【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】レビュー機能を簡単に実現することができる検査装置、及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、ＥＵＶマスクに用いられる検査対象を検査する検査装置であって、凸面鏡１５ｂと凹面鏡１５ａの２枚のミラーを有するシュバルツシルト拡大光学系１５と、検査対象の拡大投影像を撮像するＴＤＩカメラ１９と、を備え、シュバルツシルト拡大光学系１５による検査対象の拡大像が、単一の凹面鏡１８によって、ＴＤＩカメラ１９上に拡大投影されているものである。 （もっと読む）

【課題】簡便にＥＵＶマスクの汚染を防止することができる汚染防止装置、汚染防止方法、並びにそれを用いた露光装置、パターン付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる汚染防止装置は、波長１６６ｎｍ以下の真空紫外光を発生する光源と、光源からの真空紫外光のビームをＥＵＶ露光装置１０１内に収容されたＥＵＶマスク１０８に対して照射させる光学系（ミラー１０４ａ、１０４ｂ等）と、を備えるものである。光源としては、フッ素分子レーザを出射するレーザ発振器１１０や、アルゴンダイマー、クリプトンダイマー、あるいはフッ素分子からの自然放出増幅光を出射するＶＵＶ−ＡＳＥ発生装置２１０を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電池用電極材に対して、簡便に評価を行うことができる厚さ測定装置、及び厚さ測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる厚さ測定装置は、集電体２１上に活物質２３を含む活物質層２２が設けられた電池用電極材の厚さ測定装置であって、前記電池用電極材との間にエアギャップを形成するため前記電池用電極材の表面にエアを噴出する測定ヘッド３１と、測定ヘッド３１に設けられたコイル４１と、コイル４１に接続された発振器５０と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いた、高感度な検査を行うことができるＥＵＶマスク検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光源１０１、照明光学系、シュバルツシルト光学系１０８及びＴＤＩセンサー１０９を有する。照明光学系は、シュバルツシルト光学系１０８を含む検査光学系内に配置された多層膜凹面鏡１０２を有する。多層膜凹面鏡１０２は、ＥＵＶ光源１０１からのＥＵＶ光ＥＵＶ１１をＥＵＶマスク１１０へ向けて反射する。シュバルツシルト光学系１０８は、正反射光Ｓ１を集光する。ＴＤＩセンサー１０９は、シュバルツシルト光学系１０８が集光した正反射光Ｓ１を検出することにより、ＥＵＶマスク１１０の明視野像を取得する。多層膜凹面鏡１０２は、シュバルツシルト光学系１０８への正反射光Ｓ１の入射を遮らない位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いた、高感度な検査を行うことができるＥＵＶマスク検査装置を提供すること。
【解決手段】ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスク検査装置１００は、ＥＵＶ光源１０１、照明光学系、シュバルツシルト光学系１０８及びＴＤＩカメラ１０９を有する。照明光学系はＥＵＶ光源１０１からのＥＵＶ光ＥＵＶ１１によりＥＵＶマスクブランクス１１０を照明する。シュバルツシルト光学系１０８はＥＵＶ光ＥＵＶ１１がＥＵＶマスクブランクス１１０上の欠陥に照射されることにより生じる散乱光Ｓ１及びＳ２を集光する。ＴＤＩカメラ１０９は集光された散乱光Ｓ１及びＳ２を検出して、ＥＵＶマスクブランクス１１０上の欠陥の暗視野像を取得する。なお、ＥＵＶ光ＥＵＶ１１は１０．５ｎｍ以上１３．１ｎｍ以下の波長範囲のＥＵＶ光を含む。ＥＵＶ光ＥＵＶ１１のＥＵＶマスクブランクス１１０に対する入射角は１５．２°以上３９．３°以下である。 （もっと読む）

【課題】簡便に焦点位置を調整することができる共焦点顕微鏡、及び焦点位置調整方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる共焦点顕微鏡は、光源１１と、光源１１からの光を試料に集光する対物レンズを有する共焦点光学系３０と、共焦点光学系３０を介して検出する光検出器２０と、対物レンズ１６の瞳の位置の近傍、又は瞳と共役な位置の近傍に挿脱可能に配置され、光源１１から試料１７に向かう光を拡散する拡散板１２と、拡散板１２が光路中に挿入された状態で、対物レンズ１６の焦点位置と試料１７との相対位置を光軸方向に変化させる焦点位置変化手段と、と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池の導電層の導電率分布をポリエチレン等の保護シートが貼り合わされた状態で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、検査されるべきシート材料（１）をはさんで互いに対向する第１及び第２の平板電極（２ａ，２ｂ）と、第１の平板電極と第２の平板電極との間に接続され、リアクタンス素子とキャパシタ素子とを有する発振回路（４）と、発振回路に接続され、当該発振回路の発振周波数を検出する手段（５）と、シート材料と第１及び第２の平板電極とを２次元的に相対移動させる走査手段とを備える。本発明では、シート材料の導電性シートの導電率の変化を発振周波数の変化として検出する。 （もっと読む）

【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が１ｎｍ又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源１からの照明ビームを被検査基板２１に向けて投射する対物レンズ２０と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第１及び第２のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系１６と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段２８と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、ｍを零又は正の整数とした場合に、第１と第２のサブビームとの間に（２ｍ＋１）π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 （もっと読む）

【課題】自然放出増幅光を発生させる光源装置及び高速成膜が可能な光ＣＶＤを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる光源装置は、ガスチャンバ１０２及びウインド１０７を有する。筒状のガスチャンバ１０２は、シランガスが充填され、内部でシランガスを放電させる。ウインド１０７は、ガスチャンバ１０２の一端に設けられる。ウインド１０７は、放電によりガスチャンバ１０２の長手方向に発生する自然放出増幅光（ＡＳＥ）を、ガスチャンバ１０２の外部に透過させる。 （もっと読む）