【課題】チッピングの発生を抑えたダイシングを可能とする半導体ウェハ処理方法を提供する。
【解決手段】次の各工程を有する半導体ウェハの処理方法。
（ａ）パターン面２側に表面保護テープ３を貼合された状態で半導体ウェハ１の裏面を研削し、研削された裏面側に裏面保護テープ４を貼合し、半導体ウェハ１のストリートに沿って裏面保護テープ４のみ切断し溝９を入れる工程、
（ｂ）溝９を入れ個片化された裏面保護テープ４側からプラズマ１０で処理し、該溝９においてむき出しにされた半導体ウェハ１をエッチングしてチップに個片化する工程、
（ｃ）支持固定用テープをリングフレームにて支持固定した状態で、個片化された裏面保護テープ側に該支持固定用テープを貼合する工程、
（ｄ）パターン面側の表面保護テープを剥離する工程、及び
（ｅ）チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。 （もっと読む）

【課題】分散性と保存安定性優れる金属等の微粒子分散液の製造方法を提供する。
【解決手段】一次粒子の平均粒径１〜１５０ｎｍの金属等の微粒子が有機溶媒に分散されている微粒子分散液の製造方法であって、金属イオンと、高分子分散剤とが溶解している水溶液中で液相還元により該金属イオンを還元して、一次粒子の平均粒径が１〜１５０ｎｍである微粒子が高分子分散剤に覆われて分散している微粒子分散水溶液を形成する工程（工程１）、前記微粒子分散水溶液中に、凝集促進剤を添加して撹拌し、該微粒子を凝集又は沈殿させた後、水溶液から該凝集又は沈殿した微粒子を分離して、金属、合金、及び金属化合物の１種又は２種以上からなる微粒子を得る工程（工程２）、該微粒子をアミド基を有する有機溶媒（Ａ）２５〜７０体積％、常圧における沸点が２０〜１００℃である低沸点の有機溶媒（Ｂ）５〜２５体積％、並びに常圧における沸点が１００℃を超え、かつ分子中に１又は２以上の水酸基を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる有機溶媒（Ｃ）５〜７０体積％含む有機溶媒等に再分散する工程（工程３）、
を含むことを特徴とする、微粒子分散液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】端子同士を簡単に嵌合できるとともに、嵌合後の端子（端子アッセンブリ）の取外し作業を容易に行うことのできる端子の取付用治具を提供する。
【解決手段】取付孔２３を有する複数の端子を互いに嵌合させて取り付けるための取付用治具１１は、ケーシング１２と、前記ケーシング１２にスライド可能に支持される軸部１３と、前記軸部１３を付勢する付勢バネ４７と、を備える。前記軸部１３は、前記端子の取付孔２３に挿通可能に構成されている。また、前記軸部１３は、前記ケーシング１２における端子２７のセット面から突出している突出位置と、この突出位置から前記ケーシング１２に押し込まれた退避位置と、の間で変位可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】スライドドアの開閉中もフラットケーブルの幅方向を略垂直方向に維持して垂れ下がりを防止することが可能なスライドドア用給電装置を提供する。
【解決手段】スライドドア用給電装置１００は、フラットケーブル１１０と、車体１２０に設けられた車体側固定部１２１及び第１のケーブル屈曲規制部１２２と、スライドドア１３０に設けられたドア側固定部１３１及び第２のケーブル屈曲規制部１３２とを備えている。フラットケーブル１１０は、車体側固定部１２１及びドア側固定部１３１でスライド方向と略平行に、かつ幅方向が略垂直方向となるように引き出されている。 （もっと読む）

【課題】組付け性に優れると共に小型化及び軽量化を達成できる電気接続箱を提供する。
【解決手段】電気部品や電子部品が実装されたＥＣＵ基板１００と、ＥＣＵ基板を収容するケース２００と、ＥＣＵ基板１００の一面に対向するように位置決めされ、ＥＣＵ基板１００に電気的に接続される接続端子３５０を保持する複数のサブハウジング３１０，３２０，３３０と、を備えた電気接続箱であって、複数のサブハウジングは互いに嵌合可能な嵌合構造を有することように構成されている。 （もっと読む）

【課題】この発明は、平角導体を貫通した貫通片を曲げることなく確実に接続できる接続端子の接続構造及び接続方法を提供することを目的とする。
【解決手段】フラットケーブル１００を貫通するピアス刃２１を複数備え、貫通する該ピアス刃２１によって前記フラットケーブル１００と電気的に接続されるピアス端子２０と、フラットケーブル１００を貫通したピアス刃２１の挿入を許容する挿入口３１を有するバックアッププレート３０とを備え、前記挿入口３１に挿入された少なくとも２つの前記ピアス刃２１の対向する箇所と前記挿入口３１とを接触させた。 （もっと読む）

【課題】チッピングの発生を抑えたダイシングを可能とする半導体ウェハ処理方法を提供する。
【解決手段】次の各工程を有する半導体ウェハの処理方法。（ａ）パターン面２側に基材フィルム５１と放射線硬化型粘着剤層５２からなる表面保護テープを貼合された状態で半導体ウェハ１の裏面を研削する工程、（ｂ）基材フィルム５１のみを剥離し粘着剤層５２をむき出しにし、むき出しされた粘着剤層５２のうち半導体ウェハ１のストリート１７以外の部分に放射線を照射する工程、（ｃ）半導体ウェハ１の裏面側に該支持固定用テープを貼合する工程、（ｄ）粘着剤層５２側からプラズマ処理し、ストリート部に相当する粘着剤層５２の放射線の照射されていない部分、及び半導体ウェハのストリート部をエッチングしてチップに個片化する工程、（ｅ）粘着剤層を剥離する工程、及び（ｆ）チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。 （もっと読む）

【課題】フィン面積は減少するが、その分、水が管軸方向へ広がり易くなり、管外周面全体を濡らすことも可能となり、結果的に、従来よりも格段に、管外熱伝達率を向上させることができる伝熱管の提供を目的とする。
【解決手段】管外周面から螺旋状に突き出したフィン１２を形成し、該フィン１２に、フィン１２の長さ方向に沿って凸部１３と凹部１４とが正逆状に繰り返し形成された伝熱管１１であって、前記凸部１３の長さ（Ｌａ）を、前記凹部１４の長さ（Ｌｂ）以下で形成し、隣り合う前記凸１３部同士の間隔を、１．０ｍｍから１０ｍｍの範囲内で形成した伝熱管１１。 （もっと読む）

【課題】チッピングの発生を抑えたダイシングを可能とする半導体ウェハ処理方法を提供する。
【解決手段】次の各工程を有する半導体ウェハの処理方法。（ａ）半導体ウェハ１のパターン面２側に表面保護テープ３を貼合した状態で裏面を研削し、研削した裏面側に基材フィルム４１と放射線硬化型粘着剤層４２から構成された裏面保護テープを貼合した後、該裏面保護テープの基材フィルム４１のみを剥離し粘着剤層４２をむき出しにし、むき出しにされた粘着剤層４２のうち半導体ウェハ１のストリート１７以外の部分に放射線を照射してエッチングマスクとするために硬化した粘着剤層４２ｂを作る工程、（ｂ）粘着剤層４２側からプラズマでエッチングして個片化する工程、（ｃ）裏面側に支持固定用テープを貼合する工程、（ｄ）パターン面側の表面保護テープを剥離する工程、（ｅ）チップをピックアップしダイボンディング工程に移す工程。 （もっと読む）

【課題】繊維補強管の内圧補強層を中間接続する場合に、所定の強度を維持しかつ柔軟性を有する繊維補強管を提供することおよび繊維補強管の内圧補強層の接続方法を提供すること。
【解決手段】補強部材１１、１２の接続部において、接続する２つの補強部材１１，１２重ね合わせる重ね合せ部１６を、少なくとも導管１０の外周を一巻きするために必要な長さ（πＤ／cosθ）以上の長さとし、接続する２つの補強部材１１と１２を接着する接着部１７の長さを、導管の外周のほぼ１／４周を巻き込む長さ（πＤ／４cosθ）以上の長さとすることにより、内圧補強層の強度を維持しつつ接着部１７の長さを短くすることを可能にした。 （もっと読む）