説明

レーザーテック株式会社により出願された特許

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【課題】検査対象からの反射光角度の変化に基づいて基板の欠陥を精度よく検査することができる検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置は、赤外光を出射する光源11と、光源11から出射される赤外光を平行光としてウエハ30に略垂直に入射させ、当該ウエハ30からの反射光を導く光学系と、光学系により導かれる反射光のうち、正反射光以外の光を検出するIRカメラ19、20とを備え、光源11からの赤外光を導光する光ファイバ13の出射端面面は、光学系の瞳位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】試料を詳細かつ適切に評価することができる形状測定装置、及び形状測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる形状測定装置は、観察窓51と、基板54とを有する試料保持ユニット11と、観察窓51又は基板54を介して、試料53を加圧するシリンダ56、57と、試料51の形状を測定するため試料51を照明するとともに、照明光の焦点位置を光軸方向に走査可能な共焦点光学系30と、共焦点光学系30を介して、試料保持ユニット11に保持された試料からの反射光を検出するラインセンサ15〜17と、焦点位置を光軸方向に走査した時での検出結果によって、形状を測定する処理部18と、を備え、観察窓51の表面51aに焦点位置を合わせて、観察窓51の表面形状を測定するものである。 (もっと読む)


【課題】試料表面の変位量が大きくても、フェーズラッピングの問題が生ずることなく、試料の微細な表面形状を高分解能で測定できる形状測定装置を実現する。
【解決手段】白色光源から出射した照明光は、入射光をシャーリングする第1の光路と入射光に対して可変光路長ないし可変位相量を導入してフリンジスキャンを行う第2の光路とを有する干渉光学系及び対物レンズを経て試料に入射する。試料上には、シャーリングされた参照ビームにより形成される第1の照明領域とフリンジスキャンされた測定ビームにより形成される第2の照明領域が形成される。第1及び第2の照明領域から出射した反射光は、対物レンズ及び干渉光学系を介して2次元撮像装置に入射し、2つの照明領域の画像が合成された干渉画像が形成される。フリンジスキャンにより、2つの画像を構成する反射光間に白色干渉が発生し、干渉信号を検出することで、試料の形状又は孔の深さが測定される。 (もっと読む)


【課題】簡便な構成の直線駆動装置、可変シャッター装置及びそれを用いた欠陥修正装置、並びに欠陥修正方法、及びパターン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シャッター板120の移動に応じて移動するよう位置検出用透光部122と、複数のシャッター板120に設けられ、シャッター板120の移動方向に所定の長さを有する透光部123と、透光部123及び位置検出用透光部122に光を出射する光源と、光源からの光を位置検出用透光部122及び透光部123を介して検出する光検出器166とを備え、光検出器166での検出結果に基づいて、シャッター板120を移動させる直線駆動装置、それを備えた可変シャッター装置及びそれを用いた欠陥修正装置、並びに欠陥修正方法。 (もっと読む)


【課題】回折光や散乱光等の外乱による影響を受けにくく、パターンの微細化に十分対応できる基板検査装置及びマスク検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による基板検査装置は、検査データの取得と対物レンズ(8)の焦点データ信号の取得を並行して行う。検査中に対物レンズの光軸方向の位置を制御するオートフォーカス装置は、焦点誤差信号を出力する焦点誤差検出手段(40)と、対物レンズ位置信号又は焦点誤差信号が加算された対物レンズ位置信号により構成される焦点データ信号を用いて対物レンズの光軸方向の位置を制御する焦点制御信号を走査ラインごとに生成する焦点制御信号生成手段(60)とを有する。iを正の整数とした場合に、i番目の走査ラインの走査により取得した焦点データ信号を用いて生成された焦点制御信号は、(i+2m)番目の走査ラインを走査するときの焦点制御信号として用いられる。 (もっと読む)


【課題】太陽電池モジュールのセルに対して、簡便に反りを測定することができる反り測定装置、及び反り測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる反り測定装置は、セル21と基板22との間に充填材24が配置された構成を有する太陽電池モジュール20のセル21の反りを測定する反り測定装置であって、基板22との間にエアギャップを形成するため、基板22の表面にエアを噴出する測定ヘッド31と、測定ヘッド31に設けられたコイル41と、コイル41に接続された発振器50と、発振器50中の少なくとも一部の素子を所定の温度に保つ恒温槽16と、を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】EUV光源を用いたEUVマスク検査装置において、EUV光の利用効率を高めること。
【解決手段】本発明のEUVマスク検査装置は、光源ガスを用いてEUV光を発生するEUV光発生手段と、EUV光発生手段に光源ガスを供給する光源ガス供給手段と、を備える光源チャンバーと、EUV光発生手段で発生したEUV光を選択的に透過させるフィルタと、第1排気手段と、を備える補助チャンバーと、フィルタを透過したEUV光を検査対象に導く検査光学系と、第2排気手段と、を備える検査光学系チャンバーと、を具備する。ここで、本発明のEUVマスク検査装置は、光源チャンバーと補助チャンバーと検査光学系チャンバーは空間的に接続されており、第1排気手段及び第2排気手段により補助チャンバーと検査光学系チャンバーとの間で差動排気を行う。 (もっと読む)


【課題】マスク基板に形成された光学歪みによる不具合が解消され、欠陥検出の感度を高くできる検査装置を提供する。
【解決手段】光源装置1から出射した照明光をフォトマスク8に向けて透過検査用として投射する第1の照明光学系(4〜7)と、前記フォトマスク支持すると共に第1の方向及び第1の方向と直交する第2の方向に移動可能なステージ9と、フォトマスクを透過した透過光を対物レンズ11及び偏光分離手段13を介して受光する光検出手段(17,18)と、光検出手段から出力される輝度信号を受け取り、フォトマスクに存在する欠陥を検出する信号処理装置19とを具える。信号処理装置は、マスクパターンが形成される前のマスク基板の透過光の輝度分布データを記憶したメモリと、前記輝度分布データに基づいて前記光検出手段から出力される輝度信号又は光源装置から放出される照明光の強度を補正する補正手段を有する。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ(23)により受光され、その出力信号は信号処理装置(11)に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する2次元画像生成手段(32)を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段(34)に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段(36)に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第1の分類手段(50)と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第2の分類手段(51)とを有する。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ(23)により受光され、その出力信号は信号処理装置(11)に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する2次元画像生成手段(32)を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段(34)に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段(36)に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第1の分類手段(50)と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第2の分類手段(51)とを有する。 (もっと読む)


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