ＤＣ−ＤＣコンバータ
【課題】 半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】 少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとワイヤボンディングして接続した領域と、インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、半導体集積回路およびインダクタを搭載し、ワイヤボンディングして、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子とした。
【解決手段】 少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとワイヤボンディングして接続した領域と、インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、半導体集積回路およびインダクタを搭載し、ワイヤボンディングして、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子とした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路、増幅器を含む半導体集積回路（ＩＣ）と、インダクタやコンデンサなどの受動素子で構成されるＤＣ−ＤＣコンバータであって、リードフレームに少なくともインダクタ、半導体集積回路（ＩＣ）を複合したＤＣ−ＤＣコンバータに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯型の各種電子機器（携帯電話、携帯情報端末ＰＤＡやノート型コンピュータ、ＤＶＤ，ＣＤ，ＭＤプレイヤー、デジタルカメラ、ビデオカメラ等々）は、電源として電池を用いるものが多く、電源電圧を所定の動作電圧に変換する電力変換装置としてＤＣ−ＤＣコンバータを備えている。ＤＣ−ＤＣコンバータは、スイッチング素子、制御回路を含む半導体集積回路（能動素子）とインダクタ、コンデンサなどの受動素子を、接続線路が形成されたプリント基板等の上にディスクリート回路として構成するのが一般的である。
【０００３】
図１７は、ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成の一例を示す回路図である。図中の点線部分がＤＣ−ＤＣコンバータの回路であって、このＤＣ−ＤＣコンバータは、入力コンデンサＣｉｎ、出力コンデンサＣｏｕｔ、インダクタＬｏｕｔおよび、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路を含む半導体集積回路（ＩＣ）で構成される降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータである。
直流の入力電圧Ｖｉｎを入力し、半導体集積回路（ＩＣ）内の電界効果型トランジスタ（以下スイッチング素子）をスイッチングさせる。スイッチング素子をオンしている時間をＴｏｎ、オフしている時間をＴｏｆｆとすると、出力電圧Ｖｏｕｔは、Ｖｏｕｔ＝Ｔｏｎ ／ （Ｔｏｎ ＋ Ｔｏｆｆ） × Ｖｉｎで表され、出力電圧Ｖｏｕｔは入力電圧Ｖｉｎより降圧される。入力電圧Ｖｉｎが変動した場合は、ＴｏｎとＴｏｆｆの比率を調整すれば、安定に維持した出力電圧Ｖｏｕｔを出力することが出来る。
入力コンデンサ（Ｃｉｎ）は、入力電圧の過渡時の安定化や電圧スパイク防止のために用いられる。出力側には、直流電圧を出力するためのフィルタ回路（平滑回路）を備え、このフィルタ回路は、電流エネルギーの蓄積と放出を行う出力インダクタ（Ｌｏｕｔ）と、電圧エネルギーの蓄積と放出を行う出力コンデンサ（Ｃｏｕｔ）の組み合わせにより構成される。
【０００４】
このようなＤＣ−ＤＣコンバータは、各種電子機器の小型化、多機能化に伴い、回路基板上における形成面積の小面積化が強く求められている。そのような要求に対して、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化して小型化することが行われている。
例えば、特許文献１には、図１６の外観図に示すように、プリント基板と、チップインダクタと、制御回路等が形成された半導体集積回路ＩＣにより構成され、半導体集積回路ＩＣが実装されたプリント基板に接続端子を配設して、この接続端子に、チップインダクタを前記半導体集積回路と上下に重ねて配置したＤＣ−ＤＣコンバータが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−０６３６７６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記各種電子機器の小型軽量化の要望は常に有り、内蔵されるＤＣ−ＤＣコンバータを小型に構成する要求も強い。前記インダクタのインダクタンス値は、少なくとも数μＨ程度のインダクタンス値が必要である。この様なインダクタは、半導体集積回路と比べると体積が非常に大きいために、ＤＣ−ＤＣコンバータの小型化を図る上で最大の制約となっているのが実際である。そこで、半導体集積回路と重なるようにインダクタを載置して実装することで、小型化を図っている。
【０００６】
しかしながら引用文献１のように、半導体集積回路ＩＣとインダクタを近接して配置する場合には、インダクタからの漏洩磁束を考慮しなければならない。例えば電気絶縁層とコイルパターンが交互に積層され、各コイルパターンの端部が順次接続されて多層絶縁基板中に積層方向に重畳した周回コイルが形成され、その端部が外部電極に接続された積層インダクタの場合の漏洩磁束は以下のように作用する。
【０００７】
上述の積層インダクタでは、インダクタ部で発生した磁束は、専ら周回コイルの上下に形成されたコイルパターンを有さない磁性体からなる絶縁層（ダミー絶縁層）を通過し、コイルの周囲を通過するが、その一部が外部にも漏れてしまう場合がある。漏れ磁束は、インダクタの周囲に配置される電子部品、例えば前記半導体集積回路に対してノイズとして作用する。
【０００８】
このような漏れ磁束を防止するには、ダミー絶縁層を厚くするのが一般的な方法である。また、側面方向への漏れ磁束を防止するには、周回コイルの巻径を小さくして、周回コイルの外周側の領域を大きく確保したり、周回コイルの巻径を変更しない場合には、周回コイルの外周側の領域を大きく確保したりして、漏れ磁束を低減することが必要である。
しかしダミー絶縁層を厚くすると、高背化を招くので好ましくない。周回コイルの巻径を小さくすると、その分、巻数の増加を招き、高背化や工数増加といった問題に加えて、直流抵抗の増加といった問題も生じる。
【０００９】
そこで本発明は、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとワイヤボンディングして接続される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、ワイヤボンディングして、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００１１】
また本発明は、少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとフリップチップ実装される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００１２】
これらの構成によれば、リードフレームに半導体集積回路とインダクタを実装することで、ＤＣ−ＤＣコンバータを小型、低背化することが出来る。
【００１３】
本発明において前記リードフレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠から内側に延出したインナーリードと、吊りリードによって前記フレーム枠から内側に延出したダイパッドを備え、前記半導体集積回路（ＩＣ）を前記ダイパッドに実装するとともに、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングする、あるいはフリップチップ実装するのが好ましい。
このような構成によって、ベアチップ状態の半導体集積回路がダイパッドにはんだなどの接続手段により強固に接続されるため、半導体集積回路の機械的強度が増し、ＤＣ−ＤＣコンバータが実装される回路基板がたわみ等の変形を生じる場合であっても、破壊等の不具合が発生するのを防ぐことが出来る。またダイパッドにより、半導体集積回路が生じる発熱を、回路基板へ逃がすことができ、さらにダイパッドによって安定したグランド電位が得られるため、半導体集積回路は安定した動作が得られる。
【００１４】
また、封止樹脂で覆われた第１の主面と、前記第１の主面と対向し、前記実装端子が、少なくとも一主面側に露出する第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面とを接続する側面を備え、前記実装端子が実質的に一面上に形成されたノンリードパッケージとするのも好ましい。このような構成により、実装用のマウンタでの部品吸着が容易となるととともに、実装端子の高さを減じて低背化することが出来る。
【００１５】
さらに前記第１の主面側の封止樹脂には、実装端子の機能を示すマーキングが形成されているのが好ましい。少なくとも入力端子を示すマーキングを施すことで、回路基板との接続を間違えることがない。マーキングは塗料や、レーザ加工による刻設、また予め封止金型にマーキングとなる、凸部或いは凹部を設けておけば、樹脂封止後、その形状が転写され、マーキングとして機能する。
【００１６】
また本発明においては、前記実装端子の表面にはＡｕ層、もしくはＡｕ−Ｐｄ合金層が形成されているのが好ましい。リードフレームの防錆、はんだ付け、ワイヤボンディング性の向上を図るとともに、低抵抗化することで損失の増加を防いでいる。また、ＤＣ−ＤＣコンバータのスイッチング周波数も数ＭＨｚになるため、Ａｕ層、Ａｕ−Ｐｄ合金層による表皮効果による、低損失化が期待できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施例１）
以下、本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータについて説明する。
図１はＤＣ−ＤＣコンバータの斜視図であり、図２はその主面平面図であり、図３は裏面平面図である。図４はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図であり、図５はＡ−Ａ’断面図である。そして、図６はリードフレームの部分拡大図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータは、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。
【００１９】
リードフレームは、フレーム枠により相互に連結され一体の金属板から構成される。このリードフレームは、厚みが０．０５〜０．５ｍｍのＦｅ−Ｎｉ材やＣｕ合金の一枚板である金属板を機械加工（プレス加工）やエッチング加工し、この加工工程の後に、３次元的な加工であるアップセット、ダウンセットを行い、所定形状に形成されたリードフレームにめっきを施して形成される。リードフレームの厚みは、ＤＣ−ＤＣコンバータの厚みにも影響するため、機械的強度を考慮しながら出来るだけ薄いものを選択するのが好ましい。本発明に置いては、０．１ｍｍの４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金）の帯鋼を用いた。めっきは、５μｍ以下のＡｇめっき、Ａｕめっき、またはＮｉ−Ｐｄ−Ａｕめっき、Ａｕ−Ｐｄめっきなどが用いられる。なお、Ａｇめっきの場合にはたんだ付け性向上の観点から、ＤＣ−ＤＣコンバータの裏面側に表れる部分に、Ｓｎ−Ｂｉめっき等を施すのが好ましい。また、めっき不要な部分、例えばフレーム枠にはレジスト膜を形成しておけば、高価な金属めっきを低減できるので好ましい。
図６に示すように、樹脂封止部として囲われた領域には、吊りリードを介してインナーリードを有する。図７は、樹脂封止部を含むインナーリードの部分拡大図である。前記インナーリードは、後に実装端子となる吊りリードとは異なる高さとなる様に、折り曲げ加工が施されており、図４に示すように、インダクタＬ、コンデンサＣｉｎ、Ｃｏｕｔ、半導体集積回路ＩＣが実装されるとともに、前記半導体集積回路ＩＣの電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングされる。
【００２０】
中央を横断するように設けられ、吊りリード５０ｅ、５０ｊにより保持されたインナーリードには、半導体集積回路ＩＣを実装する比較的大きな面積のダイパッド部７０と、インダクタＬ実装部１００を備え、両端の吊りリードは切断され、回路基板のグランドパターンと接続する実装端子ＧＮＤとなる。ダイパッド部７０に、半導体集積回路ＩＣを構成する半導体チップ、たとえばＧａＡｓチップが配置されダイボンドされる。ＧａＡｓチップの裏面とダイパッド部の表面との間に導電性樹脂や、Ａｇペーストや、Ａｕ−Ｓｉ共晶体からなる接合材、はんだなどの導電性金属ペーストが介在し、これにより両者が、電気的、機械的に接合される。半導体集積回路ＩＣから生じる熱は、実装端子ＧＮＤを介して、回路基板に放熱される。
【００２１】
ダイパッド部７０の周囲には、複数のインナーリードが配置されており、吊りリード５０ａ，５０ｂ，５０ｄ，５０ｆ，５０ｈ，５０ｉにより保持されている。吊りリードから伸びた各インナーリードの端部８０ａ〜８０ｆは自由端となっており、それぞれ対応するＧａＡｓチップの電極パッドＶｉｎ，Ｖｃｏｎ，Ｖｄｄ，Ｖｅｎ，ＳＷ，Ｖｆｂに、金線等からなるボンディングワイヤでワイヤボンディングされている。そして、各吊りリードは切断され、ＧａＡｓチップの各種信号の入出力端である電極パッドと接続する実装端子Ｖｃｏｎ，Ｖｅｎ，Ｖｏｕｔ，Ｖｄｄ，Ｖｉｎ，ＮＣとなる。なお実装端子ＮＣは電気的な機能は具備しないが、実装強度を確保するように回路基板に形成された電気的に独立したランド（他のパターンとは接続しない）と接続する。
【００２２】
吊りリード５０ｄ、５０ｆに連なるインナーリードには、インダクタが実装される。ここで、本発明に用いたインダクタの一例を図８に示す。このインダクタは矩形板状で、内部にインダクタを形成するライン電極を備え、側面側には、このライン電極と接続する一対の端子電極を備える。また裏面側には、インダクタＬ実装部１００と接続する裏面電極を備えるものである。そして、各インナーリードと端子電極、裏面電極とが導電性樹脂や、はんだなどの導電性金属ペーストなどの接続部材によって、電気的、機械的に接続される。
また、吊りリード５０ｃ、５０ｄに連なるインナーリードの間には、コンデンサＣｏｕｔが、吊りリード５０ｇ、５０ｈに連なるインナーリードの間には、コンデンサＣｉｎが実装接続される。そして吊りリード５０ｃ、５０ｈは切断され、回路基板のグランドパターンと接続する実装端子ＧＮＤとなる。
【００２３】
実装端子においてＶｃｏｎ，Ｖｅｎ，Ｖｄｄ，Ｖｉｎ，Ｖｏｕｔ，ＧＮＤの表示は、接続される半導体集積回路部品ＩＣの端子の機能を示すものである。端子導体パターンＶｃｏｎは、半導体集積回路部品ＩＣの、出力電圧を可変制御するための端子Ｖｃｏｎと接続する。端子導体パターンＶｅｎは、半導体集積回路部品ＩＣの出力のＯＮ／ＯＦＦ制御用の端子Ｖｅｎと接続する。端子導体パターンＶｄｄは、半導体集積回路部品ＩＣのスイッチング素子をＯＮ／ＯＦＦ制御するための端子Ｖｄｄと接続する。端子導体パターンＶｉｎは、半導体集積回路部品ＩＣの入力端子Ｖｉｎと接続する。端子導体パターンＶｏｕｔは、半導体集積回路部品ＩＣの出力端子Ｖｏｕｔと接続する。端子導体パターンＧＮＤは、回路上接地され、半導体集積回路部品ＩＣの出力端子ＧＮＤと接続する。
【００２４】
このようなリードフレームには、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのモールド樹脂によって封止される。端子電極の下面へのモールド樹脂の洩れを防ぐために、樹脂シートが予め張り付けられている。この樹脂シートは樹脂封止工程まで用いられ、最終的に分離されるインナーリードを保持する。
リードフレームの半導体集積回路部品を搭載する面の反対側面に、例えば厚さ１２μｍ〜５０μｍの耐熱性のポリイミド基材に、厚さ３μｍ〜３０μｍ熱可塑性または熱硬化性の高分子系接着剤を塗工したテープ（樹脂シート）を、熱圧着により貼り付ける。そして、モールド樹脂に接着剤が残ることが無いように、貼り付けたテープの不要部分の接着効力を無効にする処理を施す。この場合、リードフレームに貼り付けられたテープのうち、リードフレームと接触していない部分に、モールド樹脂とテープの接着剤とが直接接触しないように、厚さ数μｍ以下で離型剤を塗布する。なお、リードフレームと接触していない部分の接着剤層を、溶剤などを用いて除去してもよい。
この後、ダイパッドに半導体集積回路部品やインダクタ等を搭載し、半導体集積回路部品の電極とインナーリードとを金属細線により電気的に接続し、半導体集積回路部品、金属細線およびインナーリードの少なくとも金属細線との接続部分をモールド樹脂により封止して、テープをリードフレームから剥がす。
【００２５】
ＤＣ−ＤＣコンバータのモールド樹脂に、図２に示すようなマーカを設けるのが好ましい。ここでマーカは実装端子Ｖｉｎの位置を示しているが、特に限定されるものではない。また、マーカの形成方法は、樹脂封止金型による転写や、レーザ加工による３次元的な凹部の形成や、塗料を転写、塗布する等の方法が適宜採用される。このようにして、外形寸法が５．５ｍｍ×５．５ｍｍ×１．４ｍｍの小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータとした。
【００２６】
（実施例２）
本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの他の態様について説明する。基本的な構成は実施例１と同様なので、主に相違点を以下に説明する。
図９はインナーリードの部分拡大図であり、図１０はＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図であり、図１１は裏面平面図である。また図１２はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータも、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。
【００２７】
前記インナーリードは、後に実装端子となる吊りリードとは同じ高さとなる様に形成され、ＤＣ−ＤＣコンバータの裏面側に露出する。またインナーリードには、厚み方向に貫通する複数の透孔２０が形成されている。前記透孔は半導体集積回路部品ＩＣ、インダクタＬ、コンデンサＣｉｎ，Ｃｏｕｔの実装部位を挟むように形成されるとともに、ＤＣ−ＤＣコンバータの外周縁側に形成され、導電性樹脂や、Ａｇペーストや、Ａｕ−Ｓｉ共晶体からなる接合材、はんだなどの導電性金属ペーストが広がるのを防ぐとともに、前記透孔にモールド樹脂が充填されることで、インナーリードの脱落を防いでいる。本実施例おいても小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータを得ることが出来た。
【００２８】
（実施例３）
本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの他の態様について説明する。基本的な構成は実施例１、２と同様なので、主に相違点を以下に説明する。
図１３はインナーリードの部分拡大図であり、図１４はＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。また図１５はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータも、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。
【００２９】
本実施例では半導体集積回路部品ＩＣとインナーリードとの電気的かつ機械的な内部接続を、半導体集積回路部品ＩＣに設けられた半田ボール等の導電性接合部材によって行う。このため、リードフレームにダイパッド部を設けず、インナーリードの端部８０ａ〜８０ｅが半導体集積回路部品ＩＣの内側領域まで及ぶ様にしている。本実施例おいても小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータを得ることが出来た。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明によれば、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化した半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来るにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来る。また、ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するリードフレーム、半導体集積回路部品、インダクタ、コンデンサをそれぞれ個別に取り扱うことが可能なので、インダクタ、コンデンサの定数変更等、各部品の変更が容易であり、様々な要求仕様に対して自由度高く対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観平面図である。
【図３】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観平面図である。
【図４】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。
【図５】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのＡ−Ａ’断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレーム部分拡大図である。
【図７】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの樹脂封止部を含むリードフレームのインナーリード部分拡大図である。
【図８】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータに用いるインダクタの斜視図である。
【図９】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレームのインナーリード部分拡大図である。
【図１０】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。
【図１１】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの裏面平面図である。
【図１２】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。
【図１３】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレームの部分拡大図である。
【図１４】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。
【図１５】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータ内部透視平面図である。
【図１６】従来のＤＣ−ＤＣコンバータの斜視図である。
【図１７】ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００３２】
１ ＤＣ−ＤＣコンバータ
５０ａ〜５０ｊ 吊りリード
７０ ダイパッド部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路、増幅器を含む半導体集積回路（ＩＣ）と、インダクタやコンデンサなどの受動素子で構成されるＤＣ−ＤＣコンバータであって、リードフレームに少なくともインダクタ、半導体集積回路（ＩＣ）を複合したＤＣ−ＤＣコンバータに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯型の各種電子機器（携帯電話、携帯情報端末ＰＤＡやノート型コンピュータ、ＤＶＤ，ＣＤ，ＭＤプレイヤー、デジタルカメラ、ビデオカメラ等々）は、電源として電池を用いるものが多く、電源電圧を所定の動作電圧に変換する電力変換装置としてＤＣ−ＤＣコンバータを備えている。ＤＣ−ＤＣコンバータは、スイッチング素子、制御回路を含む半導体集積回路（能動素子）とインダクタ、コンデンサなどの受動素子を、接続線路が形成されたプリント基板等の上にディスクリート回路として構成するのが一般的である。
【０００３】
図１７は、ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成の一例を示す回路図である。図中の点線部分がＤＣ−ＤＣコンバータの回路であって、このＤＣ−ＤＣコンバータは、入力コンデンサＣｉｎ、出力コンデンサＣｏｕｔ、インダクタＬｏｕｔおよび、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路を含む半導体集積回路（ＩＣ）で構成される降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータである。
直流の入力電圧Ｖｉｎを入力し、半導体集積回路（ＩＣ）内の電界効果型トランジスタ（以下スイッチング素子）をスイッチングさせる。スイッチング素子をオンしている時間をＴｏｎ、オフしている時間をＴｏｆｆとすると、出力電圧Ｖｏｕｔは、Ｖｏｕｔ＝Ｔｏｎ ／ （Ｔｏｎ ＋ Ｔｏｆｆ） × Ｖｉｎで表され、出力電圧Ｖｏｕｔは入力電圧Ｖｉｎより降圧される。入力電圧Ｖｉｎが変動した場合は、ＴｏｎとＴｏｆｆの比率を調整すれば、安定に維持した出力電圧Ｖｏｕｔを出力することが出来る。
入力コンデンサ（Ｃｉｎ）は、入力電圧の過渡時の安定化や電圧スパイク防止のために用いられる。出力側には、直流電圧を出力するためのフィルタ回路（平滑回路）を備え、このフィルタ回路は、電流エネルギーの蓄積と放出を行う出力インダクタ（Ｌｏｕｔ）と、電圧エネルギーの蓄積と放出を行う出力コンデンサ（Ｃｏｕｔ）の組み合わせにより構成される。
【０００４】
このようなＤＣ−ＤＣコンバータは、各種電子機器の小型化、多機能化に伴い、回路基板上における形成面積の小面積化が強く求められている。そのような要求に対して、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化して小型化することが行われている。
例えば、特許文献１には、図１６の外観図に示すように、プリント基板と、チップインダクタと、制御回路等が形成された半導体集積回路ＩＣにより構成され、半導体集積回路ＩＣが実装されたプリント基板に接続端子を配設して、この接続端子に、チップインダクタを前記半導体集積回路と上下に重ねて配置したＤＣ−ＤＣコンバータが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−０６３６７６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記各種電子機器の小型軽量化の要望は常に有り、内蔵されるＤＣ−ＤＣコンバータを小型に構成する要求も強い。前記インダクタのインダクタンス値は、少なくとも数μＨ程度のインダクタンス値が必要である。この様なインダクタは、半導体集積回路と比べると体積が非常に大きいために、ＤＣ−ＤＣコンバータの小型化を図る上で最大の制約となっているのが実際である。そこで、半導体集積回路と重なるようにインダクタを載置して実装することで、小型化を図っている。
【０００６】
しかしながら引用文献１のように、半導体集積回路ＩＣとインダクタを近接して配置する場合には、インダクタからの漏洩磁束を考慮しなければならない。例えば電気絶縁層とコイルパターンが交互に積層され、各コイルパターンの端部が順次接続されて多層絶縁基板中に積層方向に重畳した周回コイルが形成され、その端部が外部電極に接続された積層インダクタの場合の漏洩磁束は以下のように作用する。
【０００７】
上述の積層インダクタでは、インダクタ部で発生した磁束は、専ら周回コイルの上下に形成されたコイルパターンを有さない磁性体からなる絶縁層（ダミー絶縁層）を通過し、コイルの周囲を通過するが、その一部が外部にも漏れてしまう場合がある。漏れ磁束は、インダクタの周囲に配置される電子部品、例えば前記半導体集積回路に対してノイズとして作用する。
【０００８】
このような漏れ磁束を防止するには、ダミー絶縁層を厚くするのが一般的な方法である。また、側面方向への漏れ磁束を防止するには、周回コイルの巻径を小さくして、周回コイルの外周側の領域を大きく確保したり、周回コイルの巻径を変更しない場合には、周回コイルの外周側の領域を大きく確保したりして、漏れ磁束を低減することが必要である。
しかしダミー絶縁層を厚くすると、高背化を招くので好ましくない。周回コイルの巻径を小さくすると、その分、巻数の増加を招き、高背化や工数増加といった問題に加えて、直流抵抗の増加といった問題も生じる。
【０００９】
そこで本発明は、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとワイヤボンディングして接続される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、ワイヤボンディングして、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００１１】
また本発明は、少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとフリップチップ実装される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータである。
【００１２】
これらの構成によれば、リードフレームに半導体集積回路とインダクタを実装することで、ＤＣ−ＤＣコンバータを小型、低背化することが出来る。
【００１３】
本発明において前記リードフレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠から内側に延出したインナーリードと、吊りリードによって前記フレーム枠から内側に延出したダイパッドを備え、前記半導体集積回路（ＩＣ）を前記ダイパッドに実装するとともに、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングする、あるいはフリップチップ実装するのが好ましい。
このような構成によって、ベアチップ状態の半導体集積回路がダイパッドにはんだなどの接続手段により強固に接続されるため、半導体集積回路の機械的強度が増し、ＤＣ−ＤＣコンバータが実装される回路基板がたわみ等の変形を生じる場合であっても、破壊等の不具合が発生するのを防ぐことが出来る。またダイパッドにより、半導体集積回路が生じる発熱を、回路基板へ逃がすことができ、さらにダイパッドによって安定したグランド電位が得られるため、半導体集積回路は安定した動作が得られる。
【００１４】
また、封止樹脂で覆われた第１の主面と、前記第１の主面と対向し、前記実装端子が、少なくとも一主面側に露出する第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面とを接続する側面を備え、前記実装端子が実質的に一面上に形成されたノンリードパッケージとするのも好ましい。このような構成により、実装用のマウンタでの部品吸着が容易となるととともに、実装端子の高さを減じて低背化することが出来る。
【００１５】
さらに前記第１の主面側の封止樹脂には、実装端子の機能を示すマーキングが形成されているのが好ましい。少なくとも入力端子を示すマーキングを施すことで、回路基板との接続を間違えることがない。マーキングは塗料や、レーザ加工による刻設、また予め封止金型にマーキングとなる、凸部或いは凹部を設けておけば、樹脂封止後、その形状が転写され、マーキングとして機能する。
【００１６】
また本発明においては、前記実装端子の表面にはＡｕ層、もしくはＡｕ−Ｐｄ合金層が形成されているのが好ましい。リードフレームの防錆、はんだ付け、ワイヤボンディング性の向上を図るとともに、低抵抗化することで損失の増加を防いでいる。また、ＤＣ−ＤＣコンバータのスイッチング周波数も数ＭＨｚになるため、Ａｕ層、Ａｕ−Ｐｄ合金層による表皮効果による、低損失化が期待できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施例１）
以下、本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータについて説明する。
図１はＤＣ−ＤＣコンバータの斜視図であり、図２はその主面平面図であり、図３は裏面平面図である。図４はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図であり、図５はＡ−Ａ’断面図である。そして、図６はリードフレームの部分拡大図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータは、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。
【００１９】
リードフレームは、フレーム枠により相互に連結され一体の金属板から構成される。このリードフレームは、厚みが０．０５〜０．５ｍｍのＦｅ−Ｎｉ材やＣｕ合金の一枚板である金属板を機械加工（プレス加工）やエッチング加工し、この加工工程の後に、３次元的な加工であるアップセット、ダウンセットを行い、所定形状に形成されたリードフレームにめっきを施して形成される。リードフレームの厚みは、ＤＣ−ＤＣコンバータの厚みにも影響するため、機械的強度を考慮しながら出来るだけ薄いものを選択するのが好ましい。本発明に置いては、０．１ｍｍの４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金）の帯鋼を用いた。めっきは、５μｍ以下のＡｇめっき、Ａｕめっき、またはＮｉ−Ｐｄ−Ａｕめっき、Ａｕ−Ｐｄめっきなどが用いられる。なお、Ａｇめっきの場合にはたんだ付け性向上の観点から、ＤＣ−ＤＣコンバータの裏面側に表れる部分に、Ｓｎ−Ｂｉめっき等を施すのが好ましい。また、めっき不要な部分、例えばフレーム枠にはレジスト膜を形成しておけば、高価な金属めっきを低減できるので好ましい。
図６に示すように、樹脂封止部として囲われた領域には、吊りリードを介してインナーリードを有する。図７は、樹脂封止部を含むインナーリードの部分拡大図である。前記インナーリードは、後に実装端子となる吊りリードとは異なる高さとなる様に、折り曲げ加工が施されており、図４に示すように、インダクタＬ、コンデンサＣｉｎ、Ｃｏｕｔ、半導体集積回路ＩＣが実装されるとともに、前記半導体集積回路ＩＣの電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングされる。
【００２０】
中央を横断するように設けられ、吊りリード５０ｅ、５０ｊにより保持されたインナーリードには、半導体集積回路ＩＣを実装する比較的大きな面積のダイパッド部７０と、インダクタＬ実装部１００を備え、両端の吊りリードは切断され、回路基板のグランドパターンと接続する実装端子ＧＮＤとなる。ダイパッド部７０に、半導体集積回路ＩＣを構成する半導体チップ、たとえばＧａＡｓチップが配置されダイボンドされる。ＧａＡｓチップの裏面とダイパッド部の表面との間に導電性樹脂や、Ａｇペーストや、Ａｕ−Ｓｉ共晶体からなる接合材、はんだなどの導電性金属ペーストが介在し、これにより両者が、電気的、機械的に接合される。半導体集積回路ＩＣから生じる熱は、実装端子ＧＮＤを介して、回路基板に放熱される。
【００２１】
ダイパッド部７０の周囲には、複数のインナーリードが配置されており、吊りリード５０ａ，５０ｂ，５０ｄ，５０ｆ，５０ｈ，５０ｉにより保持されている。吊りリードから伸びた各インナーリードの端部８０ａ〜８０ｆは自由端となっており、それぞれ対応するＧａＡｓチップの電極パッドＶｉｎ，Ｖｃｏｎ，Ｖｄｄ，Ｖｅｎ，ＳＷ，Ｖｆｂに、金線等からなるボンディングワイヤでワイヤボンディングされている。そして、各吊りリードは切断され、ＧａＡｓチップの各種信号の入出力端である電極パッドと接続する実装端子Ｖｃｏｎ，Ｖｅｎ，Ｖｏｕｔ，Ｖｄｄ，Ｖｉｎ，ＮＣとなる。なお実装端子ＮＣは電気的な機能は具備しないが、実装強度を確保するように回路基板に形成された電気的に独立したランド（他のパターンとは接続しない）と接続する。
【００２２】
吊りリード５０ｄ、５０ｆに連なるインナーリードには、インダクタが実装される。ここで、本発明に用いたインダクタの一例を図８に示す。このインダクタは矩形板状で、内部にインダクタを形成するライン電極を備え、側面側には、このライン電極と接続する一対の端子電極を備える。また裏面側には、インダクタＬ実装部１００と接続する裏面電極を備えるものである。そして、各インナーリードと端子電極、裏面電極とが導電性樹脂や、はんだなどの導電性金属ペーストなどの接続部材によって、電気的、機械的に接続される。
また、吊りリード５０ｃ、５０ｄに連なるインナーリードの間には、コンデンサＣｏｕｔが、吊りリード５０ｇ、５０ｈに連なるインナーリードの間には、コンデンサＣｉｎが実装接続される。そして吊りリード５０ｃ、５０ｈは切断され、回路基板のグランドパターンと接続する実装端子ＧＮＤとなる。
【００２３】
実装端子においてＶｃｏｎ，Ｖｅｎ，Ｖｄｄ，Ｖｉｎ，Ｖｏｕｔ，ＧＮＤの表示は、接続される半導体集積回路部品ＩＣの端子の機能を示すものである。端子導体パターンＶｃｏｎは、半導体集積回路部品ＩＣの、出力電圧を可変制御するための端子Ｖｃｏｎと接続する。端子導体パターンＶｅｎは、半導体集積回路部品ＩＣの出力のＯＮ／ＯＦＦ制御用の端子Ｖｅｎと接続する。端子導体パターンＶｄｄは、半導体集積回路部品ＩＣのスイッチング素子をＯＮ／ＯＦＦ制御するための端子Ｖｄｄと接続する。端子導体パターンＶｉｎは、半導体集積回路部品ＩＣの入力端子Ｖｉｎと接続する。端子導体パターンＶｏｕｔは、半導体集積回路部品ＩＣの出力端子Ｖｏｕｔと接続する。端子導体パターンＧＮＤは、回路上接地され、半導体集積回路部品ＩＣの出力端子ＧＮＤと接続する。
【００２４】
このようなリードフレームには、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのモールド樹脂によって封止される。端子電極の下面へのモールド樹脂の洩れを防ぐために、樹脂シートが予め張り付けられている。この樹脂シートは樹脂封止工程まで用いられ、最終的に分離されるインナーリードを保持する。
リードフレームの半導体集積回路部品を搭載する面の反対側面に、例えば厚さ１２μｍ〜５０μｍの耐熱性のポリイミド基材に、厚さ３μｍ〜３０μｍ熱可塑性または熱硬化性の高分子系接着剤を塗工したテープ（樹脂シート）を、熱圧着により貼り付ける。そして、モールド樹脂に接着剤が残ることが無いように、貼り付けたテープの不要部分の接着効力を無効にする処理を施す。この場合、リードフレームに貼り付けられたテープのうち、リードフレームと接触していない部分に、モールド樹脂とテープの接着剤とが直接接触しないように、厚さ数μｍ以下で離型剤を塗布する。なお、リードフレームと接触していない部分の接着剤層を、溶剤などを用いて除去してもよい。
この後、ダイパッドに半導体集積回路部品やインダクタ等を搭載し、半導体集積回路部品の電極とインナーリードとを金属細線により電気的に接続し、半導体集積回路部品、金属細線およびインナーリードの少なくとも金属細線との接続部分をモールド樹脂により封止して、テープをリードフレームから剥がす。
【００２５】
ＤＣ−ＤＣコンバータのモールド樹脂に、図２に示すようなマーカを設けるのが好ましい。ここでマーカは実装端子Ｖｉｎの位置を示しているが、特に限定されるものではない。また、マーカの形成方法は、樹脂封止金型による転写や、レーザ加工による３次元的な凹部の形成や、塗料を転写、塗布する等の方法が適宜採用される。このようにして、外形寸法が５．５ｍｍ×５．５ｍｍ×１．４ｍｍの小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータとした。
【００２６】
（実施例２）
本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの他の態様について説明する。基本的な構成は実施例１と同様なので、主に相違点を以下に説明する。
図９はインナーリードの部分拡大図であり、図１０はＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図であり、図１１は裏面平面図である。また図１２はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータも、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。
【００２７】
前記インナーリードは、後に実装端子となる吊りリードとは同じ高さとなる様に形成され、ＤＣ−ＤＣコンバータの裏面側に露出する。またインナーリードには、厚み方向に貫通する複数の透孔２０が形成されている。前記透孔は半導体集積回路部品ＩＣ、インダクタＬ、コンデンサＣｉｎ，Ｃｏｕｔの実装部位を挟むように形成されるとともに、ＤＣ−ＤＣコンバータの外周縁側に形成され、導電性樹脂や、Ａｇペーストや、Ａｕ−Ｓｉ共晶体からなる接合材、はんだなどの導電性金属ペーストが広がるのを防ぐとともに、前記透孔にモールド樹脂が充填されることで、インナーリードの脱落を防いでいる。本実施例おいても小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータを得ることが出来た。
【００２８】
（実施例３）
本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの他の態様について説明する。基本的な構成は実施例１、２と同様なので、主に相違点を以下に説明する。
図１３はインナーリードの部分拡大図であり、図１４はＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。また図１５はＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。なお、本実施例のＤＣ−ＤＣコンバータも、図１７に示した降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータと同じ等価回路で構成されている。
【００２９】
本実施例では半導体集積回路部品ＩＣとインナーリードとの電気的かつ機械的な内部接続を、半導体集積回路部品ＩＣに設けられた半田ボール等の導電性接合部材によって行う。このため、リードフレームにダイパッド部を設けず、インナーリードの端部８０ａ〜８０ｅが半導体集積回路部品ＩＣの内側領域まで及ぶ様にしている。本実施例おいても小型低背型ＤＣ−ＤＣコンバータを得ることが出来た。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明によれば、半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化した半導体集積回路（ＩＣ）やインダクタを複合一体化したＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来るにおいて、積層インダクタの積層数や実装面積を増加させる事無く、小型低背のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが出来る。また、ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するリードフレーム、半導体集積回路部品、インダクタ、コンデンサをそれぞれ個別に取り扱うことが可能なので、インダクタ、コンデンサの定数変更等、各部品の変更が容易であり、様々な要求仕様に対して自由度高く対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観平面図である。
【図３】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの外観平面図である。
【図４】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。
【図５】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのＡ−Ａ’断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレーム部分拡大図である。
【図７】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの樹脂封止部を含むリードフレームのインナーリード部分拡大図である。
【図８】本発明の一実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータに用いるインダクタの斜視図である。
【図９】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレームのインナーリード部分拡大図である。
【図１０】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。
【図１１】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの裏面平面図である。
【図１２】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの内部透視平面図である。
【図１３】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータのリードフレームの部分拡大図である。
【図１４】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータの主面平面図である。
【図１５】本発明の他の実施例に係るＤＣ−ＤＣコンバータ内部透視平面図である。
【図１６】従来のＤＣ−ＤＣコンバータの斜視図である。
【図１７】ＤＣ−ＤＣコンバータの回路構成の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００３２】
１ ＤＣ−ＤＣコンバータ
５０ａ〜５０ｊ 吊りリード
７０ ダイパッド部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、
ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとワイヤボンディングして接続される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、ワイヤボンディングして、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項２】
少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、
ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとフリップチップ実装される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項３】
前記リードフレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠から内側に延出したインナーリードと、吊りリードによって前記フレーム枠から内側に延出したダイパッドを備え、前記半導体集積回路（ＩＣ）を前記ダイパッドに実装するとともに、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングする、あるいはフリップチップ実装することを特徴とする請求項１又は２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項４】
封止樹脂で覆われた第１の主面と、前記第１の主面と対向し、前記実装端子が、少なくとも一主面側に露出する第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面とを接続する側面を備え、前記実装端子が実質的に一面上に形成されたノンリードパッケージであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項５】
前記第１の主面側の封止樹脂には、実装端子の機能を示すマーキングが形成されていることを特徴とする請求項４に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項６】
前記実装端子の表面はＡｕ層、もしくはＡｕ−Ｐｄ合金層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項１】
少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、
ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとワイヤボンディングして接続される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、ワイヤボンディングして、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項２】
少なくとも、インダクタと、半導体集積回路を備えたＤＣ−ＤＣコンバータであって、
ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路とスイッチング素子を含む半導体集積回路（ＩＣ）を配置する領域と、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドとフリップチップ実装される領域と、前記インダクタを配置する領域とを備えたリードフレームに、前記半導体集積回路および前記インダクタを搭載し、それらを一体的に樹脂封止した後、封止領域外のリードフレームを切断して、外部回路との接続のための実装端子としたことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項３】
前記リードフレームは、フレーム枠と、前記フレーム枠から内側に延出したインナーリードと、吊りリードによって前記フレーム枠から内側に延出したダイパッドを備え、前記半導体集積回路（ＩＣ）を前記ダイパッドに実装するとともに、前記半導体集積回路（ＩＣ）の電極パッドと前記インナーリードとをワイヤボンディングする、あるいはフリップチップ実装することを特徴とする請求項１又は２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項４】
封止樹脂で覆われた第１の主面と、前記第１の主面と対向し、前記実装端子が、少なくとも一主面側に露出する第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面とを接続する側面を備え、前記実装端子が実質的に一面上に形成されたノンリードパッケージであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項５】
前記第１の主面側の封止樹脂には、実装端子の機能を示すマーキングが形成されていることを特徴とする請求項４に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項６】
前記実装端子の表面はＡｕ層、もしくはＡｕ−Ｐｄ合金層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００７−１７３７１２（Ｐ２００７−１７３７１２Ａ）
【公開日】平成１９年７月５日（２００７．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３７２３７３（Ｐ２００５−３７２３７３）
【出願日】平成１７年１２月２６日（２００５．１２．２６）
【出願人】（０００００５０８３）日立金属株式会社 (2,051)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月５日（２００７．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月２６日（２００５．１２．２６）
【出願人】（０００００５０８３）日立金属株式会社 (2,051)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]