー画素の構成」
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）から画素電極を抜き出した平面図である。なお、詳細を後述する遮光部材５４は省略されている。各図の一点鎖線Ｃは、表示領域Ｖと非表示領域ＶＤとの境界を示し、各図に向かって左側が非表示領域ＶＤ、右側が表示領域Ｖとなる。以下、図３（ａ）と図３（ｂ）とを用いて、アクティブ画素Ａ及びダミー画素Ｄの構成について説明する。
【００５１】
最初に、図３（ａ）を用いて、アクティブ画素Ａとアクティブ画素Ｄとに共通する構成要素を説明する。
図３（ａ）に向かって左端側から順に、第１のダミー画素Ｄ１、第２のダミー画素Ｄ２、第２のアクティブ画素Ａ２、第１のアクティブ画素Ａ１が配置されている。ダミー画素Ｄとアクティブ画素Ａとは、格子状の隔壁部分によって、それぞれ矩形状に区画されている。隔壁部分には、走査線８３や、データ線６３、ＴＦＴ３０、容量電極３００（図４）、シールド層４００、などが形成されている。
【００５２】
走査線８３は、隔壁部分の最下層に形成された高融点金属からなり、Ｘ軸方向に延在し、素子基板１０側から入射する光の遮光膜も兼ねる。走査線８３は、Ｘ軸方向に隣り合う２つの画素間において、Ｙ軸方向に突出した突出部分８３ａ、８３ｂを有している。
データ線６３は、Ａｌ、高融点金属などからなり、Ｙ軸方向に延在している。データ線６３と走査線８３との公差部にはＴＦＴ３０が形成されている。
容量電極３００は、Ａｌ、高融点金属、金属シリサイドなどからなり、ＴＦＴ３０の上方に島状に形成され、蓄積容量７０の上部電極となる。容量電極３００は、対向基板２０側から入射する光の遮光膜も兼ねる。
【００５３】
シールド層４００は、Ａｌ、金属窒化膜などからなり、データ線６３及び走査線８３の一部を覆うように形成されている。シールド層４００は、データ信号を供給する為にデータ線６３と走査線８３とが電圧変動した場合に、容量結合によって画素電極Ｐａが電位変動することを抑える役割を有する。
【００５４】
次に、図３（ｂ）を用いて、アクティブ画素Ａとアクティブ画素Ｄとの相違点を説明する。
図３（ｂ）に向かって左端側から順に、第１のダミー画素電極Ｐｄ１、第２のダミー画素電極Ｐｄ２、第２の画素電極Ｐａ２、第１の画素電極Ｐａ１が配置され、それぞれＩＴＯからなる透明電極で構成される。
【００５５】
図３（ｂ）に示しているように、アクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの相違点は、以下の通りである。
（１）第２の画素電極Ｐａ２のサイズが第１の画素電極Ｐａ１のサイズより大きく、非表示領域ＶＤ側に大きくはみ出している。
（２）第２のダミー画素電極Ｐｄ２のサイズが第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズより小さい。
（３）詳細は後述するが、ダミー画素Ｄには遮光部材５４を構成する遮光材料（図５、６参照）が形成されている。
【００５６】
但し、図３（ｂ）に示している第２の画素電極Ｐａ２と第１の画素電極Ｐａ１との間隔（Ｌ１）、及び第２の画素電極Ｐａ２と第２のダミー画素電極Ｐｄ２との間隔（Ｌ２）は、略同じである。第１の画素電極Ｐａ１のサイズと第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズとは、略同じである。
【００５７】
図示を省略したが、上述した図２（ａ）のＫ部（表示領域Ｖの左端）以外に、図２（ａ）のＬ部（表示領域Ｖの右端）、表示領域Ｖの上端、及び表示領域Ｖの下端も、全て同じ構成にある。
すなわち、図２（ａ）のＬ部（表示領域Ｖの右端）においては、第２の画素電極Ｐａ２のサイズは非表示領域ＶＤ側（Ｘ軸（＋）方向）に大きくはみ出し、隣り合う第２のダミー画素Ｐｄ２のサイズは第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズより小さくなっている。表示領域Ｖの上端においても、第２の画素電極Ｐａ２のサイズは非表示領域ＶＤ側（Ｙ軸（＋）方向）に大きくはみ出し、隣り合う第２のダミー画素Ｐｄ２のサイズは第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズより小さくなっている。表示領域Ｖの下端においても、第２の画素電極Ｐａ２のサイズは非表示領域ＶＤ側（Ｙ軸（−）方向）に大きくはみ出し、隣り合う第２のダミー画素Ｐｄ２のサイズは第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズより小さくなっている。
また、第２の画素電極Ｐａ２のサイズと、第２の画素電極Ｐｄ２のサイズとは、表示領域Ｖの右端、表示領域Ｖの左端、表示領域Ｖの上端、及び表示領域Ｖの下端で略同じである。
【００５８】
なお、詳細を後述するが、非表示領域ＶＤ側にはみ出した画素電極Ｐａ上にディスクリネーションを発生させ、ディスクリネーションが表示に影響しないようにすることが目的である。このために、ディスクリネーションの発生状況に応じて、第２の画素電極Ｐａ２のサイズを変更しても良い。例えば、表示領域Ｖの上端のみにディスクリネーションが発生するのであれば、表示領域Ｖの上端の第２の画素電極Ｐａ２のサイズのみを大きくしても良い。例えば、表示領域Ｖの上端でより広範囲にディスクリネーションが発生するのであれば、第２の画素電極Ｐａ２のサイズを、表示領域Ｖの上端側でより大きくしても良い。
すなわち、本実施形態のように、第２の画素電極Ｐａ２のサイズを一様に大きくしても良いし、ディスクリネーションの発生状況に応じて、大きくする第２の画素電極Ｐａ２のサイズを部分的に変えても良い。
【００５９】
図４は、図３におけるｍ−ｍ線（視）に沿った断面図である。
続いて、図４を交えて、各部の構成を詳しく説明する。
図４に示すように、素子基板１０には、各種の構成要素が積層構造をなして形成されている。この積層構造は、下から順に、走査線８３を含む第１層、ＴＦＴ３０などを含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６３などを含む第４層、シールド層４００などを含む第５層、前述の画素電極Ｐａ、及び配向膜１６などを含む第６層からなる。また、第１層と第２層との間には絶縁膜としての下地絶縁膜１２が、第２層と第３層との間には第１層間絶縁膜４１が、第３層と第４層との間には第２層間絶縁膜４２が、第４層と第５層との間には第３層間絶縁膜４３が、第５層と第６層との間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
【００６０】
また、これらの絶縁膜１２，４１，４２，４３，４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１なども設けられている。以下、これらの各要素について、下層側から順に説明を行う。
【００６１】
まず、第１層には、好適例として、Ｍｏ（モリブデン）からなる走査線８３が形成されている。走査線８３は、モリブデンに限定するものではなく、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）などの高融点金属を用いても良い。または、これらの金属の合金や、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものであっても良い。
【００６２】
走査線８３は、平面的にＴＦＴ３０と重なるように配置されているために、素子基板１０側から入射しようとする光を遮る機能も有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発生を抑制することができ、フリッカーなどのない高品質な画像表示が可能となる。
【００６３】
走査線８３の上には、例えば、シリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などの透明な無機膜からなる絶縁膜としての下地絶縁膜１２が形成されている。この下地絶縁膜１２には、走査線８３とゲート電極３ａとを接続するコンタクトホール１２ｃｖが形成されている。
【００６４】
第２層には、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。ＴＦＴ３０は、上述したゲート電極３ａ、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。これらの構成要素は、例えばポリシリコン膜から構成されている。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極３ａと半導体層１ａとの間を絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２も備えている。
【００６５】
また、第２層には、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図３に示すように、各画素電極Ｐａの一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているため、後者が例えば導電性ポリシリコン膜などからなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜などからなる。
【００６６】
第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極Ｐａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。また、図３（ａ）に示すように、蓄積容量７０は、画素の開口率に影響を及ぼさないように、平面的に遮光領域（隔壁部分）内に収まるように形成されている。
【００６７】
また、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。なお、金属、または合金を含む単一層膜、若しくは多層膜から構成しても良い。また、下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能に加えて、画素電極ＰａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を有している。この中継接続は、後述するように、前記中継電極７１９を介して行われている。
また、容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００は、これを固定電位とするために、固定電位とされたシールド層４００と電気的に接続されている。
【００６８】
容量電極３００は、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライドこれらを積層したものからなり、素子基板１０上において、各画素に対応して島状に形成されている。容量電極３００は、対向基板２０側からＴＦＴ３０に入射しようとする光を遮る遮光膜となる。
【００６９】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度のＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜などの酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜などから構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほど良い。また、この誘電体膜７５は、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂからなる２層構造となっている。
【００７０】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ、及び中継電極７１９の上には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７１】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８００が開孔されている。
また、第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。
さらに、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００７２】
第１層間絶縁膜４１の上、すなわち上記第３層と後述する第４層との間には、例えば、酸化シリコン膜などからなる第２層間絶縁膜４２が形成されている。
第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１が開孔されているとともに、シールド層用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が開孔されている。
【００７３】
第４層には、データ線６３が設けられている。データ線６３は、下層より順に、チタンと窒化チタンとがこの順に積層された複合チタン層４１ＴＮ、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４０１が積層されてなる。窒化チタン層４０１は、その下層のアルミニウム層４１Ａと複合チタン層４１ＴＮを覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。データ線６３は、コンタクトホール８１を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００７４】
第４層には、データ線６３と同一膜として、シールド層用中継層６ａ１、及び第２中継電極６ａ２が形成されている。詳しくは、図３に示すように、平面的に見ると、走査線８３の幹線部上に、略四辺形状を有するシールド層用中継層６ａ１と、その右側にシールド層用中継層６ａ１よりも若干大きめの略四辺形状の第２中継電極６ａ２とが形成されている。シールド層用中継層６ａ１と第２中継電極６ａ２とは、データ線６３と同様な材質から構成されている。
【００７５】
第５層には、シールド層４００が、図３に示すように、Ｙ軸方向にデータ線６３に沿って（重ねて）延在している。また、図３には示されていないが、シールド層４００はＸ軸方向においても、走査線８３の上方にも形成されている。
【００７６】
このシールド層４００は、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、定電位源としては、データ線駆動回路６に供給される正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも良い。このように、データ線６３を覆うように形成され、固定電位とされたシールド層４００によって、データ線６３と画素電極Ｐａとの間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。
【００７７】
また、第５層には、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極Ｐａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これらシールド層４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。また、シールド層４００と第３中継電極４０２とは、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の２層構造を有している。また、第３中継電極４０２において、下層のアルミニウムからなる層は、第２中継電極６ａ２と接続され、上層の窒化チタンからなる層は、ＩＴＯなどからなる画素電極Ｐａと接続されるようになっている。
シールド層４００、及び第３中継電極４０２は、光反射性能に優れたアルミニウムを含み、かつ、光吸収性能に優れた窒化チタンを含むことから、遮光膜としても機能する。
【００７８】
シールド層４００と容量電極３００とは、対向基板２０側からＴＦＴ３０に入射しようとする光を遮る遮光膜となる。なお、データ線６３も同様の遮光機能を有している。
データ線６３の上には、酸化シリコン膜などからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００７９】
第６層には、上述したように画素電極Ｐａがマトリクス状に形成され、該画素電極Ｐａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極Ｐａ下には、酸化シリコン膜などからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極Ｐａと第３中継電極４０２との間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。
【００８０】
他方、対向基板２０上には、遮光膜５３（図１（ｂ）参照）、対向電極２１、配向膜２２などが形成されている。
配向膜１６、２２は、蒸着法、スパッタ法などの物理気相成長法によって、斜め方向から蒸着させ、形成された無機配向膜であり、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＭｇＦ2などからなる。無機配向膜は、ポリイミドなどの有機配向膜と比べて、耐光性や耐熱性に優れるという特徴を有している。なお、配向膜１６、２２には有機材料を使用しても良い。
素子基板１０と対向基板２０との間隙には、液晶層５０が封入されている。
【００８１】
「遮光部材の構成」
次に、非表示領域ＶＤに形成されている遮光部材５４の構成を説明する。
図５〜７は、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図である。図５は第１の遮光材料５４ａの平面図、図６は第２の遮光材料５４ｂの平面図、及び図７は、第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂとで構成される遮光部材５４の平面図である。各図の一点鎖線Ｃは、表示領域Ｖと非表示領域ＶＤとの境界を示し、各図に向かって左側が非表示領域ＶＤ、右側が表示領域Ｖとなる。
以下、図５〜７を用いて、遮光部材５４の構成を詳細に説明する。
【００８２】
図５に示すように、第１の遮光材料５４ａは走査線８３と同層に形成され、Ｍｏなどの高融点金属膜からなる。図５の黒ドット領域が第１の遮光材料５４ａであり、ハッチング領域が走査線８３である。なお、非表示領域ＶＤに形成されている走査線８３は、遮光部材５４の構成要素の一部となる。
図６に示すように、第２の遮光材料５４ｂは、シールド層４００、第３中継電極４０２と同層に形成され、下層がアルミニウムで上層が窒化チタンの２層構造からなる。図６の黒ドット領域が第２の遮光材料５４ｂであり、ハッチング領域がシールド層４００及び第３中継電極４０２である。なお、非表示領域ＶＤに形成されているシールド層４００は遮光材料５４ｂに含まれており、第３中継電極４０２は、遮光部材５４の構成要素の一部となる。
【００８３】
図７は、上述した第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂとを平面的に重ね合わせた平面図である。図７の黒ドット領域は、第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂとによって、非表示領域ＶＤに形成された遮光部材５４である。図７のハッチング領域は、走査線８３、シールド層４００、及び第３中継電極４０２によって、表示領域Ｖに形成されたブラックマトリクス部材ＢＭである。図７の白領域は、光を変調する変調領域（開口領域）である。また、図７の点線は画素電極Ｐａとダミー画素電極Ｐｄとを示し、左端側から順に、第１のダミー画素電極Ｐｄ１、第２のダミー画素電極Ｐｄ２、第２の画素電極Ｐａ２、第１の画素電極Ｐａ１である。
【００８４】
表示領域Ｖの輪郭（図７の一点鎖線Ｃ）は、遮光部材５４によって区画されている。第２の画素電極Ｐａ２のうち、非表示領域ＶＤ側にはみ出した領域は、遮光部材５４と平面的に重なっている。第２の画素電極Ｐａ２及び第１の画素電極Ｐａ１には、遮光部材５４及びブラックマトリクス部材ＢＭによって、光を変調する領域（開口領域）が形成されている。第１の画素電極Ｐａ１と第２の画素電極Ｐａ２とでは、上記光変調領域のサイズは略同じである。この為に、第１の画素電極Ｐａ１と第２の画素電極Ｐａ２とでは、略同じ電気光学特性となる。詳しくは、第１の画素電極Ｐａ１のサイズと第２の画素電極サイズとは異なるが、第１の画素電極Ｐａ１の光変調領域のサイズと第２の画素電極Ｐａ２の光変調領域のサイズとが略同じであるので、仮に同じ映像信号を印加した場合に両画素電極で輝度が異なるという不具合は発生しなく、同じ輝度の画像が提供される。
【００８５】
第２のダミー画素電極Ｐｄ２と第２の画素電極Ｐａ２との電位差に起因する横電界によって、第２の画素電極Ｐａ２のうち、第２のダミー画素電極Ｐｄ２に隣り合う側で、液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生する。第２の画素電極Ｐａ２で発生したディスクリネーション領域は、遮光部材５４と平面的に重なっているので、ディスクリネーションが表示に影響することはない。
【００８６】
対向基板２０で表示領域Ｖの周囲に額縁形状に形成されている遮光膜５３（図１参照）は、遮光部材５４を構成する第３の遮光材料となる。対向基板２０と素子基板１０との貼り合せ位置を機械的に調整している為に、最大数μｍ程度の貼り合せ位置の変動（誤差）が生じる。当該貼り合わせ位置の変動によって、第２の画素電極Ｐａ２の光変調領域のサイズ（表示領域Ｖの輪郭）が変化しないようにする為に、対向基板２０の遮光膜５３は、表示領域Ｖの輪郭より数μｍ以上非表示領域ＶＤ側に離間した位置に形成されている。また、対向基板２０の遮光膜５３は、ダミー画素Ｄが形成されていない領域にも形成され、素子基板１０のサンプリング回路７、走査線駆動回路８などと平面的に重なっている。
【００８７】
このように遮光部材５４は、素子基板１０に形成された第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂ、及び対向基板２０に形成された第３の遮光材料によって構成されている。
なお、遮光部材５４は、上記構成の遮光材料に限定されない。表示装置１００を構成する遮光材料の他の組み合わせ、例えば、上記遮光材料に対して、素子基板１０の第３層の容量電極３００の形成に使用した遮光材料を、新たに付加しても良い。例えば、上記遮光材料に対して、素子基板１０の第４層のデータ線６３形成に使用した遮光材料を、新たに付加しても良い。例えば、走査線８３の下層に、新たな遮光膜と絶縁膜とを付加し、新たな遮光材料を形成しても良い。要は、素子基板１０及び対向基板２０で形成されている遮光材料を活用し、遮光部材５４を構成すれば良い。
同様に、表示領域Ｖに形成しているブラックマトリクス部材ＢＭも、上記構成の遮光材料に限定されず、素子基板１０及び対向基板２０で形成されている遮光材料を活用して、ブラックマトリクス部材ＢＭを構成すれば良い。
【００８８】
「光学特性」
次に、表示領域Ｖと非表示領域ＶＤとの境界に配置されたアクティブ画素Ａ及びダミー画素Ｄの光学特性を説明する。
図８（ａ）は図２（ａ）のＫ部（表示領域Ｖの左端）、及び図８（ｂ）は図２（ａ）のＬ部（表示領域Ｖの右端）における光学特性を示している。詳しくは、図８（ａ）は、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列されたアクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの光学特性であり、図８（ｂ）は、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列されたアクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの光学特性である。
【００８９】
図８（ａ）と図８（ｂ）とは、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａの電位を５Ｖ（白表示）、及びダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄの電位を２Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖとした時の基準点からの距離と透過率との関係を示している。横軸は基準点からの距離であり、非表示領域ＶＤと表示領域Ｖとの境界を基準点（０）とし、アクティブ画素Ａ側を正（＋）、ダミー画素Ｄ側を負（−）としている。縦軸は透過率であり、表示装置１００の出射光の照度を入射光の照度で除した数値である。
【００９０】
なお、図８（ａ）と図８（ｂ）とは、光学特性を決定するパラメーター、すなわち、ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄの電位を固定とし、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａの電位を変化させることで求めたシミュレーション結果である。また、実際のパネルに相当するサンプル（試作品）の光学特性の測定結果と比較して、シミュレーション結果の妥当性は確認されている。
【００９１】
最初に、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列されたアクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの光学特性に関して、説明する。図８（ａ）に示されているように、基準点に近づくに従って、アクティブ画素Ａの透過率が徐々に低下している。このことは、基準点に近づくに従って、ダミー画素Ｄからの横電界によって、アクティブ画素Ａで液晶分子が寝た状態（白表示）から立った状態（黒表示）に変化するという液晶分子の配向の乱れ、即ち、ディスクリネーションが発生していることを意味している。また、基準点から概略４μｍ以上離れた位置で透過率は略一定であり、上記横電界の影響を受けず、ディスクリネーションが発生していないことが分かる。
【００９２】
実際のパネルにおいては、ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄの端部を基準点と考えて良く、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａは、ダミー画素電極Ｐｄから概略４μｍ離れた位置まで、ダミー画素電極Ｐｄからの横電界の影響を受けていることとなる。仮に、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａをダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄから４μｍ以上離間させると、アクティブ画素Ａにおいてディスクリネーションが発生しないこととなる。ところが、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａとダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄとの間隔は、通常コンマ数μｍ〜数μｍなので、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａのうちダミー画素Ｄに隣り合う側で、液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生する。
【００９３】
次に、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列されたアクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの光学特性に関して、説明する。図８（ｂ）に示されているように、基準点に近づくに従って、アクティブ画素Ａの透過率が白表示→黒表示→白表示という様に変化している。このことは、基準点に近づくに従って、ダミー画素Ｄからの横電界によって、アクティブ画素Ａにおいて、液晶層５０の液晶分子が当初規定されたプレチルトの方位と逆方位側に傾いたリバースチルトとなった、いわゆるリバースチルトディスクリネーションが発生していることを意味している。また、基準点から概略５μｍ以上離れた位置で透過率は略一定であり、上記横電界の影響を受けず、リバースチルトディスクリネーションが発生していないことが分かる。
【００９４】
仮に、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａをダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄから５μｍ以上離間させると、アクティブ画素Ａにおいてリバースチルトディスクリネーションが発生しないこととなる。上述したように、画素電極Ｐａとダミー画素電極Ｐｄとの間隔は５μｍ未満であるので、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａのうちダミー画素Ｄに隣り合う側で、リバースチルトディスクリネーションが発生する。
【００９５】
以上より、表示領域Ｖの最外周に配置されているアクティブ画素Ａは、隣り合うダミー画素Ｄからの横電界によって、ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄの端部から概略４〜５μｍの範囲内にあるアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上で、液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生していることが分かる。さらに、当初規定されたプレチルトの方位と逆方位側に液晶分子の配向状態が乱れたリバースチルトを有するディスクリネーション領域は、当初規定されたプレチルトの方位と順方位側に液晶分子の配向が乱れたディスクリネーション領域よりも概略１μｍ広くなっていることも分かる。
以上述べたように、本実施形態に係る表示装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。
【００９６】
表示領域Ｖの最外周に配置されたアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａのサイズを大きくし、非表示領域ＶＤ側にはみ出させる。非表示領域ＶＤ側にはみ出したアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上に、液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションを発生させることによって、表示領域Ｖには表示上の不具合となるディスクリネーションは存在せず、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置１００を提供することができる。
【００９７】
非表示領域ＶＤに遮光部材５４を形成し、非表示領域ＶＤ側にはみ出したアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａと遮光部材５４とが平面的に重なるようにし、遮光部材５４によって、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上で発生したディスクリネーションを隠すことができる。従って、表示領域Ｖには表示上の不具合となるディスクリネーションは存在せず、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置１００を提供することができる。
【００９８】
素子基板１０と対向基板２０とに形成されている遮光材料を活用し、工数増を招くことなく、非表示領域ＶＤに遮光部材５４を形成する。当該遮光部材５４によって、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上に発生したディスクリネーションを隠すことができる。従って、表示領域Ｖには表示上の不具合となるディスクリネーションは存在せず、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置１００を、安価に提供することができる。
【００９９】
素子基板１０と対向基板２０とに形成されている遮光材料を活用し、工数増を招くことなく、遮光部材５４とブラックマトリクス部材ＢＭとを形成する。異なるサイズの画素電極に対して、遮光部材５４及びブラックマトリクス部材ＢＭによって、略同じサイズの光変調領域（開口領域）を形成する。光変調領域のサイズが略同じなので、画素電極のサイズが異なっても、略同じ電気光学特性にすることができる。従って、画素電極のサイズが異なったことによる表示上の不具合が発生しない、優れた表示品質の表示装置１００を、安価に提供することができる。
【０１００】
ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄに所定の電圧を印加することで、ダミー画素電極Ｐｄと隣り合うアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａとの電位差で発生する横電界の電界強度を、一定の範囲内に抑制できる。その結果、当該横電界によってアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａに発生するディスクリネーション領域を一定の範囲内に限定し、突発的なディスクリネーション領域の広がりを抑制できる。よって、遮光部材５４によって当該ディスクリネーション発生領域を確実に隠すことができる。従って、表示領域Ｖには表示上の不具合となるディスクリネーションは存在せず、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置１００を、提供することができる。
【０１０１】
（電子機器）
図９は、上述した表示装置１００をライトバルブとして用いた３板式プロジェクターの構成を示す平面図である。図９を用いて、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
【０１０２】
プロジェクター２１００において、超高圧水銀ランプで構成される光源２１０２から出射された光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６及び２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに導かれ、ライトバルブに入射する。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３及び出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【０１０３】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの構成は、上述した実施形態における表示装置１００と同様であり、外部上位装置（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像データでそれぞれ駆動される。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色及びＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。ダイクロイックプリズム２１１２において合成されたカラー画像を表す光は、レンズユニット２１１４によって拡大投射され、スクリーン２１２０上にフルカラー画像が表示される。
【０１０４】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像がダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるため、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂにより形成される画像と、ライトバルブ１００Ｇにより形成される画像とが左右反転の関係になるように設定されている。
【０１０５】
また、電子機器としては、図９を参照して説明したプロジェクターの他にも、リアプロジェクション型テレビ、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、本発明に係る表示装置を適用させることができる。
【０１０６】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【０１０７】
（変形例１）
本変形例を、図３を参照しながら説明する。図３（ｂ）のＬ２は、表示領域Ｖの最外周に配置された第２の画素電極Ｐａ２と、隣り合う第２のダミー画素電極Ｐｄ２との間隔を示す。図３（ｂ）のＬ１は、表示領域Ｖの最外周に配置された第２の画素電極Ｐａ２と、隣り合う第１の画素電極Ｐａ１との間隔を示す。実施形態１ではＬ１＝Ｌ２として説明したが、Ｌ１＜Ｌ２としても良い。
【０１０８】
このようにして作成した表示装置では、第２の画素電極Ｐａ２と第２のダミー画素電極Ｐｄ２との電位差による横電界の電界強度が弱くなるので、第２の画素電極Ｐａ２上で発生する液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーション領域を狭くすることができるという効果を得ることができる。さらに、Ｌ２を概略４〜５μｍ以上とすることによって、上記横電界の影響が無くなり、第２の画素電極Ｐａ２上で発生する液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションの発生を抑制することができるという効果も得ることもできる。
【０１０９】
（変形例２）
本変形例を、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）のＫ部、即ち、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列され、リバースチルトが発生しない側の画素電極Ｐａと隣り合うダミー画素電極Ｐｄとの間隔をＬ３とし、図２（ａ）のＬ部、即ち、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列され、リバースチルトが発生する側の画素電極Ｐａと隣り合うダミー画素電極Ｐｄとの間隔をＬ４とした場合に、実施形態１ではＬ３＝Ｌ４として説明したが、Ｌ３＜Ｌ４としても良い。
【０１１０】
このようにして作成した表示装置では、リバースチルトが発生する側のダミー画素電極Ｐｄからの横電界の電界強度を、リバースチルトが発生しない側のダミー画素電極Ｐｄからの横電界の電界強度よりも弱くすることできる。その結果、リバースチルトが発生する側のディスクリネーション領域が、リバースチルトが発生しない側のディスクリネーション領域よりも広いという不具合を解消できるという効果を得ることができる。
【０１１１】
（変形例３）
実施形態１では、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上で発生したディスクリネーションを隠す遮光部材５４は、素子基板１０に形成された第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂ、及び対向基板２０に形成された第３の遮光材料（遮光膜５３）によって構成されている。遮光部材５４を、対向基板２０に形成されている遮光材料のみで構成しても良い。
【０１１２】
このようにして作成した表示装置では、画素電極Ｐａとダミー画素電極ＰｄとをＡｌ、Ａｇなどの高反射材料で構成した反射型表示装置において、素子基板１０に形成した遮光部材では隠すことができないディスクリネーションを、対向基板２０に形成した遮光部材によって隠すことができる。従って、反射型表示装置においても、優れた品質の表示を提供することができるという効果を得ることができる。
【符号の説明】
【０１１３】
１０…素子基板、２０…対向基板、５３…遮光膜、５４…遮光部材、５４ａ…第１の遮光材料、５４ｂ…第２の遮光材料、ＢＭ…ブラックマトリクス部材、Ａ…アクティブ画素、Ａ１…第１のアクティブ画素、Ａ２…第２のアクティブ画素、Ｄ…ダミー画素、Ｄ１…第１のダミー画素、Ｄ２…第２のダミー画素、Ｐａ…画素電極、Ｐａ１…第１の画素電極、Ｐａ２…第２の画素電極、Ｐｄ…ダミー画素電極、Ｐｄ１…第１のダミー画素電極、Ｐｄ２…第２のダミー画素電極、Ｃ…表示領域と非表示領域との境界、Ｖ…表示領域、ＶＤ…非表示領域、１００…表示装置。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例としての液晶表示装置は、アクティブ画素がマトリクス状に配置された表示領域を有している。表示領域の最外周に配置されたアクティブ画素（以降、最外周アクティブ画素と称す）は、走査の始点（立ち上がり）又は終点（立ち下がり）となり、ノイズやタイミングずれなどの影響を受けやすく、表示領域の中央付近に配置されたアクティブ画素と同等の信号が供給されない場合がある。さらに、最外周アクティブ画素は、製造過程で発生する静電気などの影響を受けやすい傾向にある。
【０００３】
このために、表示領域の周囲にアクティブ画素と略同様な設計のダミー画素を配置し、ダミー画素によってアクティブ画素が保護された構成が知られている。ダミー画素を有する液晶表示装置では、ダミー画素の画素電極と最外周アクティブ画素の画素電極との間の電位差によって横電界が生じ、最外周アクティブ画素の画素電極に、部分的に液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生し、表示上の不具合となるために、特許文献１ではダミー画素の駆動方法を最適化する提案がされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２４１７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の液晶表示装置では、最外周アクティブ画素において、依然として表示上の不具合が発生してしまうという課題があった。詳しくは、表示領域のアクティブ画素の電位は一定でなく、映像信号によって常に変化しているために、ダミー画素との電位差を完全に無くすことは困難であり、アクティブ画素の画素電極とダミー画素の画素電極との間で横電界が発生してしまう。当該横電界によって、最外周アクティブ画素の画素電極に、部分的に液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生し、光漏れなどの表示上の不具合となってしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る表示装置は、表示領域に配置された第１の画素電極と、非表示領域に配置されたダミー画素電極と、第１の画素電極とダミー画素電極との間に配置された第２の画素電極と、遮光部材とを備え、第２の画素電極は第１の画素電極のサイズとは異なるサイズを有し、第２の画素電極のうち、ダミー画素電極と隣り合う領域は、遮光部材と平面的に重なるように配置されていることを特徴とする。
【０００８】
上記適用例によれば、ダミー画素電極と第２の画素電極との電位差に基づく横電界によって、第２の画素電極のうち、ダミー画素電極と隣り合う側で発生する液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーション領域を遮光部材で隠すことができる。さらに、第２の画素電極を第１の画素電極より大きなサイズとし、遮光部材で隠されていない第２の画素電極の光変調領域のサイズと第１の画素電極の光変調領域のサイズとを略同じにすることによって、第２の画素電極と第１の画素電極とを略同じ電気光学特性にすることができる。
従って、ダミー画素電極からの横電界で発生するディスクリネーションが表示に影響しない、良好な表示品質の表示装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載の表示装置において、第２の画素電極は表示領域の最外周に配置され、第２の画素電極のサイズが第１の画素電極のサイズよりも大きいことが好ましい。
【００１０】
上記適用例によれば、表示領域の最外周部に配置された第２の画素電極の外周縁部は、隣り合うダミー画素電極などの非表示領域からの電界の影響を受け、ディスクリネーションなどの表示上の不具合が発生しやすい。第２の画素電極のサイズを第１の画素電極のサイズよりも大きくし、第２の画素電極の外周縁部を非表示領域にはみ出させ、当該はみ出し領域に上記不具合を発生させることで、上記不具合が表示領域に影響しないようにすることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の表示装置において、第１の画素電極の光変調領域のサイズと第２の画素電極の光変調領域のサイズとが、略等しいことが好ましい。
【００１２】
上記適用例によれば、第１の画素電極の光変調領域のサイズと第２の画素電極の光変調領域のサイズとは略等しいので、第１の画素電極のサイズと第２の画素電極のサイズとが異なっていても、第１の画素電極の電気光学特性と第２の画素電極の電気光学特性とを略同じにすることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の表示装置において、ダミー画素電極には、所定の電圧が印加されていることが好ましい。
【００１４】
上記適用例によれば、ダミー画素電極に所定の電圧を印加することで、ダミー画素電極と第２の画素電極との電位差で発生する横電界の電界強度を一定の範囲内に抑制できる。よって、上記横電界で第２の画素電極上に発生するディスクリネーション領域を一定の範囲内に限定し、突発的なディスクリネーション領域の広がりを抑制することができる。従って、一定の範囲に限定されたディスクリネーション領域を遮光部材で隠すことで、ディスクリネーションが表示に影響しない表示装置を、安定して提供することができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の表示装置において、ダミー画素電極と第２の画素電極との間隔が、第１の画素電極と第２の画素電極との間隔よりも広いことが好ましい。
【００１６】
上記適用例によれば、ダミー画素電極と第２の画素電極との間隔を広くすることで、ダミー画素電極と第２の画素電極との電位差によって発生する横電界の電界強度を弱くすることができる。従って、上記横電界によって、第２の画素電極のうち、ダミー画素電極と隣り合う側で発生するディスクリネーション領域を狭くすることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に記載の表示装置において、遮光部材は非表示領域に配置され、表示領域の輪郭を区画することが好ましい。
【００１８】
上記適用例に記載の表示装置は、遮光部材によって表示領域の輪郭が区画され、表示領域が規制されているので、第２の画素電極のうち表示上の不具合が発生した領域を非表示領域にはみ出させ、遮光部材で隠すことによって、上記不具合が表示領域に影響しないようにすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に記載の表示装置において、遮光部材は、第１の画素電極、第２の画素電極、及びダミー画素電極を有する素子基板に形成されている遮光材料で構成されていることが好ましい。
【００２０】
上記適用例に記載の表示装置は、素子基板に形成されている遮光材料を活用して遮光部材を形成するので、新たな工数増がなく、安価に遮光部材を形成することができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に記載の表示装置において、遮光部材は、素子基板に対向配置された対向基板に形成されている遮光材料で構成されていることが好ましい。
【００２２】
上記適用例に記載の表示装置は、対向基板に形成されている遮光材料を活用して遮光部材を形成するので、新たな工数増がなく、安価に遮光部材を形成することができる。さらに、上記適用例に記載の表示装置は、反射型表示装置に適用することが好ましい。これにより、反射型表示装置であって、対向基板に形成されている遮光材料により、ディスクリネーション領域を隠すことができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に記載の表示装置において、遮光部材は、素子基板に形成されている遮光材料と対向基板に形成されている遮光材料とで構成されていることが好ましい。
【００２４】
上記適用例に記載の表示装置は、素子基板に形成されている遮光材料と対向基板に形成されている遮光材料とを活用して遮光部材を形成するので、新たな工数増がなく、安価に遮光部材を形成することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に記載の表示装置において、素子基板と対向基板とに挟持された液晶層を有し、複数の第２画素電極のうち、液晶層の液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列された第２画素電極とダミー画素電極との間隔と、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列された第２画素電極とダミー画素電極との間隔とが異なることが好ましい。
【００２６】
上記適用例に記載の表示装置は、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列された第２の画素電極で発生する、当初規定されたプレチルトの方位と逆方位側に液晶分子の配向状態が乱れたリバースチルトディスクリネーション領域が、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列された第２画素電極で発生する、プレチルトの方位と順方位側に液晶分子の配向が乱れたディスクリネーション領域よりも広いという不具合を、上記リバースチルトディスクリネーションが発生する側の第２画素電極とダミー画素電極との間隔を、上記ディスクリネーションが発生する側の第２画素電極とダミー画素電極との間隔よりも大きくし、上記リバースチルトディスクリネーションが発生する側の横電界の電界強度を弱めることによって、解消することができる。
【００２７】
［適用例１１］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の表示装置を備えていることを特徴とする。
【００２８】
本適用例によれば、上記適用例に記載の表示装置を備えているので、高品位な表示機能を有する、例えば、プロジェクター、リアプロジェクション型テレビ、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）実施形態１に係る表示装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のｊ−ｊ線に沿った断面図。
【図２】（ａ）表示装置の画素レイアウト図、（ｂ）画素の等価回路図。
【図３】図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図。
【図４】図３におけるｍ−ｍ線に沿った断面図。
【図５】第１の遮光材料に関する、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図。
【図６】第２の遮光材料に関する、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図。
【図７】第１の遮光材料と第２の遮光材料とで構成した遮光部材に関する、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図。
【図８】図２（ａ）におけるＫ部及びＬ部の光学特性。
【図９】電子機器としてのプロジェクターの構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部位を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部位の尺度を実際とは異ならせしめてある。
【００３１】
（実施形態１）
「表示装置の概要」
【００３２】
図１（ａ）は実施形態１に係る表示装置の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のｊ−ｊ線（視）における断面である。
まず、図１を用いて、本実施形態に係る電気光学装置としての表示装置１００の全体構成について説明する。
【００３３】
表示装置１００は、素子基板１０、対向基板２０、及びこれら一対の基板に挟持された液晶層５０などを有する。
素子基板１０は、好適例として石英基板を用いている。素子基板１０は、無アルカリガラス基板、シリコン基板などを用いても良い。素子基板１０には、画像を形成するアクティブ画素Ａがマトリクス状に配置された素子領域Ｖが形成されている。
【００３４】
対向基板２０は、好適例として無アルカリガラス基板を用いている。対向基板２０は、石英基板、ガラス基板などを用いても良い。対向基板２０には、遮光膜５３、対向電極２１などが形成されている。遮光膜５３は、例えば遮光性の金属膜または金属酸化膜などからなり、表示領域Ｖの周囲に額縁形状に形成されている。対向電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極である。
【００３５】
素子基板１０ と対向基板２０とは、その周縁部で紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂などからなるシール材５２により接着されている。シール材５２中には、グラスファイバーや、ガラスビーズなどのギャップ材５６が散布されている。ギャップ材５６によって、素子基板１０と対向基板２０との間に所定のギャップの間隙が形成され、当該間隙に液晶層５０が封入されている。
【００３６】
液晶層５０には、好適例として誘電率異方性が負の液晶を用いている。当該液晶は、電圧が印加されていない状態で液晶分子が垂直に配向し、電圧が印加されると液晶分子が寝た状態となる垂直配向（Vertically Aligned）モードのネガ液晶であり、信号電圧がゼロの場合に黒表示となる、いわゆるノーマリーブラックモードの表示が提供される。ネガ液晶であれば、一種類の液晶でも良いし、複数種の液晶を混合したものでも良い。
なお、ネガ液晶を用いることに限定するものではなく、正の誘電率異方性の液晶からなるポジ液晶を用いても良い。液晶の動作モードも、垂直配向（Vertically Aligned）モードに限定するものではなく、ＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＩＰＳ（In−Plane Switching）モードなどを用いても良い。
【００３７】
素子基板１０の一辺側は、平面視で対向基板２０から張出しており、当該張出した領域（以降、張出領域と略す）には、データ線駆動回路６と、外部回路接続端子３４とが形成されている。さらに、シール材の内側でかつ表示領域Ｖの外側の領域には、サンプリング回路７が形成されている。張出領域と直交する２辺において、シール材の内側でかつ表示領域Ｖの外側の領域には、走査線駆動回路８が形成されている。張出領域と対向する辺において、シール材の内側でかつ表示領域Ｖの外側の領域には、２つの走査線駆動回路８を電気的に接続する複数の配線３５が形成されている。
【００３８】
サンプリング回路７と、２つの走査線駆動回路８と、及び配線３５とは、対向基板２０の額縁形状の遮光膜５３と平面的に重なっている。また、２つの走査線駆動回路８と配線３５とは、それぞれシール材５２の外側の領域に形成しても良い。
【００３９】
素子基板１０には、対向基板２０の４隅と対向する領域に、素子基板１０と対向基板２０との間の上下導通を取るための上下導通部３６が配置されている。例えば、異方性導電材料を用いて、上下導通部３６によって、各基板の配線間の電気的な導通がとられている。
なお、図１を含む各図においては、横長の長方形をなした表示領域Ｖにおける横方向をＸ軸方向、当該方向と交差する縦方向をＹ軸方向とし、さらに、Ｘ軸（＋）方向を右、Ｘ軸（−）方向を左、Ｙ軸（＋）方向を上、Ｙ軸（−）方向を下と称す。また、表示装置１００の厚さ方向で、素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ軸（＋）としている。
【００４０】
「画素レイアウト、及び回路構成」
図２（ａ）は、表示装置１００の画素レイアウト図であり、図２（ｂ）は画素の等価回路図である。
最初に画素レイアウトに関して、詳細を説明する。
図２（ａ）に示すように、表示装置１００は、表示領域Ｖ（図１参照）、非表示領域ＶＤ、走査線駆動回路８、データ線駆動回路６、サンプリング回路７などで構成されている。
表示領域Ｖは、第１のアクティブ画素Ａ１がマトリクス状に配置された第１の表示領域Ｖ１、及び、その周囲に第２のアクティブ画素Ａ２が配置された第２の表示領域Ｖ２で構成されている。ここで、第２のアクティブ画素Ａ２が最外周アクティブ画素となる。第１のアクティブ画素Ａ１と第２のアクティブ画素Ａ２とが、略同等の電気光学特性となるように、ダミー画素Ｄは、表示領域Ｖを囲んで配置されている。
【００４１】
非表示領域ＶＤには、表示領域Ｖの上下方向にそれぞれ配置された２行のダミー画素行と、表示領域Ｖの左右方向に配置された２列のダミー画素列とからなる２行２列のダミー画素Ｄが配置されている。詳しくは、非表示領域ＶＤには、第２の表示領域Ｖ２を囲んで配置された第２のダミー画素Ｄ２、及び第２のダミー画素Ｄ２を囲んで配置された第１のダミー画素Ｄ１が配置されている。なお、非表示領域ＶＤに配置されるダミー画素Ｄは、上述の２行２列の構成に限定するものではなく、第１のアクティブ画素Ａ１と第２のアクティブ画素Ａ２とを略同等の電気光学特性にするという作用効果を得るために、必要なダミー画素行及びダミー画素列にすれば良い。
【００４２】
図２（ａ）では、第１の表示領域Ｖ１に配置されている第１のアクティブ画素Ａ１が白抜きの長方形として、第２の表示領域Ｖ２に配置されている第２のアクティブ画素Ａ２がハッチングされた長方形として、及び非表示領域ＶＤに配置されている第１のダミー画素Ｄ１と第２のダミー画素Ｄ２とが黒ベタの長方形として、それぞれ示されている。
【００４３】
また、図２（ａ）の矢印Ｂは液晶層５０の液晶分子のプレチルトの方位を示している。
従って、図２（ａ）におけるＫ部は、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列されたアクティブ画素とダミー画素との境界付近の領域を示し、図２（ａ）におけるＬ部は、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列されたアクティブ画素とダミー画素との境界付近の領域を示している。
【００４４】
なお、説明の都合上、第１の表示領域Ｖ１と第２の表示領域Ｖ２とを表示領域Ｖ、第１のアクティブ画素Ａ１と第２のアクティブ画素Ａ２とをアクティブ画素Ａ、第１のダミー画素Ｄ１と第２のダミー画素Ｄ２とをダミー画素Ｄと表現する場合がある。
【００４５】
次に回路構成に関して、詳細を説明する。
図２（ｂ）に示すように、アクティブ画素Ａには、駆動素子としてのＴＦＴ３０、画素電極Ｐａ、及び蓄積容量７０がそれぞれ形成されている。ＴＦＴ３０は、電界効果型のＮ型トランジスターである。
各ＴＦＴ３０において、ゲート端子は対応する走査線８３に接続され、ソース端子は対応するデータ線６３に接続され、ドレイン端子は画素電極Ｐａ、及び蓄積容量７０の一端に接続されている。
また、ダミー画素Ｄも、上述したアクティブ画素Ａと同様の回路構成となっている。
【００４６】
ＴＦＴ３０は、走査線８３に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍによって選択されたタイミングで、データ線６３に供給されるデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを対応する画素電極Ｐａに書き込む。即ち、走査線駆動回路８から各走査線８３に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍのタイミングに従って、各画素が線順次に選択される。データ線駆動回路６及びサンプリング回路７からは、走査信号による各画素の選択と同期して、データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが各データ線６３に供給される。
【００４７】
詳しくは、サンプリング回路７は、連続する６本のデータ線６３に対して、データ線駆動回路６から供給されるサンプリング回路駆動信号６１のタイミングに従って、画像信号線６５における相展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を同時にサンプリングし、各データ線６３に供給する。なお、ここでは、好適例として６層の相展開駆動を行う場合について説明したが、これに限定するものではなく、定められたフレームレートで違和感なく、画像を表示できる駆動方法であれば良い。
【００４８】
なお、ダミー画素Ｄのダミー画素電極には、データ線駆動回路６及びサンプリング回路７から、所定の電圧が供給されている。本実施形態では、ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄに対して所定の電圧として、ノーマリーブラックモードでの白表示を５Ｖとした場合に、２〜４Ｖ程度の黒表示〜中間調表示に相当する信号が供給されている。
【００４９】
このようにして、画素電極Ｐａを介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。
ここで書き込まれたデータ信号の電位を保持するために、画素電極Ｐａと対向電極２１との間に形成される液晶容量に対して、電気的に並列な蓄積容量７０が形成されている。蓄積容量７０の他端は、所定の電位に設定された容量線８５に接続されている。
また、対向基板２０の対向電極２１は、対向電極信号生成回路（図示せず）に接続されており、周期的に極性が反転する対向電圧が供給され、反転駆動が行われている。反転駆動としては、ライン反転駆動や、フレーム反転駆動、ドット反転駆動などを用いることができる。
【００５０】
「アクティブ画素及びダミー画素の構成」
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）から画素電極を抜き出した平面図である。なお、詳細を後述する遮光部材５４は省略されている。各図の一点鎖線Ｃは、表示領域Ｖと非表示領域ＶＤとの境界を示し、各図に向かって左側が非表示領域ＶＤ、右側が表示領域Ｖとなる。以下、図３（ａ）と図３（ｂ）とを用いて、アクティブ画素Ａ及びダミー画素Ｄの構成について説明する。
【００５１】
最初に、図３（ａ）を用いて、アクティブ画素Ａとアクティブ画素Ｄとに共通する構成要素を説明する。
図３（ａ）に向かって左端側から順に、第１のダミー画素Ｄ１、第２のダミー画素Ｄ２、第２のアクティブ画素Ａ２、第１のアクティブ画素Ａ１が配置されている。ダミー画素Ｄとアクティブ画素Ａとは、格子状の隔壁部分によって、それぞれ矩形状に区画されている。隔壁部分には、走査線８３や、データ線６３、ＴＦＴ３０、容量電極３００（図４）、シールド層４００、などが形成されている。
【００５２】
走査線８３は、隔壁部分の最下層に形成された高融点金属からなり、Ｘ軸方向に延在し、素子基板１０側から入射する光の遮光膜も兼ねる。走査線８３は、Ｘ軸方向に隣り合う２つの画素間において、Ｙ軸方向に突出した突出部分８３ａ、８３ｂを有している。
データ線６３は、Ａｌ、高融点金属などからなり、Ｙ軸方向に延在している。データ線６３と走査線８３との公差部にはＴＦＴ３０が形成されている。
容量電極３００は、Ａｌ、高融点金属、金属シリサイドなどからなり、ＴＦＴ３０の上方に島状に形成され、蓄積容量７０の上部電極となる。容量電極３００は、対向基板２０側から入射する光の遮光膜も兼ねる。
【００５３】
シールド層４００は、Ａｌ、金属窒化膜などからなり、データ線６３及び走査線８３の一部を覆うように形成されている。シールド層４００は、データ信号を供給する為にデータ線６３と走査線８３とが電圧変動した場合に、容量結合によって画素電極Ｐａが電位変動することを抑える役割を有する。
【００５４】
次に、図３（ｂ）を用いて、アクティブ画素Ａとアクティブ画素Ｄとの相違点を説明する。
図３（ｂ）に向かって左端側から順に、第１のダミー画素電極Ｐｄ１、第２のダミー画素電極Ｐｄ２、第２の画素電極Ｐａ２、第１の画素電極Ｐａ１が配置され、それぞれＩＴＯからなる透明電極で構成される。
【００５５】
図３（ｂ）に示しているように、アクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの相違点は、以下の通りである。
（１）第２の画素電極Ｐａ２のサイズが第１の画素電極Ｐａ１のサイズより大きく、非表示領域ＶＤ側に大きくはみ出している。
（２）第２のダミー画素電極Ｐｄ２のサイズが第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズより小さい。
（３）詳細は後述するが、ダミー画素Ｄには遮光部材５４を構成する遮光材料（図５、６参照）が形成されている。
【００５６】
但し、図３（ｂ）に示している第２の画素電極Ｐａ２と第１の画素電極Ｐａ１との間隔（Ｌ１）、及び第２の画素電極Ｐａ２と第２のダミー画素電極Ｐｄ２との間隔（Ｌ２）は、略同じである。第１の画素電極Ｐａ１のサイズと第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズとは、略同じである。
【００５７】
図示を省略したが、上述した図２（ａ）のＫ部（表示領域Ｖの左端）以外に、図２（ａ）のＬ部（表示領域Ｖの右端）、表示領域Ｖの上端、及び表示領域Ｖの下端も、全て同じ構成にある。
すなわち、図２（ａ）のＬ部（表示領域Ｖの右端）においては、第２の画素電極Ｐａ２のサイズは非表示領域ＶＤ側（Ｘ軸（＋）方向）に大きくはみ出し、隣り合う第２のダミー画素Ｐｄ２のサイズは第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズより小さくなっている。表示領域Ｖの上端においても、第２の画素電極Ｐａ２のサイズは非表示領域ＶＤ側（Ｙ軸（＋）方向）に大きくはみ出し、隣り合う第２のダミー画素Ｐｄ２のサイズは第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズより小さくなっている。表示領域Ｖの下端においても、第２の画素電極Ｐａ２のサイズは非表示領域ＶＤ側（Ｙ軸（−）方向）に大きくはみ出し、隣り合う第２のダミー画素Ｐｄ２のサイズは第１のダミー画素電極Ｐｄ１のサイズより小さくなっている。
また、第２の画素電極Ｐａ２のサイズと、第２の画素電極Ｐｄ２のサイズとは、表示領域Ｖの右端、表示領域Ｖの左端、表示領域Ｖの上端、及び表示領域Ｖの下端で略同じである。
【００５８】
なお、詳細を後述するが、非表示領域ＶＤ側にはみ出した画素電極Ｐａ上にディスクリネーションを発生させ、ディスクリネーションが表示に影響しないようにすることが目的である。このために、ディスクリネーションの発生状況に応じて、第２の画素電極Ｐａ２のサイズを変更しても良い。例えば、表示領域Ｖの上端のみにディスクリネーションが発生するのであれば、表示領域Ｖの上端の第２の画素電極Ｐａ２のサイズのみを大きくしても良い。例えば、表示領域Ｖの上端でより広範囲にディスクリネーションが発生するのであれば、第２の画素電極Ｐａ２のサイズを、表示領域Ｖの上端側でより大きくしても良い。
すなわち、本実施形態のように、第２の画素電極Ｐａ２のサイズを一様に大きくしても良いし、ディスクリネーションの発生状況に応じて、大きくする第２の画素電極Ｐａ２のサイズを部分的に変えても良い。
【００５９】
図４は、図３におけるｍ−ｍ線（視）に沿った断面図である。
続いて、図４を交えて、各部の構成を詳しく説明する。
図４に示すように、素子基板１０には、各種の構成要素が積層構造をなして形成されている。この積層構造は、下から順に、走査線８３を含む第１層、ＴＦＴ３０などを含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６３などを含む第４層、シールド層４００などを含む第５層、前述の画素電極Ｐａ、及び配向膜１６などを含む第６層からなる。また、第１層と第２層との間には絶縁膜としての下地絶縁膜１２が、第２層と第３層との間には第１層間絶縁膜４１が、第３層と第４層との間には第２層間絶縁膜４２が、第４層と第５層との間には第３層間絶縁膜４３が、第５層と第６層との間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。
【００６０】
また、これらの絶縁膜１２，４１，４２，４３，４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１なども設けられている。以下、これらの各要素について、下層側から順に説明を行う。
【００６１】
まず、第１層には、好適例として、Ｍｏ（モリブデン）からなる走査線８３が形成されている。走査線８３は、モリブデンに限定するものではなく、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）などの高融点金属を用いても良い。または、これらの金属の合金や、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものであっても良い。
【００６２】
走査線８３は、平面的にＴＦＴ３０と重なるように配置されているために、素子基板１０側から入射しようとする光を遮る機能も有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発生を抑制することができ、フリッカーなどのない高品質な画像表示が可能となる。
【００６３】
走査線８３の上には、例えば、シリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などの透明な無機膜からなる絶縁膜としての下地絶縁膜１２が形成されている。この下地絶縁膜１２には、走査線８３とゲート電極３ａとを接続するコンタクトホール１２ｃｖが形成されている。
【００６４】
第２層には、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。ＴＦＴ３０は、上述したゲート電極３ａ、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。これらの構成要素は、例えばポリシリコン膜から構成されている。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極３ａと半導体層１ａとの間を絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２も備えている。
【００６５】
また、第２層には、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図３に示すように、各画素電極Ｐａの一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているため、後者が例えば導電性ポリシリコン膜などからなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜などからなる。
【００６６】
第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極Ｐａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。また、図３（ａ）に示すように、蓄積容量７０は、画素の開口率に影響を及ぼさないように、平面的に遮光領域（隔壁部分）内に収まるように形成されている。
【００６７】
また、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。なお、金属、または合金を含む単一層膜、若しくは多層膜から構成しても良い。また、下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能に加えて、画素電極ＰａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を有している。この中継接続は、後述するように、前記中継電極７１９を介して行われている。
また、容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００は、これを固定電位とするために、固定電位とされたシールド層４００と電気的に接続されている。
【００６８】
容量電極３００は、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライドこれらを積層したものからなり、素子基板１０上において、各画素に対応して島状に形成されている。容量電極３００は、対向基板２０側からＴＦＴ３０に入射しようとする光を遮る遮光膜となる。
【００６９】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度のＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜などの酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜などから構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほど良い。また、この誘電体膜７５は、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂからなる２層構造となっている。
【００７０】
ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ、及び中継電極７１９の上には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７１】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８００が開孔されている。
また、第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。
さらに、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００７２】
第１層間絶縁膜４１の上、すなわち上記第３層と後述する第４層との間には、例えば、酸化シリコン膜などからなる第２層間絶縁膜４２が形成されている。
第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６３とを電気的に接続するコンタクトホール８１が開孔されているとともに、シールド層用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が開孔されている。
【００７３】
第４層には、データ線６３が設けられている。データ線６３は、下層より順に、チタンと窒化チタンとがこの順に積層された複合チタン層４１ＴＮ、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４０１が積層されてなる。窒化チタン層４０１は、その下層のアルミニウム層４１Ａと複合チタン層４１ＴＮを覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。データ線６３は、コンタクトホール８１を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００７４】
第４層には、データ線６３と同一膜として、シールド層用中継層６ａ１、及び第２中継電極６ａ２が形成されている。詳しくは、図３に示すように、平面的に見ると、走査線８３の幹線部上に、略四辺形状を有するシールド層用中継層６ａ１と、その右側にシールド層用中継層６ａ１よりも若干大きめの略四辺形状の第２中継電極６ａ２とが形成されている。シールド層用中継層６ａ１と第２中継電極６ａ２とは、データ線６３と同様な材質から構成されている。
【００７５】
第５層には、シールド層４００が、図３に示すように、Ｙ軸方向にデータ線６３に沿って（重ねて）延在している。また、図３には示されていないが、シールド層４００はＸ軸方向においても、走査線８３の上方にも形成されている。
【００７６】
このシールド層４００は、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、定電位源としては、データ線駆動回路６に供給される正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも良い。このように、データ線６３を覆うように形成され、固定電位とされたシールド層４００によって、データ線６３と画素電極Ｐａとの間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。
【００７７】
また、第５層には、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極Ｐａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これらシールド層４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。また、シールド層４００と第３中継電極４０２とは、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の２層構造を有している。また、第３中継電極４０２において、下層のアルミニウムからなる層は、第２中継電極６ａ２と接続され、上層の窒化チタンからなる層は、ＩＴＯなどからなる画素電極Ｐａと接続されるようになっている。
シールド層４００、及び第３中継電極４０２は、光反射性能に優れたアルミニウムを含み、かつ、光吸収性能に優れた窒化チタンを含むことから、遮光膜としても機能する。
【００７８】
シールド層４００と容量電極３００とは、対向基板２０側からＴＦＴ３０に入射しようとする光を遮る遮光膜となる。なお、データ線６３も同様の遮光機能を有している。
データ線６３の上には、酸化シリコン膜などからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００７９】
第６層には、上述したように画素電極Ｐａがマトリクス状に形成され、該画素電極Ｐａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極Ｐａ下には、酸化シリコン膜などからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極Ｐａと第３中継電極４０２との間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。
【００８０】
他方、対向基板２０上には、遮光膜５３（図１（ｂ）参照）、対向電極２１、配向膜２２などが形成されている。
配向膜１６、２２は、蒸着法、スパッタ法などの物理気相成長法によって、斜め方向から蒸着させ、形成された無機配向膜であり、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＭｇＦ2などからなる。無機配向膜は、ポリイミドなどの有機配向膜と比べて、耐光性や耐熱性に優れるという特徴を有している。なお、配向膜１６、２２には有機材料を使用しても良い。
素子基板１０と対向基板２０との間隙には、液晶層５０が封入されている。
【００８１】
「遮光部材の構成」
次に、非表示領域ＶＤに形成されている遮光部材５４の構成を説明する。
図５〜７は、図２（ａ）におけるＫ部の拡大平面図である。図５は第１の遮光材料５４ａの平面図、図６は第２の遮光材料５４ｂの平面図、及び図７は、第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂとで構成される遮光部材５４の平面図である。各図の一点鎖線Ｃは、表示領域Ｖと非表示領域ＶＤとの境界を示し、各図に向かって左側が非表示領域ＶＤ、右側が表示領域Ｖとなる。
以下、図５〜７を用いて、遮光部材５４の構成を詳細に説明する。
【００８２】
図５に示すように、第１の遮光材料５４ａは走査線８３と同層に形成され、Ｍｏなどの高融点金属膜からなる。図５の黒ドット領域が第１の遮光材料５４ａであり、ハッチング領域が走査線８３である。なお、非表示領域ＶＤに形成されている走査線８３は、遮光部材５４の構成要素の一部となる。
図６に示すように、第２の遮光材料５４ｂは、シールド層４００、第３中継電極４０２と同層に形成され、下層がアルミニウムで上層が窒化チタンの２層構造からなる。図６の黒ドット領域が第２の遮光材料５４ｂであり、ハッチング領域がシールド層４００及び第３中継電極４０２である。なお、非表示領域ＶＤに形成されているシールド層４００は遮光材料５４ｂに含まれており、第３中継電極４０２は、遮光部材５４の構成要素の一部となる。
【００８３】
図７は、上述した第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂとを平面的に重ね合わせた平面図である。図７の黒ドット領域は、第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂとによって、非表示領域ＶＤに形成された遮光部材５４である。図７のハッチング領域は、走査線８３、シールド層４００、及び第３中継電極４０２によって、表示領域Ｖに形成されたブラックマトリクス部材ＢＭである。図７の白領域は、光を変調する変調領域（開口領域）である。また、図７の点線は画素電極Ｐａとダミー画素電極Ｐｄとを示し、左端側から順に、第１のダミー画素電極Ｐｄ１、第２のダミー画素電極Ｐｄ２、第２の画素電極Ｐａ２、第１の画素電極Ｐａ１である。
【００８４】
表示領域Ｖの輪郭（図７の一点鎖線Ｃ）は、遮光部材５４によって区画されている。第２の画素電極Ｐａ２のうち、非表示領域ＶＤ側にはみ出した領域は、遮光部材５４と平面的に重なっている。第２の画素電極Ｐａ２及び第１の画素電極Ｐａ１には、遮光部材５４及びブラックマトリクス部材ＢＭによって、光を変調する領域（開口領域）が形成されている。第１の画素電極Ｐａ１と第２の画素電極Ｐａ２とでは、上記光変調領域のサイズは略同じである。この為に、第１の画素電極Ｐａ１と第２の画素電極Ｐａ２とでは、略同じ電気光学特性となる。詳しくは、第１の画素電極Ｐａ１のサイズと第２の画素電極サイズとは異なるが、第１の画素電極Ｐａ１の光変調領域のサイズと第２の画素電極Ｐａ２の光変調領域のサイズとが略同じであるので、仮に同じ映像信号を印加した場合に両画素電極で輝度が異なるという不具合は発生しなく、同じ輝度の画像が提供される。
【００８５】
第２のダミー画素電極Ｐｄ２と第２の画素電極Ｐａ２との電位差に起因する横電界によって、第２の画素電極Ｐａ２のうち、第２のダミー画素電極Ｐｄ２に隣り合う側で、液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生する。第２の画素電極Ｐａ２で発生したディスクリネーション領域は、遮光部材５４と平面的に重なっているので、ディスクリネーションが表示に影響することはない。
【００８６】
対向基板２０で表示領域Ｖの周囲に額縁形状に形成されている遮光膜５３（図１参照）は、遮光部材５４を構成する第３の遮光材料となる。対向基板２０と素子基板１０との貼り合せ位置を機械的に調整している為に、最大数μｍ程度の貼り合せ位置の変動（誤差）が生じる。当該貼り合わせ位置の変動によって、第２の画素電極Ｐａ２の光変調領域のサイズ（表示領域Ｖの輪郭）が変化しないようにする為に、対向基板２０の遮光膜５３は、表示領域Ｖの輪郭より数μｍ以上非表示領域ＶＤ側に離間した位置に形成されている。また、対向基板２０の遮光膜５３は、ダミー画素Ｄが形成されていない領域にも形成され、素子基板１０のサンプリング回路７、走査線駆動回路８などと平面的に重なっている。
【００８７】
このように遮光部材５４は、素子基板１０に形成された第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂ、及び対向基板２０に形成された第３の遮光材料によって構成されている。
なお、遮光部材５４は、上記構成の遮光材料に限定されない。表示装置１００を構成する遮光材料の他の組み合わせ、例えば、上記遮光材料に対して、素子基板１０の第３層の容量電極３００の形成に使用した遮光材料を、新たに付加しても良い。例えば、上記遮光材料に対して、素子基板１０の第４層のデータ線６３形成に使用した遮光材料を、新たに付加しても良い。例えば、走査線８３の下層に、新たな遮光膜と絶縁膜とを付加し、新たな遮光材料を形成しても良い。要は、素子基板１０及び対向基板２０で形成されている遮光材料を活用し、遮光部材５４を構成すれば良い。
同様に、表示領域Ｖに形成しているブラックマトリクス部材ＢＭも、上記構成の遮光材料に限定されず、素子基板１０及び対向基板２０で形成されている遮光材料を活用して、ブラックマトリクス部材ＢＭを構成すれば良い。
【００８８】
「光学特性」
次に、表示領域Ｖと非表示領域ＶＤとの境界に配置されたアクティブ画素Ａ及びダミー画素Ｄの光学特性を説明する。
図８（ａ）は図２（ａ）のＫ部（表示領域Ｖの左端）、及び図８（ｂ）は図２（ａ）のＬ部（表示領域Ｖの右端）における光学特性を示している。詳しくは、図８（ａ）は、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列されたアクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの光学特性であり、図８（ｂ）は、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列されたアクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの光学特性である。
【００８９】
図８（ａ）と図８（ｂ）とは、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａの電位を５Ｖ（白表示）、及びダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄの電位を２Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖとした時の基準点からの距離と透過率との関係を示している。横軸は基準点からの距離であり、非表示領域ＶＤと表示領域Ｖとの境界を基準点（０）とし、アクティブ画素Ａ側を正（＋）、ダミー画素Ｄ側を負（−）としている。縦軸は透過率であり、表示装置１００の出射光の照度を入射光の照度で除した数値である。
【００９０】
なお、図８（ａ）と図８（ｂ）とは、光学特性を決定するパラメーター、すなわち、ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄの電位を固定とし、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａの電位を変化させることで求めたシミュレーション結果である。また、実際のパネルに相当するサンプル（試作品）の光学特性の測定結果と比較して、シミュレーション結果の妥当性は確認されている。
【００９１】
最初に、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列されたアクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの光学特性に関して、説明する。図８（ａ）に示されているように、基準点に近づくに従って、アクティブ画素Ａの透過率が徐々に低下している。このことは、基準点に近づくに従って、ダミー画素Ｄからの横電界によって、アクティブ画素Ａで液晶分子が寝た状態（白表示）から立った状態（黒表示）に変化するという液晶分子の配向の乱れ、即ち、ディスクリネーションが発生していることを意味している。また、基準点から概略４μｍ以上離れた位置で透過率は略一定であり、上記横電界の影響を受けず、ディスクリネーションが発生していないことが分かる。
【００９２】
実際のパネルにおいては、ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄの端部を基準点と考えて良く、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａは、ダミー画素電極Ｐｄから概略４μｍ離れた位置まで、ダミー画素電極Ｐｄからの横電界の影響を受けていることとなる。仮に、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａをダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄから４μｍ以上離間させると、アクティブ画素Ａにおいてディスクリネーションが発生しないこととなる。ところが、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａとダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄとの間隔は、通常コンマ数μｍ〜数μｍなので、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａのうちダミー画素Ｄに隣り合う側で、液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生する。
【００９３】
次に、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列されたアクティブ画素Ａとダミー画素Ｄとの光学特性に関して、説明する。図８（ｂ）に示されているように、基準点に近づくに従って、アクティブ画素Ａの透過率が白表示→黒表示→白表示という様に変化している。このことは、基準点に近づくに従って、ダミー画素Ｄからの横電界によって、アクティブ画素Ａにおいて、液晶層５０の液晶分子が当初規定されたプレチルトの方位と逆方位側に傾いたリバースチルトとなった、いわゆるリバースチルトディスクリネーションが発生していることを意味している。また、基準点から概略５μｍ以上離れた位置で透過率は略一定であり、上記横電界の影響を受けず、リバースチルトディスクリネーションが発生していないことが分かる。
【００９４】
仮に、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａをダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄから５μｍ以上離間させると、アクティブ画素Ａにおいてリバースチルトディスクリネーションが発生しないこととなる。上述したように、画素電極Ｐａとダミー画素電極Ｐｄとの間隔は５μｍ未満であるので、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａのうちダミー画素Ｄに隣り合う側で、リバースチルトディスクリネーションが発生する。
【００９５】
以上より、表示領域Ｖの最外周に配置されているアクティブ画素Ａは、隣り合うダミー画素Ｄからの横電界によって、ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄの端部から概略４〜５μｍの範囲内にあるアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上で、液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションが発生していることが分かる。さらに、当初規定されたプレチルトの方位と逆方位側に液晶分子の配向状態が乱れたリバースチルトを有するディスクリネーション領域は、当初規定されたプレチルトの方位と順方位側に液晶分子の配向が乱れたディスクリネーション領域よりも概略１μｍ広くなっていることも分かる。
以上述べたように、本実施形態に係る表示装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。
【００９６】
表示領域Ｖの最外周に配置されたアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａのサイズを大きくし、非表示領域ＶＤ側にはみ出させる。非表示領域ＶＤ側にはみ出したアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上に、液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションを発生させることによって、表示領域Ｖには表示上の不具合となるディスクリネーションは存在せず、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置１００を提供することができる。
【００９７】
非表示領域ＶＤに遮光部材５４を形成し、非表示領域ＶＤ側にはみ出したアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａと遮光部材５４とが平面的に重なるようにし、遮光部材５４によって、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上で発生したディスクリネーションを隠すことができる。従って、表示領域Ｖには表示上の不具合となるディスクリネーションは存在せず、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置１００を提供することができる。
【００９８】
素子基板１０と対向基板２０とに形成されている遮光材料を活用し、工数増を招くことなく、非表示領域ＶＤに遮光部材５４を形成する。当該遮光部材５４によって、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上に発生したディスクリネーションを隠すことができる。従って、表示領域Ｖには表示上の不具合となるディスクリネーションは存在せず、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置１００を、安価に提供することができる。
【００９９】
素子基板１０と対向基板２０とに形成されている遮光材料を活用し、工数増を招くことなく、遮光部材５４とブラックマトリクス部材ＢＭとを形成する。異なるサイズの画素電極に対して、遮光部材５４及びブラックマトリクス部材ＢＭによって、略同じサイズの光変調領域（開口領域）を形成する。光変調領域のサイズが略同じなので、画素電極のサイズが異なっても、略同じ電気光学特性にすることができる。従って、画素電極のサイズが異なったことによる表示上の不具合が発生しない、優れた表示品質の表示装置１００を、安価に提供することができる。
【０１００】
ダミー画素Ｄのダミー画素電極Ｐｄに所定の電圧を印加することで、ダミー画素電極Ｐｄと隣り合うアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａとの電位差で発生する横電界の電界強度を、一定の範囲内に抑制できる。その結果、当該横電界によってアクティブ画素Ａの画素電極Ｐａに発生するディスクリネーション領域を一定の範囲内に限定し、突発的なディスクリネーション領域の広がりを抑制できる。よって、遮光部材５４によって当該ディスクリネーション発生領域を確実に隠すことができる。従って、表示領域Ｖには表示上の不具合となるディスクリネーションは存在せず、ディスクリネーションが表示に影響しない優れた表示品質の表示装置１００を、提供することができる。
【０１０１】
（電子機器）
図９は、上述した表示装置１００をライトバルブとして用いた３板式プロジェクターの構成を示す平面図である。図９を用いて、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
【０１０２】
プロジェクター２１００において、超高圧水銀ランプで構成される光源２１０２から出射された光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６及び２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに導かれ、ライトバルブに入射する。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３及び出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【０１０３】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの構成は、上述した実施形態における表示装置１００と同様であり、外部上位装置（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像データでそれぞれ駆動される。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色及びＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。ダイクロイックプリズム２１１２において合成されたカラー画像を表す光は、レンズユニット２１１４によって拡大投射され、スクリーン２１２０上にフルカラー画像が表示される。
【０１０４】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像がダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるため、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂにより形成される画像と、ライトバルブ１００Ｇにより形成される画像とが左右反転の関係になるように設定されている。
【０１０５】
また、電子機器としては、図９を参照して説明したプロジェクターの他にも、リアプロジェクション型テレビ、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、本発明に係る表示装置を適用させることができる。
【０１０６】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【０１０７】
（変形例１）
本変形例を、図３を参照しながら説明する。図３（ｂ）のＬ２は、表示領域Ｖの最外周に配置された第２の画素電極Ｐａ２と、隣り合う第２のダミー画素電極Ｐｄ２との間隔を示す。図３（ｂ）のＬ１は、表示領域Ｖの最外周に配置された第２の画素電極Ｐａ２と、隣り合う第１の画素電極Ｐａ１との間隔を示す。実施形態１ではＬ１＝Ｌ２として説明したが、Ｌ１＜Ｌ２としても良い。
【０１０８】
このようにして作成した表示装置では、第２の画素電極Ｐａ２と第２のダミー画素電極Ｐｄ２との電位差による横電界の電界強度が弱くなるので、第２の画素電極Ｐａ２上で発生する液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーション領域を狭くすることができるという効果を得ることができる。さらに、Ｌ２を概略４〜５μｍ以上とすることによって、上記横電界の影響が無くなり、第２の画素電極Ｐａ２上で発生する液晶分子の配向状態が乱れたディスクリネーションの発生を抑制することができるという効果も得ることもできる。
【０１０９】
（変形例２）
本変形例を、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）のＫ部、即ち、液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列され、リバースチルトが発生しない側の画素電極Ｐａと隣り合うダミー画素電極Ｐｄとの間隔をＬ３とし、図２（ａ）のＬ部、即ち、液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列され、リバースチルトが発生する側の画素電極Ｐａと隣り合うダミー画素電極Ｐｄとの間隔をＬ４とした場合に、実施形態１ではＬ３＝Ｌ４として説明したが、Ｌ３＜Ｌ４としても良い。
【０１１０】
このようにして作成した表示装置では、リバースチルトが発生する側のダミー画素電極Ｐｄからの横電界の電界強度を、リバースチルトが発生しない側のダミー画素電極Ｐｄからの横電界の電界強度よりも弱くすることできる。その結果、リバースチルトが発生する側のディスクリネーション領域が、リバースチルトが発生しない側のディスクリネーション領域よりも広いという不具合を解消できるという効果を得ることができる。
【０１１１】
（変形例３）
実施形態１では、アクティブ画素Ａの画素電極Ｐａ上で発生したディスクリネーションを隠す遮光部材５４は、素子基板１０に形成された第１の遮光材料５４ａと第２の遮光材料５４ｂ、及び対向基板２０に形成された第３の遮光材料（遮光膜５３）によって構成されている。遮光部材５４を、対向基板２０に形成されている遮光材料のみで構成しても良い。
【０１１２】
このようにして作成した表示装置では、画素電極Ｐａとダミー画素電極ＰｄとをＡｌ、Ａｇなどの高反射材料で構成した反射型表示装置において、素子基板１０に形成した遮光部材では隠すことができないディスクリネーションを、対向基板２０に形成した遮光部材によって隠すことができる。従って、反射型表示装置においても、優れた品質の表示を提供することができるという効果を得ることができる。
【符号の説明】
【０１１３】
１０…素子基板、２０…対向基板、５３…遮光膜、５４…遮光部材、５４ａ…第１の遮光材料、５４ｂ…第２の遮光材料、ＢＭ…ブラックマトリクス部材、Ａ…アクティブ画素、Ａ１…第１のアクティブ画素、Ａ２…第２のアクティブ画素、Ｄ…ダミー画素、Ｄ１…第１のダミー画素、Ｄ２…第２のダミー画素、Ｐａ…画素電極、Ｐａ１…第１の画素電極、Ｐａ２…第２の画素電極、Ｐｄ…ダミー画素電極、Ｐｄ１…第１のダミー画素電極、Ｐｄ２…第２のダミー画素電極、Ｃ…表示領域と非表示領域との境界、Ｖ…表示領域、ＶＤ…非表示領域、１００…表示装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に配置された第１の画素電極と、
非表示領域に配置されたダミー画素電極と、
第１の画素電極と前記ダミー画素電極との間に配置された第２の画素電極と、
遮光部材とを備え、
前記第２の画素電極は、前記第１の画素電極のサイズとは異なるサイズを有し、
前記第２の画素電極のうち、前記ダミー画素と隣り合う領域は、前記遮光部材と平面的に重なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２の画素電極は、前記表示領域の最外周に配置され、前記第２の画素電極のサイズは前記第１の画素電極のサイズよりも大きいことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の画素電極の光変調領域のサイズと前記第２の画素電極の光変調領域のサイズとが、略等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ダミー画素電極には、所定の電圧が印加されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記ダミー画素電極と前記第２の画素電極との間隔が、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間隔よりも広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記遮光部材は、前記非表示領域に配置され、前記表示領域の輪郭を区画することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記遮光部材は、前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記ダミー画素電極を有する素子基板に形成されている遮光材料で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記遮光部材は、前記素子基板に対向配置された対向基板に形成されている遮光材料で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記遮光部材は、前記素子基板に形成されている遮光材料と前記対向基板に形成されている遮光材料とで構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記素子基板と前記対向基板とに挟持された液晶層を有し、
前記複数の第２の画素電極のうち、前記液晶層の液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列された前記第２の画素電極と前記ダミー画素電極との間隔と、前記液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列された前記第２の画素電極と前記ダミー画素電極との間隔とが異なることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
表示領域に配置された第１の画素電極と、
非表示領域に配置されたダミー画素電極と、
第１の画素電極と前記ダミー画素電極との間に配置された第２の画素電極と、
遮光部材とを備え、
前記第２の画素電極は、前記第１の画素電極のサイズとは異なるサイズを有し、
前記第２の画素電極のうち、前記ダミー画素と隣り合う領域は、前記遮光部材と平面的に重なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２の画素電極は、前記表示領域の最外周に配置され、前記第２の画素電極のサイズは前記第１の画素電極のサイズよりも大きいことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の画素電極の光変調領域のサイズと前記第２の画素電極の光変調領域のサイズとが、略等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ダミー画素電極には、所定の電圧が印加されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記ダミー画素電極と前記第２の画素電極との間隔が、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間隔よりも広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記遮光部材は、前記非表示領域に配置され、前記表示領域の輪郭を区画することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記遮光部材は、前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記ダミー画素電極を有する素子基板に形成されている遮光材料で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記遮光部材は、前記素子基板に対向配置された対向基板に形成されている遮光材料で構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記遮光部材は、前記素子基板に形成されている遮光材料と前記対向基板に形成されている遮光材料とで構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記素子基板と前記対向基板とに挟持された液晶層を有し、
前記複数の第２の画素電極のうち、前記液晶層の液晶分子のプレチルトの方位と順方向側に配列された前記第２の画素電極と前記ダミー画素電極との間隔と、前記液晶分子のプレチルトの方位と逆方向側に配列された前記第２の画素電極と前記ダミー画素電極との間隔とが異なることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−７２９３２（Ｐ２０１３−７２９３２Ａ）
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１０３２９（Ｐ２０１１−２１０３２９）
【出願日】平成２３年９月２７日（２０１１．９．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２７日（２０１１．９．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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