【課題】様々な観点から評価を行うことができる、太陽電池評価装置、評価方法及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる太陽電池評価装置は、複数のセル２１が直列接続されている太陽電池２０を評価する太陽電池評価装置であって、太陽電池２０の複数のセル２１に光を照射する光源１１と、複数のセル２１のうちの一部のセル２１に対して光源１１から照射される光の光量を変化させるフィルタ１２と、フィルタ１２で光量を変化させた状態と変化させていない状態のそれぞれにおいて、太陽電池２０から出力される出力電流を検出する検出器１４と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】補正パターンを有するフォトマスクの欠陥検査において、補正パターンに由来する欠陥を除外すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置１０は、結像面に転写される主パターンと、主パターンに対して光学近接効果補正を行う補正パターンとを有するフォトマスクを検査する。検査装置１０は、照明光源１１１と、照明光源１１１からの光を集光して前記フォトマスクに照射する光学系と、フォトマスク２０の透過像を取得する検出器１４２と、検出器１４２により得られた透過像と補正パターンのみに対応する検索画像とを用いて補正パターンに対応する除外領域を決定し、当該除外領域を欠陥検出から除外するためのフィルタを生成する処理部３０と、フィルタを用い、除外領域を除外して欠陥検査を行う欠陥判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】大型の欠陥について最適な順序で効率よく研磨処理できる欠陥修正装置を実現する。
【解決手段】本発明による欠陥修正装置は、研磨テープ走行装置を含む研磨ヘッド（４０）、共焦点撮像装置を有する光学ヘッド（４７）、及び、ワーク表面に対するＺ軸方向の位置を検出する位置センサ（３４）が搭載された修正ヘッドを用いる。研磨ヘッドによる研磨処理を制御する制御装置（５０）は、前記共焦点撮像装置から出力される画像信号と前記位置センサから出力されるＺ軸方向の位置情報とを用いてワーク表面の２次元高さマップを形成する手段（５４）と、形成された２次元高さマップに基づいて、ワーク表面の研磨されるべき部位のアドレス及び研磨の順序を規定したスケジュールを作成するスケジューリング手段（５５）とを有する。研磨処理は、作成されたスケジュールに基づいて自動的に実行される。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥等のステップバンチング以外の欠陥とステップバンチングとを個別に検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】ステップバンチング以外の欠陥を検出する第１検査モードとステップバンチングを検出する第２の検査モードを有する。第１の検査モードでは、微分干渉光学系のシャーリング方向を調整し又は基板を支持するステージの回転角度を調整することにより、微分干渉光学系のシャーリング方向をステップバンチングの延在方向と平行に設定する。これにより、ステップバンチング以外の欠陥が検出される。また、第２の検査モードでは、微分干渉光学系のシャーリング方向をステップバンチングの延在方向と平行から外れた状態に設定する。この状態において走査を行い、微分干渉画像を撮像する。そして、画像処理工程において、ステップバンチングの延在方向と直交する方向の輝度変化を強調する画像処理を実行し、ステップバンチングを検出する。 （もっと読む）

【課題】効率よくＤＵＶ光を発生させる光源装置、検査装置、及びコヒーレント光発生方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光源装置は、波長１０６０〜１０８０ｎｍ光を発生させる第１のレーザ光源１１と、波長１７５０〜２１００ｎｍ光を発生させる第２のレーザ光源１６と、波長１０８０〜１１２０ｎｍ光を発生させる第３のレーザ光源１７と、第４次高調波発生により波長２６５〜２７０ｎｍの第１のＤＵＶ光を発生させる第２高調波発生器１２，１３と、第１のＤＵＶ光と第２のレーザ光源の出力光との和周波混合により波長２３２〜２３７ｎｍの第２のＤＵＶ光を発生させる第１の和周波発生器１４と、第２のＤＵＶ光と第３のレーザ光源の出力光との和周波混合により波長１９２．５〜１９４．５ｎｍの第３のＤＵＶ光を発生させる第３の波長変換手段とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を高精度に検出でき、他の欠陥から区別できる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用いて、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する。共焦点微分干渉画像は、試料表面の数ｎｍ程度の凹凸変化を輝度分布として表すので、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面に出現した結晶欠陥を、輝度分布に基づいて検出することができる。欠陥の種類に応じて、輝度分布が相違するので、欠陥画像の形状及び輝度分布の観点より欠陥を分類する。特に、本発明による分類方法を用いることにより、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別することが可能である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の種別によらず、確実に欠陥を検出する欠陥検査装置、欠陥検査方法、及びパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる欠陥検査装置は、同一形状のパターンが繰り返し設けられている試料３を検査する欠陥検査装置であって、試料３からの光を受光する光検出器５と、光検出器５の受光量に応じた受光量データを、上限値と下限値で規定される範囲内に含まれているか否かによって２値化処理を行って、２値化画像を生成する２値化処理部１２と、同一形状のパターンでの２値化画像の差分を算出して、差分画像を生成する差分処理部１５と、差分画像に基づいて、欠陥についての判定を行う欠陥判定部１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ペリクルを損傷させることなく、異物を除去することができる異物除去装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る異物除去装置１０は、ペリクルフレーム２３を介してペリクル２２が装着されたマスク２０のペリクル２２上の異物を除去する異物除去装置であって、ペリクル２２側から超音波を照射して、ペリクル２２の近傍を腹とする定在波を発生させる超音波発生手段１１を備える。また、ペリクル２２と異物２５との間の静電気を除去するイオナイザ１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】高感度で検査を行うことができる検査装置、検査方法、及びパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかるペリクル装着装置は、マスク４０に仮貼りされたペリクルフレーム４１に対応する圧着位置まで移動可能に設けられた圧着ヘッド２０と、圧着ヘッド２０が圧着位置に移動した状態で、ペリクルフレーム４１と反対側の面のマスク端に配置される押圧ブロック２４と、圧着ヘッド２０が圧着位置に移動した状態で、ペリクルフレーム４１と対向する押圧ロッド２６と、ペリクルフレーム４１をマスク４０に対して圧着するよう、マスク４０のパターン面と垂直な方向における押圧ロッドと押圧ブロック２４との距離を近づける吸着パッド２９と、を備えるものである。 （もっと読む）