【課題】支持基板に設けられた端子電極層の剥離やひび割れ等の損傷を確実に防止する。
【解決手段】支持基板９の一方の主面に設けられた端子電極層３の周部３１がその一部を除きレジスト層２により連続的に覆われており、端子電極層３と支持基板９との接合が補強され、端子電極層３が支持基板９から剥離することが防止される。また、支持基板９、端子電極層３およびレジスト層２のそれぞれの熱膨張係数が大きく異なるときに、例えばリフローの際に支持基板９、端子電極層３およびレジスト層２が加熱されて膨張することにより応力が生じても、生じた応力は、端子電極層周部３１のレジスト層２により被覆されない部分から逃げるため、端子電極層３が支持基板９から剥離したり、ひび割れたりするのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】非可逆回路素子の部品を小型化することができるとともに、挿入損失を小さくすることにより非可逆回路素子の消費電力を低減し、さらに高温での挿入損失も小さくすることが可能な高周波用磁性体材料と、それを用いた非可逆回路素子用部品および非可逆回路素子を提供する。
【解決手段】高周波用磁性体材料は、組成式（Ｙ_{ｚ−ｘ−ｙ}Ｇｄ_ｙＣａ_ｘ）（Ｆｅ_{８−ｚ−ａ−ｂ−ｃ}Ｓｎ_ａＡｌ_ｂＶ_ｃ）Ｏ_{１２−ｄ／２}で表わされるガーネット型フェライトを主成分とし、上記のｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、モル比を示し、０．６≦ｙ≦０．８、３．０１≦ｚ≦３．０７、０．２６≦ａ≦０．３６、０．２７≦ｂ≦０．３５、０．５９≦ｃ≦０．７４、０．０１≦ｄ≦０．０８（ただし、ｄ＝ｘ−ａ−２ｃ）を満たす。 （もっと読む）

【課題】増幅度を高めるためにバイアス電圧を高めたとしても半導体において生じた熱を速やかに放散することができ、従って半導体による増幅作用を安定にかつ確実に利用することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板２と、前記圧電基板２の上に形成されている誘電体層１４と、前記圧電基板２と前記誘電体層１４との間の境界に形成されているＩＤＴ電極３，４と、前記誘電体層１４に接するように設けられた半導体層９とを備え、前記圧電基板２と前記誘電体層１４との間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置であって、前記半導体層９は、前記弾性境界波によって発生する電界と、前記半導体層９中のキャリアとが結合するように設けられており、前記半導体層中のキャリアの移動速度が、前記弾性境界波の伝搬速度よりも高い、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】導電層の信頼性を高めることが可能な樹脂基板およびその製造方法、ならびに導電性ペーストを提供する。
【解決手段】樹脂基板は、ビアホール導体用孔が形成された複数の樹脂層１Ａ〜１Ｄと、複数の樹脂層１Ａ〜１Ｄ上に形成された導電層２Ａ〜２Ｄと、複数の樹脂層１Ａ〜１Ｄ上に形成された導電層２Ａ〜２Ｄ間の電気的導通を得るためのビアホール導体部３Ａ〜３Ｄとを備える。ビアホール導体部３Ａ〜３Ｄは、真空化で固化し得る第１溶剤と、加熱により気化し得る第２溶剤とを含む混合溶剤中に金属粉末を分散してなる導電性ペーストをビアホール導体用孔に充填し、該ビアホール導体用孔に充填された導電性ペーストを真空下で加熱することにより固化させたものである。 （もっと読む）

【課題】工程を簡素化することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２の一方主面１２ｂに樹脂層１４が形成され、他方主面１２ａ側から分割溝１３が形成された集合基板１０を準備する。集合基板１０の基板１２側かつ分割溝１３ｘの両側に第１の治具３２，３４を配置するとともに、集合基板１０の樹脂層１４側に分割溝１３ｘに対向するように第２の治具３０を配置した後、第１の治具３２，３４と第２の治具３０とを相対的に移動させて、第１の治具３２，３４により基板１２の分割溝１３ｘの両側を樹脂層１４側に押圧し、第２の治具３０により樹脂層１４を分割溝１３ｘに沿って基板１２側に押圧することにより基板１２及び樹脂層１４を折り曲げ、分割溝１３ｘに沿って基板１２から樹脂層１４に亀裂１６を進展させて基板１２及び樹脂層１４を分割することにより、電子部品の個片を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ダブラ型のチャージポンプを用いた昇圧回路において、電源電圧を超える入力電圧に対して、電源電圧以下の制御電圧で昇圧動作させることが可能な昇圧回路を提供する。
【解決手段】 昇圧回路１は、オンしたときに昇圧用コンデンサＣ２が入力電圧Ｖｉｎまで充電されるＮＭＯＳトランジスタＭＣと、該ＮＭＯＳトランジスタＭＣと相反動作するようにスイッチング制御され、オンしたときに、昇圧用コンデンサＣ２に充電された電圧が入力電圧と重畳されて出力端子９へ出力されるＰＭＯＳトランジスタＭＤと、該ＰＭＯＳトランジスタＭＤのソース端子とゲート端子との間に接続され、制御用コンデンサＣ３を介して入力される第２制御信号ｃｌｋ２に応じて、ソース端子の端子電圧を基準として、ソース端子とゲート端子との間に、閾値電圧を超える電圧を生成する３つのダイオード接続されたＮＭＯＳトランジスタＤ１，Ｄ２，Ｄ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】基材の材料による絶縁特性の悪化がなく、剥離のおそれもない回路基板を提供する。
【解決手段】回路基板１０１は、第１の絶縁基材１１と第１の回路パターン１２とを含む第１のリジッド部１と、第２の絶縁基材２１と第２の回路パターン２２とを含む第２のリジッド部２と、第１のリジッド部１と第２のリジッド部２とを基材なしに連結するフレキシブルな金属薄板部３とを備える。金属薄板部３は、第１および第２の回路パターン１２，２２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】非可逆回路素子の部品を小型化することができるとともに、非可逆回路素子の消費電力を低減することが可能な高周波用磁性体材料と、それを用いた非可逆回路素子用部品および非可逆回路素子を提供する。
【解決手段】高周波用磁性体材料は、組成式（Ｙ_ｚ−ｘＣａ_ｘ）（Ｆｅ_{８−ｚ−ａ−ｂ−ｃ}Ｓｎ_ａＡｌ_ｂＶ_ｃ）Ｏ_{１２−ｄ／２}で表わされるガーネット型フェライトを主成分とし、上記のｘ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、モル比を示し、３．０１≦ｚ≦３．０７、０．２０≦ａ≦０．３０、０．２７≦ｂ≦０．３５、０．５５≦ｃ≦０．７０、０．０１≦ｄ≦０．０８（ただし、ｄ＝ｘ−ａ−２ｃ）を満たす。 （もっと読む）

【課題】ケースが可撓性を有する材料からなる蓄電デバイスの製造方法において、セパレータを介在して正極と負極とが積層または巻回されることにより形成された電極構造体の間隙に電解液を含浸させる時間を短くすることが可能な方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する外包材２０を用いて電池要素としての電極構造体１０を収容するラミネート型リチウムイオン二次電池１の製造方法において、外包材２０で囲まれた内側空間に電極構造体１０を収容し、電極構造体１０が外包材２０で押圧されるように電極構造体１０と外包材２０が固定された状態で外包材２０の内側空間と外側空間の圧力を大気圧から真空状態になるように減少させ、その状態で外包材２０の内側空間に外包材２０の開口を通じて電解液５０を注入した後、外包材２０の外側空間の圧力を真空状態から大気圧になるように増加させて、電極構造体１０の間隙に電解液５０を含浸させる。 （もっと読む）

【課題】小型化・薄型化に対応しながらフレキシブル基材を折り曲げた状態を維持可能なフレキシブル配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブル配線基板の製造方法は、その表面または内部に配線パターン２０を有するフレキシブル基材１０を形成する工程と、配線パターン２０が形成されたフレキシブル基材１０を所望の形状に曲げる工程と、所望の形状に曲げられたフレキシブル基材１０上に配線パターン２０よりも幅の広いまたは厚みが大きい、形状保持用の電極パターン３０を形成する工程とを備える。 （もっと読む）