【課題】半導体装置の駆動時に生じる熱応力を緩和しつつ、半導体素子の発する熱の熱拡散が阻害されにくくすること。
【解決手段】半導体モジュールは、回路基板と、回路基板上に半田付けにより接合された半導体素子１２と、ヒートシンク１３とから構成されている。裏金属板１６における半導体素子１２の直下領域Ａ１は、貫通孔１７の形成を許容する形成領域Ａ３と、貫通孔の形成を許容しない非形成領域Ａ４に分割されている。非形成領域Ａ４には貫通孔１７が形成されないため、貫通孔１７は直下領域Ａ１の形成領域Ａ３（周縁部）に形成され、形成領域Ａ３に形成される貫通孔１７より内側の領域である内側領域Ａ２は、セラミックス基板とヒートシンク１３を接合する接合層となっている。 （もっと読む）

【課題】ヘッダタンクからの洩れの発生を防止しうる熱交換器を提供する。
【解決手段】ヘッダタンクをタンク本体と閉鎖板８とにより形成する。タンク本体の横断面Ｕ字状タンク部材15の両側壁16間に、押出形材に切削加工を施すことにより、ヘッダプレート18を嵌め入れかつヘッダプレート18のタンク本体に対する高さ方向および幅方向の位置を決めるプレート嵌入部21を形成し、タンク部材15の両端部に、押出形材に切削加工を施すことにより、閉鎖板８を嵌め入れかつ閉鎖板８のタンク本体に対する高さ方向、幅方向および長さ方向の位置を決める閉鎖板嵌入部24を形成する。ヘッダプレート18をプレート嵌入部21内に嵌め入れて両側壁16にろう付し、閉鎖板８を閉鎖板嵌入部24内に嵌め入れてタンク部材15とヘッダプレート18にろう付する。 （もっと読む）

【課題】熱交換管の内圧に対する耐圧性を向上しうる熱交換器を提供する。
【解決手段】熱交換器１の熱交換管４は、１対の平坦壁11,12と、両平坦壁11,12の両側縁部どうしに跨る２つの側壁14を有する。熱交換管４の一方の側壁を両平坦壁11,12に一体に形成する。他方の側壁17は、上平坦壁11に一体に形成されて下側に突出した上側壁形成部16と、下平坦壁12に一体に形成されて上側に突出した第２側壁形成部17とからなる。両側壁形成部16,17の先端部に連なって内方突出壁18,19を設け、両内方突出壁18,19どうしを互いにろう付する。上内方突出壁18の先端部に連なって上側に曲げられた屈曲部23を設け、下内方突出壁19の先端部に連なって下側に曲げられた屈曲部24を設ける。両屈曲部23,24の先端部に連なって、両側壁形成部16,17側にのびかつ両平坦壁11,12内面に面接触する平坦部25,26を設け、両平坦部25,26を両平坦壁11,12にろう付する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子における電子輸送性の層を形成するのに適し、蒸着速度が安定した新規な化合物を提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。


〔式（１）において、Ｒ¹は、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】有機系反射防止膜のプラズマによる高異方性および高選択性エッチング用のエッチングガスとして注目される重要な化合物である硫化カルボニルを効率よく簡便にかつ安価に製造する方法を提供すること。
【解決手段】有機溶媒中、塩基性有機化合物を触媒として用いて、一酸化炭素と硫黄とを反応することにより、硫化カルボニルを製造する。塩基性有機化合物として、アミジン塩基、フォスファゼン塩基、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＴＢＤ）、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＭＴＢＤ）、アルキル基もしくはアラルキル基で置換された４級アンモニウムハイドロオキサイド、脂肪族環状２級アミンまたは脂肪族２級アミンを用いる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板に用いられる積層材であって、はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生を防止できる積層材を提供すること。
【解決手段】積層材1Aは、表面2aに半導体素子21が接合されるＮｉ又はＮｉ合金で形成されたＮｉ層２と、Ｎｉ層２の片側に積層状に配置されたＴｉ又はＴｉ合金で形成されたＴｉ層４と、Ｔｉ層４のＮｉ層２配置側とは反対側に積層状に配置されたＡｌ又はＡｌ合金で形成されたＡｌ層６と、を備える。Ｎｉ層２とＴｉ層４とが放電プラズマ焼結法により接合されている。Ｔｉ層４とＡｌ層６とが放電プラズマ焼結法により接合されている。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶を基板とする半導体発光チップの製造において、得られる半導体発光チップにおける半導体発光素子の欠けを抑制する。
【解決手段】表面がサファイア単結晶のＣ面で構成された基板の表面に複数の半導体発光素子が形成された素子群形成基板に対して、基板表面側から、基板表面およびサファイア単結晶のＭ面に沿う第１方向に向かう割溝を基板表面に形成し（Ｓ１０３）、基板裏面側からレーザ光を照射することで、第１方向に向かう第１改質領域および基板表面に沿いかつ第１方向とは異なる第２方向に向かう第２改質領域を基板内部に形成し（Ｓ１０４、Ｓ１０５）、第１改質領域および第２改質領域を用いて素子群形成基板を分割し（Ｓ１０６）、半導体発光チップを得る。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電特性を持ち、機械特性に優れ、耐熱性の高く優れた生産性を持つ導電性樹脂複合材料の提供。
【解決手段】 熱可塑性樹脂、カーボンナノチューブ、ヒンダードフェノール系添加剤、リン系添加剤およびヒンダードアミン系添加剤を含有する導電性樹脂組成物。熱可塑性樹脂１００質量部に対し、カーボンナノチューブの配合量は０．１〜１０質量部、ヒンダードフェノール系添加剤の配合量は０．０１〜８質量部、リン系添加剤の配合量は０．０１〜８質量部、ヒンダードアミン系添加剤の配合量は０．０１〜８質量部が好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子における電子輸送性の層を形成するのに適し、蒸着速度が安定した新規な化合物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。


〔式中、Ｒ¹は、それぞれ同一又は異なり、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基等を表し、Ａｒは、それぞれ同一又は異なり、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】半導体に給電するための電極の接合性および電極の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。ｐ電極３００は、Ａｕを含む金属材料で構成され、外部に露出するように設けられるｐ側第２金属層３３２と、Ａｕを含むとともにｐ側第２金属層３３２よりも硬度が高い金属材料で構成され、ｐ側第２金属層３３２よりも透明導電層１７０に近い側に、ｐ側第２金属層３３２に沿って設けられるｐ側第１金属層３３１とを備える。 （もっと読む）