説明

株式会社荏原製作所により出願された特許

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【課題】研磨レートの変化(低下)を利用して正確な研磨終点を検知することができる研磨終点検知方法および研磨終点検知装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨終点検知方法は、膜を有する基板の表面を研磨パッドで研磨し、研磨中に、基板の表面に光を照射し、かつ基板から戻る反射光を受光し、反射光の各波長での反射強度を示す分光プロファイルを所定の時間間隔で取得し、取得された複数の分光プロファイルの中から、最新の分光プロファイルを含む少なくとも1組の分光プロファイルを選択し、選択された分光プロファイル間で、所定の波長における反射強度の差分を算出し、差分から反射強度の変化量を求め、変化量に基づいて研磨終点を決定する。 (もっと読む)


【課題】噛み込み等によるドライ真空ポンプが過負荷となり、駆動する電動機に供給する電力容量が大きくなった場合でも、真空ポンプシステム全体として必要な電力容量を増加させることなく、過負荷を解消することができる真空ポンプシステム、及びその運転方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ドライ真空ポンプを複数台備え、各ポンプを駆動する電動機にはインバータ装置INVMP、INVBPから駆動電力を供給し、且つポンプロータに過負荷がかかった場合にインバータ装置から電動機に定格電流の数倍を上限とした最大電流を供給できるようになっている真空ポンプシステムにおいて、メインポンプMP又はブースタポンプBPが過負荷となった場合、電力消費部へ供給する電力を遮断、及び/又は過負荷となっていない真空ポンプの電動機に供給する電力を制限し、該過負荷になった真空ポンプの電動機に優先して電力を供給する。 (もっと読む)


【課題】ドライ真空ポンプとターボ分子ポンプが同一電源ライン上に接続された真空ポンプシステムの電源遮断の場合に、ターボ分子ポンプが停止するまで、ドライ真空ポンプが継続して運転できる真空ポンプシステムを提供すること。
【解決手段】ターボ分子ポンプとドライ真空ポンプとを備え、交流電源50からの交流電力を直流電力に変換し、ターボ分子ポンプ用インバータ回路42と、ドライ真空ポンプ用インバータ回路40により所定周波数の交流電力に変換し、ターボ分子ポンプ駆動用電動機46、ドライ真空ポンプ駆動用電動機44に供給する真空ポンプシステムであって、運転中に交流電源50が遮断した場合、ターボ分子ポンプ駆動用電動機46で発電される回生電力をターボ分子ポンプ用インバータ回路42を介して直流電力に変換し、ドライ真空ポンプ用インバータ回路40を介してドライ真空ポンプ駆動用電動機44に供給する。 (もっと読む)


【課題】研磨対象物である基板が外れてしまうことを防止し、安定した研磨を実現することができるようにする。
【解決手段】研磨面を有する研磨パッド101と、基板Wを保持して研磨面に基板を押圧して該基板を研磨するトップリング本体2と、基板Wの外周部を保持して研磨面を押圧するリテーナリング3とを有する研磨装置であって、リテーナリング3の少なくとも2つの位置での高さを検出するセンサ506と、センサ506により検出された高さからリテーナリング3の傾きを算出する演算部508とを備えた。 (もっと読む)


【課題】渦電流センサが配置される周囲構造物の材料に影響されることなく、簡単な構成で高感度で且つ安定して導電性膜厚を検出できる渦流センサ及び該渦電流センサを提供すること。
【解決手段】導電性膜が形成された基体の近傍に配置されたセンサコイルを備え、該センサコイルに交流電流を通電することにより、前記導電性膜に渦電流を誘起し、該渦電流により発生する磁束変化をセンサコイルに誘起される誘起電圧により検出して前記導電性膜の膜厚を測定する渦電流センサにおいて、センサコイル21、22、23はセンサヘッド24に配置されており、センサコイル21、22、23はそれぞれA側とB側の一対のコイルからなり、一対のコイルの各コイルに通電した際に、センサヘッド24の一方のコイル周囲を周回する電流Iaが、他方のコイル周囲を周回する電流Ibと絶対値が同じで流れの向きが逆になるように配置した。 (もっと読む)


【課題】ポンプケーシングを分解することなく、信頼性の高い水中軸受の摩耗検知を行うことができ、かつ水中軸受の摩耗を正確に監視することができる機構を備えた立軸ポンプを提供する。
【解決手段】立軸ポンプは、羽根車10と、羽根車10に連結された回転軸6と、羽根車10および回転軸6を収容するポンプケーシング2と、回転軸6を回転自在に支持する水中軸受12と、回転軸6の径方向の変位を測定する変位測定器30と、変位測定器30の測定値に基づいて水中軸受の摩耗を監視する監視装置31とを備える。 (もっと読む)


【課題】カチオン交換樹脂から溶出する有機性不純物由来の硫酸イオン濃度の低い、高純度な処理水質を長期に渡り安定的に得ることのできる復水脱塩装置の提供。
【解決手段】原子力発電プラントの復水をイオン交換樹脂で脱塩処理する復水脱塩装置において、復水脱塩処理を行うイオン交換樹脂を収容する脱塩塔を備え、前記イオン交換樹脂はアニオン交換樹脂及びカチオン交換樹脂を含み、前記アニオン交換樹脂は、分子量4000以下のポリスチレンスルホン酸含有水溶液を、層高10cmの前記アニオン交換樹脂の層を有するカラムに通水線流速90〜122m/hの範囲で通水したときに、前記水溶液に含有されるポリスチレンスルホン酸の除去率が50%以上であることを特徴とする復水脱塩装置。 (もっと読む)


【課題】部分流量でのストールを防ぐとともに、設計点流量での効率も向上させることができるようにする。
【解決手段】羽根車12とディフューザ28とを備え、羽根車流路24の出口とディフューザ流路36の入口とをエルボ状に屈曲した繋ぎ部流路38で繋いだディフューザ付きポンプにおいて、繋ぎ部流路38の外周側流路面46の流れ方向に沿った実流路カーブ60がシュラウド直線流路面22a及びディフューザ直線流路面28aを接線とする円弧カーブ50よりも内側に位置する流路カーブに沿うようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの表面に、半導体ウェーハをダイシングして得られる半導体チップと回路基板との位置合せを高い精度で容易に行いながら、溶融接合時にはんだバンプ内にボイドを発生させない接合を実現できるバンプを形成できるようにする。
【解決手段】集積回路を有する半導体ウェーハ50の表面にレジストパターン60を形成し、レジストパターン60のレジスト開口部56内に銅めっきによって銅めっき膜を成長させて粗い表面68aを有する銅バンプ68を形成し、銅バンプ68の表面にすずまたはすず合金めっきによってはんだバンプ70を形成し、しかる後、レジストパターン60を半導体ウェーハ表面から剥離除去する。 (もっと読む)


【課題】耐水絶縁電線の絶縁被覆の外層材料を難接着材料であるポリエチレンや架橋ポリエチレンにしても、容易且つ確実に止水できる耐水絶縁電線の接続部の止水処理構造を提供すること。
【解決手段】液封式モータ200内で、耐水絶縁電線20と電源ケーブル10の接続部A−1を止水処理する。耐水絶縁電線20の絶縁被覆の外層材はポリエチレン又は架橋ポリエチレン製であり、この絶縁被覆の外層材の表面に未架橋のEPRもしくは未加硫又は非加硫系のEPDM32を直接巻き付け、さらにその外周表面に加硫用接着剤35を塗布してその表面に未加硫のクロロプレンゴム29を巻き付けて熱加硫して一体成形することで、耐水絶縁電線20の絶縁被覆の外層材と未架橋のEPRもしくは未加硫又は非加硫系のEPDM32とを融着すると同時に、未架橋のEPRもしくは未加硫又は非加硫系のEPDM32とクロロプレンゴム29とを接着して止水する。 (もっと読む)


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