説明

電解装置用多孔質導電体の製造方法

【課題】高強度を保持して有効に薄肉化するとともに、空隙率を良好に向上させることが可能な電解装置用多孔質導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】球状チタン粉末を焼結処理して球状チタン粉末焼結体を形成する工程S1と、前記球状チタン粉末焼結体に、前記球状チタン粉末焼結体よりも細粒の球状チタン粉末を溶射することにより、電解質に接する球状チタン粉末溶射層を形成する工程S2とを有する。さらに、少なくとも球状チタン粉末溶射層には、研削加工又は切削加工後にエッチング処理S4が施され、次いで、メッキ処理S5が施される。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電解質膜に接触し、電解用の給電体として使用される電解装置用多孔質導電体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、高分子イオン交換膜からなる電解質膜の両側に、それぞれ電極触媒層とガス拡散層とを備えたアノード側電極及びカソード側電極を配設した電解質膜・電極構造体を、セパレータにより挟持した固体高分子型燃料電池が知られている。
【0003】
この種の燃料電池は、アノード側電極に燃料ガス(主に水素を含有するガス)が供給される一方、カソード側電極に酸化剤ガス(主に酸素を含有するガス、例えば、空気)が供給されることにより、直流の電気エネルギを得ている。
【0004】
一般的に、燃料である水素を製造するために、水電解装置が採用されている。この水電解装置は、水を分解して水素(及び酸素)を発生させるため、固体高分子電解質膜を用いている。固体高分子電解質膜の両面には、電極触媒層が設けられて電解質膜・電極構造体が構成されるとともに、前記電解質膜・電極構造体の両側には、給電体を配設してユニットが構成されている。すなわち、ユニットは、実質的には、上記の燃料電池と同様に構成されている。
【0005】
そこで、複数のユニットが積層された状態で、積層方向両端に電圧が付与されるとともに、アノード側給電体に水が供給される。このため、電解質膜・電極構造体のアノード側では、水が分解されて水素イオン(プロトン)が生成され、この水素イオンが固体高分子電解質膜を透過してカソード側に移動し、電子と結合して水素が製造される。一方、アノード側では、水素と共に生成された酸素が、余剰の水を伴ってユニットから排出される。
【0006】
上記の給電体としては、例えば、特許文献1に開示されているように、膜電極接合体の両側面に配して用いられる水電解セル用給電体で、不活性ガスの雰囲気中でチタンをプラズマ溶射することにより前記膜電極接合体に接する表面を平滑化したチタン繊維焼結板からなるものが知られている。
【0007】
【特許文献1】特開平11−302891号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
ところで、チタン繊維焼結板とその表面のプラズマ溶射層とでは、空隙率及びチタン材の形状が極端に異なっている。このため、両者の接合界面で電気抵抗が増大し、給電体としての電気抵抗が見掛けの空隙率以上に高くなり、大きな損失電圧を生じるという問題がある。さらに、両者の接合界面における空隙率の大きな変化により、通液性や通気性が低下するおそれがある。
【0009】
本発明はこの種の問題を解決するものであり、高強度を保持して有効に薄肉化を図るとともに、空隙率を良好に向上させることが可能な電解装置用多孔質導電体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、電解質膜に接触し、電解用の給電体として使用される電解装置用多孔質導電体の製造方法に関するものである。この製造方法は、球状チタン粉末を焼結処理して球状チタン粉末焼結体を形成する工程と、前記球状チタン粉末焼結体に、前記球状チタン粉末焼結体よりも細粒の球状チタン粉末を溶射することにより、前記電解質膜に接する球状チタン粉末溶射層を形成する工程とを有している。
【0011】
また、溶射は、減圧プラズマ溶射であることが好ましい。
【0012】
さらに、少なくとも球状チタン粉末溶射層には、メッキ処理が施されることが好ましい。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、球状チタン粉末焼結体に、球状チタン粉末を溶射するため、薄く且つ緻密な多孔質溶射層である球状チタン粉末溶射層を形成することができる。従って、球状チタン粉末溶射層は、高強度を確保するとともに、ガス及び水の透過性を維持して、電解質膜の保持力を向上させることが可能になる。
【0014】
さらに、球状チタン粉末を溶射することにより、緻密な球状チタン粉末溶射層の薄肉化が図られるとともに、溶融度や溶射速度を変えることによって球状チタン粉末溶射層の空隙率も制御可能になる。このため、任意の厚さに正確且つ容易に制御することができ、しかもベース層に合わせた空隙率に設定することが可能になる。
【0015】
その上、ベース層である球状チタン粉末焼結体は、再度焼結されることがなく、空隙率が変化することを可及的に阻止することが可能になる。すなわち、ベース層と球状チタン粉末溶射層の積層構造において、空隙率の均一化が可能であり、電解液の透過性(通液性)に影響を与えることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【0016】
図1は、本発明の実施形態に係る製造方法により製造される電解装置用多孔質導電体が適用される水電解装置10の斜視説明図であり、図2は、前記水電解装置10の一部断面側面図である。
【0017】
水電解装置10は、複数の単位セル12が水平方向(矢印A方向)に積層された積層体14を備える。積層体14の積層方向一端には、ターミナルプレート16a、絶縁プレート18a及びエンドプレート20aが外方に向かって、順次、配設される。積層体14の積層方向他端には、同様にターミナルプレート16b、絶縁プレート18b及びエンドプレート20bが外方に向かって、順次、配設される。
【0018】
水電解装置10は、例えば、矢印A方向に延在する複数のタイロッド22を介してエンドプレート20a、20b間を一体的に締め付け保持する。なお、水電解装置10は、四角形に構成されるエンドプレート20a、20bを端板として含む箱状ケーシング(図示せず)により一体的に保持される構成を採用してもよい。また、水電解装置10は、立方体形状の他、円柱体形状等の種々の形状に設定可能である。
【0019】
図1に示すように、ターミナルプレート16a、16bの側部には、端子部24a、24bが外方に突出して設けられる。端子部24a、24bは、配線26a、26bを介して電源28に電気的に接続される。陽極(アノード)側である端子部24aは、電源28のプラス極に接続される一方、陰極(カソード)側である端子部24bは、前記電源28のマイナス極に接続される。
【0020】
図2及び図3に示すように、単位セル12は、電解質膜・電極構造体32と、この電解質膜・電極構造体32を挟持するアノード側セパレータ34及びカソード側セパレータ36とを備える。アノード側セパレータ34及びカソード側セパレータ36は、例えば、カーボン部材等で構成され、又は、鋼板、ステンレス鋼板、チタン板、アルミニウム板、めっき処理鋼板、あるいはその金属表面に防食用の表面処理を施した金属板をプレス成形して、あるいは切削加工した後に防食用の表面処理を施して構成される。
【0021】
電解質膜・電極構造体32は、例えば、パーフルオロスルホン酸の薄膜(50μm程度)に水が含浸された固体高分子電解質膜38と、前記固体高分子電解質膜38を挟持し且つ該固体高分子電解質膜38を補強するアノード側給電体(電解装置用多孔質導電体)40及びカソード側給電体(電解装置用多孔質導電体)42とを備える。
【0022】
固体高分子電解質膜38の両面には、アノード電極触媒層44a及びカソード電極触媒層44bが形成される。アノード電極触媒層44aは、例えば、Ru(ルテニウム)系触媒を使用する一方、カソード電極触媒層44bは、例えば、白金触媒を使用する。
【0023】
単位セル12の矢印B方向(図3中、水平方向)の一端縁部には、積層方向である矢印A方向に互いに連通して、水(純水)を供給するための供給連通孔46が設けられる。単位セル12の矢印B方向の他端縁部には、矢印A方向に互いに連通して、反応により生成された酸素及び使用済みの水を排出するための排出連通孔48と、反応により生成された水素を流すための水素流通連通孔50とが、矢印C方向に配列して設けられる。
【0024】
図4に示すように、アノード側セパレータ34の電解質膜・電極構造体32に向かう面34aには、例えば、矢印B方向に延在する第1流路52が設けられる。この第1流路52は、アノード側給電体40の表面積に対応する範囲内に設けられるとともに、供給連通孔46と排出連通孔48とに連通する。このアノード側セパレータ34の他方の面34bは、平坦状に構成される。
【0025】
図3に示すように、カソード側セパレータ36の電解質膜・電極構造体32に向かう面36aには、例えば、矢印B方向に延在する第2流路54が形成される。この第2流路54は、カソード側給電体42の表面積に対応する範囲内に設けられるとともに、水素流通連通孔50に連通する。このカソード側セパレータ36の他方の面36bは、平坦状に構成される。
【0026】
アノード側セパレータ34及びカソード側セパレータ36の外周端部を周回して、シール部材56a、56bが一体化される。このシール部材56a、56bには、例えば、EPDM、NBR、フッ素ゴム、シリコーンゴム、フロロシリコーンゴム、ブチルゴム、天然ゴム、スチレンゴム、クロロプレーン又はアクリルゴム等のシール材、クッション材、あるいはパッキン材が用いられる。
【0027】
図1に示すように、エンドプレート20aには、供給連通孔46、排出連通孔48及び水素流通連通孔50に連通する配管58a、58b及び58cが接続される。
【0028】
次いで、電解質膜・電極構造体32を構成するアノード側給電体40を製造する作業について、図5に示すフローチャートに沿って説明する。
【0029】
なお、カソード側給電体42は、アノード側給電体40と同様に製造されるため、その詳細な説明は省略する。また、このカソード側給電体42は、必要に応じて設けられており、特にカソード側に発生する高圧水素に対して固体高分子電解質膜38を保持するための強度を必要とするアノード側給電体40のみが設けられる場合もある。
【0030】
先ず、図6に示すように、所定の平均粒径(固体高分子電解質膜38の膜厚と同等若しくは大きな粒径、例えば、45μm〜150μm)の球状ガスアトマイズチタン粉末60は、高密度アルミナ製の皿状焼結容器62内に無加圧で充填される。
【0031】
焼結容器62内では、球状ガスアトマイズチタン粉末60が無加圧で真空焼結されることにより(ステップS1)、薄板状の球状チタン粉末焼結体64が製造される(図7参照)。球状チタン粉末焼結体64は、気孔率が10%〜50%の範囲内に設定される。なお、焼結温度は、チタンの融点よりも低く、例えば、800℃〜1300℃の範囲内が好ましい。
【0032】
次に、ステップS2に進んで、球状チタン粉末焼結体64に、前記球状チタン粉末焼結体64よりも細粒の球状チタン粉末66を溶射することにより、固体高分子電解質膜38に接する球状チタン粉末溶射層68が形成される(図8参照)。球状チタン粉末66は、純チタン粒子又はチタン合金粒子であり、平均粒径は、固体高分子電解質膜38の膜厚以下の粒径、例えば、45μm以下に設定される。
【0033】
この溶射処理は、減圧プラズマ溶射処理であり、具体的には、図9に示すように、真空チャンバ70に球状チタン粉末焼結体64が配置されるとともに、この真空チャンバ70では、溶射ガン72が前記球状チタン粉末焼結体64に対向する。溶射ガン72には、粉末材料入口74、作動ガス入口76、冷却水入口78a及び冷却水出口78bが設けられている。
【0034】
そこで、真空チャンバ70内において、溶射ガン72の粉末材料入口74から球状チタン粉末66が供給されるとともに、作動ガス入口76からアルゴン又はヘリウム等の不活性ガスが供給される。この状態で、プラズマジェットを発生させ、この中に球状チタン粉末66が投入されることにより、前記球状チタン粉末66の溶融粒子が球状チタン粉末焼結体64に溶射される。
【0035】
その際、プラズマ溶射が真空中若しくは不活性ガス中で行われるため、チタン粒子表面に酸化皮膜が形成されることがない。このため、低溶融度状態で成膜が行われ、気孔率が10%〜50%の範囲内に設定された多孔質の球状チタン粉末溶射層68が確実に形成される。
【0036】
さらに、ステップS3に進んで、球状チタン粉末溶射層68の表面及び球状チタン粉末焼結体64の表面に、研削又は切削による平滑化処理が施される(図10参照)。この平滑化処理では、研削等によって目詰まりが発生しており、前記平滑化処理後にエッチング処理が施される(ステップS4)。
【0037】
例えば、、エッチング溶液として、硝酸が10ml、10%のフッ化水素酸が10ml及び純水が180mlの混合溶液を用い、90秒間のエッチング時間で室温によるエッチングが行われる。なお、平滑化処理及びエッチング処理は、必要に応じて行えばよく、削除することもできる。
【0038】
次いで、洗浄及び活性化処理が行われた後、ステップS5に進んで、少なくとも球状チタン粉末溶射層68に対して、例えば、白金(Pt)によるメッキ処理が施される。
【0039】
これにより、アノード側給電体40が製造され、前記アノード側給電体40は、固体高分子電解質膜38の一方側に配置されるとともに、同様に処理されたカソード側給電体42は、前記固体高分子電解質膜38の他方向に配置される。従って、電解質膜・電極構造体32が得られる。
【0040】
上記のように構成される水電解装置10の動作について、以下に説明する。
【0041】
図1に示すように、配管58aから水電解装置10の供給連通孔46に水が供給されるとともに、ターミナルプレート16a、16bの端子部24a、24bに電気的に接続されている電源28を介して電圧が付与される。このため、図3に示すように、各単位セル12では、供給連通孔46からアノード側セパレータ34とアノード側給電体40との間に形成される第1流路52に水が供給され、この水が前記アノード側給電体40に沿って移動する。
【0042】
従って、水は、アノード電極触媒層44aで電気により分解され、水素イオン、電子及び酸素が生成される。この陽極反応により生成された水素イオンは、固体高分子電解質膜38を透過してカソード電極触媒層44b側に移動し、電子と結合して高圧な水素が得られる。
【0043】
このため、カソード側セパレータ36とカソード側給電体42との間に形成される第2流路54に沿って水素が流動し、この水素が、水素流通連通孔50を流れて水電解装置10の外部に取り出し可能となる。一方、第1流路52には、反応により生成した酸素と、使用済みの水とが流動しており、これらが排出連通孔48に沿って水電解装置10の外部に排出される。
【0044】
この場合、本実施形態では、電解質膜・電極構造体32を構成するアノード側給電体40及びカソード側給電体42のうち、少なくとも前記アノード側給電体40は、焼結処理により球状チタン粉末焼結体64が形成された後、減圧プラズマ溶射処理により、前記球状チタン粉末焼結体64に球状チタン粉末66が溶射されて球状チタン粉末溶射層68が形成されている。
【0045】
従って、球状チタン粉末焼結体64に、粒径の小さな球状チタン粉末66が溶射されるため、薄く且つ緻密な多孔質溶射層である球状チタン粉末溶射層68を形成することができる。このため、球状チタン粉末溶射層68は、高強度を確保してカソード側に発生する高圧水素に対して固体高分子電解質膜38の保持力を向上させるとともに、ガス及び水の透過性を良好に維持することが可能になるという効果が得られる。
【0046】
さらに、細粒状の球状チタン粉末66が溶射されるため、緻密な球状チタン粉末溶射層68の薄肉化が図られるとともに、例えば、数十μm単位で任意の厚さに正確且つ容易に制御することができる。しかも、ベース層である球状チタン粉末焼結体64は、再度焼結されることがなく、空隙率が変化することを可及的に阻止することが可能になる。これにより、水電解処理を良好に遂行することができるという利点がある。
【0047】
なお、本実施形態では、水電解装置10を用いて説明したが、これに限定されるものではなく、種々の電解装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【0048】
【図1】本発明の実施形態に係る製造方法により製造される電解装置用多孔質導電体が適用される水電解装置の斜視説明図である。
【図2】前記水電解装置の一部断面側面図である。
【図3】前記水電解装置を構成する単位セルの分解斜視説明図である。
【図4】前記単位セルを構成するアノード側セパレータの正面説明図である。
【図5】前記製造方法を説明するフローチャートである。
【図6】焼結処理の説明図である。
【図7】球状チタン粉末焼結体の一部拡大説明図である。
【図8】前記球状チタン粉末焼結体に球状チタン粉末溶射層が形成された状態の一部拡大説明図である。
【図9】溶射処理の説明図である。
【図10】平滑化処理の説明図である。
【符号の説明】
【0049】
10…水電解装置 12…単位セル
14…積層体 16a、16b…ターミナルプレート
18a、18a…絶縁プレート 20a、20b…エンドプレート
24a、24b…端子部 28…電源
32…電解質膜・電極構造体 34…アノード側セパレータ
36…カソード側セパレータ 38…固体高分子電解質膜
40…アノード側給電体 42…カソード側給電体
44a…アノード電極触媒層 44b…カソード電極触媒層
46…供給連通孔 48…排出連通孔
50…水素流通連通孔 52、54…流路
60…球状ガスアトマイズチタン粉末 62…焼結容器
64…球状チタン粉末焼結体 66…球状チタン粉末
68…球状チタン粉末溶射層 72…溶射ガン

【特許請求の範囲】
【請求項1】
電解質膜に接触し、電解用の給電体として使用される電解装置用多孔質導電体の製造方法であって、
球状チタン粉末を焼結処理して球状チタン粉末焼結体を形成する工程と、
前記球状チタン粉末焼結体に、前記球状チタン粉末焼結体よりも細粒の球状チタン粉末を溶射することにより、前記電解質膜に接する球状チタン粉末溶射層を形成する工程と、
を有することを特徴とする電解装置用多孔質導電体の製造方法。
【請求項2】
請求項1記載の製造方法において、前記溶射は、減圧プラズマ溶射であることを特徴とする電解装置用多孔質導電体の製造方法。
【請求項3】
請求項1又は2記載の製造方法において、少なくとも前記球状チタン粉末溶射層には、メッキ処理が施されることを特徴とする電解装置用多孔質導電体の製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【公開番号】特開2010−53400(P2010−53400A)
【公開日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−219760(P2008−219760)
【出願日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【出願人】(000005326)本田技研工業株式会社 (23,863)
【Fターム(参考)】