高周波伝送線路およびそれを用いた電子部品または電子装置
【課題】 高速信号を伝送する伝送線路において、特性インピーダンスの変化の少ない、伝送特性の良い高周波伝送線路を提供する。
【解決手段】 スルーホール近傍の信号導体の幅や、グラウンド導体の幅を変化させることにより特性インピーダンスを略一定に保つ。
【解決手段】 スルーホール近傍の信号導体の幅や、グラウンド導体の幅を変化させることにより特性インピーダンスを略一定に保つ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波伝送線路及びそれを用いた電子部品または電子装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波伝送線路を、図２〜図４を用いて説明する。図２は従来の高周波伝送線路の構成図であり、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は側面図である。図２に示すように、回路基板や高周波の電気信号を伝送する伝送線路としては、誘電体２０３上に信号導体２０１を設け、その信号導体２０１の両側にグラウンド導体２０３ａ、２０３ｂを設けたものがある。この伝送線路は、図２（ｂ）に示すように、信号導体２０１とグラウンド導体２０３ａ、２０３ｂの間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するコプレーナ線路である。電気力線２０４は信号導体２０１とグランド導体３０２ａ、信号導体２０１と３０２ｂの間に発生する。
【０００３】図３は従来の他の高周波伝送線路の構成図であり、図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は側面図である。図３に示すように、信号導体３０１に対して誘電体３０２を挟んで反対の面にグラウンド導体３０３を有し、その信号導体３０１とグラウンド導体３０３の間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するマイクロストリップ線路が示されている。電気力線３０４は図３（ｂ）に示すように、信号導体３０１とグランド導体３０３間に発生する。
【０００４】図４は従来の更に他の高周波伝送線路の構成図であり、図４（ａ）は斜視図、図４（ｂ）は側面図である。図４に示すように信号導体４０１に対して誘電体４０２を挟んで両側の面にグラウンド導体４０３ａ、４０３ｂを有し、その信号導体４０１とグラウンド導体４０３ａ、４０３ｂの間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するストリップ線路示されている。電気力線４０４は図４（ｂ）に示すように、信号導体４０１とグランド導体４０３ａ、信号導体４０１とグランド導体４０３ｂとの間に発生する。
【０００５】図５は従来の更に他の高周波伝送線路の構成図であり、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は側面図である。図５に示すように、信号導体５０１の両側に、グラウンド導体５０２ａ、５０２ｂを有し、さらに誘電体５０３を挟んだ反対側にもグラウンド導体５０４を有し、信号導体５０１と３つのグラウンド導体５０２ａ、５０２ｂ及びグラウンド導体５０４との間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するグラウンデッドコプレーナ線路が示されている。電気力線５０５は信号導体５０１とグランド導体５０２ａ、信号導体５０１とグランド導体５０２ｂ、信号導体５０１とグランド導体５０４間に発生する。
【０００６】図２〜図５に示されている高周波伝送線路ではそれぞれの構造によって決まる特性インピーダンスを一定に保って信号を伝搬することが重要である。特性インピーダンスが異なる伝送線路を接続すると、その接続部分で信号の反射が起こる。
【０００７】図６は特性インピーダンスの異なる伝送線路を接続した場合の模式図であり、例えば、特性インピーダンスがＺ1の伝送線路１と特性インピーダンスがＺ2の伝送線路２を接続して、伝送線路１から伝送線路２に信号を伝搬したとき、その反射係数は（数１）で表される。
【０００８】
【数１】
したがって、特性インピーダンスを伝送線路のすべての位置で一定にすることが重要である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】実際の基板は複数の層からなり、各層間の電気的導通をとるためのスルーホールが多数存在する。伝送線路の近傍にスルーホールがあると、その影響により、インピーダンスが変化する。このインピーダンスの変化により信号の反射が起こり、伝送特性が悪化する。
【００１０】本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、特性インピーダンスの変化の少ないまた、伝送特性の良い高周波伝送線路を提供することにある。本発明の他の目的は、本発明による高周波伝送線路を用いた、高周波特性の良い、電子部品または電子装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的はスルーホール近傍の信号線あるいはグラウンド導体の幅を変化させることにより実現されるもので、以下詳細に説明する。
【００１２】第１の発明では、高周波伝送線路は、誘電体と、該誘電体を挟んで両側に配置された複数のグランド導体と、該両側に配置されたグランド導体間を電気的に接続するスルーホールと、該スルーホールの近傍に配置された信号導体とを備え、該スルーホールによる信号導体の特性インピーダンスが変化することを抑圧するために、該スルーホール近傍において、該グランド導体及び信号導体のいずれか一方又は両方の形状を変化させる。
【００１３】第１の発明において、該複数のグランド導体は、該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体及び第２のグランド導体と、該誘電体の他面に配置された第３のグランド導体とから構成され、該信号導体は該第１及び該第２のグランド導体の間に配置される。また、該グランド導体は該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体と該誘電体の他の面に配置された第２のグランド導体とから構成され、該信号導体は該誘電体を構成する第１の層と第２の層の間に配置される。また、該グランド導体は該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体と該誘電体の他の面に配置された第２のグランド導体とから構成され、該信号導体は該第１のグランド電極上に設けられた他の誘電体を介して該スルーホールの近傍に配置される。また、該信号導体は該スルーホールの近傍において、該信号導体の幅が狭くなるように凹みが形成される。また、この発明で、該信号導体は該凹み部分を除いて略同じ幅を有する。また、この発明で、該信号導体は該凹み部分を除いて徐々に変化する幅を有する。
【００１４】第１の発明において、該グランド導体は該スルーホールの近傍において、該グランド導体の幅が狭くなるように凹みが形成される。また、この発明で、該複数のグランド導体は該凹み部分を除いて略同じ幅を有する。
【００１５】第１の発明において、該信号導体は該スルーホールの近傍で、該信号導体の幅が狭くなるように凹みが形成され、該グランド導体は該スルーホールの近傍において、該グランド導体の幅が狭くなるように凹みが形成される。
【００１６】第２の発明では、誘電体と、該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体と、該誘電体の他の面に配置された第２の誘電体と、該第１のグランド導体と該第２のグランド導体との間を接続するスルーホールと、該第１のグランド導体及び該スルーホールに隣接して配置された信号導体とを備え、該スルーホールの近傍において、該信号導体の幅又は該グランド導体の幅のいずれか一方が狭くなるように構成する。
【００１７】第２の発明において、高周波伝送線路は、該誘電体の一面に第３のグランド導体を設け、該第１のグランド導体との間で該信号導体を挟み込むように該第３のグランド導体を配置する。
【００１８】第３の発明では、高周波伝送線路は、信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅を細くする。
【００１９】第４の発明では、１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍のグラウンド導体幅を細くする。
【００２０】第５の発明では、高周波伝送線路は、１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅とグラウンド導体幅を細くする。
【００２１】第６の発明では、高周波伝送線路は、１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅を細くし、グラウンド導体幅を太くする。
【００２２】第７の発明では、電子部品は、上記の高周波伝送線路の構造を有する。
【００２３】第８の発明では、電子装置は、上記の高周波伝送線路の構造を有する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を幾つかの実施例を用い、図を参照しながら具体的に説明する。図１は本発明による高周波伝送線路の第１の実施例を示す構成図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線路は、図１に示すように、信号導体１０１と、その両側に配置されたグラウンド導体１０２ａ、１０２ｂと、誘電体基板１０３と、誘電体基板１０３を挟んで信号導体１０１の反対側の面にあるグラウンド導体１０４と、信号導体１０１の両側に配置されたグラウンド導体１０２ａ、１０２ｂと信号導体１０１の反対側の面にあるグラウンド導体１０４の間の電気的導通を取るためのスルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄからなる。本実施例ではスルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄの影響でこの近傍の特性インピーダンスが変化する。
【００２５】以下、スルーホールにより特性インピーダンスが変化する理由について説明する。伝送線路の信号導体１０１及びグラウンド導体１０２ａ、１０２ｂ、１０４はその幅や厚さ等によって決まるインダクタンス成分Ｌを持つ。また信号導体１０１とグラウンド導体グラウンド導体１０２ａ、１０２ｂの距離や誘電体材料等によって決まる容量成分Ｃを持つ。伝送線路の特性インピーダンスＺは、伝送線路のロスが無いとすると、インダクタンスＬと容量を用いて、（数２）のように表すことができる。
【００２６】
【数２】
スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄがない部分に比べ、スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄがある部分では、信号導体の近傍のグラウンド導体が増えるため、容量Ｃが増大する。したがって、（数２）から明らかなようにインピーダンスが下がる。従って、スルーホール近傍のインダクタンスを増加あるいは、スルーホール近傍の容量を低減することで、特性インピーダンスを一定に保ち、伝送特性を向上させることができる。スルーホール近傍のインダクタンスを増加させるためには、信号線の線幅を狭くすればよく、また、容量の低減は信号線とグラウンド導体の距離を広くすることで実現できる。本実施例では、伝送線路における信号導体１０１の幅はスルーホールの近傍において細くなっている。又は、表現を変えると、信号導体１０１はスルーホールの近傍において凹んでへこんでいる。また、スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、又はスルーホール１０５ｃ、１０５ｄの外側の両端を結んだ線の中に信号導体１０１の幅が狭くなっている部分が存在するといえる。また、スルーホール１０５ａ、１０５ｂとスルーホール１０５ｃ、１０５ｄの間で信号導体１０１は狭い幅と広い幅とを持っている。
【００２７】本実施例では、スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄによって容量が増え、特性インピーダンスが低下することをキャンセルするために、信号導体１０１の幅を細くして凹みを持たせている。これによって、インダクタンス成分を上げ、特性インピーダンスを一定に保つことができる。また、本実施例では、信号導体１０１と、その両側に配置されたグラウンド導体１０２の間の間隔が広くなるため、この間の容量成分を低減する効果もある。
【００２８】図７は信号導体の幅と特性インピーダンスの関係を電磁界解析により求めた結果を示す特性図であり、横軸に伝送線路における信号線幅（μｍ）を示し、縦軸に特性インピーダンス（Ω）を示す。また、図８は電磁界解析を行うためのスルーホールを用いた伝送線路の断面図であり、図９は電磁界解析を行うためのスルーホールなしの伝送線路の断面図である。図８において、８０１は信号導体、８０２ａ、８０２ｂ、８０４はグランド導体、８０３は誘電体、８０５ａ、８０５ｂはスルーホールである。グランド導体８０２ａ、８０２ｂの幅は６７５μｍ、厚さは２．２μｍ、グランド導体８０４の幅は１５００μｍ、厚さは２．２μｍ、誘電体８０３の厚さは２４５μｍであり、信号導体８０１の厚さは２．２μｍであり、スルーホール８０５ａ、８０５ｂ近傍の信号導体８０１の幅ｄ１を変えた場合の特性インピーダンス（Ω）を図７の特性線７０１で示す。図９において、グランド導体９０２ａ、９０２ｂの幅は６７５μｍ、厚さは２．２μｍである。誘電体９０３の厚さは２５４μｍ、グランド導体９０４の幅は１５００μｍ、厚さは２．２である。また、信号導体９０１の幅はｄ２、厚さは２．２μｍであり、ｄ２を変えた場合の特性インピーダンス（Ω）を図７の特性線７０２で示す。本解析は図８および、図９に示す構造で解析を行った。本解析構造は光モジュールの内部で高周波信号を伝送するために使用されることを想定した場合に実現性の高いサイズである。伝送線路の特性インピーダンスを５０Ωで設計した場合、スルーホールの無い部分では図７の特性線７０２から分かるように信号導体の幅を９７μｍとする必要があるが、その幅で近傍にスルーホール８０５ａ、８０５ｂが存在した場合、特性インピーダンスは４１Ωと約２０％も低くなってしまう。スルーホール８０５ａ、８０５ｂが存在する場合、特性インピーダンスを５０Ωにするためには図７の特性線７０１から分かるように、信号導体の幅を７２μｍにすれば良い。したがって、本実施例の構造の伝送線路では、信号導体の幅は、スルーホール８０５ａ、８０５ｂがないところでは９７μｍと広くし、スルーホール８０５ａ、８０５ｂのあるところでは７２μｍと狭くすることによって、特性インピーダンスを５０Ωと一定の値とすることができる。
【００２９】以下、本発明の第２の実施例について、図１０を用いて説明する。図１０は本発明による高周波伝送線路の第２の実施例を示す平面図である。図において、図１の同じ構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施例においては、信号導体１１１の幅を一定とし、グラウンド導体１１２ａ、１１２ｂの幅を変化させている。スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ近傍で、グラウンド導体１１２ａ、１１２ｂの幅を狭くし、信号導体１１１とグラウンド導体１１２ａ、１１２ｂの間の距離を遠くすることで信号導体１１１とグラウンド導体１１２ａ、１１２ｂ間の容量成分を低減できる。これにより、スルーホール付加による容量成分の増加を打ち消し、特性インピーダンスを一定に保つことができる。
【００３０】以下、本発明の第３の実施例について、図１１を用いて説明する。図１１は本発明による高周波伝送線路の第３の実施例を示す平面図である。本実施では信号導体１０１の幅と、グラウンド導体１２２ａ、１２２ｂの幅の両方を細くしている。即ちスルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ近傍で、信号導体１０１に凹みを設けてその幅を狭くして、インダクタンス成分を増やし、さらに、グラウンド導体１２２ａ、１２２ｂに凹みを設けてその幅を狭くして信号導体１０１からグラウンド導体１２２ａ又はグランド導体１２２ｂの距離を遠くすることで、容量成分を低減できる。この２つの効果により、特性インピーダンスを一定に保つことができる。
【００３１】以下、本発明の第４の実施例について、図１２を用いて説明する。図１２は本発明による高周波伝送線路の第４の実施例を示す平面図である。本実施では信号導体１０１は図１１の場合と同様にその幅を狭く（又は細く）し、グラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの幅を広くしている。スルーホール近傍で、信号導体１０１の幅を狭くし、インダクタンス成分を増やす。グラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの幅を広くすることで信号導体からグラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの距離が近くなり、容量成分が更に増加してしまうが、グラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの幅を狭くすることでそれを打ち消す。本構造では、信号導体１０１とグラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの間のギャップを一定に保つことも可能であり、ギャップが変化することによる電磁界のモード変化を最小限に抑えることができるという利点がある。
【００３２】以上、２層構造のグラウンデットコプレーナ線路について複数の実施例を挙げて述べたが、本発明は２層構造のものに限られるものでは無い。より多層の基板においても、基板の一部にでもグラウンデットコプレーナ構造の伝送線路があれば、本実施例の効果は得られる。また、本発明はグラウンデットコプレーナ線路に限られる発明ではない。
【００３３】以下、各種伝送線路における実施例について説明する。図１３は本発明による高周波伝送線路の第４の実施例を示す構成図であり、図１３（ａ）は斜視図、図１３（ｂ）は平面図、図１３（ｃ）は図１３（ｂ）のＡ−Ａ断面図、図１３（ｄ）は図１３（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線路は信号導体１３０１と、誘電体１３０２と、その誘電体１３０２を挟んで両側に配置されたグラウンド導体１３０３ａ、１３０３ｂと、そのグラウンド導体１３０３ａ、１３０３ｂの間の電気的導通を取るためのスルーホール１３０４ａ〜１３０４ｄからなる。
【００３４】本実施例の伝送線路における信号導体１３０１の幅はスルーホール１３０４ａ〜１３０４ｄの近傍において細くなっている。スルーホールによって容量成分が増え、特性インピーダンスが低下することをキャンセルするために信号導体１３０１の幅を細くすることでインダクタンス成分を上げ、特性インピーダンスを一定に保つことができる。また、本実施例では、信号導体１３０１と、スルーホール１３０４ａ〜１３０４ｄの間隔が広くなるため、容量成分を低減する効果もある。
【００３５】マイクロストリップ線路に関する実施例を、図１４を用いて説明する。図１４は本発明による高周波伝送線路の第５の実施例を示す構成図であり、図１４（ａ）は斜視図、図１４（ｂ）は平面図、図１４（ｃ）は図１４（ｂ）のＡ−Ａ断面図、図１４（ｄ）は図１４（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線路は信号導体１４０１と、誘電体１４０２と、その誘電体１４０２を挟んで信号導体１４０１両側に配置されたグラウンド導体１４０３と、それとは別のグラウンド導体１４０４と、それら複数のグラウンド層の間を電気的に接続するための貫通型のスルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄからなる。
【００３６】本実施例の伝送線路における信号導体１４０１の幅はスルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄの近傍において細くなっている。スルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄによって容量成分が増え、特性インピーダンスが低下することをキャンセルするために信号導体１４０１の幅を細くすることでインダクタンス成分を上げ、特性インピーダンスを一定に保つことができる。また、本実施例では、信号導体１４０１と、スルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄの間隔が広くなるため、容量成分を低減する効果もある。以上、スルーホールが信号導体から等距離の位置に左右対称に、周期的にある場合の実施例について述べてきたが、本発明はこれに限るものではない。
【００３７】以下、図１５を用いて、信号導体からスルーホールまでの距離が一定でない場合の実施例について説明する。図１５は本発明による高周波伝送線路の第６の実施例を示す平面図である。本実施例では、スルーホール１５０３ａとスルーホール１５０３ｂ間の距離はスルーホール１５０４ａとスルーホール１５０４ｂ間の距離より長い。信号導体５０１からスルーホール１５０３ａ、１５０３ｂまでの距離が遠い場合、スルーホール１５０３ａ、１５０３ｂのよる容量値の増加はスルーホール１５０４ａとスルーホール１５０４ｂによる容量の増加より少ないため、スルーホール１５０３ａ、１５０３ｂ近傍の信号導体１５０１の幅はスルーホール１５０４ａとスルーホール１５０４ｂ近傍の信号導体１５０１の幅より広くする。
【００３８】信号導体からスルーホールまでの距離が一定でない場合の実施例としてグラウンデットコプレーナ線路について信号導体を細くした場合の実施例を示したが、マイクロストリップ線路、ストリップ線路等でも同様の議論ができることは言うまでもない。
【００３９】次に、信号導体の幅を徐々に狭くしていった場合に特性インピーダンスが一定になる場合、例えば、誘電体の厚さが徐々に異ならしめた場合や電界の方向を９０度変更するために、徐々に信号導体とグランド導体の距離を離す場合の実施例である。図１６は本発明による高周波伝送線路の第７の実施例を示す平面図である。本実施例において、信号導体１６０１の幅は図の下方に行くに従って狭くなっているが、この場合でも、スルーホール１６０２ａ、１６０２ｂが設けられている近傍の信号導体１６０１の幅は狭く、又は細くなるように凹みが設けられ、上述した効果を得ている。
【００４０】以下、スルーホールが対になって構成されていない場合の例について図１７を用いて説明する。図１７は本発明による高周波伝送線路の第８の実施例を示す平面図である。図において、グランド導体１７０２ａに設けられたスルーホール１７０３とグランド導体１７０２ｂに設けられたスルーホール１７０４とが対になっていいない場合でも、スルーホール１７０３、１７０４近傍の信号導体１７０１の幅は狭く、又は細くなるように凹みが設けられている。
【００４１】本発明は高周波信号を伝搬する装置として、光モジュールの高速信号伝送基板や、パーソナルコンピュータ、携帯端末、通信機器などに適用できる。また、本実施例では、基板上の伝送線路の例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。ＬＳＩチップ内の伝送線路において本発明を利用することで、より高周波特性の良いＬＳＩを作製可能となる。その他、基板間を接続するフレキシブルケーブル当にも適用可能である。
【００４２】以上述べたように、本発明によれば、少なくとも１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールを有する伝送線路に関し、信号導体とスルーホールの間の容量が増えることにより伝送線路の特性インピーダンスが下がり、信号の反射が生じて伝送特性が悪くなるという問題点を克服するために、信号導体、グラウンド導体の幅を広げたり狭めたりすることでインダクタンスを増加させ、あるいは容量を低減してインピーダンスを一定に保っている。また、本発明を適用することにより、より伝送特性のよい伝送線路を提供できる。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、信号導体と、複数のグラウンド導体とを有する伝送線路にスルーホールを設けても、インダクタンスを増加させ、あるいは容量を低減してインピーダンスを一定に保つことができる。また、本発明を適用することにより、より伝送特性のよい伝送線路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による高周波伝送線路の第１の実施例を示す構成図である。
【図２】従来の高周波伝送線路の構成図である。
【図３】従来の他の高周波伝送線路の構成図である。
【図４】従来の更に他の高周波伝送線路の構成図である。
【図５】従来の更に他の高周波伝送線路の構成図である。
【図６】特性インピーダンスの異なる伝送線路を接続した場合の模式図である。
【図７】信号導体の幅と特性インピーダンスの関係を電磁界解析により求めた結果を示す特性図である。
【図８】電磁界解析を行うためのスルーホールを用いた伝送線路の断面図である。
【図９】電磁界解析を行うためのスルーホールなしの伝送線路の断面図である。
【図１０】本発明による高周波伝送線路の第２の実施例を示す平面図である。
【図１１】本発明による高周波伝送線路の第３の実施例を示す平面図である。
【図１２】本発明による高周波伝送線路の第４の実施例を示す平面図である。
【図１３】本発明による高周波伝送線路の第４の実施例を示す構成図である。
【図１４】本発明による高周波伝送線路の第５の実施例を示す構成図である。
【図１５】本発明による高周波伝送線路の第６の実施例を示す平面図である。
【図１６】本発明による高周波伝送線路の第７の実施例を示す平面図である。
【図１７】本発明による高周波伝送線路の第８の実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
１０１…信号導体、１０２ａ、１０２ｂ…グラウンド導体、１０３…誘電体基板、１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ…スルーホール、１０４…グラウンド導体。
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波伝送線路及びそれを用いた電子部品または電子装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波伝送線路を、図２〜図４を用いて説明する。図２は従来の高周波伝送線路の構成図であり、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は側面図である。図２に示すように、回路基板や高周波の電気信号を伝送する伝送線路としては、誘電体２０３上に信号導体２０１を設け、その信号導体２０１の両側にグラウンド導体２０３ａ、２０３ｂを設けたものがある。この伝送線路は、図２（ｂ）に示すように、信号導体２０１とグラウンド導体２０３ａ、２０３ｂの間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するコプレーナ線路である。電気力線２０４は信号導体２０１とグランド導体３０２ａ、信号導体２０１と３０２ｂの間に発生する。
【０００３】図３は従来の他の高周波伝送線路の構成図であり、図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は側面図である。図３に示すように、信号導体３０１に対して誘電体３０２を挟んで反対の面にグラウンド導体３０３を有し、その信号導体３０１とグラウンド導体３０３の間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するマイクロストリップ線路が示されている。電気力線３０４は図３（ｂ）に示すように、信号導体３０１とグランド導体３０３間に発生する。
【０００４】図４は従来の更に他の高周波伝送線路の構成図であり、図４（ａ）は斜視図、図４（ｂ）は側面図である。図４に示すように信号導体４０１に対して誘電体４０２を挟んで両側の面にグラウンド導体４０３ａ、４０３ｂを有し、その信号導体４０１とグラウンド導体４０３ａ、４０３ｂの間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するストリップ線路示されている。電気力線４０４は図４（ｂ）に示すように、信号導体４０１とグランド導体４０３ａ、信号導体４０１とグランド導体４０３ｂとの間に発生する。
【０００５】図５は従来の更に他の高周波伝送線路の構成図であり、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は側面図である。図５に示すように、信号導体５０１の両側に、グラウンド導体５０２ａ、５０２ｂを有し、さらに誘電体５０３を挟んだ反対側にもグラウンド導体５０４を有し、信号導体５０１と３つのグラウンド導体５０２ａ、５０２ｂ及びグラウンド導体５０４との間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するグラウンデッドコプレーナ線路が示されている。電気力線５０５は信号導体５０１とグランド導体５０２ａ、信号導体５０１とグランド導体５０２ｂ、信号導体５０１とグランド導体５０４間に発生する。
【０００６】図２〜図５に示されている高周波伝送線路ではそれぞれの構造によって決まる特性インピーダンスを一定に保って信号を伝搬することが重要である。特性インピーダンスが異なる伝送線路を接続すると、その接続部分で信号の反射が起こる。
【０００７】図６は特性インピーダンスの異なる伝送線路を接続した場合の模式図であり、例えば、特性インピーダンスがＺ1の伝送線路１と特性インピーダンスがＺ2の伝送線路２を接続して、伝送線路１から伝送線路２に信号を伝搬したとき、その反射係数は（数１）で表される。
【０００８】
【数１】
したがって、特性インピーダンスを伝送線路のすべての位置で一定にすることが重要である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】実際の基板は複数の層からなり、各層間の電気的導通をとるためのスルーホールが多数存在する。伝送線路の近傍にスルーホールがあると、その影響により、インピーダンスが変化する。このインピーダンスの変化により信号の反射が起こり、伝送特性が悪化する。
【００１０】本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、特性インピーダンスの変化の少ないまた、伝送特性の良い高周波伝送線路を提供することにある。本発明の他の目的は、本発明による高周波伝送線路を用いた、高周波特性の良い、電子部品または電子装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的はスルーホール近傍の信号線あるいはグラウンド導体の幅を変化させることにより実現されるもので、以下詳細に説明する。
【００１２】第１の発明では、高周波伝送線路は、誘電体と、該誘電体を挟んで両側に配置された複数のグランド導体と、該両側に配置されたグランド導体間を電気的に接続するスルーホールと、該スルーホールの近傍に配置された信号導体とを備え、該スルーホールによる信号導体の特性インピーダンスが変化することを抑圧するために、該スルーホール近傍において、該グランド導体及び信号導体のいずれか一方又は両方の形状を変化させる。
【００１３】第１の発明において、該複数のグランド導体は、該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体及び第２のグランド導体と、該誘電体の他面に配置された第３のグランド導体とから構成され、該信号導体は該第１及び該第２のグランド導体の間に配置される。また、該グランド導体は該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体と該誘電体の他の面に配置された第２のグランド導体とから構成され、該信号導体は該誘電体を構成する第１の層と第２の層の間に配置される。また、該グランド導体は該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体と該誘電体の他の面に配置された第２のグランド導体とから構成され、該信号導体は該第１のグランド電極上に設けられた他の誘電体を介して該スルーホールの近傍に配置される。また、該信号導体は該スルーホールの近傍において、該信号導体の幅が狭くなるように凹みが形成される。また、この発明で、該信号導体は該凹み部分を除いて略同じ幅を有する。また、この発明で、該信号導体は該凹み部分を除いて徐々に変化する幅を有する。
【００１４】第１の発明において、該グランド導体は該スルーホールの近傍において、該グランド導体の幅が狭くなるように凹みが形成される。また、この発明で、該複数のグランド導体は該凹み部分を除いて略同じ幅を有する。
【００１５】第１の発明において、該信号導体は該スルーホールの近傍で、該信号導体の幅が狭くなるように凹みが形成され、該グランド導体は該スルーホールの近傍において、該グランド導体の幅が狭くなるように凹みが形成される。
【００１６】第２の発明では、誘電体と、該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体と、該誘電体の他の面に配置された第２の誘電体と、該第１のグランド導体と該第２のグランド導体との間を接続するスルーホールと、該第１のグランド導体及び該スルーホールに隣接して配置された信号導体とを備え、該スルーホールの近傍において、該信号導体の幅又は該グランド導体の幅のいずれか一方が狭くなるように構成する。
【００１７】第２の発明において、高周波伝送線路は、該誘電体の一面に第３のグランド導体を設け、該第１のグランド導体との間で該信号導体を挟み込むように該第３のグランド導体を配置する。
【００１８】第３の発明では、高周波伝送線路は、信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅を細くする。
【００１９】第４の発明では、１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍のグラウンド導体幅を細くする。
【００２０】第５の発明では、高周波伝送線路は、１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅とグラウンド導体幅を細くする。
【００２１】第６の発明では、高周波伝送線路は、１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅を細くし、グラウンド導体幅を太くする。
【００２２】第７の発明では、電子部品は、上記の高周波伝送線路の構造を有する。
【００２３】第８の発明では、電子装置は、上記の高周波伝送線路の構造を有する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を幾つかの実施例を用い、図を参照しながら具体的に説明する。図１は本発明による高周波伝送線路の第１の実施例を示す構成図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線路は、図１に示すように、信号導体１０１と、その両側に配置されたグラウンド導体１０２ａ、１０２ｂと、誘電体基板１０３と、誘電体基板１０３を挟んで信号導体１０１の反対側の面にあるグラウンド導体１０４と、信号導体１０１の両側に配置されたグラウンド導体１０２ａ、１０２ｂと信号導体１０１の反対側の面にあるグラウンド導体１０４の間の電気的導通を取るためのスルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄからなる。本実施例ではスルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄの影響でこの近傍の特性インピーダンスが変化する。
【００２５】以下、スルーホールにより特性インピーダンスが変化する理由について説明する。伝送線路の信号導体１０１及びグラウンド導体１０２ａ、１０２ｂ、１０４はその幅や厚さ等によって決まるインダクタンス成分Ｌを持つ。また信号導体１０１とグラウンド導体グラウンド導体１０２ａ、１０２ｂの距離や誘電体材料等によって決まる容量成分Ｃを持つ。伝送線路の特性インピーダンスＺは、伝送線路のロスが無いとすると、インダクタンスＬと容量を用いて、（数２）のように表すことができる。
【００２６】
【数２】
スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄがない部分に比べ、スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄがある部分では、信号導体の近傍のグラウンド導体が増えるため、容量Ｃが増大する。したがって、（数２）から明らかなようにインピーダンスが下がる。従って、スルーホール近傍のインダクタンスを増加あるいは、スルーホール近傍の容量を低減することで、特性インピーダンスを一定に保ち、伝送特性を向上させることができる。スルーホール近傍のインダクタンスを増加させるためには、信号線の線幅を狭くすればよく、また、容量の低減は信号線とグラウンド導体の距離を広くすることで実現できる。本実施例では、伝送線路における信号導体１０１の幅はスルーホールの近傍において細くなっている。又は、表現を変えると、信号導体１０１はスルーホールの近傍において凹んでへこんでいる。また、スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、又はスルーホール１０５ｃ、１０５ｄの外側の両端を結んだ線の中に信号導体１０１の幅が狭くなっている部分が存在するといえる。また、スルーホール１０５ａ、１０５ｂとスルーホール１０５ｃ、１０５ｄの間で信号導体１０１は狭い幅と広い幅とを持っている。
【００２７】本実施例では、スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄによって容量が増え、特性インピーダンスが低下することをキャンセルするために、信号導体１０１の幅を細くして凹みを持たせている。これによって、インダクタンス成分を上げ、特性インピーダンスを一定に保つことができる。また、本実施例では、信号導体１０１と、その両側に配置されたグラウンド導体１０２の間の間隔が広くなるため、この間の容量成分を低減する効果もある。
【００２８】図７は信号導体の幅と特性インピーダンスの関係を電磁界解析により求めた結果を示す特性図であり、横軸に伝送線路における信号線幅（μｍ）を示し、縦軸に特性インピーダンス（Ω）を示す。また、図８は電磁界解析を行うためのスルーホールを用いた伝送線路の断面図であり、図９は電磁界解析を行うためのスルーホールなしの伝送線路の断面図である。図８において、８０１は信号導体、８０２ａ、８０２ｂ、８０４はグランド導体、８０３は誘電体、８０５ａ、８０５ｂはスルーホールである。グランド導体８０２ａ、８０２ｂの幅は６７５μｍ、厚さは２．２μｍ、グランド導体８０４の幅は１５００μｍ、厚さは２．２μｍ、誘電体８０３の厚さは２４５μｍであり、信号導体８０１の厚さは２．２μｍであり、スルーホール８０５ａ、８０５ｂ近傍の信号導体８０１の幅ｄ１を変えた場合の特性インピーダンス（Ω）を図７の特性線７０１で示す。図９において、グランド導体９０２ａ、９０２ｂの幅は６７５μｍ、厚さは２．２μｍである。誘電体９０３の厚さは２５４μｍ、グランド導体９０４の幅は１５００μｍ、厚さは２．２である。また、信号導体９０１の幅はｄ２、厚さは２．２μｍであり、ｄ２を変えた場合の特性インピーダンス（Ω）を図７の特性線７０２で示す。本解析は図８および、図９に示す構造で解析を行った。本解析構造は光モジュールの内部で高周波信号を伝送するために使用されることを想定した場合に実現性の高いサイズである。伝送線路の特性インピーダンスを５０Ωで設計した場合、スルーホールの無い部分では図７の特性線７０２から分かるように信号導体の幅を９７μｍとする必要があるが、その幅で近傍にスルーホール８０５ａ、８０５ｂが存在した場合、特性インピーダンスは４１Ωと約２０％も低くなってしまう。スルーホール８０５ａ、８０５ｂが存在する場合、特性インピーダンスを５０Ωにするためには図７の特性線７０１から分かるように、信号導体の幅を７２μｍにすれば良い。したがって、本実施例の構造の伝送線路では、信号導体の幅は、スルーホール８０５ａ、８０５ｂがないところでは９７μｍと広くし、スルーホール８０５ａ、８０５ｂのあるところでは７２μｍと狭くすることによって、特性インピーダンスを５０Ωと一定の値とすることができる。
【００２９】以下、本発明の第２の実施例について、図１０を用いて説明する。図１０は本発明による高周波伝送線路の第２の実施例を示す平面図である。図において、図１の同じ構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施例においては、信号導体１１１の幅を一定とし、グラウンド導体１１２ａ、１１２ｂの幅を変化させている。スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ近傍で、グラウンド導体１１２ａ、１１２ｂの幅を狭くし、信号導体１１１とグラウンド導体１１２ａ、１１２ｂの間の距離を遠くすることで信号導体１１１とグラウンド導体１１２ａ、１１２ｂ間の容量成分を低減できる。これにより、スルーホール付加による容量成分の増加を打ち消し、特性インピーダンスを一定に保つことができる。
【００３０】以下、本発明の第３の実施例について、図１１を用いて説明する。図１１は本発明による高周波伝送線路の第３の実施例を示す平面図である。本実施では信号導体１０１の幅と、グラウンド導体１２２ａ、１２２ｂの幅の両方を細くしている。即ちスルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ近傍で、信号導体１０１に凹みを設けてその幅を狭くして、インダクタンス成分を増やし、さらに、グラウンド導体１２２ａ、１２２ｂに凹みを設けてその幅を狭くして信号導体１０１からグラウンド導体１２２ａ又はグランド導体１２２ｂの距離を遠くすることで、容量成分を低減できる。この２つの効果により、特性インピーダンスを一定に保つことができる。
【００３１】以下、本発明の第４の実施例について、図１２を用いて説明する。図１２は本発明による高周波伝送線路の第４の実施例を示す平面図である。本実施では信号導体１０１は図１１の場合と同様にその幅を狭く（又は細く）し、グラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの幅を広くしている。スルーホール近傍で、信号導体１０１の幅を狭くし、インダクタンス成分を増やす。グラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの幅を広くすることで信号導体からグラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの距離が近くなり、容量成分が更に増加してしまうが、グラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの幅を狭くすることでそれを打ち消す。本構造では、信号導体１０１とグラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの間のギャップを一定に保つことも可能であり、ギャップが変化することによる電磁界のモード変化を最小限に抑えることができるという利点がある。
【００３２】以上、２層構造のグラウンデットコプレーナ線路について複数の実施例を挙げて述べたが、本発明は２層構造のものに限られるものでは無い。より多層の基板においても、基板の一部にでもグラウンデットコプレーナ構造の伝送線路があれば、本実施例の効果は得られる。また、本発明はグラウンデットコプレーナ線路に限られる発明ではない。
【００３３】以下、各種伝送線路における実施例について説明する。図１３は本発明による高周波伝送線路の第４の実施例を示す構成図であり、図１３（ａ）は斜視図、図１３（ｂ）は平面図、図１３（ｃ）は図１３（ｂ）のＡ−Ａ断面図、図１３（ｄ）は図１３（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線路は信号導体１３０１と、誘電体１３０２と、その誘電体１３０２を挟んで両側に配置されたグラウンド導体１３０３ａ、１３０３ｂと、そのグラウンド導体１３０３ａ、１３０３ｂの間の電気的導通を取るためのスルーホール１３０４ａ〜１３０４ｄからなる。
【００３４】本実施例の伝送線路における信号導体１３０１の幅はスルーホール１３０４ａ〜１３０４ｄの近傍において細くなっている。スルーホールによって容量成分が増え、特性インピーダンスが低下することをキャンセルするために信号導体１３０１の幅を細くすることでインダクタンス成分を上げ、特性インピーダンスを一定に保つことができる。また、本実施例では、信号導体１３０１と、スルーホール１３０４ａ〜１３０４ｄの間隔が広くなるため、容量成分を低減する効果もある。
【００３５】マイクロストリップ線路に関する実施例を、図１４を用いて説明する。図１４は本発明による高周波伝送線路の第５の実施例を示す構成図であり、図１４（ａ）は斜視図、図１４（ｂ）は平面図、図１４（ｃ）は図１４（ｂ）のＡ−Ａ断面図、図１４（ｄ）は図１４（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線路は信号導体１４０１と、誘電体１４０２と、その誘電体１４０２を挟んで信号導体１４０１両側に配置されたグラウンド導体１４０３と、それとは別のグラウンド導体１４０４と、それら複数のグラウンド層の間を電気的に接続するための貫通型のスルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄからなる。
【００３６】本実施例の伝送線路における信号導体１４０１の幅はスルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄの近傍において細くなっている。スルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄによって容量成分が増え、特性インピーダンスが低下することをキャンセルするために信号導体１４０１の幅を細くすることでインダクタンス成分を上げ、特性インピーダンスを一定に保つことができる。また、本実施例では、信号導体１４０１と、スルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄの間隔が広くなるため、容量成分を低減する効果もある。以上、スルーホールが信号導体から等距離の位置に左右対称に、周期的にある場合の実施例について述べてきたが、本発明はこれに限るものではない。
【００３７】以下、図１５を用いて、信号導体からスルーホールまでの距離が一定でない場合の実施例について説明する。図１５は本発明による高周波伝送線路の第６の実施例を示す平面図である。本実施例では、スルーホール１５０３ａとスルーホール１５０３ｂ間の距離はスルーホール１５０４ａとスルーホール１５０４ｂ間の距離より長い。信号導体５０１からスルーホール１５０３ａ、１５０３ｂまでの距離が遠い場合、スルーホール１５０３ａ、１５０３ｂのよる容量値の増加はスルーホール１５０４ａとスルーホール１５０４ｂによる容量の増加より少ないため、スルーホール１５０３ａ、１５０３ｂ近傍の信号導体１５０１の幅はスルーホール１５０４ａとスルーホール１５０４ｂ近傍の信号導体１５０１の幅より広くする。
【００３８】信号導体からスルーホールまでの距離が一定でない場合の実施例としてグラウンデットコプレーナ線路について信号導体を細くした場合の実施例を示したが、マイクロストリップ線路、ストリップ線路等でも同様の議論ができることは言うまでもない。
【００３９】次に、信号導体の幅を徐々に狭くしていった場合に特性インピーダンスが一定になる場合、例えば、誘電体の厚さが徐々に異ならしめた場合や電界の方向を９０度変更するために、徐々に信号導体とグランド導体の距離を離す場合の実施例である。図１６は本発明による高周波伝送線路の第７の実施例を示す平面図である。本実施例において、信号導体１６０１の幅は図の下方に行くに従って狭くなっているが、この場合でも、スルーホール１６０２ａ、１６０２ｂが設けられている近傍の信号導体１６０１の幅は狭く、又は細くなるように凹みが設けられ、上述した効果を得ている。
【００４０】以下、スルーホールが対になって構成されていない場合の例について図１７を用いて説明する。図１７は本発明による高周波伝送線路の第８の実施例を示す平面図である。図において、グランド導体１７０２ａに設けられたスルーホール１７０３とグランド導体１７０２ｂに設けられたスルーホール１７０４とが対になっていいない場合でも、スルーホール１７０３、１７０４近傍の信号導体１７０１の幅は狭く、又は細くなるように凹みが設けられている。
【００４１】本発明は高周波信号を伝搬する装置として、光モジュールの高速信号伝送基板や、パーソナルコンピュータ、携帯端末、通信機器などに適用できる。また、本実施例では、基板上の伝送線路の例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。ＬＳＩチップ内の伝送線路において本発明を利用することで、より高周波特性の良いＬＳＩを作製可能となる。その他、基板間を接続するフレキシブルケーブル当にも適用可能である。
【００４２】以上述べたように、本発明によれば、少なくとも１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールを有する伝送線路に関し、信号導体とスルーホールの間の容量が増えることにより伝送線路の特性インピーダンスが下がり、信号の反射が生じて伝送特性が悪くなるという問題点を克服するために、信号導体、グラウンド導体の幅を広げたり狭めたりすることでインダクタンスを増加させ、あるいは容量を低減してインピーダンスを一定に保っている。また、本発明を適用することにより、より伝送特性のよい伝送線路を提供できる。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、信号導体と、複数のグラウンド導体とを有する伝送線路にスルーホールを設けても、インダクタンスを増加させ、あるいは容量を低減してインピーダンスを一定に保つことができる。また、本発明を適用することにより、より伝送特性のよい伝送線路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による高周波伝送線路の第１の実施例を示す構成図である。
【図２】従来の高周波伝送線路の構成図である。
【図３】従来の他の高周波伝送線路の構成図である。
【図４】従来の更に他の高周波伝送線路の構成図である。
【図５】従来の更に他の高周波伝送線路の構成図である。
【図６】特性インピーダンスの異なる伝送線路を接続した場合の模式図である。
【図７】信号導体の幅と特性インピーダンスの関係を電磁界解析により求めた結果を示す特性図である。
【図８】電磁界解析を行うためのスルーホールを用いた伝送線路の断面図である。
【図９】電磁界解析を行うためのスルーホールなしの伝送線路の断面図である。
【図１０】本発明による高周波伝送線路の第２の実施例を示す平面図である。
【図１１】本発明による高周波伝送線路の第３の実施例を示す平面図である。
【図１２】本発明による高周波伝送線路の第４の実施例を示す平面図である。
【図１３】本発明による高周波伝送線路の第４の実施例を示す構成図である。
【図１４】本発明による高周波伝送線路の第５の実施例を示す構成図である。
【図１５】本発明による高周波伝送線路の第６の実施例を示す平面図である。
【図１６】本発明による高周波伝送線路の第７の実施例を示す平面図である。
【図１７】本発明による高周波伝送線路の第８の実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
１０１…信号導体、１０２ａ、１０２ｂ…グラウンド導体、１０３…誘電体基板、１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ…スルーホール、１０４…グラウンド導体。
【特許請求の範囲】
【請求項１】誘電体と、該誘電体を挟んで両側に配置された複数のグランド導体と、該両側に配置されたグランド導体間を電気的に接続するスルーホールと、該スルーホールの近傍に配置された信号導体とを備え、該スルーホールによる信号導体の特性インピーダンスが変化することを抑圧するために、該スルーホール近傍において、該グランド導体及び信号導体のいずれか一方又は両方の形状を変化させることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項２】誘電体と、該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体と、該誘電体の他の面に配置された第２の誘電体と、該第１のグランド導体と該第２のグランド導体との間を接続するスルーホールと、該第１のグランド導体及び該スルーホールに隣接して配置された信号導体とを備え、該スルーホールの近傍において、該信号導体の幅又は該グランド導体の幅のいずれか一方が狭くなるように構成することを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項３】信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍における信号導体幅を細くする構成、及び複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍のグラウンド導体幅を細くする構成、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅とグラウンド導体幅を細くする構成、及び複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅を細くしてグラウンド導体幅を太くする構成のいずれかであることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波伝送線路の構造を有することを特徴とする電子部品。
【請求項５】請求項１乃至３から請求項１６記載の高周波伝送線路の構造を有することを特徴とする電子装置。
【請求項１】誘電体と、該誘電体を挟んで両側に配置された複数のグランド導体と、該両側に配置されたグランド導体間を電気的に接続するスルーホールと、該スルーホールの近傍に配置された信号導体とを備え、該スルーホールによる信号導体の特性インピーダンスが変化することを抑圧するために、該スルーホール近傍において、該グランド導体及び信号導体のいずれか一方又は両方の形状を変化させることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項２】誘電体と、該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体と、該誘電体の他の面に配置された第２の誘電体と、該第１のグランド導体と該第２のグランド導体との間を接続するスルーホールと、該第１のグランド導体及び該スルーホールに隣接して配置された信号導体とを備え、該スルーホールの近傍において、該信号導体の幅又は該グランド導体の幅のいずれか一方が狭くなるように構成することを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項３】信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍における信号導体幅を細くする構成、及び複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍のグラウンド導体幅を細くする構成、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅とグラウンド導体幅を細くする構成、及び複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅を細くしてグラウンド導体幅を太くする構成のいずれかであることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波伝送線路の構造を有することを特徴とする電子部品。
【請求項５】請求項１乃至３から請求項１６記載の高周波伝送線路の構造を有することを特徴とする電子装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図１０】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図１１】
【図７】
【図９】
【図１２】
【図１６】
【図１３】
【図１５】
【図１４】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図１０】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図１１】
【図７】
【図９】
【図１２】
【図１６】
【図１３】
【図１５】
【図１４】
【図１７】
【公開番号】特開２００３−１２４７１２（Ｐ２００３−１２４７１２Ａ）
【公開日】平成１５年４月２５日（２００３．４．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００１−３１９０４０（Ｐ２００１−３１９０４０）
【出願日】平成１３年１０月１７日（２００１．１０．１７）
【出願人】（３０１００５３７１）日本オプネクスト株式会社 (311)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１５年４月２５日（２００３．４．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１３年１０月１７日（２００１．１０．１７）
【出願人】（３０１００５３７１）日本オプネクスト株式会社 (311)
【Ｆターム（参考）】
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