【目的】 パルス幅が一定でない入力クロックがいかなる時刻に変化した場合にもハイレベルおよびローレベルのパルス幅がともに一定時間以上である安定したクロックを出力するクロック整形回路を得る。
【構成】 第１の出力クロック遅延手段７の出力ｇと出力クロックｆを第１の出力クロック遅延手段７の遅延時間より適当に短い時間だけ遅延させる第２の出力クロック遅延手段の出力ｈとを合成する遅延クロック合成手段９の出力ｉは、フリップフロップ６のクロック入力である第１の出力クロック遅延手段の出力ｇが立上る直前に検出される立上り検出手段２からの立上り検出パルスｂを、立上り検出パルス禁止手段４で禁止し、フリップフロップ６のセット入力とクロック入力が同時に変化することを抑止する。 （もっと読む）

【目的】 この発明は、イオン電流検出値のＳＮ比劣化及び出力低下を防止して信頼性を向上させた内燃機関制御装置を得る。
【構成】 内燃機関を回転駆動するための複数の気筒と、気筒を複数の気筒群に分割配置するための複数のバンクと、各気筒のイオン電流ｉを検出するイオン電流検出手段２０Ａと、イオン電流検出値Ｉに基づいて内燃機関の燃焼状態を判定する判定部３２Ａとを備え、イオン電流検出手段の検出モジュールＭが各バンク毎に対応して複数個配置され、各点火ユニットＵと検出モジュールとの距離を短くして各グランド端子Ｇ１及びＧ２間の距離並びに出力端子２６から検出モジュールまでの距離を短く設定する。 （もっと読む）

【目的】 電気部品の発熱を熱伝導部材などを用いて実装基板を介さずに基板フレームに伝導させることを目的とする。
【構成】 角穴１１付きの実装基板１０を構成する。実装基板１０に基板フレーム１５を取り付ける。基板フレーム１５を支持面とし、実装基板１０の両面を覆う電磁シールド用平板１８を構成する。電気部品１の発熱を直接に電磁シールド用平板１８に伝導する熱伝導部材７を実装基板１０の角穴１１に通して、電気部品１と電磁シールド用平板１８に結合する。
【効果】 電気部品の発熱を直接、基板フレームに伝導させるようにしたことで、電気部品及び実装基板の温度上昇を抑えることができる。 （もっと読む）

【目的】 リモート・パケット多重化装置を介してパケット交換機に収容されている端末の加入者情報を網管理装置から変更でき、さらにこれら装置に格納されている加入者情報の不整合による通信不能を回避可能なパケット交換網における加入者情報管理方法を提供する。
【構成】 リモート・パケット多重化装置２を介して収容する端末の加入者情報をパケット交換機１Ａに格納しておき、加入者情報変更指示に応じて網管理装置６より変更差分情報を送出し、パケット交換機１Ａの加入者情報を一部変更し、さらにリモート・パケット多重化装置２の加入者情報も変更する。 （もっと読む）

【目的】 高分解能レーダ装置において、画像のぼけやにじみを除去するレーダ信号処理装置を得る。
【構成】 区分周波数分析回路９で得られた周波数と振幅の波形を補間回路１４で周波数方向に補間し、積分回路１５へ出力する。積分回路１５は補間された波形を積分して面積を算出し、面積中心検出回路１６によりその面積が半分になる時の周波数を基準点周波数として検出するように構成することにより、安定して基準点周波数を検出することができ、画像のぼけやにじみを除去することができる。 （もっと読む）

【目的】 放熱プレートを有する高出力トランジスタの放熱を効率よく行う。
【構成】 中空加工したＡｌヒートシンク７中に冷却液８を循環させ、はんだ材５まで達した熱エネルギーを吸収することで強制的に冷却する。
【効果】 はんだ材に印加される熱的ストレスを緩和することで、はんだ材の熱疲労寿命を長くすることができる。 （もっと読む）

【目的】 電極および薄膜をＩＣＢ法（イオンクラスタビーム法）を利用して形成する場合に蒸発源としてのるつぼの数を減らすことができる薄膜装置を提供する。誘電体薄膜の誘電率の低下を招くことなく電極を形成できる薄膜装置の形成方法を提供する。
【構成】 ４はシリコンウェハからなる基板であり、４１は基板４上に形成された白金よりなる下部電極、５はＰＺＴの強誘電体薄膜、５１はＴｉ／ＴｉＮ層で形成される上部電極である。薄膜５及び上部電極５１は同一真空槽内でＩＣＢ法でもって形成する。上部電極５１の構成材料がＴｉ及びＴｉＮであり、ＴｉはＰＺＴの構成材料の１つであるので、電極５１及び薄膜５をＩＣＢ法を利用して形成する場合に蒸発源としてのるつぼを兼用し得る。薄膜５に続いて電極５１を同一真空槽内で形成でき、薄膜５の表面が大気に触れることによる酸化を防止でき、誘電率の低下を防止し得る。 （もっと読む）