【課題】半導体チップの電気的特性を検査し、検査結果に応じて良品チップと不良品チップとに選別する検査選別装置において、半導体チップの検査効率、及び、後工程への半導体チップの供給速度の向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体チップ１０を収容する収容部１４を多数配列してなる搬送トレイ１３を載置する載置台３と、載置台上において上下動可能に設けられて、搬送トレイに収容された複数の半導体チップを同時に検査可能な複数の検査プローブ４１と、載置台上において上下動可能に設けられて、検査プローブによる電気的特性の検査結果が不良であると判定された不良品チップを、搬送トレイから複数同時に排出可能な複数の排出ノズル５１と、不良品チップの排出後に、多数の収容部のうち不良品チップが収容されていた搬送トレイの空き収容部に対して、別個の良品チップを収容する補充機構とを備えた検査選別装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチ素子を備える装置を小型化すること。
【解決手段】駆動回路１は、キャパシタＣ２１と、充電部を構成する抵抗Ｒ２１およびダイオードＤ２１と、を備える。キャパシタＣ２１は、スイッチ素子Ｑ１１のゲートと、スイッチ素子Ｑ２１のゲートと、の間に設けられ、制御部２２の端子Ｙ３には、スイッチ素子Ｑ１１のゲートが接続されるとともに、キャパシタＣ２１を介してスイッチ素子Ｑ２１のゲートが接続される。抵抗Ｒ２１およびダイオードＤ２１で構成される充電部は、スイッチ素子Ｑ２１のゲートとソースとの間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】安価に構成でき、且つ、電流の逆流を防止できる双方向コンバータを提供する。
【解決手段】双方向コンバータは、磁性部品Ｍと、第１の入出力端子Ｔ１と磁性部品の一端の間に接続された第１のスイッチ素子Ｓ１と、磁性部品の一端と基準電位の間に接続された第２のスイッチ素子Ｓ２と、磁性部品の他端と基準電位の間に接続された第３のスイッチ素子Ｓ３と、磁性部品の他端と第２の入出力端子Ｔ２の間に接続された第４のスイッチ素子Ｓ４と、スイッチング制御部２０とを備える。第１から第４のスイッチ素子はオフ時に一方向のみに電流を流す。スイッチング制御部は、第２の入出力端子から出力電圧を出力する場合、第２および第４のスイッチ素子をオフして、降圧動作時に第１のスイッチ素子のスイッチングを制御すると共に第３のスイッチ素子をオフして、昇圧動作時に第１のスイッチ素子をオンすると共に第３のスイッチ素子のスイッチングを制御する。 （もっと読む）

【課題】安価な構成により、外観検査の検査精度を向上する。
【解決手段】ウェーハ外観検査装置１は、同一の基板に複数の半導体装置が形成されているウェーハを搬送し、半導体装置を検査位置に移動させるプローバ装置１０と、検査位置の半導体装置に照明光を照射する光源部（マルチアングル照明５０）と、照明光を照射された半導体装置の画像を撮像するカメラ４０と、カメラ４０によって撮像された画像データに基づいて、半導体装置を検査する画像判定部（外観コントローラ２０）と、半導体装置のサイズに応じて半導体装置を複数の領域に分割し、分割した複数の領域に対応してカメラ４０に撮像させる検査位置に、ウェーハを順次移動させる制御部（ＰＣ３０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】素子周辺部での耐圧を高くしながら周辺領域の面積を小さくすることが可能な構造を有する半導体装置を製造可能であり、かつ、ＣＭＰ工程に起因して素子周辺部での耐圧が低下してしまうことのない半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型ドリフト層１１４と、ｎ⁻型ドリフト層１１４における活性領域Ｒ１に形成したｐ型半導体材料からなる複数の柱状埋込層１１８と、周辺耐圧領域Ｒ２に形成したリング状の第２トレンチ１２２、第２トレンチ１２２の内面に形成した絶縁膜１２４及び第２トレンチ１２２の内部に絶縁膜１２４を介して形成した導電性材料層１２６を有し、逆バイアス時には導電性材料層１２６及び柱状埋込層１１８に挟まれた部分のｎ⁻型ドリフト層１１４を空乏化させる周辺耐圧構造１２０と、周辺領域Ｒ３に形成したｐ型半導体材料からなる１又は２以上の第２柱状埋込層１３０とを備える半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】オン電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）の低電圧化と、順方向耐圧の低下抑制を図った絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基体（Ｎ−ドリフト層１１４）の他方の表面に、絶縁ゲートトランジスタのオン時に第１導電型の半導体基体中に第２導電型のキャリア（正孔）を注入して伝導度変調を起こさせるための半導体基体とドレイン電極（ドレイン電極１３０）とによるショットキー接合が形成され、ドレイン電極からソース電極（ソース電極１２８）側に離間距離Ｘだけ離間した位置に、半導体基体より不純物を高濃度に含む第１導電型の第２の不純物濃度を有するバッファ層（Ｎ＋バッファ層１３２）が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションバリアショットキー構造をもつダイオードにおいて、ショットキー接合部の逆サージ耐量を改善することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ガードリング層１５に隣接した第二半導体層１６１と、この第二半導体層１６１に隣接する第二半導体層１６２との間に跨るように、基板１１の中心領域Ａｃにおいて第三絶縁層２３が形成されている。即ち、第二半導体層１６１と第二半導体層１６２との間で、基板１１の一面（一方の主面）１１ａに露呈された第一半導体層１３を覆うように第三絶縁層２３が形成される。これによって、第三絶縁層２３は、第二半導体層１６１と第二半導体層１６２との間で基板１１の一面１１ａに露呈された第一半導体層１３と、金属層１４との間を電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを安価に選別できる半導体デバイスの検査回路、半導体デバイスの検査方法、及び、その検査方法により検査された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイスの検査回路５０は、絶縁ゲートＧと第１端子Ｓと第２端子Ｄとを有し、絶縁ゲートと第１端子との間の電圧に応じて第１端子と第２端子との間に流れる電流を制御する、半導体デバイス１００を検査する。半導体デバイスの検査回路は、半導体デバイスがオン状態になるように絶縁ゲートと第１端子と第２端子とに電圧を加えた後、第１端子と第２端子との間に電圧を加えた状態で第１端子と絶縁ゲートを短絡する制御部１０と、第１端子と第２端子との間の電圧または電流を測定する測定部２０と、第１端子と絶縁ゲートを短絡した後に測定部で測定された電圧または電流に基づいて、半導体デバイスの良否を判定する判定部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧半導体装置の大型化を招くことなく、従来の高耐圧半導体装置９００の場合よりも「気中放電による逆耐圧の低下」を抑制することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなるｎ型の半導体層１１０と、バリアメタルからなる第１電極層層１２８と、第２電極層１３０と、ｐ型のリサーフ層１１６と、ｐ^＋型のエッジターミネーション層１２０と、リサーフ層１１６の内部における、エッジターミネーション層１２０の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ＋型の第１ガードリング層１２２と、半導体層１１０の表面における、リサーフ層１１６の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ型の第２ガードリング層１１８と、半導体層１１０の表面上において第１電極層１２８を取り囲む領域に形成された絶縁層１２４とを備え、第２ガードリング層１１８が絶縁層１２４の外周近傍まで形成されている高耐圧半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】収容部において下から順番に積層されたシート状体から、吸着搬送手段により最上のシート状体の一枚だけを確実に取り出せるようにする。
【解決手段】収容部２に収容された最上のシート状体１０１Ａよりも上方に間隔をあけた位置に、吸着搬送手段３による最上のシート状体１０１Ａの上昇に伴って、最上のシート状体１０１Ａの上面１０１ｃの両端部に当接することで最上のシート状体１０１Ａの両端部が下方に向くように、最上のシート状体１０１Ａを湾曲させる一対の爪部４，４を設ける。 （もっと読む）