ＭＲＩ適合性を高めるために能動医療装置のリードワイヤ又は回路と直列にガイドワイヤと共に配置するように適応可能なタンクフィルタ

【課題】電磁干渉（ＥＭＩ）タンクフィルタアセンブリを提供する。
【解決手段】能動医療装置（ＡＭＤ）のリードワイヤのためのタンクフィルタ。タンクフィルタは、誘導子に並列のコンデンサを含む。並列コンデンサ及び誘導子は、ＡＭＤのリードワイヤと直列に配置され、キャパシタンス及びインダクタンスの値は、選択した周波数でタンクフィルタが共鳴するように選択される。タンクフィルタを通る通路は、リードワイヤを埋込み位置に配置するためのガイドワイヤの選択的かつ摺動可能な通過を可能にする。タンクフィルタの全Ｑを低減して、選択した周波数の範囲に沿ってリードワイヤを通る電流を減衰させるために、誘導子のＱは、相対的に最大にすることができ、コンデンサのＱは、相対的に最小にすることができる。好ましい形態では、タンクフィルタは、能動型埋め込み医療装置のためのＴＩＰ及び／又はＲＩＮＧ電極内に統合される。

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動医療装置（ＡＭＤ）と、
前記ＡＭＤから延びるリードワイヤと、
誘導子に並列のコンデンサを含み、該並列コンデンサ及び誘導子が、前記リードワイヤと直列に配置され、キャパシタンス及びインダクタンスの値が、選択した周波数でフィルタが共鳴するように選択される、該選択した周波数で該リードワイヤを通る電流を減衰させるための該リードワイヤに関連する帯域消去フィルタと、
ガイドワイヤの選択的かつ摺動可能な通過を可能にする前記帯域消去フィルタを通る通路と、
を含むことを特徴とする医療装置。
【請求項２】
前記ＡＭＤは、移植蝸牛刺激装置、圧電サウンドブリッジ変換器、神経刺激器、脳刺激器、心臓ペースメーカー、補助人工心臓、人工心臓、薬物ポンプ、骨成長刺激器、骨融合刺激器、尿失禁装置、疼痛寛解脊髄刺激器、抗振戦刺激器、胃刺激器、埋込み型電気除細動器、ｐＨプローブ、うっ血性心不全装置、カプセルカメラ、神経調節器、心血管性ステント、整形外科用移植片、外部インシュリンポンプ、外部薬物ポンプ、外部神経刺激器、ホルターモニタ、外部プローブ、又はカテーテルを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記帯域消去フィルタの全Ｑを低減するために、前記誘導子のＱは、相対的に最大にされ、前記コンデンサのＱは、相対的に最小にされることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記誘導子の前記Ｑは、該誘導子における抵抗損失を最小にすることによって相対的に最大にされることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記コンデンサの前記Ｑは、該コンデンサの等価直列抵抗を上げることによって相対的に最小にされることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記帯域消去フィルタの前記全Ｑは、選択した周波数の範囲に沿って前記リードワイヤを通る電流を減衰させるために低減されることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記選択した周波数の範囲は、複数のＭＲＩパルス周波数を含むことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記コンデンサの前記等価直列抵抗は、
前記コンデンサの電極板の厚みを低減する段階、
高抵抗性コンデンサ電極材料を用いる段階、
誘電粉末を電極インクに加える段階、
前記コンデンサの前記電極板に開口、間隙、スリット、又はスポークを設ける段階、
別々の個別の抵抗器を前記コンデンサと直列に設ける段階、
抵抗性電気取付材料を前記コンデンサに対して用いる段階、又は
前記選択した周波数で高誘電損失正接を有するコンデンサ誘電体を用いる段階、
のうちのいずれか１つ又はその組合せによって増大される、
ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記帯域消去フィルタは、前記リードワイヤの遠位先端に隣接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記帯域消去フィルタは、ＴＩＰ電極内に統合されていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記帯域消去フィルタは、ＲＩＮＧ電極内に統合されていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
プローブ又はカテーテルを含み、
前記帯域消去フィルタは、前記プローブ又はカテーテルのＴＩＰ又はＲＩＮＧ電極に付随し、
前記帯域消去フィルタの前記全Ｑは、選択した周波数の範囲に沿って前記リードワイヤを通る電流を減衰させるために低減される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記通路は、前記帯域消去フィルタ及び遠位先端電極を通して延び、前記ＡＭＤ及び前記リードワイヤの長さにわたる前記ガイドワイヤの摺動可能な通過を可能にすることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記リードワイヤは、前記ＡＭＤの出力に接続していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記リードワイヤは、前記コンデンサの周りに緊密に巻かれ、遠位先端電極及び前記コンデンサと導電的に結合された時にＬ−Ｃ帯域消去フィルタを形成することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記コンデンサの外径の周りに置かれた渦巻誘導子を更に含み、
前記渦巻誘導子及び前記コンデンサは、Ｌ−Ｃ帯域消去フィルタを形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記渦巻誘導子は、薄い矩形形状を含むことを特徴と刷る請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記渦巻誘導子及び前記コンデンサは、電気絶縁層によって電気的に隔離されていることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
遠位先端リードワイヤが、前記電気絶縁層の周囲表面の周りに配置されたリングに装着されたＲＩＮＧ電極の内側に巻かれていることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記遠位先端リードワイヤ及び前記ＲＩＮＧ電極は、前記電気絶縁層を通じて電気絶縁状態に保たれていることを特徴とする請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記帯域消去フィルタは、体液から密封されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
導体と直列に置かれ、かつキャパシタンスと並列に電気インダクタンスを有し、それによって選択した周波数帯域で電流を減衰させるタンクフィルタ、
を含み、
前記タンクフィルタは、
前記導体及び電極に電気的に接続した管状コンデンサと、
前記導体及び前記電極と電気的に接続され、前記コンデンサ内に配置された強磁性コアの回りに巻かれた渦巻を含む誘導子と、
強磁場を生成して、静磁場の存在下で誘導子の飽和を低減又は防止するために該誘導子の上に配置されたスリーブと、
ガイドワイヤの選択的かつ摺動可能な通過を可能にする通路と、
を含む、
ことを特徴とする医学的治療装置。
【請求項２３】
前記スリーブは、ニッケルから成ることを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記コンデンサは、一端でＴＩＰ電極及び反対端でキャップに取り付けられ、前記誘導子及び前記スリーブを入れる密封ハウジングを作り出すことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
能動医療装置（ＡＭＤ）のリードワイヤのための帯域消去フィルタであって、
並列のコンデンサ及び誘導子の組合せが、リードワイヤと直列に置かれ、かつキャパシタンス及びインダクタンスの値が、選択された周波数で帯域消去フィルタが共鳴するように選択された、誘導子に並列のコンデンサと、
帯域消去フィルタを通って延び、ガイドワイヤの選択的かつ摺動可能な通過を可能にする通路と、
を含むことを特徴とするフィルタ。
【請求項２６】
前記ＡＭＤは、移植蝸牛刺激装置、圧電サウンドブリッジ変換器、神経刺激器、脳刺激器、心臓ペースメーカー、補助人工心臓、人工心臓、薬物ポンプ、骨成長刺激器、骨融合刺激器、尿失禁装置、疼痛寛解脊髄刺激器、抗振戦刺激器、胃刺激器、埋込み型電気除細動器、ｐＨプローブ、うっ血性心不全装置、カプセルカメラ、神経調節器、心血管性ステント、整形外科用移植片、外部インシュリンポンプ、外部薬物ポンプ、外部神経刺激器、ホルターモニタ、外部プローブ、又はカテーテルを含むことを特徴とする請求項２５に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項２７】
前記リードワイヤは、外部着用リードワイヤを含むことを特徴とする請求項２５に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項２８】
前記リードワイヤの遠位先端に隣接して該リードワイヤの長さに沿って選択された位置に又は前記ＡＭＤのためのハウジングの内側に配置されていることを特徴とする請求項２５に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項２９】
ＴＩＰ電極内に統合されていることを特徴とする請求項２８に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項３０】
ＲＩＮＧ電極内に統合されていることを特徴とする請求項２８に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項３１】
帯域消去フィルタの全Ｑを低減するために、前記誘導子のＱは、相対的に最大にされ、前記コンデンサのＱは、相対的に最小にされることを特徴とする請求項２５に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項３２】
前記誘導子の前記Ｑは、該誘導子における抵抗損失を最小にすることによって相対的に最大にされ、
前記コンデンサの前記Ｑは、該コンデンサの等価直列抵抗を上げることによって相対的に最小にされる、
ことを特徴とする請求項３１に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項３３】
帯域消去フィルタの前記全Ｑは、選択した周波数の範囲に沿って前記リードワイヤを通る電流を減衰させるために低減されることを特徴とする請求項３２に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項３４】
前記コンデンサの前記等価直列抵抗は、
前記コンデンサの電極板の厚みを低減する段階、
高抵抗性コンデンサ電極材料を用いる段階、
誘電粉末を電極インクに加える段階、
前記コンデンサの前記電極板に開口、間隙、スリット、又はスポークを設ける段階、
別々の個別の抵抗器を前記コンデンサと直列に設ける段階、
抵抗性電気取付材料を前記コンデンサに対して用いる段階、又は
前記選択した周波数で高誘電損失正接を有するコンデンサ誘電体を用いる段階、
のうちのいずれか１つ又はその組合せによって増大される、
ことを特徴とする請求項３３に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項３５】
前記選択した周波数の範囲は、複数のＭＲＩパルス周波数を含むことを特徴とする請求項３３に記載の帯域消去フィルタ。
【請求項３６】
能動医療装置（ＡＭＤ）と、
前記ＡＭＤから延び、ＴＩＰ、ＲＩＮＧ、又はＰＡＤ電極を有するプローブ又はカテーテルと、
前記プローブ又はカテーテルを通って延び、ガイドワイヤの摺動可能な通過を可能にする通路と、
選択した周波数で前記プローブ又はカテーテルを通る電流を減衰させるための該カテーテル又はプローブ電極に付随する帯域消去フィルタと、
を含み、
前記帯域消去フィルタは、誘導子に並列のコンデンサを含み、該並列コンデンサ及び誘導子は、前記プローブ又はカテーテル電極と直列に置かれ、
キャパシタンス及びインダクタンスの値は、前記選択した周波数で前記帯域消去フィルタが共鳴するように選択され、
前記帯域消去フィルタの全Ｑは、選択した周波数の範囲に沿ってリードワイヤを通る電流を減衰させるために低減される、
ことを特徴とする医療装置。
【請求項３７】
前記帯域消去フィルタの全Ｑを低減するために、前記誘導子のＱは、相対的に最大にされ、前記コンデンサのＱは、相対的に最小にされることを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項３８】
前記誘導子の前記Ｑは、該誘導子における抵抗損失を最小にすることによって相対的に最大にされることを特徴とする請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
前記コンデンサの前記Ｑは、該コンデンサの等価直列抵抗を上げることによって相対的に最小にされることを特徴とする請求項３７に記載の装置。
【請求項４０】
前記選択した周波数の範囲は、複数のＭＲＩパルス周波数を含むことを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項４１】
前記コンデンサの前記等価直列抵抗は、
前記コンデンサの電極板の厚みを低減する段階、
高抵抗性コンデンサ電極材料を用いる段階、
前記コンデンサの前記電極板に開口、間隙、スリット、又はスポークを設ける段階、
抵抗性電気取付材料を前記コンデンサに対して用いる段階、又は
前記選択した周波数で高誘電損失正接を有するコンデンサ誘電体を用いる段階、
のうちのいずれか１つ又はその組合せによって増大される、
ことを特徴とする請求項４０に記載の装置。
【請求項４２】
前記ＡＭＤは、移植蝸牛刺激装置、圧電サウンドブリッジ変換器、神経刺激器、脳刺激器、心臓ペースメーカー、補助人工心臓、人工心臓、薬物ポンプ、骨成長刺激器、骨融合刺激器、尿失禁装置、疼痛寛解脊髄刺激器、抗振戦刺激器、胃刺激器、埋込み型電気除細動器、ｐＨプローブ、うっ血性心不全装置、カプセルカメラ、神経調節器、心血管性ステント、整形外科用移植片、外部インシュリンポンプ、外部薬物ポンプ、外部神経刺激器、ホルターモニタ、外部プローブ、又はカテーテルを含むことを特徴とする請求項３６に記載の装置。

【図１】