【課題】熱サイクル寿命の低下を抑制しうる絶縁回路基板、ならびにパワーモジュール用ベースおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、セラミック製絶縁板５と、絶縁板５の一面にＳｉを含むろう材によりろう付された純アルミニウム製回路板６とを備えている。絶縁板５と回路板６との間にＳｉ粒子を含む残存ろう材層12が存在している。残存ろう材層12の厚さは３μｍ以下であり、残存ろう材層12に含まれるＳｉ粒子の面積率は２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】磁性層が良好な規則度と（００１）配向を有し、Ｈｃが高く、かつ、Ｈｃ分散の狭い熱アシスト記録媒体、及びそれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、ＭｎＯであることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体を用いる。また、ＭｎＯ下地層を、Ｃｒ、もしくはＣｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕのうちの少なくとも１種類を含有したＢＣＣ構造を有する下地層の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】冷媒が膨張弁を通過する際に発生した異音の増幅を抑制しうるエバポレータおよび車両用空調装置を提供する。
【解決手段】エバポレータは、圧縮機と、コンデンサと、膨張弁５とともに車両用空調装置を構成する。エバポレータは、冷媒入口ヘッダ部、冷媒出口ヘッダ部および熱交換コア部を有するエバポレータ本体と、一端部が冷媒入口ヘッダ部に接続されかつ冷媒入口ヘッダ部内に冷媒を流入させる冷媒入口管３と、一端部が冷媒出口ヘッダ部に接続されかつ冷媒出口ヘッダ部から冷媒を流出させる冷媒出口管とを備えている。冷媒入口管３の他端部を、冷媒供給路32と通じるように膨張弁５に接続し、冷媒出口管の他端部を、冷媒排出路と通じるように膨張弁５に接続する。膨張弁５の冷媒供給路32の内径をＡｍｍ、冷媒入口管３の内径をＢｍｍとした場合、Ｂ／Ａ≦１．０という関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】引抜時の管の内面に確実に潤滑油を付着できて焼付を防止することのできる金属管の引抜方法を提供する。
【解決手段】金属製素管２を、外面を成形するダイス１０と内面を成形するプラグ１１との間に通すことで引抜加工する金属管の引抜方法において、前記プラグ１１のベアリング部１７を通過する前の素管２の内面に潤滑油Ｌを付着させる時に、該素管２の内面における上半分の領域における単位時間当たりの付着量（ｇ／秒）を「Ｘ」とし、前記素管２の内面における下半分の領域における単位時間当たりの付着量（ｇ／秒）を「Ｙ」としたとき、Ｘ＞Ｙ＞０の関係式が成立するように潤滑油を付着させる。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル時の絶縁板のクラックの発生や、絶縁板と第２金属板との接合界面での剥離の発生を抑制しうる絶縁回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、絶縁板５と、絶縁板５の片面にろう付されかつ絶縁板５とは反対側の面が、発熱体となるパワーデバイス３を搭載する電子素子搭載部11を有する配線面９となされている回路板６と、絶縁板５の他面にろう付された応力緩和板７とよりなる。回路板６の電子素子搭載部11に取り付けられるパワーデバイス３から発せられる熱は、回路板６および絶縁板５を経て応力緩和板７に伝わる。応力緩和板７の輪郭を形成しかつ応力緩和板(7)の厚み方向に幅を持つ輪郭面10に、応力緩和板７の輪郭面10の沿ってのびかつ絶縁板５の熱応力を低減する熱応力緩和用凹部となる凹溝12を設ける。 （もっと読む）

【課題】ポリッシュ工程において酸化セリウムを用いることなく、又はその使用量を低減しつつ、十分な耐衝撃強度が得られると共に、そのような磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で製造できる磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】中心孔を有する円盤状のガラス基板の内外周端面に対して、少なくとも研削加工を施す工程を含み、研削加工を施す工程は、ダイヤモンド砥粒を金属からなる結合剤で固定したメタルボンドダイヤ砥石を用いて、ガラス基板の内外周端面を研削する１次研削加工と、ダイヤモンド砥粒を樹脂からなる結合剤で固定したレジンボンドダイヤ砥石を用いて、ガラス基板の内外周端面を研削する２次研削加工とを含む。 （もっと読む）

【課題】冷却性能を向上しうるエバポレータを提供する。
【解決手段】エバポレータ１に、複数の熱交換チューブ９からなるチューブ列11,12が、通風方向に並んで２列設ける。両チューブ列11,12の上端部を、風下側および風上側上ヘッダ部5,6内に突出するように挿入した状態で両上ヘッダ部5,6に接続する。両上ヘッダ部5,6にそれぞれ複数の区画15,16,17,23,24を設け、各区画15,16,17,23,24に複数の熱交換チューブ９を通じさせる。風下側上ヘッダ部５の区画15と風上側上ヘッダ部6の区画23とが通風方向に並んで組をなす。風下側および風上側の両上ヘッダ部5,6間に、風下側上ヘッダ部５の区画15と風上側上ヘッダ部６の区画23とを通じさせる連通路32を設ける。連通路32の下端を、熱交換チューブ９の上端よりも下方に位置させる。 （もっと読む）

【課題】周期律表第１０族の金属錯体触媒を用いたカルボン酸エステルモノマーを含む重合体の製造において、触媒の重合活性を飛躍的に向上させ、製造コストを大幅に低減できる重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】重合系内の液相に含まれる、（Ａ）一般式（２）で示されるアルコール化合物の濃度が５００ｗｔｐｐｍ以下、（Ｂ）一般式（３）で示されるカルボン酸化合物の濃度が２００ｗｔｐｐｍ以下、（Ｃ）水の濃度が５０ｗｔｐｐｍ以下である、前記条件（Ａ）〜（Ｃ）の少なくとも１つを満足することを特徴とする重合体の製造方法。


（式中の記号は、明細書に記載の通り） （もっと読む）

【課題】被験者がベッド設置面上に足を着けないでベッド寝床部の周縁部の乗降領域上に存在していることを判定できるベッドの在床状況検出方法を提供すること。
【解決手段】検出方法は、ベッド寝床部21の４つの端角部にそれぞれ掛かる荷重を４個の荷重検出手段２により検出する荷重検出工程S1と、被験者Ｈの重心位置がベッド寝床部の中央部の在床領域23内にある場合に、全荷重検出手段の合計出力を在床荷重として記憶する在床荷重記憶工程S10と、重心位置が在床領域内にあるか否かを判定する第１判定工程S30と、重心位置が在床領域内にないと判定された場合に、全荷重検出手段の現在の合計出力が在床荷重に対して所定割合以下であるか否かを判定する第３判定工程S36と、を備える。そして、現在の合計出力が所定割合以下ではないと判定された場合に、被験者がベッド設置面29上に足を着けずにベッド寝床部の乗降領域22上に存在していることを判定する。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）