説明

電球形蛍光ランプおよび照明器具。

【課題】 蛍光発光管の寿命末期時において、早期にインバータ回路の動作を停止させる。
【解決手段】蛍光発光管14の電極側端面のほぼ全体を覆うように基板15aを基体11b内に取り付け、蛍光発光管14を作動させる高周波を生成して蛍光発光管14の寿命末期時における蛍光発光管14の電極の温度上昇により破壊される位置にインバータ回路15のスイッチ素子SN、SPを配設する。蛍光発光管14が寿命末期となって半波放電などを生起した場合、蛍光発光管14に印加される点灯電圧が増大し、共振コンデンサC6が微放電してスイッチ素子SNまたはSPのゲート部を破壊し、これにより、インバータ回路15の動作が停止され、蛍光発光管14の寿命末期時における熱的な不具合の発生が防止される。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電球形蛍光ランプ及びこの電球形蛍光ランプを用いた照明器具に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、蛍光発光管とそのインバータ回路とを電球形の外囲器に収納した電球形蛍光ランプが知られている。このような電球形蛍光ランプは、白熱ランプ用のソケットに直接捩じ込まれるE形口金を有し、商用電源からの交流電力をスイッチング手段によって高周波電力に変換して蛍光発光管に供給する負荷回路を有するインバータ回路を外囲器内に備えている。
【0003】
蛍光発光管は、フィラメント断線等によって寿命を迎えると、インバータ回路が定格の始動電圧を印加しても放電を開始し難くなり、不点状態のままインバータ回路が発振を継続する場合がある。この場合、インバータ回路は過度に発熱するおそれがあるため、速やかに発振を停止させる必要がある。また、寿命末期等の異常状態の蛍光発光管は、ランプ電圧が増大し、電極近傍が過度に温度上昇して、外囲器が熱破損するおそれがある。したがって、蛍光発光間が寿命末期になった場合にも、インバータ回路の動作を早期に停止させる必要がある。
【0004】
このような問題を解決するために、インバータ回路のスイッチ素子が寿命末期時に自己破壊され、蛍光発光管に対する給電が停止される電球形蛍光ランプが開示されている(例えば特許文献1参照)。
【0005】
また蛍光発光管の寿命末期時に、電極の温度上昇に伴うスイッチ素子の温度上昇およびスイッチ素子にかかる過電流によるスイッチ素子の温度上昇によってスイッチ素子を熱破壊する方法が知られている。(例えば特許文献2参照)。
【特許文献1】特開平10−189279号公報
【特許文献2】特開2000−82303号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、例特許文献1の電球形蛍光ランプは、スイッチ素子に印加される電圧の上昇によって素子を破壊してインバータ回路の動作を停止するものであり、スイッチ素子の耐熱性、耐電圧性などの諸特性にばらつきがあると、寿命末期を迎えてからしばらく自己破壊に至らないことも考えられる。また、特許文献2の電球形蛍光ランプは、スイッチ素子を熱破壊する場合、破壊されるまでに時間を要する。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、蛍光発光管の寿命末期において、早期にインバータ回路の動作を停止することが可能な電球形蛍光ランプ及びこの電球形蛍光ランプを用いた照明器具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
口金を備えた基体とこの基体に取付けられた蛍光発光間と前記基体内に配置され、スイッチング手段、このスイッチング手段の動作によって出力された高周波電力を前記蛍光発光管が点灯可能なように供給する負荷回路および前記蛍光発光管の異常点灯時に、前記負荷回路の充電部から前記スイッチング手段のスイッチ素子へ微放電を発生させて前記スイッチ素子を破壊するように構成された回路破壊手段を有するインバータ回路とを具備していることを特徴とする。
【0009】
本発明および以下の請求項記載の各発明において、特に指定しない限り、用語の定義および技術的意味は次による。
【0010】
「微放電が発生するように構成され」とは、負荷回路が蛍光発光管に供給する2次電圧が蛍光発光管の異常によって上昇したときに充電部とスイッチング手段のスイッチ素子との間に、微放電が発生するような距離に充電部とスイッチング手段のスイッチ素子とを配設した物理的関係を意味する。なお、充電部およびスイッチ素子に微放電が発生する部位には被膜などの絶縁物は塗布されていない。また、充電部およびスイッチ素子は、それぞれ接続されたパターンなどの同電位の部分までを含む。
【0011】
「スイッチ素子」とは、電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタなどオン、オフ動作をしてインバータ回路を構成するものであればよく、スイッチ素子の個数は問わない。
【0012】
「蛍光発光管」とは、いわゆる蛍光ランプであり、その形状は特に限定されない。もっとも、U字形状やその連続形状等とすることで、明るさを確保しながらコンパクトな形状とすることができる。この蛍光発光管は、エミッタの消耗などにより寿命末期となった場合、蛍光発光管に印加される電圧が増大し、電極の発熱量が増大する。さらに、このような状態の蛍光発光管は、放電を生起させるための始動電圧が上昇し、いわゆる始動不良の状態になる。この場合負荷回路は、蛍光発光管を点灯させるために定格始動電圧よりも大きな電圧を印加するように動作する。このため、インバータ回路の回路部品に流れる電流が増大し、過電流によって自己発熱する。また、電極としてフィラメントを用いるとともに、フィラメントを熱陰極始動・熱陰極点灯させるような場合に、フィラメントを始動時に加熱する方法には、始動時に少なくとも一方のフィラメントを介して放電ランプと並列的に共振用コンデンサを接続する方法、フィラメント加熱用トランスを用いてフィラメントを加熱する方法などが考えられる。
【0013】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の電球形蛍光ランプにおいて、スイッチング手段のスイッチ素子は電界効果形トランジスタであり、このトランジスタのゲート端子に接続されたパターンと負荷回路の充電部との空間の最小離間寸法が0.7〜3.0mm、好ましくは1.0〜2.0mmになるように形成されていることを特徴とする。寿命末期のランプ始動時または点灯時には、高電位側に接続される部位とスイッチ素子のゲート部に接続される部位との間に高電圧が発生し、微放電することによってスイッチ素子のゲート部を破壊する。
【0014】
「充電部を有する素子」とは、インダクタンスコイルや共振コンデンサなど、発光管内の放電を生起させるために、その両端間に高電圧が発生する素子のことである。
【0015】
蛍光発光管が寿命末期となって半波放電などを生起した場合、蛍光発光管に印加される点灯電圧が上昇し、共振コンデンサの端子間には高電圧が発生する。このとき共振コンデンサの高電圧側とスイッチ素子のゲート部が近接していると、回路破壊手段によって微放電が発生してスイッチ素子のゲート部が破壊される。これにより、インバータ回路の動作が停止され、蛍光発光管の寿命末期時における熱的な不具合が防止される。従って、本発明によると回路破壊手段によって、蛍光発光管の寿命末期時に充電部からの微放電によってスイッチ素子が破壊するように構成されているので、発熱が起こる前に確実にインバータ回路の動作を停止させることができる。
【0016】
請求項3記載の発明は、請求項1または2に記載の電球形蛍光ランプにおいて、前記基体には前記蛍光発光管を覆う透光性グローブが取付けられていることを特徴とする。
【0017】
ここで、「透光性グローブ」とは、例えば、ガラス又は透光性樹脂により形成されるが、その材料はこれに限るものではない。その形状は、白熱ランプの形状に相似させるため、球形状にすることを許容する。
【0018】
従って、電球形蛍光ランプを透光性グローブで覆うことにより、電球形蛍光ランプの外観性、商品性などが向上する。
【0019】
請求項4記載の照明器具の発明は、請求項1ないし3いずれか一記載の電球形蛍光ランプと;この電球形蛍光ランプを収容している器具本体と;を具備することを特徴とする。
【0020】
従って、蛍光発光管が寿命末期になると電球形蛍光ランプが消灯する照明器具を提供できる。
【発明の効果】
【0021】
請求項1記載の発明の電球形蛍光ランプによれば、蛍光発光管の寿命末期時に充電部を有する素子の端子とスイッチング手段のスイッチ素子の端子との間に微放電が発生し、スイッチ素子が破壊する回路破壊手段を設けたので、蛍光発光管の寿命末期時にはスイッチ素子の破壊を速やかに行わせることができ、蛍光発光管の寿命末期時における熱的な不具合、例えば、蛍光発光管の熱変形や熱破壊、蛍光発光管の発煙、蛍光発光管から水銀蒸気が飛び出し、樹脂部品の溶け出し、蛍光発光管の発火などを防止して安全性を向上させることができる。
【0022】
請求項2記載の発明の電球形蛍光ランプによれば、回路基板上に形成したパターン間の距離によって、異常状態のときに微放電を発生しやすくして、回路を確実に破壊することができる。
【0023】
請求項3記載の発明によれば、請求項1または2に記載の電球形蛍光ランプにおいて、蛍光発光管を透光性グローブで覆うことにより、電球形蛍光ランプの外観性、商品性などを向上させることができる。
【0024】
請求項4記載の発明の照明器具によれば、請求項1ないし3いずれか一記載の電球形蛍光ランプとこの電球形蛍光ランプを収容している器具本体とを具備するので、蛍光発光管が寿命末期になると消灯する照明器具を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0025】
本発明の第1の実施の形態を図1ないし図4を参照して説明する。
【0026】
図1は、本実施の形態の電球形蛍光ランプが備えるインバータ回路の回路図である。図2は本実施の形態の電球形蛍光ランプの正面図、図3はその横断平面図、図4は分解斜視図である。
【0027】
図1において、1は交流電源、2は過電流ヒューズ、3は雑音防止回路、4は整流化直流電源、SNはスイッチ素子であるNチャンネル形FET、SPはスイッチ素子であるPチャンネル形FET、GCはゲート回路、STは始動回路、PTはゲート保護手段、LCは負荷回路である。
【0028】
交流電源1は、商用100V交流電源である。
【0029】
過電流ヒューズ2は、たとえば配線基板に一体に形成したパターンヒューズからなり、過電流が流れた際に溶断して回路が焼損しないように保護する。
【0030】
雑音防止回路3は、交流電源1と整流化直流電源3との間に直列に介在するインダクタンスL1と、インダクタンスL1の交流電源1側において交流電源1に並列的に接続してインダクタンスL1とともに逆L形回路を構成するコンデンサC1とからなり、高周波インバータの動作に伴って発生する高周波雑音を電源側に流出しないように除去する。
【0031】
整流化直流電源4は、ブリッジ形全波整流回路4aおよび平滑化回路4bからなる。
【0032】
ブリッジ形全波整流回路4aは、交流入力端が雑音防止回路3を介して交流電源1に接続し、直流出力端が平滑化回路4bに接続している。
【0033】
平滑化回路4bは、直列抵抗R1および平滑電解コンデンサC2からなる。
【0034】
直列抵抗R1は、抵抗値が数オーム以下で、平滑電解コンデンサC2に充電電流が流入する際の電流波形を緩やかにして高調波を低減させる作用を行う。
【0035】
Nチャンネル形FETSNは、そのドレインが平滑電解コンデンサC2の正極に接続している。
【0036】
一方、Pチャンネル形FETSPは、そのソースがNチャンネル形FETSNのソースに接続し、ドレインが平滑電解コンデンサC2の負極に接続している。
【0037】
ゲート回路GCは、帰還手段s、直列共振回路SRおよびゲート電圧出力手段OGからなる。
【0038】
帰還手段sは、後述する限流インダクタンスL2に磁気結合している補助巻線からなる。
【0039】
直列共振回路SRは、インダクタンスL3およびコンデンサC3の直列回路からなり、その両端は帰還手段sの両端に接続している。
【0040】
ゲート電圧出力手段OGは、直列共振回路SRのコンデンサC3の両端に現れる共振電圧を、コンデンサC4を介して取り出すように構成されている。そして、コンデンサC4の一端は、コンデンサC3とインダクタンスL3との接続点に接続し、コンデンサC4の他端はNチャンネル形FETSNおよびPチャンネル形FETSPのそれぞれのゲートに接続している。
【0041】
さらに、コンデンサC3の他端が各FETのソースに接続している。このようにして、コンデンサC3の両端間に現れた共振電圧は、ゲート電圧出力手段OGを介して各FETのゲート、ソース間に印加される。
【0042】
始動回路STは、抵抗R2、R3およびR4ならびにコンデンサC3およびC4からなる。
【0043】
抵抗R2は、その一端が平滑電解コンデンサC2の正極に接続し、他端がNチャンネル形FETSNのゲートに接続しているとともに、抵抗R3の一端およびゲート回路GCのゲート電圧出力手段OGのゲート側の出力端すなわちコンデンサC4の他端に接続している。
【0044】
抵抗R3の他端は、直列共振回路LCのインダクタンスL3および帰還手段sの接続点に接続している。
【0045】
抵抗R4は、その一端が各FETSN、SPの接続点すなわちそれぞれのソースおよびゲート電圧出力手段OGのソース側の出力端に接続し、他端が平滑電解コンデンサC2の負極に接続している。
【0046】
ゲート保護手段PTは、一対のツエナーダイオードを逆極性に直列接続してゲート電圧出力手段OGに接続している。
【0047】
負荷回路LCは、負荷である放電ランプDL、限流インダクタンスL2、結合コンデンサC5および共振コンデンサC6からなる。
【0048】
放電ランプDLは、蛍光発光管を用いている。放電ランプDLの一方の電極は結合コンデンサC5の一端に接続し、他端はPチャンネル形FETSPのドレインに接続している。
【0049】
また、他方の電極と並列にフィラメント加熱巻線whが接続されている。
【0050】
フィラメント加熱巻線whは、限流インダクタンスL2に磁気結合して、放電ランプDLの他方の電極のフィラメントを加熱する。なお、フィラメント加熱巻線whに代えて共振用コンデンサC6の図において下側の端子を放電ランプDLの図において下側のフィラメントの非電源側端子に接続してもよい。この場合には、上記フィラメントは共振コンデンサC6を流れる電流によって加熱される。
【0051】
限流インダクタンスL2は、その一端が各FETSN、SPのソースに接続し、他端は結合コンデンサC5の他端に接続している。
【0052】
共振コンデンサC6は、放電ランプDLと並列に接続している。
【0053】
そうして、負荷回路LCは、限流インダクタンスL2、結合コンデンサC5および共振コンデンサC6からなる直列共振回路を形成する。
【0054】
さらに、Pチャンネル形FETSPのソース・ドレイン間にコンデンサC7が接続され、Pチャンネル形FETSPのスイッチング期間中の負荷を軽減する。
【0055】
図2ないし図4において、11は外囲器、12は口金、13は隔壁、14は蛍光発光管、15はインバータ回路である。この電球形蛍光ランプは、口金12を含む高さが約110〜125mmとなるように構成されている。
【0056】
外囲器11は、透光性グローブ11aおよび基体である遮光性基体11bからなる。
【0057】
透光性グローブ11aは最大外径60mmのガラス製であり、内面に光拡散性被膜を形成した有底筒状をなしている。
【0058】
遮光性基体11bは、合成樹脂からなるカップ状をなし、基部に口金12を装着し、開放端に透光性グローブ11aを固着している。
【0059】
透光性グローブ11aは、シリコーン接着剤を用いて遮光性基体11bの開放端に接着されている。
【0060】
隔壁13は、白色系の合成樹脂を成形してなり、外囲器11の基体11bの開放端に透光性グローブ11aと一緒にシリコーン接着剤により固定されている。そうして、隔壁13は、外囲器11の内部を発光室Aと回路収納室Bとに区分している。また、隔壁13に
【0061】
は、蛍光発光管支持孔13aが形成されている。
【0062】
蛍光発光管14は、バルブ14a、図示しない電極(フィラメント)、蛍光体層および放電媒体を含んで構成されている。
【0063】
バルブ14aは、外径10mm、肉厚約0.8mm、長さ120mmの細長いガラス管を中央でU字状に折曲したもの3つ連結したような形状に形成されている。蛍光発光管14の高さは約55mm、放電路長は約250mmである。
【0064】
蛍光発光管14の電極は、熱陰極形で、バルブ14aの両端にその一対が封装されている。蛍光発光管14は、ランプ電力が7〜15Wで点灯したときに全光束が700lm以上、ランプ効率が60lm/Wとなるように構成されている。本実施形態においては、電
【0065】
球形蛍光ランプの入力定格電力は14Wであり、蛍光発光管14には12.5Wの電力(ランプ電流235mA、ランプ電圧54V)が加わり、全光束810lmで点灯する。
【0066】
蛍光体層は、バルブ14aの内面側に形成されている。
【0067】
放電媒体は、水銀およびアルゴンなどの400Paの希ガスからなり、バルブ14a内を排気してからバルブ14a内に封入されている。
【0068】
そうして、蛍光発光管14は、その両端部を発光室A側から隔壁13の蛍光発光管挿入孔13aに挿入してシリコーン接着剤により隔壁13に固定して支持されて外囲器11の発光室Aに配置されている。
【0069】
また、蛍光発光管14の中間部は、図示しないシリコーン接着剤充填孔から充填されたシリコーン接着剤により隔壁13に固着されている。
【0070】
インバータ回路15は、基板である配線基板15aおよび配線基板15aに実装された回路部品15bからなり、隔壁13に装着されて外囲器11の回路収納室Bに配置されている。
【0071】
そうして、口金12は、インバータ回路15の入力端に接続し、インバータ回路15の出力端は蛍光発光管14の両電極に接続している。
【0072】
次に、本実施の形態における回路動作について説明する。
【0073】
交流電源1を投入すると、整流化直流電源4により平滑化された直流電圧が平滑電解コンデンサC2の両端に現れる。そして、直列接続されたNチャンネル形FETSNおよびPチャンネル形FETSPの両ドレイン間に直流電圧が印加される。しかし、両FETSN、SPに対してゲート電圧が印加されていないので、両FETSN、SPはオフ状態のままである。
【0074】
直流電圧は、同時に始動回路STにも印加されるので、抵抗R3の両端には主として抵抗R2、R3およびR4の各抵抗値の案分比に応じた電圧が現れる。そして、抵抗R3の端子電圧は、各FETのゲート・ソース間に正の電圧として印加される。その結果、Nチャンネル形FETSNはスレッシュホールド電圧を超えるように設定されているため、オンする。これに対して、Pチャンネル形FETSPのゲート・ソース間に印加される電圧は、所要のゲート電圧とは逆極性であるため、オフ状態のままである。
【0075】
Nチャンネル形FETSNがオンすると、整流化直流電源4からNチャンネル形FETSNのドレイン・ソースを介して負荷回路LCすなわち限流インダクタンスL2、結合コンデンサC5および共振コンデンサC6を直列に介して電流が流れる。負荷回路LCの限流インダクタンスL2、結合コンデンサC5および共振コンデンサC6の直列共振回路が共振して共振コンデンサC6の端子電圧が高くなる。
【0076】
一方、限流インダクタンスL2に電流が流れたことにより、磁気結合している帰還手段sおよびフィラメント加熱巻線whに電圧が誘起される。
【0077】
上記の電流により帰還手段sに誘起される電圧によりその直列共振回路SRが直列共振を開始する。この直列共振によりコンデンサC3には昇圧された負電圧が発生するので、ゲート保護手段PTにより一定電圧に規制され、ゲート保護手段PTを介してPチャンネル形FETSPおよびNチャンネル形FETSNのそれぞれのゲート・ソース間に印加される。これにより、Pチャンネル形FETSPのゲートはスレッシュホールド電圧を超えるため、オンする。これに対して、今までオンしていたNチャンネル形FETSNは、逆極性になり所定のゲート電圧がなくなるため、オフする。
【0078】
Pチャンネル形FETSPがオンすると、負荷回路LCの限流インダクタンスL2に蓄積されている電磁エネルギーおよびコンデンサC6の充電電荷が放出されてPチャンネル形FETSPのソース・ドレインおよび負荷回路LCの閉回路内をNチャンネル形FETSNがオンしたときとは逆方向に電流が流れる。
【0079】
他方、フィラメント加熱巻線whには、限流インダクタンスL2に交互方向の電流が流れるのに伴って交流電圧が誘起され、放電ランプDLである蛍光発光管14の一方の電極を加熱するので、蛍光発光管14内に電子放射が行われる。
【0080】
蛍光発光管14には、上記電子放射と一緒に共振コンデンサC6の両端に現れる高い共振電圧(2次電圧)が印加されるため、やがて始動し、点灯する。
【0081】
Pチャンネル形FETSPがオンした際に流れる電流により、帰還手段sに始動回路STを通じて流れた電流と同一極性の電流が流れるため、再びNチャンネル形FETSNがオンし、Pチャンネル形FETSPがオフする。以後各FETSN、SPが交互にオン、オフ
【0082】
して蛍光発光管14が高周波点灯する。ここに、Nチャンネル形FETSNおよびPチャンネル形FETSP等は、スイッチング手段である相補型スイッチ回路を構成する。
【0083】
相補型スイッチ回路は、Nチャンネル形FETとPチャンネル形FETとを交互に高速スイッチングする回路である。つまり、相補型スイッチ回路は、高周波を発生する。この場合の高周波というのは、例えば、1kHz以上の周波数を意味する。そして、このような回路には、例えば、Nチャンネル形FETおよびPチャンネル形FETに対して共通にそれぞれの所要のゲート電圧を供給するような回路、すなわち、Nチャンネル形FETに対しては正電圧を印加してオンさせ、Pチャンネル形FETに対しては負電圧を印加してオンさせるような回路が組み合わされる。
【0084】
ここで、蛍光発光管14は寿命末期時になると定格の点灯電圧を印加しても点灯し難くなり、蛍光発光管14に印加される始動電圧が増大する。ここで、共振コンデンサC6の端子とPチャンネル形FETSPまたはNチャンネル形FETSNのゲート部とを、定格の始動電圧よりも高電圧がかかったときに微放電が起こるような位置関係に配設しておけば、この微放電によってPチャンネル形FETSPまたはNチャンネル形FETSNが破壊される。例えば寿末時には共振コンデンサC6の両端間の電圧は約1kV以上まで上昇するのに対し、FETゲート部の耐電圧は約30Vであるから、微放電が起これば確実にFETゲート部を破壊することができる。これにより、インバータ回路15の動作が停止され、蛍光発光管14の寿命末期時における熱的な不具合が防止される。
【0085】
また、蛍光発光管14が寿命末期となって半波放電などを生起した場合、蛍光発光管14に印加される点灯電圧が増大して、共振コンデンサC6の両端間の電圧も上昇する。このような場合も、本構成によって回路を破壊するように形成することができる。
【0086】
さらに、上記各請求項において、電球形蛍光ランプは寿命末期時に確実にインバータ回路を停止すると便宜上説明しているが、寿命末期以外の異常点灯状態など、ランプ電圧が通常点灯時よりも上昇する状態があれば、同様に動作させることが可能である。
【0087】
図5は、本実施の形態における回路基板を示す一部拡大図である。
【0088】
回路基板15a上に共振コンデンサC6の端子と接続されたパターン20aおよびPチャンネル形FETSPまたはNチャンネル形FETSNのゲート部と接続されたパターン20bが配設されている。パターン20a、20bの中間部には、対向するように突起状の部位が形成されている。この突起形状によって先端に電界が集中するので、微放電が発生しやすくなる。この先端間の離間寸法dは1.0〜2.0mmに設定している。さらに、この突起部位には、微放電箇所をさらに限定できるように絶縁被膜などが形成されていないことが好ましい。本構成によると、パターン20a、20bの一部を所定距離に設定するだけで、比較的容易に精度よく微放電箇所を形成することができる。
【0089】
図6は、ランプの両端間にかかる2次電圧V0-Pと微放電が起こり始める離間寸法d0-Pとの関係を示した図である。
【0090】
本発明者らは、2次電圧V0-Pと微放電が起こり始める離間寸法d0-Pとの関係をグラフにすると、図に示すようにd0-P=1.16V0-P−1.30となることを発見した。つまり、このグラフは離間寸法dを決めると一意的に微放電に必要な2次電圧が決まることを示している。
【0091】
例えば、本実施の形態では、始動時の蛍光発光管14がアーク放電に転移するまでインバータ回路15が蛍光発光管14に付与し続ける2次電圧、つまり、共振コンデンサC6の両端に現れる高い共振電圧によって、蛍光発光管14がアーク放電に転移すべき規定時間よりも長く、かつ、寿命末期時の蛍光発光管14が破損するであろう時間よりも短い所定時間内に、インバータ回路15の一部であるPチャンネル形FETSPまたはNチャンネル形FETSNのゲート部は共振コンデンサC6の端子からの微放電により破壊される。この場合、離間寸法dを0.7〜2.0mmに限定することによって、微放電が起こる2次電圧を設定することができるので、上記の条件を満たすように回路破壊を確実に発生させることができる。つまり、本実施の形態によれば、蛍光発光管14が寿命末期となった場合、離間寸法dを0.7mm以上としたので蛍光発光管14が定格の始動電圧でアーク放電に転移する場合は、端子間での微放電は発生せずに蛍光発光管14を点灯させることができる。その一方、離間寸法dを2.0mm以内としたので、寿命末期時の蛍光発光管14が破損するであろう時間よりも短い所定時間内にインバータ回路15を破壊することができるので、蛍光発光管14の破損を確実に防止することができる。これにより、蛍光発光管14の熱変形や熱破壊により、蛍光発光管14が発煙したり、蛍光発光管14から水銀蒸気が飛び出したり、遮光性基体11b等の樹脂部品が溶け出したり、場合によっては蛍光発光管14が発火したりするという危険を未然に防止して安全性を向上させることができる。
【0092】
また、図6の関係を用いて始動電圧やインバータ回路の最大出力に合わせ、適宜離間寸法dを設定することで、電球形蛍光ランプだけでなく、高圧放電ランプなどの回路にも適用することができる。
【0093】
図7は、照明装置の一部を断面にして示す正面図である。この照明装置は、上述した各実施の形態の電球形蛍光ランプを器具本体17内に下向きに収容したものである。
【0094】
この電球形蛍光ランプで用いられている蛍光発光管14が寿命末期になると消灯するので、直ちに電球形蛍光ランプ交換を喚起できる照明器具を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0095】
【図1】本発明の実施の形態である電球形蛍光ランプを示す回路図である。
【図2】図1の電球形蛍光ランプを示す正面図である。
【図3】同じく図1の横断平面図である。
【図4】同じく図1の分解斜視図である。
【図5】本実施の形態における回路基板を示す一部拡大図である。
【図6】ランプの両端間にかかる2次電圧V0-Pと微放電が起こり始める離間寸法d0-Pとの関係を示した図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態の照明器具の一部を断面にして示す正面図である。
【符号の説明】
【0096】
11b: 基体
11a: 透光性グローブ
14 : 蛍光発光管
15 : インバータ回路
17 : 器具本体
SN、SP:(スイッチング手段)スイッチ素子

【特許請求の範囲】
【請求項1】
口金を備えた基体と;
この基体に取付けられた蛍光発光管と;
前記基体内に配置され、スイッチング手段、このスイッチング手段の動作によって出力された高周波電力を前記蛍光発光管が点灯可能なように供給する負荷回路および前記蛍光発光管の異常点灯時に、前記負荷回路の充電部から前記スイッチング手段のスイッチ素子へ微放電を発生させて前記スイッチ素子を破壊するように構成された回路破壊手段を有するインバータ回路と;
を具備していることを特徴とする電球形蛍光ランプ。
【請求項2】
スイッチング手段のスイッチ素子は電界効果形トランジスタであり、このトランジスタのゲート端子に接続されたパターンと負荷回路の充電部との空間の最小離間寸法が0.7 〜3.0mmになるように形成されていることを特徴とする請求項1記載の電球形蛍光ランプ。
【請求項3】
前記基体には前記蛍光発光間を覆う透光性グローブが取付けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の電球形蛍光ランプ。
【請求項4】
請求項1ないし3いずれか一記載の電球形蛍光ランプと;
この電球形蛍光ランプを収容している器具本体と;
を具備していることを特徴とする照明器具。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate


【公開番号】特開2007−179848(P2007−179848A)
【公開日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−376416(P2005−376416)
【出願日】平成17年12月27日(2005.12.27)
【出願人】(000003757)東芝ライテック株式会社 (2,710)
【Fターム(参考)】