【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周囲の温度が使用環境温度範囲よりも高温になった際の蓄冷材容器の破裂を防止しうる蓄冷機能付きエバポレータを提供する。
【解決手段】蓄冷機能付きエバポレータは、上下方向にのびる複数の冷媒流通管と、上下方向にのびるとともに内部に蓄冷材が封入された複数の蓄冷材容器16とを備えている。蓄冷材容器16に、内圧の異常上昇時に蓄冷材を流出させる流出口23を設け、流出口23を、流出口23内の全体に充填された閉鎖部材24により閉鎖する。閉鎖部材24は、使用環境温度範囲において固化しているとともに、使用環境温度範囲よりも高温になった際に流動性になる材料、たとえばホットメルト系接着剤からなる。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】垂直磁性層の高い垂直配向性を維持し、更なる高記録密度化を可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層１１と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、垂直磁性層を２層以上の磁性層から構成し、各磁性層を構成する結晶粒子が配向制御層１１を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶を形成するように各層を結晶成長させる際に、配向制御層１１をＣｏＣｒ合金で形成し、この配向制御層１１をスパッタリングガスに窒素を混合した反応性スパッタリングにより成膜すると共に、成膜時に前記非磁性基板に対して負のバイアス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】潤滑材を低減しても高速鋳造を安定して円滑に行うことができ、ブレークアウトや潤滑材反応生成物の発生も抑制し、鋳塊不良を大幅に減らす。
【解決手段】溶湯受部２５０内の合金溶湯２５５を鋳型２０１の一端から鋳型２０１内に供給してアルミニウム合金鋳造棒を製造する連続鋳造装置を、溶湯受部２５０と鋳型２０１の一端との間に配置され、溶湯受部２５０と鋳型２０１とを連通する注湯用通路２１１を有する断熱部材２（２ａ，２ｂ）と、その断熱部材２（２ａ，２ｂ）に沿って設けられ、注湯用通路２１１と一体の通孔を有する仕切り層２ｃとからなる耐火断熱性を有する耐火物製板状体２１０を備えて構成し、鋳型２０１を水平状に配置し、仕切り層２ｃは、潤滑材および気化した潤滑材を通さない材料とする。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】切粉が管材に付着するのを防止できる管材の切断方法を提供する。
【解決手段】本発明は、所定長さの管材Ｗをその長さ方向に沿って前方へ所定量搬送して切断する管材Ｗの切断方法を対象とする。管材Ｗを切断する際に、管材Ｗの後端から管内にエアーを供給しつつ、管材Ｗの前端から管内のエアーを吸引する一方、管材Ｗの切断部外周のエアーを吸引する。 （もっと読む）

【課題】連続鋳造棒の長手方向における羽毛状晶の発生頻度を抑えて柱状晶及び／又は粒状晶がほとんどを占め、かつ、結晶粒径のバラツキを均一化させて優れた機械加工性、鍛造性を有するアルミニウム合金の連続鋳造棒を鋳造する連続鋳造装置を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金溶湯２５５から連続鋳造棒を鋳造する連続鋳造装置において、鋳造中の鋳造棒１の表面から鋳造棒１の凝固面を介して凝固面近傍のアルミニウム合金溶湯に機械的振動を付与する振動付与装置４１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】耐久性、特に耐摩耗性および耐屈曲疲労性のバランスに優れたクロロプレン系加硫ゴム用組成物及びクロロプレン系加硫ゴムを提供する。
【解決手段】２−クロロ−１，３−ブタジエン（クロロプレン）(C-1)及び２，３−ジクロロ−１，３−ブタジエン(C-2)、または２−クロロ−１，３−ブタジエン（クロロプレン）(C-1)、２，３−ジクロロ−１，３−ブタジエン(C-2)及びこれらと共重合可能な単量体(C-3)を特定の割合で使用して重合された特定の物性を有するクロロプレン系加硫ゴム用重合体、受酸剤、滑剤、老化防止剤、カーボンブラック、カーボンブラック以外の充填剤、軟化剤、加工助剤、金属酸化物、および加硫促進剤を特定の割合で含むクロロプレン系加硫ゴム用組成物。本願発明の高度の耐久性を要求される用途、例えば高架橋用、高速道路用等の伸縮継手、空気バネ、防振ゴム、支承ゴム、各種ジョイントなどとして使用することができる。 （もっと読む）