【課題】粒度分布の幅の狭く、平均粒径がｎｍオーダー（例えば、３００ｎｍ以下）のシリカナノ粒子を廉価かつ高収率で製造する製造方法、及びそれにより製造されるシリカナノ粒子を提供する。測定結果の再現性に優れる、極微量標的試料の高感度分析が可能な標識試薬を提供する。
【解決手段】疎水性溶媒中の界面活性剤と、塩基性電解質を含有する水と、ポリオールとからなる逆ミセル分散系に、シランカップリング剤を添加し、前記水により前記シランカップリング剤を加水分解して重合させ、シリカナノ粒子を形成する、シリカナノ粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温の鉛フリー用のリフロー炉に通しても絶縁皮膜にダメージがなく、樹脂コストが安価で高速製造が可能であり、トランス製造時のピンにはんだ付けする際、皮膜剥離が不要なはんだ付け性と優れた絶縁性を持った絶縁電線、および中間層絶縁テープやバリアテープを必要とせず、小型で高効率の信号用トランス、車載用トランスを提供する。
【解決手段】樹脂皮膜の剥離なしにはんだ付け可能な樹脂を導体にエナメル焼付けにより絶縁被覆した絶縁素線上に、絶縁樹脂層としてポリフェニレンサルファイドを少なくとも１層押出し被覆した絶縁電線、およびその絶縁電線を巻線として有する信号用トランスまたは車載用トランス。 （もっと読む）

【課題】優れたハンドリング性と機械特性を有するとともに、小さな径に曲げた場合の抗張力体の折れや端末における光ファイバ心線の突き出しを防止することが可能な光ファイバケーブルを提供する。
【解決手段】本体部７のケーブル中心が光ファイバ心線５の中心となるように光ファイバ心線５が配置さている。また、ケーブル中心線上に、光ファイバ心線５を間に置く形で２本の抗張力体３ａ、３ｂが配置されている。２本の抗張力体３ａ、３ｂの長手方向に垂直な断面形状はともに、概ね矩形の形状であり、短辺の長さＡは、光ファイバ心線５の外径以上である。また、２本の抗張力体３ａ、３ｂの材料はアラミド繊維ＦＲＰであり、前記抗張力体の断面形状の前記短辺は、０．２４５〜０．３５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】種類が異なる端子が混在した電線であっても、コストや管理の手間を掛けることなく単一のコネクタで結合可能とする。
【解決手段】受側コネクタ２を、同じサイズのオス側キャビティ１０〜１２の群ごとに分割され、挿入側コネクタ３の差込方向で見て略同一外形となるオス側ブロック７〜９とカバー４とから形成し、各オス側ブロック７〜９に突条１３及び溝１４を夫々形成する一方、挿入側コネクタ３を、同じサイズのメス側キャビティ１８〜２０の群ごとに、オス側ブロック７〜９と同じ外形で突条２１及び溝２２を有するメス側ブロック１５〜１７に分割して、カバー４に、結合させたオス側ブロック７〜９を嵌着させた状態で、オス側ブロック７〜９に対応して結合させたメス側ブロック１５〜１７を嵌合させることで、メス端子とオス端子とを同じサイズの群ごとで夫々電気的接続可能とした。 （もっと読む）

【課題】１．０μｍ波長帯における広帯域の光伝送に適する光伝送路および光伝送システムを提供すること。
【解決手段】中心に位置するコア部と、前記コア部の外周に位置し該コア部の周囲に三角格子状に配置された空孔を有するクラッド部とを備え、波長１０５０ｎｍにおいて波長分散値が負であるとともに、波長１０５０ｎｍにおける波長分散値を分散スロープ値で除算した値であるＤＰＳ値が−２００〜−５０ｎｍである負分散ホーリーファイバと、前記負分散ホーリーファイバに接続し、波長１０５０ｎｍにおいて波長分散値が正であるとともに、波長１０５０ｎｍにおけるＤＰＳ値が−８００〜−５０ｎｍである分散補償光ファイバと、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁バスバーとダクト側板の間に隙間が発生し難い絶縁バスダクトを提供する。
【解決手段】帯板状の絶縁バスバー１を複数枚積層し、積層方向の両側にダクト側板４を当接させ、この２枚のダクト側板４を、幅方向の両側で締め付け部材５により長手方向に所定の間隔をあけて締め付けてなる絶縁バスダクトにおいて、ダクト側板４の絶縁バスバー１に当接する平板部分に、当該ダクト側板の外面側に膨出する幅方向に長いビード６を、長手方向に所定の間隔をあけて、複数本形成する。ダクト側板４の剛性が高まり、ダクト側板４が外側へ膨らみ難くなるので、各部材の寸法公差にかかわらず、絶縁バスバー１とダクト側板４を平面で密接させることができる。したがって絶縁バスバーで発生した熱を確実にダクト側板に伝達して良好な放熱状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】常用アンテナと非常用アンテナとの間で、広帯域にチャンネル合成された電波を瞬断無く切替え可能な無停波型アンテナ切替装置を提供する。
【解決手段】無停波型アンテナ切替装置１はサーキュレータ１０とバンドパスフィルタ１１を備える。バンドパスフィルタ１１は電波の使用帯域を通過帯域とする第１位置と、使用帯域を反射帯域とする第２位置との間で切り替え可能である。バンドパスフィルタ１１を第１位置に切り替えると、サーキュレータ１０の第１ポートｐ１に入射されて第２ポートｐ２から出射する電波は、バンドパスフィルタ１１を通過して常用アンテナに給電される。バンドパスフィルタ１１を第２位置に切り替えると、第２ポートｐ２から出射する電波は、バンドパスフィルタ１１で反射されて第２ポートｐ２に再入射する。第２ポートｐ２に再入射した電波は、第３ポートｐ３から出射し、切替スイッチを介して非常用アンテナに給電される。 （もっと読む）

【課題】コストアップや部品管理の手間を軽減し、コルゲートチューブの保持姿勢や外径等の相違に応じて適切なサポートを可能とする。
【解決手段】コルゲートクランプ用サポート体１０を、コルゲートクランプ１と別体にして、コルゲートクランプ１に装着可能な連結部１１と、その連結部１１に連設され、コルゲートクランプ１にクランプされたコルゲートチューブを所定姿勢で保持するサポート部１２とから形成した。 （もっと読む）

【課題】チッピングの発生を抑えたダイシングを可能とする半導体ウェハ処理方法を提供する。
【解決手段】次の各工程を有することを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
（ａ）パターン面２側に表面保護テープ３を貼合された状態で半導体ウェハ１の裏面を研削する工程、
（ｂ）半導体ウェハ１のストリートに沿って該表面保護テープ３のみを切断し溝９を入れる工程
（ｃ）（ｂ）工程の前、又は（ｂ）工程の後に、支持固定用テープ１３をリングフレームにて支持固定した状態で、半導体ウェハ１の裏面側に支持固定用テープ１３を貼合する工程、
（ｄ）溝９を入れ個片化された表面保護テープ３側からプラズマ１０で処理し、該溝９においてむき出しにされた半導体ウェハ１をエッチングしてチップに個片化する工程、
（ｅ）パターン面側の個片化された表面保護テープ３を剥離する工程、及び
（ｆ）チップをピックアップし、ダイボンディング工程に移す工程。 （もっと読む）

【課題】この発明は、異なる曲率で構成されたコーナー部であっても確実にカバーできるコーナー配管用断熱カバー及び冷媒用配管の施工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】冷媒用複合配管１００のコーナー部１００ａを被覆するためのコーナー配管用断熱カバー１であって、該コーナー配管用断熱カバー１を、外形が略Ｌ字型で両端が開口した中空の保護ケース１０と、該保護ケース１０の内部に設けられ、前記冷媒用複合配管１００の屈曲管３１を囲繞して断熱する断熱層部２０とで構成し、断熱層部２０の内部に、屈曲管３１を収容可能な収容空間２２を設け、収容空間２２を形成する断熱層部２０の内面における曲率半径を、径外側より径内側を大きく形成し、保護ケース１０を断面略Ｃ字型に構成し、該略Ｃ字型断面の端面１０ｂを屈曲内側に配置し、端面１０ｂを結合する凸状鉤部１２及びジッパー１３を備えた。 （もっと読む）