【課題】 ＳｉＣ基材上に高配向のカーボンナノチューブが密に形成された領域を有する複合材料であって、良好な耐摩耗性および／または衝撃吸収特性を示すＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料を提供する。
【解決手段】 本発明によると、ＳｉＣ基材上に該基材表面から立ち上がる多数のカーボンナノチューブを有するＣＮＴ領域が形成されているＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料であって、該ＣＮＴ領域には前記カーボンナノチューブが高配向かつ高密度に形成されており、前記ＣＮＴ領域に付与される機械的エネルギー量の変化によって該領域の摩擦係数を異ならせることができる、ＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料が提供される。例えば、１０ｎＮ〜１００ｎＮの範囲の垂直応力に対して摩擦係数が三段階に変化する複合材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】 石炭灰の粒子を微粒化することによって焼結体の材料をはじめとした石炭灰の有効利用を促進する技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 石炭灰に重量比で炭素源／石炭灰が０．１以上３．０以下となるように炭素源を混合する混合工程と、前記混合工程で得られた混合物を窒素が存在する雰囲気下で５００℃以上１７００℃以下の温度で加熱する加熱工程と、を有することを特徴とする石炭灰の改質化方法。 （もっと読む）

【課題】多孔質の電極層を備える固体酸化物形燃料電池において、発電特性を向上させることができる新たな多孔質電極構造を提供する。
【解決手段】固体酸化物形燃料電池２において、固体電解質層６と、多孔質電極層１０、１６と、多孔質電極層１０、１６においてその構成材料により区画された１又は複数のキャビティ２０と、を備えるようにする。このようなキャビティ２０を備える多孔質構造を備えることにより発電特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 配向性ゼオライト結晶を製造する製造液、及び配向性ゼオライト結晶の製造方法、並びに単層の配向性ゼオライト結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 本液は、水とＳｉＯ_２成分を含むゼオライト原料と構造規定成分とを含有し、ＳｉＯ_２成分が水に対して０．５〜５．５質量部である加熱保持前水溶液を１１０〜１９０℃の温度で１５〜１５０時間加熱保持して得られる。本方法は、この液を温度１１０〜２２０℃に保持し、配向性ゼオライト結晶製造液内に、基体を浸漬する工程を備える。更に、本他の方法は、水と、ＳｉＯ_２成分、Ａｌ成分及びＮａ成分を含むゼオライト原料と、構造規定成分とを含有し、ＳｉＯ_２成分の配合量が水に対して０．０５〜５質量部であり、且つ、温度が１２０℃以上且つ１５０℃未満である配向性ゼオライト結晶製造液内に、基体を浸漬する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】最大変位又は歪みを記憶し、必要時に簡易に最大変位又は歪みを取得できる最大変位記憶装置を提供する。
【解決手段】最大変位記憶装置２０を、変位が生じたときに引張り歪が生じるようにセンシング部位に保持される弾性変形体２と、弾性変形体２の引張り歪発生部位に固定され、導電性粒子のパーコレーション構造又は連続する導電性繊維による導電経路を備え、前記導電経路は、前記導電経路に作用した歪に対して導電率の変化を示すとともに前記歪が最大値に対応して変化した導電率を保持するのに有効な残留抵抗現象を示すセンサ１０ａ，１０ｂと、を備えるようにする。
【００００】。 （もっと読む）

【課題】高い可視光応答性を有する光触媒材料を提供する。
【解決手段】チタン酸化合物に適度の還元を施すことにより、高い可視光応答性を有する光触媒材料が得られる。可視応答性は、還元程度によって大きく異なる。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波及びミリ波通信用等に使用する共振高周波デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体や誘電体等で構成の基板１の上にギャップＧを形成のストリップライン９を形成し、そのギャップＧに、検出素子２０を接合して、ストリップライン９と検出素子２０とで閉ループを形成する。 （もっと読む）

【課題】均質又は分散型の粒子構造を有するセラミックス粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】１種又は２種以上の金属酸化物を含有するセラミックス粉末を製造するのにあたり、前記金属酸化物を構成する金属の塩である金属塩類と前記金属のカチオンをキレート可能な電子供与性基と重合性官能基とを有するキレート剤とを含有する原料液を調製する原料液調製工程と、液滴化した前記原料液を加熱してセラミックスを合成する合成工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】 球状であり、最大径が小さく且つ粒度分布の狭い非結晶質複合酸化物粒子及びその製造方法、並びに、上記非結晶質複合酸化物粒子からなり、均質で緻密な蛍光膜を容易に形成することができる蛍光材、及び、赤色の発光効率の高い構造体である蛍光体を提供する。
【解決手段】 希土類元素（Ｅｕ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｃｅ等）を含む化合物と、酸性のシリカゾルとを含有する混合溶液を霧化して液滴とする工程と、該液滴を６００〜１５００℃で熱処理する工程とを備える。上記混合溶液におけるＳｉ及び希土類元素の好ましい構成割合は、これらの合計を１００ｍｏｌ％とした場合に、１〜５０ｍｏｌ％及び９９〜１ｍｏｌ％である。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板中に、カイラリティ及びサイズが制御されたカーボンナノチューブの配列を作製し、電流制御特性の向上を図る。
【解決手段】
ＳｉＣからなる半導体基板４０上のマスク４２に、リソグラフィによって微細な小孔４４のパターンを形成した後、半導体基板４０を真空化で加熱すると、前記小孔４４内に露出した基板表面が分解して珪素原子が失われ、カーボンのキャップ構造４６が生成する。更に、加熱を続けると、前記キャップ構造４６から、前記半導体基板４０を厚み方向に貫くように、カーボンナノチューブ１８が成長する。得られたカーボンナノチューブ１８は、ジグザグ型構造にカイラリティが制御されるとともに、チューブ径（サイズ）及び配列も制御されている。このようなカーボンナノチューブ１８を導電部として利用することにより、電流制御素子の特性が大幅に向上する。 （もっと読む）